SENSITIVE GATE
PNPN devices designed for high volume, line-powered consumer applications such as relay and lamp drivers,small motor controls, gate drivers for larger thyristors, and sensing and detection circuits.
DESCRIPTION
FEATURES
?Sensitive gate allows triggering by micro controllers and other logic circuits ?Blocking voltage to 600V
?On-state current rating of 0.8A RMS at 80°C ?High surge current capability –10A
?Minimum and maximum values of IGT, VGT and IH specified for ease of design ?Immunity to dV/dt –20V/μsec minimum at 110°C
?Glass-passivated surface for reliability and uniformity
SOT-223 PACKAGE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ()
T = 25°C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED J THERMAL RESISTANCES
SILICON CONTROLLED RECTIFIERS
Symbol Parameter
Condition Ratings Units V DRM Repetitive Peak Off -State Voltage 00
6V I T (AV)Average On-State Current Half SineWave :T C =74°C 0.5A I T (RMS)R.M.SOn-State Current All Conduction Angle
0.8A I TSM Surge On-State Current
1/2Cycle,60Hz,Sine Wave Non -Repetitive
10A I 2t I t for Fusing
t =8.3ms
0.415A2s P GM Forward Peak Gate Power Dissipation 0.1W P G (AV)Forward Average Gate Power Dissipation
0.1W I FGM ForwardPeak Gate Current 1A V RGM Reverse Peak Gate Voltage 5V T J Operating Junction Temperature
-40~125°C T STG
Storage Temperature
-40~125
°C
2
Symbol Parameter
Value Unit Rth(j-c)Junction to Case SOT-2360°C/W Rth(j-a)
Junction to Ambient
10
5°C/W
SOT-23
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( TC = 25 °C UNLESS OTHERWISE NOTED )
Notes:
1.Pulse Width 1.0ms ,Duty cycle 1%
2. Does not include RGKin measurement
≤≤VOLTAGE CURRENT CHARACTERISTIC OF SCR
Symbol
Items
Conditions
Ratings
Unit
Min.Typ.Max.I DRM Repetitive Peak Off-State Current
V AK =V DRM or V RRM ;R GK =1000ohm T C =25°C
T C =125°C
────10200uA V TM Peak On-State Voltage (1)(I TM =1A,Peak )
─ 1.2 1.7V
I GT Gate Trigger Current(2)V AK =6V,R =100ohm L ,T C =25°C,
T C =-40°C ──200uA ──500V GT Gate Trigger Voltage (2)V D =7V,R =100ohm L ,T C =25°C,
T C =-40°C ──0.8V ── 1.2V GD Non-Trigger Gate Voltage (1)V AK =12V,R =100ohm,L T C =125°C 0.2──V dv/dt Critical Rate of RiseOff-State Voltage V D =Rated V DRM ,Exponential wave form,
R GK =1ohm,000T J =125°C 2035─V/uS di/dt Critical Rate of RiseOff-State Voltage
I PK =20A ;;di/dt=1A/uS Igt =20mA
──50A/uS I H
Holding Current
V AK =12V,Gate OpenInitiating Curent=20mA T C =25°C
T C =-40°C
──
2─
5.010
mA
?
SEMIWILL
PACKAGE MECHANICAL DATA
文章由情难枕精心整理，希望对大家的学习和工作带来帮助 贴片电阻常见封装有9种，用两种尺寸代码来表示。一种尺寸代码是由4位数字表示的EIA(美国电子工业协会)代码，前两位与后两位分别表示电阻的长与宽，以英寸为单位。我们常说的0603封装就是指英制代码。另一种是米制代码，也由4位数字表示，其单位为毫米。下表列出贴片电阻封装英制和公制的关系及详细的尺寸： 贴片元件的封装 一、零件规格: (a)、零件规格即零件的外形尺寸，SMT发展至今，业界为方便作业，已经形成了一个标准零件系列，各家零件供货商皆是按这一标准制造。
