FT-302电缆半导电屏蔽层电阻率测试仪
一、描述：FT-302电缆半导电屏蔽层电阻率测试仪是根据国标GB11017-89所规定的测试方法和技术指标而设计的，用来测试高压电缆半导电内外屏蔽层的电阻率，采用四端子电流—电压降压法原理，能够有效地排除测试中产生的接触电阻和引线电阻的影响，通过专用的测试架能够对不同直径的电缆迅速而准确地测量其屏蔽层的电阻。
二、仪器介绍：仪器由电阻率测试仪和测试治具两大部分组成，测试治具有夹持加压机构，能够良好地夹紧各种不同直径的屏蔽电缆，具有环形准确度达0.3%的电位电极和电流电极确保仪器取样位置精度高、使用方便、外形轻巧，适应在常温和恒温箱中测量。电阻率测试仪为液晶显示，直流恒定电流源，输出电流从0到1000mA连续可调，测量电阻率自动计算直接数字显示仪器，具有温度补偿功能。
三、适用范围：本仪器适合电缆研究部门，电缆厂，对于高压交联电缆半导电屏蔽层电阻率的测试是必须具备的测量手段。
四、参数和技术指标
1．电阻率：10-8～2*106Ω-cm；
2. 电阻：10-8～2X106Ω；
2.1分辨率：最小0.1μΩ；
2.2测量误差±（0.05%读数±5字）
3.测量电压量程： 2mV 20mV 200mV 2V ；
3.1测量精度±（0.1%读数）
3.2分辨率：0.1uV 1uV 10uV 100uV
4.电流输出：直流电流 0～1000mA 可调，输入220V。
4.1量程：1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，1000mA,
4.2误差：±0.2%读数±2字
5. 测试治具：电缆导电屏蔽层直径：10mm—35mm
电缆绝缘屏蔽层直径：50mm—140mm
电位电极间距：50mm±0.25mm
电流电极与电位电极距离>25mm
.配备多用途多功能电极
MH/T 6049—2019 18 附 录 A （规范性附录） 半导电屏蔽电阻率测量方法 从150 mm长成品电缆样品上制备试样。 将电缆绝缘线芯样品沿纵向对半切开，除去导体以制备导体屏蔽试样，如有隔离层也应去掉（见图 B.1）。将绝缘线芯外所有保护层除去后制备绝缘屏蔽试片（见图B.2）。 屏蔽层体积电阻系数的测定步骤如下： a) 将四只涂银电极A、B、C 和D（见图B.1 和图B.2）置于半导电层表面。两个电位电极B 和C 间距50 mm。两个电流电极A 和D 相应地在电位电极外侧间隔至少25 mm。 b) 采用合适的夹子连接电极。 在连接导体屏蔽电极时，确保夹子与试样外表面绝缘屏蔽层的绝缘。 c) 将组装好的试样放入烘箱，预热到规定温度。30 min 后用测试线路测量电极间电阻，测试线 路的功率不超过100 mW。 d) 电阻测量后，在室温下测量导体屏蔽及绝缘的外径和导体屏蔽及绝缘屏蔽层的厚度。每个数据 取六个测量值的平均值（见图B.2）。 e) 导体屏蔽的体积电阻率按公式（1）计算，绝缘屏蔽的体积电阻率按公式（2）计算： c c c c c c 2)(L T T D R ?-??= πρ…………………………………………（1） 式中： ρc －－体积电阻率，单位为欧姆·米（Ω?m）； R c －－测量电阻，单位为欧姆（Ω）； L c －－电位电极间距离，单位为米（m）； D c －－导体屏蔽外径，单位为米（m）； T c －－导体屏蔽平均厚度，单位为米（m）。 i i i i i i )(L T T D R ?-??= πρ …………………………………………（2） 式中： ρi －－体积电阻率，单位为欧姆·米（Ω?m）； R i －－测量电阻，单位为欧姆（Ω）； L i －－电位电极间距离，单位为米（m）； D i －－绝缘屏蔽外径，单位为米（m）； T i －－绝缘屏蔽平均厚度，单位为米（m）。
实验 四探针法测电阻率 1．实验目的： 学习用四探针法测量半导体材料的体电阻率和扩散薄层的电阻率及方块电阻。 2．实验内容 ① 硅单晶片电阻率的测量：选不同电阻率及不同厚度的大单晶圆片，改变条件（光照 与否），对测量结果进行比较。 ② 薄层电阻率的测量：对不同尺寸的单面扩散片和双面扩散片的薄层电阻率进行测 量。改变条件进行测量（与①相同），对结果进行比较。 3． 实验原理： 在半导体器件的研制和生产过程中常常要对半导体单晶材料的原始电阻率和经过扩散、外延等工艺处理后的薄层电阻进行测量。测量电阻率的方法很多，有两探针法，四探针法，单探针扩展电阻法，范德堡法等，我们这里介绍的是四探针法。因为这种方法简便可行，适于批量生产，所以目前得到了广泛应用。 所谓四探针法，就是用针间距约1毫米的四根金属探针同时压在被测样品的平整表面上如图1a 所示。利用恒流源给1、4两个探针通以小电流，然后在2、3两个探针上用高输入阻抗的静电计、电位差计、电子毫伏计或数字电压表测量电压，最后根据理论 公式计算出样品的电阻率［１］ I V C 23 =ρ 式中，C 为四探针的修正系数，单位为厘米，C 的大小取决于四探针的排列方法和针距，
探针的位置和间距确定以后，探针系数C 就是一个常数；V 23为2、3两探针之间的电压，单位为伏特；I 为通过样品的电流，单位为安培。 半导体材料的体电阻率和薄层电阻率的测量结果往往与式样的形状和尺寸密切相关，下面我们分两种情况来进行讨论。 ⑴ 半无限大样品情形 图1给出了四探针法测半无穷大样品电阻率的原理图，图中(a)为四探针测量电阻率的装置；(b)为半无穷大样品上探针电流的分布及等势面图形；(c)和(d)分别为正方形排列及直线排列的四探针图形。因为四探针对半导体表面的接触均为点接触，所以，对图１（b ）所示的半无穷大样品，电流I 是以探针尖为圆心呈径向放射状流入体内的。因而电流在体内所形成的等位面为图中虚线所示的半球面。于是，样品电阻率为ρ，半径为r ，间距为dr 的两个半球等位面间的电阻为 dr r dR 2 2πρ = ， 它们之间的电位差为 dr r I IdR dV 2 2πρ= =。 