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CVD合成金刚石简介

CVD合成金刚石简介
CVD合成金刚石简介

检测方法FT-IR,XRR,拉曼

这个方法是一个俄罗斯人首先提出的,由此可见俄罗斯人的确很牛。

这种方法可以合成大面积金刚石薄膜,大面积哦,这是由于现在可以得到很大规模的等离子体,所以这种方法在研究领域可谓不可多得,只用甲烷就可以得到大面积的金刚石。

CVD金刚石可以用各种方法合成,其中晶粒生长速度最快的则为热等离子体CVD工艺。我们试验室过去曾试图用DC等离子体CVD工艺合成金刚石厚膜,并就膜与基底的附着强度和膜的性质作过探讨。但是,热等离子体工艺存在沉积面积和膜质量都不如其它CVD工艺等问题。CVD金刚石薄膜应用中对扩大沉积面积有着强烈的需求。

金刚石在所有已知物质中具有最高的硬度、高耐磨率、良好的抗腐蚀性、低的摩擦系数、高的光学透射率(对光线而言从远红外区到深紫外区完全透明) 、高的光学折射率、高空穴迁移率、极佳的化学惰性,既是热的良导体,又是电的绝缘体,掺杂后可形成P和N型的半导体。金刚石有如此多优异性能,因而在国民经济上有着广泛的用途。金刚石从真空紫外光波段到远红外光波段对光线是完全透明的,因此金刚石膜作为光学涂层的应用前景非常好,可用作红外光学窗口和透镜的保护性涂层。以及在恶劣环境下工作的红外在线监测和控制仪器的光学元件涂层。在工业制造领域,需要大量轻量化、高强度的材料,用具有高硬度、高耐磨性的金刚石制成的刀具有长寿命、高加工精度、高加工质量等优异特性,而将金刚石薄膜直接沉积在刀具表面不仅价格大大低于聚晶金刚石刀具,而且可以制备出具有复杂几何形状的金刚石涂膜刀具,在加工非铁系材料领域具有广阔的应用前景。金刚石在室温下具有最高的热导率,又是良好的绝缘体,因而是大功率激光器件、微波器件、高集成电子器件的理想散热材料。金刚石能掺杂为P和N型的半导体,与现有半导体材料相比,具有最低的介电常数,最高的禁带宽度,较高稳定性,很高的电子及空穴迁移率和最高的热导率,性能远优于Si半导体,是替代Si的理想材料。它有可能用于制备微波甚至于毫米波段超高速计算机芯片,高电压高速开关及固体功率放大器,而工作温度更可达600摄氏度。金刚石制备电子器件的应用已取得了初步的结果,如金刚石薄膜发光管、金刚石薄膜场效应管、金刚石薄膜热敏电阻等金刚石制备电子器件的应用。但天然金刚石价格昂贵、数量稀少,人们一直在寻求人工合成金刚石的方法。传统上,依据热力学原理,人们利用石墨在高温高压下合成金刚石。但这种传统方法需要高温高压,对设备要求比较高,条件比较苛刻,导致合成的金刚石价格较贵。在20世纪80年代初,一种新的方法出现了,那就是微波等离子体化学气相法合成金刚石薄膜(CVD)制备金刚石薄膜,它成本低,质量高,有利于大规模合成利用,且装置简单,能量集中,反应条件易于控制,产物比较纯净,成为当前研究的主要方向和热点。现在该领域的最新进展是用微波化学气相合成法合成纳米级的金刚石薄膜,纳米级金刚石薄膜除了有普通微米级金刚石薄膜的性质外,还具有高光洁度,高韧性,低场放射电压,是具有广阔应用前景的新材料。摩擦系数低,光洁度高,颗粒极细,硬度高,耐磨度高,可广泛应用医疗,交通,航空航天,工业制造

领域的涂料,涂层,钻头,更可为微型机电领域带来革命性的飞跃.许多科学家纷纷预言:21世纪将是金刚石的时代。

合成与机理:等离子态是物质的第四态,之所以把等离子体视为物质的又一种基本存在形态,是因为它与固、液、气三态相比无论在组成上还是在性质上均有本质区别。即使与气体之间也有着明显的差异。首先,气体通常是不导电的,等离子体则是一种导电流体而又在整体上保持电中性。其二,组成粒子间的作用力不同,气体分子间不存在净电磁力,而等离子体中的带电粒子间存在库仑力,并由此导致带电粒子群的种种特有的集体运动。第三,作为一个带电粒子系,等离子体的运动行为明显地会受到电磁场的影响和约束。需说明的是,并非任何电离气体都是等离子体。只有当电离度大到一定程度,使带电粒子密度达到所产生的空间电荷足以限制其自身运动时,体系的性质才会从量变到质变,这样的“电离气体”才算转变成等离子体。否则,体系中虽有少数粒子电离,仍不过是互不相关的各部分的简单加合,而不具备作为物质第四态的典型性质和特征,仍属于气态。按热力学分析只要压力适当,石墨转变成金刚石在低温下并非不能自发进行,问题在于反应速率太低,以致必须提供苛刻的高温高压条件。但若借助非平衡等离子体,情况就不同了。如用微波放电把适当比例的CH4和H2气激发成等离子体,便可在低于1.0133×104Pa,800—900℃条件下以相当快的生长速率(1μm/h)人工合成金刚石薄膜。

依照此原理设计的CVD合成金刚石薄膜的装置都有一共同特性,即使低分子碳烃气体稀释在过量氢气中,在一定电磁能激发产生等离子体,在等离子体中形成局部的高温高压条件,通过适宜的沉积工艺在基片(硅片)上沉积出金刚石薄膜。常用的方法有热丝法、微波法、等离子体炬和燃烧火焰法等。热丝法是利用高温金属丝激发等离子体,装置简单,使用比较方便。但由于金属丝的高温蒸发会将杂质引入金刚石膜中,因此该方法不能制备高纯度的金刚石膜;微波法是利用微波的能量激发等离子体,具有能量利用效率高的优点。同时由于无电极放电,等离子体纯净,是目前高质量、高速率、大面积制备金刚石膜的首选方法;等离子体炬是利用电弧放电产生等离子体,制备的金刚石膜质量高。但由于电弧面积的限制,金刚石膜的面积较小;同时由于电弧点燃及熄灭的热冲击,对金刚石膜的附着力影响很大,设备的磨损大,反应气体的消耗也高;燃烧火焰法是利用乙炔在氧气中燃烧产生的高温激发等离子体,可以在常压下工作,也存在着金刚石膜沉积面积小,不均匀等问题。

