1.1.保护器件避免划伤和沾污
2.限制带电载流子场区隔离（表面钝化）
3.栅氧或存储单元结构中的介质材料
4.掺杂中的注入掩蔽
5.金属导电层间的电介质
6.减少表面悬挂键
2.化学反应：Si+2H2O->SiO2+2H2
水汽氧化与干氧氧化相比速度更快，因为水蒸气比氧气在二氧化硅中扩散更快、溶解度更高
3.、1.干氧：Si＋O2 SiO2
氧化速度慢，氧化层干燥、致密，均匀性、重复性好，与光刻胶
的粘附性好
2、水汽氧化：Si+H2O SiO2（固）+H2(气)
氧化速度快，氧化层疏松，均匀性差，与光刻胶的粘附性差
3、湿氧：氧气携带水汽，故既有Si与氧气反应，又有与水汽反应氧化速度、氧化质量介于以上两种方法之间
4.掺杂物、晶体晶向、压力、温度、水蒸气
5.界面陷阱电荷、可移动氧化物电荷
6.工艺腔、硅片传输系统、气体分配系统、尾气系统、温控系统
4.工艺腔是对硅片加热的场所，由垂直的石英罩钟、多区加热电阻丝和加热管套组成硅片传输系统在工艺腔中装卸硅片，自动机械在片架台、炉台、装片台、冷却台之间移动气体分配系统通过将正确的气
体通到炉管中来维持炉中气氛控制系统控制炉子所有操作，如工艺时间和温度控制、工艺步骤的顺序、气体种类、气流速率、升降温速率、装卸硅片...
1.(1)薄膜：指某一维尺寸远小于另外两维上的尺寸的固体物质。 . （2）.好的台阶覆盖能力 ..高的深宽比填隙能力(>3:1)
厚度均匀(避免针孔、缺陷） ..高纯度和高密度 ..受控的化学剂量..结构完整和低应力（导致衬底变形,
..好的粘附性避免分层、开裂致漏电）
2.（1）晶核形成
分离的小膜层形成于衬底表面，是薄膜进一步生长的基础。（2）凝聚成束形成(Si)岛，且岛不断长大（3）连续成膜岛束汇合并形成固态的连续的薄膜淀积的薄膜可以是单晶（如外延层）、多晶（多晶硅栅）和无定形（隔离介质，金属膜）的
3.答：..多层金属化：用来连接硅片上高密度器件的金属层和绝缘层 ..关键层：线条宽度被刻蚀为器件特征尺寸的金属层。
..对于ULSI集成电路而言，特征尺寸的范围在形成栅的多晶硅、栅氧以及距离硅片表面最近的金属层。介质层
..层间介质（ILD）
ILD－1：隔离晶体管和互连金属层；隔离晶体管和表面杂质。采用低k介质作为层间介质，以减小时间延迟，增加速度。
4.答：膜淀积技术分类化学方法（1）CVD
a.APCVD(Atmosphere Pressure Chemical Vapor Deposition)
b.LPCVD
c.等离子体辅助CVD：HDPCVD(High-Density Plasma CVD)、PECVD(Plasma enhanced CVD)
d.VPE和金属有机化学气相淀积 (2)电镀：电化学淀积（ECD）、化学镀层物理方法：（1）PVD
（2）蒸发(含MBE) （3）旋涂( SOG, SOD)
5.答：1) 质量传输 2) 薄膜先驱物反应 3) 气体分子扩散 4) 先驱物吸附
5) 先驱物扩散进衬底 6) 表面反应 7) 副产物解吸 8) 副产物去除
6.答：（1）低k介质须具备
低泄漏电流、低吸水性、低应力、高附着力、高硬度、高稳定性、好的填隙能力，便于图形制作和平坦化、耐酸碱以及低接触电阻。研究较多的几种无机低介电常数（二）高k介质
应DRAM存储器高密度储能的需要，引入了高 k介质，在相同电容（或储能密度）可以增加栅介质的物理厚度，避免薄栅介质隧穿和大的栅漏电流。同时，降低工艺难度。
有潜力的高k介质：Ta2O5, (BaSr)TiO3.
7.答：（1）CVD、化学气相淀积（Chemical Vapor Deposition）是指利用热能、辉光放电等离子体或其它形式的能源，使气态物质在固体的热表面上发生化学反应并在该表面上淀积，形成稳定的固态物质的工艺过程。
（2）低压CVD（LPCVD）装片；炉子恒温并对反应室抽真空到1.3 Pa ；充N2 气或其它惰性气体进行吹洗；再抽真空到1.3 Pa ；完成淀积；关闭所有气流，反应室重新抽到1.3 Pa ；回充N2 气到常压，取出硅片。
（3）等离子体增强CVD（PECVD）淀积温度低，冷壁等离子体反应，产生颗粒少，需要少的清洗空间等等离子体辅助CVD的优点。（4）VPE气相外延：硅片制造中最常用的硅外延方法是气相外延，属于CVD范畴。在温度为800-1150℃的硅片表面通过含有所需化学物质的气体化合物，就可以实现气相外延。（5）BPSG：硼磷硅玻璃（boro-phospho-silicate-glass，BPSG）：这是一种掺硼的SiO2玻璃。可采用CVD方法（SiH4+O2+PH3+B2H6，400oC~450oC）来制备。BPSG与PSG（磷硅玻璃）一样，在高温下的流动性较好，广泛用作为半导体芯片表面平坦性好的层间绝缘膜
8.答：1、质量传输限制淀积速率淀积速率受反应物传输速度限制，即不能提供足够的反应物到衬底表面，速率对温度不敏感（如高压CVD）。
2、反应速度限制淀积速率
淀积速率受反应速度限制，这是由于反应温度或压力过低(传输速率快)，提供驱动反应的能量不足，反应速率低于反应物传输速度。可以通过加温、加压提高反应速度。
9.答：2）用TEOS(正硅酸乙酯）-臭氧方法淀积SiO2 Si（C2H5O4）＋8O3 SiO2＋10H2O＋8CO2 优点：a、低温淀积；
b、高的深宽比填隙能力；
c、避免硅片表面和边角损伤；
1.(1)掺杂是把杂质引半导体材料的近体结构中，以改变它的电学性质（如电阻率）,并使掺入的杂质数量和分布情况都满足要求。 (2)常用的掺杂杂质：硼（p型）、磷（n型）、锑（n型）、砷（n型）。 2、硅片中p型杂质和n型杂质相遇的深度被称为结深 3.硅中固态杂质扩散的三个步骤： (1)预淀积:表面的杂质浓度浓度最高，并随着深度的加大而减小，从而形成梯度。这种梯度使杂质剖面得以建立 (2)推进:这是个高温过程，用以使淀积的杂质穿过硅晶体，在硅片中形成期望的结深
(3)激活:这时的温度要稍微提升一点，使杂质原子与晶格中的硅原子键合形成替位式杂质。这个过程激活了杂质原子，改变了硅的电导率。 4.离子注入的优点：
(1)精确控制杂质含量和分布（2）很好的杂质均匀性
（3）对杂质穿透深度有很好的控制（4）产生单一离子束（5）低温工艺
（6）注入的离子能穿透薄膜（7）无固溶度极限离子注入的缺点：（1）高能杂质离子轰击硅原子将对晶体结构产生损伤（2）注入设备的复杂性
5.（1）离子源：待注入物质必须以带电粒子束或离子束的形式存在。注入离子在离子源中产生
（2）引出电极（吸极）和离子分析器：传统注入机吸极系统收集离子源中产生的所有正离子并使它们形成粒子束，离子通过离子源上的一个窄缝得到吸收。（3）加速管：为了获得更高的速度，出了分析器磁铁，正离子还要再加速管中的电场下进行加速
（4）扫描系统扫描在剂量的统一性和重复性方面起着关键租用。（5）工艺室------离子束向硅片的注入发生在工艺腔中。 6.目的：使待注入的物质以带电粒子束的形式存在最常用的源：Freeman离子源和Bernas离子源
7.由于电荷之间的相互排斥，所以一束仅包括正电荷的离子束本身是不稳定的，容易造成离子束的膨胀即离子束的直径在行进过程中不断的增大，最终导致注入不均匀。离子束可以用二次电子中和离子的方法缓解，被称为空间电荷中和
1.正性光刻把与掩膜版上相同的图形复制到硅片上，负性光刻把与掩膜版上图形相反的图形复制到硅片表面，这两种基本工艺的主要区别在于所用的光刻胶的种类不同。正刻胶在进行曝光后留下来的的光刻胶在曝光前已被硬化，它将留在硅片表面，作为后步工艺的保护层，不需要改变掩膜版的极性，并且负性光刻胶在显影时会变形和膨胀，所以正胶是普遍使用的光刻胶传统的I线光刻胶，深紫外光刻胶
2.暗场掩膜版是指一个掩膜版，它的石英版上大部分被铬覆盖，并且不透光
3.第一步：气相成底膜处理，其目的是增强硅片和光刻胶之间的粘附性。第二步：旋转涂胶，将硅片被固定在载片台上，一定数量的液体光刻胶滴在硅片上，然后硅片旋转得到一层均匀的光刻胶图层第三步：软烘，去除光刻胶中的溶剂
4. 第四步：对准和曝光，把掩膜版图形转移到涂胶的硅片上
5. 第五步：曝光后烘培，将光刻胶在100到110的热板上进行曝光后烘培第六步：显影，在硅片表面光刻胶中产生图形
6. 第七步：坚膜烘培，挥发掉存留的光刻胶溶剂，提高光刻胶对硅片表面的粘附性
7. 第八步：显影后检查，检查光刻胶图形的质量，找出有质量问题的硅片，描述光刻胶工艺性能以满足规范要求
4.一，将掩膜版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中二，在后续工艺中，保护下面的材料
5.1，分滴，当硅片静止或者旋转得非常缓慢时，光刻胶被分滴在硅片上 2，旋转铺开，快速加速硅片的旋转到一高的转速使光刻胶伸展到整个硅片表面 3，旋转甩掉，甩去多余的光刻胶，在硅片上得到均匀的光刻胶胶膜覆盖层 4，溶剂挥发，以固定转速继续旋转已涂胶的硅片，直至溶剂挥发，光刻胶胶膜几乎干燥
6.减少曝光光源的波长对提高分辨率非常重要，波长的越小图像的分辨率就越高图像就越精确
7.汞灯，高压汞灯，电流通过装有氙汞气体的管子产生电弧放电，这个电弧发射出一个特征光谱，包括240纳米到500纳米之间有用的紫外辐射准分子激光，准分子是不稳定分子是有惰性气体原子和卤素构成只存在与准稳定激发态
8.分辨率和焦深