考虑样品为半无限大，在r →∞处的电位为0，所以图１（a ）中流经探针１的电流I 在r 点形成的电位为 ()r I dr r I V r r πρπρ222 1== ? ∞ 。 流经探针１的电流在２、３两探针间形成的电位差为 ()??? ? ??-= 1312123112r r I V πρ； 流经探针４的电流与流经探针１的电流方向相反，所以流经探针４的电流I 在探针２、３之间引起的电位差为 ()??? ? ??--=4342423112r r I V πρ。 于是流经探针１、４之间的电流在探针２、３之间形成的电位差为 ??? ? ??+--= 434213122311112r r r r I V πρ。 由此可得样品的电阻率为 ()1111121 434213 1223-???? ??+--=r r r r I V πρ 上式就是四探针法测半无限大样品电阻率的普遍公式。 在采用四探针测量电阻率时通常使用图１（c ）的正方形结构（简称方形结构）和图１（d ）的等间距直线形结构，假设方形四探针和直线四探针的探针间距均为S ， 则对于直线四探针有 S r r S r r 2, 42134312==== ()2223 I V S ? =∴πρ 对于方形四探针有 S r r S r r 2,42134312==== () 322223 I V S ? -=∴ πρ
电力电缆用半导电材料在不断进展 Karl-Michael Jager等 引言 自1960年代初期，使用XLPE电力电缆补充然后是替代纸绝缘电缆以来，这种电力电缆的可靠性不断得到提高，最重要的发展阶段是采用挤出导电屏蔽层（Sreens在北美称为Shields）、三层挤出、N2固化（替代蒸汽固化）、对XLPE化合物洁净度的要求提高以及使用高质量半导电材料，所有这些改进综合一起，已能安全设计和生产出可靠的电缆。然而，本文我们将关注的是半导电材料的最新资料。 从所有电压[中压（MV）至超高压（EHV）]电缆得到的经验（使用和试验）已清楚表明半导电屏蔽层对电力电缆的成功运行起到极为重要的作用，半导电混合物已成为前二十年快速发展的研究主题，并与电缆技术的其它进展保持同步，在本研究工作中，可能要识别半导电层发展过程中的三项通用导则： ●提高电气性能 ●延长电缆耐久性 ●更容易和更完善的加工工艺。 在实现这些改进并将其转化成实际电缆性能时，必须要关注材料工艺下列的关键特征： ●改善电传导 ●降低表面缺陷的密度和尺寸 ●提高化学洁净度 ●耐焦化性更好 ●热稳定性更高 ●高级测量技术（光滑度、焦化性等） 本文综述了用过氧化物作交联的电缆在这些方面所取得的进步，而且说明在测量方法和材料工艺方面的发展趋势。 电传导 典型的电力电缆芯是由外同心的半导电层（导体和绝缘屏蔽层）组成，这种结构的基本功能是使介电绝缘中的电应力呈对称径向分布，并控制电缆的电场。另外，绝缘屏蔽使电缆不会感应电压、限制无线电干扰及降低电击的危险性。此外，它提供一条泄漏电流和故障电流的对地通道。为保证电缆的正常功能，国际电缆规规定了一个最大体积电阻率，例如90℃测定时250Ωm（CENELEC）或500Ωm（AEIC、IEC）。然而，商品半导电材料所设计的稳定体积电阻率则比规值低得多，以保证有足够的电导率，而不考虑材料的加工、老化和运行条件。 传导 使聚合物具有电导率的最常用方法是添加碳黑，碳黑可以认为是从不完全燃烧的碳氢化合物中得到的粒状填料，在半导电材料中所常用的这类碳黑的基本粒度在15-50 nm之间。但这些基本粒子会和聚集成团，其尺寸为几百纳米，基本粒子普遍聚集而成的这种“结构”被称为离散的刚性实体，它是最小的可分散单元。因为在集聚体的粒子之间留有空隙，一种间接但非常有用的测量集聚体配容的方法是邻苯二甲酸二丁酯的量吸附数（DBPA），它说明填满空隙体积所需要的邻苯二甲酸二丁酯的量。 显然，导电填料的特性相当复杂，商品碳黑类型的围很广，只有深刻的理解聚合物和碳黑是如何发生互相
. . . . 莆田南日岛风电场三期工程施工图阶段土壤电阻率测量报告 福建永福工程顾问有限公司 发证机关：福建省建设厅 证书等级：乙级证书编号：130903-ky 二00九年一月·
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目录 1、前言 2、仪器接线示意图 3、原理及操作 4、测量结果分析 5、结论
1、前言 根据公司勘察任务安排及工程勘察联系书的要求，莆田南日岛风电厂三期工程施工图阶段土壤电阻率测量工作于2008年10月2日至2008年10月24日期间进行。 南日岛风电厂前两期共投产19台风机，本期计划建设57台风机，总装机容量48.45MW，110kV升压站一座。 本次测量工作采用DZD-6A多功能直流电法仪测量，测量原理采用等极距四极对称法，极距分别为a=5、10、20、60、100m，大部分风机为测量至100m极距，局部因测量场地限制仅测量至40m 或60m极距。 本次测量工作布线按每风机一条测线，升压站按常规220kV变电站布线方式，四周四条线，对角两条线，共六条测线。本期总共完成测线63条。 本次测量遵循《电力工程物探技术规定》（DL/T5159-2002）。 2、仪器接线示意图 仪器接线示意图
3、原理及操作 等极距四极对称法，又称温纳装置，其做法是沿测线上的测点，分别打入电极，并用导线连接供电回路AB 和测量回路MN ，通过对AB 电极供电，使位于其中间的大地产生电场，测量MN 处产生的电位差及电流，通过以下公式计算出其电阻率。 测量原理示意图 I U K MN a ?=ρ ① a ρ——MN 间的等效土壤电阻率； MN U ?——MN 间的电位差； I ——MN 间的电流； K ——装置系数，对称四极法中a 2MN AN AM K ππ=?= DZD-6A 直流电法仪存在内在计算系统，测量前仅需输入极距a 后，则可直接测出结果。
