模电总结复习

第一章半导体二极管

一.半导体的基础知识

1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。

6. 杂质半导体的特性

*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7. PN结

* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。

* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。

8. PN结的伏安特性

二. 半导体二极管

*单向导电性------正向导通，反向截止。

*二极管伏安特性----同ＰＮ结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:

若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);

若 V阳

1）图解分析法

该式与伏安特性曲线

的交点叫静态工作点Q。

2) 等效电路法

直流等效电路法

*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:

若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);

若 V阳

*三种模型

微变等效电路法

三. 稳压二极管及其稳压电路

*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。

第二章三极管及其基本放大电路

一. 三极管的结构、类型及特点

1.类型---分为NPN和PNP两种。

2.特点---基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触

面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。

二. 三极管的工作原理

1. 三极管的三种基本组态

2. 三极管内各极电流的分配

* 共发射极电流放大系数 (表明三极管是电流控制器件

式子称为穿透电流。

3. 共射电路的特性曲线

*输入特性曲线---同二极管。

* 输出特性曲线

(饱和管压降，用U CES表示

放大区---发射结正偏，集电结反偏。

截止区---发射结反偏，集电结反偏。

4. 温度影响

温度升高，输入特性曲线向左移动。

、I CEO、I C以及β均增加。

温度升高I

三. 低频小信号等效模型（简化）

h ie---输出端交流短路时的输入电阻，

常用r be表示；

h fe---输出端交流短路时的正向电流传输比，

常用β表示；

四. 基本放大电路组成及其原则

1. VT、V CC、R b、R c 、C1、C2的作用。

2.组成原则----能放大、不失真、能传输。

五. 放大电路的图解分析法

1. 直流通路与静态分析

*概念---直流电流通的回路。

*画法---电容视为开路。

*作用---确定静态工作点

*直流负载线---由V CC=I C R C+U CE确定的直线。

*电路参数对静态工作点的影响

1）改变R b：Q点将沿直流负载线上下移动。

2）改变R c：Q点在I BQ所在的那条输出特性曲线上移动。

3）改变V CC：直流负载线平移，Q点发生移动。

2. 交流通路与动态分析

*概念---交流电流流通的回路

*画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。

*作用---分析信号被放大的过程。

*交流负载线--- 连接Q点和V CC’点V CC’= U CEQ+I CQ R L’的

直线。

3. 静态工作点与非线性失真

（1）截止失真

*产生原因---Q点设置过低

*失真现象---NPN管削顶，PNP管削底。

*消除方法---减小R b，提高Q。

（2）饱和失真

*产生原因---Q点设置过高

*失真现象---NPN管削底，PNP管削顶。

*消除方法---增大R b、减小R c、增大V CC 。

4. 放大器的动态范围

（1）U opp---是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。

（2）范围

*当（U CEQ－U CES）＞（V CC’ － U CEQ）时，受截止失真限制，U OPP=2U OMAX=2I CQ R L’。

*当（U CEQ－U CES）＜（V CC’ － U CEQ）时，受饱和失真限制，U OPP=2U OMAX=2 （U CEQ－U CES）。*当（U CEQ－U CES）＝（V CC’ － U CEQ），放大器将有最大的不失真输出电压。

六. 放大电路的等效电路法

1.静态分析

（1）静态工作点的近似估算

（2）Q点在放大区的条件

欲使Q点不进入饱和区，应满足R B＞βRc。

放大电路的动态分析

2.

* 放大倍数

* 输入电阻

* 输出电阻

七. 分压式稳定工作点共射

放大电路的等效电路法

1．静态分析

2．动态分析

*电压放大倍数

在R e两端并一电解电容C e后

输入电阻

在R e两端并一电解电容C e后

* 输出电阻

八. 共集电极基本放大电路

1．静态分析

2．动态分析

* 电压放大倍数

* 输入电阻

* 输出电阻

3. 电路特点

* 电压放大倍数为正，且略小于1，称为射极跟随器，简称射随器。 * 输入电阻高，输出电阻低。

第三章场效应管及其基本放大电路

一. 结型场效应管（ JFET）

1.结构示意图和电路符号

2. 输出特性曲线

（可变电阻区、放大区、截止区、击穿区）

转移特性曲线

U P ----- 截止电压

二. 绝缘栅型场效应管（MOSFET）

分为增强型（EMOS）和耗尽型（DMOS）两种。

结构示意图和电路符号

2. 特性曲线

*N-EMOS的输出特性曲线

* N-EMOS的转移特性曲线

式中，I DO是U GS=2U T时所对应的i D值。

* N-DMOS的输出特性曲线

注意：u GS可正、可零、可负。转移特性曲线上i D=0处的值是夹断电压U P，此曲线表示式与结型场效应管一致。

三. 场效应管的主要参数

1.漏极饱和电流I DSS

2.夹断电压U p

3.开启电压U T

4.直流输入电阻R GS

5.低频跨导g m (表明场效应管是电压控制器件)

四. 场效应管的小信号等效模型

E-MOS 的跨导g m ---

五. 共源极基本放大电路

1.自偏压式偏置放大电路* 静态分析

动态分析

若带有C s，则

2.分压式偏置放大电路* 静态分析

* 动态分析

若源极带有C s，则

六.共漏极基本放大电路

* 静态分析

或

* 动态分析

第四章多级放大电路

一. 级间耦合方式

1. 阻容耦合----各级静态工作点彼此独立；能有效地传输交流信号；体积小，成本低。但不便于集成，低频特性差。

2. 变压器耦合 ---各级静态工作点彼此独立，可以实现阻抗变换。体积大，成本高，无法采用集成工艺；不利于传输低频和高频信号。

3. 直接耦合----低频特性好，便于集成。各级静态工作点不独立，互相有影响。存在“零点漂移”现象。

*零点漂移----当温度变化或电源电压改变时，静态工作点也随之变化，致使u o偏离初始值“零点”而作随机变动。

二. 单级放大电路的频率响应

1．中频段(f L≤f≤f H)

波特图---幅频曲线是20lg A usm=常数，相频曲线是φ=-180o。2．低频段(f ≤f L)

‘

3．高频段(f ≥f H)

