电子技术基础
注意事项：
1. 请考生按要求在试卷装订线内填写姓名、准考证号、身份证号和报考专业。
2. 请仔细阅读各种题目的回答要求，在规定的位置填写答案。
3. 不要在试卷上乱写乱画，不要在装订线内填写无关的内容。
4. 满分150分，考试时间为150分钟。
一、选择题（共44分，每小题2分）请选择正确答案填入
相应的横线空白处。选错、不选均无分。
1. 本征半导体是指________的半导体。
A. 化学成分纯净
B. 化学成分参杂三价元素
C. 化学成分参杂五价元素
D. 以上都是
2. N型半导体中是多数载流子，是少数载流子，但半导体呈中性。
A．少数空穴； B.电子 C. 空穴 D.多数电子
3．场效应晶体管是用______控制漏极电流的。
A．栅极电流 B. 栅漏电压 C. 漏源电压 D. 栅源电压
4．对于一个理想二极管，当施加正向电压时，其内部PN结的耗尽层变。
A．变宽 B. 变窄 C.不变 D. 消失
5．三极管处于放大状态的条件是。
A. 发射极反偏,集电极正偏
B. 发射区杂质浓度小
C. 基区宽，杂质浓度低。
D. 发射极正偏,集电极反偏
6．场效应管是。
A. 栅控器件
B. 电流控制器件
C. 电压控制器件
D.源控器件
7. 电流源电路的特点是。
A. 直流电阻大，交流电阻小
B. 直流电阻小，交流电阻大
C. 直流电阻小，交流电阻小
D. 直流电阻大，交流电阻大
8.处于平衡态的PN结内的载流子。
A 不运动
B 匀速运动
C 无规则运动
D 加速运动
9.以下哪一种耦合方式经常用在集成运算放大电路中。
A 阻容耦合
B 直接耦合
C 变压器耦合
D 混合耦合
10.集成运算放大电路输入级一般采用。
A、差分放大电路
B、共射电路
C、互补对称电路
D、共基极电路
11. 差模信号是指在两个输入端加上的信号。
A. 幅度相等，极性相反
B. 幅度相等，极性相同
C. 幅度不等，极性相反
D. 幅度不等，极性相同
12. 对于增强型MOS管当中的N型管，其特点是。
A.VGS＞0 VDS＞0开启电压VT＜0
B. VGS＞0 VDS＜0开启电压VT＞0
C. VGS＜0 VDS＞0开启电压VT＞0
D. VGS＞0 VDS＞0开启电压VT＞0
13. 对于共射极放大电路。
A. 发射极为输入输出的公共端
B. 基极为输入输出的公共端
C. 集电极为输入输出的公共端
D. 以上都不是
14. 稳压管工作在状态
A．正向导通 B. 反向截上
C．饱和导通 D. 反向击穿
15. 下列电路中，不属于组合逻辑电路的是。
A.编码器
B.译码器
C.数据选择器
D.计数器
16.一个触发器可记录位二进制代码。
A. 1
B. 2
C. 4
D. 8
17.为实现将JK触发器转换为D触发器，应使。
A. K=D,J=D
B. J=D,K=D
C. J=K=D
D. J=K=D
18.在CP有效期间内，主从型触发器只能变化一次。主从型RS触发器取决于。
A.第一个输入触发有效信号
B.CP上升沿时刻的输入信号
C.最后一个输入触发有效信号
D.CP下降沿时刻的输入信号
19.函数F=B A+AB转换成或非－或非式为。
A. B
B
A+
+
A
+
A
B
A+
+
+ B. B
C. B
A+
+
B
+
B
A
A+ D. B
A
20. N个变量的逻辑函数应该有最小项。
A.2n 个
B.n 2个
C.2n 个
D. (2n -1)个
21. 将代码(10000011)8421BCD 转换成二进制数为
。
A. (01000011)2
B. (01010011)2
C. (10000011)2
D. (000100110001)2
22. 图示触发器电路的特征方程Q n+1 = 。
A. T n Q +n Q T
B. Q T +TQ n
C. n Q
D. T
二、填空题（共18分，每空1分）。请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。
1．由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。
2．双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。
3．从信号的传输途径看，集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。
4．电容元件在直流电路中的容抗值为________________。
5．晶体三极管在工作时，发射结和集电结均处正向偏置，该晶体管工作在________________
状态。
6．晶体管射极输出器按反馈属性来分析，它是一个________________负反馈放大器。
7．乙类互补对称功放电路中，在理想条件下转换效率最高值可达________________。
8．直流稳压电路按电路结构可分为________________型和________________型直流稳压电路。
9．写出下图图示电路输出函数F 的表达式 F=_____________。 得 分
评分人
10．TTL 门的输入端悬空，逻辑上相当于接_______________电平。
11．二进制数(111010010)2转换成十六进制数是________________。
13．逻辑电路按其输出信号对输入信号响应的不同，可以分为________________两大类。
14．存在空翻现象的触发器是________________触发器。
15．组成一个模为60的计数器，至少需要________________个触发器。
三、简答题（共37分，第3小题12分，其余每小题5分）
1、简述多级放大电路的耦合方式。（5分）
解答：
2、简述典型运算放大器的电路组成结构。（5分）
解答：
得 分
评分人
3、下图所示电路为分压式偏置共发射极放大电路，试分析该电路的反馈类型。（12分）
解答：
4. 简述组合逻辑电路的设计方法。（5分）
解答：