实验七四探针法测量材料的电阻率 一、实验目的 （1）熟悉四探针法测量半导体或金属材料电阻率的原理 （2）掌握四探针法测量半导体或金属材料电阻率的方法 二、实验原理 半导体材料是现代高新技术中的重要材料之一，已在微电子器件和光电子器件中得到了广泛应用。半导体材料的电阻率是半导体材料的的一个重要特性，是研究开发与实际生产应用中经常需要测量的物理参数之一，对半导体或金属材料电阻率的测量具有重要的实际意义。 直流四探针法主要用于半导体材料或金属材料等低电阻率的测量。所用的仪器示意图以及与样品的接线图如图1所示。由图1(a)可见，测试过程中四根金属探针与样品表面接触，外侧1和4两根为通电流探针，内侧2和3两根是测电压探针。由恒流源经1和4两根探针输入小电流使样品内部产生压降，同时用高阻抗的静电计、电子毫伏计或数字电压表测出其它两根探针（探针2和探针3）之间的电压V23。 a b 图1 四探针法电阻率测量原理示意图 若一块电阻率为 的均匀半导体样品，其几何尺寸相对探针间距来说可以看
作半无限大。当探针引入的点电流源的电流为I ，由于均匀导体内恒定电场的等位面为球面，则在半径为r 处等位面的面积为22r π，电流密度为 2/2j I r π= （1） 根据电流密度与电导率的关系j E σ=可得 22 22j I I E r r ρ σ πσπ= = = （2） 距离点电荷r 处的电势为 2I V r ρ π= （3） 半导体内各点的电势应为四个探针在该点所形成电势的矢量和。通过数学推导，四探针法测量电阻率的公式可表示为 123 231224133411112( )V V C r r r r I I ρπ-=--+?=? （4） 式中，1 12241334 11112( )C r r r r π-=--+为探针系数，与探针间距有关，单位为cm 。 若四探针在同一直线上，如图1(a)所示，当其探针间距均为S 时，则被测样品的电阻率为 123 2311112()222V V S S S S S I I ρππ-=- -+?=? （5） 此即常见的直流等间距四探针法测电阻率的公式。 有时为了缩小测量区域，以观察不同区域电阻率的变化，即电阻率的不均匀性，四根探针不一定都排成一直线，而可排成正方形或矩形，如图1(b)所示，此时只需改变电阻率计算公式中的探针系数C 即可。 四探针法的优点是探针与半导体样品之间不要求制备接触电极，极大地方便了对样品电阻率的测量。四探针法可测量样品沿径向分布的断面电阻率，从而可以观察电阻率的不均匀性。由于这种方法允许快速、方便、无损地测试任意形状样品的电阻率，适合于实际生产中的大批量样品测试。但由于该方法受到探针间距的限制，很难区别间距小于0.5mm 两点间电阻率的变化。 根据样品在不同电流（I ）下的电压值（V 23），还可以计算出所测样品的电阻率。
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910277812.3 (22)申请日 2019.04.08 (71)申请人 江苏德威新材料股份有限公司 地址 215421 江苏省苏州市太仓市沙溪镇 沙南东路99号 (72)发明人 杨俊 涂必冬 浦大伟 朱晨超 魏红晓 徐俊俊 成茂锋 罗诚爽 (74)专利代理机构 苏州创元专利商标事务所有 限公司 32103 代理人 向亚兰 (51)Int.Cl. C08L 23/08(2006.01) C08K 13/06(2006.01) C08K 9/02(2006.01) C08K 9/04(2006.01) C08K 3/04(2006.01) (54)发明名称 一种高压电缆用半导电屏蔽料及其制备方 法和应用 (57)摘要 本发明公开了一种交流电缆用半导电屏蔽 料及其制备方法和应用，其原料包括树脂基体、 特定结构的改性石墨烯、导电炭黑、抗氧剂和交 联剂，还选择性地包括分散剂，改性石墨烯的投 料量占原料的0.1-10%；制备：先制备上述特定结 构的改性石墨烯，然后再与其余原料混合制备上 述交流电缆用半导电屏蔽料；以及上述交流电缆 用半导电屏蔽料在220kV高压电缆中的应用；本 发明提高了屏蔽料的导电性及其表面光滑特性， 均化绝缘电场，提高了输电安全性，进而能够以 较低的石墨烯添加量实现屏蔽料的高导电特性。权利要求书2页 说明书9页CN 110128736 A 2019.08.16 C N 110128736 A
1.一种交流电缆用半导电屏蔽料，所述半导电屏蔽料的原料包括树脂基体、导电炭黑、抗氧剂和交联剂，其特征在于，所述原料还包括改性石墨烯，所述改性石墨烯为选自式(Ⅰ)所示化合物中的一种或多种的组合，以质量百分含量计，所述改性石墨烯的投料量占所述原料的0.1- 10％； 其中，R为 2.根据权利要求1所述的交流电缆用半导电屏蔽料，其特征在于，以质量百分含量计，所述改性石墨烯的投料量占所述原料的1-8％。 3.根据权利要求1所述的交流电缆用半导电屏蔽料，其特征在于，所述改性石墨烯通过如下方法制备而得： (1)将单壁碳纳米管采用等离子刻蚀处理，制得片层的石墨烯； (2)将步骤(1)制得的所述片层的石墨烯加入到混合酸的水溶液中并放置在冰浴下搅拌，制得预处理石墨烯； (3)将步骤(2)制得的所述预处理石墨烯加入至含有R基团的化合物的溶液中，反应，制成所述改性石墨烯；其中所述含有R基团的化合物为选自N -乙烯吡咯烷酮和季铵化乙烯咪唑的共聚物、1,1,1-三氟丙酮、9-乙基-9-硼杂双环[3,3,1]壬烷和4-甲基-2-戊酮中的一种或多种的组合。 4.根据权利要求3所述的交流电缆用半导电屏蔽料，其特征在于，步骤(2)中，所述混合酸由浓硫酸和浓硝酸构成，所述浓硫酸与所述浓硝酸的投料质量比为1∶2.5-3.5。 5.根据权利要求1所述的交流电缆用半导电屏蔽料，其特征在于，所述树脂基体为乙烯丙烯酸丁酯树脂，所述乙烯丙烯酸丁酯树脂的丙烯酸丁酯含量为20％-28％，熔融指数为20-30g/10min。 6.根据权利要求1所述的交流电缆用半导电屏蔽料，其特征在于，所述导电炭黑的吸油值大于150cc/100g，325目筛余物小于1ppm，500目筛余物小于5ppm，水分含量小于0.1％，灰分含量小于0.01％。 7.根据权利要求1所述的交流电缆用半导电屏蔽料，其特征在于，所述抗氧剂为4,4'-硫代双(6-叔丁基-3-甲基苯酚)和四[β-(3，5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸]季戊四醇酯的 权 利 要 求 书1/2页2CN 110128736 A
