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华中科技大学数电试题

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华中科技大学数电试题

数字电子技术基础试卷(本科)及参考答案

试卷七

一、选择题(每小题2分,共16分)

6.TTL与非门在电路中使用时,多余输入端的处理一般是()。

a. 悬空

b. 通过一合适电阻接地

c. 通过一合适电阻接电源

7.欲用两输入与非门构成一个二—十进制译码器,最少要用()两输入与非门。

a. 16

b. 20

c. 28

d. 44

8.用六管静态存储单元构成1024bit的RAM,如果输出为Y1Y2,则地址为(),MOS管的个数为()。

a. A0~ A7

b. A0~ A8

c. A0~ A9

d. 4096

e. 6144

f. 8192

七、(15分)设计一个将余3BCD码转换为余3循环BCD码(修改的格雷码,“0”的码组为“0010”)的码制变换电路。画出用与非门组成的逻辑电路图。

八、(15分)试用74161和尽量少的门电路设计一个秒计数器,(在60秒时产生分进位信号)。

试卷七参考答案

一、

6.c

7.d

8.b,e

七、

1.设输入为A、B、C、D,输出为W、X、Y、Z,余3 BCD码转换为余3循环BCD 码如表A7所示。

表A7

用卡诺图化简得输出的逻辑函数表达式分别为

A W =,

B A B A X ?=,

C B C B Y ?=,

D C D C Z ?=

2.逻辑电路图(略)

八、

1.秒计数器应为BCD 码60进制计数器,即个位为10进制计数器,十位为6进制计数器。当个位计到9时,再来一个脉冲,个位回0,十位进行加1计数。因此,个位计到9产生置数信号,并控制高位片的使能输入端,在下一个CP 的上升沿来后,个位清零,同时使十位加1。秒计数器如图A8所示,C 为在60秒时产生分进位信号。

图A8

试卷八及参考答案

试卷八

一、(12分)二极管电路如图1所示,试分析判断D 1、D 2导通、截止情况。假设D 1、

D 2为理想二极管,求AO 两端电压V AO 。

O

图1

七、(15分)

1.将逻辑函数BD C B C AB Y +++=写成与非—与非式; 2.写出CD C B A Y ++=)(的反演式;

3.组合逻辑电路和时序逻辑电路有什么区别?有什么联系? 4.将下列十进制数转换为二进制数和二—十进制BCD 码:

(1)10 (2)598

5.一个n位D/A转换器,可以达到的精度为多少?若一D/A转换器满刻度输出电压为10V,当要求1mV的分辨率时,输入数字量的位数n至少应为多少?

八、(12分)图8所示是一双相时钟发生器。设触发器的初始状态Q=0。

1.分析该电路中555电路及周围元件构成什么电路;

2.画出555电路v3、v1及v2的波形;

3.计算该电路时钟频率。

R v1 v2

7.3k

图8

九、(10分)图9所示是用两个二进制计数器74161和一个D触发器7474组成的电路,试分析该电路的功能。触发器输出信号Q与CP信号满足什么关系?

图9

十、(10分)用74138和JK触发器构成图10所示电路。

1.要使电路正常工作,请连接电路未完成部分;

2.当CP时钟端加时钟信号,JK触发器组成的电路具有什么功能;

3.电路中的LED能否发光?D0~D7闪亮次序如何?试加以分析。(设初始状态Q0=Q1=Q2=0)

图10

十一、(12分)某单位举行竞赛抢答,每次参赛者三人。现采用三人抢答器,抢答器用三种颜色的灯,以区分不同的抢答对象。若每次只亮一盏灯,表示抢答成功;若出现两盏灯或两盏以上的灯同时亮,或都不亮,则不能判断抢答对象是谁,判为抢答失败,需重新竞争。试用与非门器件设计一逻辑电路检测出抢答器失败信号。

十二、(16分)分析图12所示时序逻辑电路

1.问该电路属于同步时序电路还是异步时序电路?

2.写出该电路的驱动方程、状态方程以及输出方程;

3.采用状态转换图方法分析该电路的功能;

4

图12

试卷八参考答案

一、将D 1和D 2均断开,以O 点为参考点,D 1的阳极电位为12V ,阴极电位为0V ;D 2的阳极电位为12V ,阴极电位为-6V ,即D 1和D 2都为正向偏置。但是D 2一旦导通,D 1的阳极电位变为-6V ,D 1不能再导通。所以,D 1截止,D 2导通,V AO =-6V 。

七、

1.D B C A Y =;

2.))((D C C B A Y ++=;

3.组合逻辑电路和时序逻辑电路的区别:组合电路的输出状态在任何时刻只取决于同一时刻的输入状态,而与电路原来的状态无关,电路中不含具有存储功能的元件;时序电路在任一时刻的输出信号由输入信号和电路的状态共同决定,电路中包含存储功能的元件。

组合逻辑电路和时序逻辑电路的联系:时序电路是由组合电路和存储电路组成。 4.(1)10转换为二进制数是1010,二—十进制BCD 码是0001 0000

(2)598转换为二进制数是1001010110,二—十进制BCD 码是0101 1001 1000 5.一个n 位D/A 转换器的精度可以达1/2n 。

满刻度输出电压为10V ,要求1mV 的分辨率时有

V 101.0V 210

3-?=n

可求出n =13.3。所以输入数字量位数n 至少应为13位。

八、

1.555、电阻R 1、R 2及电容C 构成多谐振荡器; 2.v 3、v 1及v 2的波形如图A8所示,

v

v v

图A8

3.555定时器构成的多谐振荡器频率为

C R R f )2(43

.1213+=

。该电路产生的两个时钟频率均为多谐振荡器频率的1/2。因此,v 1

及v 2

波形的频率为kHz

244)2(243

.1210≈+=C R R f 。

九、两个74161构成同步256进制计数器,或256分频器。进位信号TC 的脉冲宽度只占一个CP 周期。Q 的周期T Q 与CP 信号的周期T CP 满足T Q =256T CP 。

十、

1.要使74138正常工作,将使能输入端1E 、2E 接低电平;3输入门应为与门,在与门上画“&”符号。逻辑电路图(略)。

2.JK 触发器组成异步八进制加计数器。

3.由于Q 0=Q 1=Q 2=0时,0Q =1Q =2Q =1,与非门的输出为0,74138不工作,其输出

7Y ~0Y 全为1,D 0不发光。除此之外,无论2Q 、1Q 、0Q 为何值,与非门的输出为1,74138

可以工作,其输出有低电平,对应的LED 可发光。由于Q 2、Q 1、Q 0接入译码器输入A 2、A 1、A 0的顺序相反,所以,D 1~D 7的闪亮次序为:D 4、D 2、D 6、D 1、D 5、D 3、D 7并循环。

十一、设三盏灯分别为A 、B 、C ,1表示灯亮,0表示灯灭。逻辑电路输出为L ,抢答失败为1,成功为0,列写真值表如表11所示。

根据真值表写出化简的与非逻辑表达式为

C B A BC AC AB L ???=

根据逻辑表达式可画出与非门实现的逻辑图(略)。

十二、

1.是同步时序电路。 2.驱动方程

1

0120==K Q Q J 02101Q Q K Q J +== 1

20

12Q K Q Q J ==

状态方程

n 0

n 1n 21n 0 Q Q Q Q =+, n 0n 1n 2n 0n 11n 1Q Q Q Q Q Q +=+, n 1n 2n 0n 1n 21n 2Q Q Q Q Q Q +=+

输出方程

12Q Q Y =

3.状态转换图如图A12-3所示。从状态转换图的主循环可以看出,该电路是7进制计数器,经过7个时钟脉冲后,输出Y 为1,产生进位信号。

图A12-3

4.画出时序图

设电路的初始状态为Q0=Q1=Q2=0,根据状态图可画出时序图如图A12-4所示。

CP

Q0

Q1

Q2

图A12-4

试卷一及其参考答案

试卷一

一、(20分)选择填空。从每个小题的四个选项中选出一个正确答案,并将其编号填入该题后的括号中。

1.十进制数3.625的二进制数和8421BCD码分别为()

