二〇一〇——二〇一一学年第二学期
参考答案及评分标准
课程名称：材料科学基础参考班级：0806111
命题教师：邓凤萍答案[A或B]： A
答案制作人：柏朝晖答案审核人：
一、比较下列概念：（每题4分，共20分）
1. 位移性转变与重建性转变
位移性转变：不打开任何键，也不改变原子最邻近的配位数，仅仅使结构发生畸变，原子从原来位置发生少许位移，使次级配位有所改变的一种多晶转变形式。②
重建性转变：破坏原有原子间化学键，改变原子最邻近配位数，使晶体结构完全改变原样的一种多晶转变形式。②
2. 烧结和烧成
烧结：粉料受压成型后在高温作用下而致密化的物理过程。②
烧成：坯体经过高温处理成为制品的过程，烧成包括多种物理变化和化学变化。烧成的含义包括的范围广，烧结只是烧成过程中的一个重要部分。②
3. 正尖晶石型与反正尖晶石型结构
正尖晶石：在AB2O4尖晶石型晶体结构中，若A2+分布在四面体空隙、而B3+分布于八面体空隙，称为正尖晶石；②
反尖晶石：若A2+分布在八面体空隙、而B3+一半分布于四面体空隙另一半分布于八面体空隙，通式为B(AB)O4，称为反尖晶石。②
4. 稳定扩散和不稳定扩散
若扩散物质在扩散层dx内浓度不随时间变化，即dc/dt=0为稳定扩散；②
dc/dt≠0为不稳定扩散。②
5. 一级相变和二级相变
一级相变：相变时两相化学势相等，但化学势的一级偏微商不相等。发生一级相变时有潜热和体积的变化；②
二级相变：相变时两相化学势相等，其一阶偏微商也相等，但二阶偏微商不相等。发生二级相变时无潜热和体积变化，只有热容量、膨胀系数和压缩系数的变化。② 二、回答下列问题：（每小题6分，共30分）
1. LiNbO 3晶体具有钛铁矿结构，试说明其结构特点及与性能的关系。
LiNbO 3晶体其结构可以通过刚玉结构衍生而来。将刚玉结构中的2个三价阳离子用一价和五价的两种阳离子置换便形成钛铁矿结构。置换后在同一层内一价和五价离子共存，形成LiNbO 3结构。③
结构中由于自发极化存在着固有电偶极矩，当对这种晶体施加电场时，外电场使晶体中的固有偶极矩的取向倾向于一致或某种优势取向，改变晶体的折射率，即外电场使晶体的折射率发生变化，产生电光效应。③
2. 说明蒙脱石的晶体结构特点，为什么其有明显的吸湿膨胀特性？
蒙脱石具有复网层结构，由两层硅氧四面体层和夹在中间的水铝石层所组成。由于结构中Al 3+可被Mg 2+取代，使复网层并不呈电中性，带有少量负电荷（一般为-0.33e ，也可有很大变化）；因而复网层之间有斥力，使略带正电性的水化正离子易于进入层间；③
与此同时，水分子也易渗透进入层间，使晶胞c 轴膨胀，随含水量变化，由0.960nm 变化至2.140nm ，因此，蒙脱石又称为膨润土。③
3. 写出TiO 2-x 形成的缺陷反应方程式，它为什么是一种n 型半导体，说明氧分压与电导率的关系。
根据质量作用定律，平衡时，[e’]=2[V 0··
] ： ③
∴TiO 2的非化学计量对氧压力敏感，在还原气氛中才能形成TiO 2-x 。烧结时，氧分压不足会导致[V 0··
]升高，[V 0··
]俘获2个电子平衡电价，2个松结合电子在电场作用下参与导电，所以为n 型半导体。
电导率随氧分压升高而降低。 ③
↑
??++=2O 'O O 2
1V 2e O ]
[][]][[2
2/12o o o O e P V K '=
??[]6
12
-
?
?∝O O
P
V []612
-
??∝
O O P V
4. 为什么在成核一生成机理相变中，要有一点过冷或过热才能发生相变 ? 什么情况下需过冷，什么情况下需过热。
由热力学，G H T S ?=?-?，平衡时，0,m m
H
G H T S S T ??=?-?=?=
， T m ：相变平衡温度；ΔH 相变热，温度T 时，系统处于不平衡状态，则0G H T S ?=?-?≠，
m m m m T T H T G H T
H H T T T -???=?-=?=?，要使相变自发进行，0,0m
T G H T ??0,T m >0，必须过冷；对吸热过程如蒸发，熔融ΔH>0，则ΔT<0，T m >0，必须过热。
5. 固相烧结与液相烧结的主要传质方式？固相烧结与液相烧结之间有何相同与不同之处？ 固相烧结的主要传质方式有蒸发-凝聚传质和扩散传质，液相烧结的主要传质方式有溶解-沉淀传质和流动传质。固相烧结与液相烧结的共同点是烧结的推动力都是表面能；烧结过程都是由颗粒重排、物质传递与气孔充填、晶粒生长等阶段组成。不同点是：由于流动传质比扩散传质速度快，因而致密化速率高；固相烧结主要与原料粒度和活性、烧结温度、气氛成型压力等因素有关，液相烧结与液相数量、液相性质、液-固润湿情况、固相在液相中的溶解度等有关。
三、计算分析题（共20分）
1. 为观察尖晶石的形成，用过量的MgO 粉包围1μm 的Al 2O 3球形颗粒，在固定温度实验中的第1h 内有20%的Al 2O 3反应形成尖晶石。试根据（a ）无需球形几何修正时，用杨德尔方程；（b ）作球形几何修正时，计算完全反应的时间？ （10分）
解：（a ）不作球形几何修正用Jander 方程描述：
123
123
[1(1)][1(1)]/G Kt K G t --==--
代入题中反应时间1h ，反应程度20%
1
2
33[1(102)]1513810./.K -=--=?
故完全反应所需时间（G ＝1）
3113181019462
h ..t K -==?=
（b ）作球形几何校正时用金斯特林格方程描述：
2
32
3
2
3
32113
2[11]/3
2 [10.210.2]/1
3
4.89310h G G Kt K G G t
----==---=-?--=?（）（）（）
完全反应所需时间，用G ＝1代入公式得
2
33
21
[1(1)]33116812h
33489310
..G G Kt
t K ----=====??
