电子技术期末复习题
一、单项选择题（26小题，每小题2分，共60分）
1、若把某一全加器的进位输出接至另一全加器的进位输入，则可构成(B)。 A 、二位并行进位的全加器 B 、二位串行进位的全加器 C 、一位串行进位的全加器
2、数字电路中的工作信号为(B)。 A 、随时间连续变化的电信号
B 、脉冲信号
C 、直流信号
3、与十进制数138相应的二进制数是(B)。
A 、10001000
B 、10001010
C 、10000010
4、采用共阴极数码管的译码显示电路如图
所示，若显示码数是8，译码器输出端应为(C)。A 、a =b =c =d =e=f=“1”，g=“0”
B 、a =b =c =d=e =f=g=“0”
C 、a =b =c =d =e =f=g=“1”
A
B
C D
5、下列逻辑式中，正确的“或”逻辑公式是(A)。A 、A A +=1
B 、A A +
=0
C 、A A +
=A
6、下列逻辑式中，正确的逻辑公式是(B)。
A 、A
B +=AB
B 、A B +=AB
C 、A B +=A B +
7、逻辑代数是研究逻辑关系的主要数学工具，逻辑代数中变量的取值是(A)。 A 、“0”和“1”两个值 B 、0~9中的任意值 C 、普通代数中的任何值
8、模拟电路中的工作信号为(A)。 A 、随时间连续变化的电信号
B 、随时间不连续变化的电信号
C 、持续时间短暂的脉冲信号
9、逻辑图和输入A ，B 的波形如图所示，分析在t 1瞬间输出F 为(B)。
A 、“1”
B 、
“0” C 、不定
t 1
A
B
图1
图2
10、逻辑图和输入A ，B 的波形如图所示，分析在t 1瞬间输出F 为(A)。
A 、“1”
B 、“0”
C 、任意
t 1
A B
图1
图2
11、逻辑图和输入A ，B 的波形如图所示，分析当输出F 为“0”的时刻，应是()。
A 、t 1
B 、t 2
C 、t 3
2
t 3
t 1
=1
A
F
B
A
B
12、图示逻辑电路的逻辑式为()。
A 、F =A
B +B
C CA +
B 、
F =ABC
C 、F =AB BCCA
C S
R
t 1
t 2t 3
17、分析某时序逻辑电路的状态表，判定它是（）。A 、移位寄存器
B 、
18、逻辑电路如图所示，“”，“1”时，C 脉冲来到后JK 触发器（）。
A 、具有计数功能
B 、置“0”
C 、置“1
D 、保持原状态
B
19、逻辑电路如图所示，A=“0”时，C 脉冲来到后D 触发器（）。 A 、具有计数器功能
B 、置“0”
C 、置“1”
A
20、逻辑电路如图所法，当A =“0”时，
RS 触发器（）。A 、具有计数功能 B 、置“0” C 、置“1”
A
21、计数器是一种（）。
A 、组合逻辑电路
B 、时序逻辑电路
C 、脉冲整形电路
22、逻辑电路如图所示，它具有（）。
A 、D 触发器功能
B 、T 触发器功能
C 、T'触发器功能
23、时序逻辑电路如图所示，原状态为“00”，当送入两个C 脉冲后的新状态为（）。 A 、00 B 、11 C 、10
C D
""
10
24、计数器如图所示，原状态为“11”，送一个C 脉冲后的新状态为（）。 A 、“10” B 、“11”
C 、“00”
25、时序电路如图所示，原状态为“11”，送入三个C 脉冲后的新状态为（）。 A 、“10” B 、“00” C 、“11” D 、“01
”
26、计数器如图所示，原状态为“00”，送一个C 脉冲后的新状态为（）。 A 、“11”B 、“
10”C 、“01”
1---5B BBCA 6---10BAABA 11---15C CAB B 16---20B A BCB 21---26B A C CBC
二、非客观题（5小题，每小题8分，共40分）
1、已知逻辑电路输入A ，B ，C 及输出F 的波形如图所示，试分别列出状态
表，写出逻辑式，画出
逻辑图。
A
B C F
1、答案：逻辑式：F A B C =
++o
逻辑图：
A
B C
逻辑状态表
2、已知逻辑图和输入A ，B ，C 的波形如图所示，试写出输出F 的逻辑式，并画出其波形。
1234
000
0001010
"0"
C C Q 1
Q 0Q 0Q 1
5、已知逻辑电路及其C 脉冲波形，试列出其状态表，说明其逻辑功能（设各触发器的初始状态均为“0”）。
C
5、答案：该电路是一只三位同步二进制减法计数器(或同步八进制减法计数器)
电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高 时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成， 由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 | 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系， 其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以 上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属 于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双 极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动 的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 . 