电容失效分析
概述
a、某电源在市场因吸收陶瓷电容炸裂烧毁，造成市场批量整改，以及对用到此陶瓷电容其它产品线模块进行长达近一年的风险评估试验。
b、在某充电机模块的生产过程中，老化时薄膜电容器连续失效，导致二极管烧毁。
原因分析
a、陶瓷电容失效分析
陶瓷电容作为PFC二极管的阻容吸收电路和输出整流二极管的RCD吸收电路，经对失效批次电容测试容量和电压满足要求，损耗高于规格书要求。由于该电源是密封使用，环境温度较高，损耗高电容的发热就高，电容温度超过最高使用温度，随着时间的延长，电容自身损耗不断上升，由于自身温升和环境无法达到热平衡，不断恶化，最终导致电容出现热击穿，发生电容炸裂。后查实为供应商擅自换料造成，认为满足电压和容量要求就可以了。
b、薄膜电容失效分析
薄膜电容器用于二极管吸收电路，电容额定压630VDC，电路中正常尖峰小于200V，满足降额要求。失效电容器外观良好，无损坏痕迹。用LCR表测试，失效样品均无容量，引脚间呈开路状态。解开电容器塑料封装，引线以及引线与喷金层焊接良好，喷金层与芯子连接部位有发黑痕迹；展开电容器芯子金属化膜，部分失效电容器金属化膜光亮平整完好，另一部分金属化膜已经发热变形。初步判断为电路dv/dt过大导致电容器失效。测试电路中电压波形，发现dv/dt 为3000V/μs，但选用的薄膜电容器dv/dt最大值只有40V/μs。
为验证失效模式，取一批新电容器，初测正常，上机老化后，电容器80-90％
失效，排除厂家来料质量问题，确定该电容器不适合在该电路中使用。
解决方案
a、陶瓷电容选用低损耗同容量同电压物料，应用多年未发现失效。
对于陶瓷电容，因介质不同、相同容量和电压的电容，其损耗差别很大。如选型仅从电压等级和容量上来考虑，会造成误选，因此类失效，生产中不会立即表现，易造成市场上严重损失。
b、所有单板（包括半成品、成品以及发货产品）此位置使用的该电容器全
部更换为同规格dv/dt较大的双面金属化聚丙烯电容器后问题解决。
对于薄膜电容，选取吸收电容的参数除电压和容量外，最主要的指标还有dv/dt和纹波电流（电压）。特别是dv/dt这个参数，即使是容量和电压相同，系列不同、引脚间距不同的电容，其额定值可从几V/us到几KV/us。如果仅从电压和容量指标选择电容，电容工作一段时间后就会容值衰减甚至消失。另外由于功率器件开关频率比较高（可达上百KHz），高频下较小的电压波动就会导致较大的纹波电流（I=WCU），过大的纹波电流将导致电容温升高、参数劣化或烧毁。
选型建议
针对吸收电容的选型是否可靠，除了考虑电压、容量以外，还需关注电容器
的dv/dt、温升（或者纹波电流）及损耗，通过查Vrms-f、Vp-p－f曲线可了解通过电容器的纹波（Irms）能力，在选用时有个量化指标参考。
陶瓷电容失效分析： 多层片状陶介电容器由陶瓷介质、端电极、金属电极三种材料构成，失效形式为金属电极和陶介之间层错，电气表现为受外力（如轻轻弯曲板子或用烙铁头碰一下）和温度冲击（如烙铁焊接）时电容时好时坏。 多层片状陶介电容器具体不良可分为: 1、热击失效 2、扭曲破裂失效 3、原材失效三个大类 （１）热击失效模式： 热击失效的原理是：在制造多层陶瓷电容时，使用各种兼容材料会导致内部出现张力的不同热膨胀系数及导热率。当温度转变率过大时就容易出现因热击而破裂的现象，这种破裂往往从结构最弱及机械结构最集中时发生，一般是在接近外露端接和中央陶瓷端接的界面处、产生最大机械张力的地方（一般在晶体最坚硬的四角），而热击则可能造成多种现象： 第一种是显而易见的形如指甲狀或U-形的裂縫 第二种是隐藏在内的微小裂缝
