2020年新版电路考试试题及答案
模拟电子技术基础复习题 图1 图2 一、填空题 1、现有基本放大电路：①共射放大电路②共基放大电路③共集放大电路 ④共源放大电路 一般情况下，上述电路中输入电阻最大的电路是③，输入电阻最小的电路是②，输出电阻最小的电路是③，频带最宽的电路是②；既能放大电流，又能放大电压的电路是①；只能放大电流，不能放大电压的电路是③；只能放大电压，不能放大电流的电路是②。 2、如图1所示电路中，已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ，电流放大系数为β，B-E间动态电阻为r be。填空： （1）静态时，I BQ的表达式为，I CQ的表达式为；，U CEQ的表达式为 （2）电压放大倍数的表达式为，输入电阻的表达式为，输出电阻的表达式为； （3）若减小R B，则I CQ将 A ，r bc将 C ，将 C ，R i将 C ，R o将 B 。
A.增大 B.不变 C.减小 当输入电压不变时，R B减小到一定程度，输出将产生 A 失真。 A.饱和 B.截止 3、如图1所示电路中， （1）若测得输入电压有效值为10mV，输出电压有效值为1.5V，则其电压放大倍数= 150；若已知此时信号源电压有效值为20mV，信号源内阻为1kΩ，则放大电路的输入电阻R i= 1 。 （2）若已知电路空载时输出电压有效值为1V，带5 kΩ负载时变为0.75V，则放大电路的输出电阻Ro 1.67 。 （3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将R B增大或将Rc 减小的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真，则只有通过设置合适的静态工作点的方法才能消除失真。 4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以RC串联支路、RC并联支路、 电阻R1 和R2 各为一臂而组成的。 5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为变压器反馈式、电感三点式和 电容三点式三种电路，其中电容三点式振荡电路的振荡频率最为稳定。 6、为了得到音频信号发生器，应采用正弦波振荡电路。 7、稳压电源一般由整流电路、滤波电路和稳压电路三部分电路组成。 8、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候，应采用电容滤波电
模拟电路填空题集 1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为 0.5V ，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V ；锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V ，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V 。 2、二极管的正向电阻 小 ；反向电阻 大 。 3、二极管的最主要特性是 单向导电性 。二极管的伏安关系可近似表述为公式)1(/S D D -=T V v e I i ；ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。 4、二极管最主要的电特性是 单向导电性 ，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个 电阻 。 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为 模拟 电子技术。 6、PN 结反向偏置时，PN 结的内电场 增强 。PN 具有 具有单向导电 特性。 7、硅二极管导通后，管压降是恒定的，不随电流而变，典型值为0.7；其门坎电压V th 为 0.5 伏。 8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由 多数 载流子的 扩散 运动形成。 9、P 型半导体的多子为 空穴、N 型半导体的多子为 自由电子、本征半导体的载流子为 电子—空穴对 ，在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于 掺杂浓度 ，少子的浓度受__温度___的影响很大。 10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为 空穴（P ） 半导体和 电子（N ） 半导体两大类。 11、二极管的最主要特性是 单向导电性 ，它的两个主要参数是反映正向特性的 最大整流电流 和反映反向特性的 反向击穿电压 。 12、在常温下，硅二极管的开启电压约为 0.5 V ，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7 V 。 13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下， 输出随频率连续变化的稳态响应 。 15、N 型半导体中的多数载流子是 电子 ，少数载流子是 空穴 。 