9.扫描投影光刻机的概念是利用反射镜系统把有1:1图像的整个掩膜图形投影到硅片表面，其原理是，紫外光线通过一个狭缝聚焦在硅片上，能够获得均匀的光源，掩膜版和带胶硅片被放置在扫描架上，并且一致的通过窄紫外光束对硅片上的光刻胶曝光由于发生扫描运动，掩膜版图像最终被光刻在硅片表面。扫描光刻机主要挑战是制造良好的包括硅片上所有芯片的一倍掩膜版
10.增大了曝光场，可以获得较大的芯片尺寸，一次曝光可以多曝光些芯片，它还具有在整个扫描过程调节聚焦的能力
11.投影掩膜版是一种透明的平板，在它上面有要转印到硅片上光刻胶层的图形。投影掩膜版只包括硅片上一部分图形，而光掩膜版包含了整个硅片的芯片阵列并且通过单一曝光转印图形
12.光刻胶显影是指用化学显影液溶解由曝光造成的光刻胶的可溶解区域，其主要目的是把掩膜版图形准确复制到光刻胶中
13.光刻胶选择比是指显影液与曝光的光刻胶反应的速度快慢，选择比越高，反应速度越快，所以要比例高
14.连续喷雾显影，旋覆浸没显影显影温度，显影时间，显影液量，硅片洗盘，当量浓度，清洗，排风
1.刻蚀工艺：干法刻蚀和湿法刻蚀。干法刻蚀是把硅片表面曝露于气态中产生的等离子体，等离子体通过光刻胶中开出的窗口，与硅片发生物理或化学反应（或这两种反应），从而去掉曝露的表面材料，一般用于亚微米尺寸。湿法刻蚀中，液体化学试剂（如酸、碱和溶剂等）以化学方式去除硅片表面的材料，一般用于尺寸较大的情况下（大于3微米）。
2.刻蚀速率=△T/t（A/min）△T=去掉材料的厚度 t=刻蚀所用的时间高的刻蚀速率，可以通过精确控制刻蚀时间来控制刻蚀的厚度。
3.刻蚀选择比SR=EF/Er EF=被刻蚀材料的速率 Er=掩蔽层材的刻蚀速率干法刻蚀的选择比低高选择比意味着只刻除想
要刻去的那一层材料，一个高选择比的刻蚀工艺不刻蚀下面一层材料并且保护的光刻胶也未被刻蚀。
4.干法刻蚀的主要目的是完整地把掩膜图形复制到硅片表面上。干法刻蚀的优点：1.刻蚀剖面是各向异性，具有非常好的侧壁剖面控制 2.好的CD控制 3.最小的光刻胶脱落或粘附问题 4.好的片内、片间、批次间的刻蚀均匀性
5.较低的化学制品使用和处理费用缺点：对层材料的差的刻蚀选择比、等离子体带来的器件损伤和昂贵的设备
5.在纯化学机理中，等离子体产生的反应元素（自由基和反应原子）与硅片表面的物质发生应。物理机理的刻蚀中，等离子体产生的带能粒子（轰击的正离子）在强电场下朝硅片表面加速，这些离子通过溅射刻蚀作用去除未被保护的硅片表面材料。
6.基本部件：发生刻蚀反应的反应腔，一个产生等离子体的射频电源，气体流量控制系统，去除刻蚀生成物和气体的真空系统。
氟刻蚀二氧化硅，氯和氟刻蚀铝，氯，氟和溴刻蚀硅，氧去除光刻胶7.ECR反应器在1~10毫托的工作压力下产生很密的等离子体。它在磁场环境中采用2.45GHZ微波激励源来产生高密度等离子体。ECR 反应器的一个关键点是磁场平行于反应剂的流动方向，这使自由电子由于磁力的作用做螺旋运动。当电子的回旋频率等于所加的微波电场频率时，能有效地把电能转移到等离子体中的电子上。这种振荡增加了电子碰撞的可能性，从而产生高密度的等离子体，获得大的离子流。这些反应离子朝硅片表面运动并与表面层反应而引起刻蚀反应。
8.多晶硅等离子刻蚀用的化学气体通常是氯气、溴气或二者混合气体。刻蚀多晶硅的三步工艺：1.预刻蚀，用于去除自然氧化层、硬的掩蔽层和表面污染物来获得均匀的刻蚀。 2.接下来的是刻至终点的主刻蚀。这一步用来刻蚀掉大部分的多晶硅膜，并不损伤栅氧化层和获得理想的各向异性的侧壁剖面。 3.最后一步是过刻蚀，用于去除刻蚀残留和剩余多晶硅，并保证对栅氧化层的高选择比。这一步应避免在多晶硅周围的栅氧化层形成微槽。
9.去除氮化硅使用热磷酸进行湿法化学剥离掉的。这种酸槽一般始终维持在160° C左右并对露出的氧化硅具有所希望的高选择比。用热磷酸去除氮化硅是难以控制的，通过使用检控样片来进行定时操作。在曝露的氮化硅上常常会形成一层氮氧化硅，因此在去除氮化硅前，需要再HF酸中进行短时间处理。如果这一层氮氧化硅没有去掉，或许就不能均匀地去除氮化硅
1.（1）互连:由导电材料，如铝、多晶硅和铜制成的连线将电信号传输到芯片的不同部分。互连也被用于芯片上器件和器件整个封装之间的金属连接。（2）接触:硅芯片内部的器件与第一金属层间在硅片表面的连接。（3）通孔:穿过各种介质从某一金属层到毗邻金属层形成电通路的开口。（4）填充薄膜:用金属薄膜填充通孔以便在两层金属间形成电连接
2.答：金属用于硅片制造的七个要求：1.导电率：为维持电性能的完整性，必须具有高电导率，能够传导高电流密度。2.粘附性：能够粘附下层衬底，容易与外电路实现电连接。与半导体和金属表面连接时接触电阻低。
3.淀积：易于淀积并经相对的低温处理后具有均匀的结构和组分（对于合金）。能够为大马士革金属化工艺淀积具有高深宽比的间隙。
4.刻印图形/平坦化：为刻蚀过程中不刻蚀下层介质的传统铝金属化工艺提供具有高分辨率的光刻图形；大马士革金属化易于平坦化。
5.可靠性：为了在处理和应用过程中经受住温度循环变化，金属应相对柔软且有较好的延展性。
6.抗腐蚀性：很好的抗腐蚀性，在层与层之间以及下层器件区具有最小的化学反应。
7.应力：很好的抗机械应力特性以便减少硅片的扭曲和材料失效，比如断裂、空洞的形成和应力诱导腐蚀。
3.答：（1）铝与P型硅及高浓度N型硅均能形成低欧姆接触；（2）电阻率低 (3）与SiO2粘附性强，无需粘附层-----铝很容易和二氧化硅反应，加热形成氧化铝；（4）能单独作为金属化布线，工艺简单；（5）能用电阻丝加热蒸发，工艺简单；（6）铝互连线与内引线键合容易；（7）能轻易淀积在硅片上，可用湿法刻蚀而不影响下层薄膜。综上所述，在硅IC制造业中，铝和它的主要过程是兼容的，电阻低，可不加接触层、粘附层和阻挡层等，工艺简单，产品价格低廉。
4.答：1.电阻率的减小。在20℃时，互连金属线的电阻率从铝的2.65μΩ-㎝减小到铜的1.678μΩ-㎝，减少RC延迟，增加芯片速度；2.减少了功耗。减少了线的宽度，降低了功耗；3.更高的集成密度。更
窄的线宽，允许更高密度的电路集成，这意味着需要更少的金属层。
4.良好的抗电迁徙性能。铜不需要考虑电迁徙问题。
5.更少的工艺步骤。用大马士革方法处理铜具有减少工艺步骤20%到30%的潜力。
5.答：阻挡层金属是淀积金属或金属塞，作用是阻止层上下的材料互相混合。可接受的阻挡层金属的基本特征是：①好的阻挡扩散特性；②高电导率具有很低的欧姆接触电阻；③与半导体和金属接触良好；④抗电迁移；⑤膜薄和高温下稳定性好；⑥抗腐蚀和氧化。通常用作阻挡层的金属是一类具有高熔点且被认为是难熔的金属。在硅片制造业中，用于多层金属化的普通难熔金属有钛、钨、钽、钼、钴和铂。难溶金属已经被用于硅片制造业，如双极工艺的肖特基势垒二极管的形成。钛钨和氮化钛也是两种普通的阻挡层金属材料，它们禁止硅衬底和铝之间的扩散。
6.答：硅化物是难熔金属与硅反应形成的金属化合物，是一种具有热稳定性的金属化合物，并且在硅/难熔金属的分界面具有低的电阻率。难熔金属硅化物的优点和其作用：1、降低接触电阻，2、作为金属与有源层的粘合剂。3、高温稳定性好，抗电迁移性能好4、可直接在多晶硅上淀积难熔金属，经加温处理形成硅化物，工艺与现有硅栅工艺兼容。
7.答：在RF溅射系统中，等离子体是由RF场而非DC场产生的。RF频率通常为13.56MHz，加在靶电极的背面并通过电容耦合到前面。等离子体中的电子和离子都处在RF场得作用之下，但由于高频的缘故，电子的响应最强烈。腔体和电极的作用像一个二极管产生大
量的电子流，导致负电荷堆积在靶电极上。这些负电荷（自由偏置产生）吸引正的氩离子引起对绝缘或非绝缘靶材料的溅射。硅片能够被电偏置在与氩离子不同的场势。加在硅片上的偏置引起氩原子直接轰击硅片。RF偏置允许露在外面的硅片被刻蚀和清理。实际上，由于RF溅射系统的溅射产额不高，导致它的淀积速率低，因此应用受到限制。有靶发射的许多二次电子穿过放射区，对等离子体的产生没有贡献。如果这些电子被限制与离子碰撞，导致更多的离子产生以轰击靶，那么它的溅射率将高得多。在硅片制造业中为克服低效率，并取得高的金属淀积速率，磁控溅射的概念需要发展
8.答：（1）SiO2淀积:用PECVD淀积内层氧化硅到希望的厚度。（2）SiN刻蚀阻挡层淀积:厚250?的SiN刻蚀阻挡层被淀积在内层氧化硅上。SiN需要致密，没有针孔，因此使用HDPCVD。（3）确定通孔图形和刻蚀:光刻确定图形、干法刻蚀通孔窗口进入SiN中，刻蚀完成后去掉光刻（4）淀积保留介质的SiO2:为保留层间介质，PECVD 氧化硅淀积。（5）确定互连图形:光刻确定氧化硅槽图形，带胶。在确定图形之前将通孔窗口放在槽里。（6）刻蚀互连槽和通孔。（7）淀积阻挡层金属:在槽和通孔的底部及侧壁用离子化的PCVD淀积钽和氮化钽扩散层。（8）淀积铜种子层:用CVD淀积连续的铜种子层，种子层必须是均匀的并且没有针孔。（9）淀积铜填充:用ECD淀积铜填充，即填充通孔窗口也填充槽。（10）用CMP清除额外的铜：用化学机械平坦清除额外的铜。
9.：CMP：通过比去除低处图形更快的速率去除高处图形以获得均匀表面，是一种化学和机械作用结合的平坦化过程。它通过硅片和一个跑光头之间的相对运动来平坦化硅片表面，在硅片和抛光头之间有磨料，并同时施加压力。CMP设备也常称为抛光机。在一台抛光机中，硅片放在一个硅片固定器或载片头上，并面向转盘上的抛光垫。硅片和抛光垫之间的相对运动由设备制造商进行不同的控制。大部分抛光机都采用旋转运动或轨道运动
1.答：最通常的半导体材料是硅。原因：1.硅的丰裕度;
2.更高的融化温度允许更高的工艺容限;
3.更宽的工作温度范围;
4.氧化硅的自然生成.
