一、正确配置AVR的熔丝位
对AVR熔丝位的配置是比较细致的工作，用户往往忽视其重要性，或感到不易掌握。下面给出对AVR 熔丝位的配置操作时的一些要点和需要注意的相关事项。
（1）在AVR的器件手册中，对熔丝位使用已编程（Programmed）和未编程（Unprogrammed）定义熔丝位的状态，“Unprogrammed”表示熔丝状态为“1”（禁止）；“Programmed”表示熔丝状态为“0”（允许）。因此，配置熔丝位的过程实际上是“配置熔丝位成为未编程状态“1”或成为已编程状态“0””。
（2）在使用通过选择打钩“√”方式确定熔丝位状态值的编程工具软件时，请首先仔细阅读软件的使用说明，弄清楚“√”表示设置熔丝位状态为“0”还是为“1”。
（3）使用CVAVR中的编程下载程序时应特别注意，由于CVAVR编程下载界面初始打开时，大部分熔丝位的初始状态定义为“1”，因此不要使用其编程菜单选项中的“all”选项。此时的“all”选项会以熔丝位的初始状态定义来配置芯片的熔丝位，而实际上其往往并不是用户所需要的配置结果。如果要使用“all”选项，应先使用“read->fuse bits”读取芯片中熔丝位实际状态后，再使用“all” 选项。
（4）新的AVR芯片在使用前，应首先查看它熔丝位的配置情况，再根据实际需要，进行熔丝位的配置，并将各个熔丝位的状态记录备案。
（5）AVR芯片加密以后仅仅是不能读取芯片内部Flash和E2PROM中的数据，熔丝位的状态仍然可以读取但不能修改配置。芯片擦除命令是将Flash和E2PROM中的数据清除，并同时将两位锁定位状态配置成“11”，处于无锁定状态。但芯片擦除命令并不改变其它熔丝位的状态。
（6）正确的操作程序是：在芯片无锁定状态下，下载运行代码和数据，配置相关的熔丝位，最后配置芯片的锁定位。芯片被锁定后，如果发现熔丝位配置不对，必须使用芯片擦除命令，清除芯片中的数据，并解除锁定。然后重新下载运行代码和数据，修改配置相关的熔丝位，最后再次配置芯片的锁定位。
（7）使用ISP串行方式下载编程时，应配置SPIEN熔丝位为“0”。芯片出厂时SPIEN位的状态默认为“0”，表示允许ISP串行方式下载数据。只有该位处于编程状态“0”，才可以通过AVR的SPI口进行ISP 下载，如果该位被配置为未编程“1”后，ISP串行方式下载数据立即被禁止，此时只能通过并行方式或JTAG 编程方式才能将SPIEN的状态重新设置为“0”，开放ISP。通常情况下，应保持SPIEN的状态为“0”，允许ISP编程不会影响其引脚的I/O功能，只要在硬件电路设计时，注意ISP接口与其并接的器件进行必要的隔离，如使用串接电阻或断路跳线等。
（8）当你的系统中，不使用JTAG接口下载编程或实时在线仿真调试，且JTAG接口的引脚需要作为I/O口使用时，必须设置熔丝位JTAGEN的状态为“1”。芯片出厂时JTAGEN的状态默认为“0”，表示允许JTAG接口，JTAG的外部引脚不能作为I/O口使用。当JTAGEN的状态设置为“1”后，JTAG接口立即被禁止，此时只能通过并行方式或ISP编程方式才能将JTAG重新设置为“0”，开放JTAG。
（9）一般情况下不要设置熔丝位把RESET引脚定义成I/O使用（如设置ATmega8熔丝位RSTDISBL 的状态为“0”），这样会造成ISP的下载编程无法进行，因为在进入ISP方式编程时前，需要将RESET引脚拉低，使芯片先进入复位状态。
（10）使用内部有RC振荡器的AVR芯片时，要特别注意熔丝位CKSEL的配置。一般情况下，芯片出厂时CKSEL位的状态默认为使用内部1MHz的RC振荡器作为系统的时钟源。如果你使用了外部振荡器作为系统的时钟源时，不要忘记首先正确配置CKSEL熔丝位，否则你整个系统的定时都会出现问题。而当在你的设计中没有使用外部振荡器（或某钟特定的振荡源）作为系统的时钟源时，千万不要误操作或错误的把CKSEL熔丝位配置成使用外部振荡器（或其它不同类型的振荡源）。一旦这种情况产生，使用ISP编程方式则无法对芯片操作了（因为ISP方式需要芯片的系统时钟工作并产生定时控制信号），芯片
看上去“坏了”。此时只有使用取下芯片使用并行编程方式，或使用JTAG方式（如果JTAG为允许时且目标板上留有JTAG接口）来解救了。另一种解救的方式是：尝试在芯片的晶体引脚上临时人为的叠加上不同类型的振荡时钟信号，一旦ISP可以对芯片操作，立即将CKSEL配置成使用内部1MHz的RC振荡器作为系统的时钟源，然后再根据实际情况重新正确配置CKSEL。
（11）使用支持IAP的AVR芯片时，如果你不使用BOOTLOADER功能，注意不要把熔丝位BOOTRST设置为“0”状态，它会使芯片在上电时不是从Flash的0x0000处开始执行程序。芯片出厂时BOOTRST位的状态默认为“1”。关于BOOTRST的配置以及BOOTLOADER程序的设计与IAP的应用请参考本章相关内容。
二、AVRmega16单片机中重要熔丝位的配置
（1）CLKSEL[3:0]：用于选择系统的时钟源。
（2）SPIEN：SPI下载使能位。默认状态为允许“0”。
（3）WDTON：WDT定时器始终开启设置位。默认为“1”，表示禁止WDT始终开启。
（4）EESAVE：执行擦除命令时是否保留EEPROM中的内容，默认状态为“1”，表示执行片内擦除命令时，EERPOM中的内容和Flash中的内容一同被擦除。
（5）BOOTRST：决定芯片上电时，第一条执行指令的所在地址。默认状态为“1”，表示启动时从
0x0000开始执行。如果BOOTRST设置为“0”，则启动时从Bootloader区的（6）起始地址处开始执行程序。
（7）BOOTSZ1和BOOTSZ0：确定Bootloader区的大小及其起始的首地址。默认状态为“00”，表示Bootloader区为1024个字的大小，起始首地址为0x1C00。
三、JTAG口的使用与配置
AVRmega16上，JTAG的4个端口与PC口中的4位使用相同的引脚（TDI/PC5、TDO/PC4、TMS/PC3和TCK/PC2），如果使用JTAG口的功能，一旦设置JTAG接口处于使能状态，那么PC[5:2]就不能作为通常的I/O口使用了，这就意味着减少了可用的I/O口线。
在AVRmega16中，使用两个熔丝位（JTAGEN和OCDEN）和MCUCSR寄存器中的JTD位对JTAG 进行控制。其中JTD位可以由程序指令进行改变。下表给出3个控制位对JTAG的控制
注：JTD控制位上电复位的初值是“0”，同时为了防止意外开启或关闭JTAG口，需要使用特定的指令操作时序对JTD进行设置：必须在4个时钟周期内对JTD位重复2次写入，才能将JTD标志设置成所希望的值。
