当前位置:文档之家› 第十六讲:存储器及其接口(三) 主讲老师:王克义

第十六讲:存储器及其接口(三) 主讲老师:王克义

微机原理与接口技术(楼顺天第二版)第六章习题解答

微机原理与接口技术(楼顺天第二版)第六章习题解答

微机原理与接口技术(楼顺天第二版)习题解答 第6章总线及其形成 6.1答:内存储器按其工作方式的不同,可以分为随机存取存储器(简称随机存储器或RAM)和只读存储器(简称ROM)。 随机存储器。随机存储器允许随机的按任意指定地址向内存单元存入或从该单元取出信息,对任一地址的存取时间都是相同的。由于信息是通过电信号写入存储器的,所以断电时RAM中的信息就会消失。计算机工作时使用的程序和数据等都存储在RAM中,如果对程序或数据进行了修改之后,应该将它存储到外存储器中,否则关机后信息将丢失。通常所说的内存大小就是指RAM 的大小,一般以KB或MB为单位。 只读存储器。只读存储器是只能读出而不能随意写入信息的存储器。ROM中的内容是由厂家制造时用特殊方法写入的,或者要利用特殊的写入器才能写入。当计算机断电后,ROM中的信息不会丢失。当计算机重新被加电后,其中的信息保持原来的不变,仍可被读出。ROM适宜存放计算机启动的引导程序、启动后的检测程序、系统最基本的输入输出程序、时钟控制程序以及计算

机的系统配置和磁盘参数等重要信息。 6.2 答:存储器的主要技术指标有:存储容量、读写速度、非易失性、可靠性等。 6.3答:在选择存储器芯片时应注意是否与微处理器的总线周期时序匹配。作为一种保守的估计,在存储器芯片的手册中可以查得最小读出周(R)(Read Cycle Time)和最小写周期期t cyc t (W)(Write Cycle Time)。如果根据计算,微cyc 处理器对存储器的读写周期都比存储器芯片手册中的最小读写周期大,那么我们认为该存储器芯片是符合要求的,否则要另选速度更高的存储器芯片。 8086CPU对存储器的读写周期需要4个时钟周期(一个基本的总线周期)。因此,作为一种保守的工程估计,存储器芯片的最小读出时间应满足如下表达式: t cyc(R)<4T -t da-t D-T 其中:T为8086微处理器的时钟周期;t da 为8086微处理器的地址总线延时时间;t D为各种因素引起的总线附加延时。这里的t D应该认为是总线长度、附加逻辑电路、总线驱动器等引起的延时时间总和。 同理,存储器芯片的最小写入时间应满足如下表达式: t cyc(W)<4T-t da―t D―T

第六章课后习题答案

第六章习题 (二)填空题 1 . MCS-51可提供程序和数据两种存储器、最大存储空间可达64K 的两个并行存储器扩展系统。 2. 为扩展存储器而构造系统总线,应以P0口的8位口线作为低位地址/数据线,以P2口的口线作为高位地址。 3. 在存储器编址技术中,不需要额外增加电路,但却能造成存储器映象区重叠的编址方法是线选法,能有效利用存储空间适用于大容量存储器扩展的编址方法是译码法。 4. 为实现内外程序存储器的衔接,应使用EA 信号进行控制。 5. 访问内部RAM使用MOV 指令,访问外部RAM使用MOVX指令,访问内部ROM 使用MOVC 指令,访问外部ROM使用MOVC 指令。 6. 与微型机不同,单片机必须具有足够容量的程序存储器是因为没有保存程序的外部设备。 7. 在存储器扩展中,无论是线选法还是译码法,最终都是为扩展芯片的片选端提供信号。 8. 在接口电路中,把已经编址并能进行读写操作的寄存器称为口或端口。 9. 从单片机的角度上看,连接到数据总线上的输出口应具有锁存功能,连接到数据总线上的输入口应具有三态缓冲功能。 10. 在三态缓冲电路中,除了数据输入线和数据输出线外,还应当有一个三态控制信号线。 11. 在MCS-51单片机系统中,采用的编址方式是统一编址方式。 12. 在单片机中,为实现数据的I/O传送,可使用3种控制方式,即无条件传送方式、查询方式和中断方式。 13. 在查询和中断两种数据输入输出控制方式中,效率较高的是中断方式。 14. 在多位LED显示器接口电路的控制信号中,必不可少的是段控信号和位 控信号。 15. 简单输入口扩展是为了实现输入数据的缓冲功能,而简单输出口扩展是为了实现输出数据的锁存功能。 16. 8255A能为数据I/O操作提供A、B、C 3个8位口,其中A口和B口只能作为数据口使用,而C口则既可作为数控口使用,又可作为控制口使用。 17. 与8255A比较,8155的功能有所增强,主要表现在8155具有256 单元的RAM 和一个14 位的定时器/计数器。 (三)选择题 1.在MCS-51中,需双向传递信号的是 (A)地址线(B)数据线(C)控制信号线(D)电源线2.在MCS-51中,为实现P0口线的数据和低位地址复用,应使用 (A)地址锁存器(B)地址存储器 (C)地址缓冲器(D)地址译码器 3.在下列信号中,不是给程序存储器扩展使用的是 (A)PSEN (B)EA (C)ALE (D)WR 4.在下列信号中,不是给程序存储器扩展使用的是 (A)EA(B)RD (C)WR (D)ALE

