0603单色系列
Part NO. Color Wavelength(nm) Intensity(mcd)
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0603单色系列R/Y/B/G/YG/W 140
DESCRIPTION
特点：体积小，角度大，亮度高，低电压驱动
包装：卷带包装，4000个/卷
推荐使用范围：指示器、背光产品、显示屏
焊接：TTW 焊接，回流焊焊接。
0805单色系列
Part NO.
Color Wavelength(nm)
Intensity(mcd)
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0805单色系列
R/Y/A/B/G/YG/W 140
DESCRIPTION 特点：体积小，角度大，亮度高，低电压驱动
包装：卷带包装，
3000个/卷
推荐使用范围：指示器、背光产品、显示屏
焊接：TTW 焊接，回流焊焊接。
1206单色系列
Part NO. Color Wavelength(nm) Intensity(mcd)
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1206单色系列
R/Y/A/B/G/YG/W
140
DESCRIPTION 特点：体积小，角度大，亮度高，低电压驱动
包装：卷带包装，3000个/卷
推荐使用范围：指示器、背光产品、显示屏
焊接：TTW 焊接，回流焊焊接。
3020单色系列
Part NO.
Color
Wavelength(nm)
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3020单色系列
R/Y/B/G/W 120
DESCRIPTION
封装：白色PLCC 外壳,硅胶或环氧树脂封装;
特点：体积小，角度大，亮度高，低电压驱动，颜色一致性好，无色差;
包装：编带包装,2000PCS /卷;
推荐使用范围：背光产品、灯条灯带，广告照明; 焊接：TTW 焊接，回流焊焊接;
5050全彩RGB
Part NO.
Color
Wavelength(nm)
Intensity(mcd)
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5050全彩RGB
RGB RGB 120
DESCRIPTION
封装：白色PLCC 外壳,硅胶或环氧树脂封装;
特点：体积小，角度大，亮度高，低电压驱动，颜色一致性好，无色差;
包装：编带包装，1000PCS
/卷;
推荐使用范围：背光产品、灯条灯带，广告照明; 焊接：TTW 焊接，回流焊焊接;
3528单色系列
Part NO.
Color
Wavelength(nm)
Intensity(mcd)
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3528单色系列
R/Y/A/B/G/YG/PR/W 120
DESCRIPTION
封装：白色PLCC外壳,硅胶或环氧树脂封装;
特点：体积小，角度大，亮度高，低电压驱动，颜色一致性好，无色差;包装：编带包装，2000PCS/卷;
推荐使用范围：背光产品、灯条灯带，广告照明;
焊接：TTW 焊接，回流焊焊接;
3V内凹系列
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Wavelength(nm)
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3V系列
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产品型号发光颜
色
电压范围（v）亮度范围（mcd）波长（nm）发光角度
3T 平头系列
Part NO.
Color
Wavelength(nm)
Intensity(mcd)
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3T 系列
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产品型号
发光颜
电压范围（v ） 亮度范围（mcd ） 波长（nm ） 发光角度
30圆头系列
Part NO. Color Wavelength(nm)
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30系列
产品型号 发光颜
电压范围（v ） 亮度范围（mcd ） 波长（nm ） 发光角度
5V 内凹系列
Part NO.
Color
Wavelength(nm)
Intensity(mcd)
Angle
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5V 系列
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产品型号
发光颜
色
电压范围（v ） 亮度范围（mcd ） 波长（nm ） 发光角度
5T 平头系列
Part NO. Color Wavelength(nm) Intensity(mcd) Angle PDF 下载 5T 系列
产品型号
发光颜
电压范围（v ） 亮度范围（mcd ） 波长（nm ） 发光角度
5N 无边系列
Part NO.
Color
Wavelength(nm)
Intensity(mcd)
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5N 系列
DESCRIPTION
产品型号
发光颜
电压范围（v ） 亮度范围（mcd ） 波长（nm ） 发光角度
5A 子弹头系列
Part NO. Color Wavelength(nm) Intensity(mcd) Angle PDF 下载 5A 系列
产品型号
发光颜色
电压范围（v ） 亮度范围（mcd ） 波长（nm ） 发光角度
50圆头系列
Part NO.
