1．晶闸管导通的条件是什么？导通后流过晶闸管的电流由什么决定？晶闸管的关断条件是什么？如何实现？晶闸管导通与阻断时其两端电压各为多少？
解：晶闸管导通的条件是：晶闸管阳极和阴极之间加正向阳极电压。门极和阴极之间加适当的正向阳极电压。
导通后流过晶闸管的电流由主电路电源电压和负载大小决定。
晶闸管的关断条件是：阳极电流小于维持电流。
关断晶闸管可以通过降低晶闸管阳极－阴极间电压或增大主电路中的电阻。
晶闸管导通时两端电压为通态平均电压（管压降），阻断时两端电压由主电路电源电压决定。
2．调试图所示晶闸管电路，在断开负载R d测量输出电压U d是否可调时，发现电压表读数不正常，接上R d后一切正常，请分析为什么？
习题2图
解：当S断开时，由于电压表内阻很大，即使晶闸管门极加触发信号，此时流过晶闸管阳极电流仍小于擎住电流，晶闸管无法导通，电流表上显示的读数只是管子漏电流形成的电阻与电压表内阻的分压值，所以此读数不准。在S合上以后，Rd介入电路，晶闸管能正常导通，电压表的读数才能正确显示。
3．画出图1-35所示电路电阻R d上的电压波形。
图1-35 习题3图
解：
4．说明晶闸管型号KP100-8E代表的意义。
解：KP100-8E表示额定电流100A、额定电压8级（800V、通态平均电压组别E（0.7＜U T≤0.8）普通晶闸管。
5．晶闸管的额定电流和其他电气设备的额定电流有什么不同？
解：由于整流设备的输出端所接负载常用平均电流来衡量其性能，所以晶闸管额定电流的标定与其他电器设备不同，采用的是平均电流，而不是有效值，又称为通态平均电流。所谓通态平均电流是指在环境温度为40℃和规定的冷却条件下，晶闸管在导通角不小于170°电阻性负载电路中，当不超过额定结温且稳定时，所允许通过的工频正弦半波电流的平均值。
6．型号为KP100－3、维持电流I H＝3mA的晶闸管，使用在习题图所示的三个电路中是否合理？为什么（不考虑电压、电流裕量）？
习题6图
解：（a）图的目的是巩固维持电流和擎住电流概念，擎住电流一般为维持电流的数倍。本题给定晶闸管的维持电流I H＝3mA，那么擎住电流必然是十几毫安，而图中数据表明，晶闸管即使被触发导通，阳极电流为100V/50KΩ＝3 mA，远小于擎住电流，晶闸管不可能导通，故不合理。
（b）图主要是加强对晶闸管型号的含义及额定电压、额定电流的理解。
本图所给的晶闸管额定电压为300A、额定电流100A。图中数据表明，晶闸管可能承受的最大电压为311V，大于管子的额定电压，故不合理。
（c）图主要是加强对晶闸管型号的含义及额定电压、额定电流的理解。
晶闸管可能通过的最大电流有效值为150A，小于晶闸管的额定电流有效值1.57×100＝157A，晶闸管可能承受的最大电压150V，小于晶闸管的额定电压300V，在不考虑电压、电流裕量的前提下，可以正常工作，故合理。
7．某晶闸管元件测得U DRM＝840V，U RRM=980V，试确定此晶闸管的额定电压是多少？
解：根据将U DRM和U RRM中的较小值按百位取整后作为该晶闸管的额定值，将两者较小的840V按教材表1－2取整得800V，该晶闸管的额定电压为8级（800V）。
8．有些晶闸管触发导通后，触发脉冲结束时它又关断是什么原因？
解：晶闸管的阳极加正向电压，门极加正向触发脉冲时，晶闸管被触发导通。此后阳极电流逐渐上升到擎住电流后，去掉触发脉冲，则管子继续导通，知道电流升到负载电流后，进入正常工作状态。如果阳极电流还没有升到擎住电流值就去掉门极脉冲，则晶闸管就不能继续导通而关断。
9．双向晶闸管额定电流的定义和普通晶闸管额定电流的定义有何不同？额定电流为100A的两只普通晶闸管反并联可以用额定电流为多少的双向晶闸管代替？
解：双向晶闸管的额定电流用有效值表示，而普通晶闸管的额定电流是用平均值表示的。额定电流100A的普通晶闸管，其通过电流的峰值为100A×π=314A，则双向晶闸管的额定电流为314/2=222A。
10．双向晶闸管有哪几种触发方式？一般选用哪几种？
解：双向晶闸管的触发方式有：
I+ 触发： T1接正电压， T2接负；门极G接正，T2接负。
I- 触发： T1接正，T2接负；门极G为负，T2 接正。
Ⅲ+ 触发T1接负，T2接正，门极G接正，T2接负。
Ⅲ- 触发T1接负， T2接正；门极G接负，T2接正。
一般选用I+和Ⅲ-。
宁波工程学院 2013--2014 学年第 2 学期 《电工电子技术Ⅰ》课程期末考试A 卷 考试时间：100分钟 考试形式：闭卷 一、 在图1所示电路图中，E=5V ，u i =10sin ωt V ，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压u o 的波形。（10分） + o (a)+ o (b) 图1 答： 班级： 姓名： 学号：
二、 电路如图2，U C C =12V ，R C =2K Ω,R E =2 K Ω，R B =300 K Ω，晶 体管的β=50。电路有2个输出端。试求：（1）电压放大倍数 o1 u1A i U U =和o2u2A i U U =；（2）输出电阻r o1和r o2。（15分） - + - +U CC U o1. 题2图 答：
三．如图3所示，已知：u i1 = 2V， u i2 = 4V， u i3 = 6V， u i4 = 8V， R1 = R2 = 2kΩ， R3 = R4 = R F = 1kΩ，求u o。（15分） 图3 答:u+ = (u i3/R3+u i4/R4)÷(1/R3+1/R4) = 7 =（1+1）7-1/2×2-1/2×4=11V