第二种裂缝也会由裸露在外的中央部份，或陶瓷/端接界面的下部开始，并随温度的转变，或于组装进行时，顺着扭曲而蔓延开来（见图4）。 第一种形如指甲狀或U-形的裂縫和第二种隐藏在内的微小裂缝，两者的 区别只是后者所受的张力较小，而引致的裂缝也较轻微。第一种引起的破裂 明显，一般可以在金相中测出，第二种只有在发展到一定程度后金相才可测。 （２）扭曲破裂失效 此种不良的可能性很多：按大类及表现可以分为两种： 第一种情况、SMT阶段导致的破裂失效 当进行零件的取放尤其是SMT阶段零件取放时，取放的定中爪因为磨损、对位不准确，倾斜等造成的。由定中爪集中起来的压力，会造成很大的压力 或切断率，继而形成破裂点。
这些破裂现象一般为可见的表面裂缝，或2至3个电极间的内部破裂；表面破裂一般会沿着最强的压力线及陶瓷位移的方向。 真空检拾头导致的损坏或破裂﹐一般会在芯片的表面形成一个圆形或半月形的压痕面积﹐并带有不圆滑的边缘。此外﹐这个半月形或圆形的裂缝直经也和吸头相吻合。 另一个由吸头所造成的损环﹐因拉力而造成的破裂﹐裂缝会由组件中央的一边伸展到另一边﹐这些裂缝可能会蔓延至组件的另一面﹐并且其粗糙的裂痕可能会令电容器的底部破损。 第二种、SMT之后生产阶段导致的破裂失效 电路板切割﹑测试﹑背面组件和连接器安装﹑及最后组装时，若焊锡组件受到扭曲或在焊锡过程后把电路板拉直，都有可能造成‘扭曲破裂’这类的损坏。 在机械力作用下板材弯曲变形时，陶瓷的活动范围受端位及焊点限制，破裂就会在陶瓷的端接界面处形成，这种破裂会从形成的位置开始，从45°角向端接蔓延开来。
MLCC漏电失效分析 1. 案例背景 客户端在老化实验测试阶段发现MLCC出现漏电失效，其不良比率不详，该MLCC焊接工艺为回流焊接工艺。 2. 分析方法简述 通过外观检查OK样品与NG样品表面未见明显异常。 通过X射线透视检查，OK样品和NG样品内部均未发现裂纹孔洞等异常。 将OK样品和NG样品分别切片，然后在金相显微镜下放大拍照观察MLCC内部结构，NG样品电容内 部存在镍瘤及热应力裂纹，而OK样品未见异常。 通过对样品剖面SEM/EDS分析， NG样品电容内部电极层不连续，存在明显镍瘤；其镍瘤周围多条向外延伸裂纹并在裂缝通道内发现明显碳化痕迹（EDS结果中C含量高达50%），此应为热应力裂纹，裂纹的存在直接导致电容性能异常；而OK样品电容内部电极层连续，陶瓷介质层致密未发现孔洞及镍瘤，电容性能良好。 3. 分析与讨论 失效模式分析： 多层陶瓷电容器（MLCC）本身的内在可靠性十分优良，可长时间稳定使用。但如果器件本身存在缺陷或在组装过程中引入缺陷，则会对可靠性产生严重的影响。陶瓷多层电容器（MLCC）失效的原因一般分为外部因素和内在因素。内在因素包括: 陶瓷介质内空洞、介质层分层；外部因素包括：热应力裂纹及机械应力裂纹。 1)陶瓷介质内的孔洞 所谓的陶瓷介质内的孔洞是指在相邻电极间的介质层中存在较大的孔洞，这些孔洞由于内部可能含有水汽或离子，在端电极间施加电压时，降低此处的耐压强度，导致此处发生过电击穿现象。 2)介质层分层 多层陶瓷电容的烧结为多层材料堆叠共烧，烧结温度在1000℃以上。层间结合力不强，烧结过程中内部污染物挥发，烧结工艺控制不当都可能导致分层的发生。值得一提的是，某些分层还可能导致陶瓷介质内部产生裂纹，或在介质层内出现断续的电极颗粒等，这些都与电容器的生产工艺有关。分层的直接影响是绝缘电阻降低，电容量减小。 3)热应力裂纹 实际使用中各种温度冲击往往容易产生热应力，热应力产生的裂纹主要分布区域为陶瓷靠近端电极的两侧，常见的表现形式为贯穿瓷体的裂纹，有的裂纹与内电极呈现90°。需要强调的是，这些