Color
Wavelength(nm)
Intensity(mcd)
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50系列
DESCRIPTION
产品型号
发光颜
电压范围（v ） 亮度范围（mcd ） 波长（nm ） 发光角度
80圆头系列
Part NO. Color Wavelength(nm) Intensity(mcd)
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80系列
产品型号
发光颜
电压范围（v ） 亮度范围（mcd ） 波长（nm ） 发光角度
10圆头系列
Part NO. Color Wavelength(nm) Intensity(mcd) Angle PDF 下载 10系列
1A 子弹头系列
Part NO.
Color
Wavelength(nm)
Intensity(mcd)
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1A 子弹头系列
DESCRIPTION
产品型号 发光颜电压范围亮度范围（mcd ） 波长（nm ） 发光角度
25方形系列
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25方形系列
58钢盔系列
Part NO.
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Wavelength(nm)
Intensity(mcd)
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58钢盔系列
DESCRIPTION
产品型号
发光颜色
电压范围（v ） 亮度范围（mcd ） 波长（nm ） 发光角度
BZT52C2V4-BZT52C39 ZENER DIODE Case : Molded plastic body Terminals : Plated leads solderable per MIL-STD-750, Method 2026 Polarity : Polarity symbols marked on case FEATURES MECHANICAL DATA Planar die construction 500mW power dissipation on ceramic PCB General purpose medium current Ideally suited for automated assembly processes 0.9500305-65 to +150 Maximum ratings (Tamb=25C unless otherwise specified)SYMBOLS UNITS V F P d T J ,T STG V mW C /W C Value PARAMETER R ΘJA Forward voltage@I F =10mA Power dissipation (Note1) Thermal resistance, Junction to ambient air (Note1)Operating and storage temperature range SOD-123 Dimensions in millimeters and (inches)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (@ TA=25 C unless otherwise specified) Note: 1.Device mounted on ceramie PCB:7.6mmx9.4mmx0.87mm with pad areas 25mm . 2.Short duration test pulse used to minimize self-heating effect. 3.When provided, otherwise,parts are provided with date code only,and type number identifications appears on reel only. 4.f=1KHz 2
贴片TVS二极管5.0SMDJ160CA型号 硕凯电子（Sylvia） 一、编带规格 二、产品图 三、选型与应用 ①TVS管使用时，一般并联在被保护电路上。为了限制流过TVS管的电流不超过管子允许通过的峰值电流IPP，应在线路上串联限流元件，如电阻、自恢复保险丝、电感等。
②击穿电压VBR的选择：TVS管的击穿电压应根据线路最高工作电压UM按公式：VBRmin ≥1.2UM或VRWM≥1.1UM选择。交流：UM=1.414Uac,如，对于220V的交流电，其UM=1.414*220=311（V）；直流：UM=Udc。 四、脉冲降额曲线 五、产品特性 1、为表面安装应用优化电路板空间 2、低泄漏 3、双向单元 4、玻璃钝化结 5、低电感 6、优良的钳位能力 7、5000W的峰值功率能力在10×1000μ波形重复率（占空比）：0.01% 8、快速响应时间：从0伏特到最小击穿电压通常小于1.0ps 9、典型的，在电压高于25V时，反向漏电流小于5μA
