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《材料科学基础》课后答案章

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《材料科学基础》课后答案章

第一章

8.计算下列晶体的离于键与共价键的相对比例

(1)NaF (2)CaO (3)ZnS

解:1、查表得:X Na =0.93,X F =3.98

根据鲍林公式可得NaF 中离子键比例为:21

(0.93 3.98)4

[1]100%90.2%e ---?=

共价键比例为:1-90.2%=9.8%

2、同理,CaO 中离子键比例为:21

(1.00 3.44)4

[1]100%77.4%e

---?= 共价键比例为:1-77.4%=22.6%

3、ZnS 中离子键比例为:2

1/4(2.581.65)[1]100%19.44%ZnS e --=-?=中离子键含量

共价键比例为:1-19.44%=80.56%

10说明结构转变的热力学条件与动力学条件的意义.说明稳态结构与亚稳态结构之间的关系。

答:结构转变的热力学条件决定转变是否可行,是结构转变的推动力,是转变的必要条件;动力学条件决定转变速度的大小,反映转变过程中阻力的大小。

稳态结构与亚稳态结构之间的关系:两种状态都是物质存在的状态,材料得到的结构是稳态或亚稳态,取决于转交过程的推动力和阻力(即热力学条件和动力学条件),阻力小时得到稳态结构,阻力很大时则得到亚稳态结构。稳态结构能量最低,热力学上最稳定,亚稳态结构能量高,热力学上不稳定,但向稳定结构转变速度慢,能保持相对稳定甚至长期存在。但在一定条件下,亚稳态结构向稳态结构转变。 第二章

1.回答下列问题:

(1)在立方晶系的晶胞内画出具有下列密勒指数的晶面和晶向:

(001)与[210],(111)与[112],(110)与[111],(132)与[123],(322)与[236]

(2)在立方晶系的一个晶胞中画出(111)和(112)晶面,并写出两晶面交线的晶向指数。

(3)在立方晶系的一个晶胞中画出同时位于(101).(011)和(112)晶面上的[111]晶向。

解:1、

2.有一正交点阵的a=b,c=a/2。某晶面在三个晶轴上的截距分别为6个、2个和4个原子间距,求该晶面的密勒指数。

3.立方晶系的{111},1110},{123)晶面族各包括多少晶面?写出它们的密勒指数。

4.写出六方晶系的{1012}晶面族中所有晶面的密勒指数,在六方晶胞中画出[1120]、

[1101]晶向和(1012)晶面,并确定(1012)晶面与六方晶胞交线的晶向指数。

5.根据刚性球模型回答下列问题:

(1)以点阵常数为单位,计算体心立方、面心立方和密排六方晶体中的原子半径及四面体和八面体的间隙半径。

(2)计算体心立方、面心立方和密排六方晶胞中的原子数、致密度和配位数。 6.用密勒指数表示出体心立方、面心立方和密排六方结构中的原子密排面和原子密排方向,并分别计算这些晶面和晶向上的原子密度。 解:1、体心立方

密排面:{110}

21

14 1.414a -+?

= 密排方向:<111>

11.15a -=

2、面心立方

密排面:{111}

21133 2.3a -?+?

= 密排方向:<110>

11.414a -= 3、密排六方

密排面:{0001}

2161 1.15a -?+= 密排方向:1120<>,原子密度:122a a

-=

7.求下列晶面的晶面间距,并指出晶面间距最大的晶面:

(1)已知室温下α-Fe 的点阵常数为0.286nm ,分别求出(100),(110),(123)的晶面间距。(2)已知9160C 时γ-Fe 的点阵常数为0.365nm ,分别求出(100),(111),(112)的晶面间距。

(3)已知室温下Mg 的点阵常数为a=0.321nm,c=0.521nm ,分别求出(1120),(1010),(1012)的晶面间距。 8.回答下列问题:

(1)通过计算判断(110),(132),(311)晶面是否属于同一晶带?

(2)求(211)和((110)晶面的晶带轴,并列出五个属于该晶带的晶面的密勒指数。 解:1、根据晶带定律,hu+kv+lw=0,可得

(110),(132)的晶带轴为[112]3×1+1×1-2×1=2≠0或(132),(311)的晶带轴为[158]-1×1+1×5-0×8=4≠0

故(110),(132),(311)晶面不属于同一晶带 2、根据晶带定律,hu+kv+lw=0,可得 2u+v+w=0 u+v=0

联立求解,得:u:v:w=-1:1:1,故晶带轴为[111]

属于该晶带的晶面:(321)、(312)、(101)、(011)、(431)等。 9.回答下列问题:

(1)试求出立方晶系中[321]与[401]晶向之间的夹角。 (2)试求出立方晶系中(210)与(320)晶面之间的夹角。 (3)试求出立方晶系中(111)晶面与[112]晶向之间的夹角。

解:1、根据晶向指数标定法可知:矢量32OA i j k =++u u u r r r r

必然平行于[321]晶向

矢量4OB i k =+u u u r r r

必然平行于[401]晶向

则:这两个矢量夹角即为[321]与[401]晶向之间的夹角

根据矢量点积公式:cos OA OB OA OB α=u u u r u u u r u u u r u u u r

g

13α= α=32.58° 或2AB OB OA i k =-=-u u u r u u u r u u u r r r

矢量

,,OA OB AB u u u r u u u r u u u r 的模分别为根据余弦定理:

51417α=+- 解得:α=32.58° 2、立方系中同指数的晶面与晶向相互垂直,故(210)与(320)晶面之间的夹角与[210]与[320]晶向之间的夹角相等,

根据晶向指数标定法可知:矢量21OA i j =+u u u r r r

必然平行于[210]晶向

矢量

32OB i j =+u u u r r r 必然平行于[320]晶向 则:这两个矢量夹角即为[210]与[320]晶向之间的夹角

根据矢量点积公式:cos OA OB OA OB α=u u u r u u u r u u u r u u u r

g

8α= α=7.1° 或AB OB OA i j =-=+u u u r u u u r u u u r r r

矢量

,,OA OB AB u u u r u u u r u u u r

的模分别为根据余弦定理:

2513α=+- 解得:α=7.1°

3、由于(111)晶面与[112]晶向之间满足晶带定律:hu+kv+lw=0,

根据晶带定律可知,立方晶系中(111)晶面与[112]晶向平行,故他们之间的夹角为0°。

方法2,1、求[111]与[112]之间夹角为90° 2、(111)与[112]之间夹角为0° 第四章

1.纯Cu 的空位形成能为1.5aJ/atom(1aJ=10-18

J),将纯Cu 加热至850℃后激冷至室温(20℃),若高温下的空位全部保留,试求过饱和空位浓度与室温平衡空位浓度的比值。

解:平衡空位浓度:exp v u C A kT

-=

2.已知银在

800℃下的平衡空位数为 3.6×1023/m 3

,该温度下银的密度ρAg =9.58g/crn 3

,银的摩尔质量为M Ag =107.9g/mol ,计算银的空位形成能。

解:平衡空位浓度:exp v u C A kT

-= 1m 3

内银原子总数:23602836.02109.5810 5.3410/107.9

Ag Ag

N N m M ρ???=

==?

3.空位对材料行为的主要影响是什么? 4.某晶体中有一条柏氏矢量为

a[001]的位错线,位错线的一端露头于晶体表面,

另一端与两条位错线相连接,其中一条的柏氏矢量为/2[111]a ,求另一条位错线的柏氏矢量。

答:根据柏氏矢量的守恒性,另一条位错的柏氏矢量为:

5.在图4-52所示的晶体中,ABCD 滑移面上有一个位错环,其柏氏矢量b 平行于AC (1)指出位错环各部分的位错类型。(2)在图中表示出使位错环向外运

动所需施加的切应力方向。(3)该位错环运动出晶体后,晶体外形如何变化? 答:(1)位错环和与AC 平行的直线相切的部分为纯螺位错,位错环和与 AC 垂直的直线相切的部分为纯刃位错,其余部分为混合位错,作图

(2)切应力与b 平行,作用在晶体上下两面上。t ×b →多余原子面,作图 (3)沿b 方向滑出一个柏氏矢量单位的距离

6.在图4-53所示的晶体中有一位错线fed,de 段正好处于位错的滑移面上,of 段处于非滑移面上,位错的柏氏矢量b 与AB 平行而垂直于BC,(1)欲使de 段位错线在ABCD 滑移面上运动(of 段因处于非滑移面是固定不动的),应对晶体施加怎样的应力?(2)在上述应力作用下de 段位错线如何运动,晶体外协如1可贾化? 7.在图4-54所示的面心立方晶体的(111)滑移面上有两条弯折的位错线OS 和O'S'其中O'S'位错的台阶垂直十((111),它们的桕氏天量如图中箭头P)rTo0)判断位错线上各段位错的类型。(2)有一切应力施加于滑移面,且与柏氏矢量平行时,两条位错线的滑移特征有何差异?

