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填空

1.光在大气中传播,将会使光束的能量衰减,其主要原因来源于大气衰减、大气湍流效应。

2.按照声波频率的高低以及声波和光波作用长度的不同,声光相互作用可以分为拉曼拉斯

衍射和布喇格衍射两种类型。

https://www.doczj.com/doc/9c2781346.html,D的工作过程就是产生,存储,传输,检测的过程。

4.实现脉冲编码调制,必须进行三项过程:抽样,量化,编码。

5.光束调制按其调制的性质可以分为调频,调幅,调相,强度调制。

https://www.doczj.com/doc/9c2781346.html,D的基本功能为电荷存储,电荷转移。

名词解释

1.电磁波谱:按照波长或频率的顺序把电磁波排列成图表。

2.色温:在规定两波长处具有与热辐射光源的辐射比率相同的黑体的温度。

3.光电发射效应:在光照下,物体向表面以外的空间发射电子的现象。

4.辐照度:辐射接受面上的辐射强度Ee定义为照射在面元上的辐射通量d与该面元的面

积dA之比。

5.辐射能:一辐射能形式发射或传输的电磁波(紫外光,可见光,和红外辐射)能量。

6.光子效应:单个光子的性质对产生的光电子起直接作用的一类光电效应。

7.温差电动势:当两种不同的配偶材料(金属,半导体)两端并联熔断时,如果两个接头

的温度不同,并联回路就会产生电动势,即温差电动势。

8.热噪声:光电探测器本质上可用一个电流源来等价,即他有一个等效电阻R,电阻中自

由电子的随机热(碰撞)运动将在电阻器两端产生起伏电压,称为热噪声。

9.暗电流:CCD成像器件在既无光注入有没点注入的情况下的输出信号称为暗信号,称为

暗电流。

简答题

1.何为大气窗口?简单分析大气衰减因素。

对于某些特定的波长,大气呈现出极为强烈的吸收,光波几乎无法通过,根据大气的这种选择吸收特性,一般把红外区分为八个区段,将透过率较高的波段称为大气窗口。

大气中N2、O2含量最多,但他们在可见光和红外区几乎不表现吸收,对红外和微波才呈现出很大的吸收。因此,在可见光和红外区,一般不考虑其吸收作用。大气中除包含上述分子外,还包含有其他的稀有气体等,这些分子在可见光和近红外有很可观的吸收谱线,但因他们在大气中的含量很少,一般也不考虑其吸收作用。只是在高空处,其余衰减因素都已很弱,才考虑他们的吸收作用。H2O和CO2分子,特别是H2O分子在近红外区有宽广的振动-转动与纯振动结构,因此是可见光和红外区最重要的吸收分子,是晴天大气衰减的主要因素。

2.解释半波电压

当光波两个垂直分量Ex和Ey的光程差为半个波长时所需要的电压,称为半波电压。3.什么是光束的直接调制?请解释其中的脉冲编码调制过程。

直接调制就是内调制,内调制是指加载信号实在激光振荡过程中进行的,以调制信号改变激光器的振荡参数,从而改变激光器的输出特性,以实现调制。数字信号是对连续变化的模拟信号进行抽样、量化和编码产生的,称为PCM,即脉冲编码调制,抽样过程将连续时间模拟信号变为离散时间、连续幅度的数字信号,编码过程将量化后的信号编码称为一个二进制码组输出。这种电的数字信号称为数字基带信号,由PCM电端机产生,简单说就是模/数转换。

4.光热效应的特点有哪些?

探测元件吸收光辐射能量后,并不直接引起内部电子状态的变化,而是把吸收的光能转

化为晶格的热运动能量,引起探测元件温度的上升,温度上升是探测元件的光学性质火其他物理性质发生变化。光热效应对光波频率没有选择性,其速度比较慢。光热效应有温差电效应、热释电效应。

5. 选用光敏电阻应当注意什么?

用于测光的光源光谱特性必须与光敏电阻的光敏特性匹配;要防止光敏电阻受杂散光的

影响;要防止光敏电阻的点参数(电压,功耗)超过允许值;根据不同用途,选用不同特性的光敏电阻。

7. 研究 光电导弛豫时间的意义是什么?

光敏电阻受脉冲光照射时,光电流并不立刻上升到最大饱和值,而光照去掉后,光电流也立刻下降到零。这说明光电流的变化对于光的变化,在时间上有一个落后,这就是光电导的弛豫现象。

8. 简述激光器的组成及各组成部分的作用。

组成:工作物质、泵浦源、谐振腔。作用:工作物质:在这种介质中可以实现粒子数反转。泵浦源:将粒子从低能级抽运到高能级态装置。谐振腔:(1)使激光具有极好的方向性(沿轴线)。(3)增强光放大作用(延长了工作物质)。(3)使激光具有极好的单色性。

9. 选用光电探测器的一般原则:

用于测光的光源光谱特性必须与光电探测器的光谱响应特性匹配,考虑时间响应特性,考虑光电探测器的线性特性等。

10. 何为大气湍流效应?

大气的折射率随空间和时间做无规则的变化,这种湍流状态是激光辐射在传播过程中随机的改变其光波参量,使光束质量受到严重影响,出现所谓的光束截面内的强度闪烁、光束的弯曲和漂移、光束弥散畸变以及空间相干性退化等现象,这些统称为大气湍流效应。

11. 光波在大气中传播衰减的因素

大气分子的吸收 大气分子的散射 大气气溶胶的衰减。

12. 光电发射效应与光电导效应的区别

13. 何为电光晶体的半波电压?半波电压由晶体的那些参数决定?

答:当光波的两个垂直分量'x E 、'y E 的光程差为半个波长(相应的相位差为π)时,所需要加的电压,称为“半波电压”,通常以V π或2V λ表示。

30632V n πλ

γ=

半波电压是表征电光晶体的一个重要的参数,这个电压越小越好,特别是在宽频带高频率的情况下,半波电压越小,需要的调制功率越小。晶体的半波电压是波长的函数。 由上式可知,半波电压还跟n 0和63γ有关。

14. 若取vs=616m/s ,n=2.35, fs=10MHz ,λ0=0.6328μm ,试估算发生拉曼-纳斯衍射所允许

的最大晶体长度Lmax=?

解:由公式计算。

0204λλs

n L L ≈<

由公式

02202044λλλs s s f nv n L L =≈<计算,得到 6122022max 106328.0410********.24-?????==λs s f nv L =3.523mm

15. 考虑熔岩石英中的声光布喇格衍射,若取00.6238m λμ=,n=1.46,35.9710/s v m s =?,

100s f MHz =,计算布喇格角B θ。 思路分析:根据公式sin 2B s n λθλ=

求解,过程如下:

解: s s s v f λ=

代入公式得:

sin 22B s s s f n nv λλθλ=

= 代入数据得:

sin 0.00363B θ= 由于B θ很小,故可近似为: 0.00363B θ=

16. 在电光调制器中,为了得到线性调制,在调制器中插入一个λ/4波片,波片的的轴向如何设置最好?若旋转λ/4波片,它所提供的直流偏置有何变化?