16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为 甲类 、 乙类 、 甲乙类 17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路电容，影响高频的是 结 电容。 18、在NPN 三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的β增加，则I BQ 增大 ，I CQ 增大 ，U CEQ 减小 。 19、三极管的三个工作区域是 截止 ， 饱和 ， 放大 。集成运算放大器是一种采用 直接 耦合方式的放大电路。 20、某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压V a = 1.2V ， V b = 0.5V, V c = 3.6V, 试问该三极管是 硅管 管（材料）， NPN 型的三极管，该管的集电极是a 、b 、c 中的 C 。 21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB 和20dB, 则该放大电路总的对数增益为 80 dB ，总的电压放大倍数为 10000 。 22、 三极管实现放大作用的外部条件是： 发射结正偏、集电结反偏 。某放大电路中的三极管，测得管脚电压V a = -1V ，V b =-3.2V, V c =-3.9V, 这是 硅 管，NPN 型，集电极管脚是 a 。
《电路分析》 试题（A ）卷（闭） 班级 学号 姓名 一、单项选择题：在下列各题中，有四个备选答案，请将其中唯一正确的答案填入题干的括号 中。(本大题共5小题，总计20分，每小题4分) 1.如图1所示，现以{1，3，5}支路集合为树，则单连支回路（基本回路）是 答（ ） A. {1，4，6 } B. { 1，2，4，5} C. {1，3，5，6} D. { 2，3，4，6 } 2. 图2所示 RLC 串联电路，若(复)阻抗?∠=010Z Ω，则正弦信号源u 的角频率为 答 ( ) A. 100rad/s B. 1000rad/s C. 410rad/s D. 610rad/s 3. 电路如图3所示，t =0时开关断开，则t ≥0时，8Ω电阻的电流i 为 答 （ ） A. 29e A -t B. --29e A t 图3 C. --49e A t D. 49e A -t 4. 图4所示耦合电感，已知M=10-3H ，i (t )=10sin(100t)A,则电压u (t )为 图1 图2 μF 10 =C L =0.1H
答( ) A. cos (100t)V B.－cos (100t)V C. 0.1sin (100t)V D.－0.1sin (100t)V ? ? ? M u +- 图4 5. 图5所示电路中, 5 A 电流源提供的功率为 答( ) A. -87.5 W ； B. 17.5 W ； C. 75 W ； D. 87.5 W 。 图5 二、填充题：在下列各题中，请将题干所要求的解答填入题干中的各横线上方内。 (本大题共10小题，总计20分，每小题2分) 1、如图6所示, 若元件A 电压U A =-5 V , 吸收功率P A =-30 mW ; 元件B 的电流 I B =2 m A , 吸收功率P B .=08 W; 元件C 电压U C =3 V, 电流I C =-2 A; 则I A =____A; U B =___ V; 元件C 吸收的功率为_____W 。 2. 对于具有n 个结点b 个支路的电路，可列出 个独立的KCL 方程，可列 图 6 C U
第1章 试题库 第2章 三、单项选择题（建议每小题2分） 1、当电路中电流的参考方向与电流的真实方向相反时，该电流（ B ） A 、一定为正值 B 、一定为负值 C 、不能肯定是正值或负值 2、已知空间有a 、b 两点，电压U ab =10V ，a 点电位为V a =4V ，则b 点电位V b 为（ B ） A 、6V B 、－6V C 、14V 3、当电阻R 上的u 、i 参考方向为非关联时，欧姆定律的表达式应为（ B ） A 、Ri u = B 、Ri u -= C 、 i R u = 4、一电阻R 上u 、i 参考方向不一致，令u =－10V ，消耗功率为0.5W ，则电阻R 为（ A ） A 、200Ω B 、－200Ω C 、±200Ω 5、两个电阻串联，R 1：R 2=1：2，总电压为60V ，则U 1的大小为（ B ） A 、10V B 、20V C 、30V 6、已知接成Y 形的三个电阻都是30Ω，则等效Δ形的三个电阻阻值为（ C ） A 、全是10Ω B 、两个30Ω一个90Ω C 、全是90Ω 7、电阻是（ C ）元件，电感是（ B ）的元件，电容是（ A ）的元件。 A 、储存电场能量 B 、储存磁场能量 C 、耗能 8、一个输出电压几乎不变的设备有载运行，当负载增大时，是指（ C ） A 、负载电阻增大 B 、负载电阻减小 C 、电源输出的电流增大 9、理想电压源和理想电流源间（ B ） A 、有等效变换关系 B 、没有等效变换关系 C 、有条件下的等效关系 10、当恒流源开路时，该恒流源内部（ B ） A 、有电流，有功率损耗 B 、无电流，无功率损耗 C 、有电流，无功率损耗 五、计算分析题（根据实际难度定分，建议每题在6～12分范围） 1、图1.5.1所示电路，已知U =3V ，求R 。（2Ω）
