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光电子技术教案

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2.6光波在光纤波导中的传播

本节讨论光波在光纤波导中的传播的传播性质。

1. 光纤波导的结构及弱导性

光纤是一种能够传输光频电磁波的介质波导。光纤的典型结构如图1所示,它由纤芯、包层和护套三部分组成。波导的性质由纤芯和包层的折射率分布决定,工程上定义?为纤芯和包层间的相对折射率差

2/])(1[21

2n n -=? (2.6-1) 当01.0

1

21n n n -≈? (2.6-2) 这即为光纤波导的弱导条件。光纤的弱导特性是光纤与微波圆波导之间的重要差别之一。弱导的基本含义是指很小的折射率差就能构成良好的光纤波导结构,而且为制造提供了很大的方便。

(a)

多模光纤 12.5μm

(d) 图1 典型光纤的结构、折射率分布和尺寸范围

一般介质波导截面上的折射率分布可以用指数型分布表示为

??

???≥=?-=≤

/11a r n n r n a r a r n r n α (2.6-3)

2. 光束在光纤波导中的传播特性

射线理论的基础是光线方程

)(d d )(d d r n s r r n s ?=??

???? (2.6-4) r :空间光线上某点的位置矢量,s :该点到光线到原点的路径长度,)(r n :折

射率的空间分布。应用上式,结合初始条件,原则上就可确定任意已知折射率分

布)(r n 介质光线的轨迹。

⑴ 阶跃光纤中光波的传播

均匀介质中光线轨迹是直线,光纤的传光机理在于光的全反射。光纤可视为圆柱波导,在圆柱波导中,光线的轨迹可以在通过光纤轴线的主截面内,如图2(a)所示,也可以不在通过光纤轴线的主截面内,如图2(b)所示。为完整的确定一条光线,必须用两个参量,即光线在界面的入射角θ 和光线与光纤轴线的夹角?。

2

(a)

?

? 2(b) 图2 阶跃折射率光纤纤芯内的光纤路径 (a) 子午光线的锯齿路径;

(b) 偏斜光线的螺旋路经及其在纤芯横截面上的投影

① 子午光线

当入射光线通过光纤轴线,且入射角θ1大于界面临界角1

210sin n n -=θ时,光线将在柱体界面上不断发生全反射,形成曲折回路,而且传导光线的轨迹始终在光纤的主截面内。这种光线称为子午光线,包含子午光线的平面称为子午面。

设光线从折射率为n 0的介质通过波导端面中心点入射,进入波导后按子午光线传播。根据折射定律,当产生全反射时,要求01θθ>,因此有

2/122210

0)(1sin n n n -≤? (2.6-5) 一般情况下,n 0=1(空气),则子午光线对应的最大入射角称为光纤的数值孔径

NA n n m m =-=2/12221)(0)

(sin ? (2.6-6) 它代表光纤的集光本领。在弱到条件下

2/11)2(?n NA ≈ (2.6-7)

② 斜射光线

当入射光线不通过光纤轴线时,传导光线将不在一个平面内,这种光线称为斜射光线。

如果将其投影到端截面上,就会更清楚地看到传导光线将完全限制在两个共轴圆柱面之间,其中之一是纤芯-包层边界,另一个在纤芯中,其位置由角度θ1和?1决定,称为散焦面。

显然,随着入射角θ1的增大,内散焦面向外扩大并趋近为边界面。在极限情况下,光纤端面的光线入射面与圆柱面相切(θ1=90?),在光纤内传导的光线演变为一条与圆柱表面相切的螺线,两个散焦面重合。

当满足全反射条件121/sin n n ≥θ时,得到波导内允许的最大轴线角)(0s m ?为

(a) ' (b) 图3阶跃光纤中的斜射光线

γ

?γ?cos sin cos )(sin 1)(012/12221)

(0n n n n m m s m =-= (2.6-8) 当120==n n (空气)时,最大入射角为

γ

??cos sin sin )(0)

(0m m s m = (2.6-9) 式中)(0m m ?是传导子午光线的最大入射角。

在圆柱界面上一点A 处所有可能的入射光线可分为三部分:

A. 非导引光线(折射光线)。

B. 导引光线。

C. 泄漏光线(隧道光线)。

③不同光程引发的光脉冲的弥散

阶跃光纤中与光纤轴成不同夹角的导引光线,在轴向经过同样距离时,各自走过的光程是不同的。因此,若有一个光脉冲在入射端激发起各种不同角度的导引光线,那么由于每根光线经过的光程不同,就会先后到达终端,从而引起光脉冲宽度的加宽,称为光脉冲的弥散。

光线经过轴向距离L 所花的最长和最短时间差为

?τc

Ln c Ln cn Ln 11221Δ=-= (2.6-10) 可见,光脉冲弥散正比于?,?愈小,?τ 就愈小。

⑵渐变折射率光纤

我们只讨论平方率梯度光纤中光波的传播特性。平方律折射率分布光纤的n (r )可表示为

???

???????? ??-=221221)(a r n r n ? (2.6-11)

①平方律梯度光纤中的光线轨迹

由光纤理论可以证明子午光线轨迹按正弦规律变化

)sin(0z r r Ω= (2.6-12) 式中r 0、Ω由光纤参量决定。

可见平方律梯度光纤具有自聚焦性质,又称自聚焦光纤,如图 4所示。

一段Λ/4(Λ=2π/Ω)长的自聚焦光纤与光学透镜作用相似,可以会聚光线和成像。两者的不同之处在于,一个是靠球面的折射来弯曲光线;一个是靠折射率的梯度变化来弯曲光线。自聚焦透镜的特点是尺寸很小,可获得超短焦距,可弯

曲成像等。这些都是一般透镜很难或根本不能做到的。可以证明,自聚焦透镜的焦距(焦点到主平面的距离)f 为

)

sin()0(1z n f ΩΩ= (2.6-13) f 随z 的变化如图5所示, z =Λ/4时,f =f min 。

Q P Q

(a)

(r )

(c) 图4 渐变折射率分布光纤纤芯内光线的路径及其在纤芯横截面上的投影 (a) 子午光线路径;(b) 斜射光线路径;(c) 投影和角向间的夹角θ?(r )

f min =1/n (0)Ω-1/n (0)Ω图5 自聚焦光纤的透镜特性 (a) 子午光线;(b) f 的周期变化

②平方律折射率分布光纤中光线的群迟延和最大群迟延差

光线经过单位轴向长度所用的时间称为比群迟延τ即单位长度的群迟延。在非均匀介质中,光线的轨迹是弯曲的。沿光线轨迹经过距离s 所用的时间τ为

?=s nds c 0

1τ (2.6-14) 详细计算表明最大的群迟延差为

2

2)(2

021min max min max ?τ?τττττ?==-=-=c L n L (2.6-15) 可以看到,平方律分布光纤中的群迟延只有阶梯折射率分布光纤的?/2。