2. 在真空条件下Al 2O 3的表面张力约为0.9J/m 2，液态铁的表面张力为1.72J/m 2，同样条件下的界面张力（液态铁-氧化铝）约为2.3J/m 2，问接触角有多大？液态铁能否润湿氧化铝？（5分）
解：已知γSV ＝0.90J/m 2，γLV ＝0.72J/m 2，γSL ＝2.3J/m 2
cos θ＝SV SL LV γγγ-＝72.130
.290.0-＝－0.8139
θ＝144.48ο
因为θ>90ο，所以液态铁不能润湿氧化铝。
3．在SiO 2中应加入多少Na 2O ，使玻璃的O/Si=2.5，此时析晶能力是增强还是削弱？（5分） 解：设加入x mol 的Na 2O ，而SiO 2的量为y mol 。 则O/Si=（x+2y ）/ y =2.5
x=y/2 即二者的物质量比为1:2时，O/Si=2.5。 因为O/Si 增加了，粘度下降，析晶能力增强了。 五、相图题（共10分）
图为生成一个三元化合物的三元相图： （1）判断化合物N 的性质；
（2）标出界线上的温度下降方向和界线性质； （3）指出三元无变量点M 、L 、K 的性质； （4）分析1，2点的结晶路程。
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（1）因为化合物N 的组成点在其初晶区之外，所以化合物N 为不一致熔的三元化合物；（2
分）
（2）界线上的温度下降方向如图所示；（2分）
（3）无边量点L 、M 在其对应的三角形内，所以是低共熔点；无边量点K 在其对应的三角形一条边的外侧，所以是单转熔点；（2分） （共4分，每个点2分） （4）1点的结晶路程
液相点： )(11N C B L E L L N
C L N L ++→???→???
→?+→→ 固相点：11?→??→?
S N 2点的结晶路程 液相点：
)()(22C N B L L N B A L K L L N
B L K B A L B L ++→???→?+→+???→???→?+→+→→
固相点：22→→?→??→?
d b S A n
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集成电路设计基础 2010-11年第一学期试题 一、填空题（20分） 1、目前，国内已引进了12英寸0.09um 芯片生产线，由此工艺线生产出来的集成 电路特征尺寸是0.009um （大 小），指的是右图中的W （字 母）。 2、CMOS工艺可分为p阱、n阱、双阱 三种。 在CMOS工艺中，N阱里形成的晶体管是p （PMOS，NMOS）。 3、通常情况下，在IC中各晶体管之间是由场氧来隔离的；该区域的形成用到的制造工艺是氧化工艺。 4.集成电路制造过程中，把掩膜上的图形转换成晶圆上器件结构一道工序是指光 刻，包括晶圆涂光刻胶、曝光、显影、烘干四个步骤； 其中曝光方式包括①接触式、②非接触式两种。 5、阈值电压V T是指将栅极下面的si表面从P型Si变成N型Si所必要的电压，根据阈值电压的不同，常把MOS区间分成耗尽型、增强型两种。降低V T 的措施包括：降低杂质浓度、增大Cox 两种。 二、名词解释（每词4分，共20分） ①多项目晶圆（MPW） ②摩尔定律 ③掩膜 ④光刻
⑤外延 三、说明（每题5分共10分） ①说明版图与电路图的关系。 ②说明设计规则与工艺制造的关系。 四、简答与分析题（10分） 1、数字集成电路设计划分为三个综合阶段，高级综合,逻辑综合,物理综合；解释这 三个综合阶段的任务是什么？ 2、分析MOSFET尺寸能够缩小的原因。 五、综合题（共4小题，40分） 1、在版图的几何设计规则中，主要包括各层的最小宽度、层与层之间的最小间距、各 层之间的最小交叠。把下图中描述的与多晶硅层描述的有关规则进行分类： （2）属于层与层之间的最小间距的是: （3）属于各层之间的最小交叠是： 2．请提取出下图所代表的电路原理图。画出用MOSFET构成的电路。
《化工工艺设计》课程教学大纲 课程代码：080131018 课程英文名称：Chemical Engineering Design 课程总学时：48 讲课：48 实验：0 上机：0 适用专业：化学工程与工艺 大纲编写（修订）时间：2010.7 一、大纲使用说明 （一）课程的地位及教学目标 化工工艺设计是一门综合性、实践性较强的课程，是化学工程类课程的最后理论教学环节，是专业主干课，主要讲授化工工艺设计的内容和方法。 通过本课程的学习，可使学生系统地获得化工设计的基本知识和基本方法，能够将各门专业基础课程的知识与实际生产相结合，养成独立工作、独立思考和运用所学知识解决实际工程技术问题的能力，同时强化学生的工程意识，使其能更快地适应今后的化学工程类工作需要。 （二）知识、能力及技能方面的基本要求 学生在学习完本课程后，应能够掌握化工设计的基本知识，熟悉相关的设计规范，具有获取相关数据和参数的基本技能；从事工艺计算的基本能力；初步运用计算机进行工艺计算的技能；化工工艺设计人员应具备的初步工程意识。 （三）实施说明 1．教学方法：本课程讲授中要强调工程观点、定量运算和设计能力的训练，强调理论与实际的结合，提高分析问题、解决问题的能力。 2．教学手段：工艺流程设计、化工设备的选型、化工厂布置、化工管路部分宜采用多媒体教学，并尽量采用工程实例教学。 （四）对先修课的要求 本课程应在高等数学、物理化学、化工原理、化学反应工程、化工制图、化工过程自动控制与仪表、化工设备机械基础等课程结束后开设。 （五）对习题课、实践环节的要求 习题课要根据课程进度适当安排一些化工计算、制图等方面的内容，使学生能将所学内容深入理解。本课程无课内实践教学环节。本课程的课程设计单独设课，单独考核，具体要求参见相应的课程设计教学大纲。 （六）课程考核方式 1．考核方式：考试 2．考核目标：在考核学生对化工设计基础知识掌握的基础上，重点考核学生的化工计算能力、分析问题能力及基本的工程意识。 3．成绩构成：本课程的总成绩主要由两部分组成：平时成绩（包括作业、出勤、小测验、期中考试等）占20%，期末考试成绩占80%。 平时成绩和期末考试成绩均按百分制给出，最后折算为百分制总评成绩。 （七）参考书目 《化工设计》，娄爱娟编，华东理工大学出版社，2002 《化工设计》，陈声宗主编，化学工业出版社，2008 《化工设计》，黄璐，王宝国编，化学工业出版社，2001 《化工计算》，葛婉华编，化学工业出版社，2007
