1、PCB 上微带线阻抗计算用什么软件计算。微带线的阻抗和哪几个因素有关。不同频率，线特征阻抗是否和频率相关。 2、P1dB 定义P1dB 的测试方法。 3、给出不同衰减值对应的电阻值。已知衰减值（AdB）和源&负载阻抗（50 Ohm），请给出电阻值计算方法。 4、（1）电阻是否熟悉类型、值系列、使用时哪些指标需要降额使用、不同封装的电阻的额定功耗。 （2）电容是否熟悉类型、值系列、使用时哪些指标需要降额使用、等效电路。 （3）电感是否熟悉类型、值系列、使用时主要考虑哪些指标、等效电路。贴片电感的主要供应商。 5、射频器件：射频放大器、Mixer、滤波器、衰减器、3dB 桥、隔离器、耦合器、合/分路器、PLL Module、VCO。 6、射频放大器的原理图（包括外围电路），外围电路如何取值。 1、答：用ADS里面的工具，在原理图上按以下途径找到Tools -> LineCalc -> Start Linecalc，微带线的阻抗和基板厚度、基板相对介电常数、微带线的宽度等有关。不同频率，线特征阻抗和频率无关。 2、答：放大器有一个线性动态范围，在这个范围内，放大器的输出功率随输入功率线性增加。这种放大器称之为线性放大器，这两个功率之比就是功率增益G。随着输入功率的继续增大，放大器进入非线性区，其输出功率不再随输入功率的增益而线性增加，也就是说，其输出功率低于小信号所预计的值。通常把增益下降到比线性增益低1 dB时的输出功率值定义为输出功率的1 dB压缩点。用P1dB表示。 测试方法：在小信号下先测出线性区的增益，逐渐增大输入功率，同时比较输出功率，当发现增益比线性区的少1dB时，记下此时的输出功率。就是P1dB。 3、答：本人曾经做50W衰减器15dB的衰减器，一个派形的电阻网络。负载与R并联，R由两个小电阻组成。10lg(R/50)=A , R=r1 +r2，电路如下： 4、答：（1）炭膜电阻、金属膜电阻、水泥电阻，微带电阻。功率要降额使用。 （2）答：独石电容，ATC电容，贴片电容，耐压值需要降额使用。等效电路：
固态继电器（SolidStateRelay，缩写SSR），是由微电子电路，分立电子器件，电力电子功率器件组成的无触点开关。用隔离器件实现了控制端与负载端的隔离。固态继电器的输入端用微小的控制信号，达到直接驱动大电流负载。与传统继电器相比，最大的特点在于无触点开关。 一、什么是固态继电器 固态继电器是一种全部由固态电子元件组成的新型无触点开关器件，它利用电子元件（如开关三极管、双向可控硅等半导体器件）的开关特性，可达到无触点无火花地接通和断开电路的目的，因此又被称为“无触点开关”。固态继电器是一种四端有源器件，其中两个端子为输入控制端，另外两端为输出受控端。它既有放大驱动作用，又有隔离作用，很适合驱动大功率开关式执行机构，较之电磁继电器可靠性更高，且无触点、寿命长、响应速度快，对外界的干扰也小，已被得到广泛应用。 二、固态继电器结构及原理 常用固态继电器几乎都是模块化的四端有源器件，其中两端为输入控制端，另外两端为输出受控端，其基本构成如下图所示。器件中多采用光电耦合器实现输入与输出之间的电气隔离。输出受控端利用开关三极管、双向晶闸管等半导体器件的开关特性，实现无触点、无火花地接通和断开外接控制电路的目的。整个器件无可动部件及触点，可实现相当于常用电磁继电器一样的功能。只是相比传统电磁继电器，可通断的负载一般比较小。 固态继电器按输出端极性的不同，可分为直流式和交流式两大类。直流固态继电器（DC-SSR）控制电压由输入端IN输入，通过光电耦合器将控制信号耦合至接收电路，经放大处理后驱动开关三极管VT导通。显然，直流固态继电器的输出端OUT在接入被控电路回路中时，是有正、负极之分的。交流固态继电器（AC-SSR）的电路原理与直流固态继电器不同的是，其开关元件采用了双向晶闸管VS或其他交流开关，因此它的输出端OUT无正、负极之分，可以控制交流回路的通断。
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空间电子技术 SPACE ELECTＲONIC TECHNOLOGY2013年第4期太赫兹固态电子器件和电路① 金智，丁芃，苏永波，张毕禅，汪丽丹，周静涛，杨成樾，刘新宇 （中国科学院微电子研究所，北京100029） 摘要：随着微电子技术的飞速发展，半导体器件的截止频率已经进入到太赫兹频段，太赫兹电路的频率特性 特性得到极大发展。以固态器件为基础的电路的工作频率进入到太赫兹频段。太赫兹固态电子器件与电路技术在 空间领域有着重要的应用前景。文章重点介绍InP基三端太赫兹固态电子器件和电路，以及太赫兹肖特基二极管 器件和电路的技术发展过程与最新动态。并指出随着器件与电路的整体化与集成化发展趋势，太赫兹单片集成技 术是其未来发展方向。 关键词：太赫兹，固态电子器件和电路，InP基三端电子器件，肖特基二极管，综述 D O I：10．3969/j．issn．1674-7135．2013．04．012 0引言 太赫兹波指频率在0．1THz 10THz范围的电磁波，对应的波长在30μm 3mm之间，介于微波和光波之间。由于具有其他波段不具备的波长短、透过率高、带宽宽等独特性质，其在安检成像、通信、生物医药、军事以及空间技术等领域具有重要的应用价值［1］。 