模电课后问答题

第二章运算放大器

2.1 集成电路运算放大器

2.1.1答；通常由输入级，中间级，输出级单元组成，输入级由差分式放大电路组成，可以提高整个电路的性能。中间级由一级或多级放大电路组成，主要是可以提高电压增益。输出级电压增益为1，可以为负载提供一定的功率。

2.1.2答：集成运放的电压传输曲线由线性区和非线性区组成，线性区的直线的斜率即Avo很大，直线几乎成垂直直线。非线性区由两条水平线组成，此时的Vo 达到极值，等于V+或者V-。理想情况下输出电压+Vom=V+,-Vom=V-。

2.1.3答：集成运算放大器的输入电阻r约为10^6欧姆，输出电阻r约为100欧姆，开环电压增益Avo约为10^6欧姆。

2.2 理想运算放大器

2.2.1答：将集成运放的参数理想化的条件是：1.输入电阻很高，接近无穷大。

2.输出电阻很小，接近零。

3.运放的开环电压增益很大。4、Vo极限值等于电源电压。5、Vo未达到饱和极限值是差分出入电压为零。

2.2.2答：近似电路的运放和理想运放的电路模型参考书P27。

2.3 基本线性运放电路

2.3.1答:1.同相放大电路中，输出通过负反馈的作用，是使Vn自动的跟从Vp，使Vp≈Vn，或Vid=Vp-Vn≈0的现象称为虚短。

2.由于同相和反相两输入端之间出现虚短现象，而运放的输入电阻的阻值又很高，因而流经两输入端之间Ip=In≈0,这种现象称为虚断。

3.输入电压Vi通过R1作用于运放的反相端，R2跨接在运放的输出端和反相端之间，同相端接地。由虚短的概念可知，Vn≈Vp=0,因而反相输入端的电位接近于地电位，称为虚地。

虚短和虚地概念的不同：虚短是由于负反馈的作用而使Vp≈Vn,但是这两个值不一定趋向于零，而虚地Vp,Vn接近是零。

2.3.2答：由于净输入电压Vid=Vi-Vf=Vp-Vm,由于是正相端输入，所以Vo为正值，Vo等于R1和R2的电压之和，所以有了负反馈电阻后，Vn增大了，Vp不变，所以Vid变小了，Vo变小了，电压增益Av=Vo/Vi变小了。

由上述电路的负反馈作用，可知Vp≈Vn,也即虚短。由于虚地是由于一端接地，而且存在负反馈，所以才有Vp≈Vn=0.

2.3.3答：同相放大电路：1.存在虚短和虚断现象。 2.增益Av=Vo/Vi=1+R2/R1,电压增益总是大于1，至少等于1。 3.输入电阻接近无穷大，输出电阻接近于零。

反相放大电路：1.存在虚地现象。 2.电压增益Av=Vo/Vi=-R2/R1,即输出电压与输入电压反相。 3.输入电阻Ri=Vi/I1=R1.输出电阻接近于零、输出电压趋向无穷大。

电路的不同：1.参考P28和P32的两个图。 2.根据上述各自的特征即可得出它

们的区别。

2.3.4用虚短、虚断或虚地的方法分析计算。

2.3.5 答：电路的电压增益约为1，在电路中常作为阻抗变换器或缓冲器。

2.4 同相输入和反反相输入放大电路的其他应用

2.4.1各个图参考P34-P41,各个电路的输出电压和输入电压的关系参考图下的分析。

2.4.2

第三章二极管

3.2.1答：空间电荷区是由施主离子，受主离子构成的。因为在这个区域内，多数载流子已扩散到对方并复合掉了，或者说耗尽了，因此有称耗尽区。扩散使空间电荷区加宽，电场加强，对多数载流子扩散的阻力增大，但使少数载流子的漂移增强；而漂移使空间电荷区变窄，电场减弱，又使扩散容易进行，故空间电荷区也称为势垒区。

3.2.2答：使PN结外加电压VF的正端接P区，负端接N区，外加电场与PN结内电场方向相反，此时PN出于正向偏置。

3.2.3答：增加。因为在外加反向电压产生的电场作用下，P区中的空穴和N区中的电子都将进一步离开PN结，使耗尽区厚度增加。

2.2．4答：只有在外加电压时才能显示出来

。

3.2.5答：扩散电容：PN结正向偏置时，电压增加时，相应的空穴和电子扩散到结的附近产生一定的电荷增量，C=Q/V 。势垒电容：PN结反向偏置时，电压的变化→势垒区的变化→储存电荷的变化→类似电容板电荷的变化。

3.3.1答：电流过大，发热读过大会烧坏PN结；电压过大，击穿BJT，反向电流剧增，单向导电性被破坏，甚至烧坏。

3.3.4答：温度升高，正向电压减小，反向电流增大，正向电流增大。硅管的影响较小。

3.3.5答：反向恢复时间，正向到反向所用时间与扩散电容成反比。

3.4.3答：因为有直流电源，所以二极管可以导通，输出的信号是电源直流与交流信号的叠加。

第四章

4.1.1 不可以，因为BJT有集电区、基区和发射区。

4.1.2 不行。发射极的参杂浓度高，集电极的面积大。

4.1.3 必须保证发射结正偏，集电结反偏。都反偏，都正偏。

4.1.4 发射区向基区扩散载流子，形成发射极电流Ie。Ie=Ien+Iep,Ic=Icn+Icbo

4.1.5 集电结反向电压增大到1V后，内电场加强，集电极收集电子的能力加强，空间电荷区变宽，基区有效宽度减小，载流子复合机会减少，Ib减小。Vce打过1V，集电结内电场足够强了，发射结的电子基本收集到集电结啦。

BJT输入电流Ic（或IE）正比于输入电流IE(或Ib)。如果能控制输入电流，就能控制输出电流，所以常将BJT成称为电流控制器件。

4.1.6 共基极和共发射极电流放大倍数，可以求出a与B 的值

4.1.8 Icm,Pcm,Vceo Vbeo Vcbo.

4.1.9 温度增加，反向饱和电流Icbo,反向击穿电压Vcbo Vceo, 放大倍数B 都增加。输入特性曲线左移，输出特性曲线上移。

4.2.1 微弱电信号幅度的放大，信号源，外加直流电源Vcc.

