Supplemental Problems
Part II: Chapters 19 - 30
to accompany the 3rd Edition of
Power Electronics: Converters, Applications and Design
by
Ned Mohan, Tore Undeland, and William Robbins
Copyright 2002
Chapter 19 - Semiconductor Physics
S19.1An abrupt pn junction has 1014 cm -3 donors on the n-type side and 1014 cm -3 acceptors
on the p-type side. At what temperature will the properties of junction disappear?S19.2.Consider the bar of n-type silicon shown below with a current of 10 ma flowing through
it.
a.What is voltage drop, V bar , at room temperature?
b.The voltage V bar changes with temperature as illustrated below. Explain qualitatively the observed behavior.
c.Estimate the temperature T 0.5 where the voltage drop across the bar is 50% of the room temperature value. You may assume temperature independent mobilities.
10 mA
V
bar
N = 10 cm d 15-3
1 cm
Area A =0.42 cm 2
Temperature
T 0.5
25 °C
V bar
V
b
0.5V b
Chapter 20 - Power Diodes
S20.1Consider the circuit shown below. All components in the circuit are ideal except for the
diode. The characteristics of the diode are listedbelow. For simplicity, assume that the reverse-recovery current waveform of the diode is triangular, i.e. that the current grows
towards I rr at a constant rate given by di R
dt and then falls towards zero from I rr at a rate controlled by the snappiness factor S.
d
I = 100 A o L = 100 nH
Diode
Characteristics BV = 400 V Excess carrier Lifetime = 50 ns Snappiness S =1
a.Estimate the reverse-recovery current I rr and reverse-recovery time t rr .
b.
Is a snubber circuit required to protect the diode? Justify your answer.
S20.2.A signal level diode and a fast power rectifier are tested in the circuit shown below. The
voltage and current responses of the two diodes are also shown below. Qualitatively, but briefly explain the causes or reasons for the differences in the behavior of the two types of diodes.
v +-
i t
P +
-N +
N Signal level diode Power rectifier v(t)
v(t)
P +
N
S20.3.Consider the two diode structures shown below. The punch-thru structure has the same
breakdown voltage as the standard diode geometry. However the punch-thru diode is expected to have a significantly smaller reverse recovery time t rr compared to the standard diode geometry.
N +
P +
N -10 cm
12-3N +
P +
N -50 m m
10 cm
-314m m
Punch-thru diode Standard diode
a. Qualitatively explain why the punch thru diode geometry is expected to have a significantly
shorter reverse recovery time t rr .b. Will any aspects of the behavior of the punch-thru diode be inferior to the standard diode?
Briefly and qualitatively explain.c.
Approximately estimate how much shorter t rr in the punch-thru diode will be compared to the standard diode.
S20.4.The diode rectifier circuit shown below must deliver 100 kW of power to the load R L . The
diodes are all identical. T j,max = 150 °C ; R q j-c = .1 °C/W
250 v base-to-peak 1 kHz square wave
R
L
1 V
2 V 500 A
V I
A
a. Specify what the blocking voltage rating and maximum average forward current rating of the diodes should be. Include a factor of safety of 25% in the ratings.
b. Specify the required value of thermal resistance R q,c-a of a heat sink for the diodes.S20.5.A one-sided step junction with a p-side doping density N A much greater than the n-side
doping density of N D conducts a current I when forward biased by a voltage V F . The
current is to be increased by a factor of two (to 2I) by adjusting the carrier lifetime t . What adjustment is required in the carrier lifetime to realize this change in current?
S20.6.Consider the diode shown below .
N +P +N
-2x10 cm
-314
100 m m
10
10
1919a. Estimate the breakdown voltage BV BD of the diode.
b. Estimate the leakage current of the diode assuming that the area of the diode is 1 cm 2.
c.Estimate the on-state voltage for a forward current of 500 amps.
S20.7 Consider the silicon diode structure shown below. This diode is used as a free-wheeling
diode in the step-down converter shown below. Estimate the reverse-recovery current I rr
and reverse recovery time t rr of the diode when it is used in the circuit. The switch S w is ideal. Assume that the snappiness factor S of the diode is equal to one.
D f
+
-
V d = 600 V
S
w
L = 1 m H
I =200 A
o N +
P
+N -10 cm
14-350 microns m m
S20.8 The silicon p-i-n diode shown below is to be designed to have a breakdown voltage of
1500 V.
a.What should be the length, L, of the drift region and what should be the doping density?
b.
The diode will be used as the free-wheeling diode D f in the step-down converter shown below. The switch S w has a current rise and fall time of 100 nsec.Approximately estimate the expected magnitudes of the reverse recovery current, I rr , and reverse-recovery time, t rr
.
L
N -
+
N
P +
Chapter 21 - BJTs
S21.1.
Consider the one dimensional model of a BJT shown below. Assume that the transistor has a beta of 20.
E
B
C
N = 10cm d 19-3
N = 10
cm
d 19-3W = ?d
N = ?d N =10
cm -317a 3 m m
a. (Approximately estimate what the drift region doping level can be if BV CEO = 100V.
b.Approximately estimate the required length W d of the drift region.
c.What should be the excess carrier lifetime in the drift region?
S21.2.Consider the transistor geometry shown below. The beta (b ) of the transistor is equal to
10.
B
N +N -N +
10 1910 19-3
cm -3
cm -3
cm -3
cm P 5x10152x1014W B
E
C
100 microns
a.What is the breakdown voltage BV CEO of the transistor?
b.
How large must the base width W B in order to avoid reach-thru?
S21.3.
Why are NPN transistors used much more than PNP transistors as switches in power electronics applications?
S21.4.An NPN transistor is used in the step-down converter circuit shown below. A simple
diagram of the transistor's internal structure is also given below. Estimate the turn-on delay time of the transistor in this circuit. Use average values of space-charge capacitance. Clearly explain your averaging proceedure.
Q
Io = 40 A
Rg = 4 W Vg(t)
+- Vd = 100 V +
-Df
Df = ideal diode
Vg(t)t
Area = 2 cm
2
All pn junctions = step junctions
S21.5.In designing a transistor for a specific value of BV CEO , the base width must be
large enough to avoid reach-through. This requires that the base width W B >
x pC (BV CBO ) + x pE (BV EBO ). x pC (BV CBO ) is the
protusion of the CB
depletion layer on to the base side of the CB junction at V CB = BV CBO and x pE (BV EBO ) is the protusion of the BE depletion layer on to the base side of the BE junction at V BE = - BV EBO . However device manufacturers make W B several times larger than this minimum value.a.
Explain why they do this. (The answer is not to provide a margin of safety against reach-through.)
b.
For the BJT shown below, find the required value of W B assuming that the manufacturer uses the design criteria of W B = 5 [x pC (BV CBO ) + x pE (BV EBO )].