《模拟集成电路设计原理》期末考试 一．填空题（每空1分，共14分） 1、与其它类型的晶体管相比，MOS器件的尺寸很容易按____比例____缩小，CMOS电路被证明具有_ 较低__的制造成本。 2、放大应用时，通常使MOS管工作在_ 饱和_区，电流受栅源过驱动电压控制，我们定义_跨导_来 表示电压转换电流的能力。 3、λ为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，λ值____较小___（较大、较小）。 4、源跟随器主要应用是起到___电压缓冲器___的作用。 5、共源共栅放大器结构的一个重要特性就是_输出阻抗_很高，因此可以做成___恒定电流源_。 6、由于_尾电流源输出阻抗为有限值_或_电路不完全对称_等因素，共模输入电平的变化会引起差动输 出的改变。 7、理想情况下，_电流镜_结构可以精确地复制电流而不受工艺和温度的影响，实际应用中，为了抑制 沟长调制效应带来的误差，可以进一步将其改进为__共源共栅电流镜__结构。 8、为方便求解，在一定条件下可用___极点—结点关联_法估算系统的极点频率。 9、与差动对结合使用的有源电流镜结构如下图所示，电路的输入电容C in为__ C F（1－A）__。 10、λ为沟长调制效应系数，λ值与沟道长度成___反比__（正比、反比）。 二．名词解释（每题3分，共15分） 1、阱 解：在CMOS工艺中，PMOS管与NMOS管必须做在同一衬底上，其中某一类器件要做在一个“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的“局部衬底”叫做阱。 2、亚阈值导电效应 解：实际上，V GS=V TH时，一个“弱”的反型层仍然存在，并有一些源漏电流，甚至当V GS 《电路原理》试题A 卷 一、 填空：要求有计算过程。(每空5分，共15分) 1、图1所示电路中理想电流源的功率为 。(4分) 2、图2所示电路中电流I 为 。 3、图3所示电路中电流U 为 。 二、 分别用节点法、网孔法和戴维南定理求图4所示电路中的电流I 。 图4 图5 图6 三、 求图5所示电路中的电压U ab 。(10分) 四、 含理想变压器电路如图6，V U S 00100∠=? ，求负载R 上电压有效值U 。(10分) 五、求图7中各二端网络的等效电阻。(15分) 图7 六、电路如图8所示，开关K 闭合前电路已稳定，用三要素法求K 闭合后的u c (t)。(10分) 七、(10分) 电路如图9所示。已知：U=8V，Z 1=1-j0.5Ω，Z 2 =1+j1Ω， Z 3 =3-j1Ω。 (1) 求输入阻抗Zi； (2) 求 ? 1 I。 图8 图9 《电路原理》试题B卷 一、选择题(单选)：(20分) 1、电阻与电感元件并联，它们的电流有效值分别为3A 和4A，则它们总的电流有效值为( ) 。 A、7A B、6A C、5A D、4A 2、关于理想电感元件的伏安关系，下列各式正确的有( ) A、u=ωLi B、u=Li C、u=jωLi D、u=Ldi/dt 3、耦合电感的顺串时等效电感为( ) 。 A、L eq =L 1 +L 2 +2M B、L eq =L 1 +L 2 -2M C、L eq =L 1 L 2 -M2 D、 L eq =L 1 L 2 -M2 4、单口网络，其入端阻抗形式是Z=R+jX，当X<0时,单口网络呈( ) A、电阻性质 B、电感性质 C、电容性质 二、填空：(每空2分，共14分) 1、图1.1所示电路中理想电流源吸收的功率为。 2、图1.2所示电路中电阻的单位为Ω，则电流I为。 3、已知i=10cos(100t-30。)A，u=5sin(100t-60。)A,则 i、u的相位差为且i u。 4、为提高电路的功率因数，对容性负载，应并接元件。 5、三相对称电路，当负载为星形接法时，相电压与线电压的关系为相电流与 线电流的关系为。 三、电路见图3，用网孔分析法求I。(10分) 电子科技大学成都学院二零一零至二零一一学年第二学期 集成电路工艺原理课程考试题A卷（120分钟）一张A4纸开卷教师：邓小川 一二三四五六七八九十总分评卷教师 1、名词解释：(7分) 答：Moore law：芯片上所集成的晶体管的数目，每隔18个月翻一番。 特征尺寸：集成电路中半导体器件能够加工的最小尺寸。 Fabless：IC 设计公司，只设计不生产。 SOI：绝缘体上硅。 RTA：快速热退火。 微电子：微型电子电路。 IDM：集成器件制造商。 Chipless：既不生产也不设计芯片，设计IP内核，授权给半导体公司使用。 LOCOS：局部氧化工艺。 STI：浅槽隔离工艺。 2、现在国际上批量生产IC所用的最小线宽大致是多少，是何家企业生产？请 举出三个以上在这种工艺中所采用的新技术（与亚微米工艺相比）？(7分) 答：国际上批量生产IC所用的最小线宽是Intel公司的32nm。 在这种工艺中所采用的新技术有：铜互联；Low-K材料；金属栅；High-K材料；应变硅技术。 3、集成电路制造工艺中，主要有哪两种隔离工艺？目前的主流深亚微米隔离工 艺是哪种器件隔离工艺，为什么？(7分) 答：集成电路制造工艺中，主要有局部氧化工艺－LOCOS；浅槽隔离技术－STI两种隔离工艺。 主流深亚微米隔离工艺是：STI。STI与LOCOS工艺相比，具有以下优点：更有效的器件隔离；显著减小器件表面积；超强的闩锁保护能力；对沟道无 侵蚀；与CMP兼容。 4、在集成电路制造工艺中，轻掺杂漏（LDD）注入工艺是如何减少结和沟道区间的电场，从而防止热载流子的产生？(7分) 答：如果没有LDD形成，在晶体管正常工作时会在结和沟道区之间形成高 《电路原理》试题 一、填空题（本题共15小题，每小题2分，共30分） 1、在题图一（1）的电路中，C 1=1μF ，C 2=2μF ，电路的总电容为 ，C 1上的电压 。 2、将图一（2）中的诺顿电路等效为戴维宁电路，其中R 1=10Ω .电源的电动势Us= ， 电阻R= 。 3、图一（3）中，L 1=1H,L 2=2H, 电路ab 端口的总电感为 。 4、电感量为2mH 电感中流有2A 的稳定电流，该电感的储能为 焦耳。 5、电感具有阻碍电流 的作用。 6、图一（6）所示电路，C=100μF ，R=5k Ω.电容上的初始电压为10V. 当开关K 合上后， 电容上的电压随时间的变化关系为 。 7、非库仑电场移动单位正电荷从电源负极到正极所做的功定义为 。 8、图一（8）所示电桥平衡的条件为 。 