4．完整的基本共射放大电路的频率特性

三. 分压式稳定工作点电路的频率响应

1．下限频率的估算

2．上限频率的估算

四. 多级放大电路的频率响应

1. 频响表达式

2. 波特图

第五章功率放大电路

一. 功率放大电路的三种工作状态

1.甲类工作状态

导通角为360o，I CQ大，管耗大，效率低。

2.乙类工作状态

I CQ≈0，导通角为180o，效率高，失真大。

3.甲乙类工作状态

导通角为180o~360o，效率较高，失真较大。

二. 乙类功放电路的指标估算

1. 工作状态

任意状态：U om≈U im

尽限状态：U om=V CC-U CES

理想状态：U om≈V CC

2. 输出功率

3. 直流电源提供的平均功率

4. 管耗P c1m=0.2P om

5.效率

理想时为78.5%

三. 甲乙类互补对称功率放大电路

1.问题的提出

在两管交替时出现波形失真——交越失真(本质上是截止失真)。

2. 解决办法

甲乙类双电源互补对称功率放大器OCL----利用二极管、三极管和电阻上的压降产生偏置电压。

动态指标按乙类状态估算。

甲乙类单电源互补对称功率放大器OTL----电容C2上静态电压为V CC/2，并且取代了OCL 功放中的负电源-V CC。

动态指标按乙类状态估算，只是用V CC/2代替。

四. 复合管的组成及特点

1.前一个管子c-e极跨接在后一个管子的b-c极间。

2.类型取决于第一只管子的类型。

3.β=β1·β 2

第六章集成运算放大电路

一. 集成运放电路的基本组成

1.输入级----采用差放电路，以减小零漂。

2.中间级----多采用共射(或共源)放大电路，以提高放大倍数。

3.输出级----多采用互补对称电路以提高带负载能力。

4.偏置电路----多采用电流源电路，为各级提供合适的静态电流。

二. 长尾差放电路的原理与特点

1. 抑制零点漂移的过程----

当T↑→i C1、i C2↑→i E1、i E2 ↑→u E↑→u BE1、u BE2↓→i B1、i B2↓→i C1、i C2↓。

R e对温度漂移及各种共模信号有强烈的抑制作用，被称为“共模反馈电阻”。

2静态分析

1) 计算差放电路I C

设U B≈0，则U E=－0.7V，得

2) 计算差放电路U CE

?双端输出时

?

?单端输出时(设VT1集电极接R L)

对于VT1：

对于VT2：

3. 动态分析

1）差模电压放大倍数

?双端输出

?

?单端输出时

从VT1单端输出：

从VT2单端输出：

2）差模输入电阻

3）差模输出电阻

?双端输出：

?单端输出:

三. 集成运放的电压传输特性

当u I在+U im与-U im之间，运放工作在线性区域：

四. 理想集成运放的参数及分析方法

1. 理想集成运放的参数特征

* 开环电压放大倍数A od→∞；

* 差模输入电阻R id→∞；

* 输出电阻R o→0；

* 共模抑制比K CMR→∞；

2. 理想集成运放的分析方法

1) 运放工作在线性区:

* 电路特征——引入负反馈

* 电路特点——“虚短”和“虚断”:

“虚短”---

“虚断” ---

2) 运放工作在非线性区

* 电路特征——开环或引入正反馈

* 电路特点——

输出电压的两种饱和状态:

当u+>u-时，u o=+U om

当u+

两输入端的输入电流为零:

i+=i-=0

第七章放大电路中的反馈

一. 反馈概念的建立

＊开环放大倍数－－－Ａ

＊闭环放大倍数－－－Ａｆ

＊反馈深度－－－１＋ＡＦ

＊环路增益－－－ＡＦ：

1．当ＡＦ＞０时，Ａｆ下降，这种反馈称为负反馈。

2．当ＡＦ＝０时，表明反馈效果为零。

3．当ＡＦ＜０时，Ａｆ升高，这种反馈称为正反馈。

4．当ＡＦ＝－１时，Ａｆ→∞。放大器处于“自激振荡”状态。

二．反馈的形式和判断

1. 反馈的范围----本级或级间。

2. 反馈的性质----交流、直流或交直流。

直流通路中存在反馈则为直流反馈，交流通路中存

在反馈则为交流反馈，交、直流通路中都存在反馈

则为交、直流反馈。

3. 反馈的取样----电压反馈：反馈量取样于输出电压；具有稳定输出电压的作用。

（输出短路时反馈消失）

电流反馈：反馈量取样于输出电流。具有稳定输出电流的作用。

（输出短路时反馈不消失）

4. 反馈的方式-----并联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电

流形式相叠加。R s越大反馈效果越好。

反馈信号反馈到输入端）

串联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电压

的形式相叠加。R s越小反馈效果越好。

反馈信号反馈到非输入端）

5. 反馈极性-----瞬时极性法：

（1）假定某输入信号在某瞬时的极性为正（用+表示），并设信号

的频率在中频段。

（2）根据该极性，逐级推断出放大电路中各相关点的瞬时极性（升

高用 + 表示，降低用－表示）。

（3）确定反馈信号的极性。

（4）根据X i与X f的极性，确定净输入信号的大小。X id 减小为负反

馈；X id增大为正反馈。

三. 反馈形式的描述方法

某反馈元件引入级间（本级）直流负反馈和交流电压（电流）串

联（并联）负反馈。

四. 负反馈对放大电路性能的影响

1.提高放大倍数的稳定性

2.

3.扩展频带

4.减小非线性失真及抑制干扰和噪声

5.改变放大电路的输入、输出电阻

*串联负反馈使输入电阻增加1+AF倍

*并联负反馈使输入电阻减小1+AF倍

*电压负反馈使输出电阻减小1+AF倍

*电流负反馈使输出电阻增加1+AF倍

五. 自激振荡产生的原因和条件

1.产生自激振荡的原因

附加相移将负反馈转化为正反馈。

2.产生自激振荡的条件

若表示为幅值和相位的条件则为：

第八章信号的运算与处理分析依据------ “虚断”和“虚短”

一. 基本运算电路

1.反相比例运算电路

R2 =R1//R f

2.同相比例运算电路

R2=R1//R f

3.反相求和运算电路

R4=R1//R2//R3//R f

4. 同相求和运算电路

R1//R2//R3//R4=R f//R5

5.加减运算电路

R1//R2//R f=R3//R4//R5

二. 积分和微分运算电路

1.积分运算

2.微分运算

第九章信号发生电路

一. 正弦波振荡电路的基本概念

1.产生正弦波振荡的条件(人为的直接引入正反馈)

自激振荡的平衡条件 :

即幅值平衡条件：

相位平衡条件：

2.起振条件:

幅值条件：

相位条件:

3.正弦波振荡器的组成、分类

正弦波振荡器的组成

(1) 放大电路-------建立和维持振荡。

(2) 正反馈网络----与放大电路共同满足振荡条件。

(3) 选频网络-------以选择某一频率进行振荡。

(4) 稳幅环节-------使波形幅值稳定，且波形的形状良好。* 正弦波振荡器的分类

(1) RC振荡器-----振荡频率较低,1M以下;

