使用说明书 AN-3012
半距微型扁平逻辑兼容的高速光电耦合器FODM8061
https://www.doczj.com/doc/9e15016373.html,
REV. 1.0 5/27/10
引言
FODM8061是一种抗噪能力强的高速光电耦合器，制作工艺采用了高隔离电压能力的S05微型扁平封装。其光学输入端采用了一种铝镓砷化合物 (AlGaAs ) LED ，该LED 与一个双极性集成逻辑兼容的高速接收器相耦合。本产品的主要优点在于该高速光学集成电路 (IC) 在3.3V 和5V 的逻辑电源下都具有性能保证。该光电耦合器的集电极开路、肖特基钳位三极管确保了其输出与宽范围的逻辑系列兼容，其关键的交流和直流特性能在-40°C ~+110°C 工作温度范围内都能得到保证。
本说明书介绍了高速光电耦合器FODM8061的主要电气与开关性能，通过查看眼图分析了数据通信信号质量，并给出了该光电耦合器在逻辑接口应用中的常见用法。
SO5微型扁平封装改善PCB 布局
光电耦合器FODM8061是符合工业标准6N137的增强
版。光电耦合器6N137的封装为8引脚双列直插DIP 引线成型结构。[查阅飞兆半导体光电耦合器选型目录，获得更多封装选择。] FODM8061采用的小型SO5封装使其占用更小的PCB 空间，能够大大提高多通道封装密度，而不会牺牲通道与通道、输入与输出之间的安全隔离性能。这一点是并联和双向数据传输以及逻辑接口需要隔离时需要优先考虑的。
本封装采用飞兆公司的"Optoplanar ?"共面封装专利技术。该封装技术进一步提升了隔离光学集成接收器本已优秀的共模瞬态抑制能力。 本封装已获得Underwriter's Laboratories 1577 (UL1577)在隔离测试电压 (VISO) 3750Vac (RMS)下的安全认证和IEC60747-5-2待认证状态。这种微型扁平封装同样适用于260°C 表面安装回流焊接装配工艺。
FODM8061的电气工作
FODM8061是一种双芯片光学混合器件。其输入端芯片是一个高速、低输入电流、红外线发光二极管LED 。该LED 产生一个与流过它的正向电流IF 成正比的光通量，采用共面光电耦合，其输出端通过一个小电容与一个双极光学高速接收器相连。这个接收器集成电路 (IC) 将光能转换成电流，经过放大后驱动负载。 图1为光电耦合器FODM8061的结构框图。输入端包含一个红外线 (IR) LED 的阳极和阴极。当正向电流 V F 为10mA 时，该LED 典型正向电压V F 为1.45V 。光通量耦合到一个反向偏置的光敏二极管。该光敏二极管产生一束光电流，通过其阳极流向一个双极性放大器。这个线性放大器的典型电流增益为60dB ，带宽为40MHZ ，其输出端接有一个肖特基钳位的集电极开路NPN 三极管。通过设置一个偏置和调节电路功能，确保了较高电压供电和共模电源噪声抑制能力。 该电路隔离了光敏二极管和电源，将共模电源噪声耦合至V CC 和光电耦合器的输出。
图 1. FODM8061的结构框图
该光电耦合器为逻辑反相器，当逻辑输入信号使LED 流
过5mA 以上的正向电流时，输出端三极管才能汇流，汇流取决于外部负载。表1列举了这一反向逻辑的真值表。
表1 真值表
LED
输出
导通高电平关断
低电平
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"Optoplanar"封装减小了尺寸，降低了共模耦合电容CCM ，增强了共模噪声抑制能力。专有的电屏蔽覆盖在接收器的集成电路（IC ）上，进一步降低了CCM 。这个屏蔽使得共模噪声远离光放大器的输入端，而传输至光放大器的接地端。这个屏蔽在LED 和接收器IC 中间呈点线分布。"Optoplanar"结构和电屏蔽的结合提供了一个1kV 脉冲下超过20kV/us 的共模瞬态抗扰（CMTI ）能力。更详细的描述，参阅使用说明书 “高性能光电耦合
器的共模瞬态抗扰度（CMTI ）
”。 电流变比
光电耦合器FODM8061包含有一个线性放大器，该放大
器能够将输出端的三极管驱动至饱和状态。鉴于这个特性，非饱和条件和饱和V CE 条件下测量电流变比都是合适的。
图 2. I F 为1mA 步长时I CE -V CE 的曲线簇
图2给出了作为LED 正向电流I F 的函数时，集电极-发
射极电流I CE 对集电极-发射极电压V CE 的曲线簇。
LED 电流变化量为1mA 。图2给出了LED 电流从1mA 到4mA 时的接近线性的工作状态。图3扫描了LED 电流，给出了线性工作状态下集电极电流曲线（V CE = 1.5V ，上曲线） 和饱和工作状态下集电极电流曲线（V CE =0.4V ， 下曲线）。说明：在饱和状态下(V CE =0.4V) ，LED 电流为5mA 时，输出I CE 为8.05mA 。在相同的LED 驱动下，非饱和状态时的I CE 是33mA 。输出电流出现偏差，取决于输出三极管的性能，与光放大器无关。
图3. 饱和与非饱和状态下的 I CE - I F 曲线
图4给出了FODM8061在饱和与非饱和状态下的电流变
比 (CTR)。该曲线说明了LED 正向电流从4mA 到10mA 范围内饱和状态下，电流变比 (CTR)（约为160%）的一致性。该曲线可以用来估计在给定工作电压V CC 下，强迫特定负载进入饱和状态时所需的最小LED 电流。本应用说明书中，采用350.的集电极负载电阻，适用于大部分开关技术要求。如果V CC 是 3.3V ，则在饱和状态(V CE =0.4V) 下I CE 为8.3mA 。 根据图4，饱和状态CTR 是160%。，LED 电流等于I CE 除以CTR ，即8.3mA/160%。正因如此，LED 电流应该为5.2mA 或者更大，确保在常温下输出逻辑低电平。当在相同电阻负载时，若
V CC 增加到5V ，LED 电流必须增加，
确保进入饱和工作状态。若V CC =5V 时，350.电阻负载的电流为13mA 。进一步而言，假设典型饱和状态下CTR (V CE =0.4V) 为160%，LED 电流应该为8.2mA 或者更大。
图4. 饱和与非饱和状态下的CTR
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本应用说明书给出了当V CE =6V 时，最小CTR 为260%，典型CTR 为380%。该数据与期望CTR 对于V CE 的灵敏度相一致，如图4所示。
LED 的正向电流开关阈值
针对LED 的阈值电流，对FODM8061的CTR 进行描述。图5说明了V CC 分别为3.3V （下曲线）和5V （上曲线）、I OL 为10mA 时，所需的LED 电流。这些曲线表
明，V CC 大小对于LED 的开关阈值影响不大。
图5. V CC =3.3和5V 时LED 阈值电流
阈值具有中度的温度依赖性，如图6所示。
图6. 输入阈值电流与环境温度曲线
固定电流驱动时，LED 光输出随着结温的增加而减小。
光放大器的直流增益随着环境温度的增加而增加。大多数情况下，通过设计这两个关系，使之相互抵消，FODM8061符合这种情况。
开关性能
光电耦合器FODM8061包含一个设计成隔离的逻辑反相
器的线性光放大器。其开关性能可以利用传输延迟、脉宽失真和脉冲偏移来进行量化。
图7. 开关过程测试电路
该光电耦合器的传输延迟与峰值LED 驱动、电源电压、