5.多位二进制数据比较的原则是什么？（5分）
解答：
6. 集电极开路门（OC门）的主要作用是什么？（5分）
解答：
四、分析计算题（共51分，其中第6小题11分，其余每
小题8分）
要求：写出详细的分析、计算过程
1．设硅稳压二极管V DZ1和V DZ2的稳定电压分别为5 V和10 V，求下图所示各电路的输出电压U O的值。（8分）
解答：
2．晶体管电路如图所示。若已知晶体管工作在放大状态，β=100，试计算晶体管
的I BQ , I CQ 和U CEQ 。
（8分）
解答：
3. 试画出NPN 型三极管的小信号等效电路模型并标出i b ,i c ,V be ,V ce 及β值之间的关系
C Q ＋－U CE Q 270k R U 6V I B Q CC 12V R C 3k (a )
和方向（8分）
解答：
4.已知边沿型JK触发器CP、J、K输入波形如下图所示，试按上升沿触发画出其
输出端Q波形（设Q初态为0）。（8分）
5.下图所示电路为数据比较器，试写出函数F的简化表达式（8分）
解：
6.已知电路如下图所示，试按时序电路的分析步骤分析电路。（11分）
解：
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供参考，感谢您的配合和支持）
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模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1=100V ，u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ；共模输入电压u Ic = 90 V 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的1 = 30，V 2的2 = 50，则复合后的约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1
74LS191功能表 LD CT D U / CP D 0 D 1 D 2 D 3 Q 0 Q 1 Q 2 Q 3 0 × × × d 0d 1 d 2 d 3 1 0 0 ↑ ×××× 1 0 1 ↑ ×d 0 d 1 d 2 d 3 加法计数 减法计数 命 题 人 ： 审 题 人 ： 命 题 时 间 ： 系名 专业 年级、班 学号 姓名 数字电子技术 课程试题（ 卷） 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 得分 （请将答案写在答题纸上，答在试卷上不给分） 一． 选择题（16分） 1．已知A B A B B A Y +++=，下列结果正确的是（ ） a ． Y =A b ．Y=B c ．A B Y += d ．Y=1 2．已知A=（10．44）10（下标表示进制），下列结果正确的是（ ） a ． A=（1010．1）2 b ．A=（0A ．8）16 c ． A=（12．4）8 d ．A=（20．21）5 3．下列说法不正确的是（ ） a ．当高电平表示逻辑0、低电平表示逻辑1时称为正逻辑 b ．三态门输出端有可能出现三种状态（高阻态、高电平、低电平） c ．OC 门输出端直接连接可以实现正逻辑的线与运算 d ．集电极开路的门称为OC 门 4．以下错误的是（ ） a ．数字比较器可以比较数字大小 b ． 半加器可实现两个一位二进制数相加 c ．编码器可分为普通全加器和优先编码器 d ．上面描述至少有一个不正确 5．下列描述不正确的是（ ） a ．触发器具有两种状态，当Q=1时触发器处于1态 b ．时序电路必然存在状态循环 c ．异步时序电路的响应速度要比同步时序电路的响应速度慢 d ．主从JK 触发器具有一次变化现象 6．电路如下图（图中为上升沿Jk 触发器），触发器当前状态Q 3 Q 2 Q 1为“100”，请问在时钟作用下，触发器下一状态（Q 3 Q 2 Q 1）为（ ） a ．“101” b ．“100” c ．“011” d ．“000” 7．电路如下图，已知电路的当前状态Q 3 Q 2 Q 1 Q 0为“1100”，74LS191具有异步置数的逻辑功能，请问在时钟作用下，电路的下一状态（Q 3 Q 2 Q 1 Q 0）为（ ） a ．“1100” b ．“1011” c ．“1101” d ．“0000” 8．下列描述不正确的是（ ） a ．EEPROM 具有数据长期保存的功能且比EPROM 在数据改写上更方便 b ．DAC 的含义是数-模转换、ADC 的含义是模数转换 c ．积分型单稳触发器电路只有一个状态 d ．上面描述至少有一个不正确 二．判断题（9分） 1．TTL 输出端为低电平时带拉电流的能力为5mA （ ） 2．TTL 、CMOS 门中未使用的输入端均可悬空（ ） 3．当决定事件发生的所有条件中任一个（或几个）条件成立时，这件事件就会发生，这种因果关系称为与运算。（） 4．将代码状态的特点含义“翻译”出来的过程称为译码。实现译码操作的电路称为译码器。（） 5．设计一个3进制计数器可用2个触发器实现（ ） 6．移位寄存器除了可以用来存入数码外，还可以利用它的移存规律在一定的范围内构成任意模值n 的计数器。所以又称为移存型计数器（ ） 7． 判断时序逻辑电路能否自启动可通过判断该电路是否存在有效循环来实现（ ） 8． 施密特触发器电路具有两个稳态，而多谐振荡器电路没有稳态（ ） 9． DRAM 需要定期刷新，因此，在微型计算机中不如SRAM 应用广泛（ ） 三．计算题（8分） 1、在如图所示电路中，U cc =5V ，U BB =9V ，R 1=5.1kΩ， R 2=15kΩ，R c =1kΩ，β=40，请计算U I 分别为5V ，0.3V 时输出U O 的大小？。 密 线 封 A B
数字电子技术基础期末考试试卷及答案 Document serial number【KKGB-LBS98YT-BS8CB-BSUT-BST108】
