集成电路版图设计师职业标准（试行）
一.、职业概况
1.1职业名称
集成电路版图设计师
1.2职业定义
通过EDA设计工具，进行集成电路后端的版图设计和验证，最终产生送交供集成电路制造用的GDSII数据。
1.3 职业等级
本职业共设四个等级，分别是版图设计员（职业资格四级）、助理版图设计师（职业资格三级）、版图设计师（职业资格二级）、高级版图设计师（职业资格一级）。
1.4 职业环境条件
室内、常温
1.5 职业能力特征
具有良好的电脑使用基础与较强的外语阅读能力；具备一定的半导体微电子基础理论。具有很强的学习能力。
1.6 基本文化程度
理工科高等专科学历。
1.7 培训要求
1.7.1 培训期限
全日制职业学校教育：根据其培养目标和教学计划确定。
晋级培训期限：版图设计员不少于240标准学时；助理版图设计师不少于240标准学时；版图设计师不少于200标准学时；高级版图设计师不少于180标准学时。
1.8 鉴定要求
1.8.1 适用对象
从事或准备从事集成电路版图设计的人员。
1.8.2 申报条件
以上各等级申报条件均参照“关于职业技能鉴定申报条件的暂行规定”
1.8.3 鉴定方式
分为理论知识考试和技能操作考核。技能操作考核采用上机实际操作方式，由3－5名考评员组成考评小组，根据考生现场操作表现及实际操作输出结果，按统一标准评定得分。两项鉴定均采用100分制，皆达60分及以上者为合格。
1.8.4 考评人员与考生
理论知识考试：平均15名考生配一名考评员。技能操作考核：平均5－8 名考生配1名考评员。
1.8.5 鉴定时间
理论知识考试：设计员、助理设计师90分钟，设计师、高级设计师120分钟。
技能操作考核：设计员、助理设计师90分钟，设计师、高级设计师120分钟。
1.8.6 鉴定场地设备
用于理论知识考试的标准教室；
用于操作技能考试的场所：具有EDA设计平台和网络教学系统等设备和软件，不少于20个考位。
二、基本要求
三、工作要求
本标准对版图设计员(四级)、助理版图设计师(三级)、版图设计师(二级)和高级版图设计师(一级)的工作内容和职业能力要求依次递进，高级别覆盖低级别。
3.2 各等级工作要求
版图设计员工作要求表(四级)
助理版图设计师工作要求表(三级)
版图设计师工作要求表(二级)
高级版图设计师工作要求表(一级)
四、比重表
4.1理论知识
一、填空 1.ls (填写参数)命令用于显示隐藏文件。（-a） 2.进入当前目录的父目录的命令为 (%cd ..) 3.查看当前工作目录的命令为：（%pwd） 4.目录/home//uuu已建立，当前工作目录为/home/，采用绝对路径进入/home//uuu 的命令为：（%cd /home//uuu） 5.假设对letter文件有操作权限，命令%chmod a+rw letter会产生什么结果：（对 所有的用户增加读写权限。） 6.显示当前时间的命令为：（%date） 7.打开系统管理窗口的命令为：（%admintool） 8.与IP地址为166.111.4.80的主机建立FTP连接的命令为：（%ftp 166.111.4.80 or %ftp %open 166.111.4.80） 9.建立FTP连接后，接收单个文件的命令为：（%get） 10.建立FTP连接后，发送多个文件的命令为：（%mput） 11.有一种称为0.13um 2P5M CMOS单井工艺, 它的特征线宽为______，互连层共有 _____层，其电路类型为_______。0.13um 7 CMOS 12.请根据实际的制造过程排列如下各选项的顺序： a.生成多晶硅 b.确定井的位置和大小 c.定义扩散区，生成源漏区 d.确定有源区的位置和大小 e.确定过孔位置 正确的顺序为：___ _________________。bdace 13.集成电路中的电阻主要有__________, ____________, _____________三种。井电 阻，扩散电阻，多晶电阻 14.为方便版图绘制，通常将Contact独立做成一个单元，并以实例的方式调用。若该 Contact单元称为P型Contact，由4个层次构成，则该四个层次分别为：_________，_________, _________, ___________. active, P+ diffusion, contact, metal. 15.CMOS工艺中，之所以要将衬底或井接到电源或地上，是因为 ___________________________________。报证PN结反偏，使MOS器件能够正常工 作。 16.版图验证主要包括三方面：________，__________，__________; 完成该功能的 Cadence工具主要有（列举出两个）：_________，_________。DRC, LVS, ERC, Diva, Dracula 17.造成版图不匹配的因数主要来自两个方面：一是制造工艺引起的，另一个是 __________;后者又可以进一步细分为两个方面：_______________， _____________。片上环境波动，温度波动，电压波动。 18.DRC包括几种常见的类型，如最大面积（Maximum Dimension），最小延伸（Minimum Extension），此外还有_________，_________，_________。最小间距，最小宽度，最小包围（Minimum Enclosure）。 19.减少天线效应的三种方法有：____________，____________，__________。插入二 极管，插入缓冲器，Jumper (或者，通过不同的金属层绕线)。 20.由于EDA工具的不统一，出现了各种不同的文件格式，如LEF, DEF等，业界公认 的Tape out的文件格式为 _______，它不可以通过文本编辑器查看，因为它是
