2010半导体器件原理习题
0-1 查阅晶体管命名方法（中国 美国 欧洲 日本）
半导体分立器件外形尺寸标准。
1-1 用PN 结的理论分别解释二极管的正向、反向、击穿特性。 1-2 简述二极管开关时间t r （反向恢复时间）的产生原因，减小措
施。
2-1 画出单发射极条双基极接触NPN 外延平面管的工艺过程平面图
和剖面图，并对工艺过程作简要的说明。 2-2 两个背靠的PN 结为什么能构成双极晶体管？ 2-3 求解基区杂质为指数分布时，基区内建电势εBB
的表达式。
分别求解基区杂质的均匀分布、线性分布、指数分布时的τB 。
2-4 求解发射区为均匀掺杂时，I PE 的表达式。 dx
x dP D qA I NE PE
E PE )
(=
)1)(1()1)(0()(0E
kT
qV nE E
nE nE W x e
P W x
P x P BE -
-=-= 2-5 从共射极电流增益定义出发，推导出2
221
nB
B
B E L W
R R +=οοβ表达式。
2-6 掌握BJT 的共射极输出特性曲线图，标出各种参数。（曲线方程） 2-7 叙述三个大电流效应产生的原理，对BJT 性能的影响。 2-8 解释I CEO =（1+β）I CBO （和BV CEO 的负阻特性）。 2-9 推导习题中圆形版图BJT 的r b 表达式。
3-1 推导跨导gm 的表达式，说明其物理意义及重要性。
3-2 从τec
表达式出发，说明提高f T 的途径。
求解τb =0.5τec
，w β=0.5um ，D nB =12.5cm 2/s 的均匀基区BJT 的
f T 值。
3-3 已知某晶体管的f T =1.0GHz ，r bb ’=10Ω，C τ0=5pf ，分别计算
f=100MHz ，f=200MHz 下的G MAE 各为多少倍？换算为多少dB ？ （G MAE1=80倍 =20倍
=19dB =13dB ）
3-4 试述BJT 开关时间产生的原因及所对应的内部电荷分布状态。
分别画出4个开关时间对应的BJT 内部载流子分布变化图，说明缩短BJT 开关时间的措施。
4-1 画出Al 栅n 沟MOSFET 工艺过程的平面图和剖面图，注明主要
光刻尺寸。 4-2 P 288 A ·1 求V T （0） N A =1.5×1016cm -3 Q OX =1×1011q/cm 2 V T （0）=-Φms -OX OX C Q +OX
BM
C Q +2φF
=-0.95-0.46+1.74+0.72=1.05（V ）
4-3 画出n 沟增强型MOSFET 的输出特性曲线，并将此曲线划分为三
段，分别用萨之唐方程解释之。
4-4 推导g m 表达式，并说明提高g ms 的主要途径。 4-5 从f T 、f M 、τ
cn
表达式出发，说明提高MOSFET 频率特性，开关
特性的途径。
5-1 试比较BJT 与MOSFET （JFET 、MESFET ）的优缺点。
5-2 画出n 沟耗尽型JFET （MESFET ）输出特性曲线，并用“平方率
传输特性方程”解释之。
])(2[2
DS DS T GS D V V V V L W I --=β
，其中a
n S μεβ=。 5-3 写出JFET （MESFET ）频率特性表达式，提高频率的途径。
f TMAX =2
2L V P πμ（2
02a aN V S
D P εε=）,L v L V f l DS ππμ220==
)()
(33
2GHz um L g R f f ds
gs T
MAX =
=
5-4 了解GaAs MESFET 的基本结构，AlGaAs/GaAs HEMT 的基本结构。
1.P-N结雪崩击穿、隧道击穿和热击穿的原理 2.简述晶体管开关的原理 3.简述晶体管4个频率参数的定义并讨论它们之间的大小关系 4.简述弗仑克耳缺陷和肖特基缺陷的特点、共同点和关系 5.以NPN型晶体管为例，试论述晶体管在不同工作模式下基区少数载流子分 布特征及与晶体管输出特性间的关系 6.请阐述MOSFET的基本结构并结合示意图说明在不同外置电压情况下其工 作状态和输出特性 7.叙述非平衡载流子的产生和复合过程，并描述影响非平衡载流子寿命的因素 8.论述在外加直流电压下P-N结势垒的变化、载流子运动以及能带特征 9.试叙述P-N结的形成过程以及P-N结外加电压时其单向导电特征 10.何谓截止频率、特征频率及振荡频率，请叙述共发射极短路电流放大系数与 频率间的关系 11.请叙述晶体管四种工作模式并分析不同模式下基区少数载流子的分布特征 12.请画出P型半导体理想MOS的C-V曲线，并叙述曲线在不同外加电信号作 用下的曲线特征及原因 13.影响MOS的C-V特性的因素有哪些？