Sn掺杂ZnO纳米阵列的水热合成
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in掺杂zno纳米晶的可控合成与表征标题:in掺杂zno纳米晶的可控合成与表征摘要:本文首先介绍了in掺杂zno纳米晶的可控合成方法,然后对其表征技术进行了详细探讨,最后提出了个人观点和理解。
正文:1. 引言in掺杂zno纳米晶作为一种重要的半导体材料,在多个领域有着广泛的应用。
其可控合成和表征技术对于发挥其优异性能至关重要。
2. in掺杂zno纳米晶的可控合成2.1 溶剂热法合成溶剂热法是一种常用的合成in掺杂zno纳米晶的方法,通过控制溶剂的成分和温度,可以实现对纳米晶形貌和尺寸的精确调控。
2.2 水热法合成水热法合成in掺杂zno纳米晶的过程中,水的性质对纳米晶的形貌和结构有着重要影响,通过水热反应条件的调节,可以实现对纳米晶的可控合成。
3. in掺杂zno纳米晶的表征技术3.1 透射电子显微镜(TEM)分析TEM技术可以对in掺杂zno纳米晶的形貌和尺寸进行直接观察,从而评估合成方法的有效性和稳定性。
3.2 X射线衍射(XRD)分析XRD技术可以对in掺杂zno纳米晶的结晶结构进行表征,通过分析衍射峰的位置和强度,可以确定纳米晶的晶体结构和畸变程度。
3.3 光学性能表征通过紫外-可见光吸收光谱和光致发光光谱等技术,可以评估in掺杂zno纳米晶的光学性能,包括能带结构和发光特性。
4. 总结与回顾通过对in掺杂zno纳米晶的可控合成和表征技术的详细探讨,可以发现不同合成方法对纳米晶性能的影响,表征技术的选择也对研究结果的准确性和深刻理解起着关键作用。
5. 个人观点和理解我个人认为,in掺杂zno纳米晶的可控合成和表征技术在实际应用中具有重要意义,只有深入理解并掌握其中的关键技术,才能更好地发挥其潜在性能,推动其在光电器件等领域的应用。
结论:本文从in掺杂zno纳米晶的可控合成和表征技术出发,探讨了其重要性和实际应用意义,并提出了个人观点和理解。
通过对这些关键技术的深入理解,相信可以进一步推动该材料在各个领域的应用和发展。
《ZnO纳米材料的水热法制备及丙酮气敏性能优化研究》一、引言随着纳米科技的飞速发展,氧化锌(ZnO)纳米材料因其独特的物理和化学性质,在传感器、催化剂、太阳能电池等领域具有广泛的应用前景。
其中,ZnO纳米材料的气敏性能在气体传感器领域尤为引人关注。
本文将重点研究ZnO纳米材料的水热法制备工艺及其在丙酮气体检测中的应用,并探讨其性能的优化方法。
二、ZnO纳米材料的水热法制备1. 材料与方法水热法是一种制备纳米材料的有效方法,具有操作简单、成本低、产物纯度高等优点。
本实验采用水热法,以硝酸锌和氢氧化钠为原料,通过调节反应温度、时间、pH值等参数,制备ZnO 纳米材料。
2. 制备过程(1)将一定浓度的硝酸锌溶液与氢氧化钠溶液混合,调节pH值;(2)将混合溶液转移至反应釜中,在一定温度下进行水热反应;(3)反应结束后,将产物进行离心、洗涤、干燥等处理,得到ZnO纳米材料。
3. 结果与讨论通过水热法成功制备了ZnO纳米材料,并对其形貌、结构、粒径等进行了表征。
实验结果表明,通过调整反应条件,可以有效地控制ZnO纳米材料的形貌和粒径。
同时,还探讨了水热法制备ZnO纳米材料的生长机制。
三、丙酮气敏性能研究1. 实验原理ZnO纳米材料对丙酮气体具有较好的气敏性能,其工作原理是基于表面吸附和脱附过程。
当丙酮气体吸附在ZnO表面时,会引起材料电阻的变化,从而实现对丙酮气体的检测。
2. 实验方法将制备的ZnO纳米材料制成气敏传感器,在一定的温度和湿度条件下,对不同浓度的丙酮气体进行检测,记录传感器的电阻变化。
3. 结果与讨论实验结果表明,ZnO纳米材料对丙酮气体具有较好的气敏性能。
通过优化制备工艺和传感器工作条件,可以进一步提高其气敏性能。
同时,还探讨了ZnO纳米材料气敏性能的机理和影响因素。
四、气敏性能优化研究1. 优化方法为了进一步提高ZnO纳米材料的气敏性能,本实验采用了表面修饰、掺杂等方法对材料进行优化。
通过在ZnO表面修饰贵金属纳米颗粒或掺杂其他元素,可以改善其表面吸附和脱附过程,从而提高气敏性能。
Li掺杂ZnO(AZO)纳米阵列的水热合成摘要:准一维纳米材料,包括纳米线、纳米棒、纳米针、纳米管、纳米带、纳米同轴电缆和异质结等是当前纳米材料科学领域的前沿和热点。
有序的纳米阵列结构能够合理控制材料的定向生长,进而实现对其尺寸、维度、组成、晶体结构乃至物性的调控,从而有利于在纳米器件中的应用。
ZnO纳米线与碳纳米管,硅纳米线被认为是21世纪主要的纳米材料,在光学,光电子学,能源,传感器,关键词: Li掺杂 ZnO 纳米阵列水热合成1.1引言纳米材料是指在三维空间中至少有一维处于纳米尺度范围(1~100nm)或由它们作为基本单元构成的材料。
由于纳米材料尺寸小,可与电子的德布罗意波长、超导相干波长及激子玻尔半径相比拟,电子被局限在一个体积十分微小的纳米空间,电子输运受到限制,颗粒、原子团簇。
由于这些材料一般具有量子效应,因此二维、一维和零维的纳米材料又被称为量子阱、量子线和量子点。
