电力电子技术习题答案
电力电子技术真正的第五版课后习题答案
第一章无」
第二章电力电子器件
2. 使晶闸管导通的条件是什么？
答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电 流(脉冲)。或：U AK >0且U G QO 。
3. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：维持
晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电 流，即维持电流。
要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管 的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶 闸管关断。
解: a)
b)
C)
d1
=
图2-27 晶辆管导电波形
1 I
：
2
丄 -1 m si n ，td(，t) =』(一 1) 0.2717 I m
n I 1
^ 1 (I m si n 7円(，t) =L . 3 J 0.4767 I m 2二 4 2 : 4 2 二
I d2 = — I m sin ;：:td(；：:t) = ( -— ■' 1) ：
1-0.5434
I m
n 4 n 2
12 =* g(l m Sincot)2d(cot) =^|^ ￡ + 1
0.6741 I m
I d3= 1 2冗 I -
1
〔二
1 =
2 I m d( t)= I m
2冗'0
4
2 2
1 . 02
I m d( -t) = I m
2
5.上题中如果不考虑安全裕量，问100A 的晶闸管能送出的平均电流l d1、I d2
I d3各为多少？这时，相应的电流最大值
I m 、I m2、I m3各为多少？
解：额定电流I T (AV ) =100A 的晶闸管，允许的电流有效值I =157A ，由上题计算
4.图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形, 大值均为
各波形的电流最 I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值丨1
、丨2、丨3。
结果知
第三章整流电路
1.单相半波可控整流电路对电感负载供电， L = 20mH U 2 = 100V,求当a= 0。和
60时的负载电流I d ，并画出U d 与i d 波形。
解：a= 0时，在电源电压U 2的正半周期晶闸管导通时，负载电感 L 储能，在 晶闸管开始导通时刻，负载电流为零。在电源电压 U 2的负半周期，负载电感 L 释放能量，晶闸管继续导通。因此，在电源电压 U 2的一个周期里，以下方程均
成立：
L 叫=.2U 2sin t dt
考虑到初始条件：当 沁=0时i d = 0可解方程得：
V2U 2
i d
- （1「cos ，t ）
co L
1 /兀屁U 2
l d
2
（1「cos ，t ）d （，t ） 2兀 0
?L
==22.51（A ）
L
U d 与i d 的波形如下图：
当a = 60°寸，在U 2正半周期60 ~180期间晶闸管导通使电感L 储能，电感
L 储藏的能量在U 2负半周期180 ~300期间释放，因此在U 2一个周期中60 ~300 期间以
下微分方程成立：
d i d 厂
a) b) c)
I mi 329.35 , 0.4767 I m2 -
232.90,
0.6741
I m3=2 I = 314,
I di 呼0.2717 I mi ：、89.48 I d2 0.5434 I m2 126.56
d3
=1 I m 尹
78.5
L 一 = 2U 2sin t
dt
考虑初始条件：当t = 60时i d = 0可解方程得:
负2/1 4、
i d ( cos t)
L 2
其平均值为
1「2戌(1 Rs t)d( t)= 2U
2=11.25(A)
2- 3 L 2 2L
此时U d与i d的波形如下图:
2 ?图2-9为具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路，问该变压器还有直流磁化问题吗？试说明：①晶闸管承受的最大反向电压为2?、2U2;②当负
载是电阻或电感时，其输出电压和电流的波形与单相全控桥时相同。
答：具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路，该变压器没有直流磁化的问题。
因为单相全波可控整流电路变压器二次测绕组中，正负半周内上下绕组内电
流的方向相反，波形对称，其一个周期内的平均电流为零，故不会有直流磁化的问题。
以下分析晶闸管承受最大反向电压及输出电压和电流波形的情况。
①以晶闸管VT2为例。当VT1导通时，晶闸管VT2通过VT 与2
个变压器二次绕组并联，所以VT2承受的最大电压为2?、2U2。
②当单相全波整流电路与单相全控桥式整流电路的触发角
:相同时，对于电阻负载：(0~a )期间无晶闸管导通，输出电压为0;
( a ~ n)期间，单相全波电路中VT导通，单相全控桥电路中VT、
VT4导通，输出电压均与电源电压U2相等；(n ~n + a )期间，均无晶
闸管导通，输出电压为0; (n + a ~ 2 n ) 期间，单相全波电路中VT2
导通，单相全控桥电路中VT2、VT3导通，输出电压等于-氏。
对于电感负载：(a ~ n + a )期间，单相全波电路中VT导通，单相全控桥电路中VT、VT4导通，输出电压均与电源电压U2相等；(n+a ~ 2 n + a ) 期间，单相全波电路中VT2导通，单相全控桥电路中VT2、VT3导通，输出波形等
于- U2。
可见，两者的输出电压相同，加到同样的负载上时，贝U输出电流也相同
3 ?单相桥式全控整流电路，U2= 100V,负载中R= 2Q, L值极大，当a = 30°寸，要求：①作出U d、i d、和i 2的波形；
②求整流输出平均电压U、电流I d,变压器二次电流有效值丨2 ；
③考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压和额定电流。解：①U d、i d、和i2的波形如下图：
②输出平均电压U d、电流I d,变压器二次电流有效值12分别为
U d= 0.9 U2 cos a = 0.9 X 100X cos30° = 77.97 (V)
l d= U d / R= 77.97/2 = 38.99 (A)
1
2= 1 d = 38.99 (A)
③晶闸管承受的最大反向电压为：
.2 L b= 100 2 = 141.4 (V)
考虑安全裕量，晶闸管的额定电压为：
U N=( 2~3)X 141.4 = 283~424 (V)
具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。
流过晶闸管的电流有效值为：
I VT= I d/ 2 = 27.57 (A)
晶闸管的额定电流为：
I N=( 1.5~2 ) X 27.57 / 1.57 = 26~35 (A)
具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。
4 ?单相桥式半控整流电路，电阻性负载，画出整流二极管在一周内承受的电压波形。
解：注意到二极管的特点：承受电压为正即导通。因此，二极管承受的电压不会出现正的部分。在电路中器件均不导通的阶段，交流电源电压由晶闸管平衡。整流二极管在一周内承受的电压波形如下：
5 ?单相桥式全控整流电路，U2=100 V,负载中R=2Q,L值极大，反电势E=60V, 当：=30时，要求：
①作出U d、i d和i 2的波形；
②求整流输出平均电压U、电流I d，变压器二次侧电流有效值丨2；
③考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压和额定电流。解：①氏、i d和i 2的波形如下图：
②整流输出平均电压U d、电流I d，变压器二次侧电流有效值12分别为
U d= 0.9 U2 cos a= 0.9 X 100X cos30°= 77.97(A)
I d = (U d- E)/ R= (77.97 —60)/2 = 9(A)
12= I d = 9(A)
③晶闸管承受的最大反向电压为：
212= 100.2 = 141.4 (V)
流过每个晶闸管的电流的有效值为：
I VT= I d / 2 = 6.36 (A)
故晶闸管的额定电压为：
U N= (2~3) X 141.4 = 283~424 (V)
晶闸管的额定电流为：
I N= (1.5~2) X 6.36 / 1.57 = 6~8 (A)
晶闸管额定电压和电流的具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。
6. 晶闸管串联的单相半控桥(桥中 VT 、VT 为晶闸管)，电路如图2-11所
示，U 2=100V 电阻电感负载，R=2Q, L 值很大，当:=60时求流过器件电流的 有效值，并作出s 、i d 、i VT 、i D 的波形。 解：s 、i d 、i VT > i D 的波形如下图：
负载电压的平均值为：
U d 二丄 一2U 2si n td( t) =0.9U 2^_
C0S
^^) = 67.5 (V )
兀育
2
负载电流的平均值为：
l d = U d / R= 67.52 / 2= 33.75 (A )
流过晶闸管VT 、VT 2的电流有效值为：
、1 I d = 19.49 (A )
-3
流过二极管VD 、VD 的电流有效值为：
7.在三相半波整流电路中，如果 a 相的触发脉冲消失，试绘出在电阻性负 载和电感
性负载下整流电压U d 的波形。
解：假设:=0，当负载为电阻时，U d 的波形如下:
当负载为电感时，U d 的波形如下
:
I VT = I VD = 、2 I d = 27.56 (A )
、
3
8 ?三相半波整流电路，可以将整流变压器的二次绕组分为两段成为曲折接 法，每段
的电动势相同，其分段布置及其矢量如图
2-60所示，此时线圈的绕组
增加了一些，铜的用料约增加10%问变压器铁心是否被直流磁化，为什么?
