半导体的生产工艺流程(精)
半导体的生产工艺流程
微机电制作技术,尤其是最大宗以硅半导体为基础的微细加工技术(silicon- based
micromachining,原本就肇源于半导体组件的制程技术,所以必须先介绍清楚这类制程,以免沦于夏虫语冰的窘态。
一、洁净室
一般的机械加工是不需要洁净室(clean
room的,因为加工分辨率在数十微米以上,远比日常环境的微尘颗粒为大。但进入半导体组件或微细加工的世界,空间单位都是以微米计算,因此微尘颗粒沾附在制作半导体组件的晶圆上,便有可能影响到其上精密导线布局的样式,造成电性短路或断路的严重后果。
为此,所有半导体制程设备,都必须安置在隔绝粉尘进入的密闭空间中,这就是洁净室的来由。洁净室的洁净等级,有一公认的标准,以class
10为例,意谓在单位立方英呎的洁净室空间内,平均只有粒径0.5微米以上的粉尘10粒。所以class后头数字越小,洁净度越佳,当然其造价也越昂贵(参见图2-1。
为营造洁净室的环境,有专业的建造厂家,及其相关的技术与使用管理办法如下:
1、内部要保持大于一大气压的环境,以确保粉尘只出不进。所以需要大型鼓风机,将经滤网的空气源源不绝地打入洁净室中。
2、为保持温度与湿度的恒定,大型空调设备须搭配于前述之鼓风加压系统中。换言之,鼓风机加压多久,冷气空调也开多久。
3、所有气流方向均由上往下为主,尽量减少突兀之室内空间设计或机台摆放调配,使粉尘在洁净室内回旋停滞的机会与时间减至最低程度。
4、所有建材均以不易产生静电吸附的材质为主。
太多,还需经过FZ 法 (floating-zone 的再结晶
(re-crystallization,将杂质逐出,提高纯度与阻值。
辅拉出的晶棒,外缘像椰子树干般,外径不甚一致,需予以机械加工修边,然后以X 光绕射法,定出主切面 (primary flat
的所在,磨出该平面;再以内刃环锯,削下一片片的硅晶圆。最后经过粗磨(lapping、化学蚀平 (chemical etching 与拋光 (polishing
等程序,得出具表面粗糙度在0.3微米以下拋光面之晶圆。(至于晶圆厚度,与其外径有关。
刚才题及的晶向,与硅晶体的原子结构有关。硅晶体结构是所谓「钻石结构」(diam ond-structure,系由两组面心结构 (FCC,相距 (1/4,1/4,1/4 晶格常数 (lattice constant;即立方晶格边长叠合而成。我们依米勒指针法 (Miller
index,可定义出诸如:{100}、{111}、{110} 等晶面。所以晶圆也因之有
{100}、{111}、{110}等之分野。有关常用硅晶圆之切边方向等信息,请参考图2-2。现今半导体业所使用之硅晶圆,大多以 {100}
硅晶圆为主。其可依导电杂质之种类,再分为p型 (周期表III族与n型
(周期表V族。由于硅晶外貌完全相同,晶圆制造厂因此在制作过程中,加工了供辨识的记号:亦即以是否有次要切面 (secondary flat
来分辨。该次切面与主切面垂直,p型晶圆有之,而n型则阙如。
{100}硅晶圆循平行或垂直主切面方向而断裂整齐的特性,所以很容易切成矩形碎块,这是早期晶圆切割时,可用刮晶机 (scriber 的原因
(它并无真正切断芯片,而只在表面刮出裂痕,再加以外力而整齐断开之。事实上,硅晶的自然断裂面是{111},所以虽然得到矩形的碎芯片,但断裂面却不与{100}晶面垂直!
以下是订购硅晶圆时,所需说明的规格:项目说明
晶面{100}、{111}、{110} ± 1o
外径(吋 3 4 5 6
A.晶圆封装测试工序 一、 IC检测 1. 缺陷检查Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy) 用来检测出晶圆上是否有瑕疵，主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外，对已印有电路图案的图案晶圆成品而言，则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说，图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线，并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除，以辨识并发现瑕疵。 3. CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement) 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。 二、 IC封装 1. 构装（Packaging） IC构装依使用材料可分为陶瓷（ceramic）及塑胶（plastic）两种，而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例，其步骤依序为晶片切割（die saw）、黏晶（die mount / die bond）、焊线（wire bond）、封胶（mold）、剪切/成形（trim / form）、印字（mark）、电镀（plating）及检验（inspection）等。 (1) 晶片切割（die saw） 晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒（die）切割分离。举例来说：以0.2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微量。 欲进行晶片切割，首先必须进行晶圆黏片，而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上，而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。 (2) 黏晶（die mount / die bond） 黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶（epoxy）粘着固定。黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣（magazine）内，以送至下一制程进行焊线。 (3) 焊线（wire bond） IC构装制程（Packaging）则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路（Integrated Circuit；简称IC），此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架（Pin），称之为打线，作为与外界电路板连接之用。