近十多年来,以碳纳米管为代表的准一维纳米新材料因其特殊的一维纳米结构(纳米管、纳米线、纳米同轴电缆、纳米带等),呈现出一系列优异的力、光、电、声、磁、热、储氢、吸波等性质,在未来纳米器件领域中具有广阔的应用前景,成为纳米材料家族中一类引入瞩目的群体。
然而,和量子阱、量子点的研究相比,准一维纳米材料的研究进展相对较慢,其原因在于准一维纳米材料尤其是结构可控的准一维纳米材料的制备比较困难。
尽管一维纳米结构可以利用纳米光刻技术(电子束光刻、结构、组分、形态、大小以及位置等进行人为的控制,从而直接生长出所需的准一维纳米材料和纳米结构。
因此,物理、化学合成将成为制备准一维纳米材料的一种十分重要的新途径。
对一维纳米材料可控生长技术、表征技术和应用技术的深入研究将会促进纳米科学和技术的发展,有助于发现新的效应,发展新的器件。
ZnO属于带隙较宽( 室温下3.37eV) 的半导体材料, 由于本征缺陷的存在, 使得ZnO往往具有的N 型导电性。
Ga掺杂Zn0(AZO)纳米阵列的水热合成摘要研究的热点问题。
综述了纳米材料水热合成法的研究进展,并总结了水热合成法的优点和缺点,对水热合成法的反应机理作了初步的探讨,同时论述了目前这种实验方法的实验进展和应用情况,本文采用水热法, 在ZnO 前驱物中添加少量的Ga203, 合成了掺Ga的ZnO晶体。
结果显示: Ga掺杂后晶体的形态得到了明显的改变, 使c轴极性快速生长趋向得到明显改善。
当采用ZnO晶片为籽晶时,通过水热反应在晶片上生长了一层掺Ga的ZnO薄膜, 通过SEM 和光学显微观察, 所生长的晶体表面光滑平整,双晶衍射摇摆曲线半宽度小于39弧秒,显示具有较高的晶体质量。
为获得更丰富的ZnO的光学、电学性能,一种有效的方法就是在ZnO中掺入另一种材料。
通过对ZnO进行掺杂而得到更优良的光、电学性能成为当前关键词:氧化锌晶体,水热法,Ga掺杂Zn0,纳米阵列AbstractThe preparation of abio - nanoparticles by the hydrothermal synthesis methods was summarized , discussed the advantages and disadvantages of these methods , the mechanism and the situation of the water in the chemical process were superficially analyzed too , introduced the solvents usually be used in this method .pointed out nowadays the proceeding and the applying of this method。
Ga- doped ZnO crystals were synthesized by hydrothermalmethod through adding Ga203 to ZnO.The results indicated that the Ga-doped ZnO had shape of hexagonal slice . The shape of Key words : ZnO crystals , hydrother malmethod , Ga-doped ZnO, nano-materials目录自动生成即可第一章绪论1.1 引言在人类社会漫长的发展过程中,科学技术的发展总是和尺度的概念紧密相关。
水热法制备锥状ZnO纳米线阵列及其光电性研究水热法制备锥状ZnO纳米线阵列及其光电性研究摘要ZnO是一种在光电领域中具有重要地位的半导体材料。
采用聚乙二醇(PEG(2000))辅助的水热合成法制备出了粒径较为均匀的锥状氧化锌纳团线阵列, 并用SEM、XRD对其进行了表征。
实验结果表明,表面活性剂(PEG22000)和氨水的加入量对ZnO纳米线阵列的形貌有直接的影响;分析出了不同体系中的化学反应过程及生长行为,研究了衬底状态、生长溶液浓度、生长时间、pH值等工艺参数对薄膜生长的影响,并对薄膜柱晶等特殊形貌晶体的生长机理进行了探讨。
研究表明:薄膜的晶粒成核方式主要为异质成核,柱晶的生长方式为层-层生长。
生长的ZnO柱晶的尺寸和尺寸分布与晶种层ZnO晶粒有着相同的变化趋势。
随着生长液浓度的增加,ZnO棒晶的平均直径明显增大。
生长体系长时间放置,会导致二次生长,形成板状晶粒。
NH3·H2O生长系统,可以调节pH值来控制薄膜的生长。
对于碱性溶液体系,ZnO合适的生长温度为70~90℃,通过调节温度,可以改变纳米棒的生长速率。