2.答：砷化镓具有比硅更高的电子迁移率，因此多数载流子也移动得比硅中的更快。砷化镓也有减小寄生电容和信号损耗的特性。这些特性使得集成电路的速度比由硅制成的电路更快。GaAs器件增进的信号速度允许它们在通信系统中响应高频微波信号并精确地把它们转换成电信号。硅基半导体速度太慢以至于不能响应微波频率。砷化镓的材料电阻率更大，这使得砷化镓衬底上制造的半导体器件之间很容易实现隔离，不会产生电学性能的损失。
3.答：去离子水:在半导体制造过程中广泛使用的溶剂，在它里面没有任何导电的离子。DI Water的PH值为7，既不是酸也不是碱，是中
性的。它能够溶解其他物质，包括许多离子化合物和供价化合物。当水分子（H2O)溶解离子化合物时，它们通过克服离子间离子键使离子分离，然后包围离子，最后扩散到液体中。
4.答：氧气（O2)、氩气（Ar)、氮气（N2）、氢气（H2）和氦气（He)
5.答：净化间是硅片制造设备与外部环境隔离，免受诸如颗粒、金属、有机分子和静电释放（ESD)的玷污。一般来讲，那意味着这些玷污在最先进测试仪器的检测水平范围内都检测不到。净化间还意味着遵循广泛的规程和实践，以确保用于半导体制造的硅片生产设施免受玷污。
6.答：自然氧化层:如果曝露于室温下的空气或含溶解氧的去离子水中，硅片的表面将被氧化。这一薄氧化层称为自然氧化层。硅片上最初的自然氧化层生长始于潮湿，当硅片表面暴露在空气中时，一秒钟内就有几十层水分子吸附在硅片上并渗透到硅表面，这引起硅表面甚至在室温下就发生氧化。自然氧化层引起的问题是：①将妨碍其他工艺步骤，如硅片上单晶薄膜的生长和超薄氧化层的生长。②另一个问题在于金属导体的接触区，如果有氧化层的存在，将增加接触电阻，减少甚至可能阻止电流流过。③对半导体性能和可靠性有很大的影响
7.答：硅片制造厂房中的七中沾污源：（1）空气:净化级别标定了净化间的空气质量级别，它是由净化室空气中的颗粒尺寸和密度表征的；（2）人:人是颗粒的产生者，人员持续不断的进出净化间，是净化间沾污的最大来源；（3）厂房:为了是半导体制造在一个超洁净的环境中进行，有必要采用系统方法来控制净化间区域的输入和输出；（4）
水:需要大量高质量、超纯去离子水，城市用水含有大量的沾污以致不能用于硅片生产。去离子水是硅片生产中用得最多的化学品（5）工艺用化学品:为了保证成功的器件成品率和性能，半导体工艺所用的液态化学品必须不含沾污；（6）工艺气体:气体流经提纯器和气体过滤器以去除杂质和颗粒；（7）生产设备:用来制造半导体硅片的生产设备是硅片生产中最大的颗粒来源。
8.答：净化级别标定了净化间的空气质量级别，它是由净化室空气中的颗粒尺寸和密度表征的。这一数字描绘了要怎样控制颗粒以减少颗粒玷污。净化级别起源于美国联邦标准2009.如果净化间级别仅用颗粒数来说明，例如1级净化间，则只接受1个0.5um的颗粒。这意味着每立方英尺中尺寸等于或大于0.5um的颗粒最多允许一个。
9.答：净化间的舞厅式布局为大的制造间具有10000级的级别，层流工作台则提供一个100级的生产环境。
10.答：用以制造去离子水的去离子化过程是指，用特制的离子交换树脂去除电活性盐类的离子。18MΩ-cm电阻率级别下水被认为已经去离子化。
11.答：工业标准湿法清洗工艺称为RCA清洗工艺，由美国无线电公司（RCA）于20世纪60年代提出。RCA湿法清洗由一系列有序的浸入两种不同的化学溶液组成：1号标准清洗液（SC-1）和2号标准清洗液（SC-2）。SC-1的化学配料为NH4OH/H2O2/H2O这三种化学物按1:1:5到1：2：7的配比混合，它是碱性溶液，能去除颗粒和有机物质，SC-1湿法清洗主要通过氧化颗粒或电学排斥起作用。SC-2
的组分是HCL/H2O2/H2O,按1：1：6到1：2：8的配比混合，用于去除硅片表面的金属。改进后的RCA清洗可在低温下进行，甚至低到45摄氏度
12.硅片清洗步骤：(1)H2SO4/H2O2(piranha):有机物和金属；(2)UPW 清洗（超纯水）:清洗；(3)HF/H2O（稀HF）:自然氧化层；(4)UPW 清洗:清洗；(5)NH4OH/H2O2/H2O(SC-1):颗粒；(6)UPW清洗:清洗；
(7)HF/H2O:自然氧化层；(8)UPW清洗:清洗；(9)HCL/H2O2/H2O(SC-2):金属；(10)UPW清洗:清洗；(11)HF/H2O:自然氧化层；(12)UPW清洗:清洗；(13)干燥:干燥
1.
2.半导体质量测量定义了硅片制造的规范要求，以确保满足器件的性能和可靠性。集成电路制造中的12种不同的质量测量：1.膜厚2.方块电阻
3.膜应力
4.折射率
5.掺杂浓度
6.无图形表面缺陷
7.有图形表面缺陷
8.关键尺寸
9.台阶覆盖10.套刻标记11.电容-电压特性12.接触的角度
3.
4.硅片关键尺寸测量的主要工具是扫描电子显微镜（SEM），它能放大10万到30万倍，这明显高于光学显微镜，用扫描电子显微镜观测
硅片的横截面部分能提供缺陷的信息，常与其他分析技术结合使用，如EDX或FIB。
5.
6.：TEM把加速和聚集的电子束投射到非常薄的样品上，电子与样品中的电子碰撞而电子与样品中的原子的碰撞而改变方向，从而产生立体角散射，散射角的大小与样品的密度、厚度有关，因此可以形成明暗不同的影像。TEM是惟一定量测量硅片上一些非常小特征尺寸的测量工具
7.四种真空范围：（1）低级真空:气流主要是由分子间碰撞产生的（也称滞留），压强高得足以机械型压力测量仪测量。（2）中级真空:范围是1托到10e-3托。（3）高级真空:气体分子间很少有碰撞。（4）超高级真空:是高级真空的延伸，通过对真空腔的设计和材料的严格控制尽量减少不需要的气体成分。
8.答：当真空里的压强减低时，气体分子间的空间加大了，这成为气体流过系统及在工艺腔内产生等离子体的重要因素。而初级泵可以去除腔内99.99%的原始空气或其他成分，高级真空泵用来获得压力范围10e-3托到10e-9托的高级和超高级真空。
9.