四．如图4所示，分析图的逻辑功能，要求（1）写出逻辑表达式，并化简；（2）列出逻辑状态表；（3）分析逻辑功能。（15分） 图4 （1） B C A = A + + Y+ C B C B A C A B （2） （3）三变量奇偶检验器。
五、某同学参加四门课程考试，规定如下： (1)课程A 及格得1分，不及格得0分； (2)课程B 及格得2分，不及格得0分； (3)课程C 及格得4分，不及格得0分； (4)课程D 及格得5分，不及格得0分。 若总得分大于8分(含8分)，就可结业。试用与非门实现上述要 求的逻辑电路。（ 15分）
电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高 时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成， 由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属
XXXXX职业技术学校 2015－2016学年度第一学期 《电工基础》期末考试 命题：XX 校对：XX 考试时间：90分钟 使用年级、专业：2015级XXX专业 （请考生务必将每题答案转入答题卡，成绩以答题卡答案为准） 一、选择题（每题2分，共25题，共50分） 1、电荷的基本单位是（）。 A．安秒B．安培C．库仑 2、产生串联谐振的条件是（）。 A．XL＞Xc B．XL＜Xc C．XL＝Xc 3、两只额定电压相同的电阻串联接在电路中,其阻值较大的电阻发热 （）。 A．相同B．较大C．较小 4、电路主要由负载、线路、电源、（）组成。 A．变压器B．开关C．发电机 5、电流是由电子的定向移动形成的,习惯上把（）定向移动的方向作为电流的方向。 A．左手定则B．负电荷C．正电荷 6、交流电的三要素是指最大值、频率、（）。 A．相位B．角度C．初相角 7、正弦交流电的最大值是有效值的（）。 A．1/3 B．1/2 C．根号2倍 8、阻值不随外加电压或电流的大小而改变的电阻叫（）。 A．固定电阻B．可变电阻C．线性电阻 9、两根平行导线通过同向电流时,导体之间相互( )。 A．排斥B吸引C．产生涡流 10、感应电流所产生的磁通总是企图( )原有磁通的变化。 A．阻止B．增强C．衰减 11、电容器上的电压升高过程是电容器中电场建立的过程, 在此过程中,它从( )吸取能量。 A．电容B．高次谐波C．电源 12、串联谐振是指电路呈纯( )性。 A．电阻B．电容C．电感 13、电容器在直流稳态电路中相当于( )。 A．短路B．开路C．低通滤波器 14、串联电路中,电压的分配与电阻成( )。 A．正比B．反比C．1:1 15、并联电路中,电流的分配与电阻成( )。 A．正比B．反比C．1:1 16、在纯电感电路中,没有能量消耗, 只有能量( )。 A．变化B．增强C．交换 17、磁通的单位是( )。 A．MB B．WB C．T 18、串联电路具有以下特点( )。 A．串联电路中各电阻两端电压相等B．各电阻上分配的电压与各 自电阻的阻值成正比C．各电阻上电流不等 19、电容器并联电路有如下特点( )。 A．并联电路的等效电容量等于各个电容器的容量之和 B．每个电容两端的电流相等C．并联电路的总电量等于最 大电容器的电量 20、电场力在单位时间内所做的功称为( )。 A．功耗B．功率C．电功率 21、电力系统中以“kWh”作为（）的计量单位。 A．电压B．电能C．电功率 22、我国交流电的频率为50Hz，其周期为（）秒。 A．0．01 B．0．02 C．0．1 23、电路由（）和开关四部分组成。 A．电源、负载、连接导线B．发电机、电动机、母线 C．发电机、负载、架空线路 24、正弦交流电的幅值就是（）。 A．正弦交流电最大值的2倍B．正弦交流电最大值
电力电子技术试题
第 1 章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力 MOSFET）、绝缘 栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力 MOSFET 、 IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力 MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力 MOSFET，属于电压驱动的是电力 MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、
GTO 、GTR _。2、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是
绝缘栅双极晶体管的图形符号是
；电力晶体管的图形符号是
；
第 2 章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是__0-180O
_ ，其承受的最大正反向电压均为_ 2U2 __，续流二极管承受的最大反向电压为__ 2U2 _（设 U2 为相电压有效值）。
3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α 角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 2 和_ 2U2 ；
