多晶硅尾气回收和处理技术
1. 现状：据测算，1000吨多晶硅还原过程中将产生370万Nm3氢气，1350吨氯化氢、21600吨三氯氢硅和12000吨四氯化硅，如不回收利用，将造成资源的浪费和环境的污染
2. 预计效益：运用。该技术回收上述物料，按目前市价计算每年可直接节约2.48亿元费用，相当于每公斤多晶硅减少248元的成本。
四川成都赛普瑞兴科技有限公司目前运用独有技术，在通威股份永祥多晶硅尾气回收中，投产成功，据了解在多晶硅尾气回收技术国内此前一直使用国外的技术和设备。此项目的成功意味着国产化的开始，经济效益明显提高，降低生产成本。该技术是现目前国内唯一一套投产成功的项目。国内有其他公司进行相类似的技术研发和推广。但只是理论上的技术，发展不完善。没有工业装置投产。
3.多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。生产多晶硅的过程是：硅砂先在电弧炉中与碳置换成98%的金属硅，跟着与氯气、氢气反应后生成三氯氢硅，再在氢气中还原沉积成多晶硅。
4. 四氯化硅的无害化处理正是中国太阳能产业所不得不面临的现实。多晶硅核心技术——三氯氢硅还原法垄断在美国、德国、日本等六七家企业手中，中国企业很难获得关键技术。生产多晶硅是一个提纯过程，金属硅转化成三氯氢硅，再用氢气进行一次性还原，这个过程中约有25%的三氯氢硅转化为多晶硅，其余大量进入尾气，同时形成副产品——四氯化硅。在这个过程中，如果回收工艺不成熟，三氯氢硅、四氯化硅、氯化氢、氯气等有害物质极有可能外溢，存在重大的安全和污染隐患。四氯化硅一遇潮湿空气即分解成硅酸和剧毒气体氯化氢，对人体眼睛、皮肤、呼吸道有强刺激性，遇火星会爆炸；氯气的外溢则可使人出现咳嗽、头晕、胸闷等病状，并导致农作物大面积减产和绝收。
5.
6. 三氯氢硅合成炉尾气的治理
将从三氯氢硅合成炉排出的尾气，经压缩使其压力达到0.7MPa后进入水冷却器进行初步冷却，然后再进入冷凝器经-45℃冷媒进一步冷却，这样绝大部分三氯氢硅被冷凝成液体，与氯化氢、氢气分离。冷凝的三氯氢硅液体与合成的三氯氢硅一起送中间产品贮罐，未被冷凝的少量氯硅烷、氯化氢和氢气，可以采取以下3种方法回收。
3.2.1 综合回收方法
未冷凝的氯化氢、氢气返回氯化氢合成系统，氢气与氯气按一定比例混合，燃烧生成氯化氢，循环使用。
3.2.2 淋洗中和处理方法
氯化氢、氢气和少量的未冷凝的氯硅烷送尾气淋洗塔，用大量水进行喷淋吸收，氯化氢溶解于水中，三氯氢硅等氯硅烷水解生成二氧化硅和溶于水的氯化氢，氯化氢水溶液经氢氧化钠中和达标后排放。
3.2.3 尾气吸附处理方法
利用活性炭对氯硅烷的吸附作用。当尾气中氯化氢、氢气及少量未液化的氯硅烷经过活性炭后，其中的氯硅烷就被活性炭吸附，当活性炭吸附饱和后，由蒸汽加热，脱出吸附的氯硅烷，与合成产品一同送分离系统进行分离。未被吸附的氯化氢经水吸收后，变为副产品盐酸外售。剩余的氢气送氯化氢合成系统按一定比例与氯气燃烧生成氯化氢循环使用。
4 治理方法的比较
4.1 综合回收方法
采用该方法使合成工序开路工艺流程变为闭路循环，提高原材料利用率，除低了原材料单耗，实现了无废气排出，彻底解决了环境污染问题。
但是，尾气中含有的微量氯硅烷容易与氯化氢中的水反应生成固体二氧化硅堵塞管道，另外三氯氢硅进入合成炉会导致三氯氢硅的收率降低。
4.2 淋洗中和处理方法
该方法工艺简单，技术成熟，投资少，通过控制喷淋系统的水量和中和池的氢氧化钠的投入量，也可以很好地实现合格排放。
缺点是没有对氯化氢和氢气进行二次利用，使消耗增高。另外尾气中的氯硅烷与水反应生成不溶于水的二氧化硅和盐酸，同时氯化氢溶于水也形成盐酸，三废处理量大。
4.3 吸附塔吸附方法
在回收少量的氯硅烷的基础上，尾气中的氯化氢被水吸收后成为盐酸，不但解决了酸性水排放的问题，同时增加了副产品盐酸，增加了经济效益。该方法对活性炭的要求较高，蒸汽用量较大，经济性较差。
多晶硅装置开车前清洗技术 多晶硅生产对环境及设备的清洁要求十分高。生产工艺过程比较复杂。尤其是塔器设备，对产品的质量影响极为重要。为了保证一次性开车投产顺利，保证产品质量，在设备的安装过程中，对设备及管线等重要设备的清洗工作十分严谨。在清洗过程中，使每个环节质量都达到标准。避免开车质量事故的发生。最大限度地降低调试费用，必须做好工艺设备和工艺管道安装前的清洗处理。针对不同的工艺要求、不同的设备材质以及不同的设备类型，清洗处理要求和达到的基本标准（要求达到无油、无水与无尘的三无要求）也不同。同时符合《脱脂工程施工及验收规范》和《工业设备化学清洗质量标准》并根据业主和成达公司的具体要求可分为一般清洗和洁净清洗。 多晶硅设备的清洗主要工艺为酸洗、脱脂、钝化、干燥等，其中最关键是脱脂工艺和干燥技术。油脂和水对多晶硅的产品有巨大影响。因此在多晶硅设备的清洗中，以脱脂工艺和干燥工艺为要点。主要清洗还原炉、氢化炉、CDI设备、合成车间、还原氢化车间、精馏系统、中间罐、管道等主要设备。并且为了保证脱脂和干燥的质量，多晶硅设备清洗需要对单台设备进行单台清洗并验收后，再进行安装。 二、污垢主要对多晶硅影响因素 1、油脂：在多晶硅生产过程中，油分子对多晶硅的危害十分严重。实际证明，整个工艺系统几ppm的油含量就可能造成多晶硅反应速度减慢，产量降低，甚至硅反应停止。因此，多晶硅设备的脱脂工艺尤为重要。 2、水分：水中含有大量的氯离子，氯离子对多晶硅的反应十分敏感。设备及系统干燥工艺很关键。 3、氯离子残留：水和其他溶液在设备表面残留的氯离子对多晶硅影响十分大。因此，在清洗后对设备进行纯水冲洗工艺十分重要。 4、氧化物、灰尘其他杂质：其他污垢的存在，对多晶硅的生产影响也很大。因此，在设备清洗过程中，采用酸洗工艺对其他污垢进行清洗十分必要。 一、概述 多晶硅生产对环境及设备的清洁要求十分高。生产工艺过程比较复杂。尤其是塔器设备，对产品的质量影响极为重要。