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uniflash使用手册摘要：一、UniFlash 概述1.1 UniFlash 简介1.2 UniFlash 的功能特点1.3 UniFlash 的适用场景二、UniFlash 安装与配置2.1 系统要求2.2 安装步骤2.3 配置参数三、UniFlash 基本操作3.1 创建项目3.2 添加文件3.3 编译项目3.4 下载固件四、UniFlash 高级功能4.1 集成调试器4.2 代码签名4.3 批量生产五、UniFlash 常见问题及解决方案5.1 安装问题5.2 编译问题5.3 下载问题六、UniFlash 使用技巧与最佳实践6.1 提高编译速度6.2 优化固件大小6.3 确保固件安全正文：一、UniFlash 概述UniFlash 是一款功能强大的闪存编程工具，适用于各种嵌入式系统的开发和生产。
它能够为开发者提供便捷的固件编程、调试和优化的功能，大大提高开发效率。
1.1 UniFlash 简介UniFlash 是一款由我国某公司开发的闪存编程工具，支持多种处理器架构和设备接口，广泛应用于物联网、工业控制、消费电子等领域。
1.2 UniFlash 的功能特点UniFlash 具有以下几个主要功能特点：（1）支持多种处理器架构：包括ARM、C51、MIPS 等常见处理器架构。
（2）丰富的设备接口：支持JTAG、SWD、UART 等常见调试接口。
（3）强大的编程功能：支持多种闪存芯片，如NAND、NOR、eMMC 等。
（4）易于使用的图形界面：通过可视化操作，方便用户进行固件编程和调试。
1.3 UniFlash 的适用场景UniFlash 适用于各种嵌入式系统的开发和生产，包括物联网设备、工业控制设备、消费电子产品等。
二、UniFlash 安装与配置在使用UniFlash 之前，需要确保您的系统满足相关要求，并进行正确的安装和配置。
2.1 系统要求UniFlash 支持的操作系统包括Windows、Linux 和macOS。
uniflash使用手册【原创实用版】目录1.Uniflash 介绍2.Uniflash 的功能与特点3.Uniflash 的安装与配置4.Uniflash 的使用方法5.Uniflash 的维护与升级6.Uniflash 的常见问题与解答正文【Uniflash 介绍】Uniflash 是一款优秀的开源软件，主要用于 Flash 存储设备的管理与维护。
它支持各种类型的 Flash 存储设备，如 U 盘、SD 卡、CF 卡等，为用户提供了强大的 Flash 设备管理功能。
Uniflash 集设备检测、格式化、分区、克隆、恢复、优化等功能于一身，能够满足用户对于 Flash 存储设备的各种需求。
【Uniflash 的功能与特点】1.多设备支持：Uniflash 支持市面上各种类型的 Flash 存储设备，包括 U 盘、SD 卡、CF 卡等。
2.强大的管理功能：Uniflash 具备设备检测、格式化、分区、克隆、恢复、优化等功能，用户可以方便地对 Flash 存储设备进行管理。
3.高效稳定的性能：Uniflash 在保证功能的同时，也注重性能的优化，能够快速地完成各种操作，同时具有较高的稳定性。
4.易用的操作界面：Uniflash 的用户界面简洁直观，用户无需专业知识即可轻松上手。
5.开源免费：Uniflash 是一款开源软件，用户可以免费下载使用，也可以根据自己的需求进行二次开发。
【Uniflash 的安装与配置】1.下载 Uniflash：用户可以从官方网站或其他可靠的下载站点下载Uniflash 软件。
2.安装 Uniflash：下载完成后，双击安装程序进行安装。
安装过程中，请务必仔细阅读安装向导，确保安装成功。
3.配置 Uniflash：安装完成后，用户可以根据自己的需求对Uniflash 进行配置，如选择语言、设置默认操作等。
【Uniflash 的使用方法】1.连接 Flash 存储设备：在使用 Uniflash 前，请确保 Flash 存储设备已连接到计算机。
一、概述STM32F4是ST公司推出的一款高性能的32位微控制器，它具有强大的性能和丰富的外设资源，广泛应用于工业控制、消费电子、通信设备等领域。
其中，STM32F4的Flash存储器模块具有较大的存储容量和快速的读写速度，非常适合用来存储程序代码和数据。
本文将介绍如何使用STM32F4的Flash存储器模块进行读写操作的例程。