图
2
曲折接法及其矢量图
答：变压器铁心不会被直流磁化。原因如下：
变压器二次绕组在一个周期内：当 a i C 2对应的晶闸管导通时，a i 的电流向下 流，C 2
的电流向上流；当c i b 2对应的晶闸管导通时，c i 的电流向下流，b 2的电流 向上流；当b i a 2对应的晶闸管导通时，b i 的电流向下流，a 2的电流向上流；就变 压器的一次绕组而言，每一周期中有两段时间（各为 120 ）由电流流过，流过
的电流大小相等而方向相反，故一周期内流过的电流平均值为零，所以变压器 铁心不会
被直流磁化。
9 ?三相半波整流电路的共阴极接法与共阳极接法， a 、b 两相的自然换相点 是同一点吗？如果不是，它们在相位上差多少度？ 答：三相半波整流电路的共阴极接法与共阳极接法， a 、b 两相之间换相的的自
然换相点不是同一点。它们在相位上相差 180°
10 ?有两组三相半波可控整流电路，一组是共阴极接法，一组是共阳极接 法，如果它
们的触发角都是〉，那末共阴极组的触发脉冲与共阳极组的触发脉冲 对同一相来说，例如都是a 相，在相位上差多少度？ 答：相差180°。
1
7\
Z
ABC
C
c 2
11 ?三相半波可控整流电路，U=100V,带电阻电感负载，R=5Q,L 值极大, 当：=60
时，要求：
画出U d 、i d 和i VT1 的波形； 计算 U d 、I d 、I dT 和 I VT o
i d 和 i VT1
I d 、I dT
和I VT 分别如下
U d = 1.17 U 2cos ： = 1.17 x 100X cos60
I d = U d / R = 58.5 / 5= 11.7 I dVT = I d / 3= 11.7 / 3 = 3.9
I VT = I d / . 3 = 6.755 (A )
12 ?在三相桥式全控整流电路中，电阻负载，如果有一个晶闸管不能导通， 此时的
整流电压U d 波形如何？如果有一个晶闸管被击穿而短路，其他晶闸管受 什么影响？ 答：假设VT 不能导通，整流电压U d 波形如下：
假设VT 被击穿而短路，则当晶闸管VT 3或VT 5导通时，将发生电源相间短路， 使得VT 3、VT 5也可能分别被击穿。
13 ?三相桥式全控整流电路，U=100V,带电阻电感负载，R=5Q ，L 值极大, 当-=60
时，要求：
① 画出U d 、i d 和i VT 1的波形； ②
计算U 、I d 、I dT 和I VT o
① ② 解：
②U d 、 =58.5 (V )
(A ) (A
)
解：①U d 、i d 和i VTI 的波形如下：
②U d 、I d 、I dT 和I VT 分别如下
U d = 2.34UCOS = 2.34 X 100X cos60°=117(V )
l d = U d / R= 117/5 = 23.4 (A )
I DVT = I d / 3 = 23.4 / 3= 7.8 (A )
I VT = I d /、. 3 = 23.4 / ■■, 3 = 13.51 (A )
14 .单相全控桥，反电动势阻感负载，R=1 Q , L=x, E=40V, U 2=100V, L B =0.5mH,
当：=60时求U d 、I d 与 的数值，并画出整流电压U d 的波形。 解：考虑L B 时，有：
U d = 0.9 U 2cos a — A U d
△ U = 2X B I d / n
I d =( U d — E ) / R
解方程组得：
U d =( n R 0.9 U 2cos a + 2X B E )/( n R + 2X B )= 44.55 (V )
A U d = 0.455 (V )
I d = 4.55 (A )
又???
cos ： — cos (二川'即)=■■. 2 I d X B / U2
即得出
cos(60 ) =0.4798
换流重叠角
7
= 61.33 ° - 60 ° =1.33 °
U 2 t
口 U cb U!
a = 60° U a ? U b
U c
I * I I
O
U ab
u ac :
O
U d i
O w O
最后，作出整流电压U d的波形如下：
15 ?三相半波可控整流电路，反电动势阻感负载，U2=100V, R=1Q , L=x, L B=1mH求当a=30。时、E=50V时U d、I d、Y的值并作出U d与i VTI和i VT2的波形。解：考虑L B时，有：
U = 1.17 Ucos a — A U d
A U d= 3X
B I d / 2 n
l d=( U d—E) / R
解方程组得:
U d=( n R 1.17U2cos a + 3X B E)/( 2n R+ 3X B)= 94.63 (V)
A U = 6.7 (V)
I d = 44.63 (A)
又???