四、提高系统可靠性的熔丝位配置
（1）BOD功能：对系统电压进行检测的功能，一旦系统电压低于设定的门限电压后，AVR将自动停止正常运行，进入复位状态。
对于5V系统，设置BOD电平为4.0V，然后允许BOD检测。
对于3V系统，设置BOD电平为2.7V，然后允许BOD检测。
（2）延时启动时间：通过AVR熔丝位配置，最长延时启动时间达到65ms。
（3）CKOPT熔丝位的使用：在引脚XTAL1和XTAL2上外接由石英晶体并配合片内的OSC振荡电路构成的振荡源时，CKOPT的作用是控制片内OSC振荡电路的振荡幅度；CKOPT="1"时，振荡电路为半幅振荡；CKOPT="0"时，振荡电路为全幅振荡；
当系统时钟频率较高（>8MHz）或要求抗干扰能力强时，应该设置CKOPT为“0”。当系统时钟频率较低（<2MHz）时，可以考虑将CKOPT设置为“1”（出厂默认值），这样可以减少电流的消耗。
五、AVR Studio熔丝位配置应用举例
通过下图的方法打开连接：
使用操作界面如下：（(注意：下图中，打勾的表示选中，代表0。没有打勾的表示1）
上图的资料有很多相关项，你需要认识以下的代码，以理解意思。英文翻译说明如下
注：以上中文是对照ATmega16的中、英文版本数据手册而翻译。尽量按照了官方的中文术语。
应用举例：
比如我们想使用片内的RC振荡(即不需要接晶振)，可以选择下面三者之一：
?[CKSEL=0100 SUT=10] Int. RC Osc. 1 MHz; Start-up time: 6 CK + 0 ms;
?[CKSEL=0100 SUT=00] Int. RC Osc. 1 MHz; Start-up time: 6 CK + 4 ms;
?[CKSEL=0100 SUT=01] Int. RC Osc. 1 MHz; Start-up time: 6 CK + 64 ms;
如图：内部1M晶振，默认情况典型设置。（两个图分别为上下两部分，没有显示的部分均为不选中状态。）
下图显示的是选择内部晶振，1 Mhz RC
比如我们想使用外部7.3728M晶振，可以选择下面三者之一：
?[CKSEL=1111 SUT=01]Ext. Crystal/Resonator High Freq.; Start-up time: 16K CK + 0 ms;
?[CKSEL=1111 SUT=10]Ext. Crystal/Resonator High Freq.; Start-up time: 16K CK + 4 ms;
?[CKSEL=1111 SUT=11]Ext. Crystal/Resonator High Freq.; Start-up time: 16K CK + 64 ms;
如下两图：7.3728M晶振典型融丝位（及本站的开发板使用时候的典型设置）
Mega128的熔丝位
ATmega128是avr系列中一款高性能的芯片，设计的时候兼容M103模式，但是这个M103模式经常害人。基于此，说说ATmega128的熔丝位，顺便说说其他的功能。
默认情况下M103模式是选中的，应该将其去掉；晶振是内部1M晶振，如果你使用外部晶振，应该进行修改。M128可以开启硬件的看门狗，选中此项，看门狗不需要程序初始化，只需要程序里面喂狗就可以了。
默认熔丝第一部分
M103兼容模式，使能JTAG，使能SPI，Bootloader区大小4096，未使能BOOT。
默认熔丝第二部分
DOD为2.7V，内部1M晶振。
下图取消M103模式，使用M128模式，使用外部7.3728M晶振。
典型熔丝第一部分（只说修改部分）
去掉了M103，从而使用M128模式。
典型熔丝第二部分
选择最后一项，即使用外部高频晶振。
什么是熔丝位? 熔丝是一个保护知识产权的设计。简单的说，你在特定的引脚上加电压，足够的电流，就可以烧断里边的这根熔丝，烧断以后，片里的程序就不可以被读出来也不能改写了，只能用来运行。一般成品出售时都这样做。专用的写片机支持这个功能。自己也可以根据芯片的官方文档来操作。熔丝位是在一个特定的地址上可以读到熔丝状态的一个位。0表示已熔断，1表示未熔断。 熔丝位介绍 AVR Studio中STK500处理熔丝位有巨大的优势：它是以功能组合让用户配置。这种方式与小马(PonyProg2000,SL-ISP)相比，具有以下的优势(优势是如此明显，可以用“巨大优势”来形容)：有效避免因不熟悉熔丝位让芯片锁死(这是初学者的恶梦)，笔者曾经锁死过三片Atmega16。不需要靠记忆与查文档，就能配置熔丝位(这也是初学者的恶梦)动手之前：请你一定弄清楚了，你这样改会有什么后果，除非你有很多钱不在乎多锁死几个芯片。 AVR单片机熔丝位设置 熔丝配置错，单片机被锁，非常抑闷，这篇文章具有一定价值，留作下次配置时参考之用。 对AVR熔丝位的配置是比较细致的工作，用户往往忽视其重要性，或感到不易掌握。下面给出对AVR熔丝位的配置操作时的一些要点和需要注意的相关事项。有关ATmega128熔丝位的具体定义和功能请查看本书相关章节，在附录中将给出一个完整的汇总表。 （1）在AVR的器件手册中，对熔丝位使用已编程（Programmed）和未编程（Unprogrammed）定义熔丝位的状态，“Unprogrammed”表示熔丝状态为“1”（禁止）；“Programmed”表示熔丝状态为“0”（允许）。因此，配置熔丝位的过程实际上是“配置熔丝位成为未编程状态“1”或成为已编程状态“0””。 （2）在使用通过选择打钩“√”方式确定熔丝位状态值的编程工具软件时，请首先仔细阅读软件的使用说明，弄清楚“√”表示设置熔丝位状态为“0”还是为“1”。 （3）使用CVAVR中的编程下载程序时应特别注意，由于CVAVR编程下载界面初始打开时，大部分熔丝位的初始状态定义为“1”，因此不要使用其编程菜单选项中的“all”选项。此时的“all”选项会以熔丝位的初始状态定义来配置芯片的熔丝位，而实际上其往往并不是用户所需要的配置结果。如果要使用“all”选项，应先使用“read->fuse bits”读取芯片中熔丝位实际状态后，再使用“all”选项。