标准零件之尺寸规格有英制与公制两种表示方法，如下表 英制表示法1206 0805 0603 0402 公制表示法3216 2125 1608 1005 含义 L:1.2inch(3.2mm)W:0.6inch(1.6mm) L:0.8inch(2.0mm)W:0.5inch(1.25mm) L:0.6inch(1.6mm)W:0.3inch(0.8mm) L:0.4inch(1.0mm)W:0.2inch(0.5mm) 注： a、L（Length）：长度；W（Width）：宽度；inch：英寸 b、1inch=25.4mm （b）、在(1)中未提及零件的厚度，在这一点上因零件不同而有所差异，在生产时应以实际量测为准。 （c）、以上所讲的主要是针对电子产品中用量最大的电阻（排阻）和电容（排容），其它如电感、二极管、晶体管等等因用量较小，且形状也多种多样，在此不作讨论。 （d）、SMT发展至今，随着电子产品集成度的不断提高，标准零件逐步向微型化发展，如今最小的标准零件已经到了0201。 二、常用元件封装 1）电阻： 最为常见的有0805、0603两类，不同的是，它可以以排阻的身份出现，四位、八位都有，具体封装样式可参照MD16仿真版，也可以到设计所内部PCB库查询。 注： ABCD四类型的封装形式则为其具体尺寸,标注形式为L X S X H 1210具体尺寸与电解电容B类3528类型相同 0805具体尺寸：2.0 X 1.25 X 0.5（公制表示法） 1206具体尺寸：3.0 X 1.5 0X 0.5（公制表示法） 2）电阻的命名方法 1、5%精度的命名：RS – 05 K 102 JT 2、1％精度的命名：RS – 05 K 1002 FT R －表示电阻 S －表示功率 0402是1/16W、 0603是1/10W、 0805是1/8W、 1206是1/4W、 1210是1/3W、 1812是1/2W、 2010是3/4W、 2512是1W。 05 －表示尺寸(英寸)：
单向/双向可控硅触发电路设计原理 1，可以用直流触发可控硅装置。 2，电压有效值等于U等于开方{（电流有效值除以2派的值乘以SIN二倍电阻）加上(派减去电阻的差除以派）}。 3,电流等于电压除以（电压波形的非正弦波幅值半波整流的两倍值）。 4，回答完毕。 触摸式台灯的控制原理 这种台灯的主要优点是没有开关，使用时通过人体触摸，完成开启、调光、关闭动作，给使用带来方便。 一、电路设计原理 人体感应的信号加在电源电路可控硅的触发极，使电路导通，并给负载——灯泡或灯管供电，使灯按弱光、中光、强光、关闭4个状态动作，达到调光的目的。电路见图1，该电路的关键器件是采用CMOS工艺制造的集成电路BA210l。 二、降压稳压电路 由R3、VDl、VD4、C4组成。输出9V直流电，供给BA2101，由③⑦脚引入。 三、触发电路 由触发电极M将人体的感应信号，经c3、R8、R7送至④脚的sP端，经处理后，由⑥脚输出触发信号，经cl、R1加至可控硅VS的G极，VS导通，电灯H点亮。第二次触摸，可改变触发脉冲前沿的到达时间，而使电灯亮度改变。反复触摸，可按弱光、中光、强光和关闭四个动作状态循环，达到调节亮度的目的。可控硅VS在动作中其导通角分别为120度、86度、17度。 四、辅助电路 VD2和vD3为保护集成电路而设。防止触摸信号过大而遭破坏。C3为隔离安全电容。R4为取得同步交流信号而设。R5为外接振荡电阻。 五、使用中经常出现的故障 (1)由震动引发的故障。触摸只需轻轻触及即可。但在家庭使用中触击的强度因人而异，小孩去触摸可能是重重的一拳。性格刚烈的人去触摸，可能引起剧烈震动。因此经常出现灯泡断丝。 (2)集成块焊脚由震动而产生脱焊。如③脚脱焊，使电源切断而停止工作；④、⑥脚脱焊，使触摸信号中断，都会引起灯泡不亮。因此要检查集成块各脚是否脱焊。 (3)可控硅VS一般采用MAC94A4型双向可控硅，由于反复触发，或意外大信号触发，会引起可控硅击穿而停止工作。 触摸式台灯的控制原理 这种台灯的主要优点是没有开关，使用时通过人体触摸，完成开启、调光、关闭动作，给使用带来方便。 一、电路设计原理 人体感应的信号加在电源电路可控硅的触发极，使电路导通，并给负载——灯泡或灯管供电，使灯按弱光、中光、强光、关闭4个状态动作，达到调光的目的。电路见图1，该电路的关键器件是采用CMOS工艺制造的集成电路BA210l。 二、降压稳压电路 由R3、VDl、VD4、C4组成。输出9V直流电，供给BA2101，由③⑦脚引入。 三、触发电路 由触发电极M将人体的感应信号，经c3、R8、R7送至④脚的sP端，经处理后，由⑥脚输出触发信号，
贴片电阻规格、封装、尺寸 ChipR Dimensions 、Footprint 简述 基本结构 分类 规格、封装、 尺寸 额定功率及工 作电压 阻值,标准阻 值 标识 规格书、生产 厂家
命名方法 价格、报价 创建时间：2005-12-30 最后修改时间：2006-10-29 贴片电阻套件 为方便学生、研发人员试验和产 品试制，特推出片式电阻系列套 件。 我们常说的贴片电阻 (SMD Resistor)叫"片式固定电阻器"(Chip Fixed Resistor)，又叫"矩形片状电阻"(Rectangular Chip Resistors)，是由ROHM 公司发明并最早推出市场的。特点是耐潮湿，耐高温，可靠度高，外观尺寸均匀，精确且温度系数与阻值公差小。 按生产工艺分厚膜(Thick Film Chip Resistors)、薄膜(Thin Film Chip Resistors )两种。厚膜是采用丝网印刷将电阻性材料淀积在绝缘基体(例如玻璃或氧化铝陶瓷)上，然后烧结形成的。我们通常所见的多为厚膜片式电阻，精度范围±0.5% ~ 10%，温度系数:±50PPM/℃~ ±400PPM/℃。薄膜是在真空中采用蒸发和溅射等工艺将电阻性材料淀积在绝缘基体工艺(真空镀膜技术)制
