一、晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管(可控硅)电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。
我们知道，晶闸管(可控硅)有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管(可控硅)在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管(可控硅)从断态转入通态的最低电压上升率。若电压上升率过大，超过了晶闸管(可控硅)的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管(可控硅)的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。因为晶闸管(可控硅)可以看作是由三个PN结组成。
在晶闸管(可控硅)处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。当晶闸管(可控硅)阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。如果晶闸管(可控硅)在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管(可控硅)误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。因此，对加到晶闸管(可控硅)上的阳极电压上升率应有一定的限制。
为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管(可控硅)安全运行，常在晶闸管(可控硅)两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。因为电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感)，所以与电容C 串联电阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管(可控硅)。同时，避免电容器通过晶闸管(可控硅)放电电流过大，造成过电流而损坏晶闸管(可控硅)。
由于晶闸管(可控硅)过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。
二、整流晶闸管(可控硅)阻容吸收元件的选择
电容的选择:
C=×10的负8次方×If
If=
Id-直流电流值
如果整流侧采用500A的晶闸管(可控硅)
可以计算C=×10的负8次方×500=选用，1kv 的电容器
电阻的选择：
R=((2-4) ×535)/If=选择10欧
PR=×(pfv×2πfc)的平方×10的负12次方×R)/2
Pfv=2u u=三相电压的有效值
If----正向电流
PR---- 电阻功率
PfV--- 额定功率
fc--- 不是符号！是f*c，就是频率*容值！
阻容吸收回路在实际应用中，RC的时间常数一般情况下取1~10毫秒。
小功率负载通常取2毫秒左右，R=220欧姆1W，C=微法400~630V。
大功率负载通常取10毫秒，R=10欧姆10W，C=1微法630~1000V。
R的选取：小功率选金属膜或RX21线绕或水泥电阻；大功率选RX21线绕或水泥电阻。
C的选取：CBB系列相应耐压的无极性电容器。
看保护对象来区分：接触器线圈的阻尼吸收和小于10A电流的可控硅的阻尼吸收列入小功率范畴；接触器触点和大于10A以上的可控硅和阻尼吸收列入大功率范畴。
缓冲电路（独立运行光伏发电系统功率控制研究-----内蒙古工业大学硕士论文） 开关管开通和关断理论上都是瞬间完成的，但实际情况开关管关断时刻下降的电流和上升的电压有重叠时间，所以会有较大的关断损耗。为了使IGBT 关断过程电压能够得到有效的抑制并减小关断损耗，通常都需要给IGBT 主电路设置关断缓冲电路。通常情况下,在设计关于IGBT 的缓冲电路时要综合考虑从IGBT 应用的主电路结构、器件容量以及要满足主电路各种技术指标所要求的IGBT 开通特性、关断特性等因素。 选用RCD 缓冲电路，结构如图4-5所示。 对缓冲电路的要求：尽量减小主电路的电感；电容应采用低感吸收电容；二极管应选用快开通和快速恢复二极管，以免产生开通过电压和反向恢复引起较大的振荡过电压。 （1）缓冲电容的计算 ()500.850.5184 ce s r f ce I C t t uF V =+=?=
（2）缓冲电阻的计算 0.55029.4330.283on s s t us R C uF ?===Ω? （3）缓冲二极管的选择 选用快速恢复二极管ERA34-10，参数为0.1A/1000V/0.15us 。 继电器RC 加吸收单元起到什么作用？ 接触器和继电器在断电时，线圈释放瞬间会产生一个浪涌脉冲，这个浪涌电压对某些敏感电子装置会有干扰，造成电子装置误动作或故障，因此在接触器和继电器线圈并联一个阻容吸收器来吸收这个脉冲。 一般安装吸收单元的接触器或继电器都是因为在他的同一电路中存在敏感电子电路，这些电路对浪涌脉冲比较敏感，所以这类电路中的接触器或继电器才加装吸收单元，吸收继电器线圈释放产生的脉冲和浪涌，避免电子电路的故障或误动作. RC 吸收回路的作用，一是为了对感性器件在电流瞬变时的自感电动势进行钳位，二是抑制电路中因dV/dt 对器件所引起的冲击，在感性负载中，开关器件关断的瞬间，如果此时感性负载的磁通不为零，根据愣次定律便会产生一个自感电动势，对外界辞放磁场储能，为简单起见，一般都采用RC 吸收回路，将这部份能量以热能的方式消耗掉。 设计RC 吸收回路参数，需要先确定磁场储能的大小，这分几种情况： 1、电机、继电器等，它的励磁电感与主回路串联，磁场储能需要全部由RC 回路处理，开关器件关断的瞬间，RC 回路的初始电流等于关断前的工作电流；
