发放序号：文件编号：
压力容器制造
质量保证手册
第五版
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审核：
批准：
文件层次：第一层
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章节号容页次01····························前言 3 02····························发布令 4 03····························任命令 6 04····························质量方针和目标7 05····························质量保证手册的围及管理10 06····························术语和缩写12 第一章························管理职责15 第二章························质量保证体系38 第三章························文件和记录控制44 第四章························合同控制49 第五章························设计控制51 第六章························材料、零部件控制54 第七章························工艺控制61 第八章························焊接控制67 第九章························热处理控制74 第十章························无损检测控制79 第十一章······················理化检验控制84 第十二章······················检验与试验控制88 第十三章·····················设备和检验与试验装置控制95 第十四章······················不合格品（项）控制99
第十五章·······················质量改进与服务100 第十六章······················人员培训、考核及其管理102
第十七章·······················其它过程控制104
第十八章······················执行特种设备许可制度105 附录1质量管理程序文件目录107
附录2质量管理制度目录108
附录3质量体系通用工艺守则目录110
附录4适用的质量记录样表目录111
附录5压力容器制造法规标准索引目录114 附录6D级压力容器制造资源状况117
附录7手册修改记录129
01前言
企业概况
02发布令
发布令
为加强管理、保证压力容器制造质量、提高效益和降低成本，本公司根据《特种设备安全监察条例》、《锅炉压力容器制造监督管理办法》、《锅炉压力容器制造许可条件》、《TSG Z0004-2007特种设备制造、安装、改造、维修质量保证体系要求》等相关标准的有关规定，结合公司的实际情况组织重新编制了《压力容器制造质量保证手册》第五版，完善和健全了质量保证体系。
本手册是我公司压力容器质量管理中的纲领性文件，也是本公司向客户提供服务的质量保证和承诺，它具体阐述了公司的质量方针和质量目标，描述了我公司质量保证体系的构成，对《TSG Z0004-2007特种设备制造、安装、改造、维修质量保证体系要求》中要求的容及其相互间的联系做了系统的、明确的规定，完全符合《锅炉压力容器制造监督管理办法》、《锅炉压力容器制造许可条件》。是公司实施先进的管理、开展质量活动的准则，现予以颁布实施。
本手册适用于我公司制造的所有压力容器产品。公司各部门和全体职工必须认真学习，贯彻执行，严格按照《压力容器质量保证手册》的规定去做，为提高压力容器产品质量和工厂的信誉而努力。
值此《压力容器制造质量保证手册》发布之际，我重重申：
1、我对本公司压力容器安全质量承担全部责任；
2、为保证质量保证体系的正常运转，特授权质量保证工程师全权负
责组织和领导我公司的质量保证体系的建立、实施、保持和改进的工作，并任命各质量控制系统责任人员对压力容器制造过程中的质量控制负责。
3、质量保证体系机构组织上有独立性，在处理压力容器产品质量问
题享有最高的权力。
本手册2008年6月30日予以正式发布，并于2008年7月1日起正式生效并在全公司围运行实施。
总经理：
2008年7月1日
晶圆制造工艺流程和处理工序 晶圆制造工艺流程 1、表面清洗 2、初次氧化 3、CVD(Chemical Vapor deposiTIon) 法沉积一层Si3N4 (Hot CVD 或LPCVD) 。（1）常压CVD (Normal Pressure CVD) （2）低压CVD (Low Pressure CVD) （3）热CVD (Hot CVD)/(thermal CVD) （4）电浆增强CVD (Plasma Enhanced CVD) （5）MOCVD (Metal Organic CVD) 分子磊晶成长(Molecular Beam Epitaxy) （6）外延生长法(LPE) 4、涂敷光刻胶（1）光刻胶的涂敷（2）预烘(pre bake) （3）曝光（4）显影（5）后烘(post bake) （6）腐蚀(etching) （7）光刻胶的去除 5、此处用干法氧化法将氮化硅去除 6 、离子布植将硼离子(B+3) 透过SiO2 膜注入衬底，形成P 型阱 7、去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理 8、用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷(P+5) 离子，形成N 型阱 9、退火处理，然后用HF 去除SiO2 层 10、干法氧化法生成一层SiO2 层，然后LPCVD 沉积一层氮化硅 11、利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层 12、湿法氧化，生长未有氮化硅保护的SiO2 层，形成PN 之间的隔离区 13、热磷酸去除氮化硅，然后用HF 溶液去除栅隔离层位置的SiO2 ，并重新生成品质更好的SiO2 薄膜, 作为栅极氧化层。 14、LPCVD 沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成SiO2 保护层。 15、表面涂敷光阻，去除P 阱区的光阻，注入砷(As) 离子，形成NMOS 的源漏极。用同样的方法，在N 阱区，注入B 离子形成PMOS 的源漏极。 16、利用PECVD 沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。