(2) LC振荡器-----振荡频率较高,1M以上;

(3) 石英晶体振荡器----振荡频率高且稳定。

二. RC正弦波振荡电路

1. RC串并联正弦波振荡电路

2.RC移相式正弦波振荡电路

三. LC正弦波振荡电路

1.变压器耦合式LC振荡电路

判断相位的方法：

断回路、引输入、看相位

2.三点式LC振荡器

*相位条件的判断------“射同基反”或“三步曲法”

(1)电感反馈三点式振荡器(哈特莱电路)

(2) 电容反馈三点式振荡器(考毕兹电路)

(3) 串联改进型电容反馈三点式振荡器（克拉泼电路）

(4)并联改进型电容反馈三点式振荡器（西勒电路）

(5)四. 石英晶体振荡电路

1.并联型石英晶体振荡器

2.串联型石英晶体振荡器

第十章直流电源

一. 直流电源的组成框图

模电数电及电力电子技术知识点

集成运算放大电路 输入级采用高性能的恒流源差动放大电路 要求输入阻抗高、差摸放大倍数大、共模抑制比高、差摸输入电压及共模输入电压范围大且静态电流小 作用减少零点漂移和抑制共模干扰信号 中间级采用共射放大电路 作用提供较高的电压增益 输入级要求其输出电压范围尽可能宽、输出电阻小以便有较强的带负载能力且非线性失真小 采用准互补输出级 偏置电路确定合适的静态工作点 采用准互补输出级 综合高差摸放大倍数、高共模抑制比、高输入阻抗、高输出电压、低输出阻抗的双端输入单端输出的差动放大器交直流反馈的判断电容隔直通交直流：短路交流：开路 串并联反馈的判断输入信号与反馈信号同时加在一个输入端上的是并联，反之 电压电流反馈的判断反馈电路直接从输出端引出的是电压反馈从负载电阻RL的靠近 “地”端引出的是电流反馈 直流脉宽调制PWM变换器 将固定电压的直流电源变换成大小可调的直流电源的DC-DC变换器又称直流斩波器。 它能从固定输入的直流电压产生出经过斩波的负载电。负载电压受斩波器工作率的控制。变 更工作率的方法与脉冲宽度调制（斩波频率f=1/T不变，改变导通时间t on）和频率调制（导 通时间t on或关断时间t off不变，改变斩波周期T即斩波频率f=1/T）两种。 斩波器的基本回落方式有升压（斩波器所产生的输出电压高于输入电压）和降压两种，改变回落元件的连接就可改换回路的方式。 用晶闸管作为开关的斩波器，由于晶闸管无自关断能力，它在直流回路里工作是，必须有一套使其关断的（强迫）换相（流）电路。晶闸管的换流方式有：电源换流、负载换流和 强迫换流。 负载换流缺点主要是电骡的揩振频率与L和C的大小有关，随着负载与频率的变化，换流的裕量也随之改变。 为了可靠换流，换流脉冲的幅值应足以消去晶闸管中的电流，脉冲的宽度应保证大于晶闸管的关断时间。 晶闸管斩波器的缺点是需要庞大的强迫换流电脑，是设备体积增大和损耗增加；而且斩波开关频率也低，致使斩波器电流的脉动幅度大，电源揩波也大，往往需加滤波器。 直流PWM变换器分不可逆、可逆输出两大类。前者输出只有一种极性的电压，而后者可输出正或负极性电压。如果在一个斩波周期中输出电压正、负相间的称为双极式可逆PWM 变换器；如果在一个斩波周期中输出电压只有一种极性电压的称为单极式可逆PWM变换 器。 双极式可逆PWM变换器的输出电压Uab在一个周期正、负相间。单机式可逆PWM变换器只在一个阶段中输出某一极限的脉冲电压+Uab或—Uab，在另一阶段中Uab=0. 无制动作用的不可逆输出PWM变换器电流始终是一个方向，因此不能产生制动作用，电动机只能作单象限运行，又称为受限式脉宽调制电路。 受限单极式可逆PWM变换器与单极式可逆PWM变换器的不同是避免了上下两个开关直通的可能性。 双极式脉宽调制器由三角波振荡器、电压比较器构成，单极式脉宽调制器由两只运算放

模电知识总结

第一章 半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体－--导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅Ｓi、锗Ｇe）。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 ４．两种载流子--－-带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子）。 *N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 ６. 杂质半导体的特性 ＊载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 ＊体电阻--－通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。＊转型－--通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7.ＰN结

＊ＰN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0．8V，锗材料约为０.２～0.3V。 * ＰＮ结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性---－－-正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性-－--同ＰN结。 *正向导通压降--－---硅管０.6~０.7V，锗管0．２~０.3Ｖ。 *死区电压--－---硅管0.5Ｖ，锗管０.1Ｖ。 3.分析方法-－----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低： 若Ｖ阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路）; 若Ｖ阳

２) 等效电路法 ?直流等效电路法 ＊总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>Ｖ阴( 正偏),二极管导通（短路); 若V阳

