4.2.6 解决方案指定命令组
在解决方案指定命令组中，我们需要使用Log语句来输出保存包含端口特性计算结果的记录文件，用Solving语句来对不同偏置条件进行求解，以及用Loading语句来加载结果文件。这些语句都可以通过Deckbuild：ATLAS Test菜单来完成。
1 Vds=0.1V时，获得Id~Vgs曲线
下面我们要在NMOS结构中，当Vds=0.1V时，获得简单的Id~Vgs曲线。具体步骤如下：
a.在ATLAS Commands菜单中，依次选择Solutions和Solve…项。Deckbuild：ATLAS Test菜单将会出现，如图4.62所示；点击Prop…键以调用ATLAS Solve properties菜单；在Log file栏中将文件名改为“nmos_”，如图4.63所示。完成以后点击OK；
图4.62 Deckbuild：ATLAS Test菜单
图4.63 ATLAS Solve properties菜单
b.将鼠标移至Worksheet区域，右击鼠标并选择Add new row，如图4.64所示；
c.一个新行被添加到了Worksheet中，如图4.65所示；
d.将鼠标移至gate参数上，右击鼠标。会出现一个电极名的列表。选择drain，如图
4.66所示；
e.点击Initial Bias栏下的值并将其值改为0.1，然后点击WRITE键；
f.接下来，再将鼠标移至Worksheet区域，右击鼠标并选择Add new row；
g.这样就在drain行下又添加了一个新行，如图4.67所示；
h.在gate行中，将鼠标移至CONST类型上，右击鼠标并选择VAR1。分别将Final Bias 和Delta的值改为3.3和0.1，如图4.68所示；
图4.64 添加新行
图4.65 添加的新行
图4.66 将gate改为drain
图4.67 添加另一新行
图4.68 设置栅极偏置参数
i.点击WRITE键，如下语句将会出现在DECKBUILD文本窗口中，如图4.69所示。
Solve init
Solve vdrain=0.1
Log outf=nmos1_0.log
Solve name=gate vgate=0 vfinal=3.3 vstep=0.1
图4.69 Vds=0.1V时模拟Id~Vgs曲线所用的语句
上述语句以Solve init语句开始。这条语句提供了一个初始猜想，即零偏置（或热平衡）情况下的电势和载流子浓度。
在得到了零偏置解以后，第二条语句即Solve vdrain=0.1将会模拟漏极直流偏置为0.1V 的情况。如果solve语句没有定义某电极电压，则该电极电压为零。因此，不需要将所有电极电压都用solve语句进行定义。
第三条语句是Log语句，即Log outf=nmos1_0.log。这条语句用来保存所有在nmos1＿0.log文件中由ATLAS计算得出的仿真结果。这些结果包括在直流仿真下每个电极的电流和电压。要停止保存这些信息，可以使用带有“off ”的log语句如log off，或使用不同的log文件名。
最后一条solve语句：Solve name=gate vgate=0 vfinal=3.3 vstep=0.1使栅极电压从0V变化到3V，间隔为0.1V。注意在这条语句中Name参数是不能缺少的，而且电极名区分大小写。
2 获取器件参数
在这个仿真中，还要获取一些器件参数，例如Vt，Beta和Theta。这可以通过ATLAS Extract菜单来完成：
a.在ATLAS Commands菜单中，依次选择Extract和Device…项。Deckbuild：ATLAS Extaction菜单将会出现，如图4.70所示；在默认情况下，Test name栏中选择的是Vt。用户可以修改默认的计算表达式；点击WRITE键，Vt Extract语句将会出现在DECKBUILD文本窗口中：
extract name=“vt”(xintercept(maxslope(curve(abs(v.“gate”)
,abs(i.“drain”))))-abs(ave(v.“drain”))/2.0)
b.下面，继续调用Deckbuild：ATLAS Extaction菜单。然后，点击Test name并将其改为Beta，如图4.71所示；
图4.70 Deckbuild：ATLAS Extaction菜单
图4.71 设置Beta计算语句
c.点击WRITE键，Beta Extract语句将会出现在DECKBUILD文本窗口中：
extract name=“beta”slope(maxslope(curve(abs(v.“gate”)
,abs(i.“drain”))))*abs(1.0/abs(ave(v.“drain”)))
d.最后，我们要再一次调用Deckbuild：ATLAS Extaction菜单来设置计算theta参数的Extract语句。然后，点击Test name栏并将其改为Theta，如图4.72所示；
图4.72 设置Theta计算语句
图4.73 NMOS器件的Id~Vgs曲线图
e.点击WRITE键，Beta Extract语句将会出现在DECKBUILD文本窗口中：
extract name=“theta” ((max(abs(v.“drain”))*$ “beta”)/max
(abs(i.“drain”)))-(1.0/max(abs(v.“gate”))-($“vt”))) 在开始仿真之前，我们需要使用Tonyplot语句将仿真结果绘制出来。为了自动绘制出Id~Vgs曲线，只要在最后一条Extract语句后简单地输入如下的TONYPLOT语句即可：tonyplot nmos1.log
下面开始仿真。点击Deckbuild控制栏上的run键运行器件仿真程序。
仿真完成后，TONYPLOT和Id~Vgs曲线特性参数将被自动调用，如图4.73所示。
同样，所获得的器件参数如Vt，Beta和Theta可以在DECKBUILD运行输出窗口看到，如图4.74。
图4.74 显示器件参数的DECKBUILD运行输出窗口
3 使用Log，Solve和Load语句生成曲线族
下面要在Vgs分别为1.1V，2.2V和3.3V时生成Id~Vds曲线族，Vds变化范围是0V到3.3V。为了不使后面的端口特性写入到前面的log文件nmos1.log中，我们需要使用另一条Log语句，如下：
log off
为了得到曲线族，首先，我们需要使用Deckbuild：ATLAS Test菜单得到每个Vgs的结果：
