【8-1】判断下列说法是否正确。
1.只要具有正反馈，电路就一定能产生振荡。（ ）
2.只要满足正弦波振荡电路的相位平衡条件，电路就一定振荡。（ ）
3.凡满足振荡条件的反馈放大电路就一定能产生正弦波振荡。（ ）
4.正弦波振荡电路自行起振荡的幅值条件是1=F A 。（ ）
5.正弦波振荡电路维持振荡的条件时1AF =- 。（ ）
6.在反馈电路中，只要安排有LC 谐振电路，就一定能产生正弦波振荡。（ ）。
7.对于LC 正弦波振荡电路，若已满足相位平衡条件，则反馈系数越大越容易起振。（ ）
⑧电容三点式振荡电路输出的谐波成分比电感三点式的大，因此波形较差。（ ）
1. （ 否，还要看相位平衡条件。）
2. （ 否，还要看幅度平衡条件。）
解：
用瞬时极性法判断为负反馈，不能振荡。应将图13-2改为图13-2(b)可满足相位平衡条件。忽略VT 1基极回路的影响，振荡频率为
RC
f π21
0=
【8-3】在图8.10.2所示的三个电路中，应如何进一步连接，才能成为正弦波振荡电路？
o
④
C
③
EE
C b
+V
L2
L1
(a) (b)
④
③
L
(c)
图8.10.2 题8-3电路图
解：
图(a)，①接④；②接⑤；③接地。
图(b)，①接⑤；②接⑥；⑦接④；③接地。
图(c)，①接④；②接⑤；③接地。
【8-4】为了使图8.10.3中各电路能够产生正弦波振荡，请将图中j、k、m、n、p各点正确连接。
+V CC
R
C
3
R
C2
k
(a)(b)(c)
图8.10.3 题8-4电路图
解：
正确连线分别见下图中的(d)、(e)、(f)。
+V
CC
C
3
2
【8-5】电路如图8.10.4所示。试用相位平衡条件判断哪些电路可能振荡？哪些电路不可能振荡?并说明理由，对于不能振荡电路，应如何改接才能振荡？图中C e 、C
b
对交流信号可认为短路。
R
R
V
CC R1
R2
R1
2
C
(a) (b) (c)
图8.10.4 题8-5电路图
解：
图（a ）电路不满足自激振荡相位条件，故不能振荡。改进办法见电路图13-6(b)。
图（b ）电路不能振荡。因为LC 并联回路在谐振时阻抗趋于无穷大，因而电路不能形成正反馈通路。将LC 并联回路改为串联谐振回路，见电路图13-6(c)。
图（c ）电路虽满足自激振荡相位条件，但由于发射极有耦合电容，反馈量将被短接至地，因此该电路不能振荡。去掉发射极与地之间的电容C e 即可，见电路图13-6(d)。
R R C C
R +
R 2
R
C
2
图13-6(b) 图13-6(c) 图13-6(d)
【8-6】如图8.10.5所示电路中。 1. 为了能产生正弦波振荡，该电路中的集成运放的两个输入端各应该是什么输入端？ 2. 当这个电路能产生正弦波振荡时，它的振荡频率0f 表达式各如何？t R 的温度系数为正还是负？
图8.10.5 题8-6电路图
[解]
1．电路中的L 与C 组成并联谐振回路，当0f f ==
时，其阻抗最大，呈纯
电阻特性。由于该电路有两个反馈，从电路可见，这两个反馈必定有一个是正反馈，另一个是负反馈。LC 并联谐振回路当0f f =时引入的反馈最弱，故它应该引入负反馈，以便使该电路对频率为0f 的信号有最强的正反馈。故运放A 的上面一个输入端应该是反相输入端，下面一个输入端为同相输入端。
2．电路产生的正弦波频率为
0f =
为了使电路的输出电压幅度稳定，O U 增大时t R 引入的正反馈作用应该自行减弱，t R 值应
该增大，故t R 应该具有正的温度系数。
【8-7】 在图8.10.6的电路中，哪些能振荡？哪些不能振荡？能振荡的说出振荡电路的 类型，并写出振荡频率的表达式。
( )
a
o
( )
b
o
( )
c ( )
d L
o
o
图8.10.6 题8-7电路图
解：
图(a)、图(c)不满足相位平衡条件；图(b)、图(d)满足相位平衡条件，可能振荡。图(b)是电感三点式LC 振荡器，图(d)是电容三点式LC 振荡器。二者的振荡频率表达式分别为
0f =
≈
2
12
1021C C C
C L f +=
π
【8-8】 试用相位平衡条件判断图8.10.7中电路是否可能产生正弦波振荡？如能振荡，指出石英晶体工作在它的哪一个谐振频率？
C b
+V f 0
图8.10.7 题8-8电路图
C b
+V f 0
解:
若要满足正反馈的条件，石英晶体必须呈电感性才行，为此，产生振荡的频率应界于f s 和f p 之间。由于石英晶体的Q 值很高，可达到几千以上，所示电路的振荡频率稳定性要比普通LC 振荡电路高很多。石英晶体振荡电路的频率不易调节，往往只用于频率固定的场合。半可调电容器C s 只能对石英晶体的谐振频率作微小的调节。
【8-9】电路如图8.10.8所示，其中VD 1、VD 2为二极管，VD 3为6V 稳压管，二极管、稳压管和集成运放都是理想的，U om =±15V ，R 1= 1k Ω、R 2= 2k Ω、R 3= 2k Ω、R 4= 100k Ω。画
出电路o
u '的传输特性曲线。
u i
o '
图8.10.8 题8-9电路图
解：此题和第五章重复
当U om =+15V 时，二极管导通，稳压管击穿，运放的正反馈回路导通此时输出u o =6V 。 此时电路的阈值
V 4211
62123211Z 212REF TH1=+?++?=+++=R R R U R R R U U
当输入电压大于4V 时，运放的输出跳变为U om = -15V ，此时二极管VD 1和VD 2截止，
R 2回路不通，运放的阈值变为
V 3REF TH2==U U
于是可以画出电路的传输特性，见图13-11(b)。
O
6
34
V
i u V
o u 'O
6
3
4
V u o i u 15
-
图13-11(b) 电压传输特性
【8-10】 方波—三角波发生电路如图8.10.9所示，设A 1，A 2为理想运算放大器，说明R w 的作用，定性画出u o 波形，求u o 的峰峰值。
O t
o1
u O t
u o
T
Z
U -Z
U +1
T 2
T 4R R 3Z
U 4R R 3
Z
U U Z ＜U S
图8.10.9 题8-10电路图
解：
A 1构成滞回比较器，经双向稳压管得到幅度为±U Z 的方波；经A 2构成积分器后，得到三角波或锯齿波输出。这要由流经R 2的充电电流和放电电流二者的相对大小关系来确定，当充电电流等于放电电流时为三角波；当充电电流大于放电电流时为负向锯齿波；当充电电流小于放电电流时为正向锯齿波。至于充电电流和放电电流的大小，则取决于电阻R 2两端的电位差，充电时U Z 为正，U Z ＞U S ；放电时U Z 为负，U Z ＜U S 。所以，调节R w 即可得到三角波或正向锯齿波或负向锯齿波。u o 波形见图13-15(b)。