集成电路版图设计师职业标准（试行） 一.、职业概况 1.1 职业名称集成电路版图设计师 1.2 职业定义 通过EDA 设计工具，进行集成电路后端的版图设计和验证，最终产生送交供集成电路制造用的GDSII 数据。 1.3 职业等级本职业共设四个等级，分别是版图设计员（职业资格四级）、助理版图设计师（职业资格三级）、版图设计师（职业资格二级）、高级版图设计师（职业资格一级）。 1.4 职业环境条件室内、常温 1.5 职业能力特征具有良好的电脑使用基础与较强的外语阅读能力；具备一定的半导体微电子基础理论。具有很强的学习能力。 1.6 基本文化程度理工科高等专科学历。 1.7 培训要求 1.7.1 培训期限全日制职业学校教育：根据其培养目标和教学计划确定。晋级培训 期限：版图设计员不少于240 标准学时；助理版图设计师不少于 240 标准学时；版图设计师不少于200 标准学时；高级版图设计师不少于180标准学时。 1.8 鉴定要求 1.8.1 适用对象从事或准备从事集成电路版图设计的人员。 1.8.2 申报条件以上各等级申报条件均参照“关于职业技能鉴定申报条件的暂行规 定” 1.8.3 鉴定方式分为理论知识考试和技能操作考核。技能操作考核采用上机实际操作 方式， 由3－ 5 名考评员组成考评小组，根据考生现场操作表现及实际操作输出结果，按统一标准评定得分。两项鉴定均采用100分制，皆达60 分及以上者为合格。 1.8.4 考评人员与考生 理论知识考试：平均15 名考生配一名考评员。技能操作考核：平均5－8 名考生配 1 名考评员。 1.8.5 鉴定时间 理论知识考试：设计员、助理设计师90 分钟，设计师、高级设计师120分钟。 技能操作考核：设计员、助理设计师90 分钟，设计师、高级设计师120分钟。 1.8.6 鉴定场地设备用于理论知识考试的标准教室；用于操作技能考试的场所：具有EDA 设计平台和网络教学系统等设备和软件，不少于20 个考位。
集成电路版图设计 班级12级微电子姓名陈仁浩学号2012221105240013 摘要：介绍了集成电路版图设计的各个环节及设计过程中需注意的问题，然后将IC版图设计与PCB版图设计进行对比，分析两者的差异。最后介绍了集成电路版图设计师这一职业，加深对该行业的认识。 关键词: 集成电路版图设计 引言: 集成电路版图设计是实现集成电路制造所必不可少的设计环节，它不仅关系到集成电路的功能是否正确，而且也会极大程度地影响集成电路的性能、成本与功耗。近年来迅速发展的计算机、通信、嵌入式或便携式设备中集成电路的高性能低功耗运行都离不开集成电路掩模版图的精心设计。一个优秀的掩模版图设计者对于开发超性能的集成电路是极其关键的。 一、集成电路版图设计的过程 集成电路设计的流程：系统设计、逻辑设计、电路设计（包括：布局布线验证）、版图设计版图后仿真（加上寄生负载后检查设计是否能够正常工作）。集成电路版图设计是集成电路从电路拓扑到电路芯片的一个重要的设计过程，它需要设计者具有电路及电子元件的工作原理与工艺制造方面的基础知识，还需要设计者熟练运用绘图软件对电路进行合理的布局规划，设计出最大程度体现高性能、低功耗、低成本、能实际可靠工作的芯片版图。集成电路版图设计包括数字电路、模拟电路、标准单元、高频电路、双极型和射频集成电路等的版图设计。具体的过程为： 1、画版图之前，应与IC 工程师建立良好沟通在画版图之前，应该向电路设计者了解PAD 摆放的顺序及位置，了解版图的最终面积是多少。在电路当中，哪些功能块之间要放在比较近的位置。哪些器件需要良好的匹配。了解该芯片的电源线和地线一共有几组，每组之间各自是如何分布在版图上的？ IC 工程师要求的工作进度与自己预估的进度有哪些出入？ 2、全局设计：这个布局图应该和功能框图或电路图大体一致,然后根据模块的面积大小进行调整。布局设计的另一个重要的任务是焊盘的布局。焊盘的安排要便于内部信号的连接，要尽量节省芯片面积以减少制作成本。焊盘的布局还应该便于测试，特别是晶上测试。 3、分层设计：按照电路功能划分整个电路，对每个功能块进行再划分，每一个模块对应一个单元。从最小模块开始到完成整个电路的版图设计，设计者需要建立多个单元。这一步就是自上向下的设计。 4、版图的检查： （1）Design Rules Checker 运行DRC，DRC 有识别能力，能够进行复杂的识别工作，在生成最终送交的图形之前进行检查。程序就按照规则检查文件运行，发现错误时，会在错误的地方做出标记，并且做出解释。
北京工业大学集成电路板图设计报告 姓名：张靖维 学号：12023224 2015年 6 月 1日
目录 目录 (1) 1 绪论 (2) 1.1 介绍 (2) 1.1.1 集成电路的发展现状 (2) 1.1.2 集成电路设计流程及数字集成电路设计流程 (2) 1.1.3 CAD发展现状 (3) 2 电路设计 (4) 2.1 运算放大器电路 (4) 2.1.1 工作原理 (4) 2.1.2 电路设计 (4) 2.2 D触发器电路 (12) 2.2.1 反相器 (12) 2.2.2 传输门 (12) 2.2.3 与非门 (13) 2.2.4 D触发器 (14) 3 版图设计 (15) 3.1 运算放大器 (15) 3.1.1 运算放大器版图设计 (15) 3.2 D触发器 (16) 3.2.1 反相器 (16) 3.2.2 传输门 (17) 3.2.3 与非门 (17) 3.2.4 D触发器 (18) 4 总结与体会 (19)