熔丝选择指南 熔丝选择过程中所涉及的诸多因素罗列如下: 1.正常工作电流; 2.应用电压(AC或DC); 3.环境温度; 4.过载电流与熔丝必须熔断的时间; 5.最大故障电流; 6.脉冲、冲击电流，涌入电流，启动电流和电路瞬变值； 7.结构尺寸限制，如长度、直径或高度； 8.必要的机构鉴定书，如UL，CSA，VDE等军事部门等机构； 9.需要考虑的事项：容易更换，轴向引线，目测指示等； 10.熔丝座部件：保险丝夹，安装盒，面板安装，P.C.板安装，射频干扰屏等等。 正常工作电流：在25℃条件下运行，熔丝的电流额定值通常要减少25%以避免干扰熔断。例如，一个电流额定值为10A的熔丝通常不推荐在25℃环境温度下在大于7.5A的电流下操作。欲知详情，请见前面的“额定值减少”和下面的“环境温度”。 电压：熔丝的电压额定值必须等于或大于有效的电路电压。有关例外的情况请见“电压额定值”。 环境温度：熔丝的电流承载能力试验是在25℃环境温度下进行的，这种试验受环境温度变化的影响。环境温度越高，熔丝的工作温度就越高，其寿命就越短。相反，在较低的温度下操作将延长熔丝的寿命。当正常工作电流达到或超过所选熔丝的额定电流时，熔丝也逐渐变得越热。实际经验表明，在室温下，如果在不大于表列熔丝额定电流数值的75%条件下使用的话，那么熔丝应该无限期操作下去。 以下为环境温度对电流承载能力影响的典型曲线图：
其中： 曲线A：为传统的慢熔断熔丝的曲线； 曲线B：为特快熔断，快熔断和螺旋绕制的熔丝的曲线； 曲线C：自复聚合物保护器的曲线； *除额定值的减少之外还有环境温度的影响，请见例子。 例子：在某一使用场合，给定的正常电流为1.5A，采用一种传统的慢断熔丝，在室温下工作，则： 表列熔丝额定值=正常工作主电流/0.75 即1.5A/0.75=2.0A熔丝（在25℃下） 同样，如果该同一熔丝在70℃高温的环境温度下工作，就必须额外减少工作电流，环境温度曲线图中的曲线A（传统的慢熔断熔丝表明）70℃时的最大运行额定值的百分比为80%，在这种情况下， 表列熔丝额定值=正常工作主电流/0.75*额定值有百分比 即1.5A/0.75*0.80=2.5A熔丝（在70℃下） 过载电流情况：这是当电路需要保护时的电流强度。（故障情况可用当破坏发生前的承载电流或同时用所受的最长时间来表示。）要试图使熔丝的特性与电路的需要相匹配，就应考虑时间-电流特性曲线，同时还应时时考虑时间-电流特性曲线是以平均数值为根据的。
AVR单片机熔丝位设置详解 1、BOD(Brown-out Detection 掉电检测电路 BODLEVEL(BOD电平选择: 1: 2.7V电平； 0：4.0V电平。这需要根据芯片的工作电压来选择。 BODEN(BOD功能控制: 1：BOD功能禁止；0：BOD功能允许 使用方法：如果BODEN使能(复选框选中启动掉电检测，则检测电平由BODLEVEL决定。一旦VCC下降到触发电平(2.7v或4.0v以下，MCU复位；当VCC电平大于触发电平后，经过tTOUT 延时周后重新开始工作。 2、复位启动时间选择 SUT 1/0: 当选择不同晶振时，SUT有所不同。如果没有特殊要求，推荐SUT 1/0设置复位启动时间稍长，使电源缓慢上升（即SUT1：0；SUT0：1）。 3、CKSEL3/2/10: 时钟源选择。芯片出厂的默认情况下，CKSEL3—0和SUT1、SYT0分别设置为“0001”和“10”，这样将使用芯片8mHz的内部晶振和使用最长的启动延时。 配置方法： 4、M103：设置ATmega103兼容方式工作。出厂时的默认设置为0，即以ATmega103兼容模式下运行。 5、JTAGEN：如果不使用JTAG接口，应该将JTAGEN的状态设置为1，即禁止JTAG功能，JTAG 引脚用于I/O接口。 6、SPIEN：SPI方式下载数据和程序允许，默认状态为允许0，一般保留其状态。 7、WDTON:看门狗定时器始终开启。默认情况下为“1”，即禁止看门狗定时器始终开启。选择为“0”表示看门狗定时器始终开启，建议设置为0，防止程序跑飞。 8、EESAVE：EESAVE设置为“1”表示对芯片进行擦除操作时，flash和EEPROM中的数据一同擦除，设置为“0”表示擦除操作只对flash中的数据有效而对EEPROM无效。芯片出厂的默认设置为“1”。在实际应用中需要根据实际需要进行设置。
（1）熔断器的安秒特性 熔断器的动作是靠熔体的熔断来实现的，当电流较大时，熔体熔断所需的时间就较短。而电流较小时，熔体熔断所需用的时间就较长，甚至不会熔断。因此对熔体来说，其动作电流和动作时间特性即熔断器的安秒特性，为反时限特性，如图所示。 图熔断器的安秒特性 每一熔体都有一最小熔化电流。相应于不同的温度，最小熔化电流也不同。虽然该电流受外界环境的影响，但在实际应用中可以不加考虑。一般定义熔体的最小熔断电流与熔体的额定电流之比为最小熔化系数，常用熔体的熔化系数大于1.25，也就是说额定电流为10A的熔体在电流12.5A以下时不会熔断。熔断电流与熔断时间之间的关系如表1-2所示。 从这里可以看出，熔断器只能起到短路保护作用，不能起过载保护作用。如确需在过载保护中使用，必须降低其使用的额定电流，如8A的熔体用于10A的电路中，作短路保护兼作过载保护用，但此时的过载保护特性并不理想。 表1-2熔断电流与熔断时间之间的关系 （2）熔断器的选择 主要依据负载的保护特性和短路电流的大小选择熔断器的类型。对于容量小的电动机和照明支线，常采用熔断器作为过载及短路保护，因而希望熔体的熔化系数适当小些。通常选用铅锡合金熔体的RQA系列熔断器。对于较大容量的电动机和照明干线，则应着重考虑短路保护和分断能力。通常选用具有较高分断能力的RM10和RL1系列的熔断器；当短路电流很大时，宜采用具有限流作用的RT0和RTl2系列的熔断器。 熔体的额定电流可按以下方法选择： 1）保护无起动过程的平稳负载如照明线路、电阻、电炉等时，熔体额定电流略大于或等于负荷电路中的额定电流。 2）保护单台长期工作的电机熔体电流可按最大起动电流选取，也可按下式选取： IRN ≥(1.5～2.5)IN 式中IRN--熔体额定电流；IN--电动机额定电流。如果电动机频繁起动，式中系数可适当加大至3～3.5，具体应根据实际情况而定。 3）保护多台长期工作的电机（供电干线） IRN ≥(1.5～2.5)IN max+ΣIN IN max-容量最大单台电机的额定电流。ΣIN其余.电动机额定电流之和。 （3）熔断器的级间配合 为防止发生越级熔断、扩大事故范围，上、下级(即供电干、支线)线路的熔断器间应有良好配合。选用时，应使上级(供电干线)熔断器的熔体额定电流比下级(供电支线)的大1～2个级差。 常用的熔断器有管式熔断器R1系列、螺旋式熔断器RLl系列、填料封闭式熔断器RT0系列