微波等离子化学气相合成法的主要装置有:微波发生器,石英反应腔,单晶硅片,微流量计,Raman光谱仪,气压计,真空泵。真空泵抽真空,使体系保持在一个低压状态,将烃类气体和氢气以一定比例混合在石英反应腔中,微波发生器发出微波使之在反应腔中形成等离子体,等离子体在抛光Si基片上沉积出金刚石薄膜。沉积过程分为四个阶段:(1) H等离子体刻蚀阶段;(2) 镜面抛光硅片的表面渗碳期;(3)金刚石晶体成核期;(4) 金刚石晶体生长期. CVD 法制备金刚石膜的机理目前还没有完全了解,主要是利用单晶硅片的晶格和金刚石晶体相似,具有诱导成核作用,诱导金刚石晶体在硅片上沉积生长.原子氢在金刚石膜生长过程中的主要

作用是稳定具有金刚石结构的碳而将石墨结构的碳刻蚀掉。利用CVD中等离子体的高度离子化作用,使C、H、O三者比例在一定的范围区域内,在合适的沉积条件下,得到金刚石膜。一般来说,流量大些有利于成核,但流量过大,等离子轰击强度过大,则不利于晶体生长,要选择合适的流量。调节不同的反应物比例和反应条件,可以有选择性地生长不同晶形的金刚石膜。

金刚石工具制造复习题-2013春

树脂结合剂的磨具基体材料和结合剂材料是铸铝合金酚醛树脂(或聚酰亚胺)树脂CBN砂轮的硬化温度是多少220℃ PCBN的维氏硬度(HV)是多少8000-9000 金刚石工具原材料中液态石蜡的作用 当前绳锯长度最大达多少米60米 对于不同的结合剂具有不同的烧结温度,大多数金属粉末的烧结温度约为其熔点的多少2/3 国内外通用的金刚石浓度表示方法是,工作层内磨料所占体积比为多少时,金刚石含量0.88g/cm3,规定为100%浓度25% 金刚石砂轮的四种基本类型是树脂砂轮、陶瓷砂轮、金属砂轮、电镀砂轮 PCD刀具适合加工对象有色金属 PCD刀具合适的焊接温度低于700℃ 常用金刚石工具有 论述PCBN刀具的性能特点和应用范围?性能特点:1) 具有很高的硬度和耐磨性2) 具有很高的热稳定性和高温硬度3) 具有较高的化学稳定性4) 具有良好的导热性5) 具有较低的摩擦系数。 应用范围:1) 适用于高速及超高速切削加工技术2) 硬态切削加工技术的最佳刀具材料3) 进行干切削加工工艺的理想刀具材料4) 适应于自动化加工及难加工材料加工 绳锯串珠的结构包括基体孕镶胎体 锯片的结构形式圆锯片排锯线锯绳锯链锯 PCD的维氏硬度(HV)是多少,为硬质合金的多少倍8000 80-120 PCBN刀具的制造环节包括合成切割焊接刃磨 金刚石拉丝模适合拉制那种丝材硬金属丝 何为PCBN红硬性?PCBN在高温状态下表现出来的硬度性能,可达1400℃。拉丝模材质有合金钢硬质合金天然金刚石聚晶金刚石CVD涂层陶瓷 何谓金刚石工具? 金刚石制品类型工具类器件类 新型开发的金刚石工具指哪几种?PCDPCBN刀具、金刚石绳锯、CBN砂轮、金刚石拉丝模 论述拉丝模结构形式和材质对使用寿命的影响?分为“入口区、润滑区、工作区、定径区、出口区”五个区间。 磨削钛合金最好的砂轮是CBN砂轮 绳锯的密封材料硫化橡胶或塑料 PCD刀具设计原则要点?合理选择PCD粒度;合理选择PCD刀片厚度;刀具几何参数与结构设计;PCD刀具的切削参数与失效机理 聚晶拉丝模的优缺点和应用范围? 何谓金刚石绳锯? 何谓拉丝模? PCBN刀具使用哪些粘结剂及其各自用途? CBN含量(%)-粘结剂种类-主要用途 ~60-TiN-淬火钢 ~70-TiC-铸铁 ~70-Al2O3-铸铁 ~90-AlN-高强度铸铁 ~80-Co-耐热合金钢铸铁

金刚石生产工艺流程

金刚石生产工艺一、生产工艺流程

二、生产工艺简介 1、将原料叶腊石,按粒度为16目、24目,80目分选,然后按2:6:3的比例混合,混合后 在280 0C温度条件下焙烧l小时后制成内腔为中20mm的合成腔体,将破片的杂质和粉尘去掉,将触媒清洗后置入烘箱保持”℃恒温。 2、在内腔为中20 mm的合成腔体内分层交替装入碳片,触媒,两端客为两个碳片、碳片为 15片.触媒为12层,在两端的两个碳片外各装一个导电铜圈制成合成块,将合成块置于烘箱内,使之处于140℃恒温状态,保持9小时。 3、将烘过的合成块装入压机内,在压力为110MPa -120MPa,温度为1400℃-1500℃的条件下 保持12分钟将破转化为金刚石。 4、将压机内的合长块取出,进行破碎,使金刚石颗粒和内部杂质暴露。 5、电解法去除金属介媒,合成棒作为阳极,硫酸盐作为电解液,惰性阴极,化学反应式: 阳极:M-ne→Mn+ 阴极:Mn++ne→M M表示Ni、Co、Mn等金属原子;Mn+表示相应的n价金属离子。 6、将电解完的物料放入球磨机进一步粉碎,使金刚石颗粒和石墨进行分离。 7、将球磨完的物料放入摇床进行石墨分离,该工艺主要利用金刚石和石墨在密度上的差异, 在往复摇动的倾斜工作面上,流体对其冲刷实现分离。 8、分选完的金刚石放入酸水中,进一步去除金属杂质,利用销售和王水等强氧化性酸,和金 属反应生成可溶性盐,经水洗即可去除金属杂质,化学反应式: 3Ni+2HNO3+6HCl=3NICl2+2NO↑+4H2O 3Co+2HNO3+6HCl=3CoCl2+2NO↑+4H2O 3MN+2HNO3+6HCl=3MnCl2+2NO↑+4H2O 9、除叶腊石,将酸洗过的金刚石物料加入氢氧化钠进行高温煮沸,化学反应方程式: Al2(Si4O10)(OH) +10NaOH→△→2NaAlO2+4NaSiO3+6H2O 10、将碱洗过的物料进行烘干,烘干后使用不同目数的筛子进行筛分分级,筛分后使用选型机进行等级分选。 11、将筛分选型好的物料按照每袋1万克拉进行包装入库。