1 绪论 随着晶体管的出现，集成电路随之产生，并极大地降低了电路的尺寸和成本。而由于追求集成度的提高，渐渐设计者不得不利用CAD工具设计集成电路的版图，这样大大提高了工作效率。在此单元中，我将介绍集成电路及CAD发展现状，本次课设所用EDA工具的简介以及集成电路设计流程等相关内容。 1.1介绍 1.1.1集成电路的发展现状 2014年，在国家一系列政策密集出台的环境下，在国内市场强劲需求的推动下，我国集成电路产业整体保持平稳较快增长，开始迎来发展的加速期。随着产业投入加大、技术突破与规模积累，在可以预见的未来，集成电路产业将成为支撑自主可控信息产业的核心力量，成为推动两化深度融合的重要基础。、 1.1.2集成电路设计流程及数字集成电路设计流程 集成电路设计的流程一般先要进行软硬件划分，将设计基本分为两部分：芯片硬件设计和软件协同设计。芯片硬件设计包括：功能设计阶段，设计描述和行为级验证，逻辑综合，门级验证（Gate-Level Netlist Verification），布局和布线。模拟集成电路设计的一般过程：电路设计，依据电路功能完成电路的设计；.前仿真，电路功能的仿真，包括功耗，电流，电压，温度，压摆幅，输入输出特性等参数的仿真；版图设计（Layout），依据所设计的电路画版图；后仿真，对所画的版图进行仿真，并与前仿真比较，若达不到要求需修改或重新设
集成电路版图设计笔试面试大全 1. calibre语句 2. 对电路是否了解。似乎这个非常关心。 3. 使用的工具。 , 熟练应用UNIX操作系统和L_edit，Calibre, Cadence, Virtuoso, Dracula 拽可乐(DIVA),等软件进行IC版图 绘制和DRC，LVS，ERC等后端验证 4. 做过哪些模块 其中主要负责的有Amplifier，Comparator，CPM，Bandgap，Accurate reference，Oscillator，Integrated Power MOS，LDO blocks 和Pad，ESD cells以及top的整体布局连接 5. 是否用过双阱工艺。 工艺流程见版图资料 在高阻衬底上同时形成较高的杂质浓度的P阱和N阱，NMOS、PMOS分别做在这两个阱中，这样可以独立调节两种沟道MOS管的参数，使CMOS电路达到最优特性，且两种器件间距离也因采用独立的阱而减小，以适合于高密度集成，但是工艺较复杂。 制作MOS管时，若采用离子注入，需要淀积Si3N4，SiO2不能阻挡离子注入，进行调沟或调节开启电压时，都可以用SiO2层进行注入。 双阱CMOS采用原始材料是在P+衬底(低电阻率)上外延一层轻掺杂的外延层P-(高电阻率)防止latch-up效应(因为低电阻率的衬底可以收集衬底电流)。 N阱、P阱之间无space。
6. 你认为如何能做好一个版图,或者做一个好版图需要注意些什么需要很仔细的回答～答:一，对于任何成功的模拟版图设计来说，都必须仔细地注意版图设计的floorplan，一般floorplan 由设计和应用工程师给出，但也应该考虑到版图工程师的布线问题，加以讨论调整。总体原则是 模拟电路应该以模拟信号对噪声的敏感度来分类。例如，低电平信号节点或高阻抗节点，它们与输入信号典型相关，因此认为它们对噪声的敏感度很高。这些敏感信号应被紧密地屏蔽保护起来，尤其是与数字输出缓冲器隔离。高摆幅的模拟电路，例如比较器和输出缓冲放大器应放置在敏感模拟电路和数字电路之间。数字电路应以速度和功能来分类。显而易见，因为数字输出缓冲器通常在高速时驱动电容负载，所以应使它离敏感模拟信号最远。其次，速度较低的逻辑电路位于敏感模拟电路和缓冲输出之间。注意到敏感模拟电路是尽可能远离数字缓冲输出，并且最不敏感的模拟电路与噪声最小的数字电路邻近。 芯片布局时具体需考虑的问题，如在进行系统整体版图布局时，要充分考虑模块之间的走线，避免时钟信号线对单元以及内部信号的干扰。模块间摆放时要配合压焊点的分布，另外对时钟布线要充分考虑时延，不同的时钟信号布线应尽量一致，以保证时钟之间的同步性问题。而信号的走线要完全对称以克服外界干扰。 二(电源线和地线的布局问题
1．集成电路的发展过程经历了哪些发展阶段？划分集成电路的标准是什么？ 集成电路的发展过程: ?小规模集成电路(Small Scale IC，SSI) ?中规模集成电路(Medium Scale IC，MSI) ?大规模集成电路(Large Scale IC，LSI) ?超大规模集成电路(Very Large Scale IC，VLSI) ?特大规模集成电路(Ultra Large Scale IC，ULSI) ?巨大规模集成电路(Gigantic Scale IC，GSI） 划分集成电路规模的标准 2．超大规模集成电路有哪些优点？ 1. 降低生产成本 VLSI减少了体积和重量等,可靠性成万倍提高,功耗成万倍减少. 2.提高工作速度 VLSI内部连线很短,缩短了延迟时间.加工的技术越来越精细.电路工作速度的提高,主要是依靠减少尺寸获得. 3. 降低功耗 芯片内部电路尺寸小,连线短,分布电容小,驱动电路所需的功率下降. 4. 简化逻辑电路 芯片内部电路受干扰小,电路可简化. 5.优越的可靠性 采用VLSI后，元件数目和外部的接触点都大为减少，可靠性得到很大提高。 6.体积小重量轻 7.缩短电子产品的设计和组装周期 一片VLSI组件可以代替大量的元器件,组装工作极大的节省,生产线被压缩,加快了生产速度. 3．简述双阱CMOS工艺制作CMOS反相器的工艺流程过程。 1、形成N阱 2、形成P阱 3、推阱 4、形成场隔离区 5、形成多晶硅栅 6、形成硅化物 7、形成N管源漏区 8、形成P管源漏区 9、形成接触孔10、形成第一层金属11、形成第一层金属12、形成穿通接触孔13、形成第二层金属14、合金15、形成钝化层16、测试、封装，完成集成电路的制造工艺 4．在VLSI设计中，对互连线的要求和可能的互连线材料是什么？ 互连线的要求 低电阻值：产生的电压降最小；信号传输延时最小（RC时间常数最小化） 与器件之间的接触电阻低 长期可靠工作 可能的互连线材料 金属（低电阻率），多晶硅（中等电阻率），高掺杂区的硅(注入或扩散)（中等电阻率）
