光刻工艺资料整理
上一篇/ 下一篇 2007-12-10 20:10:25 / 个人分类：光刻
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光刻工艺资料整理
概述：光刻技术是集成电路的关键技术之一，在整个产品制造中是重要的经济影响因子，光刻成本占据了整个制造成本的35％。光刻也是决定集成电路按照摩尔定律发展的一个重要原因，如果没有光刻技术的进步，集成电路就不可能从微米进入深亚微米再进入纳米时代。所以说光刻系统的先进程度也就决定了光刻工程的高低。
1.光刻工艺简介
光刻是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺。在此之后，晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜，被除去的部分可能形状是薄膜内的孔或是残留的岛状部分。
光刻工艺也被称为大家熟知的Photomasking, masking, photolithography, 或microlithography。在晶圆的制造过程中，晶体三极管、二极管、电容、电阻和金属层的各种物理部件在晶圆表面或表层内构成。这些部件是每次在一个掩膜层上生成的，并且结合生成薄膜及去除特定部分，通过光刻工艺过程，最终在晶圆上保留特征图形的部分。光刻生产的目标是根据电路设计的要求，生成尺寸精确的特征图形，并且在晶圆表面的位置正确且与其它部件（parts）的关联正确。
光刻是所有四个基本工艺中最关键的。光刻确定了器件的关键尺寸。光刻过程中的错误可造成图形歪曲或套准不好，最终可转化为对器件的电特性产生影响。图形的错位也会导致类似的不良结果。光刻工艺中的另一个问题是缺陷。光刻是高科技版本的照相术，只不过是在难以置信的微小尺寸下完成。在制程中的污染物会造成缺陷。事实上由于光刻在晶圆生产过程中要完成5层至20层或更多，所以污染问题将会放大。
光刻工艺过程包括有：涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、腐蚀、去胶等。
课程内容：
1 光刻前的准备工作
1.1 准备要求
1.2 准备方法
1.2.1 光刻前待光刻片子置于干燥塔中
1.2.2 氧化片出炉后可立即送光刻工序涂胶
1.2.3 对氧化片可在涂胶前重吹段时间干氧（氧化温度）
1.2.4 涂胶前片子置于80度烘箱中烘30分钟
2 涂胶
2.1 涂胶的要求
2.2 涂胶的方法
2.2.1 旋转涂胶法
2.2.2 喷涂法
2.2.3 浸涂法
3 前烘
3.1 前烘要求
3.2 前烘的方法
3.2.1 在80度烘箱中烘15分钟-20分钟
3.2.2 在红外烘箱中烘3分钟-5分钟
4 曝光
4.1 曝光的要求
4.2 曝光的方法
5 显影
5.1 显影的要求
5.2 显影的方法
6 坚膜
6.1 坚膜的要求
6.2 坚膜的方法
6.2.1 置于恒温箱中，在180度烘30 分钟左右
6.2.2 置于红外烘箱中烘10分钟左右
7 腐蚀
7.1 腐蚀的要求
7.2 腐蚀的方法
7.2.1 腐蚀二氧化硅的方法
7.2.2 腐蚀铝电极的方法
8 去胶
8.1 去胶的要求
8.2 去胶的方法
课程重点：本节介绍了光刻工艺及对各光刻工艺步骤的要求。指出光刻工艺步骤可分为八步，每一步均有各自的工艺要求。
第一步为光刻前的准备工作，该工艺步骤要求达到的目的是使衬底片表面具有干燥、疏水特性，并给出了各种待光刻衬底片的表面处理方法。
第二步为涂胶工艺，该工艺步骤要求达到的目的是在衬底片表面涂敷一层粘附性良好的、厚度均匀的、致密的连续性胶膜，介绍了三种涂胶工艺的方法。
第三步为前烘工艺，该工艺步骤要求达到的目的是使胶膜中的溶剂全部挥发、胶膜保持干燥、以利于光化反应时反应充分，并给出了两种前烘的工艺方法。
第四步为曝光工艺，该工艺步骤要求达到的目的是使感光区的胶膜发生光化反应、在显影时发生溶变，介绍了常见的紫外光光刻机及其所进行的接触式、选择性、紫外光曝光工艺方法。
第五步为显影工艺，该工艺步骤要求达到的目的是在显影液中、溶除要求去掉的胶膜部分（对负性光刻胶溶除未曝光部分，对正性光刻胶溶除已曝光部分），各类胶的显影在本章第一节已作了介绍。
第六步为坚膜工艺，该工艺步骤要求达到的目的是去除在显影过程中进入胶膜中的水分（显影液）、使保留的胶膜与衬底表面牢固的粘附，介绍了两种坚膜工艺方法。
第七步为腐蚀工艺，该工艺步骤要求达到的目的是去除衬底表面无胶膜保护的薄膜层，给出了腐蚀常见的两种薄膜层的方法、腐蚀二氧化硅时采用氢氟酸缓冲液进行腐蚀（腐蚀条件是：在温度30度-40度下，时间适当）、腐蚀铝时采用热磷酸进行腐蚀（腐蚀条件是：在温度80度下，时间适当）。
第八步为去胶工艺，该工艺步骤要求达到的目的是去除腐蚀时起保护作用的胶膜，去胶工艺在本章第一节已作了介绍。
基本要求：要求对光刻工艺及对各光刻工艺步骤的要求非常清楚。
清楚光刻前的准备工作的目的和要求，知道能使衬底片表面具有干燥、疏水特性的各种方法，了解这些方法中的优劣状况，能采用适当方法对衬底片表面进行处理。
清楚涂胶工艺的目的和要求，知道能在衬底片表面涂敷一层粘附性良好的、厚度均匀的、致密的连续性胶膜的各种方法，能在工艺制造中选择适当的方法。
清楚前烘工艺的目的和要求，知道能使胶膜中的溶剂全部挥发、胶膜保持干燥、以利于光化反应时反应充分的各种方法，能在工艺制造中选择适当的方法。
清楚曝光工艺的目的和要求，知道能使感光区的胶膜发生光化反应、在显影时发生溶变的方法，知道曝光工艺的工艺设备、常见的用紫外光光刻机进行的接触式、选择性、紫外光曝光工艺方法。
清楚显影工艺的目的和要求，知道能对各种胶膜进行显影的不同方法，能在工艺制造中选择适当的方法。清楚坚膜工艺的目的和要求，知道能去除在显影过程中进入胶膜中的水分（显影液）、使保留的胶膜与衬底表面牢固的粘附各种方法，能在工艺制造中选择适当的方法。
清楚腐蚀工艺的目的和要求，知道能去除衬底表面无胶膜保护的薄膜层各种方法（对不同的衬底表面薄膜层的腐蚀，采用不同的腐蚀液和不同的腐蚀工艺），能在工艺制造中对不同的衬底表面薄膜层选择适当的腐蚀方法。
清楚去胶工艺的目的和要求，知道能去除腐蚀时起保护作用的胶膜各种工艺方法，能在工艺制造中对应不同衬底表面薄膜层的性质选择适当的去胶方法。
注意事项：其中前烘的温度和时间需要严格控制，温度过高，时间太长，易造成显影困难；温度低，时间短，易造成浮胶，针孔或图形变形。坚膜的温度和时间控制也同样重要。鉴于CCD结构中，多晶硅条细且长，又密集，显影通常采用动态显影法，该法较易去掉胶渣，免得胶渣残留在多晶硅条中，引起连条。腐蚀在光刻中是十分重要的一环，光刻精度的提高在某种程度来说只有在腐蚀时才付诸实现的，而腐蚀质量的优劣直接影响着图形的分辨率和精确度。
2.光刻三要素
光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机
（1）光刻胶
光刻胶，又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其化学结构发生变化，使光刻胶在某种特定溶液中的溶解特性改变
正胶：分辨率高，在超大规模集成电路工艺中，一般只采用正胶
负胶：分辨率差，适于加工线宽≥3