保证手册 编制： 审核： 批准： 发布日期：2011年8月1日实施日期：2011年8月25 《压力容器设计质量保证手册》颁布令 各部门、质保体系全体人员： 为适应当前工作的需要，依据《特种设备安全监察条例》、TSG R0004-2009《固定式压力容器安全技术监察规程》、TSG R1001-2008《压力容器压力管道设计许可规则》、JC008--2003《河北省压力容器压力管道设计管理办法》的要求，结合公司的实际情况,建立了压力容器设计质量体系文件,编制了《压力容器设计质量保证手册》。现予以颁布，自二零一一年八月二十五日起实施。 本《手册》由技术负责人负责贯彻、解释并监督实施。 总经理： 2011年8月1日 授权声明 《压力容器设计质量保证手册》以下简称《手册》是阐明公司质量方针、目标和描述设计质量保证体系的纲领性文件，设计人员、校核人员、审核人员均应熟悉本《手册》的规定和要求，并作为压力容器设计过程的行动准则。 本《手册》依据《特种设备安全监察条例》、TSG R0004《固定式压力容器安全技术监察规程》、TSG R1001-2008《压力容器压力管道设计许可规则》 的要求，建立了我公司设计质量保证体系，以确保按国家法律、法规和相关标
准的要求进行压力容器设计过程得到有效地控制。 《压力容器设计管理制度》和《压力容器设计技术规定》是《手册》的支持性文件，具有和《手册》同等的效力。 为了确保《手册》的贯彻和质量保证体系有效运行，我授权技术负责人主持日常质量管理和质量保证的具体工作。 技术负责人有明确的职责、权力和组织上的独立性，有权对产品设计质量问题进行调查，召开事故分析会，行使质量否决权。当和部门发生分歧时，将由我来仲裁解决。 技术负责人应定期向我报告质量保证体系的运行情况、存在的问题和应采取的改进措施。 总经理： 2011年8月1日 聘任书 为了保证《压力容器设计质量保证手册》的贯彻实施和质量保证体系有效运行,?我授权王平同志为单位技术负责人兼设计责任工程师，有效期四年。 主持日常压力容器产品设计质量管理和质量保证的具体工作。企业各级设计人员必须服从技术负责人的领导，积极配合共同履行质量职责，以确保公司的设计质量体系有效运行。 总经理： 2011年8月1日 任命书 为了保证《压力容器设计质量保证手册》的贯彻实施和质量保证体系有效运行,?我任命以下人员为单位各级设计人员，有效期一年，每年进行一次考核，
取证准备工作及流程 一、取证准备工作 1.为保证取证工作的顺利进行，需要成立以公司领导担任组长，质保、工艺、材料、焊接、检验、设备等人员参加的取证工作组。（由公司领导确定小组成员） 2.准备相关的法规、标准（至少一套正式版本），主要有《特种设备安全监察条例》、《锅炉压力容器制造监督管理办法》（简称22号令）、《锅炉压力容器制造许可条件》（国质检锅[2003]194号）、《压力容器安全技术监察规程》、《特种设备制造、安装、改造、维修质量保证体系基本要求》（TSG Z0004-2007）、压力容器材料标准、压力容器设计、制造、检验标准等(这 里所列只是必须的一部分文件，具体应用时还会有部分增加，增加文件视制作产品而定) 制系统（工艺、材料、焊接、理化、热处理、无损检测、压力试验、最终检验）责任人员，同时对技术人员比例、焊接、无损检测人员等也有明确要求。
4.所需设备：应具备适应压力容器制造需要的制造场地、加工设备、成形设备、切割设备、焊接设备、起重设备和必要的工装（不锈钢或有色金属容器制造企业必须具备专用的制造场地和专用的加工设备、成形设备、切割设备、焊接设备、和必要的工装，不得与碳钢混用）。 依据《特种设备制造、安装、改造、维修质量保证体系基本要求》(TSG Z0004-2007)中基本要素的要求及公司实际情况建立质量保证体系，编制公司压力容器质量保证体系
三、许可程序 1.申请 a)参照《特种设备制造许可申请书填写说明》（见附件5）填写《特种设备制造许可申 请书》（一式四份，附电子文件）； b)同时准备营业执照或者事业单位法人证书（及复印件）、中华人民共和国组织机构代 码证（及复印件）、企业简介、质量保证手册等相关资料；气瓶还应提供产品图 纸和设计文件、其它认证认可证书复印件，整理申请资料时应注意：封面和单位 主管部门处要加盖公章，申请书中所有的签字栏需要正式的签字，有分包和外协 (理化检验、无损检测、热处理、封头冲压)项目时需要附协议和相应的资质证明， 无损检测人员需要资质复印件。 c)按规定在中国质量监督业务平台进行网上填报，并提交以上资料到国家质量监督检验 检疫总局。 2.受理 a)对符合申请条件的申请单位，许可实施机关在15个工作日内予以受理，并且在《申 请书》上签署意见。 b)不同意受理的向申请单位出具不受理通知书。 四、试制产品 受理单位需要按TSG Z0005-2007《特种设备制造、安装、改造，维修许可鉴定评审细则》要求试制相应级别的典型产品。 五、约请评审机构