带阻感负载时，α 角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 _和__ 2U2 _；带反电动势负载时，欲使电阻上的电
流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压 UFm 等于__ 2U2 _，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-150o_，使负载电流连
续的条件为__ 30o __(U2 为相电压有效值)。
6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时， 的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_
的相电压；这种电路
角的移相范围是_0-120o _，ud 波形连续的条件是_ 60o _。
8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。
11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当
从 0°～90°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而 _增大_，
当
从 90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而_减小_。
12. 逆 变 电 路 中 ， 当 交 流 侧 和 电 网 连 结 时 ， 这 种 电 路 称 为 _ 有 源 逆 变 _ ， 欲 实 现 有 源 逆 变 ， 只 能 采 用 __ 全 控 _ 电 路 ； 对 于 单 相 全 波 电 路 ， 当 控制 角
0<
<
时，电路工作在__整流_状态；
时，电路工作在__逆变_状态。
13.在整流电路中，能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势，
其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角 a > 90O，使输出平均电压 Ud 为负值_。 第 3 章 直流斩波电路
1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。
2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。
3.斩波电路有三种控制方式：_脉冲宽度调制（PWM）_、_频率调制_和_（ton 和 T 都可调，改变占空比）混合型。
6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。
7.Sepic 斩波电路和 Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续，_ Zeta 斩波电路_的输入、输
出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。
8.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限，升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限，_电流可逆斩波电路能
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《电工电子技术》期末考试卷专业年级姓名 一、单项选择题(每题4分，共40分) 1.任何一个有源二端线性网络的戴维南等效电路是( ) A.一个理想电流源和一个电阻的并联电路 B.一个理想电流源和一个理想电压源的并联电路 C.一个理想电压源和一个理想电流源的串联电路 D.一个理想电压源和一个电阻的串联电路 2.图示电路中，所有输出功率的元件( ) A.仅有恒压源 B.仅有恒流源 C.有恒压源和恒流源 D.不能确定 3.某电路元件中，按关联方向电流) 10 i? - =A，两端电压t 2 90 sin( t 314 2 u=V，则此 220 314 sin 元件的无功功率Q为( ) A.-4400W B.-2200var C.2200var D.4400W 4.在负载为三角形连接的对称三相电路中，各线电流与相电流的关系是( ) A.大小、相位都相等 B.大小相等、线电流超前相应的相电流? 90 C.线电流大小为相电流大小的3倍、线电流超前相应的相电流? 30 D.线电流大小为相电流大小的3倍、线电流滞后相应的相电流? 30 5.在电路中用来对电气设备进行短路保护的电器是( ) A.交流接触器 B.热继电器 C.中间继电器 D.熔断器 6.制造普通变压器铁心的磁性材料是( ) A.碳钢 B.硅钢片 C.铝镍钴合金 D.硬磁铁氧体 7.通常用于扩大交流电流表测量量程的电流互感器，其副绕组的额定电流规定为( ) A.0.5A或2A B.1A或5A C.2A或10A D.3A或15A 8.一台三相异步电动机的磁极对数p=2，电源频率为50Hz，电动机转速n=1440r/min，其转差 率s为( ) A.1% B.2% C.3% D.4% 9.在共射极放大电路中，当其他参数不变只有负载电阻R L增大时，电压放大倍数将( ) A.减少 B.增大 C.保持不变 D.大小不变，符号改变 10.在单管固定偏置共射极放大电路中，若测得三极管的静态管压降U CE近似等于电源电压 U CC时，则该管工作状态为( ) A.饱和 B.截止 C.放大 D.不能确定 二、图示对称三相电路中，R AB=R BC=R CA=100Ω，电源线电压为380V，求：(1)电压表和电流 表的读数是多少?(2)三相负载消耗的功率P是多少?（20分）