成，特点是低温度系数(±5PPM/℃)，高精度(±0.01%～±1%)。 封装有：0201，0402，0603，0805，1206，1210，1812，2010，2512。其常规系列的精度为5%，1%。阻值范围从0.1欧姆到20M欧姆。标准阻值有E24，E96系列。功率有1/20W、1/16W、1/8W、1/10W、1/4W、1/2W、1W。 特性： 体积小，重量轻 适合波峰焊和回流焊 机械强度高，高频特性优越 常用规格价格比传统的引线电阻还便宜 生产成本低，配合自动贴片机，适合现代电子产品规模化生产使用状况：由于价格便宜，生产方便，能大面积减少PCB面积，减少产品外观尺寸，现在已取代绝大部分传统引线电阻。除一些小厂或不得不使用引线电阻的设计，各种电器上几乎都在使用。目前绝大部分电子产品，以0603、0805器件为主；以手机，PDA为代表的高密度电子产品多使用0201、0402的器件；一些要求稳定和安全的电子产品，如医疗器械、汽车行驶记录仪、税控机则多采用1206、1210等尺寸偏大的电阻。 市场状况：目前，在全球的市场份额中，排名依次是台湾、日本、中国、韩国，欧美几乎不再生产。主要的生产厂商几乎都在中国建立生产基地。台湾国巨（Yageo）公司为世界上第一大生产商。日本企业则生产一些如0201、0402、高精度、高电压，具有工艺难度，利润高的系列。台湾及国内工厂则多生产些
1、SMT 表面封装元器件图示索引（完善） 名称 图示 常用于 备注 Chip 电阻，电容，电感 片式元件 MLD ： Molded Body 钽电容，二极 管 模制本体元件 CAE ： Aluminum Electrolytic Capacitor 铝电解电容 有极性 Melf ： Metal Electrode Face 圆柱形玻璃二极管, 电阻（少见） 二个金属电极 SOT ： Small Outline Transistor 三极管，效应管 小型晶体管 JEDEC(TO) EIAJ(SC) TO ： Transistor Outline 电源模块 晶体管外形的贴片元件 JEDEC(TO) OSC ： Oscillator 晶振 晶体振荡器 Xtal ：Crystal 晶振 二引脚晶振
SOD： Small Outline Diode 二极管 小型二极管（相 比插件元件） JEDEC SOIC： Small Outline IC 芯片，座子小型集成芯片 SOP： Small Outline Package 芯片 小型封装，也称 SO，SOIC 引脚从封装 两侧引出呈 海鸥翼状(L 字形) 前缀： S：Shrink T：Thin SOJ： Small Outline J-Lead 芯片 J型引脚的小芯 片【也成丁字形】 LCC： Leadless Chip carrier 芯片 无引脚芯片载 体： 指陶瓷基板的四 个侧面只有电极 接触而无引脚的 表面贴装型封 装。也称为陶瓷 QFN 或QFN-C PLCC： plastic leaded Chip carrier 芯片 引脚从封装的四 个侧面引出，呈 丁字形或J型， 是塑料制品。DIP： Dual In-line Package 变压器，开关, 芯片 双列直插式封 装：引脚从封装 两侧引出QFP： Quad Flat Package 芯片 四方扁平封装： 引脚从四个侧面 引出呈海鸥翼 (L)型。基材有陶
双向可控硅及其触发电路 双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功率驱动器件，由于双向可控硅没有反向耐压问题，控制电路简单，因此特别适合做交流无触点开关使用。双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器，且连接在强电网络中，其触发电路的抗干扰问题很重要，通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加载到可控硅的控制极。为减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰，交流电路双向可控硅的触发常采用过零触发电路。（过零触发是指在电压为零或零附近的瞬间接通，由于采用过零触发，因此需要正弦交流电过零检测电路） 双向可控硅分为三象限、四象限可控硅，四象限可控硅其导通条件如下图： 总的来说导通的条件就是：G极与T1之间存在一个足够的电压时并能够提供足够的导通电流就可以使可控硅导通，这个电压可以是正、负，和T1、T2之间的电流方向也没有关系。因为双向可控硅可以双向导通，所以没有正极负极，但是有T1、T2之分 再看看BT134-600E的简介：（飞利浦公司的，双向四象限可控硅，最大电流4A）
推荐电路： 为了提高效率，使触发脉冲与交流电压同步，要求每隔半个交流电的周期输出一个触发脉冲，且触发脉冲电压应大于4V ，脉冲宽度应大于20us.图中BT 为变压器，TPL521 - 2 为光电耦合器，起隔离作用。当正弦交流电压接近零时，光电耦合器的两个发光二极管截止，三极管T1基极的偏置电阻电位使之导通，产生负脉冲信号，T1的输出端接到单片机80C51 的外部中断0 的输入引脚，以引起中断。在中断服务子程序中使用定时器累计移相时间，然后发出双向可控硅的同步触发信号。过零检测电路A、B 两点电压输出波形如图2 所示。
常见芯片封装类型的汇总 芯片封装，简单点来讲就是把制造厂生产出来的集成电路裸片放到一块起承载作用的基板上，再把管脚引出来，然后固定包装成为一个整体。它可以起到保护芯片的作用，相当于是芯片的外壳，不仅能固定、密封芯片，还能增强其电热性能。所以，封装对CPU和其他大规模集成电路起着非常重要的作用。 今天，与非网小编来介绍一下几种常见的芯片封装类型。 DIP双列直插式 DIP是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100个。采用DIP封装的CPU芯片有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。当然，也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。DIP封装的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心，以免损坏引脚。DIP封装结构形式有多层陶瓷双列直插式DIP，单层陶瓷双列直插式DIP，引线框架式DIP （含玻璃陶瓷封接式，塑料包封结构式，陶瓷低熔玻璃封装式）等。 DIP是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存储器和微机电路等。 DIP封装 特点： 适合在PCB(印刷电路板)上穿孔焊接，操作方便。 芯片面积与封装面积之间的比值较大，故体积也较大。 最早的4004、8008、8086、8088等CPU都采用了DIP封装，通过其上的两排引脚可插到主板上的插槽或焊接在主板上。 在内存颗粒直接插在主板上的时代，DIP 封装形式曾经十分流行。DIP还有一种派生方式SDIP（Shrink DIP,紧缩双入线封装），它比DIP的针脚密度要高六倍。 现状：但是由于其封装面积和厚度都比较大，而且引脚在插拔过程中很容易被损坏，可靠性较差。同时这种封装方式由于受工艺的影响，引脚一般都不超过100个。随着CPU内
