模电自测练习题（A）
一、填空
二极管
1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。PN结在正偏时导通，反偏时截止，这种特性称为单向导电性。PN结具有单向导电性能，即加正向电压时，PN结导通，加反向电压时，PN结截止。导通后，硅管的管压降约为0.7V，锗管约为0.2V。
2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P 型半导体，其多数载流子是空穴。
3、PN结的正向接法是P型区接电源的正极，N型区接电源的负极。P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是电子。N型半导体中的多数载流子是电子、少数载流子是空穴。
4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。
5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
8．硅稳压二极管的稳压电路是由限流电阻、硅稳压二极管与负载电阻组成。
6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。
8．半导体是一种导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。半导体按导电类型分为N型半导体与P型半导体。N型半导体主要靠电子来导电，P型半导体主要靠空穴来导电。半导体中的空穴带正电。
9、PN结中的内电场阻止多数载流子的扩散运动，促进少数载流子的漂移运动。
10．晶体二极管主要参数是最大正向电流与最高反向电压。
11．晶体二极管按所用的材料可分为锗和硅两类，按PN结的结构特点可分为点接触型和面接触型两种。按用途可把晶体二极管分为检波二极管，整流二极管；稳压二极管；开关二极管，变容二极管等。
12、点接触型晶体二极管因其结电容小，可用于高频和超高频的场合；面接触型晶体二极管因其接触面积大，可用于大功率的场合。
13、2AP系列晶体二极管是锗材料做成的，其工作温度较低。2ＣP、2ＣＺ系列晶体二极管是硅材料做成的，其工作温度较高。
三极管
1．晶体管从结构上可以分成PNP 和NPN 两种类型，它工作时有 2 种载流子参与导电。硅管以NPN型居多，锗管以PNP型居多。
2．晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏，集电结反偏。
3．晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是放大、饱和、截止。
4．当温度升高时，晶体管的参数β增大，I CBO增大，导通电压U BE减小。
5．某晶体管工作在放大区，如果基极电流从10μA变化到20μA时，集电极电流从1mA变为1.99 mA，则交流电流放大系数β约为99 。
6．某晶体管的极限参数I CM=20mA、P CM=100mW、U(BR)CEO=30V，因此，当工作电压U CE=10V时，工作电流I C不得超过10 mA；当工作电压U CE=1V时，I C不得超过20 mA；当工作电流I C=2 mA时，U CE 不得超过30 V。
7．晶体三极管三个电极分别称为发射极、基极和集电极，它们分别用字母E、b和C表示。
8. 当晶体管工作在放大区时，各极电位关系为：NPN 管的u C > u B > u E , PNP管的u C < u B< u E ；工作在饱和区时i C< βi B；工作在截止区时，若忽略I CBO和I CEO，则i B = 0 ，i C = 0 。
9．由晶体三极管的输出特性可知，它存在截止区、放大区和饱和区三个区域。为了使晶体三极管在放大器中正常工作，发射结须加正向电压，集电结须加反向电压。
10、晶体三极管是由两个PN结构成的一种半导体器件，其中一个PN结叫做集电结，另一个叫做发射结。
11．晶体三极管具有电流放大作用的条件是:第一（内部条件），使发射区的多数载流子浓度高，集电区的面积大，基区尽可能地薄；第二（外部条件），使发射结正向偏置，集电结反向偏置。12．晶体三极管发射极电流I e、基极电流I b和集电极电流I c之间的关系是Ｉe=Ｉb＋ＩC。其中I c/I b叫做直
流电流放大系数，用字母
_
表示;ΔI
e
/ΔI b叫做交流电流放大系数，用字母β表示。
13．晶体三极管的电流放大作用，是通过改变基极电流来控制集电极电流的，其实质是以微小电流控制较大电流。
14．硅晶体三极管发射结的导通电压约为0.7Ｖ，饱和电压降为0.3Ｖ，锗晶体三极管发射结的导通电压约为0.3Ｖ,饱和电压降为0.1V。
15．当晶体三极管处于饱和状态时，它的发射结必定加正向电压，集电结必定加正向或零电压。16．当晶体三极管的队Ｕce一定时，基极与发射极间的电压Ｕbe与基极电流Ｉb间的关系曲线称为输入特性曲线;当基极电流I b一定时，集电极与发射极间的电压U ce与集电极电流人I c关系曲线称为输出特性曲线。
17．晶体三极管的输入特性曲线和晶体二极管的伏安特性相似，晶体三极管输入特性的最重要参数是交流输入电阻，它是＿Ｕbe的增量＿和I b的增量的比值。
18晶体三极管的电流放大系数太小时，电流放大作用将较差;而电流放大系数太大时，又会使晶体三极管的性能不稳定。
19 ．按晶体三极管在电路中不同的连接方式，可组成共发射极、共集极和共基极三种基本放大电路。20．晶体三极管的穿透电流I ceo随温度的升高而增大，由于硅三极管的穿透电流比锗三极管小得多，所以硅三极管的热稳定性比锗三极管好。
1、在判别锗、硅晶体二极管时，当测出正向电压为0.2V时，就认为此晶体二极管为锗二极管；当测出正向电压为0.７V时，就认为此二极管为硅二极管。
2、NPN型晶体三极管的发射区是N型半导体，集电区是N型半导体，基区是P型半导体。
3、有一个晶体管继电器电路，其晶体管与继电器的吸引线圈相串联，继电器的动作电流为6ｍA。若晶体三极管的直流电流放大系数β=50，便使继电器开始动作，晶体三极管的基极电流至少为0.12ｍA。4．共发射极电路的输入端由发射极和基极组成，输出端由集电极和发射极组成，它不但具有电流放大、电压放大作用，而且其功率增益也是三种基本线路中最大的。
5．晶体三极管是依靠基极电流控制集电极电流的，而场效应晶体管则是以栅极电压控制漏极电流的，所以它的输入阻抗很高。
6．共发射极单管放大电路，输出电压与输入电压相位差为180°，这是放大器的重要特征，称为放大器的倒相作用。
7．常用的耦合方式有阻容耦合、变压器耦合和直接耦合三种形式。晶体三极管低频小信号电压放大电路通常采用阻容耦合电路．
8．放大器的静态是指没有输入信号时的工作状态，静态工作点可根据电路参数用估算方法确定，也可以用图解方法确定。表征放大器中晶体三极管的静态工作点的参数有I b、I e和U c e。场效应晶体管的静态工作点由U G S、I d和U DS确定。
9．晶体三极管放大器按放大信号和输出信号的强弱可分为电压放大和功率放大两类。
10．为了使放大器输出波形不失真，除需设置适当的静态工作点外，还需要采用稳定工作点的方法，且输入信号幅度要适中。
11．在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太低将产生截止失真；静态工作点设置太高将产生饱和失真。
12．在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太高，会使ＩC的正半周及Uce
的负半周失真；静态工作点设置太低时，会使Ic的负半周及U ce的正半周失真。
13．晶体三极管工作在放大状态时U ce随I b而变化，如果I b增加，则U ce将减小；如果I b减小，则Uce将增大。因此，I b可以起调节电压作用。
14．在晶体三极管放大电路中，如果其它条件不变，减小Ｒb，则静态工作点沿着负载线上移，容易出现饱和失真；若增大R b，工作点沿着负载线下移，容易出现截止失真。
15．如果晶体三极管放大器EＣ增大，而其它条件不变，则晶体三极管放大器的静态工作点将随负载线
右移。在晶体三极放大器中R C减小，而其它条件不变，则晶体三极管负载线变陡。
16．对于一个放大器来说，一般希望其输入电阻大些，以减轻信号源的负担，输出电阻小些，以增大带动负载的能力。
17．由于电容Ｃ具有隔直流通交流的作用，所以，交流放大器负载两端的电压，只是晶体三极管ｃ、e极间总电压的交流部分。
18．为了保证小信号交流放大器能不失真地进行放大，并且有最大的动态范围，静态工作点应选在
C C c e s（或直流负载线的中点）。
2
19、在一个放大电路中，三只三极管三个管脚①、②、③的电位分别如表所示，将每只管子所用材料
场效应管