4.2.2 主要看电流放大倍数，电流与负载的乘积。

4.2.3 设置静态工作点：保证发射结正偏，集电结反偏，有较大的线性工作范围，防止输出信号失真。画动态电路：直流电压短路，电流源开路，较大电容短路。

4.2.4 不能，Icq增大

4.3.1 没有交流信号输入时，两线重合。

4.3.2 静态工作点一般设在中间位置，在保证不失真和一定电压增益的情况下，选的低一点。

4.3.3 改变Vcc的极性（自己判断是否正确）；信号正值太大导致截止失真。

4.3.4 输入信号电压幅值比较小的条件下，P128

4.3.5 放大电路工作可看成是静态工作电路（即直流电路）和交流通路的叠加，所以看成是先将直流通路短路处理，直流置零，作为交流的地电位。

4.3.6 P130公式(4.3.7B) P111公式（4.1.11A）不是

4.3.7 图解法适用于幅度比较大而工作频率不太高的情况下。小信号模型适用于小电压或工作在线性区或放大电路比较复杂时。

4.4.1 电源电压的波动，元件参数的分散性及元件的老化，环境温度

4.4.2 基极分压式射极偏置电路（理由见P135），含有双电源的射极偏置电路，含有恒流的射极偏置电路（理由见P139）

4.4.3 不能

4.4.4 不能，Ce对静态工作点没有影响，对动态工作情况会产生影响，即对电阻Re上的电流信号电压有旁路作用

4.5.1 有共射，共基和共集；判断方法：看输入输出信号。

4.5.2 共射极增益大于一，信号反向。输入电阻一般，输出电阻与集电极电阻有关，适用于低频，做放大电路的中间级。共集电极电流放大，输入电阻大，输出电阻小，信号同向，适用于输入级、输出级和缓冲级。共基极电压放大，信号同向，输入电阻小，输出电阻与集电极电阻有关，适用于高频或宽频带地输入阻抗电路，集成电路中电位转移。

4.5.4 可以，根据式(4.4.1）-（4.4.4），可见静态电流Icq只与直流电压及电阻Re有关，以此温度变化时，Icq基本不变。

4.7.1 低频时，耦合电容和旁路电容不能当做短路，高频时，极间电容不能当做开路。

4.7.2 频带宽度BW是等于上限截止频率减去下限截止频率，数学表达式是：BW=f（H）-f（L）

4.7.3 低频时，1/wc不可忽略，所以射极旁路电容是低频响应的主要影响因素。高频是不会

4.7.4 直接耦合可以把原信号不作改变地放大，所以可以改善低频响应；

共基极放大电路中不存在密勒电容效应，所以共基极放大电路具有比较好的高频响应特性。

第五章

5.1.1答：MOSFET的P表面的二氧化硅是绝缘体，

5.1.3答：P237

5.1.4答：Vds对沟道长度L的调制作用，成正比。

5.3.2答:JFET栅源间PN结不能正向偏置，BJT发射结可以，耗尽型MOSFET可以。

5.3.4答：FET输入阻抗搞，噪声低。BJT增益高。

第六章

6.1.1 答:各种三端器件的输出特性在放大区间近似具有恒流的特性，动态输出电阻很高。成为很好的电流源。

6.1.2微电流源微电流源

6.2.1 两端信号之差与信号平均值。

6.2.4 温度

6.2.5电路时对称式的；ro越大，即电流源Io越接近理想情况，Avc1越小，说明他抑制共模信号的能力越强；ro ：差模短路，共模2ro

6.2.6差模增益与共模增益比值的绝对值；为了说明差分式放大电路抑制共模信号的能力，共模抑制比越大，性能就越好

6.3.1 (1) 当vi1-vi2=vid=0时，vo1=vo2=Vcc-（Io/2）Rc，电路处于静态工作状态，。

（2）Vid在0~±VT范围内，vo1、vo2与vid间呈线性关系，放大电路工作在放大区。

（3）vid在VT~4VT间和- VT~ 4VT间，vo1、vo2与vid间呈非线性。电路工作在非线性区。

（4）vid<- VT和vid> +VT，曲线趋于平坦。

Vid的范围书上没说，只说了差分放大电路呈现良好的限幅特性，即范围很大。

6.3.2等于差分放大电路的差模电压增益Avd1=-1/2gmRc，Avd2=1/2gmRc

6．4．1由源极耦合差分放大输入级，输入级偏置电流源，共源放大输出级构成。作用：输入级：输入级差分放大输入信号。电流源：为差分放大输入级提供直流偏置。输出级：放大输出信号

6．4．2由输入级，偏置电路，中间级，输出级组成。电流源作用：

1)主偏置电路中的T11 和T10 组成微电流源电路，由Ic10 供给输入级中T3,T4 的偏置电流。2）T8和T9组成镜像电流源，供给输入级T1,T2 的工作电流。3）T12和T13构成双端输出的镜像电流源，一路供给中间级的偏置电流和作为它的有源负载，另一路供给输出级的偏置电流。

6．4．3输入级，电压放大级和输出级电路的基本形式分别是：差分式放大电路，共集电极电路和共射集放大电路，互补对称电路。

保护电路有:T15,T21,T22,T23,T24B

6.5.1答：在室温（25°C）及标准电源电压下，输入电压为零时，为了使集成运放的输出电压为零，在输入端加的补偿电压叫做失调电压Vio，其大小反映了运放制造中电路的对称程度和电位配合情况，其值愈大说明电路的对称程度愈差。输入偏置电流是指集成运放两个输入端静态电流的平均值，从使用角度来看，偏置电流愈小由于信号源内阻变化引起的输出电压变化也愈小，故它是重要的技术指标。输入失调电流是指Iio是指当输入电压为零时流入放大器两输入端的静态基极电流之差，Iio愈小愈好，它反映了输入级差分对管的不对称程度。

