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电接触的接触电阻研究
作者：许军， 李坤， XU Jun， LI Kun
作者单位：装甲兵工程学院,控制工程系,北京,100072
刊名：
电工材料
英文刊名：ELECTRICAL ENGINEERING MATERIALS
年，卷(期)：2011(1)
被引用次数：1次
参考文献(8条)
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本文链接：https://www.doczj.com/doc/9c16754057.html,/Periodical_dgcl201101002.aspx
收稿日期:2004-11-10 作者简介:刘民(1961-),男,高级工程师,主要从事电磁计量。 2005年6月宇航计测技术 Jun.,2005第25卷 第3期 Journal of Astronautic Metrology and Measurement Vol.25,No.3文章编号:1000-7202(2005)03-0022-04 中图分类号:TM934111 文献标识码:A 一种测量接触电阻的新方法 刘 民 (北京8722信箱,100080) 摘 要 总结接触电阻的测试方法,讨论了产生测量不确定度的因素,对四线法测量原理和消除热电势的 方法进行了论述。提出了接触电阻的间接测量法,给出了间接测量法的计算公式,该方法可以用于测试电气回路中的接触电阻,并可以应用在环路电阻标准器的计量校准中。 关键词 接触电阻 环路电阻 + 四线法测量 机械装配 A New Method for Measuring Contact Resistance LI U Min (Post Box 8722Beijing China,100080) Abstract The contact resistance was often applied in quality testing of switches,relays and PCB pads and testing of the shield assembly for E MC.The method of measuring c ontact resistance has been summed up and the fac tors that induce measure ment uncertainty have been discussed.A ne w method of indirect measuring contact resistance has been put forward in this paper creatively,and the indirect calculation formula has been given out.This method can be used in measuring c ontact resistance that includes in loop circuit.This method can also been appliced on calibration loop resistor standard. Key words C ontact resistance Loop resistance +Four-wire terminal Machine assembly 1 引 言 接触电阻的测试应用领域相当广泛。在电气方面,线路有焊接、压接、搭接、插接、螺栓紧固连接等等各种连接方法,如果希望了解线路的连接质量和 其导电特性,就需要进行接触电阻测试。接触电阻的测试,经常应用于开关、继电器和印刷电路焊盘的质量检验当中。在机械装配方面,测量两个金属表面相互连接后的接触电阻,可以判断机械装配的牢 固性和可靠性。在电磁兼容方面,导电密封圈、弹性导电片和编织铜网带的导电特性,也可以通过接触
半导体的欧姆接触(2012-03-30 15:06:47)转载▼ 标签：杂谈分类：补充大脑 1、欧姆接触 欧姆接触是指这样的接触：一是它不产生明显的附加阻抗；二是不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变。 从理论上说，影响金属与半导体形成欧姆接触的主要因素有两个：金属、半导体的功函数和半导体的表面态密度。对于给定的半导体，从功函数对金属－半导体之间接触的影响来看，要形成欧姆接触，对于n型半导体，应该选择功函数小的金属，即满足Wm《Ws，使金属与半导体之间形成n型反阻挡层。而对于p型半导体，应该选择功函数大的金属与半导体形成接触，即满足Wm》Ws，使金属与半导体之间形成p型反阻挡层。但是由于表面态的影响，功函数对欧姆接触形成的影响减弱，对于n型半导体而言，即使Wm《Ws，金属与半导体之间还是不能形成性能良好的欧姆接触。 目前，在生产实际中，主要是利用隧道效应原理在半导体上制造欧姆接触。从功函数角度来考虑，金属与半导体要形成欧姆接触时，对于n型半导体，金属功函数要小于半导体的功函数，满足此条件的金属材料有Ti、In。对于p型半导体，金属功函数要大于半导体的功函数，满足此条件的金属材料有Cu、Ag、Pt、Ni。 2、一些常用物质的的功函数 物质Al Ti Pt In Ni Cu Ag Au 功函数4.3 3.95 5.35 3.7 4.5 4.4 4.4 5.20 3、举例 n型的GaN——先用磁控溅射在表面溅射上Ti/Al/Ti三层金属，然后在卤灯/硅片组成的快速退火装置上进行快速退火：先600摄氏度—后900摄氏度——形成欧姆接触； p型的CdZnTe——磁控溅射仪上用Cu－3％Ag合金靶材在材料表面溅射一层CuAg合金。 欧姆接触[编辑] 欧姆接触是半导体设备上具有线性并且对称的 果电流- 这些金属片通过光刻制程布局。低电阻，稳定接触的欧姆接触是影响集成电路性能和稳定性的关键因素。它们的制备和描绘是电路制造的主要工作。 目录 [隐藏] ? 1 理论 ? 2 实验特性 ? 3 欧姆接触的制备 ? 4 技术角度上重要的接触类型 ? 5 重要性 ? 6 参考资料
