第一章
1.1根据题图所示参考方向，判断各电路是吸收还是发出功率，其功率各为多少。
(a)解：因为电压电流取关联方向，
(a)
Pa=IU=2A×5V=10W>0,
所以元件吸收功率，功率为10W.
(a)
（
(b)解：因为电压电流取关联方向，
P(b)=2A×5V=10W>0,
所以元件吸收功率，
功率为10W。
(
b
)
c
（c）解：u , i 采取非关联方向，
P(c)=2×5W=10W>0，
所以该元件发出功率，功率为10W。
(
c
)
（d）解：u ，i 采用非关联方向，
P(d)= UI= 5V×2A=10 W>0,
所以该元件发出功率，功率为10W。
(d)
1.8 求题图所示各电路中电流源的端电压U和它发出的功率。
(a) 解：电流电压取关联方向，
所以，U R=2×5V=10V
P=IU=50W.
所以所求功率为50W
根据KVL得，U-U R=0;
所以U=10V
(
a
)
（b）解：端电压：U=IR=5A×10Ω=50V
发出的功率：P=IU=250W
b (b)
（c）解：电流电压取非关联方向，
所以，U=-3v，
功率p=UI=(-3)×5W=-15W.
(
)
（
c
）
（d）解：根据基尔霍夫电压定律可得：
－U+2V=0
则U=2V
P=2V×5A=10W
（d）
1.9试计算题图1.9所示各电路中的U或I。
+ 8V - 6A I
4欧
2A +8V-
5欧
+
U
-
(a) (b)
（c ）
解：图（a ）等效电路： 则I=U/R=2A ；
I 4欧
+ 8V -
1A 2A
+ 10欧 2V -
+
3V -
图（b ）等效电路： 则U=IR=10V;
图（c ）等效电路： 则I=2A.
1.10应用电源等效变换方法计算题图1.10所示各电路中的电压U 或电流I 。
+ U -
2A 5欧
10欧
2A
（a ）
（
b ）
+ 10V -
30欧
2欧
+ U -
10A
5A
+ 9V -
3欧
+ 20V -
2欧
4欧
I
+ 9V - 2A
+ 5V - 2欧
8欧
I
（c ）
解：（a ）利用等效变换：
由图（a ）
则U=（30/（30+2）×20）=18.75V 。 (b)利用等效变换：
由图（b ）
+
10V - + 10V -
2欧
30欧
+ U -
+ 20V _
2欧
+ U -
30欧
3A
10A 3Ω
2Ω
I 4Ω
则I=13×1.2/（1.2+4）=3A ； （c ）利用等效变换：
由图（c ）
13A
1.2Ω
I 4Ω
I 8Ω
2Ω
2A
2.5A
I 8Ω
4.5A
2Ω
+ I 9V 8Ω -
2Ω
则I=9/（2+8）=0.9A.
1.16求下列各电路图中未知电流或电压。
(a)解：由KCL原理，对节点a，有
10A-I-10A=0A
所以，I=0A
所以，Uab=Us=2A
即所求电压U=-Uab=-2A.
(b)解：对节点b应用KCL，得
10A+10A+I=0
所以I=-20A
对abcda回路选定逆时针方
向为正方向，
应用KVL原理，得
5v-5v-U+１Ω×（－１０Ａ）＝０，
所以，Ｕ＝－１０Ω
（ｂ）
（ｃ）解：原电路可等效为：
所以，由ＫＶＬ，１０×Ｉ２＝１０ｖ＋５Ω
×Ｉ２
所以，Ｉ２＝１０／５Ａ＝２Ａ
对节点ａ，由ＫＣＬ，有
Ｉ１＋１Ａ－Ｉ２＝０Ａ，
所以Ｉ１＝Ｉ２－１Ａ＝１Ａ。
１.１７求题图所示个各电路中的Ｕａｂ，设端口ａ、ｂ均为开路。（ａ）解：原电路可等效为：
所以，Ｕａｂ＝（－２＋４）ｖ＝２ｖ（ａ）（ｂ）解：原电路可等效为：
所以，Ｕａｂ＝（８－１）ｖ＝７ｖ
（
ｂ
）（ｃ）解：原电路等效为：
所以，Ｕａｂ＝（５－３）ｖ＝２ｖ（ｃ）
第二章
2.1 求题为2.1中个电路的等效电阻Rab。
(a)解：原电路可等效成：
所以，其等效电阻Rab=10/4Ω=2.5Ω
（b）解：原电路等效为：
所以，所求等效电阻Rab=R+1/(3/R+3/4R)+R/3=1.6R
(c) 解：右边支路总电阻R=1/2s+1/2s=1Ω
所以，所求等效电阻为：Rab=1/(1/R+1/2) Ω=2/3Ω
(d)解：原电路可等效为：
所以，Rab=(3+2)Ω=5Ω
2.6某电路设计成如题图所示，且满足①.U0/Us=0.5,②.Rab=10k Ω,若负载电阻6kΩ是固定的，求满足设计要求条件下的电阻R1和R2。
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正 向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？ 答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理想二极管的 正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。 习题1-2 假设一个二极管在50C时的反向电流为10卩A，试问它在 20C和80C时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10C， 反向电流大致增加一倍。 解：在20C时的反向电流约为：2°汉10卩A= 1.254 A 3 在80C时的反向电流约为： 2 10」A二80」A N7 习题1-3某二极管的伏安特性如图(a)所示: ①如在二极管两端通过1k?的电阻加上1.5V的电压，如图 (b)，此时二极管的电流I和电压U各为多少? ②如将图(b)中的1.5V电压改为3V，贝V二极管的电流和电 压各为多少？ 解：根据图解法求解 ①电源电压为1.5V时 1.5 二U I I 0.8A, U 0.7V ②电源电压为3V时 U I (b) I 2.2A, U 0.8V 可见，当二极管正向导通后，如电源电压增大，贝匸 极管的电流随之增大，但管子两端的电压变化不大。 1.5V 1k?