光刻开始于一种称作光刻胶的感光性液体的应用。图形能被映射到光刻胶上，然后用一个developer（显影剂）就能做出需要的模板图案。光刻胶溶液通常被旋转式滴入wafer。如图2.5所示，wafer被装到一个每分钟能转几千转的转盘上。几滴光刻胶溶液就被滴到旋转中的wafer的中心，离心力把溶液甩到表面的所有地方。光刻胶溶液黏着在wafer上形成一层均匀的薄膜。多余的溶液从旋转中的wafer上被甩掉。薄膜在几秒钟之内就缩到它最终的厚度，溶剂很快就蒸发掉了，wafer上就留下了一薄层光刻胶。最后通过烘焙去掉最后剩下的溶剂并使光刻胶变硬以便后续处理。镀过膜的wafer对特定波成的光线很敏感，特别是紫外（UV）线。相对来说他们仍旧对其他波长的，包括红，橙和黄光不太敏感。所以大多数光刻车间有特殊的黄光系统。
基本的光刻胶根据它在曝光时不同的化学反应分为两种。Negative resist（负胶）在UV光线下聚合。未曝光的negative resist 仍旧可以溶于某种溶剂，而聚合的光刻胶变得不可溶解。当wafer浸入溶液时，未曝光区就被溶解了，曝光区保持原样。另一种，positive resist（正胶）在UV光线下化学分解。这些resists 通常不溶解于developing溶液，但是曝光过的部分化学上已经变得可溶解了。当wafer浸入溶液后，曝光区会被冲洗掉，而未曝光区保持原样。Negative resist在development时可能会膨胀，所以工艺工程师通常喜欢用positive resists。
（2）掩膜版
在半导体制造的整个流程中，其中一部分就是从版图到wafer制造中间的一个过程，即光掩膜或称光罩(mask)制造。这一部分是流程衔接的关键部分，是流程中造价最高的一部分，也是限制最小线宽的瓶颈之一。
光掩膜除了应用于芯片制造外，还广泛的应用与像LCD，PCB等方面。常见的光掩膜的种类有四种，铬版(chrome)、干版，凸版、液体凸版。主要分两个组成部分，基板和不透光材料。基板通常是高纯度，
低反射率，低热膨胀系数的石英玻璃。铬版的不透光层是通过溅射的方法镀在玻璃下方厚约0.1um的铬层。铬的硬度比玻璃略小，虽不易受损但有可能被玻璃所伤害。应用于芯片制造的光掩膜为高敏感度的铬版。干版涂附的乳胶，硬度小且易吸附灰尘，不过干版还有包膜和超微颗粒干版，其中后者可以应用于芯片制造。(顺便提一下，通常讲的菲林即film，底片或胶片的意思，感光为微小晶体颗粒)。
在刻画时，采用步进机刻画(stepper)，其中有电子束和激光之分，激光束直接在涂有铬层的玻璃板上刻画，边缘起点5mm，与电子束相比，其弧形更逼真，线宽与间距更小。
光掩膜有掩膜原版(reticle mask，也有称为中间掩膜，reticle作为单位译为光栅)，用步进机重复将比例缩小到master maks上，应用到实际曝光中的为工作掩膜(working mask)，工作掩膜由master mask复制过来。
以下是具体的制造流程和检测流程：
1，数据转换将如GDSII版图格式分层，运算，格式转换为设备所知的数据形式。
2，图形产生通过电子束或激光进行图形曝光。
3，光阻显影曝光多余图形，以便进行蚀刻。
4，铬层刻蚀对铬层进行刻蚀，保留图形。
5，去除光阻去除多余光刻胶。
6，尺寸测量测量关键尺寸和检测图形定位。
7，初始清洗清洗并检测作为准备。
8，缺陷检测检测针孔或残余未蚀刻尽的图形
9，缺陷补偿对缺陷进行修补。
10，再次清洗清洗为加蒙版作准备
11，加附蒙版蒙版(pellicle)加在主体之上，这防止灰尘的吸附及伤害。
12，最后检查对光掩膜作最后检测工作，以确保光罩的正确。
光掩膜的基本检查大体有：基板，名称，版别，图形，排列，膜层关系，伤痕，图形边缘，微小尺寸，绝对尺寸，缺欠检查等。
对于数据处理主要来自于工艺上的要求，在图形处理上有：
1，直接对应光掩膜直接对应到版图的一层，如金属层。
2，逻辑运算光刻图形可能由1层或多层版图层逻辑运算而来。比如定义pplus与nplus互补，如果只有pplus，nplus将由pplus进行逻辑非的运算得来。在实际处理中以反转的形式实现。不过值得注意的是，在进行某些逻辑运算时，图层的顺序十分重要。与反转运算结合进，运算的先后顺序也很重要。
3，图形涨缩即进行size操作，比如gate处的注入层，从gate size放大而来。
完整的光掩膜图形中，除了对应电路的图形外，还包括一些辅助图形或测试图形，常见的有：游标，光
刻对准图形，曝光量控制图形，测试键图形，光学对准目标图形，划片槽图形，和其他名称，版别等LOGO （标志）。
光罩/光刻掩膜版检测（Retical检查）：光罩是高精密度的石英平板，是用来制作晶圆上电子电路图像，以利集成电路的制作。光罩必须是完美无缺，才能呈现完整的电路图像，否则不完整的图像会被复制到晶圆上。光罩检测机台则是结合影像扫描技术与先进的影像处理技术，捕捉图像上的缺失。当晶圆从一个制程往下个制程进行时，图案晶圆检测系统可用来检测出晶圆上是否有瑕疵包括有微尘粒子、断线、短路、以及其它各式各样的问题。此外，对已印有电路图案的图案晶圆成品而言，则需要进行深亚微米范围之瑕疵检测。一般来说，图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线，并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除，以辨识并发现瑕疵。
（3）光刻机曝光工具，光刻工程的核心部分,其造价昂贵.号称世界上最精密的仪器,目前世界是已有7000万美金的光刻机。
现代光刻依靠的一种类似于放大照片底片的投影印刷。图2.6 是简化的曝光过程。透镜系统校准一个强UV 光源，称为光罩的金属盘子会挡住光线。UV光穿过光罩中透明的部分和另外的透镜在wafer上形成图像。图2.6中的仪器叫做aligner，因为她必须保证mask的图像和已存在的wafer上的图案精确对准。
作为光罩底层的透明版图必须在尺寸上很稳定，否则它投影的图案和先前其他MASK投影的图案就不会对齐了。这些板子通常是含有fused silica（通常被误认为是石英）。在plate的表面上了一薄层金属后，用任何一种不同的但高精度－－但是很慢很费钱－－的方法制造光罩。光罩上的图形通常是投影到wafer上的图形的5或10倍。照相微缩把光罩上的缺陷或无规律的尺寸缩小了，所以提高了最后图像的质量。这种放大的光罩根据放大的度数不同叫做5X或10X reticle。
Reticle能用来直接在wafer上形成图案，但这么做有机械困难。Aligner能接受的光罩尺寸被机械方面比如不容易制造所需精度的大透镜所限制了。结果，大多数商业aligners用的是和wafer同尺寸的光罩。一次就能在整个wafer上形成图案的5X reticle是wafer尺寸的5倍，所以它也装不到aligner里。实用的5X 或10X reticles仅仅是用来在最终的wafer图像上曝光一个小矩形部分的。为了在整个wafer上复制图案，这个reticle必须沿着wafer逐步调整并在不同的位置曝光。这个工艺叫做stepping，用来step reticle的aligner叫做stepper。Stepper比普通的aligners慢且更造价高昂。
也有一种用来制造尺寸要求不特别精确的集成电路的比较快的曝光方法。Reticle是在另一块光罩而不是wafer上step的。这块光罩现在有了所需图案的1X图像。最后的光罩，叫做stepped working plate，能在整个wafer上一次整体曝光。Stepped working plates使得光刻更快费用更低廉，但是效果不如直接在wafer上stepping retilce精确。
即使最小的灰尘斑点也已经大到能堵住一部分图像的传输而毁掉至少一块集成电路。在wafer fab里特别的空气过滤技术和保护性工作服都已普遍使用，但是仍旧会有一些灰尘避过这些防范措施。光罩的一边或两边通常都装有薄膜防止曝光中灰尘的干扰。透明的塑料薄膜装在环形的spacers上，它紧紧的贴在mask 的表面。穿过薄膜的光线没有被聚焦，所以薄膜上的微粒不会出现在投影的图像上。薄膜也密封了mask 的表面使它不受灰尘影响。