A.11.11 和11.001 B.11.101 和0011.011000100101

C.11.01 和11.011000100101 D.11.101 和11.101

2.下列几种说法中错误的是()

A.任何逻辑函数都可以用卡诺图表示。B.逻辑函数的卡诺图是唯一的。

C.同一个卡诺图化简结果可能不是唯一的。D.卡诺图中1的个数和0的个数相同。3.和TTL电路相比,CMOS电路最突出的优点在于()

A.可靠性高B.抗干扰能力强

C.速度快D.功耗低

4.为了把串行输入的数据转换为并行输出的数据,可以使用()

A.寄存器B.移位寄存器

C.计数器D.存储器

5.单稳态触发器的输出脉冲的宽度取决于()

A.触发脉冲的宽度B.触发脉冲的幅度

C.电路本身的电容、电阻的参数D.电源电压的数值

6.为了提高多谐振荡器频率的稳定性,最有效的方法是()

A.提高电容、电阻的精度B.提高电源的稳定度

C.采用石英晶体振荡器C.保持环境温度不变

7.已知时钟脉冲频率为f cp,欲得到频率为0.2f cp的矩形波应采用()

A.五进制计数器B.五位二进制计数器

C.单稳态触发器C.多谐振荡器

8.在图1-8用555定时器组成的施密特触发电路中,它的回差电压等于()A.5V B.2V

C.4V D.3V

图1-8

二、(12分)已知输入信号A、B、C的波形,试画出图2所示各电路输出(L1、L2、L3)

A

B

C

1

图2

三、(10分)如图3所示,为检测水箱的液位,在A、B、C、三个地方安置了三个水位检测元件,当水面低于检测元件时,检测元件输出低电平,水面高于检测元件时,检测元件输出高电平。试用与非门设计一个水位状态显示电路,要求:当水面在A、B之间的正常状态时,仅绿灯G亮;水面在B、C 间或A以上的异常状态时,仅黄Y灯亮;水面在C以下的危险状态时,仅红灯R亮。

A

B

C

图3

四、(12分)逻辑电路如图4所示,试画出Q0、Q1、Q2的波形。设各触发器初态为0。

CP

图4

五、(12分)已知某同步时序逻辑电路的时序图如图5所示。

1.列出电路的状态转换真值表,写出每个触发器的驱动方程和状态方程

2.试用D

Q Q Q

六、(12分)用移位寄存器74194和逻辑门组成的电路如图6所示。设74194的初始状态Q 3Q 2Q 1Q 0=0001

、Q 、Q 、Q 和L 的波形。

L

CP

1

2

3 4 5

6

7 8

图6

七、(10分)电路如图7所示,图中74HC153为4选1数据选择器。试问当MN 为各种不同输入时,电路分别是那几种不同进制的计数器。

图7

八、(12分) 由555定时器组成的脉冲电路及参数如图8 a 所示。已知v

I 的电压波形如

图b 所示。试对应v I 画出图中v O1、v O2的波形;

v I

v O2

υ

4V

(b) 图8

试卷一参考答案

一、选择填空

1.B ; 2.D ; 3.D ; 4.B ; 5.C ; 6.C ; 7.A ; 8.B

二、1L 、2L 和3L 的波形如图A2所示。

图A2

三、真值表如表A3所示,各逻辑函数的与非-与非表达式分别为

R C

Y A BC A BC ==+=?

G AB =

逻辑图略。

表A3

四、驱动方程:J 0=Q 2 K 0=1, J 1=1 K 1= Q 2⊙Q 0, J 2=1 K 2=1Q + Q 0 波形图如图A4。

图A4

五、

1.状态转换真值表如表A5所示。

A5

激励方程:D 2=Q 1,D 1=Q 0,120Q Q D =

状态方程:n

n Q Q 112=+,n n Q Q 01

1

=+,n

n n Q Q Q 1210=+

状态图如图A5所示。

图A5

电路具自启动能力 2.电路图略。

六、各输出端Q 3、Q 2、Q 1、Q

和L 的波形如图A6所示。

L

Q 0 Q 1 Q 2 Q 3 CP 图A6

七、MN =00 8进制计数器,MN =01 9进制计数器, MN =10 14进制计数器,MN =11 15进制计数器。

八、对应v I 画出图中v O1、v O2的波形如图A8所示。

υI

4V υ

υ

图A8

数字电子技术基础试卷(本科)及参考答案

试卷二及其参考答案

试卷二

一、(18分)选择填空题

1. 用卡诺图法化简函数F (ABCD )=∑m (0,2,3,4,6,11,12)+∑d (8,9,10,13,14,15)得最简与-或

式________。

A. BC B F +=

B.

C B

D A F ++=

C. C B D F +=

D.

A B CD F ++=

2. 逻辑函数F 1、F 2、F 3的卡诺图如图1-2所示,他们之间的逻辑关系是 。

A .F 3=F 1?F 2

B .F 3=F 1+F 2

C .F 2=F 1?F 3

D .F 2=F 1+F 3

图1-2

3. 八选一数据选择器74151组成的电路如图1-3所示,则输出函数为( )。

A .

B

C CA BA L ++= B .B C A C A B L ++= C .B C CA A B L ++=

D .CB CA A B L ++=

C

B

A

图1-3

4. 图1-4所示电路中,能完成Q n +1

=n Q

逻辑功能的电路是( )

图1-4

5. D/A 转换电路如图1-5所示。电路的输出电压υ0等于( )

A. 4.5V

B. -4.5V

C. 4.25V

D. -8.25V

O

0 0 0 0 0 0 1 0 0 1

图1-5

6.用1K×4位的DRAM 设计4K×8位的存储器的系统需要的芯片数和地址线的根数是( )

A. 16片,10根

B. 8片,10根

C. 8片,12根

D. 16片,12根

7.某逻辑门的输入端A 、B 和输出端F 的波形图1-7所示,F 与A 、B 的逻辑关系是:

A. 与非;

B. 同或;

C.异或;

D. 或。

A B

F

图1-7

二、(12分)逻辑电路如图2 a 、b 、c 所示。试对应图d 所示输入波形,分别画出输出端L 1、、L 2 和L 3的波形。(设触发器的初态为0)

1

C

A

B 2

(a ) (b)

3

A B C

(c ) (d)

图2

三、(12分)发由全加器FA 、2-4线译码器和门电路组成的逻辑电路如图3 a 所示。试

在图b中填写输出逻辑函数L的卡诺图(不用化简)。

b

(a) (b)

图3

四、(12分)用最少的与非门设计一个组合逻辑电路,实现以下逻辑功能:

00

1

=

X

X

时AB

Y=,01

1

=

X

X

时B

A

Y+

=;10

1

=

X

X

时B

A

Y⊕

=;11

1

=

X

X

时,输出为任意态。

1.在图4中填写逻辑函数Y的卡诺图

2.写出逻辑表达式

3.画出逻辑电路

五、(15分)分析如图5所示时序逻辑电路。(设触发器的初态均为0)

1.写出各触发器的时钟方程、驱动方程、状态方程;

2.画出完整的状态图,判断电路是否具能自启动;

3.画出在CP作用下的Q0、Q1及Q3的波形。

Q

CP

图5

七、(16分)由555定时器、3-8线译码器74HC138和4位二进制加法器74HC161组成的时序信号产生电路如图7所示。

1. 试问555定时器组成的是什么功能电路?计算v o1输出信号的周期;

2. 试问74LVC161组成什么功能电路?列出其状态表;

3. 画出图中v o1、Q 3、Q 2、Q 1、Q 0 及L 的波形。

1k 1k Ω0.1μR R

试卷二参考答案

一、选择填空

1.C 2.B 3.C 4.B 5.B 6.C 7.B

二、输出端L 1、L 2和L 3的波形如图A 2所示。

图A 2

三、输出逻辑函数L 的卡诺图如图A3所示。

b

四、1.逻辑函数Y 的卡诺图如图A4所示。

2.