u o 的峰峰值取决于滞回比较器的翻转，A 1的阈值电压为
4
3Z 343o 4TH1R R U R R R u R U +++'=
4
3Z 343o 4TH2
R R U R R R u R U +-+''= 根据上两式，当阈值过０时，即可求出输出电压的幅值
4
Z
3o o
2R U R u u ='-''
【8-11】一压控振荡电路如图8.10.10所示，1R R ，硅稳压管VD Z 的稳定电压为Z U ±，
U I 为负的直流控制电压，集成运放A 1，A 2的性能理想。试求u o 的峰峰值及电路振荡频率f 0的表达式，并画出u o1及u o 的波形。
U I
u o
解：
A 1构成积分器，A 2构成过0比较器，积分器在负的直流控制电压U i 作用下工作。u o1
和u o 共同决定A 2的阈值，设初始状态，u o = -U Z ，所以+'2
u ＜０，于是二极管截止，积分器在U i 作用下正向积分，并拉动+'2
u 向0靠近，A 2的第一个阈值为 Z o1
w Z w w o1w 2
)1()1(kU u k R U
kR R u R k u -'-=-'-='+ A 2的第二个阈值为
Z o1
w
Z w w o1
w 2
)1()1(kU u k R U kR R u R k u +''-=+''-=''+ 当阈值过0时，比较器翻转，可求出u o1的峰峰值
k
kU u u u -=''-'=12Z
o1o1
o1pp u o 的峰峰值为2 U Z 。
u o1及u o 的波形见图13-16(b)。因121T T T T ≈+=,其中T 1期间，输出电压
1i
Z o1pp 12T RC
U k kU u =-=
i Z 1)1(2U k kRCU T -=
，Z
i
02)1(1kRCU U k T f -==。
O t
o
u O t
u o1
T
Z
U -Z
U +o1
U'1
T 2
T o1
U"
图13-16(b) 题13-16的波形图
图8.10.10 题8-11电路图
【8-12】图8.10.11给出的是能产生方波和三角波输出的压控振荡电路，设运放都是理想
的，电源电压为±15V ，VD1、VD2是理想的二极管，0V ＜U i ＜10V ，双向稳压管的工作电压为±10V ，请回答下列问题：
1．说明电路的工作原理；
2．推导输出信号频率与输入电压的关系式；
3．定量画出当U i =4V 、k =0.5时，U o3和U o4的波形（需明确标出幅值和时间参数的数值和单位）。
U o4
U
图8.10.11 题8-12电路图
解：
1. 已知运放A 1为同相输入的电压跟随器；运放A 2为反相器；运放A 3为积分器；运放A 4为滞回电压比较器。设积分器的输入为U A ，电路初始条件为：当t =0时，U O3=0V ，U O4=+U Z =10V ，且已知输入电压U I 为I 0V 10V U <<。
电路初始O10U >，O20U <，U O4=+U Z ；因此D1截止，D2导通，U A =U I >0，给积分电容C 充电，U O3下降，当U O3下降使运放A4的同相端电压U P <0时，U O4变为－U Z ；此时D1导通，D2截止，U A = U O2= -U I <0，使电容C 反向充电，U O3随之上升，当U O3上升使U P >0时，U O4变为+U Z ；如此循环往复，U O4输出方波，U O3输出三角波。…….….(4分)
2. 根据滞回电压比较器工作原理计算三角波输出U O3的幅值为
P O3O4(1)U k U KU =-+
O3m Z (1)
k
U U k =±
- 根据积分电路的表达式计算电路振荡周期为
1O3m A 012T U U dt RC =
?O3m Z
1A I
22(1)U k U T RC RC U k U ?==?- Z 1I
24(1)k U
T T RC k U ?==?-
I I Z 1111 (kHz)44k U k
f U T RC k U k
--?==??=……………….(4分)
3. 当U I =4V 、k =0.5时，计算出三角波幅值为O3m 10V U =±，振荡周期为1ms T =。
电路工作波形如图8.2.22所示。 (4)
)
(ms)
(ms)
U U
图8.2.22
第一章 1.你对信息技术如何理解？信息时代的概念是什么？ 答：信息技术是研究完成信息采集、加工、处理、传递、再生和控制的技术，是解放、扩展人的信息功能的技术。概念是信息技术为核心推动经济和社会形态发生重大变革。 2.NII GII的含义是什么？ 答：NII国家信息基础结构行动计划。GII全球信息基础设施。 3.现代通信的基本特征是什么？它的核心是什么？ 答：现代通信的基本特征是数字化，核心是计算机技术。 4.数字通信与模拟通信的主要区别是什么？试举例说明人们日常生活中的信息服务，哪些是模拟通信，哪些是数字通信。 答：模拟信号的电信号在时间上、瞬时值上是连续的，模拟信号技术简单，成本低，缺点是干扰严重，频带不宽、频带利用率不高、信号处理难、不易集成和设备庞大等。数字信号在时间，瞬时值上是离散的，编为1或0的脉冲信号。 5.数字通信的主要特点有哪些？ 答：数字通信便于存储、处理；数字信号便于交换和传输；数字信号便于组成多路通信系统；便于组成数字网；数字化技术便于通信设备小型化、微型化；数字通信抗干扰性强，噪声不积累。 6.为什么说数字通信抗干扰性强？噪声不积累？ 答：在模拟通信中，由于传输的信号是模拟信号，因此
很难把噪声干扰分开而去掉，随着传输距离的增加，信号的传输质量会越来越恶化。在数字通信中，传输的是脉冲信号，这些信号在传输过程中，也同样会有能量损失，受到噪声干扰，当信噪比还未恶化到一定程度时，可在适当距离或信号终端经过再生的方法，使之恢复原来的脉冲信号，消除干扰和噪声积累，就可以实现长距离高质量的通信。 7.你对网络全球化如何理解？它对人类生活将带来什么样的影响？ 答：我认为网络全球化是以内特网为全球范围的公共网，用户数量与日俱增，全球各大网络公司抢占内特网网络资源，各国政府高度重视，投资研发的网络，全球网络化的发展趋势是即能实现各国国情的应用服务，又能实现突破地区、国家界限的世界服务，使世界越来越小。 8.什么是现代通信？它与信息网关系如何？ 答：现代通信就是数字通信系统与计算机融合，实现信源到信宿之间完成数字信号处理、传输和交换全过程。 信息网是多种通信系统综合应用的产物，信息网源于通信系统，但高于通信系统，通信系统是各种网不可缺少的物质基础。通信系统可以独立地存在并组成网络，而通信网不可能离开系统而单独存在。 9.信息网的网络拓扑结构有哪几种类型，各自有何特点？ 答：有星型网，以一中点向四周辐射，现在的程控交换局与其所在的各电话用户的连线就是这种结构。