负载电阻和温度有关。如图7所示，在LED 驱动7.5mA 、电源电压5V 和350Ω负载电阻时，该器件处于最佳工作状态。在此条件下，典型器件产生的对称高到低脉冲、低到高脉冲的传输延迟大约为36ns 。图8给出了-40°C 到+110°C 推荐工作温度范围内典型的延迟性能。
图8. 传输延迟与温度关系曲线
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图9给出了脉宽失真如何随温度变化的图解。典型的脉宽失真 PWD [t PHL – t PLH ] 为2ns 。这些性能特征允许高速串行数据（> 20M 波特）通过该光电耦合器进行传输。
图9. 脉宽失真对温度关系
对于开关速度和波特率之间的关系，可以进行多种假
设，例如“二进制不归零（NRZ ）数据流”、“1位时间等同1波特”（或者信号速率）和方波模式。因此，一个5MHZ 的方波（占空比为50%）就是10Mbit 或者10M 波特的信号。 对于串行通信（RS 标准），传输延迟只影响恢复时间或者数据传送率。最大数据传输率与PWD 的性能和UART 用来确认数据1或0时每比特采样次数有关。可接受的最低采样速率为4，该值为奈奎斯特推荐速率的一半。因此，推荐的最大数据传输速率通常为PWD 的4倍。对于FODM8061，鉴于最大PWD 是25ns ，所以最大数据传输速率为10MBd 。
在理想情况下，延迟偏差 t PSK 应该规定为最大PWD 的2倍左右。需要特别注意的是，t PSK 等于 t PHL 和/或 t PLH 的最坏情况下的偏差额度，即使在相同工作条件、相同壳温和相同负载（R L = 350Ω 和 C L = 15pF ）且输入上升时间小于5ns 下工作条件下，从两个具有同一生产日期代码的元件之间可以明显看出存在着偏差。
信号性能
观测数据传输信号质量的最好图示之一就是眼图。由一
个伪随机二进制数据序列来驱动LED ，并且采用串行数据时钟来触发示波器波形，可以形成眼图。图10给出了采用图7所示测试电路得到的一个10MBd 眼图。该图形标示出的占空比失真只有2.18ns ，已经非常接近2ns 的典型PWD 。LED 电流调整为最佳相交，在该情况下，上升和下降时间是对称的且小于20ns 。
图10. 10MBd 眼图
图11举例给出了20MBd PRBS 数据的典型且完整的眼图。
图11. 10MBd 眼图
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输出功耗对传输延迟
当光电耦合器的输出切换到逻辑低状态时，无源阻性上拉电阻会消耗功率。增加集电极负载电阻可以减小功率损耗，但是其代价是更长的关断延时和更大的脉宽失真。图12给出了从逻辑低到逻辑高切换中期望增加的传输延迟。
图12. 传输延迟与集电极负载电阻关系曲线
逻辑接口
FODM8061是多功能逻辑对逻辑接口的光电耦合器。LED 的低正向电压确保该器件在2.3V 到15V 供电范围内的逻辑系列中能够正常工作。图13给出了一个3V 74LCX07漏极开路缓冲器与从3.3V 到5V 输出逻辑系列之间的反向接口电路。LED 的电流通过R1设定，R1为82Ω时电流大约为10mA ，R2为430Ω时能够提供漏极开路的74LCX07门级所需的上拉能力。
图13. 反相系列的LED 驱动器
当需要非反相接口时，需要采用LED 的分流驱动。电路原理图如图14所示。
图14. 非反相的逻辑接口
当74LCX07的输出三极管的输出被强制为低时，驱动电
流产生分流，旁路LED 。这一类型的接口提供有最小的LED 断态阻抗，因此改善了LED 的抗扰性能。
V CC 大于5.5V 时的接口电路
现在的工业系统仍然使用具有优越逻辑抗扰性能的15V CD4xxx 逻辑门，主要是因为逻辑门具有高开关阈值和慢的工作速度。当一个低压高速光电耦合器需要与一个电源电压高于5.5V 的逻辑系列接口时，就需要一个缓冲三极管。图15给出了一个级联放大器接口电路，该接口电路使用了一个采用肖特基“贝克钳位”的低廉双极2N2222 NPN 三极管。该电路能够切换由25V 电源供电的25mA 负载。这个级联电路保持了与原光电耦合器接口的相同的逻辑灵敏度，图20给出了上升和下降时间、传输延迟时间，远小于100ns 。光电耦合器的5V 电源电压，可由稳压电源和齐纳二极管来提供。
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图15. 双极性级联接口
图
16. 双极HV级联的时序
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与大于25V 的电压接口
采用高压低电流的信号MOSFET ，可以驱动电源电压高于25V 的负载。BSS123可以用于高达100V 的电压。如果需要更高的接口电压，BSS125可以支持600V 。
图17给出了一个50V 电源供电的MOSFET 级联接口。负载电流为25mA 。FODM8061需要的5V 电源电压可以由外部稳压电源提供，或通过一个齐纳二极管或由高压电源供电的稳压器来提供。
图17. 光电耦合器MOSFET 级联接口
图18给出了MOSFET 高压级联接口的时序性能。上升、下降沿的dv/dt 大约为 1.5kV/μs ，包含了完整的过渡时间。
图18. HV MOSFET 级联接口
结论
FODM8061是高速光电耦合器，使用简单、功能全面，
是10MBaud 带宽隔离通信的理想选择。从安全性和信号完整的角度来看，FODM8061紧凑的封装和可靠的电气隔离确保了它的安全运行。
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常见的光电耦合电路及其应用分析 光电耦合电路是设计中常用的将信号进行隔离和转换并再次利用的一种应用，它主要是将输入的电信号通过介质转换成光信号，再根据介质和电路的特性转换成电信号输出，实现“电-光-电”之间的转换。同时将由于电路之间由于电容/电感等元器件或电磁感应等造成的干扰基本上排除。可见光电耦合电路在各位的设计应用中发挥着重要的作用。 光电耦合器是将光电耦合电路进行了集成和封装后得到的ic产品，它把红外光发射器件和红外光接受器件以及信号处理电路等封装在同一管座内的器件。最常用的发光器件就是LED发光二极管了，当输入电信号加到输入端会导致LED发光，光接受器件接受LED的发光的光信号后将其转换成电信号并输出。 光电耦合电路结构独特，可有效抑噪声消除干扰、开关速度快、体积小、可替代变压器隔离等，并可以组成和应用到开光电路、逻辑电路、隔离耦合电路、高压稳压电路、继电器替代电路等，故小编整理和总结了几种常见的光电耦合电路图，并对他们的应用需要和范围进行分析，希望能给大家的学习、掌握和应用这种电路有一定的指导作用。 (1)组成的多谐振荡器电路图 工作流程为接通电源后： A、电容C两端电压不能突变，电阻R数值大于Rl，电源电压Ec主要加在R上，F点电位很低，LED处于截止状态; B、电容充电电压增加导致F点电位逐渐增高，到达一定程度使LED导通发光，光敏三极管导通饱和，输出电压发生跃变使之接近电源电压;（即U0约=Ec） C、电容上存留电荷通过三极管、LED通路快速放电，并对其反向充电到达一定程度后导致LED截止及三极管截止？？？; D、电容再次通过电阻R和RL放电进行反向充电，LED发光光敏三极管再次饱和，如此循环形成振荡。 作用：多谐振荡器也叫自激多谐振荡器，它的作用是产生交流信号。将直流电变为交流