《铝电解电容器的失效情况及预防措施》 发表时间：2019-07-08T10:03:58.527Z 来源：《电力设备》2019年第5期作者：张楠 [导读] 摘要：铝电解电容器是一种性能优越但可靠性存在不足的重要电容器，相关领域的工作人员应发挥其长而力避其短，在全面而细致地了解其常见失效模式及机理的基础上明确预防措施。 （南通海立电子有限公司226361） 摘要：铝电解电容器是一种性能优越但可靠性存在不足的重要电容器，相关领域的工作人员应发挥其长而力避其短，在全面而细致地了解其常见失效模式及机理的基础上明确预防措施。本文对此进行了系统性和概要性总结，冀对相关领域工作者有所助益。 关键词：铝电解电容器；失效模式；失效机理；预防措施 作为应用最广泛的分立元件之一，铝电解电容器在电源滤波、信号耦合及去耦、杂波旁路，以及谐振选频等电力电子线路中发挥着重要作用。与其种类别的电容器相比，铝电解电容器虽有着鲜明优势，但其寿命相对较短，可靠性方面存在一定不足，因而了解其常见的失效模式及机理进而明确预防措施是有着重要意义的。本文拟对此作一系统性和概要性总结，冀对相关领域工作者有所助益。 一、铝电解电容器的失效情况概述 1、铝电解电容器失效的判断与表现 在实际工程应用中，铝电解电容器失效至完全不能再用通常被称为寿命终结，其使用寿命被定义为“电容器在规定条件下规定性能的工作时间”。规定条件主要指的上限工作温度和额定电压（额定直流电压或直流电压叠加纹波电压之和）。规定性能主要指电容量相对变化率|AC/C|、损耗因子（主要表现为损耗角正切值tgδ的变化）与漏电流（主要表现为等效串联电阻EST的变化）等参数在技术规范规定内的性能指标。通常情况下，液态铝电解电容器失效的具体判断标准如下表所示： 当然，从外观异常表现上亦可直接判断铝电解电容器是否失效，最典型的如铝壳或防爆口开裂、电解液泄露等。需要指出的是，以上讨论主要针对最为重要和典型的液态铝电解电容器。随着相关技术的飞速发展，各种型号的新型电容器层出不穷，其规定条件和规定性能值自然不尽相同，但基本原理和判断依据并无二致，在实际工程应用中，工程人员应在切实明了其基本原理及判断依据的基础上明确各项技术参数，进而对其是开始失效和已经完全失效加以合理判断，下面我们来讨论更具体的铝电解电容器常见失效模式及机理。 2、铝电解电容器失效模式及机理 铝电解电容器的失效模式及机理向来是备受重视和受到深入研究的范畴。通常来说，铝电解电容器的失效模式主要有防爆阀开裂、开路、漏电流增大、漏液、短路等几种，各模式下的失效机理亦各不相同，下面逐一论列。 （1）防爆阀开裂失效模式 该失效模式的失效部位一般是在电容防爆阀处，失效机理大体可分为两类。一类是环境温度过高、纹波电流过大或快速充放电等原因导致芯子内部温度过高，以至电解液气化，过大的压力使防爆阀剧烈动作最终开裂，通常表现为耗散性失效。另一类是过压、反压等原因导致内部发生电化学反应而产生氢气，以至压力过大而导致防爆阀动作最终开裂，通常表现为突发性失效。 （2）开路失效模式 开路失效是最常见的失效情况之一，其失效机理主要有以为四种：第一种是铝箔与引线（导电条）接触不良导致电路开路，原因一般为来料品质不合格，类型上表现为早期失效。第二种是正极导电铝条与卤素发生电化学反应，金属铝条被腐蚀成氧化物，失去导电性，导致电路开路，原因一般为来料品质不合格或者是电容器受到卤素污染，可能表现为早期失效，也可能表现为突发性失效。