8.在两个相互垂直的滑移面上各有一条刃型位错线,位错线的柏氏矢量如图4-55a,b 所示。设其中一条位错线AB 在切应力作用下发生如图所示的运动,试问交截后两条位错线的形状有何变化?各段位错线的位错类型是什么?(1)交截前两条刃位错的柏氏矢量相互垂直的情况(图a)(2)交截前两条刃位错的柏氏矢量相互平行的情况(图b)

9.在晶体的同一滑移面上有两个直径分别为r ;和r :的位错环,其中rl>r2,它们的柏氏矢量相同,试问在切应力作用下何者更容易运动?为什么? 10.判断下列位错反应能否进行:

几何条件:

[101][121][222][111]2663

a a a a

+==

能量条件:反应前22222

3

b a =+=∑

反应后2221

3

b a ==∑

满足几何条件和能量条件,故反应能够进行。 几何条件:[101][101][200][100]2

2

2

a a a a +==

能量条件:反应前222(b a ==∑

反应后22

2b a ==∑

满足几何条件,但反应前后能量相等,不满足能量条件,故无外力作用时,该位错反应不能进行。

几何条件:[112][111][333][111]3

6

62

a a a a +==

能量条件:反应前22222222223(112)(111)364

a a

b a =+++++=∑

反应后2222223(111)24

a b a =++=∑

满足几何条件,但反应前后能量相等,不满足能量条件,故无外力作用时,该位错

反应不能进行。

几何条件:[111][111][200][100]2

2

2

a a a

a +==

能量条件:反应前2222(1)b a a ==∑ 反应后222222

31112

2

a

b a =++=

∑ 满足几何条件,但反应后能量增加,故反应不能进行。

11.若面心立方晶体中”一号[101〕的

全位错以及”一音C1211的不全位错,此两位错相遇发生位错反应,试问

(1)此反应能否进行?为什么?(2)写出合成位错的柏氏矢量,并说明合成位错的性质

12·在面心立方晶体的““)面上有”一号叮‘。彐的位错,试问该位错的刃型分量及螺型分量应处于什么方向上,在晶胞中画出它们的方向,并写出它们的晶向指数。

13.已知Cu 的点阵常数为0.255nm ,密度为8.9g/cm"摩尔质量为63.54g/mol 。如果Cu 在交变载荷作用下产生的空位浓度为5X10-4,并假定这些空位都在{111}面上聚集成直径为20nm 的空位片,(相当于抽出一排原子而形成位错环)(1)计算lcm3晶体中位错环的数目。(2)指出位错环的位错类型。(3)位错环在{111}面上如何运动?

14.为什么点缺陷在热力学上是稳定的,而位错则是不平衡的晶体缺陷了

15.柏氏矢量为答巨10〕的全位错可以在面心立方晶体的哪些{111}面上存在?试写出该全位错在这些面上分解为两个a/6<112>分位错的反应式。

16.根据单位长度位错应变能公式(4-7)以及位错密度与位向差的关系式(4-10),推导出小角度晶界能Y(;与0之间的关系式:汽=Y,)B(B 一1nB 式中、4洽h-ol 。为与位错中心。能有关的积分常数·提示:在式(4-7)中未考虑位错中心(YGYo )的错排能,推导时可另加上一常数项。

17.金属在真空高温加热时,抛光表面上晶界处由于能量较高,原子蒸发速度较快因而产生沟槽,这一沟槽常称为热蚀沟,假定自由表面的表面能为晶界能的三倍,且晶界与表面垂直,试在图上画出各项界面能之间的平衡情况,并计算热蚀沟底部的二面角。 18.在如图4-56所示的Cu 晶界上有一双球冠形第二相、Cu 晶粒工R ,已知Cu 的大角度晶

界能为0.5J·m -',丫一一荟一一月一汤一一丫(l )分别计算当“一‘0,)=400,)=60’时Cu 与第二相之间/C 晶痴一\的相界能。(2)讨论晶界上第二相形态与相界能及晶界能之间的关图4-56系。

19.表面为什么具有吸附效应?物理吸附及化学吸附各起源于什么?试举出生活中的例子说明吸附现象的实际意义。

20。从热力学角度解释润湿现象的本质。 第五章

1.按不同特点分类,固溶体可分为哪几种类型?影响置换固溶体固溶度的因素有哪些? 2.影响固溶体的无序、有序和偏聚的主要因素是什么? 3.(1)间隙化合物与间隙固溶体有何根本区别?

(2)下列中间相各属什么类型?指出其结构特点及主要控制因素:MnS,Fe3C,Mg2Si,SiC,Cu31Zn8,Fe,N,WC,Cr23C6 4.陶瓷材料中的固溶方式与金属相比有何不同?影响陶瓷材料中离子代换或固溶度的因素有哪些?

5.铋(熔点为271.5℃)和锑(熔点为630.7℃)在液态和固态时均能彼此无限互溶,w Bi =50%的合金在520℃时开始结晶出成分为w Sb =87%的固相。w Bi =80%的合金在400℃时开始结晶出成分为w Sb =64%的固相。根据上述条件, (1)绘出Bi-Sb 相图,并标出各线和各相区的名称。

(2)从相图上确定含锑量为w Sb =40%合金的开始结晶和结晶终了温度,并求出它在400℃时的平衡相成分及相对量。

解:(1)Bi-Sb 相图271.5

332400484520630.7

L

αL +α

B i Sb

2040

6080WS b (%)

(2)含锑量为w Sb =40%合金的开始结晶约484℃和结晶终了温度约332℃

w Sb =40%合金在400℃时的平衡相成分为液相(20%锑)和铋固溶体(64%锑) 相对量由杠杆定律求出:

6、根据下列实验数据绘出概略的二元共晶相图,A 组元的熔点为1000℃,B 组元的熔

点为700℃。w B =25%的合金在500℃凝固完毕,含73.33%初生α相,其余为共晶体(α+β)。含50%B 的合金也在500℃凝固完毕,含40%初生α相,其余为共晶体(α+β),此合金中α相的总量占合金总量的50%,试画出此A —B 二元相图(假定α相及β相的固溶度不随温度而改变)。

解:设共晶反应的三个成分点(α、L 、β)含B 量依次为z y x ,, 则根据杠杆定律:

25%

73.3%y y x -=

-x

y y --=

%50%4050%=

x

z z --%

50 联立以上3式,解得:%95%,80%,5===z y x

作图如下:

7.根据下列条件绘制A-B二元相图。

已知A-B二元相图中存在一个液相区(L)和七个固相区((a,阝、Y,S,u,。、匀,其中。、(3,),S,pc是以纯组元为基的固溶体,。和安是以化合物为基的固溶体(中间相)、。相中含B量小、勺、~

于份相中的含B量。相图中存在下列温度,且T,>T2>7'3>...>Tn,其中T-T;分别为纯组元A和B的熔点;T2,T7,Tiu 为同素异构转变温度;T3为熔晶转变温度;TS为包晶温度;T6为共晶转变温度;7':为共析转变温度;T9,Tii为包析转变温度。

8.(1)应用相律时须考虑哪些限制条件?

(2)试指出图5-115中的错误之处,并用相律说明理由,且加以改正。

解:(1)相律只适用于热力学平衡状态。平衡状态下各相的温度应相等(热量平衡);各相的压力应相等(机械平衡);每一组元在各相中的化学位必须相同(化学平衡)。

2)相律只能表示体系中组元和

相的数目,不能指明组元或相的

类型和含量。

3)相律不能预告反应动力学(速

度)。

4)自由度的值不得小于零。

(2)主要错误如下:

a.两相平衡自由度不为0,

b.纯组元相变,两相平衡,f=0,

温度固定;

c.二元合金最多只能三相平衡,不能四相平衡,三相平衡时f=0,相成分唯一,不能变动。

d.二元合金最多三相平衡时自由度为零,温度不变,三相平衡线为水平线

9.分析w C=0.2%的铁一碳合金从液态平衡冷却至室温的转变过程,用冷却曲线和组织示意图,说明各阶段的组织,并分别计算室温下的相组成物及组织组成物的相对量。

10.计算w C=3%C的铁-碳合金室温下莱氏体的相

对量;组织中珠光体的相对量;组织中共析渗碳体

的相对量。

解:莱氏体的相对量:

组织中珠光体的相对含量:

组织中共析渗碳体的相对含量:

11.利用Fe-Fe3C相图说明铁一碳合金的成分、组

织和性能之间的关系。

12.试比较匀晶型三元相图的变温截面与二

元匀晶相图的异同。

13.图5-116中为某三元合金系在T,.T2温度下的

等温截面。若7',>T2,此合金系中存在哪种三相平

衡反应?

14.利用所给出的Fe-Cr-C系wc.=17%的变温截面。

(”填写图5-117上空白相区。

(2)从截面图上能判断哪一些三相区的三相反应?

