[专业外语][期末复习][翻译答案].doc

期末复习题句子部分答案

1、然而，尽管如此，人们还是认识到了半导体是一类特殊的物质，并在可以用来说明半导体各种性质的深入理论出现之前，早已注意到了它们的一些主要性质。这一事实说明早期的实验工作者们的实验技巧和细心是很值得赞赏的。

2、我们现在知道这些效应是由氧化物膜或实际存在的那些将各个单晶分开的间隙（各单晶之间的界面）造成的，但是却导致一度将金属钛和错划分到半导体中。

3、但是，必须承认直到固体量子理论对观察到的大量的性质给出合理的解释，我们才能得到确实可靠的标准。

4、霍洛维茨对这些早期工作进行了综述，并列出了一个包含超过350条参考文献的内容非常广泛的书目。古登的更早期的工作也对这一阶段的工作有广泛的涉猎，并且就鉴别半导体的一些问题进行了相当详细的讨论。

5、K.拉克?霍洛维兹详细地讨论了各种区分离子导电和电子导电的方法以及由于未能区分二者而造成的解释上的困难。

6、后者通常被称为载流子迁移率，在后面还会给出精确的定义，它通常会随着温度的升高而呈现下降的趋势，特别是在高温情况下，这也解释了为什么金属的电导率随温度的升高而减小。

7、所涉及的物质主要是金属氧化物和硫化物，欠缺半导体是那些金属的含量小于相应的理想配比成分（化学计量组分相对应的含量）的物质，也就是被氧化的化合物。

8、这项工作的重要性在于指出对理想化学配比的微小偏离在确定化合物半导体的性质中所起的至关重要的作用。

9、尽管严格地说它们不是半导体而是绝缘体，但是我们必须要提到波尔和他的合作者们在碱金属卤化物方面所做的大量的研究，因为他们的工作对我们澄清半导体的一些性质有很大帮助。

10、由于不能正确将材料体内产生的效应和材料表面或不同材料界面间的固有效应区分开来，早期对半导体的研究中产生了许多不确定性。

11、单晶的使用不但可以把体内性质和表面性质区分开来，而且还能更详细地研究表面和两种半导体之间的界面或者半导体和金属之间的界面的性质。

12、最近对非晶态半导体的研究使我们对那些主要依赖所研究晶体的质量的性质如高的载流子迁移率以及那些不依赖于长程有序的更基本的性质有了更充分的认

识。

13、硒和氧化铜的光电导性质可以用来提供摄影技术用的曝光表和光电管，光电管在电影工业中是用来将音轨上的信号转换成电流，以便用扬声器将它放大和再生。

14、将半导体材料晶体和细金属丝或猫须连在一起就是一个非常好的高频电流整流器，这一发现极大提高了无线电接收机的灵敏性，这一类型的器件在早期被广泛应用到广播中。

15、现在积极开展的利用太阳能电池为人造卫星提供动力、甚至可以大规模发电的研究，就是基于半导体的光电效应。

16、现代的晶体管的继任者是集成电路。集成电路中的许多晶体管和与它相关联的一些元件如电阻、电容等是通过控制扩散杂质进入一个小的硅片制作的。

17、这里我们期待这种力场在电子运动出界面时对它产生一个很强的吸引力，在最简单的理论模型中，假设它建立了一个不能穿过的势垒，将电子束缚在固体中。

18、在萨摩菲尔德的理论中，对宏观尺度晶体中的价电子而言，它们允许的能级靠的很近，而且能级的值几乎从电子在其中运动的势阱底部一直延伸到无穷大。19、每个能带是由许多间隔很近的能级组成而且由于种种原因可能被认为是一个

连续体。然而，当我们把电子分配到这些能级的时候，我们必须记住它们是分立的而且存在确定的数目。

20、如果我们现在有一个N个原子的晶体，而且假设晶体不断膨胀以至于晶格之间的间隔变的非常大。于是允许的能级恰好是原子的能级，我们暂时假设原子的能级是非简并化的，也即是说每个能级有各自的能量。