电力电缆金属护套或屏蔽的接地作用 1.概述 接地用以：防止人身受到电击，确保电力系统正常运行，保护线路和设备免遭损坏，还可防止电气火灾，防止雷击和静电危害等。 电缆金属护套或屏蔽的接地的作用有： （1）电缆线芯双屏蔽和金属护套的电容电流有一回路流入大地； （2）当电缆对金属护套或屏蔽发生短路时，短路电流可流入地下； （3）电缆线芯绝缘损伤后发生相间短路发展至接地故障时，故障电流通过接地线流入地中； （4）电缆中的不平衡电流引起的感应电压、通过地线与大地形成短路，防止电缆对接地支架存在电位差而放电闪络。 现在大量使用的交联电缆，分相屏蔽，屏蔽层分金属（铜带）层和半导电层。半导电层中含有胶质碳，可起到均匀电场的作用；同时碳能吸收电缆本体细小间隙中因空气电离产生的败坏物，均匀电场，以保护电缆绝缘。 金属屏蔽层的作用： 第一:保持零电位，使缆芯之间没有电位差； 第二:在短路时承载短路电流，以免因短路引起电缆温升过高而损坏绝缘层，同时屏蔽层也可以防止周围外界强电场对电缆内传输电流的干扰； 第三:屏蔽层可以有效地将电缆产生的强电场限制在屏蔽层内，由于屏蔽层接地，外部便不存在电缆产生的强电场，不会对周围的弱电线路及仪表，产生强电干扰 或危及人身安全。 在配电系统中：电源电缆的起始端与发电厂的接地网接通，末端与变电所接地网连通；变电所馈出电缆接地与各用户连通；低压电缆的PEN线与电缆铠甲接地后可与高压电缆接地等电位；重要用户的电源电缆又来自独立的电源。这样，高低压电缆接地线的互相联结，又与接地网连在一起。因此，电缆接地成了接地系统总体的重要组成部分，对电网安全运行有重要作用。 3.2保证接地线截面和质量 交联电缆接头制作中，铜屏蔽层、铠甲层应分别连接不得中断，两者还应加以绝缘分隔，恢复铜屏蔽应采用软质铜编织线连接；确保与各相绝缘外屏蔽接触良好。两端与铜屏蔽层焊接，铠甲用镀锡地线恢复跨接，分别焊在两边的铠甲上。 电缆接地线的规格，严格要求应按电缆线路的接地电流大小而定。但在实际施工中，往往缺乏这方面的资料， 一般120㎜2以下电缆选用16 m㎡铜线; 150㎜2～240㎜2电缆选用25 m㎡铜线； 300 ㎜2以上电缆接地线不应小于35㎜2； 橡塑电缆的接地线必须采用镀锡软铜编织线。接地线与铜屏蔽层和金属护套焊接工艺、焊接面积均应符合要求。电缆接地线应直接接于接地网，不得串接，接地线必须压接的接线端子，以保证连接可靠及检测拆卸方便。 美国3M公司的游丝卡紧法和法国梅兰日兰公司的卡扣捆扎法，不仅能方便可靠地进行接地连接，而且还能避免烙铁灼伤电缆绝缘的危险，值得借鉴。
一种可剥离电缆用半导电外屏蔽材料的配方 申请号：CN201310507150.7 申请日：2013.10.24 申请（专利权）人苏州市双鑫新材料科技有限公司 地址 215000|江苏省苏州市相城区黄桥镇占上村 发明（设计）人杨雪洪 主分类 C08L31/04 公开（公告）号 CN103554802A 公开（公告）日 2014.02.05 代理机构北京同恒源知识产权代理有限公司11275 代理人刘宪池
（19）中国人民共和国国家知识产权局 （12）发明专利申请 （10）申请公布号 CN103554802A （45）申请公布日 2014.02.05（21）申请号 CN201310507150.7 （22）申请日 2013.10.24 （71）申请人苏州市双鑫新材料科技有 限公司 地址 215000|江苏省苏州市相城区黄 桥镇占上村 （72）发明人杨雪洪 （74）专利代理机构北京同恒源知识产 权代理有限公司11275 代理人刘宪池 （54）发明名称 一种可剥离电缆用半导电外屏蔽材 料的配方 （57）摘要 本发明提供一种可剥离半导电外屏 蔽材料的配方，其特征在于具有如下组 成：以重量份计，基料100份，导电炭黑 50-55份，剥离剂2-4份，抗氧化剂3-5 份，交联剂3-5份，增强剂1-3份，防老 剂0.5-1份，增塑剂10-12份。本发明中 的半导电外屏蔽材料通过各个组分的协调 作用以及最为合适的含量配比，获得了优 异的力学性能、剥离性能、阻燃性能、导 电性能以及温度稳定性能。
权利要求书 1.一种可剥离半导电外屏蔽材料的配方，其特征在于具有如下组成：以重量份计，基料100份，导电炭黑50-55份，剥离剂2-4份，抗氧化剂3-5份，交联剂3-5份，增强剂1-3份，防老剂0.5-1份，增塑剂10-12份， 所述的的基料由三元乙丙橡胶和乙烯-乙酸乙烯酯共聚物混合而成，并且二者的比例为三元乙丙橡胶：乙烯-乙酸乙烯酯共聚物=1:3-5，所述三元乙丙橡胶的门尼粘度(1+4)125℃为20-25，所述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物中乙酸乙烯酯的含量为55-60%； 所述的导电炭黑为掺有多壁碳纳米管的导电炭黑，炭黑的碘值为100- 200mg/g，平均粒径为70-100nm，DBP为150-200cc/100g，多壁碳纳米管的直径为10-20nm，相对于炭黑的含量为10-15%； 所述的剥离剂为氧化聚乙烯蜡； 所述的抗氧化剂为四-[3-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸]季戊四醇酯和聚二(2-甲基-4-羟基-5-叔丁基苯)硫醚，二者的质量比为1:1； 所述的增强剂为四针状氧化锌晶须； 所述的交联剂为过氧化二异丙苯； 所述的防老剂为N-(1,3-二甲基)丁基-N'-苯基对苯二胺； 所述的增塑剂为硬脂酸锌。 2.根据权利要求1所述的配方，其特征在于：所述基料中三元乙丙橡胶：乙烯-乙酸乙烯酯共聚物=1:4；且乙烯-乙酸乙烯酯共聚物中乙酸乙烯酯的含量为57%。 3.根据权利要求1所述的配方，其特征在于：所述的导电炭黑为52重量份，且多壁碳纳米管相对于炭黑的含量为12%。 4.根据权利要求1所述的配方，其特征在于：所述的氧化聚乙烯蜡为3重量份。 5.根据权利要求1所述的配方，其特征在于：所述的抗氧化剂为4重量份。 6.根据权利要求1所述的配方，其特征在于：所述的过氧化二异丙苯为4重量份。 7.根据权利要求1所述的配方，其特征在于：所述的四针状氧化锌晶须为2重量份。
