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电阻串联实验报告

电阻串联实验报告
电阻串联实验报告

中山市东凤镇理工学校实验报告

实验日期:月日班级:姓名:学号:成绩:实验名称:电阻的串联电路特性验证实验;

实验目的:测量电阻串联电路中等效电阻、各点电流和各个电阻的电压;

实验器材:万用表导线×5, 1K电阻×2,2K电阻×2;

实验过程:

一、测量串联电路的等效电阻

1、如图接好电路,不要接入电源!!!

(每一次测量之前必须要红黑表笔短接进行欧姆调零)

2、把万用表打到欧姆档,选择合适的档位。分别测量AD、CF、EH间的电阻,并读取数据

3、记录数据:R AD= ;R CF= ;R EH= ;

实验总结:串联电路中R=R1+R2+…+Rn,我们所做的实验中,是否

R AD=R AB+R CD;

R CF=R CD+R EF;

R EH=R EF+R GH; ?

答:

二、测量串联电路的电流

1、如图接好电路(电源电压为10V):

2、把万用表打到电流档,并选择合适的档位。上图所测为I BC 电流。测量I DE 则将红黑表笔取出,连上BC并同时断开DE,并将红表笔接入D,黑表笔接入E。测量I FG则将红黑表笔取出,连上DE并同时断开FG,并将红表笔接入F,黑表笔接入G。

3、记录数据,I BC= ;I DE= ;I FG=

实验总结:串联电路中I=I1=I2=…=In,而我们所做的实验中,是否

I BC=I DE=I FG ?

答:

三、测量串联电路的电压

1、如图接好电路(电源电压为10V):

2、把万用表打到电压档,并选择合适的档位。上图所测为AB点电压;如果要测CD间电压,则将电表红表笔接入C点,黑表笔接入D点;同样的,EF、GH 电压测量也同样是把万用表并联到所测电阻上;

3、记录数据:U AB= ; U CD= ; U EF= ; U GH= ;

实验总结:串联电路中U=U1+U2+…+Un,而我们所做的实验中,是否

U AH=U AB+U CD+U EF+U GH?

答:

电阻应变片粘贴实验报告

实验报告(三)电阻应变片的粘贴 实验目的: 1、初步掌握电阻应变片的粘贴技术; 2、初步掌握焊线和检查。 实验设备和器材: 1、电阻应变片 2、试件 3、砂布 4、丙酮(或酒精)等清洗器材 5、502粘接剂 6、测量导线 7、电烙铁 电阻应变片的工作原理: 1、电阻应变片工作原理是基于金属导体的应变效应,即金属导体在外力作用下发生机械变形时,其电阻值随着所受机械变形(伸长或缩短)的变化而发生变化象。 2、当试件受力在该处沿电阻丝方向发生线变形时,电阻丝也随着一起变形(伸长或缩短),因而使电阻丝的电阻发生改变(增大或缩小)。 实验步骤:

1、定出试件被测位置,画出贴片定位线。 2、在贴片处用细砂布按45°方向交叉打磨。 3、然后用浸有丙酮(或酒精)的棉球将打磨处擦洗干净(钢试件用丙酮棉球,铝试件用酒精棉球)直至棉球洁白为止。 4、一手拿住应变片引线,一手拿502胶,在应变片基底底面涂上502胶(挤上一滴502胶即可)。 5、立即将应变片底面向下放在试件被测位置上,并使应变片基准对准定位线。将一小片薄膜盖在应变片上,用手指柔和滚压挤出多余的胶,然后手指静压一分钟,使应变片和试件完全粘合后再放开。从应变片无引线的一端向有引线的一端揭掉薄膜。 6、在紧连应变片的下部贴上绝缘胶布,胶布下面用胶水粘接一片连接片(焊片)。 7、将应变片的引线和连接应变仪的导线相连并焊接在连接片上,以便固定。用绝缘胶布将导线固定在梁上。 实验心得体会(必须写,不少于300字) 经过今天的这次试验我知道了电阻应变片是根据电阻应变效应作成的传感器。在发生机械变形时,电阻应变片的电阻会发生变化。使用时,用粘合剂将应变计贴在被测试件表面上,试件变形时,应变

电阻的测量--伏安法的实验报告

电阻的测量--伏安法的测定实验报告 实验名称:_____电阻的测量--伏安法________ 姓名___ _ _ 学号_ _ 班级_ _ 实验日期 _ 2013.11.7_ _ 温度______ 同组者 ___ 无_____ (一)实验目的: 1. 学习伏安法测电阻的方法。 2. 学会仪表的选择。 3. 学习伏安法中减少系统误差的方法。 (二)实验仪器: 直流稳压源、电阻箱、滑线变阻器、二极管、电流表、电压表、开关与导线 (三)实验原理: 如图11-1所示,测出通过电阻R 的电流I 及电阻R 两端的电压U ,则根据欧姆定律,可知 图11-1 I U R = 以下讨论此种方法的系统误差问题。 1. 测量仪表的选择 在电学实验中,仪表的误差是重要的误差来源,所以要选取适用的仪表。 (1)参照电阻器R 的额定功率确定仪表的量限,设电阻R 的额定功率为P ,则最大电流I 为 R P I = (11-1) 为使电流计的指针指向度盘的 3 2 处(最佳选择),电流计的量限为32I ,即 2 3 ?R P 。

设100≈R Ω,W P 81=,则A I 035.0=,而A I 053.02 3 =?,所以电流计取量限为50mA 的毫安计较好。 电阻两端电压为V IR U 5.3==,而V U 3.52 3 =? ,所以电压计取量限5V 的伏特计较好。 (2)参照对电阻测量准确度的要求确定仪表的等级 假设要求测量R 的相对误差不大于某一R E ,则按误差传递公式,可有 2 122])()[(I I U U E R ?+?= 按误差等分配原则取 2 R E I I U U = ?=? (11-2) 对于准确度等级为a ,量限为max X 的电表,其最大绝对误差为max ?,则 100 max max a X ? =? 参照此关系和式(11-2),可知电流计等级I a 应满足 1002max ?? ≤U U E a R I (11-3) 电压计的等级U a 应满足 1002max ?? ≤ U U E a R U (11-4) 对前述实例(I=0.035A ,V U A U A I 5,5.3,05.0max max ===),则当要求%2≤R E 时,必须 99.0,99.0≤≤U I a a 即取0.5级的毫安计、伏特计较好,取1.0级也勉强可以。 2. 两种联线方法引入的误差 如图(2)所示,伏安法有两种联线的方法。内接法——电流计在电压计的里侧,外接法——电流计在电压计的外侧。