为了保证一次性开车投产顺利，保证产品质量，在设备的安装过程中，对设备及管线等重要设备的清洗工作十分严谨。在清洗过程中，使每个环节质量都达到标准。避免开车质量事故的发生。最大限度地降低调试费用，必须做好工艺设备和工艺管道安装前的清洗处理。针对不同的工艺要求、不同的设备材质以及不同的设备类型，清洗处理要求和达到的基本标准（要求达到无油、无水与无尘的三无要求）也不同。同时符合《脱脂工程施工及验收规范》和《工业设备化学清洗质量标准》并根据业主和成达公司的具体要求可分为一般清洗和洁净清洗。 多晶硅设备的清洗主要工艺为酸洗、脱脂、钝化、干燥等，其中最关键是脱脂工艺和干燥技术。油脂和水对多晶硅的产品有巨大影响。因此在多晶硅设备的清洗中，以脱脂工艺和干燥工艺为要点。主要清洗还原炉、氢化炉、CDI设备、合成车间、还原氢化车间、精馏系统、中间罐、管道等主要设备。并且为了保证脱脂和干燥的质量，多晶硅设备清洗需要对单台设备进行单台清洗并验收后，再进行安装。 二、污垢主要对多晶硅影响因素 1、油脂：在多晶硅生产过程中，油分子对多晶硅的危害十分严重。实际证明，整个工艺系统几ppm的油含量就可能造成多晶硅反应速度减慢，产量降低，甚至硅反应停止。因此，多晶硅设备的脱脂工艺尤为重要。
多晶硅生产企业尾气回收车间工艺题库 一、填空题 1、RF6401AB机组的高压级排气压力报警值(16.8)bar调停值(17.2)bar正产控制 参范围（13.5-15.5）bar。 2、E6401的出口压力为（5.6±0.1bar）出口温度为（<40℃）。 3、D6401的LI06102正常控制值是（40%）。 4、吸收是指利用气体混合物中各组分在液体溶剂中（溶解度）的不同而使气体中 （不同组分）分离的过程。 5、解析是将吸收得到的溶质气体从（液体中分离出来）的过程，是吸收的（逆） 操作。 6、E26412的出口正常控制温度为（180±10℃）。 7、E26413的出口正常控制温度为（10±5℃）。 8、T10602的出口物料的流量为（90-100m3/h）。 9、T6402的FIC06301控制值为(60m3/h)。 10、来自还原炉或氢化炉的反应尾气中的（氢气）、（氯化氢）、（二氯二氢硅）、（三 氯氢硅）和（四氯化硅）等组分经(放空气冷却器）、（放空气换热器）、（放空 气乙二醇冷却器）和（放空气R22冷却器）后，其中大部分氯硅烷（二氯二 氢硅、三氯氢硅和四氯化硅）被冷凝成液体，用泵输送至HCL精馏塔将（氯 化氢）解析出来，解吸后的氯硅烷部分作为HCL吸收塔的吸收液，多余物料 送往罐区，由精馏车间精馏后循环利用。 11、不凝的氢气和氯化氢经过（氢压机）压缩加压后，进入氯化氢吸收塔底部，在 （高压、低温）条件下，用氯硅烷作为吸收剂，（氯化氢）被吸收掉，（氢气） 被分离出来。 12、E10604液位由阀门（LV0410）控制的。 13、HCL回流罐一部分氯化氢在重力作用下流向（氯化氢储罐），经氯化氢加热器
多晶硅生产工艺学
绪论 一、硅材料的发展概况 半导体材料是电子技术的基础，早在十九世纪末，人们就发现了半导体材料，而真正实用还是从二十世纪四十年代开始的，五十年代以后锗为主，由于锗晶体管大量生产、应用，促进了半导体工业的出现，到了六十年代，硅成为主要应用的半导体材料，到七十年代随着激光、发光、微波、红外技术的发展，一些化合物半导体和混晶半导体材料：如砷化镓、硫化镉、碳化硅、镓铝砷的应用有所发展。一些非晶态半导休和有机半导休材料（如萘、蒽、以及金属衍生物等）在一定范围内也有其半导休特性，也开始得到了应用。 半导休材料硅的生产历史是比较年青的，约30年。美国是从1949～1951年从事半导体硅的制取研究和生产的。几年后其产量就翻了几翻，日本、西德、捷克斯洛伐克，丹麦等国家的生产量也相当可观的。 从多晶硅产量来看，就79年来说，美国产量1620～1670吨。日本420～440吨。西德700～800吨。预计到85年美国的产量将达到2700吨、日本1040吨、西德瓦克化学电子有限公司的产量将达到3000吨。 我国多晶硅生产比较分散，真正生产由58年有色金属研究院开始研究，65年投入生产。从产量来说是由少到多，到七七年产
量仅达70～80吨，预计到85年达到300吨左右。 二、硅的应用 半导体材料之所以被广泛利用的原因是：耐高压、硅器件体积小，效率高，寿命长，及可靠性好等优点，为此硅材料越来越多地应用在半导体器件上。硅的用途： 1、作电子整流器和可控硅整流器，用于电气铁道机床，电解食盐，有色金属电解、各种机床的控制部分、汽车等整流设备上，用以代替直流发电机组，水银整流器等设备。 2、硅二极管，用于电气测定仪器，电子计算机装置，微波通讯装置等。 3、晶体管及集成电路，用于各种无线电装置，自动电话交换台，自动控制系统，电视摄相机的接收机，计测仪器髟来代替真空管，在各种无线电设备作为放大器和振荡器。 4、太阳能电池，以单晶硅做成的太阳能电池，可以直接将太阳能转变为电能。 三、提高多晶硅质量的措施和途径： 为了满足器件的要求，硅材料的质量好坏，直接关系到晶体管的合格率与电学性能，随着大规模集成电路和MOS集成电路的发展而获得电路的高可靠性，适应性。因此对半导体材料硅的要求越来越高。 1、提高多晶硅产品质量的措施： 在生产过程中，主要矛盾是如何稳定产品的质量问题，搞好
尾气回收系统 一、项目背景 储运二厂罐区装置，负责苯酚、丙酮、醋酸乙烯产品的汽车、火车灌装。苯酚年灌装约为20万吨, 丙酮年灌装约为12.6万吨，醋酸乙烯年灌装约为7.5万吨。苯酚装火车鹤管1台、丙酮2台、醋酸乙烯4台，总计装火车鹤管7台；苯酚装汽车鹤管3台、丙酮3台、醋酸乙烯2台，总计装汽车鹤管8台。上述装车鹤管中，苯酚火车装车量为零，丙酮火车罐装系统为敞开式罐装，醋酸乙烯火车罐装、汽车罐装也为敞开式罐装，只有3台苯酚、3台丙酮的汽车鹤管于2006年在实现了密闭灌装改造，其密闭罐装形式是将3台苯酚、3台丙酮的汽车鹤管装车过程中产生的装车尾气输送至回收塔进行水洗后，送入污水池，在由污水车送往污水处理厂进行处理。 本次改造共2个单元。第一，将3台丙酮汽车装车鹤管及2台丙酮火车装车鹤管，改成密闭灌装，并对在灌装过程中产生的装车尾气加以回收。第二，将2台醋酸乙烯汽车装车鹤管及4台醋酸乙烯火车装车鹤管，改成密闭灌装，并对在灌装过程中产生的装车尾气加以回收。在降低装车损耗的同时，减少环境污染，创造一个健康、安全、环保的工作环境。 二、工艺依托条件 目前先实施的是二级冷凝的技术，对装车尾气进行冷凝回收。 1、丙酮装车尾气回收 丙酮装车过程中产生的废气经管线收集，进入尾气回收装置进行