它们是如何影响C-V曲线的 14.MOS中硅-二氧化硅，二氧化硅层中有哪些影响器件性能的不利因素 15.介绍MIS结构及其特点，并结合能带变化论述理想MIS结构在加不同偏压 时半导体表面特征 16.晶体管具备放大能力须具备哪些条件 17.饱和开关电路和非饱和开关电路的区别（各自有缺点）是什么 18.简述势垒区正负空间电荷区的宽度和该区杂质浓度的关系 19.结合能带图简述绝缘体、半导体及导体的导电能力 20.说明晶体管具有电信号放大能力的条件并画出不同情况下晶体管的输入输 出曲线并描述其特征 21.请画图并叙述晶体管电流放大系数与频率间的关系 22.请画出MOSFET器件工作中的输出特性及转移特性曲线并描述其特征 23.请叙述双极型晶体管和场效应晶体管的工作原理及区别 24.画出CMOS倒相器的工作图并叙述其工作原理 25.提高双极型晶体管功率增益的途径有哪些 26.请描述双极型晶体管大电流特性下的三个效应 27.画出共基极组态下的晶体管输入及输出特性曲线
第一章 常用半导体器件 自 测 题 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。（ ） （2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 （ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S 大的特点。（ ） （6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ） 解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。 A. I S e U B. T U U I e S C. )1e (S －T U U I （3）稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （5）U G S ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。 A. 结型管 B. 增强型MO S 管 C. 耗尽型MOS 管 解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C
三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。 图T1.3 解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V， U O6≈－2V。 四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Z mi n＝5m A。求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 图T1.4 解：U O1＝6V，U O2＝5V。
精品文档 教师招考教育学心理学试题及答案（共六份试卷） （第一卷） 一、单选题 1. 杜威所主张的教育思想被称作是（）。 A.存在主义教育思想 B.要素主义教育思想 C.实用主义教育思想 D.永恒主义教育思想 2. 在17世纪，对班级授课制给予了系统的理论描述和概括，从而奠定了它的理论基础的教育家是（）。 A.北欧的尼德兰 B.捷克的夸美纽斯 C.法国的斯图谟 D.德国的福禄培尔 3. 教师在教育工作中要做到循序渐进，这是因为（）。 A.学生只有机械记忆的能力 B.教师的知识、能力是不一样的 C.教育活动中要遵循人的身心发展的一般规律 D.教育活动完全受到人的遗传素质的制约 4. 身处教育实践第一线的研究者与受过专门训练的科学研究者密切协作，以教育实践中存在的某一问题作为研究对象，通过合作研究，再把研究结果应用到自身从事的教育实践中的一种研究方 法，这种研究方法是（）。A.观察法B.读书法C.文献法D.行动研究法 5. 马克思主义教育学在教育起源问题上坚持（）。 A.劳动起源论 B.生物起源论 C.心理起源论 D.生物进化论 6. 必须把教育摆在优先发展的战略地位思想的提出始自党的（）。 A.十五大 B.十四大 C.十三大 D.十二大 7. 反映一个国家配合政治、经济、科技体制而确定下来的学校办学形式、层次结构、组织管理等相对稳定的运行模式和规定，这是指（）。A.教育制度B.学校教育制度C.教育体制D.学校领 导制度 8?《中华人民共和国义务教育法》颁布于（）。A.1985年B.1986年C.1987年D.1988年 9. 北京师范大学学制研究小组于1981年在其附属中小学开始进行的学制实验是（）。 A.六三制 B.双轨制 C.分支型 D.五四制 10. 马克思主义认为，造就全面发展的人的途径和方法是（）。 A.教育与生产劳动相结合 B.加强现代科学教育 C.开展网络教育 D.高等学校扩招 11. 教学从本质上说，是一种（）。A.认识活动B.教师教的活动C.学生学的活动D.课堂活动 12. 师范学校的出现，与教师成为一种独立的社会职业，从时间上来说，（）。 A.是同时的 B.师范学校出现得早 C.教师成为一种独立的社会职业的时间早 D.说不清楚
