半导体发光二极管测试方法
摘要
系统地介绍了与发光二极管测试有关的术语和定义,在此基础上,详细介绍了测试方法和测试装置的要求。
1 前言
半导体发光二极管是一种重要的光电子器件,它在科学研究和工农业生产中均有非常广泛的应用.发光二极管虽小,但要准确测量它的各项光和辐射参数并非一件易事.目前在世界范围内的测试比对还有较大的差异.鉴于此,CIE(国际照明委员会)TC2-34小组对此进行了研究,所提出的技术报告形成了CIE127-1997文件.
中国光学光电子行业协会光电器件专业分会根据国内及行业内部的实际情况,初步制定了行业标准"发光二极管测试方法",2002年起在行业内部试行.本文叙述了与发光二极管测试有关的术语和定义,在此基础上,详细介绍了测试方法和测试装置的要求,以期收到抛砖引玉之效果.
本文涉及的测试方法适用于紫外/可见光/红外发光二极管及其组件,其芯片测试可以参照进行。
2 术语和定义
2.1发光二极管 LED
除半导体激光器外，当电流激励时能发射光学辐射的半导体二极管。严格地讲，术语LED应该仅应用于发射可见光的二极管；发射近红外辐射的二极管叫红外发光二极管（IRED,Infrared Emitting Diode）；发射峰值波长在可见光短波限附近，由部份紫外辐射的二极管称为紫外发光二极管；但是习惯上把上述三种半导体二极管统称为发光二极管。
2.2光轴 Optical axis
最大发光（或辐射）强度方向中心线。
2.3正向电压VF Forward voltage
通过发光二极管的正向电流为确定值时，在两极间产生的电压降。
2.4反向电流IR Reverse current
加在发光二极管两端的反向电压为确定值时，流过发光二极管的电流。
2.5反向电压VR Reverse voltage
被测LED器件通过的反向电流为确定值时，在两极间所产生的电压降。
2.6总电容C Capacitance
在规定正向偏压和规定频率下，发光二极管两端的电容。
2.7开关时间 Switching time
涉及以下概念的最低和最高规定值是10％和90％，除非特别注明。
2.7.1开启延迟时间td(on) Turn-on delay time
输入脉冲前沿最低规定值到输出脉冲前沿最低规定值之间的时间间隔。
2.7.2上升时间tr Rise time
输出脉冲前沿最低规定值到最高规定值之间的时间间隔。
2.7.3开启时间ton Turn-on time
器件所加输入脉冲前沿的最低规定值到输出脉冲前沿最高规定值之间的时间间隔。
ont= td(on)+tr
2.7.4关闭延迟时间td(off) Turn-off delay time
器件所加输入脉冲后沿的最高规定值到输出脉冲后沿最高规定值之间的时间间隔。
2.7.5下降时间tf Fall time
输出脉冲后沿最高规定值到最低规定值之间的时间间隔（见图1）。
图1 开关时间延迟时间
2.7.6关闭时间toff Turn-off time
2.8光通量Φv Luminous flux
通过发光二极管的正向电流为规定值时，器件光学窗口发射的光通量。
2.9辐射功率Φe Radiant power
通过发光二极管的正向电流为规定值时，器件光学窗口发射的辐射功率。
2.10辐射功率效率ηe Radiant power efficiency
器件发射的辐射功率与器件的电功率（正向电流乘以正向电压）的比值：注：在与其它术语不会混淆时，可简称为辐射效率 (Radiant efficiency)。
2.11光通量效率ηv Luminous flux efficiency
器件发射的光通量Φv 与器件的电功率（正向电流 IF乘以正向电压 VF）的比值：
注：在与其它术语不会混淆时，可简称为发光效率（Luminous efficiency）。
2.12发光（或辐射）空间分布图及相关特性
2.12.1发光（或辐射）强度Iv Luminous（or Radiant） intensity
光源在单位立体角内发射的光（或辐射）通量，可表示为Iv =dΦ/dΩ。发光（或辐射）强度的概念要求假定辐射源是一个点辐射源，或者它的尺寸和光探测器的面积与离光探测器的距离相比是足够小，在这种情形，光探测器表面的光（或辐射）照度遵循距离平方反比定理，即E=I/d 。这里I是辐射源的强度，d是辐射源中心到探测器中心的距离。把这种情况称为远场条件。
然而在许多应用中，测量LED时所用的距离相对较短，源的相对尺寸太大，或者探测器表面构成的角度太大，这就是所谓的近场条件。此时，光探测器测量的光（或辐射）照度取决于正确的测量条件。
2.12.2平均LED强度 Averaged LED intensity
照射在离LED一定距离处的光探测器上的通量Φ与由探测器构成的立体角Ω 的比值，立体角可将探测器的面积S除以测量距离d的平方计算得到2器件所加输入脉冲后沿的最低规定值到输出脉冲后沿最低规定值之间的时间间隔。off t=td(off)+tf ηe =Φe/(IF·VF) ηv =Φv/(IF·VF) 。I=Φ/Ω=Φ/(S/d2)
CIE推荐标准条件A和B(见7.2.1.2)来测量近场条件下的平均LED强度,可以分别用符号ILED A和ILED B来表示,用符号ILE
D Ae和ILED Av分别表示标准条件A测量的平均LED辐射强度和平均LED发光强度。
2.12.3发光（或辐射）强度空间分布图 Luminous（or Radiant）diagram
反映器件的发光（或辐射）强度空间分布特性（见图2）： v
I(或Ie)=f(θ)
图2 辐射图和有关特性
注1：除非另外规定，发光（或辐射）强度分布应该规定在包括机械轴Z的平面内。
注2：如果发光（或辐射）强度分布图形有以Z轴为旋转对称特性，发光（或辐射）强度空间分布图仅规定一个平面。注3：如果没有以Z轴为旋转对称特性，各种角度θ的发光（或辐射）强度分布应有要求，X、Y、Z方向要求可有详细规范定义。
2.12.4半强度角θ1/2 Half-intensity angle
在发光（或辐射）强度分布图形中，发光（或辐射）强度大于最大强度一半构成的角度（见图2）。
2.12.5偏差角Δθ Misalignment angle
在发光（或辐射）强度分布图形中，最大发光（或辐射）强度方向（光轴）与机械轴Z之间的夹角（见图2）。 2.13光谱特性
2.1
3.1峰值发射波长λp Peak-emission wavelength
光谱辐射功率最大的波长。
2.1
3.2光谱辐射带宽Δλ Spectral radiation bandwith
光谱辐射功率大于等于最大值一半的波长间隔。
2.1
3.3光谱功率（能量）分布P(λ) Spectral power distribution
在光辐射波长范围内，各个波长的辐射功率分布情况。
3 最大额定值
3.1 最低和最高储存温度（Tstg ）
3.2 最低和最高工作环境温度或管基温度（Tamb 或Tcase ）
3.3 最大反向电压（VR ）
注：不可用于相互首尾相接的双管器件。
3.4 在25℃环境或管基温度时的最大连续正向电流（IF ）和减额定值曲线或减额定值系数。
3.5 在适当地方，在规定脉冲条件下，在25℃环境或管基温度时的最大峰值正向电流（IFM ）
4 主要光电特性（见表
1）
5 一般要求
5.1 试验条件
除非另有规定，器件的光电参数测试应按本标准规定试验条件进行。
5.1.1 标准大气条件
温度：15℃～35℃
相对湿度：20％～80％
气压：86kPa～106kPa
5.1.2 仲裁试验的标准大气条件
温度：25℃±1℃；
相对湿度：48％～52％；
气压：86kPa～106kPa
5.1.3 环境条件
a）测试环境应无影响测试准确度的机械振动和电磁干扰；.