双向可控硅为什么称为“TRIAC”? 三端：TRIode(取前三个字母) 交流半导体开关：AC-semiconductor switch(取前两个字母) 以上两组名词组合成“TRIAC”，或“TRIACs”中文译意“三端双向可控硅开关”。 由此可见“TRIAC”是双向可控硅的统称。 另: 双向：Bi-directional(取第一个字母) 控制：Controlled (取第一个字母) 整流器：Rectifier (取第一个字母) 再由这三组英文名词的首个字母组合而成：“BCR”，中文译意：双向可控硅。 以“BCR”来命名双向可控硅的典型厂家如日本三菱，如：BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM 等等。 -------------- 双向：Bi-directional (取第一个字母) 三端：Triode (取第一个字母) 由以上两组单词组合成“BT”，也是对双向可控硅产品的型号命名,典型的生产商如：意法ST公司、荷兰飞利浦-Philips公司，均以此来命名双向可控硅. 代表型号如：PHILIPS 的BT131-600D、BT134-600E、BT136-600E、BT138-600E、BT139-600E、、等。这些都是四象限/非绝缘型/双向可控硅；Philips公司的产品型号前缀为“BTA”字头的，通常是指 三象限的双向可控硅。三象限的品种主要应用于电机电路、三相市电输入的电路、承受的瞬间浪涌电流高。 ------------------- 而意法ST公司，则以“BT”字母为前缀来命名元件的型号，并且在“BT”后加“A”或“B”来表示绝缘与非绝缘。组成：“BTA”、“BTB”系列的双向可控硅型号，如： 四象限、绝缘型、双向可控硅：BTA06-600C、BTA08-600C、BTA10-600B、BTA12-600B、BTA16-600B、BTA41-600、、、等等； 四象限、非绝缘、双向可控硅：BTB06-600C、BTB08-600C、BTB10-600B、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41-600、、、等等； ST公司所有产品型号的后缀字母(型号最后一个字母)带“W”的，均为“三象限双向可控硅”。如“BW”、“CW”、“SW”、“TW”； 代表型号如：BTB12-600BW、BTA26-700CW、BTA08-600SW、、、、等等。 至于型号后缀字母的触发电流，各个厂家的代表含义如下： PHILIPS公司：D=5mA，E=10mA，C=15mA，F=25mA，G=50mA，R=200uA或5mA，型号没有后缀字母之触发电流，通常为25-35mA； PHILIPS公司的触发电流代表字母没有统一的定义，以产品的封装不同而不同。 意法ST公司：TW=5mA，SW=10mA，CW=35mA，BW=50mA，C=25mA，B=50mA，H=15mA，T=15mA， 注意：以上触发电流均有一个上下起始误差范围，产品PDF文件中均有详细说明，一般分为最小值/典型值/最大值，而非“=”一个参数值。 对于产品类别、品种系列的名词国际上通用的命名有:
1．晶闸管导通的条件是什么？导通后流过晶闸管的电流由什么决定？晶闸管的关断条件是什么？如何实现？晶闸管导通与阻断时其两端电压各为多少？ 解：晶闸管导通的条件是：晶闸管阳极和阴极之间加正向阳极电压。门极和阴极之间加适当的正向阳极电压。 导通后流过晶闸管的电流由主电路电源电压和负载大小决定。 晶闸管的关断条件是：阳极电流小于维持电流。 关断晶闸管可以通过降低晶闸管阳极－阴极间电压或增大主电路中的电阻。 晶闸管导通时两端电压为通态平均电压（管压降），阻断时两端电压由主电路电源电压决定。 2．调试图所示晶闸管电路，在断开负载R d测量输出电压U d是否可调时，发现电压表读数不正常，接上R d后一切正常，请分析为什么？ 习题2图 解：当S断开时，由于电压表内阻很大，即使晶闸管门极加触发信号，此时流过晶闸管阳极电流仍小于擎住电流，晶闸管无法导通，电流表上显示的读数只是管子漏电流形成的电阻与电压表内阻的分压值，所以此读数不准。在S合上以后，Rd介入电路，晶闸管能正常导通，电压表的读数才能正确显示。 3．画出图1-35所示电路电阻R d上的电压波形。 图1-35 习题3图 解：
4．说明晶闸管型号KP100-8E代表的意义。 解：KP100-8E表示额定电流100A、额定电压8级（800V、通态平均电压组别E（0.7＜U T≤0.8）普通晶闸管。 5．晶闸管的额定电流和其他电气设备的额定电流有什么不同？ 解：由于整流设备的输出端所接负载常用平均电流来衡量其性能，所以晶闸管额定电流的标定与其他电器设备不同，采用的是平均电流，而不是有效值，又称为通态平均电流。所谓通态平均电流是指在环境温度为40℃和规定的冷却条件下，晶闸管在导通角不小于170°电阻性负载电路中，当不超过额定结温且稳定时，所允许通过的工频正弦半波电流的平均值。 6．型号为KP100－3、维持电流I H＝3mA的晶闸管，使用在习题图所示的三个电路中是否合理？为什么（不考虑电压、电流裕量）？ 习题6图 解：（a）图的目的是巩固维持电流和擎住电流概念，擎住电流一般为维持电流的数倍。本题给定晶闸管的维持电流I H＝3mA，那么擎住电流必然是十几毫安，而图中数据表明，晶闸管即使被触发导通，阳极电流为100V/50KΩ＝3 mA，远小于擎住电流，晶闸管不可能导通，故不合理。 （b）图主要是加强对晶闸管型号的含义及额定电压、额定电流的理解。 本图所给的晶闸管额定电压为300A、额定电流100A。图中数据表明，晶闸管可能承受的最大电压为311V，大于管子的额定电压，故不合理。 （c）图主要是加强对晶闸管型号的含义及额定电压、额定电流的理解。 晶闸管可能通过的最大电流有效值为150A，小于晶闸管的额定电流有效值1.57×100＝157A，晶闸管可能承受的最大电压150V，小于晶闸管的额定电压300V，在不考虑电压、电流裕量的前提下，可以正常工作，故合理。