10.答：IC生产过程中的5种不同电学测试：（1）IC设计验证:描述、调试和检验新的芯片设计，保证符合规格要求，是在生产前进行的。（2）在线参数测试:为了监控工艺，在制作过程的早期（前端）进行的产品工艺检验测试。在硅片制造过程中进行。（3）硅片拣选测试（探
针）:产品功能测试，验证每一个芯片是否符合产品规格。在硅片制造后进行。（4）可靠性:集成电路加电并在高温下测试，以发现早期失效（有时候，也在在线参数测试中进行硅片级的可靠性测试）。在封装的IC进行。（5）终测:使用产品规格进行的产品功能测试。在封装的IC进行。
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12.答：五个进行在线参数测试的理由为：(1）鉴别工艺问题:硅片制造过程中工艺问题的早期鉴定（而不是等到已经完成了硅片制造才发现有问题进行测试。（2）通过/失效标准:依据通过/失效标准决定硅片是否继续后面的制造程序。（3）数据收集:为了改进工艺，收集硅片数据以评估工艺倾向（如沟道长度的改变）。（4）特殊测试:在需要的时候评估特殊性能参数（如特殊客户需求）。（5）硅片级可靠性:需要确定可靠性与工艺条件的联系时，进行随机的硅片级可靠性测试
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14.IC可靠性是指器件在其预期寿命内，在其使用环境中正常工作的概率，换句话说就是集成电路能正常使用多长时间。老化测试在很苛刻的环境中（如吧温度提高到85℃，提高偏置电压）给芯片加电并测试，使不耐用的器件失效，从而避免它们被交给客户），这种测试能够产生更可靠的集成电路，但往往需要长时间的测试，十几甚至数百小时，这是一种费钱耗时的工作
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低压聚乙烯（ HDPE ）和线形低密聚乙烯（ LLDEP ）国际市场上近年来大量生产的聚乙烯新品种。由于它具有优良的抗冲击强度，耐穿刺性、耐低温度性能，特别是可以制微薄薄膜（ 1.5 丝厚的薄膜强度足可抵担上 3 丝厚的高压聚乙烯薄膜）。使用成本低，因此大量用于吹塑薄膜。但由于 LLDPE 和 HDPE 熔融粘度大，流动指数高，我国目前普遍采用的普通单螺杆挤出机只能生产高压聚乙烯薄膜。本机组正是根据上述情况，参照世界各国有关资料，结合我公司多年来的生产实践经验，经本公司工程师精心设计，通过多次选优，试制成功的新产品，经许多用户使用证明，本机组适应性广，可吹制低压、高压、线形低密度三种聚乙烯薄膜，不但适用它们的新料吹膜，还适用于它们的再生塑料吹膜，性能稳定，质量可靠，它是我国目前较先进的多功能吹塑机组。 本机组采用特殊结构的螺杆挤出机，先进的螺旋模头，调节灵活的冷却风环，合理的光圈式稳泡结构，从而保证上三种聚乙烯及其不同比例的混合塑料化均匀，产品质量好，操作方便、生产稳定、可靠。 本机组用于吹制厚度 0.00 5 ～ 0 .10mm , 折幅 600mm 的各种聚乙烯薄膜，尤其适用废旧回收再生料的吹膜，产品是粮食、化肥、制糖业及各种纺织品的理想包装材料。本机组又是生产农用地膜、棚膜的理想设备。 本机组结构紧凑，占地面积小、性能可靠、操作方便、投资费用低、经济效益高。对产品有销路的一般乡镇企业、个体户均可置办。 二、主要技术特性及规格 螺杆直径：Ф 45 螺杆长径比：28 ： 1 螺杆转速：12-100 转 / 分 主机驱动功率：7.5kw 生产能力：10-30 公斤 / 小时 主机加热总功率：12 千瓦
光刻胶的深入学习与新型光刻胶 张智楠 电科111 信电学院山东工商学院 264000 摘要：首先，本文从光刻中的光刻胶、光刻胶的分类、光刻胶的技术指标（物理特性）这几个方面对光刻工艺中的光刻胶进行了详细的深入学习；其次，介绍了当代几种应用广泛的光刻胶以及新型光刻胶；最后，对光刻胶的发展趋势进行了简单的分析。 关键词：光刻、光刻胶、紫外负型光刻胶、紫外正型光刻胶、远紫外光刻胶。 光刻(photoetching)工艺可以称得上是微电子工艺中最为关键的技术，决定着制造工艺的先进程度。光刻就是，在超净环境中，将掩膜上的几何图形转移到半导体晶体表面的敏光薄材料上的工艺过程。而此处的敏光薄材料就是指光刻胶（photoresist）。光刻胶又称光致抗蚀剂、光阻或光阻剂，由感光树脂、增感剂和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理，溶去可溶性部分，得到所需图像。 光刻胶的技术复杂，品种较多。对此探讨以下两种分类方法： 1、光刻胶根据在显影过程中曝光区域的去除或保留可分为两种——正性光刻胶（positive photoresist）和负性光刻胶（negative photoresist）。正性光刻胶之曝光部分发生光化学反应会溶于显影液，而未曝光部份不溶于显影液，仍然保留在衬底上，将与掩膜上相同的图形复制到衬底上。负性光刻胶之曝光部分因交联固化而不溶于阻显影液，而未曝光部分溶于显影液，将与掩膜上相反的图形复制到衬底上。正胶的优点是分辨率比较高，缺点是粘附性不好，阻挡性弱。与之相反，负胶的粘附性好，阻挡性强，但是分辨率不高。 2、基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为三种类型。一是光聚合型，采用烯类单体，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发单体聚合，最后生成聚合物，具有形成正像的特点。二是光分解型，采用含有叠氮醌类化合物的材料，经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性，可以制成正性胶。三是光交联型，采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开，并使链与链之间发生交联，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，这是一种典型的负性光刻胶。 光刻胶的技术指标或者说物理特性有如下几个方面：一、分辨率（resolution），区别硅片表面相邻图形特征的能力,一般用关键尺寸（CD，Critical Dimension）来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。二、对比度（Contrast），指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。对比度越好，形成图形的侧壁越陡峭，分辨率越好。三、敏感度（Sensitivity），光刻胶上产生一个良
华中科技大学2010—2011学年第二学期 电子科学与技术专业《微电子工艺学》试卷（A 卷） 一、判断下列说法的正误，正确的在后面括号中划“√”，错误的在后面括号中划“×”（本大题共12小题，每小题2分，共24分） 1、用来制造MOS 器件最常用的是（100）面的硅片，这是因为（100）面的表面状态更有利于控制MOS 器件开态和关态所要求的阈值电压。（√） 2、在热氧化过程的初始阶段，二氧化硅的生长速率由氧化剂通过二氧化硅层的扩散速率决定，处于线性氧化阶段。（ × ） 3、在一个化学气相淀积工艺中，如果淀积速率是反应速率控制的，则为了显著增大淀积速率，应该增大反应气体流量。（ × ） 4、LPCVD 紧随PECVD 的发展而发展。由660℃降为450℃，采用增强的等离子体，增加淀积能量，即低压和低温。（×） 5、蒸发最大的缺点是不能产生均匀的台阶覆盖，但是可以比较容易的调整淀积合金的组分。（×） 6、化学机械抛光(CMP)带来的一个显著的质量问题是表面微擦痕。小而难以发现的微擦痕导致淀积的金属中存在隐藏区，可能引起同一层金属之间的断路。（√） 7、曝光波长的缩短可以使光刻分辨率线性提高，但同时会使焦深线性减小。如果增大投影物镜的数值孔径，那么在提高光刻分辨率的同时，投影物镜的焦深也会急剧减小，因此在分辨率和焦深之间必须折衷。（ √ ） 8、外延生长过程中杂质的对流扩散效应，特别是高浓度一侧向异侧端的扩散，不仅使界面附近浓 度分布偏离了理想情况下的突变分布而形成缓变，且只有在离界面稍远处才保持理想状态下的均匀分布，使外延层有效厚度变窄。（ × ） 9、在各向同性刻蚀时，薄膜的厚度应该大致大于或等于所要求分辨率的三分之一。如果图形所要求的分辨率远小于薄膜厚度，则必须采用各向异性刻蚀。（ × ） 10、热扩散中的横向扩散通常是纵向结深的75%~85%。先进的MOS 电路不希望发生横向扩散， 因为它会导致沟道长度的减小，影响器件的集成度和性能。（√） 11、离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度，因而在几乎所有应用中都优于扩散。（ ×） 12、侧墙用来环绕多晶硅栅，防止更大剂量的源漏注入过于接近沟道以致可能发生源漏穿通。（√） 二、选择填空。 (本大题共8小题，每小题2分，共16分。在每小题给出的四个选项 中，有的只有一个选项正确，有的有多个选项正确，全部选对得2分，选对但不全的得1分，有选错的得0分) 1、微电子器件对加工环境的空气洁净度有着严格的要求。我国洁净室及洁净区空气中悬浮粒子洁净度标准GB50073-2001中，100级的含义是：每立方米空气中大于等于0.1 m 的悬浮粒子的最大允许个数为（ B ） A 、35； B 、100； C 、102； D 、237。 2、采用二氧化硅薄膜作为栅极氧化层，是利用其具有的（ A 、D ） A 、高电阻率； B 、高化学稳定性； C 、低介电常数； D 、高介电强度。 3、如果淀积的膜在台阶上过度地变薄，就容易导致高的膜应力、电短路或者在器件中产生不希望的（A ）。 A. 诱生电荷 B. 鸟嘴效应 C. 陷阱电荷 D. 可移动电荷 4、浸入式光刻技术可以使193 nm 光刻工艺的最小线宽减小到45 nm 以下。它通过采用折射率高的 一、密封线内不准答题。 二、姓名、学号不许涂改，否则试卷无效。 三、考生在答题前应先将姓名、学号、年级和班级填写在指定的方框内。 四、试卷印刷不清楚。可举手向监考教师询问。 注意
