1、在硅和锗的能带结构中，在布里渊中心存在两个极大值重合的价带，外面的能带（B ，对应的有效质量（ C ），称该能带中的空穴为( E )。
A. 曲率大；
B. 曲率小；
C. 大；
D. 小；
E. 重空穴；
F. 轻空穴 2、如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（ F ）。 A. 施主 B. 受主 C.复合中心 D.陷阱 F. 两性杂质 3、在通常情况下，GaN 呈（A ）型结构，具有（C ），它是（F ）半导体材料。
A. 纤锌矿型；
B. 闪锌矿型；
C. 六方对称性；
D. 立方对称性；
E.间接带隙；
F. 直接带隙。 4、同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体，如果甲的相对介电常数εr 是乙的3/4， m n */m 0值是乙的2倍，
那么用类氢模型计算结果是（ D ）。
A.甲的施主杂质电离能是乙的8/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/4
B.甲的施主杂质电离能是乙的3/2，弱束缚电子基态轨道半径为乙的32/9
C.甲的施主杂质电离能是乙的16/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的8/3
D.甲的施主杂质电离能是乙的32/9，弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/8
5、.一块半导体寿命τ=15μs ，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30μs 后，其中非平衡载
流子将衰减到原来的（ C ）。 A.1/4 ； B.1/e ； C.1/e 2
； D.1/2
6、对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、n i >> /N D -N A / 时，半导体具有 （ B ） 半导体的导电特性。 A. 非本征 B.本征
8、在纯的半导体硅中掺入硼，在一定的温度下，当掺入的浓度增加时，费米能级向（ A ）移动；当掺杂
浓度一定时，温度从室温逐步增加，费米能级向( C )移动。A.Ev ； B.Ec ； C.Ei ； D. E F 9、把磷化镓在氮气氛中退火，会有氮取代部分的磷，这会在磷化镓中出现（ D ）。
A.改变禁带宽度 ；
B.产生复合中心 ；
C.产生空穴陷阱 ；
D.产生等电子陷阱。 10、对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（ C ）。
A.非平衡载流子浓度成正比 ；
B.平衡载流子浓度成正比；
C.非平衡载流子浓度成反比；
D.平衡载流子浓度成反比。
11、杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子
的散射概率的变化分别是（ B ）。
A.变大，变小 ；
B.变小，变大；
C.变小，变小；
D.变大，变大。 12、如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（ B ）空穴的俘获率，它是（ D ）。 A.大于 ； B.等于； C.小于； D.有效的复合中心；
E. 有效陷阱。
13、在磷掺杂浓度为2×1016cm -3
的硅衬底（功函数约为4.25eV ）上要做出欧姆接触，下面四种金属最适合
的是（ A ）。A. In (W m =3.8eV) ； B. Cr (W m =4.6eV)； C. Au (W m =4.8eV)； D. Al (W m =4.2eV)。 14、在硅基MOS 器件中，硅衬底和SiO 2界面处的固定电荷是（ B ），它的存在使得半导体表面的能带（ C ）
弯曲，在C-V 曲线上造成平带电压（ F ）偏移。
A.钠离子 ；
B.过剩的硅离子；
C.向下；
D.向上；
E. 向正向电压方向；
F. 向负向电压方向。 二、简答题：（5+4+6=15分）
2、对于掺杂的元素半导体Si 、Ge 中，一般情形下对载流子的主要散射机构是什么？写出其主要散射机构所决定的散射几率和温度的关系。（4分）
答：对掺杂的元素半导体材料Si 、Ge ，其主要的散射机构为长声学波散射（1分）和电离杂质散射 其散射几率和温度的关系为：
声学波散射：3/2s p T ∝，电离杂质散射：3/2i i p N T -∝
3、如金属和一n 型半导体形成金属－半导体接触，请简述在什么条件下，形成的哪两种不同电学特性的接触，说明半导体表面的能带情况，并画出对应的I-V 曲线。（忽略表面态的影响）（6分） 答：在金属和n 型半导体接触时，如金属的功函数为W m , 半导体的功函数为W s 。 当W m ＞W s 时，在半导体表面形成阻挡层接触，是个高阻区，能带向上弯曲；（2分） 当W m ＜W s 时，在半导体表面形成反阻挡层接触，是个高电导区，能带向下弯曲；（2分） 对应的 I-V 曲线分别为：
型硅单晶样品上，其平衡载流子浓度n 0=1014cm -3
，且每微秒产生电子－空穴为1013cm -3。如τn =τp =2μs ，试求光照后少数载流子浓度。（已知本征载流子浓度n i =9.65×109cm -3）(5分) 解：在光照前：
光照后：
02
13
56133
6
22109.3110210210110p i p p p G n G n cm ττ---=+=
+=?+??
≈??分分
五、在一个均匀的n 型半导体的表面的一点注入少数载流子空穴。在样品上施加一个50V/cm 的电场，在电场力的作用下这些少数载流子在100μs 的时间内移动了1cm ，求少数载流子的漂移速率、迁移率和扩散系数。（kT=0.026eV ）(6分)
解：在电场下少子的漂移速率为：4
110/100cm v cm s
s
μ== 迁移率为：()
4210/50
v cm V s E
μ==
扩散系数为：
220.026200/ 5.2/p kT
D cm s cm s q
μ=
=?= 六、掺杂浓度为N D =1016
cm -3
的n 型单晶硅材料和金属Au 接触，忽略表面态的影响，已知：W Au =5.20eV,
χn =4.0eV, Nc=1019cm -3,ln103=6.9 在室温下kT=0.026eV, 半导体介电常数εr =12, ε0=8.854×10
-12
F/m ，q=1.6×10-19
库，试计算：(4+4+4=12分) ⑴ 半导体的功函数；（4分）
⑵ 在零偏压时，半导体表面的势垒高度，并说明是哪种形式的金半接触，半导体表面能带的状态； ⑶ 半导体表面的势垒宽度。（4分）
解：⑴由0
exp()F D
Ec E N n Nc kT
-==-得： （1分）
19
16010ln 0.026ln .184.0
181()F D s F Nc Ec E kT eV N Ws Ec E eV
χ-===∴=+-= （1分）
⑵ 在零偏压下，半导体表面的势垒高度为：
5.20 4.18 1.02D qV Wm Ws eV =-=-=
对n 型半导体，因为Wm ＞Ws ，所以此时的金半接触是阻挡层（或整流）接触（1分），半导体表面能带向上弯曲（或：直接用能带图正确表示出能带弯曲情况）（1分）。 ⑶ 势垒的宽度为：
1/2
0141/21916
512(
)2128.8510()
1.610103.710()
.02r D D
V d qN cm εε---=????=??=?
1.导体、半导体、绝缘体的划分：
Ⅰ导体内部存在部分充满的能带，在电场作用下形成电流；
Ⅱ绝缘体内部不存在部分充满的能带，在电场作用下无电流产生；
Ⅲ半导体的价带是完全充满的，但与之上面靠近的能带间的能隙很小，电子易被激发到上面的能带，使这两个能带都变成部分充满，使固体导电。
2.电子的有效质量是*
n m ，空穴的有效质量是*p m ； *
*n p m m -=，电量等值反号，波矢k
与电子相同
能带底电子的有效质量是正值，能带顶电子的有效质量是负值。能带底空穴的有效质量是负值，能带顶空穴的有效质量是正值。
3.半导体中电子所受的外力dt dk
h f ?=的计算。
4.引进有效质量的意义：概括了半导体内部势场的作用，使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时，可以不涉及半导体内部势场的作用。
1.施主能级：被施主杂质束缚的电子的能量状态称为施主能级E D ；施主能级很接近于导带底； 受主能级：被受主杂质束缚的空穴的能量状态称为受主能级E A ；受主能级很接近于价带顶。
施主能级图 受主能级图
2.浅能级杂质：杂质的电离能远小于本征半导体禁带宽度的杂质，电离后向相应的能带提供电子或空穴。 深能级杂质：能级位于禁带中央位置附近，距离相应允带差值较大。 深能级杂质起复合中心、陷阱作用；浅能级杂质起施主、受主作用。
3.杂质的补偿作用：半导体中同时含有施主和受主杂质，施主和受主先相互抵消，剩余的杂质发生电离。 1.费米分布函数(简并半导体)
???
? ???-+=
T
k E E E f F
exp 11
)((本征)；
?
??
? ???-+=
T
k E E E f F 0exp 2111
)((杂质)；玻尔兹曼分布函数(非简并半导体) ???
? ???-=T
k E
A E f
B 0
exp )(； 2.费米能级：T
F N F E ??
?
????==μ；系统处于热平衡状态，也不对外界做功的情况下，系统中增加一个电子所引起系统自由能的变化，等于系统的化学势，也就是等于系统的费米能级。
费米能级的位置：本征半导体的费米能级位于本征能级(禁带宽度的一半)上，根据杂质离子的不同，费米能级的位置有所不同； 4.n 型杂质半导体在低温弱电离区的费米能级???
?
????? ??+--=c D D c F N N T k E E E 2ln 220的推导：低温下，导带中的电子全部由电离施主杂质提供，此时p 0=0，+
=D
n n 0
，故电中性条件： ???
? ?
??--+=???? ?
??--?T k E E N T
k E E N F
D D F
c c 00exp 21exp ； 由D D N n <<+
得：1exp 0>>???
