《数字电子技术基础》（第五版）教学课件
清华大学
阎石王红
第七章半导体存储器
第七章半导体存储器
7.1 概述
能存储大量二值信息的器件一、一般结构形式
输入/
出电路I/O
输入/出控制
！单元数庞大
！输入/输出引脚数目有限
二、分类
1、从存/取功能分：①只读存储器
(Read-Only-Memory ）
②随机读/写（Random-Access-Memory ）2、从工艺分：①双极型②MOS 型
EPROM
ROM
ROM 可擦除的可编程可编程掩模RAM RAM 动态静态
《数字电子技术基础》第五版7.2 ROM
7.2.1 掩模ROM
一、结构
二、举例
地
址
数
据
A 1
A 0
D 3
D 2
D 1
D 0
0001010110111001001
1
1
1
1
A 0~A n-1
W0
W(2n -1)
D0
Dm
两个概念：
?存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元中有器件存入“1”，无器件存入“0”
?存储器的容量：“字数x 位数”
掩模ROM的特点：
出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产简单，便宜，非易失性
总体结构与掩模ROM 一样，但存储单元
不同
写
是一次性编程，不能改！！编程时将不用的熔断有出厂时，每个结点上都熔丝由易熔合金制成***
总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同
写入时，要使用编程器
《数字电子技术基础》第五版
7.2.3 可擦除的可编程ROM（EPROM）
总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同
一、用紫外线擦除的PROM（UVEPROM）
管
叠栅注入MOS MOS Injuction gate Stacked SIMOS )(-浮置栅
控制栅::f c G G 通
处正常逻辑高电平下导上未充负电荷，则若导通处正常逻辑高电平下不上充以负电荷，则若工作原理：
c f c f G G G G
年）
光灯下分钟（阳光下一周，荧紫外线照射空穴对，提供泄放通道生电子
“擦除”：通过照射产形成注入电荷到达吸引高速电子穿过宽的正脉冲，上加同时在发生雪崩击穿
）间加高压（“写入”：雪崩注入33020502525202~,,,~,--f c G SiO ms V G V S D
二、电可擦除的可编程ROM （E 2PROM ）总体结构与掩模ROM 一样，但存储单元
不同)
(管浮栅隧道氧化层采用点擦除慢，操作不便的缺为克服MOS FLOTOX UVEPROM “隧道效应”
电子会穿越隧道）当场强达到一定大小（厚度之间有小的隧道区，与---′<-,/cm V m SiO D G f 7
8
210102
导通
）下，电压（未充电荷时，正常读出截止）下，电压（充电荷后，正常读出工作原理：
T V G T V G G C C f 3
3f
j C i G B ms V G W ?电子隧道区接的正脉冲，加充电：01020,
,上电荷经隧道区放电
加正脉冲，，接放电：f j i C G B W G ,
三、快闪存储器（Flash Memory ）为提高集成度，省去T2（选通管）改用叠栅MOS 管（类似SIMOS 管
）
（隧道区）
区有极小的重叠区与）更薄（与衬底间-S G nm O S G f i f 15102~的正脉冲
，加接），加正压（，充电利用雪崩注入方式向工作原理：
us V G V V S D G c ss f 101206-*上电荷经隧道区放电
的正脉冲加放电，利用隧道效应f ss c f G ns V V G G 100120,,=
《数字电子技术基础》第五版7.3 随机存储器RAM
7.3.1 静态随机存储器（SRAM）
一、结构与工作原理
二、SRAM 的存储单元
作存储单元
触发器，为基本RS T T 41~相通
、与、导通，行中被选中，时，能在j j i B B Q Q T T X ￠￠=6511,?íì
=单元与缓冲器相连
列
第行
第导通，这时时，所在列被选中，
j i T T Y j 871,截止导通，六管N 沟道增强型MOS 管
清华大学公共管理学院 工作简报 2007年1月号（总第23期） 【编者按】为进一步加强学院内部信息沟通，扩大学院影响，树立学院形象，学院办公室从2004年8月起编辑印发《清华大学公共管理学院工作简报》（下称简报），该简报根据信息量出版月报或双月报，栏目包括要闻回顾、学院动态、学术交流、教授风采等，欢迎学院全体教职员工踊跃投稿，投稿信箱：ggzhb@https://www.doczj.com/doc/b76637991.html,。 要闻回顾 1.1月5日下午，学院召开全院教师会。会议分两部分进行，第一部分主要进行了 学校学院财务工作通报、对外合作的个别问题通报、培训中心年度工作汇报与讨论等内容。会议的第二部分，首先进行学院正副职党政干部述职。根据学校党委组织部2006年度各单位党政正副职干部考核工作安排的要求，学院正副职党政干部进行了年度工作总结，全院教师听取了述职报告，并为每位干部进行打分。 校务委员会副主任庄丽君到会听取了汇报。干部述职后，常务副院长薛澜传达了11月8日校党委书记陈希到我院调研的会议精神，院长助理熊义志、谢矜分别进行了学校财务有关工作通报、学校收入分配制度改革情况通报，党委书记刘颖重申了考勤请假制度、年度考核等事宜。学院教师、博士后70余人出席了会议。 2.1月30日下午，我院2007年春季研究生毕业典礼暨首届MPA-E高级公共管理论 坛在学院隆重举行。在毕业典礼上，首先由学院学位分委员会主任、副院长王有强通报了学院2007年春季研究生毕业及学位授予情况：毕业博士4人，硕士6人；授予管理学博士4人，管理学硕士11人，经济学硕士1人，公共管理硕士（MPA）59人。毕业生代表李继春、学院教师代表邓国胜分别代表毕业生和全体教师发言。院长陈清泰教授代表学院祝贺各位毕业生顺利完成学业，并鼓励他们投身于建设和谐社会的广阔空间中。副校长谢维和、我院院长陈清泰、党委书记