PC817A/B/C--- 电光耦合器 光耦特性与应用 1.概述 光耦合器亦称光电隔离器，简称光耦。光耦合器以光为媒介传输电信号。它对输入、输出电信号有良好的隔离作用，所以，它在各种电路中得到广泛的应用。目前它已成为种类最多、用途最广的光电器件之一。光耦合器一般由三部分组成：光的发射、光的接收及信号放大。输入的电信号驱动发光二极管（LED），使之发出一定波长的光，被光探测器接收而产生光电流，再经过进一步放大后输出。这就完成了电—光—电的转换，从而起到输入、输出、隔离的作用。由于光耦合器输入输出间互相隔离，电信号传输具有单向性等特点，因而具有良好的电绝缘能力和抗干扰能力。又由于光耦合器的输入端属于电流型工作的低阻元件，因而具有很强的共模抑制能力。所以，它在长线传输信息中作为终端隔离元件可以大大提高信噪比。在计算机数字通信及实时控制中作为信号隔离的接口器件，可以大大增加计算机工作的可靠性。 光耦的主要优点是：信号单向传输，输入端与输出端完全实现了电气隔离隔离，输出信号对输入端无影响，抗干扰能力强，工作稳定，无触点，使用寿命长，传输效率高。光耦合器是70年代发展起来产新型器件，现已广泛用于电气绝缘、电平转换、级间耦合、驱动电路、开关电路、斩波器、多谐振荡器、信号隔离、级间隔离、脉冲放大电路、数字仪表、远距离信号传输、脉冲放大、固态继电器(SSR)、仪器仪表、通信设备及微机接口中。在单片开关电源中，利用线性光耦合器可构成光耦反馈电路，通过调节控制端电流来改变占空比，达到精密稳压目的。 十几年来，新型光耦合器不断涌现，满足了各种光控制的要求。其应用范围已扩展到计测仪器，精密仪器，工业用电子仪器，计算机及其外部设备、通信机、信号机和道路情报系统，电力机械等领域。这里侧重介绍该器件的工作特性，驱动和输出电路及部分实际应用电路。 近年来问世的线性光耦合器能够传输连续变化的模拟电压或模拟电流信号，使其应用领域大为拓宽。下面分别介绍光耦合器的工作原理及检测方法。 2. 光耦的性能及类型 用于传递模拟信号的光耦合器的发光器件为二极管、光接收器为光敏三极管。当有电流通过发光二极管时，便形成一个光源，该光源照射到光敏三极管表面上，使光敏三极管产生集电极电流，该电流的大小与光照的强弱，亦即流过二极管的正向电流的大小成正比。由于光耦合器的输入端和输出端之间通过光信号来传输，因而两部分之间在电气上完全隔离，没有电信号的反馈和干扰，故性能稳定，抗干扰能力强。发光管和光敏管之间的耦合电容小（2pf左右）、耐压高(2.5KV左右)，故共模抑制比很高。输入和输出间的电隔离度取决于两部分供电电源间的绝缘电阻。此外，因其输入电阻小（约10Ω），对高内阻源的噪声相当于被短接。因此，由光耦合器构成的模拟信号隔离电路具有优良的电气性能。 事实上，光耦合器是一种由光电流控制的电流转移器件，其输出特性与普通双极型晶体管的输出特性相似，因而可以将其作为普通放大器直接构成模拟放大电路，并且输入与输出间可实现电隔离。然而，这类放大电路的工作稳定性较差，
光耦的基本知识 光耦合器（optical coupler，英文缩写为OC）亦称光电隔离器，简称光耦。光耦合器以光为媒介传输电信号。它对输入、输出电信号有良好的隔离作用，所以，它在各种电路中得到广泛的应用。目前它已成为种类最多、用途最广的光电器件之一。光耦合器一般由三部分组成：光的发射、光的接收及信号放大。输入的电信号驱动发光二极管（LED），使之发出一定波长的光，被光探测器接收而产生光电流，再经过进一步放大后输出。这就完成了电—光—电的转换，从而起到输入、输出、隔离的作用。由于光耦合器输入输出间互相隔离，电信号传输具有单向性等特点，因而具有良好的电绝缘能力和抗干扰能力。又由于光耦合器的输入端属于电流型工作的低阻元件，因而具有很强的共模抑制能力。所以，它在长线传输信息中作为终端隔离元件可以大大提高信噪比。在计算机数字通信及实时控制中作为信号隔离的接口器件，可以大大增加计算机工作的 可靠性。 1.光耦合器的主要优点 信号单向传输，输入端与输出端完全实现了电气隔离隔离，输出信号对输入端无影响，抗干扰能力强，工作稳定，无触点，使用寿命长，传输效率高。光耦合器是70年代发展起来产新型器件，现已广泛用于电气绝缘、电平转换、级间耦合、驱动电路、开关电路、斩波器、多谐振荡器、信号隔离、级间隔离、脉冲放大电路、数字仪表、远距离信号传输、脉冲放大、固态继电器(S SR)、仪器仪表、通信设备及微机接口中。在单片开关电源中，利用线性光耦合器可构成光耦反馈电路，通过调节控制端电流来改变占空比，达到精密稳压目 的。 十几年来，新型光耦合器不断涌现，满足了各种光控制的要求。其应用范围已扩展到计测仪器，精密仪器，工业用电子仪器，计算机及其外部设备、通信机、信号机和道路情报系统，电力机械等领域。这里侧重介绍该器件的工作特性，驱动和输出电路及部分实际应用电路。近年来问世的线性光耦合器能够传输连续变化的模拟电压或模拟电流信号，使其应用领域大为拓宽。下面分别 介绍光耦合器的工作原理及检测方法。 2. 光耦合器的性能及类型 用于传递模拟信号的光耦合器的发光器件为二极管、光接收器为光敏三极管。当有电流通过发光二极管时，便形成一个光源，该光源照射到光敏三极管表面上，使光敏三极管产生集电极电流，该电流的大小与光照的强弱，亦即流过二极管的正向电流的大小成正比。由于光耦合器的输入端和输出端之间通过光信号来传输，因而两部分之间在电气上完全隔离，没有电信号的反馈和干扰，故性能稳定，抗干扰能力强。发光管和光敏管之间的耦合电容小（2pf左右）、耐压高(2.5KV左右)，故共模抑制比很高。输入和输出间的电隔离度取决于两部分供电电源间的绝缘电阻。此外，因其输入电阻小（约10Ω），对高内阻源的噪声相当于被短接。因此，由光耦合器构成的模拟信号隔离电路具有优良的电气 性能。
光电耦合器及其应用 ［作者：佚名转贴自：未知点击数：933 更新时间：2006-3-31 【字体：A 】 光电耦合器，是近几年发展起来的一种半导体光电器件，由于它具有体积小、 寿命长、抗干扰能力强、工作温度宽及无触点输入与输出在电气上完全隔离等 特点，被广泛地应用在电子技术领域及工业自动控制领域中，它可以代替继电 器、变压器、斩波器等，而用于隔离电路、开关电路、数模转换、逻辑电路、 过流保护、长线传输、高压控制及电平匹配等。 为使读者了解与应用光电耦合器，今介绍几种光电耦合器件及应用电路，供大 家参考与开拓。 1．器件选择 （1）三极管输出型光电耦合器 三极管输出型光电耦合器电路如图46—1中（a）所示，它是由两部分组成的。其中，1、2端为输入端，通常由发光器件构成； 4、5、6端接一只光敏三极管构成输出端，当接收到发射端发出的红外光后，在三极管集电极中便有电流输出。 图46-1 三极管输出型光电耦合器的特点，是具有很高的输入输出绝缘性能，频率响应可达300kHz，开关时间数微秒。 （2）可控硅输出型光耦合器 可控硅输出型光耦合器的电路如图46?中（b）所示。该器件为六脚双列式封装。当1、2端加入输入信号后，发射管发出的红