习题1-4 已知在下图中，U| = 10sin? t (V), R L=1k?，试对应地画出二极管的电流i D、电压u D以及输出电压u O的波 形，并在波形图上标出幅值。设二极管的正向压降和反向 习题1-5 欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电 流I Z、动态电阻X Z以及温度系数a u，是大一些好还是小一一些好？答：动态电阻r Z愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。 一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z愈大, 则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。 温度系数a u的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
、单项选择题 1.B 2.D 3.C 4.D 5.A 6.C 7.A 8.B 9.C10.D 11.A12.A13.B14.D15.B 、名词解释题 16. 电子设计自动化(Electronics Design Automation ) 17. 硬件描述语言(Hardware Description Language ) 18. 知识产权核(intellectual property core ) 三、判断改错题 19. 对。 20. 对。 21. 错。交换“硬IP Core”和“软IP Core”的位置 22. 错。将“功能仿真”改为“时序仿真” 四、简答题 23. 传统的设计方法都是自底向上的，即首先确定可用的元器件，然后根据这些器件进行逻辑设计，完成各模块后进行连接，并形成系统，最后经调试、测量看整个系统是否达到规定 的性能指标。 这种设计方法常常受到设计者的经验及市场器件情况等因素的限制，且没有明显的规律 可循。另外，系统测试在系统硬件完成后进行，如果发现系统设计需要修改，则需要重新制作电路板，重新购买器件，重新调试与修改设计。整个修改过程需要花费大量的时间与经费。再者，传统的电路设计方式是原理图设计方式，而原理图设计的电路对于复杂系统的设计、阅读、交流、修改、更新和保存都十分困难，不利于复杂系统的任务分解与综合。 基于EDA技术的所谓“自顶向下”的设计方法主要采用并行工程和“自顶向下”的设计方法，使开发者从一开始就要考虑到产品生成周期的诸多方面，包括质量、成本、开发时
间及用户的需求等。 该设计方法首先从系统设计入手，在顶层进行功能划分和结构设计，由于采用高级语言描述，因此能在系统级采用仿真手段验证设计的正确性，然后再逐级设计底层的结构，用VHDL、Verilog HDL 等硬件描述语言对高层次的系统行为进行电路描述，最后再用逻辑综合优化工具生成具体的门级逻辑电路的网表，其对应的物理实现级可以是印刷电路板或专用集成电路。“自顶向下”设计方法的特点表现在以下几个方面： (1) 基于可编程逻辑器件PLD和EDA开发工具支撑。 (2) 采用系统级、电路级和门级的逐级仿真技术，以便及早发现问题，进而修改设计方 案。 (3) 现代的电子应用系统正向模块化发展，或者说向软、硬核组合的方向发展。对于以往成功的设计成果稍作修改、组合就能投入再利用，从而产生全新的或派生的设计模块。 (4) 由于采用的是结构化开发手段，所以可实现多人多任务的并行工作方式，使复杂系统的设计规模和效率大幅度提高。 (5) 在选择器件的类型、规模、硬件结构等方面具有更大的自由度。 24. 随着集成度的不断提高，IC行业的产品更新换代的周期越来越短，使用IP Core能更快地完成大规模电路的设计；利用IP Core可使设计师不必了解设计芯片所需要的所有技术， 从而降低了芯片设计的技术难度；调用IP Core能避免重复劳动，大大减轻了工程师的负担； 复制IP Core是不需要花费任何代价的。因此，使用IP Core称为目前现代数字系统设计的发展趋势。 25. 在整个设计流程中仿真的地位十分重要，行为模型的表达、电子系统的建模、逻辑电路 的验证及门级系统的测试等，都离不开仿真。完成设计输入并成功进行编译仅能说明设计符合一定的语法规范，并不能说明设计功能的正确性，因为在芯片内部存在着传输延时，工作时并不一定严格按照程序运行。此外，在高频的情况下，对时钟的建立时间和保持时间等都有严格的要求，所以实际运行的结果与程序往往不相符或毛刺过多，只有通过仿真才能了解 程序在芯片内部的工作情况，然后根据情况和需要进行修改和优化，以便于在成品前发现问题，进而解决问题，完善设计。所以，在现代数字系统设计中需要进行系统仿真。 26. CPLD中的逻辑单元采用PAL结构，由于这样的单元功能强大，一般的逻辑在单元内均可 实现，故互连关系简单，一般通过集总总线即可实现，与FPGA同样集成规模的芯片相比内 部触发器的数量较少。逻辑单元功能强大的CPLD还具有很宽的输入结构，适用于实现高级 的有限状态机，如控制器等，这种系统逻辑复杂，输入变量多，但对触发器的需求量相对较少。 FPGA逻辑单元采用查找表结构，每单元只有一个或两个触发器，这样的工艺结构占用芯片面积小、速度高，每块芯片上能集成的单元数多，但逻辑单元的功能较弱。要实现一个较复杂的逻辑功
N7习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？ 答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。 习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。 解：在20℃时的反向电流约为：3 210 1.25 A A μμ -?= 在80℃时的反向电流约为：321080 A A μμ ?=