3. 光束在光纤波导中的衰减和色散特性

⑴光纤的衰减

若P i 、P o 分别为光纤的输入、输出光功率,L 是光纤长度。衰减系数α定义为单位长度光纤光功率衰减的分贝数,即

)dB/km (log 1010o i P P L =α (2.6-16)

光纤衰减有下列两种主要来源:吸收损耗和散射损耗。

①吸收损耗

材料吸收损耗是一种固有损耗,不可避免。我们只能选择固有损耗较小的材料来做光纤。石英在红外波段内吸收较小,是优良的光纤材料。

有害的杂质吸收主要是由于光纤材料中含有Fe ,Co ,Ni ,Mn ,Cu ,V ,Pt ,OH 等离子。

②散射损耗

由于光纤制作工艺上的不完善,例如有微气泡或折射率不均匀以及有内应力,光能在这些地方会发生散射,使光纤损耗增大。

另一种散射损耗的根源是所谓瑞利散射。

光纤中尚存在所谓布里渊和拉曼散射损耗。

⑵光纤色散、带宽和脉冲展宽参量间的关系。

①光纤的色散

光纤的色散会使脉冲信号展宽,即限制了光纤的带宽或传输容量。一般说来,单模光纤的脉冲展宽与色散有下列关系:

λτ?δ??=L d (2.6-17)

即由于各传输模经历的光程不同而引起的脉冲展宽。

单模光纤色散的起因有下列三种:材料色散、波导色散和折射率分布色散。

②光纤的带宽

光脉冲展宽与光纤带宽有一定关系。实验表明光纤的频率响应特性H (f )近似为高斯型,如图2-32所示。

2ln )/(2)

0()()(c f f e P f P f H -== (2.6-18) f c 是半功率点频率。显然有

dB 3)

0()(log 10)(log 10-==P f P f H c c (2.6-19) 因此,f c 称为光纤的3dB 光带宽。

模拟电子技术教案

授课计划 授课时数: 2 授课教师:赵启学授课时间: 课题:半导体二极管 教学目的: 1、理解PN结及其单向导电性 2、了解半导体二极管的构成与类型 教学重点:1、PN结及其单向导电性2、二极管结的构成 教学难点:PN结及其单向导电性 教学类型:理论课 教学方法:讲授法、启发式教学 教学过程: 引入新课: 模拟电子技术基础是一门入门性质的技术基础课,没有哪一门课程像电子技术的发展可以用飞速发展,日新月异。从1947年,贝尔实验室制成第一只晶体管;1958年,集成电路;1969年,大规模集成电路;1975年,超大规模集成电路,一开始集成电路有4只晶体管,1997年,一片集成电路有40亿个晶体管。不管怎么变化,但是万变不离其宗,这门课我们所讲的就是这个“宗”。(10分钟) 讲授新课: 一:PN结(30分钟) 1、什么是半导体,什么是本证半导体?(10分钟) 半导体:导电性介于导体和绝缘体之间的物质 本征半导体:纯净(无杂质)的晶体结构(稳定结构)的半导体,所有半导体器件的基本材料。常见的四价元素硅和锗。

2、杂质半导体(20分钟) N型半导体:在本征半导体中参入微量5价元素,使自由电子浓度增大,成为多数载流子(多子),空穴成为少数载流子(少子)。如图(a) P型半导体:在本证半导体中参入微量3价元素,使空穴浓度增大,成为多子,电子成为少子,以空穴导电为主的杂志半导体称为P型半导体。如图(b) 3、PN结 P型与N型半导体之间交界面形成的薄层为PN结。 二:PN结的单项导电性(20分钟) PN结加正向电压时,可以有较大的正向扩散电流,即呈现低电阻,我们称PN 结导通;PN结加反向电压时,只有很小的反向漂移电流,呈现高电阻,我们称PN 结截止。这就是PN结的单向导电性。 1、正偏 加正向电压(正偏)——电源正极接P区,负极接N区 外电场的方向与内电场方向相反。 外电场削弱内电场→耗尽层变窄→扩散运动>>漂移运动→多子扩散形成正向电流(与外电场方向一致)I F

《电子技术基础》正式教案

电 子 技 术 基 础 教 案 §1-1 半导体的基础知识

目的与要求 1. 了解半导体的导电本质, 2. 理解N型半导体和P型半导体的概念 3. 掌握PN结的单向导电性 重点与难点 重点 1.N型半导体和P型半导体 2. PN结的单向导电性 难点 1.半导体的导电本质 2.PN结的形成 教学方法 讲授法,列举法,启发法 教具 二极管,三角尺 小结 半导体中载流子有扩散运动和漂移运动两种运动方式。载流子在电场作用下的定向运动称为漂移运动。在半导体中,如果载流子浓度分布不均匀,因为浓度差,载流子将会从浓度高的区域向浓度低的区域运动,这种运动称为扩散运动。 多数载流子因浓度上的差异而形成的运动称为扩散运动 PN结的单向导电性是指PN结外加正向电压时处于导通状态,外加反向电压时处于截止状态。 布置作业 1.什么叫N型半导体和P型半导体 第一章常用半导体器件 §1-1 半导体的基础知识 自然界中的物质,按其导电能力可分为三大类:导体、半导体和绝缘体。 半导体的特点: ①热敏性 ②光敏性 ③掺杂性 导体和绝缘体的导电原理:了解简介。

一、半导体的导电特性 半导体:导电性能介于导体和绝缘体之间的物质,如硅(Si)、锗(Ge)。硅和锗是4价元素,原子的最外层轨道上有4个价电子。 1.热激发产生自由电子和空穴 每个原子周围有四个相邻的原子,原子之间通过共价键紧密结合在一起。两个相邻原子共用一对电子。室温下,由于热运动少数价电子挣脱共价键的束缚成为自由电子,同时在共价键中留下一个空位这个空位称为空穴。失去价电子的原子成为正离子,就好象空穴带正电荷一样。 在电子技术中,将空穴看成带正电荷的载流子。 2.空穴的运动(与自由电子的运动不同) 有了空穴,邻近共价键中的价电子很容易过来填补这个空穴,这样空穴便转移到邻近共价键中。新的空穴又会被邻近的价电子填补。带负电荷的价电子依次填补空穴的运动,从效果上看,相当于带正电荷的空穴作相反方向的运动。 3.结论 (1)半导体中存在两种载流子,一种是带负电的自由电子,另一种是带正电的空穴,它们都可以运载电荷形成电流。 (2)本征半导体中,自由电子和空穴相伴产生,数目相同。 (3)一定温度下,本征半导体中电子空穴对的产生与复合相对平衡,电子空穴对的数目相对稳定。 (4)温度升高,激发的电子空穴对数目增加,半导体的导电能力增强。 空穴的出现是半导体导电区别导体导电的一个主要特征。 二、N型半导体和P型半导体 本征半导体 完全纯净的、结构完整的半导体材料称为本征半导体。 杂质半导体 在本征半导体中加入微量杂质,可使其导电性能显著改变。根据掺入杂质的性质不同,杂质半导体分为两类:电子型(N型)半导体和空穴型(P型)半导体。 1. N型半导体 在硅(或锗)半导体晶体中,掺入微量的五价元素,如磷(P)、砷(As)等,则构成N型半导体。 在纯净半导体硅或锗中掺入磷、砷等5价元素,由于这类元素的原子最外层有5个价电子,故在构成的共价键结构中,由于存在多余的价电子而产生大量自由电子,这种半导体主要靠自由电子导电,称为电子半导体或N型半导体,其中自由电子为多数载流子,热激发形成的空穴