cos：—cos(："' ；■) = 2 I d X B/ . 6 U2
即得出
cos(30 ) =0.752
换流重叠角
=41.28 ° - 30 ° =11.28
U d、i VT1 和i VT2 的波形如下：
O
16 .三相桥式不可控整流电路，阻感负载， R=5Q, L=x, U 2=220V, X B =0.3 Q,求U 、I d 、I VD I 2和的值并作出U d 、i VD 和i 2的波形。
解：三相桥式不可控整流电路相当于三相桥式可控整流电路 a =0时的情况。
U = 2.34 Ucos a — A U d
△ U = 3X 3I d / n
I d = U d / R
解方程组得：
U d = 2.34 U 2cos a /(1 + 3X B / n 486.9 (V )
I d = 97.38 (A )
又???
cos 二—cos(j 川讦)=2 I d X B / . 6 U
即得出
cos =0.892
换流重叠角
=26.93 °
二极管电流和变压器二次测电流的有效值分别为
I VD = I d / 3 = 97.38 / 3 = 32.46 (A )
I 2a =、2 I d = 79.51 (A )
\3 U d 、 i VD1 和i 2a
的波形如下：
17. 三相全控桥，反电动势阻感负载，E=200V, F=1Q , L=X , U 2=220V , =60 , 当①L B =0和②L B =1mH 青况下分别求U d 、I d 的值，后者还应求 并分别作出U d 与“ 的波形。
解：①当L B = 0时：
2.34 Ucos a = 2.34 X 220X cos60°= 257.4 (V ) o
o
心
0123
I d =( U d — E )/ R =( 257.4 — 200)/ 1 = 57.4 (A )
②当L B = 1mH 时
U d = 2.34 Ucos a — A U d
△ U = 3X B I d / n
I d =( U d — E ) / R
解方程组得：
U d =( 2.34 n UR cos a + 3X B E )/( n R + 3X B )= 244.15 (V )
I d = 44.15 (A )
A U d = 13.25 (V )
又 v cos : — cos (二川 F ) = 2X B I d / . 6 U
cos(60 ) = 0.4485
丫 = 63.35 0— 60 = 3.35 °
U d 、I VT1 和I VT2 的波形如下：
18. 单相桥式全控整流电路，其整流输出电压中含有哪些次数的谐波？其中 幅值最大的是哪一次？变压器二次侧电流中含有哪些次数的谐波？其中主要的 是哪几次？
答：单相桥式全控整流电路，其整流输出电压中含有2k （k=1、2、3…）次谐波, 其中幅值最大的是2次谐波。变压器二次侧电流中含有2k + 1 （k = 1、2、3……） 次即奇次谐波，其中主要的有 3次、5次谐波。
19. 三相桥式全控整流电路，其整流输出电压中含有哪些次数的谐波？其中 幅值最大的是哪一次？变压器二次侧电流中含有哪些次数的谐波？其中主要的
是哪几次？
答：三相桥式全控整流电路的整流输出电压中含有 6k (k = 1、2、3……)次的 谐波，其中幅值最大的是6次谐波。变压器二次侧电流中含有6k±1(k=1、2、3……) 次的谐波，其中主要的是5、7次谐波。
U 2 O
U d O
i VT1 O
I VT2
O
IV be
ba cb ca :! u b I d U a U c
I d
%
I U ac U :-X
U
ab !；U ac h f 1 L-— -■ t ■*t
20. 试计算第3题中i 2的3、5、7次谐波分量的有效值I 23、I 25、I 27。
解：在第3题中已知电路为单相全控桥，其输出电流平均值为
I d = 38.99 (A)
于是可得：
丨23= 2.2 I d/ 3n= 2 2X 38.99 / 3n = 11.7 (A)
125= 2.. 2 I d/5n = 2 2X 38.99 / 5n= 7.02 (A)
127= 2.2 I d/7n= 22X 38.99 / 7n= 5.01 (A)
21 .试计算第13题中i 2的5、7次谐波分量的有效值丨25、丨27。
解：第13题中，电路为三相桥式全控整流电路，且已知
I d= 23.4 (A)
由此可计算出5次和7次谐波分量的有效值为：
125= . 6 I d / 5 n = 6 X 23.4 / 5 n= 3.65 (A)
127= , 6 I d / 7n= .. 6 X 23.4 / 7n = 2.61 (A)
22. 试分别计算第3题和第13题电路的输入功率因数。
解：①第3题中基波电流的有效值为：
I 1= 2 ..2 I d/ n = 2 ..2 X 38.99 / n = 35.1 (A)
基波因数为
\ = I 1/ I =丨1 / I d= 35.1 / 38.99 = 0.9
电路的输入功率因数为：
= cos：= 0.9 cos30 ° = 0.78
②第13题中基波电流的有效值：
I 1= 6 I d / n = 6 X23.39 / n = 18.243 (A)
基波因数为
=I 1 / I = I 1 / I d= 0.955
电路的输入功率因数为：
=、COS ：= 0.955 cos60 ° = 0.48
23. 带平衡电抗器的双反星形可控整流电路与三相桥式全控整流电路相比有何主要异同？
答：带平衡电抗器的双反星形可控整流电路与三相桥式全控整流电路相比有以下异同点：
①三相桥式电路是两组三相半波电路串联，而双反星形电路是两组三相半波
电路并联，且后者需要用平衡电抗器；
②当变压器二次电压有效值U2相等时，双反星形电路的整流电压平均值U 是三相桥式电路的1/2，而整流电流平均值I d是三相桥式电路的2倍。
③在两种电路中，晶闸管的导通及触发脉冲的分配关系是一样的，整流电压
u d和整流电流i d的波形形状一样。
24. 整流电路多重化的主要目的是什么？
答：整流电路多重化的目的主要包括两个方面，一是可以使装置总体的功率容量大，二是能够减少整流装置所产生的谐波和无功功率对电网的干扰。
25. 12脉波、24脉波整流电路的整流输出电压和交流输入电流中各含哪些次数的谐波？
答：12脉波电路整流电路的交流输入电流中含有11次、13次、23次、25次等即
12k_1、(k=1, 2, 3 ?…)次谐波，整流输出电压中含有12、24等即12k (k=1, 2, 3 ? ??)次谐波。
24脉波整流电路的交流输入电流中含有23次、25次、47次、49次等，即24k_1 (k=1, 2, 3 ? ?)次谐波，整流输出电压中含有24、48等即24k (k=1, 2, 3 ??-)次谐波。
26. 使变流器工作于有源逆变状态的条件是什么？
答：条件有二：
①直流侧要有电动势，其极性须和晶闸管的导通方向一致，其值应大于变流
电路直流侧的平均电压；
②要求晶闸管的控制角a >n /2，使U d为负值。
27. 三相全控桥变流器，反电动势阻感负载，R=1Q, L=x, U=220V, L B=1E H当E=-400V, -=60时求U d、I d与的值，此时送回电网的有功功率是多少？
解：由题意可列出如下3个等式：
U d= 2.34 Ucos( n - p ) — A U d
△U = 3X B I d / n
I d=( U d一R/i) / R
三式联立求解，得
U d= [2.34 n UR cos( n -p ) + 3X B E] / ( n R+ 3X B) = —290.3 (V)
I d = 109.7 (A)
由下式可计算换流重叠角：
cos：—cosg 卜=■) = 2X B I d/ 6 U= 0.1279
cos(120 ) = 0.6279
丫 = 128.90 —120 = 8.90
送回电网的有功功率为
2 2
P=|E M l d |-l：R=400X 109.7-109.7 X 109.7 X 1=31.85(W)
28. 单相全控桥，反电动势阻感负载，R=1 Q , L=x, U2=100V, L=0.5mH,
当E=-99V, -=60时求U、丨d和的值。
解：由题意可列出如下3个等式：
U d= 0.9 Ucos( n - B ) 一△ U d
△U d = 2X B I d / n I d=( U d—氐)/ R 三式联立求解，得
U=[ n R 0.9 L2cos( n - B ) + 2X B E M /( n R+ 2X B)=—49.91 (V)
I d = 49.09 (A)
又???