第三种是铝箔与引线的铆接因受外部压力而损伤乃至断裂，原因一般为单板加工时不规范，通常表现为早期失效。第四种是过高的瞬间电压将铆接部位或导电条击穿，表现为突发性失效。 （3）漏电流增大失效模式 该模式的失效机理大体有三种：第一种是负极箔的耐电压性不足，反向电压使负极箔发生电化学反应，从而释放能量并产生气体，同时这也在一定程度上损害了正极箔的绝缘性能，导致加电时漏电流增大，引起突发性失效。第二种是环境温度过高或是纹波电流过大导致绝缘介质性能下降，加电时电容器的自愈过程致使漏电流增大，类型上表现为耗散失效。第三种是因制造工艺方面不合格导致电容器自身存在质量缺陷，如铝箔上有裂痕或毛刺。电解质存在空洞等，表现为早期失效。 （3）漏液失效模式 漏液失效模式失效机理为：封口处或线端根部密封不严导致电解液外溢，最可能的原因是密封材料品质不佳，稳定性差，使一段时间后出现问题，此外也可能是制作上的密封环节出现问题，失效类型为耗散失效。 （4）短路失效模式 该模式的失效机理主要有三种：第一种是电解质的芯包受到电压破坏（主要表现为铝箔、电解纸被击穿、开裂、烧毁），导致正负箔接触而发生短路，造成突发性失效。第二种是单板加工时外部压力导致铝箔与引线铆接部位损伤，产生毛刺致使正负箔接触而发生短路，一般表现为早期失效。第三种是电容器内部存在短路缺陷点致使加不上电压而发生短路，原因最可能是来料质量不合格，表现为早期失效。 以上的概要性总结有助于相关工作者系统而全面地审视铝电解电容器的失效情况，同时也为采取预防措施提供了依据和指引。以下从存储、安装、使用三个方面探讨铝电解电容器失效预防措施。 三、铝电解电容器失效预防措施 1、存储方面 通常情况下铝电解电容器的存储环境最为重视温度和湿度两个因素，温度一般在5—30摄氏度之间，湿度在75%以下。具体来说应注意以下几点：不可与水或油污接触或处于结露状态；不可受到日光、紫外线及放射线的直射；不可存储于有害气体环境中，如氯气、臭氧、硫化氢等；不可与亚硝酸、亚硝酸、氨水等化学试剂置于同一空间；避免强度较大的震荡或冲击。在此需要强调的一点是，在较长时间的
多层陶瓷电容器(MLCC)的典型结构中导体一般为Ag或AgPd，陶瓷介质一般为(SrBa)TiO3，多层陶瓷结构通过高温烧结而成。器件端头镀层一般为烧结 Ag/AgPd，然后制备一层Ni阻挡层(以阻挡内部Ag/AgPd材料，防止其和外部Sn 发生反应)，再在Ni层上制备Sn或SnPb层用以焊接。近年来，也出现了端头使用Cu的MLCC产品。 根据MLCC的电容数值及稳定性，MLCC划分出NP1、COG、 X7R、 Z5U 等。根据MLCC的尺寸大小，可以分为1206，0805，0603，0402，0201等。 MLCC 的常见失效模式 多层陶瓷电容器本身的内在可靠性十分优良，可以长时间稳定使用。但如果器件本身存在缺陷或在组装过程中引入缺陷，则会对其可靠性产生严重影响。 陶瓷多层电容器失效的原因分为外部因素和内在因素 内在因素主要有以下几种： 1.陶瓷介质内空洞 (Voids) 导致空洞产生的主要因素为陶瓷粉料内的有机或无机污染，烧结过程控制不当等。空洞的产生极易导致漏电，而漏电又导致器件内部局部发热，进一步降低陶瓷介质的绝缘性能从而导致漏电增加。该过程循环发生，不断恶化，严重时导致多层陶瓷电容器开裂、爆炸，甚至燃烧等严重后果。 2.烧结裂纹 (firing crack) 烧结裂纹常起源于一端电极，沿垂直方向扩展。