集成电路版图设计实验报告 班级：微电子1302班 学号：1306090226 姓名：李根 日期：2016年1月10日
一：实验目的： 熟悉IC设计软件Cadence Layout Editor的使用方法，掌握集成电路原理图设计，原理图仿真以及版图设计的流程方法以及技巧。 二：实验内容 1.Linux常用命令及其经典文本编辑器vi的使用 ①：了解Linux操作系统的特点。 ②：熟练操作如何登录、退出以及关机。 ③：学习Linux常用的软件以及目录命令。 ④：熟悉经典编辑器vi的基本常用操作。 2.CMOS反相器的设计和分析 ①：进行cmos反相器的原理图设计。 ②：进行cmos反相器的原理图仿真。 ③：进行cmos反相器的版图设计。 3.CMOS与非门的设计和分析 ①：进行cmos与非门的原理图设计。 ②：进行cmos与非门的原理图仿真。 ③：进行cmos与非门的版图设计 4.CMOS D触发器的设计和分析 ①：进行cmosD触发器的原理图设计。 ②：进行cmosD触发器的原理图仿真。 ③：进行cmosD触发器的版图设计。 5.对以上的学习进行总结 ①：总结收获学习到的东西。 ②：总结存在的不足之处。 ③：展望集成电路版图设计的未来。 三：实验步骤（CMOS反相器） 1.CMOS反相器原理图设计 内容：首先建立自己的Library，建立一个原理图的cell，其次进行原理图通过调用库里面的器件来绘制原理图，然后进行检错及修正，具体操作如下：在Terminal视窗下键入icfb，打开CIW； Tool→Library Manager； File→New→Library； 在name栏填上Library名称； 选择Compile a new techfile； 键入～/0.6um.tf； File→New→Cell view,在cell name键入inv，tool选择schematic，单击OK； 点击Schematic视窗上的指令集Add→Instance，出现Add Instance视窗； 通过Browse analogLib库将要用到的元件添加进来；
如对您有帮助，请购买打赏，谢谢您！ 集成电路设计基础（工艺、版图、流程、器件） 1、什么叫Latchup，如何预防闩锁效应?（仕兰、科广试题） Q1为一纵向PNP BJT, 基极(base)是nwell, 基极到集电极(collector)的增益可达数百倍；Q2是一横向的NPN BJT，基极为P substrate，到集电极的增益可达数十倍；Rwell是nwell的寄生电阻；Rsub是substrate电阻。 以上四元件构成可控硅（SCR）电路，当无外界干扰未引起触发时，两个BJT 处于截止状态，集电极电流是C-B的反向漏电流构成，电流增益非常小，此时Latch up不会产生。当其中一个BJT的集电极电流受外部干扰突然增加到一定值时，会反馈至另一个BJT，从而使两个BJT因触发而导通，VDD至GND（VSS）间形成低抗通路，Latch up由此而产生。 产生Latch up 的具体原因： ? 芯片一开始工作时VDD变化导致nwell和P substrate间寄生电容中产生足够的电流，当VDD变化率大到一定地步，将会引起Latch up。 ? 当I/O的信号变化超出VDD-GND（VSS）的范围时，有大电流在芯片中产生，也会导致SCR的触发。 ? E SD静电加压，可能会从保护电路中引入少量带电载子到well或substrate中，也会引起SCR的触发。 ? 当很多的驱动器同时动作，负载过大使power和gnd突然变化，也有可能打开SCR的一个BJT。 ? Well 侧面漏电流过大。 消除“Latch-up”效应的方法： 版图设计时： ①为减小寄生电阻Rs和Rw，版图设计时采用双阱工艺、多增加电源和地 接触孔数目，加粗电源线和地线，对接触进行合理规划布局，减小有害 的电位梯度； ②避免source和drain的正向偏压； ③使用Guard ring: P+ ring环绕nmos并接GND；N+ ring环绕pmos并接 VDD，一方面可以降低Rwell和Rsub的阻值，另一方面可阻止载流子到达BJT的基极。如果可能，可再增加两圈ring； ④Substrate contact和well contact应尽量靠近source,以降低Rwell和Rsub 的阻值； ⑤使nmos尽量靠近GND，pmos尽量靠近VDD，保持足够的距离在pmos 和nmos之间以降低引发SCR的可能； ⑥除在I/O处需采取防Latch up的措施外，凡接I/O的内部mos 也应圈 guard ring； ⑦I/O处尽量不使用pmos(nwell)。 工艺设计时： 降低寄生三极管的电流放大倍数：以N阱CMOS为例，为降低两晶体管的放大倍数，有效提高抗自锁的能力，注意扩散浓度的控制。为减小寄生PNP管的寄生电阻Rs，可在高浓度硅上外延低浓度硅作为衬底，抑制自锁效应。工艺上采用深阱扩散增加基区宽度可以有效降低寄生NPN管的放大倍数； 具体应用时：使用时尽量避免各种串扰的引入，注意输出电流不易过大。 器件外部的保护措施?低频时加限流电阻（使电源电流<30mA）?尽量减小电路中的电容值。（一般C<0.01μF）