关键词:ZnO薄膜,低温,水热法,薄膜生长HYDROTHERMAL SYNTHESIS OF ZnO NANOWIRE ARRAYSCONE AND OPTOELECTRONICRESEARCHABSTRACTZnO is an important area in the status of photovoltaic semiconductor material.Polyethylene glycol (PEG (2000)) assisted hydrothermal synthesis were prepared by a more uniform particle size of zinc oxide nano cone line array group and use SEM, XRD characterization was carried out. The results show that surfactant (PEG22000) and ammonia addition on the morphology of ZnO nanowire arrays have a direct impact; analyze the different systems of chemical reactions and growth behavior of the state of the substrate, growth concentration, growth time, pH, and other process parameters on film growth, and morphology of thin film transistors and other special column crystal growth mechanism was discussed. The results show that: the film grain nucleation is mainly heterogeneous nucleation, crystal growth patterns column for the layer - layer growth. The growth of ZnO crystal size and column size distribution of ZnO grain and seed layer have the same trend. With the increase in the growth of concentration, ZnO rods significantly increased the average diameter of crystal.Growth system extended period of time will lead to secondary growth, the formation of tabular grains. NH3 • H2O growth system, you can adjust the pH value to control the film growth. The alkaline solution system, ZnO is a suitable growth temperature 70 ~ 90 ℃, by adjusting the temperature, can change the growth rate of nanorods.Key words:ZnO films, low temperature, hydrothermal method, thin film growth目录中文摘要 (i)Abstract (ii)第一章绪论............................................................................... (1)1.1..纳米科技 (1)1.1.1纳米材料的结构单元 (1)1.1.2纳米材料的特性 (2)1.2纳米ZnO材料的特性 (4)1.2.1 ZnO的晶体结构 (4)1.2.2 ZnO的光电性能 (5)1.2.3 ZnO的紫外受激发射 (6)1.3 ZnO纳米材料的应用 (7)1.3.1表面声波(SAW)1.3.2半导体紫外激光器 (11)1.3.3太阳能电池 (11)1.3.4 表面型气敏器件 (12)1.3.5缓冲层和衬底 (13)第二章溶胶一凝胶成膜原理及实验方法..................……2.1引言..................··········……2.2溶胶一凝胶技术的特点 (17)2.3煅烧和烧结2.4溶胶一凝胶法制备薄膜的常用方法 (20)旋涂法.......................……浸涂提拉法...................……2.5影响因素 (21)2.5.1水解度 (21)2.5.2溶胶浓度..................................,. (21)2.5.3温度 (22)2.5.4催化剂 (22)2.6试剂及仪器设备 (22)2.6.1试剂的选用 (22)2.6.2实验器材 (23)2.7薄膜的制备过程 (23)2.7.1基片的清洗 (23)2.7.2旋涂法镀膜 (25)2.7.3干燥和热处理 (25)2.8几种主要的分析方法简介 (26)2.8.IX射线衍射分析 (26)2.8.2荧光分光光度法 (26)2.8.3紫外一可见分光光度法 (26)2.8.4原子力显微分析 (27)2.8.5扫描电子显微分析 (27)第一章绪论1.1纳米科技“纳米”是一个尺度的度量,最早把这个术语用到技术上的是日本在1974年底,但是以“纳米”来命名的材料是在20世纪80年代,它作为一种材料的定义把纳米颗粒限制到1-100 nm范围。