B
N +N -N +
10 1910 19-3
cm -3cm
-3
cm -3
cm P 10165x10
14
W B E
C
100 microns
S21.6Consider the transistor geometry shown below. The beta (b) of the transistor is equal to
10. Specify a blocking voltage rating for this transistor. Include a 50% factor of safety.
B
N +N -N +
10191019-3
cm -3
cm -3
cm -3
cm P 10
16
10
13
8 microns
E
C
40 microns
Chapter 22 - MOSFETs
S22.1Consider the MOSFET step-down converter circuit shown below. The voltage rise and fall times, t rv and t fv, are much larger than current rise and fall times, t ri and t fi. Briefly explain why this is so. You may assume that the value of C gd is a constant independent of V DS and the free wheeling diode D f is ideal.
v (t)
i
I o
S22.2.In the step-down converter circuit of Problem #1, V d = 250 V and I o = 50 A.
The MOSFET parameters are listed below:
BV DSS = 400 V , I D,max = 80 A, V GS,th = 5 V, r DS(on) = .05 W,
T j,max = 175 °C, R q j-a = .5 °C/W, t d(on) = t d(on) = 10 ns, t ri = t fi = 25 ns,
t rv = t fv = 175 ns
a. What is the power dissipation in the MOSFET assuming a switching frequency
f s = 10 kHz and a duty cycle D = 50%?
b. What is the maximum average power that can be dissipated in the MOSFET? Assume an
ambient temperature of 25 °C.
c. The duty cycle D will vary from 20% to 90%. What is the maximum permissible
switching frequency f s? Assume that the period 1/f s is large compared to the switching times of the MOSFET.
S22.3. In the step-down converter circuit shown below, V d = 300 V and I o
= 30 A.
v (t)
i
I o
The MOSFET parameters are listed below:
BV DSS = 400 V , I D,max = 80 A, V GS,th = 5 V, r DS(on) = .1 W,
T j,max = 175 °C, R q j-c = .25 °C/W = junction-to-case thermal resistance,
The switching times are adjustable over a wide range by the magnitude of the
gate-source voltage provided by the drive circuit.
a. The power dissipation in the MOSFET at a switching frequency f s = 10 kHz and a duty
cycle D = 50% is to be limited to 100 W. What should be the the switching times t ri, t fv.
t fi, and t rv. Assume that t rv = t fv = 6t ri = 6t fi and further assume that t d(off) = t d(on) = 0.
b. The maximum average power dissipated in the MOSFET will be limited to 200 W.
Assuming an ambient temperature of 25 °C, what is the maximum allowable case-to-ambient thermal resistance, R q c-a, of the heat sink on which the MOSFET is to be
mounted?
S22.4.The MOSFET-driven step-down converter circuit shown below produces the turn-on
waveforms which are shown with the circuit diagram.
V = 125 V d
+-D
f
I = 100 A o
+-10 W
-5 -10 -15 V G S
125 V 0 V
D
I V
D S
D f
= ideal diode
a.What is the threshold voltage V GSth of the MOSFET?
b.What is the MOSFET transconductance g m ?
c.What is the on-state resistance r DS(on)?
d.What is the gate-drain capacitance C gd ?
e.What is the gate-source capacitance C gs ?
S22.5.Shown below is a graph of the gate-source voltage V GS as a function of the gate charge
Q g with a specified drain current I D and drain-source voltage V DS . Such graphs are often
included on specification sheets of MOSFETs and IGBTs and are aconvenient way of summarizing the influence of gate-source, gate-drain, and drain-source capacitances.These graphs are most useful in the design of circuits with clamped inductive loads such as is shown below. Express the slopes (Slope1 and Slope2) and breakpoints (V GSp ,Q g1
and V GSp ,Q g2) indicated on the V GS versus Q g graph in terms of the parameters of the step-down converter circuit and the parameters of the MOSFET. Assume that all of the MOSFET parameters listed below are constant independent of MOSFET voltages or currents.
v (t)i I o
Q g
V GS
Slope2
Slope1
Q g1
Q g2
V GSp
MOSFET parameters
threshold voltage V gs(th) ; transconductance g m
gate-source capacitance C gs ; gate-drain capacitance C gd
S22.6.Consider the MOSFET step-down converter shown below. It is operating in an
ambient temperature of 50 °C at a switching frequency of 30 kHz (duty cycle of 50%). The free-wheeling diode D f is ideal. Is the transistor being overstressed and
if so, how? Be specific and quantitative in answering the question.
100 V
100 nH
100 A
10 W V drive
+
-D f
Q
MOSFET Characteristics BV DSS = 150 V
I D,max = 125 A T j,max = 150 °C R q ,j-a = 1 °C/W t ri = t fi = 50 ns t rv = t fv = 200 ns
r DS(on) = 0.01 ohms
S22.7.Consider the MOSFET step-down converter circuit shown below. Assume I o = 100 A,
V d = 100 V, R G = 25 ohms, and V i (t) is shown below. The parameters of the MOSFET
are also listed below. Estimate the turn-on delay time t
.
v (t)i
I o
Chapter 23 and 24 - SCRs and GTOs
S23.1.Consider the SCR circuit shown below. The SCR has the following characteristics:
T j,max = 125 °C ; V BO = 3000 V ; I A,max = 2000 A ; R q j-c = .05 °C/W
V (on)
AK
a.
Assume that the case temperature is 50 °C. What is the maximum average power
P SCR,max, that can be dissipated in the thyristors?
b. Estimate the maximum power that can be delivered to the load.
S23.2.The SCR inverter circuit shown below must deliver 1 megawatt of power to the load R L under maximum power conditions (trigger angle equal to zero). The thyristors are all
identical.
T j,max = 125 °C ; V BO = 3000 V ; I A,max = 2000 A ; R q j-c = .05 °
C/W
440 V rms
60 Hz 1 V
3 V
1000 A
V
I
A
a. Specify what the blocking voltage rating and maximum average forward current
rating of the SCRs should be. Include a factor of safety of 25% in the ratings.
b. Estimate what the power dissipation rating of the thyristor should be including
a factor of safety of 25%.
S23.3.A cascode circuit arrangement shown below has been proposed for the control of a GTO. Briefly discuss the advantages and disadvantages of this arrangement.
To trigger circuit To trigger circuit High current-low voltage MOSFET
S23.4.The stray inductance L s in the turn-off snubber of Fig. 24-3, pp. 617 of Power Electronics: Converters, Applications, and Design, 2nd Edition, by Mohan, Undeland,
and Robbins will cause an overvoltage across the GTO. Estimate the maximum stray
inductance that can be tolerated in the circuit if the overvoltage is not to exceed 1.5 V d.
Express the estimate in terms of the circuit parameters. Assume that the turn-on snubber acts like a constant current source of value I o during the GTO current fall time t fi = 1μsec.
Chapter 25 - IGBTs
S25.1.Consider the symmetric and antisymmetric IGBTs shown below.
Antisymmetric IGBT Symmetric IGBT
a.Estimate the forward blocking voltage BV DSS of each IGBT.
b. Estimate the reverse blocking voltage V RM of each IGBT.