电工电子技术教案

教学内容注意点配时提问:试想如果没有电,生活将会怎样? 导入新课: 电工学是非电专业的技术基础课,通过本课程的学习,使学生具备电 工技术与电子技术的基础知识,为升学以及后续课程打下一定的基础。 1、电工学课程研究的对象————“电” 2、电工学课程的发展 3、电能的优越性 (1)便于转换 (2)便于输送 (3)便于控制 第1章直流电路 电路:电流流通的路径。 直流电路:由直流电源供电的电路。 §1.1电路及主要基本物理量 一、电路的组成及作用 电路就是电流通过的闭合路径,它是由各种电气器件按一定方式用导 线连接组成的总体。电路的结构形式和所能完成的任务是多种多样的,从 日常生活中使用的用电设备到工、农业生产中用到的各种生产机械的电器 控制部分及计算机、各种测试仪表等,从广义说,都是电路。最简单的电 路如图所示的手电筒电路。 1、组成:电路主要由三部分组成。 (1)电源是供应电能的设备。在发电厂内将化学能或机械能等非 电能转换为电能,如电池、蓄电池、发电机等。 (2)负载是使用电能的设备,又称用电器。作用是将电能转换成 其它形式的能量,如电灯、电炉、扬声器、电动机等。 (3)中间环节用于连接电源和负载。起传输和分配电能或对电信 电路三 部分组 成 5 5 10

大小和方向都不随时间变化的电流称为恒定电流,也称为直流电流,用I 表示。大小和方向随时间变化的电流称为交变电流,简称交流电流,用i 表示。 电流的单位为A (安[培]),还有kA (千安)、mA (毫安)、μA (微安)等。 31kA 10A = 361A 10mA 10A μ== 3、电流的方向 (1)实际方向 习惯上规定正电荷移动的方向或负电荷移动的反方向为电流的实际方向。 (2)参考方向:可以任意选取 在分析电路时,常常要知道电流的方向,但有时电路中电流的实际方向难于判断,此时常可任意选定某一方向作为电流的“参考方向(也称正方向)”。 所选的参考方向不一定与实际方向一致。 当电流的实际方向与其参考方向一致时,则电流为正值;反之,当电流的实际方向与其参考方向相反时,则电流为负值,如图所示。 I I 实际方向实际方向 参考方向参考方向 a a b b a )0I > b )0I < 4、电流的表示方法 (1)箭头:→ (2)双下标:ab I 5、电流的测量——用电流表(安培表)来测量。测量时注意: (1)交、直流电流用不同表测量。 (2)电流表应串联在电路中。 参考方向选取 20

电子技术教案

第1、2 课时 教学过程 一、半导体得导电特性 1、光敏性、热敏性、可掺杂性 2、本征半导体:纯净得半导体称为本征半导体。 3、N型半导体 结构形成方式:掺入五价杂质元素使载流子数目增多,自由电子就是多子4、P型半导体 结构形成方式:掺入三价杂质元素使载流子数目增多,空穴就是多子 二、PN结得形成与特性 1、形成过程 2、特性:单向导电性 三、二极管 1、结构、外形、分类: (1)按材料分:有硅二极管,锗二极管与砷化镓二极管等。 (2)按结构分:根据PN结面积大小,有点接触型、面接触型二极管。 (3)按用途分:有整流、稳压、开关、发光、光电、变容、阻尼等二极管。 (4)按封装形式分:有塑封及金属封等二极管。 (5)按功率分:有大功率、中功率及小功率等二极管。 2、主要参数 3、判别办法:用万用表欧姆档判别正、负极及好坏。 4、二极管得伏安特性。 5、特殊功能二极管:稳压管、发光二极管 第 3、4 课时

教学 目得 1、了解三极管得结构与特性; 2、掌握三极管得类型与电流放大原理; 3、理解三极管得特性曲线与主要参数。 重点 难点 三极管得电流放大原理 三极管得输入输出特性 教学过程 一、三极管得基本结构与类型 二、三极管在电路中得联接方式 三、三极管得电流放大作用及原理 三极管实现放大作用得外部条件就是发射结正向偏置, 集电结反向偏置。 1)发射区向基区发射电子得过程 2)电子在基区得扩散与复合过程 3)电子被集电区收集得过程 二、特性曲线与主要参数 1、输入特性:i B=f(u BE)= CE u常数2、输出特性:i C=f(u CE)= B i常数 课后 小结 了解三极管得结构与特性;掌握三极管得类型与电流放大原理; 理解三极管得特性曲线与主要参数。 第 5、6 课时 课题共发射极放大电路课型 教学 目得 1、了解电路得结构组成 2、用图解法分析静态工作点与动态波形 I I B C β ≈

模拟电子技术基础教案

《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的: 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数,掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法;使学生具有一定的实践技能和应用能力;培养学生分析问题和解决问题的能力,为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求: 1.掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2.掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析,熟悉改进放大电路,理解多级放大电路的耦合方式及分析方法,理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法,理解放大电路的频率特性概念及分析。 3.掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法,理解负反馈对放大电路性能的影响,熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算,了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4.了解集成运算放大器的组成和典型电路,理解理想运放的概念,熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路;掌握一般直流电源的组成,理解整流、滤波、稳压的工作原理,了解电路主要指标的估算。

3、使用的教材: 杨栓科编,《模拟电子技术基础》,高教出版社 主要参考书目: 康华光编,《电子技术基础》(模拟部分)第四版,高教出版社 童诗白编,《模拟电子技术基础》,高等教育出版社, 张凤言编,《电子电路基础》第二版,高教出版社, 谢嘉奎编,《电子线路》(线性部分)第四版,高教出版社, 陈大钦编,《模拟电子技术基础问答、例题、试题》,华中理工大学出版社,唐竞新编,《模拟电子技术基础解题指南》,清华大学出版社, 孙肖子编,《电子线路辅导》,西安电子科技大学出版社, 谢自美编,《电子线路设计、实验、测试》(二),华中理工大学出版社, 绪论 本章的教学目标和要求: 要求学生了解放大电路的基本知识;要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排:(采用多媒体教学) §1-1 电子系统与信号0.5 §1-2 放大电路的基本知识0.5