cos工—cos(:亠’)=.2 l d X B/ U2=0.2181
即得出
cos(120 ) =-0.7181
换流重叠角
=135.9 ° - 120 ° =15.9 °
29 .什么是逆变失败？如何防止逆变失败？
答：逆变运行时，一旦发生换流失败，外接的直流电源就会通过晶闸管电路形成短路，或者使变流器的输出平均电压和直流电动势变为顺向串联，由于逆变电路内阻很小，形成很大的短路电流，称为逆变失败或逆变颠覆。
防止逆变失败的方法有：采用精确可靠的触发电路，使用性能良好的晶闸管，保证交流电源的质量，留出充足的换向裕量角B等。
30.单相桥式全控整流电路、三相桥式全控整流电路中，当负载分别为电阻负载或电感负载时，要求的晶闸管移相范围分别是多少？答：单相桥式全控整流电路，当负载为电阻负载时，要求的晶闸管移相范围是0 ~ 180，当负载为电感负载时，要求的晶闸管移相范围是0 ~ 90 。
三相桥式全控整流电路，当负载为电阻负载时，要求的晶闸管移相范围是0 ~ 120，当负载为电感负载时，要求的晶闸管移相范围是0 ~ 90 。
第四章逆变电路
1.无源逆变电路和有源逆变电路有何不同？
答：两种电路的不同主要是：
有源逆变电路的交流侧接电网，即交流侧接有电源。而无源逆变电路的交
流侧直接和负载联接。
2 .换流方式各有那几种？各有什么特点？答：换流方式有4种：
器件换流：利用全控器件的自关断能力进行换流。全控型器件采用此换流方式。
电网换流：由电网提供换流电压，只要把负的电网电压加在欲换流的器件上即可。
负载换流：由负载提供换流电压，当负载为电容性负载即负载电流超前于负载电压时，可实现负载换流。
强迫换流：设置附加换流电路，给欲关断的晶闸管强迫施加反向电压换流称为强迫换流。通常是利用附加电容上的能量实现，也称电容换流。
晶闸管电路不能采用器件换流，根据电路形式的不同采用电网换流、负载换流和强迫换流3种方式。
3.什么是电压型逆变电路？什么是电流型逆变电路？二者各有什么特点。
答：按照逆变电路直流测电源性质分类，直流侧是电压源的称为逆变电路称为电压型逆变电路，直流侧是电流源的逆变电路称为电流型逆变电路
电压型逆变电路的主要特点是：
①直流侧为电压源，或并联有大电容，相当于电压源。直流侧电压基本无脉动，直流回路呈现低阻抗。
②由于直流电压源的钳位作用，交流侧输出电压波形为矩形波，并且与负载阻抗角无关。而交流侧输出电流波形和相位因负载阻抗情况的不同而不同。
③当交流侧为阻感负载时需要提供无功功率，直流侧电容起缓冲无功能量的作用。为了给交流侧向直流侧反馈的无功能量提供通道，逆变桥各臂都并联了反馈二极管。
电流型逆变电路的主要特点是：
①直流侧串联有大电感，相当于电流源。直流侧电流基本无脉动，直流回路呈现高阻抗。
②电路中开关器件的作用仅是改变直流电流的流通路径，因此交流侧输出电
流为矩形波，并且与负载阻抗角无关。而交流侧输出电压波形和相位则因负载阻抗情况的不同而不同。
③当交流侧为阻感负载时需要提供无功功率，直流侧电感起缓冲无功能量的作用。因为反馈无功能量时直流电流并不反向，因此不必像电压型逆变电路那样要给开关器件反并联二极管。
4 .电压型逆变电路中反馈二极管的作用是什么？为什么电流型逆变电路中没有反馈二极管？
答：在电压型逆变电路中，当交流侧为阻感负载时需要提供无功功率，直流侧电容起缓冲无功能量的作用。为了给交流侧向直流侧反馈的无功能量提供通道，逆变桥各臂都并联了反馈二极管。当输出交流电压和电流的极性相同时，
电流经电路中的可控开关器件流通，而当输出电压电流极性相反时，由反馈二 极管提供电流通道。
在电流型逆变电路中，直流电流极性是一定的，无功能量由直流侧电感来 缓冲。当需要从交流侧向直流侧反馈无功能量时，电流并不反向，依然经电路 中的可控开关器件流通，因此不需要并联反馈二极管。
5.三相桥式电压型逆变电路，180°导电方式，U d =100V 。试求输出相电压的基 波幅值Uj N1m 和有效值U U N 、输出线电压的基波幅值U Uvin 和有效值U Uvi 、输出线电压 中5次谐波的有效值U U V 。 解：输出相电压的基波幅值为
2U 经=0.637U d =63.7(V)
JI
输出相电压基波有效值为:
输出线电压的基波幅值为
其有效值为: 6.并联谐振式逆变电路利用负载电压进行换相， 为保证换相应满足什么条件？ 答：假设在t 时刻触发VI 、VT 3使其导通，负载电压U o 就通过VT 2、VT 3施加在 VT 、VT 4上,使其承受反向电压关断，电流从VT 、VT 4向VT 2、VT 3转移，触发VT 2、 VT 3时刻t 必须在U o 过零前并留有足够的裕量，才能使换流顺利完成。
7?串联二极管式电流型逆变电路中，二极管的作用是什么？试分析换流过程。 答：二极管的主要作用，一是为换流电容器充电提供通道，并使换流电容的电 压能够得以保持，为晶闸管换流做好准备；二是使换流电容的电压能够施加到 换流过程中刚刚关断的晶闸管上，使晶闸管在关断之后能够承受一定时间的反 向电压，确保晶闸管可靠关断，从而确保晶闸管换流成功。
以VT 和VT 3之间的换流为例，串联二极管式电流型逆变电路的换流过程可 简述如下：
给VT 3施加触发脉冲，由于换流电容 C 13电压的作用，使VT 3导通，而VT i 被施以反向电压而关断。直流电流 I d 从VT i 换到VT 3上, C 13通过VD i 、U 相 负载、W 相负载、VD 2、VT 2、直流电源和VT 3放电，如图5-16b 所示。因放电
电流恒为I d ,故称恒流放电阶段。在C 13电压U C13下降到零之前，VT 1 一直承受 反压，只U UN1m U UN1 二 U u ； =o.45U d =45(V)
U UV1m 2.3U d -1.1U d =110(V)
输出线电压基波的有效值为
= U u vim 二兰U d =0.78U d =78(V) i 2 U UV5的表达式为：
2 3U d
d sin 旳 t U UV1 UV1m 输出线电压中五次谐波
U UV5 5兀
U UV5 音許=15￡9(V) 5 2
要反压时间大于晶闸管关断时间t q,就能保证可靠关断。
U C13降到零之后在U相负载电感的作用下，开始对C13反向充电。如忽略负载中电阻的压降，则在U C13=0时刻后，二极管VD3受到正向偏置而导通，开始流过电流，两个二极管同时导通，进入二极管换流阶段，如图5-16c所示。随着C i3
充电电压不断增高，充电电流逐渐减小，到某一时刻充电电流减到零，VD1承受反压而关断，二极管换流阶段结束。
之后，进入VT2、VT3稳定导通阶段，电流路径如图5-16d所示。
8 ?逆变电路多重化的目的是什么？如何实现？串联多重和并联多重逆变电路各用于什么场合？
答：逆变电路多重化的目的之一是使总体上装置的功率等级提高，二是可以改善输出电压的波形。因为无论是电压型逆变电路输出的矩形电压波，还是电流型逆变电路输出的矩形电流波，都含有较多谐波，对负载有不利影响，采用多重逆变电路，可以把几个矩形波组合起来获得接近正弦波的波形。
逆变电路多重化就是把若干个逆变电路的输出按一定的相位差组合起来，使它们所含的某些主要谐波分量相互抵消，就可以得到较为接近正弦波的波形。组合方式有串联多重和并联多重两种方式。串联多重是把几个逆变电路的输出串联起来，并联多重是把几个逆变电路的输出并联起来。
串联多重逆变电路多用于电压型逆变电路的多重化。
并联多重逆变电路多用于电流型逆变电路得多重化。
第五章直流-直流交流电路
1 ?简述图5-1a所示的降压斩波电路工作原理。
答：降压斩波器的原理是：在一个控制周期中，让V导通一段时间t on，由电源E向L、R、M供电，在此期间，u°= E。然后使V关断一段时间t off，此时电感L 通过二极管VD 向R和M供电，0。一个周期内的平均电压10 = 址E。
t on * t off
输出电压小于电源电压，起到降压的作用。
2 ?在图5-1a所示的降压斩波电路中，已知E=200V, R=10Q，L值极大,
時30V, T=50卩s,t on=20卩s,计算输出电压平均值U,输出电流平均值I。。
解：由于L值极大，故负载电流连续，于是输出电压平均值为
u o二如E = 20
汉200 =80
(V)
T 50 输出电流平均值为
I o = Uo
-E M =
80 -30 =5(A)
R 10
3 .在图5-1a所示的降压斩波电路中，E=100V, L=1mH R=0.5 Q , E=10V,