3.主要指标
分辨率W（resolution）-> 光刻系统所能分辨和加工的最小线条尺寸
焦深(DOF-Depth Of Focus) -> 投影光学系统可清晰成象的尺度范围
关键尺寸（CD-Critical Dimension）控制
对准和套刻精度(Alignment and Overlay)
产率(Throughout)
价格
其中，W是决定光刻系统最重要的指标，也是决定芯片最小特征尺寸的原因。其由瑞利定律决定：R = k1r/NA ，其中r 是光刻波的波长。
提高光刻分辨率的途径:：减小波长r，其中，光刻加工极限值：r/2 , 即半波长的分辨率；增加数值孔径；优化系统设计（分辨率增强技术）；减小k1
分辨率增强技术(RET):：
Step-Scan 技术
偏轴照明(OAI)
邻近效应校正(OPC)
移相掩膜(PSM)
具有化学增强放大功能的快速感光光刻胶
光刻胶修剪(Resist Trimming)
抗反射功能和表面感光后的多层光刻胶
4.主流光刻技术
248nm DUV技术（KrF准分子激光）-> 0.10um 特征尺寸
193nm DUV技术（ArF准分子激光）-> 90nm 特征尺寸
新一代的替代光刻技术：
Immersion 193nm技术157nm F2
EUV光刻紫外线光刻电子束投影光刻
X射线光刻
离子束光刻
纳米印制光刻
第一章味精 1.谷氨酸发酵机制： 谷氨酸的生物合成途径大致是：葡萄糖经EMP途径或HMP途经生成丙酮酸，再氧化成乙酰辅酶A，然后进入TCA，再通过乙醛酸循环、CO2固定作用，生成a-酮戊二酸，a-酮戊二酸在谷氨酸脱氢酶的催化及有NH4+存在的条件下生成谷氨酸。 在微生物的代谢中，谷氨酸比天冬氨酸优先合成。谷氨酸合成过量时，谷氨酸抑制谷氨酸脱氢酶的合成，使代谢转向合成天冬氨酸；天冬氨酸合成过量后，反馈抑制磷酸烯醇丙酮酸羧化酶的活力，停止草酰乙酸的合成。所以，在正常情况下，谷氨酸并不积累。 2.谷氨酸的大量积累： 代谢调节控制；细胞膜通透性的特异调节；发酵条件的适合 3.GA生物合成的内在因素 ①产生菌必须具备以下条件：α—KGA脱氢酶酶活性微弱或丧失（为什么α—KGA是谷氨酸发酵的限制性关键酶？这是菌体生成并积累α—KGA的关键，从上图可以看出，α—KGA是菌体进行TCA循环的中间性产物，很快在α—KGA脱氢酶的作用下氧化脱羧生成琥珀酸辅酶A，在正常的微生物体内他的浓度很低，也就是说，由α—KGA进行还原氨基化生成GA的可能性很少。只有当体内α—KGA脱氢酶活性很低时，TCA循环才能够停止，α—KGA才得以积累。）； ②GA产生菌体内的NADPH的再氧化能力欠缺或丧失（1、NADPH是α—KGA还原氨基化生成GA必须物质，而且该还原氨基化所需要的NADPH是与柠檬酸氧化脱羧相偶联的。2、由于NADPH的再氧化能力欠缺或丧失，使得体内的NADPH有一定的积累，NADPH对于抑制α—KGA的脱羧氧化有一定的意义。）； ③产生菌体内必须有乙醛酸循环（DCA）的关键酶——异柠檬酸裂解酶（该酶是一种调节酶，或称为别构酶，其活性可以通过某种方式进行调节，通过该酶酶活性的调节来实现DCA循环的封闭，DCA 循环的封闭是实现GA 发酵的首要条件） ④菌体有强烈的L—谷氨酸脱氢酶活性（L—谷氨酸脱氢酶，实质上GA产生菌体内该酶的酶活性都很强，该反应的关键是与异柠檬酸脱羧氧化相偶联） 4.GA发酵的外在因素
光刻工艺流程图 一前处理（OAP） 通常在150~200℃对基片进行烘考以去除表面水份，以增强光刻胶与硅片的粘附性。（亲水表面与光刻胶的粘附性差，SI的亲水性最小，其次SIO2，最后PSI玻璃和BSI玻璃） OAP的主要成分为六甲基二硅烷，在提升光刻胶的粘附性工艺中，它起到的作用不是增粘剂，而是改变SiO2的界面结构，变亲水表面为疏水表面。OAP通常采用蒸汽涂布的方式，简单评
价粘附性的好坏，可在前处理过的硅片上滴一滴水，通过测量水与硅片的接触角，角度越大， SI 二、匀胶 光刻胶通常采用旋涂方式，在硅片上得到一层厚度均匀的胶层。影响胶厚的最主要因素：光刻胶的粘度及旋转速度。次要因素：排风；回吸；胶泵压力；胶盘；温度。 胶厚的简单算法：光刻胶理论的最小胶厚的平方乘以理论的转速=目标光刻胶的胶厚的平方乘以目标转速 例如：光刻胶理论厚度1微米需要转速3000转/分，那需要光刻胶厚度1.15微米时转速应为 12 *3000/1.152 三、前烘 前烘的目的是为了驱除胶膜中残余的溶剂，消除胶膜的机械应力。前烘的作用： 1）增强胶层的沾附能力；2）在接触式曝光中可以提高胶层与掩模板接触时的耐磨性能；3）可以提高和稳定胶层的感光灵敏度。前烘是热处理过程，前烘通常的温度和时间： 烘箱90~115℃ 30分钟 热板90~120℃ 60~90秒 四、光刻 光刻胶经过前烘后，原来液态光刻胶在硅片表面上固化。光刻的目的就是将掩膜版上的图形转移到硅片上。曝光的设备分类接触式、接近式、投影式、步进式/扫描式、电子束曝光、软X射线曝光。 五、显影 经过显影，正胶的曝光区域和负胶的非曝光区域被溶解，正胶的非曝光区域和负胶的曝光区域被保留下来，从而完成图形的转移工作。正胶曝光区域经过曝光后，生成羧酸与碱性的显影液中和反应从而被溶解。负胶的曝光区域经过曝光后产生胶联现象，不被显影液溶解。而未曝光的区域则被显影液溶解掉。定影液的作用是漂洗显影过程中产生的碎片，挤出残余的显影液，另外还可以起到收缩图形，提高图形的质量。
酒精发酵工艺学复习题 一、填空题（请把答案填写到空格处） 1．酒精生产常用的淀粉质原料有玉米、甘薯、木薯等。 2. 酒精生产常用的谷物原料有玉米、高粱、大麦等。 3. 酒精生产常用的薯类原料有甘薯、木薯、马铃薯等。 4．木质纤维素的主要组成成分是纤维素、半纤维素、木质素。 5．常用的原料粉碎方法有湿式粉碎、干式粉碎两种。 6．常用的原料除杂方法有筛选、风选、磁力除铁三种。 7．常用的原料输送方式有机械输送、气流输送、混合输送三种。 8. 酒精厂常用的粉碎设备是滚筒式粉碎机、锤式粉碎机。 9．酒精厂常用的输送机械有皮带输送机、螺旋输送器、斗式提升机三种。 10．玉米淀粉和甘薯淀粉的糊化温度分别是（65~75）℃、（53~64）℃。 11．双酶法糖化工艺中使用的两种酶制剂是耐高温α-淀粉酶、葡萄糖淀粉酶。 12．淀粉质原料连续糖化工艺分成混合前冷却糖化工艺、真空冷却糖化工艺、二级真空冷却糖化工艺三种。 13. 酒精发酵过程中产生的副产物主要有甘油、杂醇油、琥珀酸等。 14．酒精发酵常污染的细菌有醋酸菌、乳酸菌、丁酸菌。 15．酒精蒸馏塔按作用原理可分为鼓泡塔、膜式塔。 16．从精馏塔提取杂醇油的方式可以是液相取油，也可以是气相取油。 17．酒精蒸馏塔按其塔板结构可分为泡罩塔、浮阀塔、筛板塔。 18．酒精的化学处理是提高酒精质量的一种辅助措施，常用的化学试剂是高锰酸钾、氢氧化钠。19．无水酒精的制备方法有氧化钙吸水法、离子交换树脂法、共沸法、分子筛法等。 20. 共沸法制备无水酒精常用的共沸剂是苯、环己烷。 21. 连续发酵可分为_全混（均相）连续发酵、梯级连续发酵两大类。 二、判断题（正确打√，错误打×） 1．酒母培养罐和酒精发酵罐的构造是一样的。× 2. 酒化酶是参与淀粉水解和酒精发酵的各种酶和辅酶的总称。（×） 3. 薯干的果胶质含量较多，使发酵醪中甲醇含量较高。（√） 4. 减少发酵过程中二氧化碳的产生量就能提高酒精生成量。（×） 5．采用高细胞密度酒精发酵时，必须定期向发酵罐中供应氧气。（√） 6．异戊醇在酒精中的挥发系数随着酒精浓度的增大而减小，但始终大于1。（×） 7．只要酒精发酵正常，发酵醪中就不会有甘油生成。（×） 8. 玉米中蛋白质含量较多，使发酵醪中杂醇油含量较高。（×） 9. 甲醇不是由酵母菌代谢活动产生的，而是由原料中的果胶质分解而来。（√） 10. 甲醇是由酵母菌代谢活动产生的。（×）