第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续 流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为___，续流二极管承受的最大反向电压为___（设U2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管 所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_；带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _， 单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-α-_; 当控制角小于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-2_。
电力电子技术试题 第 1 章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在 __开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为 __通态损耗 __，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为 __开关损耗 __。 3.电力电子器件组成的系统，一般由 __控制电路 __、_驱动电路 _、 _主电路 _三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加 _保护电路 __。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为 _单极型器件 _ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件 _三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为 _承受正向电压导通，承受反相电压截止 _。 6.电力二极管的主要类型有 _普通二极管 _、_快恢复二极管 _、 _肖特基二极管 _。 7. 肖特基二极管的开关损耗 _小于快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 9.对同一晶闸管，维持电流 IH与擎住电流 IL 在数值大小上有 IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压 UDSM与转折电压 Ubo数值大小上应为， UDSM_大于 __Ubo。 11.逆导晶闸管是将 _二极管_与晶闸管 _反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO的__多元集成 __结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的 _截止区 _、前者的饱和区对应后者的 __放大区 __、前者的非饱和区对应后者的 _饱和区 __。 14.电力 MOSFET的通态电阻具有 __正 __温度系数。 15.IGBT 的开启电压 UGE（th ）随温度升高而 _略有下降 __，开关速度 __小于__电力 MOSFET。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为 _电压驱动型 _和_电流驱动型_两类。 17.IGBT的通态压降在 1/2 或1/3 额定电流以下区段具有 __负___温度系数，在1/2 或 1/3 额定电流以上区段具有 __正___温度系数。
《数字电子技术》模拟题一 一、单项选择题（2×10分） 1．下列等式成立的是（ ） A 、 A ⊕1=A B 、 A ⊙0=A C 、A+AB=A D 、A+AB=B 2．函数F=(A+B+C+D)(A+B+C+D)(A+C+D)的标准与或表达式是（ ） A 、F=∑m(1,3,4,7,12) B 、F=∑m(0,4,7,12) C 、F=∑m(0,4,7,5,6,8,9,10,12,13,14,15) D 、F=∑m(1,2,3,5,6,8,9,10,11,13,14,15) 3．属于时序逻辑电路的是（ ）。 A 、寄存器 B 、ROM C 、加法器 D 、编码器 4．同步时序电路和异步时序电路比较，其差异在于后者（ ） A 、没有触发器 B 、没有统一的时钟脉冲控制 C 、没有稳定状态 D 、输出只与内部状态有关，与输入无关 5．将容量为256×4的RAM 扩展成1K ×8的RAM ，需（ ）片256×4的RAM 。 A 、 16 B 、2 C 、4 D 、8 6．在下图所示电路中，能完成01=+n Q 逻辑功能的电路有（ ） 。 A 、 B 、 C 、 D 、 7．函数F=A C+AB+B C ，无冒险的组合为（ ）。 A 、 B=C=1 B 、 A=0，B=0 C 、 A=1，C=0 D 、 B=C=O 8．存储器RAM 在运行时具有（ ）。 A 、读功能 B 、写功能 C 、读/写功能 D 、 无读/写功能 9．触发器的状态转换图如下，则它是： （ ） A 、T 触发器 B 、RS 触发器 C 、JK 触发器 D 、D 触发器 10．将三角波变换为矩形波，需选用 （ ） A 、多谐振荡器 B 、施密特触发器 C 、双稳态触发器 D 、单稳态触发器 二、判断题（1×10分） （ ）1、在二进制与十六进制的转换中，有下列关系： （1001110111110001）B =（9DF1）H （ ）2、8421码和8421BCD 码都是四位二进制代码。 （ ）3、二进制数1001和二进制代码1001都表示十进制数9。 （ ）4、TTL 与非门输入采用多发射极三极管，其目的是提高电路的开关速度。 （ ）5、OC 与非门的输出端可以并联运行，实现“线与”关系，即L=L 1+L 2 （ ）6、CMOS 门电路中输入端悬空作逻辑0使用。 （ ）7、数字电路中最基本的运算电路是加法器。 （ ）8、要改变触发器的状态，必须有CP 脉冲的配合。