光电子学基础知识

第一章 光辐射与发光源 教学目的 1、掌握光波在各种介质中的传播特性。 2、了解光度学基本知识。 3、了解热辐射基本定律 教学重点与难点 重点:光波在电光晶体、声光晶体中的传播特性。 难点:光度学基本知识。 1.1电磁波谱与光辐射 1. 电磁波的性质与电磁波谱 光是电磁波。 根据麦克斯韦电磁场理论,若在空间某区域有变化电场E (或变化磁场 H ),在邻近区域将产生变化的磁场H (或变化电场E ),这种变化的电场和变化的磁场不断地交替产生,由近及远以有限的速度在空间传播,形成电磁波。 电磁波具有以下性质: ⑴ 电磁波的电场E 和磁场H 都垂直于波的播方向,三者相互垂直,所以 电磁波是横波。H E 、和传播方向构成右手螺旋系。 ⑵ 沿给定方向传播的电磁波,E 和H 分别在各自平面内振动,这种特性称为偏振。 ⑶ 空间各点E 和H 都作周期性变化,而且相位相同,即同时达到最大,同时减到最小。 ⑷ 任一时刻,在空间任一点,E 和H 。 ⑸ 电磁波在真空中传播的速度为c =,介质中的传播速度为 υ=

电磁波包括的范围很广,从无线电波到光波,从X射线到g射线,都属于电磁波的范畴,只是波长不同而已。目前已经发现并得到广泛利用的电磁波有波长达104m以上的,也有波长短到10-5nm以下的。我们可以按照频率或波长的顺序把这些电磁波排列成图表,称为电磁波谱,如图1所示,光辐射仅占电波谱的一极小波段。图中还给出了各种波长范围(波段)。 图1 电磁辐射波谱 2. 光辐射 以电磁波形式或粒子(光子)形式传播的能量,它们可以用光学元件反射、成像或色散,这种能量及其传播过程称为光辐射。一般认为其波长在10nm~1mm,或频率在3′1016Hz~3′1011Hz范围内。一般按辐射波长及人眼的生理视觉效应将光辐射分成三部分:紫外辐射、可见光和红外辐射。一般在可见到紫外波段波长用nm、在红外波段波长用mm表示。波数的单位习惯用cm-1。 可见光。通常人们提到的“光”指的是可见光。可见光是波长在390~770nm 范围的光辐射,也是人视觉能感受到“光亮”的电磁波。当可见光进入人眼时,人眼的主观感觉依波长从长到短表现为红色、橙色、黄色、绿色、青色、蓝色和紫色。 紫外辐射。紫外辐射比紫光的波长更短,人眼看不见,波长范围是1~390nm。细分为近紫外、远紫外和极远紫外。由于极远紫外在空气中几乎会被完全吸收,

数字电子技术实验教案

湖南工学院教案用纸 实验1基本门电路逻辑功能测试(验证性实验) 一、实验目的 1?熟悉基本门电路图形符号与功能; 2?掌握门电路的使用与功能测试方法; 3?熟悉实验室数字电路实验设备的结构、功能与使用。 二、实验设备与器材 双列直插集成电路插座,逻辑电平开关,LED发光显示器,74LS00, 74LS20 , 74LS86,导 线 三、实验电路与说明 门电路是最简单、最基本的数字集成电路,也是构成任何复杂组合电路和时序电路的基本单 元。常见基本集门电路包括与门、或门、与非门、非门、异或门、同或门等,它们相应的图形符号与逻辑功能参见教材P.176, Fig.6.1。根据器件工艺,基本门电路有TTL门电路和CMOS门电路之分。TTL门电路工作速度快,不易损坏,CMOS门电路输出幅度大,集成 度高,抗干扰能力强。 1.74LS00 —四2输入与非门功能与引脚: 2. 74LS20 —双4输入与非门功能与引脚: 3. 74LS86 —四2输入异或门功能与引脚: 四、实验内容与步骤 1.74LS00功能测试: ①74LS00插入IC插座;②输入接逻辑电平开关;③输出接LED显示器;④接电源;⑤拔

动开关进行测试,结果记入自拟表格。 湖南工学院教案用纸

2. 74LS20功能测试: 实验过程与74LS00功能测试类似。 3. 74LS86功能测试: 实验过程与74LS00功能测试类似。 4. 用74LS00构成半加器并测试其功能: ①根据半加器功能:S A B , C AB,用74LS00设计一个半加器电路; ②根据所设计电路进行实验接线; ③电路输入接逻辑电平开关,输出接LED显示器; ④通电源测试半加器功能,结果记入自拟表格。 5. 用74LS86和74LS00构成半加器并测试其功能: 实验过程与以上半加器功能测试类似。 五、实验报告要求 1. 内容必须包括实验名称、目的要求、实验电路及设计步骤、实验结果记录与分析、实验总结与体会等。2?在报告中回答以下思考题: ①如何判断逻辑门电路功能是否正常? ②如何处理与非门的多余输入端? 实验2组合逻辑电路的设计与调试(设计性综合实验) 一、实验目的 1?熟悉编码器、译码器、数据选择器等MSI的功能与使用; 2?进一步掌握组合电路的设计与测试方法; 3?学会用MSI实现简单逻辑函数。 二、实验设备与器材

电工电子技术教案课程.docx

厦门电子职业中专学校教案纸 第页 第一章直流电路检查 学《电子电 科工技术》§1.1电路 授课班级授课时数2教具多媒体、黑板、粉笔授课时间2016 . 9教学方法讲解,启发,问答、实物演示 1.介绍课程以及教学大纲 教学目的2.了解电路的基本概念及组成 3.掌握元件符号 教学重点1.电路的基本组成2.掌握元件符号 和难点 3.学会画电路图 掌握元件符号和电路图 复习提问 教学内容、方法、过程和板书设计教学追记 §1.1电路 一、电路的基本组成 1.什么是电路? 电路是由各种元器件(或电工设备 )按一定方式 联接起来的总体,为电流的流通提供了路径。 如图 1-1 所示。 图 1-1 简单的直流电路 2.电路的基本组成 电路的基本组成包括以下四个部分: (1)电源(供能元件):为电路提供电能的设备和器件。 提问 (2)负载 (耗能元件 ):使用 (消耗 )电能的设备和器件 (如灯泡等用电器 )。 (3)控制器件:控制电路工作状态的器件或设备(如开关等 )。 (4)联接导线:将电器设备和元器件按一定方式联接起来(如各种铜、铝电缆线等 )。

