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性能指标详细测试步骤参考

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性能指标详细步骤参考使用说明

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性能指标详细步骤参考

目录

一、内存泄露 (3)

二、是否存在资源的重复拉取 (7)

三、无缓存/首屏总流量小于200K (7)

四、抓包检查(js/css)请求头不能带cookie,检查HTTP请求头有Accept-Encoding: gzip, deflate (9)

五、js/css/html代码需要进行压缩 (10)

六、控制图片大小 (11)

七、避免302跳转超过2次 (11)

八、页面加载完毕(可交互) (12)

九、tcpdump抓包 (13)

前提:Android测试机型为红米1,iOS测试进行为iPhone 4s iOS7

Android手机需root ,ios需越狱

一、内存泄露

Android\iOS 使用top命令来检查各个场景下的内存变化情况

1、Android内存抓取步骤

准备:电脑需安装android adb并将adb的目录加入到系统环境变量中

通过电脑命令窗口来查看内存变化状况,并记录内存数值

步骤:

1、adb devices 查看手机设备是否连接上,如下图所示:

adb root 命令可以让已经root的手机进入到adb的root状态

adb shell 命令进入手机的linux内核,出现“#”代表root权限,出现“$”代表普通用户权限

2、用top命令查看内存

如下图:

抓取特定的进程内存变化可以用命令:

adb shell top -d 1 –n 4 | find "进程名"

-d 指定刷新间隔时间

-n 指定刷新次数后退出

以qq的web进程为例:

adb shell top -d 1 -n 4 | find "com.tencent.mobileqq:web"

想要将抓取的内容保存到本地可以用如下命令

adb shell top -d 1 -n 4 | find "com.tencent.mobileqq:web" >>C:\Users\58\Desktop\log.txt

log.txt内容如下:

我们只需要记录”RSS实际使用内存”这列的数据,将他画成折线图,分析内存波动状态,就是上图中画红圈部分数值,。

分析内存直线图:一般抓取每次抓取200—300个数据,抓取3-5次,然后查看内存波动情况,在一定范围内的上下起伏波动证明内存没有泄露,如果出现内存数值持续增长,没有

回落现象说明可能存在内存泄露。

2、ios内存抓取步骤

准备:电脑需安装itools, SecureCRSecureFXPortable,ios越狱手机安装Cydia且在Cydia中搜索安装OpenSSH。

1、手机连接电脑,并打开itools

2、通过itools打通与手机的ssh通道

3、记住上面的连接地址、用户名及密码(一般默认是地址:127.0.0.1 用户名:root 密码:

alpine)

4、通过连接远程的机器来进入ios内核(可用SecureCRSecureFXPortable、putty等工具连接)

如下:

5、之后通过top命令来抓取内存变化,并绘制成直线图分析

以下以QQ为例:

ios

使用top命令收集内存数据:top -s 3 -l 20 | grep QQ > QQ.log

-s:指定刷新时间间隔

-l:指定次数

top命令:top命令可以获取到系统所有进程占用内存、cpu等状态,我们只需要关注RSIZE即实际占用内存值,如下:

抓取QQ内存变化:top -s 3 -l 20 | grep QQ

抓取QQ内存变化并写入文件中:top -s 3 -l 20 | grep QQ > QQ.log

抓取到的内存数据同上面android内存数据一样处理、分析。

6、抓取完后关闭ssh通道,只需在打通操作的位置再次点击itools上的ssh通道即可关闭。

二、是否存在资源的重复拉取

步骤:

1、打开fiddler

2、打开需要测试的页面

3、复制fiddler中抓取的全部资源(一个页面求情的所有资源)到excel

4、通过excel排重,获取的资源中不能有重复项

审查结果:如上图就存在重复值,不合格

三、无缓存/首屏总流量小于200K

步骤:

1、清除手机相应软件缓存

2、打开fiddler/wireshark

3、打开页面

Fiddler中流量就是Bytes Sent + Bytes Received Wireshark抓取流量:

图上红圈内的就是流量。要求抓包得到的流量小于200k

四、抓包检查(js/css)请求头不能带cookie,检查HTTP请求头有Accept-Encoding: gzip, deflate

Cookie:

1、打开fiddler

2、访问网页,通过fiddler抓取所有资源

3、挨个查看js/css中是否存在cookie

如下图所示为没有cookie的js

如下图所示为有cookie的js,不符合要求

特别说明:

部分统计JS需要cookie请与开发及产品沟通,沟通通过后说明原因,可以通过。

HTTP请求有Accept-Encoding: gzip, deflate:

1、打开fiddler

2、访问网页,通过fiddler抓取所有资源

3、挨个查看HTTP请求头有Accept-Encoding: gzip, deflate标志

效果图如下:

五、js/css/html代码需要进行压缩

1、打开fiddler

2、访问网页

3、查看页面源码(可通过fiddler抓取的包来获取页面所有的js、html、css,之后通过

在fiddler中copy url在浏览器中访问源码)

效果图对比:

未压缩的页面

压缩过的页面

六、控制图片大小

要求:单张图片小于60K(图片包括图片及图标ico)

1、打开fiddler

2、访问网页

3、通过fiddler来查看所有的图片大小

4、在fiddler中选中图片,然后如下图在标红处选择,就可以看到单张图片大小

七、避免302跳转超过2次

302:

1、打开fiddler

2、访问网页

3、在fiddler中查看状态吗

要求:用户一次操作,页面跳转返回码302的请求小于2个

八、页面加载完毕(可交互)

要求:Wifi下时间小于3s,2g下小于10s

工具:

recorder这个是ios的录屏软件(安装到手机端使用的,ios专用)android手机scr录屏录像(安装到手机端使用的、android专用)KMPlayer (播放器,可精确到毫秒)

itools 电脑端软件(可对ios、及android都进行录屏)

这里主要介绍itools 及KMPlayer的使用:

itools:录制实时桌面即录屏,录制好后用KMPlayer分析

KMPlayer:

通过如下操作出现“跳转到时间”小窗口,在小窗口中时间可以精确到毫秒。

页面加载时间= 页面加载完的时间- 点击链接时的时间

因此需要通过小窗口的暂停按钮来记录以上时间点。

一般每个页面需在无缓存条件下记录最少5遍左右数据,之后求平均值。(ios下2g、android 下2g、ios下wifi、android下wifi各5遍)

九、tcpdump抓包

tcpdump命令:

android 抓包相关命令:

1、adb devices 查看设备是否连上

2、adb root 启动root模式

3、adb push D:\性能测试\tcpdump\tcpdump/data/local/tcpdump将本地的tcpdump文件copy到手机

4、adb shell进入手机内核

5、cd /data/local/

6、chmod 755 tcpdump修改tcpdump权限

7、exit

8、adb shell data/local/tcpdump -p -vv -s 0 -w /data/capture.pcap通过tcpdump抓包

9、adb pull /data/capture.pcap C:\Users\58\Desktop\capture.pcap 将生成的保存在手机里的文件copy 到本地