b）除非另有规定，器件全部光电参数均应在热平衡下进行；
c）测试系统应接地良好。
5.2 参数要求
除非另有规定，器件测试应采取预防措施和保持下述公差。虽然在有关文件中规定的测试条件严于下述公差，但在一般情况下，应遵循下述规定的条件。
a）偏置条件应在规定值的±3％以内；
b）输入脉冲特性，重复频率和频率等的误差应在±10％以内；
c）测量开关参数的误差应在±5％以内；
d）测量直流电参数误差不大于±2％；
e）测量辐射功率的误差不大于5％；
f）测量峰值辐射波长的误差不大于±2nm；
g）测量半强度角误差不大于10％；
h）测量发光强度误差不大于25％。
6 测试方法
测试方法分为：
a） 1000类电特性测试方法
--方法1001 正向电压
--方法1002 反向电压
--方法1003 反向电流
--方法1004 总电容
b） 2000类光特性测试方法
--方法2001 平均LED强度
--方法2002 半强度角和偏差角
--方法2003 光通量和发光效率
--方法2004 辐射通量和辐射效率
--方法2005 峰值发射波长，光谱辐射带宽和光谱功率分布
c） 3000类光电特性测试方法
--方法3001 开关时间
6.1 1000类电特性测试方法
6.1.1 方法1001：正向电压
6.1.1.1 目的
测量LED器件在规定正向工作电流下，两电极间产生的电压降。
6.1.1.2 测试框图（见图3）
图3 方法1001测试框图
D--被测LED器件；G--恒流源；A--电流表；V--电压表。6.1.1.3 测试步骤
a）按图3原理连接测试系统，并使仪器预热；
b）调节恒流源，使电流表读数为规定值，这时在直流电压表上的读数即为被测器件的正向电压。 6.1.1.4 规定条件
环境或管基温度；
电源电压；
正向偏置电流。
6.1.2 方法1002：反向电压
6.1.2.1 目的
测量通过LED器件的反向电流为规定值时，在两电极之间产生的反向电压。
6.1.2.2 测试框图（见图4）
图4 方法1002测试框图
D--被测LED器件；G--稳压源；A--电流表；V--电压表。
6.1.2.3 测试步骤
a）按图4原理连接测试系统，并使仪器预热。
b）调节稳压电源，使电流表读数为规定值，这时在直流电压表上的读数即为被测器件的反向电压。 6.1.2.4 规定条件
环境或管基温度；
电源电压；
反向电流。
6.1.3 方法1003：反向电流
6.1.3.1 目的
测量在被测LED器件施加规定的反向电压时产生的反向电流。
6.1.3.2 测试框图（见图
5）
图5 方法1003测试框图
D--被测LED器件；G--稳压源；A--电流表；V--电压表。
6.1.3.3 测试步骤
a）按图5原理连接测试系统，并使仪器预热。
b）调节稳压电源，使电压表读数为规定值，这时在直流电流表上的读数即为被测器件的反向电流。
6.1.3.4 规定条件
环境或管基温度；
电源电压；
反向电流。
6.1.4 方法1004：总电容
6.1.4.1 目的
在被测LED器件施加规定的正向偏压和规定频率的信号时，测量被测器件两端的电容值。
6.1.4.2 测试框图（见图
6）
图6 方法1004测试框图
D--被测LED器件；C0--隔离电容；A--电流表；V--电压表；L--电感。
6.1.4.3 测试步骤
a）按图6原理连接测试系统，并使仪器预热；
b）调节电压源和调节电容仪，分别给被测LED器件施加规定的正向偏压和规定频率的信号，将电容仪刻度盘上读数扣去电容C0等效值即为被测LED器件总电容值。
6.1.4.4 规定条件
环境或管基温度；
正向偏置电压；
电容仪提供规定频率的信号。
6.2 2000类光特性测试方法
6.2.1 方法2001：平均LED强度
6.2.1.1 目的
测量半导体发光二极管平均LED强度。
6.2.1.2 测试框图（见图
7）
图7 方法2001测试框图
D--被测LED器件；G--电流源；PD--包括面积为A的光阑D1的光度探测器；
D2、D3--消除杂散光光栏, D2,D3不应限制探测立体角；d--被测LED器件与光阑D1之间的距离。
注1：调整被测LED器件使它的机械轴通过探测器孔径的中心。
注2：光度探测器的光谱灵敏度在被测器件发射的光谱波长范围内应该校准到CIE（国际照明委员会）标准光度观测者光谱曲线;测试辐射参数时应采用无光谱选择性的光探测器。测试系统应该按距离d和光阑D1用标准器校正。测量距离d应按
CIE推荐的标准条件A和B设置。在这两种条件下,所用的探测器要求有一个面积为100mm(相应直径为11.3mm)的园入射孔径。
CIE推荐
标准条件A
标准条件B LED顶端到探测器的距离d 316mm 100mm 立体角 0.001sr 0.01sr 平面角(全角) 2o 6.5o 2
注3：对于脉冲测量，电流源应该提供所要求的幅度，宽度和重复率的电流脉冲。探测器上升时间相对于脉冲宽度应该足够小，系统应该是一个峰值测量仪器。
6.2.1.3 测量步骤
被测LED器件按照选定的形式定位给被测器件加上规定的电流，在光度测量系统测量平均LED强度。
6.2.1.4 规定条件
环境温度和合适的大气条件；
正向电流和，需要的话，宽度和重复率；
6.2.2 方法2002：半强度角和偏差角
6.2.2.1 目的
测量半导体发光二极管在规定的工作电流下的平均LED强度的空间分布和半最大强度角及偏差角。半强度角θ1/2是发光（或辐射）强度大于等于最大强度一半构成的角度（见图8），在平均LED强度分布图形中，最大强度方向（光轴）与机械轴Z之间的夹角即为偏差角Δθ （见图８）。
6.2.2.1 测试框图（见图８）
图8 方法2002测试框图
D：被测LED器件；G：电流源；PD：包括面积为A的光阑D1的光度探测器；
D2,D3：消除杂散光光栏, D2,D3不应限制探测立体角；d：被测LED器件与光阑D1之间的距离；
θ：Z轴和探测器轴之间的夹角。
注1：距离d应该设置为CIE标准条件A或B；
注2：对于脉冲测量，电流源应该提供所要求的幅度、宽度和重复率的电流脉冲，探测器上升时间相对于脉冲宽度应该足够小，系统应该是一个峰值测量仪器；
注3：被测LED定位在一种装置上（如：旋转中心位于系统光轴上的角度盘上，度盘应该有足够的角度刻度精度），要求：
--被测LED器件位置可精确再现；
--变化角度θ、器件D光学窗口的中心能保持固定；
--能测量夹角θ；
--能绕被测器件Z轴旋转；
--能测量关于X轴的旋转角。
6.2.2.2 测量步骤
a）给被测器件加上规定的工作电流。调正被测器件D的机械轴与光探测器轴重合，即θ＝0，测量光探测器的信号，把这个值设置为 I0＝100％；
b）从0－±90°旋转度盘，光电测量系统测量各个角度时的发光强度值，得到相对强度I /I0 与θ之间的关系，优先采用极坐标图来表示，其它形式，如直角坐标图，在空白详细规范中定义后可以使用。在该图上分别读取半最大强度点对应的角度θ1 θ2 ，半强度角Δθ=|θ2 -θ1 |。偏差角就是Imax 和I0 方向之间的夹角。
6.2.2.3 规定条件
环境和管基温度；
规定正向电流IF 或者辐射功率Φe；
机械参照平面。
6.2.3 方法2003:光通量和发光效率
6.2.3.1 目的
测量被测LED器件在规定条件下的光通量和发光效率。
6.2.3.2 测试框图（见图9）
图9 方法2003测试框图
图9 方法2003测试框图
注1：被测LED器件发射的光辐射经积分球壁的多次反射，导致产生一个均匀的与光通量成比例的面出光度，一个位于球壁的探测器测量这个面出光度，一个漫射屏挡住光线，不使探测器直接照射到被测器件的光辐射；
注2：被测器件、漫射屏、开孔的面积和球面积比较应该相对较小，球内壁和漫射屏表面应有均匀的高反射率漫反射镀层（最小0.8）。球和探测器组合应该校准，应该考虑到峰值发射波长和光通量由于功率消耗产生的变化。
注3：也可以用变角光度计测量。
6.2.3.3 测量步骤
被测量器件放在积分球入口处，不要使光线直接到达探测器。给被测器件施加规定的正向电流IF ，光度探测系统测量出光通量。将光通量数值除以正向电流IF 和正向电压VF 的乘积值即为发光效率。
6.2.3.4 规定条件
环境和管基温度；
正向电流。
6.2.4 方法2004：辐射通量和辐射效率
6.2.4.1 目的
测量被测LED器件在规定条件下的辐射通量(功率)和辐射效率。
6.2.4.2 测试框图（见图
10）
图10 方法2002测试框图
图10 方法2002测试框图
注：被测LED器件发射的光辐射经积分球壁的多次反射，导致产生一个均匀的与辐射通量成比例的面辐射出射度，一个位于球壁的探测器测量这个面辐射出射度，一个漫射屏挡住光线，不使探测器直接照射到被测器件的光辐射。被测器件、漫射屏、开孔的面积和球面积比较应该相对较小，球内壁和漫射屏表面应有均匀的高反射率漫反射镀层（最小0.8）。球和探测器组合应该用辐射标准进行校准,测量单位为瓦特。应该考虑到峰值发射波长和辐射通量由于功率消耗产生的变化。 6.2.4.3 测量步骤
被测量器件放在积分球入口处，不要使光线直接到达探测器，给被测器件施加规定的正向电流IF ，辐射探测系统测量出辐射通量，将辐射通量数值除以正向电流IF 和正向电压VF 的乘积值即为辐射效率。
6.2.4.4 规定条件
环境和管基温度；