S25.2Consider the IGBT shown below.
a. Estimate the forward blocking voltage BV DSS that will be printed on the specification
sheet for the IGBT shown above. The device manufacturer uses a 50% factor of safety in specifying the breakdown voltage.
b. The IGBT is rated for a maximum drain current of 20 A and at this current
level, the drift region voltage drop is one volt. Assuming that the IGBT chip is
square in shape, specify the length and width of the chip on which the IGBT is
fabricated. Only 25% of the total chip area is effective in carrying current, the
rest is used for connecting the many source and gate regions together. Use a
value n b = 1016 cm-3 as the excess carrier density value at which the
mobilities and carrier lifetime begin to decrease with further increases in excess carrier density.
S25.3.Older types of IGBTs have an excess carrier distribution in the drift region that is
triangular as shown below. Newer IGBT structures manage to get a flat distribution as is also shown in the figure. Compare the on-state resistance of the older IGBT against that of the newer IGBT assuming that both have the same drift region length, same excess carrier lifetime, same cross-sectional area, and the same breakdown voltage rating. Further
assume that the maximum excess carrier density at the collector end of the drift region is the same for both devices.
Excess carrier density
Chapter 26 - Emerging Devices
S26.1.Consider the step-down converter shown below which employs an FCT and a
MOSFET. The blocking gain, m , of the FCT is equal to 40.
R
G1
R
G2
Q s
T sw
D f
+
-
I o = 200 A
V d
= 1000 V a. What should be the values of R G1 and R G2 in order to insure proper operation of the FCT? Assume R G1+ R G2 = 1 M W and include a 25% factor of safety in the blocking voltage capability of the circuit.
b. Describe the characteristics the MOSFET in this circuit should have including breakdown voltage and maximum average current capability.
S26.2.Consider the Schottky diode geometry shown below. For simplicity no guard rings or field
plates are shown. The performance of this diode geometry implemented in silicon is to be compared against the same geometry implemented in gallium arsenide. The breakdown voltage of the diode is to be 125 volts. The properties of silicon and gallium arsenide are listed below.
N = 10 cm -15-3N = 10 cm +
19-3
d
Anode
Cathode
电力行业分析报告
目录
第1章电力行业发展环境分析 1.1 2007年国内宏观经济运行情况分析 经初步核算，2007年，全年国内生产总值246619亿元，比上年增长11.4%，加快0.3个百分点，连续五年增速达到或超过10%。分季度看，一季度增长11.1%，二季度增长11.9%，三季度增长11.5%，四季度增长11.2%。分产业增加值情况见下表，第二产业增加值占三次产业增加值总量的49.22%。 表1-1 2007年各产业增加值情况 1、工业生产增长加快，企业效益提高 全年规模以上工业增加值比上年增长18.5%（12月份增长17.4%），加快1.9个百分点。其中，国有及国有控股企业增长13.8%；集体企业增长11.5%；股份制企业增长20.6%；外商及港澳台投资企业增长17.5%。重工业增长19.6%，轻工业增长16.3%。规模以上工业企业产销率达到98.1%。 1-11月份，全国规模以上工业实现利润22951亿元，比上年同期增长36.7%，增幅同比上升6.0个百分点。39个工业行业全部实现盈利。其中，交通运输设备制造业增长68.7%，专用设备制造业增长61.4%，化工行业增长51.5%，煤炭行业增长49.1%，钢铁行业增长47.2%，电力行业增长39.0%。