1

01000Y X X A AB AX AB X X A AB AX AB =+++=???,

3.电路图略

五、

1.时钟方程:CP CP CP ==20

01Q CP =

激励方程:1 020==K Q J ,; 1 111==K J ,; 1 2012==K Q Q J ,

状态方程:

0000210cp Q cp Q Q Q n n n n +=+,111111cp Q cp Q Q n n n +=+,22221012cp Q cp Q Q Q Q n n

n n n +=+

2.电路的状态图如图A5-2所示。电路具有自启动功能。

图A5-2

3.波形图如图A5-3所示。

Q Q 1Q 图A5-3

1.555定时器组成多谐振荡器。

μs

2107.0)(7.0221pL pH =++=+=C R C R R t t T

2.74LVC161组成五进制计数器,电路状态表如表A7所示 3.v o1、Q 3、Q 2、Q 1、Q 0 及L 的波形如图A7组成。

L

υo1

Q 3 Q 2 Q 1 Q 0

图A7

数字电子技术基础试卷(本科)及参考答案

试卷三及其参考答案

试卷三

一、(16分) 1.(12分)逻辑电路如图1-1 a 、b 、c 、d 所示。试对应图e 所示输入波形,分别画出输出端L 1、L 2、L 3和L 4的波形。(触发器的初态为0)

A B C

L 2

C

B A L 3

(e )

C

(c )

C

(b )

C

1

Ω

A

B

4

(d)

图1-1

2.(4分)用代数法化简: C B A C B A C B A F ++++=1

)D C A D C (A B C)(A F +⊕=2

二、(10分)已知逻辑函数:

1

221F F F BCD

C B C

D A D C B A (A,B,C,D)F D C B A D B A C A AB (A,B,C,D)F ?=+++=+++=

画出逻辑函数F 1、F 2 和F 的卡诺图;用最少的与非门实现逻辑函数F ,画出逻辑图。

三、(8分)分析图3所示逻辑电路,写出输出端的逻辑函数表达式,列出真值表,说明电路能实现什么逻辑功能。

1

图3

四、(12分)用数据选择器组成的多功能组合逻辑电路如图4所示。图中G 1、G 0为功能选择输入信号,X 、Z 为输入逻辑变量,F 为输出逻辑函数。分析该电路在不同的选择信号时,可获得哪几种逻辑功能,请将结果填入表4中。

图4

五、(12分)设计一个组合逻辑电路。电路输入DCBA为8421BCD码,当输入代码所对应的十进制数能被4整除时,输出L为1,其他情况为0。

1.用或非门实现。

2.用3线-8线译码器74HC138和逻辑门实现。

(0可被任何数整除,要求有设计过程,最后画出电路图)

六、(14分)分析如图6所示时序逻辑电路

1.写出各触发器的激励方程、输出方程

2.写出各触发器的状态方程

3.列出电路的状态表并画出状态图

4.说明电路的逻辑功能。

图6

七、(16分)用边沿JK触发器和最少的逻辑门设计一个同步可控2位二进制减法计数器。当控制信号X=0时,电路状态不变;当X=1时,在时钟脉冲作用下进行减1计数。要求计数器有一个输出信号Z,当产生借位时Z为1,其他情况Z为0。

八、(12分)时序信号产生电路如图8所示,CP为1kHz正方波。

1.说明74161和非门组成电路的逻辑功能;

2.对应CP输入波形,画出电路中υO1、υO2的电压波形。

3.计算υO2的输出脉宽t W;

4.试问υO2的频率与CP的频率比是多少?

华中科技大学模拟电子技术试卷五

试卷五(本科)及其参考答案 试卷五 一、填空和选择题(每小题2分共16分) 1.半导体二极管的重要特性之一是。 (A)温度稳定性(B)单向导电性(C)放大作用(D)滤波特性2.在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生失真。 (A)截止失真(B)饱和v失真(C)双向失真(D)线性失真3.多级放大电路与组成它的任何一个单级放大电路相比,通频带。 (A)变宽(B)变窄(C)不变(D)与单级放大电路无关4.电流源电路的特点是输出电流恒定,交流等效电阻。 (A)等于零(B)比直流等效电阻小 (C)等于直流等效电阻(D)远远大于直流等效电阻 5.放大电路产生零点漂移的主要原因是。 (A)采用了直接耦合方式(B)采用了阻容耦合方式 (C)采用了正、负双电源供电(D)增益太大 6.二阶压控电压源低通有源滤波器通带外幅频响应曲线的斜率为。 (A)20dB/十倍频程(B)-20dB/十倍频程 (C)40dB十倍频程(D)-40dB/十倍频程 7.当有用信号的频率低于100Hz时,应采用滤波电路。 (A)低通(B)高通(C)带通(D)带阻 8.在图1-8所示电路中,稳压管D Z的稳定电压V Z = 6V,最小稳定电流I zmin = 5mA,输入电压V I = 12V,电阻R=100Ω,在稳定条件下I L的数值最大不应超过。 (A)40mA (B)45mA (C)55mA (D)60mA 图1-8 二、(14分) 分压式射极置共射放大电路如图2所示,已知BJT的β =100,V BE = 0.7V。电路处于正常放大状态。 (1)估算电路的静态工作点;

(2)画出简化的H参数小信号等效电路; (3)求放大电路通带内的电压增益、输入电阻和输出电阻。 图2 三、(12分) 放大电路如图3 a、b、c、d所示。 (1)试分别说明4个放大电路所属的组态; (2)当信号源为电压源,且内阻不为零时,最好采用图中哪一个电路作为输入级? (3)为了使放大电路有较强的带负载能力,最好采用图中哪一个电路作为输出级? (4)当信号的频率范围比较宽,肯包含较高的频率成分时,最好采用图中哪一个电路进行放大? (5)假设图a放大电路的输入电阻和输出电阻均为4kΩ,图d的输入电阻为60kΩ,输出电阻为50Ω,当用图a和d构成两级放大电路,其输入信号取自内阻为200Ω的电压源信号,输出端带4kΩ负载时,试问:由图a作为第一级、图d为第二级时电压增益的值大,还是图d为第一级、图a为第二级时电压增益的值大?

光学与电子信息学院2015级培养方案-光电信息科学与工程-光

光电信息科学与工程专业本科培养计划 Undergraduate Program for Specialty In Optoelectronic Information Science and Engineering 一、培养目标 Ⅰ.Program Objectives 培养德、智、体全面发展,具有系统、扎实的光电理论基础,在信息的获取、传递、处理及应用等方面具有较宽广的专业知识,英语应用能力和工程实践动手能力强,人文素质和创新精神优秀,并在激光科学与工程、光纤通信系统与技术、光电系统与信息处理、光电子集成器件技术等方向具有一定专长的高素质人才。毕业生能在研究院所、高等院校、信息产业部门及其相关领域从事信息科学与技术的研究、系统集成与设计、开发等方面的工作。 Aiming at preparing all-rounded, high-quality talents with international competence, this program will enable students to be solid grounded in basic theory, wide-ranged in specialized knowledge, capable of practical work and particularly specialized in Laser Science and Engineering, Optical Fiber Communication System and Technology, Optoelectronic System and Information Processing, Optoelectronic Integrated Devices. Students can be fit into jobs in IT department research centers and colleges. They can do research, design and develop the integrated system in Information Science and Technology area. 二、基本规格要求 Ⅱ.Learning Outcomes 毕业生应获得以下几个方面的知识和能力: 1.扎实的数理基础; 2.掌握光学与光电子学、电子与信息科学的基本理论和方法; 3.解决本学科领域内的科研及工程问题的能力; 4.了解本学科发展的前沿动态; 5.较强的英语语言能力; 6.优秀的文献检索、资料查询与综述,以及科技论文和研究报告撰写的能力;

华中科技大学激光原理2002-2015历年真题

华科考研激光原理2002--2015真题 2015年(839) 一、简单 1、激光产生的必要条件? 2、激光的四种特性?选择一种说明其用途 3、谐振腔的稳区图,并写明稳定腔和非稳腔的位置 4、四能级系统速率方程和图示 二、共焦腔与一般稳定腔的对应计算 三、行波腔的均匀加宽和多普勒加宽的最大输出功率计算 四 2015激光原理(900) 一、简答题 1、△n 大于0,激光器是否能够产生自激振荡? 2、光学谐振腔的结构和作用 3、共焦腔与一般腔的等价性 4、均匀加宽与非均匀加宽的特点 5、连续激光器从开始振荡到产生稳定输出增益系数的变化情况 6、光学模式以及横模和纵模 二、三能级四能级的本质区别,以及为什么四能级更容易产生粒子数反转