实验报告 光敏电阻基本特性的测量

告验报实 号:实验成绩:班级:学姓名:同组姓名:实验日期:08/4/14 指导老师:助教15 批阅日期: 光敏电阻基本特性的测量 【实验目的】 1.了解光敏电阻的工作原理及相关的特性。 了解非电量转化为电量进行动态测量的方法。 2.了解简单光路的调整原则和方法. 3.在一定照度下,测量光敏电阻的电压与光电流的关系。4. 在一定电压下,测量光敏电阻的照度与光电流的关系。 5. 【实验原理】 1 光敏电阻的工作原理 在光照作用下能使物体的电导率改变的现象称为内光电效应。本实验所用的光敏 电阻就是基于内光电效的光电元件。当内光电效应发生时,固体材料吸收的能量 使部分价带电子迁移到导带,同时在价带中留下空穴。这样由于材料中载流子个 数增加,使材料的电导率增加。电导率的改变量为: (1) 式中e为电荷电量;为空 为电子的为空穴的迁移率;为电子浓度的改变量;穴浓度的改变量; U后,光电流为 (2) 迁移率。当光敏电阻两端加上电压式中A为与电流垂直的截面积,d为电极间的 距离。 用于制造光敏电阻的材料主要有金属的硫化物、硒化物和锑化物等半导体材料.目前生产的光敏电阻主要是硫化镉.光敏电阻具有灵敏度高、光谱特性好、使用寿命长、稳定性能高、体积小以及制造工艺简单等特点,被广泛地用于自动

化技术 中. 本实验光敏电阻得到的光照由一对偏振片来控制。当两偏振片之间的夹 ,其中:为不加偏振片时的光照,角为D时,光照为为当量偏振片平行时的透明度。 2 光敏电阻的基本特性 光敏电阻的基本特性包括伏-安特性、光照特性、光电灵敏度、光谱特性、频率特性和温度特性等。本实验主要研究光敏电阻的伏-安特性和光照特性。3.附上实验中的光路图: 【实验数据记录、实验结果计算】 1测量光敏电阻的电压与光电流的关系 在调整好光路后,就可以做这一个内容的实验了。下面附上这个实验内容的电路图: 表中记录的数据为的值,单位为

应变片电阻式传感器测压力实验报告

设计目的 了解应变直流电桥的应用及电路的标定 基本原理 一应变片传感器 电阻应变片压力传感器由基体材料、金属应变丝或应变箔、绝缘保护片和引出线等部分组成 1 应变片的工作原理 电阻应变式压力传感器是由电阻应变片组成的测量电路和弹性敏感元件组合起来的传感器。当弹性敏感元件受到压力作用时,将产生应变,粘贴在表面的电阻应变片也会产生应变,表现为电阻值的变化。这样弹性体的变形转化为电阻应变片阻值的变化。把4个电阻应变片按照桥路方式连接,两输入端施加一定的电压值,两输出端输出的共模电压随着桥路上电阻阻值的变化增加或者减小。一般这种变化的对应关系具有近似线性的关系。找到压力变化和输出共模电压变化的对应关系,就可以通过测量共模电压得到压力值。 电阻应变片的工作原理是吸附在基体材料上应变电阻随机械形变而产生阻值变化的现象,俗称为电阻应变效应。金属导体的电阻值可用下式表示:

S L R ρ= 式中: ρ——金属导体的电阻率(Ω·m ) S ——导体的截面积(2m ) L ——导体的长度(m ) 以金属丝应变电阻为例,当金属丝受外力作用时,其长度和截面积都会发生变化,从上式中可很容易看出,其电阻值即会发生改变,假如金属丝受外力作用而伸长时,其长度增加,而截面积减少,电阻值便会增大。当金属丝受外力作用而压缩时,长度减小而截面增加,电阻值则会减小。只要测出加在电阻的变化(通常是测量电阻两端的电压),即可获得应变金属丝的应变情况。 2 全桥电路 应变片将应变的变化转换成电阻相对变化ΔR/R ,要把电阻的变化转换成电压或电流的变化,才能用电测仪表进行测量。这里使用全桥电路,如下图所示。

接地电阻测量实验报告范文

接地电阻测量实验报告范文 为了了解接地装置的接地电阻值是否合格、保证安全运行,同时根据配电设备维护规程的有关规定,我部于20xx 年3月1日上午8:00 对乐民原料部弓角田煤矿各变配电点的接地及其各变压器对地绝缘情况进行测量试验。试验过程及试验结果分析报告如下: 一、试验前的准备: 1、制订试验方案: 前期,我们组织机电队人员一起到现场查看接地装置,查找接地极的适合试验的位置,制订、讨论、修改试验方案,提出试验中的注意事项。 2、试验方法: 接地电阻表本身备有三根测量用的软导线,可接在E、P、C三个接线端子上。接在E端子上的导线连接到被测的接地体上,P端子为电压极,C端子为电流极(P、C都称为辅助接地极),根据具体情况,我们准备采用两种方式测量:(1)、将辅助接地极用直线式或三角线式,分别插入远离接地体的土壤中;(2)、用大于25cm×25cm的铁板作为辅助电极平铺在水泥地面上,然后在铁板下面倒些水,铁板的布放位置与辅助接地极的要求相同。两种方法我们都采取接地体和连接设备不 断开的方式测量,接地电阻电阻表将倍率开关转换到需要的量程上,用手摇发电机手柄,以每分钟120转/分以上的速度转时,使电阻表上的仪表指针趋于平衡,读取刻盘上

