垃圾焚烧厂烟气净化处理方案 垃圾焚烧处理方法是将垃圾在高温下燃烧，使可燃成分经氧化转变为稳定气体（烟气），不可燃成分转变为无机物（灰渣），焚烧处理过程中产生的热能可用于发电，进而达到无害化、减量化、资源化的目的，是目前处理城市垃圾最有前途的方法之一。随着垃圾焚烧处理越来越被国内大中城市所接受，焚烧烟气的处理问题也越来越受到广泛关注，因此必须对焚烧烟气进行净化处理确保达标排放。 1、烟气净化处理方案 某垃圾焚烧发电工程处理规模为1000t/d，配置2台500 t/d垃圾焚烧炉，与焚烧炉对应配置2套焚烧烟气净化系统。根据项目排放要求，结合本工程污染物排放浓度要求的特点，同时从技术成熟性、可靠性、稳定性及经济性等方面考虑，参考国内已建成的大中型现代化垃圾焚烧厂的实践，本工程采用的“半干法+ 辅助干法”烟气净化工艺，即“旋转喷雾半干法脱酸+ 辅助消石灰粉烟道喷射干法脱酸+ 活性炭吸附+袋式除尘器”进行处理，吸收剂采用石灰浆。另外，本工程采用SNCR脱NOx工艺，由于该脱氮工艺为焚烧炉内脱氮，因此烟气净化工艺设计暂不考虑脱氮系统的设计。 1.1 主要设计参数及排放指标
每台余热锅炉出口烟气主要参数如表1所示。本工程烟气排放指标要求如表2所示。 1.2 工艺方案简述 焚烧烟气经余热锅炉回收热量后（温度190 ～240℃）进入脱酸反应塔，烟气中的酸性物质（HCl、SO2等）与雾化的石灰浆液滴充分反应，调温水随石灰浆液雾化并蒸发，从而调节烟气温度。在反应塔出口烟道喷入Ca（OH）2和活性炭粉末，烟气中未去除完的酸性污染物与Ca（OH）2继续反应去除，二噁英和汞等重金属则被活性炭吸附。烟尘进入袋式除尘器后被滤袋分离出来，收集下来的粉尘经刮板输送机输
多晶硅的三大生产工艺之比较 从西门子法到改良西门子法的演进是一个从开环到闭环的过程。 1955年，德国西门子开发出以氢气(H2)还原高纯度三氯氢硅(SiHCl3)，在加热到1100℃左右的硅芯(也称“硅棒”)上沉积多晶硅的生产工艺;1957年，这种多晶硅生产工艺开始应用于工业化生产，被外界称为“西门子法”。 由于西门子法生产多晶硅存在转化率低，副产品排放污染严重(例如四氯化硅SiCl4)的主要问题，升级版的改良西门子法被有针对性地推出。改良西门子法即在西门子法的基础上增加了尾气回收和四氯化硅氢化工艺，实现了生产过程的闭路循环，既可以避免剧毒副产品直接排放污染环境，又实现了原料的循环利用、大大降低了生产成本(针对单次转化率低)。因此，改良西门子法又被称为“闭环西门子法”。 改良西门子法一直是多晶硅生产最主要的工艺方法，目前全世界有超过85%的多晶硅是采用改良西门子法生产的。过去很长一段时间改良西门子法主要用来生产半导体行业电子级多晶硅(纯度在99.9999999%～99.999999999%，即9N～11N的多晶硅);光伏市场兴起之后，太阳能级多晶硅(对纯度的要求低于电子级)的产量迅速上升并大大超过了电子级多晶硅，改良西门法也成为太阳能级多晶硅最主要的生产方法。 2.改良西门子法生产多晶硅的工艺流程 (改良西门子法工艺流程示意图) 改良西门子法是一种化学方法，首先利用冶金硅(纯度要求在99.5%以上)与氯化氢(HCl)合成产生便于提纯的三氯氢硅气体(SiHCl3，下文简称TCS)，然后将TCS精馏提纯，最后通过还原反应和化学气相沉积(CVD)将高纯度的TCS转化为高纯度的多晶硅。 在TCS还原为多晶硅的过程中，会有大量的剧毒副产品四氯化硅(SiCl4，下文简称STC)生成。改良西门子法通过尾气回收系统将还原反应的尾气回收、分离后，把回收的STC送到氢化反应环节将其转化为TCS，并与尾气中分离出来的TCS一起送入精馏提纯系统循环利用，尾气中分离出来的氢气被送回还原炉，氯化氢被送回TCS合成装置，均实现了闭路循环利用。这是改良西门子法和传统西门子法最大的区别。
克劳斯法回收硫磺 CPEE天津分公司 2012.1.20
克劳斯法硫回收工艺 一、工艺方法及原理 1、常用硫回收工艺 (1) 液相直接氧化工艺 有代表性的液相直接氧化工艺有：ADA法和改良ADA法脱硫、拷胶法脱硫、氨水液相催化法脱等。液相直接氧化工艺适用于硫的“粗脱”，如果要求高的硫回收率和达到排放标准的尾气，宜采用固定床催化氧化工艺或生物法硫回收工艺。 (2) 固定床催化氧化工艺 硫回收率较高的Claus工艺是固定床催化氧化硫回收工艺的代表。Claus硫回收装置一般都配有相应的尾气处理单元，这些先进的尾气处理单元或与硫回收装置组合为一个整体装置，或单独成为一个后续装置。Claus硫回收工艺及尾气处理方式种类繁多，但基本是在Claus硫回收技术基础上发展起来的，主要有：SCOT 工艺、SuperClaus工艺、Clinsulf工艺、Sulfreen工艺、MCRC工艺等。 2. 克劳斯硫回收工艺特点 常规Claus工艺是目前炼厂气、天然气加工副产酸性气体及其它含H2S 气体回收硫的主要方法。其特点是：流程简单、设备少、占地少、投资省、回收硫磺纯度高。但是由于受化学平衡的限制，两级催化转化的常规Claus工艺硫回收率为90-95%，三级转化也只能达到95-98%，随着人们环保意识的日益增强和环保标准的提高，常规Claus工艺的尾气中硫化物的排放量已不能满足现行环保标准的要求，降低硫化物排放量和提高硫回收率已迫在眉睫。 一般克劳斯尾气吸收要经过尾气焚烧炉，通过吸收塔，在吸收塔内用石灰乳溶液或稀氨水吸收，生成亚硫酸氢钙或亚硫酸氢铵，通过向溶液中通空气，转化为石膏或硫酸铵，达到无害处理，我公司硫回收尾气送至锅炉燃烧并脱硫后排放。 3、克劳斯法制硫基本原理 克劳斯硫回收装置用来处理低温甲醇洗的酸性气体，使酸性气中的H2S转变为单质硫。首先在燃烧炉内三分之一的H2S与氧燃烧，生产SO2,然后剩余的H2S与生成的SO2在催化剂的作用下，进行克劳斯反应生成硫磺。