a.在ATLAS Commands菜单中，依次选择Solutions和Solve…项以调用Deckbuild：ATLAS Test菜单；点击Prop…键以调用ATLAS Solve properties菜单；将Write mode栏改为Line，然后点击OK；
b.设置如图4.75所示的栅极偏置参数；
图4.75 栅极偏置参数
c.点击WRITE键，Solve语句将会出现在如下所示的DECKBUILD文本窗口中：
solve vgate=1.1
为了在ATLAS结果文件中保存结果输出，在Solve语句中添加语句outf=solve1：solve vgate=1.1 outf=solve1
d.对栅极偏置为2.2V和3.3V分别重复运用上述语句：
solve vgate=2.2 outf=solve2
solve vgate=3.3 outf=solve3
接下来，我们将再一次使用ATLAS Test菜单设置Solve语句，使得漏极电压变化范围为0V到3.3V，步骤如下：
a.在ATLAS Commands菜单中，依次选择Solutions和Solve…项以调用Deckbuild：ATLAS Test菜单；点击Prop…键以调用ATLAS Solve properties菜单；将Write mode栏改为Test；将Log file栏中的文件名改为nmos2_；
b.完成后点击OK；
c.在工作区中，将Name栏的gate改为drain，Type栏的CONST改为V AR1，Initial Bias，Final Bias和Delta分别设为0，3.3和0.3；
d.点击WRITE键，下列语句将会出现在DECKBUILD文本窗口中：
solve init
log outfile=nmos2＿0.log
solve name=drain vdrain=0 vfinal=3.3 vstep=0.3
接下来，我们将使用Load菜单加载栅极偏置为1.1V时的结果文件solve1，并用它替换solve init语句：
a.选中solve init语句，如图 4.76所示；在ATLAS Commands菜单中，依次选择Solutions和Load…项以调用Deckbuild：ATLAS Load菜单；在Deckbuild：ATLAS Load菜单的File name栏中输入solve1；在Format栏中，选择SPISCES格式；点击WRITE键，则出现确认提示窗口。选择“Yes,replace selection”。
b.Load语句将会在DECKBUILD文本窗口中替换solve init语句，见图4.77；
图4.76 选中solve init语句
图4.77 Load语句替换solve init语句
这样，从Load语句开始到Solve语句为止的语句组将会生成Vgs=1.1V时的Id~Vds曲线的数据。要生成Vgs=2.2V，Vgs=3.3V时的Id~Vds曲线数据，只要复制这三个语句即可，并且：
a. 将Load语句中的输入文件名从solve1改为solve2或solve3；
b. 将solve语句中的log文件名从nmos2_0.log改为 nmos3_0.log或 nmos4_0.log；
最终的语句如图4.78所示。
为了画出曲线族，即把三个plot文件的结果画在同一张图中，输入如下Tonyplot语句：tonyplot –overlay nmos2＿1.log nmos2＿2.log nmos2＿3.log -set nmos.set
在这个语句中，–overlay是指在一张图中覆盖三个plot文件，-set是用来加载set文件并显示创建set文件时TONYPLOT所处的条件。
图4.78 Vgs=2.2V，Vgs=3.3V时生成Id-Vds曲线数据的语句
4 退出仿真
最后，输入下面语句来退出仿真：quit
现在可以点击DECKBUILD控制栏上的Cont键，继续进行器件仿真。一旦仿真完成以后，TONYPLOT将自动调用出Id~Vds特性曲线族，如图4.79所示。
图4.79 NMOS的Id~Vds曲线
实验2 PN结二极管特性仿真 1、实验内容 （1）PN结穿通二极管正向I-V特性、反向击穿特性、反向恢复特性等仿真。 （2）结构和参数：PN结穿通二极管的结构如图1所示，两端高掺杂，n-为耐压层，低掺杂，具体参数：器件宽度4μm，器件长度20μm，耐压层厚度16μm，p+区厚度2μm，n+区厚度2μm。掺杂浓度：p+区浓度为1×1019cm-3，n+区浓度为1×1019cm-3，耐压层参考浓度为5×1015 cm-3。 图1 普通耐压层功率二极管结构 2、实验要求 （1）掌握器件工艺仿真和电气性能仿真程序的设计 （2）掌握普通耐压层击穿电压与耐压层厚度、浓度的关系。 3、实验过程 #启动Athena go athena #器件结构网格划分； line x loc=0.0 spac= 0.4 line x loc=4.0 spac= 0.4 line y loc=0.0 spac=0.5 line y loc=2.0 spac=0.1 line y loc=10 spac=0.5 line y loc=18 spac=0.1 line y loc=20 spac=0.5 #初始化Si衬底； init silicon c.phos=5e15 orientation=100 two.d #沉积铝； deposit alum thick=1.1 div=10 #电极设置 electrode name=anode x=1 electrode name=cathode backside #输出结构图 structure outf=cb0.str tonyplot cb0.str #启动Atlas go atlas #结构描述
仿木施工工艺及技术要求 1、砼基面的仿木施工工艺及技术要求 施工工艺流程 砼桩体浇注成型➱凿毛➱表面清洗➱涂刷SPC界面剂➱ 抹装饰面层➱ 养护➱ 涂刷表面封闭漆。 施工工艺和技术要求 1 ）砼桩体浇注成型按照设计要求成型混凝土桩体。 2）凿毛 为了提高仿木装饰层与桩体的粘结性能，桩体拆模后进行凿毛处理。 3）表面清洗采用高压水混凝土桩体表面的粉尘、碎屑冲洗干净。 4）基层处理 将混凝土桩体表面湿润，但不得有明水。按一定比例配制SPC界面剂，搅拌至无水泥 颗粒、无沉淀。然后均匀涂刷，不漏涂，以保证仿木装饰层与桩体结构粘结良好。5）抹装饰层 采用彩色SPC聚合物水泥砂浆进行装饰层的抹灰施工。所用的水泥、砂子、SPC乳液、水、色粉应符合有关技术要求，成都公司注册按照一定比例拌制而成，其抗冻等级为F150,面 层厚度一般10?20mm。 根据不同的仿木型式，装饰层分层抹面而成，外型依松树或榆树皮，并做树节、裂缝、脱落皮等仿真效果。