存储器及其接口

存储器的种类、特性和结构 一、分类 按元件组成:半导体M,磁性材料存储器(磁芯), 激光存储器 按工作性质:内存储器:速度快,容量小(64K?8Gbyte) 外存储器:速度慢,容量大(20MB?640GB)二、半导体存储分类 RAM SRAM 静态 DRAM 动态 IRAM 集成动态 ROM 掩膜ROM PROM 可编程 EPROM 可改写 E PROM 可电擦除 三、内存储器性能指标 1. 容量M可容纳的二进制信息量,总位数。 总位数=字数×字长bit,byte,word 2. 存取速度 内存储器从接受地址码,寻找内存单元开始,到它 取出或存入数据为止所需的时间,T A。 T A越小,计算机内存工作速度愈高,半导体M存储 时间为几十ns?几百ns ns=mus 3.功耗 维持功耗操作功耗 CMOS NMOS TTL ECL (低功耗.集成度高)(高速.昂贵.功耗高) 4、可靠性 平均故障间隔时间 MTBF(Mean Time Between Failures) 越长,可靠性越高.跟抗电磁场和温度变化的能力有关. 5、集成度 位/片1K位/片?1M位/片

在一块芯片上能集成多少个基本存储电路 (即一个二进制位) 四、存储器的基本结构 随机存储器RAM 或读写存储器 一、基本组成结构 存储矩阵 寄存二进制信息的基本存储单元的集合体,为便于读写,基本存储单元都排列成一定的阵列,且进行编址。 N×1—位结构:常用于较大容量的SRAM,DRAM N×4 N×8 —字结构常用于较小容量的静态SRAM

2、地址译码器 它接收来自CPU的地址信号,产生地址译码信号。选中存储矩阵中某一个或几个基本存储单元进行读/写操作 两种编址方式: 单译码编址方式. 双译码编址方式 (字结构M)(复合译码) 存储容量