模拟电子技术基础复习题 图1 图2 一、填空题 1、现有基本放大电路：①共射放大电路②共基放大电路③共集放大电路 ④共源放大电路 一般情况下，上述电路中输入电阻最大的电路是③，输入电阻最小的电路是②，输出电阻最小的电路是③，频带最宽的电路是②；既能放大电流，又能放大电压的电路是①；只能放大电流，不能放大电压的电路是③；只能放大电压，不能放大电流的电路是②。 2、如图1所示电路中，已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ，电流放大系数为β，B-E间动态电阻为r be。填空： （1）静态时，I BQ的表达式为，I CQ的表达式为；，U CEQ的表达式为 （2）电压放大倍数的表达式为，输入电阻的表达式为，输出电阻的表达式为； （3）若减小R B，则I CQ将 A ，r bc将 C ，将 C ，R i将 C ，R o将 B 。
A.增大 B.不变 C.减小 当输入电压不变时，R B减小到一定程度，输出将产生 A 失真。 A.饱和 B.截止 3、如图1所示电路中， （1）若测得输入电压有效值为10mV，输出电压有效值为1.5V，则其电压放大倍数= 150；若已知此时信号源电压有效值为20mV，信号源内阻为1kΩ，则放大电路的输入电阻R i= 1 。 （2）若已知电路空载时输出电压有效值为1V，带5 kΩ负载时变为0.75V，则放大电路的输出电阻Ro 1.67 。 （3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将R B增大或将Rc 减小的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真，则只有通过设置合适的静态工作点的方法才能消除失真。 4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以RC串联支路、RC并联支路、 电阻R1 和R2 各为一臂而组成的。 5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为变压器反馈式、电感三点式和 电容三点式三种电路，其中电容三点式振荡电路的振荡频率最为稳定。 6、为了得到音频信号发生器，应采用正弦波振荡电路。 7、稳压电源一般由整流电路、滤波电路和稳压电路三部分电路组成。 8、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候，应采用电容滤波电
2.2 求M/M/m （n ）中，等待时间w 的概率密度函数。 解： M/M/m （n ）的概率分布为： 1 1010011!)(!)(--=--?? ????--+=∑m r m n m k m m p k m p ρρρρ ??? ? ???>≤≤-≤≤=n k n k m p k m m k p k m p k m k k 0!10!)(00ρρ 假定n>m ，n ≥0，现在来计算概率P{w>x}，既等待时间大于x 的概率。 ∑=>?=>n j j j x w P p x w P 0 }{}{ 其中，P j {w>x}的概率为： n j m x w P n j m i x m e x w P m j x w P j m j i i x m j j ≤≤=>-≤≤? = >-≤≤=>∑-=-1 }{1! )(}{1 00 }{0 μμ 可得： x m m n n i m m n i i x m m n m j n m j i i x m j m n n m j m j i i x m j e m m P x w P 则 若n P i x m e P m m i x m e P m m P i x m e P x w P )(010 010010 ! )(1}{1!)(!!)(!! )(}{λμμμμρρρρρμρμρμ--+--=--=-=--=-=-?-=>∞→+--?=??????+??=+??=>∑∑∑∑∑ 特别的，新到顾客需等待的概率为： ! )(1}0{0m m P W P m ρρ?-=>
] )! 1() ()!1()(!)()([)1(!)(而 1 2 10--------=----=---∑m n m m m n x m i x m e m P m x f m n n m n i m n m i m x m m w μλμρλμρλλμρρμ n m k k x m m m w P w P P w P 注： e m m P m x f 在n =∞===--=∞→∑-=--}{}0{)() 1(!)(10 )(0 λμλμρρ 2.4求M/D/1排队问题中等待时间W 的一、二、三阶矩m 1、m 2、m 3，D 表示服务时间为定值b ，到达率为λ。 解： ) () 1()(S B s s s G λλρ+--= 其中 sb st e dt e b t s B -∞ -=-=?0 )()(δ 从而 sb e s s s G -+--=λλρ)1()( 又 ∑∞ ==0 )(i i i s g s G )1(!)(00ρλλ-=??? ? ??-?+-??? ??∴∑∑∞ =∞=s j sb s s g j j i i i b g λρ--=110 221)1(2)1(b b g λρλ---= 3 4232) 1(12) 2)(1(b b b g λλλρ-+-= 3 4 332 3 222 114 43)1(4)21(6)0()1(6)2(2)0() 1(2)0() () 1(24)1)(21(ρλρρλρρλρλλλρλ-+= ?='''-=-+= ?=''=-= -='-==--+-=b g G m b g G m b g G m b b b b g Λ 2.5 求M/B/1，B/M/1和B/B/1排队问题的平均等待时间W ，其中B 是二阶指数分布： 100 ,)1()(212121<<>-+=--αλλλααλλλt t e e t f
