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高性能引线框架用铜合金及其设备制作方法与相关技术

高性能引线框架用铜合金及其设备制作方法与相关技术
高性能引线框架用铜合金及其设备制作方法与相关技术

一种高性能引线框架用铜合金及其制备方法,其成分包括:0.2~0.6wt%Fe,0.05~0.15wt%P,0.1~0.2wt%Zn,0.05~0.15wt%Co,0.01~0.1wt%Zr,0.01~0.1wt%Ti,其余为铜和不可避免的杂质元素;其中,Fe和P元素的质量百分比值为4~6:1,Fe和Co元素的质量百分含量总和范围为0.3~0.7%,Zr和Ti元素的质量百分含量总和范围为0.05~0.15%。其制备方法包括熔铸、热轧、冷轧、时效、精轧、最终退火。本技术通过降低Fe元素含量、控制热轧终了温度和阶梯时效制度,使合金析出更加充分,且细小和弥散分布,配之以合理冷轧变形量,实现强度、导电弯曲和蚀刻性能的匹配。

技术要求

1.一种高性能引线框架用铜合金,其特征在于,所述铜合金的成分包括:0.2wt%~

0.6wt%Fe,0.05wt%~0.15wt%P,0.1wt%~0.2wt%Zn,0.05wt%~0.15wt%Co,0.01wt%~

0.1wt%Zr,0.01wt%~0.1wt%Ti,其余为铜和不可避免的杂质元素;其中,Fe和P元素的质量百分比值为4~6:1,Fe和Co元素的质量百分含量总和范围为0.3%~0.7%,Zr和Ti元素的质量百分含量总和范围为0.05%~0.15%。

2.根据权利要求1所述的铜合金,其特征在于,所述的铜合金成分还包括其他元素,所述其他元素为Sn、Ag、Si、Cr、Ni、Mg中的一种或几种混合元素,所述其他元素的总质量百分比含量小于0.1%。

3.根据权利要求1所述的铜合金,其特征在于,所述的铜合金成分中,铜采用电解铜,Fe采用Cu-

10wt%Fe中间合金,Co采用Cu-10wt%Co中间合金,Zr采用Cu-15wt%Zr中间合金,P采用Cu-14wt%P中间合金,钛采用海绵钛,Zn采用纯Zn。

4.根据权利要求1-3任一所述的铜合金,其特征在于,所述的铜合金制得的合金产品抗拉强度580MPa-630MPa,电导率78-85%IACS,软化温度达550℃~575℃。

5.一种如权利要求1-3任一所述的高性能引线框架用铜合金的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

1)熔铸:首先将电解铜、Cu-10wt%Fe中间合金、Cu-10wt%Co中间合金、Cu-15wt%Zr中间合金、Cu-14wt%P中间合金、海绵钛和纯Zn作为原材料在1200℃~1280℃熔化后浇铸获得铸锭;

2)热轧:将经步骤1)得到的铸锭加热至950℃~1000℃进行热轧,终轧温度控制在720℃以上,终轧后进行在线喷淋淬火;

3)冷轧:将经步骤2)得到的热轧板表面氧化皮去除后进行冷轧变形,变形量控制在50%~80%;

4)时效:以5℃/min~10℃/min的升温速率加热至400℃~500℃,保温30min~180min;然后再以5℃/min ~10℃/min的升温速率加热至500℃~600℃,保温30min~120min;

5)精轧:将经步骤4)得到的板带进行精轧,变形量控制在40%~60%;

6)最终退火:将经步骤5)得到的板带进行保温,获得高性能铜合金带材。

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述步骤6)中将经步骤5)得到的板带在550℃保温30S。

技术说明书

一种高性能引线框架用铜合金及其制备方法

技术领域

本技术涉及属于高性能铜合金制备技术领域,具体涉及一种引线框架用高强度、高导电的耐热铜合金及其制备方法。

背景技术

引线框架材料是电子信息、汽车、航空航天、武器装备等领域芯片支撑不可或缺的关键材料,铜基合金具有优良的导电性,是制备引线框架优选的材料,Cu-Fe-P系合金具有成本低、熔铸工艺相对简单等优势,被广泛应用在引线框架材料中。随着微电子、通讯、交通、航天、航空等高技术领域的快速发展,电子部件也向高集成化、小型化、薄壁化方向发展,这时对引线框架材料提出了更高的要求,除了具备高强度、较高导电导热性能之外,还需要有较高的软化温度、抗氧化性、良好的蚀刻性、弯曲成形性和抗应力松弛等性能。商业化的C19400合金具有中等的抗拉强度,但导电率和耐热性能偏低,其综合性能仍然不能满足目前高性能引线框架的要求。

CuFeP系合金的最大不足在于强度、导电率和耐热性均偏低,限制其在小型化部件上的应用。专利

CN101899587针对小型化部件的要求,提出了Cu-Fe-P类合金的制备方法,与C19400合金相比,降低Fe 元素的添加量,同时增加了Sn和其他微量元素,其抗拉强度可以达到550MPa,同时导电率可以达到80%IACS,该专利是基于提高铜合金冲压性能而提出的,主要是通过调控织构类型和织构强度来优化其冲压性能。随着对引线框架材料要求的不断提高,冲压法已不能满足材料高精度和形状多样化的要求,而蚀刻法是制备高精度引线框架材料的首选方法,也适合开发不同形状的引线框架材料。传统的铜合金板带制备工艺已不能满足目前引线框架行业对蚀刻性能的要求,提升铜合金的蚀刻性能是目前引线框架用的铜合金面临的关键问题。

技术内容

针对上述已有技术存在的不足,本技术提供一种高性能引线框架用铜合金及其制备方法,旨在提高铜合金强度和导电性的同时获得优异的耐热性和蚀刻性能,能较好地满足电子工业领域对引线框架材料性能的诸多要求。

本技术是通过以下技术方案实现的。

一种高性能引线框架用铜合金,其特征在于,所述铜合金的成分包括:0.2wt%~0.6wt%Fe,0.05wt%~0.15wt%P,0.1wt%~0.2wt%Zn,0.05wt%~0.15wt%Co,0.01wt%~0.1wt%Zr,0.01wt%~

0.1wt%Ti,其余为铜和不可避免的杂质元素;其中,Fe和P元素的质量百分比值为4~6:1,Fe和Co元素的质量百分含量总和范围为0.3%~0.7%,Zr和Ti元素的质量百分含量总和范围为0.05%~0.15%。