A.晶圆封装测试工序 一、 IC检测 1. 缺陷检查Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy) 用来检测出晶圆上是否有瑕疵，主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外，对已印有电路图案的图案晶圆成品而言，则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说，图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线，并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除，以辨识并发现瑕疵。 3. CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement) 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。 二、 IC封装 1. 构装（Packaging） IC构装依使用材料可分为陶瓷（ceramic）及塑胶（plastic）两种，而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例，其步骤依序为晶片切割（die saw）、黏晶（die mount / die bond）、焊线（wire bond）、封胶（mold）、剪切/成形（trim / form）、印字（mark）、电镀（plating）及检验（inspection）等。 (1) 晶片切割（die saw） 晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒（die）切割分离。举例来说：以0.2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微量。 欲进行晶片切割，首先必须进行晶圆黏片，而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上，而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。 (2) 黏晶（die mount / die bond） 黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶（epoxy）粘着固定。黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣（magazine）内，以送至下一制程进行焊线。 (3) 焊线（wire bond） IC构装制程（Packaging）则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路（Integrated Circuit；简称IC），此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架（Pin），称之为打线，作为与外界电路板连接之用。
压力容器质量保证 手册 A 0.0 本《质量管理手册》是公司建立、实施和保持压力容器制造质量保证体系的书面表述, 是实施质量保证体系的指导文件。它适用于滕州市国运长途汽车运输公司汽车维修服务站压力容器产品安装改造维修的质量控制, 以保证产品质量符合规定的法规、安全技术规范和标准要求。 1
压力容器安装维修 质量管理手册 <第一版> 编制: 质量保证体系文件编写组日期: 6月6日 审核: 彭灏日期: 6月6日 批准: 王飞龙日期: 6月6日 滕州市国运长途汽车运输公司汽车维修服务站 地址：滕州市北留路路北大同路路西 电话： 传真： 邮政编码：277500 E-mail: A 0.1 目录及修订情况 2
附录：1.压力容器主要控制系统质量控制点一览表 3
A 0.2 压力容器安装改造维修 《质量管理手册》 颁布书 滕州市国运长途汽车运输公司汽车维修服务站根据国家《GB/T19001质量保证体系》、《特种设备制造、安装、改造、维修质量保证体系 基本要求》，结合公司实际建立了车载天然气安装改造维修质量保证体系并编制了压力容器安装改造维修《质量保证手册》。 本压力容器制造《质量管理体系手册》是公司建立、实施和保持压 力容器安装改造维修质量保证体系，并持续改进其有效性的纲领性文件 要求公司全体员工必须理解，切实执行。 本压力容器安装改造维修《质量管理手册》自 6 月 6 日起实施 滕州市国运长途汽车运输公司汽车维修服务站 经理: 日期: 6月3日 A 0.3 4
质量保证工程师/技术负责人任命书为确保我公司的质量保证体系运行有效, 特任命刘春光为我公司的质量保证工程师及技术负责人, 授权她在质量保证活动和技术管理中代表总经理行使权力。 质量保证工程师负责公司压力容器制造质量保证体系的建立、实施、保持和不断改进, 并全权协调、处理压力容器制造质量保证体系运行中出现的问题, 具有独立处理和裁决质量保证体系运行中的重大问题的权力。 滕州市国运长途汽车运输公司 汽车维修服务站 经理: 6月1日 A 0.3 术语和缩写 1 条例指国务院颁发的《特种设备安全监察条例》; 5
压力容器制造 质量保证手册 Q/JZR.SC.B -2012 版次：B 受控印章：受控□非受控□ 发放号：0 0 1 编制：审核： 批准：持有者： 2012-04-01 发布 2012-05-01实施XXXXXXXXXXXXXXXXXX
注：手册说明 1．《压力容器制造质量保证手册》（以下简称手册）本《手册》规定了企业压力容器制造质量方针、质量目标、管理要求和职责权限，明确了压力容器制造质量管理体系的结构、主要过程及过程之间的相互作用，并规定了过程实施应执行的程序文件。《手册》的管理，执行《文件控制程序》。 2．《手册》由管理者代表组织编写并审核，总经理批准发布；其解释权归属管理者代表。 3.《手册》版本号按"A、B、C"顺序排列。 4．质量手册的标注： Q/JZR.SC.B-2011 编制时间 版次号 压力管道质量保证手册简称 XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX 简称 5．《手册》的发放由综合办填写文件发放审批单，报管理者代表批准后，统一发放。综合办需办理发放登记，登记容包括：持有人、发放编号、发放日期。 6．所有发放的《手册》须加盖"受控"印章，具有统一编排的发放编号。企业围不允许使用没有"受控"印章和发放编号的版本的手册。 7．受控版本限定在企业使用，任何部门或个人不得擅自对外交流、外借、外送，不得擅自翻印和复制。部人员确因工作需要使用《手册》时，经管理者代表批准，可复制所需要的容。 8.《手册》持有者在调离企业或不担任相应职务时，须将《手册》交回，并办理登记手续。9．企业有关部门在《手册》使用期间发现问题时，将修改意见或建议及时书面反馈到，经管理者代表审核，总经理批准后，由技术科、质检科等相关责任工程师实施修改。未经管理者代表授权，任何部门或个人不得随意更改《手册》容，任何修改均属无效。 10．综合办按文件发放记录发放文件变更单，填写文件变更记录存档。 11.《手册》修改次数或修改容较多时，重新印刷更换版本。更换版本后的《手册》由企业总经理批准。新版本颁发时，旧版本即行废止收回。
