半导体三极管及其放大电路
一、选择题
1.晶体管能够放大的外部条件是_________
a 发射结正偏，集电结正偏
b 发射结反偏，集电结反偏
c 发射结正偏，集电结反偏
答案：c
2.当晶体管工作于饱和状态时，其_________
a 发射结正偏，集电结正偏
b 发射结反偏，集电结反偏
c 发射结正偏，集电结反偏
答案：a
3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________
a 0.1V
b 0.5V
c 0.7V
答案：b
4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________
a 0.1V
b 0.3V
c 0.5V
答案：b
5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。则该管的β为_____
a 40
b 50
c 60
答案：c
6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________
a 越好
b 越差
c 无变化
答案：a
7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________
a 高
b 低
c 一样
答案：a
8.温度升高，晶体管的电流放大系数 ________
a 增大
b 减小
c 不变
答案：a
9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|_________
a 升高
b 降低
c 不变
答案：b
10.对 PNP 型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________ 极的电位最低。
a 发射极
b 基极
c 集电极
答案：c
11.温度升高，晶体管输入特性曲线_________
a 右移
b 左移
c 不变
答案：b
12.温度升高，晶体管输出特性曲线_________
a 上移
b 下移
c 不变
答案：a
12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________
a 不变
b 减小
c 增大
答案：c
12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________
a 两者无关
b 有关
c 无法判断
答案：a
15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic时，下列说确的是________
a 晶体管一定被烧毁
b 晶体管的PC=PCM
c 晶体管的β一定减小
答案：c
16.对于电压放大器来说，越小，电路的带负载能力越强________
a 输入电阻
b 输出
c 电压放大倍数
答案：b
17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 -2V 、 -8V 、 -2.2V ，则该管为 _________
a NPN 型锗管
b PNP 型锗管
c PNP 型硅管
答案：b
18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ，则该管 _________
a 处于饱和状态
b 放大状态
c 截止状态
d 已损坏
答案：c
19在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_________
a 同相
b 反相
c 相差 90 度
答案：b
20在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_________ 失真
a 饱和
b 截止
c 饱和和截止
答案：a
21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______
a 输入电阻太小
b 静态工作点偏低
c 静态工作点偏高
答案：c
23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______
a 输出功率
b 静态工作点
c 交流参数
答案：c
25. 既能放大电压，也能放大电流的是 _________ 放大电路。
a 共射极
b 共集电极
c 共基极
答案：a
26.引起放大电路静态工作不稳定的主要因素是 _______
a 晶体管的电流放大系数太大
b 电源电压太高
c 晶体管参数随环境温度的变化而变化
答案：c
27. 在放大电路中，直流负反馈可以 ________
a 提高晶体管电流放大倍数的稳定性
b 提高放大电路的放大倍数
c 稳定电路的静态工作点
答案：c
28. 可以放大电压，但不能放大电流的是 _________ 放大电路。
a 共射极
b 共集电极
c 共基极
答案：c
29. 射极输出器无放大 _________ 的能力。
a 电压
b 电流
c 功率
答案：a
30. 在共射、共集和共基三种基本放大电路中，输出电阻最小的是 _______ 放大电路。
a 共射极
b 共集电极
c 共基极
答案：b
31. 与空载相比，接上负载后，放大电路的动态围一定_______
a 不变
b 变大
c 变小
答案：c
32.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入3kΩ的负载后输出电压降为3V，则此电路的输出电阻为_______
a 0.5kW
b 1kW
c 2kW
答案：b
35. 在多级放大电路中，即能放大直流信号，又能放大交流信号的是 _______ 多级放大电路。
a 阻容耦合
b 变压器耦合
c 直接耦合
答案：c
36 . 直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式（或变压器耦合式)多级放大电路相比，低频响应______
a 好
b 差
c 相同
37. 在多级放大电路中，不能抑制零点漂移的 ______ 多级放大电路。
a 阻容耦合
b 变压器耦合
c 直接耦合
38. 若三级放大电路的Au1 =Au2=30dB，Au3=20dB，电路将输入信号放大了______ 倍。
a 80
b 800
c 10000
39. 有两个性能完全相同的放大器，其开路电压增益为20dB，Ri=2kΩ，Ro=3kΩ。现将两个放大器级联构成两级放大器，则开路电压增益为 ______
a 40dB
b 32dB
c 16dB
40.由于放大电路对非正弦输入信号中不同频率分量有不同的放大能力和相移，因此会引起放大电路的输出信号产生失真。这种失真称为 ______ 失真。
a 饱和
b 截止
c 频率
41.放大电路的两种失真分别为 ______ 失真。
a 线性和非线性
b 饱和和截止
c 幅度和相位
42. 直接耦合多级放大电路与阻容耦合（或变压器耦合)多级放大电路相比，低频响应 _______
a 差
b 好
c 差不多
44. 在考虑放大电路的频率失真时，若输入信号Ui为正弦波，则输出信号___
a 会产生线性失真
b 会产生非线性失真
c 为正弦波
45.在晶体管组成的三种基本放大电路中，_______ 放大电路的高频特性最好。
a 共射极
b 共集电极
c 共基极
46. 对于多级放大电路，其通频带与组成他的任何一级单级放大电路相比 _____
a 变宽
b 变窄
c 两者一样
47. 多级放大电路的级数愈多则上限频率fH _________
a 越高
b 越低
c 无变化
48. 具有相同参数的两级放大电路在组成它的各个单管的截至频率处，幅值下降 _______
a 3dB
b 6dB
c 20dB
49. 多级放大电路的级数愈多，则高频附加相移 _________
a 越大
b 越小
c 无变化
51. 已知某晶体管的fT=150MHz,βb=50。当其工作频率为50MHz时，fβ≈_____
a 50MHz
b 30MHz
c 3MHz
52. 单级阻容耦合放大电路加入频率为fH和fL的输入信号时，输出电压的相位与中频区相比，在量值上有_______ 度的附加值。
a180 b 90 c 45
53在单级阻容耦合放大电路的波特图中，
(1)频响应曲线的斜率在高频区和低频区分别为_______
a 20dB/ 十倍频， -20dB/ 十倍频，
b 20dB/ 十倍频， 20dB/ 十倍频，
c -20dB/ 十倍频， 20dB/ 十倍频，
(2)相频响应曲线的斜率在高频区和低频区分别为_______
a 45 ° / 十倍频， -45 ° B/ 十倍频
b 45 ° / 十倍频， 45 ° B/ 十倍频
c - 45°/ 十倍频， -45 ° B/ 十倍频
54.工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为。
A. 83
B. 91
C. 100
答案：C
二、判断题
55.只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（）
答案：×
56.放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（）
答案：× 57.