用什么方法?是什么反应?

(3)分析we=1.2写的合金平衡凝固过程。

8.(1)应用相律时必须考虑哪些限

制条件?

(2)利用相图

10.含w C=3%C的铁-碳合金室温下莱氏

体的相对量;组织中珠光体的相对含量;组织中共晶渗碳体的相对含量。

第六章

简述二元合金平衡凝固的特点

答:二元合金平衡凝固的特点:

1、液相中溶质原子通过迁移(对流+扩散)而分

均匀,固相中溶质原子通过扩散也分布均匀;

2、固相及液相的成分随温度变化而变化,但在任

一温度下都达到平衡状态;

3、结晶后晶粒内成分均匀,无宏观偏析及微观偏

析。

1.液体金属在凝固时必须过冷,而在加热使其熔化却毋需过热,即

一旦加热到熔点就立即熔化,为什么?

今给出一组典型数据作参考:

以金为例,其γSL=0.132,γLV=1.128,γSV=1.400分别为液-固、液-气、固-气相的界面能(单位J/m2)。

解:液体金属在凝固时必须克服表面能,形核时自由能变化大于零,故需要过冷。固态金属熔化时,液相若与气相接触,当有少量液体金属在固相表面形成时,就会很快覆盖在整个表面(因为液体金属总是润湿同一种固体金属)。

由于熔化时,?G V=0,所以?G=?G V+?G(表面)=?G(表面),因为液体金属总是润湿同一种固体金属,即表面能变化决定过程能否自发进行,

而实验指出:γSV=1.4>γLV+γSL=0.132+1.128=1.260,说明在熔化时,表面自由能的变化?G(表面)<0。即不存在表面能障碍,也就不必过热。

2.式(6-13)为形核率计算的一般表达式。对金属,因为形核的激活能(书中用△G A符号)与临界晶核形成功(△G k

或△G*)相比甚小,可忽略不计,因此金属凝固时的形核率常按下式作简化计算,即

*

exp

G

N C

kT

??

?

=-

?

??

均均

试计算液体Cu在过冷度为180K,200K和220K时的均匀形核率。并将计算结果与图6-4b比较。(已知Lm=1.88×109J·m-3,T m=1356K,γSL=0.177J·m-2

C0=6×1028原子·m-3,k=1.38×10-23J·k)

解:

180K:

3232

*18 22922

1616 3.140.1771356

1.491110

33(1.8810)180

m

m

SL

T

G

L T

πγ

-

???

?===?

????

200K:

3232

*18 22922

1616 3.140.1771356

1.207810

33(1.8810)200

m

m

SL

T

G

L T

πγ

-

???

?===?

????

220K:

3232

*19 22922

1616 3.140.1771356

9.981710

33(1.8810)220

m

m

SL

T

G

L T

πγ

-

???

?===?

????

与图6-4b 相比,结果吻合,表明只有过冷度达到一定程度,使凝固温度接近有效成核温度时,形核率才会急剧增加。 3.试对图6-9所示三种类型材料的生长速率给予定性解释。

4.本章在讨论固溶体合金凝固时,引用了平衡分配系数和局部平衡的概念,并说明了实际合金的凝固处在图6-16中曲线2和曲线3这两个极端情况之间。为了研究实际合金的凝固,有人提出有效分配系数ke,k 。定义为k,=(CS),/(CL)B ,即界面上的固相体积浓度(Cs);;与液相的整体平均成分(CI-)。之比。

1)试说明由于液相混合均匀程度的不同,k 。在k 。与1之间变化。较慢凝固时k,-ko ,快速凝固时k,-1, 2)画出ke=ko,k,=1和ko

5.某二元合金相图如图6-45所示。今将含WB40%的合金置于长度为I,的长瓷舟中并保持为液态,并从一端缓慢地凝固。温度梯度大到足以使液一固界面保持平直,同时液相成分能完全均匀混合。 1)试问这个合金的k 。和k 。是多少?

2)该试样在何位置(以端部距离计)出现共晶体?画出此时的溶质分布曲线。 3)若为完全平衡凝固,试样共晶体的百分数是多少? 4)如合金成分为含wu5,问2),3)的答案如何?

5)假设用含wa5%的合金作成一个大铸件,如将铸件剖开,问有无可能观察到共晶体?

6.仍用上题的合金相图,如合金含二elooo ,也浇成长棒自一端缓慢凝固,其溶质分布为XS=koxo(1-f)'“一‘(等同于式(6-28)),式中f 为凝固的长度百分数,Xs,x 。为摩尔分数。 1)证明当凝固百分数为f 时,固相的平均成分为

2)在凝固过程中,由于液相中的溶质含量增高会降低合金的凝固温度,证明液相的凝固温 度T(与已凝固试样的分数f 之间的关系为

式中,T 、为纯溶剂组元A 的熔点,m,为液相线的斜率。 3)在图上画出凝固温度为7500C,7000C,6000C,5000C 时的固相平均成分二So

7.参考Cu-Zn (图6-46)和Cu-Sn 合金相图(图5-44),试对比Cu-30Zn 和Cu-IOSn 合金在做铸件时: 1)哪种合金的疏松倾向较严重? 2)哪种合金含有第二相的可能性大? 3)哪种合金的反偏析倾向大?

8.说明成分过冷在理论上和实际生产中的意义。 9.说明杂质对共晶生长的影响。

10.比较普通铸造、连续铸造和熔化焊这三种凝固过程及其组织。

第七章

1.钢的渗碳有时在870℃而不是在927℃下进行,因为在

较低的温度下容易保证获得细晶粒。试问在870℃下渗碳要多少时间才能得到相当于在927℃下10h 的渗层深度? (渗碳时选用的钢材相同,炉内渗碳气氛相同。关于碳在γ-Fe 中的扩散数据可查表7-4)

解:根据Fick 第二定律

在渗层深度相同时,在该深度的碳浓度为一定值,则

927870x x =,92710t hr =11927870

92712

870 1.599101020.147.93910D t t hr hr D --?==?=? 2.今有小量的放射性Au‘沉积在金试样的一端,在高温下保持24h 后将试样切割成薄层,距放射源不同距离测量相应

位置的放谢性强度,其数据如下:

距离放射源位置小m1020304050 相对放射强度83.866.442.023.68.74 求Au 的扩散系数。

(这是测定物质扩散系数的一种常用方法。沉积的放射性Au‘总量是恒定的,各个位置的放射强度与其所含的放射性Au’原子数成正比)

3.自扩散与空位扩散有何关系?为什么自扩散系数公式(7-18)要比空位扩散系数公·小得多?(Dv=Dlnv,n :为空位的平衡浓度)

4-1)为什么晶界扩散和体扩散(或点阵扩散)对扩散的相对贡献为D,,81D,d?(D,-D ,分别为晶界和点阵扩散系数,8,d 分别为晶界厚度和晶粒直径。为简单计,将晶粒设想为一立方体,试用菲克第一定律写出此关系)

2)利用表7-4给出的Ag 的晶界扩散和体扩散数据,如晶界厚度为。.5nm,Ag 的晶粒尺寸d=IOzpm ,试问晶界扩散在927℃和727℃能否觉察出来?(假定实验误差在士,%)

5.假定第二相p自母相a中形核,形核位置可能有两种情形(图7-46),

则;1)试证明俘相无论是在晶内以球状形核,还是在晶界以双球冠状形核,

其晶核临界半径Yk和临界晶核形成功△Gk均为

(这说明晶核临界半径rk与临界体积Vk均与晶核形状无关)

2)当两面角8-120“时,卩是首先在晶内还是在晶界上形核?什么情况下归

相会首先在晶内

形核?

6.对铝合金,形成e-相的点阵错配度约100,0"相呈盘状,厚度约20人,

其应变能计算书中已给出,试计算00相生长厚度为多少时共格就会遭到

破坏?(E=7X10"N/mmz,非共格界面能为500X10-'J/cm')

7.新相的长大为什么会有扩散控制长大和界面控制长大两种类型?什么

情况下晶体的长大是由界面控制或界面反应决定的?能否找到一种实验

方法来确定某新相的长大是由界面反应决定的?

8.调幅分解反应和一般的形核长大机制有何不同?