在空间技术领域，太赫兹波的应用主要集中在雷达和成像、通信、对地遥感、宇宙探测、航天器无损探测等几个方面［2，3］。相对于微波和激光等其他波段，THz雷达探测系统具有适中的搜索能力和覆盖范围，空间分辨率和角分辨能力较好，并且具有良好的抗干扰能力，在高空飞艇探测、卫星和航天器预警雷达、航天器星体着陆场成像等领域有很好的应用前景。太赫兹波所具有的传输距离远、信道容量大、能耗小、发射天线小、保密性好、抗电磁干扰能力强以及等离子体透过性强等特点，使其非常适用于航天器集群间通信，航天器内部通信以及突破黑障通信。太赫兹波与大气中的沙尘、冰云等物质有强烈的相互作用，另外，大气中的水分子、甲烷和人类活动而排放的含氯、氮、硫、氰废气分子的特征吸收谱线，以及地球50%以上的长波辐射均位于太赫兹频段，所以，太赫兹波在大气遥感领域有广阔的应用前景。宇宙探测方面，来自星际物质的THz波包含各种气态分子的信息，通过研究特定分子吸收谱线和辐射源的空间分布可以获得天体组成成分以及星际尘埃构成的螺旋星系的空间结构等信息。此外，宇宙膨胀导致的光谱红移，使得最遥远星系的辐射偏移到了THz波段，因此利用THz波可以研究宇宙的演化。航天器无损探测方面，太赫兹波对很多非极性材料具有很强的穿透力，可以轻易透过多种非金属材料。太赫兹光子能量很低（只有几个毫电子伏特），不会对探测物质造成损伤，已经被成功用于检测美国国家航空航天局太空舱的外壁缺陷情况。 太赫兹产生、太赫兹传输和太赫兹探测是太赫兹波得以应用的基础。在太赫兹源与太赫兹探测技术研究中，主要有真空电子学方法、光学方法和微电子学方法。其中微电子学方法主要采用基于半导体的固态电子器件构成的微电子集成电路，可以实现太赫兹源、对太赫兹信号进行混频和放大等功能，实现特定频率的太赫兹波的产生与探测。相对于前两种方法，微电子学方法的固态电子器件和电路具有体积小、成本低、可规模化生产、易于集成等优点，更适合应用于空间太赫兹技术领域。 文章将重点介绍微电子方法实现的太赫兹源和探测器所需的核心器件和电路的发展过程和最新动态。集中在三端有源固态电子器件和电路以及基于肖特基二极管的太赫兹固态电子器件和电路两个方面。 84 ①收稿日期：2013-08-21；修回日期：2013-10-22。 基金项目：国家重点基础研究发展计划（973计划）项目（编号：2010CB327502）。
思考题1 1、微波测量系统通常由哪几部分组成？ 三部分:1)信号源,2)测量装置,3)指示/显示设备 2、微波信号分析（测量）的基本对象是哪两个？其他还有哪些? 测量的基本对象是:1)频率2)功率3)信号电平4)频谱 3、微波网络的反射参数、传输参数有哪些？他们怎样定义的？彼此间有何关系？ 4、何谓“三大误差”？各自的表现有何特点？怎样减小或消除？ 1)系统误差:由分析和测量的装置的不理想引起,不随时间变化,通过校准来消除2)随机误差:来源于仪器的噪声,开关重复性,连接器重复性,随机时间变化,单峰性,对称性,不能通过校准来消除,可以通过统计平均来减少3)漂移误差:校准后仪器或系统特性变化,由温度变化引起,可以通过进一步校准消除 5、微波信号源怎样分类？振荡器与信号发生器有何不同？功率信号发生器属于前者还是后者？ 微波信号源按照设计性能和用途的不同进行分类,信号发生器的核心部分是微波振荡器,功率信号发生器属于信号发生器. 6、普通三极管提高工作频率时受到哪些因素的限制？ 1)极间电子渡越时间效应2)极间电容及引线电感 7、与灯塔管、金属陶瓷管之类的“静电控制式”三极管相比，反射速调管在原理上有何重大的突破？ 利用控制反射极的负电压正好使电子在反射场区内往返的渡越时间正好等于N=（n+3/4）个振荡周期，则腔体所获得的能量最大，振荡最强，输出功率达最大值。（利用电子在渡越时间内与交变电磁场相互作用并交换能量以产生并维持微波振荡的电子管）。 8、反射速调管振荡器的f0什么决定？为什么说它是一种VCO?试问：（1）将它作为点频源来使用时；（2）将其作为窄带扫频源使用时，怎样选择振荡区、调制电压的波形和幅度以及反射极电压——Er之值？ f0主要由腔体的尺寸决定，速调管的频率大范围改变只要靠改变腔体的尺寸；反射极电压也可对f0作小范围调谐（一般只有数十兆赫），所以它是一种VCO。 对点频源来使用时，调制电压的波形应为方波，使电压方波的一个波顶正好处在所选定的工作频区的中央，而另一个波顶则落在两个相邻振荡频区之间的空党内。Er=（n+3/4） 9、Gunn氏管振荡器及雪崩二极管振荡器各有何特点？PIN管与普通二极管有何不同？怎样用它来进行调幅或电调衰减？ 耿氏二极管：作为连续波振荡器虽然效率较低，但是由可调谐波频率带宽，噪声低，频率适中等有点；雪崩二极管：能工作连续波和脉冲波状态，最大特点：能工作到很高的毫米波频段而且有相当大的功率输出，但比起耿氏管噪声较高，调谐范围较窄。PIN管事一种特殊的二极管，在P区和N区中间有一层极薄的几乎为纯半导体的I区（本征区），当在两端加负压时，管子具有很大的电阻，同时具有低电容，低损耗和高耐压。加正压时，管子变成很低电阻，其电阻值随正向偏流愈大而愈小，最低能小于1欧，而接近短路。 当管子零偏时，由于其阻值甚高，对通过它的传向负载的传输功率几乎不发生影响，即其实衰减接近于零；随着加入管子的正偏流不断加大，管子愈益接近短路；由它反射的功率愈大，通过它输出的功率便愈小，即传输衰减愈大。 10、微波信号发生器的主要性能指标是哪些？ 频率范围，频率准确度与稳定度，频率分辨率，频率切换时间，频谱纯度，载波的相对谐波含量，载波的相对分谐波含量，单边带相位噪声，输出电平（输出功率），功率稳定度、平