?
?
??--
T k E E F
D ，因此： ???
? ???-=???? ???--?T k E E N T k E E N F D D F c c 00exp 21exp ； 取对数并化简得：???
?
????? ??+--
=c D D c F N N T k E E E 2ln 220； 它与温度、杂质浓度以及掺入何种杂质原子有关。在低温极限T →0K 时，()0ln lim 0=?→T T K T ；故2
lim 0D
c F K
T E E E +=→；即在低
温极限T →0K 时，费米能级位于导带底和施主能级间的中线处。 1.载流子散射的概念：
所谓自由载流子，实际上只在两次散射之间才真正是自由运动的，其连续两次散射间自由运动的平均路程称为平均自由程，而平均时间称为平均自由时间。 2.半导体的主要散射机构：
Ⅰ电离杂质的散射；Ⅱ晶格振动的散射：①声学波散射；②光学波散射；
Ⅲ其他因素引起的：①等同的能谷间散射；②中性杂质散射；③位错散射；④合金散射； 3.平均自由时间与散射概率之间关系式?∞
-=
=0
00
1
1
P tdt Pe N N Pt τ的推导：
设有N 个电子以速度v 沿某方向运动，N (t )表示在t 时刻尚未遭到散射的电子数，按散射概率的定义，在t 到（t+Δt ）时间内被散射的电子数为t P t N ???)(； ∴t P t N t t N t N ???=?+-)()()( ∴
)()
()(lim )(0t N P t
t N t t N dt t dN t ?-=?-?+=→?； 解微分方程：t P e N t N ?-?=0)(；
其中N 0是t =0时未遭散射的电子数；
∴t 到（t+Δt ）时间内被散射的电子数为dt e P N t
P ?-?0；
∴平均自由时间P
tdt e P N N t P 1
1
00
=
?=
?
∞
?-τ；等于散射概率的倒数。 2.非平衡载流子的寿命
ττ
τ
==??=????∞-∞
-∞
∞0
0)()(dt
e
dt te t p d t p td t t t 的推导：
假定一束光在一块n 型半导体内部均匀地产生非平衡载流子n ?和p ?，在t=0时，光照突然停止，p ?的变化应等于
非平衡载流子的复合率：
τ
)()(t p dt t p d ?-=?； 小注入时，τ是一恒量，与)(t p ?无关，上述微分方程的通解为：τ
t
Ce t p -
=?)(；
当t=0时，0)()0(p p ?=?，得0)(p C ?=，则τt
e p t p -??=?0)()(；
非平衡载流子的复合率：通常把单位时间单位体积内净复合消失的电子-空穴对数。 3.推导在小注入条件下，当温度和掺杂一定时，寿命是一个常数：0
1
n r ?≈τ。
热平衡时，产生率等于复合率，n=n 0，p=p 0；
此时2
000i rn p rn R G ===；
∴非平衡载流子的直接净复合率)(2i d
n np r G R U -=-=；
由n n n ?+=0，p p p ?+=0，p n ?=?得：200)()(p r p p n r U d ?+?+=；
∴非平衡载流子的寿命()[]p p n r U p
d ?++=?=001
τ
小注入条件下，即()00p n p +<
1p n r +=τ；n 型材料，即00p n >>，
1
n r ?≈
τ
当00
p n p +>>?时，p r ?=1
τ
4.深能级的最有效位置是禁带的中央；
5.俄歇复合：载流子从高能级向低能级跃迁，发生电子-空穴复合是，把多余的能量传给另一个载流子，使这个载流子被激发到能量更高的能级上去，当它重新跃迁回低能级时，多余的能量以声子形式放出，这种复合称为俄歇复合。
6.陷阱效应：杂质能级积累非平衡载流子的作用称为陷阱效应；
把具有显著陷阱效应的杂质能级称为陷阱；把相应的杂质和缺陷称为陷阱中心。 最有效的深能级在费米能级上；
7.漂移运动的作用场是电场——迁移率；扩散运动的作用场是浓度场——扩散系数； 迁移率与散射有关； 8.爱因斯坦方程的推导：
一块处于热平衡状态的非均匀的n 型半导体，其中施主杂质浓度随x 增加而下降，电子和空穴浓度都是x 的函数，设为n 0(x )，p 0(x )；
由于浓度梯度的存在，必然引起载流子沿x 方向的扩散， 电子扩散产生的电流密度为dx
x dn qD J n
n )()(0=扩，空穴扩散产生的电流密度为dx
x dp qD J p
p )
()(0=扩； 半导体内的静电场又产生漂移电流：∈=n n q x n J μ)()(0漂，∈=p p q x p J μ)()(0漂；
热平衡条件下：0)()(=+=扩漂n n n J J J ，0)()(=+=扩漂p p p J J J ；
dx
x dn D q x n n
n )
()(00-∈=∴μ； 又dx x dV )
(-
∈=，??
?????-+=∴T k E x qV E N x n c F c 00)(exp )(； 求导得：dx x dV T k q x n dx x dn )
()()(0
00
???=；
q
T k D n
n
?=
∴
0μ(对电子)；q
T k D p
p
?=
∴0μ
(对空穴)
第六章 p-n 结
1. p-n 结的能带图：
n 、p 型半导体的能带 平衡状态p-n 结能带图 2.外加正向偏压时p-n 结势垒的变化:
1.直接跃迁：为了满足选择定则，以使电子在跃迁过程中波矢保持不变，则原来在价带中状态A 的电子只能跃迁到导带中的状态B 。A 与B 在E(k)曲线上位于同一垂线上，这种跃迁称为直接跃迁； 间接跃迁：除了吸收光子外还与晶格交换能量的非直接跃迁，也称间接跃迁。 3.在四面体结构的共价晶体中，四个共价键是 sp3杂化 。
4.第III 族元素铝、镓、铟和第V 族元素磷、砷、锑组成的 III-V 族化合物 。也是正四面体结构，四个共价键也是sp3杂化，但具有一定程度的离子性。是 闪锌矿 结构。
5. ZnS 、GeS 、ZnSe 和GeSe 等 Ⅱ-Ⅵ族化合物 都可以 闪锌矿型 和 纤锌矿型 两种方式结晶，也是以 正四面体结构 为基础构成的，四个混合共价键也是 sp3 杂化，也有一定程度的离子性。
6. Ge 、Si 的禁带宽度具有 负温度系数 。禁带宽度E g 随温度增加而减小( 负温度系数特性 )
7.半导体与导体的最大差别： 半导体的电子和空穴均参与导电 。
半导体与绝缘体的最大差别： 在通常温度下，半导体已具有一定的导电能力 。
有效质量的大小取决于 晶体内电子与电子周围环境 的作用。 10． 回旋共振 的实验是用来测量 有效质量 的。 导体、半导体、绝缘体的能带
● 能带理论提出：一个晶体是否具有导电性，关键在于它是否有不满的能带存在。
● 导体——下面的能带是满带，上面的能带是半满带；或者上下能带重叠了一部分，结果上下能带都成了半满带 ● 绝缘体——下面能带（价带）是满带，上面能带（导带）是空带，且禁带宽度比较大。
● 半导体——下面能带（价带）是满带，上面能带（导带）是空带，且禁带宽度比较小，数量级约在1eV 左右。
当温度升高或者光照下，满带中的少量电子可能被激发到上面的空带中去。满带中少了一些电子，将出现一些
空的量子状态，称为空穴。在半导体中，导带中的电子和价带中的空穴均参与导电。
金是一种很典型的复合中心，在制造高速开关器件时，常有意地掺入金以提高器件的速度。 5． 两性杂质：既能起施主作用，又能起受主作用的杂质，如III-V 族化合物半导体中掺入的硅
2. 有一块掺磷的 n 型硅，N D =1015cm -3
, 分别计算温度为① 300K ；② 500K ；③ 800K 时导带中电子浓度 。
（已知硅的n i 300K =1.5×1010cm -3， n i 500K =4×1014 cm -3， n i 800K=1017cm -3
） 解：
3. 含受主浓度为8.0×106cm -3和施主浓度为7.25×1017 cm -3
的Si 材料，试求温度为300K 时此材料的载流子浓度和
费米能级的相对位置。
（已知300K 时硅的n i 为1.5×1010cm -3
）
解：300K 时，杂质补偿之后，有效施主浓度：3
17*
1025.7-?≈-=cm N N N A D D
*
D
i N n << 强电离区， ()31701025.7300-?=≈cm N K n D
()
3
217
2
10
0201011.310
25.7105.1)300(-?≈??==cm n n K p i =??+=+=10
170105.11025.7ln 026.0ln
eV E n N T k E E i i D i F
2． 载流子的产生：本征激发 和 杂质电离 。
4． 费米分布函数：服从泡利不相容原理的电子遵循费米统计规律。 5． 费米分布函数)(E f 的特性：
6．在热平衡状态下，非简并情况下，导带中的电子浓度：
)(exp 00c c F c c E f N T k E E N n =???? ??--= 3
2
/30*)2(2其中h T k m N n c π= 同理可得，价带中的空穴浓度（热平衡状态，非简并情况下）：
)
(exp 00v v v F v E f N T
k E E N p =???
? ?
?--
= 3
2
/30*)2(2其中h T k m N p v
π=
载流子浓度乘积：
?
??? ?