《模拟电子技术》模拟题1及答案 一、判断（10分） 1、以自由电子导电为主的半导体称为N型半导体。（） 2、模拟信号的特点是信号在时间和幅度上均是连续的。（） 3、PN结具有单向导电特性。（） 4、差动放大电路结构可以抑制零点漂移现象。（） 5、交流放大器工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量，直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。（） 6、单管共发射极放大电路的集电极和基极相位相同。（） 7、直流负反馈不能稳定静态工作点。（） 8、晶体二极管击穿后立即烧毁。（） 9、采用集成电路和R,C元件构成的电路称为无源滤波电路。（） 10、集成稳压器79XX系列输出的是正向电压。（） 二、选择（10分） 1、P型半导体是在本征半导体内掺杂( )价元素。 A、3 B、5 C、2 D、4 2、稳压管工作于( )状态下，可以稳定电压。 A、正偏导通 B、反偏截止 C、反向击穿 3、三极管放大的外部条件( )。 A、正偏导通，反偏截止 B、正偏截止，反偏导通 C、正偏导通，反偏导通 D、正偏截止，反偏截止 4、既能放大电压，也能放大电流的电路( )。 A、共发射极 B、共集电极 C、共基级 D、以上均不能 5、共模抑制比CMR K越大，表明电路（）。 A、放大倍数越稳定； B、交流放大倍数越大； C、抑制温漂能力越强； D、输入信号中的差模成分越大。6、放大电路中为增大输入电阻应引入（）反馈，为稳定输出电压应引入（）反馈，为稳定输出电流应引入（）反馈，为减小输出电阻，应引入（）反馈。 A、电压 B、电流 C、串联 D、并联 7、振荡电路中其振荡频率特别稳定的是（）。 A、RC振荡电路 B、LC振荡电路 C、石英晶体振荡电路 三、在图1所示的电路中，已知输入信号ui=5sinωt V,试画出输出电压uo1和uo2的波形，设二极管为理想二极管。（每题10分，共20分）
1．下列关于电路中参考方向叙述正确的是 ( ) A．参考方向是为了计算电路的方便而假定的方向。 B．参考方向一定与实际方向相反。 C．参考方向一定与实际方向一致。 D．若某元件的电压与电流参考方向一致，则该元件的电压与电流的实际方向也一致。 2．电路如图1所示，则图中I的电流大小为 ( ) A．0 A B. 0.5 A C. A D. 1.5 A 3．电路如图2所示，电路中a、b两端间等效电阻R ab为 ( ) A.3 Ω B. 4 Ω C. 5 Ω D. 6 Ω 4．电路如图3所示，m与n点的电位差为 ( ) A. 1 0 V B. 1 1 V C. 1 2 V D. 1 3 V 5．已知函数波形如图4所示，则用单位阶跃函数描述正确的为( )。 A．2
B. 2 C. 2 D. 2 6．已知正弦量，则该正弦量所对应的相量可以表示为 ( )。 A.5 B. 5 C. 5 D. 7．已知如图5所示的某单一元件电压、电流分别为，, 则该元件为( )。 A．电压源 B. 电阻 C. 电感 D. 电容 二、填空题
1．电路如图6所示，则端口ab的开路电压大小为。 2. 电路如图7所示，则端口的等效阻抗R eq的大小为。 4．一只额定功率为40W的日光灯接到 110V，50Hz的交流电上，其等效 电路如图9所示。测得电路上的电流为 A,则该日光灯的功率因数为。 5．已知某函数f(t)=3+4, 则该函数通过拉普拉斯变换后的象函数为。 6. 电路如图10所示，电路原来处于稳态，t=0时开关断开，则) 为。 8．耦合电感电路如图12所示，该端口的等效电感大小为。 三、分析计算题 (10分) 电路如图14所示，通过分析和计算求：(1) U x的大小；(2)受控源的功率； (3) 受控源实际上吸收功率还是发出功率？
《数字电路》复习纲要A 一、单项选择题 1、一位十六进制数可以用（）位二进制数来表示。 A. 1 B. 2 C. 4 D. 16 2、A+BC=（）。 A. A+B B. A+C C.（A+B）（A+C） D. B+C 3、一个8选1数据选择器的数据输入端有（）个。 A. 2 B. 3 C. 4 D. 8 4、在下列逻辑电路中，不是组合逻辑电路的有（）。 A. 译码器 B. 编码器 C. 全加器 D. 寄存器 5、为实现将JK触发器转换为D触发器，应使（）。 A. J=D,K=D B. K=D,J=D C. J=K=D D. J=K=D 6、把一个五进制计数器与一个四进制计数器串联可得到（）进制计数器。 A. 4 B. 5 C. 9 D. 20 7、数字电路是工作在数字信号下的电子电路，其数字信号特点是（）。 A. 时间和数量上都是离散的 B. 时间离散，数量上连续 C. 时间连续，数量上离散 D. 时间和数量都是连续 8、下列电路中，属于脉冲产生电路的是（）。 A. 单稳态触发器 B. 多谐振荡器 C. 施密特触发器 D. 编码器 9、对于同步时序电路而言，（）。 A. 电路由同一种类型触发器构成 B. 电路中触发器必须具有复位功能 C. 电路中各触发器由同一时钟触发 D. 以上说法都不对 10、对于一个逻辑函数，下列说法正确的是（）。 A. 最小和逻辑表达式肯定唯一 B．最小积逻辑表达式肯定唯一 C．最小和肯定和最小积一样简单 D．完全和逻辑表达式肯定唯一 二、多项选择题 1、逻辑函数的表示方法中具有唯一性的是（）。 A. 真值表 B. 表达式 C. 逻辑图 D. 卡诺图 2、以下电路中可以实现“线与”功能的有（）。 A. 与非门 B. 三态输出门 C. 集电极开路门 D. 漏极开路门 第 1 页共3 页