一、可控硅半导体结构及其工作原理：以单向可控硅为例 晶闸管(Thyristor)又叫可控硅T在工作过程中，它的阳极A和阴极K与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路，晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路。 晶闸管的工作条件： 1. 晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受和种电压，晶闸管都处于关短状态。 2. 晶闸管承受正向阳极电压时，仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。 3. 晶闸管在导通情况下，只要有一定的正向阳极电压，不论门极电压如何，晶闸管保持导通，即晶闸管导通后，门极失去作用。 4. 晶闸管在导通情况下，当主回路电压（或电流）减小到接近于零时，晶闸管关断。 晶闸管是四层三端器件，它有J1、J2、J3三个PN结图1，可以把它中间的NP分成两部分，构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管图2 当晶闸管承受正向阳极电压时，为使晶闸管导铜，必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。图2中每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。因此，两个互相复合的晶体管电路，当有足够的门机电流Ig流入时，就会形成强烈的正反馈，造成两晶体管饱和导通，晶体管饱和导通。 设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2；发射极电流相应为Ia和Ik；电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，设流过J2结的反相漏电电流为Ic0, 晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和： Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0 若门极电流为Ig,则晶闸管阴极电流为Ik=Ia+Ig
从而可以得出晶闸管阳极电流为：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）式 硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化如图3所示。 当晶闸管承受正向阳极电压，而门极未受电压的情况下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小，故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0 晶闸关处于正向阻断状态。当晶闸管在正向阳极电压下，从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结，从而提高起点流放大系数a2,产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结，并提高了PNP管的电流放大系数a1,产生更大的极电极电流Ic1流经NPN 管的发射结。这样强烈的正反馈过程迅速进行。从图3，当a1和a2随发射极电流增加而（a1+a2）≈1时，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶闸管的阳极电流Ia.这时，流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定。晶闸管已处于正向导通状态。 式（1—1）中，在晶闸管导通后，1-（a1+a2）≈0,即使此时门极电流Ig=0,晶闸管仍能保持原来的阳极电流Ia而继续导通。晶闸管在导通后，门极已失去作用。 在晶闸管导通后，如果不断的减小电源电压或增大回路电阻，使阳极电流Ia减小到维持电流IH 以下时，由于a1和a1迅速下降，当1-（a1+a2）≈0时，晶闸管恢复阻断状态。 二、可控硅种类 按照其工作特性又可分单向可控硅(SCR)、双向可控硅(TRIAC)。其中双向可控硅又分四象限双向可控硅和三象限双向可控硅。同时可控硅又有绝缘与非绝缘两大类，如ST的可控硅用BT名称后的“A”、与“B”来区分绝缘与非绝缘。 1、单向可控硅SCR：全称Semiconductor Controlled Rectifier(半导体整流控制器) 图2-1 2、双向可控硅TRIAC：全称Triode ACSemiconductor Switch(三端双向可控硅开关)，也有厂商使用Bi-directional Controlled Rectifier(BCR)来表示双向可控硅。
电阻器和电容器 电阻器和电容器简称为阻容元件，在各类电子元器件中，它们是生产量最大，使用范围最广 的一类元件。 （一）电阻器（元件符号R） 我们平常在工作中所说的电阻其实是电阻器。 电阻器是一种具有一定阻值，一定几何形状，一定性能参数，在电路中起电阻作用的实体元件。在电路中，它的主要作用是稳定和调节电路中的电流和电压，作为分流器、分压器和消 耗电能的负载使用。 大部分电阻器的引出线为轴向引线，一小部分为径向引线，为了适应现代表面组装技术 （SMT ）的需要，还有“无引出线”的片状电阻器（或叫无脚零件），片状电阻器像米粒般 大小、扁平的，一般用自动贴片机摆放，我们公司的SMT机房里面就有。电阻器是非极性 元件，电阻器的阻值可在元件体通过色环或工程编码来鉴别。 种类： 我们常见的电阻器有下列几种： （1）金属膜电阻器（2）碳膜电阻器 （3）线绕电阻器（4）电位器 （5）电阻网络器（6）热敏电阻器 不同的电阻器，不仅其电阻值不同，功能也不一样，所以不同的电阻器是不可以随便替代的。 2.电阻的单位是欧姆（Q ）,千欧（K Q ）,兆欧（M Q）o 它们的换算公式为106Q =1M Q =103K Q 注意：若在元件体的一端有一宽的银色环，则此元件不是电阻，是电感器，如果这种银色环 与元件体上其它色环宽度相同，则还是电阻。 5 .电阻器的标识方法 （1 ）色环法：目前国标上普遍流行色环标识电阻，色环在电阻器上有不同的含义，它具有简单、直观、方便等特点。色环电阻中最常见的是四环电阻和五环电阻。 四环电阻（碳膜电阻） 第一道色环印在电阻的金属帽上，表示电阻有效数字的最高位，也表示电阻值色标法读数的 方向，第二道色环表示有效数字的次高位，第三道色环表示相乘的倍率，第四环表示误差。 金色为土5%,银色为土10%。 值得注意的是：第四环的位置国内外的标法有异，国外有此厂家把第四环也标在另一端的金属 帽上,遇此情况切记：金色或银色的一端不是第一环。第一环是离元件体端部最近的一环。 例：某电阻的色环依次为“黄、紫、红、银”，则该电阻的阻值为4700 Q =4.7K Q,误差为