第一章 半导体基础知识 自测题 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 t t u u O O i o /V /V 1010
1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 1.5 u o 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。 当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。 （2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R t t
清华大学数字电路题库 一、填空题 : （每空1分，共10分） 1． (30.25) 10 = ( ) 2 = ( ) 16 。 2 . 逻辑函数L = + A+ B+ C +D = 。 3 . 三态门输出的三种状态分别为：、和。 4 . 主从型JK触发器的特性方程= 。 5 . 用4个触发器可以存储位二进制数。 6 . 存储容量为4K×8位的RAM存储器，其地址线为条、数据线为条。 二、选择题： (选择一个正确的答案填入括号内，每题3分，共30分 ) 1.设下图中所有触发器的初始状态皆为0，找出图中触发器在时钟信号作用下,输出电压波形恒为0的是：（）图。 2.下列几种TTL电路中，输出端可实现线与功能的电路是（）。 A、或非门 B、与非门 C、异或门 D、OC门 3.对CMOS与非门电路，其多余输入端正确的处理方法是（）。 A、通过大电阻接地（>1.5KΩ） B、悬空 C、通过小电阻接地（<1KΩ）
B、 D、通过电阻接V CC 4.图2所示电路为由555定时器构成的（）。 A、施密特触发器 B、多谐振荡器 C、单稳态触发器 D、T触发器 5.请判断以下哪个电路不是时序逻辑电路（）。 A、计数器 B、寄存器 C、译码器 D、触发器 6．下列几种A/D转换器中，转换速度最快的是（）。 A、并行A/D转换器 B、计数型A/D转换器 C、逐次渐进型A/D转换器 B、 D、双积分A/D转换器 7．某电路的输入波形 u I 和输出波形 u O 如下图所示，则该电路为（）。 A、施密特触发器 B、反相器 C、单稳态触发器 D、JK触发器 8．要将方波脉冲的周期扩展10倍，可采用（）。 A、10级施密特触发器 B、10位二进制计数器 C、十进制计数器 B、D、10位D/A转换器 9、已知逻辑函数与其相等的函数为（）。 A、 B、 C、 D、 10、一个数据选择器的地址输入端有3个时，最多可以有（）个数据信号输出。 A、4 B、6 C、8 D、16 三、逻辑函数化简（每题5分，共10分） 1、用代数法化简为最简与或式 Y= A +
2017年清华大学公共管理学院公管专业考研-考研参考书-复试分数线-复试真题一、清华公共管理专业研究生招生报考统计（育明考研课程中心） 专业名 称招生人数专业方向 01-05方向初 试科目 06方向初试科目复试科目 120400公共管 理 招生总数 5人 01公共政策（科 技、环境、社保、 教育、卫生） ①101思想政 治理论 ②201英语一 ③303数学三 ④848公共管理 基础 ①101思想政治理 论 ②201英语一 ③685逻辑学 ④895生物学专业 基础综合或896管 理学专业基础综合 （1）笔试：(每 人120分钟)科 目：公共管理与 公共政策 （2）面试内容： ①个人自述；② 英文材料；③综 合案例分析 北京 总部 01-05 方向2 人 深研院 06方向 3人 02政府管理 03国际经济政治 与国际组织 04公民社会与治 理 05区域发展与政 策 06医院管理 育明教育考研课程中心王老师解析： 1、清华公共管理专业考研的报录比约为12:1（竞争较为激烈） 2、清华大学公共管理专业共有6个专业方向：01公共政策（科技、环境、社保、教育、卫生）02政府管理03国际经济政治与国际组织04公民社会与治理05区域发展与政策06医院管理 3、01-05方向统一招生，初试和复试是一样的，录取后再分方向，属于北京本部的名额，一般官方公布约2-3人，实际录取会多1-2名计划外生源。 4、06方向医院管理是从2013年开始招第一届，其初试与其他5个方向不同，复试是统一在清华进行，属于深圳研究生院的招生名额，每年约有2-3人。 5、考试科目：初试科目③，01-05方向的考生选择303数学三；06方向的考生选择685逻辑学。科目④：01-05方向的考生选择848公共管理基础（政治学20％、管理学30％、经济学50％）；06方向考生选择895生物学专业基础综合或896管理学专业基础综合。 （清华公管考研具体情况可以咨询育明王老师/扣扣：一伍肆六，柒零玖，叁六玖）