模电数电基础笔试总结

模拟电路（基本概念和知识总揽） 1、基本放大电路种类（电压放大器，电流放大器，互导放大器和互阻放大器），优缺点，特别是广泛采用差分结构的原因。 2、负反馈种类（电压并联反馈，电流串联反馈，电压串联反馈和电流并联反馈）；负反馈的优点（降低放大器的增益灵敏度，改变输入电阻和输出电阻，改善放大器的线性和非线性失真，有效地扩展放大器的通频带，自动调节作用） 3、基尔霍夫定理的内容是什么？ 基尔霍夫定律包括电流定律和电压定律。 电流定律：在集总电路中，任何时刻，对任一节点，所有流出节点的支路电流代数和恒等于零。电压定律：在集总电路中，任何时刻，沿任一回路，所有支路电压的代数和恒等于零。 4、描述反馈电路的概念，列举他们的应用？ 反馈，就是在电子系统中，把输出回路中的电量输入到输入回路中去。 反馈的类型有：电压串联负反馈、电流串联负反馈、电压并联负反馈、电流并联负反馈。负反馈的优点：降低放大器的增益灵敏度，改变输入电阻和输出电阻，改善放大器的线性和非线性失真，有效地扩展放大器的通频带，自动调节作用。 电压（流）负反馈的特点：电路的输出电压（流）趋向于维持恒定。 5、有源滤波器和无源滤波器的区别？ 无源滤波器：这种电路主要有无源元件R、L和C组成 有源滤波器：集成运放和R、C组成，具有不用电感、体积小、重量轻等优点。 集成运放的开环电压增益和输入阻抗均很高，输出电阻小，构成有源滤波电路后还具有一定的电压放大和缓冲作用。但集成运放带宽有限，所以目前的有源滤波电路的工作频率难以做得很高。 6、基本放大电路的种类及优缺点，广泛采用差分结构的原因。 答：基本放大电路按其接法的不同可以分为共发射极放大电路、共基极放大电路和共集电极放大电路，简称共基、共射、共集放大电路。 共射放大电路既能放大电流又能放大电压，输入电阻在三种电路中居中，输出电阻较大，频带较窄。常做为低频电压放大电路的单元电路。 共基放大电路只能放大电压不能放大电流，输入电阻小，电压放大倍数和输出电阻与共射放大电路相当，频率特性是三种接法中最好的电路。常用于宽频带放大电路。 共集放大电路只能放大电流不能放大电压，是三种接法中输入电阻最大、输出电阻最小的电路，并具有电压跟随的特点。常用于电压放大电路的输入级和输出级，在功率放大电路中也常采用射极输出的形式。 广泛采用差分结构的原因是差分结构可以抑制零点漂移现象。 ?7、二极管主要用于限幅，整流，钳位． ?判断二极管是否正向导通： １．先假设二极管截止，求其阳极和阴极电位； ２．若阳极阴极电位差＞UD ，则其正向导通； ３．若电路有多个二极管，阳极和阴极电位差最大的二极管优先导通；其导通后，其阳极阴极电位差被钳制在正向导通电压（０.7V 或０.３V ）；再判断其它二极管．

模电课程总结

模电课程总结报告 一学期模电课也终将结束了，而我对模电这门课也是从无知到课程中期的担忧抗拒，到现在的所谓有所收获。对比上学期的数电，我觉得模电的难度要大一些，学习方法也有很大不同。 课程学习方法 1.上课认真听讲，虽说老师讲的内容和书上的叙述大同小异，但是从听觉和视觉两方面得 来的信息比自己看更有效，上课的互动也能加深学习印象，更重要的是模电离不开电路，单纯看课本而没有老师的讲解需要花费很长时间，有时弄不懂就糊弄过去了。课上也会有一些补充内容和习题，比如这次期中的最后一题老师也在课堂上提到过，但是很少有人注意到。 2.要有个线索，建立自己的知识树，注意前后的联系，不要脱节。比如：半导体材料的性 质，半导体构成的元件，半导体元件组成的放大电路，处理电路。前后紧密相连，环环相扣，围绕着一个核心问题：信号的放大，运算，处理，转换，产生。在学习的时候，一定要从前往后切实的掌握基本概念，理解每个参数的物理意义。 3.重点把握典型的基本电路及分析方法，掌握工作原理，结构特点，性能特点。比如典型 的差分电路，多级放大电路的基本组成，各种功率放大电路等，唯有如此，才能对它们的改进电路和类似电路做进一步的分析。 4.结合实验课和multisim仿真，这也是模电数电的一个重大区别，数电电路复杂，但是一 旦接对结果一定正确，而模电虽然电路简单，但是即使设计和电路都正确，结果还是出不来。这时就要具体分析电路，哪里可能存在误差或者自激振荡或者参数不合适，在这个过程我们对电路有了更加深入的认识。而multisim更是我们学习的好帮手，可是讲的各种特性还有电路都可以自己来仿真一遍，一方面对这些元件有个初步的认识，另一方面对参数的设置有具体的把握。 课程学习成效 1.会看：电路的识别及定性分析，首先根据电路特征判断其属于哪种电路，然后根据电路 特点判断其性能特点。 2.会选：在已知需求情况下选择电路形式，在已知功能情况下选择元器件类型，在已知性 能指标情况下选择电路参数。常结合会看来选，比如选择合适的放大电路，应根据动态静态，带负载能力输入电阻大小等来选择，选择负反馈电阻也要根据是稳压还是稳流，带负载能力，输入电阻等来选择。 3.会算：电路的定量分析，例如对于放大电路会求解静态工作点，Au，输入输出电阻，上 下限截止频率，会画出交直流等效电路；对于运算电路会求解运算关系等 4.会调：电路参数的调节和设置，主要在放着呢和实验中会根据实验现象来调节合适的参 数，比如放大电路发生失真时判断是顶部还是底部失真，是由于哪些因素引起，相应调节对应参数 5.会设计：能够根据要求设计相应功能的电路，这是一个综合的富有创新性的能力。比如 设计一个求解微分方程的电路，设计一个电压表等。 课程学习感受 我觉得模电是一门知识点杂多，但是主线清晰的学科，具有很强的工程性和实践性，对于我来说还是很有难度和挑战性的，但是迎难而上收获才会更多！

数电和模电知识点

模电复习资料 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体--在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳

2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳

模电设计心得

《直流稳压电源》 课程设计报告 专业：_______________ 自动化________________ 班级： 1 ________________ 姓名：_____________________ 卢嘉明 __________ 学号:27 ___________________________ 指导教师：___________ 李欣________________ 00九年1 月11 日

直流稳压电源 可调直流稳压电源基本电路主要有电源变压器，整流滤波电路和稳压电路组成，通过调整电位器来实现对输出电压的调节。电网供给的交流电压(220V,50Hz)经电源变压器降压后，得到符合电路需要的交流电压12V, 然后由整流电路变换成方向不变、大小随时间变化的脉动电压，再用滤波器滤去其交流分量，就可得到比较平直的直流电压。但这样的直流输出电压，还会随交流电网电压的波动或负载的变动而变化。在对直流供电要求较高的场合，还需要使用稳压电路，以保证输出直流电压更加稳定 一：实验设计方案 (1)电网供电电压交流220V(有效值)50Hz，要获得低压直流输出，首先必须采用电源变压器将电网电压降低获得所需要交流电压。 (2)降压后的交流电压，通过整流电路变成单向直流电，但其幅度变化大(即脉动大)。 (3)脉动大的直流电压须经过滤波电路变成平滑，脉动小的直流电，即将交流成份滤掉，保留其直流成份。 (4)滤波后的直流电压，再通过稳压电路稳压，便可得到基本不受外界影响的稳定直流电压输出，供给负载RL。 电路的基本知识 在电子电路中，通常都需要电压稳定的直流稳压电源供电，小功率的稳压电源是由电源变压器，整流电路，滤波电路和稳压电路等四部分组成。 直流稳压电源结构图和稳压过程 1.电源变压器 过整流电路将交流变为脉动的直流电压。由于此脉动的直流电压还含有较大的纹波，必须通过滤波电路加以滤波，从而得到平滑的直流电压。电源变压器的作用是将交流220V的电压变为所需的电压值，然后通样的电压还随电网电压波动、负载何温度的变化而变化。因而在整流、滤波电路之后，还需接稳压电路。稳压