习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？ 答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。 一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。 温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i A μ=80A μ60A μ40A μ20A μ0A μ0.9933.22 安全工作区
习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。解：20℃时，()131CEO CBO I I A βμ=+=50℃时，8CBO I A μ≈() () ()0 5020 011%3011%301301%39 t t ββ--=+=?+≈?+?=()13200.32CEO CBO I I A mA βμ=+==
《电路与模拟电子学》部分习题参考答案 第一章 1.1 (a) 10W 吸收功率 (b)10W 吸收功率 (c) 10W 发出功率 (d) 10W 发出功率 1.2 1P =8W 吸收功率； 2P =－16W 吸收功率； 3P =12W 发出功率 1.3 (a) A 5.0-＝I (b)6V -＝U (c) Ω1＝R 1.4 A 1.0=I 1.5 Ω1210＝R h 6KW ?＝W 1.6 F 2C μ= J 1046 -?＝W 1.7 (a) A 5=I (b) 6V ＝U (c) 2A ＝I 1.8 (a) 10V ＝U 50W ＝P (b) 50V ＝U 50W 2＝P (c) V 3-＝U 5W 1-＝P (d) V 2＝U 10W ＝P 1.9 (a) A I 2= (b) 10V ＝U (c) 2A ＝I 1.10 (a) 18.75V ＝U (b) 3A ＝I (c) 0.9A ＝I 1.11 (a) 2V ＝U (b) 2.5A ＝I 1.12 (a) 2V 11＝U 72W -＝P (发出功率) (b) 0.5A 2＝I 5W 1＝P (吸收功率) 1.13 (a) 4V ＝U (b) 2A -＝I ；2A 1＝I 1.14 (a) A I 3-= (b) 4V ＝U (c) 1A ＝I 1.15 (a) A I 0= 2V -＝U (b)A I 20-= V 10-＝U (c) 1A 1＝ I 2A 2＝I 1.16 (a) 2V ＝ab U (b) 7V ＝ab U (c) 2V ＝ab U 1.17 (a) 0V 1＝a V 8V ＝b V 6V 1＝ c V 0V 1＝ d V 6V ＝ e V (b) 4V ＝a V 0V ＝b V 0V ＝c V 9V ＝d V V 11-＝e V 1.18 断开：2V -＝A V ； 闭合： 3.6V ＝A V
模拟电路基础知识大全 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增大),发射结压降(减小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共集电极)、(共发射极)、(共基极)放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(交流)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= (1/F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fh-fl ), (1+AF )称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(近似于1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调波),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载流信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy ) 1、1、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。 2、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 3、反向电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、当温度升高时,三极管的等电极电流I(增大),发射结压降UBE(减小)。