9、若某电路网络中有n 个节点，则按基尔霍夫电流定律（KCL ）只能写出 个独立的节点电流方程。 10、纯电感元件两端电压的相位超前其电流相位 。 11、某纯电容的容抗为Xc ，其两端的交流电压为U ，则该电容的有功功率 为 ， 无功功率为 。 12、如图一（12）所示的电路中，a 、b 两端的电压U=25V ，R 1=70Ω，R 2=30Ω， 则U 1= ， U 2= . 13、若A=5∠53.13o，B=5∠-143.13o，则 =B A . 14、1000μF 的电容两端加了100V 的电压，电容极板上的电量为 库仑。 15、频率相同的正弦电流和电压分别为：210sin(+=t U u m ωo), 60sin(-=t I i m ωo), 则u 超前i 。 二、选择题（本题共10小题，每小题2分，共20分。在每小题列出的四个选项中只有一 个是符合题意的，请将其字母填入题后的括号内。错选或不选均无分） 1、 电容的定义式为：( ). A ．U q C = B. q U C = C. Uq C = D. C=IU 2、图二（2）电路中，R 1=6Ω，R 2=7Ω，R 3=6Ω，R 4=10Ω，则a 、b 两端 的电阻R ab 阻值为（ ）。 A. 29Ω B. 10Ω C.5Ω D. 7Ω 3、图二（3）电路中，I=3A,R 1=12Ω,R 2=6Ω,则流过R 1电阻的电流为（ ）。 A ．2A B. 1A C. 0.5A D. 1.5A 4、电路图二（4）中，A 为一节点，而且I 1=2A,I 2=3A,I 3=1A,则I 4的电流为（ ）。 A. 2A B.6A C.0A D.-2A 5、电容C=0.01F 与电阻R=1Ω串联，对于100=ω的电信号,它们的总阻抗 为（ ）。 A ．(1+j)Ω B.(1-j)Ω C.(-j)Ω D. 2Ω 6、电感L=0.01H 与电阻R=1Ω并联，对于100=ω的电信号，它们的总阻 抗为（ ）。 A.(1+j)Ω B.(1-j)Ω C.(j-1)Ω D. [(j+1)/2] Ω 7、图二（7）的电路中，每个电阻R 的阻值均为4Ω，则a 、b 端口的电阻为（ ）。 A ．16Ω B.4Ω C.1Ω D.8Ω 8、容量为100μF 的电容器两端的电圧为200V ，则电容器的 储能为（ ）。 A ．2J B.200J C.20000J D.100J 9、容量为C 的电容原有电压为U 0，它通过电阻R 的闭合电路放电，从接通电路开始计时， 电容上的电压随时间的变化关系为（ ）。 A ．RCt e U 0 B.t RC e U 1 0 C.t RC e U 10- D.t R C e U 0 10、一个电压为U 0的直流恒压源，通过开关K 与电感L 和电阻R 串联构成闭合回路。现以 开关闭合时开始计时，通过电感的电流为（ ）。 A ．)1(0t L R e R U -- B.)1(0t R L e R U -- C.)1(0t L R e R U - D. )1(1 t RL e R U -- 三、是非题（本题共10小题，每小题1分。在正确的表述括号中打“√”，错误的表述括 号中打“×”） 1、在直流电路中，电流总是从电位高流向电位低。（ ） 2、对于任一集中参数电路中的任一回路，在任一时间，沿回路的各支路电压的代数和等于 零。（ ） 3、两的电阻并联后的总电阻阻值比它们当中任何一个都小。（ ） 集成电路设计练习题2009 1、说明一个半导体集成电路成本的组成。 2、简述CMOS工艺流程。简述CMOS集成电路制造的过程中需要重复进行的工艺步骤。 3、描述你对集成电路工艺的认识。列举几种集成电路典型工艺。工艺上常提到0.25,0.18指的是什么？简述CMOS工艺技术的发展趋势。 4、你知道的集成电路设计的表达方式有哪几种？ 5、现有一用户需要一种集成电路产品，要求该产品能够实现如下功能：y=lnx 其中，x为4位二进制整数输入信号。y为二进制小数输出，要求保留两位小数。电源电压为3~5v 假设公司接到该项目后，交由你来负责该产品的设计，试讨论该产品的设计全程。 6、请谈谈对一个系统设计的总体思路。针对这个思路，你觉得应该具备哪些方面的知识？ 7、描述你对集成电路设计流程的认识。 8、集成电路前端设计流程，后端设计流程，相关的工具。 9、从RTL synthesis到tape out之间的设计flow，并列出其中各步使用的tool. 10、简述FPGA等可编程逻辑器件设计流程。 11、简述半定制数字电路的设计流程。 12、简要说明并比较数字集成电路几种不同的实现方法。 13、什么是集成电路的设计规则。 14、同步电路和异步电路的区别是什么？ 15、画出CMOS电路的晶体管级电路图，实现Y=AB+C(D+E) 16、在CMOS电路中，要有一个单管作为开关管精确传递模拟低电平，这个单管你会用P管还是N 管，为什么？ 17、硅栅COMS工艺中N阱中做的是P管还是N管，N阱的阱电位的连接有什么要求？ 18、名词解释：VLSI, CMOS, EDA, VHDL, DRC, LVS, DFT, STA 19、画出CMOS与非门的电路，并画出波形图简述其功能。 第一章电路基本概念和电路定律1.1 选择题 1——5CBBBA 6——10DACDC 11——15BCACA 16——20AAABA 21——25DBCCD 26——30DDDAC 1.2 填空题 1. 小 2．短开 3. 开短 4. KCL 电流KVL 电压 5. u=Ri 6. u=-Ri 7. 电流电压 8. 电压电流电流电压 9. 电源含有控制量 10. U=-I-25 11. u= us+R(i+is) 12. u= -us+R(-i+is) 13.0 Us/R 14. Us 0 15. [R/(R+Rs)]/Us Us/R+Rs 16.1V 17.7 Q 18.1 Q 19.4V 20.-0.5A 21.4A 22.-5A 23.8V 24.19V 25.4A 26.5V 27. -5V 28.4V -8V 29. x 0 TO 30. U+=U- I+=I-=0 第二章电阻电路的等效变换2.1 选择题 1 ——5BABCC 6——1 0BADCB 11——15CDACB 16——20DAACC 21——25DBBAD 26——30CBDBC 2.2 填空题 1.12 2.16 3.3 4 4.8 2 5.2.4 6. 越大 7. 