超硬材料制造复习题

1、超硬材料: 金刚石和立方氮化硼及以金刚石和立方氮化硼为主要成分的聚晶、复合片。 2、金刚石为什么不适合加工铁基金属材料: 由于金刚石在磨削高温下能与Fe基金属材料发生化学作用,金刚石中的碳与这些元素发生作用,生成碳化物,产生粘刀显现,使用寿命缩短,加工质量下降,因此,金刚石不适合加工钢材,包括普通钢和各种韧性合金钢。此类材料一般使用cBN工具加工。 3、超硬材料今后的主要发展方向: 单晶合成 (采用不同原料、不同的高温高压合成设备和不同工艺,合成不同的单晶产品) 单晶分选 (合成的单晶产品,按照颗粒形状、粒度、堆积密度、杂质含量以及强度、韧度、耐热性等性能指标的不同进行分选,从而分为不同的单晶晶种) 表面镀覆 (经过分选的不同品种的单晶,利用化学镀、电镀、真空镀等表面镀覆) 聚晶制造 (利用金刚石单晶粉末或石墨粉以及适当的金属粉和非金属粉等原材料,按照适当的配方,采用相应的工艺方法(高压高温烧结法或直接生长法),制造具有不同的形状、规格、性能和用途的聚晶) 薄膜生长(采用在低压条件下的各种气相沉积生长法,制造具有特殊性能和较大尺寸的金刚石薄膜或类金刚石薄膜) 4、人造金刚石合成基本方法: 动态高压法、静态高压法、化学气相沉积(CVD)--亚稳态生长 5、静压触媒法:是指在金刚石热力学稳定的条件下,在恒定的高压高温和触媒参与的条件下合成金刚石的方法。 6、列举金刚石的主要优异性能: 最大硬度、最大热导率、最小压缩率、最宽透光波段、耐腐蚀 7、金刚石结构的电子结构和晶体结构: 电子结构:根据杂化理论,C原子在反应时,激发一个2s电子到2pz轨道上去。一个s轨道和三个p轨道混合起来,形成四个新轨道---sp3等价杂化轨道,每个sp3杂化轨道具有1/4的s成分和3/4的p成分,形状都相同,这四个轨道的对称轴之间的夹角都是109。28、。

金刚石合成理论与工艺设计

前言 1.金刚石的性质和用途。 金刚石是一种在机械、热学、光学、化学、电子学等方面具有极限性能的特殊材料。图1为金刚石的空间晶格的一个晶胞。与其他材料相比,金刚石具有最大的原子密度(176 atoms/nm3),最大可能的单位原子共价键数目(4),极强的原子键合能(7.4eV)。这使得金刚石具有许多极限性质:最高硬度,最高热导率,最高传声速度,最宽透光波段,抗强酸强碱腐蚀,抗辐射,击穿电压高,介电常数小,载流子迁移率大,既是电的绝缘体,又是热的良导体,而掺杂后又可成为卓越的P型或N型半导体。 人造金刚石的应用领域十分广泛,几乎涉及国计民生的各个领域,小到家庭装修,大到微电子及航空航天等高技术领域。金刚石的推广应用在光学玻璃冷加图1 立方金刚石的晶胞空间结构示意图

工、地质钻探、瓷、汽车零件等机械加工,金属拉丝等方面引起了个革命性的工艺改革。表1列出了金刚石的一些极限性能和用途。 表1 金刚石的一些极限性能和用途

2.人造金刚石合成的历史 由于金刚石的优越性质,长期以来它一直成为人们感兴趣的研究对象。早在1772年,法国化学家Antoine L. Lavoisier发现金刚石燃烧的产物是CO2,1792年,S. Tennan发现金刚石是碳的一种结晶形态。从此,人类开始了对人工合成金刚石的探索。1880年,J. B.Hanney从锂、骨粉和矿物油在干燥的铁管中加热合成了金刚石,现列于大英博物馆。1893年,诺贝尔奖获得者Henry Moissan 发展了一种方法,用电加热炉加热糖、木炭和铁至熔融,然后用水急冷做了合成金刚石的尝试,后来经证实并未获得成功。二十世纪四十年代,另一个诺贝尔奖获得者哈佛大学的Percy Bridgman设计了许多优秀的高压设备(有的压力超过了5GPa),并指出可以用电加热结合高压来合成高质量金刚石。虽然因为没有使用触媒导致未能合成金刚石,但是他的热力学的计算为高温高压(HTHP)合成金刚石提供了理论依据。1953年2月15日瑞典ASEA(General Electric Company of Sweden)的科学家宣称合成出人造金刚石,但由于其工作没有正式发表,没能获得广泛的承认,他们使用的是六面顶压机,样品由Fe3C和石墨组成。人类首次真正合成金刚石是1954年12月16日美国GE公司的H.T.Hall, F.P.Bundy, H.M.Strong, R.H.Wentorf四位科学家率先完成,他们使用两面顶压

金刚石合成理论及工艺

1.金刚石的性质和用途。 金刚石是一种在机械、热学、光学、化学、电子学等方面具有极限性能的特殊材料。图1为金刚石的空间晶格的一个晶胞。与其他材料相比,金刚石具有最大的原子密度(MGatoms/nn?),最大可能的单位原子共价键数目(4),极强的原子键合能(7.4eV)。这使得金刚石具有许多极限性质:最高硬度,最高热导率,最髙传声速度,最宽透光波段,抗强酸强碱腐蚀,抗辐射,击穿电压高,介电常数小,载流子迁移率大,既是电的绝缘体,又是热的良导体,而掺杂后又可成为卓越的P型或N 型半导体。 图1立方金刚石的晶胞空间结构示意图 人造金刚石的应用领域十分广泛,几乎涉及国计民生的各个领域,小到家庭装修,大到微电子及航空航天等高技术领域。金刚石的推广应用在光学玻璃冷加工、地质钻探、瓷、汽车零件等机械加工,金属拉丝等方面引起了个革命性的工艺改革。表1列出了金刚石的一些极限性能和用途。 表1金刚石的一些极限性能和用途

由于金刚石的优越性质,长期以来它一直成为人们感兴趣的研究对象。早在1772年,法国化学家Antoine L. Lavoisier发现金刚石燃烧的产物是C02, 1792 年,S. Tennan 发现金刚石是碳的一种结晶形态。从此,人类开始了对人工合成金刚石的探索。1880年,J. B.Hanney从锂、骨粉和矿物油在干燥的铁管中加热合成了金刚石,现列于大英博物馆。1893年,诺贝尔奖获得者Henry Moissan 发展了一种方法,用电加热炉加热糖、木炭和铁至熔融,然后用水急冷做了合成金刚石的尝试,后来经证实并未获得成功。二十世纪四十年代,另一个诺贝尔奖获得者哈佛大学的Percy Bridgman设计了许多优秀的高压设备(有的压力超过了5GPa),并指出可以用电加热结合高压来合成高质量金刚石。虽然因为没有使用触媒导致未能合成金刚石,但是他的热力学的计算为髙温高压(HTHP)合成金刚石提供了理论依据o 1953年2月15日瑞典ASEA(General Electric Company of Sweden)的科学家宣称合成出人造金刚石,但由于其工作没有正式发表,没能获得广泛的承认,他们使用的是六面顶压机,样品由FeQ和石墨组成。人类首次真正合成金刚石是1954年12月16日美国GE公司的H. T. Hall, F. P. Bundy, H. M. Strong, R. H. Wentorf四位科学家率先完成,他们使用两面顶压机合成了金刚石,