进一步地,所述的铜合金成分还包括其他元素,所述其他元素为Sn、Ag、Si、Cr、Ni、Mg中的一种或几种混合元素,所述其他元素的总质量百分比含量小于0.1%。

进一步地,所述的铜合金成分中,铜采用电解铜,Fe采用Cu-10wt%Fe中间合金,Co采用Cu-10wt%Co 中间合金,Zr采用Cu-15wt%Zr中间合金,P采用Cu-14wt%P中间合金,钛采用海绵钛,Zn采用纯Zn。

进一步地,所述的铜合金制得的合金产品抗拉强度580MPa-630MPa,电导率78-85%IACS,软化温度达550℃~575℃。

一种如上所述的高性能引线框架用铜合金的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

1)熔铸:首先将电解铜、Cu-10wt%Fe中间合金、Cu-10wt%Co中间合金、Cu-15wt%Zr中间合金、Cu-14wt%P中间合金、海绵钛和纯Zn作为原材料在1200℃~1280℃熔化后浇铸获得铸锭;

2)热轧:将经步骤1)得到的铸锭加热至950℃~1000℃进行热轧,终轧温度控制在720℃以上,终轧后进行在线喷淋淬火;

3)冷轧:将经步骤2)得到的热轧板表面氧化皮去除后进行冷轧变形,变形量控制在50%~80%;

4)时效:以5℃/min~10℃/min的升温速率加热至400℃~500℃,保温30min~180min;然后再以5℃/min ~10℃/min的升温速率加热至500℃~600℃,保温30min~120min;

5)精轧:将经步骤4)得到的板带进行精轧,变形量控制在40%~60%;

6)最终退火:将经步骤5)得到的板带进行保温,获得高性能铜合金带材。

进一步地,所述步骤6)中将经步骤5)得到的板带在550℃保温30S。

本技术的有益技术效果如下:

1)本技术在现有CuFeP系C19400合金基础上,通过降低Fe元素含量和添加微量Co、Ti和Zr元素,增加Co、Ti和Zr的微粒析出相进一步强化合金,提高合金的耐热性能,且同时提高合金的强度和导电率,合金产品抗拉强度580-630MPa,电导率78-85%IACS,软化温度达550~575℃,具有较好的强度、导电、耐热的综合性能;

2)本技术中,通过降低Fe元素含量和添加微量Co、Ti和Zr元素,减少粗大的富Fe相,形成Co、Ti和Zr的微粒析出相,有助于蚀刻性能提升,避免粗大Fe相对蚀刻性能的影响;

3)本技术中,通过控制热轧终了温度和阶梯时效制度,使合金析出更加充分,且细小和弥散分布,配之以合理冷轧变形量,实现强度、导电弯曲和蚀刻性能的匹配。

具体实施方式

下面结合具体实施方式对本技术进行详细说明。

实施例1

首先将电解铜、Cu-10wt%Fe中间合金、Cu-10wt%Co中间合金、Cu-15wt%Zr中间合金、Cu-14wt%P中间合金、Cu-20wt%Si中间合金、海绵钛和纯Zn作为原材料在1280℃熔化后浇铸获得铸锭,铸锭成分为:0.25wt%Fe,0.05wt%P,0.15wt%Zn,0.1wt%Co,0.05wt%Zr,0.05wt%Ti,0.05wt%Si,其余为铜;将上述铸锭加热至960℃进行热轧,终轧温度为725℃,终轧后进行在线喷淋淬火;将上述热轧板表面氧化皮去除后进行冷轧变形,变形量控制在75%;以5℃/min的升温速率加热至500℃保温90min,然后再以5℃/min的升温速率加热至600℃保温60min;将上述时效后的板带进行精轧,变形量控制在45%;550℃保温30S获得高性能铜合金带材。该合金的抗拉强度为595MPa,导电率为82.8%IACS,软化温度达到550℃。

实施例2

首先将电解铜、Cu-10wt%Fe中间合金、Cu-10wt%Co中间合金、Cu-15wt%Zr中间合金、Cu-14wt%P中间合金、Cu-20wt%Si中间合金、Cu-20wt%Ni中间合金海绵钛和纯Zn作为原材料在1250℃熔化后浇铸获得铸锭,铸锭成分为:

0.35wt%Fe,0.08wt%P,0.15wt%Zn,0.08wt%Co,0.05wt%Zr,0.08wt%Ti,0.03wt%Si,0.05wt%Ni,其余为铜;将上述铸锭加热至960℃进行热轧,终轧温度为730℃,终轧后进行在线喷淋淬火;将上述热轧板表面氧化皮去除后进行冷轧变形,变形量控制在65%;以5℃/min的升温速率加热至400℃保温

150min,然后再以10℃/min的升温速率加热至500℃保温60min;将上述时效后的板带进行精轧,变形量控制在50%;550℃保温30S获得高性能铜合金带材。该合金的抗拉强度为608MPa,导电率为

81%IACS,软化温度达到560℃。

实施例3

首先将电解铜、Cu-10wt%Fe中间合金、Cu-10wt%Co中间合金、Cu-15wt%Zr中间合金、Cu-14wt%P中间合金、Cu-15wt%Cr中间合金、海绵钛和纯Zn作为原材料在1220℃熔化后浇铸获得铸锭,铸锭成分为:0.45wt%Fe,0.1wt%P,0.15wt%Zn,0.06wt%Co,0.05wt%Zr,0.1wt%Ti,0.05wt%Cr,其余为铜;将上述铸锭加热至980℃进行热轧,终轧温度为735℃,终轧后进行在线喷淋淬火;将上述热轧板表面氧化皮去除后进行冷轧变形,变形量控制在75%;以10℃/min的升温速率加热至500℃保温120min,然后再以5℃/min的升温速率加热至600℃保温60min;将上述时效后的板带进行精轧,变形量控制在50%;550℃保温30S获得高性能铜合金带材。该合金的抗拉强度为620MPa,导电率为79.5%IACS,软化温度达到565℃。

实施例4

首先将电解铜、Cu-10wt%Fe中间合金、Cu-10wt%Co中间合金、Cu-15wt%Zr中间合金、Cu-14wt%P中间合金、海绵钛和纯Zn作为原材料在1280℃熔化后浇铸获得铸锭,铸锭成分为:

0.6wt%Fe,0.15wt%P,0.15wt%Zn,0.05wt%Co,0.05wt%Zr,0.06wt%Ti,其余为铜;将上述铸锭加热至990℃进行热轧,终轧温度为750℃,终轧后进行在线喷淋淬火;将上述热轧板表面氧化皮去除后进行冷轧变形,变形量控制在80%;以10℃/min的升温速率加热至500℃保温150min,然后再以10℃/min的升温速率加热至600℃保温60min;将上述时效后的板带进行精轧,变形量控制在40%;550℃保温30S获得高性能铜合金带材。该合金的抗拉强度为630MPa,导电率为78.3%IACS,软化温度达到575℃。

以上所述的仅是本技术的较佳实施例,并不局限技术。应当指出对于本领域的普通技术人员来说,在本技术所提供的技术启示下,还可以做出其它等同改进,均可以实现本技术的目的,都应视为本技术的保护范围。

引线框架铜合金

引线框架铜合金材料 1)介绍引线框架: 作为集成电路的芯片载体,是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接,形成电气回路的关键结构件,它起到了和外部导线连接的桥梁作用,绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架,是电子信息产业中重要的基础材料。 2)优势所在: 科学技术现代化对铜及铜合金材料提出越来越多的新要求,引线框架的作用是导电、散热、联接外部电路,因此要求制作引线框架材料具有高强度、高导电、良好的冲压和蚀刻性能。目前全世界百分之八十的引线框架使用铜合金高精带材制作,据不完全统计,引线框架合金约77种,最为显著的是C194铜合金材料:抗拉强度≥410 MPa,硬度120~145HV,电导率≥×10-2S/m。 3)C194热轧工艺: 本试验所用C194铜合金取自国内某铜厂热轧后的板坯,用水冷铁模浇铸合金扁锭,铸锭尺寸为40 mmxl00 mmx600mm。加热温度、保温时间和终轧温度是热轧工艺的几个关键因素。 1、开轧温度,是轧机开始对金属轧制的温度。开轧温度在金属的塑性变化温度以上,这多半是使金属坯按照要求轧制成某种形状,每种金属均有自己的开轧温度。生产现场总是希望开轧温度高一点,以便提高轧件的塑性,降低变形抗力,节省动力,易于轧制变形。 2、终轧温度,是金属产生塑性变形结束时的温度。这个温度有两个要求:(1)要满足金属仍在塑性变化的温度区域,以便顺利完成轧制;(2)要满足某种金相组织。这是因为,不同的温度,金属有不同的金相组织。如果超过终轧温度,就会出现其他组织的金相组织,这就影响了轧制质量。终轧温度是控制金属合金组织性能的重要条件,需考虑到晶粒大小、第二相的析出。 保温时间主要考虑到合金对温度的敏感性。C194合金对温度不敏感,加热时间的影响较小,实验中控制在2 h。重点研究开轧温度和终轧温度的确定及其对组织性能的影响。 )开轧温度

我国引线框架产业现状及前景分析

我国引线框架产业现状及前景分析 引线框架、金丝均属于半导体/微电子封装专用材料,在半导体封装过程起着重要的作用。微电子或半导体封装,直观上就是将生产出来的芯片封装起来,为芯片的正常工作提供能量、控制信号,并提供散热及保护功能。 引线框架是一种用来作为集成电路芯片载体,并借助于键合丝使芯片内部电路引出端(键合点)通过内引线实现与外引线的电气连接,形成电气回路的关键结构件。在半导体中,引线框架主要起稳固芯片、传导信号、传输热量的作用,需要在强度、弯曲、导电性、导热性、耐热性、热匹配、耐腐蚀、步进性、共面形、应力释放等方面达到较高的标准。 (1)我国引线框架功能与分类 引线框架的主要功能是为芯片提供机械支撑的载体,并作为导电介质内外连接芯片电路而形成电信号通路,以及与封装外壳一同向外散发芯片工作时产生热量的散热通路。 内容选自产业信息网发布的《2015-2020年中国引线框架行业市场发展动态及投资策略建议报告》 引线框架在半导体封装中的应用及位置 资料来源:中国产业信息网数据中心整理

引线框架根据应用于不同的半导体,可以分为应用于集成电路的引线框架和应用于分立器件的引线框架两大类。这两大类半导体所采用的后继封装方式各不相同,种类繁多。不同的封装方式就需要不同的引线框架,因此,通常以半导体的封装方式来对引线框架进行命名。集成电路运用广泛且发展迅速,目前有DIP、SOP、QFP、BGA、CSP 等多种封装方式;分立器件主要是各种晶体管,封装上大都采用TO、SOT 这两种封装方式。 引线框架分类列表 资料来源:中国产业信息网数据中心整理 (2)我国引线框架行业相关政策 2012 年2 月,国家工业和信息化部颁布的《集成电路产业“十二五”发展规划》中提出,要加强12 英寸硅片、SOI、引线框架、光刻胶等关键材料的研发与产业化,支持国产集成电路关键设备和仪器、原材料在生产线上规模应用。 引线框架行业相关标准

国家标准《引线框架用铜及铜合金带材 第1部分:平带》编制说明

《引线框架用铜及铜合金板带材第1部分:平带》 国家标准(送审稿)编制说明 一、工作简况 1.任务来源 引线框架材料是集成电路的基础材料之一,它起到固定芯片、提供机械载体、保护内部元件、传递电信号并向外散发元件热量的作用,是集成电路的骨架。铜合金以其优异的综合性能而成为重要的引线框架材料。现用的GB/T 20254.1-2006标准中,在性能要求、公差要求等方面已不能满足市场需求,所以有必要对该标准进行修订,满足客户对产品的技术需求。 根据国标委综合【2012】92号和有色标委会【2013】19号文件《关于转发2013年第一批有色金属国家行业标准制(修)订项目计划的通知》,其中附件1 《2013年第一批有色金属国家标准项目计划表》序号44项(计划编号20131059-T-610)《引线框架用铜及铜合金板带材第1部分:平带》由中铝洛阳铜业有限公司、宁波兴业盛泰电子金属材料有限公司、菏泽广源铜带股份有限公司、安徽鑫科新材料股份有限公司、铜陵金威铜业有限公司、山西春雷铜材有限责任公司等单位负责修订。 2. 主要工作过程 各起草单位分工情况? 标准制订计划任务正式下达后,中铝洛阳铜业有限公司牵头成立了标准编制小组,并落实起草任务,确定标准的主要起草人,拟定该标准的工作计划。通过查阅了国内外有关的技术资料,结合主要用户的技术要求,经过多次讨论和广泛征求意见,形成了标准征求意见稿及编制说明。5月份,在大连市有色标委会组织召开的标准讨论上,认真听取与会专家的意见,对标准内容进行了补充和完善,并最终形成了标准送审稿。 二、编制原则、主要技术指标确定依据 1、编制原则 本标准根据市场需求对引线框架用平带的技术要求等内容进行了修订。 2.主要修订内容 (1)增加了合金的代号表示。 TP2 合金代号C12200 TFe0.1 合金代号C19210 TFe2.5 合金代号C19400