微机原理与接口技术第六章习题解答

微机原理与接口技术(楼顺天第二版)习题解答 第6章 总线及其形成 6、1答:内存储器按其工作方式的不同,可以分为随机存取存储器(简称随机存储器或RAM)与只读存储器(简称ROM)。 随机存储器。随机存储器允许随机的按任意指定地址向内存单元存入或从该单元取出信息,对任一地址的存取时间都就是相同的。由于信息就是通过电信号写入存储器的,所以断电时RAM 中的信息就会消失。计算机工作时使用的程序与数据等都存储在RAM 中,如果对程序或数据进行了修改之后,应该将它存储到外存储器中,否则关机后信息将丢失。通常所说的内存大小就就是指RAM 的大小,一般以KB 或MB 为单位。 只读存储器。只读存储器就是只能读出而不能随意写入信息的存储器。ROM 中的内容就是由厂家制造时用特殊方法写入的,或者要利用特殊的写入器才能写入。当计算机断电后,ROM 中的信息不会丢失。当计算机重新被加电后,其中的信息保持原来的不变,仍可被读出。ROM 适宜存放计算机启动的引导程序、启动后的检测程序、系统最基本的输入输出程序、时钟控制程序以及计算机的系统配置与磁盘参数等重要信息。 6、2 答:存储器的主要技术指标有:存储容量、读写速度、非易失性、可靠性等。 6、3 答:在选择存储器芯片时应注意就是否与微处理器的总线周期时序匹配。作为一种保守的估计,在存储器芯片的手册中可以查得最小读出周期t cyc (R)(Read Cycle Time)与最小写周期t cyc (W)(Write Cycle Time)。如果根据计算,微处理器对存储器的读写周期都比存储器芯片手册中的最小读写周期大,那么我们认为该存储器芯片就是符合要求的,否则要另选速度更高的存储器芯片。 8086CPU 对存储器的读写周期需要4个时钟周期(一个基本的总线周期)。因此,作为一种保守的工程估计,存储器芯片的最小读出时间应满足如下表达式: t cyc (R)<4T -t da -t D -T 其中:T 为8086微处理器的时钟周期;t da 为8086微处理器的地址总线延时时间;t D 为各种因素引起的总线附加延时。这里的t D 应该认为就是总线长度、附加逻辑电路、总线驱动器等引起的延时时间总与。 同理,存储器芯片的最小写入时间应满足如下表达式: t cyc (W)<4T -t da ―t D ―T 6、4 答:全地址译码、部分地址译码与线选。全地址译码方式下CPU 地址总线的所有地址均参与存储单元的地址译码,存储单元地址唯一;部分地址译码方式与线选方式下CPU 地址总线的有一些地址信号没有参与译码,则取0或取1均可,所以存储器的存储单元地址不唯一,有重复。 6、5 答:数据总线的低8位接偶存储体,高8位接奇存储体;地址总线的A19~A1同时对奇偶存储体寻址,地址总线的A0只与偶地址存储体连接,BHE 与奇地址存储体连接。 6、6 答:(1)1k ×1 328 25611 K K ?=?片,片内寻址:09A A :,共10位;片选控制信 号:1015A A :,共6位。 (2)1k ×4 328 6414 K K ?=?片,片内寻址:09A A :,共10位; 片选控制信 号:1015A A :,共6位。 (3)4k ×8 328 848 K K ?=?片,片内寻址:011A A :,共12位; 片选控制信

第六章“输入输出及接口”习题答案

第六章输入输出及接口 〔习题6.2〕 I/O端口与存储器地址常有__????___?和__????___?两种编排方式,8088/8086处理器支持后者,设计有专门的I/O指令。其中指令IN是将数据从__????___?传输到__????___?,执行该指令时8088/8086处理器引脚产生__????___?总线周期。指令“OUT DX, AL”的目的操作数是__????___?寻址方式,源操作数是__????___?寻址方式。 〔解答〕 (I/O端口与存储器地址)统一编址 (I/O端口与存储器地址)独立编址 外设 处理器 I/O读 (I/O端口的DX)寄存器间接 寄存器 〔习题6.4〕 基于教程P142图6-7接口电路,编程使发光二极管循环发光。具体要求是:单独按下开关K0,发光二极管以L0、L1、L2、……L7顺序依次点亮,每个维持200ms,并不断重复,直到有其他按键操作;单独按下开关K1,发光二极管以L7、L6、L5、……L0顺序依次点亮,每个也维持200ms,并不断重复,直到有其他按键操作;其他开关组合均不发光,单独按下开关K7,则退出控制程序。延时200ms可以直接调用子程序DELAY实现。 〔解答〕 again: mov dx,6000h mov al,0ffh out dx,al ;全不亮 again1: in al,dx cmp al,7fh ;D7~D0=0111111B ? jz done ;单独按下K7,退出 cmp al,0feh ;D7~D0=11111110B ? jz next1 ;单独按下K0,转移到next1 cmp al,0fdh ;D7~D0=11111101B ? jz next2 ;单独按下K1,转移到next2 jmp again ;其它情况不点亮 next1: mov cx,8 mov al,1 ;从K0开始 next11: out dx,al ;某个LED电亮 call delay ;延时200ms shl al,1 ;rol al,1 loop next11 jmp again1 next2: mov cx,8

5 内存储器

第四课内存储器 第一节内存的类型 内存是一组,或多组具有数据输入/输出和数据存储功能的集成电路。存根据其存储信息的特点,主要有两种基本类型: 第一种类型是只读存储器ROM(Read Only Memory),只读存储器强调其只读性,这种内存里面存放一次性写入的程序和数据,只能读出,不能写入; 第二种类型是随机存取存储器RAM(Random Access Memory),它允许程序通过指令随机地读写其中的数据。 1. 只读存储器ROM 存储在ROM中的数据理论上是永久的,既使在关机后,保存在ROM中的数据也不会丢失。因此,ROM中常用于存储微型机的重要信息,如主板上的BIOS等。常见类型如下: (1) ROM 这是标准ROM,用于存储不随外界的因素变化而永久性保存的数据。在ROM中,信息是被永久性融刻在ROM单元中的,这使得ROM在完成融刻工作之后,不可能将其中的信息改变。 (2) PROM(Programmable Rom)