贴片电阻、贴片电容规格、封装、尺寸、功率 贴片电阻、贴片电容规格、封装、尺寸 贴片电阻常见封装有9种，用两种尺寸代码来表示。一种尺寸代码是由4位数字表示的EIA(美国电子工业协会)代码，前两位与后两位分别表示电阻的长与宽，以英寸为单位。我们常说的0603封装就是指英制代码。另一种是米制代码，也由4位数字表示，其单位为毫米。下表列出贴片电阻封装英制和公制的关系及详细的尺寸： 英制 (i nch) 公制 ( mm) 长(L) (mm) 宽(W) (mm) 高(t) (mm) a (mm) b (mm) 0201 0603 0.60±0.050.30±0.050.23±0.050.10±0.050.15±0.05 0402 1005 1.00±0.100.50±0.100.30±0.100.20±0.100.25±0.10 0603 1608 1.60±0.150.80±0.150.40±0.100.30±0.200.30±0.20 0805 2012 2.00±0.201.25±0.150.50±0.100.40±0.200.40±0.20 1206 3216 3.20±0.201.60±0.150.55±0.100.50±0.200.50±0.20 1210 3225 3.20±0.202.50±0.200.55±0.100.50±0.200.50±0.20 1812 4832 4.50±0.203.20±0.200.55±0.100.50±0.200.50±0.20 2010 5025 5.00±0.202.50±0.200.55±0.100.60±0.200.60±0.20 2512 6432 6.40±0.203.20±0.200.55±0.100.60±0.200.60±0.20 贴片电容和贴片电阻都是一样可以用的,0805,1206等
贴片电阻规格、封装、尺寸ChipR Dimensions 、Footprint 简述 基本结构
分类 规格、封装、尺寸
额定功率及工作电压阻值,标准阻值
标识 规格书、生产厂家
命名方法 价格、报价 创建时间：2005-12-30 最后修改时间 2006-10 我们常说的贴片电阻(SMD Resistor)叫"片式固定电阻器"(Chip Fixed Resistor)，又叫"矩形片状电阻"(Rectangular Chip Resistors)，是由 ROHM公司发明并最早推出市场的。特点
是耐潮湿，耐高温，可靠度高，外观尺寸均匀，精确且温度系数与阻值公差小。 按生产工艺分厚膜(Thick Film Chip Resistors)、薄膜(Thin Film Chip Resistors )两种。厚膜是采用丝网印刷将电阻性材料淀积在绝缘基体(例如玻璃或 氧化铝陶瓷)上，然后烧结形成的。我们通常所见的多为厚膜片式电阻，精度范围 ±0.5% ~ 10%，温度系数:±50PPM/℃~ ±400PPM/℃。薄膜是在真空中采用蒸发和溅射等工艺将电阻性材料淀积在绝缘 基体工艺(真空镀膜技术)制成，特点是低温度系数(±5PPM/℃)，高精度(±0.01%～±1%)。 封装有：0201，0402，0603，0805，1206，1210，1812，2010，2512。其常规系列的精度为5%，1%。阻值范围从0.1欧姆到20M欧姆。标准阻值有E24，E96系列。功率有1/20W、1/16W、1/8W、 1/10W、1/4W、1/2W、1W。 特性： ?体积小，重量轻 ?适合波峰焊和回流焊 ?机械强度高，高频特性优越 ?常用规格价格比传统的引线电 阻还便宜 ?生产成本低，配合自动贴片机，适合现代电子产品规模化生产 使用状况：由于价格便宜，生产方便，能大面积减少PCB面积，减少产品外观尺寸，现在已取代绝大部分传统引线电阻。除一些小厂或不得不使用引线电阻的设计，各种电器上几乎都在使用。目前绝大部分电子产品，以0603、0805器件为主；以手机，PDA为代表的高密度电子产品多使用0201、0402的器件；一些要求稳定和安全的电子产品，如医疗器械、汽车行驶记录仪、税控机则多采用1206、1210等尺寸偏大的电阻。
IC的常见封装形式 常见的封装材料有：塑料、陶瓷、玻璃、金属等，现在基本采用塑料封装。 按封装形式分：普通双列直插式，普通单列直插式，小型双列扁平，小型四列扁平，圆形金属，体积较大的厚膜电路等。 按封装体积大小排列分：最大为厚膜电路，其次分别为双列直插式，单列直插式，金属封装、双列扁平、四列扁平为最小。 封装的历程变化：TO－>DIP－>PLCC－>QFP－>BGA －>CSP 1、DIP(DualIn－line Package)双列直插式封装 D—dual两侧 双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出 2、SIP(single in-line package)单列直插式封装 引脚从封装一个侧面引出，排列成一条直线。当装配到印刷基板上时封装呈侧立状 3、SOP(Small Out-Line Package) 小外形封装双列表面安装式封装 以后逐渐派生出SOJ（J型引脚小外形封装）、TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）及SOT（小外形晶体管）、SOIC（小外形集成电路） 4、PQFP（Plastic Quad Flat Package）塑料方型扁平式封装 芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大型集成电路都采用这种封装形式，其引脚数一般在100个以上。适用于高频线路，一般采用SMT技术应用在PCB板上安装