对成型表面进行调整、补充、加固、艺术手法展现处理，达到仿真的效果。 6）仿木面层的养护 主要为保水养护及冬季施工的保温措施。仿木面层完成后，采用塑料膜覆盖潮湿养护7 天， 再自然养护7 天后进行表面处理。如果在冬季施工，应采取相应的保温防护措施，保证仿木面层在5 C以上养护环境。 7）表面处理对成型表面进行调整、补充、加固、艺术手法展现处理，搭配调和、调色、造光等处理。 8）防护涂层处理涂层材料采用环氧树脂对装饰面层表面进行喷涂处理，应严格控制施工工艺要求进行涂装施工，遇到雨天湿度大于80%或温度低于5 C时，禁止进行涂装施工。雨后须检查基层含水率合格后，方可进行施工。 、质量保证措施 质量方针以人才为根本，以法规为准则，阳台护栏不断提高员工素质，严格过程控制，持续改进艺术创作，为顾客提供满意的工程产品和优质服务。 质量控制 1）仿木桩工程施工所需要的所有材料，主要包括水泥、砂子、SPC聚合物乳液、色粉、颜料、防冻剂均有厂家提供的产品合格证及材料技术指标试验报告单，均应达到设计要求。 2）严格按照彩色SPC聚合物砂浆配合比配制砂浆，计量精度为水泥土2%砂± 5%乳液 及色粉控制在±1%以内。采用人工搅拌。砂浆应随拌随用，一般在1h 内用完。 3）养护：当仿木桩成品完成后在12h 内，采用塑料薄膜覆盖、洒水养护，保持塑料布 内有凝结水，每天浇水的次数以桩体表面处于湿润状态来确定，养护时间不少于7 天，然后自然养护。 4）冬季施工措施：当温度低于5C时，应按比例掺加早强防冻剂。在每段仿木桩周围搭 设保温棚，保证棚内温度不低于 5 C。
4.1.7栅氧厚度的最优化 下面介绍如何使用DECKBUILD中的最优化函数来对栅极氧化厚度进行最优化。假定所测量的栅氧厚度为100?，栅极氧化过程中的扩散温度和偏压均需要进行调整。为了对参数进行最优化，DECKBUILD最优化函数应按如下方法使用： a.依次点击Main control和Optimizer…选项；调用出如图4.15所示的最优化工具。第一个最优化视窗显示了Setup模式下控制参数的表格。我们只改变最大误差参数以便能精确地调整栅极氧化厚度为100?； b.将Maximum Error在criteria一栏中的值从5改为1； c.接下来，我们通过Mode键将Setup模式改为Parameter模式,并定义需要优化参数（图4.16）。 图4.15 DECKBUILD最优化的Setup模式 图4.16 Parameter模式 需要优化的参数是栅极氧化过程中的温度和偏压。为了在最优化工具中对其进行最优化，如图4.17所示，在DECKBUILD窗口中选中栅极氧化这一步骤；
图4.17 选择栅极氧化步骤 d.然后，在Optimizer中，依次点击Edit和Add菜单项。一个名为Deckbuild：Parameter Define的窗口将会弹出，如图4.18所示，列出了所有可能作为参数的项； 图4.18 定义需要优化的参数 e.选中temp=
半导体基础知识和半导体器件工艺 第一章半导体基础知识 通常物质根据其导电性能不同可分成三类。第一类为导体，它可以很好的传导电流，如：金属类，铜、银、铝、金等；电解液类：NaCl水溶液，血液，普通水等以及其它一些物体。第二类为绝缘体，电流不能通过，如橡胶、玻璃、陶瓷、木板等。第三类为半导体，其导电能力介于导体和绝缘体之间，如四族元素Ge锗、Si硅等，三、五族元素的化合物GaAs砷化镓等，二、六族元素的化合物氧化物、硫化物等。 物体的导电能力可以用电阻率来表示。电阻率定义为长1厘米、截面积为1平方厘米的物质的电阻值，单位为欧姆*厘米。电阻率越小说明该物质的导电性能越好。通常导体的电阻率在10-4欧姆*厘米以下，绝缘体的电阻率在109欧姆*厘米以上。 半导体的性质既不象一般的导体，也不同于普通的绝缘体，同时也不仅仅由于它的导电能力介于导体和绝缘体之间，而是由于半导体具有以下的特殊性质： (1) 温度的变化能显著的改变半导体的导电能力。当温度升高时，电阻率会降低。比如Si在200℃时电阻率比室温时的电阻率低几千倍。可以利用半导体的这个特性制成自动控制用的热敏组件（如热敏电阻等），但是由于半导体的这一特性，容易引起热不稳定性，在制作半导体器件时需要考虑器件自身产生的热量，需要考虑器件使用环境的温度等，考虑如何散热，否则将导致器件失效、报废。 (2) 半导体在受到外界光照的作用是导电能力大大提高。如硫化镉受到光照后导电能力可提高几十到几百倍，利用这一特点，可制成光敏三极管、光敏电阻等。 (3) 在纯净的半导体中加入微量（千万分之一）的其它元素（这个过程我们称为掺杂），可使他的导电能力提高百万倍。这是半导体的最初的特征。例如在原子密度为5*1022/cm3的硅中掺进大约5X1015/cm3磷原子，比例为10-7（即千万分之一），硅的导电能力提高了几十万倍。 物质是由原子构成的，而原子是由原子核和围绕它运动的电子组成的。电子很轻、很小，带负电，在一定的轨道上运转；原子核带正电，电荷量与电子的总电荷量相同，两者相互吸引。当原子的外层电子缺少后，整个原子呈现正电，缺少电子的地方产生一个空位，带正电，成为电洞。物体导电通常是由电子和电洞导电。前面提到掺杂其它元素能改变半导体的导电能力，而参与导电的又分为电子和电洞，这样掺杂的元素（即杂质）可分为两种：施主杂质与受主杂质。将施主杂质加到硅半导体中后，他与邻近的4个硅原子作用，产生许多自由电子参与导电，而杂质本身失去电子形成正离子，但不是电洞，不能接受电子。这时的半导体叫N型半导体。施主杂质主要为五族元素：锑、磷、砷等。 将施主杂质加到半导体中后，他与邻近的4个硅原子作用，产生许多电洞参与导电，这时的半导体叫p型半导体。受主杂质主要为三族元素：铝、镓、铟、硼等。电洞和电子都是载子，在相同大小的电场作用下，电子导电的速度比电洞快。电洞和电子运动速度的大小用迁移率来表示，迁移率愈大，截流子运动速度愈快。假如把一些电洞注入到一块N型半导体中，N型就多出一部分少数载子――电洞，但由于N型半导体中有大量的电子存在，当电洞和电子碰在一起时，会发
go athena line x loc=0.0 spac=0.001 line x loc=0.2 spac=0.001 line x loc=0.4 spac=0.001 line x loc=0.6 spac=0.001 line x loc=0.8 spac=0.001 line x loc=1.0 spac=0.001 line x loc=1.2 spac=0.001 line y loc=0.0 spac=0.005 line y loc=0.2 spac=0.008 line y loc=0.5 spac=0.03 line y loc=0.8 spac=0.1 # init orientation=100 c.boron=1e14 space.mul=2 #nwell formation including masking off of the pwell # diffus time=30 temp=1000 dryo2 press=1.00 hcl=3 # etch oxide thick=0.02 # #n-well Implant # implant phos dose=8e14 energy=100 pears # diffus temp=950 time=100 weto2 hcl=3 #