电缆的屏蔽方法 电缆导体通过电流时周围就有电场，磁场。当电磁场达到一定强度时就可能对周围的金属构件或电子设备造成不利影响。为消除影响，人们采取了各种措施将电磁场屏蔽。屏蔽构件的屏蔽效应源于对于电磁波的吸收衰减和反射衰减。对低频电磁波的屏蔽以吸收衰减为主，对高频电磁波的屏蔽以反射衰减为主。 屏蔽效应用屏蔽系数S表征。屏蔽系数S用场中某处屏蔽后的电场强度EP或磁场强度HP与该处屏蔽前的电场强度E或磁场强度H之比测算，屏蔽系数越小则屏蔽效果越好S=EP/E=HP/H=0~1。 电缆屏蔽结构有多种，如铜丝或钢丝编织，铜带绕包或纵包，铝塑复合带纵包，铅套或铝套，钢带或钢丝铠装等。一般来说，屏蔽体半径小，厚度大，层数多，材质复合交错，则屏蔽效果好。不同材质的屏蔽效应不同，如铜带屏蔽的反射衰减效应好，而钢带屏蔽的吸收衰减效应好。 电力电缆6KV及以上绝缘外均有金属屏蔽，其功能除屏蔽电场外，还有一个重要功能，就是泄露短路电流。由于电缆接地方式不同，金属屏蔽结构也不同。电缆采用消弧线圈接地时，金属屏蔽采用铜带绕包。电缆若采用小电阻接地，金属屏蔽多采用铜丝疏绕结构或金属套。 另外，10KV及以上电力电缆绝缘内外均有半导体屏蔽，其功能不再是屏蔽电场，而是均化电场，即使绝缘内的电场尽量趋于均匀，从而改善和提供绝缘效能，延长电缆使用寿命。半导体电屏蔽料多为加有炭黑的聚烯烃，有交联型和非交联型，采用三层共挤工艺紧密均匀的附着在绝缘内外，其厚度标准规定。 就屏蔽效果而言，导体屏蔽厚一点好，绝缘屏蔽薄一点，均匀一点好。 使用半导体电屏蔽材料有严格的技术条件，这里仅谈三点，即含水量，电阻率及杂质颗粒的规定数据，一般半导体电屏蔽材料的含水量应不大于1000PPM，超光滑材料应不大于250PPM。导体屏蔽材料的体积电阻率应不大于10000，绝缘屏蔽料的体积电阻率应不大于500。超光滑屏蔽料的杂质颗粒有严格要求，大于200的颗粒应不多于15个/M2，大于500的颗粒应不多于1个/M2。额定电压100KV及以上的电缆应采用光滑屏蔽料。
电阻率测试报告 湖北华迪工程勘察院 二 一一年六月十四日
电阻率测试报告 测试人：刘松 编写人：刘松 审核人：王正国 湖北华迪工程勘察院 二 一一年六月十四日
一、工程概况 荆门星球35KV变电站位于荆门星球家居广场南部，我院于6月初接到鄂西北工程勘察公司的委托，当天组织人员设备进场勘察，于第二天完成该地段全部外业工作。此次外业工作采用多功能直流电法仪，运用四极法进行电阻率测试，实际工作见表1-1~表1-3，各勘探孔具体位置详见《勘探点平面布置图》 二、场地工程地质条件概况 根据工程地质钻探和原位测试资料，本次变电站勘察所揭露的地层主要为：第四系全新统（Q4）填土和新近系上新统（N2）强风化、中风化泥灰岩组成，现将勘察区的各地层分述如下： （1）第四系全新统地层（Q4ml）：主要组成为粘土、亚粘土、砂土层等组成，在勘察段内，该层厚度约为0.6m，层底标高在177.63~171.30m。 （2）新近系上新统（N2）：主要由强风化泥灰岩组成，在勘察段内，该层厚度约为8m，层底标高在170.83~162.75m。 （3）新近系上新统（N2）：主要由中风化泥灰岩组成，在勘察段内，该层未揭穿，最大揭露厚度约为7.5m 三、场地电阻率测量成果及设计参数 表1-1 实测视电阻率成果表（k1）
表1-2 实测视电阻率成果表（k2） 表1-3 实测视电阻率成果表（k3） 表2土壤电阻率设计建议值 四、土对建筑材料的腐蚀性评价 场地岩土层的实测视电阻率值均小于50欧·米且大于20欧·米，根据《岩土工程勘察规范》（GB50021—2001）（2009年版）12.2.5的规定，取各指标中腐蚀等级最高者考虑，故该场地土层对钢结构具中腐蚀性，因此对构架设备进行施工时，应适当采取防腐措施。 Then how can we translate poems? According to Wang’s understanding, the translation of poems is
国家标准《硅单晶电阻率的测定直排四探针法和直流两探针法》 编制说明（送审稿） 一、工作简况 1、立项的目的和意义 硅单晶是典型的元素半导体材料，具有优良的热性能与机械性能，易于长成大尺寸高纯度晶体，是目前最重要、用途最广的半导体材料。在当今全球半导体市场中，超过95%以上的半导体器件和99%以上的集成电路都是在硅单晶片上制作的，在未来30年内，它仍是半导体工业最基本和最重要的功能材料。 一般而言，硅单晶的电学性能对器件性能有决定性的作用，其中电阻率是最直接、最重要的参数，直接反映出了晶体的纯度和导电能力。例如，晶体管的击穿电压就直接与硅单晶的电阻率有关。在器件设计时，根据器件的种类、特性以及制作工艺等条件，对硅单晶的电阻率的均匀和可靠都有一定的要求，因此，硅单晶电阻率的测试就显得至关重要。目前测试硅单晶电阻率时，一般利用探针法，尤其是直流四探针法。该方法原理简单，数据处理简便，是目前应用最广泛的一种测试电阻率的技术。 由于硅单晶电阻率与温度有关，通常四探针电阻率测量的参考温度为23℃±1℃，如检测温度有异于该温度，往往需要进行温度系数的修正。原来GB/T 1551-2009标准中直接规定测试温度为23℃±1℃，对环境的要求过于严格，造成很多企业和实验室无法满足，因此需要对标准测试温度进行修订，超出参考范围可以用温度系数修正公式修正。另外，原标准四探针和两探针法的干扰因素没有考虑全面，修订后的新标准对干扰因素进行了补充和修正。原标准的电阻率范围没有对n型硅单晶和p型硅单晶做出区分，由于n型硅单晶电阻率比p型硅单晶电阻率范围大，所以应该对n型和p型硅单晶的电阻率测试范围区分界定。综上，需要对GB/T 1551-2009标准进行修订，以便更好满足硅单晶电阻率的测试要求。该标准的修订将有利于得到硅单晶电阻率准确的测量结果，满足产品销售的要求，为硅产业的发展提供技术保障。 2.任务来源 根据《国家标准化管理委员会关于下达2018年第三批国家标准制修订计划的通知》（国标委综合[2018] 60号）的要求，由中国电子科技集团公司第四十六研究所（中国电子科技集团公司第四十六研究所是信息产业专用材料质量监督检验中心法人单位）负责修订《硅单晶电阻率的测定直排四探针法和直流两探针法》，计划编号为20181809-T-469，要求完成时间2020年。 计划项目由全国有色金属标准化技术委员会提出，后经标委会协调后于国家标准化