外光被接在4、5、6脚的光敏可控硅接收，使其导通。它可应用在低电压电子电路控制高压交流回路的开启。 （3）光耦合的可控硅开关驱动器 图46—2中（a）为光敏双向开关器件；图46?中（b）为过零控制电路及光敏双向开关器件组合体。它们的工作原理是：利用输入端红外光控制输出端的光敏双向开关导通，进而触发外接双向可控硅导通，达到控制负载接入交流220V回路的目的。图中（a）为非过零控制，图中（b）为过零控制。本驱动器有非常好的输入与输出绝缘性，可构成固态继电器的控制电路，其输 出的控制功率由可控允许功率决定。 图46-2 （4）达林顿管输出的光检测器 达林顿管输出的光检测器如图46?中（a）所示。它是由两只管子组成复合管，具有很高的电流放大能力，形成下一级或负载的 驱动电流，有较强的光检测灵敏度。 （5）数字电路光耦合器 数字电路光耦合器电路如图46?中（b）所示。光耦合器输出为施密特触发电路形式，其特点是响应速度快、数字逻辑可靠，应 用于计算机接口、数控电源及电动机控制中。 （6）双向开关触发器输出的光检测器 图46—3中的（c）为双向开关触发器输出的光检测器电路。该图为三端器件，内部是光敏双向开关器件，收到红外光线后，双向开关器件导通，触发外接可控硅导通，使负载接入220V回路中。
光耦参数解释 1、正向工作电压V (forward voltage ) : V f是指在给定的工作电流下，LED本身的压降。常见的小功率LED通常以l f=10mA来测试正向工作电压，当然不同的LED，测试条件和测试结果也会不一样。 2、正向电流I f：在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。 3、反向工作电压 V r (reverse voltage :是指原边发光二极管所能承受的最大反向电 压，超过此反向电压，可能会损坏LED。而一般光耦中，这个参数只有5V左右，在存在反压或振荡的条件下使用时，要特别注意不要超过反向电压。如，在使用交流脉冲驱动LED 时，需要增加保护电路。 4、反向电流l r:在被测管两端加规定反向工作电压V r时，二极管中流过的电流。 5、反向击穿电压V br ::被测管通过的反向电流I r为规定值时，在两极间所产生的电压降。 6、结电容C j :在规定偏压下，被测管两端的电容值。 7、电流传输比CTR(current transfer ratio ):指在直流工作条件下，光耦的输出电流与输入电流之间的比值。光耦的CTR类似于三极管的电流放大倍数，是光耦的一个极为重要的参数，它取决于光耦的输入电流和输出电流值及电耦的电源电压值，这几个参数共同决定了光耦工 作在放大状态还是开关状态，其计算方法与三极管工作状态计算方法类似。若输入电流、输出电流、电流传输比设计搭配不合理，可能导致电路不能工作在预想的工作状态。
8、集电极电流l c (collector current):如上图，光敏三极管集电极所流过的电流，通常表示其最大值。 9、输出饱和压降VCE(sat):发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时，并保持IC/IF < CTRminH^( CTRmin在被测管技术条件中规定)集电极与发射极之间的电压降。 10、反向击穿电压V ( BR)ce。：发光二极管开路，集电极电流I c为规定值，集电极与发射集间的电压降。 11、反向截止电流I ce。：发光二极管开路，集电极至发射极间的电压为规定值时，流过集电极的电流为反向截止电流。 12、C-E饱和电压V ce(C-E saturation voltage ):光敏三极管的集电极-发射极饱和压降。 13、入出间隔离电容C io :光耦合器件输入端和输出端之间的电容值。 14、入出间隔离电阻:半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。 15、入出间隔离电压Vg :光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值 16、传输延迟时间T PHL、T PLH :光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流I FP 的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输入脉冲前沿幅度的50%到输出脉冲电平下 降到1.5V时所需时间为传输延迟时间T p HL。从输入脉冲后沿幅度的50%到输出脉冲电平上 升到1.5V时所需时间为传输延迟时间T PLH。 17、上升时间Tr (Rise Time)&下降时间T f (Fall Time)，其定义与典型测试方法如下图所示，它们反映了工作在开关状态的光耦，其开关速度情况。 T￡ST CJHCUIT WAVE FORWS AJiusl I F tit pfodux I C- Z A
光电耦合器 本词条由“科普中国”百科科学词条编写与应用工作项目审核。 光电耦合器是以光为媒介传输电信号的一种电一光一电转换器件。它由发光源和受光器两部分组成。把发光源和受光器组装在同一密闭的壳体内，彼此间用透明绝缘体隔离。发光源的引脚为输入端，受光器的引脚为输出端，常见的发光源为发光二极管，受光器为光敏二极管、光敏三极管等等。 中文名 光电耦合器 外文名 optical coupler 英文缩写 OC 目录 .1基本资料 .?简介 .2工作原理 .?基本原理 .?基本工作特性（光敏三极管） .3结构特点 .4仪器测试 .5应用
.?开关电路 .6具体应用 .?组成开关电路 .?组成逻辑电路 .?隔离耦合电路 .?高压稳压电路 .?门厅照明灯自动控制电路 .7分类 .?按光路径分 .?按输出形式分 .?按封装形式分 .?按传输信号分 .?按速度分 .?按通道分 .?按隔离特性分 .?按工作电压分 .8选取原则 .9发展现状注意事项 .10发展现状 .11应用前景 基本资料 编辑 简介 光电耦合器（optical coupler，英文缩写为OC）亦称光电隔离器，简称光耦。光电耦合器以光为媒介传输电信号。它对输入、输出电信号有良好的隔离作用，所以，它在各种电路中得到广泛的应用。目前它已成为种类最多、用途最广的光电器件之一。光耦合器一般由三部分组成：光的发射、光的接收及信号放大。输入的电信号驱动发光二极管（LED），使之发出一定波长的光，被光探测器接收而产生光电流，再经过进一步放大后输出。这就完成了电—光—电的转换，从而起到输入、输出、隔离的作用。由于光耦合器输入输出间互相隔离，电信号传输具有单向性等特点，因而具有良好的电绝缘能力和抗干扰能力。 光电耦合器是一种把发光器件和光敏器件封装在同一壳体内，中间通过电→光→电的转换来传输电信号的半导体光电子器件。其中，发光器件一般都是发光二极管。而光敏器
国内的消费者很多是“面子消费”者，这一点很难用经济学去解读清楚，他们中的很多人并不是按照理性的穷人逻辑或者富人逻辑来决策自己的购买。所以商家对付穷人最好的促销办法就是，先给商品一个昂贵的价格，然后再给一个极低的折扣，这样让穷人觉得占了很大便宜。 富人从来不屑于干这样的事，他们不想更麻烦。对于他们来说，时间才是宝贵的，便捷才最重要，他们想在什么时候消费就在什么时候消费，对于他们来说，他们的经济条件可以让他们获得更多的自由度。 他们的购买总是即兴的，他们更喜欢在实体店里体验消费，享受店员为他们的讲解和赞誉，尽管他们知道那是阿谀之词。 他们会询问有没有折扣，但其实他们只是为了证明自己的精明，并不在意有多大折扣。 相对来说，富人更在意购物的体验过程，很多时候富人的消费愉悦只是购物后拥有的一刹那，事后他们往往对已经拥有的商品并没有多大兴趣了，甚至是买回去后，再也没有用过。 富人不懂得网购、不懂得团购、不懂得秒杀。他们更懂得名牌，懂得名牌间的细微差距，他们总是津津乐道并放大那些细微的见识，用以印证自己是个有品位的人如果我们把人分作穷人和富人，把商品分作必需品和奢侈品，我们就可把这些要素纳入一张表中，在这张表中我们可以清晰地看到，穷人对必需品的需求弹性大，而富人对奢侈品的需求弹性大。 这也就解释了为什么：穷人对必需品很容易情绪紧张，富人超喜欢名牌打折！ 中国的消费者结构发生了变化，所以，一方面我们看到消费者对CPI的增长怨声一片，另一方面我们也看到在奢侈品领域繁荣一片。这都是真实的，穷人不明白富人为何买那些没用的东西，富人不明白穷人为何那么斤斤计较。 穷“富人”与富“穷人” 如果你单纯地认为中国的穷人与富人已经划分清楚，穷人在意必需品，富人在意奢侈品，那你就错了！ 中国的消费者不是可以简单地用穷人和富人来分得开的，中国历来都有“穷大方”，“富抠门”的说法，更多的消费者是兼具这两种品性的。 有时候我们真的不知道他们的收入状况。我们曾走访过国内许多城市的消费者，在我们做专项调查的时候，中国的消费者无一例外地虚报自己的收入，最离谱的是成都，收入虚报