10、高温焊接：终端260°C/40秒 11、典型的最大温度系数△Vbr=0.1%x Vbr@25°C x△T 12、塑料包装有保险商实验室可燃性94V-0 13、无铅镀雾锡 14、无卤化，符合RoHS 15、典型失效模式是在指定的电压或电流下出现 16、晶须测试是基于JEDEC JESD201A每个表4a及4c进行的 17、IEC-61000-4-2ESD15kV(空气)，8kV(接触) 18、数据线的ESD保护符合IEC61000-4-2(IEC801-2) 19、数据线的EFT保护符合IEC61000-4-4(IEC801-4) 六、最大额定值 Notes: 1.Non-repetitive current pulse,per Fig.3and derated above TA=25°C per Fig. 2. 2.Mounted on5.0mm x5.0mm(0.03mm thick)Copper Pads to each terminal. 3.8.3ms single half sine-wave,or equivalent square wave,Duty cycle=4pulses per minutes maximum. 4.VF<3.5V for VBR<200V and VF<6.5V for VBR>201V. 七、双向I-V曲线特性
关于肖特基二极管、型号的命名、字母含义、解释 肖特基二极管的命名： 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的， 完整的叫法是：肖特基整流二极管（Schottky Rectifier Diode 缩写成SR）， 也有人叫做：肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode 缩写成SBD）的简称。 肖特基：Schottky 整流：Rectifier SR：即为肖特基整流二极管 Schottky Rectifier Diode：肖特基整二极管，简称：SR，比如：SR107，SR10100CT...... 肖特基：Schottky 势垒：Barrier SB：即为肖特基势垒二极管 肖特基二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），国内厂家也有叫做“SB1045CT、SR10100、 SL....、BL.... Schottky Barrier Diode：肖特基势垒二极管，简称：SB，比如：SB107，SB1045CT...... Schottky Barrier Diode：也有简写为：SBD来命名产品型号前缀的。但SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。 因此，SBD也称为金属-半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。 关于肖特基MBR系列 为什么国际通用常见的肖特基二极管都以“MBR”字头命名？ 因为最早是世界著名半导体公司－摩托罗拉半导体命名的产品型号 M：是以最早MOTOROLA的命名，取M B：Bridge 桥；Barrier：势垒 R：Rectifier，整流器 “MBR”意为整流器件 例如：MBR10200CT M：MOTOROLA 缩写M B：Barrier缩写B R：Rectifier 缩写R 10：电流10A 200：电压200V C：表示TO-220AB封装，常指半塑封。 T：表示管装 MBR1045CT，其中的“C”：表示TO-220封装；MBR6045PT，其中的“P”：表示TO-3P封装 元件的封装形式也在型号的前缀第四位字母中体现，例如： MBRD10100CT：第四位的D，表示贴片DPAK封装 MBRB10100CT：第四位的B，表示贴片D2PAK封装 MBRF10100CT：第四位的F，表示TO-220全塑封 TO-252，也就是贴片DPAK封装；TO-263，也就是贴片D2PAK封装；任何型号的命名都有它的规律性可循。例如：MBR20100CT，型号中就20100是阿拉伯数字，20100中，20是电流，100是电压。以此类推。 MBR、SR、SL、SB、STB、STP都是常见的半导体公司对肖特基产品的型号命名。各厂家命名有不同。
稳压二极管型号对照表 美标稳压二极管型号 1N4727 3V0 1N4728 3V3 1N4729 3V6 1N4730 3V9 1N4731 4V3 1N4732 4V7 1N4733 5V1 1N4734 5V6 1N4735 6V2 1N4736 6V8 1N4737 7V5 1N4738 8V2 1N4739 9V1 1N4740 10V 1N4741 11V 1N4742 12V 1N4743 13V 1N4744 15V 1N4745 16V 1N4746 18V 1N4747 20V 1N4748 22V 1N4749 24V 1N4750 27V 1N4751 30V 1N4752 33V 1N4753 36V 1N4754 39V 1N4755 43V 1N4756 47V 1N4757 51V 需要规格书请到以下地址下载， https://www.doczj.com/doc/c415868547.html,/products/Rectifiers/Diode/Zener/ 经常看到很多板子上有M记的铁壳封装的稳压管，都是以美标的1N系列型号标识的，没有具体的电压值，刚才翻手册查了以下3V至51V的型号与电压的对照值，希望对大家有用 1N4727 3V0 1N4728 3V3 1N4729 3V6 1N4730 3V9 1N4731 4V3