6.5.2答：要求输入失调电压和输入失调电流都比较小，可采用调零电位器的方法减小输出端的误差电压。不能用外接人工调零电路的方法完全抵消。

6.5.3 (1) LM741等一般运放（2）高输入电阻的运放。（3）输入失调电压Vio小的运放（4）失调电压电流小的运放

6.5.4转换速率的大小与许多因素有关，主要与运放所加的补偿电容、运放本身各级BJT的级间电容、以及放大电路提供的充电电流等因素有关，通常要求运放的SR大于信号变化斜率的绝对值。

6.5.5 Vom=Sr/(2∏BWp)=

7.96 V

6.5.6 见表6.5.1（书本291页）

收音机内部存在闪烁噪点，外部受杂散电磁场干扰

7.1.1反馈是指将电路输出电量（电压或电流）的一部分或全部通过反馈网络，用一定的方式送回到输入电路，以影响输入电量（电压或电流）的过程。反馈体现了输出信号对输入信号的反作用。

是否存在反馈，只要看该电路的输出回路与输入回路之间是否存在反馈网络，即反馈通路。若没有反馈网络，则不能形成反馈。

7.1.2 若电路的输出回路与输入回路之间不存在反馈网络，则不能形成反馈，这种情况称为开环，若有反馈网络存在，则能形成反馈，称这种状态为闭环。

7.1.3 存在于放大电路的直流通路中的反馈为直流反馈，存在于交流通路中的反馈为交流反馈。为了维持输出电流基本恒定而引入直流负反馈。

7.1.4 使净输入信号量减弱的为负反馈，反之正反馈。

7.1.5 在放大电路输入端，凡是反馈网络与基本放大电路串联连接，以实现电

压比较得成为串联反馈，信号源内阻为零; 在放大电路输入端，凡是反

馈网络与基本放大电路并联连接，以实现电流比较得成为并联反馈，信

号源内阻为无穷大。

7.1.6 吧输出电压的一部分或全部输回到放大电路的输入回路，为电压反馈；

把电流输回的为电流反馈。

7.2.1 基本类型：电压串联、电压并联、电流串联、电流并联。

1．电压反馈与电流反馈的判断

令U o＝0，即将放大电路输出端交流短路，若反馈信号X f消失，则为电压反馈（X f＝FU o）；若反馈信号X f仍然存在，则为电流反馈（X f＝FI o）若能画出方框图，也可直接根据A、F网络在输出端连接形式来判定：并联为电压反馈，串联为电流反馈。

一般说来，反馈信号取自电压输出端（R L两端）的为电压反馈，反馈信号取自非电压输出端的为电流反馈。

2．串联反馈与并联反馈的判断

令U i = 0，即将放大电路输入端假想交流短路，若反馈信号作用不到放大电路输入端，这种反馈为并联反馈；若反馈信号仍能作用到放大电路输入端，则为串联反馈。当然也可直接根据基本放大电路与反馈网络的连接方式确定。一般说来，反馈信号加到共射电路基极的反馈为并联反馈；反馈信号加到共射电路发射极的反馈为串联反馈。

正确判断反馈放大电路的类型和反馈极性，是分析反馈放大电路的基础，一般来说可按以下步骤进行：

（1）找出反馈元件 - 联系输入、输出回路的元件；

（2）判别是电压反馈还是电流反馈令U o = 0，看Xf是否存在；

（3）判断是串联反馈还是并联反馈令U i＝0，看Xf能否作用到输入端；

（4）判断反馈极性，采用瞬时极性法，串联反馈时看U be的增减，并联反馈时看I b的增减。

7.2.2 电压负反馈得重要特点是具有稳定输出电压的作用，，电流负反馈得特

点是维持输出电流基本恒定。

7.3.1 减少了。

7.3.2 信号单向化传输

7.3.3 负反馈的增益Af=A/(1+AF).其中(1+AF)称为反馈深度。

当(1+AF)远大于1时，此时的反馈就叫深度负反馈，此时的负反馈增益等

于1/F。分压式共基极偏置放大电路就是一个深度负反馈放大电路。

AF称为环路增益。

7.4.1: 引入深度负反馈后，放大电路的增益决定于反馈网络的反馈系数，而与基本放大电路几乎无关。

7.4.2： 1．使闭环增益下降。2．提高增益的稳定性。放大电路的增益可能由于元器件参数的变化、环境温度的变化、电源电压的变化、负载大小的变化等因素的影响而不稳定，引入适当的负反馈后，可提高闭环增益的稳定性。3．减小非线性失真。多级放大电路中输出级的输入信号幅度较大，在动态过程中，放大器件可能工作到它的传输特性的非线性部分，因而使输出波形产生非线性失真。4．抑制反馈环内噪声。

7.4.3: 1．为了提高电路的信噪比。2．抑制环内信噪比

7.4.4：引入负反馈或引入带阻滤波器

7.5.1： 在浓度负反馈条件下，0≈id v 为虚短，0≈id i 为虚断。虚短即基本放大电路输入电阻上产生的输入电压0≈id v 虚断即基本放大电路输入电阻上产生的输入电流0≈id i

7.5.2： 利用“虚短”、“虚断”的概念可以快速方便地估算出负反馈放大电路的闭环增益或闭环电压增益。

7.6.1 （1）根据信号源的性质选择串联负反馈或关联负反馈。

（2）根据对放大电路输出信号的要求，选择电压负反馈或电流负反馈。

（3）根据表7.4.1中列出的四种反馈放大电路的功能，选择合适的反馈组态。

7.6.2： 引入电流并联负反馈

7.6.3： 不同。减小放大电路输入端对信号源的负载效应，即减小信号源的输出

电流和其内阻上的电压降，使放大电路获得尽可能大的输入电压。减小反馈网络输出端对放大电路输入端的负载效应在不同反馈类型中，反馈网络中的电阻值要求不同。在串联负反馈中，反馈网络输出端的等效阻抗值要小；在并联负反馈中，则要求反馈网络输出端的等效阻抗值要大。

7.7.1 fL(下限)减少为1/(1+AF).fH 增加（1+AF ）倍。BW 增加（1+AF ）倍。

7.7.2 P169 在BJT 或JFT 及电路参数选定后，增益—带宽积基本是个常数

7.8.1 放大电路引入的反馈过深，以致输入端不加输入信号时，输出端也产

生输出信号的现象叫自激振荡。

原因：

7.8.2 不一定，上述其中一个条件不满足即不会自激 7.8.3 ，反馈电路稳定时相移，其值为负，0lg 20180)dB (lg 20180m <-==F A

F A

G f f 1=F A

，，，21,0180)12(f a =?+=+n n ??