电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 2、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是 绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ；电力晶体管的图形符号是 ； 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为_22U __，续流二极管承受的最大反向电压为__22U _（设U 2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__222U 和_22U ； 带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__22U _和__22U _；带反电动势负载时，欲使电阻上的 电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm 等于__22U _，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _，使负载电流连 续的条件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时，α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_ 的相电压；这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _，u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。 11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当 α 从0°～90°变化时，整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_，当 α 从90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。 12.逆变电路中，当交流侧和电网连结时，这种电路称为_有源逆变_，欲实现有源逆变，只能采用__全控_电路；对于单相全波电路，当控制角 0< α < π /2 时，电路工作在__整流_状态； π /2< α < π 时，电路工作在__逆变_状态。 13.在整流电路中，能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势，其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角α > 90O ，使输出平均电压U d 为负值_。 第3章 直流斩波电路 1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。 2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。 3.斩波电路有三种控制方式：_脉冲宽度调制（PWM ）_、_频率调制_和_（t on 和T 都可调，改变占空比）混合型。 6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。 7.Sepic 斩波电路和Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续，_ Zeta 斩波电路_的输入、输出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。 8.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限，升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限，_电流可逆斩波电路能使电动机工作于第1和第2象限。 10.复合斩波电路中，电流可逆斩波电路可看作一个_升压_斩波电路和一个__降压_斩波电路的组合；
《电工电子技术基础》期末考试试卷 (闭卷) 一、填空题（每空1分，共40分） 1、交流电的电流或电压在变化过程中的任一瞬间，都有确定的大小和方向，叫做交流电该时刻的瞬时值，分别用小写字母 i 、 u 表示。 2、数字电路中只有 0 和 1 两个数码。 3、三相电源的中线一般是接地的，所以中线又称__地___线。三相电源三相绕组的首端引出的三根导线叫做___相__线。 4、(1011)2 = ( 11 )10。 5、电容和电阻都是电路中的基本元件，但它们在电路中所起的作用却是不同的，从能量上看，电容是_储能____元件，电阻是__耗能____元件。 6、为了反映功率利用率把有功功率和视在功率的比值叫功率因数。 7、正弦交流电的三要素是振幅、频率和初相。 8、实际电压源总有内阻，因此实际电压源可以用电动势与电阻串联的组合模型来等效。 9、基本门电路有与门、或门和非门。 10、能够实现“有0出1，全1出0”逻辑关系的门电路是与非门。 11、能够实现“有1出0，全0出1”逻辑关系的门电路是或非门。 12、能够实现“相异出1，相同出0”逻辑关系的门电路是异或门。 13、在交流电中，电流、电压随时间按正弦规律变化的，称为正弦交流电。正弦交流电的三要素是指最大值、角频率、初相位。 14、工频电流的频率f= 50 Hz。 15、设u=311sin314t V，则此电压的最大值为 311V ，频率为 50HZ ，初相位为 0 。 16、在如图所示的电路，已知I1 = 1A，I2 = 3A ，I5 =4.5A，则I3 = 4 A，I4 = 0.5 A，则I6 = 3.5 A。