1．场效应管从结构上可分为两大类：结型、绝缘栅型或MOS ；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、增强型。由于场效应晶体管几乎不存在栅流，所以其输入直流电阻很大。2．U GS(off)表示夹断电压，I DSS表示饱和漏极电流，它们是耗尽型场效应管的参数。
3. 增强型场效应管当其U GS =0 时不存在导电沟道。JFET和耗尽型MOS管在栅-源电压为零时存在导电沟道，而增强型MOS 管则不存在导电沟道。
4. MOS 管的直流输入电阻比结型场效应管的大。
5．场效应晶体管一般采用自偏压（或栅极偏压）和分压式（或分压式自偏压两种偏置电路。
放大电路
1．放大电路的输入电压U i＝10 mV，输出电压U0＝1 V，该放大电路的电压放大倍数为100 ，电压增益为40 dB。
2．放大电路的输入电阻越大，放大电路向信号源索取的电流就越小，输入电压也就越大；输出电阻越小，负载对输出电压的影响就越小，放大电路的负载能力就越强。
3．共集电极放大电路的输出电压与输入电压同相，电压放大倍数近似为1 ，输入电阻大，输出电阻小。
差分放大电路
1．差分放大电路的输入电压U i1＝1 V，U i2＝0.98 V，则它的差模输入电压U id＝0.02 V，共模输入电压U iC＝0.99 V。
2．差分放大电路对差模输入信号具有良好的放大作用，对共模输入信号具有很强的抑制作用，差分放大电路的零点漂移很小。
3．两级放大电路，第一级电压增益为40 dB，第二级电压放大倍数为10倍，则两级总电压放大倍数为1000 倍，总电压增益为60 dB。
4．集成运算放大器输入级一般采用差分放大电路，其作用是用来减小零点漂移。
5．理想集成运算放大器工作在线性状态时，两输入端电压近似相等，称为虚短；输入电流近似为0 ，称为虚断。
6．集成运算放大器的两输入端分别称为同相输入端和反相输入端，前者的极性与输出端反相，后者的极性与输出端同相。
7.电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。使输入量减小的反馈是负反馈。引入直流负反馈可以稳定静态工作点。负反馈越深，电路的性能越稳定。
8.同相比例运算放大电路是一个深度的电压串联负反馈电路；反相比例运算放大电路是一个深度的电压并联负反馈电路。
9. 参数理想对称的双端输入双端输出差分放大电路只能放大差模信号，不能放大共模信号。
1．将交流电转换为直流电的过程称为整流。把脉动直流电变成较为平稳的直流电的过程，称为滤波。2．单相整流电路按其电路结构特点来分，有半波整流电路、全波整流电路和桥式整流电路。
3．乙类互补对称功放由NPN 和PNP 两种类型晶体管构成，其主要优点是效率高。
二、选择题
二极管
1. P 型半导体中的多数载流子是B，N 型半导体中的多数载流子是A。
A. 电子
B. 空穴
C. 正离子
D. 负离子
2. 杂质半导体中少数载流子的浓度C本征半导体中载流子浓度。 A. 大于 B. 等于 C. 小于
3. 室温附近, 当温度升高时, 杂质半导体中 C 浓度明显增加。
A. 载流子
B. 多数载流子
C. 少数载流子
4．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度D．晶格缺陷5．PN结形成后，空间电荷区由(D )构成。A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子
6. 硅二极管的正向导通压降比锗二极管 A ，反向饱和电流比锗二极管B 。 A. 大 B. 小 C. 相等
7. 温度升高时，二极管在正向电流不变的情况下的正向电压 B ，反向电流A 。
A. 增大
B. 减小
C. 不变
8．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。A．减小B．基本不变C．增大9．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。A．增大B．基本不变C．减小10．变容二极管在电路中主要用作( D )。A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器11．当PN结两端加正向电压时，那么参加导电的是（A）。
A.多数载流子;
B.少数载流子;
C.既有多数载流子又有少数载流子
12．如果晶体二极管的正、反向电阻都很大，则该晶体二极管（C）。A.正常;B.已被击穿; C.内部断路13．如果晶体二极管的正、反向电阻都很小或为零，则该晶体二极管（B）。
A.正常;
B.已被击穿;
C.内部断路
14．晶体二极管的阳极电位是-20V，阴极电位是-10V，则该二极管处于（A）。A.反偏，B.正偏，C.零偏15．当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（A）。 A.增大； B.减小； C.不变
16．在晶体二极管特性的正向区，晶体二极管相当于（B）。A.大电阻；B.接通的开关；C.断开的开关
三极管
1．当晶体三极管的两个PN结都反偏时，则晶体三极管处于（C）。A.饱和状态;B.放大状态;C.截止状态2．当晶体三极管的两个PN结都正偏时，则晶体三极管处于（C）。A.截止状态;B.放大状态;C.饱和状态3．当晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，则晶体三极管处于（A）。
A.放大状态; B．饱和状态；C.截止状态
4．晶体三极管处于饱和状态时，它的集电极电流将（C）。
A.随基极电流的增加而增加；
B.随基极电流的增加而减小，
C.与基极电流变化无关，只决定于Uce 5．当晶体三极管的基极电源使发射结反问时，则晶体三极管的集电极电流将（C）。
A.反向；
B.增大；
C.中断
6．当温度升高时，半导体电阻将（B）。A.增大；ｂ，减小；C.不变
7. 工作在放大状态的晶体管, 流过发射结的是A电流，流过集电结的是B 电流。A. 扩散B. 漂移
8. 晶体管电流由 B 形成，而场效应管的电流由 A 形成。因此，晶体管电流受温度的影响比场效应管 C 。 A. 一种载流子 B. 两种载流子 C. 大 D. 小
9. 晶体管通过改变 A 来控制 C ；而场效应管是通过改变 B 控制 D ，是一种 F 控制器件。
A. 基极电流
B. 栅- 源电压
C. 集电极电流
D. 漏极电流
E. 电压
F. 电流
10．某NPN型管电路中，测得U BE=0 V，U BC= —5 V，则可知管子工作于( C )状态。
A．放大B．饱和C．截止D．不能确定
11．根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为( B)。
A．NPN型低频小功率硅晶体管B．NPN型高频小功率硅晶体管
C．PNP型低频小功率锗晶体管D．NPN型低频大功率硅晶体管
12．输入( C)时，可利用H参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。
A．正弦小信号B．低频大信号C．低频小信号D．高频小信号
13·在绝对零度（0K）时，本征半导体中_____B____ 载流子。 A. 有 B. 没有 C. 少数 D. 多数
14·在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生____D_____。
A. 负离子
B. 空穴
C. 正离子
D. 电子-空穴对
15、半导体中的载流子为______D___。A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 电子和空穴
16、N型半导体中的多子是___A______。A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子
17、P型半导体中的多子是__ B _______。A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子
18、当PN结外加正向电压时，扩散电流____A_____漂移电流。A. 大于 B. 小于 C. 等与
19、当PN结外加反向电压时，扩散电流______ B ___漂移电流。A. 大于 B. 小于 C. 等于
20、在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则u o和u i的相位_B。A. 同相B. 反相C.相差90度
D. 不确定
21、在单级共基放大电路中，若输入电压为正弦波形，则u o和u ii的相位_A_。A. 同相B. 反相C.相差90度D.不确定
22、既能放大电压，也能放大电流的是___ A _组态放大电路。A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定