《民族语文》２００５年第３期语言接触与语言区域性特征４ 黄行 ［提要］中国语言的结构类型表现出明显区域性趋同倾向。本文以语言地理数据描述中国不同地区语言的结构特点，着重分析因语言接触而引起的语言区域性的趋同变异。 一前言 中国的语言按系属分类可分为汉藏、阿尔泰、南亚、南岛和印欧５个语系，语言数量超过１３０种。其中属于汉藏语系的语言近８０种，汉语以外的诸语言主要分布在西北、西南和华南，使用人口共约５０００万人。阿尔泰语系语言有２０种左右，分布在东北、华北和西北，使用人口约１７００万人；南亚语系有ｌＯ几种语言，分布在云南和广西的小部分地区，使用人口约５０万人；南岛语系是分布在台湾的近２０种高山族（原住民）语言，海南回族讲的回辉语也属这个语系。印欧语系仅俄罗斯和塔吉克２种语言，分别分布在黑龙江和新疆的个别地区。此外还有五屯、唐汪、倒话、五色、艾依努等５～６种被认为是混合型的语言。 不同系属的语言在结构上也存在很大的差异。阿尔泰诸语言具有典型的综合一粘着型语言的特征；汉藏语系的侗台语、苗瑶语（及汉语）具有比较典型的分析一融合型语言的特征，藏缅语～部分语言（藏羌语）保持综合一粘着型语言的特征，一部分语言（彝缅语）有分析化的倾向；南亚语基本属于分析型语言，南岛语属于粘着型语言。 如果不考虑语言的谱系关系来描述语言结构特征的地理分布，中国语言的结构类型表现出明显的区域性趋同倾向，即分布在同一地区的语言，不管是否具有发生学关系，往往具有某些相似的结构特征，这种区域性结构的趋同现象可以从语言接触的相互影响得到部分解释。 二中国语言的地区分布和类型特征 藏缅语分布于西藏、青海及云南的绝大部分地区，以及甘肃南部、四川西部地区，这种分布格局映射了古代氐、羌、戎等藏缅民族从青藏高原向西南“藏彝走廊”迁徙的走向。 侗台语主要分布在广西（壮傣语支、侗水语支、仡央语支）和海南的大部分地区（黎语支），及贵州、云南的部分地区，现所在地或许比其百越先民的分布范围缩小了许多，并向西转移。 苗瑶语主要分布在贵州（苗语支）和广西（瑶语支）的大部分地区，及云南、湖南的部分地区，广东也有少数瑶语却畲语的分布，而海南的瑶语是近代从广西移民带过去的。现代 ’本文曾于“首届人类语言学国际学术研讨会”（２００５年１月６—９日，哈尔滨）宣读；撰写本文曾得到孙宏开先生重要的启发和指导，特此致谢。
连接器接触电阻 不论是高频电连接器，还是低频电连接器，接触电阻、绝缘电阻和介质耐压（又称抗电强度）都是保证电连接器能正常可靠地工作的最基本的电气参数。通常在电连接器产品技术条件的质量一致性检验A、B组常规交收检验项目中都列有明确的技术指标要求和试验方法。这三个检验项目也是用户判别电连接器质量和可靠性优劣的重要依据。但根据多年来从事电连接器检验的实践发现；目前各生产厂之间以及生产厂和使用厂之间，在具体执行有关技术条件时尚存在许多不一致和差异，往往由于采用的仪器、测试工装、操作方法、样品处理和环境条件等因素的不同，直接影响到检验结果的准确性和一致性。为此，针对目前这三个常规电性能检验项目在实际操作中存在的问题进行一些专题研讨，对提高电连接器检验可靠性是十分有益的。 另外，随着电子信息技术的迅猛发展，新一代的多功能自动检测仪正在逐步替代原有的单参数测试仪。这些新型测试仪器的应用必将大大提高电性能的检测速度、效率和准确可靠性。 2.1 作用原理 在显微镜下观察连接器接触件的表面，尽管镀金层十分光滑，则仍能观察到5-10微米的凸起部分。会看到插合的一对接触件的接触，并不是整个接触面的接触，而是散布在接触面上一些点的接触。实际接触面必然小于理论接触面。根据表面光滑程度及接触压力大小，两者差距有的可达几千倍。实际接触面可分为两部分；一是真正金属与金属直接接触部分。即金属间无过渡电阻的接触微点，亦称接触斑点，它是由接触压力或热作用破坏界面膜后形成的。这部分约占实际接触面积的 5-10%。二是通过接触界面污染薄膜后相互接触的部分。因为任何金属都有返回原氧化物状态的倾向。实际上，在大气中不存在真正洁净的金属表面，即使很洁净的金属表面，一旦暴露在大气中，便会很快生成几微米的初期氧化膜层。例如铜只要2-3分钟，镍约30分钟，铝仅需2-3秒钟，其表面便可形成厚度约2微米的氧化膜层。即使特别稳定的贵金属金，由于它的表面能较高，其表面也会形成一层有机气体吸附膜。此外，大气中的尘埃等也会在接触件表面形成沉积膜。因而，从微观分析任何接触面都是一个污染面。 综上所述，真正接触电阻应由以下几部分组成； 1) 集中电阻 电流通过实际接触面时，由于电流线收缩（或称集中）显示出来的电阻。将其称为集中电阻或收缩电阻。 2) 膜层电阻 由于接触表面膜层及其他污染物所构成的膜层电阻。从接触表面状态分析；表面污染膜可分为较坚实的薄膜层和较松散的杂质污染层。故确切地说，也可把膜层电阻称为界面电阻。 3) 导体电阻