模拟电路部分习题答案 第二章晶体二极管及应用电路 2-1．填空 （1）N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素；P型半导体是在本征半导体中掺入三价元素。 （2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流会增大。 （3）PN结的结电容包括势垒电容和扩散电容。 （4）晶体管的三个工作区分别是放大区、截止区和饱和区。在放大电路中，晶体管通常工作在放大区区。 （5）结型场效应管工作在恒流区时，其栅-源间所加电压应该反偏。（正偏、反偏）2-2．判断下列说法正确与否。 （1）本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。（） （2）P型半导体带正电，N型半导体带负电。（） （3）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。（） （4）只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。（） （5）晶体管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。（） （6）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（）（7）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（） （8）若耗尽型N沟道MOS场效应管的U GS大于零，则其输入电阻会明显减小。（）答案：（1）对；温度升高后，载流子浓度会增加，但是对于本征半导体来讲，电子和空穴的数量始终是相等的。 （2）错；对于P型半导体或N型半导体在没有形成PN结时，处于电中性的状态。 （3）对；结型场效应管在栅源之间没有绝缘层，所以外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。 （4）错；稳压管要进入稳压工作状态两端加反向电压必须达到稳压值。 （5）错；晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过，只有在截止状态时没有电流流过。 （6）对；N型半导体中掺入足够量的三价元素，不但可复合原先掺入的五价元素，而且可使空穴成为多数载流子，从而形成P型半导体。 （7）对；PN结在无光照、无外加电压时，处于动态平衡状态，扩散电流和漂移电流相等。 （8）错。绝缘栅场效应管因为栅源间和栅漏之间有SiO2绝缘层而使栅源间电阻非常大。因此耗尽型N沟道MOS场效应管的U GS大于零，有绝缘层故而不影响输入电阻。 2-3．怎样用万用表判断二极管的正、负极性及好坏？ 答：可以利用万用表的电阻挡测量二极管两端电阻，正向时电阻很小，反向时电阻很大。 2-4．二极管电路如题2-4图所示，试判断图中的二极管是导通还是截止？输出电压为多少？
电路与电子学答案王文辉第3 版
电路与电子学答案王文辉第3 版
第一章习题答案: 1、l=3A,U=4V 2、U=2V 3、(a)耗能=120W 释放能量=120W , (b)耗能 =122W 释放能量=122W i 壬 125 4、 l=2.8A U=10V 5、 l=0.5A U=9.6V 6、 U=-45V 7、 U=-4V U=8V I=18A P=1012.5W (a) 1 1 1 1 U S1 ( )U A U B 岂-I S3 R 1 R 2 R 3 R 3 R 1 1 1 1 1 U R 3 A (丄」 (b) R 3 R 4 R 5 R 5 1 1 1 (2 4 心蔦 U B 1 1 U A (丁 1)U B 4 4 1 ?2U 4-I 10、 11、 1 1 1 ( )U A - U B R 1 R 2 R 4 R 2 R 4 R 1 1 1 1 1 U S3 U A -( )U B U c = I S 3 竺 R 2 R 2 R 3 R 3 R 3 1U 1 U C U ^1 _ I S1 … I S3 R 3 U=1.2V
14、U= —1/9 V I=17/7 A 15、I=19A 16、(a)U oc =8V R eq =16 Q (b) R eq =10/7Q 17、(a)U oc =15V R eq =12.5Q (b) V R eq = — 0?6 Q 18、 U=1.2V 19、I=0.5A 20、 (a)R L =R eq =6 Q 13、l=7A U=14V U oc =26/7 V U oc = — 4.8 \max =37.5W P=0.16W (a)R L =R eq =9 Q P Lmax = 4/9W 21、 R eq = 400 Q l=0?04A U=4V P Lmax = 0.25W 22、 U OC =1 ?25V R eq =1 ?25Q 第二章习题答案 2-1 (a ) u ci (0 )=100V i L (0 )=0A i 2 (0 )=0A u c2 (0 )=0V
模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生
( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。
8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路
习题十二 12-1 写出题图12-1所示逻辑电路输出F 的逻辑表达式，并说明其逻辑功能。 解：由电路可直接写出输出的表达式为： 301201101001301201101001D A A D A A D A A D A A D A A D A A D A A D A A F +++==??? 由逻辑表达式可以看出： 当A 1A 0=00 F =D 0 A 1A 0=01 F =D 1 A 1A 0=10 F =D 2 A 1A 0=11 F =D 3 这个电路的逻辑功能是，给定地址A 1A 0以后，将该地址对应的数据传输到输出端F 。 12-2 组合逻辑电路如题图12-2所示。 （1）写出函数F 的表达式； （2）将函数F 化为最简“与或”式，并用“与非”门实现电路； （3）若改用“或非”门实现，试写出相应的表达式。 