【数字电子技术】【试题库】 一、填空题 1.电子电路中的信号可分为两大类，即模拟信号和。 2.数字信号是时间上和上都不连续的信号。 3.十进制数176转换成二进制数为。 4.二进制数11010011转换成十进制数为。 5.所谓二-十进制编码，就是用若干位二进制码元按一定的规律排列起来表示十进制数的过程，也称为码。 6.目前，国际最通用的处理字母、专用符号和文字的二进制代码就是美国标准信息交换码，即码。 ?+?=。 7.二进制数的逻辑运算0111 8. 二进制数的逻辑运算11=。 ⊕=。 9. 二进制数的逻辑运算11 +?=。 10.利用逻辑代数公式，对右式进行化简，A A B ++?=。 11.利用逻辑代数公式，对右式进行化简，A B A B 12.逻辑代数的三条重要规则分别是代入规则、反演规则和。 13.由n个逻辑变量组成的不同最小项个数为个。 14.由n个变量组成的“与或”逻辑表达式，若其中每一项均是关于n个逻辑变量的最小项，则称这一表达式为。 15.利用卡诺图求解最简逻辑表达式时，需要画方格圈，其中有三条要求：将2n个值为1的方格划为一个方格圈，方格圈的数量应（越少/越多）越好，方格圈所含的方格数应（越少/越多）越好。 16.三极管作为开关元件，通常工作在截止区和。 17.集成门电路主要有TTL门电路和。 18.三态门电路的输出有高电平、低电平和共3种状态。 19.TTL集成门电路是由半导体构成的，由于它工作速度快，带负载和抗干扰能力强，因而在数字电路中应该广泛。 20.根据逻辑功能的不同特点，数字逻辑电路可以分为两大类：组合逻辑电路和。 21.在组合逻辑电路中，当输入信号改变状态时，输出端可能出现干扰脉冲，从而导致逻辑电路产生错误输出的现象，称为。 22.触发器有两种稳定状态，即0状态和。 23.RS触发器由两个门电路首尾相连构成。 24.为了避免基本RS触发器输出存在不确定的情况，对其输入端设置了相应的约束条件是。
成绩统计表 专业班级____________ 考生姓名：____________ 学号_______ 请将选择题答案填入下表： 一．选择（20分、2分/题） 1．变压器降压使用时，能输出较大的____b_____。 A、功率 B、电流 C、电能 D、电功 2．三相异步电动机旋转磁场的旋转方向是由三相电源的________b_决定。 A、相位 B、相序 C、频率 D、相位角3．电气控制线路原理图中，触头的位置是处于______a___。A、未通电状态B、通电状态C、根据情况确定状态4．为保证机床操作者的安全，机床照明灯的电压应选____d_____。 A、380V B、220V C、110V D、36V以下5．关于提高功率因数的说法，正确的是（ c ） A.在感性负载上并联电感可以提高功率因数 B.在感性负载上并联电容可以降低功率因数
C.在感性负载上并联电容可以提高功率因数 6．乙类互补对称式功放电路，其输出波形的交越失真是指（ c ）。A．频率失真B、相位失真C、波形过零时出现的失真D、幅度失真 7．稳压管的动态电阻（b ）稳压性能越好。 A、越大 B、越小 C、较合适 D、不一定 8．运算放大器电路如图所示，该电路中反馈类型为( )。a (A) 串联电压负反馈(B) 串联电流负反馈 (C) 并联电压负反馈(D) 并联电流负反馈 ∞ 9．单稳态触发器的输出状态有（a） A、一个稳态、一个暂态 B、两个稳态 C、只有一个稳态 D、没有稳态 10．一个8选1多路选择器，输入地址有 c 。
A、2位 B、3位 C、4位 D、8位 二、计算题（70分） 1．已知图5所示电路中U S1=24V，U S2＝6V，R1=12Ω，R2＝6Ω,R3=2Ω，试用戴维宁定理求流过电阻R3中的电流I3。(10分) a I3 b 2．如图所示R－L串联电路，R=280Ω，R L=20Ω,L=1.65H，电源电压U=220V，电源频率为50H Z。(10分)
2、射极输出器电路中，输出电压U o 与输入电压u i 之间的关系是（ ）。 （a ） 两者反相，输出电压大于输出电压 （b ） 两者同相，输出电压近似等于输入电压 （c ） 两者相位差90 ，且大小相等 3、为了放大变化缓慢的信号或直流信号，多级放大器级与级之间必须采 用（ ）。 （a ） 阻容耦合 （b ） 变压器耦合 （c ） 直接耦合 汁侶吗llTFF （咏宀、 方 亠z-r /咏宀\ 命题教帅（签字） 试做教师（签字） 系、室土任（签字） ）匚记标修重 ................ 名姓 题号 -一- _ 二 _ 三 四 五 七 八 合计 满分 32 10 8 10 6 7六 10 12 丿八 12 100 实得分 评阅人 得分 、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填 入括号内（本大题共16小题，总32分） 1、 电 路如图 所 示， 所有二极管 状 态为 ( )。 ⑻ D 1导 通，D 2、 D 3 截 止 (b) D 1、 D 2截止 D 3导通 (c) D 1、 D 3截止， D 2导 通 (d) D 1、 D 2、D 3均 截 止 均为理想元件，则D ,、D 2、D 3的工作 12V +6V J 1 ----------------- W D2 Ld D3 白R 0V D i