2、固定资产投资快速增长，房地产开发投资明显加快 全年全社会固定资产投资137239亿元，比上年增长24.8%，加快0.9个百分点。其中，城镇固定资产投资117414亿元，增长25.8%，加快1.5个百分点（12月份16809亿元，增长19.6%）；农村固定资产投资19825亿元，增长19.2%。在城镇投资中，分产业看，第一产业投资1466亿元，比上年增长31.1%；第二产业51020亿元，增长29.0%；第三产业64928亿元，增长23.2%。分地区看，与上年同比，东部地区投资增长21.0%，中部地区增长34.0%，西部地区增长28.2%。全年房地产开发投资25280亿元，比上年增长30.2%，加快8.4个百分点。 3、对外贸易快速增长，外商直接投资继续增长 全年进出口总额21738亿美元，比上年增长23.5%，回落0.3个百分点。其中，出口12180亿美元，增长25.7%，回落1.5个百分点；进口9558亿美元，增长20.8%，加快0.8个百分点。进出口相抵，贸易顺差2622亿美元，比上年增加847亿美元。全年实际使用非金融机构外商直接投资748亿美元，比上年增长13.6%。年末国家外汇储备余额达到1.53万亿美元，比上年增长43.3%。 4、货币供应量增长较快，贷款增加较多 12月末，广义货币（M2）余额40.3万亿元，比上年末增长16.7%，回落0.2个百分点；狭义货币（M1）余额15.3万亿元，增长21.0%，加快3.5个百分点；流通中货币（M0）余额30334亿元，增长12.1%，回落0.6个百分点。金融机构人民币各项贷款比年初增加36323亿元，比上年多增4482亿元。各项存款比年初增加53878亿元，比上年多增4599亿元。全年投放现金3262亿元，比上年多投放221亿元。 当前我国经济运行中的主要问题是，经济增长由偏快转为过热的风险依然存在，价格上涨压力加大，结构性矛盾仍较突出，经济发展方式比较粗放，体制机制不够健全等。新的一年，要坚定不移地贯彻落实党的十七大和中央经济工作会议的战略部署和总体要求，按照控总量、稳物价、调结构、促平衡的指导思想，实施稳健的财政政策和从紧的货币政策，加快转变经济发展方式，着力促进结构
1.解释GTO、GTR、电力MOSFET、BJT、IGBT，以及这些元件的应用范围、基本特性。 2.解释什么是整流、什么是逆变。 3.解释PN结的特性，以及正向偏置、反向偏置时会有什么样的电流通过。 4.肖特基二极管的结构，和普通二极管有什么不同 5.画出单相半波可控整流电路、单相全波可控整流电路、单相整流电路、单相桥式半控整流电路电路图。 6.如何选配二极管（选用二极管时考虑的电压电流裕量） 7.单相半波可控整流的输出电压计算（P44） 8.可控整流和不可控整流电路的区别在哪 9.当负载串联电感线圈时输出电压有什么变化（P45） 10.单相桥式全控整流电路中，元件承受的最大正向电压和反向电压。 11.保证电流连续所需电感量计算。 12.单相全波可控整流电路中元件承受的最大正向、反向电压（思考题，书上没答案，自己试着算） 13.什么是自然换相点，为什么会有自然换相点。 14.会画三相桥式全控整流电路电路图，波形图（P56、57、P58、P59、P60，对比着记忆），以及这些管子的导通顺序。
15.三相桥式全控整流输出电压、电流计算。 16.为什么会有换相重叠角换相压降和换相重叠角计算。 17.什么是无源逆变什么是有源逆变 18.逆变产生的条件。 19.逆变失败原因、最小逆变角如何确定公式。 做题：P95：1 3 5 13 16 17，重点会做 27 28，非常重要。 20.四种换流方式，实现的原理。 21.电压型、电流型逆变电路有什么区别这两个图要会画。 22.单相全桥逆变电路的电压计算。P102 23.会画buck、boost电路，以及这两种电路的输出电压计算。 24.这两种电路的电压、电流连续性有什么特点 做题，P138 2 3题，非常重要。 25.什么是PWM,SPWM。 26.什么是同步调制什么是异步调制什么是载波比，如何计算 27.载波频率过大过小有什么影响 28.会画同步调制单相PWM波形。 29.软开关技术实现原理。
附录 1 电力系统继电保护 1.1方向保护基础 日期，对于远离发电站的用户，为改善其供电可靠性提出了双回线供电的设想。当然，也可以架设不同的两回线给用户供电。在系统发生故障后，把用户切换至任一条正常的线路。但更好的连续供电方式是正常以双回线同时供电。当发生故障时，只断开故障线。图14-1所示为一个单电源、单负载、双回输电线系统。对该系统配置合适的断路器后，当一回线发生故障时，仍可对负载供电。为使这种供电方式更为有效，还需配置合适的继电保护系统，否则，昂贵的电力设备不能发挥其预期的作用。可以考虑在四个断路器上装设瞬时和延时起动继电器。显然，这种类型的继电器无法对所有线路故障进行协调配合。例如，故障点在靠近断路器D的线路端，D跳闸应比B快，反之，B应比D快。显然，如果要想使继电器配合协调，继电保护工程师必须寻求除了延时以外的其他途径。 无论故障点靠近断路器B或D的哪一端，流过断路器B和D的故障电流大小是相同的。因此继电保护的配合必须以此为基础，而不是放在从故障开始启动的延时上。我们观察通过断路器B或D的电流方向是随故障点发生在哪一条线路上变化的。对于A和B之间的线路上的故障，通过断路器B的电流方向为从负载母线流向故障点。对于断路器D，电流通过断路器流向负载母线。在这种情况下，断路器B应跳闸，D不应跳闸。要达到这个目的，我们可在断路器B和D上装设方向继电器，该方向继电器的联接应保证只有当通过它们的电流方向为离开负载母线时才起动。 对于图14-1所示的系统，在断路器B和D装设了方向过流延时继电器后，继电器的配合才能实现。断路器A和C装设无方向的过流延时继电器及瞬时动作的电流继电器。各个继电器整定配合如下：方向继电器不能设置延时，它们只有本身固有的动作时间。A和C的延时过流继电器通过电流整定使它们作为负载母线或负载设备故障的后备保护。断路器A和C的瞬时动作元件通过电流整定使它们在负载母线故障时不动作。于是快速保护可以保护发电机和负载之间线路长度
电力电子技术的实际应用 摘要 随着科技的飞速进步，时代的高速发展，电力电子技术作为一个新兴的学科诞生并被迅速应用于电力电子领域中，已在国民经济中发挥着巨大作用，已对输变电系统性能将产生巨大影响。目前电力电子技术的应用已涉及电力系统的各个方面，包括发电环节、输配电系统、储能系统等等。电力电子技术是使用电力电子器件（如晶闸管，GTO，IGBT等）对电能进行变换和控制的技术，其发展在优化电能使用、改造传统产业和发展机电一体化等新兴产业、扩大电网规模和功能等方面起到了重要作用。本文将重点介绍电力电子技术在电 理网络中的应用。 关键字：电力电子技术、输配电系统、晶闸管、电力网络。 在电气工程领域，电力电子技术作为一个新兴的学科，因其在电力领域中起到的巨大作用，越来越受到重视。随着晶闸管等电力器件的发明并被应用于电力领域，正式标志着电力电子技术被应用于电力系统，其在全球电力领域的发展中，有着里程碑的意义。 电力电子技术主要应用于电力领域中的电力系统中。电力系统由发电、输电、变电、配电和用电等环节组成的电能生产与消费系统。其功能就是产生电能，再经输电系统、变电系统和配电系统将电能供应到用户。为了实现此功能，电力电子技术的应用起到了举足轻重的作用。保证了用户能够获得安全、经济、优质的电能。 电力电子技术最初应用到电力领域的历史最早是在20世纪50年代利用不可控器件二极管构成的整流器来替代直流发电机对同步发电机进行励磁调节。随后出现的利用半控器件晶闸管构成的可控整流器更是为发电机的励磁提供里一个快捷有效的控制手段，从根本上改变了发电机的动态和静态性能，有效的改善了系统的稳定性。 在当前大范围使用的电力系统中，通常都是以固定的电压和频率来向用户提供交流电能的（例如我国使用220V、50Hz的交流电），但是最终的用户需要的电能可能形式会有着各式各样的差别，可能是不同频率的交流电、可能是同频率但电压不同的交流电也可能是直流电等等、如果这些要由普通的常规电力系统器件来完成，例如使用变频器，变压器和整流器等，这就需要大量的此类设备，且还要根据不同用户的要求而使用不同的器件，这是很不经济的，也不可能实现。而电力电气器件可以作为电力系统和用户之间的接口，通过受控的开关作用对系统输送到用户的电能进行不同的变换来满足用户不同的需求。故而自其问世以来，就被广泛的应用在电力领域的各个角落。 在电力领域中，实现常规电流变换的装置包括：整流器、逆变器、交流变换器和斩波器四种基本类型。整流器是利用电力电子器件的单向导电性和可控性将交流电能转换为可控的直流电能的变流装置；逆变器是将直流电能转换为交流电能的装置；交流变换器是把一种交流电能变换为另一种交流电能的装置；斩波器是把一种直流电脑变为另一种直流电能的装置。