1N4733 5V1 1N4734 5V6 1N4735 6V2 1N4736 6V8 1N4737 7V5 1N4738 8V2 1N4739 9V1 1N4740 10V 1N4741 11V 1N4742 12V 1N4743 13V 1N4744 15V 1N4745 16V 1N4746 18V 1N4747 20V 1N4748 22V 1N4749 24V 1N4750 27V 1N4751 30V 1N4752 33V 1N4753 36V 1N4754 39V 1N4755 43V 1N4756 47V 1N4757 51V DZ是稳压管的电器编号，是和1N4148和相近的，其实1N4148就是一个0.6V 的稳压管，下面是稳压管上的编号对应的稳压值，有些小的稳压管也会在管体上直接标稳压电压，如5V6就是5.6V的稳压管。 1N4728A 3.3 1N4729A 3.6 1N4730A 3.9 1N4731A 4.3 1N4732A 4.7 1N4733A 5.1 1N4734A 5.6 1N4735A 6.2 1N4736A 6.8 1N4737A 7.5 1N4738A 8.2 1N4739A 9.1 1N4740A 10 1N4741A 11 1N4742A 12
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SO D -123 Plastic-Encapsulate Diodes BZT52B 5V 1-BZT52B20 ZENER DIODE FEATURE z Planar Die Construction z 350mW Power Dissipation on Ceramic PCB z General Purpose, Medium Current z Ideally Suited for Automated Assembly Processes z Available in Lead Free Version Maximum Ratings (T a =25 unless otherwise specified ) Characteristic Symbol Value Unit Forward Voltage (Note 2) @ I F = 10mA V F 0.9 V Power Dissipation(Note 1) P d 350 mW Thermal Resistance from Junction to Ambient R θJA 357 /W Junction Temperature T j 150 ℃ ℃ ℃ Storage Temperature Range T stg -55 ~ +150 ℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS T Zener Voltage Range (Note 2) Maximum Zener Impedance (Note 3) Maximum Reverse Current Typical Temperature Coefficent @I ZTC Test Current I ZTC V Z @I ZT I ZT Z ZT @I ZT Z ZK @I ZK I ZK I R V R mV/°C Type Number Type Code Nom(V) Min(V) Max(V) mA ? mA μA V Min Max mA BZT52B5V1 2W8 5.1 5.00 5.20 5 60 480 1.0 2 2.0 -2.7 1.2 5 BZT52B5V6 2W9 5.6 5.49 5.71 5 40 400 1.0 1 2.0 -2.0 2.5 5 BZT52B6V2 2WA 6.2 6.08 6.32 5 10 150 1.0 3 4.0 0.4 3.7 5 BZT52B6V8 2WB 6.8 6.66 6.94 5 15 80 1.0 2 4.0 1.2 4.5 5 BZT52B7V5 2WC 7.5 7.35 7.65 5 15 80 1.0 1 5.0 2.5 5.3 5 BZT52B8V2 2WD 8.2 8.04 8.36 5 15 80 1.0 0.7 5.0 3.2 6.2 5 BZT52B9V1 2WE 9.1 8.92 9.28 5 15 100 1.0 0.5 6.0 3.8 7.0 5 BZT52B10 2WF 10 9.80 10.20 5 20 150 1.0 0.27.0 4.5 8.0 5 BZT52B11 2WG 11 10.78 11.22 5 20 150 1.0 0.18.0 5.4 9.0 5 BZT52B12 2WH 12 11.76 12.24 5 25 150 1.0 0.18.0 6.0 10.0 5 BZT52B13 2WI 13 12.74 13.26 5 30 170 1.0 0.18.0 7.0 11.0 5 BZT52B15 2WJ 15 14.70 15.30 5 30 200 1.0 0.110.5 9.2 13.0 5 BZT52B16 2WK 16 15.68 16.32 5 40 200 1.0 0.111.2 10.4 14.0 5 BZT52B18 2WL 18 17.64 18.36 5 45 225 1.0 0.112.6 12.4 16.0 5 BZT52B20 2WM 20 19.60 20.40 5 55 225 1.0 0.1 14.0 14.4 18.0 5 Notes: 1. Device mounted on ceramic PCB :7.6mm x 9.4mm x 0.87mm with pad areas 25mm 2 2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect 3. f = 1kHz a =25℃unless otherwise specified