ICCAVR-AVR_BootLoader-AVR BootLoader详解 ATmega128具备引导加载支持的用户程序自编程功能(In-System Programming by On-chipBoot Program)，它提供了一个真正的由MCU 本身自动下载和更新（采用读/写同时"Read-While-Write"进行的方式）程序代码的系统程序自编程更新的机制。利用AVR的这个功能，可以实现在应用编程（IAP）以及实现系统程序的远程自动更新的应用。 IAP的本质就是，MCU可以灵活地运行一个常驻Flash的引导加载程序（Boot Loader Program），实现对用户应用程序的在线自编程更新。引导加载程序的设计可以使用任何的可用的数据接口和相关的协议读取代码，或者从程序存储器中读取代码，然后将代码写入（编程）到Flash存储器中。 引导加载程序有能力读写整个Flash存储器，包括引导加载程序所在的引导加载区本身。引导加载程序还可以对自身进行更新修改，甚至可以将自身删除，使系统的自编程能力消失。引导加载程序区的大小可以由芯片的熔丝位设置，该段程序区还提供两组锁定位，以便用户选择对该段程序区的不同级别的保护。 本节将给出一个实际的的Boot Loader程序，它可以配合Windows中的超级终端程序，采用Xmodem传输协议，通过RS232接口下载更新用户的应用程序。 5.2.1 基本设计思想 1．Boot Loader程序的设计要点 Boot Loader程序的设计是实现IAP的关键，它必须能过通过一个通信接口，采用某种协议正确的接收数据，再将完整的数据写入到用户程序区中。本例Boot Loader程序的设计要点有： （1）采用ATmega128的USART口实现与PC之间的简易RS232三线通信； （2）采用Xmodem通信协议完成与PC机之间的数据交换； （3）用户程序更新完成后自动转入用户程序执行； （4）Boot Loader程序采用C语言内嵌AVR汇编方式编写，阅读理解方便，可移植性强，代码小于1K字。 2．Xmodem通信协议 Xmodem协议是一种使用拨号调制解调器的个人计算机通信中广泛使用的异步文件运输协议。这种协议以128字节块的形式传输数据，并且每个块都使用一个校验和过程来进行错误检测。如果接收方关于一个块的校验和与它在发送方的校验和相同时，接收方就向发送方发送一个认可字节。为了便于读者阅读程序，下面简要说明该协议的主要特点，有关Xmoden的完整的协议请参考其它相关的资料。 （1）Xmodem的控制字符：01H、04H、06H、15H、18H、1AH。 （2）Xmodem传输数据块格式：" 个字节的数据块...> "。其中为起始字节； 为数据块编号字节，每次加一；是前一字节的反码；接下来是长度为128字节的数据块；最后的是128字节数据的CRC校验码，长度为2个字节。 （3）接收端收到一个数据块并校验正确时，回送；接收错误回送；而回送表示要发送端停止发送。 （4）发送端收到后，可继续发送下一个数据块（packNO+1）；而收到则可再次重发上一个数据块。 （5）发送端发送表示全部数据发送完成。如果最后需要发送的数据不足128个字节，用填满一个数据块。 （6）控制字符"C"有特殊的作用，当发送端收到"C"控制字符时，它回重新开始以CRC校验方式发送数据块（packNO = 1）。 （7）每发送一个新的数据块 加1，加到OxFF后下一个数据块的 为零。 （8）校验方式采用16位CRC校验(X^16 + X^12 + X^5 + 1)。 5.2.2 源程序代码 下面给出的源程序是在ICCAVR中实现的。 /***************************************************** 采用串行接口实现Boot_load应用的实例 华东师大电子系马潮2004.07 Compiler: ICC-AVR 6.31
保险丝的选择和使用 熔断器是动力和照明线路的一种保护器件，当发生短路或过大电流故障时，能迅速切断电源，保护线路和电气设施的安全(但不能准确保护过负荷)。 一、熔断器的分类 熔断器分为高压和低压两大类。用于3kV-35kV的为高压熔断器;用于交流220V 、380V 和直流220V 、440v 的为低压熔断器。 高压熔断器又分为户内式和户外式两种，型号说明如下： 例如RN1-3 / 150 -200 即为户内式。额定电压3kV、额定电流150A 、断开容量为200MVA。 户内式有RN1、RN2、RN3 、RN5 、RN6 等，户外式有RW3 、RW4 、RW10 等，直流电机车用有RNZ 、RNZ1等。 低压熔断器常见有插入式、管式、螺旋式三大类。又可分为开启式、半封闭式和封闭式三种。 开启式不单独使用，常与闸刀开关组合使用;半封闭管式的一端或两端开启，熔体熔化粒子喷出有一定方向，使用请注意安全;封闭式常见有插入式、无填料管式、有填料管式和有填料螺旋式。低压熔断器字母含义如下：
R-熔断器; C-插入式; L -螺旋式; M-密闭管式; S-快速;T-有填料管式。如RC1、RC1A 为插人式; RM-无填料管式; RT0、RL1、RLS分别为有填料管式和有填料螺旋式。 二、熔断器的选择原则 1.按照线路要求和安装条件选择熔断器的型号。容量小的电路选择半封闭式或无填料封闭式;短路电流大的选择有填料封闭式;半导体元件保护选择快速熔断器。 2.按照线路电压选择熔断器的额定电压。 3.根据负载特性选择熔断器的额定电流。 4.选择各级熔体需相互配合，后一级要比前一级小，总闸和各分支线路上电流不一样，选择熔丝也不一样。如线路发生短路，15 A 和25A 熔件会同时熔断，保护特性就失去了选择性。因此只有总闸和分支保持2-3 级差别，才不会出现这类现象。如一台变压器低压侧出口为RT0 1000 / 800 、电机为RT0 400 / 250 或RT0 400 / 350 ，上下级间额定电流之比分别为3.2 和2.3 故选择性好，即支路发生短路，支路保险熔断不影响总闸供电。 5.熔体不能选择太小。如选择过小，易出现一相保险丝熔断后，造成电机单相运转而烧坏;据统计60%烧坏的电机均系保险配置不合适造成的。
A VR单片机熔丝位设置详解 1、BOD(Brown-out Detection) 掉电检测电路 BODLEVEL(BOD电平选择):1: 2.7V电平； 0：4.0V电平。这需要根据芯片的工作电压来选择。 BODEN(BOD功能控制): 1：BOD功能禁止；0：BOD功能允许 使用方法： 如果BODEN使能(复选框选中)启动掉电检测，则检测电平由BODLEVEL决定。一旦VCC下降到触发电平(2.7v或4.0v)以下，MCU复位；当VCC电平大于触发电平后，经过tTOUT 延时周后重新开始工作。 2、复位启动时间选择 SUT 1/0:当选择不同晶振时，SUT有所不同。如果没有特殊要求，推荐SUT 1/0设置复位启动时间稍长，使电源缓慢上升（即SUT1：0；SUT0：1）。 3、CKSEL3/2/10:时钟源选择。芯片出厂的默认情况下，CKSEL3—0和SUT1、SYT0分别设置为“0001”和“10”，这样将使用芯片8mHz的内部晶振和使用最长的启动延时。 配置方法： 4、M103：设置ATmega103兼容方式工作。出厂时的默认设置为0，即以ATmega103兼容模式下运行。