低温冷凝。经过二级冷凝，将废气中丙酮冷凝成液体，进行回收。 丙酮装车所产生的丙酮废气，经管线进入制冷机组，首先在第一级冷凝器中进行冷凝，冷凝出的丙酮和微量的水分（液相）进入储液罐存储，其气相部分的废气，进入二级冷凝器进行冷凝。冷凝后的液体进入储液罐，当达到一定液位后可由泵输送装桶。 2、醋酸乙烯装车尾气回收 醋酸乙烯装车过程中产生的废气经管线收集，进入尾气回收装置进行低温冷凝。经过二级冷凝，将废气中醋酸乙烯冷凝成液体，进行回收。 醋酸乙烯装车所产生的醋酸乙烯废气，经管线进入制冷机组，首先在第一级冷凝器中进行冷凝，冷凝出的醋酸乙烯和微量的水分（液
浅谈多晶硅生产中的设备清洗 随着智能工业、信息技术及太阳能产业的发展，对高纯度多晶硅材料的需求居高不下，使国内涌现出一股搭上多晶硅项目的热潮。但多晶硅生产装置对设备和周围环境的清洁度要求非常高，系统的油脂、水分、氯离子、氯化物、灰尘和杂物等杂质对产品质量影响很大，易产生安全隐患并引发安全事故。 标签：多晶硅;生产;设备清洗 1 多晶硅装置开车前对设备清洗的意义 各种金属及非金属杂质对多晶硅的纯度影响极大，主要影响因素如下。 1.1 油脂 在多晶硅生产过程中，油分子对多晶硅的危害十分严重。实践证明，在整个工艺系统中，几ppm的油量就可能造成多晶硅反应速度减慢、产量降低甚至硅反应停止，因此，多晶硅设备的脱脂工艺尤为重要。 1.2 水分 水中含有大量的氯离子，氯离子对多晶硅的反应十分敏感，对设备及管道有堵塞和腐蚀作用，因此，设备及系统干燥工艺很关键。 1.3 氯离子残留 水和其他溶液在设备表面残留的氯离子对多晶硅影响很大，因此，在清洗后对设备进行纯水冲洗工艺十分重要。 1.4 金属氧化物、氯化物、灰尘及其他杂质 这些杂质的存在，对多晶硅的生产影响也很大，因此，在设备清洗过程中，采用酸洗工艺对其他污垢进行清洗十分必要。 2 多晶硅设备的清洗工艺分析 2.1 对设备制造阶段的清洗工作要高度重视 许多人对多晶硅设备制造初期的清洗工作不够重视，认为对付过去就可以了，这是我们必须要改正的，在具体清洗时必须严格按照化学设备制造规范和多晶硅生产工艺进行。另外，还要注意洁净度的要求等相关内容的选择，因为有所差异，所以一旦选错将出现很严重的后果。金属设备、管道等处于制造、贮存以及运输状态时，会在振动、大气腐蚀的作用下在金属表面形成一层氧化皮和铁锈，
多晶硅生产中回收氢气的净化 刘建军 (北京有色冶金设计研究总院,北京 100038) [摘 要] 本文介绍了回收氢气净化的基本原理、工艺流程,及用回收氢气生产多晶硅的实践结果,分 析了半导体多晶硅生产中,利用活性炭净化从还原炉尾气中回收的氢气。 [关键词] 多晶硅;活性碳;氢气;净化[中图分类号] TN 304105 [文献标识码] B [文章编号] 100228943(2000)0620017203 Pur if ica tion i n Recover i ng Hydrogen dur i ng Production of Polycrysta ll i ne Sil icon [A b stract ] It describes fundam en tal p rinci p le and techno logical p rocess of pu rificati on in recovering hydrogen and resu lts of po lycrystalline silicon p roducti on u sing hydrogen recovered ,and analyses recovery of hydrogen from reducti on fu rnace gas th rough pu rificati on w ith activated carbon du ring p roducti on of po lycrystalline silicon .[Key w o rds ] po lycrystalline silicon ;activated carbon ;hydrogen ;pu rificati on [作者简介] 刘建军(1968-),男,工程师,从事半导体材料及稀有 金属设计和研究。 [收稿日期] 2000203201 1 概述 目前,国内多晶硅的生产主要采用传统西门子工艺——三氯氢硅氢还原[1],主反应如下: Si HC l 3+H 2=Si +3HC l (1)4Si HC l 3=3Si C l 4+Si +2H 2 (2) 在生产中,为了使反应顺利进行,高纯氢气和三 氯氢硅的摩尔比为10∶1,高纯氢气用量大,加上三氯氢硅的一次转化率仅为20%～25%,因此高纯氢气的利用率极低,98%以上未进行反应,随还原炉尾气一起排出。还原炉尾气含有大量氢气、氯化氢、三氯氢硅和四氯化硅等有用物料。 传统西门子工艺通常采用湿法技术回收还原炉尾气,流程复杂,回收率不高,各种物料没有充分的回收利用。由于用水和碱作吸收剂,得到的氢气被大量的水所饱和,同时水中的各种微量杂质气体也进入了氢气,造成回收氢气再净化的困难,严重时影响多晶硅的正常生产。 在国家某重点工业性试验示范线中,首次利用 还原炉尾气干法回收技术成功地解决了这个技术难 题。还原炉尾气首先用氯硅烷鼓泡喷淋分离四氯化硅和三氯氢硅,分离出的四氯化硅和三氯氢硅返回多晶硅生产系统;剩下的氢气和氯化氢混合气体经压缩后,再用四氯化硅吸收其中的氯化氢,得到回收氢气。