⑻L i、C i组成的电路 （b）L、C组成的电路 （c）L2、&组成的电路 +U cc 5、正弦波振荡器如图所示，为了获得频率可调的输出电压，则应该调节的电阻是（）。 ⑻R i （b）R F（c）R U o 6、模拟电路中晶体管大多工作于（）。 ⑻放大状态（b）开关状态（c）击穿状态 7、数字电路中的工作信号为（）。 ⑻随时间连续变化的电信号（b）脉冲信号（c）直流信号 8、逻辑电路如图所示，分析图中C, J, K的波形。当初始状态为“ 0” 时，输出Q是“1”的瞬间为（）。 ⑻t i (b) t2 (c) t3
数字电子技术期末考试试题 期末考试试题 课程名称《数字电子技术》适用专业自动化、测控考试时间 ( 120 )分钟 一、填空题(22分每空2分) A,0,A,1,1、 , 。 2、JK触发器的特性方程为: 。 3、单稳态触发器中,两个状态一个为态，另一个为态.多谐振荡器两个状态都为 态，施密特触发器两个状态都为态. 4、组合逻辑电路的输出仅仅只与该时刻的有关，而与无 关。 5、某数/模转换器的输入为8位二进制数字信号(~D)，输出为D0~25.5V的模拟电压。若数字信70号的最低位是“1”其余各位是“0”，则输出的模拟电压为。 6、一个四选一数据选择器，其地址输入端有个。二、化简题(15分每小题5分) 用卡诺图化简逻辑函数，必须在卡诺图上画出卡诺圈 1) Y(A,B,C,D)=?m(0,1,2,3,4,5,6,7,13,15) 2)L(A,B,C,D),m(0,13,14,15)，d(1,2,3,9,10,11) ,, 利用代数法化简逻辑函数，必须写出化简过程 __________________________________________________ 3) F(A,B,C),AB，ABC，A(B，AB) 三、画图题(10分每题5分) 据输入波形画输出波形或状态端波形(触发器的初始状态为0). 1、
2、 四、分析题(17分) 1、分析下图，并写出输出逻辑关系表达式，要有分析过程(6分) 2、电路如图所示，分析该电路，画出完全的时序图，并说明电路的逻辑功能，要有分析过程(11分) 五、设计题(28分) 1、用红、黄、绿三个指示灯表示三台设备的工作情况:绿灯亮表示全部正常;红灯亮表示有一台不 正常;黄灯亮表示两台不正常;红、黄灯全亮表示三台都不正常。列出控制电路真值表，要求用 74LS138和适当的与非门实现此电路(20分)
电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 9.对同一晶闸管，维持电流IH 与擎住电流I L 在数值大小上有I L __大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM 与转折电压Ubo 数值大小上应为，UDSM _大于__Ubo 。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET 的通态电阻具有__正__温度系数。 15.IGBT 的开启电压UGE （th ）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 17.IGBT 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数， 在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ， 2__，续流二极管承受的最大反向电压为2_（设U 2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为22 和2；带 阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为2_和2_；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出 现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ =_π-α-δ_; 当控制角α小于不导电角 δ 时，晶闸管的导通角 θ =_π-2δ_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm 2_，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _，使负载电流连续的条 件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时，α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_的相电压；这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _，u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。 9.电容滤波单相不可控整流带电阻负载电路中，空载时，输出电压为2_，随负载加重Ud 逐渐趋近于_0.9 U 2_，通常设计时，应取RC ≥_1.5-2.5_T ，此 时输出电压为Ud ≈__1.2_U 2(U 2为相电压有效值，T 为交流电源的周期)。 10.电容滤波三相不可控整流带电阻负载电路中，电流 id 断续和连续的临界条件是_=RC ω。 11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当 α 从0°～90°变化时，整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_，当 α 从90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。