………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 电子科技大学 二零零七至二零零八学年第一学期期末考试 模拟电路基础课程考试题A 卷（120 分钟）考试形式：开卷课程成绩构成：平时10 分，期中30 分，实验0 分，期末60 分 一（20分）、问答题 1．（4分）一般地，基本的BJT共射放大器、共基放大器和共集放大器的带宽哪个最大？哪个最小？ 2．（4分）在集成运算放大器中，为什么输出级常用射极跟随器？为什么常用射极跟随器做缓冲级？ 3．（4分）电流源的最重要的两个参数是什么？其中哪个参数决定了电流源在集成电路中常用做有源负载？在集成电路中采用有源负载有什么好处？ 4．（4分）集成运算放大器为什么常采用差动放大器作为输入级？ 5．（4分）在线性运算电路中，集成运算放大器为什么常连接成负反馈的形式？
………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 二（10分）、电路如图1所示。已知电阻R S=0，r be=1kΩ，R1∥R2>>r be。 1．若要使下转折频率为10Hz，求电容C的值。 2．若R S≠0，仍保持下转折频率不变，电容C的值应该增加还是减小？ 图1 三（10分）、电路如图2所示。已知差模电压增益为10。A点电压V A=-4V，硅三极管Q1和Q2的集电极电压V C1=V C2=6V，R C=10 kΩ。求电阻R E和R G。 图2
………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 四（10分）、电路如图3所示。已知三极管的β=50，r be=1.1kΩ，R1=150kΩ，R2=47kΩ，R3=10kΩ，R4=47kΩ，R5=33kΩ，R6=4.7kΩ，R7=4.7kΩ，R8=100Ω。 1．判断反馈类型； 2．画出A电路和B电路； 3．求反馈系数B； 4．若A电路的电压增益A v=835，计算A vf，R of和R if。 图3
第一部分考试试题 第0章绪论 1.什么叫半导体集成电路？ 2.按照半导体集成电路的集成度来分，分为哪些类型，请同时写出它们对应的英文缩写？ 3.按照器件类型分，半导体集成电路分为哪几类？ 4.按电路功能或信号类型分，半导体集成电路分为哪几类？ 5.什么是特征尺寸？它对集成电路工艺有何影响？ 6.名词解释：集成度、wafer size、die size、摩尔定律？ 第1章集成电路的基本制造工艺 1.四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用？ 2.在制作晶体管的时候，衬底材料电阻率的选取对器件有何影响？。 3.简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤？ 4.简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤？ 5.以p阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些不足？ 6.以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点？并请提出改进方法。 7. 请画出NPN晶体管的版图，并且标注各层掺杂区域类型。 8.请画出CMOS反相器的版图，并标注各层掺杂类型和输入输出端子。 第2章集成电路中的晶体管及其寄生效应 1.简述集成双极晶体管的有源寄生效应在其各工作区能否忽略？。 2.什么是集成双极晶体管的无源寄生效应？ 3. 什么是MOS晶体管的有源寄生效应？ 4. 什么是MOS晶体管的闩锁效应，其对晶体管有什么影响? 5. 消除“Latch-up”效应的方法？ 6.如何解决MOS器件的场区寄生MOSFET效应？ 7. 如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应？ 第3章集成电路中的无源元件 1.双极性集成电路中最常用的电阻器和MOS集成电路中常用的电阻都有哪些？ 2.集成电路中常用的电容有哪些。 3. 为什么基区薄层电阻需要修正。 4. 为什么新的工艺中要用铜布线取代铝布线。 5. 运用基区扩散电阻，设计一个方块电阻200欧，阻值为1K的电阻，已知耗散功率为20W/c㎡,该电阻上的压降为5V,设计此电阻。 第4章TTL电路 1.名词解释
模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生
( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。
8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路