主要原因与烧结过程中的冷却速度有关，裂纹和危害与空洞相仿。 3.分层 (delamination) 多层陶瓷电容器的烧结为多层材料堆叠共烧。烧结温度可以高达1000℃以上。层间结合力不强，烧结过程中内部污染物挥发，烧结工艺控制不当都可能导致分层的发生。分层和空洞、裂纹的危害相仿，为重要的多层陶瓷电容器内在缺陷。 外部因素主要为： 1.温度冲击裂纹(thermal crack) 主要由于器件在焊接特别是波峰焊时承受温度冲击所致，不当返修也是导致温度冲击裂纹的重要原因。
电解电容寿命分析 像其它电子器件应用一样 , 电解电容同样遵循一种被称为“Bathtub Curve”的失效率曲线。 其表征的是一种普遍的器件（设备）失效率趋势。但在实际应用中，电解电容的设计可靠性一般以其实际应用中的期望寿命（ Expected Life ）作为参考。这种期望寿命表达的是一种磨损失效（ wear-our failure ）。如下图所示，在利用威布尔概率纸（ Weibull Probability Paper ）对电解电容的失效率进行分析时可看到在某一使用期后其累进失效率曲线 (Accumulated Fallure Rate) 斜率要远大于 1 ，这说明了电解电容的失效模式其实为磨损失效所致。 影响电解电容寿命的因素可分为两大部分： 1) 电容本身之特性。其中包括制造材料（极片、电解液、封口等）选择及配方，制造工艺及技术（封口方式、散热技术等）。 2) 电容设计应用环境（环境温度、散热方式、电压电流参数等）。 电容器件一旦选定，寿命计算其实可归结为自身损耗及热阻参数的求取过程。 1 、寿命评估方式 电解电容生命终结一般定义为电容量 C 、漏电流（ I L）、损耗角（ tan δ）这三个关键参数之一的衰退超出一定范围的时刻。在众多的寿命影响因素中，温升是最关键的一个。而温升又是使用损耗的表现，故额定寿命测试往往被定为“在最大工作温度条件下（常见的有 85degC 及 105degC ），对电容施以一定的 DC 及 AC 纹波后，电容关键参数电容量 C 、漏电流（ IL ）、损耗角（ tan ）的衰竭曲线”。如下图所示： 2 、环境温度与寿命的关系 一般地（并非绝对），当电容在最大允许工作环境温度以下工作时（一般最低到 + 40degC 的温度范围），电解电容的期望寿命可以根据阿列纽斯理论（ Arrhenius theory ）进行计算。该理论认为电容之寿命会随温度每十摄氏度的上升而减半（每上升十摄氏度将在原基础上衰减一半）。从而可以得到如下寿命曲线以及用于计算寿命的环境温度函数 f(T )： 环境温度函数 f(T ) ： 在一些纹波电流很小以致其在 ESR 上损耗引起的温升远远小于环境温度的作用时（例如与几乎无纹波的 DC 电源并联使用），即可认为电容器里面的热点温度与环境温度相等。一般可以按下式进行寿命计算： L OP=LoXf(t)
电容阻值降低、漏电失效分析 2014-08-02 摘要： 本文通过无损分析、电性能测试、结构分析和成分分析，得出导致电容阻值下降、电容漏电是多方面原因共同作用的结果：（1）MLCC本身内部存在介质空洞（2）端电极与介质结合处存在机械应力裂纹（3）电容外表面存在破损。 1.案例背景 MLCC电容在使用过程中出现阻值降低、漏电失效现象。 2.分析方法简述 透视检查NG及OK样品均未见裂纹、孔洞等明显异常。 图1.样品X射线透视典型照片