产品质量计划 产品名称： 产品图号： 产品编号： 计划完成日期：2012年8 月12 日 编制：__________ 日期: ___________ 审核：__________ 日期：___________ 批准：__________ 日期：___________
产品质量计划 一、产品概述：本产品为我公司为取得D1,D2类压力容器制造许可证而生产的II类容器试制产品，其中成品一台，半成品一台。 1、产品技术条件： A:引用规范及执行标准： TSGR0004-2009《固定式压力容器安全技术监察规程》 GB150-1998《钢制压力容器》 NB/T47014《承压设备焊接工艺评定 NB/T47015《压力容器焊接规程》 B 设计参数 容器类别Ⅱ类设计温度℃主要受压元件材料Q345R 工作压力MPa 工作介质全容积m3 0 设计压力MPa 介质特性非爆焊接接头系数0.85 工作温度℃40 腐蚀裕度mm 热处理 水压试验压力MPa 气密性试验压力MPa ／ 2、产品主体材料： 件号名称材料规格尺寸数量备注 1 封头Q345R EHA 2 δmin=9.0 2 筒体Q345R DN×H= 1 δ=10 二、设计文件审查： 产品设计由温州市工业设计院承担，该单位具有压力容器设计资质，并在有效期内。设计图纸符合《固定式压力容器安全技术监察规程》、GB150-1998《钢制压力容器》及相关规范、标准的规定。 设计责任人：
三、产品制造前准备： 1、工艺准备： 工艺责任人员首先对设计图纸进行工艺审图，本公司是否具备制造该设备的能力。工艺上是否能得到保证。并有工艺员编制制造工艺，工艺责任人员审核。在工艺过程卡中，明确控制点。工艺人员还要根据图纸编制材料清单，其内容包括：材料的数量，标准、交货状态等。并由工艺责任人员批准，交材料采购人员。 工艺责任人： 2、材料准备： 材料采购人员根据采购清单，对市场进行询价。首先要对供方进行评介，评介内容包括：营业执照、组织代码、年销售额、业绩，对封头、法兰等还需要有特种设备制造许可证。采购材料一定要在合格供方名单中采购。并每年对合格供方进一次评介。评介内容包括：供货是否及时、质量是否合格，服务态度是否满意，价格是否适合。对不合格的，不作为合格供方。 材料采购到厂应进行检验。先放在待检区。采购人员将采购单交给仓库保管员，保管员应通知材料检验员进行材料检验。检验合格的材料放入合格区，不合格的材料放入不合格区。对不合格的材料由材料责任人作出裁定。通常由二种处置方法：退货、降级使用。对合格的材料作好检验记录，并给予入库号。并在材料上做好标记。 材料责任人：
晶圆的生产工艺流程介绍 从大的方面来讲，晶圆生产包括晶棒制造和晶片制造两大步骤，它又可细分为以下几道主要工序（其中晶棒制造只包括下面的第一道工序，其余的全部属晶片制造，所以有时又统称它们为晶柱切片后处理工序）： 晶棒成长 --> 晶棒裁切与检测 --> 外径研磨 --> 切片 --> 圆边 --> 表层研磨 --> 蚀刻 --> 去疵 --> 抛光 --> 清洗 --> 检验 --> 包装 1.晶棒成长工序：它又可细分为： 1）.融化（Melt Down） 将块状的高纯度复晶硅置于石英坩锅内，加热到其熔点1420°C以上，使其完全融化。 2）.颈部成长（Neck Growth） 待硅融浆的温度稳定之后，将〈1.0.0〉方向的晶种慢慢插入其中，接着将晶种慢慢往上提升，使其直径缩小到一定尺寸（一般约6mm 左右），维持此直径并拉长100-200mm，以消除晶种内的晶粒排列取向差异。 3）.晶冠成长（Crown Growth） 颈部成长完成后，慢慢降低提升速度和温度，使颈部直径逐渐加大到所需尺寸（如5、6、8、12吋等）。 4）.晶体成长（Body Growth） 不断调整提升速度和融炼温度，维持固定的晶棒直径，只到晶棒长度
达到预定值。 5）.尾部成长（Tail Growth） 当晶棒长度达到预定值后再逐渐加快提升速度并提高融炼温度，使晶棒直径逐渐变小，以避免因热应力造成排差和滑移等现象产生，最终使晶棒与液面完全分离。到此即得到一根完整的晶棒。 2.晶棒裁切与检测（Cutting & Inspection） 将长成的晶棒去掉直径偏小的头、尾部分，并对尺寸进行检测，以决定下步加工的工艺参数。 3.外径研磨（Surface Grinding & Shaping） 由于在晶棒成长过程中，其外径尺寸和圆度均有一定偏差，其外园柱面也凹凸不平，所以必须对外径进行修整、研磨，使其尺寸、形状误差均小于允许偏差。 4.切片（Wire Saw Slicing） 由于硅的硬度非常大，所以在本工序里，采用环状、其内径边缘镶嵌有钻石颗粒的薄片锯片将晶棒切割成一片片薄片。 5.圆边（Edge Profiling） 由于刚切下来的晶片外边缘很锋利，硅单晶又是脆性材料，为避免边角崩裂影响晶片强度、破坏晶片表面光洁和对后工序带来污染颗粒，必须用专用的电脑控制设备自动修整晶片边缘形状和外径尺寸。 6.研磨（Lapping） 研磨的目的在于去掉切割时在晶片表面产生的锯痕和破损，使晶片表
压力容器制作工艺流程 生产指令→审图→材料计划→封头、法兰外委→铆工工艺焊接工艺编制→材料检验→封头验收→计算封头实际中性层→按中性层、管口方位、支座板布置情况排版→下料前标记移植→下料→刨边→试板制作→筒节卷圆→纵缝焊接→试板机械性能试验→人孔制作→法兰验收→法兰与管焊接→对大于φ250的管着色检查→下锥体制作→整体组装→焊接→超声波检查和拍片→对缺陷进行返修→人孔及各管孔划线→停点检查→割制各管孔→管与筒体组装→焊接→超声波探伤及拍片→水压试验→停点检查→需热处理的进行热处理→→工程质量记录由技术监督科保管,交工后由档案室保管, 保存期为7年 生产指令→审图(压力容器章、材料表尺寸与图纸是否相符，图中尺寸是否全是否正确、管口方位是否全、材料工程师看采用的材料是否能买到相应的材料)→材料计划（材料按排版情况选择宽度和长度,主要考虑管口方位和接缝情况）→封头外委(比图纸尺寸厚2mm，坡口方向)、法兰(按国家标准画图,清楚要做的是哪个面，注意画水线)外委→铆工工艺(有编制好的工艺，每一受压元件一份工艺卡，上、下封头各份，每一筒节各一份，工人在制作过程中要按工艺流程按时进行填写)、→焊缝布置图（根据焊缝分类和排版图将每一条焊缝在图中进行编号，以便拍片，焊接记录，焊接工艺使用）→焊接工艺编制(一种焊接形式一份工艺，根据焊缝布置图，每一条焊缝都对应有焊接工艺，并对应有焊接工艺评定)→材料检验（核对化学含量、机械性能、炉号、批号、钢号、出厂日期，厚度公差，外观，容器板为正公差）→封头验收（资质、合格证、探伤、拍片报告、直径公差；封头总深度；表面形状公差）→计算封头实际中性层（封头厚度比筒体厚度厚2mm，对接处以内壁对齐，计算中性层时以筒体的中性层为准）→按中性层、管口方位、支座板布置、相邻节焊缝情况排版（筒体的