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参加编写人员：王建平贺攀科郑志国审核：薛勤照张建平 审定：李元狮 - 2 -
工业萘工艺规程 1、产品概述 1.1 产品名称、化学结构、理化性质: 1.1.1 产品名称:工业萘 1.1.2 化学结构:分子式:C10H8 1.1.3 理化性质: 白色或微黄色晶体,不溶于水,溶于醚,氯仿等有机溶剂,分子量128,密度ρ20=1.145g/cm3，沸点218℃，溶剂（冰点）80.2℃。 1.2产品技术要求、包装运输、贮存期限 1.2.1 产品技术要求: 工业萘:GB/T6699-1998 技术要求: - 3 -
萘酚油：含萘≤10% 洗油：含萘≤5% 吸苯专用洗油，含萘量≤5.0%(M/M)；230-270o C，馏出量：≥65%(V/V)，水分≤1%（注水分指标不作质量考核依据，超过部分作计价因素）。 1.2.2 包装运输 固体工业萘用包装袋包装，属危险品，运输须按规定办理手续。 1.2.3贮存期限：一年 1.3主要用途： 萘用作生产苯酐、表面活性剂、分散剂、高效增塑剂、减水剂、α、β萘酚、合成鞣革制剂等，产品广泛用于颜料、塑料、制药等行业。 2、原辅材料 已洗三混油：含酚：≤0.8% 含萘：40-50% 3、化学反应过程和带控制点工艺流程图3.1化学反应过程 - 4 -
3.1.1工业萘蒸馏：为物理过程，无化学反应。 3.2带控制点工艺流程图；见附图 4、工艺路线及其基本原理 蒸馏部分 经洗涤脱酚后的已洗三混油于原料槽中加热后，由原料泵送入预热器与工业萘蒸汽换热到150-200o C进入初馏塔，初馏塔顶酚油蒸汽经酚油冷凝冷却器冷却至40±10o C，再经酚油油水分离器分离后，进入酚油回流槽，一部分酚油打回流控制初馏塔顶温度，另一部分满流至酚油槽。初馏塔底部萘洗油由初馏塔热油泵抽出，一部分经初馏加热炉加热至270-290o C左右回到初馏塔底，以热油循环方式供给初馏塔热量，另一部分进入精馏塔。工业萘由精馏塔顶采出，塔顶混合油汽经与三混油原料换热后入工业萘汽化冷凝冷却器，冷却至110±10o C自流进工业萘回流槽，一部分作精馏塔顶回流，满流部分入工业萘接受槽，精馏塔底洗油由精馏塔热油泵抽出，一部分经精馏加热炉加热至295—320 o C回到精馏塔底，以热油循环方式供给精馏塔热量，另一部分经洗油冷却器冷却至50—70 o C入洗油槽。由成品泵将贮存在酚油槽、洗油槽中的中间成品送往库区相应贮槽中贮存、外售，工业萘经切片打包后外售。 - 5 -
1清洗 集成电路芯片生产的清洗包括硅片的清洗和工器具的清洗。由 于半导体生产污染要求非常严格，清洗工艺需要消耗大量的高纯水; 且为进行特殊过滤和纯化广泛使用化学试剂和有机溶剂。 在硅片的加工工艺中，硅片先按各自的要求放入各种药液槽进行表面化学处理，再送入清洗槽，将其表面粘附的药液清洗干净后进入下一道工序。常用的清洗方式是将硅片沉浸在液体槽内或使用液体喷雾清洗，同时为有更好的清洗效果，通常使用超声波激励和擦片措施，一般在有机溶剂清洗后立即米用无机酸将其氧化去除，最后用超纯水进行清洗，如图1-6所示。 图1-6硅片清洗工艺示意图 工具的清洗基本米用硅片清洗同样的方法。 2、热氧化 热氧化是在800~1250C高温的氧气氛围和惰性携带气体（N2）下使硅片表面的硅氧化生成二氧化硅膜的过程，产生的二氧化硅用以作为扩散、离子注入的阻挡层，或介质隔离层。典型的热氧化化学反应为： Si + O2 T SiO2
3、扩散 扩散是在硅表面掺入纯杂质原子的过程。通常是使用乙硼烷（B2H6）作为N —源和磷烷（PH3）作为P+源。工艺生产过程中通常 分为沉积源和驱赶两步，典型的化学反应为： 2PH3 —2P+3H2 4、离子注入 离子注入也是一种给硅片掺杂的过程。它的基本原理是把掺杂物质（原子）离子化后，在数千到数百万伏特电压的电场下得到加速，以较高的能量注入到硅片表面或其它薄膜中。经高温退火后，注入离子活化，起施主或受主的作用。 5、光刻 光刻包括涂胶、曝光、显影等过程。涂胶是通过硅片高速旋转在硅片表面均匀涂上光刻胶的过程；曝光是使用光刻机，并透过光掩膜版对涂胶的硅片进行光照，使部分光刻胶得到光照，另外，部分光刻胶得不到光照，从而改变光刻胶性质；显影是对曝光后的光刻胶进行去除，由于光照后的光刻胶 和未被光照的光刻胶将分别溶于显影液和不溶于显影液，这样就使光刻胶上 形成了沟槽。 6、湿法腐蚀和等离子刻蚀 通过光刻显影后，光刻胶下面的材料要被选择性地去除，使用的方法就
我国从20 世纪70 年代开始研制萘系高效减水剂，以精萘和工业萘为原料的产品有NNO 、SPA 、BW 、FE 、NF 、FDN 、UN F －2 、SN —Ⅱ等，以甲基萘和萘残油为原料的产品有MF 、建1 、DH 4 ，以蒽油为原料的产品有AF 、JW — 1 等。这些产品的生产工艺，大同小异。以工业萘为例，其工艺流程( 见图2) 如下： 图 1 萘磺酸钠甲醛缩合物 图 2 萘系减水剂制备工艺流程图 1 ．原料 (1) 萘 工业萘或精萘的分子式为 C 10 H 8 。生产实践证明，用含萘量高的物料生产的产品引气性较小，性能较好，所以目前一些大的减水剂生产厂，大都使用工业萘或精萘，以利于产品质量稳定。当从煤焦油中提取精萘或工业萘时，馏分温度为21 0 ℃。萘为白色易挥发片状晶体，具有可燃性和强烈的焦油味，密度(d 乳) 1.145g /cm 3 ，熔点80. 2 ℃，沸点217.7 6 ℃，闪点17 6 ℉( 8 0 ℃) ，自燃点97 9 ℉( 526.11 ℃) ，溶于苯、无水乙醇和醚，不溶于水。 (2) 硫酸 用作磺化的硫酸常用浓度为98 ％的浓硫酸，磺化反应为亲电子反应，参加反应的不是阴离子SO 和HSO ，而是阳离子H 3 SO 广和中性分子SO 3 ，后者只有在浓度大于75 ％的硫酸和发烟硫酸中才存在。 (3) 甲醛工业品 甲醛工业品，其浓度为35 ％～37 ％，五色透明液体，有刺激气味，15 ℃时密度1.10g /cm 3 ，分子式HCHO 。 (4) 烧碱工业品 固碱、液碱均可。使用固碱时应配制成30 ％～40 ％的水溶液。 2 ．磺化反应 磺化反应是浓硫酸作用于萘，磺酸根取代萘的氢原子，反应结果生成萘磺酸。 磺化反应控制的好坏，直接影响β- 萘磺酸的含量，对缩合后产品质量影响较大。影响磺化反应的因素主要有磺化温度、磺化时间、硫酸浓度、硫酸加入量及杂质等。