抓包步骤:

1、手机连接电脑查看手机是否连接上adb devices

2、将本地tcpdump文件copy到手机

adb push D:\性能测试\tcpdump\tcpdump/data/local/tcpdump

3、修改tcpdump权限

chmod 755 tcpdump

4、adb shell data/local/tcpdump -p -vv -s 0 -w /data/capture.pcap

抓到的包这会保存到手机中的,如下

5、将手机中抓到的包,传到本地

adb pull /data/capture.pcap C:\Users\58\Desktop\capture.pcap

ios:

ios用tcpdump抓包需要有mac本

通过mac及tcpdump抓包相关命令:

rvictl -s 7f876f4526dd162912dc257f02f47706c2110225

sudo tcpdump -i rvi0 -p -vv -s 0 -w zhengzu.pcap

rvictl –x7f876f4526dd162912dc257f02f47706c2110225

举例:

步骤:

前提:mac本中有tcpdump文件

1、获取ios的设备标志号

ios手机连接电脑,打开itools,点击主面板中的“更多详情”,弹出的小窗口中有“设备标识”,如下图所示

2、在mac的命令窗口通过命令:rvictl -s “设备标识”建立虚拟网卡

命令:rvictl -s 3c434cfff44beaab2135ec09c03da7c877c2cb4e

如果创建成功会在命令窗口出现success标识并显示创建成功的虚拟网卡ID号,失败会出现failure 标识

3、创建成功后执tcpdump命令:sudo tcpdump -i “虚拟网卡ID号”-p -vv -s 0 -w “名字”.pcap

如:sudo tcpdump -i rvi0 -p -vv -s 0 -w zhengzu.pcap

其中:rvi0 是虚拟网卡ID号,之后就通过该网卡开始监听手机的网络信息,开始抓包

4、抓包完成后通过命令:rvictl –x“设备标识”关闭这个虚拟网卡。

例:rvictl –x3c434cfff44beaab2135ec09c03da7c877c2cb4e

87ee1650ec92e2c8f1804000ca6c1c4320c851a1

性能测试培训——基础知识

性能测试培训(一) ——基础知识 1.软件性能测试的概念 1.1软件性能与性能测试 软件性能:覆盖面广泛,对一个系统而言,包括执行效率、资源占用、稳定性、安全性、兼容性、可扩展性、可靠性等。 性能测试:为保证系统运行后的性能能够满足用户需求,而开展的一系列的测试组织工作。 1.2不同角色对软件性能的认识 用户眼中的软件性能: ?软件对用户操作的响应时间 如用户提交一个查询操作或打开一个web页面的链接等。 ?业务可用度,或者系统的服务水平如何 管理员眼中的软件性能:

开发人员眼中的软件性能: 1.3性能测试的对象 服务器端: ?负载均衡系统; ?服务器(单机、双机热备、集群); ?存储系统、灾备中心; ?数据库、中间件。 网络端: ?核心交换设备、路由设备; ?广域网络、专线网络、局域网络、拨号网络等; 应用系统: 由此可见,性能测试是一个系统性的工作,被测对象包括系统运行时使用的所有软硬件。但在实际操作时,将根据项目的特点,选择特定的被测对象。 1.4性能测试的目标 评价系统当前的性能:

?系统刚上线使用,即处于试运行时,用户需要确定当前系 统是否满足验收要求; ?系统已经运行一段时间,如何保证一直具有良好的性能。分析系统瓶颈、优化系统: ?用户提出业务操作响应时间长,如何定位问题,调整性能; ?系统运行一段时间后,速度变慢,如何寻找瓶颈,进而优 化性能。 预见系统未来性能、容量可扩充性: ?系统用户数增加或业务量增加时,当前系统是否能够满足 需求,如果不能,需要进行哪些调整?提高硬件配置?增 加应用服务器?提高数据库服务器的配置?或者是需要对 代码进行调整? 1.5性能测试的分类 按照测试压力级别: ?负载测试; ?压力测试; 按照测试实施目标: ?应用在客户端的测试; ?应用在网络的测试; ?应用在服务器端的测试; 按照测试实施策略:

霍尔效应实验和霍尔法测量磁场

DH-MF-SJ组合式磁场综合实验仪 使用说明书 一、概述 DH-MF-SJ组合式磁场综合实验仪用于研究霍尔效应产生的原理及其测量方法,通过施加磁场,可以测出霍尔电压并计算它的灵敏度,以及可以通过测得的灵敏度来计算线圈附近各点的磁场。 二、主要技术性能 1、环境适应性:工作温度 10~35℃; 相对湿度 25~75%。 2、通用磁学测试仪 2.1可调电压源:0~15.00V、10mA; 2.2可调恒流源:0~5.000mA和0~9.999mA可变量程,为霍尔器件 提供工作电流,对于此实验系统默认为0-5.000mA恒流源功能; 2.3电压源和电流源通过电子开关选择设置,实现单独的电压源和电 流源功能; 2.4电流电压调节均采用数字编码开关; 2.5数字电压表:200mV、2V和20V三档,4位半数显,自动量程转换。 3、通用直流电源 3.1直流电源,电压0~30.00V可调;电流0~1.000A可调; 3.2电流电压准确度:0.5%±2个字; 3.3电压粗调和细调,电流粗调和细调均采用数字编码开关。 4、测试架 4.1底板尺寸:780*160mm; 4.2载物台尺寸:320*150mm,用于放置螺线管和双线圈测试样品; 4.3螺线管:线圈匝数1800匝左右,有效长度181mm,等效半径21mm; 4.4双线圈:线圈匝数1400匝(单个),有效直径72mm,二线圈中心 间距 52mm; 4.5移动导轨机构:水平方向0~60cm可调;垂直方向0~36cm可调,最小分辨率1mm; 5、供电电源:AC 220V±10%,总功耗:60VA。 三、仪器构成及使用说明

DH-MF-SJ组合式磁场综合实验仪由实验测试台、双线圈、螺线管、通用磁学测试仪、通用直流电源以及测试线等组成。 1、测试架 1.双线圈; 2.载物台(上面绘制坐标轴线); 3,4 双线圈励磁电源输入接口; 5.霍尔元件; 6.立杆; 7.刻度尺; 8.传感器杆(后端引出2组线,一组 为传感器工作电流Is,输出端号码管标识为Input;一组为霍尔电势V H输出,输出端号码管标识为Output); 9.滑座; 10.导轨; 11. 螺线管励磁电源输入接口; 12.螺线管; 13.霍尔工作电流I S输入,号码管标有Input(红正,黑负); 14.霍尔电势V H输出,号码管标有Output(红正,黑负); 15.底座 图1-1组合式磁场综合实验仪(测试架图) 2、通用磁学测试仪(DH0802) 1.电压或电流显示窗口(霍尔元件工作电流或电压指示); 2.恒流源指示灯; 3.恒压源指示灯; 4.调节旋钮(左右旋转用于减小或增加输出;按下弹起按钮用于

机械原理考试试题及答案详解 (1)