解：（1）逻辑表达式为：C A D B D C B A F += （2）化简逻辑式 C A D B D B C A C A D B D C A D B C A D C B BC A C A D B A C A D B D C B A C A D B D C B A F +=+++++=++++++=++++=+=?)1()1())(()( 这是最简“与或”表达式，用“与非”门实现电路见题解图12-2-1，其表达式为： C A D B F ?= （3）若用“或非”门实现电路见题解图12-2-2，其表达式为： C A D B C A D B C A D B C A D B F +++=+++=++=+=))(( 由图可见，对于同一逻辑函数采用不同的门电路实现，所使用的门电路的个数不同，组合电路的速度也有差异，因此，在设计组合逻辑电路时，应根据具体不同情况，选用不同的门电路可使电路的复杂程度不同。 A A 3210 题图12-1 习题12-1电路图
A.共射; B.共集;C共基 i 18 .为了提高差动放大电路的共模抑制比，可用（B ）替代公共发射极电阻Re。i A?恒压源；B.恒流源;C.大电容 119 .为了减小零点漂移，集成运放的输入级大多采用（C 1 I ! : I A .共射电路；B .共集电路；C.差分放大电路；D .乙类放大电路 ! | 20 .减小零点漂移最有效的方法是采用（C 1 | A .共射电路;B .共集电路；C.差分放大电路；D .乙类放大电路 ? ! ! ! : : I 21 ?图1.2所示集成运算放大器的U OPP二±20V ,则输出电压U P（C ）V。 : A.0V ； B.+4V ； C.+20V ； D. -20V : I I 22.对功率放大器的要求主要是（B 1（C 1 （ E X ! : : 1 A.Uo高；B.Po大； C.功率大；D.Ri大；E.波形不失真 : | 23.共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标,它反映放大电路（A ）能力。 : I A.放大差模抑制共模; B.输入电阻高; C.输出电阻低 ! : | 24?差分放大电路R E上的直流电流I EQ近似等于单管集电极电流I CQ（B）倍。 ! : ? A.1 ; B. 2 ; C. 3 : I 25.差分放大电路是为了（C ）而设置的。 I ! : I A.稳定Au; B.放大信号;C.抑制零点漂移 I ! : | 26.直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是（C） : | A.电阻阻值有误差;B.晶体管参数的分散性;C.晶体管参数受温度的影响 I ! I 27?互补输出级采用共集接法是为了使（D \ : ! ! A.电压放大倍数增大；B.抑制共模信号能力增强；C.最大不失真输出电压增大；D.带负载能力强 ! : | 28?功率放大电路与电压放大电路的共同之处是（C I ! ! I A.都放大电压；B.都放大电流；C.都放大功率 ? : !
第1章习题答案 1. 判断题：在问题的后面括号中打√或×。 （1）当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。（√） （2）当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。（×） （3）线性电路一定是模拟电路。（√） （4）模拟电路一定是线性电路。（×） （5）放大器一定是线性电路。（√） （6）线性电路一定是放大器。（×） （7）放大器是有源的线性网络。（√） （8）放大器的增益有可能有不同的量纲。（√） （9）放大器的零点是指放大器输出为0。（×） （10）放大器的增益一定是大于1的。（×） 2 填空题： （1）放大器输入为10mV电压信号，输出为100mA电流信号，增益是10S。 （2）放大器输入为10mA电流信号，输出为10V电压信号，增益是1KΩ。 （3）放大器输入为10V电压信号，输出为100mV电压信号，增益是0.01 。 （4）在输入信号为电压源的情况下，放大器的输入阻抗越大越好。 （5）在负载要求为恒压输出的情况下，放大器的输出阻抗越大越好。 （6）在输入信号为电流源的情况下，放大器的输入阻抗越小越好。 （7）在负载要求为恒流输出的情况下，放大器的输出阻抗越小越好。 （8）某放大器的零点是1V，零漂是+20PPM，当温度升高10℃时，零点是 1.0002V 。（9）某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V，其最大不失真正电压输出+U OM是14V，最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。 （10）某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内，增益是100V/V，在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V，该放大器的下限截止频率f L是0HZ，上限截止频率f H是250KHZ，通频带 f BW是250KHZ。 3. 现有：电压信号源1个，电压型放大器1个，1K电阻1个，万用表1个。如通过实验法求信号源的 内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗，请写出实验步骤。 解:提示：按照输入阻抗、输出阻抗定义完成，电流通过测电阻压降得到。 4. 现有：宽频信号发生器1个，示波器1个，互导型放大器1个，1K电阻1个。如通过实验法求放大 器的通频带增益、上限截止频率及下限截止频率，请写出实验步骤。 解: 提示：放大器输入接信号源，输出接电阻，从0HZ开始不断加大频率，由示波器观测输入信号和输出信号的幅值并做纪录，绘出通频带各点图形。 第2章习题答案