光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上，为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。光刻的成本约为整个硅片制造工艺的1/3，耗费时间约占整个硅片工艺的40～60%。 光刻机是生产线上最贵的机台，5～15百万美元/台。主要是贵在成像系统（由15～20个直径为200～300mm的透镜组成）和定位系统（定位精度小于10nm）。其折旧速度非常快，大约3～9万人民币/天，所以也称之为印钞机。光刻部分的主要机台包括两部分：轨道机（Tracker），用于涂胶显影；扫描曝光机（Scanning)光刻工艺的要求：光刻工具具有高的分辨率；光刻胶具有高的光学敏感性；准确地对准；大尺寸硅片的制造；低的缺陷密度。 光刻工艺过程 一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。 1、硅片清洗烘干（Cleaning and Pre-Baking） 方法：湿法清洗＋去离子水冲洗＋脱水烘焙（热板150～2500C,1～2分钟，氮 气保护） 目的：a、除去表面的污染物（颗粒、有机物、工艺残余、可动离子）；b、除去水蒸气，是基底表面由亲水性变为憎水性，增强表面的黏附性（对光刻胶或者是 HMDS-〉六甲基二硅胺烷）。 2、涂底（Priming) 方法：a、气相成底膜的热板涂底。HMDS蒸汽淀积，200～2500C,30秒钟；优点：涂底均匀、避免颗粒污染；b、旋转涂底。缺点：颗粒污染、涂底不均匀、HMDS 用量大。
目的：使表面具有疏水性，增强基底表面与光刻胶的黏附性。 3、旋转涂胶（Spin-on PR Coating） 方法：a、静态涂胶（Static）。硅片静止时，滴胶、加速旋转、甩胶、挥发溶剂（原光刻胶的溶剂约占65～85%,旋涂后约占10～20%）； b、动态（Dynamic）。低速旋转（500rpm_rotation per minute）、滴胶、加速 旋转（3000rpm）、甩胶、挥发溶剂。 决定光刻胶涂胶厚度的关键参数：光刻胶的黏度（Viscosity），黏度越低，光刻胶的厚度越薄；旋转速度，速度越快，厚度越薄； 影响光刻胶厚度均运性的参数：旋转加速度，加速越快越均匀；与旋转加速的时 间点有关。 一般旋涂光刻胶的厚度与曝光的光源波长有关（因为不同级别的曝光波长对应不 同的光刻胶种类和分辨率）： I-line最厚，约0.7～3μm；KrF的厚度约0.4～0.9μm；ArF的厚度约0.2～ 0.5μm。 4、软烘（Soft Baking） 方法：真空热板，85～120℃,30～60秒； 目的：除去溶剂（4～7%）；增强黏附性；释放光刻胶膜内的应力；防止光刻胶 玷污设备； 边缘光刻胶的去除（EBR，Edge Bead Removal）。光刻胶涂覆后，在硅片边缘的正反两面都会有光刻胶的堆积。边缘的光刻胶一般涂布不均匀，不能得到很好的图形，而且容易发生剥离（Peeling）而影响其它部分的图形。所以需要去除。
1、菌种扩大培养： 种子扩大培养是指将保存在砂土管、冷冻干燥管中处于休眠状态的生产菌种接入试管斜面活化后，再经过扁瓶或摇瓶及种子罐逐级扩大培养而获得一定数量和质量的纯种过程，称为种子扩大培养。这些纯种培养物称为种子。 2、双酶法糖化工艺： 包括淀粉的液化和糖化两个步骤，液化是利用液化酶使淀粉糊化。粘度降低，并水解到糊精和低聚糖的程度，然后利用糖化酶将液化产物进一步水解成葡萄糖的过程。 3、淀粉老化： 分子间氢键已断裂的糊化淀粉又重新排列形成新的氢键的过程，也就是复结晶 4、淀粉水解糖： 在工业生产上将淀粉水解为葡萄糖的过得称为淀粉的“糖化”，所制得的糖液你为淀粉水解糖。 5、双边发酵工艺： 边糖化边发酵，其持点是采用较低温度使淀粉糖化和酒精发酵同时进行。 发酵周期较长，淀粉利用率低，但产品香气足、风味好，当前一部分厂仍在采用。, 6、二高三低现象： pH高、残糖高、OD值低、温度低、谷氨酸低。 7、发酵转换： 培养条件不适宜，几乎不产生谷氨酸，而得到大量菌体或者谷氨酸发酵转换为累积乳酸，琥珀酸，缬氨酸，谷氨酰胺等。 8、过度氧化作用： 过度氧化作用是指发酵过程中当乙醇即将耗尽而有氧存在时，代谢途径发生改变，醋酸进一步氧化成CO2和水的作用。 9、淀粉糊化： 淀粉乳受热，淀粉颗粒膨胀，当温度上升到一定程度时，淀粉颗粒的偏光十字消失，颗粒急骤膨胀，体积增大几百倍，粘度迅速增高，变成粘稠的糊状物（淀粉糊） 10、双边发酵： 在酿造过程中，在糖化的同时，酒精发酵也同时进行。 11、DE值：
糖化液中的还原糖含量（以葡萄糖计算）占干物质的百分率 %100?=干物质含量 还原糖含量值DE 12、谷氨酸的生物合成途径包括哪些途径？ 以葡萄糖为原料的代谢途径，以醋酸和正石蜡为原料的代谢途径 13、在食醋酿造过程中,工厂最常用的醋酸杆菌是什么？ 醋酸杆菌(AS1.41 沪酿1.01) 14、现有的谷氨酸生产菌主要是有哪些种属？ 短杆菌属 棒杆菌属 小杆菌属 节杆菌属 15、在味精工业谷氨酸发酵中常用的碳源和氮源有什么？ 在谷氨酸发酵中，国内常用的碳源为淀粉水解糖，国外常用的为糖蜜。 氮源为尿素，液氨和氨水。 16、谷氨酸发酵的代谢控制育种有哪些？ 1.日常菌种工作：定期分纯 小剂量诱变刺激 高产菌制作安瓿管 2.选育耐高渗压菌株：耐高糖，耐高谷氨酸，耐高糖、高谷氨酸 17、谷氨酸发酵过程中污染的原因分析。
光刻工艺流程 Lithography Process 摘要：光刻技术（lithography technology)是指集成电路制造中利用光学—化学反应原理和化学，物理刻蚀法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。光刻是集成电路工艺中的关键性技术，其构想源自于印刷技术中的照相制版技术。光刻技术的发展使得图形线宽不断缩小，集成度不断提高，从而使得器件不断缩小，性能也不断提利用高。还有大面积的均匀曝光，提高了产量，质量，降低了成本。我们所知的光刻工艺的流程为：涂胶→前烘→曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶。 Abstract:Lithography technology is the manufacture of integrated circuits using optical - chemical reaction principle and chemical, physical etching method, the circuit pattern is transferred to the single crystal surface or the dielectric layer to form an effective graphics window or function graphics technology.Lithography is the key technology in integrated circuit technology, the idea originated in printing technology in the photo lithographic process. Development of lithography technology makes graphics width shrinking, integration continues to improve, so that the devices continue to shrink, the performance is also rising.There are even a large area of exposure, improve the yield, quality and reduce costs. We know lithography process flow is: Photoresist Coating → Soft bake → exposure → development →hard bake → etching → Strip Photoresist. 