清华大学公共管理考博参考书、难度解析 一、清华大学公共管理学院考博历年招生导师、考试科目（@六道口考研小霸王） 马老师解析 1.清华大学公共管理学院博士生招考实行“申请——审核”制，考生需先提交相关材料，材料审核通过之后，方可参加笔试、面试； 2.报名条件： （1）拥护中国共产党的领导，具有正确的政治方向，热爱祖国，愿意为社会主义现代化建设服务，遵纪守法，品行端正； （2）已获硕士学位的人员（在境外获得的学位应通过教育部留学服务中心认证，报名时提交认证证书）； （3）应届硕士毕业生（最迟须在入学前取得硕士学位）； （4）同等学力人员（获得学士学位，并在报考相关领域从业6年及以上，从获得学士学位之日到博士生入学之日算起；修完所报考专业的硕士学位课程及选修课程且成绩合格（需提交成绩单证明）；并在核心期刊上发表与报考专业相关的学术论文2篇）； （5）身体和心理健康状况符合相关规定； （6）有两名所报考学科专业领域内的副教授（或相当专业技术职称的专家）的书面推荐意见； 3.提交材料： 1）清华大学报考攻读博士学位研究生登记表（网上报名后打印）； 2）本科及硕士研究生期间学业成绩单原件； 3）本科毕业证书、学士学位证书、硕士研究生毕业证书、学位证书复印件，各类获奖证书、英语四（六）级证书或其他外语水平证明材料复印件，发表论文复印件等； 4）两封与报考专业相关的职称为副教授(或相当职称)或以上的专家的推荐信； 5）硕士学位论文全文（往届生）或论文选题报告全文（应届生）； 6）个人自述（含个人基本信息、报考1-3 位导师名单及意向排序、研究兴趣陈述等，1000 字以内）
注：①申请材料请按上述清单顺序编号提供； ②所交材料不退； ③若发现材料造假者，即使已被录取，也将取消博士生录取资格。 ●材料过审之后，方可参加笔试和面试。最终，由你的笔试、面试成绩，决定你是否被录取。 ●到这里，恐怕就有许多考生要问了~材料达到一个什么水平，才能入围呢？ 这可没有一个固定的标准，专家组审核材料时，一般，会根据考生材料打分，取平均分，根据所有考生分数排名，按照一定比例，决定入围考生名单。也就是说，你最终能不能入围，主要取决于你其他竞争对手的水平。 ●那么，材料具体怎么准备，才能最大程度提高入围概率呢？ 让我们来挨个儿看看所要提交材料的项目 ?本硕毕业院校、成绩单这一项是没法儿改了，木已成舟； ?硕士毕业论文，如果还没毕业的话，毕业论文肯定是质量越高越好呀； ?外语成绩，这一项，按照简章要求，提交合格的成绩单即可； ?专家推荐信，这项材料呢，坦白讲，算是所有材料里面比较鸡肋的一项，没有不行，但提交了呢，一般也不太会有人看里面的内容~除非是本领域巨牛逼的专家或导师签的，专家组审核时可能会看一看； ?个人陈述、研究计划、学术成果这几项，在材料审核当中占比较大，也是准备期间，可操作性比较强的几项。 ?个人陈述，简单介绍自己，交待清楚教育背景、研究经历等这些基本的内容，着重体现自己的优势和学术研究潜质，并举出实例。 ?研究计划，很重要。材料审核过程中，通过你的研究计划，就能看出你是否具备有一定的学术水平，是否具备读博的潜质。而且研究计划在面试中，也起着至关重要的作用。 ?学术成果，非常重要。发表的文章期刊，参与过的课题，规格越高越好。当然硕士阶段，想发核心期刊的文章难度还是很大的，能发出来国家级的期刊也有用。 综合考核形式及项目： 综合考核由综合专业基础考试（笔试，2 小时）和综合面试组成。
2003春季学期数字电子期末试题 教学站 班级 姓名 一、 按要求回答下列问题： 1. 用代数法化简 (1) )()(1C B A C B A C B A P ++?++?++= (2) P 2=AB +C B C A + 2. 对逻辑运算判断下述说法是否正确，正确者在其后（ ）内打对号，反之打×。 （1） 若X+Y=X+Z ，则Y=Z ；( ) （2） 若XY=XZ ，则Y=Z ；( ) （3） 若X ⊕Y=X ⊕Z ，则Y=Z ；( ) 3. 函数式F=C B A ⊕⊕写成最小项之和的形式，结果应为m ∑( )。 4. 用卡诺图化简: D C A C B A D C D C A ABD ABC F +++++=
5填空： （1） 由TTL 门组成的电路如图1所示，已知它们的输入短路电流为I is ＝1.6mA ，高电平输入漏电流I iH ＝40μA 。试问：当A=B=1时，G 1的（拉，灌） 电流为 mA ；A=0时，G 1的（拉，灌） 电流为 mA 。 & G 3 &&G 1G 2A B 图1 （2） TTL 门电路输入端悬空时，应视为 ；（高电平，低电平，不定）此时如用万用表测量其电压，读数约为 （3.5V ，0V ，1.4V ）。 （3） 集电极开路门（OC 门）在使用时须在 之间接一电阻（输出与地，输出与输入，输出与电源）。 6. 由TTL 门组成的电路如图2所示，G 1和G 2为三态门，分别写出R=100Ω和R ＝100k Ω时输出Y 的表达式。 X A B & & ≥1 G 1 G 2R G 3Y 图2
二、分析图3所示电路的逻辑功能，写出输出的逻辑表达式并化简，列出真值表，说明其逻辑功能。 A B & & & & & & & C Y 图3
教材模拟电子技术基础（第四版）清华大学 模拟电子技术课程作业 第1章半导体器件 1将PN结加适当的正向电压，则空间电荷区将(b)。 (a)变宽(b)变窄(c)不变 2半导体二极管的主要特点是具有(b)。 (a)电流放大作用(b)单向导电性(c)电压放大作用 3二极管导通的条件是加在二极管两端的电压(a)。 (a)正向电压大于PN结的死区电压 (b)正向电压等于零 (c)必须加反向电压 4电路如图1所示，设D1，D2均为理想元件，已知输入电压u i=150sinωt V如图2所示，试 画出电压u O的波形。 答案 D 2 D 1 u O + - 图1 图2