金刚石材料的功能特性研究与应用

陶瓷专题 金刚石材料的功能特性研究与应用 高 凯,李志宏 (天津大学材料科学与工程学院,天津 300072) Study and Application on Functional Properties of Diamond Materials GAO Kai,LI Zhi hong (S chool of M ater ial S cience and Engineer ing,T ianj in Univer sity,T ianj in300072,China) Abstract:Functional properties of diamo nd mater ials and its study and application recent years on w ide bandg ap semiconducto rs,ultraviolet detectors,sing le pho to n source for quantum computer,so nic surface diffusion and electronic encapsulatio n w ere reviewed in this paper,and other po tential application on func tional proper ties of the diamond materials w ere expected. Key words:Diamo nd,Functional proper ty,Study,Application 摘要:本文综述了金刚石的功能特性及其近年来在宽禁带半导体、紫外探测器、量子计算机用单光子源、声波材料和电子封装等方面的研究与应用进展,并对金刚石材料在其它功能特性方面的开发与应用前景提出了展望。 关键词:金刚石;功能特性;研究;应用 中图分类号:TB33 文献标识码:A 文章编号:1002-8935(2010)04-0009-05 金刚石是目前工业化生产的最硬材料,其前通常利用其硬度特性广泛地作为加工、研磨材料。但它除了具有高硬度之外,其许多优异特性被逐渐发现和挖掘,如室温下高热导率、极低的热膨胀系数、低的摩擦系数、良好的化学稳定性、大的禁带宽度(5 5eV)、高的声传播速度、掺杂诱导的半导体特性以及高的光学透过率,使其在机械加工、微电子器件、光学窗口及表面涂层等许多领域有着广阔的应用前景。因此,金刚石材料的功能特性研究与应用引起了人们极大的兴趣,并在很多领域取得了突破和进展。 1 在宽禁带半导体方面的研究与应用 金刚石作为一种宽禁带半导体,在光电子学中的应用前景无疑是最引人注目的。但是由于n型金刚石半导体掺杂存在着一定的困难,使制备同质结的困难加大,目前领先的依然是麻省理工学院有关于金刚石薄膜p n结的研究[1],2001年麻省理工学院的Koizumi等第一次制备了金刚石薄膜p n结,在金刚石单晶的(111)面上以同质外延生长的方法制备了两层金刚石薄膜,p型半导体使用B元素掺杂金刚石薄膜而成,n型半导体则以P元素掺杂制备,然后他们对这个装置进行了改进,在施加20V 偏压电路的情况下,装置被激发出了紫外光,并且指出,该装置可以在高温下运作。Alexo v A等[2]则在掺杂B元素后的金刚石薄膜上用同质外延法制备了一层掺杂N元素的金刚石薄膜,但是并没有详细报道此p n结的电致发光等特性。之后有关同质结的报道很不常见,估计主要是还是因为金刚石n型半导体掺杂的可重复性存在着一定的困难所致,目前报道都集中于金刚石半导体异质结上,比如,已在Si晶片上生长含B金刚石薄膜[3],或者是制备肖特基二极管(Schottky diodes)和场效应晶体管(Field effect transisto rs,FET)。 1987年化学气相沉积(CVD)法制备含B金刚石薄膜的方法并不完善,所以Geis等[4]用合成含B 金刚石单晶的方法制备了由W元素接触的首个金刚石肖特基二极管,并在700下考察了样品的性能,确定了样品具有很高的击穿场强。同一课题组的相关人员进一步考察了不同金属元素接触对金刚石肖特基二极管性能的影响[5],大量的工作表明,使用Al,Au,H g元素作为含B金刚石的表面接触元

人工合成金刚石产业现状分析

人工合成金刚石产业现状分析 金刚石一种机械、热学、光学、化学、电子学等方面具有极限性能特殊材料。 一、人工合成金刚石现状1954年12月8日,纽约州斯克内克塔迪美国GE(通用电器)公司研究发展心科学家本迪(F·P·Bundy)、霍尔(H·T·Hall)等人首先克服了高温高压工程、材料测试方面种种困难而达到了这一转变条件,成功地为石墨含碳物质金属熔体合成金刚石,做出了划时代贡献。1958年,人工合成金刚石投入商业生产。从此人工合成金刚石产量逐渐超过了天然金刚石产量。美国通用电气公司合成工业金刚石后,又花了15年时间,到1970年,宣告宝石级金刚石合成工艺成功。 1971年公布了晶种温梯法详细工艺。据称,只生产出重量分别为0。30ct、0。31ct、0。39ct三粒透明金刚石,代价之昂贵,无法与天然金刚石相匹敌。1986年,前苏联对外机构宣布,苏联科学院高温高压下合成一颗重达9988ct特大金刚石晶体,生成温度比太阳表面温度还要高。1987年,南非德比尔斯公司金刚石研究室利用高温高压法60小时内制出1ct金刚石晶体;180小时内合成5ct金刚石晶簇,最大单晶为11。14ct,最大长度为16mm,晶体呈立方体(100)八面体(111)为主聚形。这些金刚石一般呈黄色或棕黄色;无解理裂纹;适于进行宝石刻面,也可用于拉丝模,切削刀具,辐射探测器等。

1987年,“金刚石薄膜”世界上兴起,国外文献发表生长金刚石膜方法有几十种之多。进入20世纪80年代以来,膜生长速率、沉积面积结构性质已逐步达到可应用程度。研究证实,高质量CVD金刚石多晶膜硬度、导热、密度、弹性(以杨氏膜量表征)透光物理性质已达到或接近天然金刚石,并且金刚石膜具有与单晶金刚石几乎相同性能,但它连续性材料,从而解决了尺寸问题。作为21世纪新型功能材料金刚石薄膜,随着研究工作与应用开拓不断深入,不远将来,金刚石薄膜功能必将各个重要领域,特别高新技术领域产生重要影响。 2003年,国外人造金刚石又获得2项突破性进展———俄罗斯生产出性能超过金刚石大分子三维聚合物,日本研发出超高硬度人造金刚石。俄罗斯科学院化学物理研究所根纳季·科罗廖夫博士领导科研小组,经过近30年不懈研究,终于找到有效控制分子行为方法,成功地合成了大分子三维结构聚合物。这一工艺称为“激活聚合作用”,其性能测试指标完全超过了金刚石性能指标;日本爱媛大学深部地球动态研究心采用不同催化剂“直接转化法”第一次用石墨直接合成出纯度很高多晶金刚石,集合了直径数十纳米微粒子多晶体,硬度可达140GPa,高出单晶2倍以上,而且更耐高温。 二、人工合成金刚石主要生产国目前世界上能够生产人造金刚石国家有二十几个:美国、英国、国、爱尔兰、俄罗斯、乌克兰、瑞典、韩国、日本、法国、白俄罗斯、乌兹别克、德国等等,我们估计,世界人造金刚石现今年产量突破30亿克拉,其国年产量有20亿克拉之多,为世界