二、开发环境准备1. 基本硬件准备：准备一块STM32F4开发板，如STM32F407ZGT6开发板。
一台电脑，安装了Keil或者其他的开发环境。
2. 软件准备：在电脑上安装好STM32CubeMX和Keil或者其他的开发环境。
三、创建工程1. 打开STM32CubeMX，新建一个工程，选择对应的芯片型号，例如选择STM32F407ZGT6。
2. 配置时钟树，使得系统时钟为想要的频率，一般选择高频率以获得更快的Flash读写速度。
3. 配置Flash存储器，选择合适的扇区大小和擦写次数。
4. 生成代码，导出工程。
四、编写代码1. 在Keil或者其他的开发环境中打开刚刚生成的工程。
2. 找到Flash读写相关的API，一般在芯片提供的库函数中可以找到。
3. 根据需要编写Flash读写的代码，例如可以编写一个函数来实现向Flash写入数据的功能。
五、编译下载1. 编译代码，生成bin文件。
2. 将bin文件下载到STM32F4开发板中，可以使用ST-Link或者其他下载工具来完成。
六、调试运行1. 确保下载成功，重启开发板。
2. 进行调试，观察Flash读写是否正常。
七、注意事项1. 在进行Flash写入操作时，一定要小心谨慎，避免对程序的正常运行造成影响。
2. 在进行Flash擦除操作时，务必注意擦除的范围，避免擦除了不该擦除的数据。
3. 在进行Flash读写操作时，需要留意Flash的特性和限制，以免造成不必要的麻烦。
八、总结本文介绍了如何在STM32F4开发板上使用Flash存储器进行读写操作的例程，从开发环境准备到代码编写再到调试运行都有详细的步骤说明，并给出了注意事项和总结。
STM32入门系列教程如何使用J-Flash调试Revision0.01(2010-04-12)对初学者来说，要进行STM32的程序下载调试，一般有三种方法：（1）使用SEGGER J-Flash（J-Link）下载程序到闪存中运行；（2）使用串口ISP来下载HEX文件到CPU中运行；（3）J-Link+MDK组合，来在线调试程序（可下载、调试）。
本文档讲述如何在芯达STM32开发板上使用SEGGER J-Flash下载HEX文件。
而其他两种方法，我们将在文档《如何使用MDK+J-Link调试》、以及《如何使用STM32-ISP下载调试》中详细说明。
先来解释SEGGER。
实际上，大家更为熟悉的ARM仿真器J-Link，就是由SEGGER公司开发的。
J-Link是SEGGER为支持仿真ARM内核芯片推出的JTAG 仿真器。
不管什么CPU的仿真器，都需要安装其相应的驱动后才能使用。
J-Link也不例外，它的驱动软件可以去官方网站：下载最新版本。
这里使用的驱动软件版本是V4.08l，该驱动的安装非常简单，请参考文档《如何安装J-Link驱动软件》。
安装完毕，会出现如下两个图标：现在开始我们的工作吧！步骤一先进行设备连接操作。
芯达STM开发板的JTAG口（开发板面朝上，最顶端有一个JTAG20pin的插口），与J-Link V8仿真器的输出排线连接，J-Link另一头的USB插口则插在电脑的USB口上。
这时，J-Link的指示灯开始闪烁，并保持“点亮”的状态。
注意：大家购买J-Link仿真器的时候，JTAG接口要求是标准的20pin的2.54间距的针座。
否则需要转接卡进行JTAG接口的转换。
步骤二进入PC的桌面，点击上图左边的图标：J-Flash ARM V4.081，出现如下界面：步骤三我们先来进行project设置，保存后会自动识别该配置。
不进行project设置，则在后续步骤进行连接connect开发板的时候，会提示找不到flash 设备下载，导致无法连接，如下所示：点击“Options”，再点击“Project settings”，如下图所示：步骤四在弹出的窗口中进行设置。
GYSFLASH 8.122-62安全条例这份使用手册包含机器性能介绍以及需注意的安全事项。
首次操作机器前请仔细阅读该说明并妥善保管以备后期查阅。
任何一项操作前需认真阅读和掌握这些条例。
不可对机器做任何该说明上未提及的改装和维护操作。
因违反操作条例导致的任何损害不由生产商负责。
对机器的操作有疑问，请咨询专业人员以保证机器的准确操作。
机器的充电、启动和电源供应应严格遵照此手册和机器上提示的进行。
需遵循安全条例进行操作，任何不当或危险操作造成的问题，生产商将不予负责。
8岁以下儿童不可进行操作。