接触电阻 ----“接触对”导体件呈现的电阻成为接触电阻。 一般要求接触电阻在10-20 mohm以下。有的开关则要求在100-500uohm以下。有些电路对接触电阻的变化很敏感。应该指出，开关的接触电阻是在开关在若干次的接触中的所允许的接触电阻的最大值。 Contact Area 接触电阻 在电路板上是专指金手指与连接器之接触点，当电流通过时所呈现的电阻之谓。为了减少金属表面氧化物的生成，通常阳性的金手指部份，及连接器的阴性卡夹子皆需镀以金属，以抑抵其“接载电阻”的发生。其他电器品的插头挤入插座中，或导针与其接座间也都有接触电阻存在。 作用原理 在显微镜下观察连接器接触件的表面，尽管镀金层十分光滑，则仍能观察到 5-10微米的凸起部分。会看到插合的一对接触件的接触，并不整个接触面的接触，而是散布在接触面上一些点的接触。实际接触面必然小于理论接触面。根据表面光滑程度及接触压力大小，两者差距有的可达几千倍。实际接触面可分为两部分；一是真正金属与金属直接接触部分。即金属间无过渡电阻的接触微点，亦称接触斑点，它是由接触压力或热作用破坏界面膜后形成的。部分约占实际接触面积的5-10%。二是通过接触界面污染薄膜后相互接触的部分。因为任何金属都有返回原氧化物状态的倾向。实际上，在大气中不存在真正洁净的金属表面，即使很洁净的金属表面，一旦暴露在大气中，便会很快生成几微米的初期氧化膜层。例如铜只要2-3分钟，镍约30分钟，铝仅需2-3秒钟，其表面便可形成厚度约2微米的氧化膜层。即使特别稳定的贵金属金，由于它的表面能较高，其表面也会形成一层有机气体吸附膜。此外，大气中的尘埃等也会在接触件表面形成沉积膜。因而，从微观分析任何接触面都是一个污染面。 综上所述，真正接触电阻应由以下几部分组成； 1) 集中电阻 电流通过实际接触面时，由于电流线收缩（或称集中）显示出来的电阻。将其称为集中电阻或收缩电阻。 2) 膜层电阻 由于接触表面膜层及其他污染物所构成的膜层电阻。从接触表面状态分析；表面污染膜可分为较坚实的薄膜层和较松散的杂质污染层。故确切地说，也可把膜层电阻称为界面电阻。 3) 导体电阻 实际测量电连接器接触件的接触电阻时，都是在接点引出端进行的，故实际测得的接触电阻还包含接触表面以外接触件和引出导线本身的导体电阻。导体电阻主
常用消防安全知识问答题及答案（一） 常用消防安全知识问答题及答案（一）1、什么叫燃烧? 答：燃烧是一种放热、发光的化学反应。 2、说出两种遇水燃烧的物质? 答：钾、钠、镁。 3、燃烧有几种类型? 答：有四种类型：闪燃、着火、自燃、爆炸。 4、什么是闪燃? 答：可燃液体挥发的蒸汽与空气混合达到一定浓度遇明火发生一闪即逝的燃烧叫闪燃。 5、什么叫闪点? 答：发生闪燃时的最低温度叫闪点。 6、什么叫燃点? 答：可燃物开始持续燃烧所需要的最低温度。 7、按易燃可燃液体闪点的划分，其火灾危险性可分为类? 答：可分为三类，28℃以下为甲类;28℃-60℃为乙类;60℃以上为丙类。 8、试写出三种以上常见可燃物的燃点? 答：纸张130℃;棉花210℃;赛璐珞100℃;松节油53℃;煤油86℃;布匹200℃;麦草200℃;橡胶120℃，木材295℃。 9、物质燃烧需要具备的三个条件是什么?
答：可燃物;助燃物;着火源。 10、什么叫着火? 答：可燃物在空气中受到火源作用而发生的持续燃烧的现象。 11、举例说明什么是不完全燃烧? 答：燃烧后所生成的仍具有燃烧性的物质叫不完全燃烧。如一氧化碳。 12、在一定温度和有空气条件下，能发生燃烧反应的物质称为什么物质? 答：可燃物。 13、在没有明火的作用下，可燃物被加热到一定温度而引起燃烧的现象叫什么? 答：受热现象。 14、什么叫蓄热自燃? 答：可燃物在没有直接火源作用下，由于自身内部的物理、生物、化学反应，温度不断集聚升高，达到燃点发生燃烧的现象叫蓄热自燃。 15、粮食会自燃吗? 答：粮食自身和依附在粮食上的微生物的呼吸湿度受到水分的影响较大。在含水较高的条件下，微生物呼吸湿度显著增大，放出大量的热量。当温度升高到38℃-40℃时，发生霉变，继续蓄热，逐渐由物理反应到化学反应，最后达到自燃点，引起自身燃烧。 16、某单位购置了一汽车生石灰，堆放在一栋木板房旁边，生石灰上面又放了草袋和木料等可燃物。有一天下了一场雨，雨
欧姆接触 欧姆接触是指金属与半导体的接触，而其接触面的电阻值远小于半导体本身的电阻，使得组件操作时，大部分的电压降在活动区(Active region)而不在接触面。欧姆接触在金属处理中应用广泛，实现的主要措施是在半导体表面层进行高掺杂或者引入大量复合中心。 欧姆接触指的是它不产生明显的附加阻抗，而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变。 条件 欲形成好的欧姆接触，有二个先决条件： （1）金属与半导体间有低的势垒高度(Barrier Height) （2）半导体有高浓度的杂质掺入(N ≧10EXP12 cm-3) 区别 前者可使界面电流中热激发部分(Thermionic Emission)增加;后者则使半导体耗尽区变窄，电子有更多的机会直接穿透(Tunneling)，而同时使Rc阻值降低。 若半导体不是硅晶，而是其它能量间隙(Energy Gap)较大的半导体(如GaAs)，则较难形成欧姆接触 (无适当的金属可用)，必须于半导体表面掺杂高浓度杂质，形成Metal-n+-n or Metal-p+-p等结构。 理论 任何两种相接触的固体的费米能级（Fermi level）（或者严格意义上，化学势）必须相等。费米能级和真空能级的差值称作工函数。接触金属和半导体具有不同的工函，分别记为φM和φS。当两种材料相接触时，电子将会从低工函一边流向另一边直到费米能级相平衡。从而，低工函的材料将带有少量正电荷而高工函材料则会变得具有少量电负性。最终得到的静电势称为内建场记为Vbi。这种接触电势将会在任何两种固体间出现并且是诸如二极管整流现象和温差电效应等的潜在原因。内建场是导致半导体连接处能带弯曲的原因。明显的能带弯曲在金属中不会出现因为他们很短的屏蔽长度意味着任何电场只在接触面间无限小距离内存在。 欧姆接触或肖特基势垒形成于金属与n型半导体相接触。 欧姆接触或肖特基势垒形成于金属与p型半导体相接触。在经典物理图像中，为了克服势垒，半导体载流子必须获得足够的能量才能从费米能