?-=????
?
?
--
=T k E N N T
k E E N N p n g v c v
c v c 0000exp exp ???
?
?
?-??
??
???=E T m m m g
p n 032
/30**31
exp 1033.2
N 型半导体载流子的浓度（在过渡区）：
()
220421
i D D n N N n ++= i
i F n n T k E E 00ln
+= p 型半导体载流子的浓度（在过渡区）：
()
2
2042
1i
A A
n N N p ++
=
i
i F n p T k E E 00ln
-= 掺有某种杂质的半导体的载流子浓度和费米能级由 温度 和随着T 升高，多数载流子从以 杂质电离 为主过渡到 本征激发 为主。3
1731531731503143
150315310/10/10800)3(/1014.1~/104500)2(/10/10/103001cm N cm n K cm n N cm n K cm N n cm N cm n K D i D i D D i =>>=?=?==≈=<<=高温本征激发区时，过渡区
时，强电离区时，）（
即：当杂质浓度不变时，随着温度的升高，费米能级先上升后下降，直到接近中线位置。
1. 随着温度T 升高，多数载流子从以杂质电离为主过渡到本征激发为主。
2. n 型半导体的费米能级处在导带底和Ei 之间，p 型半导体的费米能级处在Ei 和价带顶之间。
3. 在一定温度下，施主杂质浓度越高，费米能级越接近导带底；受主杂质浓度越高，费米能级越接近价带顶。
4. 随着T 升高， n 型半导体的费米能级从施主能级以上先升后降至施主能级以下直至禁带中线。 p 型半导体的费
米能级从受主能级以下先降后升至受主能级以上直至禁带中线。
对本征材料而言，材料的禁带宽度越窄，载流子浓度越高；
1． 电子在 电场力 作用下所作的 定向 运动称为漂移运动。
2．迁移率：表示单位场强下电子的平均漂移速度，表示存在电场作用下载流子运动的难易程度的物理量。 3．电阻产生的原因在于载流子的散射。
电子与声子的碰撞遵循两大守恒法则：准动量守恒、能量守恒
晶格振动的散射中，光学波散射在能带具有单一极值的半导体中起主要散射作用的是长波，在长声学波中，只有纵波在散射中起主要作用。
在半导体中长波起主要作用的是：纵声学波散射。 在离子晶体中起主要作用的是：纵光学波散射。
6． 电离杂质散射：当载流子运动到电离杂质附近时，由于 库伦势场（库伦斥力） 的作用，就使载流子运动的方向发生改变，以速度v 接近电离杂质，在原子核附近的散射。 6. 欧姆定律的微分形式：
载流子的迁移率由其主要作用的散射机构决定。
低温时，杂质散射占主导地位；因此，迁移率μ是杂质浓度N i 的函数。
高温时，晶格散射占主导地位；因此迁移率μ对N i 的依赖很小。
杂质浓度小时，迁移率μ趋于一定值，不随杂质浓度而变化，说明此时晶格散射相对占据主导地位。 随着杂质浓度N i 的增大，电离杂质散射相对占据主导地位. （7）温度T 越高，晶格散射越强，此时迁移率μ越小。
（8）杂质N i 越大，杂质电离散射越强，此时迁移率μ越小。 1．非平衡载流子的产生：电注入，光注入，高能粒子激发
电子的连续性方程：G
n
E n
x n E
x n D n n n n
+?-
??-??-??=??μμ2 右侧第一项为扩散流密度不均匀引起的载流子变化；第二项为载流子浓度不均匀引起的积累；第三项为不均匀电场导致漂移速度随空间位置变化引起的积累，第四项为复合率；第五项为产生率。 按复合释能的方式分为辐射复合（发射光子）、发射声子和俄歇效应。
强N 型区：寿命是与载流子浓度无关的常数，仅取决复合中心对空穴的俘获几率。 强P 型区：寿命与载流子浓度无关, 是由复合中心对电子的俘获几率决定的常数 最有效的复合中心在禁带中央，而最有效的陷阱能级在费米能级附近。 简答题：
1. 平均自由程与扩散长度有何不同？平均自由时间与非平衡载流子的寿命又有何不同？
答：平均自由程是在连续两次散射之间载流子自由运动的平均路程。而扩散长度则是非平衡载流子深入样品的平均距离。它们的不同之处在于平均自由程由散射决定，而扩散长度由扩散系数和材料的寿命来决定。
平均自由时间是载流子连续两次散射平均所需的自由时间，非平衡载流子的寿命是指非平衡载流子的平均生存时间。前者与散射有关，散射越弱，平均自由时间越长；后者由复合几率决定，它与复合几率成反比关系。 2. 漂移运动和扩散运动有什么不同？漂移运动与扩散运动之间有什么联系？
答：不同：漂移运动是载流子在外电场的作用下发生的定向运动，而扩散运动是由于浓度分布不均匀导致载流子从浓度高的地方向浓度底的方向的定向运动。前者的推动力是外电场，后者的推动力则是载流子的分布不匀。
联系：漂移运动与扩散运动之间通过迁移率与扩散系数相联系。而迁移率与扩散系数则通过爱因斯坦关系相联系，二者的比值与温度成反比关系。即：
T
k q D 0=
μ
（本题最好看一下）2.某N 型半导体掺杂浓度 N D ＝1016cm -3
，少子寿命10μs ，在均匀光的照射下产生非平衡载流子，产生
率为1018 cm -3s -1，试计算室温时光照情况下的费米能级并和原来无光照时的费米能级比较。设n i ＝1010cm -3
解：无光照：)exp(00
T
k E E n N n F
i i D --
==
eV
E eV E n N T k E E i i i A i F
3592.010
10ln 026.0ln 1016
0+=+=+=? 稳定光照后：
)exp(
00T
k E E n n n n i n F
i -=?+=
eV E eV E n n T k E E i i i i n F 3594.0101010ln 026.0ln
10
13
160+=++=+=∴
同理：
)exp(
1010/0134020T
k E E n p p n n p p p p F i i i -=?≈+=?+=?+=
eV E eV E n p
T k E E i i i
i p F 18.01010ln
026.0ln
10
13
0-=-=?-=∴
5 p-n 结的电容主要包括 势垒电容 和 扩散电容 两部分。
6 单边突变结势垒区宽度主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度，为什么？
（势垒区内正，负电荷总量相等，掺杂浓度低的，相应的电离杂质浓度也低，需要更大的体积才能获得同样的总量，因此势垒区宽度要宽得多）
2 金属和半导体接触时还可形成非整流接触，即欧姆接触。
3 整流特性首要条件：接触必须形成半导体表面的阻挡层 1.1 半导体
通常是指导电能力介于导体和绝缘体之间的材料，其导带在绝对零度时全空，价带全满，禁带宽度较绝缘体的小许多。 1.2能带
晶体中，电子的能量是不连续的，在某些能量区间能级分布是准连续的，在某些区间没有能及分布。这些区间在能级图中表现为带状，称之为能带。 1.6 直接带隙材料
如果晶体材料的导带底和价带顶在k 空间处于相同的位置，则本征跃迁属直接跃迁，这样的材料即是所谓的直接带隙材料。
1.6 间接带隙材料
如果半导体的导带底与价带顶在k 空间中处于不同位置，则价带顶的电子吸收能量刚好达到导带底时准动量还需要相应的变化
2.1 杂质电离能
杂质电离能是杂质电离所需的最少能量，施主型杂质的电离能等于导带底与杂质能级之差，受主型杂质的电离能等于杂质能级与价带顶之差。 浅能级杂质的作用：
（1）改变半导体的电阻率
（2）决定半导体的导电类型。 深能级杂质的特点和作用：
（1）不容易电离，对载流子浓度影响不大
（2）一般会产生多重能级，甚至既产生施主能级也产生受主能级。 （3）能起到复合中心作用，使少数载流子寿命降低。
（4）深能级杂质电离后成为带电中心，对载流子起散射作用， 使载流子迁移率减少，导电性能下降。 3.2 费米能级
费米能级不一定是系统中的一个真正的能级，它是费米分布函数中的一个参量，具有能量的单位，所以被称为费米能级。它标志着系统的电子填充水平，其大小等于增加或减少一个电子系统自由能的变化量。 3.6 简并半导体
当费米能级位于禁带之中且远离价带顶和导带底时，电子和空穴浓度均不很高，处理它们分布问题时可不考虑包利原理的约束，因此可用波尔兹曼分布代替费米分布来处理在流子浓度问题，这样的半导体被称为非简并半导体。反之则只能用非米分布来处理载流子浓度问题，这种半导体为简并半导体。
4.2 散射
在晶体中运动的载流子遇到或接近周期性势场遭到破坏的区域时，其状态会发生不同程度的随机性改变，这种现象就是所谓的散射。 4.6强电场效应
实验发现，当电场增强到一定程度后，半导体的电流密度不再与电场强度成正比，偏离了欧姆定律，场强进一步增加时，平均漂移速度会趋于饱和，强电场引起的这种现象称为强电场效应。 4.6载流子有效温度Te ：
当有电场存在时，载流子的平均动能比热平衡时高，相当于更高温度下的载流子，称此温度为载流子有效温度。 4.6热载流子：
在强电场情况下，载流子从电场中获得的能量很多，载流子的平均能量大于晶格系统的能量，将这种不再处于热平衡状态的载流子称为热载流子。
产生非平衡载流子的过程称为非平衡载流子的注入。 7.1 接触电势差
两种具有不同功函数的材料相接触后，由于两者的费米能级不同导致载流子的流动，从而在两者间形成电势差，称该电势差为接触电势差。