《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在N 型半导体中，多数载流子是 ；在P 型半导体中，多数载流子是 。 2、场效应管从结构上分为结型和 两大类，它属于 控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入 （共射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的 电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由 ， ， 和 四部分组成。 二、选择题 1、利用二极管的（ ）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性 C 反向击穿特性 2、P 型半导体是在本征半导体中加入（ ）后形成的杂质半导体。 A 空穴 B 三价元素硼 C 五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P 沟道增强型MOS 型 B P 沟道耗尽型MOS 型 C N 沟道增强型MOS 型 D N 沟道耗尽型MOS 型 E N 沟道结型 F P 沟道结型 图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。 ++ + - ---D1 D2R Rb Rc Rb Rb1Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V 50K 2.5K B=50 Uo Ui +5V Rf Re1Re2Ucc Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R 2R Uo1 Uo2Uo4 + +1A1 A2 A4 图2-1 图2-2图2-3 图2-6 图2-4 图2-5++ + + + --- --D1D2R Rb Rc Rb Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V 50K 2.5K B=50Uo Ui +5V Rf Re1Re2Ucc Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R 2R Uo1Uo2 Uo4++1A1 A2A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5
华南理工大学网络教育学院期末考试 《电路原理》模 拟 试 题 注意事项： 1.本试卷共四大题，满分100分，考试时间120分钟，闭卷； 2.考前请将密封线内各项信息填写清楚； 3.所有答案请直接做在试卷上，做在草稿纸上无效； 4.考试结束，试卷、草稿纸一并交回。 题 号 一 二 三 四 总 分 得 分 一、单项选择题（每小题2分，共70分） 1、电路和及其对应的欧姆定律表达式分别如图1-1、图1- 2、图1-3所示，其中表达式正确的是（ b ）。 （a ）图1-1 （b ）图1-2 （c ）图1-3 I U U I U I U =－I R 图 1图 2 图 3U =－I R U =I R + + + 图1-1 图1-2 图1-3 2、在图1-4所示电路中，已知U ＝4V ，电流I =－2A ，则电阻值R 为（ b ）。 （a ） 2 （b ）2 （c ） 8 3、在图1-5所示电路中，U ，I 均为正值，其工作状态是（ b ）。 （a ）电压源发出功率 （b ）电流源发出功率 （c ）电压源和电流源都不发出功率 4、图1-6所示电路中的等效电阻R 为（ b ）。 （a ）4 （b ）5 （c ）6 U R + U I S S + A B 4 Ω4 Ω 6 Ω 8 Ω 1 Ω . . . 图1-4 图1-5 图1-6
5、在计算非线性电阻电路的电压和电流时，叠加定理（ a ）。 （a ）不可以用 （b ）可以用 （c ）有条件地使用 6、理想运放工作于线性区时，以下描述正确的是（ c ）。 （a ）只具有虚短路性质 （b ）只具有虚断路性质 （c ）同时具有虚短路和虚断路性质 7、用△–Y 等效变换法，求图1-7中A 、B 端的等效电阻R 为（ b ）。 （a ）6 （b ）7 （c ）9 8、图1-8所示电路中，每个电阻R 均为8，则等效电阻R 为（ a ）。 （a ）3 （b ）4 （c ）6 9Ω 9Ω 9Ω 3Ω 9Ω A B . . . . R R R R R 图9、在图1-9所示电路中，如果把每个元件作为一条支路处理，则图中支路数和结点数分别为（ b ）。 （a ）8和4 （b ）11和6 （c ）11和4 10、在图1-10所示电路中，各电阻值和U S 值均已知。欲用支路电流法求解流过电阻R G 的电流 I G ，需列出独立的KCL 和KVL 方程数分别为（ b ）。 （a ）4和3 （b ）3和3 （c ）3和4 + - +- R R R R R I U 1 2 3 4 G G S . . .. + 图1-9 图1-10 11、图1-11所示电路中，电压U AB =10V ，I S =1A ，当电压源U S 单独作用时，电压U AB 将（ b ）。