机械原理模拟试卷 一单向选择(每小题1分共10分) 1. 对心直动尖顶盘形凸轮机构的推程压力角超过了许用值时,可采用措施来解决。 (A 增大基圆半径 B 改为滚子推杆 C 改变凸轮转向) 2. 渐开线齿廓的形状取决于的大小。 (A 基圆 B 分度圆 C 节圆) 3. 斜齿圆柱齿轮的标准参数指的是上的参数。 (A 端面 B 法面 C 平面) 4. 加工渐开线齿轮时,刀具分度线与轮坯分度圆不相切,加工出来的齿轮称为齿轮。 (A 标准 B 变位 C 斜齿轮) 5. 若机构具有确定的运动,则其自由度原动件数。 ( A 大于 B 小于 C 等于) 6. 两齿轮的实际中心距与设计中心距略有偏差,则两轮传动比__ _____。 ( A 变大 B 变小 C 不变 ) 7.拟将曲柄摇杆机构改变为双曲柄机构,应取原机构的_____ __作机架。 ( A 曲柄 B 连杆 C 摇杆 ) 8. 行星轮系是指自由度。 ( A 为1的周转轮系 B 为1的定轴轮系 C 为2的周转轮系) 9. 若凸轮实际轮廓曲线出现尖点或交叉,可滚子半径。 ( A 增大 B 减小 C 不变) 10.平面连杆机构急回运动的相对程度,通常用来衡量。 ( A 极位夹角θ B 行程速比系数K C 压力角α) 二、填空题(每空1分共10分) 1. 标准渐开线直齿圆锥齿轮的标准模数和压力角定义在端。 2. 图(a),(b),(c)中,S为总质心,图中转子需静平衡,图中转子需动平衡。

3. 平面移动副自锁条件是,转动副自锁条件是。 4. 周期性速度波动和非周期性速度波动的调节方法分别为应用和。 5. 惰轮对并无影响,但却能改变从动轮的。 6. 平面连杆机构是否具有急回运动的关键是。 三、简答题(每小题6分共24分) 1. 什么是运动副、低副、高副?试各举一个例子。平面机构中若引入一个高副将带入几个约束?若引入一个低副将带入几个约束? 2.何谓曲柄?铰链四杆机构有曲柄存在的条件是什么?当以曲柄为主动件时,曲柄摇杆机构的最小传动角将可能出现在机构的什么位置? 3.什么是渐开线齿廓的根切现象?产生根切原因是什么?标准直齿圆柱齿轮不根切的最小齿数是多少? 4.如图所示平面四杆机构,试回答: (1) 该平面四杆机构的名称; (2) 此机构有无急回运动,为什么? (3) 此机构有无死点,在什么条件下出现死点; (4) 构件AB为主动件时,在什么位置有最小传动角。 四、计算题(共36分) 1. 图所示穿孔式计算机中升杆和计算卡停止机构,有箭头标记的为原动件,试判断此机构运动是否确定。(若有复合铰链、局部自由度、虚约束请指出来)(8分) 2. 在电动机驱动的剪床中,作用在剪床主轴上的阻力矩M r的变化规律如图所示,等效驱动力矩I H

服务器性能测试典型工具介绍

服务器性能测试典型工具介绍 https://www.doczj.com/doc/9d3349624.html,/ 2008-11-17 16:42 IT168 我要评论(2) ?摘要:本文介绍了几个比较典型的服务器评测软件,无论什么评测工具,基本的技术都是利用线程技术模仿和虚拟用户,在这里主要的难点在于测试脚本的编写,每种工具使用的脚本都不一样,但是大多数工具都提供录制功能就算是不会编码的测试人员同样可以测试。 ?标签:服务器评测测试工具 ? Oracle帮您准确洞察各个物流环节众所周知,服务器是整个网络系统和计算平台的核心,许多重要的数据都保存在服务器上,很多网络服务都在服务器上运行,因此服务器性能的好坏决定了整个应用系统的性能。 现在市面上不同品牌、不同种类的服务器有很多种,用户在选购时,怎样从纷繁的型号中选择出所需要的,适合于自己应用的服务器产品,仅仅从配置上判别是不够的,最好能够通过实际测试来筛选。而各种的评测软件有很多种,你应该选择哪个软件测试?下面就介绍一些较典型的测试工具: (一)服务器整机系统性能测试工具 一台服务器系统的性能可以按照处理器、内存、存储、网络几部分来划分,而针对不同的应用,可能会对某些部分的性能要求高一些。 Iometer(https://www.doczj.com/doc/9d3349624.html,):存储子系统读写性能测试 Iometer是Windows系统下对存储子系统的读写性能进行测试的软件。可以显示磁盘系统的最大IO能力、磁盘系统的最大吞吐量、CPU使用率、错误信息等。用户可以通过设置不同的测试的参数,有存取类型(如sequential ,random)、读写块大小(如64K、256K),队列深度等,来模拟实际应用的读写环境进行测试。

实验8 霍尔效应法测量磁场A4

实验八 霍尔效应法测量磁场 【实验目的】 1.了解霍尔器件的工作特性。 2.掌握霍尔器件测量磁场的工作原理。 3.用霍尔器件测量长直螺线管的磁场分布。 4.考查一对共轴线圈的磁耦合度。 【实验仪器】 长直螺线管、亥姆霍兹线圈、霍尔效应测磁仪、霍尔传感器等。 【实验原理】 1.霍尔器件测量磁场的原理 图1 霍尔效应原理 如图1所示,有-N 型半导体材料制成的霍尔传感器,长为L ,宽为b ,厚为d ,其四个侧面各焊有一个电极1、2、3、4。将其放在如图所示的垂直磁场中,沿3、4两个侧面通以电流I ,则电子将沿负I 方向以速度运动,此电子将受到垂直方向磁场B 的洛仑兹力m e F ev B =?作用,造成电子在半导体薄片的1测积累过量的负电荷,2侧积累过量的正电荷。因此在薄片中产生了由2侧指向1侧的电场H E ,该电场对电子的作用力H H F eE =,与m e F ev B =?反向,当两种力相平衡时,便出现稳定状态,1、2两侧面将建立起稳定的电压H U ,此种效应为霍尔效应,由此而产生的电压叫霍尔电压H U ,1、2端输出的霍尔电压可由数显电压表测量并显示出来。 I