有自主活动能力、感知力和精神能力的但缺乏操作经验的人员在接受了相应的操作指导，掌握了安全操作条例后，在严格监管下可以操作机器。
机器不可给儿童玩耍。
机器的清理维护不可在无人监管的情况下由儿童进行。
不可用于给非可充电电池进行充电。
自动模式和应用限制在后面的使用模式内容中有详细解释。
易燃易爆!正在充电的电池可能释放易爆气体。
• 充电过程中，电池应放于通风良好处。
• 机器使用范围内避免火花，电弧。
禁止抽烟。
电源连接/断开• 连接机器前请先断开电源连接，或者断开电池上的连接。
• 应先将电池上不和车架相连的接线柱接入电源。
其他接线柱和车架连接时应远离电池和燃油管。
电池充电器• 充电完成后，按照先断开电池充电器再断开和车架的连接最后是电池电源的顺序依次切断连接。
连接：• 第二类设备机器• 接入电源的操作应确保符合国家安装条例。
维修：• 电源线的更换应由生产商、其售后部门或专业人员进行以避免危险。
规章条例：• 机器符合欧洲各指令。
• 产品安全标准申明在可在我们的网站上下载.• 符合EAC（欧洲经济共同体）规定的标志3废弃机器的处理：• 需特殊分拣处理，不能直接扔到家用的垃圾箱。
基本描述Gysflash专为大多数维护或免维护的铅酸电池充电而设计，这些电池通常用于汽车和许多其他车辆上。
这些电池有几种不同的类型，比如GEL（凝胶电解质），AGM（浸渍电解质），WET，MF（免维护），CA（钙）......Gysflash 8.12适用于为15Ah-160Ah的12V电池（6个2V单元）充电，以及高达240Ah的负载维持。
Cortex-M3目录[隐藏]概述编程模式开发工具LM3S101 （Cortex M控制器简介）产品特性产品构造Cortex M控制器选型指南概述Cortex-M3是一个32位的核，在传统的单片机领域中，有一些不同于通用32位CPU应用的要求。
谭军举例说，在工控领域，用户要求具有更快的中断速度，Cortex-M3采用了Tail-Chaining中断技术，完全基于硬件进行中断处理，最多可减少12个时钟周期数，在实际应用中可减少70%中断。
单片机的另外一个特点是调试工具非常便宜，不象ARM的仿真器动辄几千上万。
针对这个特点，Cortex-M3采用了新型的单线调试(Single Wire)技术，专门拿出一个引脚来做调试，从而节约了大笔的调试工具费用。
同时，Cortex-M3中还集成了大部分存储器控制器，这样工程师可以直接在MCU外连接Flash，降低了设计难度和应用障碍。
ARM Cortex-M3处理器结合了多种突破性技术，令芯片供应商提供超低费用的芯片，仅33000门的内核性能可达1.2DMIPS/MHz。
该处理器还集成了许多紧耦合系统外设，令系统能满足下一代产品的控制需求。
ARM公司希望Cortex-M3核的推出，能帮助单片机厂商实.Cortex的优势应该在于低功耗、低成本、高性能3者(或2者)的结合。
Cortex如果能做到合理的低功耗(肯定要比Arm7 & Arm9要低，但不大可能比430、PIC、AVR低) ＋合理的高性能(10~50MIPS是比较可能出现的范围) ＋适当的低成本(1~5$应该不会奇怪)。
简单的低成本不大可能比典型的8位MCU低。
对于已经有8位MCU的厂商来说，比如 Philips、Atmel、Freescale、Microchip还有ST和Silocon Lab，不大可能用Cortex来打自己的8位MCU。
对于没有8位MCU的厂商来说，当然是另外一回事，但他们在国内进行推广的实力在短期内还不够。
06洋桃开发板笔记（六）STM32自带的Flash闪存使用，主要配合其他外设Flash闪存与其他外设的使用杜洋工作室 洋桃电子 /YT在此声明一下所有代码均为杜洋工作室的不允许复制，转发等，本人只是在此程序上进行理解和注释。
本次主要讲的是Flash闪存的使用。
由于本次特殊，需要截取部分图片进行讲解，还有代码有点长，可能造成了观看不适，请大家谅解！谢谢。
探索每一个地址存放16位无符号的数据有多大，并且我们用单片机的oled屏幕来显示自己存取的数据。
要求：1、用OLED显示器显示数据地址及对应数据2、地址采用0x的16进制，数据采用16进制3、利用按键修改内存数据并且探索最大数值（数据）4、存放数据位数种类较多，探索其每一位地址标准容量（最小容量）多大？Flash的固件库建议小伙伴多看看《STM32F103固件函数库用户手册（中文）》的105页，里面有详细的库函数。
我们本次截取需要的部分，进行理解Flash。