魏晋清谈研究述评(一) 摘要：魏晋清谈是我国中古史上最值得注意的一种文化现象，历来研究不绝。古代的清谈研究多注重政治批评，近代以来始转向文化研究，并在清谈起源、清谈分期及流派、清谈内容、清谈之形式问题及清谈的评价等方面形成了热点，取得了丰硕的成果。 关键词：魏晋清谈，研究，述评 清谈是我国中古史上最值得注意的一种文化现象，因其伴随魏晋玄风而兴起，故习惯上常称之为魏晋清谈。所谓“魏晋清谈”，据台湾学者唐翼明的定义，“指的是魏晋时代的贵族和知识分子，以探讨人生、社会、宇宙的哲理为主要内容，以讲究修辞技巧的谈说论辩为基本方式而进行的一种学术社交活动。”1]由此可见，清谈作为玄学思潮的一种外在表现形式，其文化上之意义要远比其学理上之价值来得重要。 关于魏晋清谈，古今关注点颇不相同。清谈对于今天来说，固然可以高雅文化视之，但在其所以发生之时，实有关于政治。如玄学的“有无之辨”实关乎士人名教与自然之选择，而“才性四本”之论更与当时政治集团之归属向背紧密相关，绝非“仅作名士身份之装饰品也”。2]清谈家们祖述虚无，好为玄远，对政治上“不以物务自婴”的风气不能没有影响，对社会上放达任诞之士风亦有直接的推动作用，因此在古代，清谈常成为“五朝不竞”的替罪羊，正视不足而讨伐有余。西晋傅玄在《举清远疏》中的一段有名的话最能说明问题：“近者魏武好法术，而天下贵刑名；魏文慕通达，而天下贱守节。其后纲维不摄，而虚无放诞之论，盈于朝野，使天下无复清议，而亡秦之病，复发于外矣。”（《晋书》本传）范宁更将“礼崩乐坏，中原倾覆”的责任归诸王弼、何晏，指斥“二人之罪，深于桀纣”！（《晋书·范汪附子宁传》）余如干宝、葛洪、裴頠、江惇、卞壶、应詹、熊远、陈頵等亦着论严辞批评，就连清谈名士如王衍、桓温、王羲之诸人，也都或自责或反省，将亡国之咎归诸清谈。 可以说，“清谈误国”的罪名并非后人追加，而是清谈当代士大夫阶层多数人“痛定思痛”的共识。既然“肇事者”主动投案，无怪后人盖棺论定时要作诛心之论。唐修《晋书·儒林传序》云：“有晋始自中朝，迄于江左，莫不崇饰华竞，祖述玄虚，摈阙里之正经，习正始之余论，指礼法为流俗，目纵诞以清高。遂使宪章弛废，名教颓毁，五胡乘间而竞逐，二京继踵以沦胥。运极道消，可为长叹息者矣。”顾炎武《日知录》“正始”条亦称：“讲明《六经》，郑玄、王肃为集汉之终；演说老、庄，王弼、何晏为开晋之始。以至国亡于上，教沦于下，羌戎互僭，君臣屡易，非林下诸贤之咎而谁哉？”又说：“有亡国有亡天下。亡国与亡天下奚辨？曰：易姓改号谓之亡国，仁义充塞而至于率兽食人，人将相食，谓之亡天下。魏晋人之清谈何以亡天下？是孟子所谓杨墨之言，至于使天下无父无君而入于禽兽者也。……自正始以来，而大义之不明遍于天下。”将“亡天下”之罪一概归诸清谈。赵翼《廿二史札记》“六朝清谈之习”条亦溯其源，察其变，于清谈习尚之弊端致意再三。古今虽偶有持平之论，3]然终难翻案。总之，古代对于清谈的评论无论褒贬毁誉，皆与政治有关，直至近代，人们对于魏晋清谈的认识才真正由政治批评转向文化研究。近代以来的清谈文化研究，首先发端于东瀛，以市村瓒次郎发表于1919年的《清谈源流考》4]振起先声，其后方波及海内，至今不绝。察波观澜，其所注意者主要集中在以下几个方面： （一）清谈的起源问题叙述清谈文化兴衰嬗变之过程，尤以近人钱穆所说最为简明生动。钱穆说：“东汉之季，士厌于经生章句之学，四方学者，荟萃京师，渐开游谈之风。至于魏世，遂有‘清谈'之目。及正始之际，而蔚成风尚。何晏、王弼为时宗师，竹林诸贤，闻声继起。至于王衍、乐广，流风愈畅。典午既东，此风盛于江左，习尚相沿，直至隋业一统，始见革除。”5]话虽不多，清谈之起、承、转、衰无不一一点逗清楚。而清谈起源之问题实际上包
电连接器基本知识概述 在武器装备的各类电子系统中，电连接器在器件与器件、组件与组件、系统与系统之间进行电气连接和信号传递，是构成一个完整系统所必须的基础元件。 在各种军机和武器装备中，电连接器的用量较大，特别是飞机上使用电连接器的用量特大。一般来讲一架飞机电连接器的使用量可达数百件至几千件，牵扯到好几万个线路。因此，电连接器除了要满足一般的性能要求外，特别重要的要求是电连接器必须达到接触良好，工作可靠，维护方便，其工作可靠与否直接影响飞机电路的正常工作，涉及整个主机的安危。为此，主机电路对电连接器的质量和可靠性有非常严格的要求，也正因为电连接器的高质量和高可靠性，使它也广泛应用于航空、航天、国防等军用系统中。针对此块精英人才，也是目前我国最稀缺的，目前收纳电连接器人较多的有连接器英才网，是电连接器行业人才的一个专业性招聘、求职网站。 一、电连接器分类、结构 1．连接器常用的分类方法是： 1)按外形分：圆形电连接器、矩形电连接器。 圆形电连接器由于自身结构的特点在军事装备上（航空、航天）用量最大。矩形电连接器由于其结构简单更多的是用于电子设备的印制线路板上。 2)按结构分： 按连接方式：螺纹连接、卡口（快速）连接、卡锁连接、推拉式连接、直插式连接等； 按接触体端接形式：压接，焊接，绕接；螺钉（帽）固定； 按环境保护分：耐环境电连接器和普通电连接器 3)按用途分： 射频电连接器 密封电连接器（玻璃封焊） 高温电连接器 自动脱落分离电连接器 滤波电连接器 复合材料电连接器 机场电源电连接器 印制线路板用电连接器等2．电连接器结构电连接器由固定端电连接器（以下称插座），自由端电连接器（以下称插头）组成。插座通过其方（圆）盘固定在用电部件上（个别还采用焊接方式），插头一般接电缆，通过连接螺帽实现插头、插座连接。 电连接器由壳体、绝缘体、接触体三大基本单元组成。 壳体——电连接器壳体是指插头插座的外壳、连接螺帽、尾部附件。外壳作用是保护绝缘体和接触体（插针插孔的通称）等电连接器内部零件不被损伤。上面的定位键槽保证插头与插座定位。连接螺帽用于插头座连接和分离。尾部附件用于保护导线与接触体端接处不受损伤并用于固定电缆。壳体还具有一定电磁屏蔽作用。