23、在单级共集放大电路中，若输入电压为正弦波形，则u o和u ii的相位_A。A. 同相B. 反相C.相差90度D.不确定
24、可以放大电压，但不能放大电流的是_C_组态放大电路。A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定
25、可以放大电流，但不能放大电压的是____ B __ 组态放大电路。A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定
26、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，电压放大倍数小于1的是__ B ___组态。
A. 共射
B. 共集
C. 共基
D. 不确定
27、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输入电阻最大的是___ B___组态。
A. 共射
B. 共集
C. 共基
D. 不确定
28、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输入电阻最小的是___ C ____组态。
A. 共射
B. 共集
C. 共基
D. 不确定
29、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输出电阻最小的是__B_____组态。
A. 共射
B. 共集
C. 共基
D. 不确定
30、三极管是__D_器件。A. 电压控制电压 B. 电流控制电压 C. 电压控制电流 D. 电流控制电流1．测量某放大电路负载开路时输出电压为3 V，接入2 kΩ的负载后，测得输出电压为1 V，则该放大电路的输出电阻为(D)kΩ。A．0.5 B．1.0 C．2.0 D．4
2．为了获得反相电压放大，则应选用(A)放大电路。A．共发射极B．共集
电极C．共基极D．共栅极
3．为了使高内阻的信号源与低阻负载能很好配合，可以在信号源与负载之间
接入( B )放大电路。
A．共发射极B．共集电极C．共基极D．共源极
4．放大电路如图T3．1所示，已知R S＝R D，且电容器容量足够大，则该
放大电路两输出电压u0l与u02之间的大小关系为( B)。A．u0l= u02
B．u0l =－u02C．u0l＞u02D．u0l＜u02
5．在晶体三极管放大电路中，晶体三极管最高电位的一端应该是（E）。
A.PNP型的基极；
B.PNP型的集电极；
C.NPN型的基极；D．N PN型的发
射极E．PNP型的发射极；F．NPN型的基极
6．在NPN型晶体三极管放大电路中，如果基极与发射极短路，则（B）。
A.晶体三极管将深度饱和；B．晶体三极管将截止；C.晶体三极管的集电结将是正偏
7．在NPN型晶体三极管放大电路中，如果集电极与基极短路，则（A）。
A.晶体三极管将深度饱和；B．晶体三极管将截止；C.晶体三极管的集电结将是正偏。
8．在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太低将产生（B）。
A.饱和失真；
B.截止失真；
C.不失真
9．在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太高将产生（A）。
A.饱和失真；
B.截止失真．
C.不失真
10．晶体三极管低频小信号放大器能（A）。A．放大交流信号；B.放大直流信号；C.放大交流与直流信号11．在晶体三极管放大电路中，出现截止失真的原因是工作点（B）A.偏高；B.偏低；C.适当
12．画放大器直流通道时，电容应视为（B）A.短路；B.开路；C.不变
13．在晶体三极管低频电压放大电路中，输出电压应视为u o=（B）。
A. i c R c；
B. - R c i C；
C. -I c R c
D. I b R c
15．为了使晶体三极管工作于饱和区，必须保证（A）。
A．发射结正偏，集电结正偏；B．发时结正偏，集电结反偏；C.发射结正偏，集电结零偏
16．共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是（C）。
A．同相位 B.相位差90o; C.相位共为1８0o；D．不能确定
17．在阻容耦合多级级大器中，在输入信号一定的情况下，为了提高级间耦合的效率，必须（C）。
A.电阻的阻值尽可能小；
B.提高输入信号的频率；
C.加大电容以减小容抗；D．尽可能减小时间常数。18．为了使工作于饱和状态的晶体三极管进入放大状态，可采用（A）的方法。
A.减小I b B．减小ＲＣ C.提高E c的绝对值
19．为调整放大器的静态工作点，使之上移，应该使R b电阻值（B）。A.增大 B.减小；C.不变
20．如果晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏，当基极电流增大时，将使晶体三极管（C）。
A.集电极电流减小；
B.集电极电压U ce上升；
C.集电极电流增大
21．在晶体三极管放大电路中，当集电极电流增大时，将使晶体三极管（B）。
A.集电极电压Uce上升；
B.集电极电压U ce下降；
C.基极电流不变
22．在室温升高时，晶体三极管的电流放大系数β( A)。 A.增大；ｂ，减小； C.不变
23．在室温升高时，晶体三极管电压放大器的电压放大倍数（B）A.增大；B.减小；C.不变
24．当交流放大器接上负载ＲＬ后，其交流负载线的斜率( E)。
A.由ＲL的大小决定；
B.若RＣ的大小不变，则交流负载线的斜率不变；
C.因电容Ｃ具有隔直流作用，所以斜率不变；D．由ＲＣ和R L的串联值决定；E．由R L和R c的并联值决定
25．场效应晶体管源极输出器类似于（B）。A.共发射电路；B.共集电极电路；C.共基极电路26．(D)具有不同的低频小信号电路模型。
A．NPN型管和PNP型管B．增强型场效应管和耗尽型场效应管
C．N沟道场效应管和P沟道场效应管D．晶体管和场效应管
27．当U GS＝0时，( B)管不可能工作在恒流区。
A．JFET B．增强型MOS管C．耗尽型MOS管D．NMOS管
28、下列场效应管中，无原始导电沟道的为( B)。
A．N沟道JFET B．增强型PMOS管C．耗尽型NMOS管D．耗尽型PMOS管
29、场效应管是利用外加电压产生的__B_来控制漏极电流的大小的。A. 电流 B. 电场 C. 电压
30、场效应管是__C__器件。A. 电压控制电压 B. 电流控制电压 C. 电压控制电流 D. 电流控制电流
31、结型场效应管利用栅源极间所加的__A___来改变导电沟道的电阻。
A. 反偏电压
B. 反向电流
C. 正偏电压
D. 正向电流
32、场效应管漏极电流由__ C ___的漂移运动形成。A. 少子 B. 电子 C. 多子 D. 两种载流子
33、P沟道结型场效应管的夹断电压U p为____A____。 A. 正值 B. 负值 C.u GS D. 零
34、N沟道结型场效应管的夹断电压U P为____B_____。 A. 正值 B. 负值 C. 零
35、P沟道耗尽型MOS管的夹断电压U P为___ A _____。A. 正值 B. 负值 C. 零
36.当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导g m将 A 。A.增大B.不变C.减小
古今名言
敏而好学，不耻下问——孔子
业精于勤，荒于嬉；行成于思，毁于随——韩愈
兴于《诗》，立于礼，成于乐——孔子
己所不欲，勿施于人——孔子
读书破万卷，下笔如有神——杜甫
读书有三到，谓心到，眼到，口到——朱熹
立身以立学为先，立学以读书为本——欧阳修
读万卷书，行万里路——刘彝
黑发不知勤学早，白首方悔读书迟——颜真卿
书卷多情似故人，晨昏忧乐每相亲——于谦
书犹药也，善读之可以医愚——刘向
莫等闲，白了少年头，空悲切——岳飞
发奋识遍天下字，立志读尽人间书——苏轼
鸟欲高飞先振翅，人求上进先读书——李苦禅
立志宜思真品格，读书须尽苦功夫——阮元
非淡泊无以明志，非宁静无以致远——诸葛亮
熟读唐诗三百首，不会作诗也会吟——孙洙《唐诗三百首序》书到用时方恨少，事非经过不知难——陆游
问渠那得清如许，为有源头活水来——朱熹
旧书不厌百回读，熟读精思子自知——苏轼
书痴者文必工，艺痴者技必良——蒲松龄