从PCBA外观来看，组装之后的电容均未受到严重污染，但NG样品所受污染程度比OK样品严重，说明电容表面的污染可能是引起电容失效的潜在原因。EDS能谱分析可知，污染物主要为助焊剂与焊锡的混合物，金属锡所占的比例约为16(wt.)%。从电容外观来看，所有样品表面均未见明显异常，如裂纹等。 图2.电容典型外观照片 利用数字万用表分别测试NG电容和OK电容的电阻，并将部分失效样品机械分离、清洗后测试其电阻，对电容进行失效验证。电学性能测试表明，不存在PCB上两焊点间导电物质（污染物）引起失效的可能性，失效部位主要存在于电容内部。
对样品进行切片观察，OK样品和NG样品内部电极层均连续性较差，且电极层存在孔洞，虽然电极层孔洞的存在会影响电容电学性能，但不会造成电容阻值下降，故电极层孔洞不是电容漏电的原因。 对NG样品观察，发现陶瓷介质中存在孔洞，且部分孔洞贯穿多层电极，孔洞内部可能存在水汽或者离子（外来污染），极易导致漏电，而漏电又会导致器件内局部发热，进一步降低陶瓷介质的绝缘性从而导致漏电的增加，形成恶性循环；左下角端电极与陶瓷介质结合处存在机械应力裂纹，可导电的污染物可夹杂于裂纹中，导致陶瓷介质的介电能力下降而发生漏电，使绝缘阻值下降，此外裂纹内空气中的电场强度较周边高，而其击穿电场强度却远比周边绝缘介质低，从而电容器在后续工作中易被击穿，造成漏电；除此之外，电容表面绝缘层存在严重破损，裂纹已延伸至内电极，加之表面污染物的存在，在恶劣潮湿环境下就会与端电极导通，形成漏电。 对比失效样品，OK样品电容内部结构成分一致，内电极为Ni电极，电极层连续性较差，且存在较多细小孔洞。但并未发现贯穿相邻电极的孔洞和机械应力裂纹的存在，电容表面破损程度亦较低，故不存在漏电现象。
电容器的基础知识的讲义 ——孔 星 1.电容器的基本概念 a.电容：使导体每升高单位电位所需要的电量。 C=q/U（库仑/伏特） b.单位（法拉 F） 1F=1库仑/1伏特=106μF=1012pF 1μF=103nF c.电容器：由多个导电体组成的能够存储电荷的容器。 C AB=Q A/（U A- U B） d.电容器的联接： 串联：1/Cs=1/C1+1/C2 并联：Cp=C1+C2 2.电容器的基本参数 2.1电容量 平板电容: C=εs/dε=ε0εr S=L*W 2.2损耗角正切D D=tgδ=P有/P 即通过电容器的总功率与在电容 器内的热功耗D=D（f×t）； P=P无+P有P有=VI P无=t gδ=tgδS+tgδP tgδS=ωCRS tgδp=1/ωCR P R S：串联电阻 R P：并联电阻 2.3耐压Vt-t：穿介电场强度与电应力有关，V=V（f×t） e g：弹性势能E=1/2kX2 弹性力：f=-?E/?x=-1/2×k×2x =-kx
2.4绝缘电阻RI（漏电流）：介质内部的本征漏电流及吸收电流； 本征漏电流：杂质决定 吸收电流：介质极化引起（例如偶极子⊕----Θ）运动 2.5过流能力（dv/dt） Ip=C dv/dt ； I=Ir+Ip Ir=2πfcu Ip=c*dv/dt 2.6耐温T ： 电容器的最高/最低使用温度（-40/105）； 2.7热稳定性（Δt-t）：电容器正常发热时温升达到稳定所需要的时间，（2h，48h ）； 热稳定时间越短(同体积)，说明热稳定性越好。 2.8自愈性（SH）：介质击穿后自我恢复能力（ΔC/C≤0.5%，自愈次数＜2次）； a.ΔC/C≤0.5% u≤3.5un 自愈声 0.8un <2次 介质自愈性：碳沉积量：ppa 1 pp 45 PET 55 b. 电板自愈性：焦耳热(cm2) AL:1.6*10-2J