肖特基（SCHOTTKY）系列二极管 本文主要介绍济南半导体所研制生产的肖特基二极管系列产品。介绍军品级、工业品级肖特基二极管的种类、性能特点、正反向电参数。对产品的正向直流参数、反向温度特性及正向、反向抗烧毁能力等进行了质量分析，并与国外公司制造的同类产品进行了比较。最后，着重介绍了2DK030高可靠肖特基二极管的性能特点用途，1N60超高速肖特基二极管的性能特点用途，以及功率肖特基二极管在开关电源方面的应用。 本文主要包括下面六个部分： 一．肖特基二极管简介 二．我所肖特基二极管生产状况 三．我所肖特基二极管种类 四．我所肖特基二极管的特点及性能质量分析 五．介绍我所生产的两种肖特基二极管 (1)2DK030高可靠肖特基二极管 (2)1N60超高速肖特基二极管 六．功率肖特基二极管在开关电源方面的应用 下面只对部分常用的参数加以说明 (1) V F正向压降Forward Voltage Drop (2) V FM最大正向压降Maximum Forward Voltage Drop (3) V BR反向击穿电压Breakdown Voltage (4) V RMS能承受的反向有效值电压RMS Input Voltage (5) V RWM 反向峰值工作电压Working Peak Reverse Voltage (6) V DC最大直流截止电压Maximum DC Blocking Voltage (7) T rr反向恢复时间Reverse Recovery Time (8) I F(AV)正向电流Forward Current (9) I FSM最大正向浪涌电流Maximum Forward Surge Current (10) I R反向电流Reverse Current (11) T A环境温度或自由空气温度Ambient Temperature (12) T J工作结温Operating Junction Temperature (13) T STG储存温度Storage Temperature Range (16) T C管子壳温Case Temperature 一．肖特基二极管简介：
SOD-723 Plastic-Encapsulate Diode BZX784B5V1-BZX784B20ZENER DIODE FEATURES z Planar Die Construction z100mW Power Dissipation z Zener Voltages from 5.1 – 20V - Maximum Ratings @TA=25℃unless otherwise specified Characteristic Symbol Value Unit Forward Voltage @I F=10mA V F 0.9 V Power Dissipation (Note 1) P d 100 mW Thermal Resistance, Junction to Ambient Air RθJA 1250 ℃/W Junction Temperature T j150 ЯStorage Temperature Range T stg-55 ~ +150 Я
Zener Voltage Range (Note 2) Maximum Zener Impedance (Note 3) Maximum Reverse Current Typical Temperature Coefficent @I ZT =5 mA mV/°C V Z @I ZT I ZT Z ZT @I ZT Z ZK @I ZK I ZK I R V R Type Number Type Code Nom(V) Min(V) Max(V) mA ? mA uA V Min Max BZX784B5V1 X2 5.1 5.00 5.20 5 60 480 1.0 2 2.0 -2.7 1.2 BZX784B5V6 X3 5.6 5.49 5.71 5 40 400 1.0 1 2.0 -2.0 2.5 BZX784B6V2 X4 6.2 6.08 6.32 5 10 150 1.0 3 4.0 0.4 3.7 BZX784B6V8 X5 6.8 6.66 6.94 5 15 80 1.0 2 4.0 1.2 4.5 BZX784B7V5 X6 7.5 7.35 7.65 5 15 80 1.0 1 5.0 2.5 5.3 BZX784B8V2 X7 8.2 8.04 8.36 5 15 80 1.0 0.7 5.0 3.2 6.2 BZX784B9V1 X8 9.1 8.92 9.28 5 15 100 1.0 0.5 6.0 3.8 7.0 BZX784B10 X9 10 9.80 10.20 5 20 150 1.0 0.2 7.0 4.5 8.0 BZX784B11 W1 11 10.78 11.22 5 20 150 1.0 0.1 8.0 5.4 9.0 BZX784B12 W2 12 11.76 12.24 5 25 150 1.0 0.1 8.0 6.0 10.0 BZX784B13 W3 13 12.74 13.26 5 30 170 1.0 0.1 8.0 7.0 11.0 BZX784B15 W4 15 14.70 15.30 5 30 200 1.0 0.1 10.5 9.2 13.0 BZX784B16 W5 16 15.68 16.32 5 40 200 1.0 0.1 11.2 10.4 14.0 BZX784B18 W6 18 17.64 18.36 5 45 225 1.0 0.1 12.6 12.4 16.0 BZX784B20 W7 20 19.60 20.40 5 55 225 1.0 0.1 14.0 14.4 18.0 Notes: 1. Valid provided that device terminals are kept at ambient temperature. 2. Tested with pulses, period=5ms,pulse width =300us. 3. f = 1KHz ELECTRICAL CHARACTERISTICS T a =25℃unless otherwise specified