5电路如图1所示，设输入信号u I1,u I2的波形如图2所示，若忽略二极管的正向压降，试画出输出电压u O 的波形，并说明t 1,t 2时间内二极管D 1，D 2的工作状态。 u I2 D 1 图1 图2 u I1u 答案 t 1:D 1导通，D 2截止 t 2:D 2导通，D 1截止 u i u i
第2章 基本放大电路 1下列电路中能实现交流放大的是图( b )。 2图示电路，已知晶体管β=60，U BE .V =07 ，R C k =2 Ω，忽略U BE ，如要将集电极电流I C 调整到1.5mA ，R B 应取( a )。 (a)480k Ω (b)120k Ω (c)240k Ω (d)360k Ω 3固定偏置放大电路中，晶体管的β＝50，若将该管调换为β=80的另外一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流IC 将( a )。 (a)增加 (b)减少 (c)基本不变 4分压式偏置放大电路如图所示，晶体T 的β=40，U BE .V =0 7，试求当RB1，RB2分别开路时各电极的电位（U B ，U C ，U E ）。并说明上述两种情况下晶体管各处于何种工作状态。 U o CC U CC U (c) (d) - o u o V
公管学院课程助教岗位工作要求（试行） 岗位要求： 1、服务任课教师、完成教师安排的各种教辅工作（协助课程准备、组织、建设和学生管理等）； 2、服务选课学生、完成学院要求的相关工作（通知提醒、发放资料等）。 主要工作： ●协助老师作好开课准备：根据老师需求收集整理编辑教学资料、准备和复印教学大 纲/阅读材料/课件等。开课前和任课教师确认上课时间、地点及学生类别等信息。 多位教师合上的课程，必须提前联系各上课教师、确认老师们需求后及时准备。 ●发教学大纲、明确课堂纪律：第一次课发教学大纲、明确课堂纪律、说明考勤办法等 （缺勤必须请假、超过规定次数必须退课重修，如MPA不得超过4次，否则成绩记为0分或不及格，见附件1）。根据任课教师需求，收集学生联系方式（测试电子邮件是否畅通）。 ●提前到达教室、认真做好考勤：每次课提前到达、认真做好考勤工作（如组织签到等）、 提前检查设备（如有故障及时联系教室管理人员）。补退选后到业务办领取选课名单。 ●全程参与课堂帮助学生、了解学生需求：协助组织课堂讨论等（最好能协助课程辅导）， 主动了解选课学生的课程需求和意见，并及时转告任课教师或业务办参考。 ●提前办理外请专家讲学与调课报批手续：若任课教师邀请外请专家讲学、提前填写 相关表格领取酬金并做好联系接待服务工作。若需调课、需提前填报调课申请报批（原则上每门课1学期调课不超过1次）。 ●认真做好通知与提醒工作：及时转发本课程教学通知（尤其是教学调整通知，需通知到 每个选课学生）。提醒和督促选课学生参加网上课程教学评估。及时提醒缺勤将超过规定次数同学并强调后果（期末可留考勤表复印件）。提醒学生作业和课程论文提交方式与时间（务必强调选课后未参加考试或未按时交课程论文，相应环节将以“0分”计）。 ●及时收取、催交和认真核查期末课程论文：逐一电话或电邮提醒未按时提交的学生， 并强调后果。尽量确保选课学生完成课程论文或相关要求。并根据任课教师需求对课程论文进行诚信审查。 ●及早核查及上报缺勤情况：缺勤情况及时告知任课老师。尤其缺勤超过规定次数情 况提前上报业务办。确定重修后通知本人及早办理退课手续。有关退课重修事宜。 ●协助提交成绩、完成任课教师交办的其它教学辅助工作：协助教师合成和网上提交成 绩（否则必须交迟交申请报批。提醒若学生未交期末论文等而无法给成绩，关网前可先暂存成绩、尽量催交。因一旦提交系统将默认为“0分”且任何人均无权更改）。认真完成其它工作。●及时提供教学信息及提交存档材料：随时向业务办提供课程教学信息和简报等。课程 结束后提交需存档的材料：教学大纲（电子版）；多媒体课件（电子版）；考勤表（任课教师签名）；期末考题（监考表）；书面成绩单（教师签名）。业务办电话：62794348、62794349 ●自评助教工作完成情况：根据以上工作完成情况，期末结课时自评各项工作完成情况。
第1章 电路理论及分析方法习题(共9题) （注：英文习题采用美国电路符号） 1.1（直流电源功率）图1.1所示电路，求各电流源的端电压和功率，并判断出哪个电流源输出功率，哪个电流源吸收功率。已知：I S1=1 A, I S2=3A, R 1=5Ω, R 2=10Ω。 （答案：U S1= -10V , U S2=40V , P S1=10W, P S2= -120W ） 1.2 图1.2所示电路，求8Ω电阻两端的电压U R 和恒流源的端电压U S 各是多少。 （答案： U R = -32V ，U S = -40V ） 1.3 图1.3所示电路，求2A 恒流源的功率。（答案： P = -24W ） 1.4 (仿真习题)用仿真的方法求图1.4所示电路中的I 1 和I 2 。 （答案：I 1=0.5A 、I 2=2A ） 说明：1、要求自己下载Multisim 仿真软件，可以是Multisim2001、V7~V10等版本 中的任一种。 2、自学第10章 Multisim 电路仿真有关内容。 3、仿真题作业要求有仿真电路图和仿真的数据结果，图和数据结果可以打印 也可以手写。 图1.1 习题1.1的图 R I S2 U S1 图1.4 习题1.4的图 18V 图1.2 习题1.2的图 20 V + - U R 图1.3 习题1.3的图 8 V