关于IC集成电路版图设计的调查报告 IC版图设计是指将前端设计产生的门级网表通过EDA设计工具进行布局布线和进行物理验证并最终产生供制造用的GDSII数据的过程，简单来说，是将所设计的电路转化为图形描述格式，即设计工艺中所需要的各种掩模板，而掩模板上的几何图形包括如下几层：n阱、有源区、多晶硅、n+和p+注入、接触孔以及金属层。 一. 版图设计流程 集成电路从60年代开始,经历了小规模集成,中规模集成,大规模集成,到目前的超大规模集成。单个芯片上已经可以制作含几百万个晶体管的一个完整的数字系统或数模混合的电子系统。在整个设计过程中,版图(layout)设计或者称作物理设计(physical design)是其中重要的一环。他是把每个原件的电路表示转换成集合表示,同时,元件间连接的线网也被转换成几何连线图形。概括说来，对于复杂的版图设计,一般分成若干个子步骤进行: 1.模块划分。为了将处理问题的规模缩小,通常把整个电路划分成若干个模块。版图规划和布局是为了每个模块和整个芯片选择一个好的布图方案。 2.布局布线。布局图应该和功能框图或者电路图大体一致，然后根据各个模块的面积大小进行调整，接着完成模块间的互连,并进一步优化布线结果。 3.版图压缩。压缩是布线完成后的优化处理过程，试图进一步减小芯片的占用面积。 4.版图检查。版图检查主要包括三个部分：1. Design Rules Checker（DR C）。DRC有识别能力，能够进行复杂的识别工作，在生成最终送交的图形之前进行检查，程序就会按照规则检查文件运行，发现错误时，会在错误的地方做出标记与解释。2. Electrical Rules Checker（ERC），它是用来检查线路短路，线路开路以及floating结点。ERC检查短路错误后，会将错误提示局限在最短的连接通路上。3. Layout Versus Schematic（LVS），LVS比较IC版图和原理图，报告版图连接和原理图的不一致，并进行修改直到版图与电路图完全一致为止。 5.版图修改。此时的工作主要包括检查Label是否正确，label所选的lay er是否正确；Power & Ground连接是否有问题，得到的files是否确实可靠，检查netlist中器件类型的命名是否规范等。
集成电路CAD 课程设计报告 一．设计目的： 1.通过本次实验，熟悉软件的特点并掌握使用软件的流程和设计方法； 2.了解集成电路工艺的制作流程、简单集成器件的工艺步骤、集成器件区域的层 次关系，与此同时进一步了解集成电路版图设计的λ准则以及各个图层的含义和设计规则； 3.掌握数字电路的基本单元CMOS 的版图，并利用CMOS 的版图设计简单的门电路， 然后对其进行基本的DRC 检查； 4. 掌握C)B (A F +?=的掩模板设计与绘制。 二．设计原理： 1、版图设计的目标： 版图 （layout ） 是集成电路从设计走向制造的桥梁，它包含了集成电路尺寸、 各层拓扑定义等器件相关的物理信息数据。版图设计是创建工程制图（网表）的精确的物理描述过程，即定义各工艺层图形的形状、尺寸以及不同工艺层的相对位置的过程。其设计目标有以下三方面： ① 满足电路功能、性能指标、质量要求； ② 尽可能节省面积，以提高集成度，降低成本； ③ 尽可能缩短连线，以减少复杂度，缩短延时，改善可能性。 2、版图设计的内容： ①布局：安排各个晶体管、基本单元、复杂单元在芯片上的位置。 ②布线：设计走线，实现管间、门间、单元间的互连。
③尺寸确定：确定晶体管尺寸（W、L）、互连尺寸（连线宽度）以及晶体管与互连之间的相对尺寸等。 ④版图编辑（Layout Editor ）:规定各个工艺层上图形的形状、尺寸和位置。 ⑤布局布线（Place and route ）：给出版图的整体规划和各图形间的连接。 ⑥版图检查（Layout Check ）：设计规则检验（DRC,Design Rule Check）、电气规则检查（ERC,Electrical Rule Check）、版图与电路图一致性检验（LVS,Layout Versus Schematic ）。 三．设计规则（Design Rul e ）： 设计规则是设计人员与工艺人员之间的接口与“协议”，版图设计必须无条件的服从的准则，可以极大地避免由于短路、断路造成的电路失效和容差以及寄生效应引起的性能劣化。设计规则主要包括几何规则、电学规则以及走线规则。其中几何设计规则通常有两类： ①微米准则：用微米表示版图规则中诸如最小特征尺寸和最小允许间隔的绝对尺寸。 ②λ准则：用单一参数λ表示版图规则，所有的几何尺寸都与λ成线性比例。 设计规则分类如下： 1.拓扑设计规则（绝对值）：最小宽度、最小间距、最短露头、离周边最短距离。 2.λ设计规则（相对值）：最小宽度w=mλ、最小间距s=nλ、最短露头t=lλ、离周边最短距离d=hλ（λ由IC制造厂提供，与具体的工艺类型有关，m、n、l、h为比例因子，与图形类形有关）。 ①宽度规则（width rule）：宽度指封闭几何图形的内边之间的距离。 ②间距规则（Separation rule）：间距指各几何图形外边界之间的距离。
集成电路设计综合实验报告 班级：微电子学1201班 姓名： 学号： 日期：2016年元月13日
一.实验目的 1、培养从版图提取电路的能力 2、学习版图设计的方法和技巧 3、复习和巩固基本的数字单元电路设计 4、学习并掌握集成电路设计流程 二.实验内容 1. 反向提取给定电路模块（如下图所示），要求画出电路原理图，分析出其所完成的逻 辑功能，并进行仿真验证；再画出该电路的版图，完成DRC验证。 2. 设计一个CMOS结构的二选一选择器。 （1）根据二选一选择器功能，分析其逻辑关系。 （2）根据其逻辑关系，构建CMOS结构的电路图。 （3）利用EDA工具画出其相应版图。 （4）利用几何设计规则文件进行在线DRC验证并修改版图。 三.实验原理 1. 反向提取给定电路模块 方法一:直接将版图整体提取（如下图）。其缺点：过程繁杂,所提取的电路不够直观,