数字电子技术基础试题（一） 一、填空题 : （每空1分，共10分） 1． 10 = ( ) 2 = ( ) 16 。 2 . 逻辑函数L = + A+ B+ C +D = 1 。 3 . 三态门输出的三种状态分别为：、和。 4 . 主从型JK触发器的特性方程= 。 5 . 用4个触发器可以存储位二进制数。 6 . 存储容量为4K×8位的RAM存储器，其地址线为 12 条、数据线为 8 条。 二、选择题： (选择一个正确的答案填入括号内，每题3分，共30分 ) 1.设下图中所有触发器的初始状态皆为0，找出图中触发器在时钟信号作用下,输出电压波形恒为0的是：（C ）图。 2.下列几种TTL电路中，输出端可实现线与功能的电路是（ D）。 A、或非门 B、与非门 C、异或门 D、OC门
3.对CMOS与非门电路，其多余输入端正确的处理方法是（D ）。 A、通过大电阻接地（>Ω） B、悬空 C、通过小电阻接地（<1KΩ） B、 D、通过电阻接V CC 4.图2所示电路为由555定时器构成的（A ）。 A、施密特触发器 B、多谐振荡器 C、单稳态触发器 D、T触发器 5.请判断以下哪个电路不是时序逻辑电路（C ）。 A、计数器 B、寄存器 C、译码器 D、触发器 6．下列几种A/D转换器中，转换速度最快的是（A ）。 A、并行A/D转换器 B、计数型A/D转换器 C、逐次渐进型A/D转换器 B、 D、双积分A/D转换器 7．某电路的输入波形 u I 和输出波形 u O 如下图所示，则该电路为（ C）。 A、施密特触发器 B、反相器 C、单稳态触发器 D、JK触发器 8．要将方波脉冲的周期扩展10倍，可采用（C ）。
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1 =100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ；共模输入电压u Ic =90 μV 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的β1 = 30，V 2的β2 = 50，则复合后的β约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1
《电子技术基础》第一章半导体二极管试卷 一、单项选择题 1.测量二极管(小功率)的管脚极性时,万用表的电阻档应选( )。(2 分) A.R×1 B.R×10 C.R×100或R×1k D.R×10k 2.测量二极管反向电阻时,若用两手将两管脚捏紧,其电阻值会( )。(2 分) A.变大 B.先变大后变小 C.变小 D.不变 3.二极管正反向电阻相差( )。(2 分) A.越小越好 B.越大越好 C.无差别最好 D.无要求 4.用万用表R×100Ω挡来测试二极管,其中( )说明管子是好的。(2 分) A.正、反向电阻都为零 B.正、反向电阻都为无穷大 C.正向电阻为几百欧,反向电阻为几百千欧 D.反向电阻为几百欧,正向电阻为几百欧 5.变容二极管工作时,应加( )。(2 分) A.反向电压 B.正向电压 C.正向电压或反向电压 6.把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极,负极直接接到硅二极管的负极,则该管( )。(2 分) A.基本正常 B.击穿 C.烧坏 D.电流为零 7.在电路中测得某二极管正负极电位分别为3V与10V,判断二极管应是( )。(2 分) A.正偏 B.反偏 C.零偏
8.2AP9表示( )。(2 分) A.N型材料整流管 B.N型材料稳压管 C.N型材料普通管 D.N型材料开关管 9.变容二极管常用在( )电路中。(2 分) A.高频 B.低频 C.直流 10.用于整流的二极管型号是( )。(2 分) A.2AP9 B.2CW14C C.2CZ52B D.2CK84A 二、判断题 11.( )发光二极管可以接收可见光线。(2 分) 12.( ) 二极管加反向电压时一定截止。(2 分) 13.( )当反向电压小于反向击穿电压时,二极管的反向电流很小;当反向电压大于反向击穿电压后,其反向电流迅速增加。(2 分) 14.( )PN结正向偏置时电阻小,反向偏置时电阻大。(2 分) 15.( )有两个电极的元件都叫二极管。(2 分) 16.( )二极管具有单向导电性。(2 分) 17.( )光电二极管可以将光信号转化成为电信号。(2 分) 18.( )PN结是一种特殊的物质,一般情况下不能导电。(2 分) 19.( )二极管是线性元件。(2 分) 20.( )二极管加正向电压时一定导通。(2 分) 三、填空题 21. 硅二极管的死区电压为V，锗二极管的为V；导通管压降，硅管为V，锗管为V。(4 分) 22.PN结正偏时，P区接电源的极，N区接电源的极；PN结反偏时，P区接电 源的极，N区接电源的极。(4 分)
数字电子技术基础期末考试试卷 课程名称 数字电子技术基础 A 卷 考试形式 闭 卷 考核类型 考试 本试卷共 4 大题，卷面满分100分，答题时间120分钟。 一、填空题：（每小题2分，共10分） 1．二进制数（1011.1001）2转换为八进制数为 (13.41) ，转换为十六进为 B9 。 2．数字电路按照是否具有记忆功能通常可分为两类： 组合逻逻辑电路 、 时序逻辑电路 。 3．已知逻辑函数F ＝A ⊕B ，它的与非-与非表达式为 ，或与非表达式 为 。 4．5个变量可构成 32 个最小项，变量的每一种取值可使 1 个最小项的值为1。 5．555定时器构成的施密特触发器，若电源电压V CC ＝12V ，电压控制端经0.01μF 电容接地，则上触发电平U T+ ＝ V ，下触发电平U T –＝ V 。 二、化简题：（每小题10分，共20分） 1．用代数法将下面的函数化为最简与或式：F=C ·[ABD BC BD A +++(B+C)D]