引线框架铜合金

引线框架铜合金材料 1)介绍引线框架 作为集成电路的芯片载体,是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部 电路引出端与外引线的电气连接, 形成电气回路的关键结构件, 它起到了和外部导线连接的 桥梁作用,绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架, 是电子信息产业中重要的基础 材 料 。 2) 优势所在: 科学技术现代化对铜及铜合金材料提出越来越多的新要求, 引线框架的作用是导电、散 热、联接外部电路,因此要求制作引线框架材料具有 高强度、高导电、良好的冲压和蚀刻性 能。目前全世界百分之八十的引线框架使用铜合金高精带材制作, 据不完全统计,引线框架 合金约77种,最为显著的是 C194铜合金材料:抗拉强度》 410 MPa,硬度120?145HV,电导 2 率》3.48 X10 S/m 。 3) C 194热轧工艺: 本试验所用C194铜合金取自国内某铜厂热轧后的板坯,用水冷铁模浇铸合金扁锭,铸 锭尺寸为 40 mmxlOO mmx600mm 。加热温度、保温时间和终轧温度是热轧工艺的几个关键 因素。] 1、 开轧温度,是轧机开始对金属轧制的温度。开轧温度在金属的塑性变化温度以上, 这多半是使金属坯按照要求轧制成某种形状, 每种金属均有自己的开轧温度。 生产现场总是 希望开轧温度高一点,以便提高轧件的塑性,降低变形抗力,节省动力,易于轧制变形。 2、 终轧温度,是金属产生塑性变形结束时的温度。这个温度有两个要求:( 1)要满 足金属仍在塑性变化的温度区域,以便顺利完成轧制;( 2)要满足某种金相组织。这是因 为,不同的温度,金属有不同的金相组织。如果超过终轧温度,就会出现其他组织的金相组 织,这就影响了轧制质量。终轧温度是控制金属合金组织性能的重要条件 ,需考虑到晶粒大 小、第二相的析出。 保温时间主要考虑到合金对温度的敏感性。 C194合金对温度不敏感,加热时间的影响较 小,实验中控制在2h 。重点研究开轧温度和终轧温度的确定及其对组织性能的影响。 3.1)开轧温度 实验合金的屈服强度和延伸率随温度的变化关系 合金在铸态时的屈服强度 随 实验温度的升高而明显降 低;同时,合金的延伸率随实验 温度的升高急剧上升。 当拉伸温度大于650 C 时, 屈服强度和延伸率的变化减 缓。对于 C194铜合金,考虑到 热轧的成品 率、效率。在不引 起加热缺陷的情况下。尽量选 取强度最低、延伸率最好时的 温度进行热轧。同时,考虑到铸 锭运送、热轧机性能、对终轧 温度控制的要求,以及该类合金对加热温度不甚敏感的特性 ,实际采用的开轧温度为 850 C 左 3.2 )终轧温度 图1 C194 flr*在鶴Ai 时的强走利掘忡車閔遍W 的变化 Fig.l Influni^e of tmt icmperaturtr on *trrn0th elotigMi^n of M -CAM C194 Blloy 450 500 550 600 650 700 750 800 8SO 900 TcTEELpcnTulurE/ "C

最新引线框架

引线框架

引线框架背景材料 引线框架是半导体集成电路用的主要原材料。按知识产权分类,有open 和close 两种。Open即公开的,无知识产权保护,各半导体厂家都可以使用。close 是有知识产权的引线框架,不允许他人使用。 一市场需求 引线框架生产以冲压为主,蚀刻工艺很少。冲压的生产效率要高于蚀刻,在产量大的情况下,冲压生产成本低,主要是模具费用。机械冲制只需电费,冲下的废料足够支付电费。 蚀刻工艺主要用于: 1新产品研发,因为量比较少。 2用量少且又不想让他人使用的产品,例如汽车、电机所使用的专用集成电路。 3需要半蚀刻区的引线框架。 4引脚数多的产品。这类产品,模具费用高,用量少。通常认为 100脚以上的引线 框架,用蚀刻工艺较多。 二原材料 大部分材料为铜,中高端材料需进口。个别也有使用 inwa 材料的,例如led 用的引线框架。材料宽度一般为15cm。

三工艺流程 打定位孔→清洗→贴感光膜→曝光→显影-腐蚀-剥膜→电镀→打凹→贴带→检验 韩国AQT公司前段采用连续卷式生产,后段电镀工艺为片式。苏州住友公司采用分段式卷式工艺,包括电镀。 四上马该项目所面临的问题。 1只能走高端路线。 因为模具技术在不断提高,制作模具的成本也在不断降低,蚀刻引线框架恐怕只能走高端路线。例如,汽车、电机以及单反相机用的专用集成电路,一个品种全球也就需要不到几百万片,分散到某个公司,一年也就几十万片,所以,采用蚀刻工艺生产是可行的。 但这类产品要求高,认证时间长。

2环保问题。 电镀工艺是否可以和兄弟公司的电镀有机结合?如果单独设置电镀,恐不易操作。 2011-06-06

集成电路引线框架项目立项报告

集成电路引线框架项目立项报告 一、项目提出的理由 于全局而言,稳中求进要既敢于出招又善于应招,做到蹄疾而步稳;于经济工作而言,稳中求进就是要保持经济运行在合理区间,防止经济增长出现失速下滑。稳中求进工作总基调不仅是方法论,更是治国理政的重要原则;不仅需要在经济运行平稳时坚持,更需要在经济运行存在突出矛盾和问题时坚持。 二、项目选址 项目选址位于xxx科技谷。地区生产总值3709.54亿元,比上年增长6.09%。其中,第一产业增加值296.76亿元,增长6.57%;第二产业增加值2299.91亿元,增长7.33%第三产业增加值1112.86亿元,增长9.44%。 一般公共预算收入276.86亿元,同比增长9.68%,一般公共预算支出478.17亿元,同比增长6.22%。国税收入349.99亿元,同比增长9.79%;地税收入亿元77.03,同比增长10.51%。