晶闸管阻容吸收回路 一、晶闸管两端并联RC阻容吸收电路的作用 在实际晶闸管电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。 晶闸管有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管从断态转入通态的最低电压上升率。若电压上升率过大，超过了晶闸管的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。因为晶闸管可以看作是由三个PN结组成。 晶闸管处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。当晶闸管阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。如果晶闸管在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。因此，对加到晶闸管上的阳极电压上升率应有一定的限制。 为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管安全运行，常在晶闸管两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。因为电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感)，所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管。同时，避免电容器通过晶闸管放电电流过大，造成过电流而损坏晶闸管。 由于晶闸管过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。 二、晶闸管阻容吸收元件的选择 . 例：晶闸管是200A/1400V（KP200A）的，阻容电路该如何选择啊？ 结果：电阻：10欧姆，电容0.5微法电阻功率：P=F*C*Um*10^(-6)
众所周知固态继电器SSR是一种无触点通断电子开关，四端为有源器件。其中两个端子为输入控制端，另外两端为输出受控端，中间采用光电隔离，作为输入输出之间电气隔离（浮空）。在输入端加上直流或脉冲信号，输出端就能从关断状态转变成导通状态（无信号时呈阻断状态），从而控制较大负载。整个器件无可动部件及触点，可实现相当于常用的机械式电磁继电器一样的功能。由于固态继电器是由固体元件组成的无触点开关元件，所以与电磁继电器相比具有工作可靠、寿命长，对外界干扰小，能与逻辑电路兼容、抗干扰能力强、开关速度快和使用方便等一系列优点，因而具有很宽的应用领域，亦有逐步取代传统电磁继电器之势。那我们应该如何合理选择固态继电器的型号和规格呢？1. 在选用小电流规格印刷电路板使用的固态继电器时，因引线端子为高导热材料制成，焊接时应在温度小于250℃、时间小于10S的条件下进行，如考虑周围温度的原因，必要时可考虑降额使用，一般将负载电流控制在额定值的1/2以内使用。2. 各种负载浪涌特性对固态继电器SSR的选择被控负载在接通瞬间会产生很大的浪涌电流，由于热量来不及散发，很可能使SSR 内部可控硅损坏，所以用户在选用继电器时应对被控负载的浪涌特性进行分析，然后再选择继电器。使继电器在保证稳态工作前提下能够承受这个浪涌电流。在低电压要求信号失真小可选用采用场效应管作输出器件的直流固态继器；如对交流阻性负载和多数感性负载，可选用过零型继电器，这样可延长负载和继电器寿命，也可减小自身的射频干扰。如作为相位输出控制时，应选用随机型固态继电器。3. 使用环境中温度的影响对固态继电器的负载能力、受环境温度和自身温升的影响较大，在安装使用过程中，应保证其有良好的散热条件，额定工作电流在10A以上的产品应配散热器，100A以上的产品应配散热器加风扇强冷。在安装时应注意继电器底部与散热器的良好接触，并考虑涂适量导热硅脂以达到最佳散热效果。如继电器长期工作在高温状态下（40℃~80℃）时，用户可根据厂家提供的最大输出电流与环境温度曲线数据，考虑降额使用来保证正常工作。4. 过流、过压保护措
阻容吸收回路通常过电压均具有较高的频率，因此常用电容作为吸收元件，为防止振荡，常加阻尼电阻，构成阻容吸收回路。阻容吸收回路可接在电路的交流侧、直流侧，或并接在晶闸管的阳极与阴极之间。 压敏电阻是以氧化锌为基体的金属氧化物非线性电阻，其结构为两个电极，电极之间填充的粒径为10~50μm的不规则的ZNO微结晶，结晶粒间是厚约1μm的氧化铋粒界层。这个粒界层在正常电压下呈高阻状态，只有很小的漏电流，其值小于100μA。当加上电压时，引起了电子雪崩，粒界层迅速变成低阻抗，电流迅速增加，泄漏了能量，抑制了过电压，从而使晶闸管得到保护。浪涌过后，粒界层又恢复为高阻态。收电路最好选用无感电容，接线应尽量短 由于压敏电阻的通流容量大，残压低，抑制过电压能力强；平时漏电流小，放电后不会有续流，元件的标称电压等级多，便于用户选择；伏安特性是对称的，可用于交、直流或正负浪涌；因此用途较广。。 过电压产生的原因主要是供给的电功率或系统的储能发生了激烈的变化，使得系统来不及转换，或者系统中原来积聚的电磁能量来不及消散而造成的。主要发现为雷击等外来冲击引起的过电压和开关的开闭引起的冲击电压两种类型。 （1）交流电源接通、断开产生的过电压例如，交流开关的开闭、交流侧熔断器的熔断等引起的过电压，这些过电压由于变压器绕组的分布电容、漏抗造成的谐振回路、电容分压等使过电压数值为正常值的2至10多倍。一般地，开闭速度越快过电压越高，在空载情况下断开回路将会有更高的过电压。 （2）直流侧产生的过电压如切断回路的电感较大或者切断时的电流值较大，都会产生比较大的过电压。这种情况常出现于切除负载、正在导通的晶闸管开路或是快速熔断器熔体烧断等原因引起 浪涌电流是指电网中出现的短时间象“浪”一样的高电压引起的大电流。当某些大容量的电气设备接通或断开时间，由于电网中存在电感，将在电网产生“浪涌电压”，从而引发浪涌电流.