7.1 电子亲和能导带底的电子摆脱束缚成为自由电子所需的最小能量。
霍尔效应将通有x方向电流的晶体置于z方向的磁场中，则在洛仑磁力作用下在y方向会产生附加电场，这种现象被称为霍尔效应。
霍尔角在磁场作用下，半导体中的电流可能与电场不在同一方向上，两者间的夹角称为霍尔角。
一、名词解释（本大题共5题每题4分，共20分） 1. 直接复合：导带中的电子越过禁带直接跃迁到价带，与价带中的空穴复合，这样的复合过程称为直接复合。 2.本征半导体：不含任何杂质的纯净半导体称为本征半导体，它的电子和空穴数量相同。 3．简并半导体：半导体中电子分布不符合波尔兹满分布的半导 体称为简并半导体。 过剩载流子：在光注入、电注入、高能辐射注入等条件下，半导体材料中会产生高于热平衡时浓度的电子和空穴，超过热平衡浓度的电子△0和空穴△0称为过剩载流子。 4. 有效质量、纵向有效质量与横向有效质量 答：有效质量：由于半导体中载流子既受到外场力作用，又受到半导体内部周期性势场作用。有效概括了半导体内部周期性势场的作用，使外场力和载流子加速度直接联系起来。在直接由实验测得的有效质量后，可以很方便的解决电子的运动规律。 5. 等电子复合中心 等电子复合中心：在 V族化合物半导体中掺入一定量与主原子等价的某种杂质原子，取代格点上的原子。由于杂质原子与主原子之间电性上的差别，中性杂质原子可以束缚电子或空穴而成为带电中心。带电中心吸引与被束缚载流子符号相反的载流子，形成一个激子束缚态。这种激子束缚态叫做等电子复合中心。二、选择题（本大题共5题每题3分，共15分）
1．对于大注入下的直接辐射复合，非平衡载流子的寿命与（D ） A. 平衡载流子浓度成正比 B. 非平衡载流子浓度成正比 C. 平衡载流子浓度成反比 D. 非平衡载流子浓度成反比 2．有3个硅样品，其掺杂情况分别是： 甲．含铝1×10-153乙.含硼和磷各1×10-173丙.含镓1×10-173 室温下，这些样品的电子迁移率由高到低的顺序是（C ）甲乙丙 B. 甲丙乙 C. 乙甲丙D. 丙甲乙 3．有效复合中心的能级必靠近( A ) A.禁带中部 B.导带 C.价带 D.费米能级 4．当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（C ） A.10 B.1/△n C.10 D.1/△p 5．半导体中载流子的扩散系数决定于其中的( A ) A.散射机构 B. 复合机构 C.杂质浓变梯度 D.表面复合速度 6．以下4种半导体中最适合于制作高温器件的是（ D ）
一、p-n结 1.PN结的杂质分布、空间电荷区，电场分布 （1）按照杂质浓度分布，PN 结分为突变结和线性缓变结 突变结--- P区与N区的杂质浓度都是均匀的，杂质浓度在冶金结面处（x = 0）发生突变。 单边突变结---一侧的浓度远大于另一侧，分别记为PN+ 单边突变结和P+N 单边突变结。后面的分析主要是建立在突变结（单边突变结）的基础上 突变结近似的杂质分布。
线性缓变结--- 冶金结面两侧的杂质浓度均随距离作线性变化，杂质浓度梯 a 为常数。在线性区 () N x ax =- () 常数 = - = dx N N d a a d 线性缓变结近似的杂质分布。
空间电荷区：PN结中，电子由N区转移至P区，空穴由P区转移至N区。电子和空穴的转移分别在N区和P区留下了未被补偿的施主离子和受主离子。它们是荷电的、固定不动的，称为空间电荷。空间电荷存在的区域称为空间电荷区。 （2）电场分布 2.平衡载流子和非平衡载流子 （1）平衡载流子--处于非平衡状态的半导体,其载流子浓度为n0和p0。 （2）非平衡载流子--处于非平衡状态的半导体，其载流子浓度也不再是n0和p0（此处0是下标），可以比他们多出一部分。比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子 3. Fermi 能级，准Fermi 能级，平衡PN结能带图，非平衡PN结能带图 (1)Fermi 能级:平衡PN结有统一的费米能级。 （2）当pn结加上外加电压V后，在扩散区和势垒区范围内，电子和空穴没有统一的费米能级，分别用准费米能级。 （3）平衡PN结能带图
（4）非平衡PN结能带图
风险管理期末考试试题（A 卷） 一、单项选择题（本大题共20小题，每小题1分，共20分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选 或未选均无分。 1. 大多数纯粹风险属于（ ） A. 经济风险 B.静态风险 C.特定风险 D .财产风险 2. 以下属于投机风险的是（ ） A.交通事故 B.买卖股票 C.地震 D.火灾 3 .保险属于（ ） A.避免风险 B.自留风险 C.中和风险 D.转移风险 4. 安装避雷针属于 （ ） A.损失抑制 B.损失预防 C.风险避免 D.风险转移 5. 医生在手术前要求病人家属签字的行为属于 （ ） 6. 多米诺骨牌理论的创立者是 （ ） A.哈顿 B.海因里希 C.加拉格尔 D.马歇尔 7. 在风险事故发生前达成的借贷协议属于 （ ） A.内部借款 B.特别贷款 C.应急贷款 D.抵押借款 8. 营业中断损失属于（ ） A.直接损失 B.间接损失 C. 责任损失 D.额外费用损失 9. 当保险方与被保险方对合同的理解不一致时，对合同的解释应有利于 （ ） A.保险方 B. 第三方 C. 被保险方 D.具体情况具体确定 10. 关于团体保险以下说法正确的是（ ） A.保险金额无上限 B.增加了逆选择 C.对团体的性质有要求 D.不能免体检 11. 实施风险管理的首要步骤是（ ） A.风险识别 B.风险评价 C.风险处理 D.风险管理决策 12. 选择保险人时，以下因素中最重要的是（ ） A.费率高低 B.规模大小 C.偿付能力 D.折扣多少 13. 以下属于特定风险的是（ ） A.战争 B.通货膨胀 C.自然灾害 D.偷窃 14. 在一定的概 率水平下，单一风险单位因单一事故所致的最大损失称为（ ） B. 最大预期损失 C.损失期望值 D.年度最大可能损失 A.风险避免 B. 风险隔离 C. 风险转移 D. 风险自留 A.最大可能损失
线性代数期末考试题样卷 一、填空题（将正确答案填在题中横线上。每小题2分，共10分） 1. 若02 2 1 50 1 31 =---x ，则=χ__________。 2．若齐次线性方程组??? ??=++=++=++0 00321 321321x x x x x x x x x λλ只有零解，则λ应满足 。 3．已知矩阵n s ij c C B A ?=)(，，，满足CB AC =，则A 与B 分别是 阶矩阵。 4．矩阵??? ? ? ??=32312221 1211 a a a a a a A 的行向量组线性 。 5．n 阶方阵A 满足032 =--E A A ，则=-1A 。 二、判断正误（正确的在括号内填“√”，错误的在括号内填“×”。每小题2分，共10分） 1. 若行列式D 中每个元素都大于零，则0?D 。（ ） 2. 零向量一定可以表示成任意一组向量的线性组合。（ ） 3. 向量组m a a a ，， ，Λ21中，如果1a 与m a 对应的分量成比例，则向量组s a a a ，，，Λ21线性相关。（ ） 4. ? ? ??? ???? ???=010********* 0010 A ，则A A =-1。（ ） 5. 若λ为可逆矩阵A 的特征值，则1 -A 的特征值为λ。 ( ) 三、单项选择题 (每小题仅有一个正确答案，将正确答案题号填入括号内。每小题2分，共10分) 1. 设A 为n 阶矩阵，且2=A ，则=T A A （ ）。 ① n 2 ② 1 2 -n ③ 1 2 +n ④ 4 2. n 维向量组 s ααα，，，Λ21（3 ≤ s ≤ n ）线性无关的充要条件是（ ）。 ① s ααα，， ，Λ21中任意两个向量都线性无关 ② s ααα，， ，Λ21中存在一个向量不能用其余向量线性表示 ③ s ααα，， ，Λ21中任一个向量都不能用其余向量线性表示
半导体物理试卷b答案 Document serial number【NL89WT-NY98YT-NC8CB-NNUUT-NUT108】
一、名词解释（本大题共5题每题4分，共20分） 1. 直接复合：导带中的电子越过禁带直接跃迁到价带，与价带中的空穴复合，这样的复合过程称为直接复合。 2.本征半导体：不含任何杂质的纯净半导体称为本征半导体，它的电子和空穴数量相同。 3．简并半导体：半导体中电子分布不符合波尔兹满分布的半导体称为简并半导体。 过剩载流子：在光注入、电注入、高能辐射注入等条件下，半导体材料中会产生高于热平衡时浓度的电子和空穴，超过热平衡浓度的电子△n=n-n 和空穴 称为过剩载流子。 △p=p-p 4. 有效质量、纵向有效质量与横向有效质量 答：有效质量：由于半导体中载流子既受到外场力作用，又受到半导体内部周期性势场作用。有效概括了半导体内部周期性势场的作用，使外场力和载流子加速度直接联系起来。在直接由实验测得的有效质量后，可以很方便的解决电子的运动规律。 5. 等电子复合中心 等电子复合中心：在III- V族化合物半导体中掺入一定量与主原子等价的某种杂质原子，取代格点上的原子。由于杂质原子与主原子之间电性上的差别，中性杂质原子可以束缚电子或空穴而成为带电中心。带电中心吸引与被束缚载流子符号相反的载流子，形成一个激子束缚态。这种激子束缚态叫做等电子复合中心。 二、选择题（本大题共5题每题3分，共15分） 1．对于大注入下的直接辐射复合，非平衡载流子的寿命与（D ） A. 平衡载流子浓度成正比 B. 非平衡载流子浓度成正比 C. 平衡载流子浓度成反比 D. 非平衡载流子浓度成反比2．有3个硅样品，其掺杂情况分别是： 甲．含铝1×10-15cm-3乙.含硼和磷各1×10-17cm-3丙.含镓1×10-17cm-3室温下，这些样品的电子迁移率由高到低的顺序是（C ） 甲乙丙 B. 甲丙乙 C. 乙甲丙 D. 丙甲乙