2018 RQ-1压力容器制造过程及质量检验习题 一、单选题【本题型共42道题】 1.压力容器制造质量计划由（）编制。 A．监检单位 B．监检员 C．制造单位 D．设计单位 正确答案：[C] 用户答案：[C] 得分：2.40 2.第III类低中压容器的许可级别为（）级。 A．A2 B．B2 C．C2 D．D2 正确答案：[A] 用户答案：[A] 得分：2.40 3.D级压力容器的设计文件至少应经过（）级签署。 A．2 B．3 C．4 D．5 正确答案：[B] 用户答案：[B] 得分：2.40 4.下述关于压力容器制造工序的描述，哪一项是正确的？（） A．热处理完成后才可以进行耐压试验
B．耐压试验合格后才可以进行热处理 C．可以先喷涂油漆，然后进行耐压试验 D．耐压试验后进行焊接返修，不必重新进行耐压试验 正确答案：[A] 用户答案：[A] 得分：2.40 5.下述关于压力容器封头成形方法的描述哪一项是正确的？（） A．必须采用旋压成形 B．必须采用热压成形 C．必须采用热冲压 D．成形方法可以采用等冷旋压、冷压、中温压形、热压形、热冲压 正确答案：[D] 用户答案：[D] 得分：2.40 6.下述关于不锈钢制压力容器的描述，哪一项是正确的？（） A．不锈钢容器制造企业必须具备专用的制造场地 B．不锈钢容器制造企业必须具备专用的加工设备、成形设备、切割设备 C．不锈钢容器制造企业必须具备专用的焊接设备 D．不锈钢容器制造企业应当有适应生产需要的制造场地和加工设备、成形设备、切割设备、焊接设备和必要的工装，必要时可以与碳钢混用 正确答案：[D] 用户答案：[D] 得分：1.60 7.下述关于压力容器泄漏性试验的描述，哪一项是正确的？（） A．所有压力容器在制造厂内都应当进行泄漏性试验 B．所有压力容器在制造厂内都不需要进行泄漏性试验 C．当设计图样规定时压力容器在制造厂内应当进行泄漏性试验 D．泄漏性试验必须在耐压试验之前完成 正确答案：[C]
集成电路制造工艺流程之详细解答 1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 ) 晶体生长(Crystal Growth) 晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。 将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达0.99999999999。 采用精炼石英矿而获得的多晶硅，加入少量的电活性“掺杂剂”，如砷、硼、磷或锑，一同放入位于高温炉中融解。 多晶硅块及掺杂剂融化以后，用一根长晶线缆作为籽晶，插入到融化的多晶硅中直至底部。然后，旋转线缆并慢慢拉出，最后，再将其冷却结晶，就形成圆柱状的单晶硅晶棒，即硅棒。 此过程称为“长晶”。 硅棒一般长3英尺，直径有6英寸、8英寸、12英寸等不同尺寸。 硅晶棒再经过研磨、抛光和切片后，即成为制造集成电路的基本原料——晶圆。 切片(Slicing) /边缘研磨(Edge Grinding)/抛光(Surface Polishing) 切片是利用特殊的内圆刀片，将硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶圆。 然后，对晶圆表面和边缘进行抛光、研磨并清洗，将刚切割的晶圆的锐利边缘整成圆弧形，去除粗糙的划痕和杂质，就获得近乎完美的硅晶圆。 包裹(Wrapping)/运输(Shipping) 晶圆制造完成以后，还需要专业的设备对这些近乎完美的硅晶圆进行包裹和运输。 晶圆输送载体可为半导体制造商提供快速一致和可靠的晶圆取放，并提高生产力。 2.沉积 外延沉积 Epitaxial Deposition 在晶圆使用过程中，外延层是在半导体晶圆上沉积的第一层。 现代大多数外延生长沉积是在硅底层上利用低压化学气相沉积(LPCVD)方法生长硅薄膜。外延层由超纯硅形成，是作为缓冲层阻止有害杂质进入硅衬底的。 过去一般是双极工艺需要使用外延层，CMOS技术不使用。 由于外延层可能会使有少量缺陷的晶圆能够被使用，所以今后可能会在300mm晶圆上更多
产品质量计划产品名称：XXXX储罐 产品图号： 编制_________________ 审核＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿批准＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
XXXX有限公司 2007年月日 一、1、压力容器设计单位资格、设计类别和品种范围审核。 2、压力容器设计总图设计印章有效。 3设计总图技术条件齐全 二、设备概述： 4M3一氧化碳储罐为立式储存容器，盛装介质为易燃易爆，毒性程度为中度危害的一氧化碳气体，设备工作工况为工作压力3.5Mpa,小于等于40℃。设备由封头、筒体、人孔支座、等部件组成。设备总长：4411mm ,壳体内直径：1200mm，筒体长度：3100mm，主体材料16MnR和16MnⅡ。该设备是我厂A2级压力容器制造许可受检产品，制造要求高，必须要有切实可行的保证 措施，来保证设备的制造质量 。1、设备设计条件
2、主体材料 三、设备制造前准备工作 1、工艺准备 首先进行工艺性审图、并作好审图记录，然后按施工图、规范、标准的要求编制制造工艺过程卡、焊接工艺规程、无损检测工艺卡、专用检验工艺卡、理化试验工艺卡、热处理工艺卡、水压试验工艺卡和气密试验工艺卡及外协事项专有表等文件。 负责人＿＿＿＿＿＿＿＿＿ 2、材料准备