如果半导体中电流I 是稳定而均匀的,可以推导出H U 满足: H H H IB U R K IB d =? =?, 式中,H R 为霍耳系数,通常定义/H H K R d =,H K 称为灵敏度。 由H R 和H K 的定义可知,对于一给定的霍耳传感器,H R 和H K 有唯一确定的值,在电流I 不变的情况下,与B 有一一对应关系。 2.误差分析及改进措施 由于系统误差中影响最大的是不等势电势差,下面介绍一种方法可直接消除不等势电势差的影响,不用多次改变B 、I 方向。如图2所示,将图2中电极2引线处焊上两个电极引线5、6,并在5、6间连接一可变电阻,其滑动端作为另一引出线2,将线路完全接通后,可以调节滑动触头2,使数字电压表所测 电压为零,这样就消除了1、2两引线间的不等势电势差,而且还可以测出不等势电势差的大小。本霍尔效应测磁仪的霍尔电压测量部分就采用了这种电路,使得整个实验过程变得较为容易操作,不过实验前要首先进行霍尔输出电压的调零,以消除霍尔器件的“不等位电势”。 在测量过程中,如果操作不当,使霍尔元件与螺线管磁场不垂直,或霍尔元件中电流与磁场不垂直,也会引入系统误差。 3.载流长直螺线管中的磁场 从电磁学中我们知道,螺线管是绕在圆柱面上的螺旋型线圈。对于密绕的螺线管来说,可以近似地看成是一系列园线圈并排起来组成的。如果其半径为R 、总长度为L ,单位长度的匝数为n ,并取螺线管的轴线为x 轴,其中心点O 为坐标原点,则 (1)对于无限长螺线管L →∞或L R >>的有限长螺线管,其轴线上的磁场是一个均匀磁场,且等于: 00B NI μ= 图2

系统测试全过程

我一直感觉系统测试总像马拉松总是测试不完,什么时候上线,什么时候算终点。虽然提交客户了,可是对于质量仍然心里没底,对于测试的效果没有评价的依据。后来经过高人指点,终于领悟到至关重要的精髓:明确测试目标! 如果要将系统进行全面测试,那么就要有一套完整的测试阶段,每个阶段都以测试目标为标准,科学、有序地进行测试,那么测试效率也就会自然而然跟着提高。 测试阶段分为:测试前准备、需求分析、测试计划、测试设计、测试执行、测试结果。 1.测试前准备阶段 主要是相关业务的学习。业务知识是测试的根本依据,只有业务过关了,以后才能有效的进行测试工作。 了解业务步骤: a、了解业务名词; b、对现有系统的学习:功能点、业务场景等; c、分析现有系统数据库,了解数据的走向。 2.需求分析阶段 需求是项目开发的基础,也是测试的依据。所以需求分析一定要做。但是很多公司是没有详细的需求文档的,那如何进行需求分析呢? 此时分析数据库就是一个非常好的方法: a、每张表的索引和约束条件; b、数据的来源、走向; c、数据的存储、变化; d、数据间的关联; e、表与表间的关系; 这些分析都可以为了解业务场景和之后的测试用例设计打好基础。 3.测试计划阶段 我们总是觉得被测试进度紧逼、计划失控、测试不完全等等状态,其实解决这些情况的最好方法就是:制定测试目标。

在计划初期先明确测试目标,制定不同层次目标的执行标准,指导后期设计不同级别的测试用例,跟踪不同级别的缺陷修改。在测试时间较紧情况下,至少可以先把保证所有功能正常操作的最低目标版本先提交给客户,不会再有手忙脚乱,心里没底的状况。 测试目标分为: 最低目标 基本目标 较高目标 最高目标等级别 可以使用表格形式来规范目标准侧,例如: 测试目标准则表 目标 测试范围 需求覆盖率 最低目标:正常的输入+正常的处理过程,有一个正确的输出 (明确的功能点全部列出来) 1.功能: 正常功能 异常功能 单功能 业务场景 非功能:16种测试类型 2.输入覆盖率: 有效无效 处理过程:基本流 备选流

WEB服务器性能测试基本指标

WEB服务器性能测试基本指标 1说明 随着公司业务的发展,公司网站、管理后台、app服务器的访问量在不断增加,但通常在软件设计开发的时候很难模拟出大量用户同时访问系统的实际情况,因此,当Web网站遇到访问高峰时,容易发生服务器响应速度变慢甚至服务中断。为了避免这种情况,需要一种能够真实模拟大量用户访问Web应用系统的性能测试工具进行压力测试,来测试静态HTML页面的响应时间,甚至测试动态网页(包括PHP、JSP 等)的响应时间,为服务器的性能优化和调整提供数据依据。 Web性能测试的部分概况一般来说,一个Web请求的处理包括以下步骤: (1)客户发送请求 (2)web server接受到请求,进行处理; (3)web server 向DB获取数据; (4)web server生成用户的object(页面),返回给用户。给客户发送请求开始到最后一个字节的时间称为响应时间(第三步不包括在每次请求处理中)。

2网络拓扑图 3系统配置

4主要指标 4.1事务(Transaction) 在web性能测试中,一个事务表示一个“从用户发送请求->web server接受到请求,进行处理-> we b server向DB获取数据->生成用户的object(页面),返回给用户”的过程,一般的响应时间都是针对事务而言的。 4.2请求响应时间 请求响应时间指的是从客户端发起的一个请求开始,到客户端接收到从服务器端返回的响应结束,这个过程所耗费的时间,在某些工具中,响应通常会称为“TTLB”,即"time to last byte",意思是从发起一个请求开始,到客户端接收到最后一个字节的响应所耗费的时间,响应时间的单位一般为“秒”或者“毫秒”。一个公式可以表示:响应时间=网络响应时间+应用程序响应时间。标准可参考国外的3/5/10原则: (1)在3秒钟之内,页面给予用户响应并有所显示,可认为是“很不错的”; (2)在3~5秒钟内,页面给予用户响应并有所显示,可认为是“好的”; (3)在5~10秒钟内,页面给予用户响应并有所显示,可认为是“勉强接受的”; (4)超过10秒就让人有点不耐烦了,用户很可能不会继续等待下去; 4.3事务响应时间 事务可能由一系列请求组成,事务的响应时间主要是针对用户而言,属于宏观上的概念,是为了向用户说明业务响应时间而提出的.例如:跨行取款事务的响应时间就是由一系列的请求组成的.事务响应时间是直接衡量系统性能的参数. 4.4并发用户数 并发一般分为2种情况。一种是严格意义上的并发,即所有的用户在同一时刻做同一件事情或者操作,这种操作一般指做同一类型的业务。比如在信用卡审批业务中,一定数目的拥护在同一时刻对已经完成的审批业务进行提交;还有一种特例,即所有用户进行完全一样的操作,例如在信用卡审批业务中,所有的用户可以一起申请业务,或者修改同一条记录。 另外一种并发是广义范围的并发。这种并发与前一种并发的区别是,尽管多个用户对系统发出了请求或者进行了操作,但是这些请求或者操作可以是相同的,也可以是不同的。对整个系统而言,仍然是有很多用户同时对系统进行操作,因此也属于并发的范畴。 可以看出,后一种并发是包含前一种并发的。而且后一种并发更接近用户的实际使用情况,因此对于大多数的系统,只有数量很少的用户进行“严格意义上的并发”。对于WEB性能测试而言,这2种并发情况一般都需要进行测试,通常做法是先进行严格意义上的并发测试。严格意义上的用户并发一般发生在使用比较频繁的模块中,尽管发生的概率不是很大,但是一旦发生性能问题,后果很可能是致命的。严格意义