半导体器件试题库 常用单位： 在室温（T = 300K ）时，硅本征载流子的浓度为 n i = 1.5×1010/cm 3 电荷的电量q= 1.6×10-19C μn =1350 2cm /V s ? μp =500 2 cm /V s ? ε0=8.854×10-12 F/m 一、半导体物理基础部分 （一）名词解释题 杂质补偿：半导体内同时含有施主杂质和受主杂质时，施主和受主在导电性能上有互相抵消 的作用，通常称为杂质的补偿作用。 非平衡载流子：半导体处于非平衡态时，附加的产生率使载流子浓度超过热平衡载流子浓度， 额外产生的这部分载流子就是非平衡载流子。 迁移率：载流子在单位外电场作用下运动能力的强弱标志，即单位电场下的漂移速度。 晶向： 晶面： （二）填空题 1．根据半导体材料内部原子排列的有序程度，可将固体材料分为 、多晶和 三种。 2．根据杂质原子在半导体晶格中所处位置，可分为 杂质和 杂质两种。 3．点缺陷主要分为 、 和反肖特基缺陷。 4．线缺陷，也称位错，包括 、 两种。 5．根据能带理论，当半导体获得电子时，能带向 弯曲，获得空穴时，能带 向 弯曲。 6．能向半导体基体提供电子的杂质称为 杂质；能向半导体基体提供空穴的杂 质称为 杂质。 7．对于N 型半导体，根据导带低E C 和E F 的相对位置，半导体可分为 、弱简 并和 三种。 8．载流子产生定向运动形成电流的两大动力是 、 。
9．在Si-SiO 2系统中，存在 、固定电荷、 和辐射电离缺陷4种基 本形式的电荷或能态。 10．对于N 型半导体，当掺杂浓度提高时，费米能级分别向 移动；对于P 型半 导体，当温度升高时，费米能级向 移动。 （三）简答题 1．什么是有效质量，引入有效质量的意义何在？有效质量与惯性质量的区别是什么？ 2．说明元素半导体Si 、Ge 中主要掺杂杂质及其作用？ 3．说明费米分布函数和玻耳兹曼分布函数的实用范围？ 4．什么是杂质的补偿，补偿的意义是什么？ （四）问答题 1．说明为什么不同的半导体材料制成的半导体器件或集成电路其最高工作温度各不相同？ 要获得在较高温度下能够正常工作的半导体器件的主要途径是什么？ （五）计算题 1．金刚石结构晶胞的晶格常数为a ，计算晶面（100）、（110）的面间距和原子面密度。 2．掺有单一施主杂质的N 型半导体Si ，已知室温下其施主能级D E 与费米能级F E 之差为 1.5B k T ，而测出该样品的电子浓度为 2.0×1016cm -3，由此计算： （a ）该样品的离化杂质浓度是多少？ （b ）该样品的少子浓度是多少？ （c ）未离化杂质浓度是多少？ （d ）施主杂质浓度是多少？ 3．室温下的Si ，实验测得430 4.510 cm n -=?，153510 cm D N -=?， （a ）该半导体是N 型还是P 型的？ （b ）分别求出其多子浓度和少子浓度。 （c ）样品的电导率是多少？ （d ）计算该样品以本征费米能级i E 为参考的费米能级位置。 4．室温下硅的有效态密度1932.810 cm c N -=?，1931.110 cm v N -=?，0.026 eV B k T =，禁带 宽度 1.12 eV g E =，如果忽略禁带宽度随温度的变化
第1章常用半导体器件 一、判断题（正确打“√”，错误打“×”，每题1分） 1．在N型半导体中，如果掺入足够量的三价元素，可将其改型成为P型半导体。（）2．在N型半导体中，由于多数载流子是自由电子，所以N型半导体带负电。（）3．本征半导体就是纯净的晶体结构的半导体。（） 4．PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（） 5．使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正偏，且集电结也是正偏。（）6．晶体三极管的β值，在任何电路中都是越大越好。( ) 7．模拟电路是对模拟信号进行处理的电路。( ) 8．稳压二极管正常工作时,应为正向导体状态。( ) 9．发光二极管不论外加正向电压或反向电压均可发光。( ) 10．光电二极管外加合适的正向电压时，可以正常发光。( ) 一、判断题答案：（每题1分） 1．√； 2．×； 3．√； 4．√； 5．×； 6．×； 7．√； 8．×； 9．×； 10．×。