吸收有氯化氢的四氯化硅解吸出氯化氢后,返回吸收系统循环使用;解吸出来的氯化氢返回多晶硅生产系统。回收氢气中仍含有微量的氯化氢,通过活性碳吸附器加以净化,净化后的氢气直接送还原炉生产多晶硅。少量净化氢气用于活性炭的再生,含有氯化氢的再生气体返回干法回收系统。 2 回收氢气净化的基本原理 经干法回收得到的氢气仍含有1%～3%的氯化氢,不能直接用于生产。原因之一可由反应式(1)看出,氯化氢的存在可使生成多晶硅的反应向逆反应方向进行;原因之二是氯化氢的存在使多晶硅在沉积过程中有可能产生氧化夹层,影响多晶硅的产品质量。要使回收氢气能够利用,必须降低氯化氢的含量。 将回收氢气中微量的氯化氢分离出来,使氢气得以净化,主要根据吸附平衡理论[2]:在一定条件下,当流体(气体或液体)和吸附剂接触时,流体中的 ? 71? 2000年12月多晶硅生产中回收氢气的净化——刘建军
多晶硅生产工艺学 绪论 一、硅材料的发展概况半导体材料是电子技术的基础，早在十九世纪末，人们就发现了半导体材料，而真正实用还是从二十世纪四十年代开始的，五十年代以后锗为主，由于锗晶体管大量生产、应用，促进了半导体工业的出现，到了六十年代，硅成为主要应用的半导体材料，到七十年代随着激光、发光、微波、红外技术的发展，一些化合物半导体和混晶半导体材料：如砷化镓、硫化镉、碳化硅、镓铝砷的应用有所发展。一些非晶态半导休和有机半导休材料（如萘、蒽、以及金属衍生物等）在一定范围内也有其半导休特性，也开始得到了应用。 半导休材料硅的生产历史是比较年青的，约30 年。美国是从 1949?1951年从事半导体硅的制取研究和生产的。几年后其产量就翻了几翻，日本、西德、捷克斯洛伐克，丹麦等国家的生产量也相当可观的。 从多晶硅产量来看，就79 年来说，美国产量1620?1670 吨日本420
?440 吨。西德700?800 吨。预计到85 年美国的产量将达到2700 吨、日本1040 吨、西德瓦克化学电子有限公司的产量将达到3000 吨。 我国多晶硅生产比较分散，真正生产由58 年有色金属研究院开始研究，65 年投入生产。从产量来说是由少到多，到七七年产量仅达70?80吨，预计到85年达到300吨左右。 二、硅的应用半导体材料之所以被广泛利用的原因是：耐高压、硅器件体积小，效率高，寿命长，及可靠性好等优点，为此硅材料越来越多地应用在半导体器件上。硅的用途： 1、作电子整流器和可控硅整流器，用于电气铁道机床，电解食盐，有色金属电解、各种机床的控制部分、汽车等整流设备上，用以代替直流发电机组，水银整流器等设备。 2、硅二极管，用于电气测定仪器，电子计算机装置，微波通讯装置等。 3、晶体管及集成电路，用于各种无线电装置，自动电话交换台，自动控制系统，电视摄相机的接收机，计测仪器髟来代替真空管，在各种无线电设备作为放大器和振荡器。 4、太阳能电池，以单晶硅做成的太阳能电池，可以直接将太阳能转变为电能。 三、提高多晶硅质量的措施和途径：为了满足器件的要求，硅材料的质量好坏，直接关系到晶体管的合格率与电学性能，随着大规模集成电路和MOS 集成电路的发展而获得电路的高可靠性，适应性。因此对半导体材料硅的要求越来越高。 1、提高多晶硅产品质量的措施：在生产过程中，主要矛盾是如何稳定产品的质 量问题，搞好工艺卫生是一项最重要的操作技术，在生产实践中要树立
24对电极多晶硅还原炉的简介 1、多晶硅还原（三氯氢硅还原）炉原理 SiHCL3+H2 1100℃ Si +3HCL 上述反应是吸热反应，还原转化率随着氢气与三氯氢硅的分子比增大而提高，但配比太大氢气得不到充分的利用，而消耗大量的能量和原材料来提纯氢气，而且还会因为过大的氢气配比会降低多晶硅的沉降速度，降低了生产效率。实际生产中一般对三氯氢硅的氢还原，选择氢与三氯氢硅的配比在10%~15%左右。 2、国内用改良西门子法生产多晶硅还原炉的现状 据我们对国内多家采用改良西门子法生产多晶硅还原炉现状的调查和了解，目前90%左右的厂家的还原炉采用的是8对电极和12对电极，8对电极还原炉每生产1公斤多晶硅实际耗电100度左右，12对电极还原炉（大部分为德国进口）每生产1公斤多晶硅实际耗电在80~90度，采用24对电极还原炉的厂家较少，如洛阳中硅高科有限责任公司、江西赛维LDK太阳能高科技有限公司，采用18对电极还原炉目前了解到的仅武汉东立光伏有限公司，计划在2010年底投产。 3、多晶硅还原炉电极数量及炉子大小的选择 实践证明，在选择了合适的配比和在最佳的还原温度下，进入还原炉的体积越大，则多晶硅沉积的速度越快，生产率也就越高，采用大流量的气体进入还原炉，是一种提高生产能力的有效方法，根据这种原理，如果采用大的还原设备，并适当增加发热载体（即电极）的数量，是可提高多晶硅生产率的，基于这一原理并结合国内多晶硅还原炉的现状，我们决定开发24对电极多晶硅还原炉，以适应和满足多晶硅行业的发展。 4、24对多晶硅还原炉的开发 4.1技术参数的确定 1）设计压力 还原炉内：-0.1Mpa~0.66Mpa,夹套内：0.75Mpa,炉底：0.65Mpa 2）操作压力
尾气回收(V O C s)施工 方案 -CAL-FENGHAI-(2020YEAR-YICAI)_JINGBIAN
尾气回收（VOCs)系统处理工程 施 工 方 案
目录 一、工程概况 二、施工组织管理机构及现场质保体系 三、施工及验收规范 四、施工准备工作 五、施工步骤 六、施工验收 七、施工安全规定及措施 八、工程范围。 一、工程概况 煤气净化生产过程中，因为各种介质流动、气体的存压等均会产生尾气，正常生产时部分储槽等生产装置也会排出一些废气。化产废气普遍存在易燃易爆易中毒等单一或多种危害，它们大部分因含有不同杂质存在刺激性、腐蚀性，有的甚至含有大量致癌、致畸、致突变的有害成分，有的还含有恶臭物质等。其组成复杂，并能够对大气环境造成比较严重的污染，加剧设备的腐蚀，有些处置不当容易发生燃烧、爆炸等安全事故，焦化生产过程产生此类废气的源头如下： 1、在生产过程中，化产品槽之间的转移，进料时通过放散管排出其内气体，或温度升高气体挥发出来的气体; 2、在生产过程中，清扫管道、设备产生的废气; 3、设备不正常及其他不正常生产情况下的短期排空; 4、设备泄漏产生的废气;