，反馈电路稳定已经衰减为之前，其值为正，相移到达dB 0lg 201801800f

a m F A f f -+-==???

第八章

8.3.1：最大管耗Pcm 必须大于0.2Pom,反向饱和电压Pceo 大于2Vcc,最大集电极电流Icm 大于Vcc/Rl 。

8.3.2 答：不是。甲类在输入信号为零时的管耗最大，乙类当Vom=0.6Vcc 时管耗最大8.3.3 8.3.3答：效率高，管耗低。

8.3.4） 答：78.5%

8.4.1 答：1.交越失真

2.采用偏置电路，甲乙类双或但电源互补对称电路。

8.4.2 答:可以通过。T3组成前置放大，二极管静态时的压降提供偏压使之导通。

8.4.3 答：在输入信号很大时，电路的输出出现饱和及截止失真；在互补对称电路的情况下出现交越失真。

8.4.4 答：可能，但输入信号的幅度很大时，就会出现非线性失真。

8.4.5 答：可以。原因在394页最后一段。

第九章

9.1.1 由无源元件，R,L,C 组成滤波电路叫无源滤波电路。

由集成运放，R,L,C 组成滤波电路叫有源滤波电路。

9.1.2 属于低通滤波电路。 A V =1/(1+SRC)

9.1.3 P287 低通滤波电路

9.3.1 最大不超过3才能稳定；它们的通带电压增益是(1+Rf/R1)

9.3.2 可以的。条件是：低通滤波的截止频率要大于高通滤波的截止频率

9.3.3 可以的

9.3.4 常用的高阶滤波电路有：巴特沃思，切比雪肤，和贝赛尔滤波电路。

巴特沃思电路的幅频响应在通带中具有最平幅度特性。但从通带到阻带衰减较慢；切比雪肤滤波电路能迅速衰减，但允许通带中又一定纹波。而贝赛尔滤波电路着重于相频响应，其相移与频率基本成正比，即群时延基本是恒定的，可得失真较小的波形。

9.5.1 在正弦波振荡电路中，振荡的条件是：（α+β）=2n π

在负反馈放大电路的自激振荡条件是：（α+β）=（2n+1）π

9.5.2 不行，必须大于

9.6.1 （1）解：当R12调到零时，用示波器观察输出电压V0波形，看不到

输出波形。因为对于AV=1+（Rf1+R12）/R1，而当R12=0时候，AV=1+1=2，

AV 小<3时，1

,不能起振，将无法起振，所以没有输出波形； （2）当R12调到10千欧时，A V =（1+11）/1=12>>3,A V 的值在起振时远

大于3，因振幅的增长，致使放大器件工作到非线性区域，波形将产

生严重的非线性失真,图为正弦波失真。

9.7.1 电感三点式LC振荡电路和的缺点是，反馈电压Vf 取自L2上，L2

对高次谐波（相当于f0而言）阻抗大，因而引起振荡回路输出谐波分

量增大，输出波形不理想。电容三点式振荡电路，由于反馈电压是从电

容（C2）两端取出，对高于次谐波阻抗小，因而可将高次谐波滤波，所

以输出波形好。

9.7.3 造成电源对振荡回路的高频信号短路

9.7.4RC振荡电路频率稳定性最低，因为易受电源波动的影响。石英晶体振荡电

路的最高，主要是由于采用了具有较高Q值的石英晶体元件。

第十章

10.1.1 VL的平均值减少

10.1.2 （1）烧坏电感线圈（2）同上（3）出现半波整流

10.1.3 目的是滤去整流输出电压中的纹波，使Vo更加平滑；电容滤波电路：导电角小，直流电压高，纹波小，输出特性差，适用于高负载电压，负载变动不大的时。电感：导电角大，无峰值电流，输出特性平坦，易引起电磁干扰，适用于低电压，大电流场合。

10.1.4 （1）增大，因为时间常数＝R*C，会增大，而电容两端的电压按指数规律下降的，时间常数增大，指数规律的下降系数（速度）减少，VL的曲线更平滑，与正弦曲线的交点的Y坐标更大。（2）1．1到1.2倍（3）D1断开，出现半波整流，VL减少；RL断开，VL达到最大值；（4）0.9*V2

10.2.1 输入电压波动对输出电压的影响：输入调整因数，电压调整率，稳压系数；负载电流对输出电压的影响：输出电阻，电流调整率；温度对输出电压的影响：温度系数；纹波抑制比。

10.2.2 基准电压，提供基准电压；比较放大，比较放大反馈信号；调整管，调整、稳定输出电压；取样电路，从输出回路中取样给放大电路。

10.2.3 因为当深度反馈时，AV＝1/F，只与电阻有关，线性关系好，因而稳定性好

10.2.4 （1）Vo=Vref (2)同上 (3)Vo=2*Vref

模拟电路第三版课后习题答案详解

N7习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？ 答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。 习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。 解：在20℃时的反向电流约为：3 210 1.25 A A μμ -?= 在80℃时的反向电流约为：321080 A A μμ ?=

习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？ 答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。 一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。 温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。

100B i A μ=80A μ60A μ40A μ20A μ0A μ0.9933.22 安全工作区

习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。解：20℃时，()131CEO CBO I I A βμ=+=50℃时，8CBO I A μ≈() () ()0 5020 011%3011%301301%39 t t ββ--=+=?+≈?+?=()13200.32CEO CBO I I A mA βμ=+==

模拟电子技术基础试题汇总附有答案解析

模拟电子技术基础试题汇总 一.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真 ( B)饱和v失真 ( C)双向失真 ( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=时输出电压为。 B：u I1=3V，u I2=时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=，u I2=时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b 变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. － B. －5V C. － D. － 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号 源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）