正向电流。
6.2.5 方法2005：峰值发射波长、光谱辐射带宽和光谱功率分布
6.2.5.1 目的
在规定正向工作电流下，测量被测LED器件的峰值发射波长，光谱辐射带宽和光谱功率分布。
6.2.5.2 测试框图（见图
11）
图11 方法2005测试框图
D：被测LED器件；G：电流源；L：聚焦透镜系统；G：电流源（直流或脉冲）；
D2,D3：消除杂散光光栏；M：单色仪；RM：包括光阑D1的辐射探测系统。
注：单色仪的波长分辨率和带宽应该使测试有合适的精度。辐射探测系统的光谱响应应该校准。为便于测量，曲线峰值可以用100％表示。如果单色仪的光谱透过率和辐射探测系统的光谱灵敏度不是常数，记录的测量数据应该修正。6.2.5.3 测量步骤
在需要的光谱范围内调整单色仪的波长直到辐射测量系统获得最大读数，相应的波长就是峰值波长（λp ），然后往λp 的两边调整单色仪的波长直到峰值波长读数的一半，获得相对应的波长λ1 和λ2 ，两者之差就是光谱辐射带宽（见图12）。
按照要求的波长间隔分别测量记录每个波长时的光谱功率数值，即为光谱功率分布。
图12 光谱分布带宽
6.2.5.4 规定条件
环境和管基温度；
规定的正向电流（直流或脉冲）。
6.3 3000类：光电特性测试方法
6.3.1 方法3001: 开关时间
6.3.1.1 目的
测量被测LED器件的开启时间ton （开启延时时间td(on) ＋上升时间tr ）和关闭时间toff （关闭延时时间td(off) ＋下降时间tr ）。
6.3.1.2 测试框图（见图
13）
图13 方法3001测试框图
D：被测LED器件；G1：高阻电流脉冲发生器；G2：直流电流偏置电源；
G3：直流电压偏置电源；Rd: 匹配发生器阻抗的电阻；RL: 负载电阻；
M：测量仪器；PD：光电二极管；Syn：同步信号。
注：光电二极管的开关时间，实验电路和测量仪器的延迟时间，输入电流脉冲的上升时间和下降时间都应该足够短以保证不影响测量精度。在光脉冲顶部获得的平均输出功率（见图1）没有必要等于直流偏置电流与输入脉冲电流之和时的连续辐射功率。
6.3.1.3 测量步骤
把规定的直流和脉冲电流加到被测器件，用测量仪器M测量开关时间。100％的辐射输出功率电平就是辐射脉冲顶端获得的平均输出功率。0％电平是在直流偏置电流时的输出功率。
6.3.1.4 规定条件
环境和管基温度；直流偏置电流；光学窗口；光学结构。
7 量值传递
发光强度是LED器件主要光参数，由于有些LED非点光源且各向异性，在近场条件下,LED光度测试过程中会产生很多误差。因此CIE推荐用LED平均强度的概念来作为LED发光强度测量的基础.目前最好的LED测试技术是将被测LED和在光谱和空间功率分布与其尽可能接近一致的参照标准样管进行比对测试.发光强度测试仪器和参照标准样管的标定和校准必须采用统一的方法和基准。
8.1 原理
发光强度的单位是坎德拉（candela，符号为cd），它是国际单位制的七个基本单位之一。1979年前世界上只有9个国家建立了光强基准，我国很早就建立了光度基准和2856K色温的光强度工作基准。因此，确定由国家或省（市）级法定计量测试部门标定的2856K光强标准灯作为发光强度传递的工具。
8.2 方法
a）用色温为2856K的光强标准灯对LED测试系统进行校准和标定。
b）用具有CIE标准光度观测者光谱响应的光电探测器分别对专门挑选的LED器件和色温为2856K的光强标准灯进行比对测试，对不同光谱功率分布的LED器件求得他们的光谱修正系数(SCF,Spectral correction factor),从而把标准灯光强数值传递到LED器件上，以此作为LED光强参照标准样管.但是作为参照标准样管的LED器件必须有严格的要求。它们主要是：
--优良的稳定性，必须进行严格的筛选和老化,必须规定最少老化时间；
--采用光轴和机械轴重合的LED器件作参照样管.或采用光强（辐射）分布图形近似为圆形的器件。--参照标准样管工作时,必须使其在恒定的温度和驱动电流(20mA)下工作,保证其有一个恒定的光学输出. c）建立专门实验室进行仲裁性测试和各种参照标准样管的定标。
附录1. 基本辐射度量和光度量
1. 辐射度量
1.1 辐射能Qe radiant energy
以辐射的形式发射,传输和接收的能量,单位为J(焦耳)。
1.2 辐射通量Φe radiant flux
辐射通量又常称为辐射功率(radiant power)Pe ,是辐射源发射,传输和接收的功率.单位为瓦(W),如以t表示时间,辐射通量定义为Φe =dQe/dt
Ie =dΦe/dΩ
1.3 辐射强度Ie radiant intensity 辐射强度定义为在给定方向上的立体角元内,离开点辐射源(或辐射源面元)的辐射通量dΦe与该立体角元dΩ的比值.单位为瓦／球面度(W/sr ).
1.4 辐射亮度Le radiance
辐射源面上面积为dS 的一点沿给定方向上的辐射强度dIe 与该点在垂直于给定方向的平面上正投影面积的比值定义为给定方向上的辐射亮度.单位为W/(sr·m) 2
1.5 辐射照度Ee irradiance
照射在辐射接收面上一点的辐射通量dΦe 与该点面积dA的比值。即
2. 光度量
2.1 光量 quantity of light or luminance energy
光通量和光照射时间的乘积,单位为流明秒(lumen second) 。Ee=dΦe/dA
单位为W/m 。 2
2.2 光通量Φv luminous flux
光源在单位时间内发出的光量,单位为流明(lumen),符号为lm。
3.3 发光强度Iv luminous intensity
光源在给定方向上的一个很小的立体角元内所包含的光通量dΦv 与这个立体角dΩ 的比值,单位为坎德拉( cd) v
3.4 光亮度Lv luminance
光源表面一点处的面元在给定方向上的发光强度dIv 与该面元在垂直于给定方向的平面上的正投影面积的比值。单位为坎德拉每平方米(cd/m2 )Φv=dQv/dt I=dΦv /dΩ Lv=dIv /(dScosθ)=d2(dΩdScosθ)
E=dΦv /dS 3.5 光照度Ev illuminance 照射在光接收面上一点处的面元上的光通量dΦv与该面元面积dS 的比值。单位为勒克斯(lux),常用lx表示。 v 附录2. LED器件颜色评价
LED器件的光辐射和自然界的所有颜色一样会对人眼产生视觉刺激，人们根据自己的感受评价LED器件的颜色特性，为避免这种评价的主观性，必须用物理的方法来对颜色进行计量（色度学）。目前在实际应用中常有术语误用情况等问题，因此完全有必要就LED器件的色度计量问题作叙述，以供参考。
1 颜色的心理属性和术语
人们根据颜色的外貌，按直观颜色视觉的心理感受，对颜色进行系统的归纳和排列，给以相应的文字描述和数字标记。颜色可以分为彩色和非彩色两大类：非彩色是指白色，黑色和各种深浅不同的灰色。它们构成所谓的黑白系列，研究表明颜色有三种心理特性，分别可以用色调、饱和度、明度来描述。
1.1 色调Hue
表示颜色相互区分的属性。可见光谱中不同波长的光辐射在视觉上表现为不同的色调，如红、绿、蓝和黄等。光源的色调取决于人眼对其辐射的光谱构成产生的感觉；物体的色调则取决于人眼对光源光谱组成和物体表面反射（或透射）的各波长辐射的比例所产生的感觉。
1.2 饱和度Saturation
指颜色的纯洁性。可见光谱中各单色光的饱和度最高，当单色光中掺入白光愈多时，则饱和度愈低。
1.3 明度Brightness
明度是人眼感觉到颜色的明亮程度。颜色的亮度越高，眼睛就越感觉明亮，即有较高的明度。物体色的黑白系列的非彩色代表物体的光反射率的变化，在视觉上就是明度的变化，愈接近白色，明度愈高。反之，愈接近黑色，明度愈低。
2 LED颜色测量
2.1 CIE1931－XYZ色度系统
颜色感觉是由于光辐射源的或被物体反射的光辐射作用于人眼的结果。因此，颜色不仅取决于光刺激，而且取决于人眼的视觉特性。关于颜色的测量和标准应该符合人眼的观测结果。但是，人眼的颜色特性对于不同的观测者或多或少
会有差异，因此要求根据大量的观测者的颜色视觉实验，确定一组为匹配等能光谱色的三原色数据，?quot;标准色度观测者光谱三刺激值"，以此代表人眼的平均颜色视觉特性，用于色度学的测量和计算。
CIE（国际照明委员会）1931年在RGB系统的基础上采用设想的三原色（X），（Y），（Z）［分别代表红色，绿色和蓝色］，建立了CIE－1931色度图，同时将匹配等能光谱各种颜色的三原色数据标准化，确定?quot;CIE1931－XYZ标准色度学系统"。CIE1931－XYZ色度系统是色度学基础。任何一种颜色均可以用CIE1931-XYZ色度图中它的色度坐标x,y和刺激值Y来表示。图16为
CIE1931色度图。
图16 CIE1931色度图
在这个系统中，色度坐标：
这里X、Y、Z为颜色的三刺激值，它们的数值表示了三原色匹配该颜色时相互之间的比例。一个等能光谱的白光是有相同数量的X、Y、Z组成。
2.2 色度坐标的计算
要计算LED
器件的色度坐标及其它参数，如果已知器件的光谱功率（能量）分布，则可以按下式计算：
由于实际上很难用数学表达式来写出P(λ) ，因此常以求和来近似积分。这里Y对于光源来说，它为光源的亮度。对于物体色而言，K称为调整系数，它是将照明体或光源的Y值调整为100时得出，即：