越小 8.54 9.72 10.24 11.80 12.7 13.4 14.24 15.2 16.10 17. Us=10V 电压源 18. Is=5A 电流源 19. Us=8V 电压源 20. Is=4A 电流源 21.3 22.18 23.30 24. 变小 25.15 26.3 27. -6 28. 串并联Y- △等效 29. Us=10V 电压源 30. Is=5A 电流源 第三章电阻电路的分析方法3.1 选择题 1——5BCCBC 6——10DAABA 11——15BBDCA 16——20BBCDC 21——25CDADC 26——30CBBAD 3.2 填空题 1.KCL KVL 伏安 浙江工业大学期终考试命题稿 2009/2010学年第二学期 命题注意事项： 一、命题稿请用A4纸电脑打印，或用教务处印刷的命题纸，并 用黑墨水书写，保持字迹清晰，页码完整。 二、两份试题必须同等要求，卷面上不要注明A、B字样，由教 务处抽定A、B卷。 三、命题稿必须经学院审核，并在考试前两周交教务处。 浙江工业大学2009 / 2010 学年 第二学期期终考试A卷课程电路原理B 姓名________________ _________ 序 计 计分 命题： 一、填空题（共30分，每题3分） 1、设R Y 为对称Y 形电路中的一个电阻,则与其等效的形电路中的每个电阻等于R = 3R Y 。 2、图1-2所示电路中的运放是理想的，则输出电压u 0= -(R 2/R 1) u s 。 3、图1-3所示电路，回路2的回路电流方程为 （R 2+R 3）i 2－R 2i 1 = – u s 。 4、图1-4所示电路，二端网络N S 中含独立源、电阻和受控源，当R = 0时，i = 3A ，当R = 2时，i = 1.5A 。当R = 1时，i = 2A 。 5、图1-5所示电路的输入阻抗Z i = Z L /4 。 6、图1-6所示耦合电感电路中，已知L 1 = 120mH ，L 2= 100mH ，M = 50mH 。 则a ，b 端的等效电感L = 95 mH 。 7、某一感性负载，接在电压为220V ，频率为50Hz 的电源上，该负载的功率为264W ，电流为2A 。如果在负载两端并联一电容，使功率因数cos φ=1，此时电源端的电流为 1.2 A 。 ＋ R R R 图1-3 － R R ＋ u 图 R R ＋ N 图1-4 图1-5 Z Z 图1-6 a L （一）报考条件: 根据文件规定，沈阳理工大学硕士研究生，本次选拔对象，应符合以下条件： 1.在校期间政治思想表现优秀，遵守校纪校规，文明礼貌，未受到任何处分。 2.学历要求：具有本科学位，在相应的科研领域做出突出成绩，身心健康。 3.以综合考试成绩为录取依据，首先按各专业实考人数划定分数资格线，再按成绩从高到低择优录取。 4.综合考试成绩将在录取前公示7天，录取过程中，如果有排名在录取名额内的考生自愿放弃，在名额外的学生按顺序递补。 5.我校采取笔试、口试或两者相兼的方式进行，以进一步考察学生的专业基础、综合分析能力、解决实际问题的能力。具体比例由学校根据学科、专业特点安排。（二）报考事项： 历年真题QQ在线咨询：363、916、816张老师。各相关专业成立考试小组，确定工作中的相关原则政策和办法研究重大事项；负责本学院考试工作的组织宣传事项和实施工作；完成报考成绩统计及综合排名汇总材料并上报填表。 1.各学院要先完成报考专业的成绩进行排名，根据名单确定考生的具体范围。 2.符合上述条件的参加综合考试，根据报考专业并提交书面申请材料审核。 3.工作领导小组审核汇总名单后，将公示7天，期满后不再提示。 4.各相关专业按照考试科目的顺序依次进行。 5.考试成绩以书面通知形式发到学生本人。 （三）考试流程: 1.参加初试并获得复试资格的考生，应在复试前填写相关表格，按规定时间提供自身研究潜能的材料，攻读大学阶段的研究计划、科研成果等。 2.报考考生的资格审查由领导小组进行审查，对考生料进行审阅符合报考条件的统计填表。 3.我校采取笔试、口试或两者相兼的方式进行差额复试，以进一步安排加强进行考察学生的专业基础、综合分析能力、解决实际问题的能力和各种应用能力等。具体比例由学校根据本学科、专业特点及生源状况安排。 （四）复习方略： 1.注重课本很多考生会安排各种各样的资料，其实关键要能保证你进行的系统性。每个要点段落安排以真题为主，精细化方法对教材重点章节相关要点，对课本有一个纲领性的认识。对课后题必须要掌握，大部分知识点题目都出自课后。专业基础知识、该专业关注的研究方向。较为系统的了解都要为基础一定要做到对教材大纲范围的大体框架有全面的把握，把整个原理的前后概念贯穿起来。2、在复习充分的情况下做完后对照答案进行对比，看看自己的差距在哪。接下来才是最重要的，要根据专业课的真题都会出什么题型，总结其考察重点是什么是哪一章节。在熟悉这些之后呢，一定要必须的题目都整理出来加强背诵。根据科目的先后顺序，因为通常前几年出现的题目会出现，细化专业特点分析对照问题的深度和广度，结合自己的知识结构知识存量，正确的安排答题技巧针对有限的知识来最好地回答。专业课的难度绝不亚于英语，对掌握的侧重点范围解题思 电科《集成电路原理》期末考试试卷 一、填空题 1.（1分） 年，第一次观测到了具有放大作用的晶体管。 2 ． （ 2 分 ） 摩 尔 定 律 是 指 。 3. 集 成 电 路 按 工 作 原 理 来 分 可 分 为 、 、 。 4.（4分）光刻的工艺过程有底膜处理、涂胶、前烘、 、 、 、 和去胶。 5.（4分）MOSFET 可以分为 增强型NMOS ，耗尽型NMOS ，增强型PMOS ，耗尽型PMOS___四种基本类型。 6.（3分）影响MOSFET 阈值电压的因素有： 、 以及 。 7.（2分）在CMOS 反相器中，V in ，V out 分别作为PMOS 和NMOS 的 栅极， 和 漏极 ； VDD ， 作为PMOS 的源极和体端， ，GND 作为NMOS 的源极和体端。 8．（2分）CMOS 逻辑电路的功耗可以分为 和 。 9.（3分）下图的传输门阵列中5DD V V =,各管的阈值电压1T V V =，电路中各节点的初始电压为0，如果不考虑衬偏效应，则各输出节点的输出电压Y 1= 4 V ，Y 2= 3 V ，Y 3= 3 V 。 DD 1 3 2 10.（6分）写出下列电路输出信号的逻辑表达式：Y 1= ；Y 2= ；Y 3= 。 A B Y 1 A B 2 3 二、画图题：（共12分） 1．