模拟电子技术(模电课后习题含标准答案)(第三版)

第1章 常用半导体器件 1.1选择合适答案填入空内。 (l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小 (3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。 A.83 B.91 C.100 (4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。 A.增大； B.不变； C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电 压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.4电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与o u 的 波形图，并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3

1.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？ 解：二极管的直流电流 ()/ 2.6D D I V U R mA =-= 其动态电阻: /10D T D r U I ≈=Ω 故动态电流的有效值：/1d i D I U r mA =≈ 1.7现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？ 解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。 1、两个管子都正接。（1.4V ） 2、6V 的管子反接，8V 的正接。(6.7V) 3、8V 的反接， 6V 的管子正接。(8.7V) 4、两个管子都反接。（14V ） (2)并联相接可得2种：0.7V ；6V 。 1、 两个管子都反接，电压小的先导通。(6V) 2.、一个正接，一个反接，电压小的先导通。（0.7V ） 1.8 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.8所示电路中电阻R 的取值范围。 解：稳压管的最大稳定电流： I ZM ＝P ZM / U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin 所以其取值范围为 Ω=-= k 8.136.0Z Z I ～I U U R

模电试题及答案

试题一 一、选择题：（每小题2分，共24分） （1）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ B ）。 A.前者反偏、后者反偏 B .前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏 （2）N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ C ）。 A.电子 B.三价硼元素 C .五价磷元素 （3）为了减小零点漂移，通用型运放的输入级大多采用（ C ）。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C .差动放大电路 （4）高通滤波电路可以用于（ A ）。 A . 滤除低于某一频率的无用信号 B. 滤除高于某一频率的无用信号 C. 让低于某一频率的有用信号通过 （5）长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是（ C ）。 A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好 C .引入了电流串联型负反馈 （6）、电路如图所示，其输出电压u O 等于（ B ）。 A.i2i1u u - B .i1i2u u - C. i2i1u u + （7）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的0.7倍, 即增益下降（ A ）。 A .3d B B.4dB C.5dB （8）( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A ．同相比例 B ．微分 C ．同相求和 （9）PN 结加正向电压时，空间电荷区将( A )。 A . 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （10）OCL 功率放大电路如图所示，当u i 为正半周时，则( A )。 A . T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1，T2导通 （11）整流的目的是（ A ）。 A . 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波 （12）电路如图所示，二极管D 为理想元件，输入信号u i 为如图所示的三角波，则输出电压u o 的最大值为（ B ）。 A. 5 V B . 7 V C. 2 V 二、填空题：（总 16 分，每空 2 分）

模拟电子技术复习题(填空选择)

填空题 1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V；锗二极管的门槛电压约为_0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。 2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。 3、二极管的最主要特性是单向导电性。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。 4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。 6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。PN具有单向导电特性。 7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为0.7伏；其门坎电压V th 约为0.5伏。 8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。 9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。 、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7 V 13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响应。 、三极管放大电路的三种基本组态是共集、共基、共射。 30、多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有直接耦合，阻容耦合，变压器耦合。 31、在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形，用示波器观察V O和V I的波形，则V O和V I的相位差为1800；当为共集电极电路时，则V O和V I的相位差为0。 、三极管工作在放大区时，它的发射结保持正向偏置，集电结保持反向偏置。 39、在多级放大电路中总的通频带比其中每一级的通频带窄。 41、场效应管属于电压控制电流型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是电流控制电流型器件。

最新模电课后习题答案

模电典型例题分析 第二章 题2.1 如图所示电路，已知集成运放开环差模电压增益为∞，其电源电压±VCC=±14V ，Ui=1V ；R1＝10k,Rw=100k 。请问：当Rw 滑动端分别在最下端、最上端和中点时时，输出Uo ＝？V ； 解： 14V ,1V,6V 题2.2 在题图所示的放大电路中，已知Ω=====k R R R R R 1087521，Ω===k R R R 201096∶ ① 列出1O u 、2O u 和O u 的表达式； ② 设V u I 3.01=，V u I 1.02=，则输出电压?=O u 注：此图A 1的同相端、反相端标反。 解 分析：本题中，运放A 1构成反相比例运用电路，A 2构成同相比例运用。而A 3则构成了一个减法电路，由于可将运放当作理想器件，又在线线场合下使用，所以可使用“虚短”及“虚断”的两个基本概念来对电路进行分析。 （1） 21111152221 610 10 10311202O I I I O I I I R u u u u R R u u u u R =- =-?=-???? =+=+?= ? ????? 对A 3，1032222 810202 10203O O O I R u u u u u R R +=?===++ 因为0133079u u u u R R ---=－ 332011I I u u u u u -+===-

()()90313212712 20 10 23O I I I I I R u u u u u u u R u u -=- -=---=+ （2）120.3,0.120.330.10.9I I O u V u V u V ===?+?= 题2.3 加减运算电路如图所示，求输出电压O u 的值。 R u 分析：本题中运放A 构成了差分减法电路，由于运放可作理想器件，且工作在线性区，可用“虚短”和“虚断”的基本概念来分析电路。此电路的同相和反相端分别有两个输入信号，因此可用叠加原理来分析。 1s u 单独作用：2s u 、 3s u 、4s u 接地，此时输出为O1u F O11 1s R u u R =- 2s u 单独作用：1s u 、 3s u 、4s u 接地，此时输出为O2u F O222 s R u u R =- 3s u 单独作用：1s u 、 2s u 、4s u 接地，此时输出为O3u 45 p 3 453////s R R u u R R R =+ N P N O3N 12F //u u u u u R R R =-∴=Q F O3N 12 (1)//R u u R R =+ 45F 3 12453//(1)////s R R R u R R R R R =++ 4s u 单独作用：1s u 、 2s u 、3s u 接地，此时输出为O4u 35F O44 12354 //(1)////s R R R u u R R R R R =+ +

模拟电子技术基础考试试题答案70161

一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在 区时，关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时， 视为短路， 视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时，稳压二极管 。 A ：稳压效果变差 B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大 C ：反向截止 D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为 。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管，正确的说法是 。

模电(第四版)习题解答

模拟电子技术基础 第四版 清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答

目录 第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3 第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126