贵州大学2006-2007学年第二学期考试试卷 A 卷 科目名：固体电子器件原理 参考答案 注意事项： 1. 请考生按要求在试卷装订线内填写姓名、学号和年级专业。 2. 请仔细阅读各种题目的回答要求，在规定的位置填写答案。 3. 不要在试卷上乱写乱画，不要在装订线内填写无关的内容。 4. 满分100分，考试时间为120分钟。 一、能带理论 （共22分） 1.画出零偏理想条件下金属-n 型硅半导体接触后的能带图（不考 虑界面态和表面态），(a) 金属功函数大于半导体功函数；(b) 金属功 函数小于于半导体功函数。分别说明是整流接触还是欧姆接触。（8分）
2. 画出p型硅衬底上的理想MOS结构在零偏、负偏和正偏条件下的能带图，指出半导体表面的积累、耗尽和反型状态。（共14分） 零偏时能带图 表面积累状态 表面耗尽状态
表面反型状态 或参考
二、器件模型与概念 （共34分） 1. 说明pn 结复合电流、产生电流的成因，它们对pn 结的电流-电压关系有什么影响？（8分） 提要：pn 结处于非平衡态时，空间电荷区载流子浓度关系式为 )/ex p(.2kT qV n np i = pn 结正偏时，V > 0, 2 i n np >,耗尽区有电子-空穴复合而形成的复合电流，电流大小等 于 )2/exp(2kT qV W qn i τ ，小的正偏压下，复合电流是pn 结的主要电流。 pn 结反偏时，V < 0, 2 i n np <,耗尽区有电子-空穴产生，产生的电子空穴在电场的作用下 形成反向电流，电流大小等于 τ 2W qn i ，称为反向产生电流。计算表明，pn 结反向产生电流比反向饱和电流大3—4个数量级。因此，反向产生电流总是pn 结反向电流的主要成分。 2. 简述pn 结空间电荷区（耗尽区）形成的原因，说明“突变空间电荷区近似”的概念。（8分） 提要：冶金界面两边的浓度差—多数载流子扩散—界面n 型侧留下不可动的带正电的电离施主，界面p 型侧留下不可动的带负电的电离受主。电离施主和电离受主形成的区域称为空间电荷区。由电离施主指向电离受主的电场称为自建电场。自建电场对载流子有反方向的漂移作用。当扩散作用与漂移作用达到动态平衡时，空间电荷区电荷固定，自建电场的大小固定，接触电势差为定值。 “突变空间电荷区近似”模型认为，由于自建电场的作用，可近似认为空间电荷区内的自由载流子—电子和空穴 被完全“扫出”该区域，只剩下电离受主和电离施主原子，空间电荷区是一个高阻区，所以空间电荷区又称为耗尽区或阻挡层。此外，空间电荷区的边界虽然是缓变的，但计算表明过度区很窄，因此，可近似认为空间电荷区边界是突变的。空间电荷区外是电中性的，与空间电荷区内相比，电阻率很小，可近似为零。这三个近似条件，称为突变空间电荷区近似或突变耗尽近似。 3．简述正向有源状态下双极型晶体管的发射结注入效率、基区输运系数两参数的物理意义。（6分） 提要：以npn 晶体管为例，正偏的BE 结，既有发射区电子向基区的注入，也有基区空穴向发射区的注入。就晶体管的使用而言，希望发射区电子向基区的注入的比例越大越好，可称其为正向有效注入。发射结注入效率指正向有效注入与总注入的比例。 发射区向基区注入的电子，进入基区边界后继续向BC 结空间电荷区边界输运，输运过程中部分电子与基区多数载流子空穴复合。基区输运系数定义到达BC 结空间电荷区边界处的电子电流与进入基区BE 结空间电荷区边界处的电子电流之比，因此，基区输运系数表示基区复合损失的大小。 4．什么是pn 结耗尽层电容（势垒电容）？什么是pn 结的扩散电容？（6分） 提要：pn 结空间电荷区的电荷随外加电压的变化而变化的电容效应就是pn 结耗尽层电容
电子信息专业的方向 一、数字电子线路方向。从事单片机（8位的8051系列、32位的ARM系列等等）、FPGA(CPLD)、数字逻辑电路、微机接口(串口、并口、USB、PCI)的开发，更高的要求会写驱动程序、会写底层应用程序。 单片机主要用C语言和汇编语言开发，复杂的要涉及到实时嵌入式操作系统(ucLinux，VxWorks，uC-OS，WindowsCE等等)的开发、移植。 大部分搞电子技术的人都是从事这一方向，主要用于工业控制、监控等方面。 二、通信方向。一个分支是工程设计、施工、调试（基站、机房等）。另一分支是开发，路由器、交换机、软件等，要懂7号信令，各种通信相关协议，开发平台从ARM、DSP到Linux、Unix。 三、多媒体方向。各种音频、视频编码、解码，mpeg2、mpeg4、 h.264、h.263，开发平台主要是ARM、DSP、windows。 四、电源。电源属于模拟电路，包括线性电源、开关电源、变压器等。电源是任何电路中必不可少的部分。 五、射频、微波电路。也就是无线电电子线路。包括天线、微波固态电路等等，属于高频模拟电路。是各种通信系统的核心部分之一。 六、信号处理。这里包括图像处理、模式识别。这需要些数