（6分）画出由静态CMOS电路实现逻辑关系Y ABD CD =+的电路图，要求使用的MOS管最少。 2.（6分）用动态电路级联实现逻辑功能Y ABC =,画出其相应的电路图。 三、简答题：（每小题5分，共20分） 1.简单说明n阱CMOS的制作工艺流程，n阱的作用是什么？ 2.场区氧化的作用是什么，采用LOCOS工艺有什么缺点，更好的隔离方法是什么？ 3.简述静态CMOS电路的优点。 一、填空题（本题5个空,每空2分,共10分） 1、若RC串联电路对基波的阻抗为，则对二次谐波的阻抗 为。 2、电路如图1所示，各点的电位在图上已标出，则电压 。 图1图2 3、如图2所示的电路，电压源发出的功率为。 4、电路的零状态响应是指完全依靠而产生的响应。 5、交流铁心线圈电路中的电阻R表示的是线圈电阻,当R增大时,铁心线圈 中损耗增加。 二、单项选择题(请在每小题的四个备选答案中，选出一个最佳答案；共5小题，每小题2分，共10分) 1、如图3所示的二端网络（R为正电阻），其功率 为。 A. 吸收 B. 发出 C. 不吸收也不发出 D. 无法确定 图3图 4图5 2、如图4所示的电路消耗的平均功率为。（下式中U、I为有效值，G为电导） A. B. C. D. 3、下列那类电路有可能发生谐振？ A.纯电阻电路 B.RL电路 C.RC电 路 D.RLC电路 4、对称三相电路（正相序）中线电压与之间的相位关系 为。 A. 超前 B. 滞后 C.超前 D. 滞后 5、如图5所示的电路，，，则。 A. B. C. D. 三、作图题（本题2小题，每小题5分，共10分） 1、将图6所示的电路化简为最简的电压源形式。（要有适当的化简过程） 图6 2、画出图7所示电路换路后的运算电路模型。（设电路原已稳定，在时换路） 四、简单计算题（本题4小题，每小题5分，共20分） 1、用节点电压法求图7所示电路的电压U。（只列方程，不需求解） 图7 2、某二端网络端口处的电压和电流的表达式分别为， ，则电路中电压、电流的有效值和电路所消耗的平均功率。 3、已知某二端口网络的Z参数矩阵为，求该网络的传输参数矩阵，并回答该网络是否有受控源。 4、对于图8所示含有耦合电感元件的电路，设 ，试求副边开路时的开路电压。 集成电路设计方案习题答案章 CH1 1．按规模划分，集成电路的发展已经经历了哪几代？它的发展遵循了一条业界著名的定律，请说出是什么定律？ 晶体管-分立元件-SSI-MSI-LSI-VLSI-ULSI-GSI-SOC。MOORE 定律 2．什么是无生产线集成电路设计？列出无生产线集成电路设计的特点和环境。 拥有设计人才和技术，但不拥有生产线。特点：电路设计，工艺制造，封装分立运行。环境：IC产业生产能力剩余，人们需要更多的功能芯片设计 3．多工程晶圆 的作用。P13 5．列出你知道的异质半导体材料系统。 GaAs/AlGaAs, InP/ InGaAs, Si/SiGe, 6．SOI材料是怎样形成的，有什么特点? SOI绝缘体上硅，能够经过氧隔离或者晶片粘结技术完成。特点：电极与衬底之间寄生电容大大减少，器件速度更快，功率更低 7. 肖特基接触和欧姆型接触各有什么特点？ 肖特基接触：阻挡层具有类似PN结的伏安特性。欧姆型接触：载流子能够容易地利用量子遂穿效应相应自由传输。 8. 简述双极型晶体管和MOS晶体管的工作原理。P19,21 CH31．写出晶体外延的意义，列出三种外延生长方法，并比较各自的优缺点。 意义：用同质材料形成具有不同掺杂种类及浓度而具有不同性能的晶体层。外延方法:液态生长，气相外延生长，金属有机物气相外延生长 2．写出掩膜在IC制造过程中的作用，比较整版掩膜和单片掩膜的区别，列举三种掩膜的制造方法。P28,29 3．写出光刻的作用，光刻有哪两种曝光方式？作用：把掩膜上的图形转换成晶圆上的器件结构。曝光方式有接触与非接触两种。 4．X射线制版和直接电子束直写技术替代光刻技术有什么优缺点？ X 射线 《电路理论》试卷 考试形式：闭卷考试 姓名：学号：专业层次：学习中心: 试卷说明： 1.考试时间为 90 分钟，请掌握好答题时间； 2.答题之前，请将试卷上的姓名、学号、专业层次和学习中心填写清楚； 3.本试卷所有试题答案写在答题卷上； 4.答题完毕，请将试卷和答题卷展开、正面向上交回，不得带出考场； 5.考试中心提示：请遵守考场纪律，参与公平竞争！ 一、单项选择题（本大题共第一部分10 小 题，每小题 客观题部分 2 分，共 20 分） 1．电阻与电感元件并联，它们的电流有效值分别为3A 和4A ，则它们总的电流有效值为（ C ）。 A ． 7A B． 6A C． 5A D． 4A 2．关于理想电感元件的伏安关系，下列各式正确的有（D）。 A ． u=ω Li B ．u=Li C． u=j ωLi D ． u=Ldi/dt 3．应用叠加定理时，理想电流源不作用时视为（B）。 A ．短路 B ．开路C．电阻D．理想电流源 4．在正弦交流电路中提高感性负载功率因数的方法是（D）。 A ．负载串联电感 B ．负载串联电容C．负载并联电感 D ．负载并联电容5．任意一个相量乘以j 相当于该相量（A）。 A ．逆时针旋转90 度B．顺时针旋转90 度C．逆时针旋转60 度D ．顺时针旋转6．如图 1-2 所示，i=2A ，u=30V ，则元件的功率大小和对此二端电路的描述正确的是（60 度B） 图1-2 A ． P=15W,吸收功率 B ． P=60W,吸收功率 C．P=15W,放出功率D． P=60W,放出功率7．三相对称电源星型联结，相、线电压的关系为（A）。 A ．线电压是相电压的 3 倍，且线电压滞后对应相电压30° 晶圆制备 1．用来做芯片的高纯硅被称为（半导体级硅），英文简称（GSG ），有时也被称为（电子级硅）。 2．单晶硅生长常用（CZ法）和（区熔法）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（硅锭）。 3．晶圆的英文是（wafer ），其常用的材料是（硅）和（锗）。 4．晶圆制备的九个工艺步骤分别是整型、定向、标识。 5．从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（100 ）、（110 ）和（111）。 6．CZ直拉法生长单晶硅是把（融化了的半导体级硅液体）变为（有确定晶向的）并且（被掺杂成p型或n型）的固体硅锭。 7．CZ直拉法的目的是（实现均匀掺杂的同时，并且复制仔晶的结构，得到合适的硅锭直径）。