模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳

模电数电复习题(已整理)

第1章常用半导体器件 自测题 三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压 U D=0.7V。 图T1.3 解：U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。 四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 (a) (b) 图T1.4 解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V。 右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V。

五、电路如图T1.5所示，V CC=15V，=100，U BE=0.7V。 试问： (1)R b=50k时，U o=? (2)若T临界饱和，则R b=? 解：(1)26 BB BE B b V U I A R μ - ==， 2.6 C B I I mA β ==, 2 O CC C c U V I R V =-=。图T1.5 (2)∵ 2.86 CC BE CS c V U I mA R - ==，/28.6 BS CS I I A βμ == ∴45.5 BB BE b BS V U R k I - ==Ω 习题 1.2电路如图P1.2所示，已知10sin i u tω =(V)，试画出i u与o u的波形。设二极管导通电压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解： i u与o u的波形如解图Pl.2所示。

1.3电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压 U D =0.7V 。试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。 图P1.3 解图 P1.3 解：波形如解图Pl.3所示。 第2章 基本放大电路 2.7电路如图P2.7所示，晶体管的β=80 ，' 100bb r =Ω。分别计算 L R =∞ 和3L R k =Ω时的 Q 点、u A 、i R 和o R 。 图P2.6 图P2.7

模电学习心得

姓名: 王凯年级专业: 06物理备注: 量子力学/电子线路1导生 姓名：王凯年级专业：06应用物理学备注：电子线路1 模拟电子线路学习心得 首先，可以说，模电是一门稍微难学的课程；但是，在培养理工科学生学习专业知识的过程中，它起到了非常重要的作用。它不仅要为今后学习有关的后续课程打下基础，而且模电课程本身涉及的一些基本概念、基本原理和基本分析方法，对于培养分析问题和解决问题的能力也十分重要。因此，本课程通常被列为有关专业的重要技术基础课。 这门课程的性质和特点。 首先，作为一门技术基础课，模拟电子技术既不同于专业课——本课程强调基本概念、基本原理和基本分析方法，为将来在工作中应用电子技术解决实际问题打下牢固的基础；又不同于某些基础理论课——本课程的内容更接近工程实际。在学习电子电路的工作原理时要紧紧抓住基本概念和基本分析方法；在分析和计算时又常常需要从实际情况出发，抓住主要矛盾，忽略次要矛盾。 其次，大家要时刻记住，今天的学习是为今后的工作和进一步学习打下基础，所以，在本课程的学习中，一方面要抓住基本，另一方面要注意能力的培养，包括学习新知识、新技术的能力。 最后，电子技术是一门实践性很强的课程。因此，实践环节和动手能力的培养在课程中占有重要的地位。通过实验，不仅固化和深化书本上学到的知识，而且倡导理论联系实际的精神，提高电子技术方面的动手能力，培养严谨踏实的科学作风。 学习模拟电子技术应注意的几个问题 第一，注意正确理解和掌握模拟电路的基本概念和重要术语，例如，PN结，单项导电性，放大作用，截止、放大和饱和，直流通路和交流通路等等。 第二，注意掌握模拟电路常用的分析方法，例如，分析放大电路静态工作情况和分析波形失真常用的图解法，分析放大电路动态性能；第三，注意通过模拟电子技术课程的学习，培养分析问题和解决问题的能力，例如，初步的电子电路读图能力，估算基本电路主要性能指标的初步能力。 个人一些学习方法和技巧 接下来，说一下本人的一些学习方法，对于我来说，初次接触这门课程也还是有点困难的，但困难总是暂时的，你必须通过努力去战胜困难。学习这门课，有一本好的辅导资料，是非常重要的，利用好图书馆资源，也是你大学学习的一个重要环节。除了图书馆的资源外，网络上还有很多有用的资源，

模电知识总结

第一部分半导体的基本知识二极管、三极管的结构、特性及主要参数；掌握饱和、放大、截止的基本概念和条件。 1、导体导电和本征半导体导电的区别：导体导电只有一种载流子：自由电子导电半导体 导电有两种载流子：自由电子和空穴均参与导电自由电子和空穴成对出现，数目相等，所带 电荷极性不同，故运动方向相反。 2、本征半导体的导电性很差，但与环境温度密切相关。 3、杂质半导体 (1) N型半导体一一掺入五价元素(2) P型半导体一一掺入三价元素 4、PN 结——P 型半导体和N 型半导体的交界面

5、PN结的单向导电性——外加电压 輕qo 0￡) 00 GO e?；①乜QQ 05 ① <5 ffi ? <9 0?① Q O ? GT? G) 耗尽层' F 阿—H NS 禺〕16 P+蜡如正向电压时导逓 在交界面处两种载流子的浓度差很大；空间电荷区又称为耗尽层 反向电压超过一 定值时，就会反 向击穿，称之为 反向击穿电压

正向偏置反向偏置 6、二极管的结构、特性及主要参数 (1) P区引出的电极一一阳极；N区引出的电极一一阴极 温度升高时，二极管的正向特性曲线将左移，反向特性曲线 下移。二极管的特性对温度很敏感。 其中，Is为反向电流，Uon为开启电压，硅的开启电压一一0.5V，导通电压为0.6~0.8V，反向饱和电 流＜0.1叭，锗的开启电压一一0.1V，导通电压为0.1~0.3V，反向饱和电流几十[A。 (2 )主要参数 1)最大整流电流I :最大正向平均电流 2)最高反向工作电流U :允许 外加的最大反向电流，通常为击穿电压U的一半 3)反向电流I:二极管未击穿时的反向电流，其值越小，二极管的单向导电性越好，对 温度越敏感 4)最高工作频率f :二极管工作的上限频率，超过此值二极管不能很好的体现单向导电性 7、稳压二极管 在反向击穿时在一定的电流范围内(或在一定的功率耗损范围内) ，端电压几乎不变，表现出稳压特 性，广泛应用于稳压电源和限幅电路中。 (1) 稳压管的伏安特性 W(b| 用L2.1U意压诊的伏安埒性和裁效电路 M试疋特性Cb｝时号恳竽故审.歸

模电课程设计心得(精选多篇)