塑料薄膜资料 一、PVC薄膜生产工艺及设备 工艺流程： 原料→捏合→冷拌和→挤出吹塑→PVC玻璃纸基膜→抗静电、热封涂覆处理→分切→检验→包装→成品。 本工艺流程采用粉料直接挤出吹塑成型，制成玻璃纸基膜后，亦可直接作为制品，而不经抗静电、热封涂覆处理。 主要设备 全自动聚乙烯薄膜造粒生产线（粉碎强制喂料，水环刮粒） 一、减速机：国标225型，一套； 1、齿轮材料：合金钢 2、齿轮主要工艺：齿面高频淬火，硬齿面经磨齿机精磨； 3、齿轮箱轮滑方式：强制油循环润滑； 4、齿轮箱冷却方式：强制水循环冷却油温 二、挤出机筒螺杆 1、螺杆直径：125mm 2、螺杆长径比：1：20 3、螺杆机筒材质：38CRMOALA 4、螺杆结构：屏蔽混炼，排气 5、加工工艺：锻造，调质，氮化处理HV≥920：Ra≤ 三、主要配置 1，主机电机：30KW （上海力超）
2，自动控温：9区 3，智能数显表：常州江邦 4，配电箱主要电气：正泰 5，加热方式：陶瓷/不锈钢加热圈 6，主机进料口：高斗 7，主电机：变频调速。 8，不锈钢冷却水槽：4000mm 9,冷却槽结构：来回旋环冷却装置。 四.不停机换网模头: （1）左右换网面积：200mm*200mm*2； （2）左右换网出料：手动分配器； （3）左右过滤板式：液压不停机换网； （4）机头出料切粒方式：360°高速旋转刀刮粒；（5）切粒方式：水环磨面切粒 （6）切粒电机： （7）切粒速度：变频控制 （8）迷宫式水环材质：不锈钢#202，厚度3mm 五：高速粒子脱水机： （1）高速粒子脱水机：300kg/h （2）传动电机： （3）传动方式：直立式
当今世界10项最有影响新技术 当今世界，科技发展日新月异，科学新概念层出不穷，新技术工艺相继闪亮登场。纳米材料、信息技术、生物制药、节能环保科技领域的创新和研发引人注目，鼓舞人心。一项新的科技发明会在不知不觉中改变我们的生活，影响社会发展的历程。 近日，俄罗斯《大众机械》杂志撰文指出，以下科技新技术会使人类生活因此而更加完美无缺。 1，相变随机闪存(PRAM) 手机、手提电脑等移动设备对存储器的要求，与服务器和台式电脑等截然不同。长期以来，人们对这些移动设备存储器的主要性能要求是低成本、低功耗以及非易失性。 但是，由于目前开发的各类存储器都有其自身缺陷，因而没有一款能够完全满足上述所有要求。例如，动态随机存储器成本低且能够随机访问，但遗憾的是存在易失性，即断电后会发生数据丢失；充当缓存的静态随机存储器读写速度快且能够随机访问，但缺点是成本较高；相比之下，闪存成本低且具有非易失性特点，然而苦于速度慢又无法随机访问。除此之外，目前的闪存制造技术也无法生产出存储容量超过16G的产品。 最新兴起的相变随机闪存技术，类似于CD和CD驱动器中所采用的技术。在PRAM中，电流将硫化薄膜加热至晶态或非晶态，因两种状态下的电阻率有很大差别，从而可判读为0或1，只要在上面施加少量的复位电流就能触发这两个状态的切换。 在现有的电子产品中，广泛使用的非易失性闪存有NOR和NAND两种：NOR 闪存适合直接运行软件，但它的速度较慢，而且造价昂贵；NAND闪存容易大规模制造，更适合存储大容量文件，如MP3音乐文件等。PRAM闪存则采用垂直二极管和三维晶体管结构，不需要在储存新数据前擦除旧数据，因而是非易失性的，也就是说，在电子设备关闭时仍能保存数据。 目前，三星公司在PRAM领域的研发处于世界领先水平，2006年已经展示了它的初级产品，这些新产品比现有普通闪存快30倍以上。三星公司表示，PRAM产品有望在2008年上市，它极有可能将成为NOR闪存的最终替代品。 2，汽车智能一体化 近10年来，信息技术的发展为交通运输行业带来了各种机遇，智能交通系统(ITS)，便是其中最典型、最活跃、最具潜力而且全面应用了信息技术的一个交通运输发展综合领域。ITS就是信息技术———主要是计算机、通讯和
今年考上了电子科大，微固专业，作为回报，我简单说一下吧。 我初试分数不高，外校考生，初试分数340+，而今年线是340，可以说希望不 大。但是既然过线，就要努力试试吧。 我比较走运，其实大多数考到340+的，很容易在复试时被淘汰。不过，既然 上了分数线，就别太灰心。电子科大是一个非常公平的学校，你是人才，他们一定会招你，你把总分搞上去，还有机会，他们的复试公平公正。如果你有一些竞赛获奖那就更好了，或者你的专业知识非常扎实。 个人建议在复试前联系一下导师，发个简历什么的，让老师对你有个大致的了 解，如果能征得老师同意，提前见一面，那就更好了。 复试流程第一项是导师考察，这个，同学一定要重视，尽管不计入分数，但是， 至关重要，如果老师很喜欢你，那么，你在复试时会有一定优势的，一定要重视。 然后就是笔试了，笔试电路分析，这两年题不难，按照指定书目看一下，做做 课后题，有时间可以到网上买复试题，淘宝上好像就有，一共四本。有本科试题，研究生复试试题，某学院电分初试题等等。 接下来就是面试了。面试会随机分成几组，你提前不会知道那几个老师面试你， 老师也不会提前知道他会面试到谁，所以，你面试不一定有你报的导师。学生被领到一个屋子里，里面有五个老师。进去后，先是英语面试。自己提前准备一下英文自我介绍。但不一定会问到。我比较幸运，被问到这个了。这个每个人情况不同，问题是老师随口问的，每个学生不同。简单的有自我介绍，你为什么选择电子科大，你的爱好，等等。还有人被问到你喜欢哪个季节，为什么等等。难的可能会问点专业性的，这个几率不大，如果被问到了，自认倒霉吧。英语面试也就五分钟左右。然后专业面试。面试的问题也很随机，可能难，也可能很基础。如果你初试考的数模电，那么复试也重视一下数模电。复习的科目主要就是数模
第一章微电子工艺基础绪论 1、描述分立器件和集成电路的区别 ①分立器件：是由二极管、三极管等独立的元器件组成的，一般只能完成单一功能， 体积庞大。 ②集成电路：把由若干个晶体管、电阻、电容等器件组成的、实现某种特定功能的电子线路， 集中制造在一块小小的半导体芯片上，大体上可以分为三类，半导体集成电路，混合集成电路及薄膜集成电路。半导体集成电路又可以分为双极型集成电路和金属－氧化物－半导体集成电路。优点： A:降低互连的寄生效应； B:可充分利用半导体晶片的空间和面积； C:大幅度降低制造成本。 2、列举出几种pn结的形成方法并说出平面工艺的特点 ①合金结方法A 接触加热：将一个p型小球放在一个n型半导体上，加热到小球熔融 B 冷却：p型小球以合金的形式掺入半导体底片，冷却后，小球下面形成一个 再分布结晶区，这样就得到了一个pn结。 缺点：不能准确控制pn结的位置。 ②生长结方法 半导体单晶是由掺有某种杂质（例如P型）的半导体熔液中生长出来的。 缺点：不适宜大批量生产。 ③扩散结优点：扩散结结深能够精确控制。 ④二氧化硅薄膜的优点 A：作为掩蔽膜，有效的掩蔽大多数杂质的扩散B：提高半导体几何图形的控制精度 C：钝化半导体器件表面，提高了器件的稳定性。 ⑤平面工艺：利用二氧化硅掩蔽膜，通过光刻出窗口控制几何图形进行选择性扩散形成pn结 3、制造半导体器件的四个阶段 ①.材料准备②晶体生长与晶圆准备③.芯片制造④.封装 4、解释集成度的概念并根据集成度将集成电路分类
5、微电子工艺的特点 ①高技术含量：设备先进、技术先进 ②高精度：光刻图形的最小线条尺寸在亚微米量级，制备的介质薄膜厚度也在纳米量级，而 精度更在上述尺度之上。 ③超纯：指工艺材料方面，如衬底材料Si、Ge单晶纯度达11个9。 ④超净：环境、操作者、工艺三个方面的超净，VLSI在100级超净室、10级超净台中制作 ⑤大批量、低成本：图形转移技术使之得以实现 ⑥高温：多数关键工艺是在高温下实现，如：热氧化、扩散、退火 6、说明工艺及产品趋势 ①特征图形尺寸的减小(通常用微米表示)特征尺寸和集成度是集成电路发展的两个共同标志。 ②芯片和晶圆尺寸的增大 ③缺陷密度的减小100um―1um不是问题1um―1um 致命缺陷 ④内部连线水平的提高高元件密度减小了连线的空间。 解决方案：在元件形成的表面上使用多层绝缘层和导电层相互叠加的多层连线。 ⑤芯片成本的降低⑥纳电子技术 第二章半导体材料和晶圆制备 （1）列出三类晶体缺陷并说明其形成的原因 ①点缺陷：晶体杂志原子挤压晶体结构引起的压力所致 ②位错：晶体生长条件、晶体内的晶格应力、制造过程中的物理损坏 ③原生缺陷：滑移（晶体平面产生的晶体滑移）和挛晶（同一界面生长出两种不同方向的晶体）， 二者是晶体报废的主要原因。 （2）说出掺杂半导体的两种特性 ①通过掺杂浓度精确控制电阻率 ②通过掺杂元素的选择控制导电类型（电子N型或空穴P型导电） 掺杂半导体和金属导电的区别：金属：①电阻率固定，改变电阻只有改变其形状。 ②只能通过电子的移动来导电，金属永远是N型的。 （3）列出三种主要的半导体材料、比较其优缺点 ①锗缺点A：熔点低（937℃）B：缺少自然形成的氧化物 ②硅优点A：熔点高（1415℃）B：二氧化硅膜很好的解决了漏电问题 ③硅作为电子材料的优势： A:原料充分，石英沙是硅在自然界存在的主要形式；B:机械强度高； C:比重小，密度只有2.33g/cm3；D:pn结表面易于生长ＳiＯ2，对结起到保护作用； E:制备的单晶缺陷小；F:能够制造大尺寸基片，硅片直径已达16英寸；G:导热性好 ④砷化镓A：载流子迁移率高，适合于做超过吉赫兹的高速IC。例如：飞机控制和超高速计算 机。B：对辐射所造成的漏电具有抵抗性，即GaAs是天然辐射硬化的。 C：GaAs是半绝缘的。使临近器件的漏电最小化，允许更高的封装密度。 ⑤砷化镓不会取代硅的原因：A: 大多数产品不必太快B:没有保护膜C:砷对人体有害