?从大的方面来讲，晶圆生产包括晶棒制造和晶片制造两大步骤，它又可细分为以下几道主要工序（其中晶棒制造只包括下面的第一道工序，其余的全部属晶片制造，所以有时又统称它们为晶柱切片后处理工序）： 晶棒成长--> 晶棒裁切与检测--> 外径研磨--> 切片--> 圆边--> 表层研磨--> 蚀刻--> 去疵--> 抛光--> 清洗--> 检验--> 包装 1 晶棒成长工序：它又可细分为： 1）融化（Melt Down） 将块状的高纯度复晶硅置于石英坩锅内，加热到其熔点1420°C以上，使其完全融化。 2）颈部成长（Neck Growth） 待硅融浆的温度稳定之后，将〈1.0.0〉方向的晶种慢慢插入其中，接着将晶种慢慢往上提升，使其直径缩小到一定尺寸（一般约6mm左右），维持此直径并拉长 100-200mm，以消除晶种内的晶粒排列取向差异。 3）晶冠成长（Crown Growth） 颈部成长完成后，慢慢降低提升速度和温度，使颈部直径逐渐加大到所需尺寸（如 5、6、8、12吋等）。 4）晶体成长（Body Growth） 不断调整提升速度和融炼温度，维持固定的晶棒直径，只到晶棒长度达到预定值。 5）尾部成长（Tail Growth） 1
当晶棒长度达到预定值后再逐渐加快提升速度并提高融炼温度，使晶棒直径逐渐变小，以避免因热应力造成排差和滑移等现象产生，最终使晶棒与液面完全分离。到此即得到一根完整的晶棒。 2 晶棒裁切与检测（Cutting & Inspection） 将长成的晶棒去掉直径偏小的头、尾部分，并对尺寸进行检测，以决定下步加工的工艺参数。 3 外径研磨（Su rf ace Grinding & Shaping） 由于在晶棒成长过程中，其外径尺寸和圆度均有一定偏差，其外园柱面也凹凸不平，所以必须对外径进行修整、研磨，使其尺寸、形状误差均小于允许偏差。 4 切片（Wire Saw Sl ic ing） 由于硅的硬度非常大，所以在本工序里，采用环状、其内径边缘镶嵌有钻石颗粒的薄片锯片将晶棒切割成一片片薄片。 5 圆边（Edge Profiling） 由于刚切下来的晶片外边缘很锋利，硅单晶又是脆性材料，为避免边角崩裂影响晶片强度、破坏晶片表面光洁和对后工序带来污染颗粒，必须用专用的电脑控制设备自动修整晶片边缘形状和外径尺寸。 ? 6 研磨（Lapping） 研磨的目的在于去掉切割时在晶片表面产生的锯痕和破损，使晶片表面达到所要求的光洁度。 7 蚀刻（Etching） 1
工业萘生产工艺过程概述 工业萘生产工艺过程概述 经洗涤脱酚后的已洗三混油于原料槽中加热到70---90 C,由原料泵送入预热器与工业萘蒸汽换热到190 土5 C进入处馏塔，初馏塔顶酚油蒸汽经酚油冷却器冷却到50--60 C,再经 酚油油水分离器，进入酚油回流槽，一部分打回流控制出馏塔顶温度，另一部分满流到酚油槽。初馏塔底部的萘洗油由初塔热油泵抽出，一部分经管式炉加热250--265 C回到初馏塔底，以热油循环的方式供给初馏塔热量，另一部分进入精馏塔。工业萘由精馏塔塔顶采出，塔顶萘蒸汽与三混原料油换热后经汽化冷却器冷却到100--120 C,自流到工业萘回流 槽，一部分作精塔顶回流，满流部分进入工业萘接受槽，经转鼓结晶切片打包。精塔底洗油由热油泵抽出，一部分经加热炉加热到270--300 C回到精馏塔底，以热油循环的方式供给精塔热量，另一部分经洗油冷却器冷却到50--70 C入洗油槽。 一、工业萘蒸馏操作规程（法） 1 、工艺控制指标和操作指标 1 ）工业萘蒸馏工艺控制指标： 萘酚油含酚：W 5% ;含萘：W 10%
已洗三混油含萘：45--60% ;含酚：W 0.8%萘酚油含酚：W 5% ;含萘：W 10%
洗油含萘：W 5% 工业萘结晶点：》77.5 C 2）工业萘蒸馏操作指标项目 指标 初馏塔塔顶温度 170 ?190C 初塔热油温度242±5 C 初塔进料温度190±5 C 初馏塔回流液温度50?70 C 初馏塔底气相温度W 0 . 0 7Mpa （表压） 初塔进料量0.5?1.8m3/h 精馏塔顶温度215±5 C 精塔热油温度 260?290C
半导体的生产工艺流程 微机电制作技术，尤其是最大宗以硅半导体为基础的微细加工技术 (silicon-basedmicromachining)，原本就肇源于半导体组件的制程技术，所以必须先介绍清楚这类制程，以免沦于夏虫语冰的窘态。 一、洁净室 一般的机械加工是不需要洁净室(cleanroom)的，因为加工分辨率在数十微米以上，远比日常环境的微尘颗粒为大。但进入半导体组件或微细加工的世界，空间单位都是以微米计算，因此微尘颗粒沾附在制作半导体组件的晶圆上，便有可能影响到其上精密导线布局的样式，造成电性短路或断路的严重后果。为此，所有半导体制程设备，都必须安置在隔绝粉尘进入的密闭空间中，这就是洁净室的来由。洁净室的洁净等级，有一公认的标准，以class10为例，意谓在单位立方英呎的洁净室空间内，平均只有粒径0.5微米以上的粉尘10粒。所以class后头数字越小，洁净度越佳，当然其造价也越昂贵。为营造洁净室的环境，有专业的建造厂家，及其相关的技术与使用管理办法如下： 1、内部要保持大于一大气压的环境，以确保粉尘只出不进。所以需要大型 鼓风机，将经滤网的空气源源不绝地打入洁净室中。 2、为保持温度与湿度的恒定，大型空调设备须搭配于前述之鼓风加压系统 中。换言之，鼓风机加压多久，冷气空调也开多久。 3、所有气流方向均由上往下为主，尽量减少突兀之室内空间设计或机台摆 放调配，使粉尘在洁净室内回旋停滞的机会与时间减至最低程度。 4、所有建材均以不易产生静电吸附的材质为主。 