模电课程设计心得(精选多篇) 第一篇：模电课程设计心得 时间总是过得很快，经过一周的课程设计的学习，我已经自己能制作一个高保真音频功率放大器，这其中的兴奋是无法用言语表达的。 学习模电这段时间也是我们一学期最忙的日子，不仅面临着期末考试，而且中间还有一些其他科目的实验，更为紧急的是，之前刚做完protelxx的课程设计，本周必须完成模电的课程设计。任务对我们来说，显得很重。昨天刚考完复变，为了尽快完成模电的课程设计，我一天也没歇息。相关知识缺乏给学习它带来很大困难，为了尽快掌握它的用法，我照着原理图学习视频一步一步做，终于知道了如何操作。 刚开始我借来了一份高保真音频功率放大器的电路原理图，但离实际应用差距较大，有些器件很难找到，后来到网上搜索了一下相关内容，顺便到学校图书馆借相关书籍，经过不断比较与讨论，最终敲定了高保真音频功率放大器的电路原理图，并且询问了兄弟班关于元器件的参数情况。为下步实物连接打好基础。 在做电路仿真时，我画好了电路原理图，修改好参数后，

创建网络列表时系统总是报错,无论我怎样修改都不行，后来请教同学，他们也遇到了同样的困惑。任何事情都不可能是一帆风顺的，开始是创建网络表时出现问题，后来是没有差错但出来的仿真波形不是预计中的，这确实很难修改。输出时仿真波形总是一条直线，我弄了一晚上也找不出原因，整个人也显得焦躁不已。 接下来，开始了我们的实物焊接阶段。之前的电工实习让我简单的接触到了焊接实物，以为会比较轻松，但实际焊接起来才发现此次与电工实习中的焊接实物有很大的不同，要自己对焊板上元件进行布置和焊接电路元件连线，增加了很大的难度。由于采用了电路板，为了使步线美观、简洁，还真是费了我们不少精力，经过不断的修改与讨论，最终结果还比较另人满意。 经过这段课程设计的日子，我发现从刚开始的matlab到现在的pspice，不管是学习哪种软件，都给我留下了很深的印象。由于没有接触，开始学得很费力，但到后来就好了。在每次的课程设计中，遇到问题，最好的办法就是问别人，因为每个人掌握情况不一样，不可能做到处处都懂，发挥群众的力量，复杂的事情就会变得很简单。这一点我深有体会，在很多时候，我遇到的困难或许别人之前就已遇到，向他们请教远比自己在那冥思苦想来得快。

模电知识点归纳2(完全版).docx

第一章常用半导体器件 1 ．什么是杂质半导体？有哪 2 种杂质半导体？ 2 ．什么是 N 型杂质半导体？在N 型半导体中，掺入高浓度的三价硼元素是否可以改型为 P型半导体？ 3 ．什么是 P 型杂质半导体？在P 型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素是否可以改型为N 型半导体？ 4 ．什么是 PN 结？ PN 结具有什么样的导电性能？ 5 ．二极管的结构？画出二极管的电路符号，二极管具有什么样的导电性能？ 6 ．理想二极管的特点？ 7 ．什么是稳压管？电路符号？正向导通，反向截止，反向击穿分别具有什么样的特点？稳 定电压 Uz 指的是什么？稳定电流Iz 和最大稳定电流分别指的什么？ 8 ．二极管的主要应用电路有那些？掌握二极管的开关电路，限幅电路和整流电路的分析。 （1 ）二极管的开关电路， D 为理想二极管，求U AO （2 ）二极管的限幅电路

D 为理想二极管时的输出波形 D 为恒压降模型时的输出波形（3 ）二极管的单相半波整流电路，求负载上输出电压的平均值（即所含的直流电压）

（4 ）二极管单相桥式全波整流电路，求负载上输出电压的平均值（即所含的直流电压） 如果图中四个二极管全 部反过来接，求负载上输 出电压的平均值？ （5）二极管的单相全波整流电容滤波电路，定性画出负载上的输出电压的波 形求负载上输出电压的平均值（即所含的直流电压）

（6）二极管的单相全波整流电容滤波电路，定性画出负载上的输出电压的波 形求负载上输出电压的平均值（即所含的直流电压） 9 ．什么是晶体管？它的结构和电路符号？（见教材P29 页），晶体管是一种电流控制器件， 用来表示晶体管的电流控制能力的一个参数是什么？工作在电流放大状态下的电流控 制方程是什么？

(完整版)模电学习心得集

个人建议：认真分析几个典型电路，主要掌握晶体管的等效模型，以及在电路中怎么等效。其他的都很容易解决了。只要会等效了，模电就是完全是电路的内容。其实一点都不可怕，开始不要太关注乱七八糟的内容，抓住主要的，次要的回过头来很容易解决。 我现在大三，自动化的。个人建议就是，不要要求每字每句都会，大概的了解那些理论，就可以。在以后的学习中，你会慢慢地发现，理解原来的知识的！ 二极管的特性、晶体管的基本放大电路、集成运放的虚断虚短，稳压电路， 电路中电阻电容等器件的作用.... 笔试通常都考这些~~ 首先该明白这门课的研究对象，其实这门课可以说是电路理论的延伸。其中要运用到电路理论的分析方法，所不同的是，新增加了不少复杂的电气元器件。 说到元器件，首先接触到的便是二、三极管。不论哪种版本的教材，一开始都会介绍pn结的特性，个人觉得可以不要太在乎里面的结构，但其特性方程是一定要记得的。然后，二极管比较简单，就是一个单一的pn结，在电路中的表现在不同情况下可以用不同的模型解决（理想模型、恒压降模型、小信号模型，前两者是用于直流分析的，而最后一个是用于交流分析的）。而对于三极管，就相对来说复杂些，在此本人不想说书上有的东西，只想强调一下学习中该注意的问题： 1、对于三极管，它总共有三种工作状态，当它被放在电路中时，我们所要做的第一件事就是判断它在所给参数下的工作状态。（在模电的习题中，除非那道题是专门地考你三极管的状态，否则都是工作在放大区，因为只有这样，管子才能发挥我们想它有的效用。但在数电中，我们却是靠管子的不同状态的切换来做控制开关用的） 2、既然管子基本在放大区，那么它的直流特性就有：be结的电压为0.7V（硅管，锗管是0.2V），发射极电流约等于集电集电流并等于基极电流的β倍。通过这几个已知的关系，我们可以把管子的静态工作点算出来——所谓静态工作点就是：ce间电压，三个极分别的电流。 3、为什么我们得先算出静态工作点呢？这就要弄清直流和交流之间的关系了：在模电里，我们研究的对象都是放大电路，而其中的放大量都是交流信号，并且是比较微弱的交流信号。大家知道，三极管要工作是要一定的偏置条件的，而交流信号又小又有负值，所以我们不能直接放大交流信号，在此我们用的方法就是：给管子一个直流偏置，让它在放大区工作，然后在直流上叠加一个交流信号（也就是让电压波动，不过不是像单一的正弦波一样围绕0波动，而是围绕你加的那个直流电压波动），然后由于三极管的性质，就能产生放大的交流信号了。 4、关于分析电路：从以上的叙述，我们可以看出分析电路应该分为两部分：直流分析和交流分析。不同的分析下，电路图是不一样的，这是因为元件在不同的量下，它的特性不同。（例如电容在直流下就相当于开路，而在交流下可以近似为短路）。而三极管，在交流下就有一个等效模型，也就是把be间等效为一个电阻，ce间等效为一个受控电流源，其电流值为be间电流的贝塔倍。这样分析就可以很好的进行下去了