2. 用卡诺图法将下列函数化简为最简与或式： F(A 、B 、C 、D)=∑m （0,2,4,5,7,13）+∑d(8,9,10,11,14,15) 三、分析题：（每小题10分，共40分） 1．试分析题1图所示逻辑电路，写出逻辑表达式和真值表，表达式化简后再画出新的逻辑图。 题 1图 得分 评卷人
2．74161组成的电路如题 2 图所示，分析电路，并回答以下问题： （1）画出电路的状态转换图（Q 3Q 2Q 1Q 0）； （2）说出电路的功能。（74161的功能见表） 题 2 图 …………………密……………………封…………………………装…………………订………………………线………………………
《电工电子技术基础》 一、填空题：（每题3分，共12题，合计 33 分） 1、用国家统一规定的图形符号画成的电路模型图称为，它只反映电路中电气方面相互联系的实际情况，便于对电路进行和。 2、在实际电路中，负载电阻往往不只一个，而且需要按照一定的连接方式把它们连接起来，最基本的连接方式是、、。 3、在直流电路的分析、计算中，基尔霍夫电流第一定律又称定律，它的数学表达式为。假若注入节点A的电流为5A和－6A，则流出节点的电流I 出= A 。 4、电路中常用的四个主要的物理量分别是、、、。 它们的代表符号分别是、、和； 5、在实际应用中，按电路结构的不同分为电路和电路。凡是能运用电阻串联或电阻并联的特点进行简化，然后运用_________求解的电路为_____；否则，就是复杂电路。 6、描述磁场的四个主要物理量是：___、_____、_______和_______；它们的代表符号分别是____、_____、______和____； 7、电磁力F的大小与导体中 ____的大小成正比，与导体在磁场中的有效 ________及导体所在位置的磁感应强度B成正比，即表达式为：________ ,其单位为：______ 。 8、凡大小和方向随时间做周期性变化的电流、电压和电动势交流电压、交流电流和交流电动势，统称交流电。而随时间按正弦规律变化的交流电称为正弦交流电。 9、______________、_______________和__________是表征正弦交流电的三个重要物理量，通常把它们称为正弦交流电的三要素。 10、已知一正弦交流电压为u=2202sin(314t+45°)V，该电压最大值为__________ V，角频率为__________ rad/s,初相位为________、频率是______ Hz周期是_______ s。 11、我国生产和生活所用交流电（即市电）电压为 _ V。其有效值为 _ V,最大值为____ V，工作频率f＝____ __Hz，周期为T＝_______s，其角速度ω＝______rad/s，在1秒钟内电流的方向变化是________次。 二、判断下列说法的正确与错误：正确的打（√），错误的打（×），每小题1分，共 20 分 1、电路处于开路状态时，电路中既没有电流，也没有电压。（_） 2、理想的电压源和理想的电流源是不能进行等效变换。（_） 3、对于一个电源来说，在外部不接负载时，电源两端的电压大小等于电源电动势的大小，且 方向相同。（_） 4、在复杂电路中，各支路中元器件是串联的，流过它们的电流是相等的。（_） 5、用一个恒定的电动势E与内阻r串联表示的电源称为电压源。（_） 6、理想电流源输出恒定的电流，其输出端电压由内电阻决定。（_） 7、将一根条形磁铁截去一段仍为条形磁铁,它仍然具有两个磁极. (_ ) 8、磁场强度的大小只与电流的大小及导线的形状有关，与磁场媒介质的磁导率无关（_）
电工电子技术基础试题库 Prepared on 24 November 2020
一、判断题 1．理想电流源输出恒定的电流，其输出端电压由内电阻决定。 （错） 2．因为正弦量可以用相量来表示，所以说相量就是正弦量。 （错） 3．自耦变压器由于原副边有电的联系，故不能作为安全变压器使用。（对） 4．电动机的额定功率是指电动机轴上输出的机械功率。 （对） 5．一个1/4W,100Ω的金属膜电阻，能够接在50V 电源上使用。 （错） 6．三相对称电路中，负载作星形联接时，P 3I I l 。 （错） 7．电阻、电流和电压都是电路中的基本物理量。 （错） 8. 电压是产生电流的根本原因。因此电路中有电压必有电流。 （错） 9. 正弦量的三要素是指最大值、角频率和相位。 （错） 10．负载作星形联接时，必有线电流等于相电流。 （对） 11．一个实际的电感线圈，在任何情况下呈现的电特性都是感性。 （错） 12．正弦交流电路的频率越高，阻抗越大；频率越低，阻抗越小。 （错） 13．中线不允许断开，因此不能安装保险丝和开关。 （对） 14．互感器既可用于交流电路又可用于直流电路。 （ 错 ） 15．变压器是依据电磁感应原理工作的。 （ 对 ） 16．电机、电器的铁心通常都是用软磁性材料制成。 （ 对 ） 17．自耦变压器由于原副边有电的联系，所以不能作为安全变压器使用。 （ 对 ） 18．电动机的转速与磁极对数有关，磁极对数越多转速越高。 （ 错 ） 19．三相异步电动机在满载和空载下起动时，起动电流是一样的。（ 错 ） 20．二极管若工作在反向击穿区，一定会被击穿。 （错） 21．晶体管可以把小电流放大成大电流。 （对） 22．在P 型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。 （对）