5、JTAGEN：如果不使用JTAG接口，应该将JTAGEN的状态设置为1，即禁止JTAG 功能，JTAG引脚用于I/O接口。 6、SPIEN：SPI方式下载数据和程序允许，默认状态为允许0，一般保留其状态。 7、WDTON:看门狗定时器始终开启。默认情况下为“1”，即禁止看门狗定时器始终开启。选择为“0”表示看门狗定时器始终开启，建议设置为0，防止程序跑飞。 8、EESAVE：EESAVE设置为“1”表示对芯片进行擦除操作时，flash和EEPROM 中的数据一同擦除，设置为“0”表示擦除操作只对flash中的数据有效而对EEPROM无效。芯片出厂的默认设置为“1”。在实际应用中需要根据实际需要进行设置。 9、BOOTRST：决定上电启动时，第一条指令的地址。默认状态为“1”，表示启动从0x0000开始执行；如果BOOTRST设置为“0”，启动时从BOOTLOADER的起始位置开始启动（BOOTLOADER的首地址由BOOTSZ1和BOOTSZ0决定）。 BOOTSZ1和BOOTSZ0：这两位决定了BOOTLOADER的大小和起始地址。默认状态为“00”表示4096字节，起始位置为0xF000。 BOOLOADER区大小配置： 注：在做熔丝位设置时要先确定“√”表示的是1还是0
ATmega8时钟选择熔丝设置 mega8熔丝位： 1：未编程（不选中） 0：编程（选中） ******************************** 熔丝位说明缺省设置 ******************************** RSTDISBL: 复位或I/O功能选择 1 1：复位功能；0：I/O功能（PC6） WDTON: 看门狗开关 1 1：看门狗打开（通过WDTCR允许）；0：看门狗禁止 SPIEN: SPI下载允许 0 1：ISP下载禁止；0：ISP下载允许（注：当使用SPI编程时，该项不可用） EEAVE: 烧录时EEPROM数据保留 1 1：不保留；0：保留 BODEN: BOD功能控制 1 1：BOD功能禁止；0：BOD功能允许 BODLEVEL: BOD电平选择 1 1：2.7V电平；0：4.0V电平 BOOTRST: 复位入口选择 1 1：程序从0x0000地址开始执行；0：程序从引导区确定的入口地址开始执行 ******************************** BOOTSZ1/0: 引导区程序大小及入口 00 00：1024Word/0xc00； 01：512Word/0xe00； 10：256Word/0xf00； 11：128Word/0xf80 ******************************** BLB02/01: 程序区指令位选择 11 11：SPM和LPM指令都允许执行 10：SPM指令禁止写程序区 01：引导区LPM指令禁止读取程序区内容；如果中断向量定义在引导区，则禁止该中断在程序区执行。00：SPM指令禁止写程序区；引导区LPM指令禁止读取程序区内容；如果中断向量定义在引导区，则禁止该中断在程序区执行。 ******************************** BLB12/11: 引导区指令位选择 11 11：SPM和LPM指令都允许执行 10：SPM指令禁止写引导区 01：程序区LPM指令禁止读取引导区内容；如果中断向量定义在程序区，则禁止该中断在引导区执行。00：SPM指令禁止写引导区；程序区LPM指令禁止读取引导区内容；如果中断向量定义在程序区，则禁止该中断在引导区执行。 ******************************** LB2/1: 程序区加密位选择 11 11：未加密 10：程序和EEPROM编程功能禁止，熔丝位锁定 00：程序和EEPROM编程及校验功能禁止，熔丝位锁定 （注：先编程其他熔丝位，再编程加密位） ********************************
电流1.2-2倍。 追问： 能说详细点吗 回答： 熔断器的选择 (一) 熔断器类型的选择 应根据使用场合选择熔断器的类型.电网配电一般用刀型触头熔断器(如HDLRT0 RT36系列);电动机保护一般用螺旋式熔断器;照明电路一般用圆筒帽形熔断器;保护可控硅元件则应选择半导体保护用快速式熔断器. (二) 熔断器规格的选择 1．熔体额定电流的选择 (1) 对于变压器、电炉和照明等负载,熔体的额定电流应略大于或等于负载电流. (2) 对于输配电线路,熔体的额定电流应略大于或等于线路的安全电流. (3) 在电动机回路中用作短路保护时,应考虑电动机的启动条件,按电动机启动时间的长短来选择熔体的额定电流. 对启动时间不长的电动机,可按下式决定熔体的额定电流IN熔体=Ist/(2.5~3) 式中Ist——电动机的启动电流,单位:A 对启动时间较长或启动频繁的电动机,按下式决定熔体的额定电流 IN熔体=Ist/(1.6~2) 对于多台电动机供电的主干母线处的熔断器的额定电流可按下式计算: In=(2.0~2.5)Imemax+∑Ime 注:In熔断器的额定电流;Ime电动机的额定电流;Imemax多台电动机容量最大的一台电动机的额定电流; ∑Ime其余电动机的额定电流之和. 电动机末端回路的保护,选用aM型熔断器,熔断体的额定电流In稍大于电动机的额定电流; (4) 电容补偿柜主回路的保护,如选用gG型熔断器,熔断体的额定电流In约等于线路计算电流1.8~2.5倍;如选用aM 型熔断器,熔断体的额定电流In 约等于线路电流的1~2.5倍. (5) 线路上下级间的选择性保护,上级熔断器与下级熔断器的额定电流In的比等于或大于1.6,就能满足防止发生越级动作而扩大故障停电范围的需要. (6) 保护半导体器件用熔断器,熔断器与半导体器件串联,而熔断器熔体的额定电流用有效值表示,半导体器件的额定电流用正向平均电流表示,因此,应按下式计算熔体的额定电流: IRN ≥1.57 IRN ≈1.6 IRN 式中IRN 表示半导体器件的正向平均电流. (7) 降容使用 在20℃环境温度下,我们推荐熔断体的实际工作电流不应超过额定电流值.选用熔断体时应考虑到环境及工作条件,如封闭程度空气流动连接电缆尺寸(长度及截面) 瞬时峰值等方面的变化;熔断体的电流承载能力试验是在20℃环境温度下进行的,实际使用时受环境温度变化的影响.环境温度越高,熔断体的工作温度就越高, 其寿命也就越短.相反,在较低的温度下运行将延长熔断体的寿命. (8) 在配电线路中,一般要求前一级熔体比后一级熔体的额定电流大2~3倍,以防止发生越级动作而扩大故障停电范围. 2．熔断器的选择 (1)UN熔断器≥UN线路.