Z字头-贴片稳压二极管标示 1 2 3 4 5 6 7 8 9 0 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 贴片元件标示代码表示查询DuQ838电子-技术资料-电子元件-电路图-技术应用网站-基本知识-原理-维修-作用-参数-电子元器件符号 表示符号实际元件生产厂结构封装类型参数及代换型号 Z0 SST310 Tem F SOT23 J310 n-ch jfet Z0 PDZ2.4B Phi I SOD323 2.4V 0.4W zener Z08 SST308 Sil F SOT23 J308 n-ch jfet Z09 SST309 Sil F SOT23 J309 n-ch jfet Z10 SST310 Sil F SOT23 J310 n-ch jfet Z1 BZX84-C4V7 Phi C SOT23 0.3W zener 4.7V Z1 SSTJ211 Sil F SOT23 J211 n-ch jfet Z1 PDZ2.7B Phi I SOD323 2.7V 0.4W zener Z1 IMZ1A Roh DE 2SC2414 npn,2SA1037AK pnp Z1 BZV49C4V7 Zet O SOT89 1W ±5% zener 4.7V Z2 BZX84-C5V1 Phi C SOT23 0.3W zener 4.7V Z2 SSTJ212 Sil F SOT23 J212 n-ch jfet Z2 IMZ2A Roh DF 2SC2414 npn,2SA1037AK pnp Z2 PDZ3.0B Phi I SOD323 3.0V 0.4W zener Z2 BZV49C5V1 Zet O SOT89 1W ±5% zener 5.1V Z2U FMMTA63 Zet N SOT23 MPSA63 Z2V FMMTA64 Zet N SOT23 MPSA64 Z3 BZX84-C5V6 Phi C SOT23 0.3W zener 5.6V Z3 PDZ3.3B Phi I SOD323 3.3V 0.4W zener Z3 2SK1078 Tos T SOT89 n-ch mosfet 60V 0.8A Z3 BZV49C5V6 Zet O SOT89 1W ±5% zener 5.6V Z4 BZX84-C6V2 Phi C SOT23 0.3W zener 6.2V Z4 PDZ3.6B Phi I SOD323 3.6V 0.4W zener Z4 2SK1079 Tos T SOT89 n-ch mosfet 100V 0.6A
常用肖特基二极管型号: 常用的有引线式肖特基二极管有D80-004、B82-004、MBR1545、MBR2535等型号，各管的主要参数见表4-43。
常用的表面封装肖特基二极管有FB系列，其主要参数见表4-44。 特基二极管F5KQ100 F5KQ100 肖特基二极管30CPQ140 30CPQ140 肖特基二极管30CPQ100 30CPQ100 肖特基二极管30CPQ090 30CPQ090 肖特基二极管30CPQ060
30CPQ060 肖特基二极管30CPQ045 30CPQ045 肖特基二极管MBRS260T3G MBRS260T3G 肖特基二极管MBRS130T3G MBRS130T3G 肖特基二极管MBRS320T3G MBRS320T3G 肖特基二极管MBRS340T3G MBRS340T3G 肖特基二极管MBRS140T3G MBRS140T3G 肖特基二极管MBRS240LT3 MBRS240LT3 肖特基二极管MBRS230LT3 MBRS230LT3 肖特基二极管MBRS2040LT MBRS2040LT 肖特基二极管MBR20100 MBR20100 肖特基二极管MBR3045 MBR3045 肖特基二极管MBR2545 MBR2545 肖特基二极管MBR2045 MBR2045 肖特基二极管MBR1545 MBR1545 肖特基二极管MBR1045
MBR1045 肖特基二极管MBR745 MBR745 肖特基二极管MBR3100 MBR3100 肖特基二极管MBR360 MBR360 肖特基二极管DSC01232 DSC01232 肖特基二极管SB3040 SB3040 肖特基二极管IN5817 IN5817 肖特基二极管IN5819 IN5819 肖特基二极管IN5818 IN5818 肖特基二极管IN5822 IN5822 肖特基二极管HER107 HER107 肖特基二极管HER207 HER207 肖特基二极管HER307 HER307 肖特基二极管FR105 FR105 肖特基二极管FR2050