答:调幅分解反应不

需要形核,新相成分

变化、结构不变,界

面宽泛(初期无明显

分界面),组织均匀

规则,原子扩散为上

坡扩散,形核转变率

高;形核过程不需克

服能垒,但长大需要

克服梯度能和表面

能;

一般的形核长大需要形核,新相成分、结构均发生变化,界面明晰,组织均匀性差、不规则,原子扩散为下坡扩散,形核转变率低。形核、长大均需克服能垒。

材料科学基础期末试题

材料科学基础考题 I卷 一、名词解释(任选5题,每题4分,共20分) 单位位错;交滑移;滑移系;伪共晶;离异共晶;奥氏体;成分过冷答: 单位位错:柏氏矢量等于单位点阵矢量的位错称为单位位错。 交滑移:两个或多个滑移面沿着某个共同的滑移方向同时或交替滑移,称为交滑移。滑移系:一个滑移面和此面上的一个滑移方向合起来叫做一个滑移系。 伪共晶:在非平衡凝固条件下,某些亚共晶或过共晶成分的合金也能得全部的共晶组织,这种由非共晶成分的合金所得到的共晶组织称为伪共晶。 离异共晶:由于非平衡共晶体数量较少,通常共晶体中的a相依附于初生a相生长,将共晶体中另一相B推到最后凝固的晶界处,从而使共晶体两组成相相间的组织特征消失,这种两相分离的共晶体称为离异共晶。 奥氏体:碳原子溶于丫-Fe形成的固溶体。 成分过冷:在合金的凝固过程中,将界面前沿液体中的实际温度低于由溶质分布所决定的凝固温度时产生的过冷称为成分过冷。 二、选择题(每题2分,共20分) 1. 在体心立方结构中,柏氏矢量为a[110]的位错(A )分解为a/2[111]+a/2[l11]. (A)不能(B)能(C)可能 2. 原子扩散的驱动力是:(B ) (A)组元的浓度梯度(B)组元的化学势梯度(C)温度梯度 3?凝固的热力学条件为:(D ) (A)形核率(B)系统自由能增加 (C)能量守衡(D)过冷度 4?在TiO2中,当一部分Ti4+还原成Ti3+,为了平衡电荷就出现(A) (A)氧离子空位(B)钛离子空位(C)阳离子空位 5?在三元系浓度三角形中,凡成分位于( A )上的合金,它们含有另两个顶角所代表的两 组元含量相等。 (A)通过三角形顶角的中垂线 (B)通过三角形顶角的任一直线 (C)通过三角形顶角与对边成45°的直线 6?有效分配系数k e表示液相的混合程度,其值范围是(B ) (A)1vk e

大学物理实验课后习题答案

一牛顿环的各环是否等宽?密度是否均匀?解释原因? 因为环是由空气劈上下表面反射的两束光叠加干涉形成的。劈的上表面变化在横向是不均匀的,故光程差也不是均匀变化的。所以各环是不等宽的环的密度也不是均匀的。各环不等宽,半径小的环宽,越到外边越窄,密度是不均匀的,牛顿环的半径公式是:半径r等于根号下(m+1/2)λR,其中m为环的级数。从公式可以看出,半径和环数并不是线性关系,这样环自然不均匀。计算可以知道,越往外环越密。 二牛顿环的干涉圆环是由哪两束相干光干涉产生的? 半凸透镜下表面和下底面上表面的两束反射光 三电桥由哪几部分组成?电桥平衡的条件? 由电源、开关、检流计桥臂电阻组成。 平衡条件是Rx=(R1/R2)R3 四接通电源后,检流计指针始终向一边偏转,试分析出现这种情况的原因? 指针向一侧偏转就说明发生了电子的定向移动了,这个应该没问题。 指针不偏转,有2种情况吧,其1呢是整个电路发生了断路或其他故障,还1种情况则是流过的电流太小,不足于使电表发生偏转或其偏转的角度肉眼根本看不到。 无论如何调节,检流计指针都不动,电路中可能出现故障是调节臂电阻断路或短路。。无论如何调节,检流计指针始终像一边偏而无法平衡,电路中有可能出现故障是有一个臂(非调节臂)的电阻坏了。(断路或短路) 五什么叫铁磁材料的磁滞现象? 铁磁物质经外磁场磁化到饱和以后,把磁场去掉。这些物质仍保留有剩余磁化强度。需要反方向加磁场才能把这剩余磁化强度变为零。这种现象称为铁磁的磁滞现象。也是说,铁磁材料的磁状态,不仅要看它现在所处的磁场条件;而且还要看它过去的状态。 六如何判断铁磁材料属于软.硬材料? 软磁材料的特点是:磁导率大,矫顽力小,磁滞损耗小,磁滞回线呈长条状;硬磁材料的特点是:剩磁大,矫顽力也大 用光栅方程进行测量的条件是什么? 条件是一束平行光垂直射入光栅平面上,光波发生衍射,即可用光栅方程进行计算。如何实现:使用分光计,光线通过平行光管射入,当狭缝位于透镜的焦平面上时,就能使射在狭缝上的光经过透镜后成为平行光 用光栅方程进行测量,当狭缝太窄或者太宽会怎么样?为什么? 缝太窄,入射光的光强太弱,缝太宽,根据光的空间相干性可以知道,条纹的明暗对比度会下降! 区别是,太窄了,亮纹会越来越暗,暗纹不变,直到一片黑暗! 太宽,暗条纹会逐渐加强,明纹不变,直到一片光明!

大学物理学下册答案第11章

第11章 稳恒磁场 习 题 一 选择题 11-1 边长为l 的正方形线圈,分别用图11-1中所示的两种方式通以电流I (其中ab 、cd 与正方形共面),在这两种情况下,线圈在其中心产生的磁感应强度的大小分别为:[ ] (A )10B =,20B = (B )10B = ,02I B l π= (C )01I B l π= ,20B = (D )01I B l π= ,02I B l π= 答案:C 解析:有限长直导线在空间激发的磁感应强度大小为012(cos cos )4I B d μθθπ= -,并结合右手螺旋定则判断磁感应强度方向,按照磁场的叠加原理,可计 算 01I B l π= ,20B =。故正确答案为(C )。 11-2 两个载有相等电流I 的半径为R 的圆线圈一个处于水平位置,一个处于竖直位置,两个线圈的圆心重合,如图11-2所示,则在圆心O 处的磁感应强度大小为多少? [ ] (A )0 (B )R I 2/0μ (C )R I 2/20μ (D )R I /0μ 答案:C 解析:圆线圈在圆心处的磁感应强度大小为120/2B B I R μ==,按照右手螺旋定 习题11-1图 习题11-2图

则判断知1B 和2B 的方向相互垂直,依照磁场的矢量叠加原理,计算可得圆心O 处的磁感应强度大小为0/2B I R =。 11-3 如图11-3所示,在均匀磁场B 中,有一个半径为R 的半球面S ,S 边线所在平面的单位法线矢量n 与磁感应强度B 的夹角为α,则通过该半球面的磁通量的大小为[ ] (A )B R 2π (B )B R 22π (C )2cos R B πα (D )2sin R B πα 答案:C 解析:通过半球面的磁感应线线必通过底面,因此2cos m B S R B παΦ=?= 。故正 确答案为(C )。 11-4 如图11-4所示,在无限长载流直导线附近作一球形闭合曲面S ,当曲面S 向长直导线靠近时,穿过曲面S 的磁通量Φ B 将如何变化?[ ] ( A )Φ增大, B 也增大 (B )Φ不变,B 也不变 ( C )Φ增大,B 不变 ( D )Φ不变,B 增大 答案:D 解析:根据磁场的高斯定理0S BdS Φ==? ,通过闭合曲面S 的磁感应强度始终为0,保持不变。无限长载流直导线在空间中激发的磁感应强度大小为02I B d μπ= ,曲面S 靠近长直导线时,距离d 减小,从而B 增大。故正确答案为(D )。 11-5下列说法正确的是[ ] (A) 闭合回路上各点磁感应强度都为零时,回路内一定没有电流穿过 (B) 闭合回路上各点磁感应强度都为零时,回路内穿过电流的代数和必定为零 (C) 磁感应强度沿闭合回路的积分为零时,回路上各点的磁感应强度必定为零 (D) 磁感应强度沿闭合回路的积分不为零时,回路上任意一点的磁感应强度 I 习题11-4图 习题11-3图

《材料科学基础》总复习(完整版)

《材料科学基础》上半学期容重点 第一章固体材料的结构基础知识 键合类型(离子健、共价健、金属健、分子健力、混合健)及其特点;键合的本质及其与材料性能的关系,重点说明离子晶体的结合能的概念; 晶体的特性(5个); 晶体的结构特征(空间格子构造)、晶体的分类; 晶体的晶向和晶面指数(米勒指数)的确定和表示、十四种布拉维格子; 第二章晶体结构与缺陷 晶体化学基本原理:离子半径、球体最紧密堆积原理、配位数及配位多面体; 典型金属晶体结构; 离子晶体结构,鲍林规则(第一、第二);书上表2-3下的一段话;共价健晶体结构的特点;三个键的异同点(举例); 晶体结构缺陷的定义及其分类,晶体结构缺陷与材料性能之间的关系(举例); 第三章材料的相结构及相图 相的定义 相结构 合金的概念:

固溶体 置换固溶体 (1)晶体结构 无限互溶的必要条件—晶体结构相同 比较铁(体心立方,面心立方)与其它合金元素互溶情况(表3-1的说明) (2)原子尺寸:原子半径差及晶格畸变; (3)电负性定义:电负性与溶解度关系、元素的电负性及其规律;(4)原子价:电子浓度与溶解度关系、电子浓度与原子价关系;间隙固溶体 (一)间隙固溶体定义 (二)形成间隙固溶体的原子尺寸因素 (三)间隙固溶体的点阵畸变性 中间相 中间相的定义 中间相的基本类型: 正常价化合物:正常价化合物、正常价化合物表示方法 电子化合物:电子化合物、电子化合物种类 原子尺寸因素有关的化合物:间隙相、间隙化合物 二元系相图: 杠杆规则的作用和应用; 匀晶型二元系、共晶(析)型二元系的共晶(析)反应、包晶(析)

型二元系的包晶(析)反应、有晶型转变的二元系相图的特征、异同点; 三元相图: 三元相图成分表示方法; 了解三元相图中的直线法则、杠杆定律、重心定律的定义; 第四章材料的相变 相变的基本概念:相变定义、相变的分类(按结构和热力学以及相变方式分类); 按结构分类:重构型相变和位移型相变的异同点; 马氏体型相变:马氏体相变定义和类型、马氏体相变的晶体学特点,金属、瓷中常见的马氏体相变(举例)(可以用许教授提的一个非常好的问题――金属、瓷马氏体相变性能的不同――作为题目) 有序-无序相变的定义 玻璃态转变:玻璃态转变、玻璃态转变温度、玻璃态转变点及其黏度按热力学分类:一级相变定义、特点,属于一级相变的相变;二级相变定义、特点,属于二级相变的相变; 按相变方式分类:形核长大型相变、连续型相变(spinodal相变)按原子迁动特征分类:扩散型相变、无扩散型相变

材料科学基础试题

第一章原子排列 本章需掌握的内容: 材料的结合方式:共价键,离子键,金属键,范德瓦尔键,氢键;各种结合键的比较及工程材料结合键的特性; 晶体学基础:晶体的概念,晶体特性(晶体的棱角,均匀性,各向异性,对称性),晶体的应用 空间点阵:等同点,空间点阵,点阵平移矢量,初基胞,复杂晶胞,点阵参数。 晶系与布拉菲点阵:种晶系,14种布拉菲点阵的特点; 晶面、晶向指数:晶面指数的确定及晶面族,晶向指数的确定及晶向族,晶带及晶带定律六方晶系的四轴座标系的晶面、晶向指数确定。 典型纯金属的晶体结构:三种典型的金属晶体结构:fcc、bcc、hcp; 晶胞中原子数、原子半径,配位数与致密度,晶面间距、晶向夹角 晶体中原子堆垛方式,晶体结构中间隙。 了解其它金属的晶体结构:亚金属的晶体结构,镧系金属的晶体结构,同素异构性 了解其它类型的晶体结构:离子键晶体结构:MgO陶瓷及NaCl,共价键晶体结构:SiC陶瓷,As、Sb 非晶态结构:非晶体与晶体的区别,非晶态结构 分子相结构 1. 填空 1. fcc结构的密排方向是_______,密排面是______,密排面的堆垛顺序是_______致密度为___________配位数是________________晶胞中原子数为___________,把原子视为刚性球时,原子的半径是____________;bcc结构的密排方向是_______,密排面是_____________致密度为___________配位数是________________ 晶胞中原子数为___________,原子的半径是____________;hcp结构的密排方向是_______,密排面是______,密排面的堆垛顺序是_______,致密度为___________配位数是________________,晶胞中原子数为 ___________,原子的半径是____________。 2. bcc点阵晶面指数h+k+l=奇数时,其晶面间距公式是________________。 3. Al的点阵常数为0.4049nm,其结构原子体积是________________。 4. 在体心立方晶胞中,体心原子的坐标是_________________。 5. 在fcc晶胞中,八面体间隙中心的坐标是____________。 6. 空间点阵只可能有___________种,铝晶体属于_____________点阵。Al的晶体结构是__________________, -Fe的晶体结构是____________。Cu的晶体结构是_______________, 7点阵常数是指__________________________________________。 8图1是fcc结构的(-1,1,0 )面,其中AB和AC的晶向指数是__________,CD的晶向指数分别 是___________,AC所在晶面指数是--------------------。

大学物理实验课后答案

实验一霍尔效应及其应用 【预习思考题】 1.列出计算霍尔系数、载流子浓度n、电导率σ及迁移率μ的计算公式,并注明单位。 霍尔系数,载流子浓度,电导率,迁移率。 2.如已知霍尔样品的工作电流及磁感应强度B的方向,如何判断样品的导电类型? 以根据右手螺旋定则,从工作电流旋到磁感应强度B确定的方向为正向,若测得的霍尔电压为正,则样品为P型,反之则为N型。 3.本实验为什么要用3个换向开关? 为了在测量时消除一些霍尔效应的副效应的影响,需要在测量时改变工作电 流及磁感应强度B的方向,因此就需要2个换向开关;除了测量霍尔电压,还要测量A、C间的电位差,这是两个不同的测量位置,又需要1个换向开关。总之,一共需要3个换向开关。 【分析讨论题】 1.若磁感应强度B和霍尔器件平面不完全正交,按式(5.2-5)测出的霍尔系数比实际值大还是小?要准确测定值应怎样进行? 若磁感应强度B和霍尔器件平面不完全正交,则测出的霍尔系数比实际值偏小。要想准确测定,就需要保证磁感应强度B和霍尔器件平面完全正交,或者设法测量出磁感应强度B和霍尔器件平面的夹角。 2.若已知霍尔器件的性能参数,采用霍尔效应法测量一个未知磁场时,测量误差有哪些来源? 误差来源有:测量工作电流的电流表的测量误差,测量霍尔器件厚度d的长度测量仪器的测量误差,测量霍尔电压的电压表的测量误差,磁场方向与霍尔器件平面的夹角影响等。 实验二声速的测量 【预习思考题】 1. 如何调节和判断测量系统是否处于共振状态?为什么要在系统处于共振的条件下进行声速测定? 答:缓慢调节声速测试仪信号源面板上的“信号频率”旋钮,使交流毫伏表指针指示达到最大(或晶体管电压表的示值达到最大),此时系统处于共振状态,显示共振发生的信号指示灯亮,信号源面板上频率显示窗口显示共振频率。在进行声速测定时需要测定驻波波节的位置,当发射换能器S1处于共振状态时,发射的超声波能量最大。若在这样一个最佳状态移动S1至每一个波节处,媒质压缩形变最大,则产生的声压最大,接收换能器S2接收到的声压为最大,转变成电信号,晶体管电压表会显示出最大值。由数显表头读出每一个电压最大值时的位置,即对应的波节位置。因此在系统处于共振的条件下进行声速测定,可以容易和准确地测定波节的位置,提高测量的准确度。 2. 压电陶瓷超声换能器是怎样实现机械信号和电信号之间的相互转换的? 答:压电陶瓷超声换能器的重要组成部分是压电陶瓷环。压电陶瓷环由多晶结构的压电材料制成。这种材料在受到机械应力,发生机械形变时,会发生极化,同时在极化方向产生电场,这种特性称为压电效应。反之,如果在压电材料上加交

大学物理第11章习题解答

习题11 1. 选择题 (1) 一圆形线圈在均匀磁场中作下列运动时, 哪些情况会产生感应电流( ) A. 沿垂直磁场方向平移 B. 以直径为轴转动, 轴跟磁场垂直 C. 沿平行磁场方向平移 D. 以直径为轴转动, 轴跟磁场平行 (2) 尺寸相同的铁环与铜环所包围的面积中, 通以相同变化率的磁通量, 环中( ) A. 感应电动势相同, 感应电流不同. B. 感应电动势相同, 感应电流相同. C. 感应电动势不同, 感应电流相同. D. 感应电动势不同. (3) 对于涡旋电场, 下列说法不正确的是( ) A. 涡旋电场对电荷有作用力. B. 涡旋电场由变化的磁场产生. C. 涡旋电场由电荷激发. D. 涡旋电场的电场线是闭合的. (4) 用线圈的自感系数L 来表示载流线圈磁场能量的公式2 12 m W LI =( ) A. 只适用于单匝圆线圈. B. 只适用于一个匝数很多, 且密绕的螺线环. C. 适用于自感系数L 一定的任意线圈. D. 只适用于无限长密绕螺线管. (5) 有两个长直密绕螺线管, 长度及线圈匝数均相同, 半径分别为1r 和2r . 管内充满均匀介质, 其磁导率分别为1μ和2μ. 设1212r r =, 1221μμ=, 当将两只螺线管串联在电路中通电稳定后, 其自感系数之比12L L 与磁能之比12m m W W 分别为( ) A. 1211L L =, 1211m m W W =. B. 1212L L =, 1211m m W W =. C. 1212L L =, 1212m m W W =. D. 1221L L =, 1221m m W W =. 答案:B A C D C 2. 填空题 (1) 电阻2R =Ω的闭合导体回路置于变化磁场中, 通过回路包围面的磁通量与时间的关系 为23 (582)10()m t t Wb -Φ=+-?, 则在2t s =至3t s =的时间内, 流过回路导体横截面 的感应电荷等于______________C .