#p-well implant not shown - # # welldrive starts here diffus time=50 temp=1000 t.rate=4.000 dryo2 press=0.10 hcl=3 # diffus time=220 temp=1200 nitro press=1 # diffus time=90 temp=1200 t.rate=-4.444 nitro press=1 # etch oxide all # #sacrificial "cleaning" oxide diffus time=20 temp=1000 dryo2 press=1 hcl=3 # etch oxide all # #gate oxide grown here:- diffus time=11 temp=925 dryo2 press=1.00 hcl=3 # # Extract a design parameter extract name="gateox" thickness oxide mat.occno=1 x.val=0.05 # #vt adjust implant implant phos dose=9.5e11 energy=10 pearson # depo poly thick=0.2 divi=10 # #from now on the situation is 2-D
那个按键是keypad-smallcalc。若楼主还需要其他的可以发给你Proteus的这25大类元器件分别为： Analog ICs 模拟IC CMOS 4000 series CMOS 4000系列 Data Converters 数据转换器 Diodes 二极管Electromechanical 机电设备（只有电机模型） Inductors 电感 Laplace Primitives Laplace变换器 Memory ICs 存储器IC Microprocessor ICs 微处理器IC Miscellaneous 杂类（只有电灯和光敏电阻组成的设备） Modelling Primitives 模型基元 Operational Amplifiers 运算放大器 Optoelectronics 光电子器件 Resistors 电阻 Simulator Primitives 仿真基元 Switches & Relays 开关和继电器 Transistors 三极管 TTL 74、74ALS、74AS、74F、74HC、74HCT、74LS、74S series 74系列集成电路
除此之外，你还应熟悉常用器件的英文名称，ANY电子为您列举如下：AND 与门ANTENNA 天线 BATTERY 直流电源（电池）BELL 铃,钟BRIDEG 1 整流桥(二极管) BRIDEG 2 整流桥(集成块) BUFFER 缓冲器 BUZZER 蜂鸣器 CAP 电容 CAPACITOR 电容 CAPACITOR POL 有极性电容 CAPVAR 可调电容 CIRCUIT BREAKER 熔断丝 COAX 同轴电缆 CON 插口CRYSTAL 晶振 DB 并行插口 DIODE 二极管 DIODE SCHOTTKY 稳压二极管 DIODE VARACTOR 变容二极管
建筑工程施工工艺仿真心得体会 篇一：建筑工地学习心得 篇一：建筑工地实习心得体会 实习 心得体会 2013年4月1日至2013年4月31日，我在xxxxxx公司xxxx项 目参加毕业实习， 在代习老师的指导下，我完成了xxxx的施工任务。 历时一个月的实习 让自己突破了书本上的限制，真正的把理论和实际相 辛苦的实习生活结束了，收获很多，现在将其总结如 1 筑，进一步提高我对建筑文化、建筑知识以及 料的认识，巩固和扩大所学理论知识，提高学习积极 2 程及阅读施工图纸，进行现场比较，进一步培 能力，提高识读工程图的能力。 3 建筑工程施工工艺，熟悉房屋构造，了解建筑 4
学生劳动的观点，发扬理论联系实际的作风，为 技术工作奠定基础。 容和亲身参加的具体工作过程： 工员，由于实习的时间较有限，所以我学到的东 准层的施工都亲身参加了工作。整个工作流程如下所 作→焊接柱筋→绑扎柱箍筋→支模板架体→安装梁、 梁钢筋→安装梁、板筋→浇筑柱、梁、板砼→砼的养 板模。整个施工过程中还需包括水平和高程的放 的施工学习之外，我还协助项目副经理进行施工进度 结合起来。紧张而下：一、实习目的：、通过参观实际建建筑施工、建筑材性。、通过参观在建工养学生的空间想象、通过实习，了解材料的特性及应用。、通过实习,培养今后从事建筑工程二、实习的主要内我实习的岗位是施西也很有限，从标示：钢筋下料、制板、柱模板→焊接护→拆柱模→拆梁、样。除了对单幢楼的控制。 整个混凝土结构工 程包括了钢筋工程、模板工程、混凝土工程。但 是也由于时间的仓 促，整个实习过程我没有接触到屋面工程，和装修工 程。以下将分别总 结我在实习过程中所学习的知识以及我参加的工程： 钢筋工程：
建筑施工工艺仿真心得体会 篇一：仿真实习的学习心得及体会 仿真实习的学习心得及体会 （理工大学技术工程学院化学工程与工艺09160207）经过连续两周的仿真实习，我们练习了离心泵、换热器、液位的控制、精馏塔的冷态开车、正常停车以及相应事故处理的仿真。通过这次仿真实习基本单元操作方法；增强了我对工艺过程的了解，进而也更加熟悉了控制系统的设计及操作。让我对离心泵、换热器、精馏塔等有了更深刻的了解和认识。通过本次的化工仿真实习收获颇多，对工艺流程、控制系统有了一定的了解，基本掌握了开车、停车等的规程。开始接触化工仿真软件时,感觉很迷漫也很好奇，在后来的实习过程中我首先仔细阅读了课本上实习的具体流程，基本明白了操作的规程。 特别是在练习精馏塔单元等复杂的化工过程的时候，我觉得应该： （1）要仔细认真的阅读课本上相应的流程操作，对每一步操作都应该要有所领会、理解，因为过程的熟悉程度在操作中使至关重要的。过程不够熟悉也许会误入歧途，错误的操作，最后事倍功半，也不能很好的掌握所需学习的容。