5、所有人事物进出，都必须经过空气吹浴(airshower)的程序，将表面粉尘 先行去除。 6、人体及衣物的毛屑是一项主要粉尘来源，为此务必严格要求进出使用人 员穿戴无尘衣，除了眼睛部位外，均需与外界隔绝接触(在次微米制程技术的工厂内，工作人员几乎穿戴得像航天员一样。)当然，化妆是在禁绝之内，铅笔等也禁止使用。 7、除了空气外，水的使用也只能限用去离子水(DIwater,de-ionizedwater)。 一则防止水中粉粒污染晶圆，二则防止水中重金属离子，如钾、钠离子污染金氧半(MOS)晶体管结构之带电载子信道(carrierchannel)，影响半导体组件的工作特性。去离子水以电阻率(resistivity)来定义好坏，一般要求至 17.5MΩ-cm以上才算合格；为此需动用多重离子交换树脂、RO逆渗透、与 UV紫外线杀菌等重重关卡，才能放行使用。由于去离子水是最佳的溶剂与清洁剂，其在半导体工业之使用量极为惊人！ 8、洁净室所有用得到的气源，包括吹干晶圆及机台空压所需要的，都得使 用氮气(98%)，吹干晶圆的氮气甚至要求99.8%以上的高纯氮！以上八点说明是最基本的要求，另还有污水处理、废气排放的环保问题，再再需要大笔
盛年不重来，一日难再晨。及时宜自勉，岁月不待人 盛年不重来，一日难再晨。及时宜自勉，岁月不待人 A.晶圆封装测试工序 一、IC检测 1. 缺陷检查Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electro n Microscopy) 用来检测出晶圆上是否有瑕疵，主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外，对已印有电路图案的图案晶圆成品而言，则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说，图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线，并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除，以辨识并发现瑕疵。 3. CD-SEM(Critical Dime nsioi n Measureme nt) 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。 二、IC封装 1. 构装(Packaging) IC构装依使用材料可分为陶瓷(ceramic )及塑胶(plastic )两种，而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例，其步骤依序为晶片切割( die saw)、黏晶(die mount / die bond)、焊线(wire bon d)、圭寸胶(mold )、剪切/ 成形(trim / form )、印字(mark )、电镀(plating )及检验(inspection )等。 (1) 晶片切割(die saw ) 晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒(die )切割分离。举例来说：以 0.2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微量。 欲进行晶片切割，首先必须进行晶圆黏片，而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之 晶粒井然有序排列于胶带上，而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。 (2) 黏晶(die mou nt / die bo nd ) 黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶(epoxy)粘着固定。黏晶完成后之导线 架则经由传输设备送至弹匣( magazi ne )内，以送至下一制程进行焊线。 ⑶焊线(wire bond ) IC构装制程(Packaging )则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路( Integrated Circuit ;简称IC)，此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械
粗萘精制工艺简介 焦油蒸馏的主要任务之一就是切取含萘馏分用于进一步分离精制。在焦油蒸馏过程中，按馏分切取工艺制度不同，富集萘的馏分有萘油馏分、萘洗混合馏分及酚萘洗三混馏分等。 工业萘是焦油加工的主要产品，.由煤焦油分离，高温煤焦油中萘约占8%-12%，将煤焦油蒸馏，切取煤油，经脱酚，脱喹啉，蒸馏得成品萘。每吨萘消耗10t煤焦油； 目前工业萘的生产方法主要是精馏法和冷却结晶法。 一、原料及产品 生产工业萘的原料为焦油蒸馏所得的富集萘的馏分，这些馏分中还含有酚类、盐基类化合物及不饱和化合物，其中有些组分的沸点和萘的沸点相近，精馏时易进入工业萘中，需要先经过碱洗和酸洗。 二、精馏法生产工业萘 （1）双炉双塔连续精馏工艺 所谓双炉双塔，是指该流程中采用了两台管式炉、两座精馏塔（初馏塔和精馏塔）。其生产工艺流程如图所：
1—原料槽；2—原料泵；3—原料与工业萘换热器；4—初馏塔；5—精馏塔；6—管式炉；7—初馏塔热油循环泵；8—精馏塔热油循环泵；9—酚油冷凝冷却器；10—油水分离器；11—酚油回流槽：12—酚油回流泵；13—酚油槽；14工业萘汽化冷凝冷却器；15—工业萘回流槽；16工业萘回流泵；17—工业萘贮槽；18—转鼓结晶机；19—工业萘装袋自动称量装置；20—洗油冷却器；21—洗油计量槽；22—中间槽 双炉双塔连续精馏工艺流程如图，此流程采用两个管式加热炉和两个精馏塔，所用原料为经过碱洗或酸洗的萘油或混合馏分油。含萘馏分经静置脱水后，由原料泵送至工业萘换热起起器，温度由80~90℃升至200℃左右，进入初馏塔。初馏塔顶逸出的酚油蒸气经冷凝冷却和油水分离后进入回流槽，大部分作初馏塔的回流，回流比为20~30（对酚油产品）；少部分流入酚油成品槽。初馏塔底已脱除酚油的含萘馏分用热油泵送往初馏塔管式炉加热至265~270℃，再返回初馏塔低，以供给初馏塔热量。同时在初馏塔热油循环泵出口分出一部分馏分油打入精馏塔，进料温度为230~235℃。精馏塔顶蒸汽温度控制在218℃左右，工业萘蒸气在热交换器中与原料油换热后进入冷凝冷却器，工业萘被冷却到100~110℃后流入工业萘回流槽，一部