5、化产槽溢槽产生的废气; 6、化学反应等生产过程中产生的一些气体。 因此需要对这些废气进行回收处理。 本工程完工日期为合同签订第一笔预付资金到位后90天。 二、施工组织管理机构及现场质保体系 工程管理目标工期目标 按照业主的要求进行施工，调配好一切生产要素，确保工程按期完工交付业主使用。 质量目标：管道组对焊接一次合格率 100％工程质量等级合格。 安全目标：杜绝重大伤亡事故、设备交通事故、火灾事故、减少一般事故率。提供完善的安全设施为施工人员创造良好的工作环境。 文明施工：达到业主厂容及施工现场管理规定要求。施工组织管理机构为合理的组织工程施工，履行工程合同的各项承诺,对工程的工期、质量、安全、进行控制。由项目负责人形成统一的、完善的管理机构。 组织管理机构结构图见下图 项目部各负责任人职责 1、项目经理张钢平职责 a、负责项目施工技术工作对施工质量负技术责任 b、合理调配人、材、物等资源解决施工生产中存在的问题满足施工生产需要。 c、组织技术攻关处理重大技术问题
多晶硅尾气干法回收工艺简述 一、概述 “传统西门子法”还原尾气回收是“湿法回收”，即还原尾气中没有反应的三氯氢硅、氢气和反应过程中生成的氯化氢、四氯化硅、二氯二氢硅等气体，经过-80℃冷却装置，三氯氢硅、四氯化硅冷凝为液体后回收利用,不凝的氢气、氯化氢及少量的氯硅烷再经过水洗喷淋，氯化氢和少量的氯硅烷被水溶解带走，氢气再经过纯化干燥后重新利用。 “改良西门子法” 还原尾气回收过程中物料不接触水，相对于“传统西门子法”的“湿法回收”而言，称之为“干法回收”。干法回收主要是利用还原尾气中氢气、氯化氢、三氯氢硅、四氯化硅、二氯二氢硅等各组分物理化学性质的差异，通过溶解吸收，吸收—脱吸，吸附—脱附等化工操作实现各组分的分离，并重新利用。 由于“湿法回收”中采用水洗来除去氢气中氯化氢、氯硅烷，在损失氯化氢、氯硅烷同时，增加了废水的处理量，并且水分及水中、空气中的杂质进入到氢气中，污染了氢气，必须另外采用氢气纯化干燥装置将其纯化干燥后才能重新返回系统利用。湿法回收工艺消耗大、收率低，从而增加了整个多晶硅生产的成本。 采用干法回收工艺，还原尾气中的各组分几乎可以100%分离回收，由于整个系统是闭路循环，不引入新的污染源，故回收各组分品质稳定，可直接返回系统重新利用，从而提高了收率，减少了消耗。 二、干法回收工艺原理 还原尾气干法回收主要包括：鼓泡淋洗、加压冷凝、吸收脱吸、活性炭吸附四个主要工艺过程，每个过程的原理如下： 1. 鼓泡淋洗： 利用四氯化硅在一定温度下对还原尾气中个组分溶解度的不同，通过鼓泡淋洗塔对还原尾气淋洗，溶解度大的三氯氢硅、四氯化硅绝大部分被溶解吸收，溶解度小的氢气、氯化氢、二氯二氢硅便分离出来。 2. 加压冷凝： 从鼓泡淋洗塔出来的不溶性气体，里面含有少量的三氯氢硅、四氯化硅，在常压
改良西门子法生产多晶硅工艺流程 1. 氢气制备与净化工序 在电解槽内经电解脱盐水制得氢气。电解制得的氢气经过冷却、分离液体后，进入除氧器，在催化剂的作用下，氢气中的微量氧气与氢气反应生成水而被除去。除氧后的氢气通过一组吸附干燥器而被干燥。净化干燥后的氢气送入氢气贮罐，然后送往氯化氢合成、三氯氢硅氢还原、四氯化硅氢化工序。 电解制得的氧气经冷却、分离液体后，送入氧气贮罐。出氧气贮罐的氧气送去装瓶。气液分离器排放废吸附剂，氢气脱氧器有废脱氧催化剂排放，干燥器有废吸附剂排放，均由供货商回收再利用。 2. 氯化氢合成工序 从氢气制备与净化工序来的氢气和从合成气干法分离工序返回的循环氢气分别进入本工序氢气缓冲罐并在罐内混合。出氢气缓冲罐的氢气引入氯化氢合成炉底部的燃烧枪。从液氯汽化工序来的氯气经氯气缓冲罐，也引入氯化氢合成炉的底部的燃烧枪。氢气与氯气的混合气体在燃烧枪出口被点燃，经燃烧反应生成氯化氢气体。出合成炉的氯化氢气体流经空气冷却器、水冷却器、深冷却器、雾沫分离器后，被送往三氯氢硅合成工序。 为保证安全，本装置设置有一套主要由两台氯化氢降膜吸收器和两套盐酸循环槽、盐酸循环泵组成的氯化氢气体吸收系统，可用水吸收因装置负荷调整或紧急泄放而排出的氯化氢气体。该系统保持连
续运转，可随时接收并吸收装置排出的氯化氢气体。 为保证安全，本工序设置一套主要由废气处理塔、碱液循环槽、碱液循环泵和碱液循环冷却器组成的含氯废气处理系统。必要时，氯气缓冲罐及管道内的氯气可以送入废气处理塔内，用氢氧化钠水溶液洗涤除去。该废气处理系统保持连续运转，以保证可以随时接收并处理含氯气体。 3. 三氯氢硅合成工序 原料硅粉经吊运，通过硅粉下料斗而被卸入硅粉接收料斗。硅粉从接收料斗放入下方的中间料斗，经用热氯化氢气置换料斗内的气体并升压至与下方料斗压力平衡后，硅粉被放入下方的硅粉供应料斗。供应料斗内的硅粉用安装于料斗底部的星型供料机送入三氯氢硅合成炉进料管。 从氯化氢合成工序来的氯化氢气，与从循环氯化氢缓冲罐送来的循环氯化氢气混合后，引入三氯氢硅合成炉进料管，将从硅粉供应料斗供入管内的硅粉挟带并输送，从底部进入三氯氢硅合成炉。 在三氯氢硅合成炉内，硅粉与氯化氢气体形成沸腾床并发生反应，生成三氯氢硅，同时生成四氯化硅、二氯二氢硅、金属氯化物、聚氯硅烷、氢气等产物，此混合气体被称作三氯氢硅合成气。反应大量放热。合成炉外壁设置有水夹套，通过夹套内水带走热量维持炉壁的温度。 出合成炉顶部挟带有硅粉的合成气，经三级旋风除尘器组成的干法除尘系统除去部分硅粉后，送入湿法除尘系统，被四氯化硅液体洗