17、半导体三极管是由发射极、基极、集电极三个电 极，发射结、集电结两个PN结构成。 18、三极管按其内部结构分为 NPN 和 PNP 两种类型。 19、晶体三极管作共射组态时，其输入特性与二极管类似，但其输出特性 较为复杂，可分为放大区外，还有截止区和饱和区。 20、二极管具有单相导电性特性。 二、单项选择题（每小题2分，共10分） 1、如图所示电路中，电压表的内阻Rv为20KΩ，则电压表的指示为（ B ）。 20KΩ 20KΩ A．5V B.10V C.15V D.30V 2、在三相交流电路中，当负载为对称且三角型连接时，线电流与相电流的 相位关系是（ D ）。 A. 线电压超前相电压300 B. 线电压滞后相电压300 C. 线电流超前相电流300 D. 线电流滞后相电流300 3、叠加定理可以用在线性电路中不能叠加的是（ C ）。 A、电压 B、电流 C、功率 D、电动势 4、如图所示电路中，若电阻从2Ω变到10Ω，则电流i（ C ）。 R i s A.变大 B. 变小 C.不变 D.不确定 5、如图所示电路，电路的电流I=（ A ）。
电力电子技术期末考试试题答案
1.IGBT 的开启电压UGE （th ）随温度升高而略有下降，开关速度小于电力MOSFET 。 2.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是电力二极管，属于半控型器件的是晶闸管，属于全控型器件的是GTO GTR 电力MOSFET IGBT ；属于单极型电力电子器件的有电力MOSFET ，属于双极型器件的有电力二极管 晶闸管 GTO GTR ，属于复合型电力电子器件得有 IGBT _；在可控的器件中，容量最大的 是_晶闸管_，工作频率最高的是电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT ，属于电流驱动的是晶闸管、 GTO 、GTR 。 3.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_。阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向 2__，续流二极管承受的最大反向电压为2_（设U 2为相电压有效值）。 4.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为0-180O ，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向 222；带阻感负载时，α角移相范围为0-90O ，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压 22；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个平 波电抗器。 5.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ =π-α-δ; 当控制角α小于不导电角 δ 时，晶闸管的导通角 θ = π-2δ。 6.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm 2，晶闸管控制角α的最大移相 范围是0-150o ，使负载电流连续的条件为o 30≤α(U2为相电压有效值)。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是最高的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是最低的相电压；这种电路 α 角的移相范围是0-120o ，u d 波形连续的条件是α≤60°。 8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值下降_ 9.2_，随负载加重Ud 逐渐趋近于_0.9 U 2_，通常 设计时，应取RC≥1.5-2.5 T ，此时输出电压为Ud≈1.2_U 2(U 2为相电压有效值，T 为交流电源的周期)。 10.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当 α 从0°～90°变化时，整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 增大，当 α 从90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而减小。 11.逆变电路中，当交流侧和电网连结时，这种电路称为有源逆变，欲实现有源逆变，只能采用全控电路；对于单相全波电路，当控制角 0< α < π /2 时，电路工作在整流状态； π /2< α < π 时，电路工作在逆变状态。 12.在整流电路中，能够实现有源逆变的有单相全波、三相桥式整流电路等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是有直流电动势，其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压和晶闸管的控制角 α > 90O ，使输出平均电压U d 为负值。 13.晶闸管直流电动机系统工作于整流状态，当电流连续时，电动机的机械特性为一组平行的直线，当电流断续时，电动机的理想空载转速将抬高，随 α 的增加，进入断续区的电流加大。