实验四探针法测电阻率 1．实验目的： 学习用四探针法测量半导体材料的体电阻率和扩散薄层的电阻率及方块电阻。 2．实验内容 ①硅单晶片电阻率的测量：选不同电阻率及不同厚度的大单晶圆片， 改变条件（光照与否），对测量结果进行比较。 ②薄层电阻率的测量：对不同尺寸的单面扩散片和双面扩散片的薄层 电阻率进行测量。改变条件进行测量（与①相同），对结果进行比较。 3．实验原理： 在半导体器件的研制和生产过程中常常要对半导体单晶材料的原始电阻率和经过扩散、外延等工艺处理后的薄层电阻进行测量。测量电阻率的方法很多，有两探针法，四探针法，单探针扩展电阻法，范德堡法等，我们这里介绍的是四探针法。因为这种方法简便可行，适于批量生产，所以目前得到了广泛应用。 所谓四探针法，就是用针间距约1毫米的四根金属探针同时压在被测样品的平整表面上如图1a所示。利用恒流源给1、4两个探针通以小电流，然后在2、3两个探针上用高输入阻抗的静电计、电位差计、电子毫伏计或数字电压表测量电压，最后根据理论公式计算出样品的电阻率［１］ 式中，C为四探针的修正系数，单位为厘米，C的大小取决于四探针的
排列方法和针距，探针的位置和间距确定以后，探针系数C 就是一个常数；V 23为2、3两探针之间的电压，单位为伏特；I 为通过样品的电流，单位为安培。 半导体材料的体电阻率和薄层电阻率的测量结果往往与式样的形状和尺寸密切相关，下面我们分两种情况来进行讨论。 ⑴ 半无限大样品情形 图1给出了四探针法测半无穷大样品电阻率的原理图，图中(a)为四探针测量电阻率的装置；(b)为半无穷大样品上探针电流的分布及等势面图形；(c)和(d)分别为正方形排列及直线排列的四探针图形。因为四探针对半导体表面的接触均为点接触，所以，对图１（b ）所示的半无穷大样品，电流I 是以探针尖为圆心呈径向放射状流入体内的。因而电流在体内所形成的等位面为图中虚线所示的半球面。于是，样品电阻率为ρ，半径为r ，间距为dr 的两个半球等位面间的电阻为 它们之间的电位差为 dr r I IdR dV 2 2πρ= =。 考虑样品为半无限大，在r →∞处的电位为0，所以图１（a ）中流经探针１的电流I 在r 点形成的电位为 ()r I dr r I V r r πρπρ222 1==? ∞。 流经探针１的电流在２、３两探针间形成的电位差为 ()??? ? ??-=1312 12311 2r r I V πρ； 流经探针４的电流与流经探针１的电流方向相反，所以流经探针４的电流I 在探针２、３之间引起的电位差为 ()??? ? ??--=43424 23112r r I V πρ。 于是流经探针１、４之间的电流在探针２、３之间形成的电位差为
莆田南日岛风电场三期工程施工图阶段土壤电阻率测量报告 福建永福工程顾问有限公司 发证机关：福建省建设厅 证书等级：乙级证书编号：130903-ky 二00九年一月·福州
批准：审核：校核：编写：
目录 1、前言 2、仪器接线示意图 3、原理及操作 4、测量结果分析 5、结论
1、前言 根据公司勘察任务安排及工程勘察联系书的要求，莆田南日岛风电厂三期工程施工图阶段土壤电阻率测量工作于2008年10月2日至2008年10月24日期间进行。 南日岛风电厂前两期共投产19台风机，本期计划建设57台风机，总装机容量48.45MW，110kV升压站一座。 本次测量工作采用DZD-6A多功能直流电法仪测量，测量原理采用等极距四极对称法，极距分别为a=5、10、20、60、100m，大部分风机为测量至100m极距，局部因测量场地限制仅测量至40m 或60m极距。 本次测量工作布线按每风机一条测线，升压站按常规220kV变电站布线方式，四周四条线，对角两条线，共六条测线。本期总共完成测线63条。 本次测量遵循《电力工程物探技术规定》（DL/T5159-2002）。 2、仪器接线示意图 仪器接线示意图
3、原理及操作 等极距四极对称法，又称温纳装置，其做法是沿测线上的测点，分别打入电极，并用导线连接供电回路AB 和测量回路MN ，通过对AB 电极供电，使位于其中间的大地产生电场，测量MN 处产生的电位差及电流，通过以下公式计算出其电阻率。 测量原理示意图 I U K MN a ?=ρ ① a ρ——MN 间的等效土壤电阻率； MN U ?——MN 间的电位差； I ——MN 间的电流； K ——装置系数，对称四极法中a 2MN AN AM K ππ=?= DZD-6A 直流电法仪存在内在计算系统，测量前仅需输入极距a 后，则可直接测出结果。
半导电屏蔽料的改进要求 来源：采集所得| 作者：| 发布时间：2007-11-16 14:43:19 | 浏览：715次【字体：大中小】 中国电磁兼容网http://www.EMC https://www.doczj.com/doc/bc1708940.html, 中压电力电缆屏蔽结构及其材料性能，直接或间接影响电缆的使用寿命。根据国外长期运行经验介绍，半导电屏蔽与绝缘的分层将直接促使局部放电量不断增长；杂质向绝缘迁移和屏蔽尖端将促使绝缘内电树或水树的形成和发展。因此半导电屏蔽的光洁度及其与绝缘的粘结力问题均不能忽视，电缆屏蔽的质量直接与半导电屏蔽材料有关。在城乡电网改造中，中压电力电缆质量是用户极为关注的问题，用户对屏蔽的要求应认为是合理的。 10kV化学交联电力电缆用量很大，占中压电缆90％以上，估计年消耗导体和绝缘的半导电屏蔽料总量约1万吨，导体半导电屏蔽料用量约占30％，总产值约2亿5千万元，这是一块不可忽视的市场，如国产屏蔽料的质量不加改进，则今后大部分市场将被进口料所占有。以下是当前应当考虑的问题。 1. 绝缘屏蔽层的剥离力 最近电缆使用部门非正式提出，电缆绝缘屏蔽层的剥离力应不大于3