第一章、 半导体中的电子状态习题 1-1、 什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说 明之。 1-2、 试定性说明Ge 、Si 的禁带宽度具有负温度系数的原因。 1-3、试指出空穴的主要特征。 1-4、简述Ge 、Si 和GaAS 的能带结构的主要特征。 1-5、某一维晶体的电子能带为 [])sin(3.0)cos(1.01)(0ka ka E k E --= 其中E 0=3eV ，晶格常数a=5х10-11m 。求： （1） 能带宽度； （2） 能带底和能带顶的有效质量。 题解： 1-1、 解：在一定温度下，价带电子获得足够的能量（≥E g ）被激发到导带成 为导电电子的过程就是本征激发。其结果是在半导体中出现成对的电子-空穴对。如果温度升高，则禁带宽度变窄，跃迁所需的能量变小，将会有更多的电子被激发到导带中。 1-2、 解：电子的共有化运动导致孤立原子的能级形成能带，即允带和禁带。温 度升高，则电子的共有化运动加剧，导致允带进一步分裂、变宽；允带变宽，则导致允带与允带之间的禁带相对变窄。反之，温度降低，将导致禁带变宽。因此，Ge 、Si 的禁带宽度具有负温度系数。 1-3、 解：空穴是未被电子占据的空量子态，被用来描述半满带中的大量电子的 集体运动状态，是准粒子。主要特征如下： A 、荷正电：+q ； B 、空穴浓度表示为p （电子浓度表示为n ）； C 、E P =-E n D 、m P *=-m n *。 1-4、 解： （1） Ge 、Si: a ）Eg (Si ：0K) = 1.21eV ；Eg (Ge ：0K) = 1.170eV ； b ）间接能隙结构 c ）禁带宽度E g 随温度增加而减小； （2） GaAs ： a ）E g （300K ）= 1.428eV ，Eg (0K) = 1.522eV ； b ）直接能隙结构； c ）Eg 负温度系数特性： dE g /dT = -3.95×10-4eV/K ； 1-5、 解： （1） 由题意得： [][])sin(3)cos(1.0)cos(3)sin(1.002 2 20ka ka E a k d dE ka ka aE dk dE +=-=
2010-2011学年度第二学期 09 级《网络营销》期末考试试卷（ A 卷 ） 一、单选题（每空 2 分，共 40 分） 1．企业可借助互联网将不同的营销活动进行统一规划和协调，以统 一的资信向消费者传达信息，这体现 了网络营销的（C ）特点。 A 、互动性 B 、整合性 C 、跨时空性 D 、成长性 2．网络营销与传统营销相 比，以下说法错误的是（ A ） C 、决策速度不同 D 、促销力度不同 B 、大多数网民不希望在网上购物 D 、上网购物的人大多数是高收入者 4．迅速、灵敏地收集市场发展各方面的最新动态是网络商务信息的（ A ） A 、及时性 B 、准确性 C 、适度性 D 、经济 5.下列调查问卷中的问题最恰当的是（ D ) A 、这种酱油很润口吧？ B 、最近两个月你从这家电器商店购买了什么家电产品？ C 、请冋你每天看杂志的平均时间为（ ）小时（ ）分？ D 、你的教育程度：（1）不识字（2）小学（3）中学（4）大学（5）大学以上 6．网络商务信息可以方便地下载到本地计算机上管理，在原有各个网站上也有信息存储系统，可以到原有 信息源中再次查找，说明的是网络商务信息的（ C ） A 、加工筛选难度高 B 、准确性高 C 、便于存储 D 、时效性强 7．E-mail 之所以能够成为一种流行的营销工具，主要是因为 E-mail （C ） A 、宣传面广 B 、具有简单性 C 、廉价 D 、具有独立性 8．下列哪个是 E-mail 营销的缺点（ B ） A 、满足用户个性化需求 B 、垃圾邮件问题 C 、保密性相对好 D 、促进顾客关系 9. 下列（B ）不属于企业创建网站的途径。 A 、自建 B 、购买商品网站 C 、委托开发商建站 D 、使用开发网站 10. 网站在（D ）之后进入正常运行期。 A 、网站实现 B 、网页调试 C 、网页维护 D 、网页发布 A 、目标不同 B 、销售方式不同 3．以下叙述中正确的是（ A ） A 、大多数网民希望在网上购物 C 、大多数网民现在在网上购物
一、填空题 1．纯净半导体Si 中掺错误！未找到引用源。族元素的杂质，当杂质电离时释放 电子 。这种杂质称 施主 杂质；相应的半导体称 N 型半导体。 2．当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做 扩散 运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做 漂移 运动。 3．n o p o =n i 2标志着半导体处于 平衡 状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积n o p o 改变否？ 不变 ；当温度变化时，n o p o 改变否？ 改变 。 4．非平衡载流子通过 复合作用 而消失， 非平衡载流子的平均生存时间 叫做寿命τ，寿命τ与 复合中心 在 禁带 中的位置密切相关，对于强p 型和 强n 型材料，小注入时寿命τn 为 ，寿命τp 为 . 5． 迁移率 是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量， 扩散系数 是反映有浓度梯度时载 q n n 0=μ ，称为 爱因斯坦 关系式。 6．半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是电离杂质散射 和 晶格振动散射 。前者在 电离施主或电离受主形成的库伦势场 下起主要作用，后者在 温度高 下起主要作用。 7．半导体中浅能级杂质的主要作用是 影响半导体中载流子浓度和导电类型 ；深能级杂质所起的主要作用 对载流子进行复合作用 。 8、有3个硅样品，其掺杂情况分别是：甲 含铝1015cm -3 乙. 含硼和磷各1017 cm -3 丙 含镓1017 cm -3 室温下，这些样品的电阻率由高到低的顺序是 乙 甲 丙 。样品的电子迁移率由高到低的顺序是甲丙乙 。费米能级由高到低的顺序是 乙> 甲> 丙 。 9．对n 型半导体，如果以E F 和E C 的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准，那么 T k E E F C 02>- 为非简并条件； T k E E F C 020≤-< 为弱简并条件； 0≤-F C E E 为简并条件。 10．当P-N 结施加反向偏压增大到某一数值时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为 PN 结击穿 ，其种类为： 雪崩击穿 、和 齐纳击穿（或隧道击穿） 。 11．指出下图各表示的是什么类型半导体？ 12. 以长声学波为主要散射机构时，电子迁移率μn 与温度的 -3/2 次方成正比 13 半导体中载流子的扩散系数决定于其中的 载流子的浓度梯度 。 14 电子在晶体中的共有化运动指的是 电子不再完全局限在某一个原子上，而是可以从晶胞中某一点自由地运动到其他晶胞内的对应点，因而电子可以在整个晶体中运动 。 二、选择题 1根据费米分布函数，电子占据（E F +kT ）能级的几率 B 。 A ．等于空穴占据（E F +kT ）能级的几率 B ．等于空穴占据（E F －kT ）能级的几率 C ．大于电子占据E F 的几率 D ．大于空穴占据 E F 的几率 2有效陷阱中心的位置靠近 D 。 A. 导带底 B.禁带中线 C ．价带顶 D ．费米能级 3对于只含一种杂质的非简并n 型半导体，费米能级E f 随温度上升而 D 。 A. 单调上升 B. 单调下降 C ．经过一极小值趋近E i D ．经过一极大值趋近E i 7若某半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定＿D ＿。 A ．不含施主杂质 B ．不含受主杂质 C ．不含任何杂质 D ．处于绝对零度