材料科学基础知识点总结

金属学与热处理总结 一、金属的晶体结构 重点内容:面心立方、体心立方金属晶体结构的配位数、致密度、原子半径,八面体、四面体间隙个数;晶向指数、晶面指数的标定;柏氏矢量具的特性、晶界具的特性。 基本内容:密排六方金属晶体结构的配位数、致密度、原子半径,密排面上原子的堆垛顺序、晶胞、晶格、金属键的概念。晶体的特征、晶体中的空间点阵。 晶胞:在晶格中选取一个能够完全反映晶格特征的最小的几何单元,用来分析原子排列的规律性,这个最小的几何单元称为晶胞。 金属键:失去外层价电子的正离子与弥漫其间的自由电子的静电作用而结合起来,这种结合方式称为金属键。 位错:晶体中原子的排列在一定范围内发生有规律错动的一种特殊结构组态。 位错的柏氏矢量具有的一些特性: ①用位错的柏氏矢量可以判断位错的类型;②柏氏矢量的守恒性,即柏氏矢量与回路起点及回路途径无关;③位错的柏氏矢量个部分均相同。 刃型位错的柏氏矢量与位错线垂直;螺型平行;混合型呈任意角度。 晶界具有的一些特性: ①晶界的能量较高,具有自发长大和使界面平直化,以减少晶界总面积的趋势;②原子在晶界上的扩散速度高于晶内,熔点较低;③相变时新相优先在晶界出形核;④晶界处易于发生杂质或溶质原子的富集或偏聚;⑤晶界易于腐蚀和氧化;⑥常温下晶界可以阻止位错的运动,提高材料的强度。 二、纯金属的结晶 重点内容:均匀形核时过冷度与临界晶核半径、临界形核功之间的关系;细化晶粒的方法,铸锭三晶区的形成机制。 基本内容:结晶过程、阻力、动力,过冷度、变质处理的概念。铸锭的缺陷;结晶的热力学条件和结构条件,非均匀形核的临界晶核半径、临界形核功。 相起伏:液态金属中,时聚时散,起伏不定,不断变化着的近程规则排列的原子集团。 过冷度:理论结晶温度与实际结晶温度的差称为过冷度。 变质处理:在浇铸前往液态金属中加入形核剂,促使形成大量的非均匀晶核,以细化晶粒的方法。 过冷度与液态金属结晶的关系:液态金属结晶的过程是形核与晶核的长大过程。从热力学的角度上看,

材料科学基础试卷(带答案)

材料科学基础试卷(一) 一、概念辨析题(说明下列各组概念的异同。任选六题,每小题3分,共18分) 1 晶体结构与空间点阵 2 热加工与冷加工 3 上坡扩散与下坡扩散 4 间隙固溶体与间隙化合物 5 相与组织 6 交滑移与多滑移 7 金属键与共价键 8 全位错与不全位错 9 共晶转变与共析转变 二、画图题(任选两题。每题6分,共12分) 1 在一个简单立方晶胞内画出[010]、[120]、[210]晶向和(110)、(112)晶面。 2 画出成分过冷形成原理示意图(至少画出三个图)。 3 综合画出冷变形金属在加热时的组织变化示意图和晶粒大小、内应力、强度和塑性变化趋势图。 4 以“固溶体中溶质原子的作用”为主线,用框图法建立与其相关的各章内容之间的联系。 三、简答题(任选6题,回答要点。每题5分,共 30 分) 1 在点阵中选取晶胞的原则有哪些? 2 简述柏氏矢量的物理意义与应用。 3 二元相图中有哪些几何规律? 4 如何根据三元相图中的垂直截面图和液相单变量线判断四相反应类型? 5 材料结晶的必要条件有哪些?

6 细化材料铸态晶粒的措施有哪些? 7 简述共晶系合金的不平衡冷却组织及其形成条件。 8 晶体中的滑移系与其塑性有何关系? 9 马氏体高强度高硬度的主要原因是什么? 10 哪一种晶体缺陷是热力学平衡的缺陷,为什么? 四、分析题(任选1题。10分) 1 计算含碳量0.04的铁碳合金按亚稳态冷却到室温后,组织中的珠光体、二次渗碳体和莱氏体的相对含量。 2 由扩散第二定律推导出第一定律,并说明它们各自的适用条件。 3 试分析液固转变、固态相变、扩散、回复、再结晶、晶粒长大的驱动力及可能对应的工艺条件。 五、某面心立方晶体的可动滑移系为(111) [110].(15分) (1) 指出引起滑移的单位位错的柏氏矢量. (2) 如果滑移由纯刃型位错引起,试指出位错线的方向. (3) 如果滑移由纯螺型位错引起,试指出位错线的方向. (4) 在(2),(3)两种情况下,位错线的滑移方向如何? (5) 如果在该滑移系上作用一大小为0.7的切应力,试确定单位刃型位错和螺型位错 线受力的大小和方向。(点阵常数0.2)。 六、论述题(任选1题,15分) 1 试论材料强化的主要方法、原理及工艺实现途径。 2 试论固态相变的主要特点。 3 试论塑性变形对材料组织和性能的影响。

大学物理实验课后答案

(1)利用f=(D+d)(D-d)/4D 测量凸透镜焦距有什么优点? 答这种方法可以避免透镜光心位置得不确定而带来得测量物距与像距得误差。 (2)为什么在本实验中利用1/u+1/v=1/f 测焦距时,测量u与v都用毫米刻度得米尺就可以满足要求?设透镜由于色差与非近轴光线引起得误差就是1%。 答设物距为20cm,毫米刻度尺带来得最大误差为0、5mm,其相对误差为 0、25%,故没必要用更高精度得仪器。 (3)如果测得多组u,v值,然后以u+v为纵轴,以uv为横轴,作出实验得曲线属于什么类型,如何利用曲线求出透镜得焦距f。 答直线;1/f为直线得斜率。 (4)试证:在位移法中,为什么物屏与像屏得间距D要略大于4f? 由f=(D+d)(D-d)/4D →D2-4Df=d2→D(D-4f)=d2 因为d>0 and D>0 故 D>4f 1、避免测量u、ν得值时,难于找准透镜光心位置所造成得误差。 2、因为实验中,侧得值u、ν、f都相对较大,为十几厘米到几十厘米左右,而误差为1%,即一毫米到几毫米之间,所以可以满足要求。 3、曲线为曲线型曲线。透镜得焦距为基斜率得倒数。 ①当缝宽增加一倍时,衍射光样得光强与条纹宽度将会怎样变化?如缝宽减半,又怎样改变? 答: a增大一倍时, 光强度↑;由a=Lλ/b ,b减小一半 a减小一半时, 光强度↓;由a=Lλ/b ,b增大一倍。 ②激光输出得光强如有变动,对单缝衍射图象与光强分布曲线有无影响?有何影响? 答:由b=Lλ/a、无论光强如何变化,只要缝宽不变,L不变,则衍射图象得光强分布曲线不变(条纹间距b不变);整体光强度↑或者↓。

③用实验中所应用得方法就是否可测量细丝直径?其原理与方法如何? 答:可以,原理与方法与测单狭缝同。 ④本实验中,λ=632。8nm ,缝宽约为5*10^-3㎝,屏距L 为50㎝。试验证: 就是否满足夫朗与费衍射条件? 答:依题意: L λ=(50*10^-2)*(632、8*10^-9)=3、164*10^-7 a^2/8=(5*10^-5)^2/8=3、1*10^-10 所以L λ<20θ,(10θ人为控制在mv )03.050.3(±); 2)测量散热板在20θ附近得冷却速率。 4、试述稳态法测不良导体导热系数得基本原理。

大学物理第11章习题答案(供参考)

第11章 电磁感应 11.1 基本要求 1理解电动势的概念。 2掌握法拉第电磁感应定律和楞次定律,能熟练地应用它们来计算感应电动势的大小,判别感应电动势的方向。 3理解动生电动势的概念及规律,会计算一些简单问题中的动生电动势。 4理解感生电场、感生电动势的概念及规律,会计算一些简单问题中的感生电动势。 5理解自感现象和自感系数的定义及物理意义,会计算简单回路中的自感系数。 6理解互感现象和互感系数的定义及物理意义,能计算简单导体回路间的互感系数。 7理解磁能(磁场能量)和磁能密度的概念,能计算一些简单情况下的磁场能量。 8了解位移电流的概念以及麦克斯韦方程组(积分形式)的物理意义。 11.2 基本概念 1电动势ε:把单位正电荷从负极通过电源内部移到正极时,非静电力所作的功,即 W q ε= 2动生电动势:仅由导体或导体回路在磁场中的运动而产生的感应电动势。 3感生电场k E :变化的磁场在其周围所激发的电场。与静电场不同,感生电场的电 场线是闭合的,所以感生电场也称有旋电场。 4感生电动势:仅由磁场变化而产生的感应电动势。 5自感:有使回路保持原有电流不变的性质,是回路本身的“电磁惯性”的量度。 自感系数L ://m L I N I =ψ=Φ 6自感电动势L ε:当通过回路的电流发生变化时,在自身回路中所产生的感应电动势。