光电耦合器的发展及应用 摘要：半导体光电耦合器现已发展成为一类特殊的半导体隔离器件。它体积小、寿命长、无触点、抗干扰、能隔离，并具有单向信号传输和容量连接等功能。文中介绍了光电耦合器的典型结构和特点以及国内外的发展现状，最后给出了半导体电隔离耦合器件的多种应用电路实例。 关键词：发光器件光接收器件输入输出光电耦合器 随着半导体技术和光 电子学的发展，一种 能有效地隔离噪音和 抑制干扰的新型半导 体器件——光电耦合 器于1966年问世了。 光电耦合器的优点是 体积小、寿命长、无 触点、抗干扰能力 强、能隔离噪音、工 作温度宽，输入输出之间电绝缘，单向传输信号及逻辑电路易连接等。光电耦合器按光接收器件可分为有硅光敏器件（光敏二极管、雪崩型光敏二极管、PIN 光敏二极管、光敏三极管等）、光敏可控硅和光敏集成电路。把不同的发光器件和各种光接收器组合起来，就可构成几百个品种系列的光电耦合器，因而，该器件已成为一类独特的半导体器件。其中光敏二极管加放大器类的光电耦合器随着近年来信息处理的数字化、高速化以及仪器的系统化和网络化的发展，其需求量不断增加。 1 光电耦合器的结构特点 光电耦合器的主要结构是把发光器件和光接收器件组装在一个密闭的管壳内，然后利用发光器件的管脚作输入端，而把光接收器的管脚作为输出端。当在输入端加电信号时，发光器件发光。这样，光接收器件由于光敏效应而在光照后产生光电流并由输出端输出。从而实现了以“光”为媒介的电信号传输，而器件的输入和输出两端在电气上是绝缘的。这样就构成了一种中间通过光传输信号的新型半导体电子器件。光电耦合器的封装形式一般有管形、双列直插式和光导纤维连接三种。图1是三种系列的光电耦合器电路图。 光电耦合的主要特点如下： ●输入和输出端之间绝缘，其绝缘电阻一般都大于10 10Ω，耐压一般可超过1kV，有的甚至可以达到10kV以上。
光电耦合器件简介 光电偶合器件（简称光耦）是把发光器件（如发光二极体）和光敏器件（如光敏三极管）组装在一起，通过光线实现耦合构成电—光和光—电的转换器件。光电耦合器分为很多种类，图1所示为常用的三极管型光电耦合器原理图。 当电信号送入光电耦合器的输入端时，发光二极体通过电流而发光，光敏元件受到光照后产生电流，CE导通；当输入端无信号，发光二极体不亮，光敏三极管截止，CE不通。对于数位量，当输入为低电平“0”时，光敏三极管截止，输出为高电平“1”；当输入为高电平“1”时，光敏三极管饱和导通，输出为低电平“ 0”。若基极有引出线则可满足温度补偿、检测调制要求。这种光耦合器性能较好，价格便宜，因而应用广泛。 图一最常用的光电耦合器之部结构图三极管接收型 4脚封装
图二光电耦合器之部结构图三极管接收型 6脚封装 图三光电耦合器之部结构图双发光二极管输入三极管接收型 4脚封装
图四光电耦合器之部结构图可控硅接收型 6脚封装 图五光电耦合器之部结构图双二极管接收型 6脚封装 光电耦合器之所以在传输信号的同时能有效地抑制尖脉冲和各种杂讯干扰，使通道上的信号杂讯比大为提高，主要有以下几方面的原因：
（1）光电耦合器的输入阻抗很小，只有几百欧姆，而干扰源的阻抗较大，通常为105～106Ω。据分压原理可知，即使干扰电压的幅度较大，但馈送到光电耦合器输入端的杂讯电压会很小，只能形成很微弱的电流，由于没有足够的能量而不能使二极体发光，从而被抑制掉了。 （2）光电耦合器的输入回路与输出回路之间没有电气联系，也没有共地；之间的分布电容极小，而绝缘电阻又很大，因此回路一边的各种干扰杂讯都很难通过光电耦合器馈送到另一边去，避免了共阻抗耦合的干扰信号的产生。 （3）光电耦合器可起到很好的安全保障作用，即使当外部设备出现故障，甚至输入信号线短接时，也不会损坏仪表。因为光耦合器件的输入回路和输出回路之间可以承受几千伏的高压。 （4）光电耦合器的回应速度极快，其回应延迟时间只有10μs左右，适于对回应速度要求很高的场合。 光电隔离技术的应用 微机介面电路中的光电隔离 微机有多个输入埠，接收来自远处现场设备传来的状态信号，微机对这些信号处理后，输出各种控制信号去执行相应的操作。在现场环境较恶劣时，会存在较大的杂讯干扰，若这些干扰随输入信号一起进入微机系统，会使控制准确性降低，产生误动作。因而，可在微机的输入和输出端，用光耦作介面，对信号及杂讯进行隔离。典型的光电耦合电路如图6所示。该电路主要应用在“A／D转换器”的数位信号输出，及由CPU发出的对前向通道的控制信号与类比电路的介面处，从而实现在不同系统间信号通路相联的同时，在电气通路上相互隔离，并在此基础上实现将类比电路和数位电路相互隔离，起到抑制交叉串扰的作用。 图六光电耦合器接线原理 对于线性类比电路通道，要求光电耦合器必须具有能够进行线性变换和传输的特性，或选择对管，采用互补电路以提高线性度，或用V／F变换后再用数位光耦进行隔离。 功率驱动电路中的光电隔离 在微机控制系统中，大量应用的是开关量的控制，这些开关量一般经过微机的I／O输出，而I／O的驱动能力有限，一般不足以驱动一些点磁执行器件，需加接驱动介面电路，为避免微机受到干扰，须采取隔离措施。如可控硅所在的主电路一般是交流强电回路，电压较高，电流较大，不易与微机直接相连，可应用光耦合器将微机控制信号与可控硅触发电路进行隔离。电路实例如图7所示。
IGBT的常识及使用注意事项 一、IGBT管简介 IGBT管是绝缘栅双极型晶体管（Isolated Gate Bipolar Transistor）的简称，它是80年代初诞生，90年代迅速发展起来的新型复合电力电子器件IGBT管是由MOSFET场效应晶体管和BJT双极型晶体管复合而成的，其输入级为MOSFET，输出级为PNP型大功率三极管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件输入阻抗高响应速度快热稳定性好和驱动电路简单的优点，又具有双极型器件通态电压低耐压高和输出电流大的优点，其频率特性介于MOS-FET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位IGBT管的开通和关断是由栅极电压来控制IGBT管的。当栅极加正电压时，OSFET内形成沟道，并为PNP晶体管提供基极电流，从而使IGBT管导通，此时高耐压的IGBT管也具有低的通态压降在栅极上加负电压时，MOSFET内的沟道消失，PNP晶体管的基极电流被切断，IGBT管即关断 IGBT管与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极发射极间施加十几伏的直流电压，只有微安级的漏电流，基本上不消耗功率，显示了输入阻抗大的优点。 