3、烟气净化及排烟系统 根据《医疗废物集中焚烧处置工程建设技术要求》（HJ/T176-2005）的要求及参考国内医废焚烧装置已成功运行的经验，确定烟气净化采用药液脱酸+石灰粉脱酸+喷活性炭粉+袋式除尘器+填料吸收塔的组合工艺。 包括半干式中和反应塔、石灰粉脱酸及喷活性炭粉、袋式除尘器、填料吸收塔、引风机及其附属设备。 3.1半干式中和反应塔 包括:脱酸碱溶液的制备及供给装置。 半干式中和反应塔主要用于去除烟气中的酸性气态污染物,是半干法烟气净化系统的主要设备。入口烟气温度600℃，出口烟气温度＜200℃。采用喷氢氧化钠溶液的方式，脱除烟气中的大部分酸性物质；吸收塔材质采用Q235-A钢+耐酸胶泥。 或NaOH碱液为净化吸收剂，烟气从下部进入吸收塔吸收塔以10%左右的Ca（OH） 2 内，在喷嘴下方区域与雾化的吸收剂浆液充分混合。 雾化喷头靠压缩空气完成浆液雾化，其结构为双层夹套管，吸收剂浆液走内管，压缩空气走外管，浆液与压缩空气在喷嘴处强烈混合后从雾化器喷嘴喷出，使浆液雾化为细小的颗粒，与烟气进行充分接触吸收。 酸性气体的去除分两个阶段，第一阶段：烟气在塔内与石灰浆液雾滴混合，烟气中的酸性气体与液态的石灰发生化学反应；第二阶段：烟气的热量使浆液雾滴中的水分蒸发，浆液中石灰和反应生成物成为固态的颗粒物，这些颗粒物在塔的下部和后续的袋式除尘器内，再次与气态污染物发生化学反应，使总的污染物净化反应效率提高。 本装置的烟气急冷时间为小于1S。为了保证喷入塔内的浆液完全蒸发、防止浆液粘壁及防止腐蚀，内部采用双层结构，与烟气接触面为防腐耐火砖材料，中间为隔热层。采用硅酸铝纤维板。 脱酸碱溶液的制备及供给装置包括脱酸碱溶液的中间贮槽及输送设备。外购件的熟石灰（纯度90%，粒度200目）由石灰贮槽经螺旋给料机送到石灰浆槽。在石灰浆槽内，加水搅拌配制成一定浓度的石灰浆。石灰浆经药液泵压送到吸收塔顶部的雾化器喷头，同时在压缩空气的作用下使石灰浆充分雾化。 吸收塔采用喷水直接冷却的方式，流经塔内的烟气直接与雾化后喷入的液体接触，传质速度和传热速度较快，喷入的液体迅速汽化带走大量的热量，烟气温度得以迅速降温，
多晶硅生产工艺学 绪论 一、硅材料的发展概况半导体材料是电子技术的基础，早在十九世纪末，人们就发现了半导体材料，而真正实用还是从二十世纪四十年代开始的，五十年代以后锗为主，由于锗晶体管大量生产、应用，促进了半导体工业的出现，到了六十年代，硅成为主要应用的半导体材料，到七十年代随着激光、发光、微波、红外技术的发展，一些化合物半导体和混晶半导体材料：如砷化镓、硫化镉、碳化硅、镓铝砷的应用有所发展。一些非晶态半导休和有机半导休材料（如萘、蒽、以及金属衍生物等）在一定范围内也有其半导休特性，也开始得到了应用。 半导休材料硅的生产历史是比较年青的，约30 年。美国是从 1949?1951年从事半导体硅的制取研究和生产的。几年后其产量就翻了几翻，日本、西德、捷克斯洛伐克，丹麦等国家的生产量也相当可观的。 从多晶硅产量来看，就79 年来说，美国产量1620?1670 吨日本420
?440 吨。西德700?800 吨。预计到85 年美国的产量将达到2700 吨、日本1040 吨、西德瓦克化学电子有限公司的产量将达到3000 吨。 我国多晶硅生产比较分散，真正生产由58 年有色金属研究院开始研究，65 年投入生产。从产量来说是由少到多，到七七年产量仅达70?80吨，预计到85年达到300吨左右。 二、硅的应用半导体材料之所以被广泛利用的原因是：耐高压、硅器件体积小，效率高，寿命长，及可靠性好等优点，为此硅材料越来越多地应用在半导体器件上。硅的用途： 1、作电子整流器和可控硅整流器，用于电气铁道机床，电解食盐，有色金属电解、各种机床的控制部分、汽车等整流设备上，用以代替直流发电机组，水银整流器等设备。 2、硅二极管，用于电气测定仪器，电子计算机装置，微波通讯装置等。 3、晶体管及集成电路，用于各种无线电装置，自动电话交换台，自动控制系统，电视摄相机的接收机，计测仪器髟来代替真空管，在各种无线电设备作为放大器和振荡器。 4、太阳能电池，以单晶硅做成的太阳能电池，可以直接将太阳能转变为电能。 三、提高多晶硅质量的措施和途径：为了满足器件的要求，硅材料的质量好坏，直接关系到晶体管的合格率与电学性能，随着大规模集成电路和MOS 集成电路的发展而获得电路的高可靠性，适应性。因此对半导体材料硅的要求越来越高。 1、提高多晶硅产品质量的措施：在生产过程中，主要矛盾是如何稳定产品的质 量问题，搞好工艺卫生是一项最重要的操作技术，在生产实践中要树立
克劳斯法硫回收工艺 一、工艺要求 三高无烟煤：元素分析含硫3.3% 造气：121332Nm3含硫化氢1.11% 含COS0.12% 约17克/Nm3 低温甲醇洗：净化气含硫0.1ppm 送出H2S含量为35%左右的酸性气体3871Nm3。 本岗位主要任务是回收低温甲醇洗含硫CO2尾气中的H2S组份，通过该装置回收，制成颗粒状硫磺。同时将尾气送到锅炉燃烧，使排放废气达到国家排放标准，本装置的正常硫磺产量约为16160吨/年。 二、工艺方法 1、常用硫回收工艺 (1) 液相直接氧化工艺 有代表性的液相直接氧化工艺有：ADA法和改良ADA法脱硫、拷胶法脱硫、氨水液相催化法脱等。液相直接氧化工艺适用于硫的“粗脱”，如果要求高的硫回收率和达到排放标准的尾气，宜采用固定床催化氧化工艺或生物法硫回收工艺。 (2) 固定床催化氧化工艺 硫回收率较高的Claus工艺是固定床催化氧化硫回收工艺的代表。Claus硫回收装置一般都配有相应的尾气处理单元，这些先进的尾气处理单元或与硫回收装置组合为一个整体装置，或单独成为一个后续装置。Claus硫回收工艺及尾气处理方式种类繁多，但基本是在Claus硫回收技术基础上发展起来的，主要有：SCOT 工艺、SuperClaus工艺、Clinsulf工艺、Sulfreen工艺、MCRC工艺等。 2. 克劳斯硫回收工艺特点 常规Claus工艺是目前炼厂气、天然气加工副产酸性气体及其它含H2S 气体回收硫的主要方法。其特点是：流程简单、设备少、占地少、投资省、回收硫磺纯度高。但是由于受化学平衡的限制，两级催化转化的常规Claus工艺硫回收率为90-95%，三级转化也只能达到95-98%，随着人们环保意识的日益增强和环保标准的提高，常规Claus工艺的尾气中硫化物的排放量已不能满足现行环保标准的要求，降低硫化物排放量和提高硫回收率已迫在眉睫。