电路与电子学基本第二版第四章答案 4.1 解：用万用表测量二极管的正向直流电阻，选择量程越大，通二极管的电流就减小，由二 极管的伏安特性曲线可知，电流急剧减小时，电压减小的很慢，所以测量出来的电阻值会大副增大。 4.2 (a) D 导通,U ab =12V (b) D 1,D 2截止，U ab =0V 改为：D 1导通,D 2截止，U ab =0V (c) D 1截止,D 2导通，U ab =-12V 4.3 (a) U=-5V I=K 10)5(5--?=1mA (b) U=-5V I=0A (c) U=3V I= K 1)5(3--=8mA (d) U=8V I=K 61212--=4mA? 4.4 图 4.5 (a) 因为30V>D 1z 的稳定电压6V ,所以D 1z 导通，D 2z 稳压，故U 0=0.7+9=9.7V (b) 因为30V> D 1z + D 2z 的稳定电压，所以D 1z 与 D 2z 都起稳压作用，故U 0=6+9=15V (c) 因为30V> D 1z 的稳定电压6V ,所以D 1z 稳定，D 2z 导通，故U 0=6+0.7=6.7V (d) 因为30V> D 1z 的正向导通电压，所以D 1z 导通，D 2z 截止，故U 0=0.7V (e) 因为30V>9V ，30V>6V ，故D 1z 起稳压作用，D 2z 截止，故U 0=6V 4.6 ① 因为12V>6V ，所以D z 稳压，故U 0=6V ，I z = K 2620--K 26=4mA<5mA ，稳压效果差 ② 因为5V<6V ，所以D z 不稳压， 有计算可知，D z 视为开路，所以U 0=5V ，I z =0mA 4.7 图 4.8 ⑴此晶体管类型为PNP 型，1为集电极，2为基极，3为发射极。 ⑵β=03 .02.1=40 4.9 (a)饱和区 (b)放大区 (c)放大区 (d)截止区 (e)放大区 (f)截止
一、选择题（共30分，每小题2分） 1、若有三个电阻R 1、R 2、R 3串联，其总电导的表达式R 是（ ） A 、123R R R ++ B 、 123123R R R R R R ++ C 、111 1/( 123 R R R ++ D 、1/(123R R R ++) 2、 电路如图1-1所示，图中所示参考方向下，电压V 应为（ ） A 1V B 2V C 3V D 4V 电子科技大学中山学院考试参考试卷 课程名称: 电路与模拟电子技术 试卷类型： 201 —201 学年第 学期 考试 考试方式： 拟题人： 日期： 审 题 人： 学 院： 班 级： 学 号： 姓 名： 提示：考试作弊将取消该课程在校期间的所有补考资格，作结业处理，不能正常毕业 和授位，请诚信应考。
图1-1 图1-2 3、某有源二端口网络如图1-2所示，求：当负载R L＝（）时，负载与而端口相连后，负载上的功率最大。 A 8KΩ B 10KΩ C 15KΩ D 20KΩ 4、一正弦交流电的表达式为，则该正弦交流电的频率为（）Hz。 A.60 B. 120 C. 30 D. 2 60 / 5、正弦交流电的电压最大值Um和有效值U之间的关系是（）。 A. Um=2U B. Um = U/2 C. Um = 2U D. Um = U/2 6、三极管的主要特点是：（） A、稳压作用 B、电流放大作用 C、单向导电性 D、电压放大作用 7、若要使三极管处于饱和状态，则此时应该满足的条件是（）。 A. 集电结反偏，发射结正偏 B. 集电结正偏，发射结反偏 C. 发射结反偏，集电结反偏 D. 集电结正偏，发射结正偏 8、已知CF741运算放大器的电源电压为+/-15V,开环电压放大倍数为1×106，最大输出电压为+/-13.5V，当V+ = 5mV, V- =0V时，运放的输出电压为( )。 A．-5V B. 5V， C. 13.5V D. -13.5V 9、电感L1和L2并联后，其等效电感L等于（）； A、L1+L2 B. L1-L2 C. L1*L2/(L1+L2) D. (L1+L2)/L1*L2 10、图1-3中A点的点位为（）。
一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增大),发射结压降(减小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共集电极)、(共发射极)、(共基极)放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(交流)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= (1/F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fh-fl ), (1+AF )称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(近似于1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调波),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载流信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy ) 1、1、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。 2、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 3、反向电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、当温度升高时,三极管的等电极电流I(增大),发射结压降UBE(减小)。 6、晶体三极管具有放大作用时,发射结(正偏),集电结(反偏)。 7、三极管放大电路共有三种组态()、()、()放大电路。