5、BQFP(quad flat package with bumper)带缓冲垫的四侧引脚扁平封装 QFP 封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫) 以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形 6、QFN(quad flat non-leaded package)四侧无引脚扁平封装 封装四侧配置有电极触点，由于无引脚，贴装占有面积比QFP 小，高度比QFP 低。但是，当印刷基板与封装之间产生应力时，在电极接触处就不能得到缓解。因此电极触点难于作到QFP 的引脚那样多，一般从14 到100 左右。材料有陶瓷和塑料两种。当有LCC 标记时基本上都是陶瓷QFN 7、PGA(Pin Grid Array Package)插针网格阵列封装 插装型封装之一，其底面的垂直引脚呈阵列状排列，一般要通过插座与PCB板连接。引脚中心距通常为2.54mm，引脚数从64 到447 左右。 8、BGA(Ball Grid Array Package)球栅阵列封装 其底面按阵列方式制作出球形凸点用以代替引脚。适应频率超过100MHz，I/O 引脚数大于208 Pin。电热性能好，信号传输延迟小，可靠性高。
贴片电阻常见封装有9种，用两种尺寸代码来表示。一种尺寸代码是由4位数字表示的EIA(美国电子工业协会)代码，前两位与后两位分别表示电阻的长与宽，以英寸为单位。我们常说的0603封装就是指英制代码。另一种是米制代码，也由4位数字表示，其单位为毫米。下表列出贴片电阻封装英制和公制的关系及详细的尺寸： 贴片元件的封装 一、零件规格: (a)、零件规格即零件的外形尺寸，SMT发展至今，业界为方便作业，已经形成了一个标准零件系列，各家零件供货商皆是按这一标准制造。 标准零件之尺寸规格有英制与公制两种表示方法，如下表 英制表示法1206 0805 0603 0402 公制表示法3216 2125 1608 1005 含义 L:1.2inch(3.2mm)W:0.6inch(1.6mm)
L:0.8inch(2.0mm)W:0.5inch(1.25mm) L:0.6inch(1.6mm)W:0.3inch(0.8mm) L:0.4inch(1.0mm)W:0.2inch(0.5mm) 注： a、L（Length）：长度；W（Width）：宽度；inch：英寸 b、1inch=25.4mm （b）、在(1)中未提及零件的厚度，在这一点上因零件不同而有所差异，在生产时应以实际量测为准。 （c）、以上所讲的主要是针对电子产品中用量最大的电阻（排阻）和电容（排容），其它如电感、二极管、晶体管等等因用量较小，且形状也多种多样，在此不作讨论。 （d）、SMT发展至今，随着电子产品集成度的不断提高，标准零件逐步向微型化发展，如今最小的标准零件已经到了0201。 二、常用元件封装 1）电阻： 最为常见的有0805、0603两类，不同的是，它可以以排阻的身份出现，四位、八位都有，具体封装样式可参照MD16仿真版，也可以到设计所内部PCB库查询。 注： ABCD四类型的封装形式则为其具体尺寸,标注形式为L X S X H 1210具体尺寸与电解电容B类3528类型相同 0805具体尺寸：2.0 X 1.25 X 0.5（公制表示法） 1206具体尺寸：3.0 X 1.5 0X 0.5（公制表示法） 2）电阻的命名方法 1、5%精度的命名：RS – 05 K 102 JT 2、1％精度的命名：RS – 05 K 1002 FT R －表示电阻 S －表示功率 0402是1/16W、 0603是1/10W、 0805是1/8W、 1206是1/4W、 1210是1/3W、 1812是1/2W、 2010是3/4W、 2512是1W。 05 －表示尺寸(英寸)： 02表示0402、 03表示0603、 05表示0805、 06表示1206、 1210表示1210、
常用贴片元件封装 1 电阻： 最为常见的有0201、0402、0805、0603、1206、1210、1812、2010、2512几类 1）贴片电阻的封装与尺寸如下表： 英制(mil) 公制(mm) 长(L)(mm) 宽(W)(mm) 高(t)(mm) 0201 0603 0.60±0.05 0.30±0.05 0.23±0.05 0402 1005 1.00±0.10 0.50±0.10 0.30±0.10 0603 1608 1.60±0.15 0.80±0.15 0.40±0.10 0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.15 0.50±0.10 1206 3216 3.20±0.20 1.60±0.15 0.55±0.10 1210 3225 3.20±0.20 2.50±0.20 0.55±0.10 1812 4832 4.50±0.20 3.20±0.20 0.55±0.10 2010 5025 5.00±0.20 2.50±0.20 0.55±0.10 2512 6432 6.40±0.20 3.20±0.20 0.55±0.10 2）贴片电阻的封装、功率与电压关系如下表： 英制(mil)公制(mm)额定功率@ 70°C 最大工作电压(V) 0201 0603 1/20W 25 0402 1005 1/16W 50 0603 1608 1/10W 50 0805 2012 1/8W 150 1206 3216 1/4W 200
1210 3225 1/3W 200 1812 4832 1/2W 200 2010 5025 3/4W 200 2512 6432 1W 200 3）贴片电阻的精度与阻值 贴片电阻阻值误差精度有±1％、±2％、±5％、±10％精度， J －表示精度为5％、 F－表示精度为1％。 T －表示编带包装 阻值范围从0R-100M 2电容： 1）贴片电容可分为无极性和有极性两种，容值范围从0.22pF-100uF 无极性电容下述两类封装最为常见，即0805、0603； 英制尺寸公制尺寸长度宽度厚度 0402 1005 1.00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.05 0603 1608 1.60±0.10 0.80±0.10 0.80±0.10 0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.20 0.70±0.20 1206 3216 3.20±0.30 1.60±0.20 0.70±0.20 1210 3225 3.20±0.30 2.50±0.30 1.25±0.30 1808 4520 4.50±0.40 2.00±0.20 ≤2.00 1812 4532 4.50±0.40 3.20±0.30 ≤2.50 2225 5763 5.70±0.50 6.30±0.50 ≤2.50 3035 7690 7.60±0.50 9.00±0.05 ≤3.00