学知识，主要是矩阵代数、概率和随即过程、傅立叶分析。从如同乱麻的一群信号中取出我们感兴趣的成分是很吸引人的事情，有点人工智能的意思。如雷达信号的合成、图像的各种变换、CT 扫描，车牌、人脸、指纹识别等等。 七、微电子方向。集成电路的设计和制造分成前端和后端，前端侧重功能设计，FPGA(CPLD)开发也可以算作前端设计，后端侧重于物理版图的实现。 八、还有很多方向，比如音响电路、电力电子线路、汽车飞机等的控制电路和协议。。。 物理专业从事电子技术的人，一般都偏向应用物理较多的方向，这样更能发挥自己的专长。比如模拟电路、射频电路、电源乃至集成电路设计。
《固体电子器件》课程教学大纲 一、课程说明 （一）课程名称、所属专业、课程性质、学分 课程名称：半导体器件物理 所属专业：微电子科学与工程 课程性质：专业必修课 学分：4学分 （二）课程简介、目标与任务 【课程简介】本课程的适用对象是电子工程专业、微电子学专业的本科生，也可 供对固体电子器件感兴趣的学生和科技工作者作为参考读本。本书的主要内容是半导体器件（亦称固体电子器件）的工作原理，基本涵盖了所有的器件大类，反映了现代半导 体器件的基础理论、工作原理、二级效应以及发展趋势；同时对许多新型器件和制造技 术也有所介绍。本课程在内容的安排上力求使那些具有物理背景知识的高年级学生对专 业知识有更为深入的理解，从而使他们能够阅读关于新器件及其应用的参考文献。 【目标与任务】本课程有两个基本目标和任务：一是对七大类半导体器件的结构、工作原理、特性做全面深入的分析与阐述，对相关的半导体材料和制造工艺也有述及； 二是介绍新型纳电子器件及其基本分析方法，这样既便于与电子线路和电子系统等相关 课程衔接，也使学生具备分析、设计新型器件的基本能力和方法。 （三）先修课程与后续课程 本课程的先修课程包括：半导体材料，半导体物理学，微电子制造工艺。本课程是 后续集成电路分析与设计、微电子专业实验等课程的基础。 （四）教材与主要参考书 【课程教材】（1）英文版：Ben G. Streetman and Sanjay Banerjee, Solid State Electronic Devices（Seventh edition）, Pearson Education, Inc., 2015. ISBN 978-0-13-335603-8.（2）中文版：Ben G. Streetman著，杨建红译，《固体电子器件》，电子工业出版社，2016年（在版）。 【主要参考书】施敏（美）著，耿莉译，半导体器件物理，西安交通大学出版社，2013年。ISBN 978-7-5605-2596-9.
固体电子器件原理期末考试题A 卷及答案 一、能带图 (27分) 1. 画出硅pn 结零偏、反偏和正偏条件下的能带图，标出 有关能量。 (9 分) 2. 画出n 型衬底上理想的金属-半导体接触（理想金属-半导体接触的含义：金属-半导体界面无界面态，不考虑镜像电荷的作用）的能带图，(a) φm > φs , (b) φm < φs . 分别指出该接触是欧姆接触还是整流接触? （要求画出接触前和接触后的能带图）( 8 分 ) φm > φs , φm < φs , 3. 画出p 型硅衬底上理想MOS 结构（理想MOS 结构的含义：栅极材料与衬底半导体无功函数差，栅极-氧化层-衬底无界面态，氧化层为理想的介质层）半导
体表面处于反型状态时的能带图。 (5分 ) 4. 重掺杂的n + 多晶硅栅极-二氧化硅-n 型半导体衬底形成的MOS 结构，假定 氧化层电荷为零。画出MOS 结构在平衡态的能带图，说明半导体表面状态。（5分） 二、器件工作机理和概念(35 分) 1. 简述突变空间电荷区近似的概念。 (5分) 现在以突变pn 结为例来研究平衡pn 结的特性。我们知道，在p 型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子；而在n 型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子。于是，在pn 结冶金界面的两侧因浓度差而出现了载流子的扩散运动。 p 区的空穴向n 区扩散，在冶金界面的p 型侧留下电离的不可动的受主离子; 同理，n 区的电子向p 区扩散，在冶金界面的n 型侧留下电离的不可动的施主离子。电离的受主离子带负电，电离的施主离子带正电。于是，随着扩散过程的进行，在pn 结界面两侧的薄层内，形成了由不可动的正负电荷组成的非电中性区域。我们把这一区域称为pn 结空间电荷区， 如图所示。
第1章 选择与填空题 1. 微波是指频率在（300MHz~300GHz）范围内的电磁波，对应的波长范围为（1mm~1m）。 2. Ku波段是指频率在（12GHz~18GHz）范围内的电磁波，对应的波长范围为（2.5~1.67cm）。 VHF波段是指频率在（0.1GHz~0.3GHz）范围内的电磁波，对应的波长范围为（300~100cm） UHF波段是指频率在（0.3GHz~1GHz）范围内的电磁波，对应的波长范围为（100~30cm） S波段是指频率在（2GHz~4GHz）范围内的电磁波，对应的波长范围为（15~7.5cm） C波段是指频率在（4GHz~8GHz）范围内的电磁波，对应的波长范围为（7.5~3.75cm） 3. 在大气中，影响微波/毫米波传播的主要是（氧分子）和（水分子），由于气体的（谐振）会对微波/毫米波产生（吸收）和（散射）。 4.毫米波的四个大气“窗口”是（35GHz）、（94GHz）（140GHz）（220GHz）。 