21、因此我们理解如果有可利用的相邻的空能级并且电子能够到达，电子才能够对导电有明显的贡献；完全被填满的能带对导电没有贡献。

22、这不但解释了为什么内层电子对电导没有贡献，而且在研究一方面是金属和绝缘体，另一方面是金属和半导体的木质差别方面为威尔逊提供了线索。

23、我们将要涉及的大部分物质都有这样的结构，但是并不是都由大的单晶块组成。而是由非常小的随机取向的晶体聚集在一起组成的。

24、结果表明在实际固体中，原子的填充非常的接近以至于对于某个特定原子的电子，特别是价电子，很容易从将它束缚在这个原子的势阱中逃脱到相邻原子的势阱中。

25、被激发的电子的数目将会随着温度的升高而增加，在一定程度上，这是由一个获得与A E相同量级的激活能的过程控制的，因此我们可以预期电导率随着温

度的升高而快速增加。

26、后面我们还会看到数量很少的杂质会对激活能产生非常显著的影响以至于具有相当大激活能 A E值的材料，当它们含有某些〃活性〃杂质时可能会表现出半导体的行为(性质)。

27、如果自由电子和空穴的密度n, p与晶体中原子的密度N相比都很小，这样晶体中原子的密度和未激发态(eh)的数目几乎相等，从化学反应的热力学理论我们得到方程式(2),这里K(T)只是温度的函数。

28、如果我们假设在电场中电子和空穴的迁移率随温度的变化与式⑷中指数因子的变化相比很小，那么我们就得到电导率。，这个电导率仅仅正比于载流子的数量，有如下的一个变化的形式。

29、在许多例子中人们发现将一个电子从施主能级中激发到导带所需的能量太小T,以至于在室温时，所有可用的施主能级上的电子都被激发进入到导带中了。

30、因此这个条件下的半导体，它的电阻将会随着温度的升高而增加，直到温度升高到本征电子占优势，此时电阻将开始以指数的方式下降，这种性质曾一度被认为是半导体的特性。

31、当光的频率足够高时一个价电子吸收的量子(光子)就有足够的能量能够使电子从满带的顶端跃迁到导带中，这样就会产生额外的载流子从而使电导率增加。

32、从上面的计算我们可以清楚如果室温下铐处于本征状态，那么它含有能够提供靠近导带能级的杂质的浓度一定不会大于(原子浓度的)10一9分之一(<10*9)o 33、这章的目的是使那些不是缺陷分析专家的科学家熟悉一些通常用来表征半导体缺陷的刻蚀、光学和X射线显微技术等方法。

34、可以预期读者将会有亲自动手进行光刻(实验)和光学显微镜使用的机会，但是至于X射线形貌技术，我们期望适当的专家来完成这个工作并帮助对结果做出解释。

35、然而尽管如此，事实证明，少数载流子仍然起着很重要的作用，因为在半导体工艺中一些电子的过程都是由少数载流子控制的，少数载流子的浓度小，可以更容易地改变。

36、位错与双极性晶体管中发射极到集电极的短路以及位错与光探测器中雪崩点的一对一的对应关系已经被找出，然而已经知道产生堆垛层错的过程会减少MOS 存储设备的存储时间。

37、如果缺陷分析是一门有价值的科学，那么就不要过度的使用它，或者换句话说就是尽可能和优先使用最简单的方法获得必要的信息。

38、当需要一个新的蚀刻剂时，儿乎都是通过从之前对相似的材料的刻蚀获得的经验以及额外进行的反复试验并对错误进行修正所获得，而不是应用化学理论配制的。

39、然而我们必须明白，如果温度升高表面反应速率超过了扩散速率，或如果腐蚀剂中的一个重要成分减少到它扩散到表面的速率限制了整个反应，选择腐蚀就能变成抛光腐蚀。

40、在总掺杂浓度为1017/cm3的材料中，如果载流子浓度差异低到1016/cm3时会产生腐蚀速率的差异从而导致表面的变化。

41、由于NA控制分辨率，使用由低数值孔径的透镜组成的高倍率目镜来获得更大的放大倍数将不会产生更多的细节（对于所观察的物体的图像不能给出清晰的细节，即分辨率很低）。

42、如果棱镜移动的足够远，会使这些光线的位相完全相反，那么波长最短的可见光（就是深蓝色光）开始出现干涉抵消。

43、只要所有的观察者都使用零点一侧的数据进行比较，与己知的形貌例如小坑衬度相同的形貌将是凹陷，而与其衬度相反的所有形貌就是小丘。