二、填空题（每题1分） 1．N型半导体中的多数载流子是电子，P型半导体中的多数载流子是。2．由于浓度不同而产生的电荷运动称为。 3．晶体二极管的核心部件是一个，它具有单向导电性。 4．二极管的单向导电性表现为：外加正向电压时，外加反向电压时截止。5．三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结偏置。6．场效应管与晶体三极管各电极的对应关系是：场效应管的栅极G对应晶体三极管的基极b，源极S对应晶体三极管，漏极D对应晶体三极管的集电极c。7．PN结加正向电压时，空间电荷区将。 8．稳压二极管正常工作时，在稳压管两端加上一定的电压，并且在其电路中串联一支限流电阻，在一定电流围表现出稳压特性，且能保证其正常可靠地工作。 9．晶体三极管三个电极的电流I E 、I B 、I C 的关系为：。 10．发光二极管的发光颜色决定于所用的，目前有红、绿、蓝、黄、橙等颜色。 二、填空题答案：（每题1分） 1．空穴 2．扩散运动 3．PN结 4．导通 5．反向 6．发射机e 7．变薄 8．反向 9．I E ＝I B ＋I C 10．材料 三、单项选择题（将正确的答案题号及容一起填入横线上，每题1分）
教育理论基础知识全真试题及答案解析 一、单项选择题（每小题１分，共20分） 1、下列哪一个观点就是亚里士多德得思想？（） A、美德就是否可教 B、教学具有教育性 C、人得与谐发展与年龄分期 D、教育即生活 2、所谓在教学时要“用一把钥匙开一把锁”，就是指教师要有（）。 A、针对性 B、逻辑性 C、知识性 D、创造性 3、“君子欲化民成俗，其必由学乎”“古之王者，建国君民，教学为先”体现了（）得教育目得观。 A、教育无目得论 B、社会本位论 C、科学本位论 D、个人本位论 4、在教育过程中，教师对突发性事件（例如化学实验事故）作出迅速、恰当得处理被称为“教育机智”。这反映了教师劳动得（）特点。 A、复杂性 B、示范性 C、创造性 D、长期性 5、在呈现某一事物时，交替变更它所存在得形式，使该事物得非本质特征不断变化，本质特征保持不变，以突出事物得本质特征。这种方式被称为（）。 A、直观教学 B、启发教学 C、比较 D、变式 6、当一个人得思维发展处于“每个人对问题得瞧法都就是不一样得”时，其思维发展处于（）。 A、二元论阶段 B、多元论阶段 C、相对论阶段 D、约定论阶段 ７、“知之者莫如好之者，好之者莫如乐之者”，这句话体现得课程理念就是（）。 A、关注学生对知识得收获 B、关注学生得情绪生活与情感体验 C、关注学生得健康成长 D、关注学生得道德生活与人格养成 8、与一般身体锻炼相比，学校体育更具有（）。 A、随意性
B、娱乐性 C、自觉性 D、系统性 9、我们常说得提升学生心理素质，其标准就是根据心理健康三层面中得哪一层得标准？（）A、非病状态 B、良好适应状态 C、理想状态 D、正常状态 １0、教师提高研究技能得三种途径就是（）。 A、自主、合作、探究 B、阅读、合作、行动研究 C、学习、讨论、创新 D、兴趣、发现、研讨 11、抵抗外界诱惑得能力属于（）。 A、道德认知 B、道德情感 C、道德意志 D、道德行为 1２、根据学生得身心发展特点，小学、初中、高中不同学段得德育工作有相应得侧重点，其中，小学阶段得德育重点主要就是（）。 A、基本道德知识得理解与掌握 B、日常行为习惯得养成与实践 C、道德理想信念得培养与指导 D、人生观、价值观得选择与确立 13、直接影响活动效率，使活动顺此资料转贴于贵-州、学,习_网利完成得个性心理特征就是（）。 A、性格 B、气质 C、能力 D、兴趣 14、小学生在识字得初级阶段，容易把一些笔画相近或相似得字读错，如把“入口”读成“八口”，这说明小学生（）。 A、感知能力不成熟 B、注意能力不健全 C、记忆能力不深刻 D、思维能力有欠缺 1５、一名教师在走到安静得课堂门口故意咳嗽两声，目得就是引起学生得（）。 A、无意注意 B、有意注意 C、有意后注意 D、随意注意 16、进城务工得张某夫妇超计划生育一女孩，今年已满六岁，由于没有准生证，她们临时住所附近得一所小学及当地教育局拒绝接受孩子入学。学校与教育局得行为违反了（）。