2.3 分光光度法测量色度坐标
按方法2005测量得到被测LED器件的光谱功率分布P(λ)曲线后，可按9.2.2计算方法得到被测器件的色度坐标。 2.4 光电积分法测量色度坐标把光电探测器的光谱响应用光学系统修正得和CIE1931标准色度观测者光谱三刺激值
样的光探测系统就能一次性积分测量出被测器件光辐射的三刺激值。计算得到色度坐标。
2.5 主波长 Dominant wavelength
任何一个颜色都可以看作为用某一个光谱色按一定比例与一个参照光源（如CIE标准光源A、B、C等，能光源E，标准照明体D65 等）相混合而匹配出来
1．发光二极管的特点 ? 发光二极管LED（Light-Emitting Diode）是能将电信号转换成光信号的结型电致发光半导体器件。其主要特点是： （1）在低电压（～）、小电流(5～30mA)的条件下工作，即可获得足够高的亮度。 （2）发光响应速度快（10-7～10-9 s），高频特性好，能显示脉冲信息。 （3）单色性好，常见颜色有红、绿、黄、橙等。 （4）体积小。发光面形状分圆形、长方形、异形（三角形等）。其中圆形管子的外径有φ1、φ2、φ3、φ4、φ5、φ8、φ10、φ12、φ15、φ20（mm）等规格，直径1 mm的属于超微型LED。 （5）防震动及抗冲击穿性能好，功耗低，寿命长。由于LED的PN结工作在正向导通状态，本射功耗低，只要加必要的限流措施，即可长期使用，寿命在10万小时以上，甚至可达100万小时。 （6）使用灵活，根据需要可制成数码管、字符管、电平显示器、点阵显示器、固体发光板、LED平极型电视屏等。 （7）容易与数字集成电路匹配。 2．发光二极管的原理 发光二极管内部是具有发光特性的PN结。当PN结导通时，依靠少数载流子的注入以及随后的复合而辐射发光。普通发光二极管的外形、符号及伏安特性如图1所示。LED正向伏安特性曲线比较陡，在正向导通之前几乎有电流。当电压超过开启电压时，电流就急剧上升。因此，LED属于电流控制型半导体器件，其发光亮度L（单位cd/m2，读作坎[德拉]每平方米）与正向电流IF近似成正双，有公式 L =K IFm 式中，K为比例系数，在小电流范围内（IF=1～10mA），m=～。当IF＞10mA时，m=1，式（）简化成 ?????? L =K IF 即亮度与正向电流成正比。以磷砷化镓黄色LED为例，相对发光强度与正向电流的关系如图2所示。LED的正向电压则与正向电流以及管芯的半导体材料有关。使用时应根据所要求的显示亮度来选取合适的IF值（一般选10mA左右，对于高亮度LED可选1～2mA），既保证亮度适中，也不会损坏LED。若电流过大，就会烧毁LED的PN结。此外，LED的使用寿命将缩短。 由于发光二极管的功耗低、体积小，色彩鲜艳、响应速度快、寿命长，所以常用作收录机、收音机和电子仪器的电平指示器、调谐指示器、电源指示器等。发光二极管在正向导通时有一定稳压作用，还可作直流稳压器中的稳压二极管，提供基准电压，兼作电源指示灯。目前市场上还有一种带反射腔及固定装置的发光二要管（例如BT104-B2、BT102-F），很容易固定在仪器面板上。
半导体发光二极管 1 范围 本标准规定了冰箱事业部半导体发光二极管的设计选用要求、试验方法、检验规则和包装、贮存。 本标准适用于冰箱事业部控制器、照明指示灯等所选用的半导体发光二极管。 2 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修改版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 GB/T 191 包装储运图示标志 GB/T 2423.3-1993 电工电子产品基本环境试验规程试验Ca:恒定湿热试验方法(idt IEC 68-2-3:1984) GB/T 4937-1995 半导体分立器件机械和气候试验方法(idt IEC 749:1995) GB/T 4938-1985 半导体分立器件接收和可靠性 GB/T 17626.2-1998 电磁兼容试验和测量技术静电放电抗扰度试验(idt IEC 61000-4-2:1995) QMB-J10.010 关于规范RoHS标识的操作指引 QMB-J10.011 逐批检查计数抽样程序及抽样表 3 半导体发光二极管分类 3.1 按颜色分类 a)红色发光二极管（ D：620-660nm） b)橙色发光二极管（ D：600-620nm） c)黄色发光二极管（ D：580-600nm） d)绿色发光二极管（ D：500-577nm） e)兰色发光二极管（ D：430-480nm） f)紫色发光二极管（ P：380-410nm） g)白色发光二极管（T C：3000-25000K） 3.2 按芯片材料分类 a)InGaAlP/GaAs b)GaN/ Al2O3或SiC衬底 c)InGaN/ Al2O3或SiC衬底 4 要求 4.1 静电防护工艺要求 因产品易受静电破坏，生产及运输过程中应做好静电防护工作, ImGaAlP/GaAs系列及GaN基/SiC衬
LED发光二极管 半导体发光器件包括半导体发光二极管（简称LED）、数码管、符号管、M字管及点阵式显示屏（简称矩阵管）等。事实上，数码管、符号管、M字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。 一、半导体发光二极管工作原理、特性及应用（一）LED发光原理发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光，如图1所示。
假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间附近）捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Ｅg有关，即λ≈1240/Eg（mm）式中Eg的单位为电子伏特（eV）。若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的Eg应在3.26～1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管成本、价格很高，使用不普遍。（二）LED的特性 1．极限参数的意义（1）允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值，LED发热、损坏。（2）最大正向直流
LED发光二极管工作原理及检测方法 发光二极管LED（Light-EmittingDiode）是能将电信号转换成光信号的结型电致发光半导体器件。 1、发光二极管LED主要特点 （1）在低电压（1.5～2.5V）、小电流(5～30mA)的条件下工作，即可获得足够高的亮度。 （2）发光响应速度快（10-7～10-9 s），高频特性好，能显示脉冲信息。 （3）单色性好，常见颜色有红、绿、黄、橙等。 （4）体积小。发光面形状分圆形、长方形、异形（三角形等）。其中圆形管子的外径有φ1、φ2、φ3、φ4、φ5、φ8、φ10、φ12、φ15、φ20（mm）等规格，直径1mm的属于超微型LED。 （5）防震动及抗冲击穿性能好，功耗低，寿命长。由于LED的PN结工作在正向导通状态，本射功耗低，只要加必要的限流措施，即可长期使用，寿命在10万小时以上，甚至可达100万小时。 （6）使用灵活，根据需要可制成数码管、字符管、电平显示器、点阵显示器、固体发光板、LED 平极型电视屏等。 （7）容易与数字集成电路匹配。 2．发光二极管的原理 发光二极管内部是具有发光特性的PN结。当PN结导通时，依靠少数载流子的注入以及随后的复合而辐射发光。普通发光二极管的外形、符号及伏安特性如图1 所示。LED正向伏安特性曲线比较陡，在正向导通之前几乎有电流。当电压超过开启电压时，电流就急剧上升。因此，LED属于电流控制型半导体器件，其发光亮度L（单位cd/m2，读作坎德拉每平方米）与正向电流IF近似成正双，有公式L =K IFm 式中，K为比例系数，在小电流范围内（IF=1～10mA），m=1.3～1.5。当IF>10mA时，m=1，式（L =K IF 即亮度与正向电流成正比。以磷砷化镓黄色LED为例，相对发光强度与正向电流的关系如图2所示。LED的正向电压则与正向电流以及管芯的半导体材料有关。使用时应根据所要求的显示亮度来选取合适的IF值（一般选10mA左右，对于高亮度LED可选1～2mA），既保证亮度适中，也不会损坏LED。若电流过大，会烧毁LED的PN结。此外，LED的使用寿命将缩短。 由于发光二极管的功耗低、体积小，色彩鲜艳、响应速度快、寿命长，所以常用作收录机、收音