简答题 1.简述微波电路的发展历程 由最初的电子管向固态化发展，由大型元件向小型元件、集成电路、器件方向发展，同时开发新系统。目前微波技术的发展趋势是朝小型化、高集成化、高可靠、低功耗、大批量应用方向发展。 2.什么是MMIC 利用半导体批生产技术，将电路中所有的有源元件和无源元件都制作在一块砷化镓衬底上的电路称为微波单片集成电路。 第2章 选择与填空题 1. 列举几种常用的平面传输线（微带线、悬置式微带线、倒置式微带线、带线、槽线、共面波导、鳍线） 2. 微带线主要传输的模式是（准TEM），带线的传输主模是（TEM） 11. 槽线的传输模式是（TE模）。 12. 共面波导的传输模式是（准TEM模）。 8. 鳍线的传输模式是（TE与TM模式组成的混合模）。 3. 微带线最高工作频率的影响因素有（寄生模的激励、较高的损耗、严格的制造公差、处理过程中的脆性、显著地不连续效应、不连续处的辐射引起低的Q值）（列举四个即可）
公司简介 西安方元电子有限公司为方元明旗下专业经销和代理各种俄乌方向和欧美方向军工电子器部件的子公司，在产品渠道和技术支持方面与俄乌及欧美等国的厂家和供货商建立了良好、持久的合作伙伴关系，拥有稳定、可靠的货源。公司本着“向上、高效、信誉、合作”的宗旨，积极致力于国外先进科技电子产品的国内应用和推广，竭诚为国内外航空航天、军工电子、兵器船舶、雷达通讯、仪器仪表、工业控制等行业的科研、生产、维修和升级等提供全面的配套服务，现已成为国内许多重点研究所、部队、军工企业、知名工业设备生产商等指定的供货商。在得到持续、快速、稳定的发展同时，威能愿以高素质的技术队伍、专业的服务精神和认真的工作态度为国内客户提供优质的全方位服务。 目前在我司主要代理和经营以下范围产品： ★俄乌磁控管、行波管、速调管等真空及固态微波超高频器件（陆地及机载、弹载、舰载）； ★美国多个厂家微波固态放大器、MMIC、无源器件； ★欧美各种军品级芯片、板卡、常规军品电子器件等； 公司地址：西安市科技路10号华奥大厦C座15层 联系电话：029-********-8061 联系人：陈冲
主要代理产品线：
产品：滤波器，隔离器环形器，开关，合路器，耦合器开关矩阵，中继器，滤波合成器，双工器，三工器，多路耦合器，低噪放，多频带合路器。 应用：航天，航空，工业，军事/国防，医疗，电信，消费 产品：隔离器环形器，滤波器，天线，T/R组件，波导无源器件 应用：军事，无线通信，实验室测试，自动测距
宽带大功率电真空器件的首选 拥有独特的EIK 技术 EIK 产品 EIK-CW 行波管放大器 电源 CPI 主要生产微波，无线电频率，功率等方面的产品，如各种电真空管，交叉管放 大器，微波开关，行波管放大器等等。主要应用于国防，通信，医疗，科学以及其他领 域。具体为航海、航空及地面上使用的雷达信号的发射，电子对抗方面发射干扰信号， 对广播声音、数据、视频信号的传播和扩大，国际及其他方式的通信，对医学诊断成像 提供功率和加以控制，为癌症的放射治疗提供微波能量。 公司分为六个部门：微波功率产品部门，贝弗利微波部门，卫星通信部门，通信和 医疗产品部门，Wconco 以及Malibu 。一半部门位于加拿大。 行波管 CPI 耦合腔行波管 ：连续波 脉冲波
微波介质特性的测量 微波技术中广泛使用各种介质材料，其中包括电介质和铁氧体材料，对微波材料的介质特性的测量，有助于获得材料的结构信息，研究了的微波特性和设计微波器件。本实验采用谐振腔微扰法测量介质材料的特性参量，学习反射式腔测量微波材料的介电常数ε'和介电损耗角tg δ的原理和方法。 一、 实验原理 谐振腔是两端封闭的金属导体空腔，具有储能、选频等特性，常见的谐振腔有矩形和圆柱形两种，本实验采用反射式矩形谐振腔，谐振腔有载品质因数可由 2 10f f f Q -= 测定，其中0f 为谐振腔振频率，1f ，2f 分别为半功率点频率。图8.2.1所示是使用平方律检波的晶体管观测谐振曲线0f ，1f 和2f 的示意图。 如果在矩形谐振腔内插入一圆柱形的样品棒，样品在腔中电场的作用下就会被极化，并在极化的过程中产生的能量损失。因此，谐振腔的谐振频率和品质因数将会变化。 根据电磁场理论，电介质在交变电场的作用下，存在转向极化，且在极化时存在驰豫，因此它的介电常量为复数： ε)( '''00εεεεεj r -== 式中ε为复电常量，0ε为真空介电常量，r ε为介质材料的复相对介电常量， ' ε、' 'ε分别为复介电常量的实部和虚部。 由于存在驰豫，电介质在交变电场的作用下产生的电位移滞后电场一个相位角δ，且有 tg δ＝''ε/'ε 因为电介质的能量损耗与tg δ成正比，因此tg δ也称为损耗因子或损耗角正切。 如果所用的样品体积远小于谐振腔体积，则可认为除样品所在处的电磁场发生变化外，其余部分的电磁场保持不变，因此可用微扰法处理。选择p TE 10（p
为奇数）的谐振腔，将样品置于谐振腔内的微波电场最强而磁场最弱处，即x=a/2，z=l/2处，且样品棒的轴向与y 轴平行。 假设介质棒实均匀的，而谐振腔的品质因数又较高，根据谐振腔的微扰理论可得下列关系式 ( ). 41, 1 20 ' '0 ' 00 V V Q V V f f f S L S S ε ε=?--=- 如此可求得 (), /4/1, 1/20 ''000' V V Q V V f f f S L S S ?= +-=εε 其中0f ，S f 分别为谐振腔放入样品前后的谐振频率，S V ，0V 分别为谐振腔体积和样品体积，()L Q /1?为样品放入前后谐振腔又载品质因数的变化，即 .111 L LS L Q Q Q -=??? ? ??? LS Q ，0L Q 分别为样品放入前后的谐振腔有载品质因数。