多晶硅生产工艺及其应用 摘要：随着人们对能源需求的不断增长以及面临传统能源日渐枯竭的问题，人们开始关注新能源的研究，而多晶硅作为制备太阳能电池板重要的原材料也被重视起来。本文主要介绍了多晶硅的生产工艺，主要包括改良西门子法、硅烷法、流化床法等，以及多晶硅在能源方面的应用。 关键词：多晶硅生产工艺应用 在传统能源逐渐被消耗殆尽的情况下，人们开始关注其他新型能源的研究，太阳能作为一种最具潜力、最清洁和最普遍的的新型能源被高度重视。在所有的太阳能电池中得到广泛应用的是硅太阳能电池，这主要是由于硅在自然界中的蕴含量极为丰富，并且它还有良好的机械性能和电学性能。此外，硅材料中的晶体硅，是目前所有光伏材料中研究和应用比较成熟的。在过去几十年中被泛应用，而其在商业太阳能电池应用中也有很高的转换率。因此，在以后的光伏产业中，硅材料特别是多晶硅的研究将会有一个广阔的发展空间。 一、多晶硅的性质 多晶硅作为单质硅的一种特殊存在形态，主要是熔融的单质硅在温度较低状态下凝固时，硅原子会以金刚石晶格形式排列成很多晶核，如果这些晶核生长成不同晶面取向的晶粒时，那么这些晶粒就会结合起来，便结晶形成多晶硅。多晶硅可作为拉制单晶硅的原料，单晶硅与多晶硅的不同主要表现在物理性质方面，例如，在光学性质、热学性质和力学性质等向异性方面；在电学性质方面，单晶硅的导电性也比多晶硅明显。但在化学性质方面，两者则没有明显区别[1]。 二、多晶硅生产工艺 目前，已经工业上制备多晶硅的化学方法主要有改良西门子法、硅烷法和流化床法。 1、改良西门子法 3、流化床法 另外制备多晶硅的工艺还有：冶金法、气液沉积法、高纯金属还原法等。 三、多晶硅的应用 高纯度多晶硅作为重要的电子信息材料，被称为“微电子大厦的基石”。多品硅有比较广泛的用途，除信息产业外，多晶硅还被用来制备太阳能电池板以及生产可控硅元件。基于硅材料质量好、原料丰富、价格较低、工艺较成熟，因此在未来几十年里，没有其他材料可以代替多晶硅成为光伏产业和电子信息产业的原
改良西门子法生产多晶硅工艺流程 1. 氢气制备与净化工序 在电解槽内经电解脱盐水制得氢气。电解制得的氢气经过冷却、分离液体后，进入除氧器，在催化剂的作用下，氢气中的微量氧气与氢气反应生成水而被除去。除氧后的氢气通过一组吸附干燥器而被干燥。净化干燥后的氢气送入氢气贮罐，然后送往氯化氢合成、三氯氢硅氢还原、四氯化硅氢化工序。 电解制得的氧气经冷却、分离液体后，送入氧气贮罐。出氧气贮罐的氧气送去装瓶。气液分离器排放废吸附剂，氢气脱氧器有废脱氧催化剂排放，干燥器有废吸附剂排放，均由供货商回收再利用。 2. 氯化氢合成工序 从氢气制备与净化工序来的氢气和从合成气干法分离工序返回的循环氢气分别进入本工序氢气缓冲罐并在罐内混合。出氢气缓冲罐的氢气引入氯化氢合成炉底部的燃烧枪。从液氯汽化工序来的氯气经氯气缓冲罐，也引入氯化氢合成炉的底部的燃烧枪。氢气与氯气的混合气体在燃烧枪出口被点燃，经燃烧反应生成氯化氢气体。出合成炉的氯化氢气体流经空气冷却器、水冷却器、深冷却器、雾沫分离器后，被送往三氯氢硅合成工序。 为保证安全，本装置设置有一套主要由两台氯化氢降膜吸收器和两套盐酸循环槽、盐酸循环泵组成的氯化氢气体吸收系统，可用水吸收因装置负荷调整或紧急泄放而排出的氯化氢气体。该系统保持连
续运转，可随时接收并吸收装置排出的氯化氢气体。 为保证安全，本工序设置一套主要由废气处理塔、碱液循环槽、碱液循环泵和碱液循环冷却器组成的含氯废气处理系统。必要时，氯气缓冲罐及管道内的氯气可以送入废气处理塔内，用氢氧化钠水溶液洗涤除去。该废气处理系统保持连续运转，以保证可以随时接收并处理含氯气体。 3. 三氯氢硅合成工序 原料硅粉经吊运，通过硅粉下料斗而被卸入硅粉接收料斗。硅粉从接收料斗放入下方的中间料斗，经用热氯化氢气置换料斗内的气体并升压至与下方料斗压力平衡后，硅粉被放入下方的硅粉供应料斗。供应料斗内的硅粉用安装于料斗底部的星型供料机送入三氯氢硅合成炉进料管。 从氯化氢合成工序来的氯化氢气，与从循环氯化氢缓冲罐送来的循环氯化氢气混合后，引入三氯氢硅合成炉进料管，将从硅粉供应料斗供入管内的硅粉挟带并输送，从底部进入三氯氢硅合成炉。 在三氯氢硅合成炉内，硅粉与氯化氢气体形成沸腾床并发生反应，生成三氯氢硅，同时生成四氯化硅、二氯二氢硅、金属氯化物、聚氯硅烷、氢气等产物，此混合气体被称作三氯氢硅合成气。反应大量放热。合成炉外壁设置有水夹套，通过夹套内水带走热量维持炉壁的温度。 出合成炉顶部挟带有硅粉的合成气，经三级旋风除尘器组成的干法除尘系统除去部分硅粉后，送入湿法除尘系统，被四氯化硅液体洗
