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LED封装技术习题解答资料

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《LED 封装技术》习题解答

第一次作业

1. 第一只发光二极管是哪年有哪家公司发明的? 答:1962年由美国通用公司发明。

2. LED 有哪些主要优点? 答:(1)高效低耗(节能);(2)绿色环保(无汞污染,安全可靠);(3)寿命长(50000小时),每天按8小时算,可以用17年;(4)响应速度快(启动在ns-ms 量级);(5)体积小,重量轻;(6)耐振动(固态器件);(7)色彩鲜明、辨识性优良(色饱度高和显色指数高);(8)平面发光,光束方向性好(最大在2π空间内)。

3. LED 封装的主要功能有哪些?

答:(1)机械保护,以提高可靠性;(2)电气连接和加强散热,给芯片供电,并尽量降低芯片结温,提高LED 性能,延长使用寿命;(3)光学控制,提高出光效率,优化光束分布等。

第二次作业

1. 能带与能级的区别是什么?

答:单个原子的能级是分立的,N 个相距无限远的原子能级也是分立的,当固体中N 个原子紧密排列时,由于原子间能级的共有化运动,原来同一大小的能级这时彼此数值上就有小的差异。同一能级就分裂成为一系列和原来能级很接近的仍包含N 个能量的新能级。这些新能级基本上连成一片形成能带。

2. (1) 已知GaAs 半导体材料的 E g=1.424eV ,求该材料的发光波长λ=?(2) 已知 InGaAsP 的发光波长是1300nm ,求该材料的禁带宽度E g=? 解:(1)12401240

nm nm 870nm 1.424

g E λ=

== (2)1240

(eV)0.954eV 1300nm

g E =

=

答: GaAs 半导体材料的发光波长是870nm ,InGaAsP 的禁带宽度是0.954eV 。

3. 某直接带隙半导体材料的发光波长为550nm ,求其在常温27℃时光谱的半强度全宽△λ 。

解:223929

348

1.8 1.8 1.3810J K 300K (55010m)11.310m 11.3nm 6.62610J s 310m /s

kT /hc λλ----??????===?=???? 答:该半导体材料在常温27℃时的半强度全款为11.3nm 。

4. 在AlGaN 半导体材料中,Al 的百分比是0.63,求其在常温27℃的峰值波长,并求出该发光材料

光谱的半强度全宽△λ。 解:(1)1-Al Ga N x x :

3.42eV 2.86eV (1)1.0eV=3.42eV 0.63 2.86eV 0.63(10.63) 1.0eV 3.42eV 1.80eV 0.23eV 5.46eV

g E x x x =++-+?+?-?=++=

1240

nm227nm

5.46

λ==

(2)

22392

9

348

1.8 1.8 1.3810J K300K(22710m)

1.910m 1.9nm

6.62610J s310m/s

kT/

hc

λ

λ

--

-

-

?????

?===?=

????

答:峰值波长是227nm,该发光材料光谱的半强度全宽1.9nm。

第三次作业

1. 已知电子的有效质量m e=9.1×10-31kg,空穴的有效质量m h=3.8×10-30kg,GaAs单量子阱厚度d=8nm,计算在第一个电子的子能带态(n=1) 和在第一个空穴子能带态(n=1)的偏移。

解:

2342672

22 c29231462

e

3

1(6.62610J s) 4.39010(J s)

9.42210J

88(810m)9.110kg 4.65910m kg

5.8510eV 5.85m eV

n

h

E

d m

--

-

---

-

????

'====?

??????

=?=

2342672

22 v29230452

3

1(6.62610J s) 4.39010(J s)

2.25610J

88(810m) 3.810kg 1.945610m kg

1.4010eV 1.40m eV

n

h

h

E

d m

--

-

---

-

????

'====?

??????

=?=

答:电子和空血穴的子能带态分别是5.85meV和1.40meV。

2. GaAs量子阱带隙能量E g1=1.424 eV,由上题已知条件,求该LED在第一子能带态的发光波长。

解:

2

33

(1)12

11

() 1.424eV 5.8510eV 1.4010eV 1.431eV 8

g g

e h

h

E E

d m m

--

=++=+?+?=

(1)

12401240

nm866nm

1.431

g

E

λ===

答:该LED的发光波长为866nm。

3. 绘出置于120o反光碗(反光杯)的芯片上发光层中点和边缘点两个发光点发出的与芯片表面法线成0o、45o、90o三条光线在反光碗上的反射光线(绘制在两个图上)。

绘图如下:结论,芯片每个反光点上发出的0o、45o、90o三条光线只有90o的那条光线可以通过光杯反射而起到聚集光束的作用。

中间发光点边缘发光点

第四次作业

1. 银胶从冰箱取出为什么要放置退冰﹖

答: 使瓶内空气与室温相同﹐避免产生雾气留在瓶内。水气﹑水份是银胶的天敌。 2. 退冰后为什么要轻﹑缓慢地搅拌到粘度均匀为止﹖

答: 快速搅拌会因摩擦产生热量﹐造成银胶的硬化加快﹐不利于作业或储存。 3. 搅拌后为什么要立即使用﹖

答:利用均匀粘度产生紧密的接着力, 如不立即使用﹐银胶的银粉会沉淀。 4. 备胶后,点胶为什么要在1小时内接着用?