目录 TO-268AA贴片元件封装形式图片 (3) TO-263 D2PAK封装尺寸图 (4) TO-263-7封装尺寸图 (5) TO-263-5封装尺寸图 (6) TO-263-3封装尺寸图 (7) TO-252 DPAK封装尺寸图 (8) TO-252-5封装尺寸图 (9) TO252-3封装尺寸图 (10) 0201封装尺寸 (11) 0402封装尺寸图片 (12) 0603封装尺寸图 (13) 0805封装尺寸图 (14) 01005封装尺寸图 (15) 1008封装尺寸图 (16) 1206封装尺寸图 (17) 1210封装尺寸图 (18) 1406封装尺寸图 (19) 1812封装尺寸图 (20) 1808封装尺寸图 (21) 1825封装尺寸图 (22) 2010封装尺寸图 (23) 2225封装尺寸图 (24) 2308封装尺寸图 (25) 2512封装尺寸图 (26) DO-215AB封装尺寸图 (27) DO-215AA封装尺寸图 (28) DO-214AC封装尺寸图 (29) DO-214AB封装尺寸图 (30) DO-214AA封装尺寸图 (31) DO-214封装尺寸图 (32) DO-213AB封装尺寸图 (33) DO-213AA封装尺寸图 (34) SOD123H封装图 (35) SOD723封装尺寸图 (36) SOD523封装尺寸图 (37) SOD323封装尺寸图 (38) SOD-123F封装尺寸图 (39) SOD123封装尺寸图 (40) SOD110封装尺寸图 (41) DO-214AC SOD106封装尺寸图 (42) D-7343封装尺寸图 (43)
双向可控硅的工作原理 1.可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成 当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。 由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。 由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化 2,触发导通 在控制极G上加入正向电压时（见图5）因J3正偏，P2区的空穴时入N2区，N2区的电子进入P2区，形成触发电流IGT。在可控硅的内部正反馈作用（见图2）的基础上，加上IGT的作用，使可控硅提前导通，导致图3的伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。 一、可控硅的概念和结构？ 晶闸管又叫可控硅。自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族，它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管，等等。今天大家使用的是单向晶闸管，也就是人们常说的普通晶闸管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极〔图2(a)〕：第一层P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号〔图2(b)〕可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。
芯片封装形式 芯片封装形式主要以下几种：DIP，TSOP，PQFP，BGA，CLCC，LQFP，SMD，PGA，MCM，PLCC等。 DIP DIP封装（Dual In-line Package），也叫双列直插式封装技术，双入线封装，DRAM的一种元件封装形式。指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100。DIP封装的CPU芯片有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。当然，也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。DIP封装的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心，以免损坏管脚。DIP封装结构形式有：多层陶瓷双列直插式DIP，单层陶瓷双列直插式DIP，引线框架式DIP（含玻璃陶瓷封接式，塑料包封结构式，陶瓷低熔玻璃封装式）等。 DIP封装具有以下特点： ?适合在PCB(印刷电路板)上穿孔焊接，操作方便。 ?芯片面积与封装面积之间的比值较大，故体积也较大。 ?最早的4004、8008、8086、8088等CPU都采用了DIP封装，通过其上的两排引脚 可插到主板上的插槽或焊接在主板上。 ?在内存颗粒直接插在主板上的时代，DIP 封装形式曾经十分流行。DIP还有一种派 生方式SDIP（Shrink DIP,紧缩双入线封装），它比DIP的针脚密度要高6六倍。 DIP还是拨码开关的简称，其电气特性为 ●电器寿命:每个开关在电压24VDC与电流25mA之下测试,可来回拨动2000次； ●开关不常切换的额定电流:100mA,耐压50VDC ； ●开关经常切换的额定电流:25mA,耐压24VDC ； ●接触阻抗:(a)初始值最大50mΩ；(b)测试后最大值100mΩ； ●绝缘阻抗:最小100mΩ,500VDC ； ●耐压强度:500VAC/1分钟； ●极际电容:最大5pF ； ●回路:单接点单选择:DS(S),DP(L) 。 TSOP 到了上个世纪80年代，内存第二代的封装技术TSOP出现，得到了业界广泛的认可，时至今日仍旧是内存封装的主流技术。TSOP是“Thin Small Outline Package”的缩写，意思是薄型小尺寸封装。TSOP内存是在芯片的周围做出引脚，采用SMT技术（表面安装技术）直接附着在PCB板的表面。TSOP封装外形尺寸时，寄生参数(电流大幅度变化时，引起输出电压扰动)减小，适合高频应用，操作比较方便，可靠性也比较高。同时TSOP封装具有成品率高，价格便宜等优点，因此得到了极为广泛的应用。 TSOP封装方式中，内存芯片是通过芯片引脚焊接在PCB板上的，焊点和PCB板的接触面积较小，使得芯片向PCB办传热就相对困难。而且TSOP封装方式的内存在超过150MHz 后，会产品较大的信号干扰和电磁干扰。 PQFP PQFP： (Plastic Quad Flat Package，塑料方块平面封装)一种芯片封装形式。 BGA BGA封装内存 BGA封装(Ball Grid Array Package)的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，BGA技术的优点是I/O引脚数虽然增加了，但引脚间距并没有减小反而增加了，从而提