上海领昌环保设备有限公司 https://www.doczj.com/doc/a913344763.html, 垃圾焚烧烟气净化技术方法详解 1.城市生活垃圾焚烧烟气湿法净化处理工艺有多种组合形式，且各有特点。总的来说，湿高、存在后续废水净化处艺具有污染物去除效率高、可以满足严格的排放标准、一次投资高、运行费用处理等特点，代表性的工艺流程如图11193所示。如下工艺流程组合形式为预处理洗涤塔＋文丘里洗涤塔＋吸收塔＋电滤器。净化过程大致①预处理洗涤器具有除尘除能，粒度大的颗粒物在该单元得以净化去部分酸性气体污染物（如HC、HF等）和降温的功废水处里设备经水力旋流器浓缩后进行含有咖（OH）2的吸收液循环使用，并定期排放至处理，同时加入新鲜的Ca（OH)2,烟气经过处理后，进入文丘里洗涤器，较细小的颗粒物在此一步去除其他污染物，文丘里洗涤器的吸收液可循环使用. 从吸收塔排出的烟气经过雾沫分离器后进入电滤单元，使亚微米级的细小颗粒物和其他污染物再次得以高净化处理，电滤单元由高压电极和文丘里管组成，低温饱和烟气在文丘里喉管处加速，其中的颗粒物在高压电极作用下带负电荷，随后与扩张管口处的正电性水膜相遇而被捕获，电滤单元的洗涤液定期排放并补充新鲜水。该工艺可使烟气中的污染物得到较彻底的处理，烟气排放可达到较高的要求，但工艺复杂，投资和运行费较高。 2.城市生活垃圾焚烧烟气半干法净化处理工艺也有多种组合形式，并各有特点。半干法净化工艺的组合形式一般为喷雾干燥吸收塔＋除尘器。吸收剂为石灰、石灰经粉磨后形成粉末状并加入一定量的水形成石灰浆液，以喷雾的形式在半干法净化反应器内完成对气体污染物的净化过程，浆液中的水分在高温作用下蒸发，残余物则以干态的形式从反应器底部排出。携带有大量颗粒污染物的烟气从反应器排出后进入静电除尘器，烟气从烟囱中排向大气。除尘器捕获的颗粒物以固态的形式排出，反应器底部排出的残留物可返回循环利用。 由于袋式除尘器是利用过滤的方法完成颗粒物的净化过程，当烟气通过由颗粒物形成的滤层时，气态污染物仍能与滤层中未起反应的Ca（OH）2固体颗粒物发生化学反应而得到进一步净化。因此，在同等条件下，半干法净化工艺中的除尘器优先选用袋式除尘器。
多晶硅生产工艺流程 HUA system office room 【HUA16H-TTMS2A-HUAS8Q8-HUAH1688】
多晶硅生产工艺流程(简介) -------------------------来自于网络收集 多晶硅生产工艺流程,多晶硅最主要的工艺包括，三氯氢硅合成、四氯化硅的热氢化（有的采用氯氢化），精馏，还原，尾气回收，还有一些小的主项，制氢、氯化氢合成、废气废液的处理、硅棒的整理等等。 主要反应包括：Si+HCl---SiHCl3+H2（三氯氢硅合成）;SiCl4+H2---SiHCl3+HCl（热氢化）;SiHCl3+H2---SiCl4+HCl+Si（还原）多晶硅是由硅纯度较低的冶金级硅提炼而来，由于各多晶硅生产工厂所用主辅原料不尽相同，因此生产工艺技术不同；进而对应的多晶硅产品技术经济指标、产品质量指标、用途、产品检测方法、过程安全等方面也存在差异，各有技术特点和技术秘密，总的来说，目前国际上多晶硅生产主要的传统工艺有：改良西门子法、硅烷法和流化床法。改良西门子法是目前主流的生产方法，采用此方法生产的多晶硅约占多晶硅全球总产量的85％。但这种提炼技术的核心工艺仅仅掌握在美、德、日等7家主要硅料厂商手中。这些公司的产品占全球多晶硅总产量的90%，它们形成的企业联盟实行技术封锁，严禁技术转让。短期内产业化技术垄断封锁的局面不会改变。 西门子改良法生产工艺如下： 这种方法的优点是节能降耗显着、成本低、质量好、采用综合利用技术，对环境不产生污染，具有明显的竞争优势。改良西门子工艺法生产多晶硅所用设备主要有：氯化氢合成炉，三氯氢硅沸腾床加压合成炉，三氯氢硅水解凝胶处理系统，三氯氢硅粗馏、精馏塔提纯系统，硅芯炉，节电还原炉，磷检炉，硅棒切断机，腐蚀、清洗、干燥、包装系统装置，还原尾气干法回收装置；其他包括分析、检测仪器，控制仪表，热能转换站，压缩空气站，循环水站，变配电站，净化厂房等。 （1）石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅， 其化学反应SiO2+C→Si+CO2↑
多晶硅生产工艺学
绪论 一、硅材料的发展概况 半导体材料是电子技术的基础，早在十九世纪末，人们就发现了半导体材料，而真正实用还是从二十世纪四十年代开始的，五十年代以后锗为主，由于锗晶体管大量生产、应用，促进了半导体工业的出现，到了六十年代，硅成为主要应用的半导体材料，到七十年代随着激光、发光、微波、红外技术的发展，一些化合物半导体和混晶半导体材料：如砷化镓、硫化镉、碳化硅、镓铝砷的应用有所发展。一些非晶态半导休和有机半导休材料（如萘、蒽、以及金属衍生物等）在一定范围内也有其半导休特性，也开始得到了应用。 半导休材料硅的生产历史是比较年青的，约30年。美国是从1949～1951年从事半导体硅的制取研究和生产的。几年后其产量就翻了几翻，日本、西德、捷克斯洛伐克，丹麦等国家的生产量也相当可观的。 从多晶硅产量来看，就79年来说，美国产量1620～1670吨。日本420～440吨。西德700～800吨。预计到85年美国的产量将达到2700吨、日本1040吨、西德瓦克化学电子有限公司的产量将达到3000吨。 我国多晶硅生产比较分散，真正生产由58年有色金属研究院开始研究，65年投入生产。从产量来说是由少到多，到七七年产
量仅达70～80吨，预计到85年达到300吨左右。 二、硅的应用 半导体材料之所以被广泛利用的原因是：耐高压、硅器件体积小，效率高，寿命长，及可靠性好等优点，为此硅材料越来越多地应用在半导体器件上。硅的用途： 1、作电子整流器和可控硅整流器，用于电气铁道机床，电解食盐，有色金属电解、各种机床的控制部分、汽车等整流设备上，用以代替直流发电机组，水银整流器等设备。 2、硅二极管，用于电气测定仪器，电子计算机装置，微波通讯装置等。 3、晶体管及集成电路，用于各种无线电装置，自动电话交换台，自动控制系统，电视摄相机的接收机，计测仪器髟来代替真空管，在各种无线电设备作为放大器和振荡器。 4、太阳能电池，以单晶硅做成的太阳能电池，可以直接将太阳能转变为电能。 三、提高多晶硅质量的措施和途径： 为了满足器件的要求，硅材料的质量好坏，直接关系到晶体管的合格率与电学性能，随着大规模集成电路和MOS集成电路的发展而获得电路的高可靠性，适应性。因此对半导体材料硅的要求越来越高。 1、提高多晶硅产品质量的措施： 在生产过程中，主要矛盾是如何稳定产品的质量问题，搞好