固态电子器件答案 【篇一：微波固态电路复习题】 1. 微波是指频率在（300mhz~300ghz）范围内的电磁波，对应的 波长范围为（1mm~1m）。 2. ku波段是指频率在（12ghz~18ghz）范围内的电磁波，对应的 波长范围为（2.5~1.67cm）。vhf波段是指频率在（0.1ghz~0.3ghz）范围内的电磁波，对应的波长范围为（300~100cm） uhf波段是指 频率在（0.3ghz~1ghz）范围内的电磁波，对应的波长范围为 （100~30cm）s波段是指频率在（2ghz~4ghz）范围内的电磁波，对应的波长范围为（15~7.5cm）c波段是指频率在（4ghz~8ghz） 范围内的电磁波，对应的波长范围为（7.5~3.75cm） 3. 在大气中，影响微波/毫米波传播的主要是（氧分子）和（水分子），由于气体的（谐振）会对微波/毫米波产生（吸收）和（散射）。 4.毫米波的四个大气“窗口”是（35ghz）、（94ghz）（140ghz）（220ghz）。 简答题 1. 简述微波电路的发展历程 由最初的电子管向固态化发展，由大型元件向小型元件、集成电路、器件方向发展，同时开发新系统。目前微波技术的发展趋势是朝小 型化、高集成化、高可靠、低功耗、大批量应用方向发展。 2. 什么是mmic 利用半导体批生产技术，将电路中所有的有源元件和无源元件都制 作在一块砷化镓衬底上的电路称为微波单片集成电路。 第2章 选择与填空题 1. 列举几种常用的平面传输线（微带线、悬置式微带线、倒置式微 带线、带线、槽线、共面波导、鳍线） 2. 微带线主要传输的模式是（准tem），带线的传输主模是（tem） 11. 槽线的传输模式是（te模）。 12. 共面波导的传输模式是（准tem模）。 8. 鳍线的传输模式是（te与tm模式组成的混合模）。
毫米波谐波混频器 谭炽州1， 唐小宏2 ，何宗锐3 1，2，3电子科技大学电子工程学院 （610054） E-mail:filer80@https://www.doczj.com/doc/a116927883.html, 摘 要：本文介绍了Ka 波段微带5次谐波混频器的设计方法。该混频器主要由端口匹配电路、中频低通滤波器和肖特基势垒二极管构成。根据计算机仿真和优化结果。在Ka 波段变频损耗低于14dB。 关键词：毫米波 5次谐波混频 变频损耗 基势垒二极管 一、 引 言 毫米波谐波混频器是毫米波通信、雷达、电子对抗、测量等系统中不可缺少的关键部件毫米波频段工作频率很高，虽然有性能优越的混频器件，但同频段高性能的本振源实现难、成本高。谐波混频器是利用混频器件的非线性特性，使本振产生的高次谐波分量与外来信号混频，获得差频输出。它产生的谐波不限于偶次或奇次。从而克服了直接采用毫米波本振源带来的困难，减少了系统成本。电路通常采用微带结构，具有设计简单、制作容易、体积小、质量轻、安装方便的诸多优点。因此，谐波混频器在毫米波频段有着广阔的应用背景。 本文利用谐波平衡法，借助于CAD 软件，对肖特基势垒二极管奇次谐波混频器进行了优化设计。 二、 谐波混频器的基本原理 谐波混频器结构原理如图1所 示。当外加射频信号和本振信号于肖 特基势垒二极管上时，由于器件的非 线性特性，会产生本振的n（n＝ 2,3,4… …）次谐波与射频信号混 频，然后通过输出的中频滤波器选出 所需要的中频信号。下面简要介绍非线性电阻（或电导）混频原理。假定二极管的伏安特性用下式表示： (2－1) )(v f i =二极管上加大信号本振（功率1般在1mW 以上）和微弱的射频信号（μW 级以下）分别表示为： 本振电压： t V t v L L L ωcos )(= (2－2) 信号电压： t V t v s s s ωcos )(= (2－3) 当两电压加于二极管上时。可推出二极管混频电导表达式如下： (2－4) ∑∞=?=10cos 2)(n L n t n g g t g ω - 1 -
固态雷达发射机的心脏——微波功率管 【摘要】固态雷达发射机的心脏是微波功率管，微波固态功率管具有高可靠性、长寿命、低工作电压等优点。越来越多的固态发射机正在替代真空管发射机。 【关键词】雷达发射机；固态功率器件；晶体管 1.绪论 微波功率管是构建雷达装备的基础元件之一，一定程度上标志了雷达系统的可靠性、机动性和先进性，能体现雷达系统的核心技术以及生产性关键技术。近年来，随着微波半导体大功率器件的飞速发展，应用先进的微波单片集成电路（MMIC）和微波网络优化设计技术，将多个微波功率器件组合成固态发射组件，固态发射机通常由几十个甚至几千个固态发射组件组成。固态发射机的可靠性高，已成为一种必然，被人们所认可。 2.微波固态功率管的发展 微波功率管的发展主要是受半导体材料的影响，纵观微波固态功率管的发展历程，大致可以分为三个阶段。第一阶段为硅微波功率晶体管，功率管类型主要为LDMOS和硅双极型微波功率晶体管（BJT）两种；第二阶段以GaAs场效应管为代表；第三阶段是以SiC和GaN为制作材料的晶体管。