二、IGBT管的代换 由于IGBT管工作在大电流高电压状态，工作频率较高，发热量大，因此其故障率较高，又由于其价格较高，故代换IGBT管时，应遵循以下原则：首先，尽量用原型号的代换，这样不仅利于固定安装，也比较简便其次，如果没有相同型号的管子，可用参数相近的IGBT管来代换，一般是用额定电流较大的管子代替额定电流较小的，用高耐压的代替低耐压的，如果参数已经磨掉，可根据其额定功率来代换。 三、IGBT管的保存 保存半导体元件的场合温度与湿度应保持常温常湿状态，不应偏离太大一般地，常温规定为5~35摄氏度，常湿规定为45％~75％在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿装IGBT管模块的容器，应选用不带静电的容器并尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象，因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方。 四、使用注意事项 IGBT管的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离由于此氧化膜很薄，IGBT管的UGE 的耐压值为 20V，在IGBT管加超出耐压值的电压时，会导致损坏的危险此外，在栅极发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT管发热乃至损坏在应用中，有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压，如果栅极回路不合适或者栅极回路完全不能工作时（栅极处于开路状态），若在主回路上加上电压，则IGBT管就会损坏为防止这类损坏情况发生，应在栅极一发射极之间接一只10千欧左右的电阻。此外，由于IGBT管为MOS结构，对于静电就要十分注意因此，请注意下面几点： (1)在使用模块时，手持分装件时，请勿触摸驱动端子部分当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电放电后，再触摸； (2)在用导电材料连接IGBT管的驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块； (3)尽量在底板良好接地的情况下操作如焊接时，电烙铁要可靠接地在安装或更换IGBT管时，应十分重视IGBT管与散热片的接触面状态和拧紧程度，为了减少接触热阻，最好在散热器与
光电耦合器工作原理详细解说光电耦合器件简介 光电偶合器件（简称光耦）是把发光器件（如发光二极体）和光敏器件（如光敏三极管）组装在一起，通过光线实现耦合构成电—光和光—电的转换器件。光电耦合器分为很多种类，图1所示为常用的三极管型光电耦合器原理图。 当电信号送入光电耦合器的输入端时，发光二极体通过电流而发光，光敏元件受到光照后产生电流，CE导通；当输入端无信号，发光二极体不亮，光敏三极管截止，CE不通。对于数位量，当输入为低电平“0”时，光敏三极管截止，输出为高电平“1”；当输入为高电平“1”时，光敏三极管饱和导通，输出为低电平“ 0”。若基极有引出线则可满足温度补偿、检测调制要求。这种光耦合器性能较好，价格便宜，因而应用广泛。 图一最常用的光电耦合器之内部结构图三极管接收型 4脚封装
图二光电耦合器之内部结构图三极管接收型 6脚封装 图三光电耦合器之内部结构图双发光二极管输入三极管接收型 4脚封装
图四光电耦合器之内部结构图可控硅接收型 6脚封装
图五光电耦合器之内部结构图双二极管接收型 6脚封装 光电耦合器之所以在传输信号的同时能有效地抑制尖脉冲和各种杂讯干扰，使通道上的信号杂讯比大为提高，主要有以下几方面的原因： （1）光电耦合器的输入阻抗很小，只有几百欧姆，而干扰源的阻抗较大，通常为105～106Ω。据分压原理可知，即使干扰电压的幅度较大，但馈送到光电耦合器输入端的杂讯电压会很小，只能形成很微弱的电流，由于没有足够的能量而不能使二极体发光，从而被抑制掉了。 （2）光电耦合器的输入回路与输出回路之间没有电气联系，也没有共地；之间的分布电容极小，而绝缘电阻又很大，因此回路一边的各种干扰杂讯都很难通过光电耦合器馈送到另一边去，避免了共阻抗耦合的干扰信号的产生。 （3）光电耦合器可起到很好的安全保障作用，即使当外部设备出现故障，甚至输入信号线短接时，也不会损坏仪表。因为光耦合器件的输入回路和输出回路之间可以承受几千伏的高压。 （4）光电耦合器的回应速度极快，其回应延迟时间只有10μs左右，适于对回应速度要求很高的场合。 光电隔离技术的应用 微机介面电路中的光电隔离 微机有多个输入埠，接收来自远处现场设备传来的状态信号，微机对这些信号处理后，输出各种控制信号去执行相应的操作。在现场环境较恶劣时，会存在较大的杂讯干扰，若这些干扰随输入信号一起进入微机系统，会使控制准确性降低，产生误动作。因而，可在微机的输入和输出端，用光耦作介面，对信号及杂讯进行隔离。典型的光电耦合电路如图6所示。该电路主要应用在“A／D转换器”的数位信号输出，
一：光耦参数解释 1、正向工作电压f V （forward voltage ）：f V 是指在给定的工作电流下，LED 本身的压降。常见的小功率LED 通常以f I =10mA 来测试正向工作电压，当然不同的LED ，测试条件和测试结果也会不一样。 2、正向电流f I ：在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。 3、反向工作电压r V （reverse voltage ）：是指原边发光二极管所能承受的最大反向电压，超过此反向电压，可能会损坏LED 。而一般光耦中，这个参数只有5V 左右，在存在反压或振荡的条件下使用时，要特别注意不要超过反向电压。如，在使用交流脉冲驱动LED 时，需要增加保护电路。 4、反向电流r I ：在被测管两端加规定反向工作电压r V 时，二极管中流过的电流。 5、反向击穿电压br V ：：被测管通过的反向电流r I 为规定值时，在两极间所产生的电压降。 6、结电容j C ：在规定偏压下，被测管两端的电容值。 7、电流传输比CTR(current transfer ratio )：指在直流工作条件下，光耦的输出电流与输入电流之间的比值。光耦的CTR 类似于三极管的电流放大倍数，是光耦的一个极为重要的参数，它取决于光耦的输入电流和输出电流值及电耦的电源电压值，这几个参数共同决定了光耦工作在放大状态还是开关状态，其计算方法与三极管工作状态计算方法类似。若输入电流、输出电流、电流传输比设计搭配不合理，可能导致电路不能工作在预想的工作状态。