电力行业分析报告 营销部电力行业办公室 二〇〇九年九月
目录第一章我国电力行业现状分析 一、电力行业概况 二、我国电力行业走势分析 三、我国电力行业的现状分析 四、我国电力行业持续发展的动力 第二章我国电力行业钢材产品市场需求分析 一、电力行业市场需求现状概况 二、电力行业未来需求市场分析 三、我公司产品在该行业所处的优劣势(SWOT)分析第三章我公司产品的定位与营销策略 一、产品定位及分年度营销目标（2009～2015年） 二、选择目标市场、目标客户以及开发数量 三、制定市场营销策略（4P） 四、营销策略实施过程中存在的困难与问题 五、四季度工作计划 附表 我国年产1万吨以上铁塔厂
第一章我国电力行业现状分析 一、电力行业概况 1、电力行业定义 国家电监会(SERC)将电力系统划分为发电、输电、供电和用电四个环节，电力行业的感念覆盖了其中前三项。国家统计局将电力行业编目于电力与热力的生产和供应大类下，分为电力生产和电力供应两部分。国家统计局的电力生产与电监会发电部分相对应，电力供应与电监会的输电和供电两项相对应。 更为具体的说，电力行业就是把各种类型的一次能源通过对应的各种发电设备转换成电能，并且把电能输送到最终用户处，想最终用户提供不同电压等级和不同可靠性要求的电能及其他电力辅助服务的一个基础性的工业行业。 2、与电力行业相关的行业协会情况 （1）中国电力企业联合会 中国电力企业联合会（简称中电联）是1988年经国务院批准成立的全国电力行业企事业单位的联合组织，非盈利的社会经济团体。自成立至今，历经四届理事会。目前业务主管是国家电力监管委员会。 中电联坚持以服务为宗旨，即：接受政府委托，为政府和社会服务；根据行规行约，实行行业管理，为全电力行业服务；按照会员要求，开展咨询服务。目前，中电联有团体会员1440家，设11个专业分会和9个专业委员会，受国资委等部门委托，代管6个全国性专业协会，全国30家省（自治区、直辖市）行业协会是中电联的理事单位。基本形成了功能齐全、分工协作、优势互补、规范有序、覆盖全行业的服务网络。 中电联成立以来，在政府电力主管部门的指导下和各会员单位的支持下,依据电
电力电子技术课程设计 题目：直流降压斩波电路的设计 专业：电气自动化 班级：14电气 姓名：周方舟 学号： 指导教师：喻丽丽
目录 一设计要求与方案 (4) 二设计原理分析 (4) 2.1总体结构分分析 (4) 2.2直流电源设计 (5) 2．3主电路工作原理 (6) 2.4触发电路设计 (10) 2.5过压过流保护原理与设计 (15) 三仿真分析与调试 (17) 3.1M a t l a b仿真图 (17) 3.2仿真结果 (18) 3.3仿真实验结论 (24) 元器件列表 (24) 设计心得 (25) 参考文献 (25) 致 (26) 一．设计要求与方案 供电方案有两种选择。一，线性直流电源。线性电源（Linear power supply）是先将交流电经过变压器降低电压幅值，再经过整流电路整流后，得到脉冲直流电，后经滤波得到带有微小波纹电压的直流电压。要达到高精度的直流电压，必须经过稳压电源进行稳压。线性电源体积重量大，很难实现小型化、损耗大、效率低、输出与输入之间有公共端，不易实现隔离，只能降压，不能升压。二，升压斩波电路。由脉宽调制芯片TL494为控制器构成BOOST原理的，实现升压型DC-DC变换器，输出电压的可调整与稳压控制的开关源是借助晶体管的开/关实现的。因此选择方案二。 设计要求：设计要求是输出电压Uo=220V可调的DC/DC变换器，这里为升压斩波电路。由于这些电路中都需要直流电源，所以这部分由以前所学模拟电路知识可以由整流器解决。MOSFET的通断用PWM控制，用PWM方式来控制MOSFET的通断需要使用脉宽调制器TL494来产生
电力系统 电力系统介绍 随着电力工业的增长，与用于生成和处理当今大规模电能消费的电力生产、传输、分配系统相关的经济、工程问题也随之增多。这些系统构成了一个完整的电力系统。 应该着重提到的是生成电能的工业，它与众不同之处在于其产品应按顾客要求即需即用。生成电的能源以煤、石油，或水库和湖泊中水的形式储存起来，以备将来所有需。但这并不会降低用户对发电机容量的需求。 显然，对电力系统而言服务的连续性至关重要。没有哪种服务能完全避免可能出现的失误，而系统的成本明显依赖于其稳定性。因此，必须在稳定性与成本之间找到平衡点，而最终的选择应是负载大小、特点、可能出现中断的原因、用户要求等的综合体现。然而，网络可靠性的增加是通过应用一定数量的生成单元和在发电站港湾各分区间以及在国内、国际电网传输线路中使用自动断路器得以实现的。事实上大型系统包括众多的发电站和由高容量传输线路连接的负载。这样，在不中断总体服务的前提下可以停止单个发电单元或一套输电线路的运作。 当今生成和传输电力最普遍的系统是三相系统。相对于其他交流系统而言，它具有简便、节能的优点。尤其是在特定导体间电压、传输功率、传输距离和线耗的情况下，三相系统所需铜或铝仅为单相系统的75%。三相系统另一个重要优点是三相电机比单相电机效率更高。大规模电力生产的能源有： 1.从常规燃料（煤、石油或天然气）、城市废料燃烧或核燃料应用中得到的 蒸汽； 2.水； 3.石油中的柴油动力。 其他可能的能源有太阳能、风能、潮汐能等，但没有一种超越了试点发电站阶段。 在大型蒸汽发电站中，蒸汽中的热能通过涡轮轮转换为功。涡轮必须包括安装在轴承上并封闭于汽缸中的轴或转子。转子由汽缸四周喷嘴喷射出的蒸汽流带动而平衡地转动。蒸汽流撞击轴上的叶片。中央电站采用冷凝涡轮，即蒸汽在离开涡轮后会通过一冷凝器。冷凝器通过其导管中大量冷水的循环来达到冷凝的效果，从而提高蒸汽的膨胀率、后继效率及涡轮的输出功率。而涡轮则直接与大型发电机相连。 涡轮中的蒸汽具有能动性。蒸汽进入涡轮时压力较高、体积较小，而离开时却压力较低、体积较大。 蒸汽是由锅炉中的热水生成的。普通的锅炉有燃烧燃料的炉膛燃烧时产生的热被传导至金属炉壁来生成与炉体内压力相等的蒸汽。在核电站中，蒸汽的生成是在反应堆的帮助下完成的。反应堆中受控制的铀或盥的裂变可提供使水激化所必需的热量，即反应堆代替了常规电站的蒸汽机。 水电站是利用蕴藏在消遣的能来发电的。为了将这种能转换为功，我们使用了水轮机。现代水轮机可分为两类：脉冲式和压力式（又称反应式）。前者用于重要设备，佩尔顿轮是唯一的类型；对于后者而言，弗朗西斯涡轮或其改进型被广泛采用。 在脉冲式涡轮中，整个水头在到达叶轮前都被转化为动能，因为水是通过喷嘴提供给叶轮的；而在压力式或反应式涡轮中，水通过其四周一系列引导叶版先