电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高 时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成， 由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 | 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系， 其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以 上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属 于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双 极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动 的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 . 第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续 流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为___，续流二极管承受的最大反向电压为___（设U2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管 所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_；带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _， 单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-α-_; 当控制角小于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-2_。
电力电子技术基础参考资料(doc 10页)
思考题与习题 1. 独立思考以下各小题，分别从“SCR、GTO、GTR、功率MOSEFT和IGBT”中选择合适的词填写在各小题的括号里。 （1）（）是半控器件，（）和（）是全控器件。 （2）（）和（）所需驱动电路的静态功耗接近于0。 （3）如果希望导通电流为15A时，器件主回路的导通压降小于220mV，则应选用（）作为主开关器件。 （4）除功率MOSFET外，（）的输入特性与功率MOSFET的输入特性类似。 （5）（）在导通电流为500A条件下，为了将它关断，它的控制极所需反向关断电流之峰值的绝对值需超过100A。 （6）（）的输入特性与双极型三极管的输入特性类似。 （7）如果希望制做一个升压型DC-DC变换电路，将450V 直流电源升高为650V直流电源，最大输出电流为200A，斩波频率为15KHz，则应选用（）作为主开关器件。 （8）（）如果已经导通，在主回路电流大于10A条件下，即使控制信号变为负值，它也不能关断。 2. 分析比较SCR（普通晶闸管）、双向SCR（双向晶闸管）、GTO （可 关断晶闸管）、GTR（电力双极型晶体管）、功率MOSFET和IGBT
（9）当U IN变化20%时，哪几种整流电路输出电压平均值的变化可小于3%？ （10）哪几种整流电路的功率因数低？ （11）哪几种整流电路的对交流输入电源造成的干扰小？ （12）如果在整流电路的输出与R L之间串接平波电感L，并希望在I RL达100A时R L两端电压的纹波因数小于1%，问：选用哪种整流电路所需L的电感量最小？ 6. 单相桥式二极管整流电路的交流输入电压有效值为220V，分别计算下列两种不同负载条件下整流输出电压的平均值U d、负载电流的平均值I d、每只整流二极管电流的平均值I DT 和有效值I T： （1）负载为纯阻性，R=10Ω。 （2）负载为电阻与电感相串联，R=10Ω，L可视为无穷大。 7. 由晶闸管构成的单相桥式全控整流电路的交流输入电压之有效值为100V，负载R=2Ω，L可视为无穷大，反电动势E=50V。试求α=30°时整流输出电流的平均值I d、每只晶闸管电流的平均值I dT和有效值I T。 8. 设晶闸管三相桥式可控整流电路输出带阻感负载，R=10Ω，L可视为∞？，它的三相交流输入线电压之有效值和全控整流输出电压之平均值分别为U lL和U d，U lL随电网电压波动的变化范围是320V至420V，晶闸管的导通压降可视为0，试求：
电力电子技术试题
第 1 章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力 MOSFET）、绝缘 栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力 MOSFET 、 IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力 MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力 MOSFET，属于电压驱动的是电力 MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、
GTO 、GTR _。2、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是
绝缘栅双极晶体管的图形符号是
；电力晶体管的图形符号是
；
第 2 章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是__0-180O
_ ，其承受的最大正反向电压均为_ 2U2 __，续流二极管承受的最大反向电压为__ 2U2 _（设 U2 为相电压有效值）。
3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α 角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 2 和_ 2U2 ；
带阻感负载时，α 角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 _和__ 2U2 _；带反电动势负载时，欲使电阻上的电
流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压 UFm 等于__ 2U2 _，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-150o_，使负载电流连
续的条件为__ 30o __(U2 为相电压有效值)。
6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时， 的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_
的相电压；这种电路
角的移相范围是_0-120o _，ud 波形连续的条件是_ 60o _。
8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。
11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当
从 0°～90°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而 _增大_，
当
从 90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而_减小_。
12. 逆 变 电 路 中 ， 当 交 流 侧 和 电 网 连 结 时 ， 这 种 电 路 称 为 _ 有 源 逆 变 _ ， 欲 实 现 有 源 逆 变 ， 只 能 采 用 __ 全 控 _ 电 路 ； 对 于 单 相 全 波 电 路 ， 当 控制 角
0<
<
时，电路工作在__整流_状态；
时，电路工作在__逆变_状态。
13.在整流电路中，能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势，
其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角 a > 90O，使输出平均电压 Ud 为负值_。 第 3 章 直流斩波电路
1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。
2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。
3.斩波电路有三种控制方式：_脉冲宽度调制（PWM）_、_频率调制_和_（ton 和 T 都可调，改变占空比）混合型。
6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。
7.Sepic 斩波电路和 Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续，_ Zeta 斩波电路_的输入、输
出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。
8.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限，升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限，_电流可逆斩波电路能