可控硅触发电路必须满足的三个主要条件 一、可控硅触发电路的触发脉冲信号应有足够的功率和宽度 为了使所有的元件在各种可能的工作条件下均能可靠的触发，可控硅触发电路所送出的触发电压和电流，必须大于元件门极规定的触发电压UGT与触发电流IGT的最大值，并且留有足够的余量。另外，由于可控硅的触发是有一个过程的，也就是可控硅触发电路的导通需要一定的时间，不是一触即通，只有当可控硅的阳极电流即主回路电流上升到可控硅的擎住电流IL以上时，管子才能导通，所以触发脉冲信号应有一定的宽度才能保证被触发的可控硅可靠导通。例如：一般可控硅的导通时间在6μs左右，故触发脉冲的宽度至少在6μs以上，一般取20～50μs，对于大电感负载，由于电流上升较慢，触发脉冲宽度还应加大，否则脉冲终止时主回路电流还未上升到可控硅的擎任电流以上，则可控硅又重新关断，所以脉冲宽度下应小于300μs，通常取1ms，相当广50Hz正弦波的18°电角度。 二、触发脉冲的型式要有助于可控硅触发电路导通时间的一致性 对于可控硅串并联电路，要求并联或者串联的元件要同一时刻导通，使两个管子中流过的电流及或承受的电压及相同。否则，由于元件特性的分散性，在并联电路中使导通较早的元件超出允许范围，在串联电路中使导通较晚的元件超出允许范围而被损坏，所以，针对上述问题，通常采取强触发措施，使并联或者串联的可控硅尽量在同一时间内导通。 三、触发电路的触发脉冲要有足够的移相范围并且要与主回路电源同步 为了保证可控硅变流装置能在给定的控制范围内工作，必须使触发脉冲能在相应的范围内进行移相。同时，无论是在可控整流、有源逆变还是在交流调压的触发电路中，为了使每—周波重复在相同位置上触发可控硅，触发信号必须与电源同步，即触发信号要与主回路电源保持固定的相位关系。否则，触发电路就不能对主回路的输出电压Ud进行准确的控制。逆变运行时甚至会造成短路事故，而同步是由相主回路接在同一个电源上的同步变压器输出的同步信号来实现的。 可控硅（晶闸管）的交流调压原理 一、双向可控硅交流调压原理 一只双向可控硅的工作原理，可等效两只同型号的单向可控硅互相反向并联，然后串联在调压电路中实现其可控硅交流调压的。为５０Ｈｚ交流电的电压波形。在０～ａ′时间内，ＳＣＲ１因控制极Ｇ无正脉冲信号而正向阻断，而ＳＣＲ２则反向不导通。在ａ′～?π时间内，ＳＣＲ１控制极Ｇ受触发脉冲触发而导通. 将可控硅在正向阳极电压作用下不导通的范围称为控制角，用字母ａ表示，而导通范围称为导通角，用字母θ表示。显然控制角ａ的大小，可改变正负半周波形切割面积的大小。当ａ越小被切割的波形面积越小，输出交流电压的平均值越大。相反，当ａ角越大，被切割的波形面积越大，输出交流电压的平均值越小。 二、单向可控硅交流调压原理 ５０Ｈｚ交流电压通过四个二极管组成的单向器，将５０Ｈｚ正负半波变换为相对应时刻的单向电压，再用一只单向可控硅来实现交流调压。 可控硅的工作电流就等于Ｉ，在实际应用中ＳＣＲ的工作电流一般取１～１．５Ｉ。由于采用了单向器，所以ＳＣＲ不承受反向电压，为了防止单向器二极管击穿短路而损坏可控硅，实际应用时ＳＣＲ反向工作电压仍应取≥４００Ｖ。 双向可控硅交流稳压器电路
同学：老师，双向晶闸管看起来与单向晶闸管的外形差不多，也有三个电极（图 2 ），它的主要工作特性是什么呢？ 教师：双向晶闸管相当于两个单向晶闸管的反向并联（图3 ），但只有一个控制极。这样，双向晶闸管在正、反两个方向上都能够控制导电，而单向晶闸管却是一种可控的单方向导电器件。给双向晶闸管的控制极加正的或负的触发脉冲，都能使管子触发导通。这样，触发电路的设计就具有很大的灵活性，可以采用多种不同的触发方式。此外，双向晶闸管的两个主电极不再分为阳极和阴极，而是称为第一电极T1 和第二电极T2 。双向晶闸管在电路中不能用作可控整流元件，主要用来进行交流调压、交流开关、可逆直流调速等等。 同学：双向晶闸管触发电路（图1 ）中，使用了双向触发二极管，我们过去没有听说过这种管子，这是一种什么样的器件呢？ 老师：双向触发二极管（图4 ）从结构上来说，是一种没有控制极的晶闸管，我们可以把它看成是两个二极管的反向并联。这样，无论在双向触发二极管的两极之间外加什么极性的电压，只要电压的数值达到管子的转折电压值，就能使它导通。值得注意的是，双向触发二极管的转折电压较高，一般在20 ～40V 范围。
同学：老师，您给我们讲讲双向触发二极管组成的双向晶闸管触发电路的工作原理吧。 老师：调压器电路主要由阻容移相电路和双向晶闸管两部分组成。我们单独画出这两部分电路（图5 ），R5 、RP 和C5 构成阻容移相电路。合上电源开关S ，交流电源电压通过R5 、RP 向电容器C5 充电，当电容器C5 两端的电压上升到略高于双向触发二极管ST 的转折电压时，ST 和双向晶闸管VS 相继导通，负载RL 得电工作。当交流电源电压过零瞬间，双向晶闸管自行关断，接着C5 又被电源反向充电，重复上述过程。分析电路时，大家应该意识到，触发电路是工作在交流电路中的，交流电压的正、负半周分别会发出正、负触发脉冲送到双向晶闸管的控制极，使管子在正、负半周内对称地导通一次。改变R P 的阻值，就改变了C5 的充电速度，也就改变了双向晶闸管的导通角，相应地改变了负载RL 上的交流电压，实现了交流调压。 同学：您刚刚画出的电路图（图5 ）是不是可以直接作交流调压器使用呢？ 老师：可以。这就是一个简易型调压器，在要求不高的场合（如灯具调光）完全可以使用。这种调压器的缺点有两个：一是负载RL 上的电压不能从零伏起调，最低只能调到20V 。当RP 调到最大值时，C5 充电速度变得很慢，以致在交流电压的半个周期时间内，C5 上的电压还来不及上升到双向触发二极管的转折电压，双向晶闸管就不能导通。为了克服这一缺陷，增加了由R4 、C4 和R6 组成的另一条阻容移相电路（图 1 ）。当RP 调到极限值以上时，C4 上的电压可经R6 向C5 充电，使C5 上的电压达到双向触发二极管的转折电压，以保证在低输出电压下双向晶闸管仍能导通。适当调节R4 ，就可以得到较低的起调电压。另一个缺点是双向晶闸管导通瞬间的突变电流形成的脉冲干扰，会影响调幅收音机和一些通信设备的正常工作，简易型调压器不能抑制这种脉冲干扰。 同学：怎么抑制晶闸管导通瞬间产生的电磁干扰呢？ 老师：可以利用滤波电路。大家再看电路图（图1 ）。电感L 串联在主电路上，对突变电流呈现很大的阻抗，起到了平滑滤波作用；R1 、C1 支路并联在电源线上，将高频干扰电流旁路。此外，与负载R L 并联的R2 、C3 支路进一步滤除了负载电流突变产生的脉冲干扰。这样，由于采用了双重滤波电路，起到了较强的抑制干扰的作用。