保护电路 控的器件中，容量最大的是 1.电阻负载的特点是 _电压和电流成正比且波形相同 _，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角 a 的最大移相范围是 0-180 2.阻感负载的特点是 流过电感的电流不能突变 ，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中, 晶闸管控制角 a 的最大移相范围是 3.单相桥式全控整流电路中, 带纯电阻负载时，a 角移相范围为 0-180°，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为 _岛丄/2_和_/2丄; __购2_和_血2=；带反电动势负载时，欲使电阻上的 电力电子技术试题 第1章电力电子器件 J 电力电子器件一般工作在 —开关— 状态。 冬在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为 —通态损耗—，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为 —开关损耗—。 3. 电力电子器件组成的系统，一般由 —控制电路__、_驱动电路_、 _主电路—三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加 4. 按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为 一单极型器件_、—双极型器件_、一复合型器件_三类。 L 电力二极管的工作特性可概括为 —承受正向电压导通，承受反相电压截止 _。 匚电力二极管的主要类型有 一普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。7_肖特基二极管的开关损耗 _小于_快恢复二极管的开关损耗。 二晶闸管的基本工作特性可概括为 —正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止 —。 生对同一晶闸管，维持电流 IH 与擎住电流IL 在数值大小上有IL__大于—IH 。 10. 晶闸管断态不重复电压 UDSM 与转折电压 Ubo 数值大小上应为，UDSM 大于—Uba 丄逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 生GTO 勺__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13. MOSFET 勺漏极伏安特性中的三个区域与 GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的 _截止区_、前者的饱和 区对应后者的 — 放大区__、前者的非饱和区对应后者的 _饱和区—。 14. 电力MOSFET 勺通态电阻具有—正—温度系数。 15J GBT 的开启电压UGE （th ）随温度升高而_略有下降—，开关速度—小于—电力MOSFET 。 生按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为 _电压驱动型_和一电流驱动型_两类。 17J GBT 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有 —负―温度系数, 在1/2或1/3额定电流以上区段具有 —正―温度系数。 生在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR 、门极可关断晶闸管（GTO 、电力晶体管（GTR 、电力场效应管（电力 MOSFE ）、绝缘栅 双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是 _电力二极管—，属于半控型器件的是—晶闸管_，属于全控型器件的是 _GTO 、GTR 、电力MOSFET IGBT _; 属于单极型电力电子器件的有 _电力 MOSFET 亠属于双极型器件的有 _电力二极管、晶闸管、 GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 —IGBT _;在可 _晶闸管_，工作频率最高的是 _电力MOSFET 属于电压驱动的是 电力MOSFET IGBT _，属于电流驱动的是 _晶闸管、GTO 、GTR 。 第2章整流电路 _，其承受的最大正反向电压均为 =屈2 —，续流二极管承受的最大反向电压为 _卮2_ （设U 2为相电压有效值）。 