关键词：光刻，涂胶，前烘，曝光，显影，坚膜，刻蚀，去胶。 Key Words:lithography,Photoresist Coating,Soft bake,exposure,development,hard bake ,etching, Strip Photoresist. 引言： 光刻有三要素：光刻机；光刻版（掩模版）；光刻胶。光刻机是IC晶圆中最昂贵的设备，也决定了集成电路最小的特征尺寸。光刻机的种类有接触式光刻机、接近式光刻机、投影式光刻机和步进式光刻机。接触式光刻机设备简单，70年代中期前使用，分辨率只有微
名词解释：1.发酵：通过微生物的生长和代谢活动，产生和积累人们所需代谢产物的一切微生物培养过程。 2.发酵工艺：指工业生产上通过“工业发酵”来加工或制作产品，其对应的加工或制作工艺。 3.前体：在微生物代谢产物的生物合成过程中，有些化合物能直接被微生物利用构成产物分子结构的一部分，而化合物本身的结构没有大的变化，这些物质称为前体。 4.热阻：指微生物在某一特定条件下的致死时间。 5.对数残留定律：指在一定温度下，微生物受热后，活菌数不断减少，其减少速度随残留活菌数的减少而降低，且在任何瞬间，菌的死亡速率与残存的活菌数成正比。 6.实消：将配制好的培养基放入发酵罐或其他装置中，通入蒸汽将培养基和所有设备一起进行加热灭菌的操作过程称为实罐灭菌。 7.连消：培养基在发酵罐外经过一套灭菌设备连续加热灭菌，冷却后送入已灭菌的发酵罐内，这种工艺过程称为连消灭菌。 8.空消：无论是种子罐、发酵罐还是液氨罐、消泡罐，当培养基尚未进罐前对罐进行预先灭菌，为空罐灭菌。 9.液化：用ɑ-淀粉酶将淀粉转化为糊精和低聚糖。 10.糖化：用糖化酶将糊精和低聚糖转化葡萄糖。 11.种子制备：将固体培养基上培养出的孢子或菌体转入到液体培养基中培养，使其繁殖成大量菌丝或菌体的过程。 12.菌种保藏：根据菌种的生理、生化特性，人工创造条件使菌体的代谢活动处于休眠状态。 13.呼吸临界氧浓度：在溶解浓度低时，呼吸强度随溶氧浓度的增加而增加，当溶氧浓度达到某一值后，呼吸强度不再随溶解氧浓度的增加而变化，把此时的溶解氧浓度称为呼吸临界氧浓度。 14.溶解氧饱和度：在一定温度和压力下，空气中的氧在水中的溶解度。 15.氧传递系数：比表面积与以浓度差为推动力的氧传质系数的乘积。 16.分批发酵：指一次性投入料液，发酵过程中不补料，一直到放罐。 17.补料分批发酵：指在发酵过程中一次或多次补入含有一种或多种营养成分的新鲜料液，以达到延长发酵周期，提高产量的目的。 18.连续发酵：指在特定的发酵设备中进行的，一边连续不断地输入新鲜无菌料液，同时一边连续不断地放出发酵料液。 简答题：1发酵过程有哪些特征谈谈你对发酵工程技术应用前景的想法 特征：1.原料广 2.反应条件温和，易控制 3.产物单一，纯度高 4.投资少，效益好想法：随着生物技术的发展，发酵工程的应用领域也在不断扩大，基因工程及细胞杂交技术在微生物育种上的应用，将使发酵用菌种量达到前所未有的水平；生物反应器技术及分离技术的相应进步将发酵工业的某些神秘特征；由于物理微生物数据库、发酵动力学、发酵传递学的发展，将使人们能够清楚的描述与使用微生物。（个人的，你也可以自已） 2.发酵工业对菌种的要求 答：1.菌种不能是病源菌 2.发酵周期短，生产能力强 3.发酵过程中不产生或少产生与目标产物性质相似的副产物 4.原料来源广泛价格低廉，菌种能高效地将原料转化为产品5.对需添加剂的前体有耐受能力，且不能将前体作为一般碳源利用 6.遗传性状稳定，菌种不易变异退化 7培养条件易于控制 3.菌种选育有哪些方法 答：1.自然选育 2、诱变选育 3.原生质体技术育种 4.基因工程技术育种 4.自然选育、诱变选育的概念，一般步骤，影响诱变的主要因素。
1.大麦的组成 大麦的组织结构及生理作用:大麦主要由胚、胚乳和谷皮三部分组成。 大麦的化学组成: 1.水分:11~20%,储存大麦的水分应在13%以下。 2.碳水化合物 ①淀粉含量:58~65%.直链淀粉:占大麦淀粉的17~24%,支链淀粉:占大麦淀粉 的76~83%. ②纤维素:占大麦干物质重量的3.5~7.0%③半纤维素与麦胶物质:占麦粒干物 质的 10~11%,④低分子碳水化合物:大麦含2%的糖类,主要是蔗糖少量棉子糖、麦 芽糖、葡萄糖和果糖。 3.蛋白质:包括ⅰ麦白蛋白,ⅱ球蛋白,ⅲ醇溶蛋白,ⅳ谷蛋白 4.脂肪:约占大麦干物质的2~3%,95%以上属于甘油三酸脂, 5.磷酸盐:大部分为植酸钙镁,占干重的0.9% 6.无机盐:其含量为干物质的2.5~3.5%,主要成分是钾、磷、硅,其次是钠、 钙、镁、铁、硫等。 7.酚类物质:大麦中的酚类物质只占干物质的0.1~0.3%,如花色苷、儿茶酸等, 2.什么是浸出率
每100公斤原料糖化后的麦汁中,获得浸出物的百分数,即为糖化浸出物收得率,表示为: (麦汁中浸出物数量/投料量)*100% 3.酒花的主要成分有哪些?各部分在啤酒酿造中的作用是什么? ①酒花树脂:成分非常复杂,已经定性的有α-酸、β-酸。α-酸具有苦味力和防腐力,极易异构化成异α-酸,异α-酸具有极强烈的苦味力,啤酒的苦味主要来自于异α-酸。β-酸的氧化物则具有细致而强烈的苦味力,这一部分苦味可以补偿α-酸因氧化而失去的苦味度。②酒花油:是啤酒酒花香味的主要来源.③多酚物质:它是引起啤酒浑浊的主要成分,酒花中的单宁物质易氧化,单宁及其氧化物均易与蛋白质缩合,形成不溶性的复合物而沉淀,因此对麦汁澄清起一定的作用,这是它有利的一面。单宁能减低就得泡持性,增加啤酒色泽,并有苦涩味,这是对啤酒质量不利的一面。 6.麦芽粉碎的目的与要求? 麦芽的粉碎分为干粉碎和湿粉碎二种方式.谷皮主要由纤维素组成,它不溶于水,糖化时酶对它不起作用。谷皮有弹性,是构成麦汁过滤的自然过滤层。麦芽粉碎有利于麦汁过滤,又可增加麦芽浸出率。 对麦芽粉碎度的要求应该是:谷皮破而不碎;胚乳部分则愈细愈好,对溶解不好的麦芽更应如此 9.糖化温度控制分为几个阶段?如何规定的? ⑴35~40 ℃浸渍阶段:有利于酶的浸出和酸的形成,并有利于β-葡聚糖的分解。 ⑵45~55 ℃蛋白分解阶段:此时的温度称为蛋白分解温度,其控制方法如下