电子技术基础与技能试题 使用教材：电子技术基础与技能试题围：全册 ：高等教育版次：第2版 学校名称：礼县职业中等专业学校 一、填空题 1、二极管最主要的电特性是，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个。 2、三极管的三个工作区域是，，。集成运算放大器是一种采用耦合方式的放大器。 3、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为dB，总的电压放大倍数为。 4、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中，效率最低的电路为，为了消除交越失真常采用电路。 5、理想集成运算放大器的理想化条件是Aud= 、R id= 、K CMR= 、R O = 6、三端集成稳压器CW7805输出电压V，CW7915输出电压V。 7、74LS系列的TTL与非门电路常使用的电源电压为V，一般要求其输出高电平电压大于等于V，输出低电平电压小于等于V，CMOS集成门电路的电源电压在V 围均可正常工作，建议使用V电源供电。 8、晶体三极管截止时相当于开关，而饱和时相当于开关。 9、异或门的逻辑功能是：当两个输入端一个为0，另一个为1时，输出为_____；而两个输入端均为0或均为1时，输出为_____。 10、已知某触发器的真值表如下（A、B为触发器的输入信号）所示，其输出信号的逻辑表达式为。
真值表 A B Q n+1说明 0 0 Q n保持 0 1 0 置0 1 0 1 置1 1 1 Q n翻转 二、单选题 1、下列使用指针式万用表判断二极管极性的正确步骤是（）。 ａ．用万用表红黑表笔任意测量二极管两引脚间的电阻值。 ｂ．将万用表的电阻挡旋钮置于Ｒ×１００或Ｒ×１ｋ挡，调零。 ｃ．以阻值较小的一次测量为准，黑表笔所接的二极管一端为正极，红表笔所接的二极管一端为负极。 ｄ．交换万用表表笔再测一次。如果二极管是好的，两次测量的结果必定一大一小。 A．ａｂｃｄ B. ｂａｄｃ C. ｃｄａｂ D. ｂｃｄａ 2、对于桥式整流电路，正确的接法是（）。 3、某NPN型三极管的输出特性曲线如图1所示，当VCE=6V，其电流放大系数β为（）
. 数字电子技术基础期末考试试卷 一、填空题 1. 时序逻辑电路一般由 和 两分组成。 2. 十进制数（56）10转换为二进制数为 和十六进制数为 。 3. 串行进位加法器的缺点是 ，想速度高时应采用 加法器。 4. 多谐振荡器是一种波形 电路，它没有稳态，只有两个 。 5. 用6个D 触发器设计一个计数器，则该计数器的最大模值M= 。 二、化简、证明、分析综合题： 1．写出函数F (A,B,C,D) =A B C D E ++++的反函数。 2．证明逻辑函数式相等：()()BC D D B C AD B B D ++++=+ 3．已知逻辑函数F= ∑（3,5,8,9，10，12）+∑d(0,1,2) （1）化简该函数为最简与或式： （2）画出用两级与非门实现的最简与或式电路图： 4．555定时器构成的多谐振动器图1所示，已知R 1=1K Ω，R 2=8.2K Ω，C=0.1μF 。试求脉冲宽度 T ，振荡频率f 和占空比q 。 ………………………密……………………封…………………………装…………………订………………………线……………………… 系别 专业（班级） 姓名 学号
图1 5．某地址译码电路如图2所示，当输入地址变量A7-A0的状态分别为什么状态 时，1Y 、6Y 分别才为低电平（被译中）。 图2 6．触发器电路就输入信号的波形如图3所示，试分别写出D 触发器的Q 和Q1的表达式，并画出其波形。 图3 ………………封…………………………装…………………订………………………线………………………
D= Q n+1= Q1= 7. 已知电路如图4所示，试写出: ①驱动方程； ②状态方程； ③输出方程； ④状态表； ⑤电路功能。图4 三、设计题：（每10分，共20分） 1．设计一个三变量偶检验逻辑电路。当三变量A、B、C输入组合中的“1”的个数为偶数时F=1，否则F=0。选用8选1数选器或门电路实现该逻辑电路。要求： （1）列出该电路F(A,B,C)的真值表和表达式； （2）画出逻辑电路图。 2．试用74161、3-8译码器和少量门电路，实现图5所示波形VO1、VO2，其中CP为输入波形。要求： （1）列出计数器状态与V01、V02的真值表；
《电工电子技术》课程复习资料 一、填空题： 1.正弦交流电的相量表示具体有有效值相量和最大值相量两种形式。 2.一阶电路暂态过程三要素法的表达式。 3.变压器有三大作用，分别是变压_、_变流_和_变换阻抗_。 结具有单向导电性，可描述为正偏导通、反偏截止。 5.以比较的风格分类，电压比较器有单限比较、滞回比较和窗口比较。 6.基本的逻辑关系是逻辑与、逻辑或和逻辑非。 7.“触发”是指给触发器或时序逻辑电路施加时钟（脉冲）信号。 8.电路的主要作用是传输、分配和控制电能和传送、处理电信号。 9.负载功率因数过低的后果是增大输电线路损耗和使供电设备不被充分利用。 10.三相同步发电机的基本构成是定子和转子。 11.电容和电感储能的数学表达式是和。 12.低压供电系统的接线方式主要有树干式和放射式。 13.实际变压器存在两种损耗，分别是铜耗和铁耗。 14.已知三相异步电动机的工频为50HZ，五对磁极，则同步转速为600r/min。 15.变压器的主要构成部件是绕组和铁芯。 16.已知三相异步电动机的工频为50HZ，四对磁极，则同步转速为750 r/min。 17.晶体三极管的两个PN结分别是发射结和集电结。 18.要使晶体三极管处于截止状态，其偏置方法是使发射结反偏集电结反偏。 19.反相比例运算关系是.，同相比例运算关系是。 20.多发射极管的作用是实现与运算、提高（逻辑）转换速度。 21.翻转是指触发器在时钟脉冲到达后形成与初态相反的次态。 22.我国规定的电力网特高压额定值有330kV、500kV和1000kV 。 23.理想变压器的变压公式是。 24.已知三相异步电动机的工频为50HZ，三对磁极，则同步转速为1000r/min。 25.晶体三极管有三种工作状态，分别为放大、截止和饱和。 26.放大电路的耦合方式有阻容耦合、变压器耦合和直接耦合。 27.负反馈对放大电路性能的影响有稳定电压放大倍数、拓展频宽、改善非线性失真和改变输入输出阻抗。 28.与时序电路相比，组合电路的特点是输出只与当前输入有关，而与初态无关。 29.理想变压器的变流公式是。 30.已知三相异步电动机的工频为50HZ，二对磁极，则同步转速为1500r/min