1.5 (电源模型的等效互换法)Use source transformations to find the voltage U across the 2mA current source for the circuit shown in Figure 1.5. (Answer: U = 1.8 V) 1.6 (戴维宁定理)Using Thevenin’s theorem, find the current I through the 2V voltage source for the circuit shown in Figure 1.6.（Answer ： I=5A ） 1.7 （戴维宁定理，结点电位法）图1.7所示电路，已知 R 1=1k Ω, R 2=2k Ω, R 3=6k Ω, R 4=2k Ω, R 5=4k Ω,。用戴维宁定理和结点电位法两种方法求电流I 3。（答案：-0.5mA ） 1.8 （解题方法任选）如图1.8所示电路，当恒流源I S 为何值时，它两端的电压U S ＝0。（答案：-1.5A ） 1.9 (仿真习题) 图1.9所示电路，用仿真方法求电流I ，用直流工作点分析法求A 、B 、C 三个结点电位（答案：I = 2.6 A ， V A = 7.8 V ，V B = 2.8 V ，V C = 10 V ） 2V Ω Ω Figure 1.6 图1.7 习题1.7的图 +12V R 图1.8 习题1.8的图 - U Figure 1.5 图1.9 习题1.9的图 12 V Ω
清华大学出版社模拟电子技术习题解答(课后同步) 习题1 客观检测题 一、填空题 1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。 2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。 3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。 二．判断题 1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。（ × ） 2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。（ √ ） 3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。（× ） 4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。（ × ） 5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。（ √ ） 6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。（ × ） 7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。（× ） 三．简答题 1、PN 结的伏安特性有何特点？ 答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V V s D -?=表示。 式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=?2313810，电子电量
清华大学数字电路题库 一、填空题: （每空1分，共10分） 1．(30.25) 10 = ( ) 2 = ( ) 16 。 2 . 逻辑函数L = + A+ B+ C +D = 。 3 . 三态门输出的三种状态分别为：、和。 4 . 主从型JK触发器的特性方程= 。 5 . 用4个触发器可以存储位二进制数。 6 . 存储容量为4K×8位的RAM存储器，其地址线为条、数据线为条。 二、选择题：(选择一个正确的答案填入括号内，每题3分，共30分) 1.设下图中所有触发器的初始状态皆为0，找出图中触发器在时钟信号作用下,输出电压波形恒为0的是：（）图。 2.下列几种TTL电路中，输出端可实现线与功能的电路是（）。 A、或非门 B、与非门 C、异或门 D、OC门
3.对CMOS与非门电路，其多余输入端正确的处理方法是（）。 A、通过大电阻接地（>1.5KΩ） B、悬空 C、通过小电阻接地（<1KΩ） B、D、通过电阻接V CC 4.图2所示电路为由555定时器构成的（）。 A、施密特触发器 B、多谐振荡器 C、单稳态触发器 D、T触发器 5.请判断以下哪个电路不是时序逻辑电路（）。 A、计数器 B、寄存器 C、译码器 D、触发器 6．下列几种A/D转换器中，转换速度最快的是（）。 A、并行A/D转换器 B、计数型A/D转换器 C、逐次渐进型A/D转换器 B、D、双积分A/D转换器 7．某电路的输入波形u I 和输出波形u O 如下图所示，则该电路为（）。
A、施密特触发器 B、反相器 C、单稳态触发器 D、JK触发器 8．要将方波脉冲的周期扩展10倍，可采用（）。 A、10级施密特触发器 B、10位二进制计数器 C、十进制计数器 B、D、10位D/A转换器 9、已知逻辑函数与其相等的函数为（）。 A、B、C、D、 10、一个数据选择器的地址输入端有3个时，最多可以有（）个数据信号输出。 A、4 B、6 C、8 D、16 三、逻辑函数化简（每题5分，共10分） 1、用代数法化简为最简与或式 Y= A + 2、用卡诺图法化简为最简或与式 Y= + C +A D，约束条件：A C + A CD+AB=0 四、分析下列电路。（每题6分，共12分） 1、写出如图1所示电路的真值表及最简逻辑表达式。