CVD钻石31CVD合成钻石合成原理及识别特征

CVD钻石 CVD合成钻石合成原理及识别特征 一、合成钻石的历史和现状 早在18世纪人们就开始了合成钻石的探索,但直到20世纪,由于热力学及高温高压技术的发展,才使钻石的合成得以实现。1953年瑞士工程公司(ASEA)使用压力球装置首次成功地合成出了40粒小颗的钻石,美国通用电气公司(GE)也于1955年采用压带装置合成出了小颗粒的钻石。 此后,工业级钻石的合成技术得到广泛应用,目前几乎三分之二的工业用钻已由合成钻石替代了。但直到1970年宝石级大颗粒的钻石才由美国通用电气公司合成成功。经过近三十年的努力,目前已能获得十几克拉大的晶体,但宝石级钻石合成的成本仍然很高,不能进行大批量的生产。2000年可切磨的合成钻石只有3500ct,仅占当年天然宝石级钻石产量的0.01%。 到二十世纪九十年代,采用化学气相沉淀法(CVD)合成钻石薄膜,在固相基片上沉积形成金刚石多晶质薄膜,作为工业用途。2003年,美国CVD钻石公司合成出达到宝石级单晶,并开始商业性生产。最近,美国华盛顿地球物理实验室实现100μm/h的CVD合成钻石的速度,通过化学气体沉淀,高压高温热,化学蒸镀法,www.cvd.hk,https://www.doczj.com/doc/c63250855.html,,https://www.doczj.com/doc/c63250855.html,带腰码,生产出了10ct、半英寸厚的单晶钻石。为了进一步加大合成钻石晶体的尺寸,采用CVD顺序地在钻石基片的6个面上生长的方法,有可能实现英寸级(约300ct)无色钻石单晶的三维生长。人们还发现,高压高温热处理能改善CVD合成钻石的颜色、提高合成钻石的硬度。 二、高温高压种晶触媒法合成钻石 (一)合成钻石的原理 钻石和石墨是碳的两种同质多像的变体。根据钻石-石墨的相平衡图可知,在常温常压下石墨是碳的稳定结晶形式,钻石只有在高温高压下才是最稳定的,

人造金刚石合成技术开拓创新的50年_王光祖

文章编号:1006-852X(2004)06-0073-05 人造金刚石合成技术开拓创新的50年 THE FIFTY YEARS CREATIO N OF DIAMO ND SYNTHESIZING TECHNIQ UE 王光祖 (郑州磨料磨具磨削研究所,郑州450013) Wang Guangzu (Zhengzhou Research Institutef or Abrasives and Grinding,Zhengzhou450013,China) 摘要:人们经过近百的艰苦探索,世界人工合成的金刚石终于1954年12月16日在美国通用电气公司诞生,从而拉开人工合成金刚石的序幕。50年来,金刚石合成技术经历了三次大的飞跃。过去的50年是人造金刚石合成技术不断开拓创新的50年,产品质量及其品种不断提高和增多,以及生产规模和年产量迅速发展的50年,也是应用领域不断拓展的50年。人造金刚石的问世,为促进工业现代化和科学技术现代化的高速发展提供了巨大的技术支撑,并为材料科学的发展和工艺技术、理论创新所做出的重要贡献。 关键词:人造金刚石;合成技术;开拓创新 中图分类号:TQ163文献标识码:A Abstract:The first synthetic diamond was produced by General Electric Company in the USA in19541This work opened the prolusi on of syn thetic diamond1Within the last fifty years,the diamond syn thesize technique experienced three great inprovements.So,the past fifty years not only were the years of creation of diamond synthesize technique,but also the years of increase in the quali ty and diversities of the products,and the years of rapid development of production scale and annual production,and also the years of continuous expansion of application1The invention of the syn thetic diamond not only provided a great techniq ue supporting for improving the develop ment of industry modernization and science technique modernization but also contributed to the develop ment of materials science and technology1 Key words:synthetic diamond;synthesize technique,exploi ting and innovating 1引言 金刚石是由碳原子构成的典型原子晶体,其来源有二:一是天然金刚石;另一是人造金刚石。由于天然金刚石资源稀少,难于满足工业的各种需求,所以必须走人工合成之路。20世纪50年代初世界第一颗粒人造金刚石的诞生,为人工合成金刚石的科研、生产、应用打开了闸门。在过去的50年中经历了从静态高压高温触媒法合成单晶金刚石,低压低温化学气相沉积法合成微米/纳米金刚石膜,到利用负氧平衡炸药爆轰法合成纳米金刚石的三大跨越的发展过程,为不断开发金刚石的新品种和扩大应用领域提供了重要的技术保证。 金刚石在自然界极其稀少,分布不均匀。到目前为止,全球只有27个国家找到了具有经济价值的金刚石矿床。世界上90%以上的金刚石产于澳大利亚、扎伊尔、俄罗斯、博茨瓦纳、南非、加拿大、安哥拉,金刚石储量均超过1亿克拉。纳米比亚、加纳、中国、塞拉里昂和巴西,金刚石储量超过1000万克拉;印度、几内亚、中非共和国、利比里亚和委内瑞拉、坦桑尼亚等国的金刚石储量均超过500万克拉。从价值而论,南非供应了世界50%以上的宝石级金刚石。目前,澳大利亚是世界上最大的金刚石产出国,扎伊尔居世界第二位,博茨瓦拉居第三位。加拿大的金刚石资源极具潜力。自2800年前,印度首次开发金刚石砂矿以来,迄今为止,世界上共采出金刚石约26亿克拉,约520吨。从20世纪90年代中期至新世纪,全球天然金刚石年产量巳突破1亿克拉[1]。 正如大家所知,工业金刚石在以天然金刚石为主的时代,有什么性能的金刚石用户就只能用什么样的金刚石,到了以人造金刚石为主的时代,则用户需要什么性能的金刚石,就研究生产什么样性能的金刚石,是人定胜天的生动体现!因此,可以毫不夸张地说,进入21世纪人的一生将离不开金刚石,所以一个国家若不重视发展工业金刚石,那么国防现代化、工业现代化和科学技术现代就无从谈起。在过去的50年中金刚石合成技术的不断创新为实现上述三个现代化提供了有力的技术支撑。可见,人工合成金刚石的研制成功对 2004年12月金刚石与磨料磨具工程December12004总第144期第6期Diamond&Abrasives Engineering Serial1144No16