即可编程ROM,它的工作情况与CD-R相似,允许一次性地写入其中的数据,一旦信息被写入PROM后,数据也将被永久性地融刻其中了,其他方面与上面介绍的ROM就没有什么两样了。 (3) EPROM(Erasable Programmable Rom) 即可擦写、可编程ROM,它可以通过特殊的装置(通常是紫外线)反复擦除,并重写其中的信息。 (4) EEPROM(Electrically Erasable Programmable Rom) 即电可擦写、可编程ROM,可以使用电信号来对其进行擦写。因此便于对其中的信息升级,常用于存放系统的程序和数据。 (5) Flash Memory Flash Memory 即闪存存储器,又称闪存,是目前取代传统的EPROM和EEPROM的主要非挥发性存储器,目前主板上的BIOS 都是使用Flash Memory。它的存取时间仅为30ns,并具有体积小,高密度,低成本和控震性能好的优点,是目前为数不多的同时具有大容量、高速度、非易失性、可在线擦写特性的存储器。Flash Memory 除用于系统的BIOS外,在移动存储器和HUB、路由器等网络设备中也得到了广泛的应用。 2. 随机存取存储器RAM

最新存储器及其接口

存储器及其接口

存储器的种类、特性和结构 一、分类 按元件组成:半导体M,磁性材料存储器(磁芯),激光存储器 按工作性质:内存储器:速度快,容量小(64K?8Gbyte)外存储器:速度慢,容量大(20MB?640GB) 二、半导体存储分类 RAM SRAM 静态 DRAM 动态 IRAM 集成动态 ROM 掩膜ROM PROM 可编程 EPROM 可改写 E PROM 可电擦除 三、内存储器性能指标 1. 容量 M可容纳的二进制信息量,总位数。 总位数=字数×字长 bit,byte,word 2. 存取速度 内存储器从接受地址码,寻找内存单元开始,到它

取出或存入数据为止所需的时间,T A。 T A越小,计算机内存工作速度愈高,半导体M存储时间为几十ns?几百ns ns=mus 3.功耗 维持功耗操作功耗 CMOS NMOS TTL ECL (低功耗.集成度高)(高速.昂贵.功耗高) 4、可靠性 平均故障间隔时间 MTBF(Mean Time Between Failures) 越长,可靠性越高.跟抗电磁场和温度变化的能力有关. 5、集成度 位/片 1K位/片?1M位/片 在一块芯片上能集成多少个基本存储电路 (即一个二进制位) 四、存储器的基本结构

随机存储器 RAM 或读写存储器 一、基本组成结构 存储矩阵 寄存二进制信息的基本存储单元的集合体,为便于读写,基本存储单元都排列成一定的阵列,且进行编址。 N×1—位结构:常用于较大容量的SRAM,DRAM

N×4 N×8 —字结构常用于较小容量的静态SRAM 2、地址译码器 它接收来自CPU的地址信号,产生地址译码信号。选中存储矩阵中某一个或几个基本存储单元进行读/写操作 两种编址方式: 单译码编址方式. 双译码编址方式 (字结构M)(复合译码) 存储容量