19清华大学公共管理考研（MPA）经验谈 一、自我介绍 我在2014年在凯程复习，初战清华大学五道口金融学院，但由于数学薄弱没有考上。2015年毕业后通过了省考，权衡之后找到了王哲老师，向他咨询二战事宜。王哲老师说先别忙着二战，因为五道口的难度非常大，并不是说只要二战就能上，考研重要的一点是选择正确的方向，而不是死磕一个目标。因此在已经确立了我能入职省厅的情况下，建议先回去工作，之后再做打算。 2018年工作满了三年，我作为凯程的老学员再次回到凯程向王哲老师咨询，在说明了自己的能力强弱与三年间的履历后，王哲老师建议我报考清华大学公共管理学院。经过13个月的努力，一次考取清华大学公共管理学院，初试成绩214，复试成绩82.1。 二、我为什么选择该校该专业 对于在机关事业单位工作，想要继续考研深造的同学来说，清华公管是非常好的选择。原有有这几个： 原因1：清华公管只招非全日制，不招全日制，而且清华公管的校友约三分之二分布在中央部委和地方省府，从生源结构结构上看，机关事业单位的同学报考公管院比在企业的同学报考更有优势。 原因2：其次清华公管的政府管理与创新研究所的专业方向为制度分析、制度设计、管理评估，政治与公共政策研究所的专业方向为政策分析及
实证研究，无论哪一个对于日后在工作中提升自身的水平都有极大的帮助。 原因3：研究生初试是管理类联考和英语二，这两科对于分数要求并不高，一般来说总分210以上就能准备复试了。而复试相比初试更重要，清华公管并不单纯以分数来筛选学生，前几年也有初试240+的学生在复试被刷掉，复试环节会更注重考察学生的综合能力素质，包括领导力、大局观、逻辑结构、分析问题的思维。 三、专业课介绍、公共课复习经历及安排（2019.2—2020.3） 1、考试科目及个人用书： ①：初试公共课： 199管理类联考：机械工业出版社的数学精典、逻辑精典、写作精典 老吕母题数学800题、逻辑800题、写作50题 老吕冲刺数学600题、逻辑600题 2008—2017真题、凯程所有模拟卷（大概15套）、老吕密押6套卷英语二：2009—2017英语一真题、2009—2017英语二真题 张剑黄皮书英语二预测5套卷、英语一预测5套卷 凯程基础单词讲义、强化单词讲义、英语作文讲义 ②、复试公共课： 政治：肖秀荣形式与政策、肖秀荣考点预测背诵版、肖秀荣预测4套卷③、复试专业课：
清华公共管理学院曹峰 篇一：公共管理专业考研院校推荐之清华大学 公共管理专业考研院校推荐之清华大学 高素质的公共事业管理队伍，能提升一个民族乃至一个国家在国际上的地位，其次社会、企业对管理人才的需求也进一步加大，因此，不少考研生都看好公共事业管理这一考研热门专业。为了各位同学能更好的实现自己的理想，把自己培养成高素质管理人才，xx整理了此专业排名在前的招生院校提供参考。 清华大学公共管理学院 发展与荣誉 清华大学公共管理学院自20XX年成立以来，学院教师在公共政策及管理的各个领域开展了大量的理论和应用性研究，进行了大量前瞻性、创新性的研究和探索，为中央和国家部委提供各类重要咨询报告300余篇，其中许多重要政策建议被国家领导人批阅或被有关决策机构采纳，累计获中央和国务院领导批示165次，直接推动了国家许多重大决策和战略规划的制定，产生了重要的政策影响。 学院院长薛澜教授两次为中共中央政治局集体学习辅导讲解。胡鞍钢、薛澜、苏竣等多名教授深度参与了国家“十五”、“十一五”、“十二五”规划《纲要》、十七届六中全会《决定》以及《国家中长期科学和技术发展规划纲
要》、《国家中长期教育改革和发展规划纲要》、《国家中长期人才发展规划纲要》等重要文件的前期研究、政策咨询与文件起草工作;薛澜牵头负责国家自然科学基金宏观管理与政策学科方向“十一五”、“十二五”规划起草工作。 截止20XX年底，学院教师获得教育部、交通部、中国行政管理学会等11项奖励。 师资力量 师资力量雄厚，多部分教师都有出国留学深造的背景，以下是两位教授的具体介绍。 曹峰，马克斯维尔公共管理学院博士，清华大学公共管理学院助理教授，公共管理学院就业社会保障研究中心副主任，北京市哲学社会科学应急管理研究基地专职研究员，城市运行综合风险研究项目负责人。 担任清华大学公共管理学院国际MID项目的“公共政策分析”课程、国际IMPA项目的“公共管理”课程、博士项目的“公共管理II——公共管理理论发展史”课程、国内MPA项目“公共管理”课程，公共管理培训项目的“公共领导力”、“社会冲突管理”和“社会风险管理”等课程的主讲教师。 主要研究方向为组织与公共治理、公共领导力、社会冲突管理、社会风险管理、社会保障与发展政策。目前的研究项目包括《城市综合风险专家决策系统研究》、《社会保
第1章电路的基本定律与分析方法 【思1.1.1】(a) 图U ab＝IR＝5×10＝50V，电压和电流的实际方向均由a指向b。 (b) 图U ab＝－IR＝－5×10＝－50V，电压和电流的实际方向均由b指向a。 (c) 图U ab＝IR＝－5×10＝－50V，电压和电流的实际方向均由b指向a。 (d) 图U ab＝－IR＝－(－5)×10＝50V，电压和电流的实际方向均由a指向b。 【思1.1.2】根据KCL定律可得 (1) I2＝－I1＝－1A。 (2) I2＝0，所以此时U CD＝0，但V A和V B不一定相等，所以U AB不一定等于零。 【思1.1.3】这是一个参考方向问题，三个电流中必有一个或两个的数值为负，即必有一条或两条支路电流的实际方向是流出封闭面内电路的。 【思1.1.4】(a) 图U AB＝U1＋U2＝－2V，各点的电位高低为V C＞V B＞V A。 (b) 图U AB＝U1－U2＝－10V，各点的电位高低为V B＞V C＞V A。 (c) 图U AB＝8－12－4×(－1)＝0，各点的电位高低为V D＞V B(V A＝V B)＞V C。 