ZnO纳米棒阵列的水热法制备及其光学性质*宋玉哲1,陈昊2,刘国汉1,韩根亮1,徐进章2,李工农1(1.甘肃省科学院传感技术研究所,甘肃兰州730000;2.兰州大学核科学与技术学院,甘肃兰州730000摘要: 在四甲基氢氧化铵的水溶液中,锌片基底上成功生长了ZnO纳米棒阵列,利用扫描电镜、X射线衍射和荧光仪检测了产品的形貌、结构和光致发光性能。
结果发现,通过改变四甲基氢氧化铵的浓度,可以实现对纳米棒阵列取向和直径的控制;产物出现了分别位于380nm的紫外发光峰和525nm的绿色发光峰,并认为O空位Zn填隙缔合缺陷也参与了绿色发光的形成。
最后,简单讨论了纳米棒阵列的生长机理。
关键词: 氧化锌;纳米阵列;发光;生长机理中图分类号: O614.2文献标识码:A 文章编号:1001 9731(2009增刊 0791 041 引言ZnO作为宽禁带半导体材料,具有很高的激子束缚能(60meV,易实现室温下高效率的受激发射,与其它几种发光材料如ZnSe、ZnS、GaN等相比,ZnO具有更大的优势。
而ZnO一维材料的阵列能够加快光生电子空穴的分离,使电子具有良好的运输性,所以纳米棒、纳米线阵列的制备备受关注。
制备ZnO一维材料阵列的方法主要有气相沉积法、溅射法或外延法等,这些技术需要昂贵的仪器、苛刻的实验条件,而溶液法则具有设备简单、条件温和等优点。
近年来,溶液法制备ZnO一维阵列取得了较好的成果。
Vay ssieres[1]等人利用玻璃片为基底,在锌盐和六亚甲基四胺的溶液中水热反应得到了纳米棒阵列。
随即,出现在各种基底上预先涂敷ZnO晶种层,在锌盐溶液中水热反应制备ZnO纳米阵列[2~4]的热潮。
近来,杨合情研究组[5]避免了晶种涂敷过程,利用锌片和氨水反应,通过改变反应时间可以控制纳米棒的直径。
在此基础上,我们利用锌片和四甲基氢氧化铵溶液反应,也制备了纳米棒阵列,改变四甲基氢氧化铵溶液的浓度,获得了形貌不同的纳米棒阵列,检测了产物的发光性质,并讨论了其生长机理。
ZnO纳米棒阵列的改进水热方法制备、银修饰及光催化活性研究褚亚洲;孙亚平;柴梅俊;翁永根;何涛【摘要】ZnO nanorod arrays as the promising photocatalysts have been extensively studied,and their photocatalytic activity can be further improved by depositing Ag or other noble metals on their surfaces. Using ZnNO3 and hexamethylene tetramine as the raw materials,ZnO nanorod arrays with high photocatalytic activity were prepared by hydrothermal process and optimization of synthetic parameters( the thickness of the seed layer and raw material concentration)and photo-deposition of Ag. The as-prepared samples were characterized by means of scanning electron microscopy,powder X-ray diffraction and UV-visible diffusing reflection spectroscopy. The results indicated that both the thickness of the seed layer and raw material concentration had the great influence on the activity of ZnO nanorod arrays. Light absorption was enhanced and the absorption edges were extended to the visible light domain after Ag deposition. The results of methyl orange solution photocatalytic degradation showed that compared with pure ZnO nanorod arrays,the activity of Ag modified ZnO nanorod arrays for methyl orange degradation was improved by 30%.%ZnO纳米棒阵列是近来研究较多的光催化剂,通过银等贵金属修饰可提高光催化活性。
Sn掺杂ZnO纳米阵列的水热合成摘要:以ZnCl2和NaOH为原料,用SnCl4·4H2O作掺杂剂,通过水热法合成了Sn掺杂ZnO纳米颗粒。