多晶硅还原炉电气系统的设计和应用 一．综述 多晶硅还原炉电气系统的主要设备是大功率调压器。调压器所带负载是多晶硅棒串联而成的纯电阻负载。调压器的作用实际上是对负载电阻进行电加热，并且保持硅棒表面温度恒定（一般1080℃）。硅棒串联而成的电阻是一个变化的电阻：第一，硅棒温度从常温上升到1000℃，Φ8直径硅芯电阻从几百kΩ下降到几十Ω；第二，保持硅棒表面温度1080℃，硅棒直径从Φ8增加到Φ150，硅棒电阻从几十Ω下降到几十mΩ。可见硅棒电阻大范围变动引起调压器输出电压和电流的调节范围大是这种调压器的设计特点。按照实际工作的性质，调压器分为硅棒温度从常温加热到1000℃的预热调压器和硅棒直径从Φ8增加到最终直径并且始终保持硅棒表面温度1080℃的还原调压器。 预热调压器工作过程中硅棒温度从常温加热到1000℃，其主要困难是硅棒初始电阻R太大，加热功率正比于 V2/R，电阻大必然要求供电电压高（甚至需十几kV），一般应尽可能降低电阻R。常用方法有提高炉壁冷却液的温度，加粗硅芯直径，对硅芯参杂，炉内注入高温等离子体或放置卤钨灯等等。预热调压器工作时间十几分钟，功率30－200kVA。 还原调压器输出功率用于加热硅棒，硅棒再通过辐射、传导和对流方式将功率传递给还原炉内的反应气体和炉壁的冷却液。随硅棒直径增长，反应气体流量加大，炉内的反应气体和炉壁的冷却液带走的热量增加，调压器输出功率越来越大。工艺对还原炉提出的技术要求如图一所示。还原调压器设计必须满足工艺上随直径Φ变化，电压V、电流I和功率P的供电要求。同时，重点考虑高电压的电气结构问题、大电流的电气结构问题、负载电阻变化引起的调节器参数设计问题、调压范围大引起的功率因数低和谐波问题、结构上的环流问题、硅棒碰壁、裂棒检测及断电再上电等辅助功能问题。 多晶硅还原炉电气系统除了调压器以外还有一套计算机管理、操作系统。它的主要功能是：
2流化床法——硅烷法——硅烷热分解法 硅烷(SiH4)是以四氯化硅氢化法、硅合金分解法、氢化物还原法、硅的直接氢化法等方法制取。然后将制得的硅烷气提纯后在热分解炉生产纯度较高的棒状多晶硅。以前只有日本小松掌握此技术，由于发生过严重的爆炸事故后，没有继续扩大生产。但美国Asimi和SGS 公司仍采用硅烷气热分解生产纯度较高的电子级多晶硅产品。 以四氯化硅、氢气、氯化氢和工业硅为原料在流化床内(沸腾床)高温高压下生成三氯氢硅，将三氯氢硅再进一步歧化加氢反应生成二氯二氢硅，继而生成硅烷气。 制得的硅烷气通入加有小颗粒硅粉的流化床反应炉内进行连续热分解反应，生成粒状多晶硅产品。因为在流化床反应炉内参与反应的硅表面积大，生产效率高，电耗低与成本低，适用于大规模生产太阳能级多晶硅。唯一的缺点是安全性差，危险性大。其次是产品纯度不高，但基本能满足太阳能电池生产的使用。 此法是美国联合碳化合物公司早年研究的工艺技术。目前世界上只有美国MEMC公司采用此法生产粒状多晶硅。此法比较适合生产价廉的太阳能级多晶硅。 3冶金法——物理法——等离子体法 据资料报导，日本川崎制铁公司采用冶金法制得的多晶硅已在世界上最大的太阳能电池厂(SHARP公司)应用，现已形成800吨/年的生产能力，全量供给SHARP公司。 主要工艺是：选择纯度较好的工业硅(即冶金硅)进行水平区熔单向凝固成硅锭，去除硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分后，进行粗粉碎与清洗，在等离子体融解炉中去除硼杂质，再进行第二次水平区熔单向凝固成硅锭，去除第二次区熔硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分，经粗粉碎与清洗后，在电子束融解炉中去除磷和碳杂质，直接生成太阳能级多晶硅。 现在，只有BSI和ELKEM能够批量生产，DOW CONNING，5N的多晶硅，13.3%的光电转换效率。
尾气回收（VOCs)系统处理工程 施 工 方 案 目录
一、工程概况 二、施工组织管理机构及现场质保体系 三、施工及验收规范 四、施工准备工作 五、施工步骤 六、施工验收 七、施工安全规定及措施 八、工程范围。 一、工程概况 煤气净化生产过程中，因为各种介质流动、气体的存压等均会产生尾气，正常生产时部分储槽等生产装置也会排出一些废气。化产废气普遍存在易燃易爆易中毒等单一或多种危害，它们大部分因含有不同杂质存在刺激性、腐蚀性，有的甚至含有大量致癌、致畸、致突变的有害成分，有的还含有恶臭物质等。其组成复杂，并能够对大气环境造成比较严重的污染，加剧设备的腐蚀，有些处置不当容易发生燃烧、爆炸等安全事故，焦化生产过程产生此类废气的源头如下： 1、在生产过程中，化产品槽之间的转移，进料时通过放散管排出其内气体，或温度升高气体挥发出来的气体; 2、在生产过程中，清扫管道、设备产生的废气; 3、设备不正常及其他不正常生产情况下的短期排空; 4、设备泄漏产生的废气; 5、化产槽溢槽产生的废气; 6、化学反应等生产过程中产生的一些气体。 因此需要对这些废气进行回收处理。 本工程完工日期为合同签订第一笔预付资金到位后90天。 二、施工组织管理机构及现场质保体系 工程管理目标工期目标
按照业主的要求进行施工，调配好一切生产要素，确保工程按期完工交付业主使用。 质量目标：管道组对焊接一次合格率100％工程质量等级合格。 安全目标：杜绝重大伤亡事故、设备交通事故、火灾事故、减少一般事故率。提供完善的安全设施为施工人员创造良好的工作环境。 文明施工：达到业主厂容及施工现场管理规定要求。施工组织管理机构为合理的组织工程施工，履行工程合同的各项承诺,对工程的工期、质量、安全、进行控制。由项目负责人形成统一的、完善的管理机构。 组织管理机构结构图见下图 项目部各负责任人职责 1、项目经理张钢平职责 a、负责项目施工技术工作对施工质量负技术责任 b、合理调配人、材、物等资源解决施工生产中存在的问题满足施工生产需要。 c、组织技术攻关处理重大技术问题 d、具有质量否决权。 e、组织进行工程试运及交付工作确保工程质量符合设计规定和合同内容满足顾客要求。 2、现场施工负责人涂少冰职责，负责该工程的施工安装技术、质量监督并配合项目经理履行。 三、施工及验收规范 1、工程测量规范(GB50026-93) 2、工业金属管道工程施工及验收规范(GB50235-97)