（2）面对一个复杂的工艺过程时，如果不能事先了解到它们的作用和相应的位置，以及各自开到什么程度，在开车时我们可能会手忙脚乱，导致错误的操作，因此，在开车前最重要的准备工作就是熟悉整个的工艺过程。 （3）在开车后的操作中一定要有(转载 于:https://www.doczj.com/doc/d816632415.html, 书业网:建筑施工工艺仿真心得体会)耐心，不能急于求成。无比达到每一步的工艺要求之后，才能进行下一步的操作，否则可能造成不可挽回的质量错误。因此在面对一个工艺流程，必须要了解这个工艺流程的作用是什么，要达到怎样的目的，了解流程中的各个环节，是如何进料的，操作条件又是如何，要达到什么样的要求。只有这样我们才能更好的学习或掌握所练习的学习容。 总之，通过二周的仿真实习，我明白了许多，同时也懂得了许多，在操作过程中对每一步工艺操作都要耐心的完成，要达到规定的要求，不能急于求成，否则会事倍功半。要不断的吸取失败的教训，虚心向老师和优秀的同学请教，总结经验。此外，在以后的学习和生活中，要更加刻苦、努力的学习自己的专业知识，夯实基础、扩大自己的知识面，从而在以后的工作或生活中，更好的为我所用，为以后踏上工作岗位打下基础! 篇二：施工标准化工艺学习心得 施工标准化工艺学习心得
1.2使用ATLAS的NMOS器件仿真 1.2.1ATLAS概述 ATLAS是一个基于物理规律的二维器件仿真工具，用于模拟特定半导体结构的电学特性，并模拟器件工作时相关的内部物理机理。 ATLAS可以单独使用，也可以在SILVACO’s VIRTUAL WAFER FAB仿真平台中作为核心工具使用。通过预测工艺参数对电路特性的影响，器件仿真的结果可以与工艺仿真和SPICE 模型提取相符。 1ATLAS输入与输出 大多数ATLAS仿真使用两种输入文件：一个包含ATLAS执行指令的文本文件和一个定义了待仿真结构的结构文件。 ATLAS会产生三种输出文件：运行输出文件(run-time output)记录了仿真的实时运行过程，包括错误信息和警告信息；记录文件(log files)存储了所有通过器件分析得到的端电压和电流；结果文件(solution files)存储了器件在某单一偏置点下有关变量解的二维或三维数据。 2ATLAS命令的顺序 在ATLAS中，每个输入文件必须包含按正确顺序排列的五组语句。这些组的顺序如图1.52所示。如果不按照此顺序，往往会出现错误信息并使程序终止，造成程序非正常运行。
图1.52ATLAS命令组以及各组的主要语句 3开始运行ATLAS 要在DECKBUILD下开始运行ATLAS，需要在UNIX系统命令提示出现时输入：deckbuild-as& 命令行选项-as指示DECKBUILD将ATLAS作为默认仿真工具开始运行。 在短暂延时之后，DECKBUILD将会出现，如图1.53所示。从DECKBUILD输出窗口可以看出，命令提示已经从ATHENA变为了ATLAS。
仿真草坪是人造草坪的一种，人造草皮以外观、性能与真草相似，耐磨，抗紫外线，抗老化，维护简便为人所称道。但由于其应用最为广泛的仍然是室外场地，长期日晒雨淋，且使用人次多、频率高，环境复杂多样，难免会对人造草皮造成一些影响。所以在使用中仍有一些事项需要注意。仿真草坪的施工工艺是怎样的？下面安徽华创人造草坪有限公司来为您解答！ 人造草皮维护原则一：保持人造草皮的清洁。 一般情况下，空气中的各类粉尘不需要刻意清洗，自然雨水即可起到洗涤作用。但作为运动场地，这样理想的状态并不多见，因此需要及时清理草皮上的各种残渣，诸如果皮纸屑、瓜果饮料等等。轻巧型的垃圾可以用吸尘器解决，大一些的用毛刷清除，而污渍的处理则需使用对应成分的液剂，并迅速用水冲洗，但不要随意使用的清洁剂。 人造草皮维护原则二：烟火会造成草皮损伤和安全隐患 精品草坪
虽然现在的大多数人造草皮都具有阻燃功能，但很多人对人造草坪的阻燃性有一个误点，人造草坪的阻燃性不是烧不着，人造草坪还是属于塑胶材料是能烧着的，国标对人造草坪阻燃性的规定是点燃中心到损毁边缘的最大距离≤50mm，所以在场地上还是要避免烟头等明火的出现。 人造草皮维护原则三：单位面积内的压强要控制。 人造草皮场地上不要通行车辆，更不允许停车，也不能堆放物品。人造草皮固然有其自身的直立性和回弹性，但其负担的分量过重或时间过长，也会压坏草丝。人造草皮场地不能进行诸如标枪等需要使用尖锐体育器械的运动；足球比赛则不能穿长钉鞋，可用圆钉碎钉鞋代替；高跟鞋也不允许进场。 人造草皮维护原则四：控制使用频率 人造草皮虽然可以高频率的使用，但也不能无限制的持续承受高强度的运动。视使用情况而异，特别是激烈的运动过后，场地仍然需要一定的休息时间。 在日常使用时遵循这些注意事项，一方面可以使人造草皮场地的运动功能保持更好的状态，另一方面也可以有效提高其使用寿命。另外在使用频率低的时候可以对场地进行整体检查，虽然大多数遇到的都是小损伤，及时修补才能防止问题扩大化。 精品草坪
Proteus 元件名称对照1 元件名称中文名说明 7407 驱动门 1N914 二极管 74Ls00 与非门 74LS04 非门 74LS08 与门 74LS390 TTL 双十进制计数器 7SEG 4针BCD-LED 输出从0-9 对应于4根线的BCD码 7SEG 3-8译码器电路BCD-7SEG[size=+0]转换电路 ALTERNATOR 交流发电机 AMMETER-MILLI mA安培计 AND 与门 BATTERY 电池/电池组 BUS 总线 CAP 电容 CAPACITOR 电容器 CLOCK 时钟信号源 CRYSTAL 晶振 D-FLIPFLOP D触发器 FUSE 保险丝 GROUND 地 LAMP 灯 LED-RED 红色发光二极管 LM016L 2行16列液晶可显示2行16列英文字符，有8位数据总线D0-D7，RS，R/W，EN三个控制端口（共14线），工作电压为5V。没背光，和常用的1602B功能和引脚一样（除了调背光的二个线脚）LOGIC ANALYSER 逻辑分析器 LOGICPROBE 逻辑探针 LOGICPROBE[BIG] 逻辑探针用来显示连接位置的逻辑状态 LOGICSTATE 逻辑状态用鼠标点击,可改变该方框连接位置的逻辑状态 LOGICTOGGLE 逻辑触发 MASTERSWITCH 按钮手动闭合,立即自动打开 MOTOR 马达 OR 或门 POT-LIN 三引线可变电阻器 POWER 电源 RES 电阻 RESISTOR 电阻器 SWITCH 按钮手动按一下一个状态 SWITCH-SPDT 二选通一按钮 VOLTMETER 伏特计 VOLTMETER-MILLI mV伏特计 VTERM 串行口终端