《电路分析基础》练习题及答案一．填空题（每空分） 1)电压和电流的参考方向一致，称为关联参考方向。 2)电压和电流的参考方向相反，称为非关联参考方向。 3)电压和电流的负值，表明参考方向与实际方向不一致。 4)若P>0（正值），说明该元件消耗（或吸收）功率，该元件为负载。 5)若P<0（负值），说明该元件产生（或发出）功率，该元件为电源。 6)任一电路中，产生的功率和消耗的功率应该相等，称为功率平衡定律。 7)基尔霍夫电流定律（KCL）说明在集总参数电路中，在任一时刻，流出（或流出）任一 节点或封闭面的各支路电流的代数和为零。 8)基尔霍夫电压定律（KVL）说明在集总参数电路中，在任一时刻，沿任一回路巡行一 周，各元件的电压代数和为零。 u(t)，与流过它的电流i无关的二端元件称为电压源。 9)端电压恒为 S i(t)，与其端电压u无关的二端元件称为电流源。 10)输出电流恒为 S 11)几个电压源串联的等效电压等于所有电压源的电压代数和。 12)几个电流源并联的等效电流等于所有电流源的电流代数和。 13)某元件与理想电压源并联，其等效关系为该理想电压源。 14)某元件与理想电流源串联，其等效关系为该理想电流源。 15)两个电路的等效是指对外部而言，即保证端口的伏安特性（VCR）关系相同。 16)有n个节点，b条支路的电路图，必有n－1 条树枝和b－n+1条连枝。 17)有n个节点，b条支路的电路图，其独立的KCL方程为n－1个，独立的KVL方程数 为b－n+1。 18)平面图的回路内再无任何支路的闭合回路称为网孔。 19)在网孔分析法中，若在非公共支路有已知电流源，可作为已知网孔电流。 20)在节点分析法中，若已知电压源接地，可作为已知节点电压。 21)叠加定理只适用线性电路的分析。
填空题 1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V；锗二极管的门槛电压约为_0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。 2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。 3、二极管的最主要特性是单向导电性。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。 4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。 6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。PN具有单向导电特性。 7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为0.7伏；其门坎电压V th 约为0.5伏。 8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。 9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。 、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7 V 13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响应。 、三极管放大电路的三种基本组态是共集、共基、共射。 30、多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有直接耦合，阻容耦合，变压器耦合。 31、在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形，用示波器观察V O和V I的波形，则V O和V I的相位差为1800；当为共集电极电路时，则V O和V I的相位差为0。 、三极管工作在放大区时，它的发射结保持正向偏置，集电结保持反向偏置。 39、在多级放大电路中总的通频带比其中每一级的通频带窄。 41、场效应管属于电压控制电流型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是电流控制电流型器件。
1：在本征半导体中加入 元素可形成N 型半导体，加入 元素可形成P 型半导体。 1.五价 2.四价 3.三价 2：直流稳压电源中滤波电路的目的是 。 1.电压 2.将高频变为低频 3. 将交、直流混合量中的交流成分滤掉 3： 1. 2V 2. 3V 3.6V 4： R 、L 串联的正弦交流电路中，复阻抗为（ ） 1. 2.
3. 5：欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入。 1.电压串联负反馈 2.电压并联负反馈 3.电流串联负反馈 4.电流并联负反馈 6： 已知接成Y形的三个电阻都是30Ω，则等效Δ形的三个电阻阻值为（） 1.全是10Ω 2.两个30Ω一个90Ω 3.全是90Ω 7： 整流的目的是。 1.将交流变为直流 2.将高频变为低频 3.将正弦波变为方波 8： 电容元件的正弦交流电路中，电压有效值不变，当频率增大时，电路中电流将（） 1.增大 2.减小 3.不变
9： 1.＞ 0V 2.＝ 0V 3.＜0V 10： 1.25° 2.95° 3.115° 11： 稳压管的稳压区是其工作在。 1.正向导通 2.反向截止 3.反向击穿 12：已知工频电压有效值和初始值均为380V，则该电压的瞬时值表达式为（） 1. 2. 3.