答:其快慢轴与晶体的主轴x 成45?角,从而使和两个分量之间产生π/2的固定相位差。若旋转波片,出射光的光强会变小,故应加大其直流偏压。

为了降低电光调制器的半波电压,用4块z 切割的KD*P 晶体连接(光路串联,电路并联)成纵向串联式结构,为了使4块晶体的光电效应逐块叠加,各晶体的x 轴和y 轴应如何取向?并计算其半波电压。

应使4块晶体成纵向排列,且相邻晶体的光轴应互成90°排列,即一块晶体的'y 和z 轴分别与另一块晶体的z 和'y 轴平行,这样排列后第一块和第三块晶体的光轴平行,第二块和第四块晶体的光轴平行。

经过第一块晶体后,亮光束的相位差

31'006321()2x z e z n n n E L π???γλ?=-=-+

经过第二块后,其相位差 32'006321()2z x e z n n n E L π???γλ?=-=-+

于是,通过两块晶体之后的相位差为 3120632L n V d π???γλ?=?+?=

x E 'y E '

由于第一块和第三块晶体的光轴平行,第二块和第四块晶体的光轴平行,故总的相位差为 3120634'22()L

n V d π

????γλ?=?=?+?=

3063()4d V n L πλλ=

17. 如果一个纵向电光调制器没有起偏器,入射的自然光能否得到光强度调制?为什么?

解答:不能得到强度调制。因为自然光偏振方向是任意的。自然光通过电光调制器后,不能形成固定相位差

18. 6 一个驻波超声场会对布喇格衍射光场产生什么影响?给出造成的频移和衍射方向。

解答: 新的光子沿着光的散射方向传播。根据动量守恒和能量守恒定律:

()d i s k =+ ,即 ()d i s k =+ (动量守恒)

i s d ωωω+= (能量守恒)

(能量守恒)——衍射级相对于入射光发生频率移动,根据光波矢量的定义,可以用矢量图来表示上述关系,如图所示

图中s s k λπ2=为声波矢量,'

22c k i i πυλπ

== 为入射光波矢量。

()'

22c f d k s d +==υπλπ为衍射光波矢量。

因为

s f >>υ,fs 在1010Hz 以下,υ在1013Hz 以上,所以衍射光的频率偏移可以忽略不计。 则 i i s d ωωωω≈+=

在上面的等腰三角形中

B i s k k θsin 2= 布拉格条件: s i B λλθ2sin =

和书中推导的布拉格条件相同。入射光的布拉格角只由光波长,声波长决定。

光电子技术章节练习题及答案

《光电子技术》章节练习题及答案 第一章 一、填空题 1、色温是指 在规定两波长处具有与热辐射光源的辐射比率相同的黑体的温度。其并非热辐射光源本身的温度。 2、自发跃迁是指 处于高能级的一个原子自发地向低能级跃迁,并发出一个光子的过程 。受激跃迁是指 处于高能级态的一个原子在一定的辐射场作用下跃迁至低能级态,并辐射出一个与入射光子全同的光子的过程。 3、受激辐射下光谱线展宽的类型分为均匀展宽和非均匀展宽,其中均匀展宽主要 自然展宽、碰撞展宽、热振动展宽 ,非均匀展宽主要有 多普勒展宽与残余应力展宽。 4、常见的固体激光器有 红宝石激光器、钕激光器或钛宝石激光器 (写出两种),常见的气体激光器有 He-Ne 激光器、CO 2激光器或Ar +激光器 (写出两种)。 5、光是一种以光速运动的光子流,光子和其它基本粒子一样,具有 能量、动量和质量;其静止质量为 0 。 6、激光与普通光源相比具有如下明显的特点: 方向性好、单色性好、相干性好,强度大 。 7、设一个功率100W 的灯泡向各个方向辐射的能量是均匀的,则其辐射强度为100/4π W/sr 。 8、设一个功率100W 的灯泡向各个方向辐射的能量是均匀的,则其在1m 远处形成的辐射照度为 100/4π W/m 2。 9、设一个功率100W 的灯泡向各个方向辐射的能量是均匀的,则其在2m 远处形成的辐射照度为100/16π W/m 2。 二、解答题 1、简述光子的基本特性(10分) [答]:光是一种以光速运动的光子流,光子和其它基本粒子一样,具有能量、动量和质量。它的粒子属性(能量、动量、质量等)和波动属性(频率、波矢、偏振等)之间的关系满足:(1)ωνη==h E ;(2)22c h c E m ν==,光子具有运

电子技术基础考试试题及参考答案

电子技术基础考试试题及参考答案 试题 一、填空题(每空1分,共30分) 1.硅二极管的死区电压为_____V,锗二极管的死区电压为_____V。 2.常用的滤波电路主要有_____、_____和_____三种。 3.晶体三极管的三个极限参数为_____、_____和_____。 4.差模信号是指两输入端所施加的是对地大小_____,相位_____的信号电压。 5.互补对称推挽功率放大电路可分成两类:第一类是单电源供电的,称为_____电路,并有_____通过负载输出;第二类是双电源供电的,称为_____电路,输出直接连接负载,而不需要_____。 6.功率放大器主要用作_____,以供给负载_____。 7.集成稳压电源W7905的输出电压为_____伏。 8.异或门的逻辑功能是:当两个输入端一个为0,另一个为1时,输出为_____;而两个输入端均为0或均为1时,输出为_____。 9.(1111)2+(1001)2=( _____ )2(35)10=( _____ )2 (1010)2–(111)2=( _____ )2(11010)2=( _____ )10 (1110)2×(101)2=( _____ )2 10.逻辑函数可以用_____、_____、_____等形式来表示。 11.组合逻辑电路包括_____、_____、_____和加法器等。 二、判断题(下列各题中你认为正确的,请在题干后的括号内打“√”,错误的打“×”。全打“√”或全打“×”不给分。每小题1分,共10分) 1.放大器采用分压式偏置电路,主要目的是为了提高输入电阻。() 2.小信号交流放大器造成截止失直的原因是工作点选得太高,可以增大R B使I B减小,从而使工作点下降到所需要的位置。() 3.对共集电极电路而言,输出信号和输入信号同相。() 4.交流放大器也存在零点漂移,但它被限制在本级内部。() 5.同相运算放大器是一种电压串联负反馈放大器。() 6.只要有正反馈,电路就一定能产生正弦波振荡。() 7.多级放大器采用正反馈来提高电压放大倍数。() 8.TTL集成电路的电源电压一般为12伏。() 9.流过电感中的电流能够突变。() 10.将模拟信号转换成数字信号用A/D转换器,将数字信号转换成模拟信号用D/A转换器。() 三、单选题(在本题的每小题备选答案中,只有一个答案是正确的,请把你认为正确答案的代号填入题干后的括号内,多选不给分。每小题2分,共26分) 1.用万用表测得某电路中的硅二极管2CP的正极电压为2V,负极电压为1.3V,则此二极管所处的状态是() A.正偏B.反偏C.开路D.击穿 2.放大器的三种组态都具有() A.电流放大作用B.电压放大作用 C.功率放大作用D.储存能量作用 3.下列各图中,三极管处于饱和导通状态的是()

