班级学号：姓名：
注
意
密
封
线
内
不
得
答
题
！
北京航空航天大学自动化科学与电气工程学院试卷考试科目：电子技术基础2000学年—2001学年第二学期一、（10分）由N沟道增强型MOS场效应管与NPN型晶体三
极管构成的放大电路如图所示，已知g m、β、r be 。
1、画出交流等效电路；
2、写出输入电阻表达式；
3、写出输出电阻表达式；
4、写出放大倍数A = V o／Vs表达式；
二、（10分）判断下列电路：
1、判断反馈极性与组态：
2、用相位平衡条件判断能否起振：
Vo
V o
V I C
V I R
L V o
Vo R S
V S
C
+
-
3、 已知工作点稳定电路中晶体管的r be 较大。 当β增大2倍时，电路放大倍数如何变化？ ① 增大2倍； ② 基本不变；
③ 无法确定。
（答案： ） 三、（10分）方波发生电路如图。 1、定性画出Vc 与V o 波形； 2、写出振荡周期表达式；
四、（10分）功率放大电路如图，设功放管饱和压降Vces = 1V ，求：
1、最大输出功率Pom ；
2、产生最大输出时的输入电压有效值；
3、V BE 倍增电路由哪个晶体管构成？若该晶体管发生短路故障，输出波形将出 现什么失真？
4、RC 元件构成什么电路？起什么作用？
五、（10分）求出V o 值。
Vz V I V o Vo + V o - V I
V O V I