关于人造金刚石的制备与合成

关于人造金刚石的制备与合成 1目的与意义 钻石,是珠宝中的贵族,它通明剔透,散发着清冷高贵的光辉,颇有“出淤泥而不染的气质。钻石亦被称为金刚石,是自然界最坚硬无比的物质,人造金刚石不仅可以加工成价值连城的珠宝,在工业中也大有可为。它硬度高、耐磨性好,可广泛用于切削、磨削、钻探;由于导热率高、电绝缘性好,可作为半导体装置的散热板;它有优良的透光性和耐腐蚀性,在电子工业中也得到广泛应用。 1、制造树脂结合剂磨具或研磨用等 2、制造金属结合剂磨具、陶瓷结合剂磨具或研磨用等 3、制造一般地层地质钻探钻头、半导体及非金属材料切割加工工具等 4、制造硬地层地质钻头、修正工具及非金属硬脆性材料加工工具等 5、树脂、陶瓷结合剂磨具或研磨等 6、金属结合剂磨具、电镀制品。钻探工具或研磨等 7、剧切、钻探及修正工具等[1] 2设计基本原理 石墨在一定的温度和压强下是会发生结晶变态从而变成金刚石,且石墨的温度和压强要在金刚石的热稳定性区域内,其动力学要满足一定的关系。 3设计内容(方案) 3.1原材料的选择 金刚石是石墨结晶变态产生的,其石墨是主要原料,转变过程的反应压力和温度必须不低于190 000kg/cm2 和∽3900℃[2],这一推测的正确性已为实验所证实。不过目前要得到这样高的压力和温度的设备是非常困难的。所以需要加入触媒材料来降低石墨的活化能。 3.2制备与合成方法 3.2.1压力控制 人造金刚石压机生产工艺要求加压控制根据合成材料的不同分2~6段超压、保压,超压到90 MPa左右,再保压几分钟后卸压,完成一个工序,时问为几分钟到十几分钟。可根据工艺要求任意设为多段,由现场人机界面随时输入修改。加压闭环控制系统将压力传感变送器所测的油液压力信号与计算机中预设的压力控制工艺曲线进行分析比较,经过高级控制算法处理后,控制液压泵组和液压阀组的工作状态,使系统的压力工作状态跟踪给定压力工艺曲线。被控对象油路压力是由电动机带动增压器增压的,要求系统在几分钟内将油路压力从lO Pa左右分几段提升到90 MPa左右,并且超调不能大于0.3 MPa。控制速度要快,控制精度要高。因此超压采用主泵开关控制,保压采用副泵补压模糊PID控制。 模糊控制具有控制速度快、过程参数的变化适应性强、可靠性高、不受工作环境影响、鲁棒性好、灵敏度高、不需要精确数学模型等特点。但模糊控制的稳态精度较差,故采用模糊一PID复合控制的方法,以提高模糊控制的精度[3][7][8] 3.2.2温度控制 人造金刚石压机生产工艺要求加热控制是在超压达30 MPa以后开始的,加热控制也分加温、保温几段进行,几分钟或十几分钟后停止加热。加热控制系统将加热电压和加热电流采样信号相乘得到功率测量值,与计算机预设的加热功率工艺曲线进行分析比较,经高级控制算法处理后,通过控制功率可控硅的导通角来控制大电流加热变压器的输出电压和输出电流,使系统的加热功率满足工艺要求。被控对象合成块为叶腊石作触媒内装石墨,为电阻性负载。由于采用变压器降压和升流,串入了电感性负载,容易引起超调和振荡。合成块的温度是根

金刚石合成理论及工艺

金刚石合成理论及工艺

前言 1.金刚石的性质和用途。 金刚石是一种在机械、热学、光学、化学、电子学等方面具有极限性能的特殊材料。图1为金刚石的空间晶格的一个晶胞。与其他材料相比,金刚石具有最大的原子密度(176 atoms/nm3),最大可能的单位原子共价键数目(4),极强的原子键合能(7.4eV)。这使得金刚石具有许多极限性质:最高硬度,最高热导率,最高传声速度,最宽透光波段,抗强酸强碱腐蚀,抗辐射,击穿电压高,介电常数小,载流子迁移率大,既是电的绝缘体,又是热的良导体,而掺杂后又可成为卓越的P型或N型半导体。 人造金刚石的应用领域十分广泛,几乎涉及国计民生的各个领域,小到家庭装修,大到微电子及航空航天等高技术领域。金刚石的推广应用在光学玻璃冷加工、地质钻探、陶瓷、汽车零件等机械加工,金属拉丝等方面引起了个革命性的工艺改革。表1列出了金刚石的一些极限性能和用途。 表1 金刚石的一些极限性能和用途 性能应用 机械硬度(kg/mm2) 金刚石5700~10400 cBN 4700 SiC 1875~3980 用于所有非金属材料的超硬磨 料 图1 立方金刚石的晶胞空间结构示意图

Al2O32080 热学温度传导率(Wm-1k-1) 金刚石600~2100 氧化铍220 银428 铜401 电子设备的温度管理部件 光学光学透明性 金刚石340~2.5nm >6~10μm 用在热学影像中有良好机械特 性的红外透明窗 电工/电子电阻系数(Ω﹡m) 金刚石10-1~1014 半导体10-1~100 超高电压开关 化学较高的耐酸特性 1.应用在恶劣的化学环境中 2.体内放射性监测器 2.人造金刚石合成的历史 由于金刚石的优越性质,长期以来它一直成为人们感兴趣的研究对象。早在1772年,法国化学家Antoine L. Lavoisier发现金刚石燃烧的产物是CO2,1792年,S. Tennan发现金刚石是碳的一种结晶形态。从此,人类开始了对人工合成金刚石的探索。1880年,J. B.Hanney从锂、骨粉和矿物油在干燥的铁管中加热合成了金刚石,现陈列于大英博物馆。1893年,诺贝尔奖获得者Henry Moissan 发展了一种方法,用电加热炉加热糖、木炭和铁至熔融,然后用水急冷做了合成金刚石的尝试,后来经证实并未获得成功。二十世纪四十年代,另一个诺贝尔奖获得者哈佛大学的Percy Bridgman设计了许多优秀的高压设备(有的压力超过了5GPa),并指出可以用电加热结合高压来合成高质量金刚石。虽然因为没有使用触媒导致未能合成金刚石,但是他的热力学的计算为高温高压(HTHP)合成金刚石提供了理论依据。1953年2月15日瑞典ASEA(General Electric Company of Sweden)的科学家宣称合成出人造金刚石,但由于其工作没有正式发表,没能获得广泛的承认,他们使用的是六面顶压机,样品由Fe3C和石墨组