居民消费价格上涨1.13%。其中,食品烟酒上涨0.97%,衣着上涨0.98%,居住上涨0.95%,生活用品及服务上涨1.18%,教育文化和娱乐上涨1.18%,医疗保健上涨1.17%,其他用品和服务上涨1.19%,交通和通信上涨0.77%。 全部工业完成增加值1901.32亿元。规模以上工业企业实现增加值1231.72亿元,比上年增长6.65%。 项目建设方案力求在满足项目产品生产工艺、消防安全、环境保护卫生等要求的前提下尽量合并建筑;充分利用自然空间,坚决贯彻执行“十分珍惜和合理利用土地”的基本国策,因地制宜合理布置。 三、建设背景及必要性 1、本期工程项目建设有利于促进项目建设地先进制造业的发展,有利于形成市场规模和良好经济社会效益的产业集群,推动产业结构转型升级;坚持自主创新与技术引进、利用全球创新资源有机结合;推进产学研联合攻关,构建“政府—企业—高校—科研院所—金融机构”相结合的产业技术研发模式,推动一批关键共性技术开发,大力推进科技成果产业化;同时,积极引进境外先进技术,加快引进、消化、吸收和再创新。 2、麦肯锡、波士顿咨询集团等专业机构以及各路经济学家和媒体,更多是从“*”(包括人力、土地、能源、制度性交易成本等综合成本)的角度分析全球制造业转移,进而研判未来制造业是否会流向印度、越南等低成本国家,或是由中国回流欧美。创新因素在全球制造业迁移过程中的重要

我国引线框架的生产情况

我国引线框架的生产情况 我国内引线框架生产企业主要集中在长三角、珠三角,随着国外大封装测试厂家在中国境内投资办厂,国内引线框架的需求也将有迅速增长。国内引线框架主要企业介绍如下:(1)先进半导体物料科技有限公司(ASM Assembly Materials Limited) ASM 于 1968 年成立,公司总部位于荷兰的比尔托芬,是一家跨国公司,拥有雄厚的技术基础,ASM 公司主要生产半导体用设备和材料,是全球 15 家顶级半导体设备制造商之一。在美国、日本、香港、中国、新加坡、马来西亚都设有分公司。在深圳设有分公司,生产引线框架。 (2)深圳赛格高技术投资股份有限公司(SHIC) 公司与德国、荷兰柏狮(POSSEHL)电子集团合资兴办深圳赛格柏狮电子有限公司(PSE),注册资本 1104.36 万美元,主营半导体集成电路引线框架、半导体精密模具制造等业务,产品畅销海内外。 (3)铜陵丰山三佳微电子有限公司 公司是由韩国丰山微电子株式会社与三佳电子集团有限责任公司共同投资2000 万美元建立的一家高科技企业,韩国丰山公司以技术、设备和资金入股,占51%的股份,三佳集团以厂房、设备和资金入股,占 49%的股份。公司引进国际先进的技术和生产装备,生产 IC、TR 类引线框架和硬质合金级进冲模具,已建成年产 40 亿只引线框架的规模。 (4)三井高科技(上海)有限公司三井高科技(上海)有限公司、三井高科技(天津)有限公司、三井高科技电子(东莞)有限公司都是日本三井高科技股份公司在中国大陆独资开设的三家分立器件及集成电路引线框架、高精度马达转子定子叠片的专业生产厂家。是专业生产集成电路引线框架,高精度金属模的企业,也是目前国内唯一具有 240 只脚 IC 引线框架生产能力的生产厂家,包括照相蚀刻 IC 引线框架、密冲压 IC 引线框架。三井高科技(上海)有限公司成立于 1996 年 3 月,1998 年 6 月开始批量生产。投资总额 2500 万美元,注册资本 1500 万美元,占地面积 33000 平方米。主要品种:SIP、CDIP、PDIP、HDIP、QFP、TQFP、QFJ、SOJ、LCC、VSOP、SOP、TSOP、SSOP 等。 (5)中山复盛机电有限公司 公司成立于 1995 年,是台湾复盛股份有限公司(台湾上市公司)下属独资企业。公司包含两大事业部:机械事业部(空气压缩机类产品);电子事业部(精密模具、引线框架、电子连接器类产品)。目前,客户广泛分布于美国、日本、台湾、香港以及中国大陆等国家与地区。 (6)宁波康强电子股份有限公司 宁波康强电子股份有限公司是由宁波普利赛思电子有限公司、宁波电子信息集团有限公司、宁波经济技术开发区康盛贸易有限公司、江阴市新潮科技有限公司以及外商英属维尔京群岛杰强投资国际有限公司、台商刘俊良先生合资创办的高新技术企业。公司成立于 1992 年6 月,经过十年的发展,目前已成为国内最大的塑封引线框架生产基地,年产量达 120 亿只,产品包括 TO-92、TO-126、TO-220、 TO-3P 系列和大中小功率三极管引线框架、SOT 系列的表面贴装引线框架及 IC 系列的集成电路引线框架 100 余种规格。上述产品均以世界一流的技术研究开发并组织生产,产品质量受到 ISO9001 国际标准质量保证体系的控制。 (7)厦门永红电子有限公司 厦门永红电子有限公司是电子部重点扶持的最早从事高精度半导体和集成电路塑封引线框架开发、生产及精密模具制造的专业厂家。公司于 1983 年由天水永红器材厂与厦门华夏集团联营创建,2001 年 7 月引入社会资金后再经股权优化而成。主营产品或服务:分立器件系列、DIP 系列、SOP 系列、SSOP 系列、QFP 系列、SOT 系列等总计 150 个品种。 (8)无锡华晶利达电子有限公司