国外尾气处理技术商及其专利技术 持有尾气专利的国外公司主要有如下几家公司：荷兰国际壳牌公司（SCOT）；西德鲁齐公司（sulfreen）；美国联合油公司（beavon-seletox）；法国IFP的技术（clauspol）；荷兰comprimo公司（superclaus）；加拿大delta公司（MCRC）；德国linde公司（clinculf）；其专利技术简介如下：（1）斯科特法克劳斯尾气处理（SCOT，shell） 说明去SCOT工艺的克劳斯尾气，用管道燃烧器或换热器（1）加热到250-300℃，同时任意加入H2S或H2/CO混合物，如果没有H2或CO这些原性气体可以用一个管道燃烧器（1）按化学计量运行来发生还原性气体。 随后，热气体通过催化剂床层（2），在那里硫化物包括CS2和COS 基本上被还原为H2S。然后气体在一个热回收系统（3）和和急冷塔（4）中大约冷却到40℃。再经胺溶液吸收塔（5）吸收．最后，H2S在浓度只有10～400ppm。从溶剂再生塔得到的酸性气再循环到硫磺装置．来回收
商品级硫磺。吸收塔的废气进行热焚烧或催化焚烧，焚烧炉废气的热量可以回收，例如用于发生蒸汽或与克劳斯尾气换热（1）。这个过程完全是连续的，在克劳斯装置上，进气从设计值到零的弹性范围内。可达到99.7+％的硫回收率，并且操作可靠，非计划停车时间少于1％。SCOT压降是27．6kPa或更低。 经济 SCOT生产可销售硫磺的总回收率（克劳斯＋SCOT）为99.7+％，SCOT使用的设备及各种装置是炼厂通用的。在很宽的进气硫含量和尾气流量范围内无需操作者格外的留意．时总硫回收率影响很小。 工业装置巳有130套装置安装在新鲜进料量为3～2100t/d的硫磺回收装置内使用。 专利所有者壳牌国际研究所和壳牌石油公司。 (2)萨费林法处理克劳斯尾气6ulfreen．Lurgl Bamag） 说明Sulfreen工艺基于众所周知的克劳斯反应，在该反应中尾气的H 多和SO2组分被催化转化为元素硫。该工艺在气相下进行，操作条件即尾
多晶硅制备及工艺 蒋超 材料与化工学院 材料1103班 【摘要】工业硅是制造多晶硅的原料，它由石英砂（二氧化硅）在电弧炉中用碳还原而 成。化学提纯制备高纯硅的方法有很多，其中SiHCl3 氢还原法具有产量大、质量高、成本低等优点，是目前国内外制取高纯硅的主要方法。硅烷法可有效地除去杂质硼和其他金属杂质，无腐蚀性、不需要还原剂、分解温度低和收率高，所以是个有前途的方法。下面介绍SiHCl3 氢还原法（改良西门子法）和硅烷法。 【关键词】改良西门子法硅烷法高纯硅 改良西门子法 1955年，西门子公司成功开发了利用氢气还原三氯硅烷（SiHCl3）在硅芯发热体上沉积硅的工艺技术，并于1957年开始了工业规模的生产，这就是通常所说的西门子法。 在西门子法工艺的基础上，通过增加还原尾气干法回收系统、SiCl4氢化工艺，实现了闭路循环，于是形成了改良西门子法——闭环式SiHCl3氢还原法。 改良西门子法的生产流程是利用氯气和氢气合成HCl（或外购HCl），HCl和冶金硅粉在一定温度下合成SiHCl3，分离精馏提纯后的SiHCl3进入氢还原炉被氢气还原，通过化学气相沉积反应生产高纯多晶硅。具体生产工艺流程见图1。 改良西门子法包括五个主要环节：SiHCl3合成、SiHCl3精馏提纯、SiHCl3的氢还原、尾气的回收和SiCl4的氢化分离。该方法通过采用大型还原炉，降低了单位产品的能耗。通过采用SiCl4氢化和尾气干法回收工艺，明显降低了原辅材料的消耗。 图1：改良西门子法生产工艺流程图
改良西门子法制备的多晶硅纯度高，安全性好，沉积速率为8～10μm/min，一次通过的转换效率为5%～20%，相比硅烷法、流化床法，其沉积速率与转换效率是最高的。沉积温度为1100℃，仅次于SiCl4（1200℃），所以电耗也较高，为120 kWh/kg（还原电耗）。改良西门子法生产多晶硅属于高能耗的产业，其中电力成本约占总成本的70%左右。SiHCl3还原时一般不生产硅粉，有利于连续操作。该法制备的多晶硅还具有价格比较低、可同时满足直拉和区熔要求的优点。因此是目前生产多晶硅最为成熟、投资风险最小、最容易扩建的工艺，国内外现有的多晶硅厂大多采用此法生产SOG硅与EG硅，所生产的多晶硅占当今世界总产量的70～80%。 硅烷法 1956年，英国标准电讯实验所成功研发出了硅烷（SiH4）热分解制备多晶硅的方法，即通常所说的硅烷法。1959年，日本的石冢研究所也同样成功地开发出了该方法。后来，美国联合碳化合物公司采用歧化法制备SiH4，并综合上述工艺且加以改进，便诞生了生产多晶硅的新硅烷法。 硅烷法以氟硅酸、钠、铝、氢气为主要原辅材料，通过SiCl4氢化法、硅合金分解法、氢化物还原法、硅的直接氢化法等方法制取SiH4，然后将SiH4气提纯后通过SiH4热分解生产纯度较高的棒状多晶硅。硅烷法与改良西门子法接近，只是中间产品不同：改良西门子法的中间产品是SiHCl3；而硅烷法的中间产品是SiH4. 图2：硅烷法生产工艺流程图 硅烷法存在成本高、硅烷易爆炸、安全性低的缺点；另外整个过程的总转换效率为0.3，转换效率低；整个过程要反复加热和冷却，耗能高；SiH4分解时容易在气相成核，所以在反应室内生成硅的粉尘，损失达10%～20%，使硅烷法沉积速率（3～8μm/min）仅为西门子法