第一章 1.1 在一本征硅中，掺入施主杂质，其浓度D N =?214 10cm 3 -。 （1）求室温300K 时自由电子和空穴的热平衡浓度值，并说明半导体为P 型或N 型。 （2 若再掺入受主杂质，其浓度A N =?31410cm 3 -，重复（1）。 （3）若D N =A N =1510cm 3 -,，重复（1）。 （4）若D N =16 10cm 3 -，A N =14 10cm 3 -，重复（1）。 解：（1）已知本征硅室温时热平衡载流子浓度值i n =?5.110 10 cm 3 -，施主杂质 D N =?21410cm 3->> i n =?5.11010 cm 3-，所以可得多子自由浓度为 0n ≈D N =?214 10cm 3 - 少子空穴浓度 0p =0 2 n n i =?125.16 10cm 3- 该半导体为N 型。 （2）因为D A N N -=14101?cm 3 ->>i n ，所以多子空穴浓度 0p ≈14 101?cm 3 - 少子电子浓度 0n =0 2 p n i =?25.26 10cm 3- 该半导体为P 型。 （3）因为A N =D N ,所以 0p = 0n = i n =?5.11010cm 3 - 该半导体为本征半导体。 （4）因为A D N N -=10-16 1014 =99?1014 （cm 3 -）>>i n ，所以，多子自由电子浓度 0n =?9914 10 cm 3- 空穴浓度 0p =0 2 n n i =14 2101099)105.1(??=2.27?104（cm 3 -）
该导体为N 型。 1.3 二极管电路如图1.3所示。已知直流电源电压为6V ，二极管直流管压降为0.7V 。 （1） 试求流过二极管的直流电流。 （2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 各为多少？ 解：（1）流过二极管的直流电流也就是图1.3的回路电流，即 D I = A 1007 .06-=53mA (2) D R =A V 3 10537.0-?=13.2Ω D r =D T I U =A V 3310531026--??=0.49Ω 1.4二极管电路如题图1.4所示。 （1）设二极管为理想二极管，试问流过负载L R 的电流为多少？ （2）设二极管可看作是恒压降模型，并设二极管的导通电压7.0)(=on D U V ，试问流过负载L R 的电流是多少？ （3）设二极管可看作是折线模型，并设二极管的门限电压7.0)(=on D U V ，()Ω=20on D r ，试问流过负载的电流是多少？ （4）将电源电压反接时，流过负载电阻的电流是多少？ （5）增加电源电压E ，其他参数不变时，二极管的交流电阻怎样变化？ 解：（1）100== L R E I mA D 题图1.4 10V + E R L 100Ω + 6V D R 100Ω 图1.3
《 模 拟 电 子 技 术 》 练 习 填 空 1.半导体是一种导电能力介于 ________与 ________ 之间的物质 。 2.当外界温度、光照等发生变化时，半导体的______能力会发生很大变化。 3.在半导体中，参与导电的不仅有_________，而且还有_______，这是半导体区别导体导电的重要特征 。 4.N 型半导体主要靠_______导电，P 型半导体主要靠______导电 。 5.PN 结正向偏置是将P 区接电源的______极，N 区接电源的_____极 。 6.PN 结加正向电压时______，加反向电压时________，这种特性称为PN 结的______________________________。 7.整流二极管的最主要特性是__________，使用时应考虑的两个主要参数是__________和______________。 8.在常温下，硅二极管的死区电压约为______V ，导通后在较大电流下的正向压降约为________V ，锗二极管的死区电压约为_______V ，导通后在较大电流下的正向压降约为_______ V 。 9.当加在二极管两端的反向电压过高时，二极管会被 ________ 。 10.用指针式万用表的两表棒分别接触一个二极管的两端，当测得的电阻值较小时，黑表笔所接触的一端是二极管的________极 。 11.电路如图所示，试确定二极管是正偏还是反偏。 设二极管正偏时的正向压降为0.7V ，估 算 U A ~ U D 值 。 图 a ：VD 1_______ 偏置 ， U A =_____，U B =_______； 图 b ：VD 2________ 置 ， U C =_____，U D =_______。 12.判断下图所示各电路中二极管是导通还是截止， 并求出AB 两端电压U AB （设二极管均为理想二极管） 图a ：VD_______，U AB _______。 图b ：VD_______，U AB _______。 图c ：VD_______，U AB _______。 图d ：VD 1_______，VD 2_______， U AB _______ 。 13.硅稳压管是工作在_________状态下的硅二极管，在实际工作中，为了保护稳压管，需在外电路串接 _________。
第八章自我检测题参考答案 一、填空题 1.图Z8.1所示电路，求 ⑴变压器二次电压U2=15V； ⑵负载电流I L=10mA ⑶流过限流电阻的电流I R=24mA；提示：I R=（U C-U O）/R ⑷流过稳压二极管的电流为14mA。 2.78M12的输出电压为12V，最大输出电流为0.5A。 3.CW317三端可调集成稳压器，能够在1.2V至37V输出范围内提供1.5A的最大输出电流。 二、选择题 1.图Z8.2所示电路，若U I上升，则U O(A)→U A（A）→U CE1（C）→U O（B）。 A.增大 B.不变 C.减小 2.PWM开关稳压电源，当电网电压升高时，其调节过程为U O(A)→占空比D（B）→U O(C)。 A.增大 B. 减小 C.不变 3.图Z8.3所示电路装接正确的是（b）。
三、图8.1.3所示电路，写出U O 的表达式，若U Z =6，计算U O 的调节范围。 解： Z P Z P P O U R R R U R R R R R U ??? ? ? ?++=+++= 12 1211 代入数据 U Omin =?? ? ? ?++ 51.0131×6V≈17.9V U Omax =（1+3/0.51）×6V≈41.3V 该电路的输出电压调节范围为17.9V ～41.3V 。 四、将图Z8.3的元器件正确连接起来，组成一个电压可调稳压电源。 解：画出参考接线如下图红线所示。 第八章 习题参考答案 8.1图Z8.1所示电路，若负载不变，当电网电压下降时，I R 、I Z 、U R 、U O 分别如何变化？ 解： 图Z8.1所示电路，若负载不变，当电网电压下降时，I R ↓，I Z ↓↓，U R ↓，U O ↑。 8.2在电网电压波动范围为±10%的情况下，设计一输出电压为6V ，负载电阻范围为1kΩ至∞的桥式整流电容滤波硅稳压管并联稳压电源。 提示：U I 可按（2～3）U O 经验公式选取。
模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生
( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。
8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路