连接器接触电阻检验 在显微镜下观察连接器接触件的表面，尽管镀金层十分光滑，则仍能观察到5-10微米的凸起部分。会看到插合的一对接触件的接触，并不整个接触面的接触，而是散布在接触面上一些点的接触。实际接触面必然小于理论接触面。根据表面光滑程度及接触压力大小，两者差距有的可达几千倍。实际接触面可分为两部分；一是真正金属与金属直接接触部分。即金属间无过渡电阻的接触微点，亦称接触斑点，它是由接触压力或热作用破坏界面膜后形成的。部分约占实际接触面积的5-10%。二是通过接触界面污染薄膜后相互接触的部分。因为任何金属都有返回原氧化物状态的倾向。实际上，在大气中不存在真正洁净的金属表面，即使很洁净的金属表面，一旦暴露在大气中，便会很快生成几微米的初期氧化膜层。例如铜只要2-3分钟，镍约30分钟，铝仅需2-3秒钟，其表面便可形成厚度约2微米的氧化膜层。即使特别稳定的贵金属金，由于它的表面能较高，其表面也会形成一层有机气体吸附膜。此外，大气中的尘埃等也会在接触件表面形成沉积膜。因而，从微观分析任何接触面都是一个污染面。 综上所述，真正接触电阻应由以下几部分组成； 1) 集中电阻 电流通过实际接触面时，由于电流线收缩（或称集中）显示出来的电阻。将其称为集中电阻或收缩电阻。 2) 膜层电阻 由于接触表面膜层及其他污染物所构成的膜层电阻。从接触表面状态分析；表面污染膜可分为较坚实的薄膜层和较松散的杂质污染层。故确切地说，也可把膜层电阻称为界面电阻。 3) 导体电阻 实际测量电连接器接触件的接触电阻时，都是在接点引出端进行的，故实际测得的接触电阻还包含接触表面以外接触件和引出导线本身的导体电阻。导体电阻主要取决于金属材料本身的导电性能，它与周围环境温度的关系可用温度系数来表征。 为便于区分，将集中电阻加上膜层电阻称为真实接触电阻。而将实际测得包含有导体电阻的称为总接触电阻。 在实际测量接触电阻时，常使用按开尔文电桥四端子法原理设计的接触电阻测试仪（毫欧计），其专用夹具夹在被测接触件端接部位两端，故实际测量的总接触电阻R由以下三部分组成，可由下式表示： R= RC + Rf + Rp,式中：RC—集中电阻；Rf—膜层电阻；Rp—导体电阻。 接触电阻检验目的是确定电流流经接触件的接触表面的电触点时产生的电阻。如果有大电流通过高阻触点时，就可能产生过分的能量消耗，并使触点产生危险的过热现象。在很多应用中要求接触电阻低且稳定，以使触点上的电压降不致影响电路状况的精度。 测量接触电阻除用毫欧计外,也可用伏-安计法,安培-电位计法。 在连接微弱信号电路中，设定的测试数条件对接触电阻检测结果有一定影响。因为接触表面会附有氧化层，油污或其他污染物，两接触件表面会产生膜层电阻。由于膜层为不良导体，随膜层厚度增加，接触电阻会迅速增大。膜层在高的接触压力下会机械击穿，或在高电压、大电流下会发生电击穿。但对某些小型连接器设计的接触压力很小，工作电流电压仅为mA和mV级，膜层电阻不易被击穿，接触电阻增大可能影响电信号的传输。 在GB5095“电子设备用机电元件基本试验规程及测量方法” 中的接触电阻测试方法之一，“接触电阻-毫伏法” 规定，为防止接触件上膜层被击穿，测试回路交流或直流的开路峰值电压应不大于20mV，交流或直流的测试中电流应不大于100mA。 在GJB1217“电连接器试验方法” 中规定有“低电平接触电阻” 和“接触电阻” 两种试验方法。其中低电平接触电阻试验方法基本内容与上述GB5095中的接触电阻-毫伏法相同。目的是评定接触件在加上不改变物理的接触表面或不改变可能存在的不导电氧化薄膜的电压和电流条件下的接触电阻特性。所加开路试验电压不超过20mV，试验电流应限制在100mA。在这一电平下的性能足以表现在低电平电激励下的接触界面的性能。而接触电阻试验方法目的是测量通过规定电流的一对插合接触件两端或接触件与测
欧姆接触 是指金属与半导体的接触，而其接触面的电阻值远小于半导体本身的电阻，使得组件操作时，大部分的电压降在活动区(Active region)而不在接触面。 欲形成好的欧姆接触，有二个先决条件： （1）金属与半导体间有低的势垒高度(Barrier Height) （2）半导体有高浓度的杂质掺入(N ≧10EXP12 cm-3) 前者可使界面电流中热激发部分(Thermionic Emission)增加;后者则使半导体耗尽区变窄，电子有更多的机会直接穿透(Tunneling)，而同时使Rc阻值降低。 若半导体不是硅晶，而是其它能量间隙(Energy Cap)较大的半导体(如GaAs)，则较难形成欧姆接触(无适当的金属可用)，必须于半导体表面掺杂高浓度杂质，形成Metal-n＋-n or Met al-p+-p等结构。 理论 任何两种相接触的固体的费米能级（Fermi level）（或者严格意义上，化学势）必须相等。