多晶硅产品 的用途与生产工艺简介 黎展荣编写 2008-03-15 多晶硅产品的用途与生产工艺简介 讲课提纲： 一、多晶硅产品的用途 二、国内外多晶硅生产情况与市场分析 三、多晶硅生产方法 四、多晶硅生产的主要特点 五、多晶硅生产的主要工艺过程 讲课想要达到的目的： 通过介绍，希望达到以下几点目的： 1，了解半导体多晶硅有关基本概念与有关名词，为今后进一步学习、交流与提高打下基础； 2，了解多晶硅的主要用途与国内外多晶硅的生产和市场情况，热爱多晶硅事业与行业； 3，了解多晶硅生产方法和多晶硅生产的主要特点，加深对多晶硅生产工艺流程的初步认识； 4，了解公司3000吨/年多晶硅项目的主要工艺过程、工厂的概况、规模、车间工序的相互关联，有利于今后工作的开展。 一、多晶硅产品的用途 在讲多晶硅的用途前，我们先讲一讲半导体多晶硅的有关概念和有关名词。 1，什么是多晶硅？ 我们所说的多晶硅是半导体级多晶硅，或太阳能级多晶硅，它主要是用工业硅或称冶金硅（纯度98-99%）经氯化合成生产硅氯化物，将硅氯化物精制提纯后得到纯三氯氢硅，再将三氯氢硅用氢进行还原生成有金属光泽的、银灰色的、具有半导体特性产品，称为半导体级多晶硅。 2，什么是半导体？ 所谓半导体是界于导体与绝缘体性质之间的一类物质，导体、半导体与绝缘体的大概分别是以电阻率来划分的，见表1。 3，纯度表示法 半导体的纯度表示与一般产品的纯度表示是不一样的，一般产品的纯度是以主体物质的含量多少来表示，半导体的纯度是以杂质含量与主体物质含量之比来表示的。见表2。 表2 纯度表示法
外购的工业硅纯度是百分比，1个九，“1N”，98%，两个九，“2N”，99%，是指扣除测定的杂质元素重量后，其余作为硅的含量（纯度）。如工业硅中Fe≤0.4%,AL≤0.3%,Ca≤0.3%,共≤1%, 则工业硅的纯度是：（100-1）X100%=99% 。 2),半导体纯度 工业硅中的B含量是0.002%(W)，则工业硅纯度对硼来说被视为99.998%，即4N（对B来说）。 半导体硅中的B含量，如P型电阻率是3000Ω.Cm时，查曲线图得B的原子数为4.3X1012原子/Cm3，则半导体的纯度是：4.3X1012 /4.99X1022=0.86X10-10=8.6X10-11(~11N，0.086PPba),或(4.3X1012 X10.81) /(4.99X1022X28)=0.33X10-10=0.033PPbw=3.3X10-11(~11N)。 对B来说，从工业硅的4N提高到11N，纯度提高7个数量级（，千万倍）即B杂质含量要降低6个数量级（1000000，百万倍），因此生产半导体级多晶硅是比较困难的。 3),集成电路的元件数 集成电路的元件数的比较，列于表3。集成电路的集成度越高，则对硅材料纯度的要求越高。 表3 集成电路的元件数比较 据报导：日本在6.1X5.8 mm的硅芯片上制出的VLSI有15万6千多个元件 4),硅片（单晶硅）发展迅速 硅片（单晶硅）发展迅速，见表4。 大规模生产中多晶硅直径一般公认为是120-150 mm比较合适，也研发过200-250 mm。 5),多晶硅、单晶硅、硅片与硅外延片 多晶硅：内部硅原子的排列是不规则的杂乱无章的。 单晶硅：内部硅原子的排列是有规则的（生产用原料是多晶硅）。 硅片：单晶硅经滚磨、定向后切成硅片，分磨片与抛光片。 硅外延片：抛光片经清洗处理后用CVD方法在其上再生长一层具有需求电阻率的单晶硅层，目前
精心整理3、烟气净化及排烟系统 根据《医疗废物集中焚烧处置工程建设技术要求》（HJ/T176-2005）的要求及参考国内医废焚烧装置已成功运行的经验，确定烟气净化采用药液脱酸+石灰粉脱酸+喷活性炭粉+袋式除尘器+填料吸收塔的组合工艺。 包括半干式中和反应塔、石灰粉脱酸及喷活性炭粉、袋式除尘器、填料吸收塔、引风机及其附属设备。 3.1半干式中和反应塔 包括:脱酸碱溶液的制备及供给装置。 半干式中和反应塔主要用于去除烟气中的酸性气态污染物,是半干法烟气净化系统的主要设备。入口烟气温度600℃，出口烟气温度＜200℃。采用喷氢氧化钠溶液的方式，脱除烟气中的大部分酸性物质；吸收塔材质采用Q235-A钢+耐酸胶泥。 吸收塔以10%左右的Ca（OH）2或NaOH碱液为净化吸收剂，烟气从下部进入吸收塔内，在喷嘴下方区域与雾化的吸收剂浆液充分混合。 雾化喷头靠压缩空气完成浆液雾化，其结构为双层夹套管，吸收剂浆液走内管，压缩空气走外管，浆液与压缩空气在喷嘴处强烈混合后从雾化器喷嘴喷出，使浆液雾化为细小的颗粒，与烟气进行充分接触吸收。 酸性气体的去除分两个阶段，第一阶段：烟气在塔内与石灰浆液雾滴混合，烟气中的酸性气体与液态的石灰发生化学反应；第二阶段：烟气的热量使浆液雾滴中的水分蒸发，浆液中石灰和反应生成物成为固态的颗粒物，这些颗粒物在塔的下部和后续的袋式除尘器内，再次与气态污染物发生化学反应，使总的污染物净化反应效率提高。 本装置的烟气急冷时间为小于1S。为了保证喷入塔内的浆液完全蒸发、防止浆液粘壁及防止腐蚀，内部采用双层结构，与烟气接触面为防腐耐火砖材料，中间为隔热层。采用硅酸铝纤维板。 脱酸碱溶液的制备及供给装置包括脱酸碱溶液的中间贮槽及输送设备。外购件的熟石灰（纯度90%，粒度200目）由石灰贮槽经螺旋给料机送到石灰浆槽。在石灰浆槽内，加水搅拌配制成一定浓度的石灰浆。石灰浆经药液泵压送到吸收塔顶部的雾化器喷头，同时在压缩空气的作用下使石灰浆充分雾化。 吸收塔采用喷水直接冷却的方式，流经塔内的烟气直接与雾化后喷入的液体接触，传质速度和传热速度较快，喷入的液体迅速汽化带走大量的热量，烟气温度得以迅速降温，从面避免了二恶英类物质的再次生成。 为防止吸收塔受酸性气体腐蚀，内部采用双层结构，与烟气接触面采用防腐耐高温胶泥，中间为隔热层，采用硅酸铝纤维板。为保证防腐耐高温胶泥的强度及附着力，同时减轻设备重量，
多晶硅生产工艺学 34993