电容的失效模式和失效机理 电容器的常见失效模式有： ――击穿短路；致命失效 ――开路；致命失效 ――电参数变化（包括电容量超差、损耗角正切值增大、绝缘性能下降或漏电流上升等；部分功能失效 ――漏液；部分功能失效 ――引线腐蚀或断裂；致命失效 ――绝缘子破裂；致命失效 ――绝缘子表面飞弧；部分功能失效 引起电容器失效的原因是多种多样的。各类电容器的材料、结构、制造工艺、性能和使用环境各不相同，失效机理也各不一样。 各种常见失效模式的主要产生机理归纳如下。 3.1失效模式的失效机理 3.1.1 引起电容器击穿的主要失效机理 ①电介质材料有疵点或缺陷，或含有导电杂质或导电粒子； ②电介质的电老化与热老化； ③电介质内部的电化学反应； ④银离子迁移； ⑤电介质在电容器制造过程中受到机械损伤； ⑥电介质分子结构改变； ⑦在高湿度或低气压环境中极间飞弧；
⑧在机械应力作用下电介质瞬时短路。 3.1.2 引起电容器开路的主要失效机理 ①引线部位发生“自愈“，使电极与引出线绝缘； ②引出线与电极接触表面氧化，造成低电平开路； ③引出线与电极接触不良； ④电解电容器阳极引出箔腐蚀断裂； ⑤液体电解质干涸或冻结； ⑥机械应力作用下电介质瞬时开路。 3.1.3 引起电容器电参数恶化的主要失效机理 ①受潮或表面污染； ②银离子迁移； ③自愈效应； ④电介质电老化与热老化； ⑤工作电解液挥发和变稠； ⑥电极腐蚀； ⑦湿式电解电容器中电介质腐蚀； ⑧杂质与有害离子的作用； ⑨引出线和电极的接触电阻增大。 3.1.4 引起电容器漏液的主要原因 ①电场作用下浸渍料分解放气使壳内气压上升； ②电容器金属外壳与密封盖焊接不佳； ③绝缘子与外壳或引线焊接不佳；
Doc. No : MT-FRR8_E Failure rate of Monolithic Ceramic Capacitors QA section, M.L.C.Group FUKUI MURATA MFG, CO.,LTD 1. Basic standards Test of failure rate shall be performed in accordance with MIL-STD-690, MIL-C-39014, MIL-HDBK-217, and JIS-C-5003. 2. Failure mode Failure modes are Open, Short, and other electrical items which are critical defects for Monolithic Ceramic Capacitors. 3. Calculation of failure rate 3-1. Confidence level Failure rate is calculated in the confidence level 60%. 3-2. Formula of failure rate FR = ( r/T ) x K x 109 ( Fit ) FR : Failure rate ( Fit= 0.0001%/1000 hours ) r : Number of accumulated failures ( r x K=0.917, if r=0 ) T : Accumulated component hours K : Coefficient of confidence level 60% ( Please refer to table 1)