附录A ATmega128熔丝位汇总 编程与状态说明： 在AVR的器件手册中，使用已编程（Programmed）和未编程（Unprogrammed）定义熔丝位的状态。“Unprogrammed”表示熔丝状态为“1”（禁止）；“Programmed” 表示熔丝状态为“0”（允许） 1：未编程（检查框不打钩） 0：编程 （检查框打钩） AVR的熔丝位可多次编程的，不是OPT熔丝。 熔丝位的配置（编程）可以通过并行方式、ISP串行方式、JTAG串行方式实现。 AVR芯片加密锁定后（LB2/LB1 = 1/0，0/0）不能通过任何方式读取芯片内部Flash 和E2PROM中的数据，但熔丝位的状态仍然可以读取，但不能修改配置。 芯片擦除命令是将Flash和E2PROM中的数据清除，并同时将两位锁定位状态配置成无锁定状态（LB2/LB1 = 1/1）。但芯片擦除命令并不改变其它熔丝位的状态。 下载编程的正确的操作程序是：在芯片无锁定状态下，下载运行代码和数据，配置相关的熔丝位，最后配置芯片的加密锁定位。 芯片被加密锁定后，如果发现熔丝位配置不对，必须使用芯片擦除命令，清除芯片中的数据，解除加密锁定。然后重新下载运行代码和数据，修改配置相关的熔丝位，最后再次配置芯片的加密锁定位。 1． 芯片加密锁定熔丝 加密锁定位 加密锁定方式 LB2 LB1 保护类型（用于芯片加密） 1（默认） 1 1 无任何编程加密锁定保护 2 1 0 禁止串/并行方式对Flash和E2PROM的再编程 禁止串/并行方式对熔丝位的编程 3 0 0 禁止串/并行方式对Flash和E2PROM的再编程和校验 禁止串/并行方式对熔丝位的编程 注：加密锁定熔丝只能使用芯片擦除命令还原为默认的无任何加密锁定保护状态 2．功能熔丝 说 明 熔丝名称 1 0 默认 M103C ATmega128工作模式 ATmega103 兼容模式 0 WDTON 看门狗由软件控制 看门狗始终工作，软件只可以调节溢出时间 1 SPIEN 禁止ISP串行编程 允许ISP串行编程 0 JTAGEN 禁止JTAG口 使能JTAG口 0 EESAVE 芯片擦除时不保留E2PROM数据 芯片擦除时保留E2PROM数据 1 BODEN 禁止低电压检测功能 允许低电压检测功能 1 BODLEVEL 低电压检测门槛电平2.7V 低电压检测门槛电平4.0V 1 OCDEN 禁止JTAG口的在线调试功能 禁止JTAG口的在线调试功能 1
熔断器的选择 (一) 熔断器类型的选择 应根据使用场合选择熔断器的类型.电网配电一般用刀型触头熔断器(如HDLRT0 RT36系列);电动机保护一般用螺旋式熔断器;照明电路一般用圆筒帽形熔断器;保护可控硅元件则应选择半导体保护用快速式熔断器. (二) 熔断器规格的选择 1．熔体额定电流的选择 (1) 对于变压器、电炉和照明等负载,熔体的额定电流应略大于或等于负载电流. (2) 对于输配电线路,熔体的额定电流应略大于或等于线路的安全电流. (3) 在电动机回路中用作短路保护时,应考虑电动机的启动条件,按电动机启动时间的长短来选择熔体的额定电流. 对启动时间不长的电动机,可按下式决定熔体的额定电流 IN熔体=Ist/(2.5~3) 式中 Ist——电动机的启动电流,单位:A 对启动时间较长或启动频繁的电动机,按下式决定熔体的额定电流 IN熔体=Ist/(1.6~2) 对于多台电动机供电的主干母线处的熔断器的额定电流可按下式计算: In=(2.0~2.5)Imemax+∑Ime
注:In熔断器的额定电流;Ime电动机的额定电流;Imemax多台电动机容量最大的一台电动机的额定电流; ∑Ime其余电动机的额定电流之和. 电动机末端回路的保护,选用aM型熔断器,熔断体的额定电流In稍大于电动机的额定电流; (4) 电容补偿柜主回路的保护,如选用gG型熔断器,熔断体的额定电流In约等于线路计算电流1.8~2.5倍;如选用aM 型熔断器,熔断体的额定电流In 约等于线路电流的1~2.5倍. (5) 线路上下级间的选择性保护,上级熔断器与下级熔断器的额定电流In的比等于或大于1.6,就能满足防止发生越级动作而扩大故障停电范围的需要. (6) 保护半导体器件用熔断器,熔断器与半导体器件串联,而熔断器熔体的额定电流用有效值表示,半导体器件的额定电流用正向平均电流表示,因此,应按下式计算熔体的额定电流: IRN≥1.57 IRN ≈1.6 IRN 式中 IRN 表示半导体器件的正向平均电流. (7) 降容使用 在20℃环境温度下,我们推荐熔断体的实际工作电流不应超过额定电流值.选用熔断体时应考虑到环境及工作条件,如封闭程度空气流动连接电缆尺寸(长度及截面) 瞬时峰值等方面的变化;熔断体的电流承载能力试验是在20℃环境温度下进行的,实际使用时受环境温度变化的影响.环境温度越高,熔断体的工作温度就越高, 其寿命也就越短.相反,在较低的温度下运行将延长熔断体的寿命.