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《模拟电子技术实践》课程 习题答案 一、填空题 1、共集电极放大器的特点有输入阻抗大、输出阻抗小、电压放大倍数≈1等。是从射极输出，所以简称射极跟随器。 2、三极管有放大、饱和、截止三种工作状态，在数字电路中三极管作为开关使用时，它是工作在饱和、截止两种状态下。 3、在三极管的输出特性曲线中，当I B=0时的I C是穿透电流I CEO。 4E，V C=8V，V B=3.7V，则该管是NPN、处于放大状态。 5、集成运放其内部电路的耦合方式是直接耦合。 6、三极管的输出特性曲线分为饱和、截止、放大等区域，三极管放大器处于截止区的条件是发射结反偏、集电结反偏。 7、场效应管是一种利用电压来控制其电流大小的半导体三极管，所以我们说场效应管是 电压控制型器件，三极管是电流控制型器件。 8、三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置；三极管的结温升高时穿透电流I CEO将增加。 9、二极管具有单向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为0.1-0.2 V；硅管约为0.4-0.5 V。 10、串联型可调稳压电源由取样电路、基准电路、比较放大、调整电路四个部分组成。 11、我们通常把大小相等、极性相同的输入信号叫做共模信号把大小相等、极性相反的信号叫做差模信号。集成运算放大器一般由输入电路、电压放大电路、推动级、输出级四个部分组成。 12、稳压电源一般由变压电路、整流电路、滤波电路、稳压电路四个部分组成。 13、理想集成放大器的开环差模电压放大倍数A VO为_无穷大，共模抑制比K CMR为无穷大，差模 输入电阻为无穷大。 14、单相半波整流电路输出电压的有效值U O=0.45U2 ，单相桥式整流电路输出电压的有效值 U O=0.9U2 ；整流电路是利用二极管的单向导电特性将交流电变成直流电的。滤波电路是利用电容或电感的储能充放电性质来减少脉动成分的。 15、三端固定式稳压器LM7805的输出电压为_5_V；LM7924输出电压为-24V。 16、理想乙类互补功率放大电路的效率为78.5%，理想甲类功率放大器的效率为50% 。 17、如希望减小放大电路从信号源索取电流，则可采用B；如希望负载变化时输出电流稳定，应 引入D；如希望动态输出电阻要小，应引入A；（A 电压负反馈；B 并联负反馈；C 串联负反馈；D电流负反馈）。 18、在图示电路中，已知开环电压放大倍数Au=10000，若需要Auf =100，则电路的负反馈系数 F为0.01。 19、多级放大器耦合的方式有阻容耦合、 变压器耦合、直接耦合；集成运算放大器是一种直接 耦合耦合放大器。 20、多级放大器与单级放大器相比，电压放大倍数较大；通频带较窄； 21、能使输入电阻提高的负反馈是C；能使输入电阻降低的负反馈是D； 能使输出电阻提高的负反馈是B；能使输出电阻降低的负反馈是A； （A 电压负反馈；B 电流负反馈：C 串联负反馈：D 并联负反馈）22、电压串联负反馈能稳定输出A ，并能使输入电阻D；
《模拟电子技术基础（一）》期末试题〔A 〕 一、填空题（15分） 1．由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。 2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。 3．从信号的传输途径看，集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。 4．某放大器的下限角频率L ω，上限角频率H ω，则带宽为 Hz 。 5．共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。 6．在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大 倍数要略大于 才能起振。 7．电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的 输出状态发生 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。 8．直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 、 。 二、单项选择题（15分） 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 。 [ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。 [ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区
3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。 [ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 4．差动放大电路的主要特点是 。 [ ] A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号 C 有效放大共模信号，有力抑制差模信号； D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。 5．互补输出级采用射极输出方式是为了使 。 [ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 [ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小 C 在集成工艺中难于制造大电容 D 可以增大输入电阻 7．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。 [ ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 8．当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时，放大倍数的数值将下降到中频时的 。 A 0.5倍 B 0.7倍 C 0.9倍 D 1.2倍 [ ] 9．在输入量不变的情况下，若引入反馈后 ，则说明引入的是负反馈。[ ] A 输入电阻增大 B 输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小 10 [ ] A 、
《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）
云南师范大学2006—2007学年上学期期末考试 《模拟电子技术基础》试卷 1、在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 2、稳压管的稳压区是其工作在。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 3、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 4、（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 5、U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 6、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。 A.电阻阻值有误差 B.晶体管参数的分散性 C.晶体管参数受温度影响 D.电源电压不稳定 7、选用差分放大电路的原因是。 A.克服温漂 B.提高输入电阻 C.稳定放大倍数 8、差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的，共模信号是两个输入端信号的。 A.差 B.和 C.平均值 9、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e，将使电路的。 A.差模放大倍数数值增大 B.抑制共模信号能力增强 C.差模输入电阻增大 10、在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负反馈。 A．输入电阻增大B．输出量增大 C．净输入量增大D．净输入量减小 11、交流负反馈是指。 A．阻容耦合放大电路中所引入的负反馈 B．只有放大交流信号时才有的负反馈 C．在交流通路中的负反馈 12、功率放大电路的转换效率是指。 A．输出功率与晶体管所消耗的功率之比 B．最大输出功率与电源提供的平均功率之比 C．晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比 13、整流的目的是。