【思1.1.5】电路的电源及电位参考点如图1-1所示。当电位器R W的滑动触点C处于中间位置时，电位V C＝0；若将其滑动触点C右移，则V C降低。 【思1.1.6】(a) 当S闭合时，V B＝V C＝0，I＝0。 当S断开时，I＝ 12 33 +＝2mA，V B＝V C＝2×3＝6V。 (b) 当S闭合时，I＝－6 3 ＝－2A，V B＝－ 3 21 + ×2＝－2V。 当S断开时，I＝0，V B＝6－ 3 21 + ×2＝4V。 【思1.1.7】根据电路中元件电压和电流的实际方向可确定该元件是电源还是负载。当电路元件上电压与电流的实际方向一致时，表示该元件吸收功率，为负载；当其电压与电流的实际方向相反时，表示该元件发出功率，为电源。 可以根据元件电压与电流的正方向和功率的正、负来判别该元件是发出还是吸收功率。例如某元件A电压、电流的正方向按关联正方向约定，即将其先视为“负载模型”，如图1-2(a)所示，元件功率P＝UI。设U＝10V(电压实际方向与其正方向一致)，I＝2A(电流实际方向与其正方向一致)，U、I实际方向一致，P＝UI＝10×2＝20W＞0(P值为正)，可判断A元件吸收功率，为负载。设U＝10V(电压实际方向与其正方向一致)，I＝－2A(电流实际方向与其正方向相反)，U、I实际方向相反，P＝UI＝10×(－2)＝－20W＜0(P值为
第三部分 习题与解答 习题1 客观检测题 一、填空题 1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。 2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。 3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。 二．判断题 1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。（ × ） 2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。（ √ ） 3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。（× ） 4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。（ × ） 5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。（ √ ） 6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。（ × ） 7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。（× ） 三．简答题 1、PN 结的伏安特性有何特点？ 答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V V s D -?=表示。 式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=?23 13810 ，电子电量
)(C 1060217731.1q 19库伦-?=，则)V (2 .11594T V T = ，在常温（T=300K ）下，V T ==26mV 。当外 加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1e T V V >>，于是T V V s e I I ?=，这时正向电流 将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1e T V V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数 值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。PN 结的伏安特性也可用特性曲线表示，如图所示.从式伏安特性方程的分析和图特性曲线（实线部分）可见：PN 结真有单向导电性和非线性的伏安特性。 2、什么是PN 结的反向击穿？PN 结的反向击穿有哪几种类型？各有何特点？ 答：“PN”结的反向击穿特性：当加在“PN”结上的反向偏压超过其设计的击穿电压后，PN 结发生击穿。 PN 结的击穿主要有两类，齐纳击穿和雪崩击穿。齐纳击穿主要发生在两侧杂质浓度都较高的PN 结，一般反向击穿电压小于4Eg/q （E g —PN 结量子阱禁带能量，用电子伏特衡量，Eg/q 指PN 结量子阱外加电压值，单位为伏特）的PN 的击穿模式就是齐纳击穿，击穿机理就是强电场把共价键中的电子拉出来参与导电，使的少子浓度增加，反向电流上升。 雪崩击穿主要发生在“PN”结一侧或两侧的杂质浓度较低“PN”结，一般反向击穿电压高于6 Eg/q 的“PN”结的击穿模式为雪崩击穿。击穿机理就是强电场使载流子的运动速度加快，动能增大，撞击中型原子时把外层电子撞击出来，继而产生连锁反应，导致少数载流子浓度升高，反向电流剧增。 3、PN 结电容是怎样形成的？和普通电容相比有什么区别？ PN 结电容由势垒电容C b 和扩散电容C d 组成。 图 PN 伏安特性