1.1答：通信网络由子网和终端构成（物理传输链路和链路的汇聚点），常用的通信网络有A TM 网络，X.25分组数据网络，PSTN ，ISDN ，移动通信网等。 1.2答：通信链路包括接入链路和网络链路。 接入链路有：（1）Modem 链路，利用PSTN 电话线路，在用户和网络侧分别添加Modem 设备来实现数据传输，速率为300b/s 和56kb/s ；（2）xDSL 链路，通过数字技术，对PSTN 端局到用户终端之间的用户线路进行改造而成的数字用户线DSL ，x 表示不同的传输方案；（3）ISDN ，利用PSTN 实现数据传输，提供两个基本信道：B 信道（64kb/s ），D 信道（16kb/s 或64kb/s ）；（4）数字蜂窝移动通信链路，十几kb/s ～2Mb/s ；（5）以太网，双绞线峰值速率10Mb/s,100Mb/s 。 网络链路有：（1）X.25提供48kb/s ，56kb/s 或64kb/s 的传输速率，采用分组交换，以虚电路形式向用户提供传输链路；（2） 帧中继，吞吐量大，速率为64kb/s ，2.048Mb/s ；（3）SDH （同步数字系列），具有标准化的结构等级STM-N ；（4）光波分复用WDM ，在一根光纤中能同时传输多个波长的光信号。 1.3答：分组交换网中，将消息分成许多较短的，格式化的分组进行传输和交换，每一个分组由若干比特组成一个比特串，每个分组 都包括一个附加的分组头，分组头指明该分组的目的节点及其它网络控制信息。每个网络节点采用存储转发的方式来实现分组的交换。 1.4答：虚电路是分组传输中两种基本的选择路由的方式之一。在一个会话过程开始时，确定一条源节点到目的节点的逻辑通路，在 实际分组传输时才占用物理链路，无分组传输时不占用物理链路，此时物理链路可用于其它用户分组的传输。会话过程中的所有分组都沿此逻辑通道进行。而传统电话交换网PSTN 中物理链路始终存在，无论有无数据传输。 1.5答：差别：ATM 信元采用全网统一的固定长度的信元进行传输和交换，长度和格式固定，可用硬件电路处理，缩短了处理时间。为 支持不同类型的业务，ATM 网络提供四种类别的服务：A,B,C,D 类，采用五种适配方法：AAL1～AAL5,形成协议数据单元CS-PDU ，再将CS-PDU 分成信元，再传输。 1.7答：OSI 模型七个层次为：应用层，表示层，会话层，运输层，网络层，数据链路层，物理层。TCP/IP 五个相对独立的层次为： 应用层，运输层，互联网层，网络接入层，物理层。 它们的对应关系如下： OSI 模型 TCP/IP 参考模型 1.10解：()()Y t t X +=π2cos 2 ()()Y Y X cos 22cos 21=+=π
【6-1】在图6.11.1所示的电路中，A 均为理想运算放大器，其中的图(e)电路，已知运放的最大输出电压大于U Z ，且电路处于线性放大状态，试写出各电路的输出与输入的关系式。 A R 2R A ∞ R 2 R F R 1 u I +_ u O +_ u I +_ u O +_ (a) (b) (c) (d) (e) 图6.11.1题6-1电路图 解： 图（a ）：u O =-2u I ； 图（b ）： 2 O I 12 R u u R R = ?+； 图（c ）：u O =-u I +2u I =u I ； 图（d ）：I1I2O 121()d u u u t C R R =-+?； 图（e ）： 2 O Z O 23 ,R u U u R R =+ + 故得2O 3(1)Z R u U R =+。 【6-2】电路如图6.11.2(a)所示。 1. 写出电路的名称。 2. 若输入信号波形如图(b)所示，试画出输出电压的波形并标明有关的电压和所对应的时间数值。设A 为理想运算放大器，两个正、反串接稳压管的稳压值为±5V。 3. 对电路进行仿真，验证计算结果。
u i t (s) 10 -10 1 2 3 4 (V) 图6.11.2 题6-2电路图 解： 1. 带限幅的反相比例放大电路； 2. 当| u I |≤1V 时，电路增益A uf =-5；当| u I |≥1V 时，| u O |被限制在5V 。波形如图4-3。 u I t /s 10 -101 2 34 /V u O t 5 -5 /V 0.1 1.9 2.1 /s 图4-3 【6-3】在图 6.11.3所示的增益可调的反相比例运算电路中，已知R 1＝ R w =10kΩ、R 2=20kΩ、U I =1V ，设A 为理想运放，其输出电压最大值为±12V，求： 1． 当电位器R w 的滑动端上移到顶部极限位置时，U o = 2． 当电位器R w 的滑动端处在中间位置时，U o = 3． 电路的输入电阻R i = 图6.11.3 题6-3电路图
简述耗尽型和增强型HOS场效应管结构的区别：对于适当的电压偏置(Es>OV,仏>%), 画出P沟道增强型HOS场效应管，简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区，并简述工作原理。 解：耗尽熨场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道，连通了源区和漏区，也就是说，耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。而增强型场效应管需要外加电压入产生沟道。 氧化层 源极(S稠极(G) /涌极(D) 甘底WB) (a) 随着役逐渐增人，栅极下面的衬底农闻会积聚越来越多的空穴，当空穴数量达到?定时, 栅极下闻的衬底农闻空穴浓度会超过电犷浓度,从而形成了?个''新的P型区”，它连接源区和漏区。如果此时在源极和漏极之间加上?个负电压bs，那么空穴就会沿着新的P型区定向地从源区向漏区移动，从而形成电流，把该电流称为漏极电流，记为当咲?定，而l，SD持续增人时，则相应的1&；减小，近漏极端的沟道深度进-步减小，直至沟道预夹断，进入饱和区。电流咕不再随的变化而变化，而是?个恒定值。 考虑?个N沟道MOSFET,其监二50 u A/V\ K = IV,以及疗Z = 10。求下列情况下的漏极电流： (1)Ks = 5V且仏二IV： (2)= 2V 且仏二： (3)Vis = J L =: (4)Ks = ^ = 5Vo (1)根据条件v GS^V；, v DS<(v GS-V,),该场效应管工作在变阻区。 Z D = K 7；［(V GS _V t)V DS - | V DS = (2)根据条件v GS^V；, v IJS>(y GS-V l),该场效应管工作在饱和区。 (3)根据条件该场效应管工作在截止区，咕=0 (4)根据条件匕2?，%>(沧一?)，该场效应管工作在饱和区B =4；学(心 -％)SmA 由实验测得两种场效应管具有如图题所示的输出特性曲线，试判断它们的类型，并确宦夹断电压或开启电压值。