LED的测试方法 LED测试标准的制定 解决方案： 测试LED的电特性、光特性、开关特性、颜色特性、热学特性、可靠性 半导体发光二极管（LED）已经被广泛应用于指示灯、信号灯、仪表显示、手机背光、车载光源等场合，尤其是白光LED技术的发展，LED在照明领域的应用也越来越广泛。但是过去对于LED的测试没有较全面的国家标准和行业标准，在生产实践中只能以相对参数为依据，不同的厂家、用户、研究机构对此争议很大，导致国内LED产业的发展受到严重影响。因此，半导体发光二极管测试方法国家标准应运而生。 LED测试方法 基于LED各个应用领域的实际需求，LED的测试需要包含多方面的内容，包括：电特性、光特性、开关特性、颜色特性、热学特性、可靠性等。 1、电特性 LED是一个由半导体无机材料构成的单极性PN结二极管，它是半导体PN 结二极管中的一种，其电压-电流之间的关系称为伏安特性。由图1可知，LED电特性参数包括正向电流、正向电压、反向电流和反向电压，LED必须在合适的电流电压驱动下才能正常工作。通过LED电特性的测试可以获得LED的最大允许正向电压、正向电流及反向电压、电流，此外也可以测定LED的最佳工作电功率。 LED电特性的测试一般利用相应的恒流恒压源供电下利用电压电流表进行测试。 2、光特性 类似于其它光源，LED光特性的测试主要包括光通量和发光效率、辐射通量和辐射效率、光强和光强分布特性和光谱参数等。 （1）光通量和光效
有两种方法可以用于光通量的测试，积分球法和变角光度计法。变角光度计法是测试光通量的最精确的方法，但是由于其耗时较长，所以一般采用积分球法测试光通量。如图2所示，现有的积分球法测LED光通量中有两种测试结构，一种是将被测LED放置在球心，另外一种是放在球壁。 图2 积分球法测LED光通量 此外，由于积分球法测试光通量时光源对光的自吸收会对测试结果造成影响，因此，往往引入辅助灯，如图3所示。 图3 辅助灯法消除自吸收影响 在测得光通量之后，配合电参数测试仪可以测得LED的发光效率。而辐射通量和辐射效率的测试方法类似于光通量和发光效率的测试。 （2）光强和光强分布特性 图4 LED光强测试中的问题 如图4所示，点光源光强在空间各方向均匀分布，在不同距离处用不同接收孔径的探测器接收得到的测试结果都不会改变，但是LED由于其光强分布的不一致使得测试结果随测试距离和探测器孔径变化。因此，CIE-127提出了两种推荐测试条件使得各LED在同一条件下进行光强测试与评价，目前CIE-127条件已经被各LED制造商和检测机构引用。 图5 CIE-127推荐LED光强测试条件（3）光谱参数 LED的光谱特性参数主要包括峰值发射波长、光谱辐射带宽和光谱功率分布等。单色LED的光谱为单一波峰，特性以峰值波长和带宽表示，而白光LED的光谱由多种单色光谱合成。所有LED的光谱特性都可由光谱功率分布表示，而由LED的光谱功率分布还可计算得到色度参数。 光谱功率分布的测试需要通过分光进行，将各色光从混合的光中区分出来进行测定，一般可以采用棱镜和光栅实现分光测定。 图6 白光LED光谱功率分布
万用表检测发光二极管的方法 1．用万用表检测普通发光二极管 A．用指针式万用表R×10k档，测量发光二极管的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值（黑表笔接正极时）约为几十至200kΩ，反向电阻值为∞（无穷大）。在测量正向电阻值时，较高灵敏度的发光二极管，管内会发微光。若用万用表R×1k档测量发光二极管的正、反向电阻值，则会发现其正、反向电阻值均接近∞（无穷大），这是因为发光二极管的正向压降约在2V左右（部分发光二极管压降在3V左右，如白色发光二极管等），而万用表R×1k档内电池的电压值为1.5V，故不能使发光二极管正向导通。 B、用指针式万用表的R×10k档对一只220μF/25V电解电容器充电（黑表笔接电容器正极，红表笔接电容器负极），再将充电后的电容器正极接发光二极管正极、电容器负极接发光二极管负极，若发光二极管有很亮的闪光，则说明该发光二极管完好。 C、用3V直流电源，在电源的正极串接1只47Ω电阻后接发光二极管的正极，将电源的负极接发光二极管的负极，正常的发光二极管应发光。或将1节1.5V 电池串接在万用表的黑表笔（将万用表置于R×10或R×100档，黑表笔接电池负极，等于与表内的1.5V电池串联），将电池的正极接发光二极管的正极，红表笔接发光二极管的负极，正常的发光二极管应发光。 D、如果有两块指针万用表（最好同型号）。用一根导线将其中一块万用表的“+”接线柱与另一块表的“-”接线柱连接。余下的“-”笔接被测发光管的正极（P区），余下的“+”笔接被测发光管的负极（N区）。两块万用表均置×1 0Ω挡。正常情况下，接通后发光二极管就能正常发光。若亮度很低，甚至不发光，可将两块万用表均拨至×1Ω若，若仍很暗，甚至不发光，则说明该发光二极管性能不良或损坏。应注意，不能一开始测量就将两块万用表置于×1Ω，以免电流过大，损坏发光二极管。 2、万用表检测红外发光二极管 红外发光二极管的正向压降一般为1.3～2.5V，可用指针式万用表R×10k档测量红外发光管的正、反向电阻。正常时，正向电阻值约为15~40kΩ（此值越小越好）；反向电阻大于500kΩ。若测得正、反向电阻值均接近零，则说明该红外发光二极管内部已击穿损坏。若测得正、反向电阻值均为无穷大，则说明该
（一）LED发光原理发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP （磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光! 假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间附近）捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关，即（mm）式中Eg的单位为电子伏特（eV）。若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的Eg应在3.26～1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管成本、价格很高，使用不普遍。（二）LED的特性 1．极限参数的意义（1）允许功耗Pm:允许加于LED 两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值，LED发热、损坏。（2）最大正向直流电流IFm：允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。（3）最大反向电压VRm：所允许加的最大反向电压。超过此值，发光二极管可能被击穿损坏。（4）工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围，发光二极管将不能正常工作，效率大大降低。2．电参数的意义（1）光谱分布和峰值波长：某一个发光二极管所发之光并非单一波长，该发光管所发之光中某一波长λ0的光强最大，该波长为峰值波长。（2）发光强度IV：发光二极管的发光强度通常是指法线（对圆柱形发光管是指其轴线）方向上的发光强度。若在该方向上辐射强度为（1/683）W/sr时，则发光1坎德拉（符号为cd）。由于一般LED的发光二强度小，所以发光强度常用坎德拉(mcd)作单位。（3）光谱半宽度Δλ:它表示发光管的光谱纯度.是指图3中1/2峰值光强所对应两波长之间隔. （4）半值角θ1/2和视角：θ1/2是指发光强度值为轴向强度值一半的方向与发光轴向（法向）的夹角。半值角的2倍为 视角（或称半功率角）给出的二只不同型号发光二极管发光强度角分布的情况。中垂线（法线）AO的坐标为相对发光强度（即发光强度与最大发光强度的之比）。显然，法线方向上的相对发光强度为1，离开法线方向的角度越大，相对发光强度越小。由此图可以得到半值角或视角值。（5）正向工作电流If：它是指发光二极管正常发光时的正向电流值。在实际使用中应根据需要选择IF在 0.6·IFm以下。（6）正向工作电压VF：参数表中给出的工作电压是在给定的正
测试二极管的方法 二极管参数的测试可用晶体管图示仪QT-2，或其它仪器进行测试。 在没有仪器的情况下也可用万用表来简单检查二极管的好坏，但这种检测方法不能测量二极管的参数。 初学者在业余条件下可以使用万用表测试二极管性能的好坏。测试前先万用表的转换开关拨到欧姆档的RX1k档位（注意不要使用RX1档，以免电流过大烧坏二极管），再将红、黑两根表笔短路，进行欧姆调零。 1、正向特性测试 把万用表的黑表笔（表内正极）搭触二极管的正极，，红表笔（表内负极）搭触二极管的负极。若表针不摆到0值而是停在标度盘的中间，这时的阻值就是二极管的正向电阻，一般正向电阻越小越好。若正向电阻为0值，说明管芯短路损坏，若正向电阻接近无穷大值，说明管芯断路。短路和断路的管子都不能使用。 2、反向特性测试 把万用表的红表笔搭触二极管的正极，黑表笔搭触二极管的负极，若表针指在无穷大值或接近无穷大值，管子就是合格的。