答: 放置时间太久﹐银胶表面会先胶化﹐丧失接着力。 5. 为什么要依照时间及温度烘烤﹖

答: 烘烤时间太短﹐银胶硬化不完全。 烘烤过久﹐温度过高﹐浪费能源﹐银胶会胶化﹐丧失接着力。

6. 已知金线的极限抗拉强度b 207MPa σ=,求直径23μm(0.9mil)的金丝的最大拉力; 焊接界面铝

垫的极限抗拉强度max 393MPa p =,金丝球焊线机对该金丝的实际焊接面积为2

real 257m A μ=,求

金线与铝垫的界面拉脱力。 解:金线的最大拉力为:

2

66b wirc a 20710P 3.14(11.510m)0.086N 8.8g F A σ-==????== 金线与铝垫的界面拉脱力:

6122

max real a 39310P 25710m 0.101N 10.3g F p A -==???==

答:金线的最大拉力为8.8g ,金线与铝垫的界面拉脱力10.3g 。

第五次作业:

1. 制造白光LED 方法主要有哪几种? 答:制作白光LED 有六种方法,分别是: (1)多色芯片白光LED (2)蓝芯片+荧光粉白光LED

(3)紫外线芯片+发红/绿/蓝光的萤光粉白光LED (4)蓝芯片+ZnSe 单结晶基板白光LED (5)光子晶体白光LED (6)量子阱白光LED

2. 阐述多色芯片中三芯片白光LED 红、绿、蓝光的混色原理。

答:三芯片LED 是利用加色法的三基色原理而研发出来的白光LED ,当混色比43(R):48(G):9(B)时,光通量的典型值为100lm ,对应CCT 标准色温为4420K ,色坐标 x 为0.3612,y 为0.3529。如图所示:

3. 指出紫外单芯片+红、绿、蓝荧光粉的白光LED 的优缺点。

答:优点:显色性好、制备简单。缺点:发光效率低。泄露的紫外光对人眼有伤害。紫外光的波长越短时对人眼的伤害愈大,须将紫外光阻绝于白光LED 结构内。再就是荧光粉温度稳定性问题有待解决。

4. 写出YAG 荧光粉的制备化学表达式。 答:

Y 2O 3+A12O 3→YAM (900-1100℃) YAM+A12O 3→4Y AP(1100-1250℃) 3YAP+A12O 3→Y AG(1400-1600℃)

第六次作业:

1.影响白光LED 寿命的主要因素有哪些?

答:(1)芯片良好的导热性;(2)芯片的抗静电性能;(3)芯片的抗浪涌电压和电流等。 2.pn 结温度升高对白光LED 有什么影响?

答:(1)pn 结温升,光衰增大,色温也产生变化;(2)发光主波长漂移;(3)影响蓝光对荧光粉的有效激发。

3.直插0.06瓦小功率LED 负极引脚焊点的温度为42.5℃,芯片到焊点的总热阻16℃/W ,试求该LED 的结温是多少?

品红

红 绿

蓝 白

解:

j sp thj sp ()T T R P -=+?

j sp thj sp ()42.5(160.06)43.46C T T R P -∴=+?=+?=

答:该小功率LED 芯片结温是43.46℃

4.某大功率LED,其功率为5瓦,支架焊接点的温度为55℃,芯片到焊接点的总热阻7℃/W ,试求该LED 的结温是多少? 解:

j sp thj sp ()T T R P -=+?

j sp thj sp ()55(75)90C T T R P -∴=+?=+?=

答:该LED 的结温是90℃。 第七次作业:

1. 系统电路板的厚度为1.5mm ,用其双面敷铜制作发热电子元件的散热器。已知金属化过孔外径为7×10-4mm ,壁厚为1×10-4mm ,过孔数量为50个,敷铜材料的热导率为390W/m·K ,求该散热器的热阻是多少?