多晶硅生产工艺学 绪论 一、硅材料的发展概况 半导体材料是电子技术的基础，早在十九世纪末，人们就发现了半导体材料，而真正实用还是从二十世纪四十年代开始的，五十年代以后锗为主，由于锗晶体管大量生产、应用，促进了半导体工业的出现，到了六十年代，硅成为主要应用的半导体材料，到七十年代随着激光、发光、微波、红外技术的发展，一些化合物半导体和混晶半导体材料：如砷化镓、硫化镉、碳化硅、镓铝砷的应用有所发展。一些非晶态半导休和有机半导休材料（如萘、蒽、以及金属衍生物等）在一定范围内也有其半导休特性，也开始得到了应用。 半导休材料硅的生产历史是比较年青的，约30年。美国是从1949～1951年从事半导体硅的制取研究和生产的。几年后其产量就翻了几翻，日本、西德、捷克斯洛伐克，丹麦等国家的生产量也相当可观的。 从多晶硅产量来看，就79年来说，美国产量1620～1670吨。日本420～440吨。西德700～800吨。预计到85年美国的产量将达到2700吨、日本1040吨、西德瓦克化学电子有限公司的产量将达到3000吨。 我国多晶硅生产比较分散，真正生产由58年有色金属研究院开始研究，65年投入生产。从产量来说是由少到多，到七七年产量仅达70～80吨，预计到85年达到 300吨左右。 二、硅的应用
半导体材料之所以被广泛利用的原因是：耐高压、硅器件体积小，效率高，寿命长，及可靠性好等优点，为此硅材料越来越多地应用在半导体器件上。硅的用途： 1、作电子整流器和可控硅整流器，用于电气铁道机床，电解食盐，有色金属电解、各种机床的控制部分、汽车等整流设备上，用以代替直流发电机组，水银整流器等设备。 2、硅二极管，用于电气测定仪器，电子计算机装置，微波通讯装置等。 3、晶体管及集成电路，用于各种无线电装置，自动电话交换台，自动控制系统，电视摄相机的接收机，计测仪器髟来代替真空管，在各种无线电设备作为放大器和振荡器。 4、太阳能电池，以单晶硅做成的太阳能电池，可以直接将太阳能转变为电能。 三、提高多晶硅质量的措施和途径： 为了满足器件的要求，硅材料的质量好坏，直接关系到晶体管的合格率与电学性能，随着大规模集成电路和MOS集成电路的发展而获得电路的高可靠性，适应性。因此对半导体材料硅的要求越来越高。 1、提高多晶硅产品质量的措施： 在生产过程中，主要矛盾是如何稳定产品的质量问题，搞好工艺卫生是一项最重要的操作技术，在生产实践中要树立“超纯”观念，养成严格的工艺卫生操作习惯，注意操作者，操作环境及设备材料等方面夺产品的污染和影响，操作环境最好有洁净室。
在【技术应用】单晶、多晶硅片生产工艺流程详解（上）中，笔者介绍了单晶和多晶硅片工艺流程的前半部分，概述了一些工艺流程和概念，以及术语的相关知识。而本文则是从切片工艺开始了解，到磨片和吸杂，看硅片如何蜕变。 切片 切片综述 当单晶硅棒送至硅片生产区域时，晶棒已经过了头尾切除、滚磨、参考面磨制的过程，直接粘上碳板，再与切块粘接就能进行切片加工了。 为了能切割下单个的硅片，晶棒必须以某种方式进行切割。切片过程有一些要求：能按晶体的一特定的方向进行切割；切割面尽可能平整；引入硅片的损伤尽可能的少；材料的损失尽量少。 碳板 当硅片从晶棒上切割下来时，需要有某样东西能防止硅片松散地掉落下来。有代表性的是用碳板与晶棒通过环氧粘合在一起从而使硅片从晶棒上切割下来后，仍粘在碳板上。 碳板不是粘接板的唯一选择，任何种类的粘接板和环氧结合剂都必须有以下几个特性：能支持硅片，防止其在切片过程中掉落并能容易地从粘板和环氧上剥离；还能保护硅片不受污染。其它粘板材料还有陶瓷和环氧。 石墨 是一种用来支撑硅片的坚硬材料，它被做成与晶棒粘接部位一致的形状。大多数情况下，碳板应严格地沿着晶棒的参考面粘接，这样碳板就能加工成矩形长条。当然，碳板也可以和晶棒的其它部位粘接，但同样应与该部位形状一致。碳板的形状很重要，因为它要求能在碳板和晶棒间使用尽可能少的环氧和尽量短的距离。这个距离要求尽量短，因为环氧是一种相当软的材料而碳板和晶棒是很硬的材料。当刀片从硬的材料切到软的材料再到硬的材料，可能会引起硅片碎裂。 这里有一些选择环氧类型参考：强度、移动性和污染程度。粘接碳板与晶棒的环氧应有足够强的粘度，才能支持硅片直到整根晶棒切割完成，因此，它必须能很容易地从硅片上移走，只有最小量的污染。 刀片 当从晶棒上切割下硅片时，期望切面平整、损伤小、沿特定方向切割并且损失的材料尽量小。有一个速度快、安全可靠、经济的切割方法是很值得的。 在半导体企业，两种通常被应用的方法是环型切割和线切割。环型切割通常是指内圆切割，是将晶棒切割为硅片的最广泛采用的方法。
克劳斯法回收硫磺CPEE天津分公司 2012.1.20 克劳斯法硫回收工艺一、工艺方法及原理
1、常用硫回收工艺 (1) 液相直接氧化工艺 有代表性的液相直接氧化工艺有：ADA法和改良ADA法脱硫、拷胶法脱硫、氨水液相催化法脱等。液相直接氧化工艺适用于硫的“粗脱”，如果要求高的硫回收率和达到排放标准的尾气，宜采用固定床催化氧化工艺或生物法硫回收工艺。 (2) 固定床催化氧化工艺 硫回收率较高的Claus工艺是固定床催化氧化硫回收工艺的代表。Claus硫回收装置一般都配有相应的尾气处理单元，这些先进的尾气处理单元或与硫回收装置组合为一个整体装置，或单独成为一个后续装置。Claus硫回收工艺及尾气处理方式种类繁多，但基本是在Claus 硫回收技术基础上发展起来的，主要有：SCOT工艺、SuperClaus工艺、Clinsulf工艺、Sulfreen 工艺、MCRC工艺等。 2. 克劳斯硫回收工艺特点 常规Claus工艺是目前炼厂气、天然气加工副产酸性气体及其它含H2S气体回收硫的主要方法。其特点是：流程简单、设备少、占地少、投资省、回收硫磺纯度高。但是由于受化学平衡的限制，两级催化转化的常规Claus工艺硫回收率为90-95%，三级转化也只能达到95-98%，随着人们环保意识的日益增强和环保标准的提高，常规Claus工艺的尾气中硫化物的排放量已不能满足现行环保标准的要求，降低硫化物排放量和提高硫回收率已迫在眉睫。一般克劳斯尾气吸收要经过尾气焚烧炉，通过吸收塔，在吸收塔内用石灰乳溶液或稀氨水吸收，生成亚硫酸氢钙或亚硫酸氢铵，通过向溶液中通空气，转化为石膏或硫酸铵，达到无害处理，我公司硫回收尾气送至锅炉燃烧并脱硫后排放。 3、克劳斯法制硫基本原理 克劳斯硫回收装置用来处理低温甲醇洗的酸性气体，使酸性气中的H2S转变为单质硫。首先在燃烧炉内三分之一的H2S与氧燃烧，生产SO2,然后剩余的H2S与生成的SO2在催化剂的作用下，进行克劳斯反应生成硫磺。 其主要反应式为： H2S+ 3/2O2= SO2+H2O+519.2kJ 2H2S+ SO2=3S+2 H2O +93kJ 由于酸气中除H2S外，通常含有CO2、H2O、烃类等化学反应十分复杂，伴有多种副反应发生。 克劳斯法的工艺流程有三种： 部分燃烧法（2）分流法（3）燃硫法 （2）分流法 本装置采用分流法：将三分之一的酸性气体通入燃烧炉，加入空气使其燃烧生成SO2，而其余三分之二酸性气走旁路，绕过燃烧室，与燃烧后的气体汇合进入催化剂床层反应，这种可