第1章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。 (1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ×) (3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( √ ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( ×) (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证 R大的特点。( √) 其 GS U大于零，则其输入电阻会明显变小。( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的 GS 二、选择正确答案填入空内。 (l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A.变窄 B.基本不变 C.变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 (4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。 A.结型管 B.增强型MOS 管 C.耗尽型MOS 管 三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。 图T1.3 解：U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。 四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。求图Tl.4所示电路

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

模电试题及标准答案

《模拟电子技术基础》试题（A 卷） 学号 姓名 . 一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。 （10分） （1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。 （ ） （2）电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。 （ ） （3）使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。 （ ） （4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。 （ ） （5）利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。 （ ） （6）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。 （ ） （7）未加外部电压时，PN 结中电流从P 区流向N 区。 （ ） （8）集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。 （ ） （9）只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。 （ ） （10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。 （ ） 二、选择填空 （10分） （1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入 。 （A ）电流负反馈 （B ）电压负反馈 （C ）直流负反馈 （D ）交流负反馈 （2）RC 串并联网络在RC f f π21 0= =时呈 。 （A ）感性 （B ）阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用 。 （A ）共基接法 （B ）共集接法 （C ）共射接法 （D ）差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。 （A ）β （B ）β 2 （C ）2β （D ）1+β （5）在（A ）、（B ）、（C ）三种电路中输出电阻最小的电路是 ； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 。 （A ）共基放大电路 （B ）共集放大电路 （C ）共射放大电路 （6）当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E 。 （A ） > （B ） < （C ） = （D ）≤ （7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 。

模电课后习题参考答案

《自测题、思考题与习题》参考答案 第1章 自测题 一、1.杂质浓度；温度。2.减小；增大。3.单向导电；最大整流电流I F；最大反向工作电压U RM。4.0.5；；；。5. 15V；；；；6V；。6.大；整流。 二、1.①；⑤；②；④。2. ②；①。3.①。4.③。5.③。6.③。 三、1、2、5、6对； 3、4错。 思考题与习题 1.3.1 由直流通路(图略)得I D=/×103≈；则有r d≈26(mV)/I D(mA)=Ω。再由微变等效电路(图略)可得输出电压交流分量u o≈[+25)]u i≈ωt(mV)。 1.3.2(a)U D=-3V，VD截止，U AB=-12V。(b) U D1=10V，U D2=25V，VD2优先导通，VD1截止，U AB=-15V。 1.3.3 当u i≥时VD1导通，VD2截止，u o=；当u i≤时VD2导通，VD1截止，u o=；当≤u i≤时VD1、VD2均截止，u o=u i。故u o为上削顶下削底，且幅值为±的波形(图略)。 1.3.4 在等效电路中，两二极管可由图(c)来表示。当< u i<时，VD1、VD2均截止，u o=u i。当u i≥时VD1导通，VD2截止，u o=[(u i-U th)/(R+r D)]r D+U th，其最大值为U om≈。同理，当u i≤时，U om≈。图略。 1.3.5 由分压公式分别求得U A=5V，U B=8V，U BC=5V。因U CA=U C-U A=U CB+U B-U A= -2V。截止。1.4.1 当u i>8V时，稳压管起稳压作用，u o=8V；U Z，稳压管起稳压作用，U O=U Z=12V，I L=U O/R L=6mA，I R=(U I-U O)/R=12mA，I Z=I R-I O=6mA。(2)当负载开路时，I Z=I R=12mA。(3) I L=6mA，I R=(U I-U O)/R=14mA，I Z=I R-I L=8mA。 第2章 自测题 一、1. 15；100；30。2.(从左到右)饱和；锗管放大；截止；锗管放大；饱和；锗管放大；硅管放大；截止。3. (1)6V；(2) 1mA，3V；(3)3kΩ，3kΩ；(4) 50，-50；(5) 1V；(6)20μA； (7)30mV。4.(1) 1mA，6V；(2)Ω，Ω；(3) 。5.削底，削底，削底。6.共集；共集；共集和共基；共集；共射。 二、1.②。2.④。3. ③。4.②；①；④。5.②④。6.④。 三、1、5对；2、3、4、6错。 思考题与习题 2.1.1 (a)NPN硅管，1-e、2-b、3-c。(b)PNP硅管，1-c、2-b、3-e。(c)PNP锗管，1-c、2-e、3-b。

模电总结复习资料+期末试题A及答案

第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳

模拟电路填空题及答案

1在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5 V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7 V;锗二极管的门槛电压约为_0.1_ V,导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。 2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。 3、二极管的最主要特性是单向导电性°PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽 层变窄。 4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极 管与输入电源之间必须加入一个电阻。 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号 下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。 6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。PN具有具有单向导电特性。 7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为0.7 伏；其门坎电压V th约为0.5 伏。 8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。 9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子一空穴对。 10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（P）半导体和电子（N ）半导体两大类。 11、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映 反向特性的反向击穿电压。 12、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V。 13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输岀随频率连续变化的稳态响应。 15、N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。 16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。 17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路电容，影响高频信号放大的是结电容。 18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的B增加，则I BQ增

模电课后习题 (4)

习题八 8.1选择正确的答案填入空内。 （1）场效应管的漏极电流是由( )的漂移运动形成的。 A.少子 B.多子 C.两种载流子 （2）场效应管是一种( )控制型的电子器件。 A.电流 B.光 C.电压 （3）场效应管是利用外加电压产生的( )来控制漏极电流的大小的。 A.电流 B.电场 C.电压 （4）与双极型晶体管比较，场效应管( )。 A.输入电阻小 B.制作工艺复杂 C.放大能力弱 (5)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为3mA 时，它的低频跨导将( )。 A.增大 B.减小 C.不变 (6)某场效应管的转移特性如由题8.1图所示，则该管是( )场效应管 。 A.增强型NMOS B.耗尽型NMOS C.耗尽型PMOS (7)当耗尽型场效应管工作于放大区时， 场效应管I D 的数学表达式为( )。 A.GS v D SS D e I i = B.2)(D S G S D SS D v v I i -= C.2) ()1(off GS GS DSS D v v I i - = （8）当栅源电压V GS ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有( )。 A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 答案（1）B （2）C （3）B （4）C (5) A (6) B (7) C （8）A C 8.2 已知场效应管的输出特性曲线如题8.2图(a)所示，画出它在恒流区的转移特性曲线。 题8.2图 v DS /V i D /mA i D /mA v GS /V (a) 输出特性曲线 (b) 转移特性曲线 题8.1图 P v GS /V