flash存放数据的长度_以及_写Flash的函数在固件库里解释了flash存放数据的长度分有3种：字(32 bit)、半字(16 bit)、字节(8 bit)。
可能和我们学其他的编程语言不一样，这个无所谓。
每家都有自己的风格。
下面是固件库的解释：这个为stm32f10x_flash.h声明中：上面解决了，flash的最小容量数据为一个字节（8 bit），下面程序中我们采用半字（16 bit）进行编程。
写字的函数：写半字的函数：写字节的函数：写入Flash数据用到的其他函数flash存储器在写入数据前必须清除该页的所有数据，因为stm32flash采用的是NAND Flash，所以每次清除数据最小只能以页为单位。
1、以下为擦除函数：2、解锁Flash以及上锁：由于Flash擦写次数有限，所以就有了对Flash的保护我们每次写入数据需要解锁，每次写完数据需要上锁。
以防误操作。
3、清除Flash标志位为什么要清除标志位，我是真的不知道为社么，如果有小伙伴知道，可以下面留言啊！万分感激！！以上的flash相关库函数了解过后，我们就来解释Flash.c文件，如何编写_Flash_W函数,Flash_R函数_就应该有所了解。
uniflash使用手册摘要：1.UniFlash简介及功能2.产品安装与配置3.主要功能模块介绍4.操作技巧与实用案例5.常见问题与解决方案6.售后服务与技术支持正文：UniFlash是一款功能强大的闪存编程工具，广泛应用于嵌入式系统开发领域。
本文将为您详细介绍UniFlash的使用方法、功能特点以及相关操作技巧，帮助您更好地掌握这款工具，提高开发效率。
一、UniFlash简介及功能UniFlash是一款由我国自主研发的闪存编程工具，具有以下特点：1.支持多种嵌入式处理器：如ARM、MIPS、AVR等。
2.支持多种闪存芯片：如SST、ST、Micron等。
3.支持多种文件格式：如HEX、BIN、elf等。
4.集成烧写、调试、下载等功能。
二、产品安装与配置1.下载UniFlash软件：访问官方网站或联系销售人员获取下载链接。
2.安装驱动程序：根据您的操作系统（如Windows、Linux）选择合适的驱动程序。
3.配置开发环境：如Keil、IAR等。
4.连接硬件：使用USB线将开发板与电脑连接。
三、主要功能模块介绍1.烧写功能：支持将程序烧写至闪存芯片。
2.调试功能：支持在线调试，帮助您快速定位问题。
3.下载功能：支持将程序下载至开发板。
4.数据读写：支持从闪存芯片读取数据，并进行写入。
四、操作技巧与实用案例1.使用烧写功能时，注意选择正确的芯片型号和文件格式。
2.在线调试时，可通过断点、单步等功能，逐步执行程序，观察运行结果。
3.下载功能时，确保开发板与电脑连接稳定，以免出现下载失败。
五、常见问题与解决方案1.烧写失败：检查芯片连接是否正常，文件格式是否正确。
2.调试失败：检查开发板硬件连接，确保USB驱动已正确安装。
3.下载失败：检查开发板与电脑的连接，重新尝试下载。
六、售后服务与技术支持1.联系售后客服，获取技术支持。
2.访问官方网站，查看相关文档和教程。
3.加入用户社群，与其他开发者互相交流和学习。
目 录 第1章 闪存(Flash)...................................................................................................1 1.1 Flash功能概述..............................................................................................................1 1.2 Flash库函数..................................................................................................................3 1.3 Flash例程......................................................................................................................7