6N，虽然用户没有明确规定试验程序细节，但目前可参考的就是IEC-60502标准，该标准对电缆老化前后的剥离力均要，老化条件为100+ 2℃168，试验温度为25±5℃，剥离力不小于4N，不大于45N，剥离力方向与线芯轴线平行。国家标准GB 12706-91成品电缆只在老化前进行剥离力试验，剥离力不小于8N，不大于40N，剥离力方向与轴线垂直，可看出国家标准低于最新国际标准，但国标即将修改，并等同采用IEC标准。国产可剥离屏蔽料要符合此指标是一难以解决的棘手问题。 2. 导体和绝缘屏蔽的体积电阻率 GB 12706-91对成品电缆不进行屏蔽层体积电阻率考核，IEC 6050 2分别对导体屏蔽和绝缘屏蔽进行体积电阻率考核，并且在老化试验前后均应符合指标要求，老化条件为100±2℃168h，导体屏蔽不大于1 000Ω·m，绝缘屏蔽不大于500Ω·m，试验温度为90±2℃。虽然这是新标准要求，估计难度不大，只要注意选用合适的碳黑品种和配方含量，并严格控制工艺，可以达标。 3. 是否开发硅烷交联半导电屏蔽料 国外10kV交联聚乙烯绝缘电力电缆中，硅烷交联大约占10％，国内也可能发展10kV硅烷交联聚乙烯绝缘电力电缆，硅烷交联半导电屏蔽料也需配套发展，但近期内数量很有限。以下介绍英国AEI公司两种屏蔽料，421/424为导体屏蔽用粘结型硅烷交联半导电屏蔽料，509/4
金属屏蔽应由一根或多跟金属带，金属编制，金属丝的同心层或金属丝与金属带的组合结构组成。 金属屏蔽也可以是金属套或符合要求的金属铠装层。 选择金属屏蔽材料时，应也别考虑存在腐蚀的可能性，着不仅为了机械安全，而且也为了电气安全。 金属屏蔽饶宝的搭盖和间隙应符合下列要求： 金属屏蔽中铜丝的电阻，适用时应符合国标要求。铜丝屏蔽的标称截面积应根据故障电流容量确定。 铜丝屏蔽应由一层重叠饶包的软铜线组成，其表面采用反向饶包的铜丝或铜带扎紧。相邻铜丝的平均间隙应不大于4mm 铜带屏蔽应由一层重叠绕包的软铜带组成，也可采用双层铜带间隙绕包，铜带间的搭盖率为铜带宽度的15%（标称值），最小搭盖率应不小于5%。 铜带标称厚度为; 单芯电缆≥0.12mm 多芯电缆≥0.10mm 铜带的最小厚度应不小于标称值的90% 金属网和金属箔都能起来屏蔽作用,有些电缆中仍金属网,也是屏蔽网. 没有屏蔽的电缆在传输中不一定会产生信号丢失,这要看周围的环境是不是有很多干扰,如果有变频器等干扰源,非屏蔽电缆可能会丢失数据.但有了屏蔽层,也不等于说就完全不会丢失数据. 干扰和屏蔽都是相对的. 屏蔽层为了均匀导电线芯和绝缘电场，6kV及以上的中高压电力电缆一般都有导体屏蔽层和绝缘屏蔽层，部分低压电缆不设置屏蔽层。屏蔽层有半导电屏蔽和金属屏蔽两种。 (1)半导电屏蔽 半导电屏蔽层通常设置在导电线芯的外表面和绝缘层的外表面，分别称为内半导电屏蔽层和外半导电屏蔽层。半导电屏蔽层是由电阻率很低且厚度较薄的半导电材料构成。内半导电屏蔽层是为了均匀线芯外表面电场，避免因导体表面不光滑以及线芯绞合产生的气隙而造成导体和绝缘发生局部放电。外半导电屏蔽层与绝缘层外表面接触很好，且与金属护套等电位，避免因电缆绝缘表面裂纹等缺陷而与金属护套发生局部放电。 (2)金属屏蔽 对于没有金属护套的中低压电力电缆，除了设置有半导电屏蔽层外，还要增加金属屏蔽层。金属屏蔽层通常由铜带或铜丝绕包而成，主要起到屏蔽电场的作用。
实验名称：测定金属的电阻率 [实验目的] 1. 练习使用螺旋测微器. 2. 学会用伏安法测量电阻的阻值. 3. 测定金属的电阻率. [实验原理] 由电阻定律lI U d l S R 42πρ==可知，只要测出金属导线的长度l ，横截面积S 和对应导线长度的电压 U 和电流I ，便可以求出制成导线的金属材料的电阻率ρ。长度l 用刻度尺测量.横截面积S 由导线的直径 d 算出，导线的直径d 需要由螺旋测微器（千分尺）来测量，电压U 和电流I 分别用电压表和电流表测出。 [实验器材] 某种金属材料制成的电阻丝，螺旋测微器，毫米刻度尺，电池组，电流表，电压表，滑动变阻器，开关，导线若干. [实验步骤] 1. 用螺旋测微器在接入电路部分的被测金属导线上的三个不同位置各测量一次导线的直径，结果记在表 格内，求出其平均值d 。 2. 按原理电路图连接好用伏安法测电阻的实验电路。 3. 用刻度尺准确测量接入电路中的金属导线的有效长度l ，结果记入表格内。 4. 用伏安法测金属导线对应长度的电压U 和电流I 。 5. 重复上述实验三次，并将数据记入表格。 6. 拆去实验电路，整理好实验器材. [实验数据记录] [数据处理] 求对应长度的电阻率计算表达式推导：根据金属导线的横截面积22 41)2 (d d S ππ= =和电阻I U R = 得：金属的电阻率m lI U d l S R ?Ω==?=________42πρ [结论]金属的电阻率是__________m ?Ω. [误差分析]
[实验要点] 1.本实验中被测金属导线的电阻较小，因此，实验电路必须采用电流表的外接法. 2.测量导线的直径时，应将导线拉直平放在螺旋测微器的测砧上，使螺旋杆的顶部和测砧上的导线成线 接触，而不是点接触；应在不同的部位，不同的方向测量几次，取平均值. 3.测量导线的长度时，应将导线拉直，测量待测导线接入电路的两个端点之间的长度，亦即电压表两极 并入点间的部分待测导线的长度，长度测量应准确到毫米. 4.用伏安法测电阻时，电流不宜太大，通电时间不宜太长.当我们要测量时才合上开关，测量后即断开开 关. 5.闭合电键S之前，一定要使滑动变阻器的滑片处在有效电阻最大的位置. 6.为准确求出R平均值，可采用I-U图象法求电阻.