本机组采用特殊结构的螺杆挤出机，先进的螺旋模头，调节灵活的冷却风环，合理的光圈式稳泡结构，从而保证上三种聚乙烯及其不同比例的混合塑料化均匀，产品质量好，操作方便、生产稳定、可靠。 本机组用于吹制厚度 5 ～ 0 .10mm , 折幅 600mm 的各种聚乙烯薄膜，尤其适用废旧回收再生料的吹膜，产品是粮食、化肥、制糖业及各种纺织品的理想包装材料。本机组又是生产农用地膜、棚膜的理想设备。 本机组结构紧凑，占地面积小、性能可靠、操作方便、投资费用低、经济效益高。对产品有销路的一般乡镇企业、个体户均可置办。 二、主要技术特性及规格 螺杆直径：Ф 45 螺杆长径比：28 ： 1 螺杆转速：12-100 转 / 分 主机驱动功率： 生产能力：10-30 公斤 / 小时 主机加热总功率：12 千瓦 机头膜口直径：Ф 50- Ф 75 mm 牵引辊直径：650mm 牵引线速度：8 -50 米 / 分 薄膜折径宽度：130 -600mm 风环直径：Ф 450mm 鼓风机风量：14 立方米 / 分 整机安装尺寸：340 0 × 3000 × 3000 mm 三、生产流程及生产原理 生产流程，将干燥的聚乙烯粒子加入下料斗中，靠粒子本身的重量从料斗进入螺杆，当粒料与螺纹斜棱接触后、旋转的斜棱面对塑料和生产一与斜棱面相垂直的推力，将塑料粒子向前推移，推移过程中，由于塑料与螺杆、塑料与机筒之间的摩擦以及粒子间的碰撞摩擦，同时还由于料筒外部加热而逐步溶化，熔融的塑料经机头过滤去杂质从模头摸口出来，经风环冷却、吹胀经稳泡架人字板牵引辊卷取将成品薄膜卷成筒。 四、主要结构说明 本机组主要由挤出机、机头、模头、冷却装置、稳泡架、人字板、牵引辊、卷取装置等组成。 （一）挤出机：挤出机主要由螺杆、机筒加料斗，减速箱及驱动电机组成，驱动电机采用电磁滑差式调速（也可用变频电机）其调速范围在 120-1200 转 / 分，通过皮带传动带动 350 型减速器使螺杆在机筒中作旋转运动，螺杆采用特殊结构，即在螺杆某一段落配备以特殊的混炼装置，工作时依靠周塑料托起定心，螺杆轴向力由装在减速器与螺杆间的 8316 或 7215 轴承受，减束器输出轴内有Ф25 通孔作为拆卸螺杆之用，机筒的加料口根据再生料的性能设计，以利于再生料顺利地进入螺杆槽间而被送走，加料段有六条凹槽以增强物料的输送能力和尽快建立高压区以保证输送能力和稳定挤出质量。 （二）、机头：机头由过滤网、过滤板、机头压盖三部分组成，为了适应含有较多杂质的再生料的生产，本机组采用具有交大过滤面积的直角式机头结构，同时考虑 HDPE 、 LLDPE 熔料具有较大粘度，对物料的流道设计作了合理的选择，并利用挤出机的驱动电机挤出滤扳，故可适应一个人单独进行换网操作。 （三）模头：本机组选用螺杆芯棒模头结构，根据 LDPE 、 HDPE 、 LLDPE 三种聚乙烯的特性，综合考虑设计了螺旋角、退坡角、定型长度，模口开度等主要技术参数，经多次对比度试验进行选优定型，具有内压大，挤出稳定均匀、薄膜力度性能好，无拼缝线与本机组挤出机匹配好等优点，同时，变换三种
第四章晶圆制造 1. CZ法提单晶的工艺流程。说明CZ法和FZ法。比较单晶硅锭CZ、MCZ和FZ三种生长方法的优缺点。 1、溶硅 2、引晶 3、收颈 4、放肩 5、等径生长 6、收晶。 CZ法：使用射频或电阻加热线圈，置于慢速转动的石英坩埚内的高纯度电子级硅在1415度融化。将一个慢速转动的夹具的单晶硅籽晶棒逐渐降低到熔融的硅中，籽晶表面得就浸在熔融的硅中并开始融化，籽晶的温度略低于硅的熔点。当系统稳定后，将籽晶缓慢拉出，同时熔融的硅也被拉出。使其沿着籽晶晶体的方向凝固。 FZ法：即悬浮区融法。将一条长度50-100cm 的多晶硅棒垂直放在高温炉反应室，加热将多晶硅棒的低端熔化，然后把籽晶溶入已经熔化的区域。熔体将通过熔融硅的表面张力悬浮在籽晶和多晶硅棒之间，然后加热线圈缓慢升高温度将熔融硅的上方部分多晶硅棒开始熔化。此时靠近籽晶晶体一端的熔融的硅开始凝固，形成与籽晶相同的晶体结构。当加热线圈扫描整个多晶硅棒后，便将整个多晶硅棒转变成单晶硅棒CZ法优点：单晶直径大，成本低，可以较好控制电阻率径向均匀性。缺点：石英坩埚内壁被熔融的硅侵蚀及石墨保温加热元件的影响，易引入氧、碳杂质，不易生长高电阻率单晶 FZ法优点：1、可重复生长，单晶纯度比CZ法高。2、无需坩埚石墨托，污染少。3、高纯度，高电阻率，低碳，低氧。缺点：直径不如CZ法，熔体与晶体界面复杂，很难得到无位错晶体，需要高纯度多晶硅棒作为原料，成本高。 MCZ：改进直拉法优点：较少温度波动，减轻溶硅与坩埚作用，降低了缺陷密度，氧含量，提高了电阻分布的均匀性 2.晶圆的制造步骤【填空】 1、整形处理：去掉两端，检查电阻确定单晶硅达到合适的掺杂均匀度。 2、切片 3、磨片和倒角 4、刻蚀 5、化学机械抛光 3. 列出单晶硅最常使用的两种晶向。【填空】 111.100. 4. 说明外延工艺的目的。说明外延硅淀积的工艺流程。 在单晶硅的衬底上生长一层薄的单晶层。 5. 氢离子注入键合SOI晶圆的方法 1、对晶圆A清洗并生成一定厚度的SO2层。 2、注入一定的H形成富含H的薄膜。 3、晶圆A翻转并和晶圆B键合，在热反应中晶圆A的H 脱离A和B键合 4、经过CMP和晶圆清洗就形成键合SOI晶圆 6. 列出三种外延硅的原材料，三种外延硅掺杂物【填空】 6名词解释：CZ法提拉工艺、FZ法工艺、SOI、HOT(混合晶向)、应变硅 CZ法：直拉单晶制造法。FZ法：悬浮区融法。SOI：在绝缘层衬底上异质外延硅获得的外延材料。HOT：使用选择性外延技术，可以在晶圆上实现110和100混合晶向材料。应变硅：通过向单晶硅施加应力，硅的晶格原子将会被拉长或者压缩不同与其通常原子的距离。 第五章热处理工艺
做塑料袋的全套工艺流程讲解和讲究您知道多少？ 1、做塑料袋首先必备的第一台设备将塑胶颗粒吹成筒膜——高低压吹膜机 不管是做什么哪种材质的塑料袋，都得先把塑料颗粒吹成塑料薄膜才能进一步进行加工，不管是PO胶袋还是PE袋还是其他复合袋！ 如果是PE袋和PO袋就得用高低压吹膜机，如果是PP袋就得用PP吹膜机，如果是食品包装复合袋就得用共挤吹膜机！ 然后就是选配机器的型号，机器型号选择不能太大也不能太小，太大浪费电，大材小用，太小做不出对应的产品，所以选择机器得选择适合自己产品的机器，所谓适合就是能满足自己的袋子最大宽度同时也能做出自己最小的产品宽度的袋子！吹膜机也是需要三厢工业电的！ 2、印刷图案及文字必备——-印刷机 选择性配的印刷机：如果袋子有印刷文字和图案的就得配备印刷机，如果是白色袋子可以不用印刷机，印刷机也是需要根据自己的袋子的宽度来选择型号，并且自己的产品有多少颜色就需要旋转几色的印刷机，如果自己的产品比较单一量很大可以袋子是几色就选几色的印刷机，印刷机分为两种，一种是胶版印刷机一种是铜版印刷机，他们的区别在于：1、胶版印刷机印刷出来的效果没有铜版印刷的效果好，铜版印刷的效果很精美，很细腻，用于一些酒店塑料袋，食品袋等，（具体根据客户要求和接受效果）胶版印刷机印的效果没有铜版的那么精美，边边上会有一点点瑕疵，用于一些工业袋等，产品多考虑以后可以选择自己产品的基础上加2色左右，并且印刷机是需要工业三厢电的！
3、切筒膜，最后一次成型——-制袋机 最后一步就是制袋机，一般做什么袋子选什么种类的制袋机，比如快递袋选择热切快递袋制袋机，OPP服装袋热切边封制袋机，背心袋选择热封热切制袋机，垃圾袋选连卷制袋机，食品袋选三边封制袋机，一般制袋机的功能是单一的，不会一种制袋机能做4-5种袋子，选制袋机也需要根据自己袋型的宽度来订做机器的宽度，一般选择机器考虑自己最大的袋子是多宽，能做最大宽度的袋子制袋机一般也是能做最大宽度尺寸以下的袋子的。 选择机器是得了解对应型号的机器长宽高尺寸！
[键入公司名称] 浅谈我对微电子的认识 [键入文档副标题] X [选取日期] [在此处键入文档摘要。摘要通常为文档内容的简短概括。在此处键入文档摘要。摘要通常为文档内容的简短概括。]