影响CZ直拉法的两个主要参数是（拉伸速率）和（晶体旋转速率）。 8．晶圆制备中的整型处理包括（去掉两端）、（径向研磨）和（硅片定位边和定位槽）。 9．制备半导体级硅的过程：1（制备工业硅）；2（生长硅单晶）；3（提纯）。 10.晶片需要经过切片、磨片、抛光后，得到所需晶圆。 氧化 10．二氧化硅按结构可分为（）和（）或（）。 11．热氧化工艺的基本设备有三种：（卧式炉）、（立式炉）和（快速热处理炉）。 12．根据氧化剂的不同，热氧化可分为（干氧氧化）、（湿氧氧化）和（水汽氧化）。 13．用于热氧化工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分：（工艺腔）、（硅片传输系统）、气体分配系统、尾气系统和（温控系统）。 14．选择性氧化常见的有（局部氧化）和（浅槽隔离），其英语缩略语分别为LOCOS和（STI ）。 15．列出热氧化物在硅片制造的4种用途：（掺杂阻挡）、（表面钝化）、场氧化层和（金属层间介质）。 16．可在高温设备中进行的五种工艺分别是（氧化）、（扩散）、（蒸发）、退火和合金。 17．硅片上的氧化物主要通过（热生长）和（淀积）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（薄膜）。 18．卧式炉的工艺腔或炉管是对硅片加热的场所，它由平卧的（石英工艺腔）、（加热器）和（石英舟）组成。淀积 19．目前常用的CVD系统有：（APCVD ）、（LPCVD ）和（PECVD ）。 20．淀积膜的过程有三个不同的阶段。第一步是（晶核形成），第二步是（聚焦成束），第三步是（汇聚成膜）。21．缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（等离子体增强化学气相淀积）、（低压化学气相淀积）、高密度等离子体化学气相淀积、和（常压化学气相淀积）。 22．在外延工艺中，如果膜和衬底材料（相同），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（同质外延）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（异质外延）。 23．化学气相淀积是通过（）的化学反应在硅片表面淀积一层（）的工艺。硅片表面及其邻近的区域被（）来向反应系统提供附加的能量。 金属化 24．金属按其在集成电路工艺中所起的作用，可划分为三大类：（）、（）和（）。 25．气体直流辉光放电分为四个区，分别是：无光放电区、汤生放电区、辉光放电区和电弧放电区。其中辉光放电区包括前期辉光放电区、（）和（），则溅射区域选择在（）。 26．集成电路工艺中利用溅射现象主要用来（），还可以用来（）。 27．对芯片互连的金属和金属合金来说，它所必备一些要求是：（导电率）、高黏附性、（淀积）、（平坦化）、可靠性、抗腐蚀性、应力等。 28．在半导体制造业中，最早的互连金属是（铝），在硅片制造业中最普通的互连金属是（铜），。 29．写出三种半导体制造业的金属和合金（Al ）、（Cu ）和（铝铜合金）。 30．阻挡层金属是一类具有（高熔点）的难熔金属，金属铝和铜的阻挡层金属分别是（W ）和（W ）。 31．被用于传统和双大马士革金属化的不同金属淀积系统是：（）、（）、（）和铜电镀。 32．溅射主要是一个（）过程，而非化学过程。在溅射过程中，（）撞击具有高纯度的靶材料固体平板，按物理过程撞击出原子。这些被撞击出的原子穿过（），最后淀积在硅片上。 平坦化 33．缩略语PSG、BPSG的中文名称分别是（）、（）。 34．列举硅片制造中用到CMP的几个例子：（）、LI氧化硅抛光、（）、（）、钨塞抛光和双大马士革铜抛光。 35．终点检测是指（CMP设备）的一种检测到平坦化工艺把材料磨到一个正确厚度的能力。两种最常用的原位终点检测技术是（电机电流终点检测）和（光学终点检测）。 36．硅片平坦化的四种类型分别是（平滑）、部分平坦化、（局部平坦化）和（全局平坦化）。 37．传统的平坦化技术有（）、（）和（）。 电路原理——模拟试题 一、单项选择题（每题2分，共50分） 1、在进行电路分析时，关于电压和电流的参考方向，以下说法中正确的是（B）。 （A）电压和电流的参考方向均必须根据规定进行设定 （B）电压和电流的参考方向均可以任意设定 （C）电压的参考方向可以任意设定，但电流的参考方向必须根据规定进行设定（D）电流的参考方向可以任意设定，但电压的参考方向必须根据规定进行设定 2、在图1-1所示电感元件中，电压与电流的正确关系式为（D）。 （A）（B）（C）（D） 3、对图1-2所示电流源元件，以下描述中正确的是（A） （A）i恒为10mA、u不能确定（B）i恒为10mA、u为0 （C）i不能确定、u为∞（D）u、i均不能确定 4、在图1-3所示电路中，已知电流，，则电流I2为（D）。 （A）-3A（B）3A（C）-1A（D）1A 图1-1图1-2图1-3 5、关于理想变压器的作用，以下说法中正确的是（D）。 （A）只能对电压进行变换（B）只能对电流进行变换 （C）只能对阻抗进行变换（D）可同时对电压、电流、阻抗进行变换 6、理想运算放大器的输入电阻R i是（A）。 （A）无穷大（B）零（C）约几百千欧（D）约几十千欧 7、在图1-4所示电路中，各电阻值和U S值均已知。欲用支路电流法求解流过电阻R G的电流I G，需列出独立的电流方程数和电压方程数分别为(B)。 （A）4和3（B）3和3（C）3和4（D）4和4 8、在图1-5所示电路中，当L S1单独作用时，电阻R L中的电流I L=1A，那么当L S1和L S2共同作用时， I L应是（C）。 （A）3A（B）2A（C）（D）1A 摘要 随着科技的发展，基本上所有的具有一定数量数据的机构都开始使用计算机数据库来做管理。几乎所有学校也都已经在使用计算机管理数据的机制，大大减少了学校学生成绩管理的工作量。该课程设计要求设计一个学生成绩的数据库管理系统，数据库中要求包含学生的基本信息，课程基本信息，以及学生所学课程的考试成绩。要方便学生进行成绩查询，通过该课程设计，应该达到把数据库理论知识更加的巩固加深，加强动手能力与实践能力，学以致用，与现实生活中的应用充分的结合起来。 学生成绩管理系统是基于SQL Server 2008数据库开发工具和VB开发工具来进行设计。 关键词：数据库原理；SQL Server 2008；VB6.0；学生成绩管理系统。 