的数值乘以倍率即为实测的接地电阻值。 3、试验工具: 我们准备好ZC29B-2型接地电阻测试仪、ZC110D-10(0~2500MΩ)型摇表、万用表、铜塑软导线(BVR 1.5mm2)、测电笔、接地极棒和接地板等试验用具及棉纱等辅助材料。 二、试验过程: 1、3月1日上午,现场试验人员进行简单碰头,并进行分工:由帅锐进行测量、值班人员蔡富贵和彭余坤配合操作、陈应沫记录、班长方兴华负责监护; 2、8:45试验开始; 3、测量辅助接地极间及与测量接地体间的距离; 4、采取第一种方法,将接地极棒插入到土壤中并按照图纸接好线; 5、将测量接地体连接处与连接端子牢靠连接; 6、将导线与接地电阻表接好; 7、校正接地电阻表; 8、测量并记录数据;(试验数据见附表) 9、采取第二种方法,测量并记录数据; 10、整个试验过程结束。 恒鼎实业弓角田煤矿春季预防性试验设备外壳接地测试记录 恒鼎实业弓角田煤矿春季预防性试验变压器绝缘测试记录 使用仪器: ZC29B-2型接地电阻测试仪

实验报告-光敏电阻基本特性的测量

实验报告 姓名:班级:学号:实验成绩: 同组姓名:实验日期:08/4/14 指导老师:助教15 批阅日期: 光敏电阻基本特性的测量 【实验目的】 1.了解光敏电阻的工作原理及相关的特性。 2.了解非电量转化为电量进行动态测量的方法。 3.了解简单光路的调整原则和方法. 4.在一定照度下,测量光敏电阻的电压与光电流的关系。 5.在一定电压下,测量光敏电阻的照度与光电流的关系。 【实验原理】 1 光敏电阻的工作原理 在光照作用下能使物体的电导率改变的现象称为内光电效应。本实验所用的光敏电阻就是基于内光电效的光电元件。当内光电效应发生时,固体材料吸收的能量使部分价带电子迁移到导带,同时在价带中留下空穴。这样由于材料中载流子个数增加,使材料的电导率增加。电导率的改变量为: (1) 式中e为电荷电量;为空穴浓度的改变量;为电子浓度的改变量;为空穴的迁移率;为电子的迁移率。当光敏电阻两端加上电压U后,光电流为 (2) 式中A为与电流垂直的截面积,d为电极间的距离。 用于制造光敏电阻的材料主要有金属的硫化物、硒化物和锑化物等半导体材料.目前生产的光敏电阻主要是硫化镉.光敏电阻具有灵敏度高、光谱特性好、使用寿命长、稳定性能高、体积小以及制造工艺简单等特点,被广泛地用于自动化技术中.

本实验光敏电阻得到的光照由一对偏振片来控制。当两偏振片之间的夹角为时,光照为,其中:为不加偏振片时的光照,D为当量偏振片平行时的透明度。 2 光敏电阻的基本特性 光敏电阻的基本特性包括伏-安特性、光照特性、光电灵敏度、光谱特性、频率特性和温度特性等。本实验主要研究光敏电阻的伏-安特性和光照特性。3.附上实验中的光路图: 【实验数据记录、实验结果计算】 1测量光敏电阻的电压与光电流的关系 在调整好光路后,就可以做这一个内容的实验了。下面附上这个实验内容的电路图:

实验一 金属箔式应变片实验报告

厦门大学嘉庚学院传感器 实验报告 实验项目:实验一、二、三 金属箔式应变片 ——单臂、半桥、全桥 实验台号: 专 业: 物联网工程 年 级: 2014级 班 级: 1班 学生学号: ITT4004 学生姓名: 黄曾斌 实验时间: 2016 年 5 月 20 日

实验一 金属箔式应变片——单臂电桥性能实验 一.实验目的 了解金属箔式应变片的应变效应,单臂电桥工作原理和性能。 二.基本原理 金属电阻丝在未受力时,原始电阻值为R=ρL/S 。 电阻丝在外力作用下发生机械变形时,其电阻值发生变化,这就是电阻应变效应,描述电阻应变效应的关系式为: 式中R R /?为电阻丝电阻的相对变化,K 为应变灵敏系数,L L /?=ε 为电阻丝长度 相对变化,金属箔式应变片就是通过光刻、腐蚀等工艺制成的应变敏感元件,通过它转换被测部位的受力状态变化,电桥的作用是完成电阻到电压的比例变化,电桥的输出电压反映了相应的受力状态。 输出电压: 1.单臂工作:电桥中只有一个臂接入被测量,其它三个臂采用固定电阻;输出 U O14/εEK =。 2.双臂工作:如果电桥两个臂接入被测量,另两个为固定电阻就称为双臂工作电桥,又称为半桥形式;半桥电压输出U O2 2/εEK =。 3.全桥方式:如果四个桥臂都接入被测量则称为全桥形式。全桥电压输出U O3 εEK =。 三.需用器件与单元 CGQ-001实验模块、CGQ-013实验模块、应变式传感器、砝码、电压表、±15V 电源、±4V 电源、万用表(自备)。 ()() E R R R R R R R R U O 43213 241++-=

实验10(光敏电阻)实验报告

实验十-光敏电阻及光敏二极管的特性实验 实验1:光敏电阻的特性实验 一、实验目的 了解光敏电阻的光照特性和伏安特性。 二、实验原理 在光线的作用下,电子吸收光子的能量从键合状态过渡到自由状态,引起电导率的变化,这种现象称为光电导效应。光电导效应是半导体材料的一种体效应。光照愈强,器件自身的电阻愈小。基于这种效应的光电器件称光敏电阻。光敏电阻无极性,其工作特性与入射光光强、波长和外加电压有关。实验原理图如图10-1。 三、实验器械 主机箱中的转速调节0~24V 电源、±2V~±10V 步进可调直流稳压电源、电流 表、电压表;光电器件实验(一)模板、光敏电阻、发光二极管、庶光筒。 四、实验接线图 五、实验数据记录和数据处理 1:亮电阻和暗电阻测量