三、三能级能级示意图,速率方程 四、稳定腔,非稳腔,临界腔计算判断(很简单) 五,光线传输矩阵相关的题 2014年 一.解释题 1.描述自然加宽和多普勒加宽的成因,说明他们属于什么加宽类型。(15) 2.描述一般稳定腔和对称共焦腔的等价性。(15) 3.增益饱和在连续激光器稳定输出中起什么作用? 谱线加宽是怎样影响增益饱和特性的?(15) 4.说明三能级系统和四能级系统的本质区别,哪个系统更容易形成粒子数反转,为什么?(15) 二.解答题 1. 一个折射率为η,厚度为d 的介质放在空气中,界面是曲率半径为R 的凹面镜和平面镜。 (1)求光线从空气入射到凹面镜并被凹面镜反射的光线变换矩阵。 (2)求光线从凹面镜进入介质经平面镜反射再从凹面镜射出介质的光线变换矩阵。 (3)求光线从凹面镜进入介质再从平面镜折射出介质的光线变换矩阵。(25) 2. 圆形镜共焦腔的腔长L=1m ,(1)求纵模间隔q υ?,横模间隔m υ?,n υ?. (2)若在增益阈值之上的增益线宽为60Mhz ,问腔内是否可能存在两个以上的纵模震荡,为什么?(25) 3. 虚共焦型非稳腔的腔长L=0.25m ,由凹面镜M1和凸面镜M2组成,M2的曲率半径和直径为m R 12-=,cm a 322=,若M2的尺寸不变,要求从M2单端输出,则M1的尺寸为多少;腔的往返放大率为多少。(20) 4. 某连续行波激光放大器,工作物质属于均匀加宽型,长度是L ,中心频率的小信号增益为m G ,初始光强为0I 中心频率饱和光强为s I ,腔内损耗系数为i α (m i G <<α),试证明有:

中南大学数据库考试题库

1?在数据库设计中,用E-R图来描述信息结构但不涉及信息在计算机中的表示,它属于数据库设计的()阶段。 A需求分析 B概念设计 C逻辑设计 D物理设计 参考答案 B 数据库设计步骤: (1)规划(必要性、可行性,总目标) (2)需求分析(分析用户活动,产生业务流程图;确定系统范围,产生系统范围图;分析用户活动涉及的数据,产生数据流程图;分析系统数据,产生数据字典。)(3)概念设计(设计出独立于计算机硬件和DBMS的概念模式。E-R模型是主要设计工具) (4)逻辑结构设计(把概念设计阶段设计好的全局E-R模式转换成与选用的具体机器上的DBMS所支持的数据模型相符合的逻辑结构,包括数据库模式和外模式)(5)数据库的物理设计(对于给定的数据模型选取一个垠适合应用环境的物理结构的过程。数据库的物理结构主要指数据库的存储记录格式、存储记录安排和存取方法)(6)数据库的实现(建立实际数据库结构;装入试验数据对应用程序进行调试;装入实际数据,进入试运行状态) (7)数据库的运行与维护(维护数据库的安全性与完整性;监测并改善数据库运行性能; 根据用户要求对数据库现有功能进行扩充;及时改正运行中发现的系统错误) 2.关于数据库概念设计阶段的工作目标,下列说法错谋的是 A定义和描述应用系统涉及的信息结构和范围 B定义和描述应用系统中数据的属性特征和数据之间的联系 C描述应用系统的数据需求 D描述需要存储的记录及其数量 参考答案 3. SQL Server 2000的字符型系统数据类型主要包括()。 A int、money、char B char> varchar、text

C datetime、binary> int D char、varchar> int 参考答案 B 4. 具有联系的相关数据按一定的方式组织排列,并构成一定的结构,这种结构即()。 A数据模型 B数据库 C关系模型 D数据库管理系统 参考答案 A 5. 在数据库系统中,下列哪个映像关系用于提供数据与应用程序间的逻辑独立性? A外模式/模式 B模式/内模式 C外模式/内模式 D逻辑模式/内模式 参考答案 B 6. 关系模型的数据结构是 A树 B图 C表 D二维表 参考答案 D 7. 数据字典是数据库管理系统的重要组成部分,其中存储的各类信息通常由 A数据库管理员维护 B程序员维护 C数据库管理系统维护 D—般用户维护 参考答案 A 8. E-R图用于描述数据库的

华中科技大学光电学院2018年推免生推荐管理办法

光学与电子信息学院推荐优秀应届本科毕业生 免试攻读研究生管理办法(2018年) 第一条根据教育部有关规定和华中科技大学有关管理办法,为规范在本科生中推荐优秀应届毕业生免试攻读研究生(简称“推免生)工作,按照"公平、公正、公开"的原则,特制定该实施办法。 第二条学院成立由党政一把手、主管本科教学、研究生培养和学生工作的副院长、副书记任组长、副组长,相关领导、教务和学工组老师为成员的推免生工作领导小组,全面负责学院推荐工作。 第三条学院根据学校下达的指标总数、各专业应届本科生人数和当年本科专业评估情况按比例统一分配推免生名额。 第四条推免生推荐条件: 1.我校全日制普通本科应届毕业生; 2.加权平均成绩居本年级或专业排名的前50%;其它类型实验班按相应管理办法执行; 3.通过国家大学外语四级考试; 4.修读本专业核心课程无不及格记录(18门); 5. 无任何违法违纪处分记录; 6. 在同等条件下,在校期间参军入伍服役、到国际组织实习的学生优先。 第五条破格推免生: 对确有特殊学术专长或具有突出培养潜质的学生,执行破格推免制度,申请资料学院审核后由校级专家组评审,统一评审认定。 第六条推免生推荐程序: 1.学生本人申请并向学工组提交有关成果与奖励证明原件; 2. 学院按规定对学生进行综合评定、考核,择优确定推免生名单并在院内张榜 公布,公示期不少于三个工作日。 第七条推免生的推荐复试要求: 1.所有推免生均应参加推荐复试;首先根据学生前三年的平时加权排序,按照

推免指标1:1.5并且满足加权前50%划定入围资格,然后考虑奖励分计算得到平时综合成绩进行排序,按推免指标1:1.3确定复试资格。 2.根据下达的推免指标,不同专业分别独立进行排序,普通班和实验班分别独立进行排序,中法班、中法班分别独立进行排序; 3. 综合成绩:综合成绩由学生平时综合成绩和复试成绩组成,平时综合成绩占80%、复试成绩占20%; 4. 平时综合成绩=前三年必修课及专业选修课的历年加权平均成绩(百分制)+奖励分。加权平均成绩的计算均按第一次与同班同学一起考试的课程成绩确定; 5.复试成绩一般由业务课笔试(40%)、面试(40%)、外语听说能力测试(20%)三部分成绩组成; 6. 奖励分的计算公式:所在专业最高奖励分>5分时,按照等效奖励分计算,等效奖励分=(学生实际获得奖励分/当年所在专业奖励分最高分)*5;所在专业最高奖励分≦5分时,按照实际加分进行计算。 关于推免生综合评定中的奖励分,由学院推免生工作领导小组组织专家根据学生提交的有关成果与奖励证明原件,参照《华中科技大学关于推荐本科生免试攻读硕士和直接攻读博士学位研究生奖励细则》,讨论后决定申请者的奖励分,并公示奖励分的评比结果。 第八条经学校发文确定为推免生的,不纳入当年本科毕业生协议就业计划;留学出国生申请放弃保研资格,留学出国中将不出具成绩证明,并纳入诚信档案,寄送相关国外申请高校。 第九条推免生出现下列情况之一的,取消其推荐资格: 1.在申请推免生过程中发现有弄虚作假行为的; 2.违反校纪校规,受到学校纪律处分,或被追究法律责任的; 3.本科毕业时不能获得学士学位的。 第十条复试方法: 复试包括专业知识、综合素质和能力、外语听力及口语与思想政治品德等考核内容。 (1)专业考核:包括笔试和面试两部分

中南大学数字电子技术基础期末考试试卷(四套附答案)