发酵工艺学整理资料 1.发酵工程的概念:指利用微生物的生长繁殖和代活动来大量生产人们所需产品过程的 理论和工程体系。 2.发酵工程的容：微生物菌种选育和保藏，培养基和发酵设备的灭菌技术，空气 净化技术，菌种的扩大培养，代产物发酵生产，发酵过程中参数检测、分析和控 制技术，发酵过程中补料技术，产品分离纯化技术 3.巴斯德证明了酒精是由活的酵母发酵引起的 4.发酵产品的类型： A微生物菌体发酵目的：获得微生物菌体细胞例如酵母和藻类、担子菌、 云金芽杆菌、疫苗等特点：细胞的生长与产物积累成平行关系，生长稳定期产 量最高。 B微生物酶发酵目的：获得酶制剂和酶调节剂例如青霉素酰化酶、糖苷酶 抑制剂特点：需要诱导作用，或遭受阻遏、抑制等调控作用的影响，在菌种 选育、培养基配制以及发酵条件等方面需给予注意 C微生物代产物发酵: 包括初级代产物（无种属特异性）和次级代产物（微量、 有种属特异性、特殊活性） D微生物转化发酵 生物转化：是利用生物细胞对一些化合物某一特定部位(基团)的作用，使它转变 成结构相类似但具有更在经济价值的化合物 实质：利用微生物代过程中的某一酶或酶系将一种化合物转化成含有特殊功能集 团产物的生物化学反应。 E基因工程发酵 F 动、植物细胞产物的发酵 5.发酵的方法： A表面发酵培养 固体表面发酵培养：投资小、设备少、简单易行、适于小型化生产 B液体深层发酵培养 微生物细胞在液体深层中进行纯种培养的过程 6.液体深层发酵流程 保藏菌种斜面活化扩大培养种子罐主发酵产物分离纯化 成品7.微生物转化与发酵的区别 发酵是通过微生物的生长繁殖和代活动，产生人们所需产品的过程。其核心是 微生物 8.菌种选育的目的： 提高发酵产量；改进菌种性能；去除多余组分；产生新的发酵产物 9.菌种选育基本理论：遗传与变异;遗传与变异的物质基础；基因突变的本质 10.菌种选育技术： A自然选育用途：分离、纯化、复壮菌种 B诱变育种用途：发酵工业广泛应用 C 原生质体融合用途：有两个合适亲本时的菌种选育 D基因工程育种用途：清楚微生物的遗传背景时的菌种选育 11.菌种退化和变异的原因 A遗传基因型的分离要点：遗传物质的多样化，群体繁殖 B 自发突变的结果可能原因：1）沙土管长期保藏 2)连续传代 3）新代产生的
第九章基本光刻工艺流程-曝光到最终检验概述 在本章，将解释从光刻胶的显影到最终检验所使用的基本方法。本章末尾将涉及膜版工艺的使用和定位错误的讨论。 目的 完成本章后您将能够： 1.划出晶圆在显影之前及之后的剖面图。 2.列出显影的方法。 3.解释硬烘焙的方法和作用。 4.列出晶圆在显影检验时被拒绝的至少五个原因。 5.划出显影-检验-重做工作过程的示意图。 6.解释湿法刻蚀和干法刻蚀的方法和优缺点。 7.列出从氧化膜和金属膜上去除光刻胶的机器 8.解释最终检验的方法和作用。 显影 晶圆完成定位和曝光后，器件或电路的图案被以曝光和未曝光区域的形式记录在光刻胶上（图9.1）。通过对未聚合光刻胶的化学分解来使图案显影。显影技术被设计成使之把完全一样的膜版上图案复制到光刻胶上。不良的显影工艺造成的问题是不完全显影，它会导致开孔的不正确尺寸，或使开孔的侧面内凹。在某些情况下，显影不够深而在开孔内留下一层光刻胶。第三个问题是过显影它会过多地从图形边缘或表面上去除光刻胶。要在保证开孔的直径一致和由于清洗深孔时液体不易进入而造成的清洗困难的情况下保持具有良好形状的开孔是一个特殊的挑战。 负和正的光刻胶有不同的显影性质并要求不同的化学品和工艺。 负光刻胶显影 在光刻胶上成功地使图案显影要依靠光刻胶的曝光机理。负光刻胶暴露在光时会有一个聚合的过程它会导致光刻胶聚合在显影液中分解。在两个区域间有足够高的分解率以使聚合的区域只失去很小部分光刻胶。对于大多数的负光刻胶显影二甲苯是受欢迎的化学品。它也在作负光刻胶中作溶液使用。显影完成前还要进行冲洗。对于负光刻胶，通常使用n-丁基醋酸盐作为冲洗化学品，因为它既不会使光刻胶
2 一、单项选择题（每小题1分，共10分） （从A、B、C、D四个选项中选择一个正确答案填入括号中） 1、1929年，Alexander Fleming通过偶然机会发现，对人们认识微生物代谢产物的拮抗作用及其应用具有划时代的意义的是 （） A、金霉素 B、青霉素 C、庆大霉素 D、酶抑制剂 2、工业化发酵生产中，以下哪一个不是决定生产水平高低的主要方面（） A、菌种选育 B、发酵液溶氧 C、分离提取工艺 D、发酵工艺 3、下列物质中不属于微生物次级代谢产物基本构建单位的是（） A、甲羟戊酸 B、聚酮结构 C、核苷酸 D、糖及氨基糖 4、目前工业发酵中获取无菌空气使用最广泛的方法是（） A、介质过滤除菌 B、辐射灭菌 C、静电除菌 D、热灭菌 5、下列条件中不能影响氧饱和浓度的是（） A、温度 B、溶液性质 C、氧分压 D、微生物种类 6、以下列举的物质中不属于化学消泡剂的是（） A、黄豆饼粉 B、十八醇 C、聚二甲基硅氧烷 D、大豆油 7、下列物质中均为次级代谢产物的是（） A、抗生素、脂类 B、蛋白质、色素 C、毒素、核酸 D、生物碱、激素 8、下列物质中属于速效碳源的是（） A、乳糖 B、葡萄糖 C、淀粉 D、糊精 9、连续灭菌的优点中不包括的是（）
A、发酵罐利用率高 B、营养破坏少 C、设备简单 D、易于自动控制 10、下列因素中不能影响液相体积氧传递系数K La的是（） A、空气流速 B、搅拌功率 C、CO2 浓度 D、发酵理化液性质 二、填空题（每空1分，共20分） 1、微生物的DNA 损伤的修复方式中引起真正突变的有、；不发生突变的有、、。 2、影响发酵温度变化的因素有产热的因素：、；散热的因素：、、。 3、微生物的原生质体制备的影响因素主要包括有、、 、等。 4、培养基质量的影响因素主要有、、 等。 5、根据培养基组成成分的来源可以将培养基分为为、 和。 三、名词解释（每小题3分，共30分） 1、自然选育 2、前体
H a r b i n I n s t i t u t e o f T e c h n o l o g y 精密和超精密加工技术论文 论文名称：光刻技术及其应用 课程名称：精密和超精密加工技术专业：机械设计制造及其自动化班级：1208104 姓名：孙文熙 学号：1120810404 哈尔滨工业大学
光刻技术及其应用 摘要：集成电路制造中利用光学- 化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。随着半导体技术的发展，光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2～3个数量级（从毫米级到亚微米级），已从常规光学技术发展到应用电子束、 X射线、微离子束、激光等新技术；使用波长已从4000埃扩展到 0.1埃数量级范围。光刻技术成为一种精密的微细加工技术。本文就光刻技术的概念和工艺过程进行介绍，并对其发展与应用进行展望。 关键字：光刻技术，工艺流程，步骤，应用。 一、光刻技术的概念 光刻技术是在一片平整的硅片上构建半导体MOS管和电路的基础，这其中包含有很多步骤与流程。首先要在硅片上涂上一层耐腐蚀的光刻胶，随后让强光通过一块刻有电路图案的镂空掩模板（MASK）照射在硅片上。被照射到的部分(如源区和漏区)光刻胶会发生变质，而构筑栅区的地方不会被照射到，所以光刻胶会仍旧粘连在上面。接下来就是用腐蚀性液体清洗硅片，变质的光刻胶被除去，露出下面的硅片，而栅区在光刻胶的保护下不会受到影响。随后就是粒子沉积、掩膜、刻线等操作，直到最后形成成品晶片（WAFER）。 二、光刻技术的工艺流程 常规光刻技术是采用波长为2000～4500埃的紫外光作为图像信息载体，以光致抗蚀剂为中间（图像记录）媒介实现图形的变换、转移和处理，最终把图像信息传递到晶片(主要指硅片)或介质层上的一种工艺。在广义上，它包括光复印和刻蚀工艺两个主要方面。 ①光复印工艺：经曝光系统将预制在掩模版上的器件或电路图形按所要求的位置，精确传递到预涂在晶片表面或介质层上的光致抗蚀剂薄层上。