一、填空题： 1、电力电子技术的两个分支是电力电子器件制造技术和 变流技术 。 2、举例说明一个电力电子技术的应用实例 变频器、 调光台灯等 。 3、电力电子承担电能的变换或控制任务，主要为①交流变直流（AC —DC ）、②直流变交流（DC —AC ）、③直流变直流（DC —DC ）、④交流变交流（AC —AC ）四种。 4、为了减小电力电子器件本身的损耗提高效率，电力电子器件一般都工作在 开关状态，但是其自身的功率损耗（开通损耗、关断损耗）通常任远大于信息电子器件，在其工作是一般都需要安装 散热器 。 5、电力电子技术的一个重要特征是为避免功率损耗过大，电力电子器件总是工作在开关状态，其损耗包括 三个方面：通态损耗、断态损耗和 开关损耗 。 6、通常取晶闸管的断态重复峰值电压UDRM 和反向重复峰值电压URRM 中较 小 标值作为该器件的额电电压。选用时，额定电压要留有一定的裕量，一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压的2~3倍。 7、只有当阳极电流小于 维持 电流时，晶闸管才会由导通转为截止。导通：正向电压、触发电流 （移相触发方式） 8、半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路可能会出现 失控 现象，为了避免单相桥式 半控整流电路的失控，可以在加入 续流二极管 来防止失控。 9、整流电路中，变压器的漏抗会产生换相重叠角，使整流输出的直流电压平均值 降低 。 10、从晶闸管开始承受正向阳极电压起到施加触发脉冲止的电角度称为 触发角 。 ☆从晶闸管导通到关断称为导通角。 ☆单相全控带电阻性负载触发角为180度 ☆三相全控带阻感性负载触发角为90度 11、单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为 2√2U1 。（电源相电压为U1） 三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为 。（电源相电压为U 2） 12、四种换流方式分别为 器件换流 、电网换流 、 负载换流 、 强迫换流 。 13、强迫换流需要设置附加的换流电路，给与欲关断的晶闸管强迫施加反压或反电流而关断。 14、直流—直流变流电路，包括 直接直流变流电路 电路和 间接直流变流电路 。（是否有交流环节） 15、直流斩波电路只能实现直流 电压大小 或者极性反转的作用。 ☆6种斩波电路：电压大小变换：降压斩波电路（buck 变换器)、升压斩波电路、 Cuk 斩波电路、Sepic 斩波电路、Zeta 斩波电路 升压斩波电路输出电压的计算公式 U= 1E β=1- ɑ 。 降压斩波电路输出电压计算公式： U=ɑE ɑ=占空比，E=电源电压 ☆直流斩波电路的三种控制方式是PWM 、 频率调制型 、 混合型 。 16、交流电力控制电路包括 交流调压电路 ，即在没半个周波内通过对晶闸管开通相位的控制，调节输出电压有效值的电路， 调功电路 即以交流电的周期为单位控制晶闸管的通断，改变通态周期数和断态周期数的比，调节输出功率平均值的电路， 交流电力电子开关即控制串入电路中晶闸管根据需要接通或断开的电路。
目 录 上篇：行业分析提要 .................................. 1 I 行业进入／退出定性趋势预测 ........................ 1 II 行业进入／退出指标分析 (3) 一、行业平均利润率分析 ..................................... 3 二、行业规模分析 ........................................... 3 三、行业集中度分析 ......................................... 4 四、行业效率分析 ........................................... 5 五、盈利能力分析 ........................................... 5 六、营运能力分析 ........................................... 6 七、偿债能力分析 ........................................... 6 八、发展能力分析 ........................................... 7 九、成本结构分析 ........................................... 8 十、贷款建议 . (11) III 行业风险揭示、政策分析及负面信息 (13) 一、风险揭示 .............................................. 13 二、政策分析 .............................................. 13 三、负面信息 . (15) IV 行业动态跟踪分析评价 (19) 一、行业运行情况 (19) 电力行业分析报告 【最新资料，WORD 文档，可编辑修改】
供配电系统 摘要：电力系统的基本功能是向用户输送电能。lOkV配电网是连接供电电源与工业、商业及生活用电的枢纽，其网络庞大及复杂。对于所有用户都期望以最低的价格买到具有高度可靠性的电能。然而，经济性与可靠性这两个因素是互相矛盾的。要提高供电网络的可靠性就必须增加网络建设投资成本。但是，如果提高可靠性使用户停电损失的降低小于用于提高可靠性所增加的投资，那么这种建设投资就没有价值了。通过计算电网的投资和用户停电的损失，最终可找到一个平衡点，使投资和损失的综合经济性最优。 关键词：供配电，供电可靠性，无功补偿，负荷分配 1 引言 电力体制的改革引发了新一轮大规模的电力建设热潮从而极大地推动了电力技术革命新技术新设备的开发与应用日新月异特别是信息技术与电力技术的结合在很大程度上提高了电能质量和电力供应的可靠性由于技术的发展又降低了电力建设的成本进而推动了电网设备的更新换代本文就是以此为契机以国内外配电自动化中一些前沿问题为内容以配电自动化建设为背景对当前电力系统的热点技术进行一些较深入的探讨和研究主要完成了如下工作. (1)提出了配电自动化建设的两个典型模式即―体化模式和分立化模式侧重分析了分立模式下的配电自动化系统体系结构给出了软硬件配置主站选择管理模式最佳通讯方式等是本文研究的前提和实现平台. (2)针对配电自动化中故障测量定位与隔离以及供电恢复这一关键问题分析了线路故障中电压电流等电量的变化导出了相间短路工况下故障定位的数学描述方程并给出了方程的解以及故障情况下几个重要参数s U& s I& e I& 选择表通过对故障的自动诊断与分析得出了优化的隔离和恢复供电方案自动实现故障快速隔离与网络重构减少了用户停电范围和时间有效提高配网供电可靠性文中还给出了故障分段判断以及网络快速重构的软件流程和使用方法. (3)状态估计是实现配电自动化中关键技术之一本文在阐述状态估计方法基础上给出了不良测量数据的识别和结构性错误的识别方法针对状态估计中数据对基于残差的坏数据检测和异常以及状态量中坏数据对状态估计的影响及存在的问题提出了状态估计中拓扑错误的一种实用化检测和辩识方法针对窃电漏计电费问题独创性提出一种通过电量突变和异常分析防止窃电的新方法并在潍坊城区配电得到验证. (4)针对配电网负荷预测建模困难参数离散度大以及相关因素多等问题本文在分析常规负荷预测模型及方法基础上引入了气象因素日期类型社会环境影响等参数给出了基于神经网络的电力负荷预测方法实例验证了方法的正确性.