中南大学信息院《数字电子技术基础》 期终考试试题(110分钟)(第一套) 一、填空题:(每空1分,共15分) =+的两种标准形式分别为 1.逻辑函数Y AB C ()、()。2.将2004个“1”异或起来得到的结果是()。 3.半导体存储器的结构主要包含三个部分,分别是()、()、()。 4.8位D/A转换器当输入数字量为5v。若只有最低位为高电平,则输出电压为()v;当输入为,则输出电压为()v。 5.就逐次逼近型和双积分型两种A/D转换器而言,()的抗干扰能力强,()的转换速度快。 6.由555定时器构成的三种电路中,()和()是脉冲的整形电路。 7.与PAL相比,GAL器件有可编程的输出结构,它是通过对()进行编程设定其()的工作模式来实现的,而且由于采用了()的工艺结构,可以重复编程,使它的通用性很好,使用更为方便灵活。 二、根据要求作题:(共15分) 1.将逻辑函数P=AB+AC写成“与或非”表达式,并用“集电极开路与非门” 来实现。 2.图1、2中电路均由CMOS门电路构成,写出P、Q 的表达式,并画出对应A、 B、C的P、Q波形。

三、分析图3所示电路:(10分) 1)试写出8选1数据选择器的输出函数式; 2)画出A2、A1、A0从000~111连续变化时,Y的波形图; 3)说明电路的逻辑功能。 四、设计“一位十进制数”的四舍五入电路(采用8421BCD码)。要求只设定一个输出,并画出用最少“与非门”实现的逻辑电路图。(15分) 五、已知电路及CP、A的波形如图4(a) (b)所示,设触发器的初态均为“0”,试画出输出端B和C的波形。(8分)

中南大学内科学试题库

中南大学内科学试题库 1 / 120 中南大学内科学题库 呼吸系统疾病 总 论 一、选择题 【 A1 型题】 1 、吸入呼吸道的异物颗粒主要排出机制是: A. 巨噬细胞吞噬 B . 粘液纤毛系统移送 C. 补体作用 D. 支气管收缩 E. 免疫球蛋白 2 、肺循环的特点是: A. 低压、高阻、低容 B. 低压、低阻、高容 C. 低压、低阻、低容 D . 高压、高阻、高容 E . 低压、高阻、高容 3 、体位改变时咳嗽咳痰加重多见于: A. 急性支气管炎 B . 支气管肺癌 C. 浸润型肺结核 D. 支气管扩张症 E. 慢性心功能不全 4 、正常成人总的呼吸膜面积约有: A . 150m2 B. 80m2 C. 100m 2 D . 120m2 E. 200m2 5 、国内院内获得性肺炎的病原菌最常见的是: A . 绿脓杆菌 B. MRSA C. 肺炎克雷伯杆菌 D. 肺炎球菌 E. 鲁氏不动杆菌 6 、气管癌引起呼吸困难的特点为: A. 吸气性呼吸困难 B . 呼气性呼吸困难 C. 呼气延长 D. 混合性呼吸困难 E. 夜间阵发性呼吸困难 7 、关于痰液的检查,哪项是错误的: A.痰培养定量培养菌量≥ 10 5cfu/m l 可判定为致病菌 B .痰涂片在低倍镜视野里上皮细胞< 10 个,白细胞> 25 个为相对污染少的标本 C.反复痰脱落细胞学检查有助于肺癌的诊断 D.经环甲膜穿刺气管内吸痰的所获得痰标本污染率较低 E .痰培养对肺部微生物感染的病因诊断和药物选择有重要价值 8 、下列哪项不是影响肺换气的因素: A. 呼吸膜面积减少 B . 动 - 静脉短路增加 C. 呼吸膜厚度增加 D. 生理无效腔增加 E . 呼吸道阻力增加 9 、下列哪项不符合限制性通气功能障碍: A . 肺活量减低 B. 残气量增加 C. 第一秒用力呼气量 D. 肺总量减低 E. 最大呼气中期流速正常 10 、下列叙述哪项错误: A.潮气量是平静呼吸时,每次吸入或呼出的气量 B.肺总容量 = 潮气量 + 补吸气量 + 余气量 C.余气量是尽量呼气后,肺内气体的量 D.肺活量是最大吸气后,肺内所能呼出的最大气量 E.每分钟通气量 = 潮气量×呼吸频率 【 C 型题 】 A. 气体交换的功能血管 B. 气道、胸膜的营养血管 C. 二者均是 D. 二者均无 11 、支气管动静脉 12 、肺动静脉 急性上呼吸道感染及急性气管-支气管炎 一、选择题 【 A1 型题 】 1. 疱疹性咽峡炎最常见的病原体是: A. 埃可病毒 B. 鼻病毒 C . 柯萨奇病毒 D. 副流感病毒 E. 流感嗜血杆菌 2. 细菌性咽 - 扁桃体炎最常见的病原体是: A. 肺炎链球菌 B. 奴卡菌 C. 葡萄球菌 D. 溶血性链球菌 E. 流感嗜血杆菌 3 、 病毒感染时外周血象表现为: A. 白细胞计数升高 B. 中性粒细胞比例升高 C . 核左移 D. 淋巴细胞比例降低

华中科技大学模拟电子技术试卷六

试卷六(本科) 试卷六 一、(13分) 电路如图1所示,已知β=100,V BE = 0.7V,图中电容对信号而言均可视作短路。试求:(1)静态工作点(I B、I C、V CE); (2)画出电路的小信号等效电路; (3)通带(中频)电压增益A v = v o / v i; (4)输入电阻R i 和输出电阻R o; + v o - 图1 二、(14分) 电路如图2所示,设R g >> R b > R b1 > R b2 > R c = R d > R e > R,在放大电路通带内各电容均可看作短路。试简要回答下列问题: (1)4个放大电路各是共什么电极的放大电路? (2)哪个电路的输入电阻最大?哪个电路的输入电阻最小?哪个电路的输出电阻最小? (3)哪些电路的输入电压与输出电压是同相关系? (4)若BJT的参数完全相同,则图a和图b的频带宽度哪个更宽? (5)如果要从4个电路中选出3个构成一多级放大电路,要求能有效地放大微弱的电压信号,且有较强的带负载能力,则输入级、中间级和输出级各应是哪个电路?

图2 三、(10分) 差分式放大电路如图3 a 和b 所示。已知两电路的T 1和T 2完全相同。 (1)设图a 电路双端输出时的差模电压增益为10倍,共模增益很小可忽略不计。已知v I 的波形如图c 所示,而图c 中4个输出波形只有一个是正确的,它是______波形。 (2)图b 电路中静态电流I c4约为________。(忽略V BE ) (A )2mA (B )1mA (C )0.5mA (D )0 (3)判断下列说法正确与否: (A )当图a 电路由v O 双端输出且负载开路,图b 电路由T 2集电极v O2单端输出 且带12k Ω负载时,图a 电路的差模增益是图b 的4倍 ( ) (B )图b 电路的共模增益比图a 的大 ( ) (C )图b 电路抑制零点漂移的能力比图a 的强 ( )