材料（包括钢板、锻件、焊材）的采购必须在经评审合格的供货单位进行。订货要求符合相应材料标准（GB6654－1996、JB/T4726－2000、GB/T－5117－1995、GB/T5118－1995、GB/T14957－1994、JB/T4747－2002等），材料入厂应有合格的证明文件，标记齐全、完整、清晰。 用于制造主要受压元件筒体、封头、人孔接管、人孔法兰、及法兰盖的材质应按《容规》第25条第1、3款进行复验。具体实施要求见附件一。 负责人＿＿＿＿＿ 3、质量控制 按照工厂质量管理文件及设备特点，编写设备质量控制计划，质量计划经各责任人审核、质保工程师批准后，制造过程中严格按照质量计划进行质量控制工作。 负责人＿＿＿＿＿＿ 四、制造过程中主要质量控制环节、控制点 1、封头、筒体下料前进行表面、标记检查，并按JB/T4730超声检测4.1.5.3在坡口预定线两侧各50mm内100%扫查，成型前彻底清除影响封头和筒体成型质量的毛刺、氧化熔渣等。封头成型方式为热压，成型后应保证与钢板的热处理状态一致，成型封头回厂后检验人员按JB/T4746－2002标准检查验收。 封头基本工艺流程： 板材→表面检查→划线→坡口超声检测→标记移植→下料→成型→测厚→切割直边余量→坡口砂磨→检验。
压力容器质量保证手册 Prepared on 22 November 2020
文件编号：质量保证手册 编制日期 审核日期 批准日期 发放号持有人
颁布令 本公司根据特种设备安全技术规范TSG Z0004-2007《特种设备 制造、安装、改造、维修质量保证体系基本要求》的规定，编制了公司第一版压力容器制造《质量保证手册》，经审核，现批准发布，自2017年8月01日正式实施。 本手册是公司压力容器制造质量管理活动必须遵循的纲领性文件，也是向社会、顾客及有关组织证实本公司满足压力容器制造要求的能力及持续改进压力容器质量保证体系的见证文件，适用于本公司压力容器制造质量控制的全过程。公司各职能部门必须组织人员学习，公司开展的各项质量活动都必须以本《质量保证手册》为准则。 总经理： 年月日
XXXX Xx质字【2017】01号 授权声明 低温设备的制造质量直接关系到压力容器的安全使用、关系到人 身和财产的安全。我对本公司制造的压力容器安全质量负有最大的责任。 现授权质量保证工程师一一XXX同志，按照国家安全技术法规 及有关标准规范的要求，对公司压力容器制造质量保证体系的建立、实施、保持和改进负责;各质控系统责任人对本系统的质量控制负责。所有参与低温设备质量管理活动的人员，必须熟悉、掌握和严格执行公司《质量保证手册》中的有关规定，服从质保工程师的领导。 质量保证工程师在公司质量保证体系的运行中，行使质量否决 权，有越级向上级行政主管、安全监察机构反映质量问题的权力，公司质量保证体系运行中发生的问题和争执由质量保证工程师仲裁。 质量保证工程师须定期向我报告质量保证体系的运行情况、及时 预防、发现、分析、和解决存在的质量问题。 总经理： 年月日
晶圆生产工艺流程介绍 1、表面清洗 2、初次氧化 3、CVD(Chemical Vapor deposition)法沉积一层Si3N4(Hot CVD或LPCVD)。 （1）常压CVD(Normal Pressure CVD) （2）低压CVD(Low Pressure CVD) （3）热CVD(Hot CVD)/(thermal CVD) （4）电浆增强CVD(Plasma Enhanced CVD) （5）MOCVD(Metal Organic CVD)&分子磊晶成长(Molecular Beam Epitaxy) （6）外延生长法(LPE) 4、涂敷光刻胶 （1）光刻胶的涂敷 （2）预烘(pre bake) （3）曝光 （4）显影 （5）后烘(post bake) （6）腐蚀(etching) （7）光刻胶的去除 5、此处用干法氧化法将氮化硅去除 6、离子布植将硼离子(B+3)透过SiO2膜注入衬底，形成P型阱 7、去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理 8、用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷(P+5)离子，形成N型阱 9、退火处理，然后用HF去除SiO2层 10、干法氧化法生成一层SiO2层，然后LPCVD沉积一层氮化硅 11、利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层 12、湿法氧化，生长未有氮化硅保护的SiO2层，形成PN之间的隔离区 13、热磷酸去除氮化硅，然后用HF溶液去除栅隔离层位置的SiO2，并重新生成品质更好的SiO2薄膜,作为栅极氧化层。 14、LPCVD沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成SiO2保护层。 15、表面涂敷光阻，去除P阱区的光阻，注入砷(As)离子，形成NMOS的源漏极。用同样的方法，在N阱区，注入B离子形成PMOS的源漏极。 16、利用PECVD沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。 17、沉积掺杂硼磷的氧化层 18、?镀第一层金属 （1）薄膜的沉积方法根据其用途的不同而不同，厚度通常小于1um。 （2）真空蒸发法（Evaporation Deposition） （3）溅镀（Sputtering Deposition） 19、光刻技术定出VIA孔洞，沉积第二层金属，并刻蚀出连线结构。然后，用PECVD法氧化层和氮化硅保护层。20、光刻和离子刻蚀，定出PAD位置 21、最后进行退火处理，以保证整个Chip的完整和连线的连接性
质量管理体系文件 压力容器 设计质量保证手册 （第二版） 编制： 审核： 批准： 受控状态： 发放编号：