可控硅并联阻容吸收电路的选型与计算 为什么要在晶闸管两端并联阻容网络 一、在实际晶闸管电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。 我们知道，晶闸管有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管从断态转入通态的最低电压上升率。若电压上升率过大，超过了晶闸管的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。因为晶闸管可以看作是由三个PN结组成。 在晶闸管处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。当晶闸管阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。如果晶闸管在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。因此，对加到晶闸管上的阳极电压上升率应有一定的限制。 为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管安全运行，常在晶闸管两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。因为电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感)，所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管。同时，避免电容器通过晶闸管放电电流过大，造成过电流而损坏晶闸管。 由于晶闸管过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。 二、整流晶闸管(可控硅)阻容吸收元件的选择 电容的选择 C=(2.5-5)×10的负8次方×If If=0.367Id Id-直流电流值 如果整流侧采用500A的晶闸管(可控硅) 可以计算C=(2.5-5)×10的负8次方×500=1.25-2.5mF 选用2.5mF，1kv 的电容器 电阻的选择： R=((2-4) ×535)/If=2.14-8.56 选择10欧 PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的负12次方×R)2 Pfv=2u(1.5-2.0) u=三相电压的有效值 阻容吸收回路在实际应用中，RC的时间常数一般情况下取1~10毫秒。 小功率负载通常取2毫秒左右，R=220欧姆1W，C=0.01微法400~630V。
阻容滤波电路原理与特点及RC元件选择 阻容滤波电路图如下: 阻容滤波电路优点: 1.滤波效能较高 2.能兼降压限流作用 阻容滤波电路缺点: 1.带负载能力差 2.有直流电压损失 阻容滤波电路适用场合:负载电阻较大，电流较小及要求纹波系数很小的情况 阻容滤波电路参数选择: 全波整流 RC2=[(2.3×106)/rRL] R一般取数十至数百WC(mF) 何谓退耦？ 所谓退耦，既防止前后电路网络电流大小变化时，在供电电路中所形成的电流冲动对网络的正常工作产生影响。换言之，退耦电路能够有效的消除电路网络之间的寄生耦合。 退耦滤波电容的取值通常为47~200μF，退耦压差越大时，电容的取值应越大。所谓退耦压差指前后电路网络工作电压之差。 如下图为典型的RC退耦电路，R起到降压作用：
大家看到图中，在一个大容量的电解电容C1旁边又并联了一个容量很小的无极性电容C2 原因很简单，因为在高频情况下工作的电解电容与小容量电容相比，无论在介质损耗还是寄生电感等方面都有显著的差别（由于电解电容的接触电阻和等效电感的影响，当工作频高于谐振频率时，电解电容相当于一个电感线圈，不再起电容作用）。在不少典型电路，如电源退耦电路，自动增益控制电路及各种误差控制电路中，均采用了大容量电解电容旁边并联一只小电容的电路结构，这样大容量电解电容肩负着低频交变信号的退耦，滤波，平滑之作用；而小容量电容则以自身固有之优势，消除电路网络中的中，高频寄生耦合。在这些电路中的这一大一小的电容均称之为退耦电容。 还有些电路存在一些设置直流工作点的电阻，为消除其对于交流信号的耦合或反馈作用就需要在其上并联适当的电容来减少对交流信号的阻抗。这些电容均起到退耦作用称之为退耦电容。 在放大倍数较高的电路中，后级的信号电流往往比较大，而电源内阻和电源布线的电阻就不容忽视了，较大的信号电流，会在这些电阻上产生压降，这些压降就会“耦合”到前面的小信号放大级的输入端，从而又被重新放大，如此反复，造成恶性循环，于是整个放大电路就无法正常工作，其表现就是产生“自激振荡”。 退耦电路就是要退除掉这种通过电源内阻、或电源布线电阻产生的耦合。使后级的大电流信号不能通过这些电阻重新耦合到前级，以保证放大电路正常工作。 小电流的退耦合电路通常是用阻容滤波电路，该电路中的电阻就称为滤波电阻，他不是什么特殊的电阻，就是普通的电阻，因为是起滤波作用，因此叫做滤波电阻。
电力电子期末试题■及答案1晶闸管导通的条件是什么？导通后流过晶闸管的电流由什么决定？晶闸管的关断条件是什么？如何实现？晶闸管导通与阻断时其两端电压各为多少？ 解：晶闸管导通的条件是：晶闸管阳极和阴极之间加正向阳极电压。门极和阴极之间加适当的正向阳极电压。 导通后流过晶闸管的电流由主电路电源电压和负载大小决定。 晶闸管的关断条件是：阳极电流小于维持电流。 关断晶闸管可以通过降低晶闸管阳极一阴极间电压或增大主电路中的电阻。 晶闸管导通时两端电压为通态平均电压（管压降）,阻断时两端电压由主电路电源电压决定。 2?调试图所示晶闸管电路，在断开负载R d