本人今年考上了华科光电学硕

本人今年考上了华科光电学硕!曾经在论坛里得到过一些帮助,现在我想回报下论坛,给学弟学妹们简单介绍下今年光电的行情,希望大家能在考研论坛里交流有所得,欢迎各位同仁一起讨论。祝天下考研人梦想成真! 复试笔试之前,院长在宣读政策的时候公布:12年学术招162人(含30个推免),专硕招30人(含4个推免),也就是说留给统考生的指标一共是132+26=158个名额。进入复试的有178人,等于是要刷20人,笔试之前就有1个人放弃了(听说是个高分,找到好工作了),后来面试的时候听说又有一个人没去(这个是听说的,不确定)。178人里面有两个是报的专硕,只要他们复试后的排名在158以内,他们就可以上专硕,转不了学硕,但学硕转专硕的也挤不掉他们。如果报的是学硕,看最后排名在132到158之间的话,可以学硕转专硕,如果排名在158以后(也就是说被刷),那还有个什么中欧能源的可以报名(这个本人不怎么了解)。至于学硕奖学金(学硕推免的是全奖,专硕推免的忘了,抱歉哈)的话,80%的全奖,20%的半奖,具体最后公布的是说,排名97以前的是全奖,97到132的是半奖。专硕的也有奖助金(注意叫法不同),具体怎么样的不记得了。 至于华科是否歧视和排外,我个人觉得还是很公平的,据说今年也有一些高分和名校的学生被刷,我是一个普通二本学校的,初试分数大概排一百零几名吧(纯属推测),感觉复试笔试做得还不算差,面试大家应该都差不多吧,只要你不太紧张,和老师平静的交流几分钟就拉不开太大的差距吧(注意诚信最重要,知之为知之不知为不知)。当然面试大家也应该好好准备。然后,为了公平起见,还搞了个归一化算法:比如笔试四选二,可能有人说考自己选的这一门比别人选的那一门难一些,自己面试的这个考场老师给的分要低一些。归一化算法就是用满分除以某一门笔试科目最高分得到一个大于一的数,再用这个数乘以每个选这么科目的考生分数,面试一样的计算。仔细想想,这样似乎会更公平一点,当然绝对的公平是不存在的。 本人水平有限,内容写得有点杂,大家见谅哈!希望可以让大家对今年华科光电的行情有个大概的认识,对自己考研有一点点帮助! 你好,专业课资料我是找学长买的,抱歉,我没有电子档!至于今年的分数分布,我了解到的是:进入复试的分数最密集的应该集中在370+,380+吧,然后360分好像是110名(没记错的话)。最后复试后的总成绩如果排在前97(大概是这个数字哈),就有全额奖学金,其他的只有半额。还有排名很靠后的就是专硕了,没有奖学金。华科光电每年高分都挺高的,但低分也还是有机会的,只要充分的复习好了,一切都有希望! 2013考光电光通讯会不会很难啊,求解释 这个方向一向很难,今年只有400+的才能进

中南大学模电试卷及答案

中 南 大 学 模拟电子技术试卷(第1套) 一、一、填空题(20分,每空1分) 1.双极型三极管是 控制器件,当其工作在放大区时发射结需要加 偏置,集电结需要加 偏置。场效应管是 控制器件。 2. 在有源滤波器中,运算放大器工作在 区;在滞回比较器中,运算放大器工作在 区。 3. 在三极管多级放大电路中,已知A u1=20,A u2=-10,A u3=1,则可知其接法分别为:A u1是 放大器,A u2是 放大器,A u3是 放大器。 4. 在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极R e 公共电阻对 信号的放大作用无影响,对 信号具有抑制作用。差动放大器的共模抑制比K CMR = 。 5. 设某一阶有源滤波电路的电压放大倍数为 2001200f j A += ,则此滤波器为 滤波器, 其通带放大倍数为 ,截止频率为 。 6. 如图所示的功率放大电路处于 类工作状态;其静态损耗为 ;电路的最大输出功率为 ;每个晶体管的管耗为最大输出功率的 倍。 二、基本题:(每题5分,共25分) 1.如图所示电路中D 为理想元件,已知u i = 5sin ωt V ,试对应u i 画出u o 的波形图。

2.测得电路中NPN型硅管的各级电位如图所示。试分析管子的工作状态(截止、饱和、放大)。 3.已知BJT管子两个电极的电流如图所示。求另一电极的电流,说明管子的类型(NPN 或PNP)并在圆圈中画出管子。 4.如图所示电路中,反馈元件R7构成级间负反馈,其组态为; 其作用是使输入电阻、放大电路的通频带变。 三、如图所示电路中,β=100, Ω = ' 100 b b r,试计算:(15分) 1.放大电路的静态工作点;(6分) 2.画出放大电路的微变等效电路;(3分) 3.求电压放大倍数A u、输入电阻R i和输出电阻R o;(6分)

中南大学试题修订版

中南大学试题 Company number:【WTUT-WT88Y-W8BBGB-BWYTT-19998】

;用汇编语言实现实现冒泡排序,并将排序后的数输出 DATAS SEGMENT A dw 3 10 8 56 22 36 1 43 31 3 N=$-A ;计算数字所占的字节数 DATAS ENDS CODES SEGMENT ASSUME CS:CODES,DS:DATAS START:MOV AX,DATAS MOV DS,AX MOV SI,0 ;SI遍历数字;前一个数的地址 MOV CX,N/2-1 ;设置循环次数,M(M=N/2)个数需要,循环M-1次 CALL BUBBLE ;调用BUBBLE将原来的数排序 ;输出排序后的数 MOV CX,N/2 ;循环M次输出排序后的M个数 MOV SI,0 ;SI遍历排序后的数 MOV DI,0 ;用DI记录数字的位数 MOV BP,N+5 ;BP用于遍历存储的转化后的字符的位置 SHOW: PUSH CX ;循环次数入栈 MOV DX,0 ;由于将要进行16位除需要置高16位为0 MOV AX,[SI] ;低16位为排序后的数 CALL DTOC ;调用DTOC将十进制数转换为字符串 CALL SHOW_STR ;调用SHOW_STR将一个数转化得到的字符串输出 ADD SI,2 ;下一个数 POP CX ;循环次数出栈栈 LOOP SHOW MOV AH,4CH INT 21H ;冒泡排序 BUBBLE PROC L1: PUSH CX ;将循环次数入栈 LEA SI,A ;SI遍历DATAS数据段的数字 L2: MOV AX,A[SI] ;将前一个数存于AX CMP AX,A[SI+2] ;比较前后两个数 JBE NEXT ;如果前一个数小于或等于后一个数则继续本轮的比较 XCHG AX,A[SI+2] ;否则,交换前后两个数的位置 MOV A[SI],AX NEXT:ADD SI,2 ;下一个数 LOOP L2 ;注意内层循环的次数已经确定了 POP CX ;将循环次数出栈 LOOP L1 ;下一轮比较 RET BUBBLE ENDP ; 将十进制数转换为字符串并储存起来

华中科技大学 模拟电子技术 第2次作业

第二次作业 1.分别判断图l.1 所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。 (a) (b) (c) (d) (e) 图1.1 图A ,PNP 管,发射结正偏,集电结反偏,有可能工作在放大区; 图B ,NPNP 管,发射结正偏,集电结反偏,有可能工作在放大区; 图C ,PNP 管,发射结反偏,集电结零偏压;工作在截止区 图D ,NPN 管,发射结正偏,集电结正偏,工作在饱和区; 图E ,PNP 管,发射结正偏,集电结反偏,有可能工作在放大区; 2. 电路如图 1.2 (a)所示,图(b)是晶体管的输出特性,静态时0.7BEQ U V =。利用图解法分别求出L R =∞和3L R k =Ω时的静态工作点和最大不失真输出电压om U (有效值)。 (a) (b) 图 1.2 解:空载时:I BQ =20μA ,I CQ =2mA ,U CEQ =6V ;最大不失真输出电压峰值约为5.3V , 有效值约为3.75V 。 带载时:I BQ =20μA ,I CQ =2mA ,U CEQ =3V ;最大不失真输出电压峰值约为2.3V , 有效值约为1.63V 。 如解图P2.2所示。

解图P2.2 图1.3 3. 在图 1.3所示电路中,已知晶体管的β=80, be r =1kΩ,20i U mV =,静态时0.7BEQ U V =,4CEQ U V =,20BQ I A μ=。判断下列结论是否正确,在括号内打“√”和“×”表示。 (1)342002010u A -=- =-? (×) (2)4 5.710.7 u A =-=- (× ) (3)8054001u A ?=-=- (× ) (4)80 2.52001 u A ?=-=- (√ ) (5)20120i R k k =Ω=Ω (× ) (6)0.7350.02i R k k =Ω=Ω (×) (7)3i R k ≈Ω (× ) (8)1i R k ≈Ω (√ ) (9)5O R k =Ω (√ ) (10) 2.5O R k =Ω (× ) (11)20S U mV ≈ (× ) (12)60S U mV ≈ (√ ) 4. 电路如图1.4所示,已知晶体管β=120,U BE =0.7V ,饱和管压降U CES =0.5V 。在下列情况下,用直流电压表测量晶体管的集电极电位,应分别为多少? (1)正常情况;(2)R b1短路;(3)R b1开路;(4)R b2开路;(5)R b2短路;(6)R C 短路;