i 第1章 闪存(Flash) 函 数 原 型 页码void FlashUsecSet(unsigned long ulClocks) 3 unsigned long FlashUsecGet(void) 4 long FlashErase(unsigned long ulAddress) 4 long FlashProgram(unsigned long *pulData, unsigned long ulAddress, unsigned long ulCount) 4 long FlashProtectSet(unsigned long ulAddress, tFlashProtection eProtect) 5 long FlashProtectSave(void) 5 tFlashProtection FlashProtectGet(unsigned long ulAddress) 5 long FlashUserSet(unsigned long ulUser0, unsigned long ulUser1) 5 long FlashUserSave(void) 6 long FlashUserGet(unsigned long *pulUser0, unsigned long *pulUser1) 6 void FlashIntEnable(unsigned long ulIntFlags) 6 void FlashIntDisable(unsigned long ulIntFlags) 6 unsigned long FlashIntGetStatus(tBoolean bMasked) 7 void FlashIntClear(unsigned long ulIntFlags) 7 void FlashIntRegister(void (*pfnHandler)(void)) 7 void FlashIntUnregister(void) 7
1.1 Flash功能概述 在Stellaris系列不同型号里带有8～256KB的Flash存储器（后续型号容量可能更大）。Flash用于存储代码和固定数表，正常情况下只能用于执行程序，而不能直接修改存储的内容。但是，片内集成的Flash控制器提供了一个友好的用户接口，使得Flash存储器可以在应用程序的控制下进行擦除、编程等操作。在Flash存储器中还可以应用保护机制，防止Flash内容被修改或读出。
1． Flash存储器区块 Flash存储器是由一组可独立擦除的1KB区块所构成的。对一个区块进行擦除将使该区块的全部内容复位为1。编程操作是按字（32位）进行的，每个32位的字可以被编程为将当前为1的位变为0。但是，Flash保护机制是按照2KB区块划分的，每个2KB的区块都可被标记为只读或只执行，以提供不同级别的代码保护。
2． Flash存储器时序 Flash的操作时序是由Flash控制器自动处理的。但是，如此便需要得知系统的时钟速率以便对内部的信号进行精确的计时。为了完成这种计时，必须向Flash控制器提供每微秒钟的时钟周期数。由软件负责通过函数FlashUsecSet( )使Flash控制器保持更新。
3． Flash存储器保护 Flash存储器有4种基本的操作方式：
1z 执行：Flash内容当作程序代码，由CPU取指令机制自动读出，访问次数无限制； z 读取：Flash内容当作固定数表，可以由应用程序读出，访问次数无限制； z 擦除：按1KB区块整体地被擦除，该区块的全部位内容变成1，擦除时间约20ms； z 编程：对已擦除的Flash内容按32位字的方式进行写操作，能将位1改为0，编程时间约20µs。
Flash擦除/编程循环（1→0→1）寿命10万次（典型值）。Flash控制器以2KB区块为基础向用户提供两种形式的基本保护策略：编程保护、读取保护。这两种保护策略可以形成4种组合的保护模式，详见表1.1的描述。
表1.1 Flash存储器保护模式 编程保护 读取保护保 护 模 式 0 0 只执行保护，Flash区块只能被执行而不能被编程、擦除和读取，该模式用来保护代码不被控制器或调试器读取和修改 1 0 Flash区块可以被编程、擦除或执行，但不能被读取，该组合通常不可能被使用
0 1 只读保护，Flash区块可以被读出或执行，但不能被编程或擦除，该模式用来锁定Flash区块防止对其进行进一步的修改 1 1 无保护，Flash区块可以被编程、擦除、执行或读取