电力电子技术考研试题答案

E t T U off = 0电力电子技术试题(A )答案 一、填空 1、 零电压电路,零电流电路, 2、 恒压频控制,转差频率控制,矢量控制,直接转矩控制, 3、 计算法,调制法,跟踪控制法。异步调控法,同步调控法, 4、 器件换流,电网换流,负载换流,强迫换流, 5、 π→0, π?→, 6、 避雷器;阻容吸收;硒堆;压敏电阻;整流式阻容吸收; 7、 减小触发角;增加整流相数;采用多组变流装置串联供电;设置补偿电容。 8、 GTO ;GTR ;MOSFET ;IGBT ; 二判断题, 1、 1、×; 2、×; 3、√; 4、√; 5、√ 6、×; 7、√; 8、×; 9、 √; 10、×; 三、选择题 1、B ;C ;D ;2、B ;3、C ;4、B ;5、C ; 四、问答题 1、 当V 处于通态时,电源E 向电感L 充电,设充电电流为I 1,L 值很大,I 1基本恒定,同时电容C 向负载供电,C 很大,使电容器电压U 0基本不变,设V 处于通态的时间为t on ,在t on 时间内,电感L 上积蓄的能量为EI 1t on ;当V 处于断态时,E 与L 同时向电容充电,并向负载R 提供能量。设V 处于断态的时间为t off ,在t off 时间内L 释放的能量为(U 0-E ) I 1t off ,在一周期内L 积蓄的能量与释放的能量相等。可求得: 分析不难看出该斩波电路是升压斩波电路。 2、 (u d ) (u VT1) (u VD1)

五、计算题 1、U0=133.3V;I0=6.67A; 2、 U d=117V;I d=23.4A;I dVT=7.8A;I VT=13.5A; 电力电子技术试题(B)答案 一、填空题 1、要有一个直流逆变电源,它的极性方向与晶闸管的导通方向一致,其幅极应稍大于逆变桥直流侧输出的平均电压;逆变桥必须工作在β<90o(即α>90o)区间,使输出电压极性与整流时相反,才能把直流能量逆变成交流能量反送到交流电网。 2、整流,逆变,整流,逆变, 3、变流桥,不流经负载,α>β, 4、直流,交流,电网的, 5、正向,正向门极,门极触发, 6、单相桥式半控整流桥,三相桥式半控整流桥, 7、150,300,三相桥式全控整流桥,三相半波可控流电路, 8、逆变桥晶闸管或元件损坏,供电电源缺相,逆变角太小,触发脉冲丢失或未按时到达, 9、小控制角运行,增加电源相数,多组变流装置串联运行并进行控制,增加电容补偿装置,10、掣住,触发脉冲,

半导体光电子学-试题

1 光电子器件按功能分为哪几类,每类大致包括哪些器件? 2 (1)光的基本属性是__波粒二象性___,光的粒子性典型现象有_光的反射____、__折射____以及______等。光波动性的典型体现有______、______、______等。 (2)两束光相互干涉的条件______、______、_______,最典型的干涉装置有_____、______。两束光干涉相消的条件______。 3 激光器的基本结构包括哪些,其中激光产生的充分条件和必要条件分别是什么?(激光工作介质激励源谐振腔)p63p71 4 简述激光的特点以及激光产生的条件。 方向性单色性相干性亮度大 受激辐射:首要条件,也是必要条件,但还不是充分条件。 工作物质必须具有亚稳态能级 粒子数反转谐振腔增益大于损耗 5 试简述为什么二能级系统不能产生激光。 P69 6 试以一个三能级原子系统为例,说明激光产生的基本原理。 P70 7 光纤的基本结构是什么,光纤传输光的基本原理是什么?P126 射线理论认为,光在光纤中传播主要是依据全反射原理。光线垂直光线端面射入,并与光纤轴心线重合时,光线沿轴心线向前传播。 光的波长必须在一定范围内才能实现传输,光纤中常用的波长有850纳米,1320纳米及1550纳米三个波段。 根据传输方式不同光纤分为多模光纤及单模光纤。多模光纤的直径为50/62.5μ

m,而单模光纤的直径为8.5μm 8 什么是光调制过程,其大体上可分为哪几类,激光外调制的种类包括哪些?P147 9 什么是内光电效应和外光电效应,内光电效应和外光电效应代表器件分别有哪些,是每种效应各举一例说明之。P200 外部光电效应:金属表面通过吸收入射光子流的能量从而释放电子,形成光生电流(真空光电二极管,光电倍增管)内部光电效应:通过吸收入射光子产生自由电荷载流子,例如PN结光电二极管,PIN光电二极管,雪崩光电二极管 10 光电探测技术的物理效应有哪些? P198 11 试论述光敏电阻器件中,光照强度与光电导率变化的关系。 12 试论述液晶的特点,以及液晶显示器的工作原理。 P257利用液晶的电光效应来工作在两块透明电极基板间夹持液晶状 态,当液晶厚度小于数百微米时,界面附近的液晶分子发生取向并保持有序性,当电极基板上施加受控的电场方向后就产生一系列电光效应,液晶分子的规则取向随即相应改变。液晶分子的规则取向形态有平行取向、垂直取向、倾斜取向三种,液晶分子的取向改变,即发生了折射率的异向性,从而产生光散射效应、旋光效应,双折射效应等光学反应。这就是LCD图像电子显示器最基本的成像原理

光电子技术安毓英习题答案解析[完整版]