《电工电子技术基础》期末考试试卷 (闭卷) 一、填空题（每空1分，共40分） 1、交流电的电流或电压在变化过程中的任一瞬间，都有确定的大小和方向，叫做交流电该时刻的瞬时值，分别用小写字母 i 、 u 表示。 2、数字电路中只有 0 和 1 两个数码。 3、三相电源的中线一般是接地的，所以中线又称__地___线。三相电源三相绕组的首端引出的三根导线叫做___相__线。 4、(1011)2 = ( 11 )10。 5、电容和电阻都是电路中的基本元件，但它们在电路中所起的作用却是不同的，从能量上看，电容是_储能____元件，电阻是__耗能____元件。 6、为了反映功率利用率把有功功率和视在功率的比值叫功率因数。 7、正弦交流电的三要素是振幅、频率和初相。 8、实际电压源总有内阻，因此实际电压源可以用电动势与电阻串联的组合模型来等效。 9、基本门电路有与门、或门和非门。 10、能够实现“有0出1，全1出0”逻辑关系的门电路是与非门。 11、能够实现“有1出0，全0出1”逻辑关系的门电路是或非门。 12、能够实现“相异出1，相同出0”逻辑关系的门电路是异或门。 13、在交流电中，电流、电压随时间按正弦规律变化的，称为正弦交流电。正弦交流电的三要素是指最大值、角频率、初相位。 14、工频电流的频率f= 50 Hz。 15、设u=311sin314t V，则此电压的最大值为 311V ，频率为 50HZ ，初相位为 0 。 16、在如图所示的电路，已知I1 = 1A，I2 = 3A ，I5 =4.5A，则I3 = 4 A，I4 = 0.5 A，则I6 = 3.5 A。
17、半导体三极管是由发射极、基极、集电极三个电 极，发射结、集电结两个PN结构成。 18、三极管按其内部结构分为 NPN 和 PNP 两种类型。 19、晶体三极管作共射组态时，其输入特性与二极管类似，但其输出特性 较为复杂，可分为放大区外，还有截止区和饱和区。 20、二极管具有单相导电性特性。 二、单项选择题（每小题2分，共10分） 1、如图所示电路中，电压表的内阻Rv为20KΩ，则电压表的指示为（ B ）。 20KΩ 20KΩ A．5V B.10V C.15V D.30V 2、在三相交流电路中，当负载为对称且三角型连接时，线电流与相电流的 相位关系是（ D ）。 A. 线电压超前相电压300 B. 线电压滞后相电压300 C. 线电流超前相电流300 D. 线电流滞后相电流300 3、叠加定理可以用在线性电路中不能叠加的是（ C ）。 A、电压 B、电流 C、功率 D、电动势 4、如图所示电路中，若电阻从2Ω变到10Ω，则电流i（ C ）。 R i s A.变大 B. 变小 C.不变 D.不确定 5、如图所示电路，电路的电流I=（ A ）。
《模拟电子技术》模拟试题七 一、选择题（每空2分，共34分） 1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是（） A 5v B 9v C 12v 2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）。 A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。 A 饱和 B 截止C交越D频率 4、差分放大电路是为了（）而设置的。 A稳定Au B放大信号C抑制零点漂移 5、对功率放大器的主要要求有（）（）（） A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）变化。 A 0-20 B 20 -200 C 200-1000 7、单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=( )U2。 A 0.45 B 0.9 C 1.2 8、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（）（）。 A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=1 9、对功率放大器的主要要求有（）（）（）。 A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 10、振荡器的输出信号最初是由（）而来的。 A基本放大器 B 选频网络C干扰或噪声信号 二、填空题（每空1分，共32分） 1、自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。 2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。 3、扩展运动形成的电流是（）电流，漂移运动形成的电流是（）。 4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成开断。 5、场效应管的漏极电流ID=( ),所以它是（）控制文件。 6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β