实验十三 霍尔效应测磁场---注意事项及操作步骤(姜黎霞)

实验十三 霍耳效应测磁场 一、注意事项 1. 双刀双掷开关上的连线已经固定连接好,请不要擅自拆卸。 2. 双刀双掷开关引出的导线红“+”、黑“-”,各表头对应的接线柱也是红“+”、黑“-”,连线时双刀双掷开关引出的导线并联到接线柱上,即“红接红,黑接黑”。导线连好后经老师检查,然后开电源。 3. 双刀双掷开关向上合闸规定为“+”,向下合闸规定为“-”。在整个实验过程中,霍耳电压H U 对应的双刀双掷开关向上合闸,固定不变,只有工作电流H S ()I I 和励磁电流M I 对应的双刀双掷开关会要求上、下换向合闸,其中励磁电流M I 对应的双刀双掷开关在合闸时动作要快,否则会产生电火花。 4. 实验结束后,先断电,后拆线。只拆自己连接的部分,其它线路保留。 5. 本实验有两种型号的仪器,工作电流分别表示为H I 或S I ,灵敏度分别表示为 H K 或H S 。 6. 每套仪器的灵敏度不同,具体数值标在仪器箱内的面板上,注意:有一种型号的仪器灵敏度单位不是国际单位制,要化为国际单位制,具体换算是: 1mV /mA KG 10V /A T ?=?( G :高斯,T :特斯拉) 二、操作步骤 1. 将三个双刀双掷开关引出的导线分别并联到与开关名目相同的接线柱上,经老师检查后,打开电源。 2. 将三个双刀双掷开关全部向上合闸,然后调节工作电流H S () 2.00mA I I =,励磁电流M 0.6A I =。注意:(1)励磁电流调节好后就固定了,直到实验结束都不需再调节。(2)有一种型号的仪器工作电流和励磁电流用同一个表头显示,需要用旁边的红色按钮转换。 3. 调节霍耳元件移动螺杆旋钮,测量霍耳元件在电磁铁两极间隙中5个不同任选位置的霍耳电压H U ,并将数据填入表13-1的草表中。

机械原理试题及答案2份

试题1 一、填空题(每小题2分,共20分) 1、 平面运动副的最大约束数为2个,最小约束数为 1个。 2、 当两构件组成转动副时,其相对速度瞬心在转动副中心处。 3、 对心曲柄滑块机构,若以连杆为机架,则该机构演化为曲柄摇块机构。 4、 传动角越大,则机构传力性能越好。 5、 凸轮机构推杆的常用运动规律中,二次多项式运动规律具有柔性冲击。 6、 蜗杆机构的标准参数从中间平面中取。 7、 常见间歇运动机构有:棘轮机构、槽轮机构等。 8、 为了减小飞轮的重量和尺寸,应将飞轮装在高速轴上。 9、 实现往复移动的机构有:曲柄滑块机构、凸轮机构等。 10、 外啮合平行轴斜齿轮的正确啮合条件为: 212121n n n n m m ααββ==-=,,。 二、简答题(每小题5分,共25分) 1、何谓三心定理? 答:三个彼此作平面运动的构件的三个瞬心必位于同一直线上。 2、 简述机械中不平衡惯性力的危害? 答:机械中的不平衡惯性力将在运动副中引起附加的动压力,这不仅会增大运动副中的摩擦和构件中的内应力,降低机械效率和使用寿命,而且会引起机械及其基础产生强迫振动。 3、 铰链四杆机构在死点位置时,推动力任意增大也不能使机构产生运动,这与机构的自锁 现象是否相同?试加以说明? 答:(1)不同。 (2)铰链四杆机构的死点指:传动角=0度时,主动件通过连杆作用于从动件上的力恰好通过其回转中心,而不能使从动件转动,出现了顶死现象。 死点本质:驱动力不产生转矩。 机械自锁指:机构的机构情况分析是可以运动的,但由于摩擦的存在,却会出现无论如何增大驱动力,也无法使其运动的现象。 自锁的本质是:驱动力引起的摩擦力大于等于驱动力的有效分力。 4、 棘轮机构与槽轮机构均可用来实现从动轴的单向间歇转动,但在具体的使用选择上,又 有什么不同? 答:棘轮机构常用于速度较低和载荷不大的场合,而且棘轮转动的角度可以改变。槽轮机构较棘轮机构工作平稳,但转角不能改变。 5、 简述齿廓啮合基本定律。 答:相互啮合传动的一对齿轮,在任一位置时的传动比,都与其连心线被其啮合齿廓在接触

软件测试过程模型

软件测试过程模型 发布时间: 2010-7-27 11:02 作者: 未知来源: 51Testing软件测试网采编 字体: 小中大| 上一篇下一篇| 打印| 我要投稿| 每周一问,答贴有奖 目前主流的开发模型主要有:瀑布模型、原型模型、螺旋模型、增量模型、渐进模型、快速软件开发(RAD)以及Rational统一过程(RUP)等,这些模型对于软件开发过程具有很好的指导作用,但是,非常遗憾的是,在这些过程方法中,并没有充分强调测试的价值,也没有给测试以足够的重视,利用这些模型无法更好地指导测试实践。软件测试是与软件开发紧密相关的一系列有计划的系统性的活动,显然软件测试也需要测试模型去指导实践。下面对主要的模型做一些简单的介绍。 V模型 V模型是最具有代表意义的测试模型。在传统的开发模型中,比如瀑布模型,人们通常把测试过程作为在需求分析、概要设计、详细设计和编码全部完成后的一个阶段,尽管有时测试工作会占用整个项目周期的一半的时间,但是有人仍然认为测试只是一个收尾工作,而不是主要过程。V模型的推出就是对此种认识的改进。V模型是软件开发瀑布模型的变种,它反映了测试活动与分析与分析和设计的关系,从左到右,描述了基本的开发过程和测试行为,非常明确地标明了测试过程中存在的不同级别,并且清楚地描述了这些测试阶段和开发过程期间各阶段的对应关系,如模型图中所示,图中的箭头代表了时间方向,左边下降的是开发过程各阶段,与此相对应的是右边上升的部分,即各测试过程的各个阶段。 V模型的软件测试策略既包括低层测试又包括了高层测试,低层测试是为了源代码的正确性,高层测试是为了使整个系统满足用户的需求。 V模型指出,单元和集成测试是验证程序设计,开发人员和测试组应检测程序的执行是否满足软件设计的要求;系统测试应当验证系统设计,检测系统功能、性能的质量特性是否达到系统设计的指标;由测试人员和用户进行软件的确认测试和验收测试,追溯软件需求说明书进行测试,以确定软件的实现是否满