教案纸附页 教学内容、方法、过程和板书设计 3.电路的状态 (1)通路 (闭路 ):电源与负载接通,电路中有电流通过,电气设备或元器件获得 一定的电压和电功率,进行能量转换。 (2)开路 (断路 ):电路中没有电流通过,又称为空载状态。 (3)短路 (捷路 ):电源两端的导线直接相连接,输出电流过大对电源来说属于严 重过载,如没有保护措施,电源或电器会被烧毁或发生火灾,所以通常要在电路或电气 设备中安装熔断器、保险丝等保险装置,以避免发生短路时出现不良后果。 二、电气元件符号 三、基本电路图 由理想元件构成的电路叫做实际电路的电路模型,也叫做实际电路的电路原理图,简称为电路图。例如,图 1-2 所示的手电筒电路。 理想元件:电路是由电特性相当复杂的元器件组成的,为了便于使用数学方法对电 路进行分析,可将电路实体中的各种电器设备和元器件用一些能够表征它们主要电 磁特性的理想元件 (模型 )来代替,而对它的实际上的结构、材料、形状等非电磁特性不予考虑。第 1 页 教学追记 画图讲解 图 1-2 手电筒的电路原理图

电力电子技术实验(课程教案)

课程教案 课程名称:电力电子技术实验 任课教师:张振飞 所属院部:电气与信息工程学院 教学班级:电气1501-1504班、自动化1501-1504自动化卓越1501 教学时间:2017-2018学年第一学期 湖南工学院

课程基本信息

1 P 实验一、SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT特性实验 一、本次课主要内容 1、晶闸管(SCR)特性实验。 2、可关断晶闸管(GTO)特性实验(选做)。 3、功率场效应管(MOSFET)特性实验。 4、大功率晶体管(GTR)特性实验(选做)。 5、绝缘双极性晶体管(IGBT)特性实验。 二、教学目的与要求 1、掌握各种电力电子器件的工作特性测试方法。 2、掌握各器件对触发信号的要求。 三、教学重点难点 1、重点是掌握各种电力电子器件的工作特性测试方法。 2、难点是各器件对触发信号的要求。 四、教学方法和手段 课堂讲授、提问、讨论、演示、实际操作等。 五、作业与习题布置 撰写实验报告

2 P 一、实验目的 1、掌握各种电力电子器件的工作特性。 2、掌握各器件对触发信号的要求。 二、实验所需挂件及附件 三、实验线路及原理 将电力电子器件(包括SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT五种)和负载 电阻R串联后接至直流电源的两端,由DJK06上的给定为新器件提供触 发电压信号,给定电压从零开始调节,直至器件触发导通,从而可测得 在上述过程中器件的V/A特性;图中的电阻R用DJK09 上的可调电阻负 载,将两个90Ω的电阻接成串联形式,最大可通过电流为1.3A;直流电 压和电流表可从DJK01电源控制屏上获得,五种电力电子器件均在DJK07 挂箱上;直流电源从电源控制屏的输出接DJK09上的单相调压器,然后 调压器输出接DJK09上整流及滤波电路,从而得到一个输出可以由调压 器调节的直流电压源。 实验线路的具体接线如下图所示:

电工电子技术教案

厦门电子职业中专学校教案纸 第页

§1.1电路 一、电路的基本组成 1.什么是电路? 电路是由各种元器件(或电工设备)按一定方式 联接起来的总体,为电流的流通提供了路径。 如图1-1所示。 图1-1 简单的直流电路 2.电路的基本组成 电路的基本组成包括以下四个部分: (1)电源(供能元件):为电路提供电能的设备和器件。 提问 (2)负载(耗能元件):使用(消耗)电能的设备和器件(如灯泡等用电器)。 (3) 控制器件:控制电路工作状态的器件或设备(如开关等)。 (4) 联接导线:将电器设备和元器件按一定方式联接起来(如各种铜、铝电缆线等)。 教案纸附页 教学内容、方法、过程和板书设计教学追记

3.电路的状态 (1) 通路(闭路):电源与负载接通,电路中有电流通过,电气设备或元器件获得一 定的电压和电功率,进行能量转换。 (2) 开路(断路):电路中没有电流通过,又称为空载状态。 (3) 短路(捷路):电源两端的导线直接相连接,输出电流过大对电源来说属于严重 过载,如没有保护措施,电源或电器会被烧毁或发生火灾,所以通常要在电路或电气 设备中安装熔断器、保险丝等保险装置,以避免发生短路时出现不良后果。 二、电气元件符号 三、基本电路图 由理想元件构成的电路叫做实际电路的电路模型,也叫做实际电路的电路原理图, 简称为电路图。例如,图1-2所示的手电筒电路。 理想元件:电路是由电特性相当复杂的元器件组成的,为了便于使用数学方法对 电路进行分析,可将电路实体中的各种电器设备和元器件用一些能够表征它们主要电 磁特性的理想元件(模型)来代替,而对它的实际上的结构、材料、形状等非电磁特性不 予考虑。 图1-2 手电筒的电路原理图 画图讲解 厦门电子职业中专学校教案纸 学《电子电检查

《电子技术基础》教案

《电子技术基础》教案 适用学时:前60(54)学时 编写日期:2006年2月1日

§绪言 学时:1学时 教学内容 一、电子技术基础课的性质 电子技术研究怎样通过各种半导体管以及由它们组成的电路将微弱电信号进行放大、变换或重新组合,然后应用到各个领域。 电子技术基础课主要介绍半导体器件的结构、工作原理和功能等,进而说明各种基本电路的应用范围、效率和形式。 二、电子技术基础课程的内容 1、半导体器件 二极管、三极管、场效应管等是最常用的半导体器件,本书重点介绍二极管、三极管、场效应管的结构、工作原理、特性和主要参数,以及它们的简单检测方法。 2、放大和振荡电路 放大电路的放大功能是电子技术的重要理论依据。 3、集成运算放大器 4、直流电源 5、晶闸管电路 6、门电路及组合逻辑电路 7、触发器和时序电路 三、课程目的和学习方法 “电子技术基础”虽然是专业理论基础,但它具有很强的实践性。 §第一章常用半导体器件 第一节半导体的基本知识 学时:1学时 教学要求: 1.了解半导体的一般概念 2.理解半导体的导电机理与导电特性 3.理解掺杂半导体的产生及导电类型 4.了解PN结的概念 5.理解PN结形成的原理及PN结的单向导电性 教学内容 一、半导体的导电特性

(a )硅和锗原子的简化结构模型 (b)晶体的共价键结构及电子空穴对的产生 图 1.1硅、锗原子结构模型及共价键结构示意图 二、N 型和P 型半导体 1、N 型半导体 在本征半导体中参入微量五价元素的杂质形成的半导体,其共价键结构如图1.2所示。常用的三价元素的杂质有磷、砷和锑等。 图1.2 N 2、P 型半导体 在本征半导体中参入微量三价元素的杂质形成的半导体,其共价键结构如图1.3所示。常用的三价元素的杂质有硼、铟等。 图1.3 P 三、PN 结及其单向导电性 1、PN 结的形成 所示。