清华考研复试班-清华大学公共管理考研复试经验分享专业介绍 公共管理专业旨在为政府部门和非政府机构以及企事业单位的人事和行政机构培养宽口径、复合型、应用型的公共管理高层次专门人才。公共管理专业旨在通过综合运用经济学、政治学、社会学等学科的知识培养学生对当前政府事务的综合分析能力。[1] 开设的专业主干课程有：公共管理、公共政策、人力资源管理、管理文秘、电子政务导论、行政学、公共关系学等。教学中采用课堂讲授、案例研讨、情景模拟训练、社会调查和专题讲座等多种方式，力求使学生熟练掌握公共管理的基础理论和公共部门管理的专业知识，熟悉相关法律法规、方针政策、制度体制、国际惯例和规则，具有较高的分析和解决公共管理与公共政策问题的技能，适应市场经济和依法治国新形势下的需要。 招生人数与考试科目 清华大学公共管理属于公共管理学院，6个研究方向， 01(全日制)公共政策 2019年计划招生5人其考试科目为： ①101 思想政治理论②201 英语一③303 数学三④848 公共管理基础(政治学20%、管理学30%、经济学 50%) 02(全日制)可持续发展公共政策 2019年计划招生5人其考试科目为： ①101 思想政治理论②201 英语一③303 数学三④848 公共管理基础(政治学20%、管理学30%、经济学 50%) 03(全日制)大数据下的公共与全球治理 2019年计划招生5人其考试科目为： ①101 思想政治理论②201 英语一③303 数学三④848 公共管理基础(政治学20%、管理学30%、经济学 50%) 04(全日制)医院管理 2019年计划招生15人其考试科目为： ①101 思想政治理论②201 英语一③685 逻辑学④8 95 生物学专业基础综合或 8 96 管理学专业基础合或 917 数据与信息技术
清华大学数字电路题库一、填空题 : （每空1分，共10分） 1． (30.25) 10 = ( ) 2 = ( ) 16 。 2 . 逻辑函数L = + A+ B+ C +D = 。 3 . 三态门输出的三种状态分别为：、和。 4 . 主从型JK触发器的特性方程= 。 5 . 用4个触发器可以存储位二进制数。 6 . 存储容量为4K×8位的RAM存储器，其地址线为条、数据线为条。 二、选择题： (选择一个正确的答案填入括号内，每题3分，共30分 ) 1.设下图中所有触发器的初始状态皆为0，找出图中触发器在时钟信号作用下,输出电压波形恒为0的是：（）图。 2.下列几种TTL电路中，输出端可实现线与功能的电路是（）。 A、或非门 B、与非门 C、异或门 D、OC门 3.对CMOS与非门电路，其多余输入端正确的处理方法是（）。 A、通过大电阻接地（>1.5KΩ） B、悬空 C、通过小电阻接地（<1KΩ）
B、 D、通过电阻接V CC 4.图2所示电路为由555定时器构成的（）。 A、施密特触发器 B、多谐振荡器 C、单稳态触发器 D、T触发器 5.请判断以下哪个电路不是时序逻辑电路（）。 A、计数器 B、寄存器 C、译码器 D、触发器 6．下列几种A/D转换器中，转换速度最快的是（）。 A、并行A/D转换器 B、计数型A/D转换器 C、逐次渐进型A/D转换器 B、 D、双积分A/D转换器 7．某电路的输入波形 u I 和输出波形 u O 如下图所示，则该电路为（）。 A、施密特触发器 B、反相器 C、单稳态触发器 D、JK触发器 8．要将方波脉冲的周期扩展10倍，可采用（）。 A、10级施密特触发器 B、10位二进制计数器 C、十进制计数器 B、D、10位D/A转换器 9、已知逻辑函数与其相等的函数为（）。 A、 B、 C、 D、 10、一个数据选择器的地址输入端有3个时，最多可以有（）个数据信号输出。 A、4 B、6 C、8 D、16 三、逻辑函数化简（每题5分，共10分） 1、用代数法化简为最简与或式 Y= A +
清华大学公共管理学院 2015年普通博士招生方案 一、指导思想 根据清华大学博士生教育改革的相关精神，坚持“科学、规范、公平、公正”的原则，自愿申请、德智体全面衡量，择优录取，保证质量，宁缺勿滥。 二、考核时间 2014年9月，具体时间另行通知。2015年3月仅招收少数民族骨干计划。 三、申请 报名不分导师、不分方向。 1、申请条件：同《清华大学2015年博士研究生招生简章》 2、报名时间：2014年9月1日（周一）9：00——9月15日（周一）16：00登录xx 按相关要求完成网上报名手续。并将报名材料打印成册，请在9月15日前将书面申请材料寄（送）达清华大学公共管理学院102室教学办公室。 3、提交申请材料清单： （1）报名登记表（报名后打印）； (2)两封具有副教授职称（或相当职称）专家推荐信; （3）本科及研究生阶段成绩单（须就读单位盖章）； （4）硕士学位论文摘要（往届生）或应届本科生论文摘要，只交摘要不要交论文； （5）本科及研究生毕业证书及学位证书，各类获奖证书、英语四（六）级证书或其它外语水平证明材料复印件，发表论文等； （6）个人自述； （7）研究兴趣陈述。 4、材料寄（送）地址： 清华大学公共管理学院102室教学办公室杨老师（邮编：100084） 注：①申请材料请按上述清单顺序编号提供，若上述申请材料不全，将不予受理； ②所交材料不退； ③若发现材料造假者，即使已被录取，也将取消博士录取资格。 四、材料审核 1、本院招生工作小组组织专家审阅材料，遴选部分申请者参加综合考试。 2、9月下旬通过短信或电话通知可参加综合考试的申请者。
五、综合考试 面试与笔试相结合，以面试为主。 1、面试内容：重点考核考生教育背景及专业相关性、外语水平、科研经历、对本学科发展动态的了解以及在本专业领域发展的潜力、思维的敏锐性、逻辑思维能力、语言表达能力、专业基础知识、相关实践能力、创新精神和创新能力等。 2、笔试：时间为2小时，满分100分。 内容：学科基础知识考察。 3、录取：在笔试和面试成绩综合考虑的基础上择优录取。 清华大学公共管理学院 2014年6月