2、电话交换技术发展的三个阶段是什么，各个阶段的交换设备的特点是什么 电话交换技术的发展经历了三个阶段:人工交换阶段;机电式自动交换阶段;电子式自动交换阶段。 特点: 人工电话交换机由人工完成接续,接续速度慢,用户使用不方便。但这一阶段电话机的基本动作原理和用户线上的接口标准直到今天还在使用。 机电式自动交换阶段与人工交换机相比主要有两点不同：为每个用户指定唯一的电话号码,通过拨号盘自动拨号;使用电磁控制的机械触点开关代替人工操作,自动实现线路连接。 电子式自动交换阶段采用逻辑控制方式,这种方式灵活性差,控制逻辑复杂,很难随时按需要更改控制逻辑。 3、程控交换系统是由哪几个部分组成的，各组成部分完成的功能是什么 数字程控交换机系统结构由控制子系统和话路子系统构成。 控制子系统:是交换机的指挥系统,交换机的所有动作都是在控制系统的控制下完成的。 话路子系统是由中央级交换网络和用户级交换网络以及各种接口设备组成的。 — 交换网络:实现不同线路端口上的话音交换。 接口设备:完成外部信号与交换机内部信号的转换。 4、设置远端用户模块有什么好处，远端用户模块和用户模块相比其工作特点有何不同
好处：远端用户模块的设置节省了用户线路的投资，将模拟信号传输改为数字信号传输，改善了线路的传输质量。 不同：远端用户模块与用户模块相比，首先信号传输码型不同。远端用户模块距离远，需要采用HDB3码传输。另外，它放置在远离中央级且用户比较集中的地方，而且其功能通常还有两点特殊要求： （1）远端用户模块一般具有模块内的交换功能； （2）当远端用户模块与母局之间的PCM链路出现故障无法进行任何通信时，模块内部的用户之间可以正常通话；能继续提供 119、110、120和122等特种服务；至少能保存最近24小时 的计费信息，一旦与母局恢复联系可将计费信息转至母局。 5、数字程控交换机的接口类型都有哪些 数字程控交换机用户侧接口V类和Z类接口，数字程控交换机与其他交换机的网络侧接口A类、B类、C类及网管接口Q3接口。 6、用户电路的BORSCHT七大功能是什么，还有哪些功能在一些特殊应用是会用到 ( B(Battery feeding)馈电 O(Overvoltage protection)过压保护 R(Ringing control)振铃控制 S(Supervision)监视 C(CODEC & filters)编译码和滤波 H(Hybird circuit)混合电路 T(Test)测试 除去以上几个七项基本功能外，还有主叫号码显示，计费脉冲发送，极性反转等功能。 7、数字中继电路完成哪些功能
习题第2章 【2-1】填空： 1．本征半导体是，其载流子是和。两种载流子的浓度。 2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。 3．漂移电流是在作用下形成的。 4．二极管的最主要特征是，与此有关的两个主要参数是和。 5．稳压管是利用了二极管的特征，而制造的特殊二极管。它工作在。描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是、、、和。 6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将。 1.完全纯净的半导体，自由电子，空穴，相等。 2.杂质浓度，温度。 3.少数载流子，(内)电场力。 4.单向导电性，正向导通压降U F和反向饱和电流I S。 5.反向击穿特性曲线陡直，反向击穿区，稳定电压（U Z），工作电流（I Emin），最大管耗（P Zmax）和动态电阻（r Z） 6.增大; 【2-2】试分析图2.10.1电路，计算电位器调节端对地的输出电压范围。 + 12 12V 图2.10.1 题2-2电路图 解： 二极管的正向特性曲线，当电流较大时，比较陡直，也具有一定的稳压特性。此题就是利用二极管的正向特性来获得比较稳定的低的直流电压值。可以从其他电源转换而来，例如图中的±12V直流电源，比通过电阻降压要好。 两个二极管正偏工作，a、b二点间的电压为1.4V。330W的电位器跨接在a、b二点之间，a 点是+0.7V，b点是-0.7V。U o对地电压的调节范围-0.7V~+0.7V，电位器的中点是0V。 【2-3】电路如图2.10.2所示，二极管均为理想二极管，电压U为220V市电，L1、L2和L3为3个灯泡，请分析哪个灯泡最亮。 123 图2.10.2 题2-3电路图 [解] 根据题意，电压U为220V交流市电，故该电路的分析应该从正半周和负半周两个
第8章 滤波电路及放大电路的频率响应 习 题 8 8.1 设运放为理想器件。在下列几种情况下，他们分别属于哪种类型的滤波电路（低通、高通、带通、带阻）？并定性画出其幅频特性。 （1）理想情况下，当0f =和f →∞时的电压增益相等，且不为零； （2）直流电压增益就是它的通带电压增益； （3）理想情况下，当f →∞时的电压增益就是它的通带电压增益； （4）在0f =和f →∞时，电压增益都等于零。 解：（1）带阻 （2）低通 （3）高通 （4）带通 V A (2)理理理理 (3)理理理理 (4)理理理理 (1)理理理理 H A A A A V A V A V A 8.2 在下列各种情况下，应分别采用哪种类型（低通、高通、带通、带阻）的滤波电路。 （1）希望抑制50Hz 交流电源的干扰； （2）希望抑制500Hz 以下的信号； （3）有用信号频率低于500Hz ； （4）有用信号频率为500 Hz 。 解：（1）带阻 （2）高通 （3）低通（4）带通 8.3 一个具有一阶低通特性的电压放大器，它的直流电压增益为60dB ，3dB 频率为1000Hz 。分别求频率为100Hz ，10KHz ，100KHz 和1MHz 时的增益。 解：H Z o 100H ,60dB f A ==，其幅频特性如图所示
3dB -20dB/理 理理理 20 40 60 f/Hz Z v 20lg /dB A ? ??(a)理理理理 u 100Hz,60dB f A == u H 10KHz,6020lg 40,40dB f f A f =-== u H 100KHz,6020lg 20,20dB f f A f =-== u H 10MHz,6020lg 0,0dB f f A f =-== 8.4 电路如图8.1所示的，图中C=0.1μF ，R=5K Ω。 （1）确定其截止频率； （2）画出幅频响应的渐进线和－3dB 点。 图8.1 习题8.4电路图 解：L 36 11 318.3(Hz)225100.110 f RC ππ--= ==????