服务器性能测试指标介绍

服务器性能测试指标介绍 当前业界常见的服务器性能指标有: TPC-C TPC-E TPC-H SPECjbb2005 SPECjEnterprise2010 SPECint2006 及SPECint_rate_2006 SPECfp2006 及SPECfp_rate_2006 SAP SD 2-Tier LINPACK RPE2 一、TPC (Transaction Processing Performance Council) 即联机交易处理性能协会, 成立于1988年的非盈利组织,各主要软硬件供应商均参与,成立目标: 为业界提供可信的数据库及交易处理基准测试结果,当前发布主要基准测试为: TPC-C : 数据库在线查询(OLTP)交易性能 TPC-E : 数据库在线查询(OLTP)交易性能 TPC-H : 商业智能/ 数据仓库/ 在线分析(OLAP)交易性能 1.TPC-C测试内容:数据库事务处理测试, 模拟一个批发商的订单管理系统。实际衡量服务器及数据库软件处理在线查询交易处理(OLTP)的性能表现. 正规TPC-C 测试结果发

布必须提供tpmC值, 即每分钟完成多少笔TPC-C 数据库交易(TPC-C Transaction Per Minute), 同时要提供性价比$/tpmC。如果把TPC-C 测试结果写成为tpm, TPM, TPMC, TPCC 均不属正规。 2.TPC-E测试内容:数据库事务处理测试,模拟一个证券交易系统。与TPC-C一样,实际衡量服务器及数据库软件处理在线查询交易处理(OLTP)的性能表现。正规TPC-E测试结果必须提供tpsE值,即每秒钟完成多少笔TPC-E数据库交易(transaction per second),同时提供$/tpsE。测试结果写成其他形式均不属正规。 对比:TPC-E测试较TPC-C测试,在测试模型搭建上增加了应用服务器层,同时增加了数据库结构的复杂性,测试成本相对降低。截止目前,TPC-E的测试结果仅公布有50种左右,且测试环境均为PC服务器和windows操作系统,并无power服务器的测试结果。除此之外,TPC官方组织并未声明TPC-E取代TPC-C,所以,说TPC-E取代TPC-C并没有根据。 附TPC-C与TPC-E数据库结构对比 3.TPC-H测试内容:对大型数据仓库进行决策支持(decision support)的基准测试。TPC-H包含一组复杂的业务查询及修改操作,属于商业智能/数据仓库/在线分析(OLAP)

霍尔效应实验报告98010

霍尔效应与应用设计 摘要:随着半导体物理学的迅速发展,霍尔系数和电导率的测量已成为研究半导体材料的主要方法之一。本文主要通过实验测量半导体材料的霍尔系数和电导率可以判断材料的导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等主要参数。 关键词:霍尔系数,电导率,载流子浓度。 一.引言 【实验背景】 置于磁场中的载流体,如果电流方向与磁场垂直,则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场,称为霍尔效应。 如今,霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段,而且随着电子技术的发展,利用该效应制成的霍尔器件,由于结构简单、频率响应宽(高达10GHz )、寿命长、可靠性高等优点,已广泛用于非电量测量、自动控制和信息处理等方面。 【实验目的】 1. 通过实验掌握霍尔效应基本原理,了解霍尔元件的基本结构; 2. 学会测量半导体材料的霍尔系数、电导率、迁移率等参数的实验方法和技术; 3. 学会用“对称测量法”消除副效应所产生的系统误差的实验方法。 4. 学习利用霍尔效应测量磁感应强度B 及磁场分布。 二、实验内容与数据处理 【实验原理】 一、霍尔效应原理 霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积,从而形成附加的横向电场。如图1所示。当载流子所受的横电场力与洛仑兹力相等时,样品两侧电荷的积累就达到平衡,故有 B e eE H v = 其中E H 称为霍尔电场,v 是载流子在电流方向上的平均漂移速度。设试样的宽度为b , ? a

厚度为d ,载流子浓度为n ,则 bd ne t lbde n t q I S v =??=??= d B I R d B I ne b E V S H S H H =?= ?=1 比例系数R H =1/ne 称为霍尔系数。 1. 由R H 的符号(或霍尔电压的正负)判断样品的导电类型。 2. 由R H 求载流子浓度n ,即 e R n H ?= 1 (4) 3. 结合电导率的测量,求载流子的迁移率μ。 电导率σ与载流子浓度n 以及迁移率μ之间有如下关系 μσne = (5) 即σμ?=H R ,测出σ值即可求μ。 电导率σ可以通过在零磁场下,测量B 、C 电极间的电位差为V BC ,由下式求得σ。 S L V I BC BC s ?= σ(6) 二、实验中的副效应及其消除方法: 在产生霍尔效应的同时,因伴随着多种副效应,以致实验测得的霍尔电极A 、A′之间的电压为V H 与各副效应电压的叠加值,因此必须设法消除。 (1)不等势电压降V 0 如图2所示,由于测量霍尔电压的A 、A′两电极不可能绝对对称地焊在霍尔片的两侧,位置不在一个理想的等势面上,Vo 可以通过改变Is 的方向予以消除。 (2)爱廷豪森效应—热电效应引起的附加电压V E 构成电流的载流子速度不同,又因速度大的载流子的能量大,所以速度大的粒子聚集的一侧温度高于另一侧。电极和半导体之间形成温差电偶,这一温差产生温差电动势V E ,如果采用交流电,则由于交流变化快使得爱延好森效应来不及建立,可以减小测量误差。 (3)能斯托效应—热磁效应直接引起的附加电压V N

机械原理测试题及答案

一、填空题(10 道小题,20 个空,每空1 分,共20 分) 1.平面运动副的最大约束数为,最小约束数为。 2.移动副的自锁条件是,转动副的自锁条件是。 93.969mm,3.已知一对渐开线直齿圆柱齿轮传动,其主动轮齿数z1= 20 ,基圆直径d b1= 从动轮齿数z2= 67 ,则从动轮的基圆直径d b2=。 4.正变位齿轮与标准齿轮比较,其分度圆齿厚,齿根高。 5.在凸轮机构推杆的四种常用运动规律中,运动规律有刚性冲击; 运动规律无冲击。 功之比,它反映了功在机械中的有效利用程6.机械效率等于输入功与 度。 7.刚性转子的动平衡条件是,。 8.在单销四槽外接槽轮机构中,已知主动拨盘的角速度为ω = π / 4 rad/s, 则在主动拨盘运动 一周的时间内,槽轮运动了秒,停歇了秒;槽轮机构的运动系数 为。 9.微动螺旋机构的两段螺纹的旋向应,两导程应。 10.当两构件组成转动副时,其速度瞬心在处,组成移动副时,其瞬心在处。 二、简答题(4 道小题,每道小题5 分,共20 分) 1.何谓急回运动?试列出三种具有急回运动的连杆机构。 2.何谓周期性速度波动和非周期性速度波动?为什么要加以调节?各用什么办法来加以调节? 3.平底推杆凸轮机构的压力角为多少?这种凸轮机构是否存在自锁现象?为什么? 4.设计直动推杆盘形凸轮机构的凸轮轮廓时,若机构的最大压力角超过了许用值,试问可采取 哪几种措施以减小最大压力角? 注:学生必须在答题纸上答题,否则没有成绩。第 1 页共 4 页