（一）普通二极管的检测（包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管）是由一个PN结构成的半导体器件，具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻值，可以判别出二极管的电极，还可估测出二 1．极性的判别将万用表置于 R×100档或R×1k档，两表笔分别接二极 管的两个电极，测出一个结果后，对调两表 笔，再测出一个结果。两次测量的结果中， 有一次测量出的阻值较大（为反向电阻）， 一次测量出的阻值较小（为正向电阻）。在 阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是二极 管的正极，红表笔接的是二极管的负极。 2．单向导电性能的检测及好坏的判断通常，锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右，反向电阻值为300 kΩ左右。硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右，反向电阻值为∞（无穷大）。正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊，说明二极管的单向导电特性越好。 若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小，则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大，则说明该二极管已开路损坏。 （二）稳压二极管的检测 1．正、负电极的判别从外形上看，金属封装稳压二极管管体的正极一端为平面形，负极一端为半圆面形。塑封稳压二极管管体上印有彩色标记的一端为负极，另一端为正极。对标志不清楚的稳压二极管，也可以用万用表判别其极性，测量的方法与普通二极管相同，即用万用表R×1k档，将两表笔分别接稳压二极管的两个电极，测出一个结果后，再对调两表笔进行测量。在两次测量结果中，阻值较小那一次，黑表笔接的是稳压二极管的正极，红表笔接的是稳压二极管的负极。 若测得稳压二极管的正、反向电阻均很小或均为无穷大，则说明该二极管已击穿或开路损坏。 2．稳压值的测量用0~30V连续可调直流电源，对于13V以下的稳压
https://www.doczj.com/doc/ab6280601.html, 电子发烧友 https://www.doczj.com/doc/ab6280601.html, 电子技术论坛 发光二极管测试方法 摘要 系统地介绍了与发光二极管测试有关的术语和定义,在此基础上,详细介绍了测试方法和测试装置的要求。 1 前言 半导体发光二极管是一种重要的光电子器件,它在科学研究和工农业生产中均有非常广泛的应用.发光二极管虽小,但要准确测量它的各项光和辐射参数并非一件易事.目前在世界范围内的测试比对还有较大的差异.鉴于此,CIE(国际照明委员 会)TC2-34小组对此进行了研究,所提出的技术报告形成了CIE127-1997文件. 中国光学光电子行业协会光电器件专业分会根据国内及行业内部的实际情况,初步制定了行业标准"发光二极管测试方法",2002年起在行业内部试行.本文叙述了与发光二极管测试有关的术语和定义,在此基础上,详细介绍了测试方法和测试装置的要求,以期收到抛砖引玉之效果. 本文涉及的测试方法适用于紫外/可见光/红外发光二极管及其组件,其芯片测试可以参照进行。 2 术语和定义 2.1发光二极管 LED 除半导体激光器外，当电流激励时能发射光学辐射的半导体二极管。严格地讲，术语LED应该仅应用于发射可见光的二极管；发射近红外辐射的二极管叫红外发光二极管（IRED,Infrared Emitting Diode）；发射峰值波长在可见光短波限附近，由部份紫外辐射的二极管称为紫外发光二极管；但是习惯上把上述三种半导体二极管统称为发光二极管。 2.2光轴 Optical axis 最大发光（或辐射）强度方向中心线。 2.3正向电压VF Forward voltage 通过发光二极管的正向电流为确定值时，在两极间产生的电压降。 2.4反向电流IR Reverse current 加在发光二极管两端的反向电压为确定值时，流过发光二极管的电流。 2.5反向电压VR Reverse voltage 被测LED器件通过的反向电流为确定值时，在两极间所产生的电压降。 2.6总电容C Capacitance 在规定正向偏压和规定频率下，发光二极管两端的电容。 2.7开关时间 Switching time 涉及以下概念的最低和最高规定值是10％和90％，除非特别注明。 2.7.1开启延迟时间td(on) Turn-on delay time
二极管的检测方法与经验 四、二极管的检测方法与经验 检测小功率晶体二极管 判别正、负电极 观察外壳上的的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号，带有三角形箭头的一端为正极，另一端是负极。 观察外壳上的色点。在点接触二极管的外壳上，通常标有极性色点(白色或红色)。一般标有色点的一端即为正极。还有的二极管上标有色环，带色环的一端则为负极。 (c)以阻值较小的一次测量为准，黑表笔所接的一端为正极，红表笔所接的一端则为负极。 检测最高工作频率fM。晶体二极管工作频率，除了可从有关特性表中查阅出外，实用中常常用眼睛观察二极管内部的触丝来加以区分，如点接触型二极管属于高频管，面接触型二极管多为低频管。另外，也可以用万用表R×1k 挡进行测试，一般正向电阻小于的多为高频管。 检测最高反向击穿电压VRM。对于交流电来说，因为不断变化，因此最高反向工作电压也就是二极管承受的交流峰值电压。需要指出的是，最高反向工作电压并不是二极管的击穿电压。一般情况下，二极管的击穿电压要比最高反向工作电压高得多(约高一倍)。 检测玻封硅高速开关二极管 检测硅高速开关二极管的方法与检测普通二极管的方法相同。不同的是，这种管子的正向电阻较大。用R×1k电阻挡测量，一般正向电阻值为～，反向电阻值为无穷大。 检测快恢复、超快恢复二极管 用万用表检测快恢复、超快恢复二极管的方法基本与检测塑封硅整流二极管的方法相同。即先用R×1k挡检测一下其单向导电性，一般正向电阻为左右，反向电阻为无穷大；再用R×1挡复测一次，一般正向电阻为几，反向电阻仍为无穷大。 检测双向触发二极管 将万用表置于R×1k挡，测双向触发二极管的正、反向电阻值都应为无穷大。若交换表笔进行测量，万用表指针向右摆动，说明被测管有漏电性故障。 将万用表置于相应的直流电压挡。测试电压由兆欧表提供。测试时，摇动兆欧表，万用表所指示的电压值即为被测管子的VBO值。然后调换被测管子的两个引脚，用同样的方法测出VBR值。最后将VBO与VBR进行比较，两者的绝对值之差越小，说明被测双向触发二极管的对称性越好。 瞬态电压抑制二极管(TVS)的检测 用万用表R×1k挡测量管子的好坏 对于单极型的TVS，按照测量普通二极管的方法，可测出其正、反向电阻，一般正向电阻为4kΩ左右，反向电阻为无穷大。 对于双向极型的TVS，任意调换红、黑表笔测量其两引脚间的电阻值均应为无穷大，否则，说明管子性能不良或已经损坏。 高频变阻二极管的检测 识别正、负极 高频变阻二极管与普通二极管在外观上的区别是其色标颜色不同，普通二极管的色标颜色一般为黑色，而高频变阻二极管的色标颜色则为浅色。其极性规律与普通二极管相似，即带绿色环的一端为负极，不带绿色环的一端为正极。 测量正、反向电阻来判断其好坏 具体方法与测量普通二极管正、反向电阻的方法相同，当使用500型万用表R×1k挡测量时，正常的高频变阻二极管的正向电阻为～，反向电阻为无穷大。 变容二极管的检测 将万用表置于R×10k挡，无论红、黑表笔怎样对调测量，变容二极管的两引脚间的电阻值均应为无穷大。如果在测量中，发现万用表指针向右有轻微摆动或阻值为零，说明被测变容二极管有漏电故障或已经击穿损坏。对于变容二极管容量消失或内部的开路性故障，用万用表是无法检测判别的。必要时，可用替换法进行检查判断。 单色发光二极管的检测
1．发光二极管的特点 发光二极管LED（Light-Emitting Diode）是能将电信号转换成光信号的结型电致发光半导体器件。其主要特点是： （1）在低电压（～）、小电流(5～30mA)的条件下工作，即可获得足够高的亮度。 （2）发光响应速度快（10-7～10-9 s），高频特性好，能显示脉冲信息。 （3）单色性好，常见颜色有红、绿、黄、橙等。 （4）体积小。发光面形状分圆形、长方形、异形（三角形等）。其中圆形管子的外径有φ1、φ2、φ3、φ4、φ5、φ8、φ10、φ12、φ15、φ20（mm）等规格，直径1 mm的属于超微型LED。 （5）防震动及抗冲击穿性能好，功耗低，寿命长。由于LED的PN结工作在正向导通状态，本射功耗低，只要加必要的限流措施，即可长期使用，寿命在10万小时以上，甚至可达100万小时。 （6）使用灵活，根据需要可制成数码管、字符管、电平显示器、点阵显示器、固体发光板、LED平极型电视屏等。 （7）容易与数字集成电路匹配。 2．发光二极管的原理 发光二极管内部是具有发光特性的PN结。当PN结导通时，依靠少数载流子的注入以及随后的复合而辐射发光。普通发光二极管的外形、符号及伏安特性如图1所示。LED正向伏安特性曲线比较陡，在正向导通之前几乎有电流。当电压超过开启电压时，电流就急剧上升。因此，LED属于电流控制型半导体器件，其发光亮度L（单位cd/m2，读作坎[德拉]每平方米）与正向电流IF近似成正双，有公式L =K IFm