不易很快分析出其电路原理及实现功能。 直接提取的整体电路结构图 方法二：将版图作模块化提取，所提取的各个模块再生成symbol，最后将symbol按版图连接方式组合成完整电路结构（如下图）。其优点：使电路结构更简洁 直观、结构严谨、层次清晰，更易于分析其原理及所实现的功能。 CMOS反相器模块CMOS反相器的symbol CMOS传输门模块 CMOS传输门的symbol
CMOS三态门模块 CMOS三态门的symbol CMOS与非门模块 CMOS与非门的symbol 各模块symbol按版图连接方式组合而成的整体电路 经分析可知，其为一个带使能端的D锁存器，逻辑功能如下: ①当A=1，CP=0时，Q=D，Q—=； ②当A=1，CP=1时，Q、Q—保持；
集成电路基础工艺和版图设计测试试卷 （考试时间：60分钟，总分100分） 第一部分、填空题（共30分。每空2分） 1、NMOS是利用电子来传输电信号的金属半导体；PMOS是利用空穴来传输电信号的金属半导体。 2、集成电路即“IC”，俗称芯片，按功能不同可分为数字集成电路和模拟集成电路，按导电类型不同可分为 双极型集成电路和单极型集成电路，前者频率特性好，但功耗较大，而且制作工艺复杂，不利于大规模集成；后者工作速度低，但是输入阻抗高、功耗小、制作工艺简单、易于大规模集成。 3、金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管即MOS管，是一个四端有源器件，其四端分别是栅 极、源极、漏极、背栅。 4、集成电路设计分为全定制设计方法和半定制设计方法，其中全定制设计方法又分为基于门阵列和标准单元 的设计方法，芯片利用率最低的是基于门阵列的设计方法。 第二部分、不定项选择题（共45分。每题3分，多选，错选不得分，少选得1分） 1、在CMOS集成电路中，以下属于常用电容类型的有（ABCD） A、MOS电容 B、双层多晶硅电容 C、金属多晶硅电容 D、金属—金属电容 2、在CMOS集成电路中，以下属于常用电阻类型的有（ABCD） A、源漏扩散电阻 B、阱扩散电阻 C、沟道电阻 D、多晶硅电阻 3、以下属于无源器件的是（CD ） A、MOS晶体管 B、BJT晶体管 C、POL Y电阻 D、MIM电容 4、与芯片成本相关的是（ABC） A、晶圆上功能完好的芯片数 B、晶圆成本 C、芯片的成品率 D、以上都不是 5、通孔的作用是（AB ） A、连接相邻的不同金属层 B、使跳线成为可能 C、连接第一层金属和有源区 D、连接第一层金属和衬底 6、IC版图的可靠性设计主要体现在（ABC）等方面，避免器件出现毁灭性失效而影响良率。 A、天线效应 B、闩锁（Latch up） C、ESD(静电泄放)保护 D、工艺角（process corner）分析 7、减小晶体管尺寸可以有效提高数字集成电路的性能，其原因是（AB） A、寄生电容减小，增加开关速度 B、门延时和功耗乘积减小 C、高阶物理效应减少 D、门翻转电流减小 8、一般在版图设计中可能要对电源线等非常宽的金属线进行宽金属开槽，主要是抑制热效应对芯片的损害。下面哪些做法符合宽金属开槽的基本规则？（ABCD） A、开槽的拐角处呈45度角，减轻大电流密度导致的压力 B、把很宽的金属线分成几个宽度小于规则最小宽度的金属线 C、开槽的放置应该总是与电流的方向一致 D、在拐角、T型结构和电源PAD区域开槽之前要分析电流流向 9、以下版图的图层中与工艺制造中出现的外延层可能直接相接触的是（AB）。 A、AA（active area） B、NW（N-Well） C、POLY D、METAL1
《集成电路版图设计》 学院：_____________ 专业班级：_____________ 学号：_____________ 学生姓名：_____________ 指导教师：_____________
摘要 什么是集成电路？把组成电路的元件、器件以及相互间的连线放在单个芯片上，整个电路就在这个芯片上，把这个芯片放到管壳中进行封装，电路与外部的连接靠引脚完成。 什么是集成电路设计？根据电路功能和性能的要求，在正确选择系统配置、电路形式、器件结构、工艺方案和设计规则的情况下，尽量减小芯片面积，降低设计成本，缩短设计周期，以保证全局优化，设计出满足要求的集成电路。 《集成电路版图设计》基于Cadence软件的集成电路版图设计原理、编辑和验证的方法。本次实验是基于Cadence版图设计软件平台，采用L50C7工艺库，设计一个运算放大器，并且，为了防止电路中各元件间产生闩锁效应，在实际生产流片中每个元件都应该添加保护环，以防止各元件间电流之间产生各种影响。并且增加电路的稳定性和可靠性。 电路的验证采用的是Calibre验证工具，对电路版图进行了DRC验证和LVS验证。 关键词：Calibre，运算放大器
目录 一、电路设计流程 (1) 二、版图的制作流程 (2) 三、二级运算放大器的原理图 (3) 四、器件尺寸的计算 (4) 五、二级运算放大器原理图 (5) 六、二级运算放大器版图 (9) 心得体会 (11) 参考文献 (12)
一、电路设计流程
二、版图的制作流程 由于设计目标已经电路的构造课本已经讲述的十分详细。 所以我讲接着阐述版图的制作过程。首先将电路图转为相应的版图， 意思就是把相对 应的器件进行布局布线。因制造工艺精度有限，所以版图必须满足一定的规则要求。 按照设计规则布局布线后，接着就要对它进行检查。由于版图是人工布局布线，因此 或多或少的存在一些错误。这时就需要软件来进行“设计规则检查”（DRC ）。软件所依 据的是DRC 文件，它与画版图时使用的规则是一致的，只不过规则文件是给版图设计 者参考使用的，而DRC 文件是由软件编写的。 当版图没有了DRC 错误，完全符合设计规则之后，再依靠LVS 文件，将其与电路原理 图进行比较。若有不同之处，LVS 将进行报错，经过修改之后还要重复DRC 、LVS 过程。 若两者相同，说版图与原理图一致。到这一步就完成了版图的制作了。完成版图之后， 还可以利用工具提取版图中的寄生参数，对包含这些寄生参数的电路再次进行仿真， 从而更准确确定电路的性能。 最后把图形格式的版图文件转换为通用二进制文件（GDS 文件），提交给生产厂制造。