项目施工仿真教学软件产品介绍 （VAS教学版） 一、产品介绍 施工工艺仿真教学软件作为一款以Unity3D技术为依托，综合行业规范、贯穿教学重难点，实现施工场景仿真模拟及工艺流程动态演示，人机交互式操作、成果实现智能考评等多项功能于一体的综合性专业仿真操作软件。对于现阶段院校建筑类专业课程授课过程中所存在的情景教学资源少、实训操作场地局限、实训操作道具成本较高、重复利用率低等情况，以及学生不同就业方向对技能的要求，软件采用了配套建筑信息化教学课程中的专业核心内容，进行了模块化虚拟操作体验，从而达到理论结合实践，实践贴近实际的效果。对于提高建筑行业整体水平有较高的指导性和先进性，意义重大。 施工工艺仿真教学软件（VAS）是为各院校建筑类专业量身打造的实训操作体验平台。软件以案例场景作为大环境，实训操作任务内容以案例工程施工过程中单个节点为核心导向，结合施工技术、施工组织、工程质量检验、施工现场管理等几门课程作为理论基础，解决配套情景教学资源、实训操作场地、实训操作成本等问题，同步加强教师在实训过程中操作任务的考核，强化了教学手段。 二、产品设计思路 产品设计思路：系统目前整体以土建、装饰两个方向进行施工全过程、阶段性划分，结合行业规范和教学知识点的要求再将任务阶段合理化拆分成一系列流程性的任务，同时系统实现导训式、考核式两种版本操作模式，有助于学生了解实际施工过程中的完整流程，通过游戏式的人物场景漫游、任务操作来加强学生在实训过程中对于知识点的把控，同时也回顾了专业知识，强化了专业技能。
三、产品设计内容及理念 施工工艺仿真教学软件（教学版） VAS软件按照“以理论为本位，以项目制教学为主线，以施工技术流程+专业专项教学体系”的总体设计要求，以项目任务为中心构建项目制教学管理体系。彻底打破常规学科课程的设计思路，紧紧围绕项目任务完成的需要来选择和组织教学内容，突出项目任务与知识的联系，让学生在实训时能够通过配套的视频体验更好的理解教学内容。 案例工程三维场景 V-AS仿真操作系统是为院校建筑类专业量身打造的实训操作体验工具。软件内以案例场景作为大环境，实训操作任务内容以案例工程施工过程单个节点为核心导向，结合施工技术、施工组织、工程质量检验、施工现场管理等几门课程作为理论基础，解决配套情景教学资源、实训操作场地、实训操作成本等问题，同步加强了教师在实训过程中操作任务的考核，强化教学手段。 人机交互式操作 操作方式采用人机交互式体验，结合人体输入学设备可在PC客户端上进行任务操作体验，帮助学生了解掌握施工要点 人物漫游式走动操作 任务操作场景实现三维模拟，可漫游体验，场景配有可快位小地图功能，速定明确任务操作的位置， 按实际工程施工阶段划分操作任务 任务操作关键步骤可拆分，操作演示时可以随意选择每个步骤进行任务操作演示。 系统设置任务操作工具栏 软件下方设置了一系列的操作工具栏，学生可以快速通过添加或者删减工具栏中的工具来实现建筑施工中指定任务的模拟。
§4 工艺及器件仿真工具SILVACO-TCAD 本章将向读者介绍如何使用SILV ACO公司的TCAD工具A THENA来进行工艺仿真以及A TLAS来进行器件仿真。假定读者已经熟悉了硅器件及电路的制造工艺以及MOSFET 和BJT的基本概念。 4.1 使用ATHENA的NMOS工艺仿真 4.1.1 概述 本节介绍用A THENA创建一个典型的MOSFET输入文件所需的基本操作。包括： a. 创建一个好的仿真网格 b. 演示淀积操作 c. 演示几何刻蚀操作 d. 氧化、扩散、退火以及离子注入 e. 结构操作 f. 保存和加载结构信息 4.1.2 创建一个初始结构 1定义初始直角网格 a. 输入UNIX命令：deckbuild-an&，以便在deckbuild交互模式下调用A THENA。在短暂的延迟后，deckbuild主窗口将会出现。如图 4.1所示，点击File目录下的Empty Document，清空DECKBUILD文本窗口； 图4.1 清空文本窗口 b. 在如图4.2所示的文本窗口中键入语句go Athena ； 图4.2 以“go athena”开始
接下来要明确网格。网格中的结点数对仿真的精确度和所需时间有着直接的影响。仿真结构中存在离子注入或者形成PN结的区域应该划分更加细致的网格。 c. 为了定义网格，选择Mesh Define菜单项，如图4.3所示。下面将以在0.6μm×0.8μm 的方形区域内创建非均匀网格为例介绍网格定义的方法。 图4.3 调用ATHENA网格定义菜单 2 在0.6μm×0.8μm的方形区域内创建非均匀网格 a. 在网格定义菜单中，Direction（方向）栏缺省为X；点击Location（位置）栏并输入值0；点击Spacing（间隔）栏并输入值0.1； b. 在Comment（注释）栏，键入“Non-Uniform Grid(0.6um x 0.8um)”,如图4.4所示； c. 点击insert键，参数将会出现在滚动条菜单中； 图4.4 定义网格参数图 4.5 点击Insert键后 d. 继续插入X方向的网格线，将第二和第三条X方向的网格线分别设为0.2和0.6，间距均为0.01。这样在X方向的右侧区域内就定义了一个非常精密的网格，用作为NMOS晶体管的有源区； e. 接下来，我们继续在Y轴上建立网格。在Direction栏中选择Y；点击Location栏并输入值0。然后，点击Spacing栏并输入值0.008； f. 在网格定义窗口中点击insert键，将第二、第三和第四条Y网格线设为0.2、0.5和 0.8，间距分别为0.01，0.05和0.15，如图4.6所示。
建筑工程虚拟仿真实训平台 三好建筑工程仿真实训平台GS2013 一、概述 三好建筑工程仿真实训平台2013，是以Unity3D为平台，结合当前最为流行的三维仿真技术，专门为开设有建筑类专业的中、高等院校而开发，以解决建筑类专业学生的实习实训任务为目标而打造的一款综合性系统软件。整个软件以当前施工现场流行的施工工艺和施工管理为主线，以真实的施工项目为背景而开发，人机交互加三维场景，将整个建筑工程搬进实训室，使学生身临其境，不出校门，即可完成实习、实训任务。从而达到学校育人和企业用人的无缝对接。 现阶段院校建筑类专业课程授课过程中所存在的情景教学资源少、实训操作场地局限、实训操作道具成本较高、重复利用率低等情况，以及学生就业方向对技能的要求，分模块化配套建筑信息化教学课改的专业核心内容，进行虚拟操作体验，从而达到理论结合实践，实践贴近实际的效果。对于提高建筑行业整体水平有较高的指导性和先进性，对提高行业综合实力意义重大。