光电子技术基础复习题

1、某单色光频率为3×1014Hz ,该单色光在水中(n=1.33)的速度和波长。 答:v=c/n=3*108/1.33=2.26*108m/s λ=v/f=2.26*108/3*1014 =0.75*10-6m 2、某星球的辐射出射度的峰值波长为400nm ,试估算该星球表明的温度。 答:由维恩位移律λmT=b 得 T=b/λm =2.898*10-3/400*10-9=7.245*103 k 3、简述光子简并和能级简并 答:光子简并:光子的运动状态简称为光子态。光子态是按光子所具有的不同能量(或动量数值),光子行进的方向以及偏振方向相互区分的。处于同一光子态的光子彼此之间是不可区分的,又因为光子是玻色子,在光子集合中,光子数按其运动状态的分布不受泡利不相容原理的限制。可以有多个光子处于同一种光子态上,这种现象称为简并。处于同一光子态的平均光子数目称为光场的简并度δ。δ=1/(e h υ /kT -1) 4、什么是亚稳态能级。 答:若某一激发能级与较低能级之间没有或只有微弱的辐射跃迁,则该态的平均寿命会很长τs >>10-3s,称为亚稳态能级,相应的态为亚稳态。 5、设二能级系统,发生受激辐射时,对入射光场的要求是什么? 6、产生激光的重要机理是 答:受激辐射 9、从能级理论出发,解释Nd:YAG 激光器工作原理(p44-45) 10、解释增益饱和效应 答:当入射光强度足够弱时,增益系数与光强无关,是一个常量,而当入射光强增加到一定程度时,增益系数将随光强的增大而减小,这种增益系数随光强的增大而减小的现象称为增益饱和效应。 11、两种介质A 、B 的折射率分别为nA=1,nB=1.2,当光从B 传播到A 时,计算:1)发生全反射的零界角 2)布鲁斯特角 答:1.θc =arcsin (n 2/n 1)(n 1>n 2) =arcsin (1/1.2)=56.44° 2. tan θ=n 2/n 1 θ=arctan (n 2/n 1) =arctan (1/1.2)=39.8° 12、人体辐射出射度的峰值波长为( ) 答:由维恩位移律λmT=b 得 λm =b/ T =2.898*10-3/(37+273)=9.35*10-6m 13、红宝石激光器利用(氙灯)作为泵浦源。 14、光纤长距离通信中传播信息光的波长为(1550nm),在接收端光电二极管所使用的材料是(InGaAs) 15、某阶跃光纤:n1=1.490, n2=1.480,则光纤的临界传播角为多少? 答: α=arcsin (n 2/n 1)=arcsin (1.48/1.49)=83.4° 16、某平板介质波导:2a=10μm, n1=1.480, n2=1.470,则该波导的截止波长为多少? 答:平板v=π/2(光纤v=2.405) V=(2πa/λc )2 221n n - λc =2πa 2 2 21n n -/ V=(10*π2247 .148.1-)/(π/2)=3.44μm 17、已知某平板介质波导:2a=80μm, n1=1.490, n2=1.470,入射光波长为λ=1μm ,在该波导中存在的模式数为 答:M=V 2/2=(π/2)2/2=1 18、解释材料色散产生的原因 答:材料色散:是由于折射率随波长变化的,而光源都具有一定的波谱宽度,因而产生传播时延差,引起脉冲展宽。 补充: 模式色散:在阶跃光纤中,入射角不同的光波在光纤内走过的路径长短不同,在临界角上传输的光路最长,沿光纤轴线传输的光路最短,由此引起时延差而产生模式色散。 波导色散:是由光纤的几何 结构决定的色散,它是由某一波导模式的传播常数β随光信号角频率w 变化而引起,也称为结构色散。 19、简述谐振腔的作用 答:使光只能沿着轴线方向往返运动(方向性) 筛选光频率,只能使满足干涉相干条件频率的光能在腔内往返运动(单色性) 增加光强度,实现光放大(高亮度) 20、半导体激光器实现光放大的物质条件是什么 答:PN 结附近或导带电子和价带空穴相对反转分布 21、激光产生的条件具体有那些 答:必要;粒子数反转分布和减少振荡模式数 充分;起振和稳定振荡 计算:1)入射光波长为1550nm ,Pin=0.05W ,Pout=0.002W ,估算光纤中信号能传输的最远距离。 2)光源为激光,λc=1550nm,光源脉宽Δλ=0.5nm ,假设信号传输1km ,计算由于材料色散造成的脉冲信号展宽σ。 3)只考虑材料色散,估算信号 在光纤中传播1km 的bit rate 的最大值。 答:1. α=10lg(p i /p o )/L L=10*lg (0.05/0.002)/0.36=38.8m 2. σ=Δλdn/cd λ=0.5*10-9/3*108=1.7*10-18s/m 3.B<=1/(4Δτ) Δτ=L|D m |Δλ 24、已知输入信号频率最大值为 1kHz ,输入信号峰值为3V ,脉冲编码调制采用4位编码 则:1)采样频率最小值为? 2)采用有舍有入的方式,量化单元为?由此产生误差的最大值为? 答: 25、KDP 晶体的纵向电光效应中,Δφ=?V π=? 答:Δφ=(2π/λ)n 03γ63v V π=λ/(2 n 03γ63)=πC/(wn 03γ63) 26、电光强度调制中如何解决信号失真问题?推导解决失真后的透射率表达式。 答:a.在调制晶体上加一个恒定的直流电压V=Vn/2,该直流电压使两束光产生相位延迟π/2; b .在光路中增加一片λ/4波片 27、调制:将欲传递的信息加载到激光 辐射上的过程。 28、脉冲编码调制是把模拟信号先变 成电脉冲序列,进而变成代表信号信息的二进制编码,再对光载波进行强度调制。 要实现脉冲编码调制,必须进行三个过程:抽样、量化和编码。 抽样:将连续的信号分割成不连续的脉冲波,且脉冲序列的幅度与信号波的幅度相对应。要求取样频率比传递信号频率的最大值大两倍 以上。 量化:把抽样后的脉冲幅度 调制波分级取整处理,用有限个数的代表值取代抽样值的大小。 编码:用量化的数字信号变 成相应的二进制代码的过程,用一组等幅度、等宽度的脉冲作为码元。 29、解释电光效应 答:某些晶体在外加电场作用下,折射率发生变化,当光波通过此介质时,其传播特性就会受到影响。 30、解释半波电压 答:光波在光晶体中传播时,当光波的两个垂直分量的光程差为半个波长时所需要加的电压,称为半波电压。 32、渡越时间对调制信号频率有什么影响? Δфo 是当ωm τd <<1时的峰值相位延迟;γ称为高频相位延迟缩减因子,表征因渡越时间引起的峰值相位延迟的减小程度。只有当ωm τd <<1。即τd << T m / 2π时, γ=1,即无缩减作用。说明光波在晶体内的渡越时间必须远小于调制信号的周期,才能使调制效果不受影响。 33、某电光晶体n=1.5,L=1cm ,ωm τd =π/2,则调制信号最高频率为? 答:f m =w m / 2π=1/4τd =c/4nL=3*108/(4*1.5*0.01)=5*109Hz 34、解释声光效应(p136-137) 答:当光在建立起超声场的介质中传播时,由于弹光效应,光介质中的超声波衍射或散射的现象。 补充:介质光学性质的变 化,不仅可以通过外加电场的作用而实现,外力的作用也能够造成折射率的改变,这种由于外力作用而引起介质光学性质变化的现象称为弹光效应。 36、声光调制器件由声光介质,电——声换能器,吸声装臵以及电源组成。 采用布喇格衍射。 35、声光效应中发生Bragg 衍射的条件是什么?Bragg 衍射的特点是? 答:条件:1)超声波频率足够高L=λs /λ 2)光线倾斜入射,当入射角θB 满足2λs sin θB =λ产生布喇格衍射 特点:1)衍射光只有0级,+1 或-1级,布喇格衍射效应制成的声光器件效率比较高。 2)两级衍射光夹角为2 θB 3)衍射效率 η=I 0/I i =sin 2[(π L/2 λ) s P M H L 2)/(]=sin 2 [πL/ 2λs I M 2] 37、调Q 的目的是压缩脉冲宽度,提高峰值功率。 38、解释激光器的Q 值?Q 值和激光器的损耗之间有什么关系? 答:Q 值是评定激光器中光学谐振腔质量好坏的指标—品质因数。 品质因子Q 与谐振腔的单 程总损耗的关系 Q=2πW/P=2π/λα总 39、叙述调Q 的过程? 答:过程1.在泵浦过程的大部分时间里(t-t 0)谐振腔处于低Q 值状态,故阈值很高不能起振,从而激光上能级的粒子数不断积累,直至t 0时刻,粒子数反转达到最大值Δni 过程2. t 0时刻Q 值突然升 高(损耗下降),振荡阈值随之降低, 于是激光振荡开始建立。由于此Δni>>Δnt (阈值粒子反转数),因此受激辐射增强非常迅速,激光介质存储的能量在极短时间内转变为受激辐射场的能量,结果产生了一个峰值功率很高的窄脉冲。 41、叙述声光调Q 的原理。 答:利用晶体的电光效应,在晶体上加一阶跃式电压,调节腔内光子的反射损耗。 40、叙述电光调Q 的原理。 答:电光调Q 是指在激光谐振腔内加臵一块偏振片和一块KDP 晶体。光经过偏振片后成为线偏振光,如果在KDP 晶体上外加λ/4电压,由于泡克尔斯效应,使 往返通过晶体的线偏振光的振动方向改变π/2。如果KD*P 晶体上未加电压,往返通过晶体的线偏振光的振动方向不变。所以当晶体上有电压时,光束不能在谐 振腔中通过,谐振腔处于低Q 状态。由于外界激励作用,上能级粒子数便迅速增加。当晶体上的电压突然除去时,光束可自由通过谐振腔,此时谐振腔处于高Q 值状 态,从而产生激光巨脉冲。电光调Q 的速率快,可以在10-8秒时间内完成一次开关作用,使激光的峰值功率达到千兆瓦量级。如果原来谐振腔内的激光已经是线 偏振光,在装臵电光调Q 措施时不必放臵偏振片。 42、什么是单模光纤?成为单模光纤的条件是什么? 答:只允许基模通过的光纤为单模光纤。 条件:V=(2πa/λc )2 221n n -<2.405 光纤直径很小、λ>λc 43、试比较单模光纤和多模光纤的区别(阶跃光纤) 答:单模光纤的数值孔径比较大,单 模光纤只允许基模通过而多模光纤则允许若干个模式通过。单模芯径为8~10μm ,多模光纤的芯径为50~100μm. 44、光纤中存在哪几种损耗 答:吸收损耗:当光波通过任何透明物质时,都要使组成这种物质的分子中不同振动状态之间和电子的能级之间发生跃迁。这种能级跃迁时, 物质吸收入射光波的能量引起的光的损耗。 散射损耗:由于光纤制作工艺上 的不完善,例如有微气泡、杂质和折射率不均匀以及有内应力等,光能在这些地方会发生散射,使光纤损耗增大。 弯曲损耗:光纤弯曲是引起光纤 损耗的另一个重要的原因。光纤是柔软的,可以弯曲。弯曲的光纤虽然可以导光,但是会使光的传播路径改变,使得光能渗透过包层向外泄漏而损失掉。 45、解释瑞利散射 答:物质散射中最重要的是本征散射,也成为瑞利散射。本征散射是由玻璃熔制过程中造成的密度不均匀而产生的折射率不均匀引起的散射。瑞利散射与波长的四次方成反比。瑞利散射引起的损耗: αRs =(A/λ4)(1+B Δ) 46、光纤通信中常用的波段的波长是多少?为什么使用该波长? 答:光在Sio 2中传输 850nm (损耗比较小)、1300nm (色散最小)、1550nm (损耗最小) 48、光纤的基本结构是什么?每部分的作用是什么? 答:基本结构:护套、涂敷层、包层和纤芯