模电测试题A 班别：姓名：学号： 一、填空题（每空1分，共24分） 1、晶体管放大电路常采用分压式电流负反馈偏置电路,因为它具有稳定静态工作点的作用。 2、射极输出器的特性归纳为:电压放大倍数__为1____,电压跟随性好,输入阻抗__高__,输出阻抗__低___, 3、三种不同耦合方式的放大电路分别为:___直接耦合__、___阻容耦合__和__变压器耦合__，其中__直接耦合__能够放大缓慢变化的信号。 4、三端集成稳压器CW7912的输出电压为____-12____ V，而CW7809的输出电压则为 5、如图所示是一个共射单管放大器的输出电压波形,假定晶体管是PNP 型,则该信号的削波属于____饱和_______失真,将偏流电阻Rb调__大 ______可以消除失真。 6、图中二极管为理想器件，V1工作在_截止_ 状态； V2工作在____导通_______ 状态；UA为____-3_______ V。 7、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为40dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为_60__d B，总的电压放大倍数为_____1000_______。 8、在典型的差动放大电路是,Re对_共模信号呈现很强的负反馈作用,而对__差模___信号则无负反馈作用. 9、差动放大电路，若两个输入信号u I1 = u I2，则输出电压，u O = 0；若u I1 = 80 μV，u I 2 = 20 μV则差摸电压u Id =30μV；共摸电压u Ic = 50μV。 10、有一负反馈放大器，在闭环时，当输入电压为0.1V时，输出电压为2V，而在开环时，对于0.1V的输入电压其输出电 压则有4V。该反馈的深度等于__2_____，反馈系数等于____0.025____。 二、选择题（把正确答案的序号填入下表内，每题2分,共36分） 1、二极管两端加上正向电压时( )。 A．一定导通 B．超过 0.3V 才导通C．超过死区电压才导通 D．超过 0.7V 才导通 2、若要提高放大器带负载能力，并对信号源的影响小，可采用的反馈组态为（）。 A. 电压串联负反馈 B. 电流串联负反馈 C. 电压并联负反馈 D. 电流并联负反馈 3、集成运放的输入级采用差分电路是因为可以( )。 A.增大放大倍数 B．减小温漂 C．提高输入电阻 D.提高稳定性 4、在单相桥式整流电路中，设变压器副边电压有效值为 U 2 =100V ，则负载两端的平均电压是（）。 A.100V B.90V C.45V D.141V 5、工作在反向击穿状态的二极管是( )。 A．一般二极管 B．稳压二极管 C．发光二极管 D 光敏二极管 6、放大电路采用负反馈后，下列说法不正确的是( )。 7、如图所示电路中集成运算最大输出电压为±10V，则输出电压Uo=（）。 A.0V； B.5V； C.+10V； D. -10V 8、理想集成运放工作在线性区时有（）。 A. U + = U ? B. U + > U ? C. U + < U ? D. 无法确定 9、已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示，该电路可能是( )。 A．积分运算电路 B．微分运算电路 C．过零比较器 D．滞回比较器 10、测得三极管IB=30uA时IC=2.4mA,而IB=40uA时,Ic=3mA,则该管的交流电流放大系数为_____ A. 80 B. 60 C. 75 D. 100 11、差动放大器由双端输入变为单端输入，差模电压增益是（）。 A.增加一倍 B.为双端输入时的一半 C.不变 D.不确定 12、在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0V，10V，9.3V，则这只三极管是( )。
课程名称 模拟电子技术基础 考核类型 考试 1 卷 考试形式 闭卷 答题时间 120 分钟 考试性质 期末 一、选择题：（本大题共11小题，其中10、11 小题为选做题，15级选做第10题,16级选做第11题，每小题3分，共30分） 1．N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质形成的( )。 A ．电子 B ．空穴 C ．三价硼元素 D ．五价磷元素 2. PN 结加正向电压时，其效果是( )。 A ．使内电场增强 B ．使空间电荷区加宽 C ．使漂移容易进行 D ．使扩散容易进行 3. 温度升高时，三极管的极间反向电流将( )。 A ．增大 B. 减小 C. 不变 D. 无法确定 4．差分放大电路中，共模抑制比K CMR 越大表明电路( )。 A ．放大倍数越稳定 B ．交流放大倍数越大 C ．抑制温漂越强 D ．输入信号中差模成分越大 5．在负反馈放大电路中，若AF=-1，则电路将处于( )。 A ．开环状态 B ．深度闭环状态 C ．自激状态 D ．无法确定 6. 为稳定静态工作点，应选用的负反馈组态是( )。 A. 交流负反馈 B. 直流负反馈
C. 电压负反馈 D. 电流负反馈 7. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运放通常工作在（ ） A ．开环或正反馈状态 B ．深度负反馈状态 C ．放大状态 D ．线性工作状态 8. 若发现电路出现饱和失真，则为消除失真可将（ ） A ．R b 减小 B ．V cc 减小 C ．R c 减小 D ．R w 减小 9．方波通过积分电路后的输出波形是( )。 A. 三角波 B. 锯齿波 C. 尖顶波 D. 正弦波 10. 电路如图所示，已知集成运放为理想运放，最大输出电压幅值为 V 14±，若Ω=K R 101，Ω=K R 1002，当 V 1I =u ，2R 开路时，则输出o u 为（ ）。 A ．1V B ．+14V C ．0V D ．-14V 11. 整流的目的是( )。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波 D. 将直流变为交流 二、填空题：（本大题共5小题，每空1分，共 10分） 1. 在直接耦合放大电路中采用差分放大电路的原因是 。 2. 集成运放的实质是一个具有高放大倍数的多级耦合放大电路，内部通常包含四个组成部分，即 、 、输出级、 。
第 1 章常用半导体器件 自测题 、判断下列说法是否正确，用“× ”和“√”表示判断结果填入空内。 (1) 在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ ) (2) 因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) (3) PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( √ ) (4) 处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( × ) (5) 结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其 (6) 若耗尽型N 沟道MOS 管的大于零，则其输入电阻会明显变小。( × ) 、选择正确 答案填入空内。 (l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C.变宽 (2) 稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3) 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 (4) U GS=0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、 C 。 A. 结型管 B.增强型MOS 管 C.耗尽型MOS 管 四、 伏。 、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D= 0.7V。 图T1.3 解：U O1= 1.3V, U O2= 0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5= 1.3V, U O6= -2V。已知稳压管的稳压值U Z= 6V，稳 定电流的最小值I Zmin=5mA。求图Tl.4 所示电路中U O1 和U O2各为多少 (a) (b) T1.4 解：左图中稳压管工作在击穿状态， 右图中稳压管没有击穿，故 故U O2= 5V。 U O1= 6V。 五、电路如图T1.5 所示，V CC=15 V，试问： (1)R b=50k 时，Uo=? (2)若T 临界饱和，则R b=? 解：(1) = 100，U BE=0.7V。 大的特点。( √ )