第一章 2. 如图所示,设小面源的面积为?A s ,辐射亮度为L e ,面源法线与l 0 的夹角为θs ;被照面的面积为?A c ,到面源?A s 的距离为l 0。若θc 为辐射在被照面?A c 的入射角,试计算小面源在?A c 上产生的辐射照度。 解:亮度定义: r r e e A dI L θ?cos = 强度定义:Ω Φ =d d I e e 可得辐射通量:Ω?=Φd A L d s s e e θcos 在给定方向上立体角为: 2 cos l A d c c θ?= Ω 则在小面源在?A c 上辐射照度为:2 cos cos l A L dA d E c s s e e e θθ?=Φ= 3.假如有一个按朗伯余弦定律发射辐射的大扩展源(如红外装置面对 的天空背景),其各处的辐亮度L e 均相同,试计算该扩展源在面积为A d 的探测器表面上产生的辐照度。 答:由θcos dA d d L e ΩΦ = 得θcos dA d L d e Ω=Φ,且() 2 2cos r l A d d +=Ωθ 则辐照度:()e e e L d r l rdr l L E πθπ =+=? ?∞ 20 0222 2 7.黑体辐射曲线下的面积等于等于在相应温度下黑体的辐射出射度M 。试有普朗克的辐射公式导出M 与温度T 的四次方成正比,即 M=常数4T ?。这一关系式称斯特藩-波耳兹曼定律,其中常数为 5.6710-8W/m 2K 4 解答:教材P9,对公式2 1 5 1 ()1 e C T C M T e λλλ=-进行积分即可证明。 第二章 3.对于3m 晶体LiNbO3,试求外场分别加在x,y 和z 轴方向的感应主折射率及相应的相位延迟(这里只求外场加在x 方向上) 解:铌酸锂晶体是负单轴晶体,即n x =n y =n 0、n z =n e 。它所属的三方晶系3m 点群电光系数有四个,即γ22、γ13、γ33、γ51。电光系数矩阵为: L e ?A s ?A c l 0 θs θc 第1.2题图

《电子技术基础》考试试题

共4页 第1页 《电子技术基础》考试试题 时量:120分钟 总分:100分 (每小题1.5分,共15分)单项选择题: 1、某放大电路在负载开路时的输出电压为 4V ,接入12K Q 的负载 电阻后,输出电压降为 3V ,这说明放大电路的输出电阻为 A. 10K Q B.2 K Q C.4 K Q D.3 K Q 2、 稳压二极管工作于伏安特性曲线的 ________ 区。 A.正向特性 B. 反向饱和特性 C.反向击穿特性 D. 不确定 3、 为了使高内阻信号源与低阻负载很好地配合,可以在信号源与 低阻负载间接入 ______ 。 A.共射电路 B. C.共集电路 D. 4、多级负反馈放大电路在下列 A.回路增益AF 大 B. C ?闭环放大倍数很大 D. 放大器的级数少 5、 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要 区别是,前者的运放通常工作在 ________ 。 A .开环或正反馈状态 B. 深度负反馈状态 C.放大状态 D. 线性工作状态 6、 差分放大电路由双端输入变为单端输入,差模电压增益则 A.增加一倍 B. 为双端输入时的1/2 C.不变 D. 不确定 7、对于有二个输入变量和一个输出变量的逻辑问题,由于状态赋 值的不同,列出的真值表可以有 _________ 。 A. 一种 B.二种 C.三种 D.四种 8 A ? B 函数表达式为 ________ : 共基电路 共集一共基串联电路 —情况下容易引起自激。 反馈系数小

C. A B D. AB AB 共4页 第2页 A. AB AB B. A+B 9、 与函数式 A+ABC 相等的表达式为 _________ 。 A. A+B B. A+C C. A+BC D. BC 10、 将二进制数(1110100) 2转换为十进制数应为 ________ 。 A. 15 B. 116 C. 110 D. 126 、(本题10分)用图1所示的1片双4选1的数据选择器,搭建一 位全加器电路,该电路的输入变量为 A (加数)、B (加数)、C I (低 位来的进位信号);输出变量为S (和),C O (向高位的进位信号)。 三、 (本题10分)用卡诺图化简下列逻辑函数为最简与或表达式。 1. 丫1 二' m (0,1,2,5,6,7,8,9,13,14) 2. 丫2「m (0,2,4,5,7,13) ' d (8,9,10,11,14,15) 四、 (本题10分)电路如图 2所示,试画出在所示 C 脉冲作用下 QI 和Q2端的信号波形,设两个触发器的初始状态为 0。

光电子技术第三版安毓英刘继芳等著习题答案完整版

第一章 1. 设在半径为R c 的圆盘中心法线上,距盘圆中心为l 0处有一个辐射强度为I e 的点源S ,如图所示。试计算该点源发射到盘圆的辐射功率。 解:因为 ΩΦd d e e I = , 且 ()??? ? ??+- =-===Ω?22000212cos 12sin c R R l l d d r dS d c πθπ?θθ 所以??? ? ??+-=Ω=Φ220012c e e e R l l I d I π 2. 如图所示,设小面源的面积为?A s ,辐射亮度为L e ,面源法线 与l 0的夹角为θs ;被照面的面积为?A c ,到面源?A s 的距离为l 0。若θc 为辐射在被照面?A c 的入射角,试计算小面源在?A c 上产生的辐射照度。 解:亮度定义: r r e e A dI L θ?cos = 强度定义:Ω Φ =d d I e e 可得辐射通量:Ω?=Φd A L d s s e e θcos 在给定方向上立体角为:2 0cos l A d c c θ?= Ω 则在小面源在?A c 上辐射照度为:20 cos cos l A L dA d E c s s e e e θθ?=Φ= 3.假如有一个按朗伯余弦定律发射辐射的大扩展源(如红外装置面对的天空背景),其各处的辐亮度L e 均相同,试计算该扩展源在面积为A d 的探测器表面上产生的辐照度。 答:由θ cos dA d d L e ΩΦ = 得θcos dA d L d e Ω=Φ,且()2 2cos r l A d d +=Ωθ 则辐照度:()e e e L d r l rdr l L E πθπ =+=? ?∞ 20 0222 2 4. 霓虹灯发的光是热辐射吗? l 0 S R c 第1.1题图 L e ?A s ?A c l 0 θs θc 第1.2题图

电子技术基础考研

注意事项:1.本试卷共12道大题,满分150分; 2.本卷属试题卷,答案一律写在答题纸上,写在该试题卷上或草稿纸上均无效。要注意试卷清洁,不要在试卷上涂划; 3.必须用蓝、黑色钢笔或圆珠笔答题,其它笔答题均无效。 ﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡ 一 填空题(本题共14小题除标注外每空1分,共30分) 1、设VD 1、VD 2的正向压降为0.3V ,试分析在不同的U 1、U 2组态下,VD 1、VD 2是导通还是截止,并求U O 的值,把正确答案填入表内。(每三空1分) 2、图中 VT 为小功率锗晶体管当R b 不同时,VT 可能处于放大、饱和、截止状态。把不同状态下基射极电压U BE 、集射极电压U CE 的大致数值范围填入表内。(每三空1分) V CC 3、某放大电路在接有2Ωk 负载电阻时,测得输出电压为3V ,在输入电压不变的情况下断开负载电阻,输出电压上升到7.5V ,说明该放大电路的输出电阻为 ________________。 U 2 U VD 1