费米能级和真空能级的差值称作工函。接触金属和半导体具有不同的工函，分别记为φM和φS。当两种材料相接触时，电子将会从低工函一边流向另一边直到费米能级相平衡。从而，低工函的材料将带有少量正电荷而高工函材料则会变得具有少量电负性。最终得到的静电势称为内建场记为Vbi。这种接触电势将会在任何两种固体间出现并且是诸如二极管整流现象和温差电效应等的潜在原因。内建场是导致半导体连接处能带弯曲的原因。明显的能带弯曲在金属中不会出现因为他们很短的屏蔽长度意味着任何电场只在接触面间无限小距离内存在。 欧姆接触或肖特基势垒形成于金属与n型半导体相接触。 欧姆接触或肖特基势垒形成于金属与p型半导体相接触。在经典物理图像中，为了克服势垒，半导体载流子必须获得足够的能量才能从费米能级跳到弯曲的导带顶。穿越势垒所需的能量φB是内建势及费米能级与导带间偏移的总和。同样对于n型半导体，φB = φM ? χS当中χS是半导体的电子亲合能（electron affinity），定义为真空能级和导带（CB）能级的差。对于p型半导体，φB = Eg ? (φM ? χS)其中Eg是禁带宽度。当穿越势垒的激发是热力学的，这一过程称为热发射。真实的接触中一个同等重要的过程既即为量子力学隧穿。WKB近似描述了最简单的包括势垒穿透几率与势垒高度和厚度的乘积指数相关的隧穿图像。对于电接触的情形，耗尽区宽度决定了厚度，其和内建场穿透入半导体内部长度同量级。耗尽层宽度W可以通过解泊松方程以及考虑半导体内存在的掺杂来计算: 在MKS单位制ρ 是净电荷密度而ε是介电常数。几何结构是一维的因为界面被假设为平面的。对方程作一次积分，我们得到 积分常数根据耗尽层定义为界面完全被屏蔽的长度。就有 其中V(0) = Vbi被用于调整剩下的积分常数。这一V(x)方程描述了插图右手边蓝色的断点曲线。耗尽宽度可以通过设置V(W) = 0来决定，结果为
论语言接触与语言的变化 中央民族大学语言文学系教授，博士生导师王远新 中央民族大学语言文学系博士研究生刘玉屏摘要语言接触是语言发展变化的重要原因。在中国的城市化进程中，研究语言接触及其与语言变异、语言变化之间的关系，具有重要的理论价值和现实意义。本文从语言接触研究中出现频率较高的几组概念说起，讨论语言接触对语言变异和语言变化的制约作用，分析语言接触过程中影响语言变异和语言变化的主要因素。在此基础上提出，应当建立语言接触与语言变化之间关系的有效分析模式和检验模式。 关键词语言接触语言变化变化机制 语言接触是语言变异、价值语言变化研究的基本内容，具有重要的理论价值。语言本身并不会接触，语言的接触通过语言使用者的接触实现。也就是说，语言的接触实际上是语言使用者的接触，而造成语言接触的主要原因是人口的迁移。目前，我国已进入城市化进程的“高速路”，而城市化进程的一个重要标志是人口的大量迁移和流动。城市化进程强化了语言接触的密度和深度，导致了语言变异和语言变化的新现象、新特点。在这种情况下，加强语言接触及其影响语言变化机制的研究迫在眉睫。 一、从几组相关概念说起 1.语言接触·语言影响·语言变化 “语言接触”（language contact）是一种行为或事实，接触各方语言所产生的影响是“语言影响”（language influence），是语言接触和语言影响导致语言产生的变化是“语言变化”（language change）。这三个概念的关系可表示如下：语言接触→语言影响→语言变化。 从逻辑上说，“语言接触”是“因”，“语言变化”是“果”。作为一个描述性的用语，“语言影响”既可以用做“语言之间相互影响”的简称形式，指称“语言接触”这种行为；也可以用来指称“语言接触”的形式和结果。比如有些学者采用“语言影响”指称“语言接触”，把语言接触的类型划分为“深影响”、“浅影响”、“长型影响”、“短型影响”、“口头影响”、“书面影响”等，又用它来指称“语言变化”的形式和结果，把语言接触引起的语言变化区分为“词汇影响”、“语音影响”、“语法影响”等类型。还有的学者把语言的浅层渗透称作语言影响，与之相对的深层次渗透称为语言融合或语言混合。为了明确研究对象和研究范围，进而加深语言接触的研究，我们建议使用“语言接触”和“语言变化”这一对表义明确的术语指称语言关系中因果关系的双方，把语言接触看做自变量，把语言变化看做因变量，研究二者的关系。 2.语言演变·语言变异·语言变化 在讨论语言接触对语言所产生的结果时，有人使用“语言变化”，有人使用“语言演变”（language evolution），有人则使用“语言变异”（language variation）。有人使用的术语是“语言演变”，讨论的内容确实语言变异；有人使用的术语是“语言变异”，讨论的内容确实语言演变。有人把外来成分为适应当前语言系统而进行的结构调整看做语言变异；有人把语言的历史演变当做语言变异。 事实上，语言演变和语言变异是有区别的，而且这种区别在社会语言学研究中受到高度的重视。一般而言，语言演变和语言变化都属于“历时”（diachronic）的范畴。扩散理论的创建者王士元（2000）立足于时间，把语言变化区分为“宏观”（macroscopic）、“中观”（medioscopic）、“微观”（microscopic）三种类型。变异属于微观变化的范畴，跨越的时间只有几十年。也就是说，王士元把语言变异看做语言变化的一个特殊阶段，看做语言的微观变化。社会学语言学家大都不从“共时”（synchronic）和历史的角度对语言变异进行分类。这是因为：一方面，历史的变化首先表现为共时的变异；与此同时，共时的变异又体现了历史的变化。在社会语言学家看来，语言变异是语言演变的起始阶段，即开始出现异体的阶段。