电缆的屏蔽 1．引言 电缆屏蔽有非金属屏蔽和金属屏蔽两种形式。采用哪一种屏蔽形式取决于电缆的种类，如电力电缆主要是为了屏蔽和均化电场，承载短路电流，而通讯电缆则要屏蔽电磁场，以消除线芯间和外部对电缆的干扰。电力电缆的屏蔽同时具有非金属屏蔽和金属屏蔽形式，具体取决于电缆的电压等级和短路电流的大小等，对于金属屏蔽部分还取决于以及金属材料的导电性、热性能、结构和加工方式等，通讯电缆则多为金属屏蔽。这里就电缆的屏蔽作用、结构和材料进行了简单介绍。 2．屏蔽的作用 2.1 均化电场 实心的导体相对表面比较光滑，电场的分布比较均匀。绞合的导电线芯由于是有多根单线组成，线芯表面各点电场分布不均匀，单线半径的大小和其表面场强的大小成反比关系，这就产生多导丝效应。导体因加工产生的毛刺、粉屑，造成尖端放电，也需要导体屏蔽。为了使导体表面的电场分布相对比较均匀，只有绕包带屏蔽和挤出屏蔽层，才能均化电场消除这些效应。 导电线芯电场分垂直和相切两个方向的分量。如没有半导电层，对于绕包类型的绝缘来说易产生移滑放电；另外切向方向的场强使绝缘的耐压降低10～15倍，降低了绝缘强度和绝缘的效果。 多芯电缆填充处有电场，由于填充处绝缘材料的本身耐电强度较低，因此使电缆的整体绝缘水平下降。半导电材料主要是由部分碳黑组成，碳黑除有半导电的作用外也可以吸附气体杂质，使相应面的绝缘的长期电场强度降低，避免电缆绝缘外表面发生游离，提高电缆的使用寿命。 为了避免电场过于集中，常采用半导电层结构改变电场的方向，避免绕包绝缘产生移滑放电，使多芯电缆的填充处于无电场状态；半导电层中的炭黑可以吸附气体杂质，屏蔽气泡不受电场作用，对于绞合的导体，由于是由多根单线胶合而成，表面单线突出的电场强度和凹进部分相比可提高30%。 2.2 减少干扰 电场和磁场是交互变化而存在的统一体，变化的电场产生变化的磁场影响周围媒质，从而产生对其他载流回路产生干扰，电磁场的作用是电场和磁场产生干扰作用的总和。 在电场和磁场的作用下，电流对回路之间的不平衡而引起的电干扰和磁干扰。干扰的产生可分为电感、电容、电阻在回路产生相应的感抗、容抗和阻抗，而产生相应的损耗。 通信电缆的频率较高，比较容易产生干扰，电力电缆的频率较低，而比较容易产生损耗。采用合理的屏蔽结构和有效的接地方式，就能够较少干和损耗。 2.3 热屏蔽 由于导体的导电性能比较好，对流过其本身的电流有较小的电阻，因此导电率较高。绝缘体的绝缘性能较高，对电流又较大的电阻，电流几乎不可能穿透绝缘体，因此绝缘电阻率较高。导电性能高的材料也相对有较高的导热性能，绝缘性能较高的材料必然有较高的热阻，导电性能的不同对热导的性能也有所不同，半导电材料的导电性能和导热性能介于导体和绝缘体之间。 如果电力电缆发生短路，导体流过大的电流使其温度突然升高，由于采用了内半导电屏蔽层，就防止了过高的温度直接作用到绝缘层上，不致因热冲击而损伤绝缘层，在这种情况下，内屏蔽层就起到了热屏蔽作用，也可以称为热缓冲层。 在绝缘或半导电屏蔽表面上绕包或挤出一层金属屏蔽，不但使圆形导体电缆填充处无电场，而且因为金属屏蔽散热效果好，在意外短路的情况下，可以承受一定的短路电流，避免绝缘过热产生热击穿。 2.4 防护作用 对高分子材料，因其内部和形成整个混合体的结构不同，在一定条件下水对材料都有一定的渗透率。在不同敷设条件和特殊环境下，为了使电缆在设计的使用寿命下安全运行，就要采用相应的防护结构。金属带或丝屏蔽主要是在发生短路的情况下，在一定时间内承受一部分短路电流，避免绝缘在过高的电流影响下产生热击穿。前提是金属屏蔽必须有牢靠的接地措施，电压电流的大小应满足设计的要求，总之不应产生过大的损耗。电力电缆的金属屏蔽的截面大小是根据电压的大小来确定的，屏蔽的面积不能小于有关标准的规定，线路电压和屏蔽截面的关系见表1。金属屏蔽的截面应尽量满足表1的要求，避免产生不必要的经济损失。