电力电子技术实验总结 随着大功率半导体开关器件的发明和变流电路的进步和发展，产生了利用这类器件和电路实现电能变换与控制的技术——电力电子技术。电力电子技术横跨电力、电子和控制三个领域，是现代电子技术的基础之一，是弱电子对强电力实现控制的桥梁和纽带，已被广泛应用于工农业生产、国防、交通、能源和人民生活的各个领域，有着极其广阔的应用前景，成为电气工程中的基础电子技术。 本学期实验课程共进行了四个实验。包括单结晶体管触发电路实验，单相半波整流电路实验，三相半波有源逆变电路实验，单相交流调压电路实验. 单结晶体管触发电路实验 实验目的 (1)熟悉单结晶体管触发电路的工作原理及电路中各元件的作用。 (2)掌握单结晶体管触发电路的基本调试步骤。 实验线路及原理单结晶体管触发电路利用单结晶体管(又称双基极二极管)的负阻特性和rc充放电特性，可组成频率可调的自激振荡电路。v6为单结晶体管，其常用型号有 bt33和bt35两种，由等效电阻v5和c1组成rc充电回路，由c1-v6-脉冲变压器原边组成电容放电回路，调节rp1电位器即可改变c1充电回路中的等效电阻，即改变电路的充电时间。由同步变压器副边输出60v的交流同步电压，经vd1半波整流，再由稳压管v1、v2 进行削波，从而得到梯形波电压，其过零点与电源电压的过零点同步，梯形波通过r7及等效可变电阻v5向电容c1充电，当充电电压达到单结晶体管的峰值电压up时，v6导通，电容通过脉冲变压器原边迅速放电，同时脉冲变压器副边输出触发脉冲；同时由于放电时间常数很小，c1两端的电压很快下降到单结晶体管的谷点电压uv，使得v6重新关断，c1再次被充电，周而复始，就会在电容c1两端呈现锯齿波形，在每次v6导通的时刻，均在脉冲变压器副边输出触发脉冲；在一个梯形波周期内，v6可能导通、关断多次，但对晶闸管而言只有第一个输出脉冲起作用。电容c1的充电时间常数由等效电阻等决定，调节rp1电位器改变c1的充电时间，控制第一个有效触发脉冲的出现时刻，从而实现移相控制。 实验内容 (1)单结晶体管触发电路的调试。 (2)单结晶体管触发电路各点电压波形的观察。 单相半波整流电路实验 实验目的 1、熟悉强电实验的操作规程； 2、进一步了解晶闸管的工作原理； 3、掌握单相半波可控整流电路的工作原理。 4、了解不同负载下单相半波可控整流电路的工作情况。 实验原理 1、晶闸管的工作原理晶闸管的双晶体管模型和内部结构如下：晶闸管在正常工作时，承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通。当承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降 到接近于零的某一数值一下。 2.单相半波可控整流电路（电阻性负载） 2.1电路结构若用晶闸管t替代单相半波整流电路中的二极管d，就可以得到单相半波可控整流电路的主电路。变压器副边电压u2为50hz正弦波，负载 rl为电阻性负载。 三相半波有源逆变电路实验 实验目的 1、掌握三相半波有源逆变电路的工作原理，验证可控整流电路在有源逆变时的工作条件，并比较与整流工作时的区别。
电力(SC01)行业分析报告
一、总体评述 (一) 行业总体财务绩效水平 根据证券交易所公开发布的数据，运用BBA禾银系统和BBA分析方法对其进行综合分析，我们认为电力行业本期财务状况在社会中处于良好水平，与去年同期相比基本持平。
(二) 行业分项绩效水平 行业评价行业在社会中的水平项目 本期上期本期上期盈利能力分析71.05 72.38 优秀极优成长能力分析61.21 57.20 中等中等经营效率分析29.46 24.70 极优极优获取现金能力分析79.09 82.33 中等良好债务风险分析55.68 62.08 优秀优秀营运风险分析75.06 77.79 中等中等财务弹性分析57.45 66.03 中等良好综合分数61.29 63.22 良好良好二、行业规模分析 (一) 行业总收入
本期电力行业样本公司总计实现总收入549.22亿元，与去年同期相比增加138.70亿元，较上年同期增长33.79%，说明电力行业整体业务规模处于高速发展阶段，行业需求旺盛，带动行业整体市场规模迅速扩张。 (二) 行业总利润 本期电力行业样本公司合计实现总利润134.04亿元，与去年同期相比增加102.74亿元，较上年同期增长30.46%，说明电力行业整体盈利规模处于高速发展阶段，行业整体需求旺盛，行业利润规模增长势头强劲。 (三) 行业总资产
本期电力行业样本公司资产总计3,064.76亿元，与去年同期相比增加746.70亿元，较上年同期增长32.21%，说明电力行业整体资产规模处于高速增长阶段，行业投资旺盛，带动行业整体资产规模迅速扩张。 三、行业盈利能力分析 (一) 分析比率 (二) 行业综合毛利率
毕业设计(论文)外文资料翻译 学院：电气信息学院 专业：电气工程及其自动化 姓名：郭骥翔 学号： 081001227 外文出处： Adaptive torque control of variable speed wind turbines 附件： 1.外文资料翻译译文；2.外文原文。 指导教师评语： 签名： 年月日(用外文写)
附件1：外文资料翻译译文 多种风力涡轮机的适应性转矩控制 4.5 使用SymDyn进行仿真 所有先前所描述的模拟是使用SimInt来演示的，其中，如前所述，包括唯一的转子角速度自由度，与复杂的仿真工具比，如SymDyn和FAST，他能够更快的运行。然而，为了确认目的，与其他更流行的仿真工具比较SimInt在适应运行上的增益是很有价值的。适应性的增加并不是期望它能够同等的适应每一个仿真工具，因为每个仿真工具都有其独到的涡轮机模型。但是如果每个涡轮机的造型都相同，如同本例，那么在SimInt 和SymDyn中则有着基本相似的适应性增益(CART)。在数据4-10中，这种相似性被明显的显示出来。 SimInt和SymDyn仿真工具都是由零时刻开始，而且大多数参数初值都相同，如M，角速度等。然而，尽管这两个涡轮机模型都设立了最佳转矩控制M*，但是CP表面却有着不同程度的峰值。因此为了使初始过程大致相同，初始Pfavg值应有相同的最大比例，而不是相同的绝对值。在显示标准化M值4-10的上图中，显示了合理的类似数据。但在30到60小时后，仿真工具的适应性增益开始出现分歧。但在此之后，他们再次互相接近，在从模拟开始100小时到模拟结束这段时间，他们保持基本重合。从下图中也可以清楚的观察出，每个仿真工具都在调整他们的增益M，并采集最大输出功率。 尽管SimInt仿真速度差不多是SymDyn仿真速度的五倍，在图4-10中所显示的SymDyn 数据是唯一一个可以验证适应性增益法则的模拟工具。在这个展示了两个模拟工具合理
电力系统结构 一、电力工业的结构(简明示意) 主要包括五个生产环节：发电→输电→变电→配电→用电 500kV 220KV 24KV 110KV
二、电能的来源：（电源点）（生产电能的设施） 火力发电、水力发电、抽水蓄能、核电、风力、地热、太阳能等。（一）火力发电 利用化学能（热能）——机械能——电能 火力发电厂：目前我国的电源点大多数是火力发电(比重占73%)，利用原料主要是燃煤，这里重点介绍火力发电的生产过程和常识。 火力发电厂的原理及过程 简要介绍火电厂的三大主机的生产过程：锅炉－汽轮机－发电机 通过燃烧锅炉产生蒸汽，蒸汽充转汽轮机，汽轮机带动发电机达到发电的目的。 1、锅炉（利用燃料；煤、油、天燃气、地热及其他热能量） 燃煤发电机组： 锅炉：（图）锅炉进水后，通过煤在锅炉炉膛中的燃烧，利用辐射热的原理，对锅炉加热。通过锅炉水冷壁受热面的工作，使水加热至沸腾状态，形成的蒸汽自然在水冷壁中上升到水冷壁的上联箱，有上联箱进入汽包。 汽包：下半部是水，上半部是蒸汽。下半部的水通过下降管与锅炉下部的水冷壁相联结，进入水冷壁进行工作，汽水形成自然循环。 汽包上部的蒸汽通过汽包上部的上升管进入炉膛内布置得过热器。由于这时候的汽包上部的水蒸气是含水的蒸汽，叫饱和蒸汽，不能直接进入汽轮机进行工作。需要过热蒸汽，就是干蒸汽。所以在锅炉的顶部设置了三个阶段的过热器装置，即：一级、二级和三级过热器。饱和蒸汽通过这三级过热
器的反复加热，就形成了过热蒸汽，通过主蒸汽管，冲入汽轮机，对汽轮机冲转。 与锅炉有关的水、煤、汽。 水及水系统：锅炉用水，它用的是软水，因为要防止锅炉管道结垢。所以火电厂设计安排了化学水处理系统，将硬水通过处理变成软水再进入锅炉。他的进入走向；经过处理的水是冷水，不能直接进入受热面，因为水冷壁受热的温度很高，炉膛中央温度可达到1500-1800度，温差太大冷水进入会产生锅炉暴管。所以、锅炉进水首先进入炉子尾部布置的省煤器，利用锅炉尾部余热也通过辐射热的原理，对省煤气加热，然后、预热过具备一定温度的水在进入炉膛进入受热面工作。 2、汽轮机：（图） 过热蒸汽通过蒸汽喷嘴发生膨胀，速度增加，高速气流冲动叶轮，将蒸汽的动能变换为轴旋转的机械能。汽轮机转速每分钟3000转。（图） 3、发电机：（图） 汽轮机主动轴，通过靠背轮与发电机静子轴连接，带动发电机同步运转。发电机的主要构造，由发电机静子和转子组合构成。转子的高速转动于静子之间产生磁场发电。 （二）、水力发电：（图） 水库－水轮机－发电机 （三）、核电 核电是利用铀（重金属）作为燃料，在一种叫反应堆的设备内发生裂变大量能量，再用处于高压力下的水把热能带出，在蒸汽发生器内产生蒸汽。蒸汽重转汽轮机、汽轮机带动电机。 核电：核反应堆－汽轮机－发电机 （四）、风力发电 其它：如风能、地热能、太阳能、潮汐等。 火力发电站：锅炉、汽轮机、发电机 锅炉：水、煤、汽。
电力系统负荷预测及方法(外文翻译)