半导体制造工艺流程 N型硅：掺入V族元素--磷P、砷As、锑Sb P型硅：掺入III族元素—镓Ga、硼B PN结： 半导体元件制造过程可分为 前段（FrontEnd）制程 晶圆处理制程（WaferFabrication；简称WaferFab）、 晶圆针测制程（WaferProbe）； 後段（BackEnd） 构装（Packaging）、 测试制程（InitialTestandFinalTest） 一、晶圆处理制程 晶圆处理制程之主要工作为在矽晶圆上制作电路与电子元件（如电晶体、电容体、逻辑闸等），为上述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程，以微处理器（Microprocessor）为例，其所需处理步骤可达数百道，而其所需加工机台先进且昂贵，动辄数千万一台，其所需制造环境为为一温度、湿度与含尘（Particle）均需控制的无尘室（Clean-Room），虽然详细的处理程序是随著产品种类与所使用的技术有关；不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗（Cleaning）之後，接著进行氧化（Oxidation）及沈积，最後进行微影、蚀刻及离子植入等反覆步骤，以完成晶圆上电路的加工与制作。 二、晶圆针测制程 经过WaferFab之制程後，晶圆上即形成一格格的小格，我们称之为晶方或是晶粒（Die），在一般情形下，同一片晶圆上皆制作相同的晶片，但是也有可能在同一片晶圆上制作不同规格的产品；这些晶圆必须通过晶片允收测试，晶粒将会一一经过针测（Probe）仪器以测试其电气特性，而不合格的的晶粒将会被标上记号（InkDot），此程序即称之为晶圆针测制程（WaferProbe）。然後晶圆将依晶粒为单位分割成一粒粒独立的晶粒 三、IC构装制程 IC構裝製程（Packaging）：利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成積體電路目的：是為了製造出所生產的電路的保護層，避免電路受到機械性刮傷或是高溫破壞。 半导体制造工艺分类 半导体制造工艺分类 一双极型IC的基本制造工艺： A在元器件间要做电隔离区（PN结隔离、全介质隔离及PN结介质混合隔离）ECL（不掺金）（非饱和型）、TTL/DTL（饱和型）、STTL（饱和型）B在元器件间自然隔离 I2L（饱和型） 半导体制造工艺分类 二MOSIC的基本制造工艺： 根据栅工艺分类 A铝栅工艺 B硅栅工艺
2-萘酚生产工艺 一、性质 2-萘酚（2-naphthol），外观为白色或略带黄色的片状结晶或白色粉末，又名β-萘酚、乙萘酚、2-羟基萘。分子式C10H8O，分子量144.16。密度：1.28g/cm3；熔点：123～124℃；沸点：285～286℃；闪点：161℃；久置于在空气中颜色会变暗，有苯酚的气味；微溶于水，溶于乙醇、乙醚、氯仿、甘油，溶于氢氧化钠水溶液；其水溶液与三氯化铁溶液反应呈绿色。 二、用途 1、2-萘酚 2-萘酚又称乙萘酚、β-萘酚，是重要的有机化工原料和合成中间体，由其直接合成的染料、颜料品种达130多种，染料中间体20多个。在医药、农药、橡胶助剂、香料、皮革鞣制、纺织印染助剂和选矿剂等方面也有广泛应用。在染料方面，2-萘酚的主要衍生产品有2,3-酸、吐氏酸、重氮萘酚磺酸、G酸、R酸、Y酸、J酸、2,6酸等；在医药、农药方面，2-萘酚主要用于生产消炎镇痛剂萘普生、除草剂萘丙胺、植物调节剂2-萘氧基乙胺等。近年来，萘酚下游产品用于感光材料及液晶材料的生产，如羟基-1-萘甲酸、萘酚苄基醚、2-羟基萘-6-甲酸等，有着非常广泛的市场前景。 2、1-萘酚
1-萘酚又称甲萘酚、α-萘酚，也是一种重要的精细化工中间体，广泛应用于医药、农药、染料、香料制造，手性催化剂合成等方面。由于近年开发出许多1-萘酚的新用途，导致市场需求量不断增加，前景看好。它的生产方法类似于2-萘酚生产，是2-萘酚生产中的重要异构体。 三、工艺技术 利用工业萘为主要原料生产精萘和2-萘酚。生产过程主要包括：工业萘精制和利用精萘生产2-萘酚。 1、工业萘精制 工业萘原料，在80℃左右熔融后，在48～79.6℃区间进行分步结晶后得到精萘和分离萘油。 2、2-萘酚生产 2.1磺化 用98%硫酸与精萘，用调节导热油的方式控制反应温度在160～165℃，生成2-萘磺酸和水，用压缩空气压至水解锅供水解、吹萘岗位用。 2.2水解 磺化反应生成的2-萘磺酸和水在水解锅内反应，生成硫酸和萘。用蒸汽把萘吹走。 2.3吹萘 水解结束后，加一定量的水和30%的NaOH于水解后的物料中，中
2-萘酚工艺操作规程 （A版） 批准：惠晓新 审核：周宏钧 编写：孙金毛金兴官 王玉明 2012年1月3日批准 2012年1月4日实施宿迁思睿屹新材料有限公司
目录 1.产品概述 (3) 2.产品原料 (3) 3.生产工艺流程图 (4) 4.生产操作过程控制 (6) 5.异常现象及处理方法 (18) 6.主要设备一览表 (23) 7.主要工艺参数控制一览表 (25) 2—萘酚工艺操作规程
1 产品概述 1.1 产品名称 1.1.1 中文名称:β—萘酚（或2—羟基萘, 2—萘酚） 1.1.2 英文名称:β—Naphthol 1.2 产品物理、化学性质 2—萘酚为灰白色薄片或均匀粉末，易溶于乙醇、乙醚、氯仿、苯等及苛性钠的水溶液中。 1.3 产品的主要用途 2—萘酚用来制造苯胺染料工业中的各种中间体，制造橡胶工业的防老剂，制造晒盐工业用的蒸发促进剂，以及作颜料、油漆和棉织品的冰染染料等。 1.4 产品化学结构式 1.5 产品分子式： C10H8O 产品分子量： 144.16 2 产品、原料规格 2.1 原料规格 本工艺中使用的原料规格见LT/QG SJ0500《主要原料及其控 制指标》。 2.2产品规格 见相应的国家规范。 2.3 包装 2—萘酚装于内衬塑料袋的编织袋中，净重25Kg/袋。袋口用线扎紧，防