= 250mm,cm, 图三、1 ,而其他各杆的长度不变,则当分别以1、2、3 图三、2 分) 所示冲床机构的自由度,若存在局部自由度、复合铰链或虚约束,请指出其 注:学生必须在答题纸上答题,否则没有成绩。第 2 页共 4 页

霍尔效应实验方法

实验: 霍尔效应与应用设计 [教学目标] 1. 通过实验掌握霍尔效应基本原理,了解霍尔元件的基本结构; 2. 学会测量半导体材料的霍尔系数的实验方法和技术; 3. 学会用“对称测量法”消除副效应所产生的系统误差的实验方法。 [实验仪器] 1.TH -H 型霍尔效应实验仪,主要由规格为>2500GS/A 电磁铁、N 型半导体硅单晶切薄片式样、样品架、I S 和I M 换向开关、V H 和V σ(即V AC )测量选择开关组成。 2.TH -H 型霍尔效应测试仪,主要由样品工作电流源、励磁电流源和直流数字毫伏表组成。 [教学重点] 1. 霍尔效应基本原理; 2. 测量半导体材料的霍尔系数的实验方法; 3. “对称测量法”消除副效应所产生的系统误差的实验方法。 [教学难点] 1. 霍尔效应基本原理及霍尔电压结论的电磁学解释与推导; 2. 各种副效应来源、性质及消除或减小的实验方法; 3. 用最小二乘法处理相关数据得出结论。 [教学过程] (一)讲授内容: (1)霍尔效应的发现: 1879,霍尔在研究关于载流导体在磁场中的受力性质时发现: “电流通过金属,在磁场作用下产生横向电动势” 。这种效应被称为霍尔效应。 结论:d B I ne V S H ?=1 (2)霍尔效应的解释: 霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积,从而形成附加的横向电场。当载

流子所受的横电场力H e eE f =与洛仑兹力evB f m =相等时,样品两侧电荷的积累就达到平衡, B e eE H v = (1) bd ne I S v = (2) 由 (1)、(2)两式可得: d B I R d B I ne b E V S H S H H =?= ?=1 (3) 比例系数ne R H 1=称为霍尔系数,它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数, (3) 霍尔效应在理论研究方面的进展 1、量子霍尔效应(Quantum Hall Effect) 1980年,德国物理学家冯?克利青观察到在超强磁场(18T )和极低 温(1.5K )条件下,霍尔电压 UH 与B 之间的关系不再是线性的,出现一 系列量子化平台。 量子霍尔电阻 获1985年诺贝尔物理学奖! 2、分数量子霍尔效应 1、1982年,美国AT&T 贝尔实验室的崔琦和 斯特默发现:“极纯的半导体材料在超低温(0.5K) 和超强磁场(25T)下,一种以分数形态出现的量子电 阻平台”。 2、1983 年,同实验室的劳克林提出准粒子理 论模型,解释这一现象。 获1998年诺贝尔物理学奖 i e h I U R H H H 1 2?==3,2,1=i

最新机械原理期末考试及答案

《机械原理》试卷参考答案 开课单位:机械工程学院,考试形式:闭卷,允许带 计算器、绘图仪器 入场 题序 一 二 三 四 五 六 七 八 总 分 得分 评卷人 一、是非题(共10分,每小题2分,对者在括号内打“√”,错者打“×”)得分︳ 1、(× ) 当机构的自由度数小于机构的原动件数时,机构将具有确定的相对运动。 2、(√ ) 不论刚性转子上有多少个不平衡质量,也不论它们如何分布,只需在任意选定的两个平面内,分别 适当地加一平衡质量,即可达到动平衡。 3、(× ) 在其他参数不变的前提下,槽面摩擦较平面摩擦的摩擦力较大,是因为前者摩擦系数较大。 4、(√ ) 在移动副中,当驱动力作用线在摩擦锥之内,则发生自锁。 5、(√ ) 对于单自由度的机械系统,若选定等效构件为移动件时,其等效质量是按等效前后动能相等的条 件进行计算的。 二、填空题(共10分,每空1分)得分︳ 1、飞轮主要用以调节 周期性 速度波动,若不考虑其他因素,只为了减小飞轮尺寸和重量,应将其安装 在 高速 轴上。 2、刚性转子的静平衡就是要使 惯性力 之和为零;而刚性转子的动平衡则要使 惯性力 之和及 惯性力偶矩 之和均为零。 3、三个彼此作平面相对运动的构件共有 3 个瞬心,且必位于 同一直线 上。 4、在机构运动分析的速度多边形中,机架的速度影像是 极点 。速度影像和加速度影像原理只适用 于 同一构件 。 5、当机械的效率0≤η时,机构则发生 自锁 。 三、(共10分)计算图1所示机构的自由度,并判断机构的运动确定性,如机构中存在复合铰链、局部自由度和虚约束,请在图上示出。得分︳ 图1 虚约束 局部自由度 复合铰链 复合铰链 b) a)

服务器性能测试相关的常用工具概要

服务器性能测试相关的常用工具 (一服务器整机系统性能测试工具 一台服务器系统的性能可以按照处理器、内存、存储、网络几部分来划分,而针对不同的应用,可能会对某些部分的性能要求高一些。 Iometer(https://www.doczj.com/doc/9d3349624.html,:存储子系统读写性能测试 Iometer是Windows系统下对存储子系统的读写性能进行测试的软件。可以显示磁盘系统的最大IO能力、磁盘系统的最大吞吐量、CPU使用率、错误信息等。用户可以通过设置不同的测试的参数,有存取类型(如sequential,random、读写块大小(如64K、256K,队列深度等,来模拟实际应用的读写环境进行测试。Iometer操作简单,可以录制测试脚本,可以准确有效的反映存储系统的读写性能,为各大服务器和存储厂商所广泛采用。 SisoftSandra(https://www.doczj.com/doc/9d3349624.html,:WINDOWS下基准评测 SiSoft发行的Sandra系列测试软件是Windows系统下的基准评测软件。此软件有超过三十种以上的测试项目,能够查看系统所有配件的信息,而且能够对部分配件(如CPU、内存、硬盘等进行打分(benchmark,并且可以与其它型号硬件的得分进行对比。另外,该软件还有系统稳定性综合测试、性能调整向导等附加功能。SisoftSandra软件在最近发布的Intelbensley平台上测试的内存带宽性能并不理想,不知道采用该软件测试的FBD内存性能是否还有参考价值,或许软件应该针对FBD 内存带宽的测试项目做一个升级。 Iozone(https://www.doczj.com/doc/9d3349624.html,:linux下I/O性能测试 现在有很多的服务器系统都是采用linux操作系统,在linux平台下测试I/O性能可以采用iozone。iozone是一个文件系统的benchmark工具,可以测试不同的操作系统中文件系统的读写性能。可以测试Read,write,re-read,re-write, read backwards, read strided, fread, fwrite,random read,pread,mmap, aio_read,aio_write等等不同的模式