我是电子信息科学与技术专业的学生，考虑到微电子对我们专业知识学习的重要性，我怀着极大的热情报了《微电子入门》这门选修课。希望通过这门课的学习，使我对微电子有更深入的认识，以便为以后的专业课学习打下基础。 微电子是一门新兴产业，它的发展关系着国计民生。它不仅应用于科学领域，也被广泛应用于国防、航天、民生等领域。它的广泛应用，使人们的生活更见方便。现代人的生活越来越离不开电子。因此，对电子的了解显得十分重要。微电子作为电子科学的一个分支，也发挥着日益重要的作用。通过几周的学习，我对微电子有了初步的认识。 首先，我了解了微电子的发展史，1947年晶体管的发明，后来又结合印刷电路组装使电子电路在小型化的方面前进了一大步。到1958年前后已研究成功以这种组件为基础的混合组件。集成电路的主要工艺技术，是在50年代后半期硅平面晶体管技术和更早的金属真空涂膜学技术基础上发展起来的。1964年出现了磁双极型集成电路产品。 1962年生产出晶体管——晶体管理逻辑电路和发射极藉合逻辑电路。MOS集成电路出现。由于MOS电路在高度集成方面的优点和集成电路对电子技术的影响，集成电路发展越来越快。 70年代，微电子技术进入了以大规模集成电路为中心的新阶段。随着集成密度日益提高，集成电路正向集成系统发展，电路的设计也日益复杂、费时和昂贵。实际上如果没有计算机的辅助，较复杂的大规模集成电路的设计是不可能的。70年代以来，集成电路利用计算机的设计有很大的进展。制版的计算机辅助设计、器件模拟、电路模拟、逻辑模拟、布局布线的计算辅助设计等程序，都先后研究成功，并发展成为包括校核、优化等算法在内的混合计算机辅助设计，乃至整套设备的计算机辅助设计系统。 微电子技术是随着集成电路，尤其是超大型规模集成电路而发展起来的一门新的技术。微电子技术包括系统电路设计、器件物理、工艺技术、材料制备、自动测试以及封装、组装等一系列专门的技术，微电子技术是微电子学中的各项工艺
）））））））） Warning and explanation：文中所引用图片均来自于互联网和中科院半导体所官方网站。本人只是用于讲解知识所用，并未用于商业获利行为。产生任何法律纠纷均与我无关。请勿盗链文中的 图片，后果自负！ 介货就是硅 微电子制造工艺在微电子整体产业中处于中游阶段（上游是电路设计，下游是封装测试）。一个芯片的制造能否达到设计要求，与制造工艺有很大的关系，因此有必要对工艺线的流程为大家说 明讲清楚。我们手中使用的mobilephone，camera，ipad内部电路板上焊接的形状各异外形诡 异的小芯片都是如何造出来？想必大家都是有兴趣知道的。即使没有电子工程的基础，通过我的讲解也是可以，你对这个最精密自动化程度最高的行业有一个清晰的轮廓。 IC（integrate circuit）的制造分为前工序和后工序。 前工序:IC制造工程中，晶圆光刻的工艺（即所谓流片），被称为前工序，这是IC制造的最要害技术。 后工序:晶圆流片后，其切割、封装等工序被称为后工序。 我们所要了解的就是前工序的内容，打蛇打七寸，直入要害。 首先，光刻过程的操作流程为： 衬底氧化—涂胶—光刻机曝光—显影烘干—刻蚀—清洗干燥—离子注入（等离子刻蚀、金属淀积）—去胶。 其中最费钱的一步大家知道是什么吗？ 光刻机曝光。流片光刻的费用约占到总体花费的40%左右。很多研究机构或者高校做芯片设计 只是通过软件模拟一下，由此就以这些数据写论文，很少有经费可以去流片测试。况且一个可以投产的芯片并不是一次流片就能成功的，通常情况下需要四次甚至更多次数。以西电微电子学院的军用RFID为例，流片次数已过4次，电路尺寸逐步达到设计标准。军用研发经费充足，不计 成本，不过半导体产业高投入的现状可见一斑。 现在通过图片讲解对各部工序逐一讲解： ）））））））））． ））））））））
塑料制品的生产工艺流程 根据塑料的固有性能，使其成为具有一定形状和使用价值的塑料制品，是一个复杂而繁重的过程。塑料制品工业生产中，塑料制品的生产系统主要是由塑料的成型、机械加工、装饰和装配四个连续的过程组成的。 在这四个过程中，塑料成型是塑料加工的关键。成型的方法多达三十几种，主要是将各种形态的塑料（粉、粒料、溶液或分散体）制成所需形状的制品或坯件。成型方法主要决定于塑料的类型（热塑性还是热固性）、起始形态以及制品的外形和尺寸。塑料加工热塑性塑料常用的方法有挤出、注射成型、压延、吹塑和热成型等，塑料加工热固性塑料一般采用模压、传递模塑，也用注射成型。层压、模压和热成型是使塑料在平面上成型。上述塑料加工的方法，均可用于橡胶加工。此外，还有以液态单体或聚合物为原料的浇铸等。在这些方法中，以挤出和注射成型用得最多，也是最基本的成型方法。 塑料制品生产之机械加工是借用金属和木材等的塑料加工方法，制造尺寸很精确或数量不多的塑料制品，也可作为成型的辅助工序，如挤出型材的锯切。由于塑料的性能与金属和木材不同，塑料的热导性差，热膨胀系数、弹性模量低，当夹具或刀具加压太大时，易于引起变形，切削时受热易熔化，且易粘附在刀具上。因此，塑料进行机械加工时，所用的刀具及相应的切削速度等都要适应塑料特点。常用的机械加工方法有锯、剪、冲、车、刨、钻、磨、抛光、螺纹加工等。此外，塑料也可用激光截断、打孔和焊接。
塑料制品生产之接合塑料加工把塑料件接合起来的方法有焊接和 粘接。焊接法是使用焊条的热风焊接，使用热极的热熔焊接，以及高频焊接、摩擦焊接、感应焊接、超声焊接等。粘接法可按所用的胶粘剂，分为熔剂、树脂溶液和热熔胶粘接。 塑料制品生产表面修饰的目的是美化塑料制品表面，通常包括：机械修饰，即用锉、磨、抛光等工艺，去除制件上毛边、毛刺，以及修正尺寸等；涂饰，包括用涂料涂敷制件表面，用溶剂使表面增亮，用带花纹薄膜贴覆制品表面等；施彩，包括彩绘、印刷和烫印；镀金属，包括真空镀膜、电镀以及化学法镀银等。塑料加工烫印是在加热、加压下，将烫印膜上的彩色铝箔层（或其他花纹膜层）转移到制件上。许多家用电器及建筑制品、日用品等都用此法获得金属光泽或木纹等图案。 装配是用粘合、焊接以及机械连接等方法，使制成的塑料件组装成完整制品的作业。例如：塑料型材，经过锯切、焊接、钻孔等步骤组装成塑料窗框和塑料门。
第四章晶圆制造 1．CZ法提单晶的工艺流程。说明CZ法和FZ法。比较单晶硅锭CZ、MCZ和FZ三种生长方法的优缺点。 答：1、溶硅2、引晶3、收颈4、放肩5、等径生长6、收晶。CZ法：使用射频或电阻加热线圈，置于慢速转动的石英坩埚内的高纯度电子级硅在1415度融化（需要注意的是熔硅的时间不宜过长）。将一个慢速转动的夹具的单晶硅籽晶棒逐渐降低到熔融的硅中，籽晶表面得就浸在熔融的硅中并开始融化，籽晶的温度略低于硅的熔点。当系统稳定后，将籽晶缓慢拉出，同时熔融的硅也被拉出。使其沿着籽晶晶体的方向凝固。籽晶晶体的旋转和熔化可以改善整个硅锭掺杂物的均匀性。 FZ法：即悬浮区融法。将一条长度50-100cm 的多晶硅棒垂直放在高温炉反应室。加热将多晶硅棒的低端熔化，然后把籽晶溶入已经熔化的区域。熔体将通过熔融硅的表面张力悬浮在籽晶和多晶硅棒之间，然后加热线圈缓慢升高温度将熔融硅的上方部分多晶硅棒开始熔化。此时靠近籽晶晶体一端的熔融的硅开始凝固，形成与籽晶相同的晶体结构。当加热线圈扫描整个多晶硅棒后，便将整个多晶硅棒转变成单晶硅棒。 CZ法优点：①所生长的单晶的直径较大，成本相对较低；②通过热场调整及晶转，坩埚等工艺参数的优化，可以较好的控制电阻率径向均匀性。缺点：石英坩埚内壁被熔融的硅侵蚀及石墨保温加热元件的影响，易引入氧、碳杂质，不易生长高电阻率单晶。 FZ法优点：①可重复生长，提纯单晶，单晶纯度较CZ法高。②无需坩埚、石墨托，污染少③高纯度、高电阻率、低氧、低碳④悬浮区熔法主要用于制造分离式功率元器件所需要的晶圆。缺点：直径不如CZ法，熔体与晶体界面复杂，很难得到无位错晶体，需要高纯度多晶硅棒作为原料，成本高。 MCZ：改进直拉法优点：较少温度波动，减轻溶硅与坩埚作用，降低了缺陷密度，氧含量，提高了电阻分布的均匀性 2．晶圆的制造步骤【填空】 答：1、整形处理：去掉两端，检查电阻确定单晶硅达到合适的掺杂均匀度。 2、切片 3、磨片和倒角 4、刻蚀 5、化学机械抛光 3. 列出单晶硅最常使用的两种晶向。【填空】 答：111和100. 4. 说明外延工艺的目的。说明外延硅淀积的工艺流程。 答：在单晶硅的衬底上生长一层薄的单晶层。 5. 氢离子注入键合SOI晶圆的方法 答：1、对晶圆A清洗并生成一定厚度的SO2层。2、注入一定的H形成富含H的薄膜。3、晶圆A翻转并和晶圆B键合，在热反应中晶圆A的H脱离A和B键合。4、经过CMP和晶圆清洗就形成键合SOI晶圆 6. 列出三种外延硅的原材料，三种外延硅掺杂物【填空】 7、名词解释：CZ法提拉工艺、FZ法工艺、SOI、HOT(混合晶向)、应变硅 答：CZ法：直拉单晶制造法。FZ法：悬浮区融法。SOI：在绝缘层衬底上异质外延硅获得的外延材料。HOT：使用选择性外延技术，可以在晶圆上实现110和100混合晶向材料。应变硅：通过向单晶硅施加应力，硅的晶格原子将会被拉长或者压缩不同与其通常原子的距离。 第五章热处理工艺 1. 列举IC芯片制造过程中热氧化SiO2的用途？