式中，K为比例系数，在小电流范围内（IF=1～10mA），m=～。当IF＞10mA时，m=1，式（）简化成 L =K IF 即亮度与正向电流成正比。以磷砷化镓黄色LED为例，相对发光强度与正向电流的关系如图2所示。LED的正向电压则与正向电流以及管芯的半导体材料有关。使用时应根据所要求的显示亮度来选取合适的IF值（一般选10mA左右，对于高亮度LED可选1～2mA），既保证亮度适中，也不会损坏 LED。若电流过大，就会烧毁LED的PN结。此外，LED的使用寿命将缩短。 由于发光二极管的功耗低、体积小，色彩鲜艳、响应速度快、寿命长，所以常用作收录机、收音机和电子仪器的电平指示器、调谐指示器、电源指示器等。发光二极管在正向导通时有一定稳压作用，还可作直流稳压器中的稳压二极管，提供基准电压，兼作电源指示灯。目前市场上还有一种带反射腔及固定装置的发光二要管（例如BT104-B2、BT102-F），很容易固定在仪器面板上。 LED的输出光谱决定其发光颜色及光辐射纯度，也反映出半导体材料的特性。常见管芯材料有磷化镓（GaP）、砷化镓（GaAsP）、磷砷化镓（GaAlAs）、砷铝化镓（GaN）氮化镓可发蓝光。 3．使用注意事项 （1）管子极性不得接反，一般讲引线较长的为正极，引线较短的是负极。 （2）使用中各项参数不得超过规定极限值。正向电流IF不允许超过极限工作电流IFM值，并且随着环境温度的升高，必须作降额使用。长期使用温度不宜超过75℃。 （3）焊接时间应尽量短，焊点不能在管脚根部。焊接时应使用镊子夹住管脚根部散热，宜用中性助焊剂（松香）或选用松香焊锡丝。 （4）严禁用有机溶液浸泡或清洗。 （5）LED的驱动电路必须加限流电阻，一般可取一百欧至几百欧，视电源电压而定。
发光二极管主要参数与特性 LED 是利用化合物材料制成 pn 结的光电器件。它具备pn 结结型器 件的电学特性：I-V 特性、C-V 特性和光学特性：光谱响应特性、发光光强指向特性、时间特性以及热学特性。 1、LED 电学特性 1.1 I-V 特性 表征LED 芯片pn 结制备性能主要参数。LED 的I-V 特性具有非线性、整流性质：单向导电性，即外加正偏压表现低接触电阻，反之为高接触电阻。 如左图： (1) 正向死区：（图oa 或oa ′段）a 点对于V 0 为开启电压，当V ＜Va ，外加电 场尚克服 不少因载 流子扩散 而形成势垒电场，此时R 很大；开启电压对于不同LED 其值不同，GaAs 为1V ，红色GaAsP 为1.2V ，GaP 为1.8V ，GaN 为2.5V 。 （2）正向工作区：电流I F 与外加电压呈指数关系 I F = I S (e qV F /KT –1) -------------------------I S 为反向饱和电流 。 V ＞0时，V ＞V F 的正向工作区I F 随V F 指数上升 I F = I S e qV F /KT （3）反向死区 ：V ＜0时pn 结加反偏压 V= - V R 时，反向漏电流I R （V= -5V ）时，GaP 为0V ，GaN 为10uA 。 （4）反向击穿区 V ＜- V R ，V R 称为反向击穿电压；V R 电压对应I R 为反向漏电流。当反向偏压一直增加使V ＜- V R 时，则出现I R 突然增加而出现击穿现象。由于所用化合物材料种类不同，各种LED 的反向击穿电压V R 也不同。 1.2 C-V 特性 鉴于LED 的芯片有9×9mil (250×250um)，10×10mil ，11×11mil (280×280um)，12×12mil (300×300um)，故pn 结面积大小不一，使其结电容（零偏压） C ≈n+pf 左右。 C-V 特性呈二次函数关系（如图2）。由1MH Z 交流信号用C-V 特性测试仪测得。 1.3 最大允许功耗PF m 当流过LED 的电流为I F 、
半导体发光器件包括半导体发光二极管（简称LED）、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏（简称矩阵管）等。事实上，数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。 一、半导体发光二极管工作原理、特性及应用 （一）LED发光原理 发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般 P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光，如图1所示。 假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间附近）捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是
在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。 理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Ｅg有关， 即λ≈1240/Eg（mm）式中Eg的单位为电子伏特（eV）。若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的Eg应在3.26～1.63eV 之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管成本、价格很高，使用不普遍。 （二）LED的特性 1．极限参数的意义 （1）允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值，LED发热、损坏。 （2）最大正向直流电流IFm：允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。 （3）最大反向电压VRm：所允许加的最大反向电压。超过此值，发光二极管可能被击穿损坏。 （4）工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围，发光二极管将不能正常工作，效率大大降低。
民常用电子元器件检测方法与技巧元器件的检测是家电维修的一项基本功，如何准确有效地检测元器件的相关参数，判断元器件的是否正常，不是一件千篇一律的事，必须根据不同的元器件采用不同的方法，从而判断元器件的正常与否。特别对初学者来说，熟练掌握常用元器件的检测方法和经验很有必要，以下对常用电子元器件的检测经验和方法进行介绍供对考。 一、电阻器的检测方法与经验： 1 固定 1 固定电容器的检测 A 检测10pF以下的小电容 因10pF以下的固定电容器容量太小，用万用表进行测量，只能定性的检查其是否有漏电，内部短路或击穿现象。测量时，可选用万用表R×10k挡，用两表笔分别任意接电容的两个引脚，阻值应为无穷大。若测出阻值(指针向右摆动)为零，则说明电容漏电损坏或内部击穿。B 检测10PF～0 01μF固定电容器是否有充电现象，进而判断其好坏。万用表选用R×1k挡。两只三极管的β值均为100以上，且穿透电流要小。可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接。由于复合三极管的放大作用，把被测电容的充放电过程予以放大，使万用表指针摆幅度加大，从而便于观察。应注意的是：在测试操作时，特别是在测较小容量的电容时，要反复调换被测电容引脚接触A、B两点，才能明显地看到万用表指针的摆动。C 对于0 01μF以上的固定电容，可用万用表的 R×10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电，并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量。 2 电解电容器的检测 A 因为电解电容的容量较一般固定电容大得多，所以，测量时，应针对不同容量选用合适的量程。根据经验，一般情况下，1～47μF间的电容，可用R×1k挡测量，大于47μF的电容可用R×100挡测量。 B 将万用表红表笔接负极，黑表笔接正极，在刚接触的瞬间，万用表指针即向右偏转较大偏度(对于同一电阻挡，容量越大，摆幅越大)，接着逐渐向左回转，直到停在某一位置。此时的阻值便是电解电容的正向漏电阻，此值略大于反向漏电阻。实际使用经验表明，电解电容的漏电阻一般应在几百kΩ以上，否则，将不能正常工作。在测试中，若正向、反向均无充电的现象，即表针不动，则说明容量消失或内部断路；如果所测阻值很小或为零，说明电容漏电大或已击穿损坏，不能再使用。 C 对于正、负极标志不明的电解电容器，可利用上述测量漏电阻的方法加以判别。即先任意测一下漏电阻，记住其大小，然后交换表笔再测出一个阻值。两次测量中阻值大的那一次便是正向接法，即黑表笔接的是正极，红表笔接的是