霍尔效应法测量磁场

霍尔效应测磁场 霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应。1879 年美国霍普金斯大学研究生霍尔在研究金属导电机理时发现了这种电磁现象, 故称霍尔效应。后来曾有人利用霍尔效应制成测量磁场的磁传感器,但因金属 的霍尔效应太弱而未能得到实际应用。随着半导体材料和制造工艺的发展,人 们又利用半导体材料制成霍尔元件,由于它的霍尔效应显著而得到实用和发 展,现在广泛用于非电量的测量、电动控制、电磁测量和计算装置方面。在电 流体中的霍尔效应也是目前在研究中的“磁流体发电”的理论基础。近年来,霍尔效应实验不断有新发现。1980年原西德物理学家冯·克利青研究二维电子气系统的输运特性,在低温和强磁场下发现了量子霍尔效应,这是凝聚态物理领域最重要的发现之一。目前对量子霍尔效应正在进行深入研究,并取得了重要应用,例如用于确定电阻的自然基准,可以极为精确地测量光谱精细结构常数等。 在磁场、磁路等磁现象的研究和应用中,霍尔效应及其元件是不可缺少的,利用它观测磁场直观、干扰小、灵敏度高、效果明显。 【实验目的】 1.霍尔效应原理及霍尔元件有关参数的含义和作用 2.测绘霍尔元件的V H—Is,了解霍尔电势差V H与霍尔元件工作电流Is、磁感应强度B之间的关系。 3.学习利用霍尔效应测量磁感应强度B及磁场分布。 4.学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。 【实验原理】 霍尔效应从本质上讲,是运动的带电粒子在 磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。当带电 粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种 偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正 负电荷在不同侧的聚积,从而形成附加的横向电 场。如图13-1所示,磁场B位于Z的正向,与 之垂直的半导体薄片上沿X正向通以电流Is(称 为工作电流),假设载流子为电子(N型半导体材 料),它沿着与电流Is相反的X负向运动。 由于洛仑兹力f L作用,电子即向图中虚线 箭头所指的位于y轴负方向的B侧偏转,并使B 侧形成电子积累,而相对的A侧形成正电荷积累。 与此同时运动的电子还受到由于两种积累的异种电荷形成的反向电场力f E的作用。随着电荷积累的增加,f E增大,当两力大小相等(方向相反)时,f L=-f E,则电子积累便达到动态平衡。这时在A、B两端面之间建立的电场称为霍尔电场E H,相应的电势差称为霍尔电势V H。 设电子按均一速度v,向图示的X负方向运动,在磁场B作用下,所受洛仑兹力为:

机械原理考试试题及答案3篇

试题1 一、选择题(每空2分,共10分) 1、平面机构中,从动件的运动规律取决于 D 。 A、从动件的尺寸 B、机构组成情况 C、原动件运动规律 D、原动件运动规律和机构的组成情况 2、一铰链四杆机构各杆长度分别为30mm ,60mm,80mm,100mm,当以30mm的杆为机架时,则该机构为 A 机构。 A、双摇杆 B、双曲柄 C、曲柄摇杆 D、不能构成四杆机构 3、凸轮机构中,当推杆运动规律采用 C 时,既无柔性冲击也无刚性冲击。 A、一次多项式运动规律 B、二次多项式运动规律 C、正弦加速运动规律 D、余弦加速运动规律 4、平面机构的平衡问题中,对“动不平衡”描述正确的是 B 。 A、只要在一个平衡面内增加或出去一个平衡质量即可获得平衡 B、动不平衡只有在转子运转的情况下才能表现出来 C、静不平衡针对轴尺寸较小的转子(转子轴向宽度b与其直径D之比b/D<0.2) D、使动不平衡转子的质心与回转轴心重合可实现平衡 5、渐开线齿轮齿廓形状决定于 D 。 A、模数 B、分度圆上压力角 C、齿数 D、前3项 二、填空题(每空2分,共20分) 1、两构件通过面接触而构成的运动副称为低副。 2、作相对运动的三个构件的三个瞬心必在同一条直线上。 3、转动副的自锁条件是驱动力臂≤摩擦圆半径。 4、斜齿轮传动与直齿轮传动比较的主要优点: 啮合性能好,重合度大,结构紧凑。 5、在周转轮系中,根据其自由度的数目进行分类:若其自由度为2,则称为差动轮系, 若其自由度为1,则称其为行星轮系。 6、装有行星轮的构件称为行星架(转臂或系杆)。 7、棘轮机构的典型结构中的组成有:摇杆、棘爪、棘轮等。 三、简答题(15分) 1、什么是构件? 答: 构件:机器中每一个独立的运动单元体称为一个构件;从运动角度讲是不可再分的单位体。

霍尔效应测磁场实验报告(完整资料).doc

【最新整理,下载后即可编辑】 实 验 报 告 学生姓名: 学 号: 指导教师: 实验地点: 实验时间: 一、实验室名称:霍尔效应实验室 二、 实验项目名称:霍尔效应法测磁场 三、实验学时: 四、实验原理: (一)霍耳效应现象 将一块半导体(或金属)薄片放在磁感应强度为B 的磁 场中,并让薄片平面与磁场方向(如Y 方向)垂直。如在薄片的横向(X 方向)加一电流强度为H I 的电流,那么在与磁场方向和电流方向垂直的Z 方向将产生一电动势H U 。 如图1所示,这种现象称为霍耳效应,H U 称为霍耳电压。霍耳发现,霍耳电压H U 与电流强度H I 和磁感应强度B 成正比,与磁场方向薄片的厚度d 反比,即 d B I R U H H = (1) 式中,比例系数R 称为霍耳系数,对同一材料R 为一常数。因成品霍耳元件(根据霍耳效应制成的器件)的d 也是一常数,故d R /常用另一常数K 来表示,有 B KI U H H = (2) 式中,K 称为霍耳元件的灵敏度,它是一个重要参数,表示该元件在单位磁感应强度和单位电流作用下霍耳电压的大小。如果霍

耳元件的灵敏度K 知道(一般由实验室给出),再测出电流H I 和霍耳电压H U ,就可根据式 H H KI U B = (3) 算出磁感应强度B 。 图 1 霍 耳 效 应 示 意 图 图2 霍耳效应解释 (二)霍耳效应的解释 现研究一个长度为l 、宽度为b 、厚度为d 的N 型半导体制成的霍耳元件。当沿X 方向通以电流H I 后,载流子(对N 型半导体是电子)e 将以平均速度v 沿与电流方向相反的方向运动,在磁感应强度为B 的磁场中,电子将受到洛仑兹力的作用,其大小为 evB f B = 方向沿Z 方向。在B f 的作用下,电荷将在元件沿Z 方向的两端面堆积形成电场H E (见图2),它会对载流子产生一静电力E f ,其大小为 H E eE f = 方向与洛仑兹力B f 相反,即它是阻止电荷继续堆积的。当B f 和E f 达到静态平衡后,有E B f f =,即b eU eE evB H H /==,于是电荷堆积的两端面(Z 方向)的电势差为 vbB U H = (4)

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