测量输出电压U d是否可调时，发现电压表读数不正常，接上R d后一切正常，请分析为什么？ 习题2图 解：当S断开时，由于电压表内阻很大，即使晶闸管门极加触发信号，此时流过晶闸管阳极电流仍小于擎住电流，晶闸管无法导通，电流表上显示的读数只是管子漏电流形成的电阻与电压表内阻的分压值，所以此读数不准。在S合上以后，Rd介入电路，晶闸管能正常导通，电压表的读数才能正确显示。 3.画出图1-35所示电路电阻R d上的电压波形。 图1-35习题3图 解: 4.说明晶闸管型号KP100-8E代表的意义。解：
KP100-8E表示额定电流100A、额定电压 8级（800V、通态平均电压组别 E （0.7V U T< 0.8）普通晶闸管 5?晶闸管的额定电流和其他电气设备的额定电流有什么不同？ 解：由于整流设备的输出端所接负载常用平均电流来衡量其性能，所以晶闸管额定电流的标定与其他电器设备不同，采用的是平均电流，而不是有效值，又称为通态平均电流。所谓通态平均电流是指在环境温度为40 C 和规定的冷却条件下，晶闸管在导通角不小于仃0°电阻性负载电路中，当不超过额定结温且稳定时，所允许通过的工频正弦半波电流的平均值。 6.型号为KP100 —3、维持电流I H = 3mA的晶闸管，使用在习题图所示的三个电路中是否合理？为什么（不考虑电压、电流裕量）？ 习题6图 解：（a）图的目的是巩固维持电流和擎住电流概念，擎住电流一般为维持电流的数倍。本题给定晶闸管
阻容吸收原理[工程技术] 1个回答686次浏览 北京过客2009-6-19 16:51:27 222.35.64.* 举报 阻容吸收原理 回答 登录并发表回答取消在谷歌搜索阻容吸收原理 回答按时间排序按投票数排序 jiongwang2009-6-19 16:51:58 221.2.147.* 举报 为防止系统内部瞬间过电压冲击（主要为断路器、接触器开断产生的操作过电压）对重要电气设备的损伤，通行的做法是在靠近断路器或接触器位置安装氧化锌避雷器（MOA）或阻容吸收器进行冲击保护。比较两类产品性能上的优点，氧化锌产品的优点主要在能量吸收能力强，可以用于防雷电等大电流冲击；阻容吸收器的优点主要在于起始工作电压低，可有效吸收小电流冲击对设备的影响。 由于传统避雷器或阻容吸收器是单极式，一端接母排一端接地，虽可以有效吸收相对地过电压，但起不到相间过电压的保护作用。故近年来推广三相组合式过电压吸收器，将上述两类产品做成通过中性点再接地形式，以起到相间保护作用。（见附图） 10年来三相组合式过电压吸收器的推广实践显示，以非线性氧化锌电阻片元件为主的组合式产品整体事故率较低，事故主要在于个别厂家的个别批次产品生产工艺上的失误。严格执行相关标准的产品均能安全使用多年。相反，以薄膜电容元件为主的组合式阻容吸收器事故率较高，原因不明的电容器损坏事故时有发生。因此自2002年以后，主要的组合式阻容吸收器生产厂家均在其产品电容上串联间隙或其它元件将电容器从正常系统中隔离，以防止继续出现电容烧毁事故。对于此类问题，目前通行的解释是：由于电容器为频敏元件，对系统高频谐波敏感性高。一旦系统谐波比较严重，就将使电容频繁处于工作状态，无法有效散
电容降压的工作原理并不复杂。他的 工作原理是利用电容在一定的交流信号频率下产生的容抗来限制最大工作电流。例如,在50Hz的工频条件下,一个1uF的电容所产生的容抗约为3180欧姆。当220V的的交流电压加在电容器的两端,则流过电容的最大电流约为70mA。虽然流过电容的电流有70mA,但在电容器上并不产生功耗，因为如果电容是一个理想电容,则流过电容的电流为虚部电流,它所作的功为无功功率。根据这个特点,我们如果在一个1uF的电容器上再串联一个阻性元件,则阻性元件两端所得到的电压和它所产生的功耗完全取决于这个阻性元件的特性。例如,我们将一个110V/8W的灯泡与一个1uF的电容串联,在接到220V/50Hz的交流电压上,灯泡被点亮,发出正常的亮度而不会被烧毁。因为110V/8W的灯泡所需的电流为8W/110V=72mA,它与1uF电容所产生的限流特性相吻合。同理,我们也可以将5W/65V的灯泡与1uF电容串联接到220V/50Hz的交流电上,灯泡同样会被点亮,而不会被烧毁。因为5W/65V的灯泡的工作电流也约为70mA。因此,电容降压实际上是利用容抗限流。而电容器实际上起到一个限制电流和动态分配电容器和负载两端电压的角色。 LED节能灯电路原理图 P 图1是一款LED灯杯的实用电路图,该灯使用220V电源供电,220V交流电经C1降压电容降压后经全桥整流再通过C2滤波后经限流电阻R3给串联的38颗LED提供恒流电源.LED的额定电流为20mA,但是我们在制作节能灯的时候要考虑很多方面的因素对LED的影响,包括光衰和发热的问题,我们在做这种灯的时候因为LED的安装密度比较高,热量不容易散出,LED的温度对光衰和寿命影响很大,如果散热不好很容
电源招聘专家线性电源，可控硅电源，开关电源电路的简单比较 关于电路结构，究竟是线性电源，可控硅电源还是开关电源，要看具体场合，合理采用。这三种电路，国际国内都大量使用，各有各的特点。可控硅电源，以其强大的输出功率，使线性电源和开关电源无法取代。线性电源以其精度高，性能优越而被广泛应用。开关电源因省去了笨重的工频变压器而使体积和重量都有不同程度的减少，减轻，也被广泛地应用在许多输出电压、输出电流较为稳定的场合。 一、可控硅电源的电路结构如下： 通俗的说，可控硅是一个控制电压的器件，由于可控硅的导通角是可以用电路来控制的，固此随着输出电压Uo的大小变化，可控硅的导通角也随着变化。加在主变压器初级的电压Ui也随之变化。 也就是~220V市电经可控硅控制后只有一部分加在主变压器的初级。当输出电压Uo 较高时，可控硅导通角较大，大部分市电电压被可控硅“放过来了”（如上图所示），因而加在变压器初级的电压，即Ui较高，这当然经整流滤波后输出电压也就比较高了。而当输出电压Uo很低时，可控硅导通角很小，绝大部分市电电压被可控硅“卡断了”（如下图所示），只让很低的电压加在变压器初级，即Ui很低，这当然经整流滤波后输出电压也就很低了。