贴片电阻封装/尺寸/功率一览表 贴片电阻功率与尺寸对应表 电阻封装尺寸与功率关系,通常来说: 0201 1/20W 0402 1/16W 0603 1/10W 0805 1/8W 1206 1/4W 电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是: 0402=1.0x0.5 0603=1.6x0.8 0805=2.0x1.2 1206=3.2x1.6 1210=3.2x2.5 1812=4.5x3.2 2225=5.6x6.5 常规贴片电阻(部分) 常规的贴片电阻的标准封装及额定功率如下表： 英制(mil) 公制(mm) 额定功率(W)@ 70°C 0201 0603 1/20 0402 1005 1/16 0603 1608 1/10 0805 2012 1/8 1206 3216 1/4 1210 3225 1/3 1812 4832 1/2 2010 5025 3/4
2512 6432 1 国内贴片电阻的命名方法： 1、5%精度的命名：RS-05K102JT 2、1％精度的命名：RS-05K1002FT R －表示电阻 S －表示功率0402是1/16W、0603是1/10W、0805是1/8W、1206是1/4W、1210是1/3W、1812是1/2W、2010是3/4W、2512是1W。 05 －表示尺寸(英寸)：02表示0402、03表示0603、05表示0805、06表示1206、1210表示1210、1 812表示1812、10表示1210、12表示2512。 K －表示温度系数为100PPM, 102－5％精度阻值表示法：前两位表示有效数字，第三位表示有多少个零，基本单位是Ω，102＝10000Ω＝1KΩ。1002是1％阻值表示法：前三位表示有效数字，第四位表示有多少个零，基本单位是Ω，1002＝100000Ω＝10KΩ。 J －表示精度为5％、F－表示精度为1％。 T －表示编带包装 1：0402(1/16W) 2:0603(1/10W) 3:0805(1/8W) 4:1206(1/4W) 5:1210(1/3W) 6:2010(1/2W) 7:2512(1W) 1206 20欧1/4 *4 5欧1w 120 贴片电阻的封装与功率关系贴片电阻的封装与功率关系如下表： 封装额定功率@ 70°C 最大工作电压(V) 英制(mil) 公制(mm) 常规功率系列提升功率系列 0201 0603 1/20W / 25 0402 1005 1/16W / 50 0603 1608 1/16W 1/10W 50 0805 2012 1/10W 1/8W 150 1206 3216 1/8W 1/4W 200 1210 3225 1/4W 1/3W 200 1812 4832 1/2W / 200 2010 5025 1/2W 3/4W 200 2512 6432 1W / 200 贴片电阻封装与尺寸
各种贴片封装尺寸 贴片元件封装 SMT(Surface Mount Technology)是电子业界一门新兴的工业技术，它的兴起及迅猛发展是电子组装业的一次革命，被誉为电子业的”明日之星”，它使电子组装变得越来越快速和简单，随之而来的是各种电子产品更新换代越来越快，集成度越来越高，价格越来越便宜。为IT （Information Technology）产业的飞速发展作出了巨大贡献。 SMT零件 SMT所涉及的零件种类繁多，样式各异，有许多已经形成了业界通用的标准，这主要是一些芯片电容电阻等等；有许多仍在经历着不断的变化，尤其是IC类零件，其封装形式的变化层出不穷，令人目不暇接，传统的引脚封装正在经受着新一代封装形式（BGA、FLIP CHIP 等等）的冲击，在本章里将分标准零件与IC类零件详细阐述。 一、标准零件 标准零件是在SMT发展过程中逐步形成的，主要是针对用量比较大的零件，本节只讲述常见的标准零件。目前主要有以下几种：电阻(R)、排阻(RA或RN)、电感(L)、陶瓷电容(C)、排容(CP)、钽质电容(C)、二极管(D)、晶体管(Q)【括号内为PCB（印刷电路板）上之零件代码】，在PCB上可根据代码来判定其零件类型，一般说来，零件代码与实际装着的零件是相对应的。 1、零件规格: (1)、零件规格即零件的外形尺寸，SMT发展至今，业界为方便作业，已经形成了一个标准零件系列，各家零件供货商皆是按这一标准制造。 标准零件之尺寸规格有英制与公制两种表示方法，如下表 公制表示法 1206 0805 0603 0402 英制表示法 3216 2125 1608 1005 含义 L:1.2inch(3.2mm)W:0.6inch(1.6mm) L:0.8inch(2.0mm)W:0.5inch(1.25mm) L:0.6inch(1.6mm)W:0.3inch(0.8mm) L:0.4inch(1.0mm)W:0.2inch(0.5mm) 注：a、L（Length）：长度； W（Width）：宽度； inch：英寸 b、1inch=25.4mm （2）、在(1)中未提及零件的厚度，在这一点上因零件不同而有所差异，在生产时应以实际量测为准。 （3）、以上所讲的主要是针对电子产品中用量最大的电阻（排阻）和电容（排容），其它如电感、二极管、晶体管等等因用量较小，且形状也多种多样，在此不作讨论。 （4）、SMT发展至今，随着电子产品集成度的不断提高，标准零件逐步向微型化发展，如今最小的标准零件已经到了0201。 2、钽质电容(Tantalum) 钽质电容已经越来越多应用于各种电子产品上，属于比较贵重的零件，发展至今，也有了一