4、某放大电路当接接入一个内阻等于零的信号源电压时,测得输出电压为5V,在信号源内阻增大到1Ω k,其它条件不变时,测得输出电压为4V,说明该放大电路的输入电阻为________________。 5、下限截止频率为10Hz的两个相同的单级放大电路连接成一个两级放大电路,这个两级放大电路在信号频率为10Hz时,放大倍数的幅值下降到中频放大倍数的________________倍,或者说下降了________________dB,放大倍数的相位与中频时相比,附加相移约为________________度。(每空0.5分) 6、试在下列空格中填写合适数值。(每空0.5分) 在两边完全对称的差分放大电路中,若两输入端电压u I1=u I2,则双端输出电压u O=___V;若u I1=1mV,u I2=0mV,则差分放大电路的差模输入电压u Id=___mV,其分配在两边的一对差模输入信号为u Id1=___mV,u Id2=___mV,共模输入信号u Ic=___mV。 7、电路如图所示,A1、A2为理想运算放大器。A1组成电路,A2组成电路,VD1、VD2和R组成的电路起作用,u O与u I的关系说明整个电路构成的是电路。 u I O 8、在如图所示电路中,已知稳压管VD Z1的稳定电压U Z1=6.3V,VD Z2的稳定电压 U Z2=7.7V,它们的正向导通电压U D均为0.7V,U I和R的取值合理,U I的实际极性和U O1~U O4的假设极性如图中所标注。(每空0.5分) 填空: U O1=V,U O2=V,U O3=V, U O4=V。

半导体光电子学-考点

半导体光电子学 一、1.声子:晶格振动的能量量子,假想粒子,与晶格振动相联系,不能独立存在。 光子:传递电磁相互作用的规范粒子,无静止质量,具有能量和动量,能够独立存在。 2.量子阱:两种禁带宽度不同的但晶格匹配的单晶半导体薄膜以极薄的厚度交替生长,使得宽带隙材料中的电子和空穴进入两边窄带隙半导体材料的能带中,好像落入陷阱,这种限制电子和空穴的特殊能带结构被形象地称为量子阱。 超晶格:当量子阱结构中单晶薄层的厚度可与德布罗意波长或波尔半径相比拟时,由于量子尺寸效应,量子阱之间会发生很强耦合效应。 3.光子晶体:是指具有光子带隙特性的周期性电介质结构的人造晶体。 纳米线:一种具有在横向上被限制在100纳米以下,纵向无限制的一维结构材料。 4.施主杂质:半导体中掺杂的杂质能够提供电子载流子的特性。 受主杂质:半导体中掺杂的杂质能提供空穴载流子的特性。 杂质能级:半导体中掺入微量杂质时,杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态,在禁带中产生附加的杂质能级。 5.激子复合:所谓激子是指处于束缚态的电子和空穴,激子复合的能量将以光的形式 释放。 俄歇复合:电子和空穴复合后将能量传递给另一个电子或空穴的现象。有 CHCC(复合后的能量给导带的电子并使其激发到导带更高能态)和 CHHS(复合后的能量给价带的空穴并使其激发到自旋-轨道裂带上)过 程。 二、采用能带图和文字描述导体,半导体和绝缘体的异同。 导体:价带全满,导带部分填充 半导体:价带全满,导带全空,但是禁带宽度较窄,电子易于激发到导带中去。 绝缘体:价带全满,导带全空,禁带宽度较大 三、光波导结构的实例,并进一步说明光波导在光电器件中的工作原理。 光波导主要有平面波导和条形波导,而条形波导又有增益波导,折射率波导,分布反馈波导实例: 如折射率波导:有源区和两侧限制区的折射率不同,有源区两侧解理面构成反射镜,在有源区电子受激发射出的光子由于有源区和限制区折射率的不同构成全反射,将光场限制在有源区内,光子只能在两侧解理面来回反射,激发出更多的光子,并在输出方向上传播。 四、双异质结未加偏压和加偏压的能带图 双异质结在激光器中的作用: (1)pn结处于正向电压时,异质结势垒降低,n区电子能够越过势垒和隧穿势垒而注入窄

2018中国计量大学808电子技术基础考研真题

一、单选题(每题2分,共20分) 1. 为提高共模抑制比应采用( ) A. 共射放大电路 B. 共基放大电路 C. 多级放大电路 D. 差动放大电路 2. 由理想二极管构成的限幅电路如图1所示, 当输入电压V V i 9=时,输出电压o V 为 ( )。 A. 3V B. 9V C. 15V D. 6V 3. 在乙类功率放大电路中,三极管在信号的( )内导通。 A. 一个周期 B. 半个周期 C. 四分之一周期 D.四分之三周期 4. 若一无零单极点系统,极点频率610H f Hz =,中频电压增益dB A I 100=,则 710f Hz = 时,增益为( )dB 。 A. 100 B. 40 C. 20 D. 80 5. 差分放大电路由双端输入改为单端输入,则差模电压放大倍数( )。 A .不变 B .提高一倍 C .提高两倍 D .减小为原来的一半 6. 在开环放大电路中引入( )负反馈,可使输入电阻增大. A. 电压 B.电流 C.串联 D.并联 7. 反相输入比例运算放大器电路中的反馈极性和类型属于( ) A. 电压并联负反馈 B. 电流串联负反馈 C. 正反馈 D. 电压串联负反馈 8. 在桥式整流电路中接入电容C 滤波后,输出直流电压较未加C 时( ) A. 不变 B. 降低 C.升高 D. 不定 - V O + -

9. 某负反馈放大电路的开环放大倍数为100,反馈系数为0.09,则闭环放大倍数为( ) A. 0.02 B. 100 C.25 D.10 10. 功放电路采用甲乙类工作状态的原因是为了消除( )。 A. 饱和失真 B. 交越失真 C.截止失真 D.频率失真 二、简答题(共16分) 1.(5分)单相直流稳压电源电路如图2所示, (1)指出它由哪几部分组成,并写出它们的名称; (2)当电路正常工作时,V O =? 2.(5分)某OCL 互补对称电路如图3所示,已知三极管T 1 、T 2的饱和压降为V V CES 1=, V V CC 18=,Ω=8L R 。 (1)计算电路的最大不失真输出功率max O P ; (2)计算电路的效率。 O v