硅片清洗的方法 一、硅片清洗的重要性 硅片清洗是半导体器件制造中最重要最频繁的步骤，而且其效率将直接影响到器件的成品率、性能和可靠性。 现在人们已研制出了很多种可用于硅片清洗的工艺方法和技术，常见的有：湿法化学清洗、超声清洗法、兆声清洗法、鼓泡清洗法、擦洗法、高压喷射法、离心喷射法、流体力学法、流体动力学法、干法清洗、微集射束流法、激光束清洗、冷凝喷雾技术、气相清洗、非浸润液体喷射法、硅片在线真空清洗技术、RCA标准清洗、等离子体清洗、原位水冲洗法等。这些方法和技术现已广泛应用于硅片加工和器件制造中的硅片清洗。 表面沾污指硅表面上沉积有粒子、金属、有机物、湿气分子和自然氧化物等的一种或几种。超纯表面定义为没有沾污的表面, 或者是超出检测量极限的表面。 二、硅片的表面状态与洁净度问题： 硅片的真实表面由于暴露在环境气氛中发生氧化及吸附，其表面往往有一层很薄的自然氧化层，厚度为几个埃、几十个埃甚至上百埃。真实的硅片表面是内表面和外表面的总合，内表面是硅与自然氧化层的界面，。外表面是自然氧化层与环境气氛的界面，它也存在一些表面能级，并吸附一些污染杂质原子，而且不同程度地受到内表面能级的影响，可以与内表面交换电荷，外表面的吸附现象是复杂的。 完好的硅片清洗总是去除沾污在硅片表面的微粒和有害膜层，代之以氧化物的、氯化物的或其它挥发元素(或分子)的连续无害膜层，即具有原子均质的膜层。硅片表面达到原子均质的程度越高．洁净度越高。 三、硅片表面沾污杂质的来源和分类： 在硅片加工及器件制造过程中，所有与硅片接麓的外部媒介都是硅片沾污杂质的可能来源。这主要包括以下几方面：硅片加工成型过程中的污染，环境污染，水造成的污染，试剂带来的污染，工业气体造成的污染，工艺本身造成的污染，人体造成的污染等。
XXXXXX XXXXXX项目 XXXXXX 买 卖 合 同 甲方（买方）：XXXXXX 乙方（卖方）：XXXXXX 合同编号： 签订地点：甲方所在地 签订日期：年月日
设备买卖合同 甲方（买方）：XXXXXX 乙方（卖方）：XXXXXX 甲乙双方经平等协商，就买卖事宜达成如下协议，以资共同遵守。 第一条设备名称、规格型号、生产厂家、单位、数量等标的物信息价 序号名称规格型号 单 位 数 量 含税单价 （元） 不含税总金 额（元） 含税总金 额（元） 税额 （元） A B C=A*B/. D=A*B E=D/.*. 合计 合同含税总金额大写：整（￥元） 合同不含税总金额大写：整（￥元） 发票种类：增值税专用发票（税率%） 生产厂家： 设备用途： 本合同总金额已包括与本合同中乙方承担的所有义务和所有工作相关的一切税金和费用，乙方不得做任何变更与调整，更不得因合同价款问题而擅自免除其所应当承担的合同义务。 第二条质量标准 、乙方提供的设备必须符合中华人民共和国国家安全环保标准、国家有关设备 质量认证标准，以及甲乙双方于年月日签订的《技术协议》约定标准。 、乙方提供的设备（含标准附件、备品备件、专用工具等）必须是合同约定的 厂家生产的全新未用过、表面和内部均无瑕疵的产品。设备须经生产厂家技术检验， 符合本合同的约定后才能出厂。铭牌标识应做到规范、清楚、正确。 、乙方应采取相应措施对设备进行包装，确保设备在正常运输和装卸条件下安 全无损地到达合同指定地点。包装物不计价、不返还。包装箱应由乙方注明要求， 必须标明生产厂家、生产许可证号、设备批准文号、生产批号、生产日期等。由于 包装不当造成设备在运输、装卸过程中受到损坏或丢失，由乙方负责。 、乙方对甲方购买其本合同项下设备之目的是确知的，并对甲方实际生产工艺 要求也是确知的，乙方保证其销售给甲方的本合同项下设备经安装调试后能满足甲 方生产之需求，否则视为乙方交付的设备不符合本合同约定的质量要求。 第三条质保期和售后服务 、设备质保期为年，质保期自设备质量验收合格之日起计算。在质保期内， 乙方应负责处理设备出现的质量及安全问题并承担一切费用，包括免费修理或免费 更换零部件、维修配件等。在质保期内设备经次维修仍存在质量问题或质保期
多晶硅还原炉内的8大反应 钟罩式多晶硅还原炉内各反应我认为主要有以下8种，希望和大家探讨一下如何控制取得最大的沉积速度 ⑴SiHCl3＋H2＝Si＋3HCl↑(1050-1100℃) ⑵2SiHCl3＝Si＋2HCl↑＋SiCl4 （热分解） ⑶SiHCl3＝SiH2Cl2＋HCl↑(900-1000℃) ⑷Si＋2HCl≒SiH2Cl2(＞1200℃或低温腐蚀) ⑸SiHCl3＝SiH2Cl2＋SiCl4（Si＋SiCl4≒SiCl2） ⑹SiCl4＋2H2＝Si＋4HCl↑（高温下） ⑺4SiHCl3＝Si＋2H2↑＋3SiCl4（热分解） ⑻Si＋4HCl＝2H2↑＋SiCl4（腐蚀） ⑴SiHCl3＋H2＝Si＋3HCl↑(1050-1100℃) ⑺4SiHCl3＝Si＋2H2↑＋3SiCl4（热分解） 不是什么秘密，还原炉里面主要发生以上2个反应，主要看操作条件怎样控制，希望大家能够交流一下 改良西门子法的[wiki]多晶硅[/wiki]反应已经路人皆知了，什么涉密不涉密的。还原炉控制的关键还是配料比、温度等，根据所要得到的产品质量不同（太阳能级、[wiki]电子[/wiki]级）操作有所差别，这才是秘密。 回复上面各楼的兄弟，特别是5楼的，如果反应都是按照您说的那样那多晶硅早就降价了。上面一位楼主说的对，其实上面7个反应都会发生，谁占主要反应主要还是靠温度还是配比。另回复9楼，二氯二氢硅进去要长硅粉阻塞尾气管线要[wiki]爆炸[/wiki]的，在实际中非常危险的。兄弟 原料混合气是SiHCl3＋H2，产物是Si、HCl、SiCl4以及多余的H2，当然，由于是可逆反应，还会有剩余的SiHCl3，但是总的来说，原料气的利用率并不高，只有30％左右 主要是要控制反应温度，还有电流了！其中还会生成大量的SICL4.