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《电力电子技术》试卷 一．填空（共15分，1分/空） 1.电力电子技术通常可分为（）技术和（）技术两个分支。 2.按驱动电路信号的性质可以将电力电子器件分为（）型器件和（）型器件两类，晶闸管属于其中的（）型器件。 3.晶闸管单相桥式全控整流电路带反电动势负载E时（变压器二次侧电压有效值为U ，忽略主电路 2 各部分的电感），与电阻负载时相比，晶闸管提前了电角度δ停止导电，δ称为（）角，数量关系为δ=（）。 4.三相桥式全控整流电路的触发方式有（）触发和（）触发两种，常用的是（）触发。 5.三相半波可控整流电路按联接方式可分为（）组和（）组两种。 6.在特定场合下，同一套整流电路即可工作在（）状态，又可工作在（）状态，故简称变流电路。 7.控制角α与逆变角β之间的关系为（）。 二．单选（共10分，2分/题） 1．采用（）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。 A.直流断路器 B. 快速熔断器 C.过电流继电器 2．晶闸管属于（）。 A.不可控器件 B. 全控器件 C.半控器件 3．单相全控桥式整流电路，带阻感负载（L足够大）时的移相范围是（）。 A．180O B.90O C.120O 4．对三相全控桥中共阴极组的三个晶闸管来说，正常工作时触发脉冲相位应依次差（）度。 A.60 B. 180 C. 120 5．把交流电变成直流电的是（）。 A. 逆变电路 B.整流电路 C.斩波电路 三．多选（共10分，2分/题） 1．电力电子器件一般具有的特征有。 A.所能处理电功率的大小是其最重要的参数 B.一般工作在开关状态 C.一般需要信息电子电路来控制 D.不仅讲究散热设计，工作时一般还需接散热器 2．下列电路中，不存在变压器直流磁化问题的有。 A.单相全控桥整流电路 B.单相全波可控整流电路 C.三相全控桥整流电路 D.三相半波可控整流电路 3．使晶闸管关断的方法有。 A.给门极施加反压 B.去掉阳极的正向电压 C.增大回路阻抗 D.给阳极施加反压 4．逆变失败的原因有。 A.触发电路不可靠 B.晶闸管发生故障 C.交流电源发生故障 D.换相裕量角不足 5．变压器漏抗对整流电路的影响有。 A.输出电压平均值降低 B.整流电路的工作状态增多 C.晶闸管的di/dt减小 D.换相时晶闸管电压出现缺口 四．判断（共5分,1分/题） 1.三相全控桥式整流电路带电阻负载时的移相范围是150O。（） 2.晶闸管是一种四层三端器件。（）
电力电子技术期末考试 试题及答案 Coca-cola standardization office【ZZ5AB-ZZSYT-ZZ2C-ZZ682T-ZZT18】
电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_GTO 、GTR 、电力
电力电子技术 试题（A ） 注：卷面 85分，平时成绩15分 一、 回答下列问题 1、下列器件的分类表中，将符合每一类别的全部选项添入表中。（8分） 选项：（根据选项填空时，只需写选项的代号，如：A,B,….） A. SCR B.GTO C.GTR D.P-MOSFET E.IGBT F.电力二极管 G.MCT 。 2、判断下列各题的正确性，正确的打“√”，不正确的打“×” 。（6分） （1） 某晶闸管，若其断态重复峰值电压为500V ，反向重复峰值电压700V ，则该晶 闸管的额定电压是700V 。（ ） 第 1 页 （共 8 页） 试 题：电力电子技术 班号： 姓名：
（2） 对于输入接整流变压器的可控整流电路，变压器存在直流磁化的有三相半波 整流电路、单相半波整流电路和单相全波整流电路。（ ） （3）单相全控桥式变流电路，“阻感——反电势” 负载，已知60β=o ，2100U V =， 50E V =,电路处于可逆变状态。 （ ） 3、画出全控型器件RCD 关断缓冲电路，并分析缓冲电路中各元件作用。（6分） 第 2 页 （共 8 页） 试 题： 电力电子技术 班号： 姓名：
二、对于三相全控桥式变流电路，在不同的负载形式和控制要求下， 回答下列问题。 1、 画出该电路带“阻感——反电势” 负载，并工作于整流方式时的电路图 （要标明反电势极性）。（5分） 3、设该电路为大电感负载且工作于整流状态，V U 1002=，负载中E=47V ， Ω=5R ,当60α=o 时，试计算整流输出平均电压d U 、负载电流d I 和晶闸管电流 平均值dVT I 。（5分） 第 3 页 （共 8 页） 试 题：电力电子技术 班号： 姓名： u u u 2、当该电路工作于整流状态时，设触发角60α=o 且负载电流连 续，请在图中画出此时整流器 输出电压u d 和晶闸管电流1VT i 在 一个周期内的波形。（5分） i VT10
《电力电子技术》试卷1答案 一、填空（每空1分，36分） 1、请在正确的空格内标出下面元件的简称： 电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。 2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。 3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。 4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为方波。 5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A。 6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120o导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。 7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。 8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。环流可在电路中加电抗器来限制。为了减小环流一般采控用控制角α大于β的工作方式。 9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。（写出四种即可） 10、双向晶闸管的触发方式有Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ＋、Ⅲ-四种。 二、判断题,（每题1分，10分）（对√、错×） 1、在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路出故障时会出现失 控现象。（√） 2、在用两组反并联晶闸管的可逆系统，使直流电动机实现四象限运行时，其中 一组逆变器工作在整流状态，那么另一组就工作在逆变状态。（×） 3、晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。（×） 4、逆变角太大会造成逆变失败。（×） 5、并联谐振逆变器必须是略呈电容性电路。（√） 6、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。（×） 7、有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。（×） 8、在单相全控桥整流电路中，晶闸管的额定电压应取U2。（×） 9、在三相半波可控整流电路中，电路输出电压波形的脉动频率为300Hz。（×） 10、变频调速实际上是改变电动机内旋转磁场的速度达到改变输出转速的目的。 （√） 三、选择题（每题3分，15分）
考试试卷( 1 )卷 一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分） 1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属 于前者。 2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。当器件的工作频率较高时， _________损耗会成为主要的损耗。 3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为 _________调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。 4、面积等效原理指的是，___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果 基本相同。 5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最大 的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___。 6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大 反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。 7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。 8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。 (1) 0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____； (3) t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；(5) t4~t5 时间段内，电流的通路为___VD1____；