肖特基二极管 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。 肖特基二极管是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 一、肖特基二极管原理 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B 为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B →A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。 典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极（阻档层）金属材料是钼。二氧化硅（SiO2）用来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基势垒，当加上正偏压E时，金属A和N型基片B分别接电源的正、负极，此时势垒宽度Wo变窄。加负偏压-E时，势垒宽度就增加。 综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别，通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。 肖特基整流管仅用一种载流子（电子）输送电荷，在势垒外侧无过剩少数载流子的积累，因此，不存在电荷储存问题（Qrr→0），使开关特性获得时显改善。其反向恢复时间已能缩短到10ns以内。但它的反向耐压值较低，一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点，能提高低压、大电流整流（或续流）电路的效率。 二、肖特基二极管作用
原装现货供应贴片SOD-123 1206稳压二极管1/2W ST先科 MM1Z系列 CJ长电 BZT52C系列 3V3-47V BZT52C2V4 WX 2.4 2.20 2.60 5 100 600 1.0 50 1.0 -3.5 0 5 BZT52C2V7 W1 2.7 2.5 2.9 5 100 600 1.0 20 1.0 -3.5 0 5 BZT52C3V0 W2 3.0 2.8 3.2 5 95 600 1.0 10 1.0 -3.5 0 5 BZT52C3V3 W3 3.3 3.1 3.5 5 95 600 1.0 5 1.0 -3.5 0 5 BZT52C3V6 W4 3.6 3.4 3.8 5 90 600 1.0 5 1.0 -3.5 0 5 BZT52C3V9 W5 3.9 3.7 4.1 5 90 600 1.0 3 1.0 -3.5 0 5 BZT52C4V3 W6 4.3 4.0 4.6 5 90 600 1.0 3 1.0 -3.5 0 5 BZT52C4V7 W7 4.7 4.4 5.0 5 80 500 1.0 3 2.0 -3.5 0.2 5 BZT52C5V1 W8 5.1 4.8 5.4 5 60 480 1.0 2 2.0 -2.7 1.2 5 BZT52C5V6 W9 5.6 5.2 6.0 5 40 400 1.0 1 2.0 -2.0 2.5 5 BZT52C6V2 WA 6.2 5.8 6.6 5 10 150 1.0 3 4.0 0.4 3.7 5 BZT52C6V8 WB 6.8 6.4 7.2 5 15 80 1.0 2 4.0 1.2 4.5 5 BZT52C7V5 WC 7.5 7.0 7.9 5 15 80 1.0 1 5.0 2.5 5.3 5 BZT52C8V2 WD 8.2 7.7 8.7 5 15 80 1.0 0.7 5.0 3.2 6.2 5 BZT52C9V1 WE 9.1 8.5 9.6 5 15 100 1.0 0.5 6.0 3.8 7.0 5 BZT52C10 WF 10 9.4 10.6 5 20 150 1.0 0.2 7.0 4.5 8.0 5 BZT52C11 WG 11 10.4 11.6 5 20 150 1.0 0.1 8.0 5.4 9.0 5 BZT52C12 WH 12 11.4 12.7 5 25 150 1.0 0.1 8.0 6.0 10.0 5 BZT52C13 WI 13 12.4 14.1 5 30 170 1.0 0.1 8.0 7.0 11.0 5 BZT52C15 WJ 15 13.8 15.6 5 30 200 1.0 0.1 10.5 9.2 13.0 5 BZT52C16 WK 16 15.3 17.1 5 40 200 1.0 0.1 11.2 10.4 14.0 5 BZT52C18 WL 18 16.8 19.1 5 45 225 1.0 0.1 12.6 12.4 16.0 5 BZT52C20 WM 20 18.8 21.2 5 55 225 1.0 0.1 14.0 14.4 18.0 5 BZT52C22 WN 22 20.8 23.3 5 55 250 1.0 0.1 15.4 16.4 20.0 5 BZT52C24 WO 24 22.8 25.6 5 70 250 1.0 0.1 16.8 18.4 22.0 5 BZT52C27 WP 27 25.1 28.9 2 80 300 0.5 0.1 18.9 21.4 25.3 2 BZT52C30 WQ 30 28.0 32.0 2 80 300 0.5 0.1 21.0 24.4 29.4 2 BZT52C33 WR 33 31.0 35.0 2 80 325 0.5 0.1 23.1 27.4 33.4 2 BZT52C36 WS 36 34.0 38.0 2 90 350 0.5 0.1 25.2 30.4 37.4 2 BZT52C39 WT 39 37.0 41.0 2 130 350 0.5 0.1 27.3 33.4 41.2 2 BZT52C43 WU 43 40.0 46.0 5 100 700 1.0 0.1 32 10.0 12.0 5 我们是一家集销售半导体电子元器件的专业贸易公司，主要经营世界名牌元器件。安森美ON品牌，意法半导体ST,恩智浦NXP,国际整流IR,德州仪器TI等。二极管，整流桥。三极管，IC公司常备大量现货库存,为了能更加方便顾客买到全新原装产品，我们采取的是以诚取胜的销售策略,我们奉行的是真诚守信,微利多销的经营宗旨.我们始终坚持以客户为中心,对于高品质的追求将永无止境,而对于客户的服务也将是我们长期坚持不懈并照例提高的工作之一.公司所有产品常备现货供应，不但为顾客赢得了宝贵的时间，而且提高了工作效率。不论在何时何地芯杰电子有限公司全体同仁将会以崭新的面貌，和更加饱满的热情服务