接触电阻的多种测量方法 接触电阻就是电流流过闭合的接触点对时的电阻。这类测量是在诸如连接器、继电器和开关等元件上进行的。接触电阻一般非常小其范围在微欧姆到几 个欧姆之间。根据器件的类型和应用的情况，测量的方法可能会有所不同。ASTM 的方法B539 测量电气连接的接触电阻和MIL-STD-1344 的方法3002 低信号电平接触电阻是通常用于测量接触电阻的两种方法。通常，一些基本的原 则都采用开尔文四线法进行接触电阻的测量。 测量方法 图4-42 说明用来测试一个接点的接触电阻的基本配置。使用具有四端测量能力的欧姆计，以避免在测量结果中计入引线电阻。将电流源的端子接到该接 点对的两端。取样(Sense)端子则要连到距离该接点两端电压降最近的地方。其目的是避免在测量结果中计入测试引线和体积电阻(bulk resistance)产生的电压降。体积电阻就是假定该接点为一块具有相同几何尺寸的金属实体，而使其实 际接触区域的电阻为零时，整个接点所具有的电阻，设计成只有两条引线的器 件有的时候很难进行四线连接。器件的形式决定如何对其进行连接。一般，应 当尽可能按照其正常使用的状态来进行测试。在样品上放置电压探头时不应当 使其对样品的机械连接产生影响。例如，焊接探头可能会使接点发生不希望的 变化。然而，在某些情况下，焊接可能是不可避免的。被测接点上的每个连接 点都可能产生热电动势。然而，这种热电动势可以用电流反向或偏置补偿的方 法来补偿。 干电路(Dry Circuit)测试 通常，测试接点电阻的目的是确定接触点氧化或其它表面薄膜积累是否增加 了被测器件的电阻。即使在极短的时间内器件两端的电压过高，也会破坏这种
欧姆接触是半导体设备上具有线性并且对称的电流-电压特性曲线（I-V curve）的区域。如果电流-电压特性曲线不是线性的，这种接触便叫做肖特基接触。 理论：任何相接触的固体的费米能级（化学势）必须相等，费米能级和真空能级的差值称为功函数，因而，接触的金属和半导体具有不同的功函数。当两种材料相接触的时候电子会从低功函数的的一端流向另一端直到费米能级平衡；从而低功函数的材料带有少量正电荷，高功涵的材料带有少量负电荷，最终得到的静电势称为内建场。内建场是导致半导体连接处能带弯曲的原因。 欧姆接触是指金属与半导体的接触，而其接触面的电阻值远小于半导体本身的电阻，使得组件操作时，大部分的电压降在活动区(Active region)而不在接触面。 欲形成好的欧姆接触，有二个先决条件： （1）金属与半导体间有低的势垒高度(Barrier Height)使界面电流中热激发部分(Thermionic Emission)增加 （2）半导体有高浓度的杂质掺入(N ≧10EXP12 cm-3) 使半导体耗尽区变窄，电子有更多的机会直接穿透(Tunneling)，而同时使Rc阻值降低。 若半导体不是硅晶，而是其它能量间隙(Energy Cap)较大的半导体(如GaAs)，则较难形成欧姆接触(无适当的金属可用)，必须于半导体表面掺杂高浓度杂质，形成Metal-n＋-n or Metal-p+-p等结构。 肖特基接触是指金属和半导体材料相接触的时候，在界面处半导体的能带弯曲，形成肖特基势垒。势垒的存在才导致了大的界面电阻。与之对应的是欧姆接触，界面处势垒非常小或者是没有接触势垒。 理论：当半导体与金属接触的时候由于半导体的电子逸出功一般比金属小，电子就从半导体流入了金属，在半导体的表面层形成一个带正电不可移动的杂质离子组成的空间电荷区域。电场方向由半导体指向金属，阻止电子继续向金属中扩散。界面处半导体能带发生了弯曲，想成一个高势能区，这就是肖特基势垒。 肖特基势垒的高度是金属和半导体的逸出功的差值。
1.1 金属-半导体接触的基本原理 金属-半导体接触（金半接触）是制作半导体器件中十分重要的问题，接触情况直接影响到器件的性能。从性质上可以将金属-半导体接触分为肖特基接触和欧姆接触。肖特基接触的特点是接触区的电流-电压特性是非线性的，呈现出二极管的特性，因而具有整流效应，所以肖特基接触又叫整流接触。欧姆接触的特点是不产生明显的附加阻抗，而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度产生明显的改变。理想的欧姆接触的接触电阻与半导体器件相比应当很小，当有电流通过时，欧姆接触上的电压降应当远小于半导体器件本身的电压降，因而这种接触不会影响器件的电流-电压特性[1]。下面将从理论上对金属-半导体接触进行简要的分析。 1.2欧姆接触 本章1.1节中提到，当金属-半导体接触的接触区的I-V曲线是线性的，并且接触电阻相对于半导体体电阻可以忽略不计时，则可被定义为欧姆接触（ohmic contact）[1]。良好的欧姆接触并不会降低器件的性能，并且当有电流通过时产生的电压降比器件上的电压降还要小。 1.2.1欧姆接触的评价标准 良好的欧姆接触的评价标准是[4]： 1)接触电阻很低，以至于不会影响器件的欧姆特性，即不会影响器件I-V的线 性关系。对于器件电阻较高的情况下（例如LED器件等），可以允许有较大的接触电阻。但是目前随着器件小型化的发展，要求的接触电阻要更小。2)热稳定性要高，包括在器件加工过程和使用过程中的热稳定性。在热循环的 作用下，欧姆接触应该保持一个比较稳定的状态，即接触电阻的变化要小，尽可能地保持一个稳定的数值。 3)欧姆接触的表面质量要好，且金属电极的黏附强度要高。金属在半导体中的 水平扩散和垂直扩散的深度要尽可能浅，金属表面电阻也要足够低。