8、集电极电流c I （collector current ）：如上图，光敏三极管集电极所流过的电流，通常表示其最大值。 9、输出饱和压降VCE(sat)：发光二极管工作电流IF 和集电极电流IC 为规定值时，并保持IC/IF≤CTRmin 时（CTRmin 在被测管技术条件中规定）集电极与发射极之间的电压降。 10、反向击穿电压ceo ）（BR V ：发光二极管开路，集电极电流c I 为规定值，集电极与发射集间的电压降。 11、反向截止电流ceo I ：发光二极管开路，集电极至发射极间的电压为规定值时，流过集电极的电流为反向截止电流。 12、C-E 饱和电压ce V （C-E saturation voltage ）：光敏三极管的集电极-发射极饱和压降。 13、入出间隔离电容io C ：光耦合器件输入端和输出端之间的电容值。 14、入出间隔离电阻io R ：半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。 15、入出间隔离电压io V ：光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值 16、传输延迟时间PHL T 、PLH T ：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流FP I 的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输入脉冲前沿幅度的50%到输出脉冲电平下降到1.5V 时所需时间为传输延迟时间PHL T 。从输入脉冲后沿幅度的50%到输出脉冲电平上升到1.5V 时所需时间为传输延迟时间PLH T 。 17、上升时间Tr (Rise Time)& 下降时间f T (Fall Time)，其定义与典型测试方法如下图所示，它们反映了工作在开关状态的光耦，其开关速度情况。
常用参数 正向压降VF：二极管通过的正向电流为规定值时，正负极之间所产生的电压降。 正向电流IF：在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。 反向电流IR：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流。 反向击穿电压VBR：：被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两极间所产生的电压降。结电容CJ：在规定偏压下，被测管两端的电容值。 反向击穿电压V(BR)CEO：发光二极管开路，集电极电流IC为规定值，集电极与发射集间的电压降。 输出饱和压降VCE(sat)：发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时，并保持 IC/IF≤CTRmin时（CTRmin在被测管技术条件中规定）集电极与发射极之间的电压降。 反向截止电流ICEO：发光二极管开路，集电极至发射极间的电压为规定值时，流过集电极的电流为反向截止电流。 电流传输比CTR：输出管的工作电压为规定值时，输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比CTR。 脉冲上升时间tr、下降时间tf：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP 的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输出脉冲前沿幅度的10%到90%，所需时间为脉冲上升时间tr。从输出脉冲后沿幅度的90%到10%，所需时间为脉冲下降时间tf。 传输延迟时间tPHL、tPLH：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输入脉冲前沿幅度的50%到输出脉冲电平下降到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPHL。从输入脉冲后沿幅度的50%到输出脉冲电平上升到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPLH。 入出间隔离电容CIO：光耦合器件输入端和输出端之间的电容值。 入出间隔离电阻RIO：半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。 入出间隔离电压VIO：光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值。 最大额定值 参数名称 符号 最大额定值 单位 V 反向电压 5 V R I 正向电流 50 mA
光电耦合器工作原理 光电耦合器件简介 光电偶合器件（简称光耦）是把发光器件（如发光二极体）和光敏器件（如光敏三极管）组装在一起，通过光线实现耦合构成电—光和光—电的转换器件。光电耦合器分为很多种类，图1所示为常用的三极管型光电耦合器原理图。 当电信号送入光电耦合器的输入端时，发光二极体通过电流而发光，光敏元件受到光照后产生电流，CE导通；当输入端无信号，发光二极体不亮，光敏三极管截止，CE不通。对于数位量，当输入为低电平“0”时，光敏三极管截止，输出为高电平“1”；当输入为高电平“1”时，光敏三极管饱和导通，输出为低电平“ 0”。若基极有引出线则可满足温度补偿、检测调制要求。这种光耦合器性能较好，价格便宜，因而应用广泛。 图一最常用的光电耦合器之内部结构图三极管接收型4脚封装
图二光电耦合器之内部结构图三极管接收型6脚封装 图三光电耦合器之内部结构图双发光二极管输入三极管接收型4脚封装
图四光电耦合器之内部结构图可控硅接收型6脚封装
图五光电耦合器之内部结构图双二极管接收型6脚封装 光电耦合器之所以在传输信号的同时能有效地抑制尖脉冲和各种杂讯干扰，使通道上的信号杂讯比大为提高，主要有以下几方面的原因： （1）光电耦合器的输入阻抗很小，只有几百欧姆，而干扰源的阻抗较大，通常为105～106Ω。据分压原理可知，即使干扰电压的幅度较大，但馈送到光电耦合器输入端的杂讯电压会很小，只能形成很微弱的电流，由于没有足够的能量而不能使二极体发光，从而被抑制掉了。 （2）光电耦合器的输入回路与输出回路之间没有电气联系，也没有共地；之间的分布电容极小，而绝缘电阻又很大，因此回路一边的各种干扰杂讯都很难通过光电耦合器馈送到另一边去，避免了共阻抗耦合的干扰信号的产生。 （3）光电耦合器可起到很好的安全保障作用，即使当外部设备出现故障，甚至输入信号线短接时，也不会损坏仪表。因为光耦合器件的输入回路和输出回路之间可以承受几千伏的高压。 （4）光电耦合器的回应速度极快，其回应延迟时间只有10μs左右，适于对回应速度要求很高的场合。 光电隔离技术的应用 微机介面电路中的光电隔离 微机有多个输入埠，接收来自远处现场设备传来的状态信号，微机对这些信号处理后，输出各种控制信号去执行相应的操作。在现场环境较恶劣时，会存在较大的杂讯干扰，若这些干扰随输入信号一起进入微机系统，会使控制准确性降低，产生误动作。因而，可在微机的输入和输出端，用光耦作介面，对信号及杂讯进行隔离。典型的光电耦合电路如图6所示。该电路主要应用在“A／D转换器”的数位信号输出，及由CPU发出的对前向通道的控制信号