实验三： 1、反相器直流工作点仿真 1）偏置电压设置：Vin=1V；Vdd=2V； 2）NMOS沟道尺寸设置：Wnmos= ；Lnmos= ； 3）PMOS沟道尺寸设置：设置PMOS的叉指数为3，每个叉指的宽度为变量wf；这样Wpmos=3*wf；设置wf=Wnmos；Lpmos= ； 4）直流工作点仿真结果：Ids= ；Vout= ；NMOS工作在工作区域；PMOS 工作在工作区域；该反相器的功耗为； 2、反相器直流工作点扫描设置 1）偏置电压设置：Vin=1V；Vdd=2V； 2）在直流仿真下设置Wnmos= ；Lnmos= ；扫描参数为PMOS的叉指宽度wf，扫描范围为到；扫描步长为；仿真输出wf为横坐标、Vout为纵坐标的波形曲线； 观察wf对Vout的影响； 3）在上述步骤的基础上，记录输出电压Vout=1V时对应的PMOS的叉指宽度wf= ； 3、扫描反相器的直流电压转移特性 1）在上述步骤的基础上，记录Ids= ；该反相器的功耗Pdc= ； 2）扫描参数为Vin，扫描电压范围为到；扫描步长为；仿真输出Vin为横坐标、Vout为纵坐标的波形曲线；观察Vin对Vout的转移特性；结合理论分析在转移特性曲线上标出A、B、C、D、E五个工作区域； 3）扫描参数为Vin，扫描电压范围为到；扫描步长为；仿真输出Vin为横坐标、Ids为纵坐标的波形曲线；观察Vin对Ids的转移特性；结合理论分析反相器的静态功耗和动态功耗； 4、仿真反相器的瞬态特性 1）为反相器设置负载电容为； 2）设置Vin为Vpluse信号源，高电平为；低电平为；Rise time= ；Fall time= ； 周期为； 3）设置瞬态仿真stop time= ；step= ；maxstep= ； 4）观察仿真结果，该反相器的传输延迟= ；
1. calibre语句 2. 对电路是否了解。似乎这个非常关心。 3. 使用的工具。 熟练应用UNIX操作系统和L_edit，Calibre, Cadence, Virtuoso, Dracula拽可乐（DIVA）,等软件进行IC版图绘制和DRC，LVS，ERC等后端验证 4. 做过哪些模块 其中主要负责的有Amplifier，Comparator，CPM，Bandgap，Accurate reference，Oscillator，Integrated Power MOS，LDO blocks 和Pad，ESD cells以及top的整体布局连接 5. 是否用过双阱工艺。 工艺流程见版图资料 在高阻衬底上同时形成较高的杂质浓度的P阱和N阱，NMOS、PMOS分别做在这两个阱中，这样可以独立调节两种沟道MOS管的参数，使CMOS电路达到最优特性，且两种器件间距离也因采用独立的阱而减小，以适合于高密度集成，但是工艺较复杂。 制作MOS管时，若采用离子注入，需要淀积Si3N4，SiO2不能阻挡离子注入，进行调沟或调节开启电压时，都可以用SiO2层进行注入。 双阱CMOS采用原始材料是在P+衬底（低电阻率）上外延一层轻掺杂的外延层P-（高电阻率）防止latch-up效应(因为低电阻率的衬底可以收集衬底电流)。 N阱、P阱之间无space。 6. 你认为如何能做好一个版图？或者做一个好版图需要注意些什么需要很仔细的回答！ 答：一，对于任何成功的模拟版图设计来说，都必须仔细地注意版图设计的floorplan，一般floorplan 由设计和应用工程师给出，但也应该考虑到版图工程师的布线问题，加以讨论调整。总体原则是 模拟电路应该以模拟信号对噪声的敏感度来分类。例如，低电平信号节点或高阻抗节点，它们与输入信号典型相关，因此认为它们对噪声的敏感度很高。这些敏感信号应被紧密地屏蔽保护起来，尤其是与数字输出缓冲器隔离。高摆幅的模拟电路，例如比较器和输出缓冲放大器应放置在敏感模拟电路和数字电路之间。数字电路应以速度和功能来分类。显而易见，因为数字输出缓冲器通常在高速时驱动电容负载，所以应使它离敏感模拟信号最远。其次，速度较低的逻辑电路位于敏感模拟电路和缓冲输出之间。注意到敏感模拟电路是尽可能远离数字缓冲输出，并且最不敏感的模拟电路与噪声最小的数字电路邻近。 芯片布局时具体需考虑的问题，如在进行系统整体版图布局时，要充分考虑模块之间的走线，避免时钟信号线对
1、描述集成电路工艺技术水平的五个技术指标及其物理含义 ⑴集成度(Integration Level)：以一个IC芯片所包含的元件(晶 体管或门/数)来衡量，（包括有源和无源元件）。 ⑵特征尺寸 (Feature Size) /（Critical Dimension）：特征尺 寸定义为器件中最小线条宽度(对MOS器件而言，通常指器件栅电极 所决定的沟道几何长度)，也可定义为最小线条宽度与线条间距之和 的一半。 ⑶晶片直径(Wafer Diameter)：当前的主流晶圆的尺寸为12吋(300mm)，正在向18吋(450mm)晶圆迈进。 ⑷芯片面积(Chip Area)：随着集成度的提高，每芯片所包含的晶 体管数不断增多，平均芯片面积也随之增大。 ⑸封装（Package）：指把硅片上的电路管脚，用导线接引到外部 接头处，以便于其它器件连接。封装形式是指安装半导体集成电路芯 片用的外壳。 2、简述集成电路发展的摩尔定律。 2集成电路芯片的集成度每三年提高4倍，而加工特征尺寸缩小倍，这就是摩尔定律。当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍 3、集成电路常用的材料有哪些？ 集成电路中常用的材料有三类：半导体材料，如Si、Ge、GaAs 以 及InP 等；绝缘体材料，如SiO2、SiON 和Si3N4 等；金属材料， 如铝、金、钨以及铜等。