武汉科技大学考研电子技术试题及答案05-07

武汉科技大学 2005年硕士研究生入学考试试题 课程名称:电子技术总页数:共4页说明: 1、适用专业:控制理论与控制工程、模式识别与智能系统。 2、可使用的常用工具:计算器、绘图工具。 3、答题内容请写在答题纸上,写在试卷或草稿纸上一律无效。 4、计算题、分析题必须有解题过程,只给出答案的不给分。 一、选择填空题:(共30分,每空2分) 1、场效应管属于控制型器件,晶体三极管属于控制型器件。 A、电流; B、电感; C、电压; D、电容。 2、晶体三极管用来放大时,发射结应处于偏置,集电结应处于偏 置。 A、反向; B、90°; C、正向; D、不定。 3、为了使高阻输出的放大电路与低阻负载很好地配合,可在两者之间插 入;为了将一个低阻输出的放大电路转变为高阻输出的放大电路,可在低阻输出的放大电路之后接入。 A、共射电路; B、共集电路; C、共基电路; D、不定。 4、多级直接耦合放大器中,影响零点漂移最严重的一级是,零点 漂移最大的一级是。 A、输出级; B、输入级; C、中间级; D、增益最高的一级。 5、电流源电路在集成运放中,常作为电路和电路。 A、偏置; B、输入; C、有源负载; D、不定。 6、构成反馈通路的元器件是。 A、只能是电阻元件; B、只能是三极管、集成运放等有源器件; C、只能是无源器件; D、可以是无源元件,也可以是有源器件。 7、反馈放大电路的含义是。 A、输出与输入之间有信号通路; B、电路中存在反向传输的信号通路; C、除放大电路外还有信号通路;

D、电路中存在使输入信号削弱的反向传输通路。 8、若希望负载变化时输出电压稳定,则应引入。 A、电流负反馈; B、电压负反馈; C、并联负反馈; D、串联负反馈。 9、当集成运放工作在线性区时,可运用和概念。 A、闭环; B、开环; C、虚短; D、虚断。 二、(10分)写出PN结的伏安特性方程,画出相应的伏安特性曲线,并 依此分析PN结的伏安特性有何特点。 三、(25分)放大电路如图1所示。已知图中R1=1kΩ,R2=300kΩ, R3=200Ω,R4=1.8kΩ,R5=2kΩ,C1=C2=10μF,C3=100μF,R6=2kΩ,V CC=12V,三极管Q1的V BE=0.7V,β=50,r bb’=200Ω,V T=26mV。 试求: (1)求静态工作点I B、I C及V CE; (2)画出微变等效电路; (3)计算放大电路的电压增益 ? ? ? = i o v V V A/,输入电阻R i和输出电阻 R o。 图1

2012年北京科技大学817模拟电子技术与数字电子技术基础考研试题

北 京 科 技 大 学 2012 年硕士学位研究生入学考试试题 ============================================================================================================= 试题编号: 817 试题名称: 模拟电子技术与数字电子技术基础 (共 7 页) 适用专业: 物理电子学 说明: 所有答案必须写在答题纸上,做在试题或草稿纸上无效。 ============================================================================================================= 一、(本题 6 分)电路如图 1,二极管为理想元件,其中 E = 2V ,试画出输出电 压 u O 波形,写出简要的分析过程。 图 1 第一题图 二、(本题 15 分)电路如图 2,已知 V CC , R b1, R b2, R e , R S 及晶体管的电流放大倍数 β 和动态电阻 r be 。试求: 1)画出电路的直流通路,并计算静态工作点:I B ,I E ,U CE 。 2)静态时(u i =0)C 1 和 C 2 上的电压各为多少?并说明极性。 3)画出电路的微变等效电路,并标明必要的参考方向。 4)计算电压放大倍数 A u ,输入电阻 r i 和输出电阻 r O 。 图 2 第二题图

um 三、(本题8 分) 假设某单管共射放大电路的对数幅频特性如图3。 1) 求出该放大电路的中频电压放大倍数A& ,下限频率f L 和上限频率 f H ; 2) 说明该放大电路的耦合方式; 3) 画出相应的对数相频特性。 图 3 第三题图 四、(本题12 分)分析图4 所示电路中的反馈。 1)判断电路中是否引入了反馈(指出哪些器件构成了该反馈)? 2)是直流反馈还是交流反馈?并使用瞬时极性法判断是正反馈还是负反馈(在图中标注判断过程)。 3)如果存在交流负反馈,请判断其组态。 4)估算在理想运放条件下整个电路的电压放大倍数A uf。 图 4 第四题图

《光电子技术》章节练习题及答案

第一章 一、填空题 1、色温是指在规定两波长处具有与热辐射光源的辐射比率相同的黑体的温度。其并非热辐射光源本身的温度。 2、自发跃迁是指处于高能级的一个原子自发地向低能级跃迁,并发出一个光子的过程。受激跃迁是指处于高能级态的一个原子在一定的辐射场作用下跃迁至低能级态,并辐射出一个与入射光子全同的光子的过程。 3、受激辐射下光谱线展宽的类型分为均匀展宽和非均匀展宽,其中均匀展宽主要自然展宽、碰撞展宽、热振动展宽,非均匀展宽主要有多普勒展宽与残余应力展宽。 4、常见的固体激光器有红宝石激光器、钕激光器或钛宝石激光器(写出两种),常见的气体激光器有 He-Ne激光器、CO 激光器或Ar+激光器(写 2 出两种)。 5、光是一种以光速运动的光子流,光子和其它基本粒子一样,具有能量、动量和质量;其静止质量为 0 。 6、激光与普通光源相比具有如下明显的特点:方向性好、单色性好、相干性好,强度大。 7、设一个功率100W的灯泡向各个方向辐射的能量是均匀的,则其辐射强度为100/4π W/sr。 8、设一个功率100W的灯泡向各个方向辐射的能量是均匀的,则其在1m远处形成的辐射照度为100/4π W/m2。 9、设一个功率100W的灯泡向各个方向辐射的能量是均匀的,则其在2m远处形成的辐射照度为100/16π W/m2。 二、解答题 1、简述光子的基本特性(10分) [答]:光是一种以光速运动的光子流,光子和其它基本粒子一样,具有能量、动量和质量。它的粒子属性(能量、动量、质量等)和波动属性(频率、波矢、

偏振等)之间的关系满足:(1)ωνη==h E ;(2)2 2c h c E m ν== ,光子具有运动质量,但静止质量为零;(3) k P ?η?=;(4)、光子具有两种可能的独立偏振态,对应于光波场的两个独立偏振方向;(5)、光子具有自旋,并且自旋量子数为整数,是玻色子。 2、简述激光产生的条件、激光器的组成及各组成部分的作用。(10分) [答]:必要条件:粒子数反转分布和减少振荡模式数。 充分条件:起振——阈值条件:激光在谐振腔内的增益要大于损耗。稳定振荡条件——增益饱和效应(形成稳定激光)。组成:工作物质、泵浦源、谐振腔。 作用:工作物质:在这种介质中可以实现粒子数反转。 泵浦源(激励源):将粒子从低能级抽运到高能级态的装置。谐振腔:(1) 使激光具有极好的方向性( 沿轴线) ;(2) 增强光放大作用( 延长了工作物质 );(3) 使激光具有极好的单色性( 选频 )。 三、计算题 1、设一对激光能级为E 2和E 1(g 2=g 1),相应的频率为ν(波长为λ),各 能级上的粒子数为n 2和n 1。求 (1)当ν=3000MHz,T =300K 时,n 2/n 1=? (2)当λ=1μm,T =300K 时,n 2/n 1=? (2)当λ=1μm, n 2/n 1=时,温度T =? 解:(1) 999 .03001038.110300010626.6exp exp exp 23634121212=??? ? ???????-=??? ? ??-=???? ??--=--T k h T k E E g g n n B B ν (2)