电子技术基础考试试题及参考答案 试题 一、填空题（每空1分，共30分） 1．硅二极管的死区电压为_____V，锗二极管的死区电压为_____V。 2．常用的滤波电路主要有_____、_____和_____三种。 3．晶体三极管的三个极限参数为_____、_____和_____。 4．差模信号是指两输入端所施加的是对地大小_____，相位_____的信号电压。 5．互补对称推挽功率放大电路可分成两类：第一类是单电源供电的，称为_____电路，并有_____通过负载输出；第二类是双电源供电的，称为_____电路，输出直接连接负载，而不需要_____。 6．功率放大器主要用作_____，以供给负载_____。 7．集成稳压电源W7905的输出电压为_____伏。 8．异或门的逻辑功能是：当两个输入端一个为0，另一个为1时，输出为_____；而两个输入端均为0或均为1时，输出为_____。 9．(1111)2+(1001)2=( _____ )2(35)10=( _____ )2 (1010)2–(111)2=( _____ )2(11010)2=( _____ )10 (1110)2×(101)2=( _____ )2 10．逻辑函数可以用_____、_____、_____等形式来表示。 11．组合逻辑电路包括_____、_____、_____和加法器等。 二、判断题（下列各题中你认为正确的，请在题干后的括号内打“√”，错误的打“×”。全打“√”或全打“×”不给分。每小题1分，共10分） 1．放大器采用分压式偏置电路，主要目的是为了提高输入电阻。（） 2．小信号交流放大器造成截止失直的原因是工作点选得太高，可以增大R B使I B减小，从而使工作点下降到所需要的位置。（） 3．对共集电极电路而言，输出信号和输入信号同相。（） 4．交流放大器也存在零点漂移，但它被限制在本级内部。（） 5．同相运算放大器是一种电压串联负反馈放大器。（） 6．只要有正反馈，电路就一定能产生正弦波振荡。（） 7．多级放大器采用正反馈来提高电压放大倍数。（） 8．TTL集成电路的电源电压一般为12伏。（） 9．流过电感中的电流能够突变。（） 10．将模拟信号转换成数字信号用A/D转换器，将数字信号转换成模拟信号用D/A转换器。（） 三、单选题（在本题的每小题备选答案中，只有一个答案是正确的，请把你认为正确答案的代号填入题干后的括号内，多选不给分。每小题2分，共26分） 1．用万用表测得某电路中的硅二极管2CP的正极电压为2V，负极电压为1.3V，则此二极管所处的状态是（） A．正偏B．反偏C．开路D．击穿 2．放大器的三种组态都具有（） A．电流放大作用B．电压放大作用 C．功率放大作用D．储存能量作用 3．下列各图中，三极管处于饱和导通状态的是（）
华中师范大学成人专科学年第二学期 《电工电子技术基础》试卷（A卷） 考试时间：90分钟闭卷任课老师： 班级：学号：姓名：成绩： 一、填空：(每空2分，共40分) 1、基尔霍夫电流定律：I= A。； 2、欧姆定律：买了一个日光灯,功率P=40W，电压220V，I= A . 因为它的功率 因数只有0.5，应该在它的两端并联可以其提高功率因数。 3、电路如图，其戴维南等效电路的参数： U AB= V ；R AB= Ω； 4、单相交流电路： 已知：0 2202sin(31460) u t V =+；则有效值U= V；频率是 HZ。 5、对称三相四线制电路中，相电压是220V，线电压为： V； 6、三相交流异步电动机的转差率S= 。 7、三相交流异步电动机定子旋转磁场的转速是： 8、三极管的放大条件是： 9、判断R F的反馈类型：。 10、组合电路如图，输出F= 。 11、三端集成稳压器W7809能够输出 V电压。 12、三相四线制电路中，则中线的作用为。 13、能实现F=0 的逻辑门是。 14、可以实现Q Q n= +1的电路是：。 装 订 线
15、安全电压是： V。 16、热继电器的热元件应该连接到。 17、变压器铁心有：两种损耗。 二、简答题：（每题4分，共20分） 1、交流电路的有功功率、无功功率及视在功率的表达式？其中cos 被称为什么？答： 2、三相异步电动机的调速方法有哪些？ 答： 3、画出接触器的线圈符号及触头的符号。 答： 4、单相桥式整流电路，已知变压器副边电压U2 =20V，则输出平均电压U O =？若一个二极管开路，则输出平均电压U O =？ 答： 5、变压器有几个功能？写出表达式。 答：
数字电子技术基础试题（一） 一、填空题 : （每空1分，共10分） 1． (30.25) 10 = ( ) 2 = ( ) 16 。 2 . 逻辑函数L = + A+ B+ C +D = 。 3 . 三态门输出的三种状态分别为：、和。 4 . 主从型JK触发器的特性方程= 。 5 . 用4个触发器可以存储位二进制数。 6 . 存储容量为4K×8位的RAM存储器，其地址线为条、数据线为条。 二、选择题： (选择一个正确的答案填入括号内，每题3分，共30分 ) 1.设下图中所有触发器的初始状态皆为0，找出图中触发器在时钟信号作用下,输出电压波形恒为0的是：（）图。 2.下列几种TTL电路中，输出端可实现线与功能的电路是（）。 A、或非门 B、与非门 C、异或门 D、OC门 3.对CMOS与非门电路，其多余输入端正确的处理方法是（）。