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第1、2课时 课题半导体特性、 PN 结、二极管课型 教学了解半导体的特性和PN 结的形成与特性 目的掌握二极管、稳压管的特性 重点PN结的形成与特性 难点二极管的伏安特性 教学过程 一、半导体的导电特性 1、光敏性、热敏性、可掺杂性 2、本征半导体:纯净的半导体称为本征半导体。 3、 N 型半导体 结构形成方式:掺入五价杂质元素使载流子数目增多,自由电子是多子 4、 P 型半导体 结构形成方式:掺入三价杂质元素使载流子数目增多,空穴是多子 二、 PN结的形成与特性 1、形成过程 2、特性:单向导电性 三、二极管 1、结构、外形、分类: (1)按材料分 : 有硅二极管,锗二极管和砷化镓二极管等。 (2 )按结构分 : 根据 PN结面积大小 , 有点接触型、面接触型二极管。 (3 )按用途分 : 有整流、稳压、开关、发光、光电、变容、阻尼等二极管。 (4 )按封装形式分: 有塑封及金属封等二极管。 (5)按功率分 : 2、主要参数 3、判别办法:用万用表欧姆档判别正、负极及好坏。 4、二极管的伏安特性。 5、特殊功能二极管:稳压管、发光二极管 课后小结半导体有自由电子和空穴两种载流子参与导电 PN结具有单向导电性普通 二极管电路的分析主要采用模型分析法 稳压二极管和光电二极管结构与普通二极管类似,均由 PN 结构成。但稳压二极管工作在反向击穿区

第 3、4 课时 课题半导体三极管课型 教学1、了解三极管的结构与特性;2、掌握三极管的类型和电流放大原理; 目的3、理解三极管的特性曲线和主要参数。 重点三极管的电流放大原理 难点三极管的输入输出特性 教学过程 一、三极管的基本结构和类型 二、三极管在电路中的联接方式 三、三极管的电流放大作用及原理 三极管实现放大作用的外部条件是发射结正向偏置, 集电结反向偏置。 1)发射区向基区发射电子的过程 2)电子在基区的扩散和复合过程 I C I B 3)电子被集电区收集的过程 二、特性曲线和主要参数 1、输入特性:i B=f(u BE)u CE常数 2、输出特性:i C=f(u CE)i B常数 课后小结了解三极管的结构与特性;掌握三极管的类型和电流放大原理;理解三极管的特性曲线和主要参数。