电力电子技术答案 2-1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力？ 答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显著提高了二极管的通流能力。 2.电力二极管在P 区和N 区之间多了一层低掺杂N 区，也称漂移区。低掺杂N 区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N 区就可以承受很高的电压而不被击穿。 2-2. 使晶闸管导通的条件是什么？ 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：uAK>0且uGK>0。 2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。 要使晶闸管由导通变为关断， 可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降 到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。 2-4图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I 、I 、I 。 πππ4 π4 π2 5π4a) b)c) 图1-43 图2-27 晶闸管导电波形 解：a) I d1= π21?π πωω4 )(sin t td I m =π2m I (122+)≈0.2717 I m I 1= ?π πωωπ 4 2 )()sin (21 t d t I m =2m I π 2143+≈0.4767 I m b) I d2 = π1?π πωω4)(sin t td I m =π m I ( 12 2 +)≈0.5434 I m I 2 = ? π π ωωπ 4 2) ()sin (1 t d t I m = 2 2m I π 21 43+ ≈0.6741I m c) I d3=π21?2 )(π ωt d I m =41 I m I 3 =? 2 2 ) (21π ωπt d I m = 2 1 I m 2-5上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶阐管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少?这时，相应的电流最大值I m1、I m2、 I m3各为多少? 解：额定电流I T(AV)=100A 的晶闸管，允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知 a) I m1≈4767.0I ≈329.35， I d1≈0.2717 I m1≈89.48 b) I m2≈ 6741 .0I ≈232.90, I d2≈0.5434 I m2≈126.56 c) I m3=2 I = 314, I d3= 4 1 I m3=78.5 2-6 GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构,为什么GTO 能够自关断,而普通晶闸管不能? 答：GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2，分别具有共基极电流增益 1α和2α， 由普通晶阐管的分析可得， 121=+αα是器件临界导通的条件。1 21＞αα+两个等效晶体管过饱和而导通；
电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 2、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是 绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ；电力晶体管的图形符号是 ； 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为_22U __，续流二极管承受的最大反向电压为__22U _（设U 2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__222U 和_22U ； 带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__22U _和__22U _；带反电动势负载时，欲使电阻上的 电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm 等于__22U _，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _，使负载电流连 续的条件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时，α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_ 的相电压；这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _，u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。 11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当 α 从0°～90°变化时，整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_，当 α 从90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。 12.逆变电路中，当交流侧和电网连结时，这种电路称为_有源逆变_，欲实现有源逆变，只能采用__全控_电路；对于单相全波电路，当控制角 0< α < π /2 时，电路工作在__整流_状态； π /2< α < π 时，电路工作在__逆变_状态。 13.在整流电路中，能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势，其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角α > 90O ，使输出平均电压U d 为负值_。 第3章 直流斩波电路 1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。 2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。 3.斩波电路有三种控制方式：_脉冲宽度调制（PWM ）_、_频率调制_和_（t on 和T 都可调，改变占空比）混合型。 6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。 7.Sepic 斩波电路和Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续，_ Zeta 斩波电路_的输入、输出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。 8.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限，升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限，_电流可逆斩波电路能使电动机工作于第1和第2象限。 10.复合斩波电路中，电流可逆斩波电路可看作一个_升压_斩波电路和一个__降压_斩波电路的组合；
电力电子技术复习2011 一、选择题（每小题10分,共20分） 1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差A度。 A、180°， B、60°， c、360°， D、120° 2、α为C度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。 A，0度， B，60度， C，30度， D，120度， 3、晶闸管触发电路中，若改变 B 的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。 A、同步电压， B、控制电压， C、脉冲变压器变比。 4、可实现有源逆变的电路为A。 A、三相半波可控整流电路， B、三相半控桥整流桥电路， C、单相全控桥接续流二极管电路， D、单相半控桥整流电路。 5、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种围合理A。 A、30o-35o， B、10o-15o， C、0o-10o， D、0o。 6、在下面几种电路中，不能实现有源逆变的电路有哪几种BCD。 A、三相半波可控整流电路。 B、三相半控整流桥电 路。 C、单相全控桥接续流二极管电路。 D、单相半控桥整流电路。 7、在有源逆变电路中，逆变角的移相围应选B为最好。 A、=90o∽180o， B、=35o∽90o， C、 =0o∽90o， 8、晶闸管整流装置在换相时刻（例如：从U相换到V相时）的输出电压等于C。