止散落及雨水浸入。 3 化学反应过程和生产工艺流程图 3.1 化学反应过程 3.1.1 磺化 ＋H 2SO 4 ＋H 2O 3.1.2 水解 ＋H 2O ＋H 2SO 4 3.1.3吹萘 加30%的NaOH 于水解后的物料中 3.1.3.1 与水解物中的游离酸起中和反应 2NaOH ＋H 2SO 4 Na 2SO 4＋2H 2O 3.1.3.2 与部分2—萘磺酸生成2—萘磺酸钠盐结晶种子 NaOH ＋＋H 2O 3.1.4 中和 用Na 2SO 3溶液中和萘物 ＋Na 2SO 3 ＋H 2O ＋SO 2 3.1.5 2—萘磺酸钠盐的碱熔 ＋2NaOH 330-340℃ ＋Na 2SO 3＋H 2O
1、清洗 集成电路芯片生产的清洗包括硅片的清洗和工器具的清洗。由于半导体生产污染要求非常严格，清洗工艺需要消耗大量的高纯水；且为进行特殊过滤和纯化广泛使用化学试剂和有机溶剂。 在硅片的加工工艺中，硅片先按各自的要求放入各种药液槽进行表面化学处理，再送入清洗槽，将其表面粘附的药液清洗干净后进入下一道工序。常用的清洗方式是将硅片沉浸在液体槽内或使用液体喷雾清洗，同时为有更好的清洗效果，通常使用超声波激励和擦片措施，一般在有机溶剂清洗后立即采用无机酸将其氧化去除，最后用超纯水进行清洗，如图1 —6所示。 图1—6硅片清洗工艺示意图 工具的清洗基本米用硅片清洗同样的方法。 2、热氧化 热氧化是在800~1250C高温的氧气氛围和惰性携带气体（N2）下使硅片表面的硅氧化生成二氧化硅膜的过程，产生的二氧化硅用以作 为扩散、离子注入的阻挡层，或介质隔离层。典型的热氧化化学反应为：
Si + O2f SiO2 3、扩散 扩散是在硅表面掺入纯杂质原子的过程。通常是使用乙硼烷（B2H6）作为N —源和磷烷（PH3）作为P+源。工艺生产过程中通常 分为沉积源和驱赶两步，典型的化学反应为： 2PH3 f 2P + 3H2 4、离子注入 离子注入也是一种给硅片掺杂的过程。它的基本原理是把掺杂物质（原子）离子化后，在数千到数百万伏特电压的电场下得到加速，以较高的能量注入到硅片表面或其它薄膜中。经高温退火后，注入离子活化，起施主或受主的作用。 5、光刻 光刻包括涂胶、曝光、显影等过程。涂胶是通过硅片高速旋转在硅片表面均匀涂上光刻胶的过程；曝光是使用光刻机，并透过光掩膜版对涂胶的硅片进行光照，使部分光刻胶得到光照，另外，部分光刻胶得不到光照，从而改变光刻胶性质；显影是对曝光后的光刻胶进行去除，由于光照后的光刻胶和未被光照的光刻胶将分别溶于显影液和不溶于显影液，这样就使光刻胶上 形成了沟槽。 光刻胶 基片------------ ?涂胶后基片 1 1 1 1 ~ 显影后基片V------------- 曝光后基片 6、湿法腐蚀和等离子刻蚀
芯片制作工艺流程 工艺流程 1) 表面清洗 晶圆表面附着一层大约2um的Al2O3和甘油混合液保护之,在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。 2) 初次氧化 有热氧化法生成SiO2 缓冲层，用来减小后续中Si3N4对晶圆的应力 氧化技术 干法氧化 Si(固) + O2 à SiO2(固) 湿法氧化 Si(固) +2H2O à SiO2(固) + 2H2 干法氧化通常用来形成，栅极二氧化硅膜，要求薄，界面能级和固定电荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于湿法。湿法氧化通常用来形成作为器件隔离用的比较厚的二氧化硅膜。当SiO2膜较薄时，膜厚与时间成正比。SiO2膜变厚时，膜厚与时间的平方根成正比。因而，要形成较厚的SiO2膜，需要较长的氧化时间。SiO2膜形成的速度取决于经扩散穿过SiO2膜到达硅表面的O2及OH基等氧化剂的数量的多少。湿法氧化时，因在于OH基在SiO2膜中的扩散系数比O2的大。氧化反应，Si 表面向深层移动，距离为SiO2膜厚的0.44倍。因此，不同厚度的SiO2膜，去除后的Si表面的深度也不同。SiO2膜为透明，通过光干涉来估计膜的厚度。这种干涉色的周期约为200nm，如果预告知道是几次干涉，就能正确估计。对其他的透明薄膜，如知道其折射率，也可用公式计算出 (d SiO2) / (d ox) = (n ox) / (n SiO2)。SiO2膜很薄时，看不到干涉色，但可利用Si的疏水性和SiO2的亲水性来判断SiO2膜是否存在。也可用干涉膜计或椭圆仪等测出。 SiO2和Si界面能级密度和固定电荷密度可由MOS二极管的电容特性求得。(100)面的Si的界面能级密度最低，约为10E+10 -- 10E+11/cm –2 .e V -1 数量级。(100)面时，氧化膜中固定电荷较多，固定电荷密度的大小成为左右阈值的主要因素。 3) CVD(Chemical Vapor deposition)法沉积一层Si3N4(Hot CVD或LPCVD)。 1 常压CVD (Normal Pressure CVD) NPCVD为最简单的CVD法，使用于各种领域中。其一般装置是由(1)输送反
工业萘生产技术现状 一、生产工业萘的原料与产品质量 （一）生产工业萘的原料 从焦油蒸馏的各种流程中所得到的含萘较高的馏分均可作为生产工业萘的原料，常见的原料如表1-1所示的前三种馏分 表1-1含萘馏分质量及组成 不管哪种馏分，均含有酸性组分、碱性组分、中性组分等。其中有的费电于萘的沸
点相近，精馏时易混入工业萘中而影响产品质量。为保证工业萘的质量，在精馏前都需要进行碱洗和酸洗处理。经过碱洗和酸洗处理的馏分叫做已洗萘洗二混馏分或已洗酚萘洗三混馏分。这些已洗馏分均可做工业萘生产的原料。 但在实际生产中，若用只经过贱洗不经酸洗的混合馏分进行精馏，原料中的吡啶碱类大多转入酚油和精馏残油（洗油）中，而工业萘中仅有0.1%左右，基本上不影响萘的质量，因此某些焦化厂采用碱洗后的馏分精馏生产工业萘，对切取出酚油、洗油，再分别进行酸洗提取重吡啶碱类。当生产规模较小不需要提取吡啶类产品时，也可不用硫酸洗涤。 由于目前工业萘大部分用于支取邻苯二甲酸酐（苯酐），随着苯酐生产的工艺改进，含有少量不饱和化合物的工业萘，对苯酐产品质量及触媒催化剂性能均无不良影响。因此，现在许多焦化厂都用只经过碱洗的原料馏分提取工业萘。 （二）工业萘的质量 工业萘的质量标准如1-2所示。 表1-2 工业萘的质量标准 二、工业萘生产工艺流程 （一）双炉双塔工业萘连续精馏流程 所谓双炉双塔，是指该流程中采用了两台管式炉、两座精馏塔（初馏塔和精馏塔）。其生产工艺流程如图1-3所示。