压力容器是工业生产和人民生活中使用广泛，同时又具有爆炸危险的特种设备，为保证我公司压力容器设计过程能够严格遵守国家颁发国务院令第549号《特种设备安全监察条例》（2009版）及国质检总局令第22号《锅炉压力容器制造监督管理办法》及其附件（2002版）质技监局锅发[1999]154号（TSG R0004-2009）《固定式压力容器安全技术监察规程》和GBl50-1998《钢制压力容器》、GBl51-1999(钢制管壳式换热器》等有关技术法规、标准规范要求。建立一个严密、协调设计质量保证体系，实施“质量安全第一，用户信誉至上”的方针，保证提供安全、可靠的压力容器设计图样和技术文件。 压力容器设计质量保证体系经总经理任命的压力容器设计技术负责人、审核人、校核人员和设计人员，对压力容器设计图纸、计算书和技术文件质量负全责。 本(手册》适用于压力容器设计，并与本公司原制订的《压力容器制造质量保证手册》同时使用。 本手册自2010年9月20日起开始执行。 总经理： 企业概况
1，引用标准、规则 1.1 国家颁发国务院令第549号《特种设备安全监察条例》（2009版）。 1.2 国质检总局令第22号《锅炉压力容器制造监督管理办法》。 1.3 (TSG R0004-2009)《固定式压力容器安全技术监察规程》。 1.4（TSGR1001-2008）《压力容器压力管道设计许可规则》。 1.5 TSG ZF001-2006《安全阀安全技术监察规程》 2，压力容器设计标准 2.1 GB150-1998 《钢制压力容器》（含第1号修改单）。 2.2 GB151-1999 《管壳式换热器》（含第1号修改单）。 2.3 GB151-1999《管壳式换热器》。 2.4 JB/T4710-2005《钢制塔式容器》。 2.5 JB/T4731-2005《钢制卧式容器》。 2.6 JB/T4730-2005《承压设备无损检测》。 2.7其他现行的压力容器制造相关的法律、法规。 2．1术语 本手册所使用的术语和缩写定义均符合GB/T19000-2000的规定和等同（TSGR1001-2008）《压力容器压力管道设计许可规则》和《特种设备制造、安装、改
A.晶圆封装测试工序 一、IC检测 1. 缺陷检查Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy) 用来检测出晶圆上是否有瑕疵，主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外，对已印有电路图案的图案晶圆成品而言，则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说，图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线，并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除，以辨识并发现瑕疵。 3. CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement) 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。 二、IC封装 1. 构装（Packaging） IC构装依使用材料可分为陶瓷（ceramic）及塑胶（plastic）两种，而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例，其步骤依序为晶片切割（die saw）、黏晶（die mount / die bond）、焊线（wire bond）、封胶（mold）、剪切/成形（trim / form）、印字（mark）、电镀（plating）及检验（inspection）等。 (1) 晶片切割（die saw） 晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒（die）切割分离。举例来说：以
0.2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微量。 欲进行晶片切割，首先必须进行晶圆黏片，而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上，而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。 (2) 黏晶（die mount / die bond） 黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶（epoxy）粘着固定。黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣（magazine）内，以送至下一制程进行焊线。 (3) 焊线（wire bond） IC构装制程（Packaging）则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路（Integrated Circuit；简称IC），此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架（Pin），称之为打线，作为与外界电路板连接之用。 (4) 封胶（mold） 封胶之主要目的为防止湿气由外部侵入、以机械方式支持导线、內部产生热量之去除及提供能够手持之形体。其过程为将导线架置于框架上并预热，再将框架置于压模机上的构装模上，再以树脂充填并待硬化。 (5) 剪切/成形（trim / form） 剪切之目的为将导线架上构装完成之晶粒独立分开，并把不需要的连接用材料及部份凸出之树脂切除（dejunk）。成形之目的则是将外引脚压成各种预先设计好之形状，以便于装置于
发放序号：文件编号： 压力容器制造 质量保证手册 第五版 编制： 审核： 批准： 文件层次：第一层