ATmega16熔丝位详解 初学者对熔丝经常不解，AVR芯片使用熔丝来设定时钟、启动时间、一些功能的使能、BOOT区设定、当然还有最让初学者头疼的保密位，设不好锁了芯片很麻烦。要想使MCU功耗最小也要了解一些位的设定 在此写下自己对熔丝的理解，参照了一些MEGA16的PDF文档，双龙的文档，以及大家的帖子。力求易懂、全面。 下面以双龙的在系统编程软件SLISP为例具体说明我对熔丝的理解。 a intro b 低位(时钟及启动时间设置）： c 时钟总表 d 高位(BOOT区设置)： e 常用熔丝设置 打开运行SLISP.exe，首先记住： 1：未编程（配置熔丝检查框未打钩） 0：编程（配置熔丝检查框打钩） 建议在配置熔丝之前先“读取配置”读出原来的设定，再自己编辑。 先了解一下M16的出厂设置。 默认设置为：内部RC振荡8MHz 6 CK + 65 ms CKSEL=0100 SUT=10
低位(时钟及启动时间设置）： 1.BOD(Brown-out Detection) 掉电检测电路 BODLEVEL(BOD电平选择): 1: 2.7V电平； 0：4.0V电平 BODEN(BOD功能控制): 1：BOD功能禁止；0：BOD功能允许 使用方法：如果BODEN使能(复选框选中)启动掉电检测，则检测电平由BODLEVEL决定。一旦VCC下降到触发电平(2.7v或4.0v) 以下，MUC复位；当VCC电平大于触发电平后，经过tTOUT 延时周后重新开始工作。 注：1.复选框选中代表0，0电平有效。 2.因为M16L可以工作在2.7v～5.5v，所以触发电平可选2.7v(BODLEVEL=0)或4.0v(BODLEVEL=1);而M16工作在4.5～5.5V，所以只能选BODLEVEL=0，BODLEVEL=1不适用于ATmega16。
网上有关AVR的bootloader配置大部分都是关于ICCAVR的，我用Atmel Studio 6.1弄了好久才出来，这里给大家讲下（我用的AT90CAN32） 首先程序和马老师的几乎一样，只是稍微有改进，因为Atmel Studio 6.1本身有boot.h文件，包含该文件之后可以省去一些汇编的语言。程序会在最后附上。下面主要说下配置问题。 1、熔丝位配置：如图1 图1 JTAGEN 或SPIEN一定要打勾使能，要不然如果bootloader烧写不成功以后就不能用JTAG或SPI了，那么单片机就锁死了，我就锁死了一个单片机，哭晕。。。 BOOTSZ;选择1k或2k或3k或4k BOOTRST:打勾，这样的话程序会从bootloader定义的地址开始烧写，比如我的程序会从0X3800开始写入 2、如图2点击project——>文件名porperties——>toolchain出现如图3所示，点击memory settings，在FLASH segment 中输入.text=0x3800(注意0x3800是和熔丝位设置的bootloader 区的大小一样的) 图2
图3 点击Misellaneous,输入-WI,--section-start=.text=0x7000(其中0x7000是0x3800的二倍，如果你设置的不是0x3800，那么也只需要按照你设置的乘以2就行) 图4 到这里就配置完成了。 如果配置完成了，那么正常情况下就可以把程序烧写进入单片机了，这时候用串口就可以从单片机向上位机发送指令了，如果三秒钟之内给单片机回复d的话，单片机回复C之后，就可以向单片机发送命令了，这里用的是超级终端，WIN7本身没有超级终端，需要下载，我下载的是如图5所示的超级终端。打开超级终端时候注意配置波特率和结束位等，还有就是发送文件时注意选择XMODEM协议。剩下的就可以按照ICCAVR的方法进行发送和接收了，这里主要说的是配置方法和ICCAVR的不同 图5 #include
ATMEGA128熔丝位配置详解 熔丝位配置 2009-07-29 11:51 在配置熔丝位时应特别注意，部分熔丝位（如OCDEN、JTAGEN和SPIEN等）的配置是不可逆的 2009年04月17日星期五 11:28 引言 AVR系列单片机在仿真调试之前，首先必须对AVR的熔丝 位和锁定位进行配置。如果配置不当，则可能造成单片机不能 正常工作，严重时可能导致单片机死锁。因此，对单片机熔丝 位和锁定位的正确配置显得尤为重要。 熔丝位是对单片机具体功能和工作模式的限定，其正确配 置与否直接影响到单片机能否正常工作;锁定位是对单片机的 程序和数据进行加密，以防止单片机中的程序和数据被读出或 写入。在进行配置时，一般先配置熔丝位，再配置锁定位。锁 定位又分为引导程序区锁定位和程序及数据存储器锁定位两 类。对引导程序区锁定位进行编程可以实现两套保护模式，即 应用区保护模式和Boot Loader区保护模式；不同的编程配置 可以实现不同的加密级别。对程序及数据存储器锁定位进行编 程可以禁止对并行和SPI/JTAG串行编程模式中Flash和 EEPROM进一步编程，从而对程序和存储器中的数据进行保护。 由于引导程序锁定位和程序及数据存储器锁定位的配置具 有可逆性，因此可根据不同的需要多次编程，灵活改变。但是， 在配置熔丝位时应特别注意，部分熔丝位（如OCDEN、JTAGEN 和SPIEN等）的配置是不可逆的。在采用单一编程下载情况下 （例如只采用JTAG下载或者只采用AVRISP并行下载），一旦 配置后将不可改变。鉴于熔丝位配置的重要性，本文以AVR系 列的ATmega128单片机为例，详细介绍熔丝位的配置以及在配 置过程中常出现的一些问题，并给出相应的解决办法，成功地 解决了因熔丝位配置不当而引起的单片机不能正常工作和死锁 等一系列问题。 1 熔丝位的配置 ATmega128的熔丝位共有3个字节：熔丝位扩展字节、熔 丝位高字节和熔丝位低字节。表1、表2和表3分别描述了所 有熔丝位的功能、默认值以及它们是如何映射到熔丝位字节的。 如果熔丝位被编程，则返回值为0。表中0代表编程，1代表未 编程。
熔丝的选择 1.照明和电热设备： I R=(0.9~1）?I（安） 式中： I R—熔体额定电流（安） I—负荷额定电流总和（安） 2.电动机； 对单台电动机； I R=（1.5~2.5）?I D（安） 式中；I R—熔体额定电流（安） I D—电动机额定电流（安）当电动机容量较小。轻负荷或降压起动时。倍数可选接近1.5。 重负荷。直接起动或电动机容量较大。可取接近2.5的值如是直流或降压起动的绕线式电动机。其倍数可取1.2～1.5。 对多台电动机共用一路熔体时；I R=（1.5~2.5）I DD +Σn I (安）式中； I R—熔体额定电流（安） I DD—容量最大一台电动机的额定电流（安） ∑n I—其余各台电动机额定电流之和（安） 3.交流电焊机； I R=（1.2~1.5）√JCI 式中： I R—熔体额定电流（安） JC—电焊机的暂载率（%） I—电焊机的额定电流 4.直流电焊机； 如直流电焊机是采用交流电动机的直流发电机组，可按交流电动机选取熔丝的办法选，如采用硅整流器的按（0.8～1.0）倍额定工作电流选取 5.吊车； I R=I计+（K?K Z）I m 1.6?2 式中； I计—计算电流（安）见下表，对单台电动葫芦或单台梁式吊车，可取其主钩电机的额定电流。 I m—最大一台电动机的额定电流 K—最大一台电动机的起动电流倍数，绕线式电机K=2，鼠笼式