7互感系数M :2112 12 M I I ψψ= = 8互感电动势12ε:当线圈2的电流2I 发生变化时,在线圈1中所产生的感应电动势。 9磁场能量m W :贮存在磁场中的能量。 自感贮存磁能:212 m W LI = 磁能密度m w :单位体积中贮存的磁场能量22111 222 m B w μH HB μ=== 10位移电流:D d d I dt Φ= s d t ?=??D S ,位移电流并不表示有真实的电荷在空 间移动。但是,位移电流的量纲和在激发磁场方面的作用与传导电流是一致的。 11位移电流密度:d t ?=?D j 11.3 基本规律 1电磁感应的基本定律:描述电磁感应现象的基本规律有两条。 (1)楞次定律:感生电流的磁场所产生的磁通量总是反抗回路中原磁通量的改变。楞 次定律是判断感应电流方向的普适定则。 (2)法拉第电磁感应定律:不论什么原因使通过回路的磁通量(或磁链)发生变化,回路 中均有感应电动势产生,其大小与通过该回路的磁通量(或磁链)随时间的变化成正比,即 m i d dt εΦ=- 2动生电动势:()B B K A A i εd d ==???E l v B l ,若0i ε>,则表示电动势方向由A B →;若 0i ε<,则表示电动势方向B A → 3感生电动势:m K l s i d Φd εd d dt dt = ?=- =-? ?B E l S (对于导体回路) B K A i εd =?E l (对于一段导体) 4自感电动势:L dI εL dt =- 5互感电动势:12212d ΨdI εM dt dt =-=- 6麦克斯韦方程组

材料科学基础最全名词解释

1.固相烧结:固态粉末在适当的温度,压力,气氛和时间条件下,通过物质与气孔之间的传质,变为坚硬、致密烧结体的过程。 液相烧结:有液相参加的烧结过程。 2.金属键:自由电子与原子核之间静电作用产生的键合力。 3.离子键:金属原子自己最外层的价电子给予非金属原子,使自己成为带正电的正离子,而非金属得到价电子后使自己成为带负电的负离子,这样正负离子靠它们之间的静电引力结合在一起。 共价键:由两个或多个电负性相差不大的原子间通过共用电子对而形成的化学键。氢键:由氢原子同时与两个电负性相差很大而原子半径较小的原子(O,F,N等)相结合而产生的具有比一般次价键大的键力。 弗兰克缺陷:间隙空位对缺陷 肖脱基缺陷:正负离子空位对的 奥氏体:γ铁内固溶有碳和(或)其他元素的、晶体结构为面心立方的固溶体。 布拉菲点阵:除考虑晶胞外形外,还考虑阵点位置所构成的点阵。 不全位错:柏氏矢量不等于点阵矢量整数倍的位错称为不全位错。 玻璃化转变温度:过冷液体随着温度的继续下降,过冷液体的黏度迅速增大,原子间的相互运动变得更加困难,所以当温度降至某一临界温度以下时,即固化成玻璃。这个临界温度称为玻璃化温度Tg。 表面能:表面原子处于不均匀的力场之中,所以其能量大大升高,高出的能量称为表面自由能(或表面能)。 半共格相界:若两相邻晶体在相界面处的晶面间距相差较大,则在相界面上不可能做到完全的一一对应,于是在界面上将产生一些位错,以降低界面的弹性应变能,这时界面上两相原子部分地保持匹配,这样的界面称为半共格界面或部分共格界面。 柏氏矢量:描述位错特征的一个重要矢量,它集中反映了位错区域内畸变总量的大小和方向,也使位错扫过后晶体相对滑动的量。 柏氏矢量物理意义: ①从位错的存在使得晶体中局部区域产生点阵畸变来说:一个反映位错性质以及由位错引起的晶格畸变大小的物理量。 ②从位错运动引起晶体宏观变形来说:表示该位错运动后能够在晶体中引起的相对位移。 部分位错:柏氏矢量小于点阵矢量的位错 包晶转变:在二元相图中,包晶转变就是已结晶的固相与剩余液相反应形成另一固相的恒温转变。 包析反应:由两个固相反应得到一个固相的过程为包析反应。 包析转变:两个一定成分的固相在恒温(T)下转变为一个新的固相的恒温反应。包析转变与包晶转变的相图特征类似,只是包析转变中没有液相,只有固相。 粗糙界面:界面的平衡结构约有一半的原子被固相原子占据而另一半位置空着,这时界面称为微观粗糙界面。 重合位置点阵:当两个相邻晶粒的位相差为某一值时,若设想两晶粒的点阵彼此通过晶界向对方延伸,则其中一些原子将出现有规律的相互重合。由这些原子重合位置所组成的比原来晶体点阵大的新点阵,称为重合位置点阵。 成分过冷;界面前沿液体中的实际温度低于由溶质分布所决定的凝固温度时产生的过冷。

材料科学基础期末考试

期末总复习 一、名词解释 空间点阵:表示晶体中原子规则排列的抽象质点。 配位数:直接与中心原子连接的配体的原子数目或基团数目。 对称:物体经过一系列操作后,空间性质复原;这种操作称为对称操作。 超结构:长程有序固溶体的通称 固溶体:一种元素进入到另一种元素的晶格结构形成的结晶,其结构一般保持和母相一致。 致密度:晶体结构中原子的体积与晶胞体积的比值。 正吸附:材料表面原子处于结合键不饱和状态,以吸附介质中原子或晶体内部溶质原子达到平衡状态,当溶质原子或杂质原子在表面浓度大于在其在晶体内部的浓度时称为正吸附; 晶界能:晶界上原子从晶格中正常结点位置脱离出来,引起晶界附近区域内晶格发生畸变,与晶内相比,界面的单位面积自由能升高,升高部分的能量为晶界能; 小角度晶界:多晶体材料中,每个晶粒之间的位向不同,晶粒与晶粒之间存在界面,若相邻晶粒之间的位向差在10°~2°之间,称为小角度晶界; 晶界偏聚:溶质原子或杂质原子在晶界或相界上的富集,也称内吸附,有因为尺寸因素造成的平衡偏聚和空位造成的非平衡偏聚。 肖脱基空位:脱位原子进入其他空位或者迁移至晶界或表面而形成的空位。 弗兰克耳空位:晶体中原子进入空隙形而形成的一对由空位和间隙原子组成的缺陷。 刃型位错:柏氏矢量与位错线垂直的位错。 螺型位错:柏氏矢量与位错线平行的位错。 柏氏矢量:用来表征晶体中位错区中原子的畸变程度和畸变方向的物理量。 单位位错:柏氏矢量等于单位点阵矢量的位错 派—纳力:位错滑动时需要克服的周围原子的阻力。 过冷:凝固过程开始结晶温度低于理论结晶温度的现象。 过冷度:实际结晶温度和理论结晶温度之间的差值。 均匀形核:在过冷的液态金属中,依靠金属本身的能量起伏获得成核驱动力的形核过程。 过冷度:实际结晶温度和理论结晶温度之间的差值。 形核功:形成临界晶核时,由外界提供的用于补偿表面自由能和体积自由能差值的能量。 马氏体转变:是一种无扩散型相变,通过切变方式由一种晶体结构转变另一种结构,转变过程中,表面有浮凸,新旧相之间保持严格的位向关系。或者:由奥氏体向马氏体转变的

大学物理课后答案第十一章

第十一章 机械振动 一、基本要求 1.掌握简谐振动的基本特征,学会由牛顿定律建立一维简谐振动的微分方程,并判断其是否谐振动。 2. 掌握描述简谐运动的运动方程)cos( 0?ω+=t A x ,理解振动位移,振幅,初位相,位相,圆频率,频率,周期的物理意义。能根据给出的初始条件求振幅和初位相。 3. 掌握旋转矢量法。 4. 理解同方向、同频率两个简谐振动的合成规律,以及合振动振幅极大和极小的条件。 二、基本内容 1. 振动 物体在某一平衡位置附近的往复运动叫做机械振动。如果物体振动的位置满足)()(T t x t x +=,则该物体的运动称为周期性运动。否则称为非周期运动。但是一切复杂的非周期性的运动,都可以分解成许多不同频率的简谐振动(周期性运动)的叠加。振动不仅限于机械运动中的振动过程,分子热运动,电磁运动,晶体中原子的运动等虽属不同运动形式,各自遵循不同的运动规律,但是就其中的振动过程讲,都具有共同的物理特征。 一个物理量,例如电量、电流、电压等围绕平衡值随时间作周期性(或准周期性)的变化,也是一种振动。 2. 简谐振动 简谐振动是一种周期性的振动过程。它可以是机械振动中的位移、速度、加速度,也可以是电流、电量、电压等其它物理量。简谐振动是最简单,最基本的周期性运动,它是组成复杂运动的基本要素,所以简谐运动的研究是本章一个重点。 (1)简谐振动表达式)cos(0?ω+=t A x 反映了作简谐振动的物体位移随时间的变化遵循余弦规律,这也是简谐振动的定义,即判断一个物体是否作简谐振动的运动学根据。但是简谐振动表达式更多地用来揭示描述一个简谐运动必须