华中科技大学2018年《激光原理》硕士招生考试大纲_华中科技大学考研论坛

华中科技大学2018年《激光原理》硕士招生考试大纲 一、课程名称: 激光原理与技术 Laser Principle and Technology 二、课程编码: 三、学分与学时:64/4 四、先修课程:量子力学、几何光学、物理光学 五、课程教学目标: 《激光原理与技术》课程是光电子专业本科生的专业基础课,其教学目标是使学生能够掌握本课程的基本理论、基本分析方法和基本技能。初步具备应用所学到的基本理论和方法分析和解决本专业的一般性问题。 六、适用学科专业:高等院校光电子技术、光通讯、光电器件应用物理等本科专业。 七、基本教学内容与学时安排: 第一章绪论(4学时) 一、激光的诞生及发展 二、激光产生的机理 三、激光的特性 四、激光器实例 第二章光线矩阵及高斯光束(10学时) 一、光线的传播 1.光线矩阵 2.双周期性透镜波导 3.相同周期性透镜波导 4.光线在反射镜之间的传播 二、光束在均匀介质中传输 1.均匀介质中的基本高斯光束 2.ABCD法则 3.高斯光束在透镜波导中的传输 4.均匀介质中的高阶高斯光束 三、高斯光束的变换 1.高斯光束通过薄透镜的传输 2.高斯光束的聚焦、准直和匹配 3.高斯光束的自再现变换与稳定球面腔 第三章激光谐振腔(10学时) 一、光学谐振腔的稳定性条件 1.光学谐振腔的稳定性 2.光学谐振腔的构成与分类 3.光学谐振腔的作用 二、光学谐振腔的模式 1.光学谐振腔中光波模的谐振频率 2.光学谐振腔内的多纵模振荡和单纵模的选取 3.纵模的频率漂移

三、平行平面腔的迭代法 1.开腔衍射理论的分析方法 四、平稳定球面腔 1.对称共焦腔的模式 2.一般稳定球面腔与对称共焦腔的等价性 3.一般稳定球面腔的模式 4.非稳定球面腔 第四章光场与物质的相互作用(8学时) 一、光场与物质相互作用的理论 1.光场与物质相互作用的理论体系 2.电介质的极化 3.原子自发辐射的经典模型 二、谱线加宽与线型函数 1.光谱线的频率分布 2.爱因斯坦辐射系数在谱线加宽时的修正 3.原子与有谱线线宽辐射场的相互作用 三、均匀加宽和非均匀加宽 四、激光器的速率方程理论 1.三能级速率方程组 2.四能级速率方程组 第五章连续和脉冲激光器的运行特性(8学时) 一、小信号增益系数 1.增益系数正比于反转粒子数 2.增益系数与入射光场频率的关系 二、均匀加宽时的增益饱和 1.增益饱和现象及其物理机制 2.均匀加宽条件下反转粒子数的饱和 3.均匀加宽条件下的大信号增益 三、均匀加宽时的增益饱和 1.非均匀加宽条件下反转粒子数的饱和 2.非均匀加宽条件下的大信号增益 四、连续激光器的稳态工作特性 1.激光器的阈值条件 2.稳态工作时的腔内光强 3.连续激光的输出功率和最佳透过率 文章来源:文彦考研

中南大学大规模集成电路考试及答案合集

中南大学大规模集成电路考试及答案合集

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---○---○ --- 学 院 专业班级 学 号 姓 名 ………… 评卷密封线 ……………… 密封线内不要答题,密封线外不准填写考生信息,违者考试成绩按0分处理 ……………… 评卷密封 中南大学考试试卷 时间110分钟 题 号 一 二 三 合 计 得 分 评卷人 2013 ~2014 学年一学期大规模集成电路设计课程试题 32 学时,开卷,总分100分,占总评成绩70 % 一、填空题(本题40分,每个空格1分) 1. 所谓集成电路,是指采用 ,把一个电路中 所需的二极管、 、电阻、电容和电感等元件连同它们之间的电气连线在一块或几块很小的 或介质基片上一同制作出来,形成完整电路,然后 在一个管壳内,成为具有特定电路功能的微型结构。 2. 请写出以下与集成电路相关的专业术语缩写的英文全称: ASIC : ASSP : LSI : 3. 同时减小 、 与 ,可在保持漏源间电流不变的前提下减小器件面积,提高电路集成度。因此,缩短MOSFET 尺寸是VLSI 发展的趋势。 4. 大规模集成电路的设计流程包括:需求分析、 设计、体系结构设计、功能设计、 设计、可测性设计、 设计等。 5. 需求规格详细描述系统顾客或用户所关心的内容,包括 及必须满足的 。系统规格定义系统边界及系统与环境相互作用的信息,在这个规格中,系统以 的方式体现出来。 6. 根据硬件化的目的(高性能化、小型化、低功耗化、降低成本、知识产权保护等)、系统规模/性能、 、 、 等确定实现方法。 7. 体系结构设计的三要素为: 、 、 。 8. 高位综合是指从 描述自动生成 描述的过程。与人工设计相比,高位综合不仅可以尽可能地缩短 ,而且可以生成在面积、性能、功耗等方面表现出色的电路。 9. 逻辑综合就是将 变换为 ,根据 或 进行最优化,并进行特定工艺单元库 的过程。 10. 逻辑综合在推断RTL 部品时,将值的变化通过时钟触发的信号推断为 , 得 分 评卷人

中南大学《宏观经济学》课程试题(3)及参考答案

中南大学《宏观经济学》课程试题(2)及参考答案 一、名词解释 1、国民生产净值 2、BP曲线 3、货币需求函数 4、.利率效应 5、消费价格指数(CPI); 二、单项选择题 1、长期消费函数的特征是()。 A.边际消费倾向小于平均消费倾向 B.边际消费倾向大于平均消费倾向 C.边际消费倾向等于平均消费倾向 D.两者关系不好判断 2、LM曲线在凯恩斯区域呈()。 A.水平 B.垂直 C.向右上方倾斜 D.不一定 3、经济增长的标志是()。 A.城市化步伐的加快 B.社会福利水平的提高 C.失业率的下降 D.社会生产能力的不断提高 4、下面能准确代表企业的投资需求曲线的是()。 A.货币需求曲线 B.资本边际效率曲线 C.IS曲线 D.投资边际效率曲线 5、下列()情况下货币政策将是有效的。 A.利率对货币需求变动不敏感,投资对利率变动不敏感 B.利率对货币需求变动敏感,投资对利率变动不敏感 C.利率对货币供给量变动敏感,投资对利率变动敏感 D.以上情况都是有效的。 6、在四部门经济中,一定有()。 A.家庭储蓄等于净投资 B.家庭储蓄加折旧等于总投资加政府支出 C.家庭储蓄等于总投资 D.家庭储蓄加净税收再加进口等于投资加

政府购买再加出口 7、货币供给增加使LM曲线右移,若要使均衡收入变动幅度接近LM曲线的移动幅度,则需要()。 A.IS曲线陡峭,LM曲线平缓 B.IS曲线与LM曲线一样平缓 C.IS曲线平缓,LM曲线陡峭 D.IS曲线与LM曲线一样平缓 8、根据哈罗德经济增长模型,若资本——产量比为5,储蓄率为30%,要使储蓄全部转化为投资,经济增长率应为()。 A.6% B.25% C.35% D.5% 9、在国民收入统计中,社会保险税增加对()有直接影响。 A.国内生产总值 B.国民生产净值 C.个人收入 D.国民收入 10、一般情况下,货币供给增长率快于国民经济增长所要求的货币需求增长率,利率会()。 A.提高 B.降低 C.先下降再上升 D.先上升再下降 11、引起LM曲线变得平缓的原因可能是()。 A.货币需求对收入变动的反应程度和货币需求对利率变动的反应程度同 比例增强。 B.货币需求对收入变动的反应程度和货币需求对利率变动的反应程度同 比例减弱。 C.货币需求对收入变动的反应程度增强,货币需求对利率变动的反应程 度减弱。 D.货币需求对收入变动的反应程度减弱,货币需求对利率变动的反应程 度增强。 12、在哈罗德增长模型中,已知合意的储蓄率大于实际储蓄率,合意的资本——产量比等于实际的资本——产量比,那么有保证的增长率()。 A.小于实际增长率 B.大于实际增长率 C.等于实际增长率 D.不能确定 三、计算题 1、假设某经济体系的消费函数C=600+0.8Y,投资函数I=400-50r,政府购买G=200(亿美元),实际货币需求函数L=250+0.5Y-125r,货币供给Ms=1250(亿