引线框架

连接器注塑、装配零件、精密工装、夹具以及精密手动或全自动机器的专业公司。精密模具及机器设备部模具加工设备达到150台,投资约1400万美元,现有员工330人,具有17年的精密模具加工经验,并得到从事精密模具设计制造40余年的德国总公司的相关技术支持。公司拥有当今最先进的精密机加工设备,并形成了较大的生产规模。先进的加工设备、一大批高技术的专业员工、再加上ISO9001和先进管理软件的全面导入保证了产品的优良品质和及时交货。连续5年被评为“全国外商投资双优企业”,现产品主要出口到美国、欧洲及东南亚以及为数众多著名国际跨国公司在中国设立的工厂。我们的目标是成为中国最大的精密模具加工中心之一。 (3)铜陵丰山三佳微电子有限公司 铜陵丰山三佳微电子有限公司(简称丰山三佳)是由韩国丰山微电子株式会社(简称丰山公司)和铜陵三佳电子(集团)有限责任公司(简称三佳集团)共同出资组建的中外合资公司,丰山三佳第一期总注册资金2000万美元,其中丰山微电子株式会社占51%股份,三佳集团占49%股份。合资双方本着技术、市场全面合作、绩效最大、互惠互利的原则,使丰山三佳成套引进、消化吸收国际一流的专业技术、管理及工艺装备,生产具有国际竞争力的半导体集成电路引线框架及引线框架模具。公司引进国际先进的技术和生产装备,生产 IC、TR 类引线框架和硬质合金级进冲模具,已建成年产 40 亿只引线框架的规模。 (4)三井高科技(上海)有限公司三井高科技(上海)有限公司、三井高科技(天津)有限公司、三井高科技电子(东莞)有限公司都是日本三井高科技股份公司在中国大陆独资开设的三家分立器件及集成电路引线框架、高精度马达转子定子叠片的专业生产厂家。是专业生产集成电路引线框架,高精度金属模的企业,也是目前国内唯一具有 240 只脚 IC 引线框架生产能力的生产厂家,包括照相蚀刻 IC 引线框架、密冲压 IC 引线框架。 三井高科技(上海)有限公司成立于 1996 年 3 月,1998 年 6 月开始批量生产。投资总额 2500 万美元,注册资本 1500 万美元,占地面积 33000 平方米。主要品种:SIP、CDIP、PDIP、HDIP、QFP、TQFP、QFJ、SOJ、LCC、VSOP、SOP、TSOP、SSOP 等。2006年10月为止,投资总额4500万美元,注

集成电路用引线框架材料研究

集成电路用引线框架材料研究 【摘要】随着电子技术飞跃发展,集成电路成为了电路中尤为重要的部件。因此,对集成电路的研究上升到了一定的高度。引线框架作为集成电路是重要组成部分,运到了新机遇及新挑战,研究引线框架材料成为相关专家与学者研究的重要课题。本文阐述了当今引线框架的研究进展,介绍了引线框架的基本特征及研发动态,就集成电路用引线框架材料发展前景做了展望。 【关键词】引线框架材料;集成电路;研究 0.前言 在集成电路中,就是依靠进线框架连接外部元件与芯片,其作用至关重要。主要起到支撑及固定芯片,保护内部元件,把IC组装成为一个整体;同时将芯片和外部电路连接起来传递信号,有效进行导电导热。因此,集成电路与各个组装程序必然依据框架才能成为一种整体。鉴于引线框架材料在集成电路中的重要,许多相关人士将研究集成电路用引线框架材料成为了热点话题。在这种形势下,本文对集成电路用引线框架材料研究具有实际价值。 1.集成电路用引线框架概述 随着电力技术快速发展,信息产品正朝着轻量化、高速化、薄型化、小型化以及智能化等方向发展,而作为封装材料也得到长足发展,尤其是半导体的集成电路封装更是突飞猛进。 如今,引线框架的封装密度及引线密度是越来越高,同时封装引线的脚数也快速增多,让引线的节距逐年降低,如今已近达到了0.1mm,同时超薄型成为了热门,从过去的0.25mm降至到0.05-0.08mm,而引线的框架也朝着轻、短、薄、多引线、高精细度以及小节距方向发展。 集成电路用引线框架的性能: ①具备较高强度与硬度;因为引线框架逐步小型,但是其内部容纳的电路依然是那么多,而且容纳的东西应该是越来越多,这就为其材料提出了较高强度及硬度要求。 ②良好的导热性;随着集成电路逐渐变小,功能足部增大,随着工作效率提高必然产生热量越多,必然要具备加好导热性。 ③较好的导电性;要消除电感及电容造成的影响,材料就必然要求较好导电性,才能降低框架上的阻抗,也有效散热。 除了具备如上一些功能特性之外,引线框架还要具备良好的冷热加工性能,较好的微细加工和刻蚀性能及较好的钎焊性能等。一般而言,较为理想引线框架材料的强度不能够低于600MPa,其硬度HV不能小于130,而其电导率不能小于80%。 2.研究引线框架材料进展 随着集成电路朝着小型化及高集成化以及安装方式变化等等方向上发展,为引线框架材料特性及质量要求是逐渐增强,必然要投入更多人力物力来开发与研究新材料。自从上世纪60年代集成电路研发成功以来,相关人士就在不断的开发优质集成材料,电子封装材料及各类引线框架也不断产生,针对引线框架材料较多的是高铜合金及铁镍合金开发比较成功,本文就是以这两种材料作为例子进行阐述。 2.1铁镍合金

引线框架铜合金材料与SnAg3.0Cu0.5的界面组织

引线框架铜合金材料与SnAg3.0Cu0.5的界面组织 集成电路由芯片、引线框架、塑封三部分组成,其中引线框架的作用是导电、散热、连接外部电路。制作引线框架的材料不仅要具有高强度、高导电、高导热性能,而且还要有优良的钎焊性能,近年来铜合金引线框架材料因其优良的性能得到了广泛的应用。引线框架通过引脚采用钎料进行焊接形成焊点,从而实现电子封装中的各级焊接。当钎料与铜合金母材充分润湿形成焊点后,会在其界面处形成一层金属间化合物。钎焊初期形成的金属间化合物可以确保铜合金母材与焊料之间有良好的冶金连接,金属间化合物的厚度直接影响焊点的性能,当金属间化合物的厚度小于1μm时,焊料和金属间化合物之间没有裂纹产生;当金属间化合物厚度介于1-10μm之间时,抗拉强度开始下降;当金属间化合物厚度大于10μm时,随着残余应力的积累,金属间化合物与焊料的拉伸强度显著下降,直至断裂。电子设备出现的故障中有很大一部分是由于焊点接触不良造成的,尤其是移动式设备,焊点可靠性问题受到了越来越多的重视。随着表面组装技术的迅速发展及无铅钎料的应用,无铅钎料焊点的可靠性已成为近年来微连接领域关注的热点之一。在众多的无铅钎料合金当中,SnAgCu合金以其优良的润湿性能及力学性能被认为是最有潜力的含铅钎料的替代品。 金属间化合物的晶体结构、形貌以及它们对焊点力学性能的影响已经有人进行了大量的研究,但不同的铜合金成分对无铅焊料与铜合金框架材料的界面金属间化合物的影响却很少有人进行研究。新型高性能框架材料Cu-Cr-Sn-Zn系合金具有优良的高导电性、高强度、耐软化温度、冲压成形性、电镀性等性能而得以开发。日本报道的该合金的导电率为80/75%IACS,抗拉强度35/65kgf/mm2,显微硬度105/195HV,目前国内对该合金系的研究甚少。本文着重研究该合金与目前常用的Cu-Fe-P系、Cu-Cr-Zr系合金与SnAgCu系钎料的钎焊焊点界面组织,比较不同的引线框架铜合金材料与SnAgCu系钎料焊点在焊接后以及经高温恒温时效后的界面组织,探讨了不同的铜合金成分对引线框架铜合金材料与SnAgCu 钎料界面金属间化合物厚度的影响。 时效前3种铜合金框架材料与SnAg3.0Cu0.5焊膏所形成焊点均获得了良好的界面形貌,表现出很好的可焊性。焊点经160℃保温老化300h后界面处的金属间化合物均发生了不同程度的生长,厚度逐渐增加,IMC形态由扇贝状转变为层状,靠近SnAg3.0Cu0.5焊料的一侧为Cu6Sn5层,而靠近铜合金片材基体的一层则存在极薄的一层Cu3Sn层。Cu-0.38Cr-0.17Sn-0.16Zn合金的焊接可靠性好于Cu-0.1Fe-0.03P合金和Cu-0.36Cr-0.03Zr合金。Cu-0.38Cr-0.17Sn-0.16Zn合金中Zn元素在界面处的富集有效地减慢Cu原子的扩散速度,提高了其活化能,降低了焊点界面处金属间化合物的生长速度。