实验数据如下: 2:光照特性测量 实验数据如下: 实验数据拟合图像如下: 3:伏安特性测量 实验数据如下: 实验数据拟合图像如下: 六、实验思考题

1:为什么测光敏电阻亮阻和暗阻要经过10 秒钟后读数,这是光敏电阻的缺点,只能应用于什么状态? 答:稳定态 实验2:光敏二极管的特性实验 一、实验目的 了解光敏二极管工作原理及特性。 二、实验原理 当入射光子在本征半导体的p-n 结及其附近产生电子—空穴对时,光生载流子受势垒区电场作用,电子漂移到n 区,空穴漂移到p 区。电子和空穴分别在n 区和p 区积累,两端便产生电动势,这称为光生伏特效应,简称光伏效应。光敏二极管基于这一原理。如果在外电路中把p-n 短接,就产生反向的短路电流,光照时反向电流会增加,并且光电流和照度基本成线性关系。 三、实验器械 主机箱中的转速调节0~24V 电源、±2V~±10V 步进可调直流稳压电源、电流表、电压表;光电器件实验(一)模板、光敏二极管、发光二极管、庶光筒 四、实验接线图 将上图中的光敏电阻更换成光敏二极管(注意接线孔的颜色相对应即+、-极性),按上图安装接线,测量光敏二极管的暗电流和亮电流。 五、实验数据记录和数据处理 1:光照特性 亮电流测试实验数据如下: 实验数据拟合图像如下:

应变片实验报告

传感器实验--- 金属箔式应变片:单臂、半桥、全桥比较 【实验目的】 了解金属箔式应变片,单臂单桥的工作原理和工作情况。 验证单臂、半桥、全桥的性能及相互之间关系。 【所需单元及部件】 直流稳压电源、电桥、差动放大器、双孔悬臂梁称重传感器、砝码、一片应变片、电压 /频率表、电 源,重物加在短小的圆盘上。 【旋钮初始位置】 直流稳压电源打到 +2V 挡,电压/频率表打到2V 挡,差动放大增益最大。 【应变片的工作原理】 当金属丝在外力作用下发生机械变形时,其电阻值将发生变化,这种现象称为金属的电阻应变 效应。 设有一根长度为 L 、截面积为S 、电阻率为p 的金属丝,在未受力时,原始电阻为 当金属电阻丝受到轴向拉力 F 作用时,将伸长 横截面积相应减小 A S ,电阻率因晶格变化 等因素的影响而改变 Ap 故引起电阻值变化 AR 。对式(1 — 1)全微分,并用相对变化量来表示, 则有: 【测量电路】 应变片测量应变是通过敏感栅的电阻相对变化而得到的。通常金属电阻应变片灵敏度系数 K 很 小,机械应变一般在 10X10-6?3000X 10-6之间,可见,电阻相对变化是很小的。例如,某传感器弹性 元件在额定载荷下产生应变 1000 10 -6 ,应变片的电阻值为120 ,灵敏度系数 K=2,则电阻的 R 相对变化量为 K 2 1000 10 -6 =0.002,电阻变化率只有 0.2%。这样小的电阻变化,用一 R 般测量电阻的仪表很难直接测出来,必须用专门的电路来测量这种微弱的电阻变化。最常用的电路 为电桥电路。 R L S R L S (1-2)

直流电桥的电压输出 当电桥输出端接有放大器时,由于放大器的输入阻抗很高,所以,可以认为电桥的负载电阻为 无穷大,这时电桥以电压的形式输出。输出电压即为电桥输出端的开路电压,其表达式为 R 1 R 3 R 2 R 4 (R I R 2X R 3 R 4) 设电桥为单臂工-作状态,即R i 为应变片,其余桥臂均为固定电阻。 当R i 感受应变产生电阻增 衡引起的输出电压为 根据式(1-4)可得到输出电压为 duoo oLho (a )单臂 (b )半桥 (c )全桥 图1-1应变电桥 (1-3) R i 时,由初始平衡条件 R 1R 3 R 2R 4 得負 t ,代入式(1-3),则电桥由于 R 1产生不平 R 2 (R 1 R 2)2 R 1U R 1 R 2 (R 1 R 2)2 R 1 L U (1-4) 对于输出对称电桥,此时 R 1 R 2 R ,R 3 R 4 R',当R 1臂的电阻产生变化 R 1 R ,

电桥测电阻实验报告

实验目的 1、掌握惠斯通电桥测量电阻的原理及操作方法,理解单臂电桥测电阻的“三端”法接线的意义; 2、掌握开尔文电桥测量电阻的原理及操作方法; 3、熟悉综合性电桥仪的使用方法及电桥比率和比率电阻的选择原则。 实验原理 电阻是电路的基本元件之一,电阻的测量是基本的电学测量。用伏安法测量电阻,虽然原理简单,但有系统误差。在需要精确测量阻值时,必须用惠斯通电桥,惠斯通电桥适宜于测量中值电阻(1~106Ω)。 惠斯通电桥的原理如图1所示。标准电阻R 0、R 1、R 2和待测电阻R X 连成四边形,每一条边称为电桥的一个臂。在对角A 和C 之间接电源E ,在对角B 和D 之间接检流计G 。因此电桥由4个臂、电源和检流计三部分组成。当开关K E 和K G 接通后,各条支路中均有电流通过,检流计支路起了 沟通ABC 和ADC 两条支路的作用,好象一座“桥”一样,故称为“电桥”。适当调节R 0、R 1和R 2的大小,可以使桥上没有电流通过,即通过检流计的电流I G = 0,这时,B 、D 两点的电势相等。电桥的这种状态称为平衡状。 图6-l 惠斯通电桥原理图 态。这时A 、B 之间的电 势差等于A 、D 之间的电势差,B 、C 之间的电势差等于D 、C 之间的电势差。设ABC 支路和ADC 支路中的电流分别为I 1和I 2,由欧姆定律得 I 1 R X = I 2 R 1 I 1 R 0 = I 2 R 2 两式相除,得 102 X R R R R = (1) (1)式称为电桥的平衡条件。由(1)式得 1 02 X R R R R = (2) 即待测电阻R X 等于R 1 / R 2与R 0的乘积。通常将R 1 / R 2称为比率臂,将R 0称为比较臂。 2.双电桥测低电阻的原理 图1