4、集成电路按工艺器件类型和结构形式分为哪几类，各有什么特点。 双极集成电路：主要由双极晶体管构成（NPN型双极集成电路、PNP型双极集成电路）。优点是速度高、驱动能力强，缺点是功耗较大、集成度较低。 CMOS集成电路：主要由NMOS、PMOS构成CMOS电路，功耗低、集成度高，随着特征尺寸的缩小，速度也可以很高。 BiCMOS集成电路：同时包括双极和CMOS晶体管的集成电路为BiCMOS集成电路，综合了双极和CMOS器件两者的优点，但制作工艺复杂。 5、解释基本概念: 微电子、集成电路、集成度、场区、有源区、阱、外延 微电子：微电子技术是随着集成电路，尤其是超大型规模集成电路而发展起来的一门新的技术。微电子技术包括系统电路设计、器件物理、工艺技术、材料制备、自动测试以及封装、组装等一系列专门的技术，微电子技术是微电子学中的各项工艺技术的总和。微电子学是研究在固体（主要是半导体）材料上构成的微小型化电路、电路及微电子系统的电子学分支。 集成电路：通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶片（如硅或砷化镓）上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能。 集成度：集成电路的集成度是指单块芯片上所容纳的元件数目。
北京工业大学 集成电路版图设计 设计报告 姓名：于书伟 学号：15027321 2018年5 月
目录 目录 (1) 1绪论 (2) 1.1集成电路的发展现状 (2) 1.2集成电路设计流程及数字集成电路设计流程 (3) 1.2.1CAD发展现状 (3) 2电路设计 (5) 2.1运算放大器电路 (5) 2.1.1工作原理 (5) 2.1.2电路设计 (5) 2.2D触发器电路 (12) 2.2.1反相器 (12) 2.2.2传输门 (13) 2.2.3或非门 (13) 2.2.4D触发器 (14) 3版图设计 (15) 3.1运算放大器 (15) 3.1.1运算放大器版图设计 (15) 3.2D触发器 (18) 3.2.1反相器 (18) 3.2.2传输门 (20) 3.2.3或非门 (21) 3.2.4D触发器 (23) 4总结与体会 (27) 参考文献 (28)
1 绪论 1.1 集成电路的发展现状 在全球半导体市场快速增长的带动下，我国半导体产业快速发展。到2018 年，我国半导体产业销售额将超过8000 亿元。近年来，我国半导体市场需求持续攀升，占全球市场需求的比例已由2003 年的18.5%提升到2014 年的56.6%，成为全球最大的半导体市场。 2009-2018 年我国半导体产业销售情况变化图 与旺盛的市场需求形成鲜明对比，我国集成电路产业整体竞争力不强，在各类集成电路产品中，中国仅移动通信领域的海思、展讯能够比肩高通、联发科的国际水准。本土集成电路供需存在很大的缺口。 2010-2019 我国集成电路供需情况对比
1.2 集成电路设计流程及数字集成电路设计流程 集成电路设计的流程一般先要进行软硬件划分，将设计基本分为两部分：芯片硬件设计和软件协同设计。芯片硬件设计包括：功能设计阶段，设计描述和行为级验证，逻辑综合，门级验证（Gate-Level Netlist Verification），布局和布线。模拟集成电路设计的一般过程：电路设计，依据电路功能完成电路的设计；.前仿真，电路功能的仿真，包括功耗，电流，电压，温度，压摆幅，输入输出特性等参数的仿真；版图设计（Layout），依据所设计的电路画版图；后仿真，对所画的版图进行仿真，并与前仿真比较，若达不到要求需修改或重新设计版图；后续处理，将版图文件生成GDSII文件交予Foundry流片。 数字集成电路设计流程 1.设计输入电路图或硬件描述语言 2.逻辑综合处理硬件描述语言，产生电路网表 3.系统划分将电路分成大小合适的块 4.功能仿真 5.布图规划芯片上安排各宏模块的位置 6.布局安排宏模块中标准单元的位置 7.布线宏模块与单元之间的连接 8.寄生参数提取提取连线的电阻、电容 9.版图后仿真 1.2.1CAD发展现状 CAD/CAM技术20世纪50年代起源于美国,经过近50年的发展,其技术和水平已经到达了相当成熟的阶段。日本、法国、德国也相继在机械制造、航空航天、汽车工业、建筑化工等行业中广泛使用CAD/CAM技术。CAD/CAM技术在发达国家已经成为国民经济的重要支柱。 我国CAD/CAM技术的应用起步于20世纪60年代末,经过40多年的研究、开发与推广应用,CAD/CAM技术已经广泛应用于国内各行各业。综合来看,CAD/CAM技术的在国内的应用主要有以下几个特点: (1)起步晚、市场份额小我国 CAD/CAM技术应用从20世纪80年代开始,“七五”期间国家支持对24个重点机械产品进行了 CAD/CAM的开发研制工作,为我国 CAD/CAM技术的发展奠定了一定的基础。国家科委颁布实施的863计划也大大促进了 CAD/CAM技术的研究和发展。“九五”期间国家科委又颁发了《1995～2000年我国 CAD/CAM应用工程发展纲要》,将推广和应用 CAD/CAM技术作为改造传统企业的重要战略措施。有些小企业由于经济实力不足、技术人才缺乏,CAD/CAM技术还不能够完全应用到生产实践中。国内研发的CAD/CAM软件在包装和功能上与发达国家还存在差距,市场份额小。 (2)应用范围窄、层次浅CAD/CAM技术在企业中的应用在CAD方面主要包括二维绘图、三维造型、装配造型、有限元分析和优化设计等。其中CAD二维绘图