目录 1 系统功能概述 (1) 2 数据库设计 (2) 2.1 需求分析 (2) 2.2 E-R模型 (2) 2.3 表结构设计 (3) 3 系统各功能模块的详细设计 (5) 3.1 欢迎界面的设计 (5) 3.2 登录界面 (6) 3.3 主控界面 (7) 3.4 信息浏览界面 (9) 3.5各科信息浏览界面 (11) 3.6修改信息浏览界面 (12) 3.7混合信息查询界面 (14) 3.8打印报表 (16) 4 总结 (17) 参考文献 (18) 1系统功能概述 学生成绩管理系统能有效的解决学生成绩记录的数量众多，管理造成的混乱。从而对学生成绩的信息进行准确的管理。本系统的开发目的是有效的管理学生信息，实现学生信息的数据规范化，自动化，系统化管理。 适用于某个班级内部使用的成绩管理软件，有班长负责使用。 1输入每个学期开设的课程及其信息，并可以修改和删除。 2实现每个同学各学期各门课程的成绩的输入、修改。 3能够快速的查询统计学生的信息和课程信息。 一、填空题（本题5个空 ,每空2分,共10分） 1、若RC串联电路对基波的阻抗为，则对二次谐波的阻抗 为。 2、电路如图1所示，各点的电位在图上已标出，则电压。 图1 图2 3、如图2所示的电路，电压源发出的功率为。 4、电路的零状态响应是指完全依靠而产生的响应。 5、交流铁心线圈电路中的电阻R表示的是线圈电阻,当R增大时,铁心线圈 中损耗增加。 二、单项选择题(请在每小题的四个备选答案中，选出一个最佳答案；共5小题，每小题2分，共10分) 1、如图3所示的二端网络（R为正电阻），其功率为。 A. 吸收 B. 发出 C. 不吸收也不发出 D. 无法确定 图3 图4 图5 2、如图4所示的电路消耗的平均功率为。（下式中U、I为有效值，G为电导） A. B. C. D. 3、下列那类电路有可能发生谐振？ A. 纯电阻电路 B. RL电路 C. RC电路 D. RLC电路 4、对称三相电路（正相序）中线电压与之间的相位关系 为。 A. 超前 B. 滞后 C.超前 D. 滞后 5、如图5所示的电路，，，则。 A. B. C. D. 三、作图题（本题2小题，每小题5分，共10分） 1、将图6所示的电路化简为最简的电压源形式。（要有适当的化简过程） 图6 2、画出图7所示电路换路后的运算电路模型。（设电路原已稳定，在时换路） 四、简单计算题（本题4小题，每小题5分，共20分） 1、用节点电压法求图7所示电路的电压U。（只列方程，不需求解） 图7 2、某二端网络端口处的电压和电流的表达式分别为， ，则电路中电压、电流的有效值和电路所消耗的平均功率。 3、已知某二端口网络的Z参数矩阵为，求该网络的传输参数矩阵，并回答该网络是否有受控源。 4、对于图8所示含有耦合电感元件的电路，设 ，试求副边开路时的开路电压。 图8 五、综合计算题（本题4小题，共50分） 1、如图9所示的电路，已知,,,，，求负载为多大时能获得最大功率，此最大功率是多少？（本小题15分） 图9 2、三相负载的平均功率为2.4 kW、功率因数为0.6的对称三相电感性负载与线电压为380 V的供电系统相联，如图10所示。如果负载为三角形联接，求每相阻抗和各线电流的有效值。（本小题10分） 《超细粉体加工技术》课程教学大纲 课程代码：050542001 课程英文名称：Preparation Technology on Ultra-Micropowder 课程总学时：32 讲课：32 实验：0 上机：0 适用专业：粉体科学与工程 大纲编写（修订）时间：2012.10 一、大纲使用说明 （一）课程的地位及教学目标 超细粉体加工技术是粉体科学与工程专业的主干课程之一，为必修课程。本门课程主要包括超细粉碎的基本理论，物理法制备超细粉体的原理、设备、工艺，超细粉碎工艺设计与设备选型，粉碎过程中的安全与环保等。为学生将来从事粉末材料、粉体工程领域的生产、科研打下坚实的理论基础。通过本课程的学习，不仅让学生掌握物料超细化的相关理论，同时培养学生发现、分析与解决问题的能力和精密进行科学研究的技能。 通过本课程的学习，学生将达到以下要求： 1．掌握物料超细化的基础理论； 2．使学生掌握不同物理超细方法的原理与技术； 3．使学生掌握不同物理超细方法的典型设备； 4．使学生具备独立进行超细粉碎工艺设计与设备选型的能力； 5. 培养学生在粉体加工过程中的环保与安全意识，牢固树立安全第一的思想； 6．了解超细粉体加工技术的新发展。 （二）知识、能力及技能方面的基本要求 1.基本知识：掌握粉体物理超细化的一般知识，包括超细粉体的概念、超细粉碎技术、超细粉碎设备的分类、超细粉碎设备的发展史、超细粉体在国民经济中的应用等。 2.基本理论和方法：掌握超细粉碎的基本原理；掌握机械法、液相物理法及物理气相法制备超细粉体的方法原理、主要设备、操作工艺等；掌握超细粉碎工艺设计和设备选型的的基本方法；具备解决材料超细过程中的安全与环保问题的基本能力。 3.基本技能:掌握超细粉碎工艺设计计算、独立进行设备选型的技能等。 （三）实施说明 本课程安排在第六学期学习，共32学时，其中理论讲课32学时。根据教学的需要，有针对性地对教学内容适当增减，各部分学时数可适当调整2学时。 1．教学方法：课堂讲授中重点对基本概念、基本原理和基本方法的讲解；采用启发式教学，培养学生思考问题、分析问题和解决问题的能力；引导和鼓励学生通过实践和自学获取知识，培养学生的自学能力；积极增加课堂教学的趣味性和互动性，充分调动学生学习的主观能动性；注意培养学生独立进行科学研究的能力。讲课要联系实际并注重培养学生的创新能力。 2．教学手段：本课程属于专业课，涉及到许多物料超细化的设备，因此在教学中采用ppt 与课堂讲授相结合的教学手段，培养学生浓厚的学习兴趣，确保在有限的学时内，高质量地完成课程教学任务。 （四）对先修课的要求 本课程的教学必须在完成先修课程之后进行。本课程主要的先修课程有无机化学、有机化学、物理化学、工程力学等。 （五）对习题课、实践环节的要求2020年电路原理试卷及答案
(完整版)集成电路工艺原理期末试题
电路原理试卷答案
集成电路设计练习题
电路原理试题答案
09-10(2)《电路原理B》期终试卷A卷及答案
2016年沈阳理工大学考研复试分数线
《集成电路设计原理》试卷及答案课件
电路原理试卷及答案详解A(超强试题)
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