肖特基二极管常用参数大全型号制造商封装I f/A Vrrm/V 最大Vf/V 1SS294 TOS SC-59 0.1 40 0.60 BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32 BAT54A PS SOT23 0.20 30 0.50 10MQ060N IR SMA 0.77 90 0.65 10MQ100N IR SMA 0.77 100 0.96 10BQ015 IR SMB 1.00 15 0.34 SS12 GS DO214 1.00 20 0.50 MBRS130LT3 ON - 1.00 30 0.39 10BQ040 IR S MB 1.00 40 0.53 RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 S S14G S D O214 1.00400.50 M B R S140T3O N- 1.00400.60 10B Q060I R S M B 1.00600.57 S S16G S D O214 1.00600.75 10B Q100I R S M B 1.001000.78
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Z字头-贴片稳压二极管标示 时间：2009-02-12 15:33:47 来源：资料室作者：编号:3515 更新日期20110915 003424 (SMD)贴片元件参数索引 1 2 3 4 5 6 7 8 9 0 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 贴片元件标示代码表示查询DuQ838电子-技术资料-电子元件-电路图-技术应用网站-基本知识-原理-维修-作用-参数-电子元器件符号 表示符号实际元件生产厂结构封装类型参数及代换型号 Z0 SST310 Tem F SOT23 J310 n-ch jfet Z0 PDZ2.4B Phi I SOD323 2.4V 0.4W zener Z08 SST308 Sil F SOT23 J308 n-ch jfet Z09 SST309 Sil F SOT23 J309 n-ch jfet Z10 SST310 Sil F SOT23 J310 n-ch jfet Z1 BZX84-C4V7 Phi C SOT23 0.3W zener 4.7V Z1 SSTJ211 Sil F SOT23 J211 n-ch jfet Z1 PDZ2.7B Phi I SOD323 2.7V 0.4W zener Z1 IMZ1A Roh DE 2SC2414 npn,2SA1037AK pnp Z1 BZV49C4V7 Zet O SOT89 1W ±5% zener 4.7V Z2 BZX84-C5V1 Phi C SOT23 0.3W zener 4.7V Z2 SSTJ212 Sil F SOT23 J212 n-ch jfet Z2 IMZ2A Roh DF 2SC2414 npn,2SA1037AK pnp Z2 PDZ3.0B Phi I SOD323 3.0V 0.4W zener Z2 BZV49C5V1 Zet O SOT89 1W ±5% zener 5.1V Z2U FMMTA63 Zet N SOT23 MPSA63 Z2V FMMTA64 Zet N SOT23 MPSA64 Z3 BZX84-C5V6 Phi C SOT23 0.3W zener 5.6V Z3 PDZ3.3B Phi I SOD323 3.3V 0.4W zener Z3 2SK1078 Tos T SOT89 n-ch mosfet 60V 0.8A Z3 BZV49C5V6 Zet O SOT89 1W ±5% zener 5.6V Z4 BZX84-C6V2 Phi C SOT23 0.3W zener 6.2V Z4 PDZ3.6B Phi I SOD323 3.6V 0.4W zener Z4 2SK1079 Tos T SOT89 n-ch mosfet 100V 0.6A Z4 BZV49C6V2 Zet O SOT89 1W ±5% zener 6.2V Z5 BZX84-C6V8 Phi C SOT23 0.3W zener 6.8V Z5 PDZ3.9B Phi I SOD323 3.9V 0.4W zener Z5 2SK1717 Tos T SOT89 n-ch mosfet 60V 2A Z5 BZV49C6V8 Zet O SOT89 1W ±5% zener 6.8V Z6 BZX84-C7V5 Phi C SOT23 0.3W zener 7.5V
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