FLASH闪存
FLASH闪存是属于内存器件的一种，"Flash"。闪存则是一种非易失性（Non-Volatile ）内存，在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。
各类DDR 、SDRAM 或者RDRAM 都属于挥发性内存，只要停止电流供应内存中的数据便无法保持，因此每次电脑开机都需要把数据重新载入内存。
快闪存储器（英语：flash memory），是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性数据存储，以及在计算机与其他数字产品间交换传输数据，如储存卡与U盘。闪存是一种特殊的、以宏块抹写的EPROM。早期的闪存进行一次抹除，就会清除掉整颗芯片上的数据。
NOR和NAND是市场上两种主要的非易失闪存技术。
在1984年，东芝公司的发明人舛冈富士雄首先提出了快速闪存存储器（此处简称闪存）的概念。与传统电脑内存不同，闪存的特点是NVM，其记录速度也非常快。
Intel是世界上第一个生产闪存并将其投放市场的公司。1988年，公司推出了一款256K bit闪存芯片。它如同鞋盒一样大小，并被内嵌于一个录音机里。後来，Intel发明的这类闪存被统称为NOR闪存。它结合EPROM和EEPROM两项技术，并拥有一个SRAM接口。
第二种闪存称为NAND闪存。它由日立公司于1989年研制，并被认为是NOR闪存
的理想替代者。NAND闪存的写周期比NOR闪存短90%，它的保存与删除处理的速度也
相对较快。NAND的存储单元只有NOR的一半，在更小的存储空间中NAND获得了更好
的性能。鉴于NAND出色的表现，它常常被应用于诸如CompactFlash、SmartMedia、SD、MMC、xD、and PC cards、USB sticks等存储卡上。
NAND 闪存的存储单元采用串行结构，存储单元的读写是以页和块为单位来进行（一页包含若干字节，若干页则组成储存块，NAND 的存储块大小为8 到32KB ），这种结构最大的优点在于容量可以做得很大，超过512MB 容量的NAND 产品相当普遍，
NAND 闪存的成本较低，有利于大规模普及。
NAND 闪存的缺点在于读速度较慢，它的I/O端口只有8 个，比NOR 要少多了。
这区区8 个I/O 端口只能以信号轮流传送的方式完成数据的传送，速度要比NOR 闪存
的并行传输模式慢得多。再加上NAND 闪存的逻辑为电子盘模块结构，内部不存在专门的存储控制器，一旦出现数据坏块将无法修，可靠性较NOR 闪存要差。
RAM
随机存取存储器（英语：Random Access Memory，缩写：RAM），也叫主存，是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写（刷新时除外），而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储介质。RAM工作时可以随时从任何一个指定的地址写入（存入）或读出（取出）信息。它与ROM的最大区别是数据的易失性，即一旦断电所存储的数据将随之丢失。RAM在计算机和数字系统中用来暂时存储程序、数据和中间结果。
静态随机存储器（SRAM）
静态存储单元是在静态触发器的基础上附加门控管而构成的。因此，它是靠触发器的自保功能存储数据的。SRAM存放的信息在不停电的情况下能长时间保留，状态稳定，不需外加刷新电路，从而简化了外部电路设计。但由于SRAM的基本存储电路中所含晶体管较多，故集成度较低，且功耗较大。 [7]
SRAM特点如下：
●存储原理：由触发器存储数据。 [8]
●单元结构：六管NMOS或OS构成。 [8]
●优点：速度快、使用简单、不需刷新、静态功耗极低；常用作Cache。 [8]
●缺点：元件数多、集成度低、运行功耗大。 [8]
●常用的SRAM集成芯片：6116（2K×8位），6264（8K×8位），62256（32K×8位），2114（1K×4位）。 [8]
动态随机存储器（DRAM）
DRAM利用电容存储电荷的原理保存信息，电路简单，集成度高。由于任何电容都存在漏电，因此，当电容存储有电荷时，过一段时间由于电容放电会导致电荷流失，使保存信息丢失。解决的办法是每隔一定时间（一般为2ms）须对DRAM进行读出和再写入，使原处于逻辑电平“l”的电容上所泄放的电荷又得到补充，原处于电平“0”的电容仍保持“0”，这个过程叫DRAM的刷新。[7]
DRAM的刷新操作不同于存储器读/写操作，主要表现在以下几点：
（1）刷新地址由刷新地址计数器产生，不是由地址总线提供。 [7]
（2）DRAM基本存储电路可按行同时刷新，所以刷新只需要行地址，不需要列地址。 [7]（3）刷新操作时存储器芯片的数据线呈高阻状态，即片内数据线与外部数据线完全隔离。 [7]
DRAM与SRAM相比具有集成度高、功耗低、价格便宜等优点，所以在大容量存储器中普遍采用。DRAM的缺点是需要刷新逻辑电路，且刷新操作时不能进行正常读，写操作。 [7] DRAM特点如下：
●存储原理：利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理，需刷新（早期：三管基本单元；之后：单管基本单元）。 [8]
●刷新（再生）：为及时补充漏掉的电荷以避免存储的信息丢失，必须定时给栅极电容补充电荷的操作。 [8]
●刷新时间：定期进行刷新操作的时间。该时间必须小于栅极电容自然保持信息的时间（小于2ms）。 [8]
●优点：集成度远高于SRAM、功耗低，价格也低。 [8]
●缺点：因需刷新而使外围电路复杂；刷新也使存取速度较SRAM慢，所以在计算机中，DRAM常用于作主存储器。 [8]