A、通过大电阻接地（>1.5KΩ） B、悬空 C、通过小电阻接地（<1KΩ） D、通过电阻接V CC 4.图2所示电路为由555定时器构成的（）。 A、施密特触发器 B、多谐振荡器 C、单稳态触发器 D、T触发器 5.请判断以下哪个电路不是时序逻辑电路（）。 A、计数器 B、寄存器 C、译码器 D、触发器 6．下列几种A/D转换器中，转换速度最快的是（）。 A、并行A/D转换器 B、计数型A/D转换器 C、逐次渐进型A/D转换器 B、 D、双积分A/D转换器 7．某电路的输入波形 u I 和输出波形 u O 如下图所示，则该电路为（）。 A、施密特触发器 B、反相器 C、单稳态触发器 D、JK触发器 8．要将方波脉冲的周期扩展10倍，可采用（）。 A、10级施密特触发器 B、10位二进制计数器 C、十进制计数器 B、D、10位D/A转换器 9、已知逻辑函数与其相等的函数为（）。 A、 B、 C、 D、 10、一个数据选择器的地址输入端有3个时，最多可以有（）个数据信号输出。 A、4 B、6 C、8 D、16 三、逻辑函数化简（每题5分，共10分） 1、用代数法化简为最简与或式
。电子技术基础试题库（第四版） 第一章:半导体二极管 一、填空题 1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为______________、__________和__________三类。 导体、绝缘体、半导体 2、PN节具有__________特性，即加正向压时__________，加反向压时__________。 单向导电特性、导通、截止 3、硅二极管导通时的正向管压降约__________V，锗二极管导通时的正向管压降约__________V。 0.7、0.3 4、使用二极管时，应考虑的主要参数是__________、__________。 最大整流电流、最高反向工作电压 5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常__________于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较__________ 小、好 6、根据导电能力来衡量，自然界的物质可分为 _______ 、_________和__________三类。导体， 绝缘体，半导体 7、PN结具有 _____________性能，即加正向电压时PN结________，加反向电压时的PN结 _________。单向导电性，导通，截止 二，判断题 １、半导体随温度的升高，电阻会增大。（）N ２、二极管是线性元件。（）N ３、不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为０.３Ｖ左右。（）N ４、二极管具有单向导电性。（）Y ５、二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。（）N ６、二极管加正向压时一定导通（）N 7、晶体二极管是线性元件。（）N 8、一般来说，硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。（）Y 三、选择题 １、ＰＮ结的最大特点是具有（）C Ａ、导电性Ｂ、绝缘性Ｃ、单相导电性 ２、当加在硅二极管两端的正向电压从０开始逐渐增加时，硅二极管（）C Ａ、立即导通Ｂ、到０.３Ｖ才开始导通Ｃ、超过死区压才开始导通Ｄ、不导通 ３、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）A Ａ、增大Ｂ、减少Ｃ、不变Ｄ、先变大后变小 4、半导体中传导电流的载流子是（）。C A、电子 B、空穴 C、电子和空穴 5、P型半导体是（）B A、纯净半导体 B、掺杂半导体 C、带正电的 四、综合题
D C B A D C A B ++《数字电子技术》试卷 姓名：__ _______ 班级：__________ 考号：___________ 成绩：____________ 1.?有一数码10010011，作为自然二进制数时，它相当于十进制数（147），作为8421BCD 码时，它相当于十进制数（93 ）。 2.三态门电路的输出有高电平、低电平和（高阻）3种状态。 3．TTL 与非门多余的输入端应接（高电平或悬空）。 4．TTL 集成JK 触发器正常工作时，其d R 和d S 端应接（高）电平。 5. 已知某函数?? ? ??+??? ??++=D C AB D C A B F ，该函数的反函数F = （ ）。 6. 如果对键盘上108个符号进行二进制编码，则至少要（ 7）位二进制数码。 7. 典型的TTL 与非门电路使用的电路为电源电压为（5 ）V ，其输出高电平为（3.6）V ，输出低电平为（0.35）V ， CMOS 电路的电源电压为（ 3--18） V 。 8．74LS138是3线—8线译码器，译码为输出低电平有效，若输入为A 2A 1A 0=110时，输出 01234567Y Y Y Y Y Y Y Y 应为（ ）。 9．将一个包含有32768个基本存储单元的存储电路设计16位为一个字节的ROM 。该ROM 有（ 11）根地址线，有（16）根数据读出线。 10. 两片中规模集成电路10进制计数器串联后，最大计数容量为（ 100）位。 11. ＝（AB ）。 12. 13 二、分） 1.?函数 A ．F(A,B,C)=∑m （0，2，4） B. (A,B,C)=∑m （3，5，6，7） C ．F(A,B,C)=∑m （0，2，3，4） D. F(A,B,C)=∑m （2，4，6，7） 2．8线—3线优先编码器的输入为I 0—I 7 ，当优先级别最高的I 7有效时，其输出012Y Y Y ??的值是（ C ）。 A ．111 B. 010 C. 000 D. 101 3．十六路数据选择器的地址输入（选择控制）端有（ C ）个。 A ．16 B.2 C.4 D.8