一、填空题（每小题2分，共22分） 1、KVL体现了电路中能量守恒的法则。 2、一只100Ω，1w的电阻器，使用时电阻上的电压不得超过10 V。 3、含U S和I S两直流电源的线性非时变电阻电路，若I S单独作用时，R上的电流为I′， 当U S单独作用时，R上的电流为I"，（I′与I"参考方向相同），则当U S和I S共同作用时，R上的功率应为（I′+I"）2R 。 4、若电阻上电压u与电流i为非关联参考方向，则电导G的表达式为G=-i/u 。 5、若电容上电压u与电流i为非关联参考方向，则u，i的瞬时VCR表达式为i=Cdu c/dt 。 6、若一阶电路电容电压的完全响应为u c(t)=8-3e-10t V,则电容电压的零输入响应 为5e-10t V 。 7、若一个正弦电压的瞬时表达式为10cos(100πt+45°)V,则它的周期T为0.02s 。 8、正弦稳态电路中,一个无源单口网络的功率因数为0.5, 端口电压u(t)＝10cos (100t +ψu)V，端口电流i(t)=3cos(100t-10°)A (u,i为关联参考方向),则电压的初相ψu 为50°或-70°。 9、若电感L＝2H的电流i =2 cos(10t+30°)A (设u, i为关联参考方向)，则它的电压u 为40cos(10t+120°)或40sin(10t+210°) 。 10、正弦稳态L，C串联电路中, 电容电压有效值为8V, 电感电压有效值为12V, 则总电 压有效值为4V 。 11、L1=5H, L2=2H, M=1H 的耦合电感反接串联的等效电感为5H 。 二、选择题（每小题3分，共18分） ( C )1、一RL电路在振动频率为ω的正弦信号作用下，表现出来的阻抗为1+j3 Ω，当正弦信号频率变为3ω时，RL电路表现出来的阻抗为： A. 1+j Ω B. 1+j3 Ω C. 1+j9 Ω D. 1+j6 Ω ( B )2、两存在互感的线圈，已知L1=6H、L2=2H、M=2H，当线圈采用反向串联时其等效电感为： A. 6H B. 4H C. 8H D. 12H ( C )3、若RLC并联电路的谐振角频率为ω0，则在角频率ω＞ω0时电路呈现： A. 纯阻性 B.感性 C. 容性 D. 不能确定的性质
电路与模拟电子学课程总结 姓名： 学号： 班级：级计科系软件工程（）班 一、课程总结 电路与模拟电子学也学了一个学期了，自己也颇有感悟。 本学期的课程共分为十章：第一章：电路的基本概念；第二章：电阻电路分析；第三章：动态电路分析；第四章：交流电路分析；第五章：半导体二极管及其应用电路；第六章：放大电路基础；第七章：负反馈放大电路；第八章：集成运放的应用；第九章：波形产生电路与直流稳压电源；第十章：模拟可编程器件的原理及其应用。而我们主要学习了前六章。 第一章电路的基本概念： 这一章主要介绍的是电路中的一些概念，大部分名词对我们已经不陌生了。这章我们要了解无源和有源二端元件概念，并熟悉电阻、电容和电感三个典型无源二端元件。同时，运算放大器会在后面的章节着重介绍，第一章中还有一个重要的定律就是“基尔霍夫定律”，包括“电流和电压定律”。 第二章电阻电路分析：
由线性无源元件、线性受控源和独立电源组成的电路成为线性电路。否则就称为非线性电路。如果构成线性电路的无源元件均为线性电阻，则称为线性电阻电路，简称电阻电路。简单电路的分析我们已经在高中或者初中开始接触，学起来比较轻松，但是，第二小节开始接触复杂电路的分析。复杂电路分析中可能有多个有源二端元件以及受控源，在复杂电路分析中我们要熟练掌握“节点点位法”、“叠加定理”和“等效电源定理（戴维南定理）”。如果分析含有受控源的复杂电路时，分析的依据任然是元件的伏安关系和基尔霍夫定律。但是必须注意两点：一是电路进行简化时，当受控源被保留是，不要把受控源的控制量消除掉；二是在用叠加定理、戴维南定理或者诺顿定理时，所有受控源均应保留，不能像独立源那样处理。后面介绍的非线性电阻电路比较复杂，可以根据兴趣去了解。 第三章动态电路分析： 前面一直在介绍的都是静态电路，即电路始终处于稳定状态，在这章中我们开始介绍动态电路。本章讨论含有电容和电感等储能元件的动态电路。描述这类电路的方程式微分方程。对于只含有一个储能元件或经简化后只含一个独立储能元件的电路，他的微分方程式一阶的，故称为一阶电路。本章首先分析动态电路的初始条件，着重讨论一阶电路的零输入响应、零状态响应、全响应以及阶跃等重要内容。首先理解一阶电路的零输入响应：电路的输入为零，仅由储能元件的初始储能引起的响应。一阶电路的零状态响应：电路的初始状态为零，仅由输入（独立电源）所引起的响应称为零状态响应，本节只讨论在
教师教案（2011—2012学年第一学期) 课程名称：模拟电路基础 授课学时：64学时 授课班级：20XX级光电2-4专业任课教师：钟建 教师职称：副教授 教师所在学院：光电信息学院 电子科技大学教务处
