设置环境变量有两种方式： 第一种是在命令提示符运行窗口中设置； 第二种是通过单击“我 的电脑T属性T高级”标签的“环境变量”按钮设置。需要注意的是，第一种设置环境变 量的方式只对当前运行窗口有效，关闭运行窗口后，设置就不起作用了，而第二种设置环 境变量的方式则是永久有效。
2. 如何在命令提示符窗口中设置环境变量？
在“开始T运行”框中输入“ cmd后按“确定”按钮，出现命令运行窗口。在命令提 示符下输入“ set ”即可查看环境变量设置。要查看具体某个环境变量的设置，比如要查看 path 环境变量的设置，可以输入“ set path ”。要创建一个环境变量，比如要创建一个名 为 aa 的，值为“ c: ”的环境变量，可以输入“ set aa=c: ”命令。而要删除一个环境变量， 比如要删除aa环境变量，则可输入“ set aa=”命令（注意=后面不能有空格）。如何更改 一个环境变量的设置呢？更改环境变量有两种情况：一是追加方式，即在不改变环境变量 现有设置的情况下，增加变量的值，比如要给环境变量 aa增加一个值为“ D:”的设置，可
以输入“ set aa=%path%;D: ”。另一种是完全修改方式，对于这种方式，我们可以采用直 接创建一个环境变量的方法来实现。
3. 用户变量和系统变量的关系是什么？
点击“我的电脑T属性T高级”标签的“环境变量”按钮，出现“环境变量”对话框， 如果当前是以 Administrator 登录系统的用户，对话框的上面为 Administrator 的用户变 量，对话框的下面为系统变量（即相当于系统中所有用户的用户变量）。有的时候我们会 看到在用户变量和系统变量中都存在某一个环境变量， 比如 path ，那么 path 的值到底是用
户变量中的值还是系统变量中的值，或者两者都不是呢？答案是两者都不是。 path 变量的
值是用户变量中的值与系统变量中的值的叠加。
4. 改变环境变量和环境变量中的值应该注意什么？
环境变量和环境变量的值不要含有空格，也不要用中文，切记！
环境变量设置指南（图文详细）（JAVA内容）
还有很多朋友被环境变量的设置困扰。我现在给大致说明下：
前提是，你已经安装了 JDK （和JRE,两个是一起装的）。
很多朋友反映不知道去哪里找下载地址，我把电脑上的 JDK给大家分享下，
点我进入下载
面来看图一步一步来，
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接下来就是进行设置第 1 个系统变量，是“系统变量“，不是“变量”。 变量名 叫 JAVA_HOME
值为 java 下 JDK 文件夹路径！具体看图认真设置。
这样，确定 后，第 1 个系统变量就设置完毕了。
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接下来，设置第 2 个系统变量，一般没有这个变量名，要新建，如果电脑上已经有，那么就 选中它进行编辑，
变量名 : CLASSPATH
值：是JDK下的\bin 文件夹和JDK下的\lib\tools 文件夹！
两个路径之间用分号隔离开。记得。具体操作看图
看图
5 再接下来，设置第 3 个系统变量。 因为这个变量名系统已经有，所以选中后点编辑， 值：同样是上面提到的 JDK 下的 \bin 文件夹（不包含第 5步提到的第 2 个路径）。 同第 4 步的方法，看图设置，
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这样， 3 个需要设置的环境变量就完成了。相信只要对照看文字和图，耐心点看。。超级新 手也会明白的。毕竟众口难调，一些接受能力比较强的可能学起来觉得罗嗦了点 嘿嘿。
有些朋友不知道环境变量设置有什么意义，我们一起来了解下： 要想方便的开发和运行 Java 应用程序，我们需要设置两个环境变量，一个 path 一个 classpath 。设置好 path 变量，使得我们能够在系统中的任何地方运行 java 应用程序，比
如javac、java、javah等等。这就要找到我们安装 JDK的目录，比如我们的 JDK安装在
目录下,那么在 c:\jdk1.3\bin 目录下就是我们常用的 java 应用程序 ,我们就需 要把
c:\jdk1.3\bin 这个目录加到 path 环境变量里面。 classpath 环境变量，是当我们在 开发 java 程序时需要引用别人写好的类时， 要让 java 解释器知道到哪里去找这个类。 通常， sun 为我们提供了一些额外的丰富的类包，一个是 dt.jar ，一个是 tools.jar ， 这两个 jar 包都位于
c:\jdk1.3\lib 目录下，所以通常我们都会把这两个 jar 包加到我们的 classpath 环境变量中 set
classpath=.;c:\jdk1.3\lib\tools.jar;c:\jdk1.3\lib\dt.jar 。 注意对于 jar 包，在
classpath 中需要跟上完整地文件路径，而不能仅仅跟一个目录。第一个路径的点“ . ”， 代表当前目录，这样当我们运行 java AClass 的时候，系统就会先在当前目录寻找 AClass 文件了。
教大家验证JAVA设置的如何了。
1。开始 ->运行 -> 输入 CMD 然后，在命令提示符内，输入 java -version 可以看到下图：（这个显示的是版本信息，说明你装的没错。）
2。还可以输入javac ，如下图:
利用ISE-TCAD分析和设计SCR结构的片上静电保 护电路