中北大学电子技术考研真题

一、放大电路分析 (1)求解电路的静态工作点Q ; (2)输入电阻R i 、输出电阻R o 和电压放大倍数u A ; (3)两个电路分别接上大小相同的输入电压i U 和负载电阻R L ,分别求各电路的输出电压o U P31例2-12 L Ω P55 2.30 二、差动放大电路 (1)计算静态工作点参数C1I 、C2I 及静态时o U 的值; (2)计算差模电压放大倍数d A 、差模输入电阻id R 及差模输出电阻od R 的值。 (-15V) P98 例4-14

三、反馈 1、(1) 找出该电路的级间反馈,指出反馈网络由哪些元件构成,判断反馈极性和组态; (2) 说明该反馈对放大电路的作用; (3) 求出在深度负反馈条件下的uf A 。 u o CC + -3L 2、(1)接入晶体管VT 3,并希望通过R F 引入电压串联负反馈,应对C1、B2、B3和F 如何连接? (2)若(2)中引入的反馈为深度负反馈,为了使闭环电压增益A uf =10,试计算R F 的阻值; 图2 P294 3题 四、运放的应用

Z u o P303 十题 五、振荡电路 1、判断能否振荡 CC R 文氏电桥振荡器 电容三点式:振荡频率计算 所示电路中如何联接才能产生正弦波振荡。若m H 2.0=L ,pF 30021==C C ,pF 103=C ,求(1)电路的振荡频率。(2)如果3C 短路,估算振荡频率。P226 9.4题 9.5题 CC J K F H 3 L 六、逻辑代数 (1) (1100)5421BCD +(1000)余3码 = ( )8421BCD (2) 写出下面逻辑式的最小项之和表达式。 (,,)F A B C A B C A B C =+++++

2021年电子技术基础考研题库

2021年电子技术基础考研题库 2021年电子技术基础考研题库【考研真题精选+章节题库】(上册) 目录 第一部分考研真题精选 一、填空题 二、选择题 三、分析题 第二部分章节题库 第1章数字逻辑概论 第2章逻辑代数与硬件描述语言基础 第3章逻辑门电路 第4章组合逻辑电路 第5章锁存器和触发器 第6章时序逻辑电路 第7章半导体存储器 第8章CPLD和FPGA 第9章脉冲波形的变换与产生 第10章数模与模数转换器

第11章数字系统设计基础 ? 试看部分内容 考研真题精选 一、填空题 1(10100011.11)2=______10=______8421B C D。[电子科技大学2 009年研] 【答案】163.75;000101100011.01110101查看答案 【解析】二进制转换为十进制时,按公式D=∑k i×2i求和即可,再由十进制数的每位数对应写出8421BCD码。 2数(39.875)10的二进制数为______,十六进制数为______。[重庆大学2014年研] 【答案】100111.111;27.E查看答案 【解析】将十进制数转化为二进制数时,整数部分除以2取余,小数部分乘以2取整,得到(39.875)10=(100111.111)2。4位二进制数有16个状态,不够4位的,若为整数位则前补

零,若为小数位则后补零,即(100111.111)2=(0010 0111. 1110)2=(27.E)16。 3(10000111)8421B C D=______2=______8=______10=______16。[山东大学2014年研] 【答案】1010111;127;87;57查看答案 【解析】8421BC D码就是利用四个位元来储存一个十进制的数码。所以可先将8421BCD码转换成10进制再进行二进制,八进制和十六进制的转换。 (1000 0111)8421B C D=(87)10=(1010111)2 2进制转8进制,三位为一组,整数向前补0,因此(001 010 1 11)2=(127)8。 同理,2进制转16进制每4位为一组,(0101 0111)2=(57)16。 4(2B)16=______2=______8=______10=______8421B C D。[山东大学2015年研] 【答案】00101011;53;43;01000011查看答案 【解析】4位二进制数有16个状态,因此可以将一位16进制数转化为4位二进制数,得到(2B)16=(0010 1011)2;八进制由0~7八个数码表示,可以将一组二进制数从右往左,3位二进制数分成一组,得到(00 101 011)2=(53)8;将每位二

暨南大学2017年《823电子技术基础》考研专业课真题试卷

2017年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题 ******************************************************************************************** 学科、专业名称:080902电路与系统、080903微电子学与固体电子学、081001 通信与信息系统、081002 信号与信息处理、085208电子与通信工程(专业学位) 研究方向:各方向 考试科目名称:823 电子技术基础 考生注意:所有答案必须写在答题纸(卷)上,写在本试题上一律不给分。 一、简答题(共4小题,每小题5分,共20分) 1. 电路如图1所示。 (1)电路实现什么功能? (2)以下三种情况下,输出电压的平均值将分别怎样变化? (a)二极管D1开路;(b)二极管D1短路;(c)负载R L开路。 图1 2. 现有一个输出电阻为R O的放大电路,正常工作情况下,测得负载开路时的输出电压有效值为U O,接上负载R L后,测得其输出电压有效值为0.5U O,则此电路的输出电阻R O与负载R L之间存在怎样的关系? 3. 电路如图2所示。C1为耦合电容,C2、C3为旁路电容。其中,T1和T2分别构成了什么接法的放大电路?判断电路是否可能产生正弦波振荡,简述原因。若能产生正弦波振荡,说明石英晶体在电路中呈容性、感性还是纯阻性? A1 u O A27V R1 R2 R3 +15V 12V 10kΩ u I R4 200Ω 10kΩ 10kΩ R51kΩ D1 D2 D Z 图2 图3 4. 图3电路中,已知A1、A2均为理想运算放大器,其输出电压的两个极限值为±14V。说明电路实现什么功能?并画出其电压传输特性曲线。

半导体光电子学期末复习纲要(精)