电源招聘专家 二．线性电源的主电路如下： 线性电源实际上是在可控硅电源的输出端再串一只大功率三极管（实际是多只并联），控制电路只要输出一个小电流到三极管的基极就能控制三极管的输出大电流，使得电源系统在可控硅电源的基础上又稳压一次，因而这种线性稳压电源的稳压性能要优于开关电源或可控硅电源1-3个数量级。但功率三极管（亦称调整管）上一般要占用10伏电压，每输出1安培电流就要在电源内部多消耗10瓦功率，例如500V 5A电源在功率管上的损耗为50瓦，占输出总功率的2%，因而线性电源的效率要比可控硅电源稍低。 三、开关电源的主电路如下： 由电路可以看出，市电经整流滤波后变为311V高压，经K1~K4功率开关管有序工作后，变为脉冲信号加至高频变压器的初级，脉冲的高度始终为311V。当K1,K4开通时,311V高压电流经K1正向流入主变压器初级，经K4流出，在变压器初级形成一个正向脉冲，同理，当
阻容吸收原理 为防止系统内部瞬间过电压冲击（主要为断路器、接触器开断产生的操作过电压）对重要电气设备的损伤，通行的做法是在靠近断路器或接触器位置安装氧化锌避雷器（MOA）或阻容吸收器进行冲击保护。比较两类产品性能上的优点，氧化锌产品的优点主要在能量吸收能力强，可以用于防雷电等大电流冲击；阻容吸收器的优点主要在于起始工作电压低，可有效吸收小电流冲击对设备的影响。 由于传统避雷器或阻容吸收器是单极式，一端接母排一端接地，虽可以有效吸收相对地过电压，但起不到相间过电压的保护作用。故近年来推广三相组合式过电压吸收器，将上述两类产品做成通过中性点再接地形式，以起到相间保护作用。（见附图） 10年来三相组合式过电压吸收器的推广实践显示，以非线性氧化锌电阻片元件为主的组合式产品整体事故率较低，事故主要在于个别厂家的个别批次产品生产工艺上的失误。严格执行相关标准的产品均能安全使用多年。相反，以薄膜电容元件为主的组合式阻容吸收器事故率较高，原因不明的电容器损坏事故时有发生。因此自2002年以后，主要的组合式阻容吸收器生产厂家均在其产品电容上串联间隙或其它元件将电容器从正常系统中隔离，以防止继续出现电容烧毁事故。对于此类问题，目前通行的解释是：由于电容器为频敏元件，对系统高频谐波敏感性高。一旦系统谐波比较严重，就将使电容频繁处于工作状态，无法有效散发能量，积累导致最终烧毁。这也是后来普遍装设间隙或其它隔离元件的理论依据。 但是，据此理论做出的组合式阻容吸收器，由于存在隔离装置，使小电流区域阻容吸收器较氧化锌型产品的性能优势有所降低；而在大电流区域阻容吸收器较氧化锌型产品又有先天上的不足。那么能不能做出一种既不牺牲性能又保障安全的组合式阻容吸收器？我们对此有全新的认识。 我公司长期生产氧化锌型限压产品和阻容吸收型产品，依据我们的实际经验，认为过去电容烧毁频频的主要原因，并不能完全归罪在谐波超标，而是其它问题。只要克服这个问题，就可以生产出一种无须隔离装置依然可以长期安全使用的组合式阻容吸收产品。使组合式阻容吸收器真正在性能上远远优于氧化锌类产品。 在讨论此之前，需要先明晰氧化锌类组合式产品A、B、C、E四个模块的常规配置方式。按照业内主要生产厂家的企标和今年刚通过审批的机械部部标，通行的配置方式如下： 电压值：相模块+地模块=普通MOA 其中相模块稍高于地模块，或在相模块中装设间隙。 通流值：组合式各模块均高于普通MOA 也就是说，在氧化锌电阻片的配置数量上，任意相模块+地模块=普通MOA；在氧化锌电阻片的能量吸收能力上，组合式产品优于普通MOA。 这里存在一个技术上的争议。普通MOA一端接母线，一端接地线，系统电压正常时其承受电压为相电压。组合式产品的这种配置，表面上看是假设相模块+地模块串联后一起承受相电压。然而事实上绝非如此简单。因为A、B、C三个相模块下部连为一体，相当于电阻星型连接。在系统电压稳定时，O点为标准的中性点，电位应为零（见附图）。我们刚才假设的相+地串联共同承受相电压的情况并不成立。实际的情况是系统正常时，零电位点在地模块的上端而非下端。相模块需要单独承受持续的相电压。我们知道，氧化锌电阻片两端承受
家用电子整机产品是由许多元器件和利料组成的，它们在电子电路中起着不同的作用。家用电于整机产品性能的优劣，不但同电路的设计、结构、工艺和操作水平有关，而且还里与止确识别、判别、选用元器件材料有很大的关系。 元器件是电路的基本零件。单个分立的常规零件，也可以由若干个零件组成，带有端子，可直接与其他器件相连接，能在同类装置中互换使用，这种零件通常称为元件，也可称为锚件。 常用元器件的品种、规格较多，它的分类方法也不同，下面介绍几种常用的分类方法。 22s件{：：：三；：：：二三：；，：；：二 ·2)按元器件的引出线分 有川“线元件{二：：：；： 无引出线，i件(片状元件或贴片 元器件的变化规律分 ：卧式或水平式 元件) 厂模拟元件、 元28件叫 l非线性元件 l开关元件 元器件的功能分 ／无源元件(电阻2S、电容器、电感器) J有源元件(电真空器件、半导体器件) ／电子元件<变换元件(电声器件、热电路件、拾音器、 J 1磁性元件(磁钢、铁氧体等) 1＼敏感元件(热敏、光敏、压敏、力敏、湿‘ 4．1 阻容感元件 家用电子整机产品中使用最广泛的元件是无源元件。凡对电压和电流无控制和变换作呻D放大、开关、振荡等)的元件，称为无源元什。它主要包括电阻器、电容器、电感器；类，所以也简称为阻容感元件。 4．1．1阻容感元件概述 (1)电阻器。物体对电流通过时的阻碍作用，称为电阻。具有一定的阻值、一定的几 何形状、一定的技术性能、在电路中能起电阻作用的元件，称为电阻器。