发酵工艺学实验资料整理 1、一般发酵工艺：原料选择→种曲制备→制曲→制旆发酵→浸出淋油→后处理 2、酱油的生产方法？ 1）根据醪及醅状态的不同可分为稀醪发酵、固稀发酵、固态发酵； 2）根据加盐多少的不同可分为有盐发酵、无盐发酵； 3）根据发酵加温状况可分为常温发酵及保温发酵。 3、酿造酱油所需的原料有蛋白质原料、淀粉质原料、食盐、水及一些辅料。 4、豆粕作为酱油生产原料的优点： 1）能保持大豆制酱油的风味； 2）原料成本低； 3）可节约油脂； 4）原料处理简便。 5、淀粉质原料是酱油中碳水化合物的主要成分，是构成酱油香气和色素的主要原料。 6、用麸皮做淀粉质原料的优点： 1）麸皮质地疏松、体轻、表面积大； 2)富含淀粉、蛋白质、维生素和钙、铁等营养成分，能促进米曲霉生长； 3)麸皮中多缩戊糖含量高达20%～30%，与蛋白质的水解物氨基酸相结合而产生酱油色素； 4)麸皮资源丰富，价格低廉，使用方便。 7、种曲是制酱油曲的种子，在适当的条件下由试管斜面菌种经逐级扩大培养而成，每克种曲孢子数达25亿个以上，用于制曲时具有很强的繁殖能力。 8、制种曲的工艺： 菌种——斜面试管培养——三角瓶扩大培养——蒸料及接种——装盘——翻曲及加水——种曲保藏及检验。 制曲的目的：是使米曲霉在曲料上充分生长发育，并大量产生和积蓄所需要的酶，如蛋白酶、肽酶、淀粉酶、谷氨酰胺酶、果胶酶、纤维素酶、半纤维素酶等。 9、种曲的质量要求： 种曲外观要求孢子旺盛，呈新鲜的黄绿色，具有种曲特有的曲香，无夹心、无根霉、无青霉及其他异色。孢子数应在 25 ～ 30亿个/g，发芽率在90%以上。10、成曲生产的目的：创造适宜条件，保证优良霉菌等有益菌生长良好，分泌酱油酿造所需各种酶系，蛋白酶含量越高越好。11、原料处理的主要目的：是使大豆蛋白质适度变性，使原料中的淀粉糊化，同时把附着在原料上的微生物杀死，以利于米曲霉的生长及原料分解。 12、原料的粉碎： 原料颗粒过大，不容易吸足水分，因而不能蒸熟，影响制曲时菌丝繁殖，减少了曲霉繁殖的总面积和酶的分泌量。 原料细度要适当，如果原料过细，辅料比例又少，润水时易结块，制曲时通风不畅，发酵时酱醅发粘，淋油困难，影响酱油的质量和原料利用率。 13、润水的目的：是利于蛋白质在蒸料时迅速达到适当变性，使淀粉充分糊化，以便溶出米曲霉所要的营养成分，使米曲霉生长、繁殖得到必需的水分。 14、蒸料的目的： 1）使蛋白质适度变性，成为容易为酶作用的状态； 2 ）使物料中的淀粉糊化成可溶性淀粉和糖分； 3）加热蒸煮杀灭附在原料表面的微生物，以利于米曲霉的正常生长和发育。 15、发酵：是酱醪或酱醅入缸，利用微生物的丰富酶系，进行一系列生化反应将物料分解的过程。 16、生酱油需经加热、配制、澄清等加工过程方可得成品酱油。 17、加热灭菌有如下作用： 1）杀菌防腐，使酱油具有一定的保质期。 2）破坏酶的活性，使酱油组分保持一定。 3）通过加热增加芳香气味，还可挥发一些不良气味，从而使酱油风味更加调和。 4）增加色泽，在高温下促使酱油色素进一步生成。 5）酱油经过加热后，其中的悬浮物和杂质与少量凝固性蛋白质凝结而沉淀下来，过滤后使产品澄清。 18、酱油的定义及其分类： 酱油又称“清酱”或“酱汁”,是以植物蛋白及碳水化合物为主要原料,经过微生物酶的作用,发酵水解生成多种氨基酸及各种糖类,并以这些物质为基础,再经过复杂的生物化学变化,形成具有特殊色泽、香气、滋味和体态的调味液。 酱油的种类：
光刻工艺与方法 张永平 2012.02.24
?光刻胶由三部分组成： 1、感光剂 2、增感剂 3、溶剂 正、负性光刻胶
衡量光刻胶好坏的标准 ?1、感光度 ?2、分辨率 ?3、粘度及固态含有率 ?4、稳定性 ?5、抗蚀性 ?6、黏附能力 ?7、针孔密度
光源 ?现代曝光系统所产生的像是受衍射限制的，而衍射效应又与曝光辐射的波长有很强的联系。从历史看，多数的光刻系统都使用弧光灯作为主要光源，内含有汞蒸汽，用光刻的灯消耗大约1千瓦功率。常用的汞两种特征波长：436nm（g线）和365nm（i线）。20世纪90年代早期，多数的光刻机使用g线；在0.35μm这一代中，i线步进光刻机是主宰。在深紫外光这一段，最亮的光源要数准分子激光，最有兴趣的二种源:KrF（248nm）和ArF（193nm），一般有二种元素，一种是惰性气体，一种是含卤化合物。准分子激光的主要问题：激光的可靠性和寿命、镜头系统中光学元件对曝光波长的透明度、寻找合适的光刻胶
?曝光技术直接影响到微细图形加工的精度与质量?a,接触式 ?b,接近式 ?c,投影式
三种曝光方式比较 接触曝光：光的衍射效应较小，因而分辨率高；但易损坏掩模图形，同时由于尘埃和基片表面不平等，常常存在不同程度的曝光缝隙而影响成品率。 接近式曝光：延长了掩模版的使用寿命，但光的衍射效应更为严重，因而分辨率只能达到2—4um 左右。 投影式曝光：掩模不受损伤，不存在景深问题提高了对准精度，也减弱了灰尘微粒的影响，已成为LSI 和VLSI 中加工小于3um 线条的主要方法。缺点是投影系统光路复杂，对物镜成像能力要求高。
试卷一 一、名词解释 铁混浊：由于葡萄酒中的氧化亚铁被氧化成氧化铁，氧化铁与单宁结合，则生成青色的鞣酸铁沉淀，即所谓的铁沉淀。煮沸强度：又称蒸发强度，是指单位时间内所蒸发的水分占混合麦芽汁的百分比例，要求为8%—10%。 上霉：指在曲坯表面，因霉菌生长繁殖而长出霉点。 生啤熟啤扎啤 二、填空 1 葡萄酒按酒液的颜色，可分为红葡萄酒和白葡萄酒两大 2． 3． 4． 三、选择 1 葡萄酒受污的酒液中，常见的乳酸菌不包括（ D ）。 A ．明串珠菌 B ．乳酸杆菌 D．枯草杆菌 2．酿造酱油的生产，主要以（ A ）为主要原料。 A ．大豆或豆粕等植物蛋白质 B ．面粉等淀粉质C．大米或高粱 C ．足球菌 类，根据酒液含糖分多少，分为干葡萄酒和甜葡萄酒两种。 根据酵母在啤酒发酵液中的性状，可将它们分为：上面啤酒酵母，下面啤酒酵母。 大曲中的微生物以霉菌占绝大多数，小曲中的微生物主要是霉菌和酵母。 白酒酿造分为清渣和续渣两种方法。
D．优质大麦芽 3．微生物生长繁殖减慢，曲坯品温逐渐下降的阶段称为（ A ）。 A ．后火B．大火C．起潮火D．凉霉 4 传统法酿醋工艺中，老陈醋的配制以（ A ）为发酵剂。 A ．大曲B．小曲C．麸曲D．麦曲 四、简答 1．列举我国八大名白酒。（贵州茅台酒，山西汾酒，四川泸州老窖特 曲酒，陕西西凤酒，四川五粮液，四川全兴大曲酒，安徽古井贡酒， 贵州遵义董酒。） 2．说明酱油中风味物质的来源。（蛋白质的水解，淀粉的分解，脂肪 的分解，纤维素的分解。） 六、论述 1．试述啤酒发酵过程中对绿麦芽的质量要求及其质量控制措施？ 1在酒的酿造过程中加入SO2，以下不是SO2的作用的是：（D） A 杀菌作用 B 溶解作用 C 除醛作用 D 氧化作用 2蒸煮的时间约为：（A） A 15-20min B20-30min C30-35min D 35-40min 3葡萄酒发酵缪的制备中，下列不是SO2 添加方法的是：（C） A 通SO2气体 B 加6%-8%H2SO3溶液 C 加6%-8%H2SO4溶液 D 加