每种类型的微波功率管都有其优点和不足，选择微波功率管时要根据工作频率、效率和带宽等多方面因素进行选择。表1所示为几种类型微波功率管的比较。 3.微波功率管在雷达上的工程化应用 雷达是利用物体对电磁波的反射来发现并测定目标的方位、高度、距离及运动等数据，在工作时会发射一种高频大功率无线电波，为雷达提供这样电磁波的大功率射频信号就是雷达发射机，载波经收发开关与馈线送到天线，再由天线聚集成波束朝空间发射出去。与真空管发射机比较，采用微波固态功率管的发射机具有高效率、低损耗、高可靠性、体积小、重量轻、维护方便和低工作电压等优点。越来越多的雷达发射机都采用了固态发射机。从而为微波功率管的应用拓宽了领域。 目前，固态发射机主要有两种体制：集中式固态发射机和分布式固态发射机。集中式固态发射机如图1所示。发射机是由前级激励经过功率分配送给发射组件，再经过功率合成器，最后由单一端口输出。该类型发射机可以保持冷天线，使雷达免遭红外制导武器的袭击，与分布型固态发射机相比较其缺点是损耗大、效率低。 分布式固态发射机如图2所示。发射机的许多小功率发射组件分布在天线阵面上，每个固态组件直接安装在天线辐射单元的后面，天线远场区的射频总功率
微波固态电路习题集（81题） 第一章、微波晶体管电路 (1)微波晶体管的主要发展方向包括哪几个方面(p1)A (2)为提高小信号和小功率硅微波双极晶体管的性能,一般在结构设计和工艺上采用哪些措施为什么硅微波双极晶体管的特征频率不可能很高(p3) (3)双极晶体管噪声主要来源有哪些(p4-p5) (4)请写出MESFET特征频率f T与直流跨导g mo和栅源电容Cgs的近似表达式。说明MESFET 的特征频率f T与直流跨导g mo和栅源电容Cgs关系如何减小MESFET的栅长与特征频率有何关系(p9)A (5) MESFET噪声主要来源有哪些其最小噪声系数与频率有何关系 (p10-p11)A (6) MESFET噪声系数与直流工作点有何关系 (p11)A (7)何谓半导体的异质结(p11)A (8)你能说出HEMT和HBT的中文意思吗(p12-p14)A (9) HEMT和HBT的显著优点有哪些(p11、p15) (10)微波晶体管放大器主要性能参量有哪些(p17) 11）请写出线性两端口网络S参数的表达式，并简述晶体管S参数的物理意义。（P18） (12)晶体管正向和反向传输系数不等的物理意义是什么(p18) (13)微波放大器工作是否稳定的判据是什么如何判断(p21) (14)微波放大器输入/输出端口绝对稳定的充要条件是什么(p25) (15)请写出有源二端口网络噪声系数一般表达式,并说明表达式中各项的物理意义.(p27)A (16)低噪声放大器设计中最佳噪声匹配和最大功率增益匹配有何不同最佳噪声匹配时对传输功率有何影响(p31,p35)A (17)宽带放大器主要电路形式通常有哪些(p38) (18)微波功率放大器设计中,MESFET哪些特性参数与输出功率密切相关(p44) (19)简述放大器1dB压缩点输入和输出功率及三阶交调系数的定义.(p44-p45) (20)介质谐振器稳频FET振荡器一般可分哪两种类型各有何特点(p54) (21）介质谐振器在反馈式介质稳频FET振荡器电路和反射型共源介质稳频FET振荡器电路中分别等效为何种电路 (22)列表比较双极晶体管，MESFET，HEMT和HBT的参数。（16-17） 第二章、微波混频器 (1) 微波混频器(下变频器)在微波接收系统中的主要作用是什么(p61)B (2) 肖特基势垒混频二极管主要参数有哪些(pp65-p66)B (3) 梁式引线二极管的主要特点是什么对二极管截止频率有何影响 (p66-p67))B (4) 简述二极管混频器非线性电阻的混频原理.(p69-p71) (5) 微波二极管混频器电路形式一般有几种混频电路结构特点及作用是什么(p71)B (6)微波混频器的基本电路有哪些(p71-p79) (7)简述微波单端混频器、微波平衡混频器、微波双平衡混频器的结构特点及优缺点.(p71-p79) (8)从物理意义上混频二极管电路可等效为一个什么网络(p80)B (9)简述变频损耗的定义，指出其组成部分。(p84) (10)镜像回收混频器主要提高混频器的哪项性能从物理概念估计，镜像短路和镜像开路混频器哪种变频损耗最小(p85)B (11)镜像带阻滤波器在镜像回收混频器中有哪些重要作用(p86)
国外电子通信教材 序号书名作者 1 《现代集成电路半导体器件》 (美) Chenming Calvin Hu (胡正明)著; 王燕[等]译 2 《半导体器件导论》(美) Donald A. Neamen著; 谢生译 3 《半导体器件基础》 (美) 罗伯特·F·皮埃雷(Robert F. Pierret)著; 黄如等译 4 《微纳尺度制造工程》(美)斯蒂芬·A·坎贝尔著; 严利人，张伟等译 5 《芯片及系统的电源完整性建模与设计》 (美)Madhavan Swaminathan，(美)A. Ege in著; 李玉山，张木水等译6 《芯片制造半导体工艺制程实用教程》 (美)Peter Van Zant著赵树武等译7 《模拟CMOS电路设计折中与优化》 (美) David M. Binkley著; 冯军, 胡庆生等译8 《CMOS数字集成电路分析与设计》 (美)Sung-Mo Kang，(美)Yusuf Leblebici著王志功，窦建华等译9 《专用集成电路》 (美)Michael John，(美)Sebastian Smith著虞惠华等译10 《单片射频微波集成电路技术与设计》 (英) Ian Robertson, Stepan Lucyszyn编著文光俊, 谢甫珍, 李家胤译11 《现代VLSI设计: 基于IP核的设计》(美) Wayne Wolf著; 李东生等译