A、U相换相时刻电压u U ， B、V相换相时刻电 压u V ， C、等于u U +u V 的一半即： 9、三相全控整流桥电路，如采用双窄脉冲触发晶闸管时，下图中哪一种双窄脉 冲间距相隔角度符合要求。请选择B。 10、晶闸管触发电路中，若使控制电压U C =0，改变C的大小，可使 直流电动机负载电压U d =0，使触发角α=90o。达到调定移相控制围，实现整流、逆变的控制要求。 B、同步电压， B、控制电压， C、偏移 调正电压。 11、下面哪种功能不属于变流的功能（C） A、有源逆变 B、交流调压 C、变压器降压 D、直流斩波 12、三相半波可控整流电路的自然换相点是( B ) A、交流相电压的过零点； B、本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处； C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°； D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°。 13、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V， 则该晶闸管的额定电压应为（B） A、700V B、750V C、800V D、850V 14、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相围是( D )
德州科技职业学院机电系14级机电专业 期末考试试题 《电力电子技术》试卷 一、选择（每题1.5分，共60分） 1、 晶闸管内部有（ ）个PN 结。 A 、1 B 、2 C 、3 D 、4 2、晶闸管在电路中的门极正向偏压（ ）越好。 A 、越大 B 、越小 C 、不变 D 、越稳定 3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（ ）来表示的。 A 、有效值 B 、最大值 C 、平均值 D 、瞬时值 4、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（ ）个电极。 A 、一个 B 、两个 C 、三个 D 、四个 5、下列电力半导体器件电路符号中，表示IGBT 器件电路符号的是（ ） 6、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 7、比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 8、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 9、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（ ） A 、IPM B 、MOSFET C 、IGBT D 、GTO 11、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（ ） A 、晶闸管 B 、单结晶体管 C 、电力晶体管 D 、绝缘栅双极型晶体管 12、电力场效应管MOSFET 适于在（ ）条件下工作 A 、直流 B 、低频 C 、中频 D 、高频 13、要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（ ） A 、在栅极加正电压 B 、在集电极加正电压 C 、在栅极加负电压 D 、
20××－20××学年第一学期期末考试 《电力电子技术》试卷(A) （时间90分钟 满分100分） （适用于 ××学院 ××级 ××专业学生） 一、 填空题（30分,每空1分）。 1．如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是________，属于半控型器件的是________，属于全控型器件的是________；属于单极型电力电子器件的有________，属于双极型器件的有________，属于复合型电力电子器件得有 ________；在可控的器件中，容量最大的是________，工作频率最高的是________，属于电压驱动的是________，属于电流驱动的是________。（只写简称） 2．单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为 _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为 和 ；带阻感负载时，α角移相范围为 ，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为 和 。 3．直流斩波电路中最基本的两种电路是 和 。 4．升降压斩波电路呈现升压状态时，占空比取值范围是__ _。 5．与CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有 、 和 。 6．当采用6脉波三相桥式电路且电网频率为50Hz 时，单相交交变频电路的输出上限频率约为 。 7．三相交交变频电路主要有两种接线方式，即 _和 。 8．矩阵式变频电路是近年来出现的一种新颖的变频电路。它采用的开关器件是 ；控制方式是 。 9．逆变器按直流侧提供的电源的性质来分，可分为 型逆变器和 型逆变器。 10．把电网频率的交流电直接变换成可调频率的交流电的变流电路称为 。 二、简答题（18分,每题6分）。 1．逆变电路多重化的目的是什么？如何实现？串联多重和并联多重逆变电路各应用于什么场合？ 2．交流调压电路和交流调功电路有什么异同？ 3．功率因数校正电路的作用是什么？有哪些校正方法？其基本原理是什么？ 三、计算题（40分，1题20分，2题10分，3题10分）。 1．一单相交流调压器，电源为工频220V ，阻感串联作为负载，其中R=0.5Ω，L=2mH 。 试求：①开通角α的变化范围；②负载电流的最大有效值；③最大输出功率及此时电源侧的功率因数；④当2πα＝时，晶闸管电流有效值，晶闸管导通角和电源侧功率因数。 2．.三相桥式电压型逆变电路，工作在180°导电方式，U d =200V 。试求输出相电压的基波幅值U UN1m 和有效值U UN1、输出线电压的基波幅值U UV1m 和有效值U UV1、输出线电压中7次谐波的有效值U UV7。 3 ．如图所示降压斩波电路E=100V ，L 值极大，R=0.5Ω，E m =10V ，采用脉宽调制控制方式，T=20μs ，当t on =5μs 时，计算输出电压平均值U o ，输出电流平均值
电 力 电 子 复 习 姓名：杨少航
电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有I L__大于__IH。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 15.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可
电力电子技术总习题试题答案 一、简答题 1、晶闸管导通的条件是什么？ （1）晶闸管阳极和阴极之间施加正向阳极电压 （2）晶闸管门极和阴极之间必须施加适当的正向脉冲电压和电流 2、有源逆变实现的条件是什么？ （1）晶闸管的控制角大于90度，使整流器输出电压Ud为负 （2）整流器直流侧有直流电动势，其极性必须和晶闸管导通方向一致，其幅值应大于变流器直流侧的平均电压 3、电压源逆变电路与电流源逆变电路的区别？ （1）电压型无源逆变电路直流侧接大电容滤波，输出电压为方波交流，输出电流的波形与负载性质有关；电流型无源逆变电路直流侧接大电感滤波，输出电流为方波交流，输出电压的波形与负载性质有关 （2）电压型无源逆变电路各逆变开关管都必须反并联二极管，以提供之后的感性负载电流回路；电流型无源逆变电路各逆变开关管不需反并联二极管，但是应在负载两端并联电容，以吸收换流时负载电感中的储能 4、单极性调制与双极性调制的区别？ （1）单极性调制是指逆变器输出的半个周期中，被调制成的脉冲输出电压只有一种极性，正半周为+Ud和零，负半周为-Ud和零 （2）双极性调制是指逆变器输出的每半个周期中都被调制成+/-Ud之间变化的等幅不等宽的脉冲列 在近似相同的条件下，单极性调制比双极性调制具有更好的谐波抑制效果。 5、电力变换的基本类型包括哪些？ 包括四种变换类型：（１）整流ＡＣ－ＤＣ （２）逆变ＤＣ－ＡＣ （３）斩波ＤＣ－ＤＣ （４）交交电力变换ＡＣ－ＡＣ 6、半控桥能否用于有源逆变？为什么。 半控桥不能用于有源逆变，因为半控桥整流输出电压在移相范围内始终大于零。 7、直流斩波器的控制方式？ 时间比控制方式：定频调宽定宽调频调频调宽 瞬时值控制和平均值控制 8、电压型无源逆变的特点是什么？ 电压型无源逆变电路输入为恒定的直流电压，输出电压为方波交流电压，输出电流波形与负载的性质有关，阻感需要在功率电子器件旁边反并联二极管，以提供滞后电流的续流回路。 9、简述正弦脉宽调制技术的基本原理？ 正弦脉宽调制技术是把正弦波调制成一系列幅值相等，宽度按正弦规律变化的脉冲列，实现的方式有计算法和调制法两种，调制法分为单极型调制和双极型调制。 10、电力电子技术的定义和作用 电力电子技术是研究利用电力电子器件实现电能变换和控制的电路，内容涉及电力电子器件、功率变换技术和控制理论，作用是把粗电变成负载需要的精电。 11、电力电子系统的基本结构 电力电子系统包括功率变换主电路和控制电路，功率变换主电路是属于电路变换的强电电路，控制电路是弱电电路，两者在控制理论的支持下实现接口，从而获得期