利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)及光致发光(PL)光谱等测试技术对样品的物相、形貌及光学性能进行了表征。
结果表明:制得的Sn掺杂ZnO纳米粒子具有六角纤锌矿结构。
随着锡掺杂浓度的增大,纳米晶的平均粒度增加,晶体形貌由短棒状向单锥和双锥状变;提高前驱液的pH值,所得样品的形貌由长柱状向短柱状转变。
室温下,观测到三个光致发光带,一个峰值在433 nm处的强紫光发射峰,一个约在401 nm处的近紫外发光峰及一个在466nm处的弱蓝光发光峰。
在实验掺杂浓度范围内,Sn的掺杂致使改变纳米ZnO的发光强度,对发光峰位置影响不大。
关键词:ZnO纳米晶;水热合成; Sn掺杂;光学性能Hydrothermal synthesis of Sn dopedZnO nano arrayAbstract:Sn-doped ZnO nanocrystals were synthesized by the hydrothermal method using ZnCl2 and NaOH as rawmaterials at 200e for 5 h. The dopant source of tin was SnCl4·4H2O and the atomic percent age of dopant in the solution were n(Sn):n(Zn) = 1% and 2% respectively. The phase composition, morphology,size as well as optica lproperties of the sampls have been characterized by means of X-ray diffraction (XRD), field emission scanning electron microscopy(FE-SEM), UV-Visible absorption and photo lum in escence (PL) spectra. The effects of the Sn doping concentration and the pH value of the precursor solution on the surface morphology and optical properties of the samples have also been studied. The experimental results indicate that the obtained Sn-doped ZnO nanocrystals are of hexagonalw urtzite structure. The average grain size of the samples increases and the surface morphology goes from short rod-like to single cone-like and double cone-like with the increase ofSn concentration. In addition, the surfacemorphology of the samples can also be affected by the basicity of the precursor solution. Since it changes from long rod-like (for pH 7. 0) to short rod-like (forpH 12.0). There was aUV absorption peak from theUV-visible absorption spectra which have a red-shift with the increase of Sn concentration. Three photoluminescence bands, including a strong purple emission at 433 nm, a lef-t shoulder nearUV band emission around 401 nm aswell as a weak blue emission at 466 nm were observed at room temperature. The intensities of the emission peaks increased with the increase of Sn concentration. Compared with that of undoped ZnO nanocrysta,l only the intensities of emission peaks are changed, but the peak positions are almost not changed in the Sn doping concentration rang of our experiments.Key words:ZnO nanocrysta;l hydrothermal synthesis; Sn-doping; optical properties目录一.引言 (1)二. 实验 (2)2.1样品的制备 (2)2.1样品的表征 (2)三. 结果与讨论 (3)3. 1 X射线衍射(XRD)分析 (3)3.2 形貌分析 (5)3.3 紫外可见吸收光谱和光致发光分析 (6)四. 结论 (9)参考文献 (10)致谢 (13)一.引言ZnO是一种II-VI族直接带隙宽禁带半导体材料,具有六角纤锌矿型晶体结构,在室温下的禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60 meV,有望制备出蓝光及紫外光电器件[1~4]。