13：三相对称电路是指（） 1.380V 2.负载对称的电路 3.电源和负载均对称的电路 14：在单相桥式整流电路中，若有一只整流管接反，则。 1.输出电压约为2U D 2.变为半波直流 3.整流管将因电流过大而烧坏 15：欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入。 1.电压串联负反馈 2.电压并联负反馈 3.电流串联负反馈 4.电流并联负反馈 16：设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是。 1.I S e U 2. 3. 17：RLC并联电路在f0时发生谐振，当频率增加到2f0时，电路性质呈（） 1.电阻性 2.电感性 3.电容性 18：实验室中的交流电压表和电流表，其读值是交流电的（）。
一、填空题：（要求） 1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。 半导体中中存在两种载流子：和。纯净的半导体称为，它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是； 型半导体——多数载流子是。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。 2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区内。当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。 3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。 4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。场效应管分为型和型两大类。 5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。 6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。 7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。 8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。 9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出 保持稳定，因而了输出电阻。串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。 10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。 11、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的成分，同时，尽量保留其中的成分。滤波电路主要由电容、电感等储能元件组成。电容滤波适用于 电流，而电感滤波适用于电流。在实际工作中常常将二者结合起来，以便进一步降低成分。 12在三极管多级放大电路中，已知Av1=20、Av2=-10、Av3=1,每一级的负载电阻是第二级的输入电阻，则总的电压增益Av=( ); Av1是( )放大器，Av2是( ) 放大器，Av3是( )放大器。 13集成运算放大器在( )状态和( )条件下，得出两个重要结论他们是：( ) 和( ) 14单相桥式整流电路中，若输入电压V2=30,则输出电压Vo=( )V;若负载电阻R L=100Ω,整流二极管电流Id(av)=( )A。 二、选择题： 1、ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流_______漂移电流，耗尽层_______。
试卷编号 命题人：审批人：试卷分类（A卷或B卷）A 大学试卷 学期：2006至2007学年度第1学期 课程：电路分析基础 I专业：信息学院05级 班级：姓名：学号： 题号一二三四五六七八九 十十 十总分 一二 得分 一、得分 (本小题 5 分 )求图示电路中a、 b 端的等效电阻R ab。 R2 R1a b R ab=R2 二、得分 (本小题 6 分 )图示电路原已处于稳态，在t 0 时开关打开，求则i 0。 5i t 0 4A51F05.H3 i(0+)=20/13=1.54A
三、得分 (本大题6分)求图示二端网络的戴维南等效电路。 a +1 15V2 -1 1A2 2 b u ab=10v, R0=3Ω 四、得分 (本小题 5 分)图示电路中,电流I=0，求U S。 I 3 2A3 U S Us=6v 五、得分 (本小题 5 分)已知某二阶电路的微分方程为 d 2 u8 d u12 u 10 d t 2 d t 则该电路的固有频率(特征根 )为 ____-2________ 和___-6______ 。该电路处于 ___过 _____阻尼工作状态。
六、得分 (本小题 5 分 )电路如图示 ,求 a、 b 点对地的电压U a、U b及电流 I 。 1 1a1 I b 3V212V U a=U b=2v, I=0A. 七、得分 (本大题10分 )试用网孔分析法求解图示电路的电流I1、 I2、 I3。 4I1I 25 I 3 12V234V I1=4A, I 2=6A,I3=I1-I2=-2A 八、得分 (本小题 10 分 )用节点分析法求电压 U。 4 4U 14 U 1U 224 V U=4.8V
自测题一 一、判断题 1．因为P型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。（F） 2．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（T） 3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。（F） 二、单选题 1．半导体中的少数载流子产生的原因是（D）。 A．外电场B．内电场C．掺杂D．热激发2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（C）。 A．正、反向电阻相等B．正向电阻大，反向电阻小 C．反向电阻比正向电阻大很多倍D．正、反向电阻都等于无穷大 3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（B）。(X 轴为电压) A．右移B．左移C．上移D．下移 4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（A）。 A．增大B．减小C．不变D．不确定 5．三极管β值是反映（B ）能力的参数。（三极管可改为电流控制电流源） A．电压控制电压B．电流控制电流C．电压控制电流D．电流控制电压 6．温度升高时，三极管的β值将（A ）。 A．增大B．减少C．不变D．不能确定 7．下列选项中，不属三极管的参数是（B ）。 A．电流放大系数B．最大整流电流 C．集电极最大允许电流D．