二极管如何测量_各种二极管测量方法 一.二极管测量方法—普通二极管的检测（包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管）是由 一个pn结构成的半导体器件，具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻值，可以判别岀二极管的电极，还可估测 岀二极管是否损坏。 1极性的判别将万用表置于r x 100档或r x 1k档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出一个结果后，对调两表笔，再测岀一个结果。两次测量的结果中，有一次测量岀的阻值较大（为反向电阻），一次测量岀的阻值较小（为正向电阻）。在阻值较 小的一次测量中，黑表笔接的是二极管的正极，红表笔接的是二极管的负极。 2. 单负导电性能的检测及好坏的判断通常，锗材料二极管的正向电阻值为1k 左右，反向电阻值为300左右。硅材料二 极管的电阻值为5k 左右，反向电阻值为无穷大）。正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊，说明二极管的单向导电特性越好。 若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小，则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。若测得二极管的正、反 向电阻值均为无穷大，则说明该二极管已开路损坏。 3. 反向击穿电压的检测二极管反向击穿电压（耐压值）廿用晶体管直流参数测试表测量。其方法是：测量二极管时，应将 测试表的“ npn/pnp "选择键设置为npn状态，再将被测二极管的正极接测试表的“c”插孔内，负极倉入测试表的“ e"插孔， || …,_ _____________________________ 一 . 魅后按下“ v （br）”键，测试表帥可指示岀二极管的反向击穿电压值。 也￡_兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接，将二极管的正极与 兆欧表的负极椿连，同时用万用表（置于合适的直流电压档）监测二极管两端的电压。如图4-71所示，摇动兆欧表手柄（应 由慢仝工加快），待二极管两端电压稳定而不再上升时，此电压值即是二极管的反向击穿电压。 图4?71用兆跌袁和万用衣测 I 二.二极管测量方法—稳压二极管的检测 1?正、负电极的判别从外形上看，金属封装稳压二极管管体的正极一端为平面形，负极一端为半圆面形。塑封稳压二极管管体
LED发光二极管技术参数常识 半导体发光器件包括半导体发光二极管(简称LED)、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏(简称矩阵管)等。事实上，数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。 一、半导体发光二极管工作原理、特性及应用 (一)、LED发光原理 发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光。 假设发光是在P区中发生的,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光,或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心(这个中心介于导带、介带中间附近)捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。 理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关，即λ≈1240/Eg(mm)式中Eg 的单位为电子伏特(eV)。若能产生可见光(波长在380nm紫光~780nm红光)，半导体材料的Eg应在 3.26~1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管成本、价格很高，使用不普遍。 (二)、LED的特性 1.极限参数的意义 (1)允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值，LED发热、损坏。 (2)最大正向直流电流IFm:允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。 (3)最大反向电压VRm:所允许加的最大反向电压。超过此值，发光二极管可能被击穿损坏。 (4)工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围，发光二极管将不能正常工作，效率大大降低。 2.电参数的意义 (1)光谱分布和峰值波长:某一个发光二极管所发之光并非单一波长。 (2)发光强度IV:发光二极管的发光强度通常是指法线(对圆柱形发光管是指其轴线)方向上的发光强度。若在该方向上辐射强度为(1/683)W/sr时，则发光1坎德拉(符号为cd)。由于一般LED的发光二强度小，所以发光强度常用坎德拉(mcd)作单位。 (3)光谱半宽度Δλ:它表示发光管的光谱纯度.是指图3中1/2峰值光强所对应两波长之间隔. (4)半值角θ1/2和视角:θ1/2是指发光强度值为轴向强度值一半的方向与发光轴向(法向)的夹角。半值角的2倍为视角(或称半功率角)。 图3给出的二只不同型号发光二极管发光强度角分布的情况。中垂线(法线)AO的坐标为相对发光强度(即发光强度与最大发光强度的之比)。显然，法线方向上的相对发光强度为1，离开法线方向的角度越大，相对发光强度越小。由此图可以得到半值角或视角值。
1.用数字万用表的二极管档位测量二极管。 2.测二极管时，使用万用表的二极管的档位。若将红表笔接二极管阳（正）极，黑表笔接二极管阴（负）极，则二极管处于正偏，万用表有一定数值显示。若将红表笔接二极管阴极，黑表笔接二极管阳极，二极管处于反偏，万用表高位显示为“1”或很大的数值，此时说明二极管是好的。在测量时若两次的数值均很小，则二极管内部短路；若两次测得的数值均很大或高位为“1”，则二极管内部开路2．用数字万用表测量三极管（1）用数字万用表的二极管档位测量三极管的类型和基极b 判断时可将三极管看成是一个背靠背的PN结，如图2.1所示。按照判断二极管的方法，可以判断出其中一极为公共正极或公共负极，此极即为基极b。对NPN型管，基极是公共正极；对PNP型管则是公共负极。因此，判断出基极是公共正极还是公共负极，即可知道被测三极管是NPN或PNP型三极管。（2）发射极e和集电极c的判断利用万用表测量β（HFE）值的档位，判断发射极e和集电极c。将档位旋至MFE基极插入所对应类型的孔中，把其于管脚分别插入c、e孔观察数据，再将c、e孔中的管脚对调再看数据，数值大的说明管脚插对了。（3）判别三极管的好坏测试时用万用表测二极管的档位分别测试三极管发射结、集电结的正、反偏是否正常，正常的三极管是好的，否则三极管已损坏。如果在测量中找不到公共b极、该三极管也为坏管子。（1）检查三极管的两个PN结。我们以PNP管为例来说明，一只PNP型的三极管的结构相当于两只二极管，负极靠负极接在一起。我们首先用万用表R×100或R×1K挡测一下e与b之间和e 与c之间的正反向电阻。当红表笔接b 时，用黑表笔分别接e和c应出现两次阻值小的情况。然后把接b 的红表笔换成黑表笔，再用红表笔分别接e和c，将出现两次阻值大的情况。被测三极管符合上述情况，说明这只三极管是好的。（2）检查三极管的穿透电流：我们把三极管c、e之间的反向电阻叫测穿透电流。用万用表红表笔接PNP三极管的集电极c , 黑表笔接发射极e，看表的指示数值，这个阻值一般应大于几千欧，越大越好越小说明这只三极管稳定性越差。（3）测量三极管的放大性能：分别用表笔接三极管的c和e看一下万用表的指示数值，然后再c与b间连接一只50--100K的电阻看指针向右摆动的多少，摆动越大说明这只管子的放大倍数越高。外接电阻也可以用人体电阻代替，即用手捏住b和c.一.万用表检测普通二极管的极性与好坏。检测原理：根据二极管的单向导电性这一特点性能良好的二极管，其正向电阻小，反向电阻大；这两个数值相差越大越好。若相差不多说明二极管的性能不好或已经损坏。测量时，选用万用表的“欧姆”挡。一般用R x100或R xlk挡，而不用Rx1或R x10k挡。因为Rxl挡的电流太大，容易烧坏二极管，R xlok挡的内电源电压太大，易击穿二极管. 测量方法：将两表棒分别接在二极管的两个电极上，读出测量的阻值；然后将表棒对换再测量一次，记下第二次阻值。若两次阻值相差很大，说明该二极管性能良好；并根据测量电阻小的那次的表棒接法(称之为正向连接)，判断出与黑表棒连接的是二极管的正极，与红表棒连接的是二极管的负极。因为万用表的内电源的正极与万用表的“—”插孔连通，内电源的负极与万用表的“＋”插孔连通。如果两次测量的阻值都很小，说明二极管已经击穿；如果两次测量的阻值都很大，说明二极管内部已经断路：两次测量的阻值相差不大，说明二极管性能欠佳。在这些情况下，二极管就不能使用了。必须指出：由于二极管的伏安特性是非线性的，用万用表的不同电阻挡测量二极管的电阻时，会得出不同的电阻值；实际使用时，流过二极管的电流会较大，因而二极管呈现的电阻值会更小些。二.特殊类型二极管的检测。①稳压二极管。稳压二极管是一种工作在反向击穿区、具有稳定电压作用的二极管。其极性与性能好坏的测量与普通二极管的测量方法相似，不同之处在于：当使用万用表的Rxlk挡测量二极管时，测得其反向电阻是很大的，此时，将万用表转换到Rx10k档，如果出现万用表指针向右偏转较大角度，即反向电阻值减小很多的情况，则该二极管为稳压二极管；如果反向电阻基本不变，说明该二极管是普通二极管，而不是稳压二极管。稳压二极管的测量原理是：万用表Rxlk挡的内电池电压较小，通常不会使普通二极管