IGBT的常识及使用注意事项 IGBT的常识及使用注意事项一、IGBT管简介 IGBT管是绝缘栅双极型晶体管（Isolated Gate Bipolar Transistor）的简称，它是80年代初诞生，90年代迅速发展起来的新型复合电力电子器件IGBT管是由MOSFET场效应晶体管和BJT双极型晶体管复合而成的，其输入级为MOSFET，输出级为PNP型大功率三极管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件输入阻抗高响应速度快热稳定性好和驱动电路简单的优点，又具有双极型器件通态电压低耐压高和输出电流大的优点，其频率特性介于MOS-FET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位IGBT管的开通和关断是由栅极电压来控制IGBT管的。当栅极加正电压时，OSFET内形成沟道，并为PNP晶体管提供基极电流，从而使IGBT管导通，此时高耐压的IGBT管也具有低的通态压降在栅极上加负电压时，MOSFET内的沟道消失，PNP 晶体管的基极电流被切断，IGBT管即关断IGBT管与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极发射极间施加十几伏的直流电压，只有微安级的漏电流，基本上不消耗功率，显示了输入阻抗大的优点。
二、IGBT管的代换 由于IGBT管工作在大电流高电压状态，工作频率较高，发热量大，因此其故障率较高，又由于其价格较高，故代换IGBT管时，应遵循以下原则：首先，尽量用原型号的代换，这样不仅利于固定安装，也比较简便其次，如果没有相同型号的管子，可用参数相近的IGBT管来代换，一般是用额定电流较大的管子代替额定电流较小的，用高耐压的代替低耐压的，如果参数已经磨掉，可根据其额定功率来代换。 三、IGBT管的保存 保存半导体元件的场合温度与湿度应保持常温常湿状态，不应偏离太大一般地，常温规定为5~35摄氏度，常湿规定为45％~75％在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿装IGBT管模块的容器，应选用不带静电的容器并尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象，因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方。 四、使用注意事项 IGBT管的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离由于此氧化膜很薄，IGBT管的UGE 的耐压值为20V，在IGBT 管加超出耐压值的电压时，会导致损坏的危险此外，在栅极发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位
光电耦合器工作原理详细解说 光电耦合器件简介 光电偶合器件（简称光耦）是把发光器件（如发光二极体）和光敏器件（如光敏三极管）组装在一起，通过光线实现耦合构成电—光和光—电的转换器件。光电耦合器分为很多种类，图1所示为常用的三极管型光电耦合器原理图。 当电信号送入光电耦合器的输入端时，发光二极体通过电流而发光，光敏元件受到光照后产生电流，CE导通；当输入端无信号，发光二极体不亮，光敏三极管截止，CE不通。对于数位量，当输入为低电平“0”时，光敏三极管截止，输出为高电平“1”；当输入为高电平“1”时，光敏三极管饱和导通，输出为低电平“ 0”。若基极有引出线则可满足温度补偿、检测调制要求。这种光耦合器性能较好，价格便宜，因而应用广泛。 图一最常用的光电耦合器之内部结构图三极管接收型 4脚封装
图二光电耦合器之内部结构图三极管接收型 6脚封装 图三光电耦合器之内部结构图双发光二极管输入三极管接收型 4脚封装
图四光电耦合器之内部结构图可控硅接收型 6脚封装
图五光电耦合器之内部结构图双二极管接收型 6脚封装 光电耦合器之所以在传输信号的同时能有效地抑制尖脉冲和各种杂讯干扰，使通道上的信号杂讯比大为提高，主要有以下几方面的原因： （1）光电耦合器的输入阻抗很小，只有几百欧姆，而干扰源的阻抗较大，通常为105～106Ω。据分压原理可知，即使干扰电压的幅度较大，但馈送到光电耦合器输入端的杂讯电压会很小，只能形成很微弱的电流，由于没有足够的能量而不能使二极体发光，从而被抑制掉了。 （2）光电耦合器的输入回路与输出回路之间没有电气联系，也没有共地；之间的分布电容极小，而绝缘电阻又很大，因此回路一边的各种干扰杂讯都很难通过光电耦合器馈送到另一边去，避免了共阻抗耦合的干扰信号的产生。 （3）光电耦合器可起到很好的安全保障作用，即使当外部设备出现故障，甚至输入信号线短接时，也不会损坏仪表。因为光耦合器件的输入回路和输出回路之间可以承受几千伏的高压。 （4）光电耦合器的回应速度极快，其回应延迟时间只有10μs左右，适于对回应速度要求很高的场合。 光电隔离技术的应用 微机介面电路中的光电隔离 微机有多个输入埠，接收来自远处现场设备传来的状态信号，微机对这些信号处理后，输出各种控制信号去执行相应的操作。在现场环境较恶劣时，会存在较大的杂讯干扰，若这些干扰随输入信号一起进入微机系统，会使控制准确性降低，产生误动作。因而，可在微机的输入和输出端，用光耦作介面，对信号及杂讯进行隔离。典型的光电耦合电路如图6所示。该电路主要应用在“A／D转换器”的数位信号输出，及由
光电耦合器的简易测试方法和使用常识 简易测试方法 由于光电耦合器的组成方式不尽相同，所以在检测时应针对不同的结构特点，采取不同的检测方法。例如，在检测普通光电耦合器的输入端时，一般均参照红外发光二极管的检测方法进行。对于光敏三极管输出型的光电耦合器，检测输出端时应参照光敏三极管的检测方法进行。 1.万用表检测法。 这里以MF50型指针式万用表和4脚PC817型光电耦合器为例，说明具体检测方法：首先，按照图1（a）所示，将指针式万用表置于“R×100”（或“R×1k”）电阻挡，红、黑表笔分别接光电耦合器输入端发光二极管的两个引脚。如果有一次表针指数为无穷大，但红、黑表笔互换后有几千至十几千欧姆的电阻值，则此时黑表笔所接的引脚即为发光二极管的正极，红表笔所接的引脚为发光二极管的负极。 然后，按照图1（b）所示，在光电耦合器输入端接入正向电压，将指针式万用表仍然置于“R×100”电阻挡，红、黑表笔分别接光电耦合器输出端的两个引脚。如果有一次表针指数为无穷大（或电阻值较大），但红、黑表笔互换后却有很小的电阻值（＜100Ω），则此时黑表笔所接的引脚即为内部NPN型光敏三极管的集电极c、红表笔所接的引脚为发射极e。当切断输入端正向电压时，光敏三极管应截止，万用表指数应为无穷大。这样，不仅确定了4脚光电耦合器 PC817的引脚排列，而且还检测出它的光传输特性正常。如果检测时万用表指针始终不摆动，则说明光电耦合器已损坏。
需要说明的是：光电耦合器中常用红外发光二极管的正向导通电压较普通发光二极管要低，一般在1.3V以下，所以可以用指针式万用表的“R×100”电阻挡直接测量，并且图 1（b）中的电池G电压取1.5V（用1节5号电池）即可。还可用图1（a）所示的万用表接线直接取代图1（b）所示的输入端所接正向电压（即电阻器R和电池G），使测量更方便，只不过需要增加一块万用表。 至于多通道光电耦合器的检测，应首先将所有发光二极管的管脚判别出来，然后再确定对应的光敏三极管的管脚。对于在线路的光电耦合器，最好的检测方法是“比较法”，即拆下怀疑有问题的光电耦合器，用万用表测量其内部二极管、三极管的正向和反向电阻值，并与好的同型号光电耦合器对应脚的测量值进行比较，若阻值相差较大，则说明被测光电耦合器已损坏。 2.鉴别器检测法。 笔者多年前曾根据光电耦合器的原理，设计制作了一个能够快速判断光电耦合器好坏的小巧鉴别器，其电路如图2所示。当将光电耦合器的输入、输出引脚分清极性后正确插入鉴别器的4个相应插孔内时，如果发光二极管VD1、VD2同步闪烁发光，则证明光电耦合器完好。如果VD1不闪烁发光，则说明光电耦合器内部发光管已开路；如果VD1闪烁发光，