专业班级____________ 考生姓名：____________ 学号_______ 一．选择（20分、2分/题） 1．变压器降压使用时，能输出较大的____b_____。 A、功率 B、电流 C、电能 D、电功 2．三相异步电动机旋转磁场的旋转方向是由三相电源的 ________b_决定。 A、相位 B、相序 C、频率 D、相位角 3．电气控制线路原理图中，触头的位置是处于______a___。 A、未通电状态 B、通电状态 C、根据情况确定状 态 4．为保证机床操作者的安全，机床照明灯的电压应选 ____d_____。 A、380V B、220V C、110V D、36V以下 5．关于提高功率因数的说法，正确的是（ c ） A.在感性负载上并联电感可以提高功率因数
B.在感性负载上并联电容可以降低功率因数 C.在感性负载上并联电容可以提高功率因数 6．乙类互补对称式功放电路，其输出波形的交越失真是指（ c ）。 A．频率失真 B、相位失真 C、波形过零时出现的失真 D、幅度失真 7．稳压管的动态电阻（ b ）稳压性能越好。 A、越大 B、越小 C、较合适 D、不一定 8．运算放大器电路如图所示，该电路中反馈类型为( )。a (A) 串联电压负反馈(B) 串联电流负反馈 (C) 并联电压负反馈(D) 并联电流负反馈 －＋∞ + u O u i 9．单稳态触发器的输出状态有（ a） A、一个稳态、一个暂态 B、两个稳态 C、只有一个稳态 D、没有稳态 10．一个8选1多路选择器，输入地址有 c 。 A、2位 B、3位 C、4位 D、8位 二、计算题（70分） 1．已知图5所示电路中U S1=24V，U S2 ＝6V，R 1 =12Ω，R 2 ＝6 Ω,R 3=2Ω，试用戴维宁定理求流过电阻R 3 中的电流I 3 。(10分) a I
电力电子技术试题
第 1 章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力 MOSFET）、绝缘 栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力 MOSFET 、 IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力 MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力 MOSFET，属于电压驱动的是电力 MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、
GTO 、GTR _。2、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是
绝缘栅双极晶体管的图形符号是
；电力晶体管的图形符号是
；
第 2 章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是__0-180O
_ ，其承受的最大正反向电压均为_ 2U2 __，续流二极管承受的最大反向电压为__ 2U2 _（设 U2 为相电压有效值）。
3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α 角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 2 和_ 2U2 ；
带阻感负载时，α 角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 _和__ 2U2 _；带反电动势负载时，欲使电阻上的电
流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压 UFm 等于__ 2U2 _，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-150o_，使负载电流连
续的条件为__ 30o __(U2 为相电压有效值)。
6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时， 的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_
的相电压；这种电路
角的移相范围是_0-120o _，ud 波形连续的条件是_ 60o _。
8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。
11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当
从 0°～90°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而 _增大_，
当
从 90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而_减小_。
12. 逆 变 电 路 中 ， 当 交 流 侧 和 电 网 连 结 时 ， 这 种 电 路 称 为 _ 有 源 逆 变 _ ， 欲 实 现 有 源 逆 变 ， 只 能 采 用 __ 全 控 _ 电 路 ； 对 于 单 相 全 波 电 路 ， 当 控制 角
0<
<
时，电路工作在__整流_状态；
时，电路工作在__逆变_状态。
13.在整流电路中，能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势，
其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角 a > 90O，使输出平均电压 Ud 为负值_。 第 3 章 直流斩波电路