半导体物理知识点总结 本章主要讨论半导体中电子的运动状态。主要介绍了半导体的几种常见晶体结构，半导体中能带的形成，半导体中电子的状态和能带特点，在讲解半导体中电子的运动时，引入了有效质量的概念。阐述本征半导体的导电机构，引入了空穴散射的概念。最后，介绍了Si、Ge和GaAs的能带结构。 在1.1节，半导体的几种常见晶体结构及结合性质。（重点掌握）在1.2节，为了深入理解能带的形成，介绍了电子的共有化运动。介绍半导体中电子的状态和能带特点，并对导体、半导体和绝缘体的能带进行比较，在此基础上引入本征激发的概念。（重点掌握）在1.3节，引入有效质量的概念。讨论半导体中电子的平均速度和加速度。（重点掌握）在1.4节，阐述本征半导体的导电机构，由此引入了空穴散射的概念，得到空穴的特点。（重点掌握）在1.5节，介绍回旋共振测试有效质量的原理和方法。（理解即可）在1.6节，介绍Si、Ge的能带结构。（掌握能带结构特征）在1.7节，介绍Ⅲ-Ⅴ族化合物的能带结构，主要了解GaAs的能带结构。（掌握能带结构特征）本章重难点： 重点： 1、半导体硅、锗的晶体结构（金刚石型结构）及其特点； 三五族化合物半导体的闪锌矿型结构及其特点。 2、熟悉晶体中电子、孤立原子的电子、自由电子的运动有何不同：孤立原子中的电子是在该原子的核和其它电子的势场中运动，自由电子是在恒定为零的势场中运动，而晶体中的电子是在严格周期性重复排列的原子间运动（共有化运动），单电子近似认为，晶体中的某一个电子是在周期性排列且固定不动的原子核的势场以及其它大量电子的平均势场中运动，这个势场也是周期性变化的，而且它的周期与晶格周期相同。 3、晶体中电子的共有化运动导致分立的能级发生劈裂，是形成半导体能带的原因，半导体能带的特点： ①存在轨道杂化，失去能级与能带的对应关系。杂化后能带重新分开为上能带和下能带，上能带称为导带，下能带称为价带②低温下，价带填满电子，导带全空，高温下价带中的一部分电子跃迁到导带，使晶体呈现弱导电性。
教育学期末考试试卷（A）卷 一．填空题（每空1分共20分） 1．1776年，康德在哥尼斯堡大学讲授教育学,这是教育学列入大学课程的开端。 2．德国的梅伊曼拉伊是近代教育学实验派的代表。 3 环境在人的发展中起潜移默化耳濡目染作用。 4 中国第一个近代学制是壬寅学制。 5 巩固性原则的基本要求有在理解的基础上掌握知识、在复习的基础上掌握知识。 6 教育目的主要包括身心素质和社会价值两部分。 7 根据教学评价在教学过程中的作用不同，可以分为诊断性评价、形成性评 价、总结性评价。 8 学生品德的发展是在活动中实现的。 9 教师劳动的特点包括强烈的示范性、独特的创造性、空间的延续性和时间 的连续性。 10 陶冶包括人格感化、环境陶冶、艺术陶冶。 二．（判断只写出对或者错不必说明理由每题1。5分共15分） 1．世界最早的教育专着是《学记》。（√） 2 信息论研究问题的基本方法，是把整体的运动过程当作信息的输入传递和转换消解过程来研究。（×） 3 社会主义教育最先提出教育普及的口号，是社会发展的必然。（×） 4生产力的发展影响教育的速度和规模。（√） 5 “六三三”制又称壬戌学制，是新中国成立后颁布的。（×） 6 教学大纲是根据教学计划，以纲要的形式编写的有关学科教学内容的指导性文件， 它的基本部分是说明部分。（×） ７赞可夫在小学做了“教学与发展”的实验证明：学生的发展远没达到极限，主张高速度高难度教学，教学走在发展的前面。同时论述了教学过程的结构。（×）８老师教学质量除与业务水平有关外，还与教学态度学生的学习态度有关。 （√） ９班主任制定班级目标是要高标准难度大，激励作用才明显。（×） 10 热爱学生不是教师职业道德的核心。（×） 三．简答（共37分） 1.教育对生产力的推动作用有哪些？（6分）P61~63 （1）教育是劳动力再生产的必要手段（2）教育是科学知识技术再生产的手段（3）教育是生产新的科学知识技术的手段 2.怎样理解人的发展过程中的阶段性规律？（10分） 从总体上看，在个体发展的不同阶段会表现出不同的年龄特征及主要矛盾，面临这不同的发展任务，当然，不同的发展阶段之间是相互联系的，上一阶段影响着下一阶段的发展，所以人生的每一个阶段对于人的发展来说，不仅具有本阶段的意义，而且具有人生全程的意义 3．怎样认识教师主导性？（9分）p215三个层次 4．怎样评价班级上课制？（6分） 有利于发挥教师的主导作用，但不利于发挥学生的主体地位；有利于提高教师的效率，但不利于理论联系实际；有利于集体教育，但不利于因材施教。 5．怎样开展德育工作？（6分） 德育内容上要更新；德育方法要改进；从小事做起，由近到远，由小到大，注重实际效
C++期末考试试卷及答案1 一、单项选择题（每题2分，共40分） 1. ______不是属于面向对象程序设计的特性 A. 抽象性 B. 数据相关性 C. 多态性 D. 继承性 2. 将对某一类数据的处理算法应用到另一类数据的处理中,要用到C++的______ A. 类 B. 虚函数 C. 运算符重载 D. 模板 3. C++与C语言最根本的不同之处在于_______ A. 使用了类 B. 能够实现变量自动初始化 C. 支持软件重用 D. 支持接口重用 4. 动态内存分配的主要目的是_______ A. 使程序按动态联编方式运行 B. 正确合理的使用内存 C. 提高程序的运行速度 D. 提高程序的可维护性 5. 在C++函数的形参前加const关键字,是为了提高函数的_______ A. 数据封装性 B. 可理解性 C. 可维护性 D. 可重用性 6. 函数重载的目的是________ A. 实现共享 B. 使用方便，提高可读性 C. 提高速度 D. 减少空间 7. 从程序片断：char name[] = "C++"; course(name);可判断函数course的调用采用的是_______ A. 传值调用 B. 带缺省参数值的函数调用 C. 引用调用 D. 传址调用 8. 用来说明类中公有成员的关键字是________
9. 如果一个类的成员函数print()不修改类的数据成员值，则应将其声明为 A. void print() const; B. const void print(); C. void const print(); D. void print(const); 10. 下列关于构造函数的论述中,不正确的是_______ A. 构造函数的函数名与类名相同 B. 构造函数可以设置默认参数 C. 构造函数的返回类型缺省为int型 D. 构造函数可以重载 11. 在程序代码：A::A(int a, int *b) { this->x = a; this->y = b; }中，this的类型是______ A. int B. int * C. A D. A * 12. 内存泄漏是指_______ A. 内存中的数据出现丢失 B.试图释放一个已经释放了的动态分配的堆内存 C. 函数中局部变量所占的栈内存没有及时回收 D. 动态分配的堆内存在程序退出后始终被占用 A. 私有成员数据 B. 私有成员函数 C. 公有成员数据 D. 公有成员函数 14. 友元函数_______ A. 可以被声明为const B. 没有this指针 C. 可以用类名或对象名来调用 D. 只能用对象名来调用 15. 若一个类的成员函数前用static关键字修饰，则该成员函数________ A. 可以被声明为const B. 没有this指针 C. 可以访问该类的所有成员 D. 只能用对象名来调用 16. C++是用_______实现接口重用的
1.与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量 （ B ）。 A. 比绝缘体的大 B.比绝缘体的小 C. 和绝缘体的相同 2.受主杂质电离后向半导体提供（ B ），施主杂质电离后向半 导体提供（ C ），本征激发向半导体提供（ A ）。 A. 电子和空穴 B.空穴 C. 电子 3.对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费 米能级会（ B ）。 A.上移 B.下移 C.不变 4.在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为 常数，它和（ B ）有关 A.杂质浓度和温度 B.温度和禁带宽度 C.杂质浓度和禁带宽度 D.杂质类型和温度 5.MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型 （ B ）。 A.相同 B.不同 C.无关 6.空穴是( B )。 A.带正电的质量为正的粒子 B.带正电的质量为正的准粒子 C.带正电的质量为负的准粒子 D.带负电的质量为负的准粒子 7.砷化稼的能带结构是（ A ）能隙结构。 A. 直接 B.间接 8.将Si掺杂入GaAs中，若Si取代Ga则起（ A ）杂质作