1—原料槽；2—原料泵；3—原 料与工业萘换热器；4—初馏塔； 5—精馏塔；6—管式炉；7—初 馏塔热油循环泵；8—精馏塔热 油循环泵；9—酚油冷凝冷却器； 10—油水分离器；11—酚油回流 槽：12—酚油回流泵；13—酚油 槽；14工业萘汽化冷凝冷却器； 15—工业萘回流槽；16工业萘 回流泵；17—工业萘贮槽；18 —转鼓结晶机；19—工业萘装袋 自动称量装置；20—洗油冷却 器；21—洗油计量槽；22—中间 槽 图1-3 双炉双塔工业萘连续精馏过程 经碱洗后温度为80-90℃的原料，经静置脱水后，由原料泵2从原料槽1中抽出，打入原料与工业萘换热器3，与从精馏塔5顶部来的温度为218℃的萘蒸汽尽兴热交换使温度升至210-215℃，再进入初馏塔4。 原料在初馏塔中得出不分离，是靠管式炉6提供热量产生沿塔上升的蒸汽，靠冷凝冷却器9，油水分离得到的酚油作回流进行分馏的，原料中所含的酚油以190-200℃气态从初馏塔顶部逸出，进入酚油冷凝冷却器9被水冷凝冷却至30-35℃，再进入酚油油水分离器10，冷凝液中的分离水从分离器底部排入酚水槽（用来等待脱酚），冷凝液中的酚油则从分离器上部满流入酚油回流槽11，由回流泵12抽出，打入初馏塔4的顶部，以控制塔顶温度，其余酚油从回流槽上部满流入酚油槽13，送洗涤供需回收加工。 原料中所含的萘油和洗油馏分以液态混入热循环油，一起流入初馏塔底贮槽，再由初馏塔热油循环油泵7抽出，一部打入初馏塔管式炉6，被燃料燃烧加热至265-270℃部分气化后，再回到初馏塔下部，供作初馏塔的热量，另一部分则以230—235℃的温度打入精馏塔5。 精馏塔中的萘油、洗油混合馏分靠管式炉6循环加热而进行分馏，其中的萘以218℃的气态从精馏塔顶部逸出，经换热器3进行热交换后，在进入工业萘汽化冷凝冷却器14被水冷却至100—110℃，以液态进入工业萘回流槽15，不分工业萘由回流槽底被工业萘回流泵16抽出，打入精馏塔5的顶部，以控制塔顶温度，其余工业萘从回流槽上部满流入工业萘贮槽17，再放入转鼓结晶机18，便得到含萘＞95%的工业萘。
A.晶圆封装测试工序 一、IC检测 1. 缺陷检查Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy) 用来检测出晶圆上是否有瑕疵，主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外，对已印有电路图案的图案晶圆成品而言，则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说，图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线，并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除，以辨识并发现瑕疵。 3. CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement) 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。 二、IC封装 1. 构装（Packaging） IC构装依使用材料可分为陶瓷（ceramic）及塑胶（plastic）两种，而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例，其步骤依序为晶片切割（die saw）、黏晶（die mount / die bond）、焊线（wire bond）、封胶（mold）、剪切/成形（trim / form）、印字（mark）、电镀（plating）及检验（inspection）等。 (1) 晶片切割（die saw） 晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒（die）切割分离。举例来说：以
0.2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微量。 欲进行晶片切割，首先必须进行晶圆黏片，而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上，而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。 (2) 黏晶（die mount / die bond） 黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶（epoxy）粘着固定。黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣（magazine）内，以送至下一制程进行焊线。 (3) 焊线（wire bond） IC构装制程（Packaging）则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路（Integrated Circuit；简称IC），此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架（Pin），称之为打线，作为与外界电路板连接之用。 (4) 封胶（mold） 封胶之主要目的为防止湿气由外部侵入、以机械方式支持导线、內部产生热量之去除及提供能够手持之形体。其过程为将导线架置于框架上并预热，再将框架置于压模机上的构装模上，再以树脂充填并待硬化。 (5) 剪切/成形（trim / form） 剪切之目的为将导线架上构装完成之晶粒独立分开，并把不需要的连接用材料及部份凸出之树脂切除（dejunk）。成形之目的则是将外引脚压成各种预先设计好之形状，以便于装置于