华中科技大学模拟电子技术试卷三

试卷三(本科)及其参考答案 试卷三 一、选择题(这是四选一的选择题,选择一个正确的答案填在括号内)(共16分) 1.有两个增益相同,输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下,测得A放大器的输出电压小,这说明A的() a. 输入电阻大 b. 输入电阻小 c. 输出电阻大 d. 输出电阻小 2.共模抑制比K CMR越大,表明电路()。 a. 放大倍数越稳定 b. 交流放大倍数越大 c. 抑制温漂能力越强 d. 输入信号中的差模成分越大 3.多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比,其通频带()。 a. 变宽 b. 变窄 c. 不变 d. 与各单级放大电路无关 4.一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。当信号频率恰好为上限频率或下限频率时,实际的电压增益为()。 a. 43dB b. 40dB c. 37dB d. 3dB 图1-4 图1-5 5.LC正弦波振荡电路如图1-5所示,该电路()。 a. 满足振荡条件,能产生正弦波振荡 b. 由于无选频网络,不能产生正弦波振荡 c. 由于不满足相位平衡条件,不能产生正弦波振荡 d. 由于放大器不能正常工作,不能产生正弦波振荡 6.双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。已知静态时,V o=V c1-V c2=0, 设差模电压增益 100 vd = A ,共模电压增益m V 5 V m V, 10 ,0 i2 i1 c = = =V A V,则输出电压o V 为()。 a. 125mV b. 1000 mV c. 250 mV d. 500 mV

图1-6 图1-7 7.对于图1-7所示的复合管,假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流,则复合管的穿透电流CEO I 为( )。 a. CEO2CEO I I = b. CEO2CEO1CEO I I I += c. CEO1CEO I I = d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++= 8.某仪表放大电路,要求R i 大,输出电流稳定,应选( )。 a. 电流串联负反馈 b. 电压并联负反馈 c. 电流并联负反馈 d. 电压串联负反馈 二、判断下列管子的工作状态(共10分) 1.测得各三极管静态时三个电极对地的电位如图2-1 a 、b 、c 所示,试判断它们分别工作在什么状态(饱和、放大、载止、倒置)。设所有的三极管和二极管均为硅管。 图2-1 2.电路如图2-2 a 、b 所示,分别指出它们工作在下列三个区中的哪一个区(饱和区、夹断区、可变电阻区)。 图2-2 三、两级放大电路如图3所示,已知三极管的5021==ββ,k Ω6.1be1=r ,k Ω3.1be2=r ,各电容的数值都足够大,在中频区可视为短路。(共15分) 1.试说明T 1和T 2各组成什么电路组态? 2.画出中频区的h 参数小信号等效电路; 3.计算放大器的输入电阻R i 和输出电阻R o ; 4.计算中频区源电压增益s o s /V V A V =。

中南大学微观经济学试题及答案

.. 中南大学《微观经济学》课程试题(2)及参考答案 一、名词解释(每小题5分,共20分) 1.需求收入弹性 2.消费者剩余 3.短期边际产量 4.帕累托最优 二、选择题(每小题2分,共20分) 1.如果商品A和商品B是替代的,则A的价格下降将造成()。 A. A的需求曲线向右移动; B. A的需求曲线向左移动; C. B的需求曲线向右移动; D. B的需求曲线向左移动 2.如果价格下降10%能使买者总支出增加1%;则这种商品的需求量对价格()。 A. 富有弹性; B. 具有单元弹性; C. 缺乏弹性; D. 弹性不能确定 3.当总效用增加时,边际效用应该()。 A. 为正值,且不断增加; B. 为正值,但不断减少; C. 为负值,但不断增加; D. 为负值,且不断减少。 4.正常物品价格上升导致需求量减少的原因在于()。 A. 替代效应使需求量增加,收入效应使需求量减少; B. 替代效应使需求量增加,收入效应使需求量增加; C. 替代效应使需求量减少,收入效应使需求量减少; D. 替代效应使需求量减少,收入效应使需求量增加。 5.无差异曲线上任一点上商品X和Y的边际替代率等于它们的()。 A. 价格之比; B. 数量之比; C. 边际效用之比; D. 边际成本之比 6.对应任何产量的LTC决不会大于该产量上由最优生产规模所决定的STC。这个说法()。 A. 有可能对; B. 总是对的; C. 肯定错了; D. 视规模经济的具体情况而定。 7.在企业的停止营业点上,应该有()。 A. AR = A VC; B. 总亏损等于TFC; C. P = A VC; D. 以上说法都对。 ;.. .. 8.完全竞争企业和垄断竞争企业在长期均衡时经济利润()。

华中科技大学光学工程考研攻略

由于名额很多(国家光电实验室是目前光电界最强最大的实验室,导师很多),不是很难考。。。。 武汉有个中国光谷,其他地方北京、上海、广东光电企业比较多。光电是一个新兴产业,国家正在大力投入发展光电产业,在武汉建有中国光谷。目前最好的学校是华中科技大学,拥有光电类最强的实验室国家光电实验室(五个国家实验室之一,光电类唯一一个,每个国家实验室的投入相当于7个国家重点实验室。五个国家实验室就有一个是光电的,可见国家对光电的重视),里面建有1个国际联合实验室,4个国家重点实验室,1个国家工程实验室,30多个海内外院士,100多个博导,37支学术团队,并且建在中国光谷的中心,周围有烽火通信科技,华为研究中心,中兴,楚天激光,中国电信研究中心,长飞光纤等等许许多多光电企业,将来无论是就业还是创业都是非常好的。是公认我国光电最强的大学。考研320分左右 除了华中科技以外,还有哈工大,北理工,天津大学的都还不错。由于是新兴专业,很多大学像川大这种不擅长光电的学校,每年招聘会来300个单位也没有一个是光电的企业,就业比较困难。而像华科这样的以光电为特色的学校每年都有好几次光电专场招聘会,工作非常好找。考研其实没那么的难,只要坚持就一定能上,希望楼主把目标定高点定长远点 至于考研科目,我强烈建议你别考光学,非常难找工作,连光学全国前三的哈工大,其光学毕业生月薪都不高,而且还不好找,毕竟理学就是这样。而物理电子或者是光学工程这两个工学专业却却非常好找工作,强烈建议你报光学工程或者物理电子学,我们有很多同学光工没上宁愿再来一年也不调光学 本人今年考上了华科光电学硕!曾经在论坛里得到过一些帮助,现在我想回报下论坛,给学弟学妹们简单介绍下今年光电的行情,希望大家能在考研论坛里交流有所得,欢迎各位同仁一起讨论。祝天下考研人梦想成真! 复试笔试之前,院长在宣读政策的时候公布:12年学术招162人(含30个推免),专硕招30人(含4个推免),也就是说留给统考生的指标一共是132+26=158个名额。进入复试的有178人,等于是要刷20人,笔试之前就有1个人放弃了(听说是个高分,找到好工作了),后来面试的时候听说又有一个人没去(这个是听说的,不确定)。178人里面有两个是报的专硕,只要他们复试后的排名在158以内,他们就可以上专硕,转不了学硕,但学硕转专硕的也挤不掉他们。如果报的是学硕,看最后排名在132到158之间的话,可以学硕转专硕,如果排名在158以后(也就是说被刷),那还有个什么中欧能源的可以报名(这个本人不怎么了解)。至于学硕奖学金(学硕推免的是全奖,专硕推免的忘了,抱歉哈)的话,80%的全奖,20%的半奖,具体最后公布的是说,排名97以前的是全奖,97到132的是半奖。专硕的也有奖助金(注意叫法不同),具体怎么样的不记得了。

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