用，若Si 取代As 则起（ B ）杂质作用。 A. 施主 B. 受主 C. 陷阱 D. 复合中心 9. 在热力学温度零度时，能量比F E 小的量子态被电子占据的概率为 （ D ），当温度大于热力学温度零度时，能量比F E 小的 量子态被电子占据的概率为（ A ）。 A. 大于1/2 B. 小于1/2 C. 等于1/2 D. 等于1 E. 等于0 10. 如图所示的P 型半导体MIS 结构 的C-V 特性图中，AB 段代表 （ A ），CD 段代表（B ）。 A. 多子积累 B. 多子耗尽 C. 少子反型 D. 平带状态 11. P 型半导体发生强反型的条件（ B ）。 A. ???? ??=i A S n N q T k V ln 0 B. ??? ? ??≥i A S n N q T k V ln 20 C. ???? ??=i D S n N q T k V ln 0 D. ??? ? ??≥i D S n N q T k V ln 20 12. 金属和半导体接触分为：（ B ）。 A. 整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 B. 整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 C. 非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 D. 非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 13. 一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，若光照
基本概念题： 第一章半导体电子状态 1.1 半导体 通常是指导电能力介于导体和绝缘体之间的材料，其导带在绝对零度时全空，价带全满，禁带宽度较绝缘体的小许多。 1.2能带 晶体中，电子的能量是不连续的，在某些能量区间能级分布是准连续的，在某些区间没有能及分布。这些区间在能级图中表现为带状，称之为能带。 1.2能带论是半导体物理的理论基础，试简要说明能带论所采用的理论方法。 答： 能带论在以下两个重要近似基础上，给出晶体的势场分布，进而给出电子的薛定鄂方程。通过该方程和周期性边界条件最终给出E-k关系，从而系统地建立起该理论。 单电子近似： 将晶体中其它电子对某一电子的库仑作用按几率分布平均地加以考虑，这样就可把求解晶体中电子波函数的复杂的多体问题简化为单体问题。 绝热近似： 近似认为晶格系统与电子系统之间没有能量交换，而将实际存在的这种交换当作微扰来处理。 1.2克龙尼克—潘纳模型解释能带现象的理论方法 答案： 克龙尼克—潘纳模型是为分析晶体中电子运动状态和E-k关系而提出的一维晶体的势场分布模型，如下图所示 利用该势场模型就可给出一维晶体中电子所遵守的薛定谔方程的具体表达式，进而确定波函数并给出E-k关系。由此得到的能量分布在k空间上是周期函数，而且某些能量区间能级是准连续的（被称为允带），另一些区间没有电子能级（被称为禁带）。从而利用量子力学的方法解释了能带现象，因此该模型具有重要的物理意义。 1.2导带与价带 1.3有效质量 有效质量是在描述晶体中载流子运动时引进的物理量。它概括了周期性势场对载流子运动的影响，从而使外场力与加速度的关系具有牛顿定律的形式。其大小由晶体自身的E-k
数据库期末考试试卷 A 卷 时间： 90 分钟总分： 100 分 题次一（ 50 分）二（ 40 分）三（ 10 分）总（ 100 分） 得分 注:请大家在试卷上注明自己的学号。 :一、选择题。（每题 2 分，共50 分） 名题号12345678910 姓答案 题号11121314151617181920 答案 题号2122232425 答案 1、 ACCESS 数据库是（）。 A 、层状数据库 B、网状数据库 C、关系型数据库 D、树状数据库 2、在 ACCESS 数据库中，数据保存在（）中。 A 、窗体 B、查询 :C、报表 号D、表 学3、数据库系统的核心是（） A 、用户 B、数据 C、数据库管理系统 D、硬件 4、关系数据库中，一个关系代表一个（） A 、表 B、查询 C、行 D、列 5、 ACCESS 数据库文件的扩展名是（）。 A 、 DBF :B、 DBT C、 M DF 级 D、 MDB 班 6、关系类型中的“一对多”指的是（）。 A 、一个字段可以有许多输入项 B、一条记录可以与不同表中的多条记录相关 C、一个表可以有多个记录 D、一个数据库可以有多个表 7、数据库文件中包含（）对象。 A 、表 B、查询 C、窗体 D、以上都包含 8、在 ACCESS 的下列数据类型中，不能建立索引的数据类型是（）。 A 、文本型 B、备注型 C、数字型 D、日期时间型 9、如果某一字段数据类型为文本型、字段大小为8，该字段中最多可输入（）个汉字 A 、 8 B 、 4 C、 16 D 、32 10、在定义表字段时，输入掩码向导只能处理哪两种字段类型（）。 A 、文本和数字B、文本和日期型 C、数据和日期型 D、货币和日期 11、下列哪一个不是设置“关系”时的选项（）。 A 、实施参照完整性B、级联更新相关字段 C、级联追加相关记录 D、级联删除相关记录 12、如果字段内容为声音文件，可将此字段定义为（）类型。 A 、文本B、查阅向导C、 OLE 对象D、备注 13、在表设计视图中，如果要限定数据的输入格式，应修改字段的（）属性。 A 、格式B、有效性规则C、输入格式 D 、输入掩码 14、一般情况下，以下哪个字段可以作为主关键字（） A 、基本工资 B 、补贴C、职工姓名D、身份证号码 15、级联删除相关记录的含义是（） A、删除主表中的记录，将删除任何相关表中的相关记录 B、删除相关表中的记录，将删除主表中的记录 C、只能删除“一对一”表中的相关记录 D、不能删除“一对多”表中的相关记录 16、文本型字段最多可以存放（）个字符。 A 、250B、 10C、 254D、 255 17、下面有关主键的叙述正确的是（）。 A、不同的记录可以具有重复的主键值或空值 B、一个表中的主键何以是一个或多个 C、在一个表中的主键只可以是一个字段 D、表中的主键的数据类型必须定义为自动编号或文本 18、下面有关ACCESS 数据库的叙述正确的是（） 1
初一期末考试试卷及答案2019 一、请你选择（共40分） ——认真细致，点滴做起！ ▲单项选择（8小题，每题3分，共24分。下列每小题的四个选项中，只有一项是最符合题意的，请将所选项字母填入题后括号） 1、升入初中，进入新的学习环境，绝大部分学生感觉不适合，这是() A．正常的，没必要理会 B.正常的，但也必须采取适当措施积极应对 C．会严重危害身心健康 D.不正常的，是想辍学的表现 2、在新的学校,大家都希望尽快让老师理解和了解自己。下列做法准确的是() A．上课说话，让老师理解自己 B．独来独往，让老师注意自己 C．学习中积极主动，向老师提问题、请教 D．让父母来找老师，替你说点好话 3、良好的班集体不但能保障我们学习活动的顺利实行，而且能促动我们生活水平和综合素质的提升。它的建设取决于() A．是否具有健康向上的班风B．班主任对班级同学的严厉水准 C．班级同学的自身素质D．教师和教学设备的优劣
4、我国保障适龄儿童、少年接受义务教育的专门法律是() A．教育法B．宪法C．刑法D．义务教育法 5、观察漫画，图中父亲的行为侵犯了孩子() A．受教育权B．人格尊严 C．姓名权D．隐私权 6、无论别人给予我们的协助多么微不足道，我们都应该诚恳的说一声() A、请B对不起C、谢谢D、劳驾 7、即使我们每个人的境遇和条件不同，但人生来平等，这种平等应该得到充分的尊重，人与人之间的平等，集中表现在() ①人格上的平等②出身的平等③法律地位上的平等④财富上的平均 A、①④ B、②④ C、①③ D、③④ 8、宽容并不意味着是非不分，曲直不辨，也不是爱憎不明，麻木不仁，这充分说明() A、宽容就是要原谅一切 B、宽容是原谅和不计较他人 C、宽容就是宽厚待人，与人为善 D、宽容是有原则的，不是盲目的 ▲多项选择（4小题，每小题4分，共16分。下列每小题的四个选项中，至少有两项是符合题意的，请将所选项字母填入题后括号。多选、错选均不得分。少选者：若有两个准确选项，只选一项者得2
半导体物理 绪 论 一、什么是半导体 导体 半导体 绝缘体 电导率ρ <10- 9 3 10~10- 9 10> cm ?Ω 此外，半导体还有以下重要特性 1、 温度可以显著改变半导体导电能力 例如：纯硅（Si ） 若温度从 30C 变为C 20时，ρ增大一倍 2、 微量杂质含量可以显著改变半导体导电能力 例如：若有100万硅掺入1个杂质（P . Be ）此时纯度99.9999% ，室温（C 27 300K ）时，电阻率由214000Ω降至0.2Ω 3、 光照可以明显改变半导体的导电能力 例如：淀积在绝缘体基片上（衬底）上的硫化镉（CdS ）薄膜，无光照时电阻（暗电阻）约为几十欧姆，光照时电阻约为几十千欧姆。 另外，磁场、电场等外界因素也可显著改变半导体的导电能力。 综上： ● 半导体是一类性质可受光、热、磁、电，微量杂质等作用而改变其性质的材料。 二、课程内容 本课程主要解决外界光、热、磁、电，微量杂质等因素如何影响半导体性质的微观机制。 预备知识——化学键的性质及其相应的具体结构 晶体：常用半导体材料Si Ge GaAs 等都是晶体 固体 非晶体：非晶硅（太阳能电池主要材料） 晶体的基本性质：固定外形、固定熔点、更重要的是组成晶体的原子（离子）在较大范围里（6 10-m ）按一定方式规则排列——称为长程有序。 单晶：主要分子、原子、离子延一种规则摆列贯穿始终。 多晶：由子晶粒杂乱无章的排列而成。 非晶体：没有固定外形、固定熔点、内部结构不存在长程有序，仅在较小范围（几个原子距）存在结构有 序——短程有序。 §1 化学键和晶体结构 1、 原子的负电性 化学键的形成取决于原子对其核外电子的束缚力强弱。 电离能：失去一个价电子所需的能量。 亲和能：最外层得到一个价电子成为负离子释放的能量。(ⅡA 族和氧除外) 原子负电性=（亲和能+电离能）18.0? （Li 定义为1） ● 负电性反映了两个原子之间键合时最外层得失电子的难易程度。 ● 价电子向负电性大的原子转移 ⅠA 到ⅦA ，负电性增大，非金属性增强