一、概况绍兴城东热电厂日处理400t/d生活垃圾焚烧炉和广东南海环保发电厂2×200t/d垃圾焚烧炉尾气处理运用循环半干法反应器+布袋除尘器系统;绍兴城东热电厂的锅炉为75t/h生活垃圾和煤混烧流化床锅炉（燃煤约占25%）。半干法脱硫装置采用新型一体化烟气脱硫技术;其工艺原理为利用Ca(OH)2吸收烟气中的SO2使之成为CaSO4固态小颗粒,进入布袋除尘器时被滤袋从烟气中分离出去。脱硫剂采用的是CaO,先进入消化器消化成Ca(OH)2,然后与来自锅炉烟气的大量飞灰一起进入增湿混合器,使混合物的水份含量增加到5%左右,再以流化风为动力并借助烟道负压导入直烟道反应器,进入反应器后,由于有很大的蒸发表面,水份蒸发很快,在极短的时间内烟气温度从167℃冷却到135℃左右,而烟气的相对湿度迅速增加,形成一个较好的脱硫工况;在反应器中同时加入活性炭,则可以吸附烟气中的其他有害成分;南海环保发电厂的处理工艺与绍兴城东热电厂的处理工艺是完全相同的。 二、烟尘的性质测试日期:2002年1月10日工况锅炉负荷大于90%；脱酸和除尘系统运行正常。测试位置入口出口1 测试断面面积(m2) 3.74 3.742 烟气温度(℃) 115 1143 烟气含湿量(%) 6.91 12.044 烟气流速(m/s) 15.92 19.275 烟气量(m3/h) 243000 2594006 标准烟气量(Nm3/h) 139000 1530007 烟气氧含量(%) 10.9 10.98 过剩空气系数2.08 2.089 含尘浓度(mg/Nm3) 21100～24200 2.4～28.510 平均含尘浓度(mg/Nm3)22300 16.711 烟尘排放量(kg/h) 3090 2.5612 SO2浓度(mg/Nm3) 326～539 36.8～56.9 平均440.4 平均43.513 SO2排放量(kg/h) 61.0 6.714 HCl排放浓度(mg/Nm3) 13.815 HCl排放量(kg/h) 2.1 三、袋式除尘器基本参数型号: LPPW96-2×8 处理风量: 200000～210000m3/h; 滤袋规格: 直径120×6000; 过滤面积: 3473m2。 四、运行效果 1. 运行效果绍兴城东热电厂设计风量为200000m3/h,设计过滤风速为 0.96m/min,最大过滤风速为1.05m/min;出口粉尘排放浓度50mg/m3。 2. 该设备于2001年8月和垃圾焚烧炉同时建成投运。 3. 2002年1月8日实测风量为24400m3/h;过滤风速为1.17m/min,最大过滤风速为1.25m/min;出口粉尘排放浓度为36.8～53.4mg/m3,平均粉尘排放浓度为45.1mg/m3。 4. 2002年1月10日实测风量为259400m3/h,过滤风速为1.25m/min,最大过滤风速为1.33m/min;出口粉尘排放浓度为2.4～28.5mg/m3,平均粉尘排放浓度为16.9mg/m3; 完全达到设计和环保要求。 5. 烟尘监测结果 序号测试项目单位测试值标准值 1 标态干烟气量N·d·m3/h 153000 2 测点烟气中过剩氧百分容积% 2.08 3 实测过剩空气系数4 烟尘浓度mg/N·d·m3 16.7 805 烟气林格曼黑度级1 16 烟气温度℃ 115 7 动压Pa 44 8 静压KPa -0.25 9 二氧化硫浓度mg/N·d·m3 43.1 26010 氮氧化物浓度mg/N·d·m3 251 40011 一氧化碳浓度mg/N·d·m3 22 15012 二氧化碳浓度mg/N·d·m3 18 13 湿度% 12 14 氯化氢mg/N·d·m3 13.8 756. 二恶因的排放浓度序号名称单位（ng/m3）1 四氯代二苯并二恶英总量0.02 五氯代二苯并二恶英总量0.03 六氯代二苯并二恶英总量0.04 七氯代二苯并二恶英总量0.05 八氯代二苯并二恶英总量9.13xO.001=0.000136 四氯代至八氯代二苯并二恶英总量0.137 2.3.7.8-四氯代二苯并二恶英0.08 1.2.3.7.8-五氯代二苯并二恶英0.09 1.2.3.4.7.8-六氯代二苯并二恶英0.010 1.2.3.6.7.8-六氯代二苯并二恶英0.011 1.2.3.7.8.9-六氯代二苯并二恶英0.012 1.2.3.4.6.7.8-六氯代二苯并二恶英0.013 四氯代二苯并呋喃总量0.014 五氯代二苯并呋喃总量0.015 六氯代二苯并呋喃总量0.01x0.01=0.0001316 七氯代二苯并呋喃总量0.017 四氯代二苯并呋喃总量0.00118 四氯代至八氯代二苯并呋喃总量0.019 2,3,7,8-四氯代二苯并呋喃0.020 1.2.3.7.8/1.2.3.4.8-五氯代二苯并呋喃0.021 2.3.4.7.8-五氯代二苯并呋喃 0.022 1.2.3.4.7.8/1.2.3.4.7.9-六氯代二苯并呋0.023 1.2.3.6.7.8-六氯代二苯并呋喃0.024 1.2.3.7.8.9-六氯代二苯并呋喃0.025 2.3.4.6.7.8-六氯代二苯并呋喃0.026 1.2.3.4.6.7.8-七