模电实验常见问题解决报告

模电实验常见问题解决报告 学号：201303080511 一学期的模电实验已经结束，本人经历了不少的艰难探索，也收获了不少的模电实践经验。因为在实验中遇到了不少的问题以及解决方法的不当，所以我的实验速度总是会受到不少的影响，但是也因此学会了不少的常见问题以及解决方法，感受颇深。故决定结合自己的短短一学期的实验经验以及其他资料的补充，制作这篇模电实验常见问题解决报告。 注意：此报告的涉及范围仅为本学期所涉及的实验及仪器（实验一、二、五、六、七） 一、万用表： 1.万用表如何检测？ 答：在使用万用表时，首先检查万用表的状态，将万用表档位开关打到电阻档，把红笔和黑笔两表笔金属头搭接到一起，电阻显示为0时，证明万用表表完好，可以使用。然后将万用表档位开关旋转到需要的档位，将红、黑表笔插到万用表相应的测试插孔，并搭接到测试点进行测量。 2.电路连接正常，但是测量电压时万用表上显示数值为0 答： (1)检查交流直流按钮，如果是交流电路一定要切换到交流挡才能测量。 (2)根据预习时所估算的数值估计数据的大小，选择正确的量程，可以一个个切换寻找合适量程。 (3)另外，注意插头是否插紧，有些万用表的插头容易松动。 二、示波器： 1.接通电源后，找不到波形? 答：首先检查通道（CH1,CH2）是否开启,是否误按了接地按钮,其次再检查波形亮度设置是否太小，或者纵坐标单位太大，导致波形太大不在显示屏内。 2.波形不稳定？ 答：首先选择自动触发旋钮，再者旋转触发电平旋钮，还不行就调节扫描速率旋钮，若波形抖动剧烈，并出现多个波形，把扫描速率调大，或者检查示波器测量探头的测试端和接地端是否接反。若以上方法都不行再调整示波器输入线，调整位置看看波形是否发生变化。 3. 波形幅值大小异常，与实验估算幅值不准 答: 检查示波器探头是否为10×，或者100×，保证探头衰减处在为1×! 三、函数信号发生器： 1.输出的波形严重失真？ 答：注意输出波形的幅值是否过高，过高将会引起饱和失真。 2.发生器屏幕显示的输出正弦波的有效值大小不准确？ 答：不准确则为机器原因，可用示波器的CH2通道与发生器相连，计算相应的峰值，调整

模电填空题(有答案)-推荐下载

填空题： 1：按要求填写下表。 连接方式（e 、c 、b ） 性能比较（大、中、小） 电路名称 公共极 输入极 输出极 u A i A R i R o 其它 共射电路共集电路共基电路 答案：答案如表所示。 连接方式性能比较（大、中、小） 电路名称 公共端 输入端输出端 u A i A R i R o 其它 共射电路e b c 大 大 小 大 共集电路c b e 小大 大 小 共基电路b e c 大小 小 大 频带宽 难度：3 知识点：晶体管单管放大电路的三种基本接法 2：在图P2.10所示电路中，设某一参数变化时其余参数不变，在表中填入 ①增大②减小或③基本不变。 参数变化 I B Q U C E Q u A R i R o R b 增大 R c 增大 R L 增大 答案：答案如解表P2.12所示。 解表P2.12所示 参数变化 I B Q U C E Q u A R i R o 同电压回路交叉时，应采用金属隔板进行隔开处理；同一线槽内，强电回路须同时切断习题电源，线缆敷设完毕，要进行检查和检测处理对全部高中资料试卷电气设备，在安装过程中以及安装结束后进行 高资料试卷技术问题，作为调试人员，需要在事前掌握图纸资料、设备制造厂家出具高中资料试卷试验报告与相关技术资料，并且了解现场设备高中资料试卷布置情况与有关高中资料试卷电气系统接线等情况，然后根据规范与规程规定，制定设备调中资料试卷调试技术是指发电机一变压器组在发生内部故障时，需要进行外部电源高中资料试卷切除从而采用高中资料试卷主要保护装置。

R b 增大 ② ① ② ① ③ R c 增大③② ① ③ ① R L 增大③③① ③ ③ 难度：3 知识点：基本共射放大电路的组成和分析 3：根据下列要求，将应优先考虑使用的集成运放填入空内。已知现有集成运致的 类型是：①通用型 ②高阻型 ③高速型 ④低功耗型 ⑤高压型 ⑥大功率型 ⑦高精度型 （1）作低频放大器，应选用 。 （2）作宽频带放大器，应选用 。 （3）作幅值为1μV 以下微弱信号的量测放大器，应选用 。 （4）作内阻为100k Ω信号源的放大器，应选用 。 （5）负载需5A 电流驱动的放大器，应选用 。 （6）要求输出电压幅值为±80的放大器，应选用 。 （7）宇航仪器中所用的放大器，应选用 。 答案：（1）① （2）③ （3）⑦ （4）② （5）⑥ （6）⑤ （7）④ 难度：4 知识点：集成运放的种类和特点 4：已知某放大电路的波特图如图 T5.3所示，填空： （1）电路的中频电压增益20lg||＝ dB ，＝ 。 m u A m u A （2）电路的下限频率f L ≈ Hz ，上限频率f H ≈ kHz. （3）电路的电压放大倍数的表达式 ＝ 。u A 图T5.3 答案：（1）60 104 （2）10 10 （3）) 10 j 1)(10j 1)(10j 1(j 100)10j 1)(10j 1)(j 101(1054543f f f f f f f +++±+++±或 难度：3 知识点：放大电路的幅度，频率响应 度固图纸方案。 料试