大学____学院201#—201#学年第____学期 《会计学》期末考试试卷 一、单项选择题（在每小题的四个备选答案中，选出一个正确的，答案请誊写在答题纸上。每小题1分，共20分） 1.借贷记账法下，收入类账户在期末（）。[ ] A.一般无余额 B.可能有借方余额 C.一般有借方余额 D.一般有贷方余额 【参考答案】 2.下列会计账户中属于资产类账户的是（）。[ ] A.应付票据 B.预付账款 C.实收资本 D.预收账款 【参考答案】 3.负债类账户的结构特点是（）。[ ] A.借方登记增加，贷方登记减少，余额一般在借方。 B.借方登记减少，贷方登记增加，余额一般在借方。 C.借方登记增加，贷方登记减少，余额一般在贷方。 D.借方登记减少，贷方登记增加，余额一般在贷方。 【参考答案】 4.在借贷记帐法下，资产类帐户的期末余额＝（）。[ ] A.期初借方余额＋本期借方发生额－本期贷方发生额 B.期初贷方余额＋本期贷方发生额－本期借方发生额 C.期初借方余额＋本期贷方发生额－本期借方发生额 D.期初贷方余额＋本期借方发生额－本期贷方发生额 【参考答案】 5.引起资产和所有者权益同时增加的经济业务是（）。[ ] A、收到股东投资款 B、从税后利润中提取盈余公积 C、动用银行存款购买库存商品 D、从银行取得一笔短期借款 【参考答案】 6. .下列科目中，不能作为“本年利润”的对应账户的是（）。[ ] A.管理费用 B.营业费用 C.利润分配 D.固定资产 【参考答案】 7.计 算发出存 货的成本 时，《企业 会计准则 第1号—— 存货》未允 许采用的 计价方法 是（）。 [ ] A.移动加权平均法 B.先进先出法 C.加权平均法 D.后进先出法 【参考答案】 8.下列各项中，不通过“其他货币资金”科目核算的是（）。[ ] A．信用证存款B．预借给职工的出差备用金 C．信用卡存款D．银行本票存款 【参考答案】 9.企业出售无形资产发生的净损失，借记（）科目。[ ]A.主营业务成本B.其他业务支出 C.管理费用 D.营业外支出 【参考答案】 10.企业购进货物发生的下列相关税金中，不应计入资产取得成本的是（）。[ ] A. 被认定为增值税一般纳税人的企业购进商品所支付的增值税 B.被认定为增值税小规模纳税人的企业购进商品支付的增值税 C.进口商品支付的关税 D. 被认定为一般纳税人的企业购进固定资产支付的增值税 【参考答案】 11.下列关于会计凭证的说法中，正确的是（）。[ ] A.原始凭证金额有错误的，可以在原始凭证上划线更正。 B.职工因公出差的借款凭据，必须附在记账凭证之后。收回借款时，应当另开收据或者退还借据副本，不得退还原借款收据。 C.不同内容和类别的原始凭证可以汇总填制在一张记账凭证上。 D.所有记账凭证都必须附有原始凭证。 【参考答案】 12.关于会计基本前提，下列说法中不正确的是：[ ] A.一般来说，法律主体是一个会计主体；但会计主体不一定是法律主体。 B.业务收支以人民币以外的货币为主的企业，可以选定其中一种货币作为记账本位
济南大学学年 2 学期考试试卷（A卷） 课程西方经济学（微观部分）授课教师 考试时间考试班级 姓名学号 一. 单向选择题（共题，每题1分，共分） 1.微观经济学关于人性的假设为：（ A） 2.A．经济人 B．复杂人 C．社会人 D．自我实现人 3.在得出某种商品的个人需求曲线时，下列因素除哪一种外均保持为常数(D ) 4.A．个人收入 B．其余商品的价格 C．个人偏好 D．所考虑商品的价格 5.需求量和价格之所以呈反方向变化，是因为（C ） 6.A．替代效应 B．收入效应 C．边际效用递减 D．边际技术替代率递减 7.消费者预期某物品未来价格要上升，则对该物品当前需求会(B ) 8.A．减少 B．增加 C．不变 D．上述三种情况都可能 9.下列因素哪一种不会使需求曲线作位移(B ) 10.A．消费者收入水平发生变化 B．商品价格下降 11.C．相关商品价格下降 D．消费者偏好变化 12.若消费者收入水平突然增加，同时这种产品的生产技术有很大改进，可以预料(D) 13.A．该商品的需求曲线和供给曲线都向右移动并使均衡价格和产量提高 14.B．该商品的需求曲线和供给曲线都向右移动并使均衡价格和产量下降 15.C．该商品的需求曲线和供给曲线都向左移动并使均衡价格上升而均衡产量下降16.D．二该商品的需求曲线和供给曲线I向句右移动并使均衡产量增加，但均衡价 格可能上升也可能下降 17.如果某种商品供给曲线的斜率为正，在保持其余因素不变的条件下，该商品价格 的上升，导致(A ) 18.A．供给增加 B．供给量增加 C．供给减少 D．供给量减少 19.建筑工人工资提高将使(A ) 20.A．新房子供给曲线左移并使房子价格上升 21.B．新房子供给曲线右移并使房子价格下降 22.C．新房子需求曲线左移并使房子价格下降 23.D．新房子需求曲线右移并使房子价格上升 24.若一条线性的需求曲线与一条非线性需求曲线相切，则切点处两曲线的需求价格 弹性(A ) 25.A．相同 B．不同 C．可能相同也可能不同 D．依切点所在位置而定 26.直线型需求曲线的斜率不变，因此其价格弹性也不变，这个说法（ B ） 27.A．一定正确 B．一定不正确 C．可能不正确 D．无法断定正确不正确 28.对劣等商品需求的收入弹性Em是(C ) 29.A．Em＜1 B．Em＝O C．Em＜O D．Em＞0 30.若x和y二产品的交叉弹性是，则(D )。 31.A．x和y是替代品 B．x和y是正常商品 32.C．x和y是劣质品 D．x和y是互补品 33.对于一种商品，消费者想要有的数量都已经拥有了，这时（B ） 34.A．边际效用最大 B．边际效用为零 C．总效用为零 D．以上都不对 35.当总效用以固定比率增加时，边际效用（B） 36.A．增加 B．不变 C．减少 D．为零 37.无差异曲线为斜率不变的直线时，表示相结合的两种商品是(B ） 38.A．可以替代的 B．完全替代的 C．互补的 D．互不相关的。
………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 电子科技大学二零 九 至二零 一零 学年第 一 学期期 末 考试 半导体物理 课程考试题 B 卷 （ 120分钟） 考试形式： 闭卷 考试日期 2010年 元月 18日 课程成绩构成：平时 10 分， 期中 5 分， 实验 15 分， 期末 70 分 一、填空题: （共16分，每空1 分） 1. 简并半导体一般是 重 掺杂半导体，忽略。 2. 处在饱和电离区的N 型Si 半导体在温度升高后，电子迁移率会 下降/减小 ，电阻 3. 4. 随温度的增加，P 型半导体的霍尔系数的符号 由正变为负 。 5. 在半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，它们具有 杂质补偿 的作用，在制 造各种半导体器件时，往往利用这种作用改变半导体的导电性能。 6. ZnO 是一种宽禁带半导体，真空制备过程中通常会导致材料缺氧形成氧空位，存在 氧空位的ZnO 半导体为 N/电子 型半导体。 7. 相对Si 而言，InSb 是制作霍尔器件的较好材料，是因为其电子迁移率较 高/ 8. 掺金工艺通常用于制造高频器件。金掺入半导体Si 中是一种 深能级 9. 有效质量 概括了晶体内部势场对载流子的作用，可通过回旋共振实验来测量。 10. 某N 型Si 半导体的功函数W S 是4.3eV ，金属Al 的功函数W m 是4.2 eV ， 该半导
………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 体和金属接触时的界面将会形成 反阻挡层接触/欧姆接触 。 11. 有效复合中心的能级位置靠近 禁带中心能级/本征费米能级/E i 。 12. MIS 结构中半导体表面处于临界强反型时，表面少子浓度等于内部多子浓度，表面 13. 金属和n 型半导体接触形成肖特基势垒，若外加正向偏压于金属，则半导体表面电 二、选择题（共15分，每题1 分） 1. 如果对半导体进行重掺杂，会出现的现象是 D 。 A. 禁带变宽 B. 少子迁移率增大 C. 多子浓度减小 D. 简并化 2. 已知室温下Si 的本征载流子浓度为310105.1-?=cm n i 。处于稳态的某掺杂Si 半导体 中电子浓度315105.1-?=cm n ，空穴浓度为312105.1-?=cm p ，则该半导体 A 。 A. 存在小注入的非平衡载流子 B. 存在大注入的非平衡载流子 C. 处于热平衡态 D. 是简并半导体 3. 下面说法错误的是 D 。 A. 若半导体导带中发现电子的几率为0，则该半导体必定处于绝对零度 B. 计算简并半导体载流子浓度时不能用波尔兹曼统计代替费米统计 C. 处于低温弱电离区的半导体，其迁移率和电导率都随温度升高而增大 D. 半导体中，导带电子都处于导带底E c 能级位置 4. 下面说法正确的是 D 。 A. 空穴是一种真实存在的微观粒子 B. MIS 结构电容可等效为绝缘层电容与半导体表面电容的的并联 C. 稳态和热平衡态的物理含义是一样的