10万吨/年精荼项目建议书 i项目背景 i.i项目名称 精荼项目 1.2项目建设规模 建设规模：10万吨/年 1.3项目建设地址 黑龙江省七台河新兴煤化工循环经济产业园区 1.4项目提出背景 2011年七台河市焦炭产能达到1000万吨，可以产生总量为25亿立方米的剩余煤气、4 5万吨煤焦油、12万吨粗苯。如果从黑龙江省范围考虑，按黑龙江省焦炭产量1500万吨计算，可以产生37.5亿立方米剩余煤气、67.5万吨煤焦油、18万吨粗苯。已经具备了向产品品种结构上深度开发的条件。目前生产的多数是化工的基础原料，是化工产品产业链的基础 产品，是精细化工产品的“粮食”。要改变现有“只卖原粮”的局面，只有向精细化工领域迈进。 七台河市煤化工产业下步发展要继续以建立完善循环经济体系为重点，按照“稳煤、控焦、兴化”的总体发展思路，依托煤焦油、焦炉剩余煤气、粗苯这三条线，整合资源、集中优势，继续寻求延伸产业链条，搞好资源综合利用和延伸转化，实现资源循环利用、综合开 发、高效增值，不断扩大煤化工产业的整体规模，形成全市工业经济加快发展新的增长极。 新兴煤化工产业园区位于七台河市新兴区辖区内，园区现有面积约 4.7平方公里，一期 增加2.9平方公里，达到7.6平方公里；二期将长兴乡马鞍村整村搬迁至长兴村，增加 5.5 平方公里，总体达到13.1平方公里；三期增加8.7平方公里，最终园区面积将达到21.8多 平方公里，新兴煤化工产业园区是一个以煤焦化及下游产品为主体的产业园区。园区功能齐备，水、电、路等基础设施建设基本到位。 基于上述政策和资源条件，提出一系列煤焦油项目，10万吨/年精荼项目是其中之一。 2产品性质与用途概述 荼为白色或微黄晶体，有强烈的气味，溶于酰、甲醇、无水乙醇氯仿等，常温下能升华， 与空气混合能形成爆炸性混合物，属易燃固体，分子量128,密度1.145g/cm3,沸点218C, 熔点80.2C,闪点80C，爆炸极限0.9?5.19%,自然点690C，折射率1.58218。精荼是工业荼进一步提纯制得的 含荼98.45%以上、结晶点不低于79.3 C的荼产品。精荼及荼系产品 广泛应用于合成树脂、涂料、医药、农药、轻工、塑料、助剂等行业，可用于制取苯酎、3 -荼酚、甲荼胺、H酸、丁睛橡胶、增塑剂、扩散剂、抗凝剂等产品，应当加以充分地利用，使其发挥更大的经济效益。 荼按其来源不同，分为煤焦油荼和石油荼。荼来源于煤焦油，它是在1819年发现并于
晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程 A.晶圆封装测试工序 一、 IC检测 1. 缺陷检查Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy) 用来检测出晶圆上是否有瑕疵，主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外，对已印有电路图案的图案晶圆成品而言，则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说，图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线，并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除，以辨识并发现瑕疵。 3. CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement) 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。 二、 IC封装 1. 构装(Packaging) IC构装依使用材料可分为陶瓷(ceramic)及塑胶(plastic)两种，而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例，其步骤依序为晶片切割(die saw)、黏晶(die mount / die bond)、焊线(wire bond)、封胶(mold)、剪切/成形(trim / form)、印字(mark)、电镀(plating)及检验(inspection)等。 (1) 晶片切割(die saw) 晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒(die)切割分离。 举例来说:以0.2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M 微量。
欲进行晶片切割，首先必须进行晶圆黏片，而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上，而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。 (2) 黏晶(die mount / die bond) 黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶(epoxy)粘着固定。黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣(magazine)内，以送至下一制程进行焊线。 (3) 焊线(wire bond) IC构装制程(Packaging)则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路(Integrated Circuit;简称IC)，此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架(Pin)，称之为打线，作为与外界电路板连接之用。 (4) 封胶(mold) 封胶之主要目的为防止湿气由外部侵入、以机械方式支持导线、內部产生热量之去除及提供能够手持之形体。其过程为将导线架置于框架上并预热，再将框架置于压模机上的构装模上，再以树脂充填并待硬化。 (5) 剪切/成形(trim / form) 剪切之目的为将导线架上构装完成之晶粒独立分开，并把不需要的连接用材料及部份凸出之树脂切除(dejunk)。成形之目的则是将外引脚压成各种预先设计好之形状，以便于装置于电路板上使用。剪切与成形主要由一部冲压机配上多套不同制程之模具，加上进料及出料机构所組成。 (6) 印字(mark)及电镀(plating) 印字乃将字体印于构装完的胶体之上，其目的在于注明商品之规格及制造者等资讯。