电容电阻测量实验报告

电容、电阻测量实验报告 实验目的:1、掌握电容测量的方案,电容测量的技术指标 2、学会选择正确的模数转换器 3、学会使用常规的开关集成块 4、掌握电阻测量的方案,学会怎样达到电阻测量的技术指标 实验原理: 一、数字电容测试仪的设计 电容是一个间接测量量,要根据测出的其他量来进行换算出来。 1)电容可以和电阻通过555构成振荡电路产生脉冲波,通过测出脉宽的时间来测得电容的值 T=kR C K和R是可知的,根据测得的T值就可以得出电容的值 2)电容也可以和电感构成谐振电路,通过输入一个信号,改变信号的输入频率,使输入信号和LC电路谐振,根据公式W=1/ √LC就可以得到电容的值。 二、多联电位器电阻路间差测试仪的设计 电阻是一个间接测试量,他通过测得电压和电流根据公式R=U/I得出电阻的值 电阻测量分为恒流测压法和恒压测流法两种方法 这两种方法都要考虑到阻抗匹配的问题 1)恒流测压法 输入一个恒流,通过运放电路输出电压值,根据运放电路的虚断原理得出待测电阻两端的电压值,就可以得出待测电阻的阻值。 2)恒压测流法 输入一个恒压,通过运放电路算出电流值,从而得出电阻值 方案论证:数字电容测试仪 用555组成的单稳电路测脉宽 用555构成多谐振荡器产生触发脉冲 多谐振荡器产生一个占空比任意的方波信号作为单稳电路的输入信号。 T1=0.7*(R1+R2)*C T2=0.7*R2*C 当R2〉〉R1时,占空比为50% 单稳电路是由低电平触发,输入的信号的占空比尽量要大 触发脉冲产生电路

电容测试电路 Tw=R*Cx*㏑3

R为7脚和8脚间的电阻和待测电容Cx构成了充放电回路,这个电阻可以用一个拨档开关来选择电容的测试挡位。当待测电容为一大电容时,选择一个小电阻;当电容较小时,选择一个较大的电阻。使输出的脉宽不至于太大或者太小,用以提高测量的精度和速度。 R*C不能取得太小,R*C*㏑3≥T2,如果R*C取得太小,使得充放电时间太小,当来一个低电平时,电路迅速充电完毕,此时输入信号仍然处于低电平状态,输出电压为高电平,此时的脉宽就与RC无关,得到的C值就不是所要测的电容值。 仿真波形: 、 从仿真波形可以看出Tw=1.1058ms 根据公式Tw=1.1*R*C可以得出C=100uf 多联电位器电阻路间差测试仪设计方案 软件设计流程图 主程序流程图:

光敏电阻实验报告

实验报告 姓名:高阳班级:F0703028 学号:5070309013 实验成绩: 同组姓名:实验日期:08/4/14 指导老师:助教15 批阅日期: 光敏电阻基本特性的测量 【实验目的】 1.了解光敏电阻的工作原理及相关的特性。 2.了解非电量转化为电量进行动态测量的方法。 3.了解简单光路的调整原则和方法. 4.在一定照度下,测量光敏电阻的电压与光电流的关系。 5.在一定电压下,测量光敏电阻的照度与光电流的关系。 【实验原理】 1 光敏电阻的工作原理 在光照作用下能使物体的电导率改变的现象称为内光电效应。本实验所用的光敏电阻就是基于内光电效的光电元件。当内光电效应发生时,固体材料吸收的能量使部分价带电子迁移到导带,同时在价带中留下空穴。这样由于材料中载流子个数增加,使材料的电导率增加。电导率的改变量为: (1) 式中e为电荷电量;为空穴浓度的改变量;为电子浓度的改变量;为空穴的迁移率;为电子的迁移率。当光 敏电阻两端加上电压U后,光电流为(2) 式中A 为与电流垂直的截面积,d为电极间的距离。

用于制造光敏电阻的材料主要有金属的硫化物、硒化物和锑化物等半导体材料.目前生产的光敏电阻主要是硫化镉.光敏电阻具有灵敏度高、光谱特性好、使用寿命长、稳定性能高、体积小以及制造工艺简单等特点,被广泛地用于自动化技术中. 本实验光敏电阻得到的光照由一对偏振片来控制。当两偏振片之间的夹角为时,光照为,其中:为不加偏振片时的光照,D为当量偏振片平行时的透明度。 2 光敏电阻的基本特性 光敏电阻的基本特性包括伏-安特性、光照特性、光电灵敏度、光谱特性、频率特性和温度特性等。本实验主要研究光敏电阻的伏-安特性和光照特性。3.附上实验中的光路图: 【实验数据记录、实验结果计算】 1测量光敏电阻的电压与光电流的关系 在调整好光路后,就可以做这一个内容的实验了。下面附上这个实验内容的电路图:

巨磁电阻实验报告

巨磁电阻实验报告 【目的要求】 1、 了解GMR 效应的原理 2、 测量GMR 模拟传感器的磁电转换特性曲线 3、 测量GMR 的磁阻特性曲线 4、 用GMR 传感器测量电流 5、 用GMR 梯度传感器测量齿轮的角位移,了解GMR 转速(速度)传感器的原理 【原理简述】 根据导电的微观机理,电子在导电时并不是沿电场直线前进,而是不断和晶格中的原子产生碰撞(又称散射),每次散射后电子都会改变运动方向,总的运动是电场对电子的定向加速与这种无规散射运动的叠加。称电子在两次散射之间走过的平均路程为平均自由程,电子散射几率小,则平均自由程长,电阻率低。电阻定律 R=ρl/S 中,把电阻率ρ视为常数,与材料的几何尺度无关,这是因为通常材料的几何尺度远大于电子的平均自由程(例如铜中电子的平均自由程约34nm ),可以忽略边界效应。当材料的几何尺度小到纳米量级,只有几个原子的厚度时(例如,铜原子的直径约为0.3nm ),电子在边界上的散射几率大大增加,可以明显观察到厚度减小,电阻率增加的现象。 电子除携带电荷外,还具有自旋特性,自旋磁矩有平行或反平行于外磁场两种可能取向。早在1936年,英国物理学家,诺贝尔奖获得者N.F.Mott 指出,在过渡金属中,自旋磁矩与材料的磁场方向平行的电子,所受散射几率远小于自旋磁矩与材料的磁场方向反平行的电子。总电流是两类自旋电流之和;总电阻是两类自旋电流的并联电阻,这就是所谓的两电流模型。 在图2所示的多层膜结构中,无外磁场时,上下两层磁性材料是反平行(反铁磁)耦合的。施加足够强的外磁场后,两层铁磁膜的方向都与外磁场方向一致,外磁场使两层铁磁膜从反平行耦合变成了平行耦合。电流的方向在多数应用中是平行于膜面的。 无外磁场时顶层磁场方向 无外磁场时底层磁场方向 图 2 多层膜GMR 结构图 图3是图2结构的某种GMR 材料的磁阻特性。由图可见,随着外磁场增大,电阻逐渐减小,其间有一段线性区域。当外磁场已使两铁磁膜完全平行耦合后,继续加大磁场,电阻不再减 图3 某种GMR 材料的磁阻特性 磁场强度 / 高斯 电阻 \ 欧姆