模电题库

1 晶体管工作在放大区时，发射结为____，集电结为____，工作在饱和区时，发射结为____，集电结为____。 A、正向偏置， B、反向偏置， C、零偏置 [答案]A|B|A|A 2 N型半导体是在纯净半导体中掺入____；P型半导体是在纯净半导体中掺入____。 A、带负电的电子， B、带正电的离子， C、三价元素，如硼等， D、五价元素，如磷等 [答案] D|C 3 当PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层；当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。 A、大于， B、小于， C、等于， D、变宽， E、变窄， F、不变 [答案] A|E|B|D 4 在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而____；在保持二极管的正向电流不变的条件下，二极管的正向导通电压随温度升高而____。 A、增大， B、减小， C、不变 [答案] A|B 5 某二极管反向电压为10V时，反向电流为μA 。在保持反向电压不变的条件下，当二 极管的结温升高10℃，反向电流大约为____。 A、0.05μA， B、0.1μA， C、0.2μA， D、1μA [答案] C 6 在如图所示的电路中，当V＝3V时，测得I＝1mA，。 1．当V调到6V，则I将为____。 A、1mA， B、大于1mA，但小于2mA C、2mA， D、大于2mA 2．保持V＝3V不变，温度升高20℃，则将为____。 A、小于0.7V ， B、0.7V不变， C、大于0.7V [答案] D|A 7 电路如图所示，，当直流电源电压V增大时，二极管VD的动态电阻 将____。 A、增大， B、减小， C、保持不变 [答案] B

模电1-3章课后习题

填空 1. 和开路PN结的结区宽度相比较，当PN结加正偏电压时，其结区宽度将变 窄；当PN结加反偏电压时，其结区宽度将变宽。 2. 整流二极管的整流作用是利用PN结的单向导电特性,稳压管的稳压作用是利用PN结的反向击穿特性。 3. 三极管工作在放大状态时，发射结应正偏置，集电结应反偏置。若工 作在饱和状态时，发射结应正偏置，集电结应正偏置。若工作在截 止状态时，发射结应反偏置，集电结应反偏置。 4. 三极管电流放大系数B = 50，J则a = 0.98 ;若a = 0.99, J则B - 99 。 5. 当环境温度升高时，三极管的下列参数变化的趋势是：电流放大系数 大，穿透电流I CEO增加，当I B不变时，发射结正向压降|U BE|减小。 6. 共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时，其电压增益将变大 ; 若负载电阻R L变小时，其电压增益将变小。 7. 单级共射极放大电路产生截止失真的原因是静态lc偏小;产生饱和失真 的原因是lc偏大：若两种失真同时产生，其原因是输入信号太大。 8. 试比较共射、共集和共基三种组态的放大电路，其中输入电阻较大的是 共集电路；通频带较宽的是共基电路；输入电阻较小的是 共基电路；输出电阻较小的是共集电路；输出信号与输入信号同相位的是共集和共基电路;电压增益小于1的是共集电路;带负载能 力较强的是共集电路；既有电流放大能力又有电压放大能力的是共射电路。 9. 单级阻容耦合共射极放大电路的中频电压增益为-100,当信号频率为上限频率f H 时，这时电路的实际增益为-77.7，其输出与输入信号的相位相差 -225 度。 10. 某放大电路的对数幅频特性如图所示，由图可知，该电路的中频电压放大倍

模拟电子线路期末复习填空题

期末复习填空题(共177空) 1、BJT三极管内部有个PN结，JFET三极管内部有个PN结,MOS场效应管共有种类型。 将。 2、当场效应管的漏极静态电流增大时，它的低频跨导g m 3、本征半导体的导电能力比杂质半导体的导电能力。电子型半导体称型半导体。 4、二极管最主要的特性。温度升高时，二极管的反向饱和电流。 5、PN结加正向电压，空间电荷区将；PN结加反向电压，空间电荷区将。 6、稳压管通常工作在区，反向电流在较大范围内变化时，两端电压。 7、BJT三极管是控制器件，除共射连接外还有共基和共集连接方式。场效应管是控制器件。 8、P型半导体是在本征半导体中掺入了原子（填“受主”或“施主”）形成的杂质半导体，其少子是。 9、杂质半导体的导电性能决定于。 10、PN结反偏电压越大其势垒电容越。 11、N型半导体是在本征半导体中掺入了 5 价元素的原子，其多数载流子是。 12、二极管的伏安特性方程为。 13、BJT三极管工作在放大状态时，发射结偏，集电结偏；当温度升高时，三极管电流放大倍数变化的趋势是。 14、P型半导体是在本征半导体中掺入价元素的原子，其多数载流子是。 ≈；二极管的整流作用是利用了PN结的15、二极管正向导通时的交流电阻r d ____特性。 16、BJT三极管工作在饱和状态时，发射结偏，集电结偏。 17、当温度升高时，BJT三极管集射极之间的穿透电流I CEO变化的趋势是。 18、N型半导体是在本征半导体中掺入了原子（填“受主”或“施主”），其少数载流子是。 19、PN结有两种电容效应，除扩散电容外还存在电容。 20、一般二极管作稳压二极管使用；稳压二极管作一般二极管使用（填“能”或“不能”）。 21、三极管工作在放大状态时，发射结电流是电流，集电结电流是电流（填“正向”或“反向”）。 22、按结构不同场效应管分为型和型两大类。 23、温度升高时，杂质半导体中的（填“少子”或“多子”）浓度明显增加。 24、二极管在温度升高时，正向特性曲线移；反向特性曲线移。 25、稳压管是利用了二极管的反向击穿特性制成的。 26、在JFET、增强型MOSFET及耗尽型MOSFET中，U =0V时能够工作在恒流区的FET GS 是 JFET 和耗尽型MOSFET 。 27、如果BJT三极管电极电位分别为-2.5V，-3.2V，-9V，则可以判断此三极管为 PNP 型三极管。 28、由NPN管组成的单管共射放大电路中，当静态工作电流太时，易产生饱 和失真，输出电压波形被削去；饱和失真时集电结偏。 29、图1所示是N沟道JFET的转移特性曲线，其饱和漏极电流I DSS= mA，夹断电 U GS(off)= V。