试题一 一、选择题（每小题2分，共24分）：（1）当晶体管工作在放大区时，发射 结电压和集电结电压应为（ B ）。 A.前者反偏、后者反偏 B.前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏（2）N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ C ）。 A.电子 B.三价硼元素 C.五价磷元素（3）为了减小零点漂移，通用型运放的输入级大多采用（ C ）。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C.差动放大电路）。（4）高通滤波电路可以用于（ A 滤除高于某一频率的无用信号A. 滤除低于某一频率的无用信号 B. 让低于某一频率的有用信号通过C. 。（5）长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是（ C ） A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好C.引入了电流串联型负反馈。） B 等于（（6）、电路如图所示，其输出电压u O u?u?uu uu?C.A.B. i2i1i1i2i2i1 （7）当信号频率等于放大电路的f或f时，放大倍数的值约下降到中频时的HL0.7倍,即增益下降（ A ）。 A.3dB B.4dB C.5dB （8）( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A．同相比例B．微分 C．同相求和 （9）PN结加正向电压时，空间电荷区将( A )。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （10）OCL功率放大电路如图所示，当u为正半周时，则( A )。i-111A
A. T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1，T2导通 （11）整流的目的是（ A ）。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波 （12）电路如图所示，二极管D为理想元件，输入信号u为如图所示的三角波， i则输出电压u的最大值为（ B ）。o A. 5 V B. 7 V C. 2 V 二、填空题：（总16 分，每空 2 分）
1 《模拟电子技术基础》期末考试试题参考答案（A ） 一、填空（18分，每空1分） 1、实现放大作用的外部条件是外加电源的极性应保证发射结正偏 ；而集电结 反偏 。 针对放大电路的基本分析方法有两种，分别为 微变等效法 和 图解法 。 3、基本放大电路有三种组态，即 共发射极 、 共基极 和 共集电极 。多级放大电路常用的耦合方式有三种，分别为 直接耦合、阻容耦合 和变压器耦合。 4、电压负反馈使输出电压 稳定 ，因而降低了放大电路的 输出电阻；串联负反馈增大 放大电路的输入电阻，并联负反馈则减小输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的组态，分别为 电压串联负反馈、电压并联负反馈 、电流串联负反馈、电流并联负反馈。 二、选择正确答案填空（20分 每空2分） ADCDA DBDCC 三. （15分）解：（1）静态分析： V 7.5)( A μ 101mA 1 V 2e f c EQ CEQ EQ BQ e f BEQ BQ EQ CC b2b1b1BQ =++-≈≈+= ≈+-==?+≈ R R R I V U I I R R U U I V R R R U CC β 动态分析： Ω ==Ω ≈++=-≈++-=Ω≈++=k 5k 7.3])1([7.7)1()(k 73.2mV 26)1(c o f be b2b1i f be L c EQ bb'be R R R r R R R R r R R A I r r u ββββ∥∥∥ （2）R i 增大，R i ≈4.1k Ω；u A 减小，e f 'L R R R A u +-≈ ≈－1.92。 四. （4分）解：（a ）可能 （b ）不能 五. （20分）7V ；-333；0；6 k Ω；20 k Ω 六.（15分） 8o 2 13i 2be 82be2764m )()]([R R R R R R r R r R R R g A u =+=-?-=∥∥∥∥β
模拟电子技术 胡宴如（第3版）自测题 第1章半导体二极管及其基本应用1．1 填空题 1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。 3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。 4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。 5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。 8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于650 Ω，交流电阻等于26 Ω。 1．2 单选题 1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度D．晶格缺陷2．PN结形成后，空间电荷区由(D )构成。 A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而(B )。 A．减小B．基本不变C．增大 4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。 A．增大B．基本不变C．减小 5．变容二极管在电路中主要用作(D )。、 A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1．3 是非题 1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。(√) 2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。(×) 3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。(×) 4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。(×) 1．4 分析计算题 1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on)=0.7V，试写出各电路的输出电压Uo值。
大学《模拟电子技术》模电期末考试模拟试题 填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关， 而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时， 结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电 路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出 电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍 数AF=（ 1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大 小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大 器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点， 所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息 的工具，称为（）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。 二、选择题（每空2分共30分） 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须 （），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别
模拟电路试题B卷 一.（24分） 1）射极输出器的特性归纳为：电压增益，电压跟随性好，输入阻抗，输出阻抗，而且具有一定的放大能力和功率放大能力，射极输出器的反馈类型是。 2）电压负反馈可以使放大器的输出稳定，电流负反馈可以使放大器的输出稳定。 3）在差分放大电路中，大小相等、极性或相位一致的两个输入信号称为信号；大小相等，极性 或相位相反的两个输入信号称为信号。 4）在导体中导电的是，在半导体中导电的不仅有，而且有，这是半导体区别于导 体导电的重要特征。 5）PN结正向偏置时，反向偏置时，这种特性称为PN结的。 .专业.整理.