集电极最大允许耗散功率 8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U6 1 =，V U4.5 2 =，V U12 3 =，则对应该管的管脚排列依次是（B）。 A．e, b, c B．b, e, c C．b, c, e D．c, b, e 9．晶体三极管的反向电流是由（B）运动形成的。 A．多数载流子B．少数载流子 C．扩散D．少数载流子和多数载流子共同 10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V，则此三极管是（D）。（发正偏集反偏） A．PNP型硅管B．PNP型锗管C．NPN型锗管D．NPN型硅管 11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（B）。 A．非饱和区B．饱和区C．截止区D．击穿区12．增强型绝缘栅场效应管，当栅极g与源极s之间电压为零时（B）。 A．能够形成导电沟道B．不能形成导电沟道 C．漏极电流不为零D．漏极电压为零 三、填空题 1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度。 2．少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为漂移。 3．PN结正偏导通，反偏截止，称为PN结的单向导电性性能。 4．PN结加正向电压时，空间电荷区将变窄。 5．PN结正向偏置时，PN结的内电场被削弱。 6．三极管最重要的特性是电流放大作用。 7．温度升高时，晶体管的反向饱和电流将增大。 8．场效应晶体管属于电压控制器件。 精选文档
1在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5 V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7 V;锗二极管的门槛电压约为_0.1_ V,导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。 2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。 3、二极管的最主要特性是单向导电性°PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽 层变窄。 4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极 管与输入电源之间必须加入一个电阻。 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号 下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。 6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。PN具有具有单向导电特性。 7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为0.7 伏；其门坎电压V th约为0.5 伏。 8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。 9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子一空穴对。 10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（P）半导体和电子（N ）半导体两大类。 11、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映 反向特性的反向击穿电压。 12、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V。 13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输岀随频率连续变化的稳态响应。 15、N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。 16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。 17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路电容，影响高频信号放大的是结电容。 18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的B增加，则I BQ增
电路模拟考试题及答案1 一、填空题（30分，每空2分） 1. 在电路分析计算中，必须先指定电流与电压的__ 参考方向 __。 2 线性电阻上电压u 与电流i 关系满足__欧姆 __定律，当两者取关联参考方向时其表达 式为_R=U 3 电感是一种记忆元件，因为i ＝? ∞ -t t d u L 1 4． 电容是一种储能元件，因为其储存的能量W =) t (Cu 2 21。 5．线性电感的韦安特性是一条__ 过原点 __的直线。 6．电阻串联电路中，阻值较大的电阻上分压较_ 多 __，功率较_ 大 。_ 7．当n 个电压源__串联 __联时，可以用一个电压源等效，且该电压源的电压值 ∑==n k k S S u u 1。 8 使用叠加定理来求解电路时，不作用的独立电压源用 短路 代替，不作用的独立电流源用 断路 代替。 9．当电路中含动态元件（电容或电感）时，根据基尔霍夫电压、电流定律及VCR 建立的电路方程，是以电压、电流为变量的微分方程或微积分方程。如果电路中只含一个动态元件，电路方程是 一阶微分 方程，这种电路称为 一阶 电路。 10．为了分析问题的方便，我们认为换路是在t =0时刻进行的，并把换路前的最终时刻记为 t = 0- ，把换路后的最初时刻记为t = 0+ 。 二、选择题（30分，每空3分） 1．图示电路中，u 、i 关系为（ B ）。 A. dt di L u = B. dt di L u -= C. Li u = D. Li u -= 2．当流过理想直流电压源的电流增加时，其端电压将（ D ）。 A. 增加 B. 减少 C. 不变 D. 不确定 3．KCL 、KVL 不适用于（ C ）。 A. 时变电路 B. 非线性电路 C. 分布参数电路 D. 集总参数电路 4．设两个二端网络对外是等效的，则下列说法哪个是正确的？（ A ） A. 它们的外特性相同 B. 它们的内部特性相同 C. 它们的内部结构相同 D. 它们的内部电源相同 5．理想电流源的源电流为 S I ，端口电路为U ，则其内导为（ A ）。 A. 0 B. ∞ C. S I U D. U I S 6．图示电路中，已知Ω=101R ，Ω=52R ，a 、b 两端的等效电阻=R （ B ）。 A. Ω5 B. Ω6 C. Ω320 D. Ω340 7． 已知两个同频率的相量分别为 V U 03050∠= ，V U 02150100-∠-= ，求其对应的