二、系统介绍 1、功能特点 （1）实现施工管理流程与施工工艺流程同步仿真； （2）场景符合安全文明标化工地要求； （3）菜单形式显示施工任务流程，该任务过程中任意跳转； （4）资料库功能，仿真项目实施过程中所涉及到的图纸、施工方案、各种记录以及其他文件资料。 （5）多视角切换（可根据施工的不同程度，多方位、多视角查看施工情况）；
（6）地图热点，实现三维漫游时的不同场景的快速跳转； （7）远近镜头调整； （8）智能语音提示功能，使得整个软件在运行过程中，更加生动形象。 （9）教学模式顺序展示； （10）仿真模式实现交互； （11）考评模式完成考核；理论考试与实务操作相结合，并记录成绩，更科学，更客观的评价学生对实际知识和技能的掌握情况。 （12）丰富的视频； （13）三维漫游功能。 2、专业实现 （1）真实还原施工现场、仿真展示、交互式操作； （2）平台包含典型案例工程、配套实训图纸、《实训任务书》、内业资料、施工管理流程、施工工艺流程； （3）典型工程案例（该工程包含地下室，地上为框支剪力墙、剪力墙结构），囊括现行施工工艺流程；现实生活中的真实项目，项目建筑面积不低于50000平米，楼高不低于50米。 （4）包含各阶段施工图纸、施工方案、技术交底、安全交底，并同步生成工程配套的各种技术资料和施工记录；
4.2 使用ATLAS的NMOS器件仿真 4.2.1 ATLAS概述 ATLAS是一个基于物理规律的二维器件仿真工具，用于模拟特定半导体结构的电学特性，并模拟器件工作时相关的内部物理机理。 ATLAS可以单独使用，也可以在SILVACO’s VIRTUAL WAFER FAB仿真平台中作为核心工具使用。通过预测工艺参数对电路特性的影响，器件仿真的结果可以与工艺仿真和SPICE 模型提取相符。 1 ATLAS输入与输出 大多数ATLAS仿真使用两种输入文件：一个包含ATLAS执行指令的文本文件和一个定义了待仿真结构的结构文件。 ATLAS会产生三种输出文件：运行输出文件(r un-t i m e ou t pu t)记录了仿真的实时运行过程，包括错误信息和警告信息；记录文件(log files)存储了所有通过器件分析得到的端电压和电流；结果文件(s o l u t i on f il e s)存储了器件在某单一偏置点下有关变量解的二维或三维数据。 2 ATLAS命令的顺序 在ATLAS中，每个输入文件必须包含按正确顺序排列的五组语句。这些组的顺序如图4.52所示。如果不按照此顺序，往往会出现错误信息并使程序终止，造成程序非正常运行。 图4.52 ATLAS命令组以及各组的主要语句 3 开始运行ATLAS 要在DECKBUILD下开始运行ATLAS，需要在UNIX系统命令提示出现时输入： deckbuild -as& 命令行选项-as指示DECKBUILD将ATLAS作为默认仿真工具开始运行。 在短暂延时之后，DECKBUILD将会出现，如图4.53所示。从DECKBUILD输出窗口可以看出，命令提示已经从A THENA变为了ATLAS。 图4.53 ATLAS的DECKBUILD窗口 4 在ATLAS中定义结构 在ATLAS中，一个器件结构可以用三种不同的方式进行定义： 1.从文件中读入一个已经存在的结构。这个结构可能是由其他程序创建的，比如ATHENA或DEVEDIT； 2.输入结构可以通过DECKBUILD自动表面特性从ATHENA或DEVEDIT转化而来； 3.一个结构可以使用ATLAS命令语言进行构建。 第一和第二种方法比第三种方法方便，所以应尽量采用前两种方法。在本章中，我们将通过第二种方法，利用DECKBUILD的自动表面特性，将NMOS结构从ATHENA转化为ATLAS。 4.2.2 NMOS结构的ATLAS仿真 在本章中，我们将以下几项内容为例进行介绍： 1.Vds=0.1V时，简单Id-Vgs曲线的产生； 2.器件参数如Vt，Beta和Theta的确定； 3.Vgs分别为1.1V，2.2V和3.3V时，Id-Vds曲线的产生。 这里将采用由ATHENA创建的NMOS结构来进行NMOS器件的电学特性仿真。
?平时成绩30% + 考试成绩70% ?名词解释（2x5=10）+ 简答与画图（8x10=80）+ 计算（1x10=10） 名词解释 p型和n型半导体 漂移和扩散 简并半导体 异质结 量子隧穿 耗尽区 阈值电压 CMOS 欧姆接触 肖特基势垒接触 简答与画图 1.从能带的角度分析金属、半导体和绝缘体之间的区别。 2.分析pn结电流及耗尽区宽度与偏压的关系。 3.什么是pn结的整流（单向导电）特性？画出理想pn结电流-电压曲线示意图。 4.BJT各区的结构有何特点？为什么？ 5.BJT有哪几种工作模式，各模式的偏置情况怎样？ 6.画出p-n-p BJT工作在放大模式下的空穴电流分布。 7.MOS二极管的金属偏压对半导体的影响有哪些？ 8.MOSFET中的沟道是多子积累、弱反型还是强反型？强反型的判据是什么？ 9.当VG大于VT且保持不变时，画出MOSFET的I-V曲线，并画出在线性区、非线 性区和饱和区时的沟道形状。 10.MOSFET的阈值电压与哪些因素有关？ 11.半导体存储器的详细分类是怎样的？日常使用的U盘属于哪种类型的存储器，画出 其基本单元的结构示意图，并简要说明其工作原理。 12.画出不同偏压下，金属与n型半导体接触的能带图。 13.金属与半导体可以形成哪两种类型的接触？MESFET中的三个金属-半导体接触分 别是哪种类型？ 14.对于一耗尽型MESFET，画出VG=0, -0.5, -1V（均大于阈值电压）时的I-V曲线示 意图。 15.画出隧道二极管的I-V曲线，并画出电流为谷值时对应的能带图。 16.两能级间的基本跃迁过程有哪些，发光二极管及激光器的主要跃迁机制分别是哪 种？ 计算 Pn结的内建电势及耗尽区宽度
半导体基础知识和半导 体器件工艺 Standardization of sany group #QS8QHH-HHGX8Q8-GNHHJ8-HHMHGN#
半导体基础知识和半导体器件工艺 第一章半导体基础知识 通常物质根据其导电性能不同可分成三类。第一类爲导体，它可以很好的传导电流，如：金属类，铜、银、铝、金等；电解液类：NaCl水溶液，血液，普通水等以及其他一些物体。第二类爲绝缘体，电流不能通过，如橡胶、玻璃、陶瓷、木板等。第三类爲半导体，其导电能力介於导体和绝缘体之间，如四族元素Ge锗、Si矽等，三、五族元素的化合物GaAs砷化镓等，二、六族元素的化合物氧化物、硫化物等。 物体的导电能力可以用电阻率来表示。电阻率定义爲长1厘米、截面积爲1平方厘米的物质的电阻值，单位爲欧姆*厘米。电阻率越小说明该物质的导电性能越好。通常导体的电阻率在10-4欧姆*厘米以下，绝缘体的电阻率在109欧姆*厘米以上。 半导体的性质既不象一般的导体，也不同于普通的绝缘体，同时也不仅仅由於它的导电能力介於导体和绝缘体之间，而是由於半导体具有以下的特殊性质： (1) 温度的变化能显着的改变半导体的导电能力。当温度升高时，电阻率会降低。比如Si在200℃时电阻率比室温时的电阻率低几千倍。可以利用半导体的这个特性制成自动控制用的热敏元件（如热敏电阻等），但是由於半导体的这一特性，容易引起热不稳定性，在制作半导体器件时需要考虑器件自身産生的