另外它还具有很好的导电、导热和化学稳定性及良好的紫外吸收性能,在传感器[5]、声表面波和太阳能电池[6]等方面有较好的应用前景。
为进一步研究和开发ZnO材料的功能,人们在制备ZnO材料的过程中,开始掺杂一些其它元素,掺杂后的ZnO不仅形貌会发生一定的改变,而且其磁学、电学和光学等方面的性质也会产生较大变化[7]。
目前关于ZnO掺杂的研究主要集中在透明导电薄膜的制备上,通过掺杂Al、In、Sn、N等元素[7~11]来提高ZnO薄膜的性能,以获得高质量的ZnO薄膜,而对Sn掺杂ZnO纳米晶制备及性能方面的研究较少。
本文通过水热法成功制备出Sn掺杂ZnO纳米晶,探讨了不同Sn掺杂浓度及前驱液pH值对ZnO纳米晶形貌和光学性能的影响二.实验2.1样品的制备所用试剂均为分析纯且在使用时未作进一步提纯,实验用水为自制去离子水。
固定每次所配混合溶液的Zn2+浓度为0. 5 mol/L。
称取计算量的ZnCl2和SnCl4·5H2O与去离子水配成n(Sn4+)Bn(Zn2+)=1:100, 2:100的混合溶液,在溶解过程中,滴入几滴盐酸。
取10 mL配制的上述溶液于烧杯中,加入35 mL去离子水,在50℃恒温水浴和磁力搅拌条件下缓慢滴加2 mol/L氢氧化钠至溶液pH值约为9. 0(前驱液),继续搅拌陈化0. 5 h,然后超声分散10 min后立即移入聚四氟乙烯衬里的反应釜,填充度为80%。
把反应釜放入预先升温至200℃的烘箱中保温5h,之后将反应釜取出让其自然冷却到室温。
将得到的沉淀物离心分离,用去离子水洗涤数次,无水乙醇洗涤2次,洗去氯离子等杂质,在60℃下恒温干燥12 h得到试样粉末。
用氢氧化钠调节前驱液的pH值分别为7.0和12.0按上述步骤重复实验。
2.1样品的表征样品的XRD物相分析在BRUKER D8 AD-V ANCE X射线衍射仪上进行(Cu靶KAK=0. 154 06 nm)。
用JEOL JSM-6700F场发射扫描电镜观察样品的形貌和大小。
采用760 CRT双光束紫外分光光度计测试产物的紫外-可见吸收性能。
样品的室温光致发光(PL)光谱在970CRT荧光光谱仪(激发光源为Xe灯)上以337 nm作为激发波长进行测定。
三.结果与讨论3. 1 X射线衍射(XRD)分析图1为水热法制备的所有样品的粉末XRD图谱,图1(a)的样品是在保持前驱液的pH值均为9.0,改变Sn的掺杂浓度制得的,图1(b)的样品是在保持Sn的掺杂浓度均为1%,改变前驱液的pH值制得的。
由图1可见,所有样品的XRD图谱的衍射峰均与体相ZnO的XRD标准图谱(JCPDS cardNo. 36-1451)一致,说明所有样品均具有六角纤锌矿结构,另外,除ZnO的衍射峰外,没有其它物质的衍射峰出现,即在实验掺杂浓度范围内, Sn的掺杂没有带来新的物相结构,表明掺杂的Sn固溶到ZnO晶格中。
由图1(a)可以看出, Sn掺杂浓度为1%时所得样品衍射峰的强度比Sn掺杂浓度为2%时的高,说明前者比后者的晶体结构更完整,这是因为掺杂剂Sn以Sn4+的形式扩散到ZnO晶格形成固溶体的过程中,会产生晶格缺陷,掺杂浓度越高,缺陷越多,导致结晶度降低,晶格结构越不完整。
同样由图1(b)可以看出,前驱液的pH值为7.0时,所得样品的衍射峰的强度最高,晶体结构最完整,这可能是因为pH值越大,实际进入ZnO晶格Sn4+浓度越高,造成的晶格缺陷越多所致。
图1 ZnO样品的XRD图谱(a)不同Sn掺杂浓度(b)不同pH值3.2 形貌分析图2是不同Sn掺杂浓度和不同前驱液pH值条件下制备的ZnO 样品的场发射扫描电镜照片[12]。
图2(a)、(b)、(c)分别对应在固定Sn掺杂浓度为1%,改变前驱液的pH值分别为7. 0、9. 0和12. 0所制备的样品,图2(d)是前驱液pH值为9.0, Sn掺杂浓度为2%时制备的ZnO样品的FE-SEM照片。
由图2(a)可以看出在前驱液pH值为7.0制得的ZnO样品为棒状,粒径分布比较均匀,棒的边界清晰、光滑。
纳米棒直径约为30~60 nm,长约100~150 nm,长径比可达到5,其形貌多为六棱柱状。
随着前驱液pH值增大,所得样品的形貌变为短柱状,长度在50~100 nm,并且生成了许多不规则粒状产品,如图2(b)、(c)所示。
比较图2(b)与图2(d)可以看出,当Sn掺杂浓度由1%增加到2%时,样品的平均粒度增大,开始出现了部分粒径约为100 nm的单锥和双锥状ZnO微晶。