习题第3章 【3-1】 如何用指针式万用表判断出一个晶体管是NPN 型还是PNP 型？如何判断出管子的三个电极？锗管和硅管如何通过实验区别？ 解： 1． 预备知识 万用表欧姆挡可以等效为由一个电源（电池）、一个电阻和微安表相串联的电路，如图1.4.11所示。 μA 正极红笔 E -+ - e e NPN PNP 图1.4.11 万用表等效图 图1.4.12 NPN 和PNP 管等效图 (1) 晶体管可视为两个背靠背连接的二极管，如图1.4.12所示。 (2) 度很低。2(1) （或(2) 红表笔与然后两如图 图 1.4.13 测试示意图 【3-2】 图3.11.1所示电路中，当开关分别掷在1、2、3 位置时，在哪个位置时I B 最大，在哪个位置时I B 最小？为什么? o 图3.11.1 题3-2电路图
[解] 当开关处于位置2 时，相当一个发射结，此时I B 最大。当开关处于位置1时，c 、e 短路，相当于晶体管输入特性曲线中U CE =0V 的那一条，集电极多少有一些收集载流子的作用，基区的复合还比较大，I B 次之。当开关处于位置3 时，因集电结有较大的反偏，能收集较多的载流子，于是基区的复合减少，I B 最小。 【3-3】 用万用表直流电压挡测得电路中晶体管各极对地电位如图3.11.2所示，试判断晶体管分别处于哪种工作状态(饱和、截止、放大)？ + 6V + 12V -- - 图3.11.2 题3-3电路图 解： 【3-4】 [解(a)管压降U B I β (b)(c)电路中，BE B 12V 0.023mA 510k U I -=≈Ω ，CE B 12V 5.1k 6.1V U I β=-??Ω=，管压降足以建立集电 极结反压，晶体管工作在放大区。 【3-5】分别画出图3.11.4所示各电路的直流通路和交流通路。
4.1 简述耗尽型和增强型MOS 场效应管结构的区别；对于适当的电压偏置（V DS >0V ，V GS >V T ），画出P 沟道增强型MOS 场效应管，简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区，并简述工作原理。 解：耗尽型场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道，连通了源区和漏区，也就是说，耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。而增强型场效应管需要外加电压V GS 产生沟道。 随着V SG 逐渐增大，栅极下面的衬底表面会积聚越来越多的空穴，当空穴数量达到一定时，栅极下面的衬底表面空穴浓度会超过电子浓度，从而形成了一个“新的P 型区”，它连接源区和漏区。如果此时在源极和漏极之间加上一个负电压DS V ，那么空穴就会沿着新的P 型区定向地从源区向漏区移动，从而形成电流，把该电流称为漏极电流，记为D i 。当SG v 一定，而SD v 持续增大时，则相应的DG v 减小，近漏极端的沟道深度进一步减小，直至DG t v V =，沟道预夹断，进入饱和区。电流D i 不再随SD v 的变化而变化，而是一个恒定值。 4.2 考虑一个N 沟道MOSFET ，其n k '= 50μA/V 2，V t = 1V ，以及W /L = 10。求下列情况下的漏极电流： （1）V GS = 5V 且V DS = 1V ； （2）V GS = 2V 且V DS = 1.2V ； （3）V GS = 0.5V 且V DS = 0.2V ； （4）V GS = V DS = 5V 。 (1) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V <-，该场效应管工作在变阻区。 ()2D n GS t DS DS 1W i k v V v v ??'=--???? =1.75mA (2) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V >-，该场效应管工作在饱和区。 ()2 D n GS t 12W i k v V L '=-=0.25mA (3) 根据条件GS t v V <，该场效应管工作在截止区，D 0i = (4) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V >-，该场效应管工作在饱和区 ()2 D n GS t 1W i k v V '=-=4mA 4.3 由实验测得两种场效应管具有如图题4.1所示的输出特性曲线，试判断它们的类型，并确定夹断电压或开启电压值。
模电典型例题分析 第一章 题1.1 1、对某放大电路进行测试，u s=15mv,Rs=1kΩ，R L=12 kΩ。若测得ui=12 mv,则可知该放大电路的输入电阻Ri= kΩ。若当开关S断开时，测得uo=1.5v, 当开关S闭合时，测得uo=1.2v，则可知该放大电路的输出电阻Ro= kΩ。 2、对某放大电路进行测试，当接入一个内阻等于零的电压信号源时，测得输出电压为5V，在信号源内阻增大到1，其它条件不变时，测得输出电压为4V， 说明该放大电路的输入电阻Ri= ______kΩ。若在接有2负载电阻时，测得输 出电压为3V，在输入电压不变的情况下断开负载电阻，输出电压上升到7.5V，说明该放大电路的输出电阻Ro= kΩ。 3、用两个放大电路A和B分别对同一个电压信号进行放大，当输出端开路时，U OA=U OB；都接入负载电阻R L时，测得U OA
=8.26和=2.5 第二章 题2.1 1.如图所示电路，已知集成运放开环差模电压增益为∞，其电源电压±VCC=±14V ，Ui=1V ；R1＝10k,Rw=100k 。请问：当Rw 滑动端分别在最下端、最上端和中点时时，输出Uo ＝？V ； 解：14V ,1V ,6（7）V 2.如图所示电路，已知集成运放开环差模电压增益为∞，其电源电压±VCC=±14V ，Ui=1V ；R1＝10k,R2=200k 。请问： 当R2滑动端在最左端、最右端、中点时输出Uo ＝？V ； 最左端时Uo ＝ -14 V ；最右端时Uo ＝ 0 V ；中点时Uo ＝ -10 V 。 题 2.2 在题图所示的放大电路中，已知Ω=====k R R R R R 1087521， Ω===k R R R 201096∶ ① 列出1O u 、2O u 和O u 的表达式； ② 设V u I 3.01=，V u I 1.02=，则输出电压?=O u s i s i i v v R R R += L o L i O o R R R A V +=v v s v v o = VS A L o L o R R R A +=v