等离子体合成金刚石

]等离子体合成金刚石已有12人参与 这个方法是一个俄罗斯人首先提出的,由此可见俄罗斯人的确很牛。 这种方法可以合成大面积金刚石薄膜,大面积哦,这是由于现在可以得到很大规模的等离 子体,所以这种方法在研究领域可谓不可多得,只用甲烷就可以得到大面积的金刚石。CVD金刚石可以用各种方法合成,其中晶粒生长速度最快的则为热等离子体CVD工艺。我们试验室过去曾试图用DC等离子体CVD工艺合成金刚石厚膜,并就膜与基底的附着强度 和膜的性质作过探讨。但是,热等离子体工艺存在沉积面积和膜质量都不如其它CVD工艺 等问题。CVD金刚石薄膜应用中对扩大沉积面积有着强烈的需求。 金刚石在所有已知物质中具有最高的硬度、高耐磨率、良好的抗腐蚀性、低的摩擦系数、 高的光学透射率(对光线而言从远红外区到深紫外区完全透明) 、高的光学折射率、高空穴 迁移率、极佳的化学惰性,既是热的良导体,又是电的绝缘体,掺杂后可形成P和N型的半导体。金刚石有如此多优异性能,因而在国民经济上有着广泛的用途。金刚石从真空紫外光波 段到远红外光波段对光线是完全透明的,因此金刚石膜作为光学涂层的应用前景非常好, 可用作红外光学窗口和透镜的保护性涂层。以及在恶劣环境下工作的红外在线监测和控制 仪器的光学元件涂层。在工业制造领域,需要大量轻量化、高强度的材料,用具有高硬度、高耐磨性的金刚石制成的刀具有长寿命、高加工精度、高加工质量等优异特性,而将金刚 石薄膜直接沉积在刀具表面不仅价格大大低于聚晶金刚石刀具,而且可以制备出具有复杂 几何形状的金刚石涂膜刀具,在加工非铁系材料领域具有广阔的应用前景。金刚石在室温 下具有最高的热导率,又是良好的绝缘体,因而是大功率激光器件、微波器件、高集成电 子器件的理想散热材料。金刚石能掺杂为P和N型的半导体,与现有半导体材料相比,具有最低的介电常数,最高的禁带宽度,较高稳定性,很高的电子及空穴迁移率和最高的热导率,性能远优于Si半导体,是替代Si的理想材料。它有可能用于制备微波甚至于毫米波段超高 速计算机芯片,高电压高速开关及固体功率放大器,而工作温度更可达600摄氏度。金刚 石制备电子器件的应用已取得了初步的结果,如金刚石薄膜发光管、金刚石薄膜场效应管、金刚石薄膜热敏电阻等金刚石制备电子器件的应用。但天然金刚石价格昂贵、数量稀少,

金刚石线在多晶产业的应用

金刚石线在多晶产业的应用 目前金刚石线在多晶切割中的技术瓶颈已基本解决,生产正快速转换为金刚石线切割。 (一)金刚石线在多晶产业应用中的现状及未来趋势: 1、历史:金刚石线切割多晶硅片面临断线风险和制绒困难两大问题: (1)断线:铸锭晶体中存在的硬点可能会在切割过程中造成断线; (2)制绒:金刚石线固结切割方式导致切割后的硅片表面损伤程度较浅、表面划痕密,从而导致了更高的反射率损伤层浅,沿用现行酸性湿法制绒后依然存在较高的反射率,制成电池后效率比砂浆切割硅片低了将近0.4 个百分点。 2、现状:金刚石线+黑硅的组合技术能基本解决这一问题; 3、未来:主要多晶硅企业开始大规模推广金刚石线+黑硅技术推广,预计2018年将基本完成对砂浆切割的替换。但无论如何,在多晶硅行业技术升级和成本下降的巨大压力推动下,金刚石线切割技术通过叠加黑硅技术在多晶领域已经开始获得规模化应用。考虑到原有砂浆切割资产投入较大,而金刚石线改造成本较低,大部分多晶硅企业可能采用对原有设备进行改进的方式(二)黑硅制绒技术 近几年,主要多晶硅企业开始探索解决的办法,一种比较受认可的途径是,在多晶硅电池片环节采用黑硅技术。黑硅电池,核心是通过刻蚀技术,一方面在常规硅片表面制绒的基础上形成纳米级的小绒面,从而加大陷光的效果降低反射率,增加对光的吸收;另一方面,通过二次刻蚀来降低表面复合,从而将常规电池的转换效率绝对值提高。

黑硅制绒特点: 硅片选择性不强;更低的表面反射率;电池组件产品外观优秀;电池表面钝化技术难度增加;需考虑组件CTM损失匹配。 黑硅制绒实现方式: 反应离子刻蚀法(RIE);金融辅助化学腐蚀法(MACE);图形掩膜化学腐蚀法;激光法。 1、干法RIE黑硅 干法黑硅实现模式有三种: (1)RIE模式:物理轰击>化学反应,行程类金字塔形貌; (2)ICP模式:化学反应>物理轰击,行程类似倒金字塔形貌;

人造金刚石的生产、市场、趋势及新生产工艺

人造金刚石的生产、市场、趋势及新生产工艺 扈楠021131021 由于有些矿物在自然界产出较少,不能满足工业生产的需要,从19世纪四十年代开始了人造矿物的研究。许多人造矿物的性能已接近或超过相应的天然矿物,有些人造矿物可以代替某些天然矿物,成本比开采天然矿物的成本还低,并且可以控制矿物的质量和大小。所以人造矿物的研究和生产发展很快。金刚石以其最大的硬度、半导体性质以及光彩夺目的光泽,分别应用于钻头切割、电子工业和宝石工业上。故人造金刚石的意义显得尤为重大。 人造金刚石是用超高压高温或其他人工方法,使非金刚石结构的碳发生相变转化而成的金刚石。与天然金刚石相比,它具有生产成本低,应用效果好的优点。由于非金属材料和其他硬脆材料,如大理石、花岗石、耐火材料、玻璃、陶瓷、混凝土等加工工业的发展,对锯片、钻头用金刚石质量的要求越来越高,需求量越来越大,目前世界上工业用金刚石的85%以上已由人造金刚石代替。 1生产状况 目前世界上生产人造金刚石的国家主要有:美国、南非、爱尔兰、瑞典、英国、德国、俄罗斯、乌克兰、亚美尼亚、日本、中国、罗马尼亚、波兰、捷克、朝鲜、希腊、印度等近20个国家。世界人造金刚石的产量为7~10亿克拉,其中年产量在1亿克拉以上的国家有美国、英国、俄罗斯等。我国人造金刚石年产量2亿克拉以上,居世界第一位。世界人造金刚石产量年增长率为8%~15%。 美国的GE公司、英国的DeBeers公司和德国的Winter公司是目前世界上生产人造金刚石的三大集团,垄断着世界人造金刚石的生产技术和消费市场,代表着世界人造金刚石的发展方向。GE公司1955年首先宣布人工合成金刚石的工业方法,且曾一度在单晶工艺方面处于领先地位,目前与其他两家公司相比,该公司的聚晶技术更为先进,年产量达1.65亿克拉,所采用的压机吨位一般在38~100MN之间。DeBeers公司1987年合成出世界上最大的宝石级单晶体(11.14克拉)和工业级单晶体(重14.20克拉),1992年又创造了合成重量39.40克拉的工业级单晶金刚石的世界纪录。它首先推出SDA系列的锯片级人造金刚石,SDA系列现已成为国际通行的锯片级人造金刚石等级标准。DEBeers公司设在南非、爱尔兰和瑞典的工厂全部采用100MN级压机生产,高压模具腔体内径为Φ110mm,如采用SDA工艺,合成单次产量为300克拉,其中SDA级产品可达60%,如采用MDA工艺生产,单次产量可达500克拉。Winter公司早年主要从事金刚石工具的制造,为了把人造金刚石和金刚石工具连成一个完整的系列产品,1974年在德国政府及北大西洋公约组织的资助下开始研制人造金刚石生产技术,并且后来居上,其独特的工艺及设备使其生产的金刚石在品质方面优于其他两大公司,如成品杂质含量为2‰~3‰,单次产量可达800克拉,具世界领先水平。 我国自1963年研制成功第一颗人造金刚石,1966年投入工业化生产,年产量仅1万克拉。经过30多年的发展,目前全国已有人造金刚石生产企业600多家,年产量达2亿克拉以上,从产量看,我国已成为世界人造金刚石生产大国。我国的人造金刚石设备基本都是自己设计制造的,目前主要为六面顶压机。6×6MN的压机20世