6）晶体三极管有两个PN结，即结和结，在放大电路中结必须正偏， 结必须反偏。 7）晶体三极管有型和型两种类型。 8）画放大器的直流通路时，将视为开路，画交流通路时，将和视为短 路。 二.（1.9分，2.9分，3.6分，共24分） 1.放大电路如图所示,T为锗NPN管. (1)设V cc=12V,R c=3kΩ,β=70,如果要将静态工作点电流I c调至1.5mA,问R b要取多大? (2)电路参数同上,如果要将静态工作点的电压V CE调至3.3V,问R b应多大? (3)在调整静态工作点时,如稍不小心把R b调至零,这时三极管是否会损坏,为什么?为避免损坏,电路上可 .专业.整理.
采取什么措施? .专业.整理.
.专业.整理. 2.已知电路参数如图所示,R g1=300kΩ，R g2=100kΩ，R g3=2MΩ，R d=10kΩ，R2=10kΩ，+V DD=+20V，场 效应 管工作点的互导g m=1ms,设r d>>R d (1)画出小信号等效电路；
模电自测题 分析与计算（本题共60分）： 1．(本小题15分)放大电路如图1所示，电路中电容容量足够大，三极管的β＝50，r bb’＝200Ω，U BE＝0.6V，R B1＝120KΩ，R B2＝40KΩ，R C＝R L＝4KΩ，R E＝2.1KΩ，V CC＝12V，信号源内阻R S＝10KΩ， （1）估算电路的静态工作点I BQ、I EQ、U CEQ； （2）画出微变等效电路； （3）计算电路的放大倍数 A 、us A 、输入电阻R i和输出电阻R o的值。 u （4）去掉旁路电容C E，求电压放大倍数 A ，输入电阻R i。 u 2．(本小题10分) 电路如图2所示，通过分析判断反馈组态，并近似计算深度负反馈的闭环电压增益A usf。 图1 图2 3．(本小题10分) 在图3中，已知u2=10V，在下列情况下，测得输出电压平均值U o可能的数值各为多少？（1）正常情况时；（2）电容虚焊时；（3）R L开路时；（4）一只整流管和电容C同时开路时。 图3 4．(本小题15分) 图4所示电路中，A1～A5都是理想运放。
（1）当开关S闭合时，计算： u、2o u、3o u、4o u及o u的值。 1 o （2）t＝0时，将S打开，则经过多少时间， u＝0V ？ o 图4 5．(本小题10分)电路如图5所示，Vcc＝20V，R L＝8Ω，则：（1）该电路是什么电路？T1，T2，T3以及D1，D2的作用是什么？（2）当U i＝1sinωt（V），A US＝－10倍时，计算电路的最大输出功率P om。 图5 答案 四、分析与计算（本题共60分）：
1．(本小题15分) 解:(1) V 9.22 1 2 B B B B =?+= CC V R R R U V 3.2BE B E =-=U U U mA 09.1E E E C == ≈R U I I mA 02.0E B == β I I V 46.5)(C E C CC CE =?+-=I R R V U Ω =+=k ..4109 12651 200r be （2）略 (3) 70 ) //(be L C -≈- =r R R A u β Ω ≈=k 1////be B2B1i r R R R Ω ==k 9.3C O R R 8 17s i i s o s .A R R R u u A u u -≈+= = Ω ≈++=k 443])1([E be B2B1i .R r //R //R R β (4) 9 01E be L C u .R )(r )R //R (A -≈++- =ββ 2．(本小题10分) 解：直流时通过R f 为T1管的基极提供静态偏置电流，交流时通过R f 形成电流并联负反馈，R f 与R e2构成反馈网络，F ＝I f /I o ，A usf ＝Uo/Us ＝IoR C2/I f Rs ＝R C2/RsF ＝（1＋R f /R e2）R C2/Rs 3．(本小题10分) 解：（1）正常情况下，U o ＝U L ＝（1.1～1.2）U 2＝11～12V 。（2）电容虚焊时，成为单相桥式整流电路，U o ＝0.9U 2＝9V 。（3）R L 开路时，U o ＝ 2 U 2＝14.14V 。（4）一只整流管和电容C 同时开路 时，成为半波整流电路，U o ＝0.45U 2＝4.5V 。 4．(本小题15分) 解：（1）S 闭合时，U D ＝0，U B ＝1V ，uo1＝2V ，uo2＝－1V ，uo3＝0V ，uo4＝1V ，uo ＝－6V ；（2） o u ＝0V 时， 30 215 23-= +o u ，得uo3＝－3V ，S 打开时，由uo3＝－ ?t o dt u C R 0 121，得t ＝0.03秒。 5．(本小题10分) 解：（1）为功率放大电路，T3所在电路是电压放大，T1和T2组成互补对称甲乙类功率放大，D1和D2用来消除交越失真。（2）P om ＝6.25W 。
《模拟电子技术基础》试题（A 卷） 学号 姓名 . 一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。 （10分） （1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。 （ ） （2）电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。 （ ） （3）使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。 （ ） （4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。 （ ） （5）利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。 （ ） （6）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。 （ ） （7）未加外部电压时，PN 结中电流从 P 区流向 N 区。 （ ） （8）集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。 （ ） （9）只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。 （ ） （10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。 （ ） 二、选择填空 （10分） （1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入 。 （A ）电流负反馈 （B ）电压负反馈 （C ）直流负反馈 （D ）交流负反馈 （2）RC 串并联网络在RC f f π21 0= =时呈 。 （A ）感性 （B ）阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用 。 （A ）共基接法 （B ）共集接法 （C ）共射接法 （D ）差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。 （A ）β （B ）β2 （C ）2β （D ）1+β （5）在（A ）、（B ）、（C ）三种电路中输出电阻最小的电路是 ； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 。 （A ）共基放大电路 （B ）共集放大电路 （C ）共射放大电路 （6）当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E 。
华南理工大学期末考试 《 模拟电子技术 》试卷A （电类07级，2009.07.06） 一、选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。每小题2分，共14分） 1． 电路如图1所示，二极管的导通电压0.7V D U =，则图1 中二极管的工作状态及输出电压值为（ ）。 A.D1导通，D2截止，0.7V O U = B.D1截止，D2导通， 5.3V O U =- C.D1截止，D2截止，12V O U = D.D1导通，D2导通，0.7V O U = 2． 图2所示共射放大电路，设静态时2mA CQ I =，晶体管饱和 管压降0.6V CES U =，当输入信号幅度增大到一定值时，电路将首先出现（ ）失真，其输出波形的( )将削去一部分。 A. 饱和；底部 B. 饱和；顶部 C. 截止；底部 D. 截止；顶部 3． 在图2所示电路中，已知U T =26mV ，静态时2mA CQ I =，晶体管参数：100β=， bb'200r =Ω ，正弦交流输入电压i t u ω=，则交流输出o u 为（ ） 。 A ．o )u t ωπ=+ B ．o )u t ω= C ．o )u t ωπ=+ D ．o )u t ω= 4． 根据不同器件的工作原理，可判断下图中（ ）可以构成复合管。 （A ）（B ）（C ）（D ） 5． 对于RC 耦合单管共射放大电路，若其上、下限频率分别为H f 、L f ，则当L f f =时， 下列描述正确的是（ ）。 A ．o U 滞后i U 45? B ．o U 滞后i U ? 135 C ．o U 超前i U ?45 D ．o U 超前i U 135? 6． 某负反馈放大电路，其开环增益9.9mS iu A =，反馈系数10ui F k =Ω，开环输入电阻 图1