带阻感负载时，a 角移相范围为 0-90°，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为 电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个 平波电抗器。 4. _单相全控桥反电动势负载电路中， 当控制角a 大于不导电角 时，晶闸管的导通角 =_n- a- _； 当控制角 小于不导电角 时，晶闸管的导通角 =_ n-2 _o L 电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压 UFm 等于_J2U 2_，晶闸管控制角 a 的最大移相范围是_0-150°，使负载电流连 续的条件为__ 30o __（U2为相电压有效值）。 L 三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差 120°，当它带阻感负载时， 的移相范围为 0-90°。 乙三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中， 共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是 一最高_的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是 —最低 — 的相电压；这种电路 角的移相范围是_0-120o _，u d 波形连续的条件是_ 60o _。 L 对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值 一下降_。 0-180 O
电力电子技术期末考试 试题及答案 Coca-cola standardization office【ZZ5AB-ZZSYT-ZZ2C-ZZ682T-ZZT18】
电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_GTO 、GTR 、电力
二、判断题 XX VW W X vV 1、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。 x 2、普通晶闸管外部有三个电极，分别是基极、发射极和集电极。 x 3、在单相桥式半控整流电路中， 带大电感负载，不带续流二极管时，输出电压波形中没 有负面积。 yes 4、 GTO 属于双极性器件。 yes 5、电压型逆变电路， 为了反馈感性负载上的无功能量， 必须在电力开关器件上反并联反 馈二 极管 yes 。 6、对于三相全控桥整流电路，控制角a 的计量起点为自然换相点。 yes 7、 IGBT 属于电压驱动型器件。 yes 8、 晶闸管采用“共阴”接法或“共阳”接法都一样。 x 9、 在触发电路中采用脉冲变压器可保障人员和设备的安全。 yes 10、 G TO 的关断是靠门极加负信号出现门极反向电流来实现的。 yes 三、选择题 CADCA AAC 1、 普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（ C ）来表示的。 A 、有效值 B 、最大值 C 、平均值 2、 普通的单相半波可控整流装置中一共用了（ A ）晶闸管。 A 、一只 B 、二只 C 、三只 D 、四只 3、 变流器工作在逆变状态时，控制角a 必须在（ D ）。 A 、 0°-90 ° B 、 30°-120 ° C 、 60°-150 ° D 、 90°-150 ° 4、 比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（ C ）。 A 、 GTO B 、 GTR C 、 MOSFET D 、 IGBT 5、 可实现有源逆变的电路为（ A ）。 A 、三相半波可控整流电路 C 、 单相全控桥接续流二极管电路 6、 可实现有源逆变的电路为（ A ）。 A 、三相半波可控整流电路 C 、 单相全控桥接续流二极管电路 X L 8、晶闸管可整流电路中直流端的蓄电池或直流电动机应该属于（ 四、简答题 B 、三相半控桥整流桥电路 D 、单相半控桥整流电路 B 、三相半控桥整流桥电路 D 、单相半控桥整流电路 7、三相半波可控整流电路在换相时，换相重叠角 丫的大小与哪几个参数有关（A ）。 A 、 a 、 I d 、 X L 、 U 2 B 、 a 、 I d C 、 a 、 U 2 D 、 a 、 U 2、 C ）负载。
电力电子技术期末考试试题及答案 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在开关状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为通态损耗，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为开关损耗。 3.电力电子器件组成的系统，一般由控制电路、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止。 9.对同一晶闸管，维持电流与擎住电流在数值大小上有大于。 10.晶闸管断态不重复电压与转折电压数值大小上应为，大于。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 12的多元集成结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13的漏极伏安特性中的三个区域与共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的放大区、前者的非饱和区对应后者的_饱和区。 