尽管如此，由于DRAM存储单元的结构简单，所用元件少，集成度高，功耗低，所以已成为大容量RAM的主流产品。
DDR
DDR=Double Data Rate双倍速率,DDR SDRAM=双倍速率同步动态随机存储器，人们习惯称为DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写，即同步动态随机存取存储器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。
ROM
ROM是只读存储器（Read-Only Memory）的简称，是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。通常用在不需经常变更资料的电子或电脑系统中，并且资料不会因为电源关闭而消失。
1.ROM
只读存储器（Read-Only Memory）是一种只能读取资料的存储器。在制造过程中，将资料以一特制光罩（mask）烧录于线路中，其资料内容在写入后就不能更改，所以有时又称为“光罩式只读内存”（mask ROM）。此内存的制造成本较低，常用于电脑中的开机启动如启动光盘，在系统装好的电脑上时，计算机将C盘目录下的操作系统文件读取至内存，然后通过cpu调用各种配件进行工作这时系统存放存储器为RAM。这种属于COMPACT DISC激光唱片，光盘就是这种。
2.PROM
可编程程序只读存储器（Programmable ROM，PROM）之内部有行列式的熔丝，是需要利用电流将其烧断，写入所需的资料，但仅能写录一次。PROM在出厂时，存储的内容全为1，用户可以根据需要将其中的某些单元写入数据0(部分的PROM在出厂时数据全为0，则用户可以将其中的部分单元写入1)，以实现对其“编程”的目的。PROM的典型产品是“双极性熔丝结构”，如果我们想改写某些单元，则可以给这些单元通以足够大的电流，并维持一定的时间，原先的熔丝即可熔断，这样就达到了改写某些位的效果。另外一类经典的PROM为使用“肖特基二极管”的PROM，出厂时，其中的二极管处于反向截止状态，还是用大电流的方法将反相电压加在“肖特基二极管”，造成其永久性击穿即可。
3.EPROM
可抹除可编程只读存储器（Erasable Programmable Read Only Memory，EPROM）可利用高电压将资料编程写入，抹除时将线路曝光于紫外线下，则资料可被清空，并且可重复使用。通常在封装外壳上会预留一个石英透明窗以方便曝光。
4.OTPROM
一次编程只读存储器（One Time Programmable Read Only Memory，OTPROM）之写入原理同EPROM，但是为了节省成本，编程写入之后就不再抹除，因此不设置透明窗。
5.EEPROM
电子式可抹除可编程只读存储器（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，EEPROM）之运作原理类似EPROM，但是抹除的方式是使用高电场来完成，因此不需要透明窗。
6.快闪存储器
快闪存储器（Flash memory）的每一个记忆胞都具有一个“控制闸”与“浮动闸”，利用高电场改变浮动闸的临限电压即可进行编程动作。
ROM与RAM的不同使用范围介绍
RAM-Random Access Memory易挥发性随机存取存储器，高速存取，读写时间相等，且与地址无关，如计算机内存等。
ROM-Read Only Memory只读存储器。断电后信息不丢失，如计算机启动用的BIOS 芯片。存取速度很低，（较RAM而言）且不能改写。由于不能改写信息，不能升级，现已很少使用。
EPROM、EEPROM、Flash ROM(NOR Flash 和NAND Flash)，性能同ROM，但可改写。一般读出比写入快，写入需要比读出更高的电压（读5V写12V）。而Flash可以在相同电压下读写，且容量大、成本低，如今在U盘、MP3中使用广泛。在计算机系统里，RAM一般用作内存，ROM用来存放一些硬件的驱动程序，也就是固件。
RAM为易失型随机存取存储器；
ROM为非易失性只读存储器；
RAM与ROM
RAM 一、是由英文Random Access Memory的首字母构成的，意为随机存储器（可读可写的存储器），即在正常工作状态下可以往存储器中随时读写数据。根据存储单元工作原理的不同，RAM又可分为静态存储器（SRAM）和动态存储器(DRAM)。RAM的特点：可读可写；给存储器断电后，里面存储的数据会丢失。我们经常说的内存，比如计算机的内存，手机的内存，包括CPU里用的高速缓存，都属于RAM这类存储器。
RAM属于内部存储器，计算机C盘属于外部存储器,ROM只是其中的一部分。
ROM 二、是由英文Read only Memory的首字母构成的，意为只读存储器。顾名思义，就是这样的存储器只能读，不能像RAM一样可以随时读和写。它只允许在生产出来之后有一次写的机会，数据一旦写入则不可更改。它另外一个特点是存储器掉电后里面的数据不丢失，可以存放成百上千年。此类存储器多用来存放固件，比如计算机启动的引导程序，手机、MP3、MP4、数码相机等一些电子产品的相应的自带程序代码，这种用户可以通过刷机方式读写ROM。
RAM 一、是应用程序、操作系统的运行内存，关机会被清空的临时性存储器。
ROM 二、是COMPACT DISC激光唱片，光盘也属于这种(如：电脑系统光盘，ghost 版一般都可以直接在光盘上引导并启动winPE操作系统)。
综上所述，ROM指的是计算机（包括手机）的文件内存，RAM指的是用了运行系统及应用程序的临时性存储器，比如手机的操作系统、一些应用程序如游戏等。