2008-01-18 嵌入式在线 收藏|打印
静电放电(Electrostatic Discharge ，ESD)是造成电子元件或电子系统受到过度电应力
(Electrical Over Stress，EOS)破坏的主要因素。在静电保护的各种手段中，最主要也是最 有效的方式就是将静电保护电路结构集成到芯片上。
由于该结构在ESD时需要承受很大的电流，所以一般都会占用较大比例的芯片面积， 导致芯片成本的增加。可控硅整流器 (Silic on Con trolled Rectmer，SCR)以其在单位布局
面积下具有最高的 ESD防护能力这一显著优点，在 ESD防护上扮演了日益重要的角色。
SCR结构就是导致 CMOS闭锁效应(Latchup)的结构，在内部电路中应该尽量避免。 但是如果在ESD保护器件中应用得当，那么这种结构会有明显优良的效果。
直到现在，ESD仍然是芯片设计返工的主要原因 ［1 , 2］。一个具有较强抗静电能力的
保护结构，往往要无数次的反复才能找到安全又高效率的面积参数。以 SCR为代表的一些
比较高效的保护结构， 随着采用的工艺不同， 可靠性和有效性都大打折扣， 需要改进甚至重
新设计。这种改进或设计如果能够借助计算机仿真来实现， 将大大减少设计循环的次数，提
高设计效率。但是一般的CAD工具只能预测常规工作条件下器件的反应， ESD极端的工作
条件会令其不收敛。所以如何使用计算机仿真 ESD条件下器件的反应，正是有待研究的课
题［3］。
其中的一种方法是，为常用的静电保护器件建立能够仿真 breakdow n / snap back效
应的Spice模型［1］。这种方法的优点是完善了器件的电路级模型，可以利用该模型进行整 个电路的仿真。缺点是，器件的 ESD防护能力与器件的版图形状，间距等工艺和器件级参 数关系紧密，Spice作为电路级的仿真软件，无法对这些因素给予考虑，势必会带来很大的
误^£。
另一种方法是使用 TCAD工具仿真［2］。以ISE-TCAD为代表的TCAD工具是着重于 工艺级和器件级的仿真工具。他可以充分的考虑工艺参数和版图形状对器件的影响。
最近，有文章使用 TCAD工具提取保护器件在大电流情况下准静态的 I-V特性，以此
得到破坏性电流ld(Destructive current)［2］ 。Id与器件最大可承受 ESD电压Vesd有很紧密 的关系，因此他是保护器件的重要的参数。但是，这种方法只适合 MOS , Field-Oxide De
Vice , LateralN-P-N BJT等有明显第二次击穿效应的结构， 他无法准确的找出 SCR结构的
Id值。本文提出一种可方便地找到 SCR结构Id值的方法，并以基于某一典型 0. 6卩m CM
OS工艺的可控硅整流器(SCR)结构为例，将该Id值运用到ESD人体放电模型(Human Bo dy Model , HBM)的模拟和面积的估算中。
2 SCR结构
对SCR进行I-V特性分析的时候，主要需要考虑起始导通电压 Vt(Trigger Point Volt
age)、维持电压 Vhold(Holding Voltage)、破坏性电流 Id(Destructive current)等。其中，V t是决定SCR保护器件能不能在内部电路受 ESD损害前开启的关键参数。 而Id是I-V曲线
上最大的安全电流值，电流超过这个值后，该器件会产生不可恢复的损伤。 正如前面已经提
到的，他与器件可承受的 ESD电压密切相关。在本文中，我们着重考虑IC芯片最常见的E SD损伤模型，人体放电模型。人体放电模型是指人体上的静电在人体与 IC的一些管脚相
接触时进入IC内部，再经由其他管脚放到地上， 形成瞬间放电电流， 将IC内部的器件烧毁
的现象。从定义上看，人体模型是一种偶然的，频率较低的 ESD放电类型。以 MIL-STD
883Method 3015 . 7[6]中定义的模型为例，设器件可承受最大的 ESD电压和ESD尖峰电
流分别为Vesd和Iesd，那么就有如下关系式：
Vesd △ Iesd X(1500 + Rdevice) (1)
由于在SCR导通的情况下 Rdevice(器件在ESD冲击下的电阻)很小，所以可以忽略不 计。那么，Vesd △ Iesd X1500。
对于 MOS , Field-Oxide Device , Lateral N-P-NBJT、等具有第二次击穿效应的结构， 他们的Iesd值与Id是同一个值，就是(secondary breakdown current，第二次击穿电流 ), 他可以方便的从I-V特性曲线上读出。对于SCR，由于他的热损伤需要一个热量积累的过 程，所以Iesd > Id可以将Iesd
= Id。
作为迭代的初始值运用到面积估算中。
根据Vesd的不同，MIL-STD-883将器件抗ESD分为三个等级：1级抗静电电压为0〜 1999 V; 2级抗静电电压为 2000〜3999 V; 3级抗静电电压为 4000 V以上。目前工业界 认定一般商用IC需要通过HB± 2 kV以上测试。
2 . 1 SCR的工作机理
横向SCR结构是一种最基本的 SCR保护器件，他是由 P + — N-P-N +四层半导体结 构组成。如图1所示，此四层结构依次为 P + diffusion , N-well , P-substrate , N + diffusio
n。
分析图1可得，这样的SCR元件他的起始导通电压等于 CMOS制程下N-well与P-s ubstrate的结雪崩击穿电压，不同的工艺，这个击穿电压从 30到50 V不等。SCR的I-V
特性曲线如图2中黑色实线所示。