微机原理与接口技术第六章习题解答

微机原理与接口技术(楼顺天第二版)习题解答 第6章 总线及其形成 答:内存储器按其工作方式的不同,可以分为随机存取存储器(简称随机存储器或RAM )和只读存储器(简称ROM )。 随机存储器。随机存储器允许随机的按任意指定地址向内存单元存入或从该单元取出信息,对任一地址的存取时间都是相同的。由于信息是通过电信号写入存储器的,所以断电时RAM 中的信息就会消失。计算机工作时使用的程序和数据等都存储在RAM 中,如果对程序或数据进行了修改之后,应该将它存储到外存储器中,否则关机后信息将丢失。通常所说的内存大小就是指RAM 的大小,一般以KB 或MB 为单位。 只读存储器。只读存储器是只能读出而不能随意写入信息的存储器。ROM 中的内容是由厂家制造时用特殊方法写入的,或者要利用特殊的写入器才能写入。当计算机断电后,ROM 中的信息不会丢失。当计算机重新被加电后,其中的信息保持原来的不变,仍可被读出。ROM 适宜存放计算机启动的引导程序、启动后的检测程序、系统最基本的输入输出程序、时钟控制程序以及计算机的系统配置和磁盘参数等重要信息。 答:存储器的主要技术指标有:存储容量、读写速度、非易失性、可靠性等。 答:在选择存储器芯片时应注意是否与微处理器的总线周期时序匹配。作为一种保守的估计,在存储器芯片的手册中可以查得最小读出周期t cyc (R)(Read Cycle Time)和最小写周期t cyc (W)(Write Cycle Time)。如果根据计算,微处理器对存储器的读写周期都比存储器芯片手册中的最小读写周期大,那么我们认为该存储器芯片是符合要求的,否则要另选速度更高的存储器芯片。 8086CPU 对存储器的读写周期需要4个时钟周期(一个基本的总线周期)。因此,作为一种保守的工程估计,存储器芯片的最小读出时间应满足如下表达式: t cyc (R)<4T -t da -t D -T 其中:T 为8086微处理器的时钟周期;t da 为8086微处理器的地址总线延时时间;t D 为各种因素引起的总线附加延时。这里的t D 应该认为是总线长度、附加逻辑电路、总线驱动器等引起的延时时间总和。 同理,存储器芯片的最小写入时间应满足如下表达式: t cyc (W)<4T -t da ―t D ―T 答:全地址译码、部分地址译码和线选。全地址译码方式下CPU 地址总线的所有地址均参与存储单元的地址译码,存储单元地址唯一;部分地址译码方式和线选方式下CPU 地址总线的有一些地址信号没有参与译码,则取0或取1均可,所以存储器的存储单元地址不唯一,有重复。 答:数据总线的低8位接偶存储体,高8位接奇存储体;地址总线的A19~A1同时对奇偶存储体寻址,地址总线的A0只与偶地址存储体连接,BHE 与奇地址存储体连接。 答:(1)1k ×1 328 25611 K K ?=?片,片内寻址:09A A :,共10位;片选控制信号: 1015A A :,共6位。 (2)1k ×4 328 6414 K K ?=?片,片内寻址:09A A :,共10位; 片选控制信号: 1015A A :,共6位。 (3)4k ×8 328 848 K K ?=?片,片内寻址:011A A :,共12位; 片选控制信号:

第五章存储器习题

第五章存储器及其接口 1.单项选择题 (1)DRAM2164(64K╳1)外部引脚有() A.16条地址线、2条数据线 B.8条地址线、1条数据线 C.16条地址线、1条数据线 D.8条地址线、2条数据线 (2)8086能寻址内存贮器的最大地址范围为() A.64KB B.512KB C.1MB D.16KB (3)若用1K╳4b的组成2K╳8b的RAM,需要()。 A.2片 B.16片 C.4片 D.8片 (4)某计算机的字长是否2位,它的存储容量是64K字节编址,它的寻址范围是()。 A.16K B.16KB C.32K D.64K (5)采用虚拟存储器的目的是() A.提高主存的速度 B.扩大外存的存储空间 C.扩大存储器的寻址空间 D.提高外存的速度 (6)RAM存储器器中的信息是() A.可以读/写的 B.不会变动的 C.可永久保留的 D.便于携带的 (7)用2164DRAM芯片构成8086的存储系统至少要()片 A.16 B.32 C.64 D.8 (8)8086在进行存储器写操作时,引脚信号M/IO和DT/R应该是() A.00 B。01 C。10 D。11 (9)某SRAM芯片上,有地址引脚线12根,它内部的编址单元数量为()A.1024 B。4096 C。1200 D。2K (11)Intel2167(16K╳1B)需要()条地址线寻址。 A.10 B.12 C.14 D.16 (12)6116(2K╳8B)片子组成一个64KB的存贮器,可用来产生片选信号的地址线是()。 A.A 0~A 10 B。A ~A 15 C。A 11 ~A 15 D。A 4 ~A 19 (13)计算一个存储器芯片容量的公式为() A.编址单元数╳数据线位数B。编址单元数╳字节C.编址单元数╳字长D。数据线位数╳字长(14)与SRAM相比,DRAM() A.存取速度快、容量大B。存取速度慢、容量小 C.存取速度快,容量小D。存取速度慢,容量大 (15)半导动态随机存储器大约需要每隔()对其刷新一次。A.1ms B.1.5ms C.1s D.100μs (16)对EPROM进行读操作,仅当()信号同时有效才行,。A.OE、RD B。OE、CE C。CE、WE D。OE、WE 2.填空题 (1)只读存储器ROM有如下几种类型:_________. (2)半导体存储器的主要技术指标是_________。

相关主题
相关文档 最新文档