目录 章节号内容页次01····························前言 3 02····························发布令 4 03····························任命令 6 04····························质量方针和目标7 05····························质量保证手册的范围及管理10 06····························术语和缩写12 第一章························管理职责15 第二章························质量保证体系38 第三章························文件和记录控制44 第四章························合同控制49 第五章························设计控制51 第六章························材料、零部件控制54 第七章························工艺控制61 第八章························焊接控制67 第九章························热处理控制74 第十章························无损检测控制79 第十一章······················理化检验控制84 第十二章······················检验与试验控制88 第十三章·····················设备和检验与试验装置控制95 第十四章······················不合格品（项）控制99 第十五章·······················质量改进与服务100
丹阳华泰为压力容器制造企业主要生产A2级压力容器，设计压力小于10MPa，危害介质。压力容器的生产工艺流程：下料成型焊接无损检测组对焊接无损检测热处理压力试验 一．选材及下料 （一）压力容器的选材主要依据设计文件、合同约定及相关的国家标准及行业标准。（二）压力容器材料的种类 1.碳钢、低合金钢 2.不锈钢 3.特殊材料：（1）复合材料（2）钢镍合金（3）超级双相不锈钢（4）哈氏合金（三）常用材料 常用复合材料：16Mn+0Cr18ni9 A：按形状分：钢板、管状、棒料、铸件、锻件 B：按成分分： 碳素钢：20号钢、20R、Q235 低合金钢：16MnR、16MnDR、09MnNiDR、15CrMoR、16Mn锻件、20MnMo锻件 高合金钢：0Cr13、0Cr18Ni9、0Cr18Ni10Ti 尿素级材料：X2CrNiMo18.143mol （尿素合成塔中使用，有较高耐腐蚀性） 二．下料工具与下料要求 （一）下料工具及适用范围： 1、气割：碳钢 2、等离子切割：合金钢、不锈钢 3、剪扳机：＆≤8㎜ L≤2500㎜切边为直边 4、锯管机：接管 5、滚板机：三辊 （二）椭圆度要求： 内压容器：椭圆度≤1%D；且≤25㎜ 换热器：DN≤1200㎜椭圆度≤0.5%DN且≤5㎜ DN﹥1200㎜椭圆度≤0.5%DN且≤7㎜ 多层包扎内筒：椭圆度≤0.5%D，且≤6㎜ （三）错边量要求：见下表
（四）直线度要求： 一般容器：L≤30000 ㎜直线度≤L/1000㎜ L﹥30000㎜直线度按塔器 塔器：L≤15000 ㎜直线度≤L/1000㎜ L﹥15000㎜直线度≤0.5L/1000 +8㎜ 换热器：L≤6000㎜直线度≤L/1000且≤4.5㎜ L﹥6000㎜直线度≤L/1000且≤8㎜ 三、焊接 （一）焊前准备与焊接环境 1、焊条、焊剂及其他焊接材料的贮存库应保持干燥，相对湿度不得大于60%。 2、当施焊环境出现下列任一情况，且无有效防护措施时，禁止施焊： A）手工焊时风速大于10m/s B）气体保护焊时风速大于2m/s C）相对湿度大于90% D）雨、雪环境 （二）焊接工艺 1、容器施焊前的焊接工艺评定，按JB4708进行 2、A、B类焊接焊缝的余高不得超过GB150的有关规定 3、焊缝表面不得有裂纹、气孔、弧坑和飞溅物 （三）焊缝返修 1、焊逢的同一部位的返修次数不宜超过两次。如超过两次，返修前均应经制造单位技术总负责人批准，返修次数、部位和返修情况应记入容器的质量证明书。 2、要求焊后热处理的容器，一般应在热处理前进行返修。如在热处理后返修时，补焊后应做必要的热处理 四、无损探伤 （一）射线照相探伤法 1.X射线 2.γ射线 Ir192 74天＜100mm Co60 5.3年＜200mm 射线性质：①都是电磁波
晶圆生产工艺与流程介 绍 文件编码（008-TTIG-UTITD-GKBTT-PUUTI-WYTUI-8256）
晶圆的生产工艺流程介绍从大的方面来讲，晶圆生产包括晶棒制造和晶片制造两大步骤，它又可细分为以下几道主要工序（其中晶棒制造只包括下面的第一道工序，其余的全部属晶片制造，所以有时又统称它们为晶柱切片后处理工序）： 晶棒成长-->晶棒裁切与检测-->外径研磨-->切片-->圆边-->表层研磨-->蚀刻-->去疵-->抛光-->清洗-->检验-->包装 1.晶棒成长工序：它又可细分为： 1）.融化（MeltDown） 将块状的高纯度复晶硅置于石英坩锅内，加热到其熔点1420°C以上，使其完全融化。 2）.颈部成长（NeckGrowth） 待硅融浆的温度稳定之后，将〈1.0.0〉方向的晶种慢慢插入其中，接着将晶种慢慢往上提升，使其直径缩小到一定尺寸（一般约6mm左右），维持此直径并拉长100-200mm，以消除晶种内的晶粒排列取向差异。 3）.晶冠成长（CrownGrowth） 颈部成长完成后，慢慢降低提升速度和温度，使颈部直径逐渐加大到所需尺寸（如5、6、8、12寸等）。 4）.晶体成长（BodyGrowth） 不断调整提升速度和融炼温度，维持固定的晶棒直径，只到晶棒长度达到预定值。 5）.尾部成长（TailGrowth）
当晶棒长度达到预定值后再逐渐加快提升速度并提高融炼温度，使晶棒直径逐渐变小，以避免因热应力造成排差和滑移等现象产生，最终使晶棒与液面完全分离。到此即得到一根完整的晶棒。 2.晶棒裁切与检测（Cutting&Inspection） 将长成的晶棒去掉直径偏小的头、尾部分，并对尺寸进行检测，以决定下步加工的工艺参数。 3.外径研磨（SurfaceGrinding&Shaping） 由于在晶棒成长过程中，其外径尺寸和圆度均有一定偏差，其外园柱面也凹凸不平，所以必须对外径进行修整、研磨，使其尺寸、形状误差均小于允许偏差。4.切片（WireSawSlicing） 由于硅的硬度非常大，所以在本工序里，采用环状、其内径边缘镶嵌有钻石颗粒的薄片锯片将晶棒切割成一片片薄片。 5.圆边（EdgeProfiling） 由于刚切下来的晶片外边缘很锋利，硅单晶又是脆性材料，为避免边角崩裂影响晶片强度、破坏晶片表面光洁和对后工序带来污染颗粒，必须用专用的电脑控制设备自动修整晶片边缘形状和外径尺寸。 6.研磨（Lapping） 研磨的目的在于去掉切割时在晶片表面产生的锯痕和破损，使晶片表面达到所要求的光洁度。 7.蚀刻（Etching）