【6-1】在图6.11.1所示的电路中，A 均为理想运算放大器，其中的图(e)电路，已知运放的最大输出电压大于U Z ，且电路处于线性放大状态，试写出各电路的输出与输入的关系式。 A R 2R u I + _ u O +_ (a) (b) (e) 解： 。 【6-21. 写出电路的名称。 2. 若输入信号波形如图(b)所示，试画出输出电压的波形并标明有关的电压和所对应的时间数值。设A 为理想运算放大器，两个正、反串接稳压管的稳压值为±5V 。 3. 对电路进行仿真，验证计算结果。
u i t (s) 10 -10 1 2 3 4 (V) 图6.11.2 题6-2电路图 解： 1. 带限幅的反相比例放大电路； 2. 当| u I |≤1V 时，电路增益A uf =-5；当| u I |≥1V 时，| u O |被限制在5V 。波形如图4-3。 u I t /s 10 -101 2 34 /V u O t 5 -5 /V 0.1 1.9 2.1 /s 图4-3 【6-3】在图6.11.3所示的增益可调的反相比例运算电路中，已知R 1＝R w =10kΩ、R 2=20kΩ、U I =1V ，设A 为理想运放，其输出电压最大值为±12V ，求： 1． 当电位器R w 的滑动端上移到顶部极限位置时，U o =? 2． 当电位器R w 的滑动端处在中间位置时，U o =? 3． 电路的输入电阻R i =？ 图6.11.3 题6-3电路图
解： 1. 2 o o1I 1 2V R U U U R ==- ?=- 2. o o124V U U ==- 3. r i =R 1=10k Ω。 【6-4】图6.11.4中的D 为一个PN 结测温敏感元件，它在20℃时的正向压降为0.560V ，其温度系数为–2mV/℃，设运放是理想的，其他元件参数如图所示，试回答： 1． I 流向何处？它为什么要用恒流源？ 2．第一级的电压放大倍数是多少？ 3．当R w 的滑动端处于中间位置时，U o (20℃)=？U o (30℃)=？ 4．U o 的数值是如何代表温度的(U o 与温度有何关系)？ 5．温度每变化一度，U o 变化多少伏？ 图6.11.4 题6-4电路图 解： 1. I 全部流入二极管VD 。因u D =f （i D ，T ），为使测温时u D =f （T ），应使i D 为常数， 此处的二极管电流I 要采用恒流源提供。 2. A u1=5； 3. u O1（20℃）=2.8V ，u O1（30℃）=2.7V ；U p= -3V ； 于是，u O （20℃）=0.2V ，u O1（30℃）=0.3V 4. u O =0.20V 代表20℃，u O =0.30代表30℃，以此类推。总之，在数值上，T （℃）与100u O （V ）相当。 5. 温度每变化1℃，u O 变化10mV 。 【6-5】在图 6.11.5所示电路中，运放为理想的，电阻Ω=k 331R ，Ω=k 502R ， Ω=k 3003R ，Ω==k 100f 4R R ，电容C =100μF 。设0=t 时，V 1i1=u ，V 2i2-=u ， V 0)0(C =u ，求当s 10=t 时的输出电压值。
简述耗尽型和增强型MOS 场效应管结构的区别；对于适当的电压偏置（V DS >0V ，V GS >V T ），画出P 沟道增强型MOS 场效应管，简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区，并简述工作原理。 解：耗尽型场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道，连通了源区和漏区，也就是说，耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。而增强型场效应管需要外加电压V GS 产生沟道。 随着V SG 逐渐增大，栅极下面的衬底表面会积聚越来越多的空穴，当空穴数量达到一定时，栅极下面的衬底表面空穴浓度会超过电子浓度，从而形成了一个“新的P 型区”，它连接源区和漏区。如果此时在源极和漏极之间加上一个负电压DS V ，那么空穴就会沿着新的P 型区定向地从源区向漏区移动，从而形成电流，把该电流称为漏极电流，记为D i 。当SG v 一定，而SD v 持续增大时，则相应的DG v 减小，近漏极端的沟道深度进一步减小，直至DG t v V =，沟道预夹断，进入饱和区。电流D i 不再随SD v 的变化而变化，而是一个恒定值。 考虑一个N 沟道MOSFET ，其n k '=?50μA/V 2，V t ?=?1V ，以及W /L ?=?10。求下列情况下的漏极电流： （1）V GS?=?5V 且V DS?=?1V ； （2）V GS?=?2V 且V DS?=?； （3）V GS?=?且V DS?=?； （4）V GS?=?V DS?=?5V 。 (1) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V <-，该场效应管工作在变阻区。 ()2D n GS t DS DS 12W i k v V v v L ??'=--???? = (2) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V >-，该场效应管工作在饱和区。 ()2 D n GS t 12W i k v V L '=-= (3) 根据条件GS t v V <，该场效应管工作在截止区，D 0i = (4) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V >-，该场效应管工作在饱和区 ()2 D n GS t 12W i k v V L '=-=4mA 由实验测得两种场效应管具有如图题所示的输出特性曲线，试判断它们的类型，并确定夹断电压或开启电压值。 图题 图（a ）P 沟道耗尽型 图 (b) P 沟道增强型 一个NMOS 晶体管有V t?=?1V 。当V GS?=?2V 时，求得电阻r DS 为1k?。为了使r DS?=?500?，则V GS 为多少？当晶体管的W 为原W 的二分之一时，求其相应的电阻值。 解：由题目可知，该晶体管工作在变阻区，则有()D n GS t DS W i k v V v L '≈- ()n GS t 1DS DS D v r i W k v V L =≈'-