半导体引线框架

产品类型有TO、DIP、ZIP、SIP、SOP、SSOP、QFP(QFJ)、SOD、SOT等 半导体引线框架:产能不足高端需进口 2006-07-06 15:54:45 来源: 中国电子报网友评论 0 条进入论坛 作者:傅祥胜 随着我国集成电路产业的迅猛发展,IC新型封装技术的升级发展,对封装材料的要求也愈来愈苛刻,带动了我国封装材料技术和市场的发展。这为我国的引线框架行业带来了发展的机遇,同时也面临着严峻的挑战。 产量仅能满足50%左右国内需求 目前,在国内从事半导体引线框架生产的企业主要有17家: 新光电气工业(无锡)有限公司、no 日立电线(苏州)精工有限公司、11 三井高科技(上海、天津、东莞)电子有限公司、 济南晶恒山田电子精密科技有限公司、 no 东莞长安品质电子制造厂、11 先进半导体物料科技有限公司、1 柏狮电子(香港)有限公司、零件 顺德工业有限公司、 中山复盛机电有限公司、机械 铜陵丰山三佳微电子有限公司11、 广州丰江微电子有限公司、 宁波康强电子股份有限公司1、 厦门永红电子有限公司、1 无锡华晶利达电子有限公司1、 宁波华龙电子股份有限公司、1 宁波东盛集成电路元件有限公司、1 浙江华科电子有限公司 其中,独资企业7家,合资企业4家,内资企业6家。以上企业主要从事半导体引线框架、精密模具和其他电子设备、电子元器件的设计、制造和销售,实属国内领先。 从被调查的17家生产厂家2005年生产产能可以看出,我国半导体企业中合资及外商独资的成分较大,其中三井高科技(上海)有限公司是日本三井在我国独资的引线框架专业生产厂家,总投资2500万美元,注册资本1500万美元,其产品科技含量高、生产工艺先进。我国台湾的中山复盛总投资3000万美元,注册资本1600万美元,系广东省高新技术企业。合资企业中丰山三佳为中韩合资企业,总投资2800万美元,注册资金2100万美元,其依据三佳的模具优势及韩国丰山微电子20多年引线框架的技术优势,在从业短短4年内一举打入市场,并迅速占领了我国中高档产品近1/3的市场份额并销售海外市场。 引线框架行业主要集中在长三角、珠三角一带,在长三角一带颇具规模的主要是铜陵丰山三佳、上海三井、日本无锡新光,珠三角一带以ASM、广东丰江、中山复胜为代表,与我国封装企业区域分布彼此呼应。 高端产品仍需进口 国内引线框架生产企业起步较早,多年来为国内IC和分立器件生产配套,具有产品研制、开发和大生产能力,一直担当引线框架生产的主力军,但国内的产量仅能满足50%左右的国内需求,大部分高端产品还需要进口,且大多数是引线少,节距大的一般产品,满足不了国内市场的需求。2001年12月,铜陵丰山三佳(集团)有限责任公司和韩国丰山微电子株式会社共同出资2100万美组建铜陵丰山三佳微电子有限公司,生产具有国际竞争力的“半导体集成电路引线框架”及“引线框架模具”,目前可生产208脚以下冲压品引线框架,计划2004年—2007年分两期共投资7500万美元,将成为中国引线框架和引线框架模具重要的生产基地。 技术向细间距产品发展

高性能引线框架用铜合金及其设备制作方法与相关技术

一种高性能引线框架用铜合金及其制备方法,其成分包括:0.2~0.6wt%Fe,0.05~0.15wt%P,0.1~0.2wt%Zn,0.05~0.15wt%Co,0.01~0.1wt%Zr,0.01~0.1wt%Ti,其余为铜和不可避免的杂质元素;其中,Fe和P元素的质量百分比值为4~6:1,Fe和Co元素的质量百分含量总和范围为0.3~0.7%,Zr和Ti元素的质量百分含量总和范围为0.05~0.15%。其制备方法包括熔铸、热轧、冷轧、时效、精轧、最终退火。本技术通过降低Fe元素含量、控制热轧终了温度和阶梯时效制度,使合金析出更加充分,且细小和弥散分布,配之以合理冷轧变形量,实现强度、导电弯曲和蚀刻性能的匹配。 技术要求 1.一种高性能引线框架用铜合金,其特征在于,所述铜合金的成分包括:0.2wt%~ 0.6wt%Fe,0.05wt%~0.15wt%P,0.1wt%~0.2wt%Zn,0.05wt%~0.15wt%Co,0.01wt%~ 0.1wt%Zr,0.01wt%~0.1wt%Ti,其余为铜和不可避免的杂质元素;其中,Fe和P元素的质量百分比值为4~6:1,Fe和Co元素的质量百分含量总和范围为0.3%~0.7%,Zr和Ti元素的质量百分含量总和范围为0.05%~0.15%。 2.根据权利要求1所述的铜合金,其特征在于,所述的铜合金成分还包括其他元素,所述其他元素为Sn、Ag、Si、Cr、Ni、Mg中的一种或几种混合元素,所述其他元素的总质量百分比含量小于0.1%。 3.根据权利要求1所述的铜合金,其特征在于,所述的铜合金成分中,铜采用电解铜,Fe采用Cu- 10wt%Fe中间合金,Co采用Cu-10wt%Co中间合金,Zr采用Cu-15wt%Zr中间合金,P采用Cu-14wt%P中间合金,钛采用海绵钛,Zn采用纯Zn。 4.根据权利要求1-3任一所述的铜合金,其特征在于,所述的铜合金制得的合金产品抗拉强度580MPa-630MPa,电导率78-85%IACS,软化温度达550℃~575℃。 5.一种如权利要求1-3任一所述的高性能引线框架用铜合金的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: 1)熔铸:首先将电解铜、Cu-10wt%Fe中间合金、Cu-10wt%Co中间合金、Cu-15wt%Zr中间合金、Cu-14wt%P中间合金、海绵钛和纯Zn作为原材料在1200℃~1280℃熔化后浇铸获得铸锭; 2)热轧:将经步骤1)得到的铸锭加热至950℃~1000℃进行热轧,终轧温度控制在720℃以上,终轧后进行在线喷淋淬火; 3)冷轧:将经步骤2)得到的热轧板表面氧化皮去除后进行冷轧变形,变形量控制在50%~80%; 4)时效:以5℃/min~10℃/min的升温速率加热至400℃~500℃,保温30min~180min;然后再以5℃/min ~10℃/min的升温速率加热至500℃~600℃,保温30min~120min; 5)精轧:将经步骤4)得到的板带进行精轧,变形量控制在40%~60%;