数电模电超有用知识点,值得拥有

《数字电子技术》重要知识点汇总 一、主要知识点总结和要求 1．数制、编码其及转换：要求：能熟练在10进制、2进制、8进制、16进制、8421BCD 、格雷码之间进行相互转换。 举例1：（37.25）10= ( )2= ( )16= ( )8421BCD 解：（37.25）10= ( 100101.01 )2= ( 25.4 )16= ( 00110111.00100101 )8421BCD 2．逻辑门电路： (1)基本概念 1）数字电路中晶体管作为开关使用时，是指它的工作状态处于饱和状态和截止状态。 2）TTL 门电路典型高电平为3.6 V ，典型低电平为0.3 V 。 3）OC 门和OD 门具有线与功能。 4）三态门电路的特点、逻辑功能和应用。高阻态、高电平、低电平。 5）门电路参数：噪声容限V NH 或V NL 、扇出系数N o 、平均传输时间t pd 。 要求：掌握八种逻辑门电路的逻辑功能；掌握OC 门和OD 门，三态门电路的逻辑功能；能根据输入信号画出各种逻辑门电路的输出波形。 举例2：画出下列电路的输出波形。 解：由逻辑图写出表达式为：C B A C B A Y ++=+=，则输出Y 见上。 3．基本逻辑运算的特点： 与 运 算：见零为零，全1为1；或 运 算：见1为1，全零为零； 与非运算：见零为1，全1为零；或非运算：见1为零，全零为1； 异或运算：相异为1，相同为零；同或运算：相同为1，相异为零； 非 运 算：零 变 1， 1 变 零； 要求：熟练应用上述逻辑运算。 4. 数字电路逻辑功能的几种表示方法及相互转换。 ①真值表（组合逻辑电路）或状态转换真值表（时序逻辑电路）：是由变量的所有可能取值组合及其对应的函数值所构成的表格。 ②逻辑表达式：是由逻辑变量和与、或、非3种运算符连接起来所构成的式子。 ③卡诺图：是由表示变量的所有可能取值组合的小方格所构成的图形。

模电知识点归纳2(完全版)

第一章常用半导体器件 1．什么是杂质半导体？有哪2种杂质半导体？ 2．什么是N型杂质半导体？在N型半导体中，掺入高浓度的三价硼元素是否可以改型为P型半导体？ 3．什么是P型杂质半导体？在P型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素是否可以改型为N 型半导体？ 4．什么是PN结？PN结具有什么样的导电性能？ 5．二极管的结构？画出二极管的电路符号，二极管具有什么样的导电性能？ 6．理想二极管的特点？ 7．什么是稳压管？电路符号？正向导通，反向截止，反向击穿分别具有什么样的特点？稳定电压Uz指的是什么？稳定电流Iz和最大稳定电流分别指的什么？ 8．二极管的主要应用电路有那些？掌握二极管的开关电路，限幅电路和整流电路的分析。（1）二极管的开关电路，D为理想二极管，求U AO （2）二极管的限幅电路

D为理想二极管时的输出波形D为恒压降模型时的输出波形（3）二极管的单相半波整流电路，求负载上输出电压的平均值（即所含的直流电压）

（4）二极管单相桥式全波整流电路，求负载上输出电压的平均值（即所含的直流电压） 如果图中四个二极管全 部反过来接，求负载上输 出电压的平均值？ （5）二极管的单相全波整流电容滤波电路，定性画出负载上的输出电压的波形求负载上输出电压的平均值（即所含的直流电压）

（6）二极管的单相全波整流电容滤波电路，定性画出负载上的输出电压的波形求负载上输出电压的平均值（即所含的直流电压） 9．什么是晶体管？它的结构和电路符号？（见教材P29页），晶体管是一种电流控制器件，用来表示晶体管的电流控制能力的一个参数是什么？工作在电流放大状态下的电流控制方程是什么？

数电 模电面试总结

一、模拟电路 1基尔霍夫定理的内容是什么？（仕兰微电子） 基尔霍夫电流定律是一个电荷守恒定律,即在一个电路中流入一个节点的电荷与流出同一个节点的电荷相等. 基尔霍夫电压定律是一个能量守恒定律,即在一个回路中回路电压之和为零. 2、平板电容公式(C=εS/4πkd)。（未知） 3、最基本的如三极管曲线特性。（未知） 4、描述反馈电路的概念，列举他们的应用。（仕兰微电子） 5、负反馈种类（电压并联反馈，电流串联反馈，电压串联反馈和电流并联反馈）；负反馈的优点（降低放大器的增益灵敏度，改变输入电阻和输出电阻，改善放大器的线性和非线性失真，有效地扩展放大器的通频带，自动调节作用）（未知） 6、放大电路的频率补偿的目的是什么，有哪些方法？（仕兰微电子） 7、频率响应，如：怎么才算是稳定的，如何改变频响曲线的几个方法。（未知） 8、给出一个查分运放，如何相位补偿，并画补偿后的波特图。（凹凸） 9、基本放大电路种类（电压放大器，电流放大器，互导放大器和互阻放大器），优缺点，特别是广泛采用差分结构的原因。（未知） 10、给出一差分电路，告诉其输出电压Y 和Y-,求共模分量和差模分量。（未知） 11、画差放的两个输入管。（凹凸） 12、画出由运放构成加法、减法、微分、积分运算的电路原理图。并画出一个晶体管级的运放电路。（仕兰微电子） 13、用运算放大器组成一个10倍的放大器。（未知） 14、给出一个简单电路，让你分析输出电压的特性（就是个积分电路），并求输出端某点的rise/fall时间。(Infineon笔试试题) 15、电阻R和电容C串联，输入电压为R和C之间的电压，输出电压分别为C上电压和R 上电压，要求制这两种电路输入电压的频谱，判断这两种电路何为高通滤波器，何为低通滤波器。当RC