金刚石切削技术及其应用

金刚石切削技术及其应用-标准化文件发布号:(9456-EUATWK-MWUB-WUNN-INNUL-DDQTY-KII

金刚石车削技术及其应用 2008/1/16/15:01 来源:慧聪网五金行业频道 1.金刚石车床的技术关键 金刚石车床与镜面铣床相比,其机械结构更为复杂,技术要求更为严格。除了必须满足很高的运动平稳性外,还必须具有很高的定位精度和重复精度。镜面铣削平面时,对主轴只需很高的轴向运动精度,而对径向运动精度要求较低。金刚石车床则须兼备很高的轴向和径向运动精度,才能减少对工件的形状精度和表面粗糙度的影响。 目前市场上提供的金刚石车床的主轴大多采用气体静压轴承,轴向和径向的运动误差在50nm以下,个别主轴的运动误差已低于25nm。金刚石车床的滑台在90年代以前绝大部分采用气体静压支承,荷兰的Hembrug公司则采用液体静压支承。进入90年代以来,美国的Pneumo公司(现已与Precitech公司合并)的主要产品Nanoform600和250也采用了具有高刚性、高阻尼和高稳定性的液体静压支承滑台。 2.金刚石车床的布局 金刚石车床的布局最初沿袭了传统车床的结构,主轴固定在床身上,横向沿台(X轴)装在纵向滑台(Z轴)上。因为纵、横滑台的导轨相互垂直,故又被称为十字滑台布局。其优点是技术成熟,结构紧凑,荷兰Hembrug公司的super-mikroturn就一直采用这种结构(图1)。十字滑台布局的缺点在于纵横两滑台运动时相互影响,当对动态精度要求高时,这种缺点就尤为突出。 金刚石车床的基本数据如表1所示。 表1金刚石车床技术参数和性能示例 最大车削直径和长度/mm400×200 最高转速r/mm3000、5000或7000 最大进给速度mm/min5000 数控系统分辩率/mm0.0001或0.00005 重复精度(±2σ)/mm≤0.0002/100 主轴径向圆跳动/mm≤0.0001

CVD合成金刚石简介

检测方法FT-IR,XRR,拉曼 这个方法是一个俄罗斯人首先提出的,由此可见俄罗斯人的确很牛。 这种方法可以合成大面积金刚石薄膜,大面积哦,这是由于现在可以得到很大规模的等离子体,所以这种方法在研究领域可谓不可多得,只用甲烷就可以得到大面积的金刚石。 CVD金刚石可以用各种方法合成,其中晶粒生长速度最快的则为热等离子体CVD工艺。我们试验室过去曾试图用DC等离子体CVD工艺合成金刚石厚膜,并就膜与基底的附着强度和膜的性质作过探讨。但是,热等离子体工艺存在沉积面积和膜质量都不如其它CVD工艺等问题。CVD金刚石薄膜应用中对扩大沉积面积有着强烈的需求。 金刚石在所有已知物质中具有最高的硬度、高耐磨率、良好的抗腐蚀性、低的摩擦系数、高的光学透射率(对光线而言从远红外区到深紫外区完全透明) 、高的光学折射率、高空穴迁移率、极佳的化学惰性,既是热的良导体,又是电的绝缘体,掺杂后可形成P和N型的半导体。金刚石有如此多优异性能,因而在国民经济上有着广泛的用途。金刚石从真空紫外光波段到远红外光波段对光线是完全透明的,因此金刚石膜作为光学涂层的应用前景非常好,可用作红外光学窗口和透镜的保护性涂层。以及在恶劣环境下工作的红外在线监测和控制仪器的光学元件涂层。在工业制造领域,需要大量轻量化、高强度的材料,用具有高硬度、高耐磨性的金刚石制成的刀具有长寿命、高加工精度、高加工质量等优异特性,而将金刚石薄膜直接沉积在刀具表面不仅价格大大低于聚晶金刚石刀具,而且可以制备出具有复杂几何形状的金刚石涂膜刀具,在加工非铁系材料领域具有广阔的应用前景。金刚石在室温下具有最高的热导率,又是良好的绝缘体,因而是大功率激光器件、微波器件、高集成电子器件的理想散热材料。金刚石能掺杂为P和N型的半导体,与现有半导体材料相比,具有最低的介电常数,最高的禁带宽度,较高稳定性,很高的电子及空穴迁移率和最高的热导率,性能远优于Si半导体,是替代Si的理想材料。它有可能用于制备微波甚至于毫米波段超高速计算机芯片,高电压高速开关及固体功率放大器,而工作温度更可达600摄氏度。金刚石制备电子器件的应用已取得了初步的结果,如金刚石薄膜发光管、金刚石薄膜场效应管、金刚石薄膜热敏电阻等金刚石制备电子器件的应用。但天然金刚石价格昂贵、数量稀少,人们一直在寻求人工合成金刚石的方法。传统上,依据热力学原理,人们利用石墨在高温高压下合成金刚石。但这种传统方法需要高温高压,对设备要求比较高,条件比较苛刻,导致合成的金刚石价格较贵。在20世纪80年代初,一种新的方法出现了,那就是微波等离子体化学气相法合成金刚石薄膜(CVD)制备金刚石薄膜,它成本低,质量高,有利于大规模合成利用,且装置简单,能量集中,反应条件易于控制,产物比较纯净,成为当前研究的主要方向和热点。现在该领域的最新进展是用微波化学气相合成法合成纳米级的金刚石薄膜,纳米级金刚石薄膜除了有普通微米级金刚石薄膜的性质外,还具有高光洁度,高韧性,低场放射电压,是具有广阔应用前景的新材料。摩擦系数低,光洁度高,颗粒极细,硬度高,耐磨度高,可广泛应用医疗,交通,航空航天,工业制造

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