半导体引线框架

半导体是指一种导电性可受控制,范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看,半导体的重要性都是非常巨大的。那么,用半导体材料制成的引线框架是怎么样的呢?下面就让广德均瑞电子科技为您简单解析,希望可以帮助到您! 引线框架作为集成电路的芯片载体,它起到了和外部导线连接的桥梁作用,绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架,是电子信息产业中重要的基础材料。 产品介绍 有TO、DIP、ZIP、SIP、SOP、SSOP、TSSOP、QFP(QFJ)、SOD、SOT等。主要用模具冲压法和化学刻蚀法进行生产。引线框架使用的原材料有:KFC、C194、C7025、FeNi42、TAMAC-15、

PMC-90等。材料的选择主要根据产品需要的性能:(强度、导电性能以及导热性能)来选择。 广德均瑞电子科技有限公司注册资金500万人民币,拥有不锈钢五金蚀刻加工独立法人环评资质,厂房面积2000平方米,6条不锈钢生产线,公司销售生产管理人员均超十年不锈钢蚀刻生产加工经验。公司主要生产集成电路导线架;接地端子; 表面贴装零件(SMT)模板;精密线材布线钢板;编码器光栅;手机按键、RDIF天线、基板及金属配件;(VFD)栅网、陈列、支架;电极针(放电针);各类金属过滤网片/喇叭网片;眼镜框架;精密元器件掩模板;LCD背光模仁、钢版;显像管荫罩;电脑硬盘骨架;金属蚀刻发热片工艺等。 广德均瑞电子科技是以补强钢片为主打产品的蚀刻厂,ISO9001认证工厂,具有独立法人和环评资质,持有排污许可证的企业。拥有6蚀刻加工生产线,免费提供FPC补强板工艺解决方案以及蚀刻行业资讯。

引线框架-------成分一览

附件C:引线框架原材料的种类 base Metal Feature Name Chemical Composition T.S E.C H.C Remarks Ni系 High Alloy 42Fe58/Ni426830.11 Strength Kovar Fe46/Ni29/Co17763 C155CuAg99.8/P0.06/Ag0.07/Mg0.114586 3.5 C151Cu99.9/Zr0.14890 3.7Olin C1020Cu99.96/O210PPM38101 3.9 High KFC Cu99.87/Fe0.1/P0.034290 3.5Kobe Electrical EFTEC-3S Cu99.84/Sn0.15/P0.014290 3.5Furukawa Conductivity CCZ Cu99.2/Cr0.55/Zn0.255085 3.2 PMC90Cu99.87/Fe0.1/P0.034290 3.5Poongsan Tamac-2Cu99.84/Sn0.15/P0.0064585Mitsubishi Tamac-4Cu99.85/Fe0.07/Zn0.05/P0.034985Mitsubishi SLF-3Cu99.08/Cr0.8/Sn0.125080 3.1Sumitomo C19700Cu99.15/Fe0.6/P0.3/Mg0.055180 3.1Olin C194Cu97.5/Fe2.35/P0.03/Zn0.124665 2.6Olin C195Cu97/Fe1.5/P0.1/Co0.8/Sn0.663502Olin Medium C505Cu98.7/Sn1.34640 2.1 Strength KLF-1Cu96.3/Ni3.0/Si0.76255 2.2Kobe Cu系 Medium KLF-5Cu97.87/Sn2.0/Fe0.1/P0.036035 1.3Kobe Electrical MF202Cu97.8/Sn2.0/Ni0.25530 1.5Mitsubishi Conductivity Tamac-5Cu97.97/Sn1.25/Fe0.75/P0.035240 1.4Mitsubishi EFTEC-5Cu98/Fe1.0/Sn0.5/Zn0.5Furukawa EFTEC-4S Cu97.1/Fe2.4/Zn0.54865 2.6Furukawa C19750Cu98.92/Fe0.6/Sn0.23/P0.2/Mg0.055865 2.6 K-75Cu99.53/Cr0.3/Ti0.15/Si0.025878 3.2Wieland KLF-125Cu96.5/Ni1.6/Si0.35/Zn0.3/Sn1.256870 1.5Kobe PMC102Cu98.77/Ni1.0/Si0.2/P0.035369 2.6Poongsan C510Cu94.9/Sn5.0/P0.156150.71 C654Cu95.38/Si3.05/Sn1.5/Cr0.076070.38 High AI-35Cu98.95/Al0.35/Al2030.76085 3.4 Strength C7025Cu94.77/Fe0.2/Zn1.0/Ni3.2/Si0.73/Mn0.18840Olin EFTEC-64T Cu99.65/Zn0.10/Sn0.257875Furukawa PMC26Cu99.4/Ni2.0/Si0.3/Sn0.36045Poongsan C725Cu89/Ni9/Sn265110.54 KLF-125Cu96.5/Ni1.6/Sn1.25/Si0.35/Zn0.38530Kobe Fe系 Low Cost SPCC FE-C(low)455-Nissin

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