《半导体光电子学》期末复习纲要 一、基本概念与名词解释: 第一章: 1、光子学说的几个基本概念:相格、光子简并度等; 2、微观粒子的四个统计分布规律:麦克斯韦速率分布率、波耳兹曼分布率、费米分布率、玻色分布率; 3、热辐射和黑体辐射的几个概念:热辐射、朗伯体、视见函数、普朗克公式; 4、简述辐射跃迁的三种过程:自发辐射、受激吸收、受激辐射; 5、谱线加宽的类型及定义:均匀加宽、非均匀加宽、碰撞加宽。 第二章: 1、一般概念:激发态能级寿命、亚稳态能级、粒子数反转、负温度、激活介质、增益饱和;2、三能级系统、四能级系统的粒子数反转的形成过程; 3、关于介质中的烧孔效应、气体激光器中的烧孔效应的论述。 第三章: 1、激光的几个特性:包括时间相干性、空间相干性、相干时间、相干长度、相干体积、光子简并度; 2、有关谐振腔的基本概念:谐振腔、稳定腔、不稳定腔、介稳腔; 3、激光振荡的几个现象和过程:模的竞争、空间烧孔、兰姆凹陷、频率牵引、高斯光束、激光器最佳透过率。 第四章: 1、光波导的几个基本概念:平板波导、矩形波导、光纤、导模、辐射模、阶跃型光纤、渐变型光纤、子午线、子午面、斜光线、吸收损耗、散射损耗、弯曲损耗、材料色散、波导色散、模间色散。 第五章: 1、有关光吸收的几个基本概念:本征吸收、晶格振动吸收、自由载流子吸收、激子吸收、杂质吸收; 2、光探测的一些基本效应:光电效应、光热效应、外光电效应、光电导效应、光电导驰豫、逸出功、电子亲和势、光伏效应、热释电效应、测辐射热计效应、温差电效应、帕尔帖效应、塞贝克效应、汤姆逊效应。 二、理论推导与证明: 第二章: 1、粒子数密度的差值(式2-1-17,2-1-22); 2、均匀加宽与非均匀加宽的小信号增益系数(式2-2-14,2-2-15); 3、均匀加宽与非均匀加宽情况下的大信号反转粒子数密度、烧孔面积(式2-3-3,2-3-7); 4、均匀加宽与非均匀加宽情况下的大信号增益系数(式2-3-10,2-3-17);

光电子技术安毓英习题答案(完整版)

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第一章 2. 如图所示,设小面源的面积为?A s ,辐射亮度为L e ,面源法线与l 0的夹角为θs ;被照面的面积为?A c ,到面源?A s 的距离为l 0。若θc 为辐射在被照面?A c 的入射角,试计算小面源在?A c 上产生的辐射照度。 解:亮度定义: r r e e A dI L θ?cos = 强度定义:Ω Φ =d d I e e 可得辐射通量:Ω?=Φd A L d s s e e θcos 在给定方向上立体角为:20 cos l A d c c θ ?=Ω 则在小面源在?A c 上辐射照度为:20 cos cos l A L dA d E c s s e e e θθ?=Φ= 3.假如有一个按朗伯余弦定律发射辐射的大扩展源(如红外装置面对的天 空背景),其各处的辐亮度L e 均相同,试计算该扩展源在面积为A d 的探测器表面上产生的辐照度。 答:由θcos dA d d L e ΩΦ = 得θcos dA d L d e Ω=Φ,且() 2 2cos r l A d d +=Ωθ 则辐照度:()e e e L d r l rdr l L E πθπ =+=? ?∞ 20 0222 2 7.黑体辐射曲线下的面积等于等于在相应温度下黑体的辐射出射度M 。试有普朗克的辐射公式导出M 与温度T 的四次方成正比,即 M=常数4T ?。这一关系式称斯特藩-波耳兹曼定律,其中常数为5.67 10-8W/m 2K 4 解答:教材P9,对公式2 1 5 1 ()1 e C T C M T e λλλ=-进行积分即可证明。 第二章 3.对于3m 晶体LiNbO3,试求外场分别加在x,y 和z 轴方向的感应主折射率及相应的相位延迟(这里只求外场加在x 方向上) 解:铌酸锂晶体是负单轴晶体,即n x =n y =n 0、n z =n e 。它所属的三方晶系3m 点群电光系数有四个,即γ22、γ13、γ33、γ51。电光系数矩阵为: L e ?A s ?A c l 0 θs θc 第1.2题图

模拟电路电子技术基础考研试题

第一部分:模拟电路 一、填空题(共10分,每小题2分) 1、由二极管D和正偏直流电源V,交流信号源υs及负载R L构成的串连电路,当V=3V时,测得R L上的交流压降υL=100mV。若调节V=4V,其他参数不变,则υL100mV。 2、基本放大电路的静态工作电流调得太大,容易产生失真,这种失真属于失真。 3、放大器中的噪声是是放大器中所造成的。放大器的噪声系数N F的定义是:。 4、某负反馈放大电路,其开环增益Ag=100mS,反馈系数Fr=10KΩ,开环输入电阻R i=3KΩ,则其闭环输入电阻R if =。(R i 和R if 均为未考虑偏置电阻的输入电阻) 5、由集成运放构成的非正弦波信号(三角波、矩形波、锯齿波)发生电路,通常由 和电路两部分组成。 二、分析与计算题 1.(8分)对于增强型n沟MOSFET , 1)写出其在线性区的伏安特性表达式; 2)在V DS>>2(V GS-V TH)条件下,写出上述伏安特性表达式的近似表达式; 3)已知MOSFET的μn·Cox=50μA/V2,V TH=0.7V, 当V GS=2.5V ,求此时该MOSFET的等效导通电阻R ON=? 2.(10分)两相同单级放大器组成二级放大器,回答如下问题1)在其单级放大器的截止频率处,二级放大器的放大倍数比其单级中频放大倍数下降多少dB? 2)为保证二级放大器的上限频率为106Hz,下限频率为156Hz,计算每个单级放大器的上限频率和下限频率分别应为多少? 3.(6分)一理想运算放大器组成的电路如图所示,试求该电路的输入电阻R i表达式。

4. (12分)在下图所示的多级运算放大电路中,设A 1、A 2、A 3均为理想运放电路: 1)写出计算υO1、υO2、υO 的表达式 2)若 R 3=R 5=R f1=R f2 =200K Ω,R 1=R 2=R 4=R 7=20K Ω,C =5μF ,t =0 时,加入阶跃信号υi 1=-0.1V,υi2=0.3V, 而电容C 上的初始电压υC =0,求需经过多长时间使υO =5V ? 5.(15分)在下图(a )所示的单极放大电路中,场效应管T 的转移特性如下图(b )所示。已知+V DD =+15V ,R D =15k Ω,R S =8 k Ω,R G =100 k Ω,R L =75 k Ω;要求 (!)用近似方法计算电路的静态工作点;(提示:T 的伏安特性方程可近似为:2 P GS D 1???? ??U U I I DSS -=,U GS =-I D ×R S ,U P 为夹断电压)。 (2)计算放大器的输入电阻 R i 和输出电阻 R o ; (3)计算场效应晶体管的跨导 g m ; (4)计算放大器的电压放大倍数 A u ; 6、(14分)下图所示RC 桥式振荡电路中,设运放A 为理想组件,设R =3.9K Ω, C =0.01μF ,R T =15K Ω,+V CC =+15V ,-V CC =-15V ,试回答如下问题:

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