热量，需要考虑器件使用环境的温度等，考虑如何散热，否则将导致器件失效、报废。 (2) 半导体在受到外界光照的作用是导电能力大大提高。如硫化镉受到光照後导电能力可提高几十到几百倍，利用这一特点，可制成光敏三极管、光敏电阻等。 (3) 在纯净的半导体中加入微量（千万分之一）的其他元素（这个过程我们称爲掺杂），可使他的导电能力提高百万倍。这是半导体的最初的特徵。例如在原子密度爲5*1022/cm3的矽中掺进大约5X1015/cm3磷原子，比例爲10-7（即千万分之一），矽的导电能力提高了几十万倍。 物质是由原子构成的，而原子是由原子核和围绕它运动的电子组成的。电子很轻、很小，带负电，在一定的轨道上运转；原子核带正电，电荷量与电子的总电荷量相同，两者相互吸引。当原子的外层电子缺少後，整个原子呈现正电，缺少电子的地方産生一个空位，带正电，成爲电洞。物体导电通常是由电子和电洞导电。 前面提到掺杂其他元素能改变半导体的导电能力，而参与导电的又分爲电子和电洞，这样掺杂的元素（即杂质）可分爲两种：施主杂质与受主杂质。 将施主杂质加到矽半导体中後，他与邻近的4个矽原子作用，産生许多自由电子参与导电，而杂质本身失去电子形成正离子，但不是电洞，不能接受电子。这时的半导体叫N型半导体。施主杂质主要爲五族元素：锑、磷、砷等。 将施主杂质加到半导体中後，他与邻近的4个矽原子作用，産生许多电洞参与导电，这时的半导体叫p型半导体。受主杂质主要爲三族元素：铝、镓、铟、硼等。
建筑工程施工工艺仿真软件附件
附件： 一、商务要求： 1.投标人投标时必须提供《软件企业认定证书》。投标人需提供由国家版权 局颁发的以上各软件《计算机著作权登记证书》，相关部门颁发的《软件产品登记证书》，登记证需与以上软件产品同名称，不接受任何替代产品参与投标。 2.为保证产品广泛适用性，软件的制造商必须提供在成功案例5个以上，以合 同复印件为准。 3.售后服务要求： 1）在合同签订时出示厂商针对此项目所开具的加盖原厂公章的项目授权函原件（复印件无效），并在供货时提供售后服务承诺函原件，以保证供货渠道的合法性和完善的售后服务。为了保证软件商品的原厂性，所有产品必须由原厂商派技术人员及专家到采购单位进行现场安装和技术培训及指导，否则，采购人有权拒绝收货验货预中标供应商。 二、技术要求： 1．软件的技术要求 该软件内容包含地基与基础施工工艺仿真系统、砌体结构工程施工工艺仿真系统、砼结构工程施工工艺仿真系统、钢结构施工工艺仿真系统、脚手架施工工艺仿真系统、建筑装饰工程施工工艺仿真系统、建筑幕墙工程施工工艺仿真系统、楼地面工程施工工艺仿真系统、地下防水工程施工工艺仿真系统、建筑节能与门窗工程施工工艺仿真系统、屋面工程施工工艺仿真系统、给水排水施工工艺仿真系统、建筑构件仿真系统等，共13个子系统，每个实训子系统含有若干项典型的实训项目，每个实训项目含有若干项典型的实训步骤，以及教学资源、工程图纸、技术规范、安全交底、技术交底、项目进程和施工准备等实训模块。
子系统工程/项 目 项目进程实训模块备注模式 地基与基础施工工艺仿真系统土方开挖 工程 场地清理、放线定位、 挖排水沟、机械挖土、 人工清底 工程图纸、技术交底 （表格、文字、图片）、 技术规范、安全交底、教 育资源（文字、图片、视 频）、工作记录。 施工准备（工具/设备库、 物料场）、操作提示、项目 进程、技术要求、快问快 答、工具组合 施工条件是 场地三通一平已完 成，地下管线等已 处理完，图纸已会 审。 文字、图片、三 维演示 喷锚支护 工程 人工清理边坡、放线、 钻孔、清理锚杆处沟 槽、清孔、钻孔验收、 安装锚杆、灌注锚杆砂 浆、绑扎锚杆处加固钢 筋、绑扎护坡钢筋网及 安装排水孔、喷射第一 遍混凝土、喷射第二遍 混凝土、清理排水孔 施工条件是土 坡已施工完，图纸 已会审。材料符合 设计及国家规范要 求。 文字、图片、三 维演示 桩基础工 程 就位桩机、打试验桩、 接桩、送桩、挖桩间土、 截桩、浇筑混凝土 施工条件是场 地三通一平已完 成，地下管线等已 处理完，图纸已会 审。材料符合设计 及国家规范要求。 文字、图片、三 维演示 砌体结构工程施工工艺仿真系统毛石基础 工程 基槽清理、施工准备、 定位放线、砌筑毛石、 拉结石施工、留槎、验 收 工程图纸、技术交底（表 格、文字、图片）、技术 规范、安全交底、教育资 源（文字、图片、视频）、 工作记录、施工准备（工 具/设备库、物料场）、操 作提示、项目进程、技术 要求、快问快答、工具组 合 施工条件是地 基承载力符合设计 要求，图纸已会审。 材料符合设计及国 家规范要求。 文字、图片、三 维演示 砖墙砌筑 工程 地圈梁施工、构造柱钢 筋施工、砌筑、预制过 梁、构造柱施工 施工条件是基础已 施工完。材料符合 设计及国家规范要 求 文字、图片、三 维演示 砼结构工程施工工艺仿真系统钢模板工 程 场地夯实、放线、涂刷 隔离剂、安装钢模板、 固定钢模板、质量检测 工程图纸、技术交底 （表格、文字、图片）、 技术规范、安全交底、教 育资源（文字、图片、）、 工作记录、施工准备（工 具/设备库、物料场）、操 作提示、项目进程、技术 要求、快问快答、工具组 合，教学资源中详细介绍 以下工程施工及技术要求 1.钢筋工程a.钢筋质量要 求。b.钢筋连接种类：绑 扎，电渣压力焊，电弧焊， 带肋钢筋套筒挤压连接， 锥螺纹钢筋接头，钢筋镦 粗直螺纹套筒连接，钢筋 滚压直螺纹套筒连接。c. 钢筋安装位置的偏差规 定。2.混凝土施工。 施工条件是 柱钢筋施工完，进 行柱模板施工。材 料符合设计及国家 规范要求。 文字、图片、三 维演示 柱钢筋工 程 放线定位套钢筋箍、电 渣压力焊接长钢筋、钢 箍筋放线定位、钢筋箍 绑扎、绑扎保护层垫 块、检查验收 施工条件是 基础施工完，进行 柱钢筋施工。材料 符合设计及国家规 范要求。 文字、图片、三 维演示 梁板钢筋 工程 钢筋下料、钢筋加工、 钢筋焊接、梁钢筋绑 扎、梁钢筋安装及调 整、板钢筋绑扎、板顶 钢筋加固、检查验收 施工条件是基础施 工完工，一层柱钢 筋绑扎完，一层柱 及梁板模板施工完 工，柱混凝土浇筑 完，按设计要求进 行一层梁板钢筋施 工。材料符合设计 及国家规范要求 文字、图片、三 维演示