关于尾气回收装置五点 它的用途 能源回收及环保设备是广泛应用于电力、化工、电工电子、冶金、酿造等多种领域的设备，原来一直沿用的尾气处理设备只能中和净化，对再回收长久以来没有更好的办法，使得大量能源被浪费.因此,我公司开发研制成功一种对尾气进行吸收再利用的综合装置。本装置的应用不仅为环保做出了卓越的贡献，而且，为企业节约了大量的能源，创造了更高的价值。 它的特点 尾气（HCl、SO2、NH3、HF）回收装置由降膜回收器、一级吸收塔、二级吸收塔、真空泵、排气管及控制仪表组成。本系列装置可根据应用要求安装自动控制元器件，如气体在线分析仪、流量传感器（气、液）、电磁阀、液位控制计、PH值控制计、电导率仪、控制柜及附件等，从而实现本系统运行及管理的自动化。四、技术规格性能参数表尾气（HCl、SO2、NH3、HF）回收装置可应用于各种行业、回收的气体种类、浓度、温度等技术条件不尽相同，塔所回收的产品种类也不一样，所以，本系列装置应根据实际条件进行针对性地设计选型，为用户量身定作具有实用性、经济性的尾气（HCl、SO2、NH3、HF）回收装置。 它的工作原理 废气经排气管首先进入降膜回收器进行冷却降膜吸收生产酸，降膜回收器回收后的稀酸液体经排液管进入贮液箱回收, 没有被吸收的尾气进入一级吸收塔，一级吸收塔回收后的稀酸液体进入本塔贮液箱，没有被吸收的尾气又进入二级吸收塔，二级吸收塔回收后的稀酸液体进入本塔贮液箱，没有被吸收的少量尾气进入真空泵，真空泵回收后的液体进入本体贮液箱，经真空泵吸收后的达标尾气经排气管排出。在本制酸反应过程中，生成的低浓度的稀酸溶液参与到酸循环反应中，用后道工序制成的稀酸溶液补充上道工序减少的循环液中去，浓度达到工艺要求后，集中存放。这个过程完成了酸尾气回收的过程。本系列装置可采用自动控制，实现无人化管理模式。 它的结构及特点 尾气（HCl、SO2、NH3、HF）回收装置由降膜回收器、一级吸收塔、二级吸收塔、真空泵、排气管及控制仪表组成。 本系列装置可根据应用要求安装自动控制元器件，如气体在线分析仪、流量传感器（气、液）、电磁阀、液位控制计、PH值控制计、电导率仪、控制柜及附件等，从而实现本系统运行及管理的自动化。 它的技术规格性能参数表 尾气（HCl、SO2、NH3、HF）回收装置可应用于各种行业、回收的气体种类、浓度、温度等技术条件不尽相同，塔所回收的产品种类也不一样，所以，本系列装置应根据实际条件进行针对性地设计选型，为用户量身定作具有实用性、经济性的尾气（HCl、SO2、NH3、HF）回收装置。
多晶硅生产工艺流程 HUA system office room 【HUA16H-TTMS2A-HUAS8Q8-HUAH1688】
多晶硅生产工艺流程(简介) -------------------------来自于网络收集 多晶硅生产工艺流程,多晶硅最主要的工艺包括，三氯氢硅合成、四氯化硅的热氢化（有的采用氯氢化），精馏，还原，尾气回收，还有一些小的主项，制氢、氯化氢合成、废气废液的处理、硅棒的整理等等。 主要反应包括：Si+HCl---SiHCl3+H2（三氯氢硅合成）;SiCl4+H2---SiHCl3+HCl（热氢化）;SiHCl3+H2---SiCl4+HCl+Si（还原）多晶硅是由硅纯度较低的冶金级硅提炼而来，由于各多晶硅生产工厂所用主辅原料不尽相同，因此生产工艺技术不同；进而对应的多晶硅产品技术经济指标、产品质量指标、用途、产品检测方法、过程安全等方面也存在差异，各有技术特点和技术秘密，总的来说，目前国际上多晶硅生产主要的传统工艺有：改良西门子法、硅烷法和流化床法。改良西门子法是目前主流的生产方法，采用此方法生产的多晶硅约占多晶硅全球总产量的85％。但这种提炼技术的核心工艺仅仅掌握在美、德、日等7家主要硅料厂商手中。这些公司的产品占全球多晶硅总产量的90%，它们形成的企业联盟实行技术封锁，严禁技术转让。短期内产业化技术垄断封锁的局面不会改变。 西门子改良法生产工艺如下： 这种方法的优点是节能降耗显着、成本低、质量好、采用综合利用技术，对环境不产生污染，具有明显的竞争优势。改良西门子工艺法生产多晶硅所用设备主要有：氯化氢合成炉，三氯氢硅沸腾床加压合成炉，三氯氢硅水解凝胶处理系统，三氯氢硅粗馏、精馏塔提纯系统，硅芯炉，节电还原炉，磷检炉，硅棒切断机，腐蚀、清洗、干燥、包装系统装置，还原尾气干法回收装置；其他包括分析、检测仪器，控制仪表，热能转换站，压缩空气站，循环水站，变配电站，净化厂房等。 （1）石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅， 其化学反应SiO2+C→Si+CO2↑