14.电力的通态电阻具有正温度系数。 15的开启电压（）随温度升高而_略有下降，开关速度小于电力。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。17的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有负温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有正温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（）、晶闸管（）、门极可关断晶闸管（）、电力晶体管（）、电力场效应管（电力）、绝缘栅双极型晶体管（）中，属于不可控器件的是_电力二极管，属于半控型器件的是晶闸管_，属于全控型器件的是_、、电力、_；属于单极型电力电子器件的有_电力_，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、、_，属于复合型电力电子器件得有_；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力，属于电压驱动的是电力、_，属于电流驱动的是_晶闸管、、_。 第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围
电 力 电 子 复 习 姓名：杨少航
电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有I L__大于__IH。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 15.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可
说明：本次考试为闭卷，请将答案写在答题纸上。考试时间：90分钟 一、填空题（每空1分，共25分） 1、在时间上和数值上均作连续变化的电信号称为模拟信号；在时间上和数值上离散的信号叫做数字信号。 2、具有基本逻辑关系的电路称为门电路，其中最基本的有与门、或门和非门。 3、能将某种特定信息转换成机器识别的二进制数码的组合逻辑电路，称之为编码器；能将机器识别的二进制数码转换成人们熟悉的十进制或某种特定信息的逻辑电路，称为译码器。 4、两个与非门构成的基本RS触发器的功能有清零、置1和保持。电路中不允许两个输入端同时为为低电平，否则将出现逻辑混乱。 5、组合逻辑电路的基本单元是门电路，时序逻辑电路的基本单元是触发器。 6、常用逻辑门电路的真值表如表1所示，判断 F 1 、 F 2 、 F 3 分别属于何种常用逻辑门。F 1 同或门；F 2 与非门；F 3 或门。 表 1 A B F 1 F 2 F 3 0 0 0 1 0 0 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1 1 0 0 1 7、5个变量可构成 32 个最小项，全体最小项之和为 1 。 8、十进制数45转换为二进制数为101101，转换为八进制数为55 ，转换为十六进制为2D。 9、常用的集成门电路芯片74LS00为与非门，74LS86为异或门，74LS138 为译码器。
10、能对两个1位二进制数相加并考虑低位来的进位，求得和及进位的逻辑电路，称为 全加器 。 二、判断正误题（每小题1分，共10分） 1、D 触发器的输出总是跟随其输入的变化而变化。 （对） 2、或逻辑关系是“有1出1，全0出0”。 （对） 3、十进制数（3）10比二进制数（10）2小。 （错） 4、数字电路中用“1”和“0”分别表示两种状态,二者无大小之分。 （对） 5、触发器和逻辑门一样，输出取决于输入现态。 （错） 6、B A B A ?=+是逻辑代数的非非定律。 （错） 7、卡诺图中为1的方格均表示一个逻辑函数的最小项。 （对） 8、由三个开关并联起来控制一盏电灯时，电灯的亮与不亮同三个开关的闭合或断开之间的对应关系属于“与”的逻辑关系。 （错） 9、编码电路的输入量一定是人们熟悉的十进制数。 （错） 10、共阴极结构的显示器需要高电平驱动才能显示。 （对） 三、单项选择题（每小题2分，总计26分） 1、存储8位二进制信息要 D 个触发器。 A 、2 B 、3 C 、4 D 、8 2、F =AB +CD 的“与非” 逻 辑 式 为( B )。 A 、 F =ABCD B 、 F =ABCD C 、F =()()A B C D ?? 3、指出下列各式中哪个是四变量A ，B ，C ，D 的最小项（ B ） A 、A+B+C+D B 、ABCD C 、ACD D 、AC+BD 4、和逻辑式AB 表示不同逻辑关系的逻辑式是（ B ）。 A 、B A + B 、B A ? C 、B B A +? D 、A B A + 5、数字电路中机器识别和常用的数制是（ A ）。 A 、二进制 B 、八进制 C 、十进制 D 、十六进制 6、一个两输入端的门电路，当输入为1和0时，输出不是1的门是（ D ）。 A 、与非门 B 、或门 C 、或非门 D 、异或门 7、仅具有置“0”和置“1”功能的触发器是（ C ）。 A 、基本RS 触发器 B 、钟控RS 触发器 C 、D 触发器 D 、JK 触发器