注意：实际的应用程序通常是采用C/C++等高级语言来编写的，在一个用来存储程序代码的区块里，不可避免地会出现可执行代码与只读数表共存的情况。如果对该区块进行了只执行保护，则很有可能导致程序无法正常运行！ 注意：一般不要使用编程保护为1、读取保护为0这种组合。 注意：对于Sandstorm和Fury家族，Flash区块的只读保护是一次性的，即如果使用库函数FlashProtectSave( )确认了对Flash区块保护设置的保存操作，则该Flash区块以后再也不能被擦除或编程，并且无法恢复！对于2008年新推出的DustDevil家族，Flash区块的只读保护属性是可以恢复的，比如借助于LMFlashProgrammer之类的工具软件，通过解锁操作“Unlock”就能恢复，参见图1.1。
4． 用户寄存器 在Sandstorm和Fury家族里，Flash控制器提供有3个用户寄存器： z USER_DBG：用户调试寄存器 z USER_REG0：用户寄存器0 z USER_REG1：用户寄存器1 在DustDevil家族里，增加了两个用户寄存器： z USER_REG2：用户寄存器2 z USER_REG3：用户寄存器3 有关用户寄存器的详细说明，请参考具体型号的《数据手册》。 注意：对于Sandstorm和Fury家族，用户寄存器的写操作是一次性的，一旦修改则无法恢复！对于DustDevil家族，用户寄存器改写后可以借助于LMFlashProgrammer等工具软件，通过解锁操作“Unlock”就能恢复，参见图1.1。
2 图1.1 通过解锁操作恢复Flash设置 5． ROM存储器 从2008年新推出的DustDevil家族（LM3S3000/5000全部，以及LM3S1000/2000部分型号）开始，在地址0x01000000处固化了16KB的ROM存储器，包含以下内容： z 串行Flash下载器和中断向量表 z 外设驱动库（DriverLib） z 一些用于出厂测试的预装代码
1.2 Flash库函数 为了确保Flash控制器能够正常工作，必须要事先利用函数FlashUsecSet( )设置每微秒的CPU时钟数。函数FlashUsecGet( )用来获取已设置的时钟数。参见表1.2和表1.3的描述。
1． 时钟数设置与获取
表1.2 函数FlashUsecSet( ) 功能 设置每微秒钟的处理器时钟个数
原型 void FlashUsecSet(unsigned long ulClocks)
参数 ulClocks：每微秒钟的处理器时钟个数，例如在20MHz系统时钟下，这个时钟数就是20
返回 无
3 表1.3 函数FlashUsecGet( ) 功能 获取每微秒钟的处理器时钟数
原型 unsigned long FlashUsecGet(void)
参数 无
返回 每微秒钟的处理器时钟数
2． Flash擦除与编程 函数FlashErase( )用来擦除一个指定的Flash区块（1KB），在确保Flash已擦除过的情况下，可以用函数FlashProgram( )按字（4B）的方式来编程。参见表1.4和表1.5的描述。 在实际应用当中，可以先把一个Flash区块读到一个SRAM缓冲区里，再修改内容，然后擦除区块，最后编程回存。如此操作，可以避免把同在一个区块内的其它数据抹掉。
表1.4 函数FlashErase( ) 功能 擦除一个Flash区块（大小1KB）
原型 long FlashErase(unsigned long ulAddress)
参数 ulAddress：区块的起始地址，如0、1024、2048等等
返回 0表示擦除成功，－1表示指定了错误的区块或者区块已被写保护
注意 请勿擦除正在执行程序代码的Flash区块
表1.5 函数FlashProgram( ) 功能 编程Flash
原型 long FlashProgram(unsigned long *pulData, unsigned long ulAddress, unsigned long ulCount)
参数 pulData：指向数据缓冲区的指针，编程是按字（4字节）进行的 ulAddress：编程起始地址，必须是4的倍数 ulCount：编程的字节数，也必须是4的倍数 返回 0表示编程成功，－1表示编程时遇到错误
3． Flash保护 为了Flash保护应用的方便，在里定义有枚举类型tFlashProtection： typedef enum { FlashReadWrite, // Flash能被读出或改写 FlashReadOnly, // Flash只能被读出 FlashExecuteOnly // Flash只能被执行 } tFlashProtection;