电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（ ）
答案：×
58.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（ ）
答案：√
59.由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的
输出都毫无变化；（ ）
答案：×
60.只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（ ）
答案：×
三、解答题
61.电路如图PT3.4所示，所有晶体管均为硅管，β均为60，'bb r
=100Ω，静态时｜U BEQ ｜≈0.7V 。试求：
（1）静态时T 1管和T 2管的发射极电流。
（2）若静态时u O ＞0，则应如何调节R c2的值才能使u O ＝0V ？若静态u O ＝0V ，则R c2＝？电压放大倍数为多少？
图T3.4
解：（1）T 3管的集电极电流
I C3＝（U Z －U BEQ3）/ R e3＝0.3mA
静态时T 1管和T 2管的发射极电流
I E1＝I E2＝0.15mA
（2）若静态时u O ＞0，则应减小R c2。
当u I ＝0时u O ＝0，T 4管的集电极电流I CQ4＝V EE / R c4＝0.6mA 。R c2的电流及其阻值分别为
Ω≈+=-
=-=k 14.7mA 14.0C2c1BEQ4
E4E4c2CQ4C2B4C2R R I U R I R I I I I I ＝β
电压放大倍数求解过程如下：
Ω≈++=Ω≈++=k 74.2mV 26)1(k 7.10mV 26)
1(EQ4bb'be4EQ2bb'be2I r r I r r ββ
{}
297
18
)
1(
5.
16
2
]
)
1(
[
2
1
e4
be4
c4
2
be2
e4
be4
c2
1
－
∥
≈
?
=
-
≈
+
+
-
=
≈
+
+
=
u
u
u
u
u
A
A
A
R
r
R
A
r
R
r
R
A
β
β
β
β
62.电路如图P4.8所示，具有理想的对称性。设各管β均相同。
（1）说明电路中各晶体管的作用；
（2）若输入差模电压为（u I1－u I2），
则由此产生的差模电流为△i D，求解电路电流放大倍数A i的近似表达式。
解：（1）图示电路为双端输入、单端输出的差分放大电路。
T1和T2、T3和T4分别组成的复合管为放大管，T5和T6组成的镜
像电流源为有源负载。
（2）由于用T5和T6所构成的镜像电流源作为有源负载，将左
半部分放大管的电流变化量转换到右边，故输出电流变化量及
电路电流放大倍数
分别为
β
β
β
β
)
1(2
)
1(2
I
O
I
O
+
≈
?
?
=
?
+
≈
?
i
i
A
i
i
i
63.若两级放大电路各级的波特图均如图P5.2所示，试画出整
个电路的波特图。
解：
dB
60
lg
20
m
=
u
A
。在折线化幅频特性中，频率小于10Hz时斜率为＋40dB/十倍频，频率大于105Hz时斜率为－40dB/十倍频。在折线化相频特性中，f ＝10Hz时相移为＋90o，f ＝105Hz时相移为
－90o。波特图如解图P5.18所示。
解图P5.18
图P5.2
64.
电路如图P2.19所示，晶体管的b ＝60，
'bb r =100Ω。 （1）求解Q 点、u A 、R i 和R o ；
图P2.19
（2）设s U ＝10mV （有效值），问i U ＝？o U ＝？若C 3
开路，则i U ＝？o U ＝？ 解：（1）Q 点： V 56.4)(mA
86.1 A
μ 31)1(e c EQ CC CEQ BQ CQ e b BEQ
CC BQ =+-≈≈=≈++-=R R I V U I I R R U V I ββ
u A 、R i 和R o 的分析： Ω
==-≈-=Ω
≈=Ω≈++=k 3 95
)( 952 952mV 26)1( c o be L c be b i EQ
bb'be R R r R R A r R R I r r u ∥∥ββ （2）设s U ＝10mV （有效值），则