1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。
2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。
3.斩波电路有三种控制方式：_脉冲宽度调制（PWM）_、_频率调制_和_（ton 和 T 都可调，改变占空比）混合型。
6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。
7.Sepic 斩波电路和 Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续，_ Zeta 斩波电路_的输入、输
出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。
8.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限，升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限，_电流可逆斩波电路能
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电子技术基础期末考试考试题及答 案 部门： xxx 时间： xxx 整理范文，仅供参考，可下载自行编辑
触发器，输入信号=0,A.Q=0 B.Q=0C.=0 D.=1脉冲作用下， A.1 B.D C.0 D. 9.下图所示可能是鈡控同步RS 触发器真值表的是<） 10.电路如下图所示，若初态都为0，则的是<） 11.五位二进制数能表示十进制数的最大值是<） A.31B.32C.10 D.5 12.n 个触发器可以构成最大计数长度为的计数器<） A.n B.2n C.n2 D.2n 13.一个4位二进制加法计数器起始状态为0010，当最低位接收到10个脉冲时，触发器状态为<） A.0010 B.0100 C.1100 D.1111 14.下图所示的电路中，正确的并联型稳压电路为<） 15.在有电容滤波的单相桥式整流电路中，若要使输出电压为60V ，则变压器的次级电压应为<） A.50VB.60VC.72VD.27V 二、判断题<本大题共5小题，每小题3分，共15分）<对打√，错打×） 16.P 型半导体中，多数载流子是空穴< ） 17.环境温度升高时，半导体的导电能力将显著下降< ） 18.二极管正偏时，电阻较小，可等效开关断开<） 19.稳压二极管工作在反向击穿区域<） 20.光电二极管是一种把电能转变为光能的半导体器件<）
注：将 选择题 和判断 题答案 填写在 上面 的表 格 里， 否则 该题不得分 三、填空题<本大题共5小题，每小题4分，共20分） 21.JK触发器可避免RS触发器状态出现。与RS触发器比较，JK触发器增加了功能； 22.寄存器存放数码的方式有和两种方式； 23.二极管的伏安特性曲线反映的是二极管的关系曲线； 24.常见的滤波器有、和； 25.现有稳压值为5V的锗稳压管两只，按右图所示方法接入电路，则 V0=。 四、应用题<本大题共3小题，共35分，要求写出演算过程） 26.<10分）某JK触发器的初态Q=1，CP的下降沿触发，试根据下图所示的CP、J、K的波形，画出输出Q 和的波形。RTCrpUDGiT 27.<9分）如下图所示电路，测得输出电压只有0.7V，原因可能是： <1）R开路；<2）RL开路；<3）稳压二极管V接反； <4）稳压二极管V短路。应该是那种原因，为什么？ 28.<16分）分析下图所示电路的工作原理，要求： <1）列出状态表，状态转换图； <2）说明计数器类型。 参考答案及评分标准 一、单项选择题<本大题共15小题，每小题2分，共30分） 二、判断题<本大题共5小题，每小题3分，共15分） 三、填空题<本大题共5小题，每小题4分，共20分） 21.不确定，翻转22.并行和串行 23.VD-ID24.电容、电感、复式25.5.3V 四、应用题<本大题共3小题，共30分，要求写出演算过程） 26. 27.解：稳压二极管V接反，变成正向偏置，稳压二极管正向导通时，压降是0.7V 28.解：计数前，各触发器置0，使Q2Q1Q0=000
xxx~xxx学年第x学期 《数字电子技术》期末复习题 第一部分题目 一、判断题（每题2分,共30分。描述正确的在题号前的括号中打“√”，错误的打“×”）【】1、二进制有0 ~ 9十个数码，进位关系为逢十进一。 【】2、（325）8 ＞（225）10 【】3、十进制数整数转换为二进制数的方法是采用“除2取余法”。 【】4、在二进制与十六进制的转换中，有下列关系：（100111010001）2=（9D1）16 【】5、8421 BCD码是唯一能表示十进制数的编码。 【】6、十进制数85的8421 BCD码是101101。 【】7、格雷码为无权码，8421 BCD为有权码。 【】8、数字电路中用“1”和“0”分别表示两种状态,二者无大小之分。 【】9、逻辑变量的取值，１比０大。 【】10、在逻辑代数中，逻辑变量和函数均只有0和1两个取值，且不表示数量的大小。【】11、逻辑运算1+1=1 【】12、逻辑运算A+1+0=A 【】13、因为逻辑表达式A+B+AB=A+B成立，所以AB=0成立。 【】14、在时间和幅度上均不连续的信号是数字信号，所以语音信号是数字信号。 【】15、逻辑函数的运算次序为：先算括号内，后算括号外；先求与，再求或，最后求非。【】16、AB A C BC AB A C ++=+ 【】17、逻辑函数表达式的化简结果是唯一的。 