由于电阻是物理量， 电阻2S是物体的名称，因此平时我们不能把电阻等同于电阻器来看待。电阻器中能改变电阻 值，能控制电位大小的元件，也称为电位器或可变电阻罪。 (2)电容器。在两个导体中间隔一层绝缘介质，就能构成— 电荷的容器，称为电容器。 (3)电感器。应用电感感应原理制成的元件称为电感器。 和变压器两种，具有自感作用的电感器称为电感线圈，具有互 器。 家用电子按机产品中的阻容感元件， 电感器又可分为电感线圈 感作用的电感器称为变压 电阻器在电路中具有限流、分流、降压、分压、负载、取样等作用。 电容器在电路中具有隔直、通交(耦合、旁路、滤波)、储存电能、补偿等作用 电感器在电路中具有电磁能转换、储存磁能、延时、分离信号等作用。 3．阻容感元件的代号 参照GBff7195—1987国家标准，详见附表A所示。 4．阻容感元件的图形符号 参照GB／'T4728--1985国家标准，图4．1表示了阻容感元件中常用的图形符号。 5．电阻、电容、电感量的单位
IGBT无损缓冲吸收电路设计 1 IGBT无损吸收网络 工作在硬开关方式下的IGBT，若不断地提高其工作频率会引起以下问题。 1）开关损耗大。开通时，开关器件的电流上升和电压下降同时进行；关断时，电压上升 和电流下降同时进行。电压、电流波形的交叠产生了开关损耗，该损耗随开关频率的提高 而急速增加。 2）感性关断电压尖峰大。当器件关断时，电路中的感性元件感应出尖峰电压。开关频率 愈高，关断愈快，该感应电压愈高。此电压加在开关器件两端，易造成IGBT模块击穿。3）容性开通电流尖峰大。当开关器件在很高的电压下开通时，储存在开关器件结电容中 的能量将以电流形式全部耗散在该器件内。频率愈高，开通电流尖峰愈大，从而会引起IGBT器件过热损坏。另外，二极管由导通变为截止时存在着反向恢复期，开关管在此期间的开通动作易产生很大的冲击电流。频率愈高，该冲击电流愈大，对器件的安全运行造成 危害。 4）电磁干扰严重。随着频率提高，电路中的di/dt和du/dt增大，从而使电磁干扰增大，影响变换器和周围电子设备的工作。 上述问题严重妨碍了开关器件工作频率的提高，降低变换器的效率，并危及开关器件的安 全可靠工作。近年来开展的软开关技术研究为克服上述缺陷提供了一条有效途径。软开关 工方式与硬开关工作方式不同，理想的零电流软关断过程是电流先降到零，电压再缓慢上 升到断态值，所以关断损耗近似为零。由于器件关断前电流已下降到零，解决了感性关断 问题。理想的零电压软开通过程是电压先降到零后，电流再缓慢上升到通态值，所以开通 损耗近似为零，器件结电容上的电压亦为零，解决了容性开通问题。同时，开通时二极管 反向恢复过程已经结束，因此二极管反向恢复问题亦不存往。di/dt和du/dt的降低使得EMI问题得以解决。 软开关技术实际上是利用电容与电感缓冲吸收原理，使开关器件中电流（或电压）按正弦 或准正弦规律变化。当电流过零时，使器件关断；当电压过零时，使器件开通-实现开关损耗为零。 软开关技术在改善功率开关器件工作状态方面效果明显，使电力变换器的高频化成为可能，提高了功率器件工作的可靠性和安全性，实现了开关器件的软开关，使开关器件的电压、 电流应力减小，在减小电力变换器的体积、重量以及降低电磁干扰方面效果明显。 1．缓冲吸收原理 缓冲电路（阻容吸收电路）主要用于抑制模块内部的IGBT单元的过电压和du/dt或者过 电流和di/dt，同时减小IGRT的开关损耗。由于缓冲电路所需的电阻、电容的功率、体积都较大，所以在IGBT模块内部并没有专门集成这部分电路，因此，在实际的系统中设有 缓冲电路，通过电容可把过电压的电磁能量变成静电能量储存起来，电阻可防止电容与电
可控硅的正确使用 可控硅是中频电源的心脏，它的正确使用对中频电源的运行至关重要。一台中频电源一年损坏三五只可控硅尚属正常，如果经常烧硅，电炉停摆，影响生产，就要引起警觉了。可控硅的工作电流从几百安到几千安，电压通常在一两千伏，良好的主控板保护和良好的水冷条件是必备的。可控硅的超负荷特性，可控硅的损坏称为击穿。在正常的水冷条件下，电流超负荷能力可达110%以上，无电压超负荷能力，就是说，硅在超压情况下，是肯定损坏的。再考虑到浪涌电压，厂家在制造中频电源时，往往都按工作电压的3-4倍值来选择硅元件。比如说，中频柜的额定工作电压是750V时，就选2只耐压1400V的硅元件串联工作，相当于2800V耐压值。可控硅的正确安装压力，150-200KG/cm2。在中频电源出厂时，一般是用油压机压装。人工用普通的扳手用最大力气也达不到该数值，所以人工装压时，不必要担心硅会被压坏，压松了，反而会由于散热不良而烧硅。 可控硅的散热器结构，水冷空腔+多铜柱支撑。如果循环水太硬，就会在水腔内部结垢，造成散热不良，如果水腔内进入树叶等杂物，也会造成水流不畅。可控硅的出厂测试温度是100℃，结温，,一般情况下，中频电源循环水温保持在40℃以下就能保证它的正常工作。手持式红外线测温仪非常有用，350℃的测温仪才几百元，不太贵。用它来测量正在工作电源的可控硅温度及散热器温度，可及时发现异常点，处理故障。 散热器的台面必须与元素分析仪件台面尺寸相匹配，防止压偏、压歪，而损坏器件。散热器台面必须具有较高的平整、光洁度。建议散热器台面粗糙度小于或等于 1.6μm，平整度小于或等于30μm。安装时元件台面与散热器台面应保持清洁、干净、无油污等脏物。 安装时要保持硅元素分析仪件台面与散热器的台面完全平行、同心。安装过程中，要求通过元件中心线施加压力，以使压力均匀分布在整个接触区域。用户手工安装时，建议使用扭矩扳手，对所有紧固螺母交替均匀用力，压力的大小要达到规定要求。在重复使用水冷散热器时，应特别注意检查其台面是否光洁、平整，水腔内是否有水垢和堵塞，尤其注意台面是否出现下陷情况，若出现了上述情况应予以更换。