电子技术基础试题（八） 一．填空题：（每题3分，共30分） 1、PN结具有__________性能。 2、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而_______。 3、射极输出器放在中间级是兼用它的____________大和____________ 小的特点，起阻抗变换作用。 4、只有当负载电阻R L和信号源的内阻r s______时，负载获得的功率最 大，这种现象称为______________。 5、运算放大器的输出是一种具有__________________的多级直流放大器。 6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有：______类功放， ______类功放和_______类功放电路。 7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较，前者加了偏置电路向功放 管提供少量__________，以减少__________失真。 8、带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由__________ 、 和___________四个部分组成。 9．逻辑代数的三种基本运算是 _________ 、___________和___________。 10．主从触发器是一种能防止__________现象的实用触发器。 二．选择题（每题3分，共30分） 1．晶体管二极管的正极的电位是－10V，负极电位是－5V，则该晶体二极管处于：( )。
A.零偏 B.反偏 C.正偏 2．若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时，使该三极管：（）。 A.集电极电流减小 B.集电极与发射极电压V CE上升 C.集电极电流增大 3．某三级放大器中，每级电压放大倍数为Av，则总的电压放大倍数：（）。 A.3A V B.A3V C.A V3/3 D.A V 4．正弦波振荡器中正反馈网络的作用是：（）。 A.保证电路满足振幅平衡条件 B.提高放大器的放大倍数，使输出信号足够大 C.使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激 振荡 5．甲类单管功率放大电路中结构简单，但最大的缺点是：（）。 A.有交越失真 B.易产生自激 C.效率低6．有两个2CW15稳压二极管，其中一个稳压值是8V，另一个稳压值为 7.5V，若把两管的正极并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接 入电路，这时组合管的稳压值是：( )。 A.8V 7．为了减小开关时间，常在晶体管的基极回路中引入加速电容，它的主要作用是：（）。
试卷二 系别学号姓名成绩 考试课程模拟电子技术基础考试日期2002 年１２月１２日 题号一二三四五六七八九总分分数 得分核分人阅卷人 1．单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每小题2分，共20分) (1)杂质半导体中的少数载流子浓度取决于( )。 A．掺杂浓度 B．工艺 C.温度 D．晶体缺陷 (2)硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( )。 A．正向导通状态 B．反向电击穿状态 C．反向截止状态 D．反向热击穿状态 (3)测得一放大电路中的三极管各电极相对于“地”的电压如图1所示， A．NPN型硅管 B．NPN型锗管 C．PNP型锗管 D．PNP型硅管 (4)温度上升时，半导体三级管的( )。 A．β和I CBO 增大，U BE 下降 B．β和U BE 增大，I CBO 减小 C．β减小，I CBO 和U BE 增大 D．β、I CBO 和U BE 均增大 (图1) (5)在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，ｕ ｏ与ｕ ｉ 相位相反、 ︱A U ︱>1的只可能是( )。 A．共集电极放大电路 B．共基极放大电路 C．共漏极放大电路 D．共射极放大电路 (6)在四种反馈组态中，能够使输出电压稳定，并提高输人电阻的负反馈是( )。 A．电压并联负反馈 B．电压串联负反馈 C．电流并联负反馈 D．电流串联负反馈 (7)关于多级放大电路下列说法中错误的是( )。 A．A ｕ等于各级电压放大倍数之积 B．R ｉ 等于输入级的输入电阻 C．R。等于输出级的输出电阻 D．Ａ ｕ 等于各级电压放大倍数之和 （8）用恒流源电路代替典型差动放大电路中的公共射极电阻R E ，可以提高电路的 ( )。 A．︱A ｕｄ ︱ B．︱A ｕｅ ︱ C．Ｒ ｉｄ D．Ｋ ＣＭＲ (9)电路如图2所示，其中U ２ ＝20V，C＝100ｕF。变压器内阻及各二极管正向导通时 的电压降、反向电压均可忽略，该电路的输出电压U ０ ≈( )。 A．24V B．28V C．－28V D．－18V (图2) (10)在下列四种比较器中．抗干扰能力强的是( )。 A．迟滞比较器 B．零比较器 C．三态比较器 D．窗口比较器 2．填充题(每格１分，共20分) (11)当放大电路输入非正弦信号时，由于放大电路对不同频率分量有不同的放大倍数 而产生的输出失真称为失真，由于相位滞后与信号频率不成正比而产生的输 出失真称为失真，这两种失真统称为失真或失真。 (12)半导体三极管属控制器件，而场效应管属于控制器件。 (13)按结构不同，场效应管可分为型和型两大类。 (14)集成运放内部电路实际上是一个、、放大电路。 (15)直流稳压电源由、、、四个部分组成。 (16)按幅频特性不同，滤波器可分为滤波器、滤波器、滤 波器、滤波器及滤波器等五种。 3．分析计算题（共60分） （17）电路如图３所示．已知R B1＝50KΩ, R B2＝10KΩ, R C＝6KΩ, R E＝750Ω,信号源内阻R S＝ 5KΩ,负载电阻R L＝10KΩ,电源电压＋V CC=12V,电容C1、C2的电容量均足够大,晶体管的β=99、 r be=1 KΩ、U BE=0.7V。试求：（a）电压放大倍数A u（=U O/U I）及A us（=U O/U S）; （b）输入电阻R i和输出电阻R O。 ① -2V ② -8V ③ -2.2V + u1 － TR + u2 － D1 D4 D3 D 2 C + U o －