第1章 常用半导体器件 自测题 三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D =0.7V 。 图T1.3 解：U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。 四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 (a) (b) 图T1.4 解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。 右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。 五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。 试问： (1)R b =50k Ω时，U o=? (2)若T 临界饱和，则R b =? 解：(1)26BB BE B b V U I A R μ-= =， 2.6C B I I mA β==, 2O CC C c U V I R V =-=。 图T1.5
(2)∵ 2.86CC BE CS c V U I mA R -= =， /28.6BS CS I I A βμ== ∴45.5BB BE b BS V U R k I -= =Ω 习题 1.2电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.3电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与 o u 的波形图，并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3 解：波形如解图Pl.3所示。
模拟电子技术基础期末考试试题（B ） 姓名 班级 学号 计分 1．电路如图P1.4所示，已知u i ＝5sin ωt (V)，二极管导通电压U D ＝0.7V 。试画出u i 与u O 的波形，并标出幅值。 （5分） 2. 设图中A 为理想运放，请求出各电路的输出电压值。(12分) U 01 = U 02 = U 03 = U 04 = U 05 = U 06 = 3. 电路如图所示，设满足深度负反馈条件。 1．试判断级间反馈的极性和组态； 2．试求其闭环电压放大倍数A uf 。 （10分） (1) (2) 10 k Ω (3) 20 k Ω 2(5) 2 o5 (6) 2 20 k Ω
4. 试用相位平衡条件判断图示两个电路是否有可能产生正弦波振荡。如可能振荡，指出该振荡电路属于什么类型(如变压器反馈式、电感三点式、电容三点式等)，并估算其振荡频率。已知这两个电路中的L=0，C 1，C 2=F 。(8分) 5. 在图示电路中，设A 1、A 2、A 3均为理想运算放大器，其最大输出电压幅值为±12V 。 1． 试说明A 1、A 2、A 3各组成什么电路？ 2． A 1、A 2、A 3分别工作在线形区还是非线形区？ 3． 若输入为1V 的直流电压，则各输出端u O1、u O2、u O3的电压为多大？（10分） V CC V CC (a ) C b (b )
r=100Ω。 6．电路如图所示，晶体管的 ＝100，' bb A 、R i和R o； （1）求电路的Q点、 u （2）若电容C e开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？（15分） r=100Ω，U B E Q≈0.7。试计算R W滑动端7．图所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，' bb 在中点时T1管和T2管的发射极静态电流I EQ，以及动态参数A d和R i。（15分）
《模拟电子技术》模拟试题七 一、选择题（每空2分，共34分） 1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是（） A 5v B 9v C 12v 2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）。 A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。 A 饱和 B 截止C交越D频率 4、差分放大电路是为了（）而设置的。 A稳定Au B放大信号C抑制零点漂移 5、对功率放大器的主要要求有（）（）（） A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）变化。 A 0-20 B 20 -200 C 200-1000 7、单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=( )U2。 A 0.45 B 0.9 C 1.2 8、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（）（）。 A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=1 9、对功率放大器的主要要求有（）（）（）。 A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 10、振荡器的输出信号最初是由（）而来的。 A基本放大器 B 选频网络C干扰或噪声信号 二、填空题（每空1分，共32分） 1、自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。 2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。 3、扩展运动形成的电流是（）电流，漂移运动形成的电流是（）。 4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成开断。 5、场效应管的漏极电流ID=( ),所以它是（）控制文件。 6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β
第1章习题 一、填空题： 1. N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素构成。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，定域的杂质离子带正电。 2. 双极型三极管内部分有基区、发射区和集电区三个区，发射结和集电结两个PN结，从三个区向外引出三个铝电极。 3. PN结正向偏置时，内、外电场方向相反，电阻很小，多子扩散形成较大的正向电流，PN结导通；PN结反向偏置时，其内、外电场方向相同，电阻很大，少子漂移形成很小的反向电流，PN结几乎截止。PN结的这种特性称为单向导电性。 4. 二极管的伏安特性曲线划分为四个区，分别是死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区。 5. 用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的R×1k档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都极小时，说明该二极管已经老化不通。 6. BJT中，由于集电极大电流i c受基极小电流i b控制，属于电流控制型器件；FET 中，由于漏极大电流i D受栅源电压u Gs控制，属于电压控制型器件。 7. 温度升高时，PN结内电场增强，造成二极管正向电压减小，反向电压增大。 8. 稳压管正常工作时应在反向击穿区；发光二极管正常工作时应在正向导通区；光电二极管正常工作应在反向截止区。 9. 晶闸管有阳极、阴极和门控极三个电极。 10. 晶闸管既有单向导电的整流作用，又有可以控制导通时间的作用。晶闸管正向导通的条件是阳极加正电压时，门控极也要有正向触发电压，关断的条件是晶闸管反偏或电流小于维持电流。 二. 判断下列说法的正确与错误： 1. 半导体中自由电子是带负电的离子，空穴是带正电的离子。（错） 2. 晶体管和场效应管都是由两种载流子同时参与导电。（错） 3. 用万用表测试晶体管好坏和极性时，应选择欧姆档R×10k档位。（错） 4. 温度升高后，本征半导体内自由电子和空穴数目都增多，且增量相等。（对） 5. 无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。（错） 6. PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。（对）
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1=100 V ，u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ；共模输入电压u Ic = 90 V 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1 A u 230d B ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能 量转换效率在理想情况下，可达到 % ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ， V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 型锗管 型硅管 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的1 = 30，V 2的 2 = 50，则复合后的约为（ A ）。 A ．1500 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 i D /mA -4 u GS /V 5 V 2 V 1