第1章半导体材料及二极管(讲授8学时+综合训练2学时) 一、教学内容及要求（按节或知识点分配学时，要求反映知识的深度、广度，对知识点的掌握程度（了解、理解、掌握、灵活运用），技能训练、能力培养的要求等） 1.1 半导体材料及其特性：理解并掌握本征半导体与杂质半导体（P型与N 型）的导电原理，本征激发与复合、多子与少子、漂移电流与扩散电流的区别；理解并掌握PN结的形成原理（耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义）；理解PN 结的单向导电特性与电容效应。（2学时） 1.2 PN结原理：PN结的形成：耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义，PN结的单向导电特性，不对称PN结。（2学时） 1.3 晶体二极管及应用：理解并掌握二极管单向导电原理及二极管伏安特性方程；理解二极管特性随温度变化的机理；理解并掌握二极管的四种等效电路及选用原则与区别；理解并掌握二极管主要参数；了解不同种类二极管区别（原理），了解硅管与锗管的区别；理解稳压二极管的工作原理。（4学时） 二、教学重点、难点及解决办法（分别列出教学重点、难点，包括教学方式、教 学手段的选择及教学过程中应注意的问题；哪些内容要深化，那些内容要拓宽等等） 重点：半导体材料及导电特性，PN结原理，二极管单向导电特性及二极管方程，二极管伏安特性曲线及其温度特性。 难点：晶体二极管及应用，PN结的反向击穿及应用。 三、教学设计（如何讲授本章内容，尤其是重点、难点内容的设计、构思） 重点讲解二极管的单向导电性，二极管单向导电特性及二极管方程，二极管伏安特性曲线及其温度特性，二极管导通电压与反向饱和电流，二极管的直流电阻与交流电阻。反向击穿应用：设计基本稳压管及电路。
5.1 (a)因为基极通过R b 与发射极等电位，发射结零偏，所以不能放大 (b) 没有基极电阻，不能放大 (c)因为基极电位高于发射极电位，使发射结反偏，所以不能放大 (d)因为基极在动态时将交流电源短路，所以不能放大 (e)因为当电路工作在动态时，C将交流电源短路，所以不能放大 (f)可以 (g)因为电容C阻直导交，所以当工作在静态时，集电极无电位，故不能放大 (h)当工作在动态时，输出被短路，所以不能放大 5.2 (a)放大(b)饱和(c)截止(d)放大 5.3 (1)I BQ =-0.13mA I CQ =? I BQ =-5.2mA U CEQ =-8.2V (2)若管子坏了，换上?=80的晶体管，则I CQ =? I BQ =-11.2mA, U CEQ=-0.8V<0 所以电路工作在饱和区，不能达到放大效果 5.4 (1) I BQ =0.0314mA I CQ =?I BQ =1.53mA U CEQ =8.94V改为：I BQ =0.0314mA I CQ =? I BQ =1.57mA U CEQ =8.86V (2)u A.=-43改为：-44 R i=1.1KΩR o=2 KΩ (3)u i 的有效值大于25.2mV时将出现失真，首先出现截止失真 5.5 (1) I BQ =20.4μA I CQ =? I BQ =1.632mA U CEQ ≈4V (2) u A.= -13.6 R i=1.6KΩR o=3.3 KΩ (3)U max o =3V (4)R b =122KΩ 5.6 (1) I BQ =24μA I EQ =1.224mA I CQ =? I BQ =1.2mA U CEQ =16.8V (2) u A.= -62.5 R i=1.2KΩR o=3 KΩ (3)U max o =1.8V U max i =28.8mV 所以U i 有效值大于28.8mV时将首先出现截止失真 5.7 (1) I BQ =20μA I CQ =? I BQ =1mA U CEQ ≈3.6V (2) u A.= -12.7 R i=5.8KΩR o=6 KΩ (3) 若C e 开路，则u A.= -1.21 R i=10.3KΩR o=6 KΩ 5.8 (1) I BQ =96μA I CQ =? I BQ =7.68mA U CEQ ≈-4.06V
第四章 习题与思考题 ◆◆ 习题 4-1 在图P4-1所示互补对称电路中，已知V CC 为6V ，R L 为8Ω，假设三极管的饱和管压降U CES ＝1V ， ① 试估算电路的最大输出功率P om ； ② 估算电路中直流电源消耗的功率P V 和效率η。 解：① W W R U V P L cem CC om 563.18 2)16(2)(2 2≈?-=-= 如忽略U CES ，则 W W R V P L CC om 25.28 2622 2=?=≈ ② W W R V P L CC V 865.28 6222 2≈??=≈ππ %55.54865 .2563.1≈==V om P P η 如忽略U CES ，则%53.78865.225.2≈== V om P P η 此题的意图是理解OCL 互补对称放大电路的P om 和P V 的估算方法。 ◆◆ 习题 4-2 在图P4-1所示的电路中： ① 三极管的最大功耗等于多少？ ② 流过三极管的最大集电极电流等于多少？ ③ 三极管集电极和发射极之间承受的最大电压等于多少? ④ 为了在负载上得到最大输出功率P om ，输入端应加上的正弦电压有效值大约等于多少？ 解：① W W P P om CM 45.025.22.02.0=?=> ② A A R V I L CC CM 75.08 6==> ③ V V V U CC CEO BR 12622)(=?=> ④ 因为互补对称电路中无论哪个三极管导电，电路均工作在射极跟随器状态，1≈u A ，而略小于1，故V V V U U CC cem i 24.426 22≈=≈≈。 本题的意图是了解OCL 互补对称电路中功率三极管极限参数的估算方法。