解:

3

2

77145

1.510[()][50390 3.14(7101010)]4.0810C/W

thj sp

h R n k Dt t π----?==??-?????-=? 答:该散热器的热阻是4.08×105℃/W 。

第八次作业:

1. 某3φ直插式LED 球面曲率半径为1.5mm ,环氧树脂包封材料的折射率为1.5,空气折射率为1.0,芯片距离球面定点O 的距离分别如表中所示,求芯片像的位置,填于表格中,并说明像的虚实等特征。

解:由

n n n n

s s R

''--=

'和s=-1.5mm ,-3mm ,-4.5mm ,-6mm 得:

第九次作业

1. 在直插式8ΦL E D 封装时,芯片可以视为点光源,芯片位于环氧树脂圆柱底面的坐标原点

(,,)O x y z '''处,圆柱高度为5m m 。求三个随机数1,2,1l m n ===时,芯片发出的某个光子与圆柱

面的碰撞位置C 的坐标(保留两位小数)。 解:由

x x y y

z z l m n

'''---==

,222

x y R +=得: 2

y

x z =

=,222244x x x ++= → 2616x =, 1.63x z ==

=(m m ),2 1.632 3.26(mm)y x ==?=。 答:该光子在球面上的碰撞位置C ( 1.43, 3.26, 1.43)x y z ===。

2. 在大功率单芯片L E D 封装时,芯片可以视为点光源,假如芯片位于硅胶半球透镜的圆心

(,,)O x y z '''处,即坐标原点处。若封装球面的曲率半径 3.5mm R =,求三个随机数1,1,2

l m n ===时,芯片发出的某个

光子与球面的碰撞位置B 的坐标(保留两位小数)。

解:由

x x y y z z l m n

'''---==

,2222

x y z R ++=得: 2

z x y ==

,22224 3.5x x x ++= → 2

612.25x =,

1.43x y ==

=(m m ),2 1.432 2.86(mm)z x ==?=。 答:该光子在球面上的碰撞位置C ( 1.43, 1.43, 2.86)x y z ===。

第十次作业

1. 某GaN 发光二极管,温度变化系数k = -2mV/K 。在结温50℃时它的正向电压降为3.40伏,当结温上升到80℃时其正向电压降是多少? 解:由F 2F 1()()V T V T k T =+?得:

3

F 2F 1()() 3.4210(8050) 3.400.06 3.34(V)V T V T k T -=+?=-??-=-=

答:其正向电压降是3.34伏。

2. 某大功率LED 在环境温度25 ℃时,测得其正向电压降为

3.2伏、正向电流为1.56安,工作结温75℃。若电光转换效率为30%,求其热阻是多少? 解:由J A J A

(J A)F F (1)

T T T T R P I V θη---=

=-光得: J A J A (J A)F F 752550

14.3(K/W)(1) 3.2 1.56(10.3) 3.49

T T T T R P I V θη----=

====-?-光 答:大功率LED 的热阻是14.3K/W 。 第十一次作业

1. 已知某单色光在CIE1931-RGB 系统中的色度坐标r (λ)=0.4, g (λ)=0.4,b (λ) =0.2(三者之和等于1),

求在CIE1931-XYZ 系统的色度坐标 x (λ)、y (λ)、z (λ) 的值(结果均保留四位有效数字),并验证后三者之和是否也等于1? 解:

由 0.49000()0.31000()0.20000()

(),

0.66697() 1.13240() 1.20063()0.17697()0.81240()0.01063()

(),0.66697() 1.13240() 1.20063()0.00000()0.01000()0.99000()()0.66697r g b x r g b r g b y r g b r g b z r λλλλλλλλλλλλλλλλλλ++=

++++=

++++=.

() 1.13240() 1.20063()

g b λλλ++ 得: 0.490000.40.310000.40.200000.2()0.666970.4 1.132400.4 1.200630.20.360.375,0.9598

0.176970.40.812400.40.010630.2()0.666970.4 1.132400.4 1.200630.2

0.39790.415,0.9598

0.00000()x y z λλλ?+?+?=

?+?+?==?+?+?=

?+?+?===

0.40.010000.40.990000.20.666970.4 1.132400.4 1.200630.20.20200.210.0.9598?+?+??+?+?==

()()()0.3750.4150.210 1.x y z λλλ++=++=

答:在CIE1931-XYZ 系统的色度坐标 x (λ)、y (λ)、z (λ) 的值分别为0.375、0.415、0.210,且三者之和等于1。

2. 某单色光LED 在CIE1931-XYZ 系统的坐标距E 白点距离是20mm ,而它的主波长距E 白点的距离是25mm ,求该LED 的色纯度。 解: F G 20100%100%80%.25

W P W =

?=?= 答:该LED 的色忖度为80%。

3. 在同一坐标系中,某白光LED 发光谱线下的面积是S LED =9cm 2,而太阳光谱线下的面积为

S sun =10cm 2,该LED 的显色指数是多少? 解:LED sun LED 9

a ==0.910

S R S =

=光谱线下的面积太阳光谱线下的面积.

答:该LED 的显色指数为0.9。

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