微电子学与医学的结合造福社会 刘畅自动化专业093班学号：090919 摘要: 微电子技术是现代电子信息技术的直接基础。现代微电子技术就是建立在以集成电路为核心的各种半导体器件基础上的高新电子技术。微电子技术的发展大大方便了人们的生活。它主要应用于生活中的各类电子产品，微电子技术的发展对电子产品的消费市场也产生了深远的影响。微电子技术过去在医学中的主要是应用于各类医疗器械的集成电路，在未来主要是生物芯片。生物芯片技术在医学、生命科学、药业、农业、环境科学等凡与生命活动有关的领域中均具有重大的应用前景。 一、引言：我所了解的微电子技术 1.定义微电子技术，顾名思义就是微型的电子电路。它是随着集成电路,尤其是超大规模集成电路而发展起来的一门新的技术。微电子技术是在电子电路和系统的超小型化和微型化过程中逐渐形成和发展起来的,其核心是集成电路,即通过一定的加工工艺,将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件,按照一定的电路互联,采用微细加工工艺,集成在一块半导体单晶片上,并封装在一个外壳内,执行特定电路或系统功能。与传统电子技术相比,其主要特征是器件和电路的微小型化。它把电路系统设计和制造工艺精密结合起来,适合进行大规模的批量生产,因而成本低,可靠性高。它的特点是体积小、重量轻、 可靠性高、工作速度快，微电子技术对信息时代具有巨大的影响。它包括系统电路设计、器件物理、工艺技术、材料制备、自动测试以及封装、组装等一系列专门的技术,是微电子学中的各项工艺技术的总和。 2.发展历史：微电子技术是十九世纪末,二十世纪初开始发展起来的新兴技术,它在二十世纪迅速发展,成为近代科技的一门重要学科。它的发展史其实就是集成电路的发展史。1904 年,英国科学家弗莱明发明了第一个电子管——二极管，不就美国科学家发明了三极管。电子管的发明,使得电子技术高速发展起来。它被广泛应用于各个领域。1947 年贝尔实验室制成了世界上第一个晶体管。体积微小的晶体管使集成电路的出现有了可能。之后,美国得克萨斯仪器公司的基比尔按其思路,于1958 年制成了第一个集成电路的模型,1959 年德州仪器公司宣布发明集成电路。至此集成电路便诞生了。集成电路发明后,其发展非常迅速,其制作工艺不断进步,规模不断扩大。至今集成电路的集成度已提高了500 万倍,特征尺寸缩小200 倍,单个器件成本下降100 万倍。 3.微电子技术的应用：微电子技术广泛应用于民用、军方、航空等多个方面。现在人类生产的电子产品几乎都应用到了微电子技术。可以这么说微电子技术改变了我们的生活方式。微电子技术对电子产品的消费市场也产生了深远的影响。价廉、可靠、 体积小、重量轻的微电子产品，使电子产品面貌一新；微电子技术产品和微处理器不再是专门用于科学仪器世界的贵族，而落户于各式各样的普及型产品之中，进人普通百姓家。例如电子玩具、游戏机、学习机及其他家用电器产品等。就连汽车这种传统的机械产品也渗透进了微电子技术，采用微电子技术的电子引擎监控系统。汽车安全防盗系统、出租车的计价器等已得到广泛应用，现代汽车上有时甚至要有十几个到几十个微处理器。现代的广播电视系统更是使微电子技术大有用武之地的领域，集成电路代替了彩色电视机中大部分分立元件组成的功能电路，使电视机电路简捷清楚，维修方便，价格低廉。由于采用微电子技术的数字调谐技术，使电视机可以对多达100 个频道任选，而且大大提高了声音、图像的保真度。总之，微电子技术已经渗透到诸如现代通信、计算机技术、医疗卫生、
1、分立器件和集成电路的区别 分立元件：每个芯片只含有一个器件；集成电路：每个芯片含有多个元件。 2、平面工艺的特点 平面工艺是由Hoerni于1960年提出的。在这项技术中，整个半导体表面先形成一层氧化层，再借助平板印刷技术，通过刻蚀去除部分氧化层，从而形成一个窗口。 P-N结形成的方法： ①合金结方法 A、接触加热：将一个p型小球放在一个n型半导体上，加热到小球熔融。 B、冷却：p型小球以合金的形式掺入半导体底片，冷却后，小球下面形成一个再分布结晶区，这样就得到了一个 pn结。 合金结的缺点：不能准确控制pn结的位置。 ②生长结方法 半导体单晶是由掺有某种杂质（例如P型）的半导体熔液中生长出来的。 生长结的缺点：不适宜大批量生产。 扩散结的形成方式 与合金结相似点： 表面表露在高浓度相反类型的杂质源之中 与合金结区别点： 不发生相变，杂质靠固态扩散进入半导体晶体内部 扩散结的优点 扩散结结深能够精确控制。 平面工艺制作二极管的基本流程： 衬底制备——氧化——一次光刻（刻扩散窗口）——硼预沉积——硼再沉积——二次光刻（刻引线孔）——蒸铝——三次光刻（反刻铝电极）——P-N结特性测试 3、微电子工艺的特点 高技术含量设备先进、技术先进。 高精度光刻图形的最小线条尺寸在亚微米量级，制备的介质薄膜厚度也在纳米量级，而精度更在上述尺度之上。 超纯指工艺材料方面，如衬底材料Si、Ge单晶纯度达11个9。 超净环境、操作者、工艺三个方面的超净，如 VLSI在100级超净室10级超净台中制作。 大批量、低成本图形转移技术使之得以实现。 高温多数关键工艺是在高温下实现，如：热氧化、扩散、退火。
保护膜的制作工艺流程 一卷卷的保护膜，一张张的手机保护膜，一块块的包装保护膜，白色的、透明的、蓝色的、绿色的等等，我们都不少见。看到这些保护膜，不禁就会想，这么漂亮、这么光洁、这么多种厚度的保护膜是怎么制作出来的呢？ 保护膜从生产到材料加工，是很繁琐的一个过程，需要经过不同的多重工艺技术制作。淘材网为大家介绍保护膜主要生产制作工艺。吹膜工艺：吹塑薄膜是将塑料在挤出机中熔融塑化，通过环形模头挤成膜管，由压缩空气将其吹胀冷却定型后制成的薄膜。 流延工艺：流延膜一般采用多层共挤工艺，通过T膜头将熔融树脂挤出，然后通过急冷辊进行冷却获得的薄膜。 双向拉伸工艺：双向拉伸膜是将熔融挤出的塑料进行高倍纵横两个方向的拉伸定型所制得的薄膜，它改变了高聚物分子及链段的排列，使其具有了高度平面取向性、结晶度提高，使薄膜的机械强度和表 面光洁度明显提高。 真空镀铝工艺：是在10-2-10-3Pa的高真空中，以电阻、高频或电子束加热的方式使铝汽化，在冷却的膜上凝结成均匀的金属薄膜。蒸镀工艺有间歇式、半连续式和连续式三种。 凹版印刷工艺：凹版印刷机是由放卷装置、印刷装置、传墨装置、干燥装置、张力控制装置、套色控制装置和收卷装置等构成。它是通过把印版浸泡于墨槽里，然后由刮刀将非雕刻部位除去油墨后在压 印胶辊的作用下，把油墨转移到承印基材上。
复合工艺：复合通过取长补短，使几种单一性能的材料结合成具有综合性能的新材料。 分切工艺：分切工艺是把大规格的膜卷分割成所需规格尺寸的工艺，随自动包装设备的应用越来越广，以膜卷出厂的形式越来越多。 检品工艺：半成品和成品在检品机上进行复卷，如传感器反馈的图样与已输入电脑的标准样在形状、尺寸、色彩诸方面存在的误差超出一定范围，检品机便自动停机予以检出。检品工序可减少后工序的 浪费并提高产品质量。 制袋工艺：复合软包装材料最终要通过制成各种包装袋才能使用，而包装袋是通过制袋机来实现的。 那么，现在保护膜你知道是怎样做出来的了吧？更多详情，请咨询淘材网.
微电子工艺作业参考答案(第1（第10次)）- 微电子工艺操作参考答案 第一次操作(全体参与) 1，微电子在人类社会中的作用简述 a:自20世纪40年代晶体管诞生以来，微电子技术发展极为迅速，现已进入大规模集成电路和系统集成时代，成为整个信息时代的标志和基础。毫不夸张地说，如果没有微电子技术，今天就不会有信息社会。 纵观人类社会发展的文明史，生产方式的所有重大变化都是由新的科学发明引起的。科学技术作为第一生产力，推动着社会的发展。1774年，英国格拉斯哥大学的修理工瓦特发明了蒸汽机，这引发了第一次工业革命，产生了现代纺织和机械制造业，把人类带入了一个机器被用来扩展和发展人类体力劳动的时代。1866年，德国科学家西门子发明了发电机，引发了以电气化工业为代表的第二次技术革命。 目前，我们正在经历一场新的技术革命。虽然第三次技术革命包括新材料、新能源、生物工程、海洋工程、航天工程和电子信息技术等。，以微电子学为核心的电子信息技术仍然是影响最大、渗透力最强和最具代表性的新技术革命。 信息是客观事物状态和运动特征的共同表现，是仅次于物质和能量的第三大资源，是人类物质文明和精神文明赖以发展的三大支柱之一。当前，世界正处于一场跨越时空的新信息技术革命之中。它将对
社会经济、政治和文化产生比人类历史上任何其他技术革命更大的影响。它将改变我们人类生产、生活、工作和治理国家的方式。 实现社会信息化的关键是各种计算机和通信设备，但其基础是半导体和微电子技术。1946年，世界上第一台电子计算机ENIAC诞生于宾夕法尼亚大学摩尔学院，运行速度仅为每秒5000次，存储容量仅为1000位，平均稳定运行时间仅为7分钟。当时，专家认为世界上只有四个ENIAC单元就足够了。然而，仅仅半个多世纪后，现在世界上有数亿台计算机。微电子学是这一巨大变化的技术基础。现在，电子信息产业已经成为世界上最大的产业毫无疑问，21世纪将是信息化的世纪。 微电子产业在国民经济中的战略地位首先体现在现代食物链的关系上。现代经济发展数据显示，每增加100元的国内生产总值就需要10元左右的电子产业增加值的支撑，其中包括2-3元的集成电路产品。如果单位质量钢筋对国内生产总值的贡献是1，汽车数量是5，彩电数量是30，计算机数量是1000，而集成电路的贡献在XXXX高达1英寸，这大大降低了芯片的成本。(3)硅氧化物二氧化硅性能稳定，在集成电路制造过程中有多种用途，如掩膜、钝化膜、介质隔离、绝缘介质(多层布线)、绝缘栅、金属氧化物半导体电容器的介质材料等。(4)多晶硅(Poly-Si)，另一种形式的硅半导体材料 ，在集成电路技术中有许多应用，例如栅极(可实现源漏自对准工