电子技术课程设计教学大纲和题目

1.目的与任务 电子技术课程设计课程设计是模拟电子技术和数字电子技术课程重要的实践性教学环节,是对学生学习模拟电子技术和数字电子技术的综合性训练,这种训练是通过学生独立进行某一个或两个课题的设计、安装和调试来完成的。学生必须独立完成一个选题或自定选题的设计任务。 通过电子技术课程设计要求学生: 根据给定的技术指标,从稳定可靠、使用方便、高性能价格比出发来选择方案,运用所学过的各种电子器件和电子线路知识,设计出相应的功能电路。 通过查阅手册和文献资料,培养学生独立分析问题和解决实际问题的能力。 了解常用电子器件的类型和特性,并掌握合理选用的原则。 学会电子电路的安装与调试技能,掌握电子电路的测试方法及了解印刷线路板的设计,制作方法。 进一步熟悉电子仪器的使用方法。 学会撰写课程设计总结报告。 培养学生严肃认真的工作作风和严谨的科学态度。 2.进度安排及方式: 第一单元:集中讲课,主要内容如下: (1)课程设计的目的与要求 (2)课程设计的教学过程 (3)课程设计的评分标准 (4)课设题目介绍 (5)学生自由组合,选择题目。 第二单元:确定题目,教师就题目的基本要求答疑。学生讨论、查资料。 第三、四、五单元:查资料、设计、EDA仿真、写报告。 学生根据课题要求,独立完成课题的设计方案,并可以运用MULTISIM软件在微机上完成对所设计电路的仿真。 最后考试:笔试或分组口试。 3.考核内容与成绩评定 1、考核内容: (1)设计能力 (2)组装或焊接调试情况 (3)解决问题的能力 (4)总结报告情况 (5)出勤情况、工作作风和科学态度。

2、成绩评定: 设计的正确性、合理性和EDA仿真情况40分,总结报告40分,考试或口试20分。 3、电子课程设计完成时间: 布置任务后,同学们可以根据设计要求和参考题目(或自定题目)通过查阅相关资料提出方案和进行学习,本学期结束对设计有一个初稿和基本认识,暑假继续完善和补充,在下一学期开学第一周周末交设计报告和电子文档。开学第二周进行有关设计介绍和答辩,每人5分钟左右时间,介绍有关设计思路、电路分析、仿真、收获与体会等,要求做出介绍的ppt 幻灯片。 4.电子技术课程设计方法及设计中应当注意的问题 1) 课程设计类型 课程设计可分成三种类型或模式:一种是纯理论性的课程设计模式,在设计完成后画出设计图纸,写成设计报告,但不作实验验证;第二种是理论设计与虚拟实验相结合的课程设计模式,在设计完成后,通过计算机软件进行仿真实验,以便检查设计中存在的问题,并对存在的问题进行修改,直到达到设计要求为止;第三种是理论设计与实验验证相结合的课程设计模式,设计完成后,要搭建实验电路进行实验验证,并根据实验中出现的问题对电路进行修改,直到达到设计要求为止。第三种课程设计模式最接近于实际情况,设计和调试难度最大,它不仅要求学生有扎实的理论知识,还要求学生们有较强的动手操作能力,才能解决和克服调试过程中出现的各种问题。 三种课程设计模式各有优点:第一种课程设计模式偏重于理论设计,学生们能够有足够的时间对课程设计中遇到的理论问题进行深入的研究;第三种课程设计模式强调理论与实践并重,由于实验过程会消耗大量的时间,在课程设计时间较短时不要选择难度太大的设计题目,否则在规定的时间内将难以完成;第二种课程设计模式是第一种和第三种设计模式的折中,能较好地解决理论设计与实验验证的问题。 有些专业在课程设计之前,还没有进行电子工艺实习,学生们还不会识别和测量电子元器件,不会识别印刷板电路图,也没有掌握焊接技术、电路的测量和调试方法等实践技能,这些学生在做课程设计之前,要先自学有关的实践知识,这样才能保证课程设计顺利进行。 2)电子电路课程设计的方法和步骤 不同类型的电子电路有不同的设计方法,这些方法虽然千差万别,但基本上可归纳为明确设计任务与要求、总体方案论证、单元电路设计、参数计算、元器件选择、画出设计图纸、实验验证与调试、写成设计报告等,如下图所示。

天津大学809光电子学基础考研大纲及参考书(更新)

天津大学809光电子学基础考研大纲及参考书 对于天津大学809光电子学基础考研,大家一定要人手一份自己专业课的考试大纲,从大纲中抓住复习的重点内容,但是对于第一次考研的同学来说,从大纲中读取重点和考试常出内容往往不太容易,因为大纲是比较概括的,但是大家必须在复习的时候圈定复习范围,锁定考试内容,然后有的放矢的进行复习,这时候要先看大纲,然后再根据《2018年天津大学809光电子学基础考研红宝书》来复习,其对考研指定教材中的考点内容进行深入提炼和总结,同时辅以科学合理的复习规划。天津考研网小编整理天津大学809光电子学基础考研大纲如下: 一、考试的总体要求 旨在考查考生是否具备光电子学专业的物理学基础和主要的专业课知识。其中物理学基础的考试内容为《物理光学》课程;专业课为《激光原理》课程。主要考查考生对基本概念的理解是否正确,是否具备应用物理学原理去灵活解决具体问题的能力,能否简洁、准确表达解决问题的过程和结果。 二、考试的内容及比例 与物理学基础相关的考试内容涉及《物理光学》课程; 与光电子技术相关的考试内容涉及《激光原理》课程。考试内容以大题为单元,共10道大题,任选5道大题做答,多选总分得零。每道大题30分。其中《物理光学》5道大题,《激光原理》5道大题。每门课程的详细考试大纲见附录。每道大题可以是若干小题的集合,或若干关联的小问题。主要考查考生对基本概念的理解是否正确,是否具有应用原理灵活解决具体问题的能力,能否简洁、准确表达解题过程和结果。 三、考试的题型及比例 共10道大题,任选5道大题做答,多选总分得零。每道大题可以是若干小题的集合,或若干关联的小问题。题型包括基本概念考查题,分析论证推导题,数值估算题等。原则上概念题比例较大,约占70~80%。 四、考试形式及时间 考试形式为笔试,考试时间为3小时(或以研究生院公布的为准)。 附录:《激光原理》部分 1.激光的基本原理(《激光原理》,(第6版),周炳琨编著,国防工业出版社,第一章) 光的受激辐射基本概念;激光的特性。

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