12 《电子电路设计基础》 (美)Richard R. Spencer，(美)Mohammed S. Ghausi著; 张为等译 13 《模拟电路版图的艺术》(美)[黑斯廷斯]Alan Hastings著张为等译 14 《电子电路设计》(美)David Comer，(美)Donald Comer著 15 《射频与微波电子学》 (美) Matthew M. Radmanesh著; 顾继慧, 李鸣译 16 《微波工程》(美)David M. Pozar著张肇仪 17 《电磁兼容设计与测试》(美)Tim Williams著李迪等译 18 《半导体器件电子学》(美)R.M.Warner, (美)B.L.Grung著吕长志等译 19 《半导体器件基础》 (美) 罗伯特·F·皮埃雷(Robert F. Pierret)著; 黄如等译 20 《半导体晶片清洗》(美) Werner Kern主编; 陆晓东[等] 译 21 《半导体制造技术》 (美)Michael Quirk，(美)Julian Serda著; 韩郑生等译22 《集成电路的电磁兼容》 (法)Sonia Ben Dhia，(法)Mohamed Ramdani，(法)Etienne Sicard等编著23 《微电子制造科学原理与工程技术》 (美) Stephen A.Campbell著曾莹[等] 译24 《印制电路板(PCB) 设计基础》 (美) Christopher T. Robertson著; 刘雷波译25 《CMOS射频集成电路设计》 (美)[李]Thomas H. Lee著余志平，周润德等译
幻灯片1 十大常见电子元器件介绍 幻灯片2 一、电阻 ●随着电子技术及其应用领域的迅速发展，所用的元器件种类日益增多，学习和掌握常 用元器件的性能、用途、质量判别方法，对提高电气设备的装配质量及可靠性将起重要的保证作用。电阻、电容、电感、二极管、三极管等都是电子电路常用的器件。这里列举出电子行业中常用的十大电子元器件，及相关的基础概念和知识，和大家一起温习一遍。 ●明星一：电阻 ●作为电子行业的工作者，电阻是无人不知无人不晓的。它的重要性，毋庸置疑。人们都 说“电阻是所有电子电路中使用最多的元件。” ●电阻，因为物质对电流产生的阻碍作用，所以称其该作用下的电阻物质。电阻将会导致 电子流通量的变化，电阻越小，电子流通量越大，反之亦然。没有电阻或电阻很小的物质称其为电导体，简称导体。不能形成电流传输的物质称为电绝缘体，简称绝缘体。 ●在物理学中，用电阻来表示导体对电流阻碍作用的大小。导体的电阻越大，表示导体对 电流的阻碍作用越大。不同的导体，电阻一般不同，电阻是导体本身的一种特性。电阻元件是对电流呈现阻碍作用的耗能元件。 ●电阻元件的电阻值大小一般与温度有关，衡量电阻受温度影响大小的物理量是温度系 数，其定义为温度每升高1℃时电阻值发生变化的百分数。 幻灯片3
二、电容 ●电容指的是在给定电位差下的电荷储藏量；记为C,国际单位是法拉（F）。一般来 说，电荷在电场中会受力而移动，当导体之间有了介质，则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上；造成电荷的累积储存，最常见的例子就是两片平行金属板。也是电容器的俗称。 ●1、电容在电路中一般用“C”加数字表示。电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘 材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。容抗XC=1/2πf c （f表示交流信号的频率，C表示电容容量）电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。 幻灯片4 三、晶体二极管 ●晶体二极管固态电子器件中的半导体两端器件。这些器件主要的特征是具有非线性的 电流-电压特性。此后随着半导体材料和工艺技术的发展，利用不同的半导体材料、掺杂分布、几何结构，研制出结构种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极管。制造材料有锗、硅及化合物半导体。晶体二极管可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换等。 ●晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示. ●作用：二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很 小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性，无绳电