集成电路制造工艺 光刻工艺流程 作者：张少军 陕西国防工业职业技术学院电子信息学院电子****班 24 号 710300 摘要：摘要：光刻(photoetching)是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去 的工艺，在此之后，晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。被除去的部分可能形状是薄膜内的孔或是残留的岛状部分。 关键词：光刻胶；曝光；烘焙；显影；前景 Abstract: photoetching lithography (is) through a series of steps will produce wafer surface film of certain parts of the process, remove after this, wafer surface will stay with the film structure. The part can be eliminated within the aperture shape is thin film or residual island. Keywords: the photoresist, Exposure; Bake; Enhancement; prospects 基本光刻工艺流程— 1 基本光刻工艺流程—从表面准备到曝光 1.1 光刻十步法 表面准备—涂光刻胶—软烘焙—对准和曝光—显影—硬烘焙—显影目测—刻蚀—光刻胶去除—最终目检。 1.2 基本的光刻胶化学物理属性 1.2.1 组成聚合物+溶剂+感光剂+添加剂,普通应用的光刻胶被设计成与紫外线和激光反应，它们称为光学光刻胶（optical resist），还
发酵工艺学整理资料 1、发酵工程的概念:指利用微生物的生长繁殖与代谢活动来大量生产人们所需产品过程 的理论与工程体系。 2、发酵工程的内容:微生物菌种选育与保藏,培养基与发酵设备的灭菌技术,空气 净化技术,菌种的扩大培养,代谢产物发酵生产,发酵过程中参数检测、分析与控制 技术,发酵过程中补料技术,产品分离纯化技术 3、巴斯德证明了酒精就是由活的酵母发酵引起的 4、发酵产品的类型: A微生物菌体发酵目的:获得微生物菌体细胞例如酵母与藻类、担子菌、 苏云金芽杆菌、疫苗等特点:细胞的生长与产物积累成平行关系,生长稳定期产 量最高。 B微生物酶发酵目的:获得酶制剂与酶调节剂例如青霉素酰化酶、糖苷酶抑 制剂特点:需要诱导作用,或遭受阻遏、抑制等调控作用的影响,在菌种选育、 培养基配制以及发酵条件等方面需给予注意 C微生物代谢产物发酵: 包括初级代谢产物(无种属特异性)与次级代谢产物(微 量、有种属特异性、特殊活性) D微生物转化发酵 生物转化:就是利用生物细胞对一些化合物某一特定部位(基团)的作用,使它转变 成结构相类似但具有更在经济价值的化合物 实质:利用微生物代谢过程中的某一酶或酶系将一种化合物转化成含有特殊功能 集团产物的生物化学反应。 E基因工程发酵 F 动、植物细胞产物的发酵 5、发酵的方法: A表面发酵培养 固体表面发酵培养:投资小、设备少、简单易行、适于小型化生产 B液体深层发酵培养 微生物细胞在液体深层中进行纯种培养的过程 6、液体深层发酵流程 保藏菌种斜面活化扩大培养种子罐主发酵产物分离纯化 成品7、微生物转化与发酵的区别 发酵就是通过微生物的生长繁殖与代谢活动,产生人们所需产品的过程。其核 心就是微生物 8、菌种选育的目的: 提高发酵产量;改进菌种性能;去除多余组分;产生新的发酵产物 9.菌种选育基本理论:遗传与变异;遗传与变异的物质基础;基因突变的本质 10.菌种选育技术: A自然选育用途:分离、纯化、复壮菌种 B诱变育种用途:发酵工业广泛应用 C 原生质体融合用途:有两个合适亲本时的菌种选育 D基因工程育种用途:清楚微生物的遗传背景时的菌种选育 11.菌种退化与变异的原因 A遗传基因型的分离要点:遗传物质的多样化,群体繁殖 B 自发突变的结果可能原因:1)沙土管长期保藏2)连续传代3)新陈代谢产生的
第一章 发酵fermentation：微生物在无氧条件下，分解各种有机物质产生能量的一种方式。 发酵工程：是将微生物学、生物化学和化学工程的基本原理有机的结合起来，利用微生物的某些特定功能，为人类生产有用的产品，或直接把微生物应用于工业生产过程的一种新技术。（主要利用的是细菌、放线菌、酵母菌、霉菌） 发酵生产药物的类型：抗生素、酶抑制剂、免疫抑制剂、维生素、氨基酸 第二章 微生物药物的合成：在微生物体内酶催化下将小分子物质逐步合成分子量较大产物的生化反应过程。（呈现多代谢作用或代谢栅栏特征） 微生物体内存在着严密、精确、灵敏的代谢调节体系。微生物的代谢调节机制复杂，具有多系统、多层次的特点。 代谢调节的3个部位：细胞（及细胞器）膜、酶本身、酶与底物的相对位置及间隔状况。 代谢调节的3种形式：细胞透性的调节、代谢途径的区域化和流向、代谢速度的调节。 酶活性调节通过改变代谢途径中一个或者几个关键酶的活性来调节代谢速度调节方式。特点是迅速及时有效经济 12种酶活性调节方式 前馈作用、终产物抑制、补偿性激活、协同（多价）反馈抑制、累积反馈抑制、增效（合作）反馈抑制、顺序反馈抑制、同工酶调节、联合激活或抑制调节（终产物抑制的补偿性逆转）、平衡合成、代谢互锁、假反馈抑制。
次级代谢产物的特点 1、特定菌种产生的代谢产物 2、菌种特定生长阶段的产物 3、是多组分的混合物 4、以初级代谢产物为前体或起始物进行合成 5、次级代谢产物的生物合成受初级代谢的调控 6、次级代谢酶在细胞上具有特定的位置和结构 7、次级代谢产物的合成过程受基因控制 8、次级代谢产物的合成对环境因素特别敏感 9、次级代谢产物的合成与菌体的形态有一定关联。 10、次级代谢产物的结构多样特殊。 分叉中间体：在微生物的代谢过程中，有一些中间代谢物，既可以被微生物利用来合成初级代谢产物，也可以被用来合成次级代谢产物。 多组分的原因 1、次级代谢产物的合成酶对底物的特异性不强 2、对底物作用不完全 3、同一底物可以被多种酶催化次级代谢过程 前体：直接被菌体用来合成代谢产物，而自身分子结构没有明显改变的物质 磷酸盐调节 1、磷酸盐促进初级代谢，抑制次级代谢 2、磷酸盐抑制次级代谢产物前体的合成 3、磷酸盐抑制磷酸酯酶的活性
光刻工艺介绍 一、定义与简介 光刻是所有四个基本工艺中最关键的，也就是被称为大家熟知的photo，lithography，photomasking, masking, 或microlithography。在晶圆的制造过程中，晶体三极管、二极管、电容、电阻和金属层的各种物理部件在晶圆表面或表层内构成，这些部件是预先做在一块或者数块光罩上，并且结合生成薄膜，通过光刻工艺过程，去除特定部分，最终在晶圆上保留特征图形的部分。 光刻其实就是高科技版本的照相术，只不过是在难以置信的微小尺寸下完成，现在先进的硅12英寸生产线已经做到22nm，我们这条线的目标6英寸砷化镓片上做到0.11um。光刻生产的目标是根据电路设计的要求，生成尺寸精确的特征图形，并且在晶圆表面的位置正确且与其它部件的关联正确。
二、光刻工艺流程介绍 光刻与照相类似，其工艺流程也类似： 实际上，普通光刻工艺流程包括下面的流程：
1)Substrate Pretreatment 即预处理，目的是改变晶圆表面的性质， 使其能和光刻胶（PR）粘连牢固。主要方法就是涂HMDS，在密闭腔体内晶圆下面加热到120℃，上面用喷入氮气加压的雾状HMDS，使得HMDS和晶圆表面的-OH健发生反应已除去水汽和亲水健结构，反应充分后在23℃冷板上降温。该方法效果远比传统的热板加热除湿好。 2)Spin coat即旋转涂光刻胶，用旋转涂布法能提高光刻胶薄膜的 均匀性与稳定性。光刻胶中主要物质有树脂、溶剂、感光剂和其它添加剂，感光剂在光照下会迅速反应。一般设备的稳定工作最高转速不超过4000rpm，而最好的工作转速在2000～3000rpm。 3)Soft Bake(Pre-bake)即软烘，目的是除去光刻胶中溶剂。一般是 在90℃的热板中完成。 4)Exposure即曝光，这也是光刻工艺中最为重要的一步，就是用 紫外线把光罩上的图形成像到晶圆表面，从而把光罩上面的图形转移到晶圆表面上的光刻胶中。这一步曝光的能量(Dose)和成像焦点偏移(Focus offset)尤为重要. 5)Post Exposure Bake(PEB)即后烘，这是非常重要的一步。在 I-line光刻机中，这一步的目的是消除光阻层侧壁的驻波效应，