实验一光敏电阻特性测量实验

光电子技术基础实验报告 实验题目光敏电阻特性测量实验日期2020.09.04 姓名组别04 班级18B 学号 【实验目的】 1、了解光敏电阻的工作原理和使用方法; 2、掌握光强与光敏电阻电流值关系测试方法; 3、掌握光敏电阻的光电特性及其测试方法; 4、掌握光敏电阻的伏安特性及其测试方法; 5、掌握光敏电阻的光谱响应特性及其测试方法; 6、掌握光敏电阻的时间响应特性及其测试方法。 【实验器材】 光电技术创新综合实验平台一台 特性测试实验模块一块 光源特性测试模块一块 连接导线若干 【实验原理】 光敏电阻在黑暗的室温条件下,由于热激发产生的载流子使它具有一定的电导,该电导称为暗电导,其倒数为暗电阻,一般的暗电导值都很小(或暗电阻阻值都很大)。当有光照射在光敏电阻上时,电导将变大,这时的电导称为光电导。电导随光照量变化越大的光敏电阻,其灵敏度就越高,这个特性就称为光敏电阻的光电特性,也可定义为光电流与照度的关系。 光敏电阻在弱辐射和强辐射作用下表现出不同的光电特性(线性和非线性),实际上,它的光电特性可用在“恒定电压”下流过光敏电阻的电流IP ,与作用到光敏电阻上的光照度 E 的关系曲线来描述,不同材料的光照特性是不同的,绝大多数光敏电阻光照特性是非线性的。光敏电阻的本质是电阻,因此它具有与普通电阻相似的伏安特性。在一定的光照下,加到光敏电阻两端的电压与流过光敏电阻的亮电流之间的关系称为光敏电阻的伏安特性。 光敏电阻的符号和连接

【实验注意事项】 1、打开电源之前,将“电源调节”处旋钮逆时针调至底端; 2、实验操作中不要带电插拔导线,应该在熟悉原理后,按照电路图连接,检查无误后,方可打开电源进行实验; 3、若照度计、电流表或电压表显示为“1_”时说明超出量程,选择合适的量程再测量; 4、严禁将任何电源对地短路。 5、仪器通电测试前,一定要找老师检查后方可通电测试。 【主要实验步骤】 基础实验: 组装好光源、遮光筒和光探结构件,如下图所示: 1、打开台体电源,调节照度计“调零”旋钮,至照度计显示为“000.0”为止。 2、特性测试模块的 0-12V(J5)和 GND 连接到台体的 0-30V 可调电源的 Vout+和 Vout- 上。 3、J5连接电流表+极,电流表-极连接光敏电阻套筒黄色插孔,光敏电阻套筒蓝色插孔连接J6,电压表+极连接光敏电阻套筒黄色插孔,电压表-极连接光敏电阻套筒蓝色插孔。光敏电阻红黑插座与照度计红黑插座相连。(RP1的值可根据器件特性自行选取) 4、将光源特性测试模块+5V,-5V和GND连接到台体的+5V,-5V和GND1上,航空插座FLED-IN与全彩灯光源套筒相连接。打开光源特性测试模块电源开关K101,将S601,S602, S603开关向下拨(OFF档),使光照强度为0,即照度计显示为0。 5、将S601,S602,S603开关向上拨(ON档),将可调电源电压调为5V,光源颜色选为白光,按“照度加”或“照度减”,测量照度为100Lx、150Lx、200Lx、250Lx、300Lx、350Lx、400Lx、450Lx、500Lx、550Lx、600Lx电压表对应的电压值U,电流表对应的电流值I,光敏电阻值 RL=U/I。且将实验数据记录于表1-1中: 6、改变电源供电偏压,分别记录电压为 7V 和 9V 时,不同光照度下对应的电流值,并分别记录于表 1-2 及表 1-3 中: 7、保持照度为 100Lx 不变,调节电源供电偏压,使供电偏压为 1V、2V、3V、4V、5V、 6V、7V、8V、9V、10V,分别记录对应的电流值,并记录表 1-4 中: 8、按“照度加”,调节使光照为 200Lx、400Lx,记录同一光照不同电压下对应的电流值,并分别记录表 1-5 至表 1-9 中: 9、使可调电源偏压调为 5V 分别测量不同颜色光在 200 Lx 光照强度下,光敏电阻的电流值,将各个光源 200 lx 照度下光敏电阻的电流值记录在表 1-10 中: 10、将S601,S602,S603开关向下拨(OFF档),将可调电源电压调为5V。将光源特性测试模块的J701与光源特性测试模块的J601,J602,J603插座相连接。观察光源特性测试模块的J701点波形和特性测试模块J6点波形,分析光敏电阻的时间响应特性。 11、将“电源调节”旋钮逆时针旋至不可调位置,关闭实验台电源。

实验一-金属箔式应变片实验报告

成绩: 预习审核: 评阅签名: 厦门大学嘉庚学院传感器 实验报告 实验项目:实验一、二、三金属箔式应变片——单臂、半桥、全桥 实验台号: 专业:物联网工程 年级:2014级 班级:1班 学生学号:ITT4004 学生姓名:黄曾斌 实验时间:2016 年 5 月20 日

实验一 金属箔式应变片——单臂电桥性能实验 一.实验目的 了解金属箔式应变片的应变效应,单臂电桥工作原理和性能。 二.基本原理 金属电阻丝在未受力时,原始电阻值为R=ρL/S 。 电阻丝在外力作用下发生机械变形时,其电阻值发生变化,这就是电阻应变效应,描述电阻应变效应的关系式为: 式中R R /?为电阻丝电阻的相对变化,K 为应变灵敏系数,L L /?=ε 为电阻丝长度 相对变化,金属箔式应变片就是通过光刻、腐蚀等工艺制成的应变敏感元件,通过它转换被测部位的受力状态变化,电桥的作用是完成电阻到电压的比例变化,电桥的输出电压反映了相应的受力状态。 输出电压: 1.单臂工作:电桥中只有一个臂接入被测量,其它三个臂采用固定电阻;输出 U O14/εEK =。 2.双臂工作:如果电桥两个臂接入被测量,另两个为固定电阻就称为双臂工作电桥,又称为半桥形式;半桥电压输出U O2 2/εEK =。 3.全桥方式:如果四个桥臂都接入被测量则称为全桥形式。全桥电压输出U O3 εEK =。 三.需用器件与单元 CGQ-001实验模块、CGQ-013实验模块、应变式传感器、砝码、电压表、±15V 电源、±4V 电源、万用表(自备)。 ()() E R R R R R R R R U O 43213 241++-=