涉及到的物理量A 、ω、0?(或称描述简谐运动的三个参量),显然三个参量确定后,任一时刻作简谐振动的物体的位移、速度、加速度都可以由t 对应地得到。 )2 cos()sin(00π ?ωω?ωω+ +=+-=t A t A v )c o s ()c o s (0202π?ωω?ωω±+=+-=t A t A a (2)简谐运动的动力学特征为:物体受到的力的大小总是与物体对其平衡位置的位移成正比、而方向相反,即kx F -=,它是判定一个系统的运动过程是否作简谐运动的动力学根据,只要受力分析满足动力学特征的,毫无疑问地系统的运动是简谐运动。这里应该注意,F 系指合力,它可以是弹性力或准弹性力。 (3)和简谐运动的动力学特征相一致的是简谐运动的运动学特征:作简谐 运动物体的加速度大小总是与其位移大小成正比、而方向相反,即x dt x d 222ω-=, 它也是物体是否作简谐运动的判据之一。只要加速度与位移大小成正比、而方向恒相反,则该物理量的变化过程就是一个简谐运动的过程。在非力学量,例如电量、电流和电压等电学量,就不易用简谐振动的动力学特征去判定,而LC 电路中的电量q 就满足q LC dt q d 1 22-=,故电量q 的变化过程就是一个简谐振荡的过程,显然用运动学的特征来判定简谐运动更具有广泛的意义。 3. 简谐振动的振幅、周期、频率和相位 (1)振幅A 是指最大位移的绝对值。A 是由初始条件来决定的,即 2 20 2 ω v + = x A 。 (2)周期T 是指完成一次完整的振动所用时间。ω π 2=T ,式中ω是简谐振 动的圆频率,它是由谐振动系统的构造来决定的,即m k =ω,ω也称为固有圆频率。对应的T 称为固有周期。v T 1 = ,式中v 称为频率(即固有频率),它与圆频率的关系2v ωπ=,是由系统本身决定的。

材料科学基础试题库

一、单项选择题(请在每小题的4个备选答案中,选出一个最佳答案, 共10小题;每小题2分,共20分) 1、材料按照使用性能,可分为结构材料和 。 A. 高分子材料; B. 功能材料; C. 金属材料; D. 复合材料。 2、在下列结合键中,不属于一次键的是: A. 离子键; B. 金属键; C. 氢键; D. 共价键。 3、材料的许多性能均与结合键有关,如大多数金属均具有较高的密度是由于: A. 金属元素具有较高的相对原子质量; B. 金属键具有方向性; C. 金属键没有方向性; D.A 和C 。 3、下述晶面指数中,不属于同一晶面族的是: A. (110); B. (101); C. (011- );D. (100)。 4、 面心立方晶体中,一个晶胞中的原子数目为: A. 2; B. 4; C. 6; D. 14。 5、 体心立方结构晶体的配位数是: A. 8; B.12; C. 4; D. 16。 6、面心立方结构晶体的原子密排面是: A. {111}; B. {110}; C. (100); D. [111]。 7、立方晶体中(110)和(211)面同属于 晶带 A. [110]; B. [100]; C. [211]; D. [--111]。 6、体心立方结构中原子的最密排晶向族是: A. <100>; B. [111]; C. <111>; D. (111)。 6、如果某一晶体中若干晶面属于某一晶带,则: A. 这些晶面必定是同族晶面; B. 这些晶面必定相互平行; C. 这些晶面上原子排列相同; D. 这些晶面之间的交线相互平行。 7、金属的典型晶体结构有面心立方、体心立方和密排六方三种,它们的晶胞中原子数分别为:A. 4, 2, 6; B. 6, 2, 4; C. 4, 4, 6; D. 2, 4, 6 7、在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子,这样的缺陷称为: A. 肖脱基缺陷; B. 弗兰克缺陷; C. 线缺陷; D. 面缺陷 7、两平行螺旋位错,当柏氏矢量同向时,其相互作用力:

大学物理实验课后答案

大学物理实验课后答案 Final revision by standardization team on December 10, 2020.

(1)利用f=(D+d)(D-d)/4D 测量凸透镜焦距有什么优点 答这种方法可以避免透镜光心位置的不确定而带来的测量物距和像距的误差。(2)为什么在本实验中利用1/u+1/v=1/f 测焦距时,测量u和v都用毫米刻度的米尺就可以满足要求设透镜由于色差和非近轴光线引起的误差是1%。 答设物距为20cm,毫米刻度尺带来的最大误差为,其相对误差为%,故没必要用更高精度的仪器。 (3)如果测得多组u,v值,然后以u+v为纵轴,以uv为横轴,作出实验的曲线属于什么类型,如何利用曲线求出透镜的焦距f。 答直线;1/f为直线的斜率。 (4)试证:在位移法中,为什么物屏与像屏的间距D要略大于4f 由f=(D+d)(D-d)/4D → D2-4Df=d2→ D(D-4f)=d2 因为d>0 and D>0 故D>4f 1.避免测量u、ν的值时,难于找准透镜光心位置所造成的误差。 2.因为实验中,侧的值u、ν、f都相对较大,为十几厘米到几十厘米左右,而误差为1%,即一毫米到几毫米之间,所以可以满足要求。 3.曲线为曲线型曲线。透镜的焦距为基斜率的倒数。 ①当缝宽增加一倍时,衍射光样的光强和条纹宽度将会怎样变化如缝宽减半,又怎样改变 答: a增大一倍时, 光强度↑;由a=Lλ/b ,b减小一半 a减小一半时, 光强度↓;由a=Lλ/b ,b增大一倍。 ②激光输出的光强如有变动,对单缝衍射图象和光强分布曲线有无影响有何影响 答:由b=Lλ/a.无论光强如何变化,只要缝宽不变,L不变,则衍射图象的光强分布曲线不变 (条纹间距b不变);整体光强度↑或者↓。 ③用实验中所应用的方法是否可测量细丝直径其原理和方法如何 答:可以,原理和方法与测单狭缝同。 ④本实验中,λ=632。8nm,缝宽约为5*10^-3㎝,屏距L为50㎝。试验证: 是否满足夫朗和费衍射条件 答:依题意: Lλ=(50*10^-2)*(*10^-9)=*10^-7 a^2/8=(5*10^-5)^2/8=*10^-10 所以Lλ<

河北科技大学大学物理答案11章分解

习 题 11-1 面积很大的导体平板A 与均匀带电平面B 平行放置,如习题11-1图所示。已知A 与B 相距d ,两者相对的部分的面积为S 。(1)设B 面带电量为q ,A 板的面电荷密度为1s 及2s ,求A 板与B 面之电势差。(2)若A 板带电量为Q ,求1s 及2s 。 (1)d S q U 0 212/εσσ-+= ; (2)S q Q 21+=σ,S q Q 22-=σ 习题11-1图 习题11-2图 习题11-3图 11-2 如习题11-2图所示,有三块互相平行的导体板,外面的两块用导线连接,原来不带电。中间一块上所带总面电荷密度为521310.C m --醋。求每块板的两个表面的面电荷密度各 是多少? (忽略边缘效应。) 解:从上到下6个面一次为面1、2、3、4、5、6. 2 61σ σσ= =,8323σσσ= -=,8 554σ σσ=-= 11-3 如习题11-3图所示,半径为1R 的导体球带有电荷q ,球外有一个内、外半径为2R 、3R 的同心导体球壳,壳上带有电荷Q 。求:(1)两球的电势1j 及2j ;(2)两球的电势差j D ;(3)用导线把球和壳连接在一起后,1j ,2j 及j D 分别为多少? (4)在情形(1)、(2)中,若外球接地,1j ,2j 和j D 为多少?(5)设外球离地面很远,若内球接地,情况如何? 解:(1)3 024R Q q πε?+= ,2010301444R q R q R Q q πεπεπε?- ++=; (2)两球的电势差2 01 044R q R q U πεπε- = ; (3) 3 0214R Q q πε??+= =,0=U ;

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