模拟电子技术课程设计报告

课程设计报告 题目方波、三角波、正弦波信号 发生器设计 课程名称模拟电子技术课程设计 院部名称机电工程学院 专业10自动化 班级10自动化 学生姓名吉钰源 学号1004104001 课程设计地点 C206 课程设计学时 1周 指导教师赵国树 金陵科技学院教务处制成绩

目录 1、绪论 (3) 1.1相关背景知识 (3) 1.2课程设计目的 (3) 1.3课程设计的任务 (3) 1.4课程设计的技术指标 (3) 2、信号发生器的基本原理 (4) 2.1总体设计思路 (4) 2.2原理框图 (4) 3、各组成部分的工作原理 (5) 3.1 正弦波产生电路 (5) 3.1.1正弦波产生电路 (5) 3.1.2正弦波产生电路的工作原理 (6) 3.2 正弦波到方波转换电路 (7) 3.2.1正弦波到方波转换电路图 (7) 3.2.2正弦波到方波转换电路的工作原理 (8) 3.3 方波到三角波转换电路 (9) 3.3.1方波到三角波转换电路图 (9) 3.3.2方波到三角波转换电路的工作原理 (10) 4、电路仿真结果 (11) 4.1正弦波产生电路的仿真结果 (11) 4.2 正弦波到方波转换电路的仿真结果 (11) 4.3方波到三角波转换电路的仿真结果 (13) 5、电路调试结果 (13) 5.1正弦波产生电路的调试结果 (13) 5.2正弦波到方波转换电路的调试结果 (14) 5.3方波到三角波转换电路的调试结果 (14) 6、设计结果分析与总结 (15)

1、绪论 1.1相关背景知识 由于物理学的重大突破，电子技术在20世纪取得了惊人的进步。特别是近50年来，微电子技术和其他高技术的飞速发展，致使农业、工业、科技和国防等领域发生了令人瞩目的变革。与此同时，电子技术也正在改变着人们日常生活。在电子技术中，信号发生器是一种能够产生多种波形,如三角波、锯齿波、矩形波（含方波）、正弦波的电路被称为函数信号发生器。函数信号发生器在电路实验和设备检测中具有十分广泛的用途，可以用于生产测试、仪器维修和实验室，还广泛使用在其它科技领域，如医学、教育、化学、通讯、地球物理学、工业控制、军事和宇航等。它是一种不可缺少的通用信号源。 1.2课程设计目的 通过本次课程设计所要达到的目的是：增进自己对模拟集成电路方面所学知识的理解，提高自己在模拟集成电路应用方面的技能，树立严谨的科学作风，培养自身综合运用理论知识解决实际问题的能力。通过电路设计初步掌握工程设计方法，逐步熟悉开展科学实践的程序和方法，为后续课程的学习和今后从事的实际工作提供引导性的背景知识，打下必要的基础。 1.3课程设计的任务 ①设计一个方波、三角波、正弦波函数发生器； ②能同时输出一定频率一定幅度的三种波形：正弦波、方波和三角波； ③用±12V电源供电； 先对课程设计任务进行分析，及根据参数的确定选择出一种最适合本课题的方案。在达到课题要求的前提下保证最经济、最方便、最优化的设计策略。然后运用仿真软件Multisim对电路进行仿真，观察效果并与课题要求的性能指标作对比。仿真成功后，用实物搭建电路，进行调试，观测示波器输出的波形。 1.4课程设计的技术指标 ①设计、组装、调试信号发生器； ②输出波形：正弦波、方波、三角波； ③频率范围在10Hz~10000Hz范围内可调； ④比较器用LM339,运算放大器用LM324，双向稳压管用两个稳压管代替。

模电知识点总结

第一章绪论 1.掌握放大电路的主要性能指标：输入电阻，输出电阻，增益，频率响应，非线性失真 2.根据增益，放大电路有那些分类：电压放大，电流放大，互阻放大，互导放大 第二章预算放大器 1.集成运放适合于放大差模信号 2.判断集成运放2个输入端虚短虚断如：在运算电路中，集成运放的反相输入端是否均 为虚地。 3.运放组成的运算电路一般均引入负反馈 4.当集成运放工作在非线性区时，输出电压不是高电平，就是低电平。 5.根据输入输出表达式判断电路种类 同相：两输入端电压大小接近相等，相位相等。 反相：虚地。 第三章二极管及其基本电路 1.二极管最主要的特征：单向导电性 2.半导体二极管按其结构的不同，分为面接触型和点接触型 3.面接触型用于整流。点接触型用于高频电路和数字电路 4.杂质半导体中少数载流子浓度只与温度有关 5.掺杂半导体中多数载流子主要来源于掺杂 6.在常温下硅二极管的开启电压为0.5伏，锗二极管的开启电压为0.1伏 7.硅二极管管压降0.7伏，锗二极管管压降0.2伏 8.PN结的电容效应是势垒电容,扩散电容 9.PN结加电压时,空间电荷区的变化情况 正向电压:外电场将多数载流子推向空间电荷区,使其变窄,削弱内电场,扩散加剧 反向电压:外电场使空间电荷区变宽,加强内电场,阻止扩散运动进行 10.当PN结处于正向偏置时,扩散电容大.当PN结反向偏置时,势垒电容大 11.稳压二极管稳压时,工作在反向击穿区.发光二极管发光时,工作在正向导通区 12.稳压管称为齐纳二极管 13.光电二极管是将光信号转换为电信号的器件,它在PN结反向偏置状态下运行,反向电压 下进行,反向电流随光照强度的增加而上升 14.如何用万用表测量二极管的阴阳极和判断二极管的质量优劣?用万用表的欧姆档测量二 极管的电阻,记录下数值,然后交换表笔在测量一次,记录下来.两个结果,应一大一小,读数小的那次,黑表笔接的是阳极,红表笔接的是阴极.这个读数相差越多,二极管的质量越好. 当两个读数都趋于无穷大时,二极管断路.当两个读数都趋于零时,二极管短路 第四章双极结型三极管及放大电路 1.半导体三极管又称双极结型三极管,简称BJT是放大器的核心器件 2.采用微变等效电路求放大电路在小信号运用时,动态特性参数 3.晶体三极管可以工作在: 放大区,发射结正偏,集电极反偏 饱和区,发射结集电极正偏 截止区,发射结集电极反偏 4.NPN,PNP,硅锗管的判断 5.工作在放大区的三极管，若当I b 以12A μ增大到22A μ时，I c 从1mA变为2mA，β约 为100