接地电阻的测量实验报告

湘潭大学实验报告 姓名:** 学号:***** 班级(专业):采矿工程**班 课程:矿山电工学 实验名称:接地电阻的测量 实验日期:2013年12月4日

实验四接地电阻的测量 一、实验目的: 1、使学生掌握接地的种类、意义与接地方法。 2、使学生熟悉接地电阻测量仪的使用方法与测量方法。 二、主要知识点: 1、接地的概念与作用: 接地是电力系统为了满足系统运行的需要和保护设备或人身安全而常用的一种技术。接地靠接地装置来实现。接地装置主要由下列两部分组成: (1)接地体。接地体又叫做接地极,是指埋入地中直接与大地接触的金属导体。 (2)接地线。接地线是指电力设备与接地体相连接的金属导线。 接地体又分为人工接地体与自然接地体两种。人工接地体是指专门敷设的金属导体接地极,自然接地体是指直接与大地接触的各种金属构件,如建筑物的钢筋混凝土基础,金属导管等。被水泥包围住的导体只要是埋在地中也算接地体,因为受潮后的水泥的导电能力和上壤差不多。 电力系统的接地可分为正常接地和故障接地两类,正常接地又可分工作接地和保护接地两种。工作接地是为了满足系统运行的需要而装设的接地;其作用如下: ⑴降低人体的接触电压。在中性点绝缘的系统中,当一相接地,而人体又触及加一相时,人体所受到的接触电压将超过相电压而成为线电压,即为相电压的√3倍。当中性点接地时,因中性点的接地电阻很小,或近似于零,与地间的电位差亦近似于零,这时当一相碰地,而人体触及加一相时,人体的接触电压接近或等于相电压,因此降低了人体的接触电压。 ⑵迅速切断故障设备。在中性点绝缘系统中,当一相接地时接地电流很小,因此,保护设备不能迅速动作切断电流,故障将长期持续下去,对人体是危险的。 在中性点接地系统中就不同了,当一相接地时,接地电流成为很大的单相短路电流,保护设备能准确而迅速动作切断电源,使人体不致有触电危险。 ⑶降低电气设备和电力线路的设计绝缘水平。 如上所述,因中性点接地系统中一相接地时,其它两相的对地电压不会升高至相电压的√3倍,而是近似于或等于相电压。因此在中性点接地系统中,电气设备和线路在设计时,其绝缘水平只按相电压考虑。故降低了建设费用,节约了投资。 保护接地主要包括有防止人身触电的保护接地、防雷接地、防静电接地及防电磁场屏蔽接地等。 故障接地是指电力设备的带电体与大地之间的绝缘遭受损坏时,导体与大地相接触,电流直接流入大地(短路)。如电力设备的对地绝缘损坏,发生击穿,对地(外壳)短路,或者电场线路绝缘子闪络、断线、导线接地短路等,都是故障接地。 理论上,接地电阻越小,接触电压和跨步电压就越低,对人身越安全.但要求接地电阻越小,则人工接地装置的投资也就越大,而且在土壤电阻率较高的地区不易做到。在实践中,可利用埋设在地下的各种金属管道(易燃体管道除外)和电缆金属外皮以及建筑物的地下金属结构等作为自然接地体。由于人工接地装置与自然接地体是并联关系,从而可减小人工接地装置的接地电阻,减少工程投资。 在中性点接地的三相四线制中,零线常采用重复接地。 在有重复接地的低压供电系统中,当发生接地短路时,能降低零线的对地电压;当零线断线发生断裂时,能使故障程度减轻,照明线路能避免因零线断线而引起的烧毁灯泡的

光电探测实验报告

光电探测技术 实验报告 班级:10050341 学号:05 姓名:解娴

实验一光敏电阻特性实验 一、实验目的 1.了解一些常见的光敏电阻的器件的类型; 2.了解光敏电阻的基本特性; 3.测量不同偏置电压下的光敏电阻的电压与电流,并作出V/A曲线。 二、实验原理 伏安特性显示出光敏电阻与外光电效应光电元件间的基本差别。这种差别是当增加电压时,光敏电阻的光电流没有饱和现象,因此,它的灵敏度正比于外加电压。 光敏电阻与外光电效应光电元件不同,具有非线性的光照特性。各种光敏电阻的非线性程度都是各不相同的。 大多数场合证明,各种光敏电阻均存在着分析关系。这一关系为 式中,K为比例系数;是永远小于1的分数。 光电流的增长落后于光通量的增长,即当光通量增加时,光敏电阻的积分灵敏度下降。 这样的光照特性,使得解算许多要求光电流与光强间必需保持正比关系的问题时不能利用光敏电阻。 光照的非线性特性并不是一切光敏半导体都必有的。目前已有就像真空光电管—样,它的光电流随光通量线性增大的光敏电阻的实验室试样。光敏电阻的积分灵敏度非常大,最近研究出的硒—鎘光敏电阻达到12A/lm,这比普通锑、铯真空光电管的灵敏度高120,000倍。

三、实验步骤 1、光敏电阻的暗电流、亮电流、光电流 按照图1接线,电源可从+2V~+8V间选用,分别在暗光和正常环境光照下测出输出电压V暗和V亮。则暗电流L暗=V暗/RL,亮电流L亮=V亮/RL,亮电流与暗电流之差称为光电流,光电流越大则灵敏度越高。 2、伏安特性 光敏电阻两端所加的电压与光电流之间的关系即为伏安特性。按照图1接线,分别测得偏压为2V、4V、6V、8V、10V时的光电流,并尝试高照度光源的光强,测得给定偏压时光强度的提高与光电流增大的情况。将所测得的结果 填入表格并做出V/I曲线。 图1光敏电阻的测量电路 偏压2V4V6V8V10V12V 光电阻I 四、实验数据 实验数据记录如下: 光电流: E/V246810 U/V0.090.210.320.430.56 I/uA1427.54255.270.5 暗电流:0.5uA 实验数据处理:

金属箔式应变片半桥性能实验报告

南京信息工程大学传感器实验(实习)报告 实验(实习)名称金属箔式应变片半桥性能实验实验(实习)日期12.2得分指导老师 系专业班级姓名学号 实验目的:比较半桥与单臂电桥的不同性能、了解其特点。 实验内容: 基本原理:不同受力方向的两只应变片接入电桥作为邻边,电桥输出灵敏度提高,非线性得到改善。当应变片阻值和应变量相同时,其桥路输出电压U O2=EKε/2。 需用器件与单元:主机箱、应变式传感器实验模板、托盘、砝码。 实验步骤: 1、将托盘安装到应变传感器的托盘支点上。将实验模板差动放大器调零:用导线将实验模板上的±15v、⊥插口与主机箱电源±15v、⊥分别相连,再将实验模板中的放大器的两输入口短接(V i=0);调节放大器的增益电位器R W3大约到中间位置(先逆时针旋到底,再顺时针旋转2圈);将主机箱电压表的量程切换开关打到2V档,合上主机箱电源开关;调节实 验模板放大器的调零电位器R W4,使电压表显示为零。 图2 应变式传感器半桥接线图 2、拆去放大器输入端口的短接线,根据图2接线。注意R2应和R3受力状态相反,即将传感器中两片受力相反(一片受拉、一片受压)的电阻应变片作为电桥的相邻边。调节实验模板上的桥路平衡电位器R W1,使主机箱电压表显示为零;在应变传感器的托盘上放置一只砝码,读取数显表数值,依次增加砝码和读取相应的数显表值,直到200g(或500 g)砝码加完。记下实验数据填入表2画出实验曲线,计算灵敏度S2=U/W,非线性误差δ。实验完

毕,关闭电源。 实验结果: 表2 解:S=200/80=2.5 δ=Δm/y FS×100%=1/200x100%=0.5%

光敏电阻实验

中国石油大学 智能仪器 实验报告 成 绩: 班级: 姓名: 同组者: 教师: 光敏电阻实验 【实验目的】 1、 了解光敏电阻的工作原理; 2、 掌握光敏电阻的光电特性,光谱响应特性,频率特性等基本特性; 3、 理解光敏电阻的一般应用。 【实验原理】 光敏电阻是利用半导体光电导效应制成的一种特殊电阻,对光线十分敏感,它的电阻值能随着外界光照强弱(明暗)变化而变化.它在无光照射时,呈高阻状态;当有光照射时,其电阻值迅速减小.光敏电阻通常由光敏层、玻璃基片(或树脂防潮膜)和电极等组成的,如图1所示。可见光波段和大气透过的几个窗口都有适用的光敏电阻,利用光敏电阻制成的光控开关在我们日常生活中随处可见,广泛应用于各种自动控制电路(如自动照明灯控制电路、自动报警电路等)、 家用电器(如电视机中的亮度自动调节,照相机的自动曝光 图1 光敏电阻结构图 控制等)及各种测量仪器中。 在光照作用下能使物体的电导率改变的现象称为内光电效应.本实验所用的光敏电阻就是基于内光电效应的光电元件.当内光电效应发生时,固体材料吸收的能量使部分价带电子迁移到导带,同时在价带中留下空穴。这样由于材料中载流子个数增加,使材料的电导率增加,电导率的改变量为 p n p e n e σμμ?=???+??? (1) 在(1)式中,e 为电荷电量,p ?为空穴浓度的改变量,n ?为电子浓度的改变量,μ表示迁移率。 当两端加上电压U 后,光电流为: ph A I U d σ= ??? (2) 式中A 为与电流垂直的表面,d 为电极间的间距。在一定的光照度下,σ?为恒定的值,因而光电流和电压成线性关系。 光敏电阻的伏安特性如图2所示,不同的光照度可以得到不同的伏安特性,表明电阻值随光照

应变片实验报告

传感器实验---- 金属箔式应变片:单臂、半桥、全桥比较 【实验目的】 了解金属箔式应变片,单臂单桥的工作原理和工作情况。 验证单臂、半桥、全桥的性能及相互之间关系。 【所需单元及部件】 直流稳压电源、电桥、差动放大器、双孔悬臂梁称重传感器、砝码、一片应变片、电压/频率表、电源, 重物加在短小的圆盘上。 【旋钮初始位置】 直流稳压电源打到±2V挡,电压/频率表打到2V挡,差动放大增益最大。【应变片的工作原理】 当金属丝在外力作用下发生机械变形时,其电阻值将发生变化,这种现象称为金属的电阻应变效应。 设有一根长度为L、截面积为S、电阻率为ρ的金属丝,在未受力时,原始电阻为 (1-1) 当金属电阻丝受到轴向拉力F作用时,将伸长ΔL,横截面积相应减小ΔS,电阻率因晶格变化等因素的影响而改变Δρ,故引起电阻值变化ΔR。对式(1-1)全微分,并用相对变化量来表示,则有:

ρ ρ ?+?-?=?S S L L R R (1-2) 【测量电路】 应变片测量应变是通过敏感栅的电阻相对变化而得到的。通常金属电阻应变片灵敏度系数K 很小,机械应变一般在10×10-6~3000×10-6之间,可见,电阻相对变化是很小的。例如,某传感器弹性元件在额定载荷下产生应变101000?=ε-6,应变片的电阻值为Ω120,灵敏度系数K=2,则电阻的相对变化量为 ??==?10002εK R R 10-6 =0.002,电阻变化率只有0.2%。这样小的电阻变化,用一般测量电阻的仪表很难直接测出来,必须用专门的电路来测量这种微弱的电阻变化。最常用的电路为电桥电路。 (a )单臂 (b )半桥 (c )全桥 图1-1 应变电桥 直流电桥的电压输出 当电桥输出端接有放大器时,由于放大器的输入阻抗很高,所以,可以认为电桥的负载电阻为无穷大,这时电桥以电压的形式输出。输出电压即

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