《民族语文》2004年第1期语言接触对语言演变的影响* 吴 安 其 ［提要］语言接触对语言的语音、语法和词汇的演变有一定的影响。语言区域性特征 往往是古代的某一类语言或方言的底层的表现，语言联盟这样的归纳不能代替发生学分类。汉语方言先喉塞音的分布与古百越民族的分布相当一致，是侗台语语音底层的表现。文白异读中文读声类和韵类的变化不是语音的借用，是模仿。 语言接触（language contact）的认识始于十九世纪。施莱赫尔的学生史密特（Johannes Schmidt）为了解释印欧语系任何两支语言之间都能找出特殊的相似点，而在地理上相近的语支相似点最多这种情况，提出“波浪理论”。他说，不同的语言变化像波浪似地散播在一个言语地域，每个变化可以在这个地域的一部分彻底完成，同先前被另一变化所渗透的部分并不平行一致。一波一波地回荡的结果形成了同语线。另一方面，当时的学者不能解释标准语表现出来的语音的不规律的现象，推断标准语是混合的，希望到远处的乡下去寻找符合规律的语音对应。但调查的结果使他们感到失望。因此方言地理学提出：“每一个词都有自己的历史。”并以此与新语法学派的“语音规律无例外”的口号相对抗。 索绪尔把与语言有关的因素区分为“内部要素”和“外部要素”，认为语言的“外部要素”不触及“语言的内部机构”而予以排除。他说：“至于内部语言学，情况却完全不同：它不容许随意安排；语言是一个系统，它只知道自己固有的秩序。”①梅耶说：“我们现在之所以能够用比较方法来建立一些语言的历史，是因为我们确信，每种新的系统都应该从一种单一的系统出发来解释。”②20世纪下半叶，语言接触的研究不仅仅关注接触的结果，还关注其过程。主流派肯定混合语的存在。③社会语言学在研究社会因素对语言结构演变的影响，“外部要素”不再排除在外。 一历史语言学中语言接触的研究 语言接触已成为历史语言学主要内容的一部分。如剑桥大学1977年出版的《历史语言学》 *本文为2003年11月在广西大学召开的“语言接触和语言比较”国际学术讨论会发言的修改稿。 ①索绪尔：《普通语言学教程》，商务印书馆，2001年，第46页。 ②梅耶：《历史语言学中的比较方法》，科学出版社，1957年，第69页。 ③美国暑期语言学院编的《民族语言——世界的语言》（Ethnologue, Languages of the World, 1988,1995, 2000）说明了全世界数千种语言（或方言）的分布和系属情况，附录中以洋泾浜语和克里奥尔语为名列出的有68种（1988）。提到与中国有关的只有澳门葡萄牙克里奥尔语（Macanese, Macao Creole Portuguese），产生于澳门，已不在澳门使用，在香港有数千人使用。国内20世纪80年代以来有把五屯话、五色话和雅江倒话等视为混合语的报道和研究。 1
欧姆接触是指金属与半导体的接触，而其接触面的电阻值远小于半导体本身的电 阻，使得组件操作时，大部分的电压降在活动区(Active region)而不在接触面。 欲形成好的欧姆接触，有二个先决条件： （1）金属与半导体间有低的势垒高度(Barrier Height) （2）半导体有高浓度的杂质掺入(N ≧10EXP12 cm-3) 前者可使界面电流中热激发部分(Thermionic Emission)增加;后者则使半导体耗尽区变窄，电子有更多的机会直接穿透(Tunneling)，而同时使Rc阻值降低。 若半导体不是硅晶，而是其它能量间隙(Energy Cap)较大的半导体(如GaAs)，则较难形成欧姆接触(无适当的金属可用)，必须于半导体表面掺杂高浓度杂质，形成Metal-n＋-n or Metal-p+-p等结构。 [编辑本段] 理论 任何两种相接触的固体的费米能级（Fermi level）（或者严格意义上，化学势）必须相等。费米能级和真空能级的差值称作工函。接触金属和半导体具有不同的工函，分别记为φM和φS。当两种材料相接触时，电子将会从低工函一边流向另一边直到费米能级相平衡。从而，低工函的材料将带有少量正电荷而高工函材料则会变得具有少量电负性。最终得到的静电势称为内建场记为Vbi。这种接触电势将会在任何两种固体间出现并且是诸如二极管整流现象和温差电效应等的潜在原因。内建场是导致半导体连接处能带弯曲的原因。明显的能带弯曲在金属中不会出现因为他们很短的屏蔽长度意味着任何电场只在接触面间无限小距离内存在。 欧姆接触或肖特基势垒形成于金属与n型半导体相接触。 欧姆接触或肖特基势垒形成于金属与p型半导体相接触。在经典物理图像中，为了克服势垒，半导体载流子必须获得足够的能量才能从费米能级跳到弯曲的导带顶。穿越势垒所需的能量φB是内建势及费米能级与导带间偏移的总和。同样对于n型半导体，φB = φM ? χS当中χS是半导体的电子亲合能（electron affinity），定义为真空能级和导带（CB）能级的差。对于p型半导体，φB = Eg ? (φM ? χS)其中E g是禁带宽度。当穿越势垒的激发是热力学的，这一过程称为热发射。真实的接触中一个同等重要的过程既即为量子力学隧穿。WKB近似描述了最简单的包括势垒穿透几率与势垒高度和厚度的乘积指数相关的隧穿图像。对于电接触的情形，耗尽区宽度决定了厚度，其和内建场穿透入半导体内部长度同量级。耗尽层宽度W可以通过解泊松方程以及考虑半导体内存在的掺杂来计算: 在MKS单位制ρ 是净电荷密度而ε是介电常数。几何结构是一维的因为界面被假设为平面的。对方程作一次积分，我们得到 积分常数根据耗尽层定义为界面完全被屏蔽的长度。就有 其中V(0) = Vbi被用于调整剩下的积分常数。这一V(x)方程描述了插图右手边蓝色的断点曲线。耗尽宽度可以通过设置V(W) = 0来决定，结果为