Power system load forecasting methods and characteristics of Abstract: The load forecasting in power system planning and operation play an important role, with obvious economic benefits, in essence, the electricity load forecasting market demand forecast. In this paper, a systematic description and analysis of a variety of load forecasting methods and characteristics and that good load forecasting for power system has become an important means of modern management. Keywords: power system load forecasting electricity market construction Planning 1.Introduction Load forecasting demand for electricity from a known starting to consider the political, economic, climate and other related factors, the future demand for electricity to make predictions. Load forecast includes two aspects: on the future demand (power) projections and future electricity consumption (energy) forecast.
电力行业发展现状及前 景分析 Company number：【0089WT-8898YT-W8CCB-BUUT-202108】
?电力行业现状及发展前景分析 1.电力经济发展趋势综述 电力行业关系国计民生，社会对电力产业也是加倍关注。从以下几个方面我们可对近年电力产业经济发展状况做出宏观的基本了解和判断。 1)电价：电价上涨。面对煤价上调和排污费增加所导致的成本增加，国 家 发改委已意识到电力行业没有利润是不利于其稳定和发展的。但中央要求的电价上调在地方却可能未必完全执行。而上游的煤炭在电价上调的激励下可能会再抬高煤价，下游的耗电工业成本也会受很大影响。 2)电荒：毫无疑问，电荒在短期内仍将继续存在。但随着国家对协调发 展 的重视和对“惟GDP论”的抛弃，在宏观上电力需求的增速将有所下降。从供应端看，如果近年大江大河的来水正常，则水电出力一定比上年大增，同时大批新建电源开始并网发电，电力供应将比上年增加。从需求端看，由于侧管理逐渐推广，电价上涨使高耗能产业发展受限以及居民用电对价格的敏感，需求的增长也会理性些。因此，缺电未必会持续比上一年严重。电价上涨并不会激发电力投资过热，相反，电力“跑马圈地”会回归理性。 3)煤电联营：不论是煤强电弱，还是电强煤弱，也不论是以煤炭垄断对 付 电力垄断，还是利益格局重新调整，煤电之间的顶牛只能是两败俱伤。在多次呼吁政府部门协调而不可得的时候，各种形式的煤电联营将有利于减少中间环
节，稳定煤价，打造完整的电煤供应链。煤电联营将是最好的稳定电源安全的方式之一。 4)产权多元化：现在，电力企业无论是电厂还是电网基本上是国家资 本， 但是党的十六届三中全会后，电力企业吸引战略投资者，吸引外资、民营等各类资本，发展混合所有制经济，实现产权多元化已是箭在弦上。同时，加快重组步伐，积极谋划集团一级上市也是各大集团心照不宣的计划。产权多元化必然带来投资、融资的多元化，更多的资金将源源不断流入电力领域，规范投资、加强立法已是刻不容缓，电力投资体制改革也是大势所趋。 5)年薪制：2004年起，国资委对中央企业负责人实行年薪制，同年也是 国 资委对中央企业实施业绩考核的第一年。电力企业有成为国资委重点培养的30～50家具有国际竞争力的大企业、大集团的雄心，年薪制将会激发电力企业间的竞争。 6)多种产业剥离：据悉，主辅分离、辅业改制工作已成为国资委推进国 有 企业改革和发展的两件大事之一。既然剥离不可避免，那么电力身上多出的这一根“筋”怎么剥离，就是考验各电力企业智慧的大问题了。既要减员增效做强主业，又不能甩包袱，漠视多种产业职工的电力情结，还要让企业好好地活下去，剥离后的多种产业和主业关系成为较大关注点。。 7)区域电力市场：2003年，东北、华东、华北、华中和西北5家区域电 网
Electric Power System Electrical power system refers to remove power and electric parts of the part,It includes substation, power station and distribution. The role of the power grid is connected power plants and users and with the minimum transmission and distribution network disturbance through transport power, with the highest efficiency and possibility will voltage and frequency of the power transmission to the user fixed .Grid can be divided into several levels based on the operating voltage transmission system, substructure, transmission system and distribution system, the highest level of voltage transmission system is ZhuWangJia or considered the high power grids. From the two aspects of function and operation, power can be roughly divided into two parts, the transmission system and substation. The farthest from the maximum output power and the power of the highest voltage grade usually through line to load. Secondary transmission usually refers to the transmission and distribution system is that part of the middle. If a plant is located in or near the load, it might have no power. It will be direct access to secondary transmission and distribution system. Secondary transmission system voltage grade transmission and distribution system between voltage level. Some systems only single second transmission voltage, but usually more than one. Distribution system is part of the power system and its retail service to users, commercial users and residents of some small industrial users. It is to maintain and in the correct voltage power to users responsible. In most of the system, Distribution system accounts for 35% of the total investment system President to 45%, and total loss of system of the half . More than 220kv voltage are usually referred to as Ultra high pressure, over 800kv called high pressure, ultra high voltage and high pressure have important advantages, For example, each route high capacity, reduce the power needed for the number of transmission. In as high voltage to transmission in order to save a conductor material seem desirable, however, must be aware that high voltage transmission can lead to transformer, switch equipment and other instruments of spending increases, so, for the voltage transmission to have certain restriction, allows it to specific circumstances in economic use. Although at present, power transmission most is through the exchange of HVDC transmission, and the growing interest in, mercury arc rectifier and brake flow pipe into the ac power generation and distribution that change for the high voltage dc transmission possible.