【】18、逻辑真值表、逻辑表达式、逻辑图均是逻辑关系的描述方法。 【】19、n个变量组成的最小项总数是2n个。 【】20、逻辑函数的化简方法主要有代数化简法和卡诺图化简法。 【】21、逻辑函数化简过程中的无关项一律按取值为0处理。 【】22、数字电路中晶体管工作在开关状态，即不是工作在饱和区，就是工作在截止区。【】23、TTL或非门的多余输入端可以接高电平。 【】24、某一门电路有三个输入端A、B、C，当输入A、B、C不全为“1”时，输出Y为“0”，输入A、B、C全为高电平“1”时，输出Y为“1”，此门电路是或门电路。【】25、将三输入与非门中的两个输入端都接高电平，就可以实现非门功能。 【】26、基本的逻辑关系有与、或、非三种，其实现单元电路分别为与非门和或非门两种。【】27、CMOS门电路的输入电流大于TTL门电路的输入电流。 【】28、组合逻辑电路的基本组成单元是门电路。 【】29、组合电路没有记忆功能。 【】30、组合电路是一种具有记忆功能的逻辑电路。
《数字电子技术》考试试卷（第一套）课程号2904025035 考试时间100 分钟 (注：集成电路CD4532、74HC138、74HC151的功能见附表) 一、填空题（共28分） 1、（2分）（5E.8）H＝（94.5 ）D＝（10010100.0101 ）8421BCD。 2、（2分）逻辑函数L = + A+ B+ C +D = （1 ）。 3、（2分）由传输门构成的电路如下图所示，当A=0时，输出L= B 。 4、（2分）三态门可能输出的三种状态是低电平、高电平和高阻态_。 5、（3分）A/D转换器一般要经过_ 采样__、保持、量化和__编码__这4个步骤，A/D转换器的转换速度主要取决于转换类型。对双积分型A/D 转换器、并行比较型A/D转换器和逐次比较型A/D转换器的相对速度进行比较，转换速度最快的是_并行比较型A/D转换器__。 适用专业年级（方向）：应用物理、电信科技2010级 考试方式及要求：闭卷笔试
6、（2分）集成优先编码器CD4532（功能表见后）正常接电源和地，且待编码信号输入端I 0 =I 2 = I 6 = I 7 = 1，输入使能端EI=1，其余输入端为0，其输出Y 2Y 1Y 0为 111 。 7、（3分）集成数据选择器74HC151构成的电路如下图所示，则其输出 Y= ABC BC A C B A ++?? 。（注：不需化简） 01 8、（3分）某PLA 电路如下图所示，其输出逻辑函数表达式X= C B A C B A ABC +?+ 。 9、（2分）某单极性输出的8位D/A 转换器正常工作，当输入数字量为 （10101010）B 时，其输出电压为3.4V ，当输入数字量为（10101100） B 时，其输出电压为 3.44 V 。 10、（2分）一个存储容量为4K ×4的存储器有 214 个存储单元，若用该存储器构成32K ×8的存储系统，则需 16 片4K ×4的存储器。 11、（3分）对于JK 触发器，当1J K ==时，n+1Q = 1 ，当1 J K ==
《电工电子技术基础期末考试试题》--------A 班级： 姓名： 得分： 一、填空（每空一分 共十分)： 1、若交流电i=1023Sin （314t+30o）A 其最大值 有效值 初相位 角频率 频率 周期 相位 。 2、如果把P 型半导体和N 型半导体通过一定的方法结合起来，在两者的 处，就会形成一层很薄的 称之为 。 二、判断（每题一分 共十五分）： 1、1秒钟内交流电有100次达到最大值（ 在我国 ）。 （ ） 2、晶闸管单向导通，门极阻断。 ( ) 3、 感抗X l =ωL; 容抗Xc=1/(ωc)。 （ ） 4、交流电的阻抗Z=)(2 2Xc Xl R -+ （ ） 5、一般情况下，三相负载不对称时，P 总=Pu+Pv+Pw 。 ( ) 6、导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称为PN 结 。 ( ) 7、导电性能不断提高的物质称为导体 。 （ ） 8、cos Φ反应了负载中的有功功率所占电源输出功率的比例，定义为功率因数 。 （ ） 9、二极管的主要参数为最大整流电流Im>I 工作、最高反向工作电压 Urm ≥U 工作，并且Urm 为Uz/2~Uz/3 。 ( ） 10 稳压二极管的接法为正端接被稳压器件的负极，负端接正极。 （ ） 11、电容滤波原理是利用大电容充电快、放点慢的特性，使定向脉动成分峰尖变钝，波动减 小 ，衰减变缓实现滤波的。 （ ） 12、桥式整流电路可将交流电正、反向都过滤成同一方向的脉动成分。 （ ） 13、电容滤波的接法是在整流后负载的两端正向并联电容器。 （ ） 14、二极管外加反向电压超过一定数值后，反向电流猛增，反向击穿 。 （ ） 15、三极管电流放大作用的条件是发射结正偏，集电结反偏。 （ ） 三、作图题 1、画出三相交流电动势的向量图。（七分） 2、、画出一个单相桥式整流电路图，并对负载电容滤波。（十分） 四、简答题 1、二极管、晶闸管的特性各如何？（十分） 2、写出三相交流负载星形及三角形联接时线电压与相电压、线电流与相电流. 的关系。（八分） 五、综合题（十分） 画一个三相桥式整流电路图，并分析当负载两端为同向电流，而电源的 a(+)b(-); a(+)c(-); b(+)a(-); b(+)c(-); c(+)a(-); c(+)b(-) .时电流流向。 六、选择题（每题一分 共三十分） 1、单相交流电路中，纯电阻电路情况下，电流与电压的关系为（ ）。 A ：同频率、同相位； B ：同频率、不同相位； C ：不同频率、同相位； D ：不同频率、相位。