电机K值按产品样本查得（一般为5～7倍） k Z—综合系数见下表 和综合系数K 计算电流I 6.配电变压器 容量为100千伏及以下的配电变压器。其高压侧熔体额定电流按变压器高压侧额定电流的2～3倍选取，容量为100千伏安以上的配电变压器，其高压侧熔体额定电流按变压器高压侧额定电流的1.5～2倍选取。配电变压器低压侧熔体的额定电流按变压器低压侧额定电流的1.2倍选取。 7.无功功率补偿的电力电容器的容量选取； Q C=aq C P 式中；Q c—电力电容器，需用容量（千乏） P—高峰有功负荷 a—平均负荷因数。取0.7～0.75 q c—比补偿功率（千乏/千瓦），由补偿前功率因数和补偿后功率因数决定。补偿后功率因数一般取0.9
简述变压器保护用熔断器的选择高压侧 HUA system office room 【HUA16H-TTMS2A-HUAS8Q8-HUAH1688】
简述变压器保护用熔断器的选择 与负荷开关开断能力的配合 目前采用负荷开关-熔断器组合电器对10kV变压器保护的数量极大，根据我们公司生产负荷开关多年的情况来看，负荷开关、熔断器、转移电流三者与变压器保护要求如何匹配是用户经常提出的问题，希望作如下简述： 一、熔断器额定电流的选择原则 变压器的额定容量为SN，额定电压为UN，则变压器高压侧一次额定电流IN1的大小由下式提供： 设变压器分接开关按-5%分接抽头计算，同时户内变压器过负荷按120%，那么变压器高压侧可能出现的电流IN可由下式确定： IN=IN1×120%×105% 一般情况下，限流式熔断器的额定电流I选用变压器额定电流的1.5～3倍，其大小可由下式确定：I=(1.5～3)×IN1综合变压器容量-SN、额定电流-IN、实际电流-IN1、熔断器电流-I 大小如下： 二、变压器励磁电流下熔断器持续时间
变压器投入时会产生励磁电流，要求该励磁电流不对所配熔断器构成损伤，那么熔断器的持续时间应大于励磁电流的持续时间，励磁电流 IS 的大小一般为变压器额定电流的10～20倍，绝大多数情况下不超过12倍，因此其值大小可由下式确定： IS=12×IN1 其持续时间为0.1S。为确定励磁电流下熔断器的持续时间,须引入反映熔断器动作特性的时间-电流特性曲线，如下图是我们公司常用的熔断器厂家提供的曲线，以IS作为横坐标值,分别求取对应纵坐标值,此值为不同熔断器规格的持续时间值t。 综合变压器容量-SN、励磁电流-IS 、熔断器电流-I、持续时间-t表如下： 由上表可以看出，熔断器按前表原则选择，变压器励磁电流持续时间均小于熔断器在该电流下的熔断持续时间，故励磁电流不会对所配熔断器造成损伤。
AVR单片机的熔丝位控制着其时钟、JTAG使能、FLASH操作、工作模式等等。。一旦配置错误， 会导致不可预见的结果，导致单片机下不进去 程序。。。最常见的就是时钟配置错误，尤其 初学者比较容易犯这一类错误。。。 AVR单片机如果是系统时钟相关熔丝位配置错了，那可以使用有源晶振、信号发生器等强时钟源给“振开”，其实最简单的方法是利用51单片机的ALE脚进行“急救”。。。。 以前没试过，今天我故意将时钟配置错误（在AVR STUDIO中将熔丝位设置成外部高速晶振，快启动，然后故意把外部晶振给拿掉），重启后果然出事儿了。。。再想下程序下不进去了（嘿嘿，这正合我意），为了解救这个ATMEGA16，我找来了一个AT89S52。。。注意不能用STC的哦，有的STC51单片机把ALE脚给禁止了。。。。 接下来就是最紧张的时刻了，我将两块板子共地，然后将AT89S52的ALE脚（第30脚）接到ATMEGA16的XTAL1脚（第13脚）。。。上电，用示波器看到A LE脚有时钟信号输出。。果断再次下载ATMEGA16的程序。。果然好使了！！！！！
如果大家以后遇到此类现象，不妨使用这个方法试试。。。如果是系统时钟相关熔丝位配置错误，那么这个招绝对管用。。。别的熔丝位设错了倒是没尝试过。。。不过大家尽量配置正确就是啦~~~~~
做设计时不小心锁了一块芯片ATMEGA16，真的很抑闷，网上查了一下资料，真的五花八门，今天自己用有源晶振在自己的作品上动手术，几分钟就把自己的芯片解锁了，收获很多，以后终于随心所欲地编写熔丝了，反正我能解锁！ 实践才是检验真理的硬道理！ 实际中我没有断开我原来的外部晶振！ 解锁图： 解锁步骤： 一：按上面电路接好线，为了避免焊接后又脱焊的麻烦，所以建议用杜邦线接好。 二：用ISP下载线设置好正确的熔丝位，即可烧写熔丝，呵呵，大功告成，芯片又可以恢复使用了。 后话：AVR单片机被锁，不能写入程序，是因为错误地烧写时钟方式熔丝位造成的，选择的时钟方式与实际不同，造成单片机没有时钟信号输入，即不工作了，这样烧写程序当然error啦！
ATmega16 熔丝位设定 特别注意，要使用外部晶体，必须设置熔丝，否则芯片会使用默认的内部晶体。 1、M16的出厂设置 内部RC 振荡1MHz 6 CK + 65 ms CKSEL=0001 SUT=10 JTAGEN=1 默认状况下JTAG已编程(即PC2-PC5 为高电平不可以被拉低) ,如果PC2->PC5要用作普通IO 口，需要取消JTAG编程，或者在程序开始时执行以下命令： MCUCSR |= 1 << JTD; MCUCSR |= 1 << JTD; //注意要连续操作两次。恢复JTAG功能也要连续两次操作。 2、熔丝位配置说明 2.1低位(时钟及启动时间设置） 2.1.1、BOD(Brown-out Detection) 掉电检测电路 BODLEVEL(BOD 电平选择): 1 (2.7V电平) 0(4.0V电平) BODEN(BOD 功能控制): 1 (BOD 功能禁止) 0(BOD功能允许) 一旦VCC 下降到触发电平(2.7v 或4.0v)以下，MUC复位；当VCC电平大于触发电平后，经过tTOUT 延时周后重新开始工作。 2.1.2、复位启动时间选择 SUT 1/0: 当选择不同晶振时，SUT有所不同。 如果没有特殊要求推荐SUT 1/0 设置复位启动时间稍长，使电源缓慢上升。 2.1.3、CKSEL3/0: 时钟源选择 时钟源启动延时熔丝 外部时钟 6 CK + 0 ms CKSEL=0000 SUT=00 外部时钟 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0000 SUT=01 外部时钟 6 CK + 65 ms CKSEL=0000 SUT=10 内部RC振荡1MHZ 6 CK + 0 ms CKSEL=0001 SUT=00 内部RC振荡1MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0001 SUT=01 内部RC振荡1MHZ1 6 CK + 65 ms CKSEL=0001 SUT=10