第一章半导体器件基础测试题（高三） 姓名班次分数 一、选择题 1、N型半导体是在本征半导体中加入下列____________ 物质而形成的。 A、电子； B、空穴； C、三价元素； D、五价元素。 2、在掺杂后的半导体中，其导电能力的大小的说法正确的是 ________________ 。 A、掺杂的工艺； B、杂质的浓度： C、温度； D、晶体的缺陷。 3、晶体三极管用于放大的条件，下列说法正确的是 A、发射结正偏、集电结反偏； C、发射结反偏、集电结正偏； 4、晶体三极管的截止条件，下列说法正确的是 A、发射结正偏、集电结反偏； C、发射结反偏、集电结正偏； 5、晶体三极管的饱和条件，下列说法正确的是 A、发射结正偏、集电结反偏； C、发射结反偏、集电结正偏； 9、电路如下图所示，则A、B两点的电压正确 的是 A、U A=3.5V , U B=3.5V , D 截止； B、发射结正偏、集电结正偏; D、发射结反偏、集电结反偏; B、发射结正偏、集电结正偏; D、发射结反偏、集电结反偏; B、发射结正偏、集电结正偏; D、发射结反偏、集电结反偏; 6、理想二极管组成的电路如下图所示，其AB两端的电压是 A、一12V ; C、+6V ;B、一6V ; D、 7、要使普通二极管导通，下列说法正确的是 A、运用它的反向特性； C、硅管使用反向区域，而锗管使用正向区域; 锗管使用在反向击穿区； D、都使用正向区 8、对于用万用表测量二极管时，下列做法正确的是 A、用万用表的 B、用万用表的 C、用万用表的 D、用万用表的R X 100 R X 10K R X 100 R X 10 , 或R X 1000的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转; 的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转； 或R X 1000的欧姆，红棒接正极，黑棒接负极，指针偏转; 黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；
成考教育理论基础试题及答案解析七选择题： 1.学校的中心工作是___________。 A: 德育B: 体育C: 教学D: 美育 2.德育目标有总目标和___________目标。 A: 一般B: 集体C: 具体D: 个人 3.主张教学的主要任务在于传授对生活有用的知识的观点是___________教育论。A: 形式B: 实质C: 客观D: 主观 4.___________是教育实践活动的起点。 A: 教育评价B: 教育目的C: 教育体制D: 教育方法 5.做好教育工作的前提和基点是________。 A: 为人师表B: 团结协作C: 热爱学生D: 知识扎实 6.国家从具体国情出发制定的有关教育工作的总政策和总方向指的是________。A: 教育方针B: 教育目的C: 教育目标D: 培养目标 7.把社会与个人(特别是新生一代)联系起来的重要纽带是___________。 A: 德育B: 教学C: 体育D: 美育 8.教学是学校的___________工作。 A: 中心B: 一般C: 次要D: 辅助 9.教学过程中，学生的___________发展过程依赖于知识的掌握过程。 A: 体力B: 智力C: 能力D: 技巧 10.智力是掌握___________的前提和基础。
A: 智力B: 能力C: 技巧D: 知识 11.中国颁布的第一个现代学制被称为是________。 A: 壬寅学制B: 癸卯学制C: 壬子癸丑学制D: 壬戌学制 12.学生年龄特征中所包括的两方面特征是________ 。 A: 认识和情感特征B: 情感和意志特征C: 气质和性格特征D: 生理和心理特征13.世界上最早专门论述教育问题的著作是________。 A: 《论语》B: 《大学》C: 《学记》D: 《礼记》 14.传统教育派的代表人物是_______。 A: 赫尔巴特B: 杜威C: 克伯屈D: 吉鲁 15.德育的对象是___________。 A: 教育者B: 受教育者C: 德育内容D: 德育方法 16.对学生的思想品德行为作出肯定或否定的评价的德育方法是___________。 A: 说服教育B: 榜样示范C: 实际锻炼D: 品德评价 17.教学内部的本质联系是___________规律。 A: 教学B: 自然C: 教育D: 活动 18.教学是促进学生___________的过程。 A: 活动B: 学习C: 接受D: 发展 19.班级管理中，班主任工作的中心环节是组织和培养___________。 A: 年级B: 班级C: 学生D: 班集体 20.在德育过程中起主导作用的是___________。 A: 教育者B: 受教育者C: 德育内容D: 德育方法 填空题
半导体器件原理简明教程习题答案 傅兴华 1.1 简述单晶、多晶、非晶体材料结构的基本特点. 解 整块固体材料中原子或分子的排列呈现严格一致周期性的称为单晶材料; 原子或分子的排列只在小范围呈现周期性而在大范围不具备周期性的是多晶材料; 原子或分子没有任何周期性的是非晶体材料. 1.6 什么是有效质量，根据E(k)平面上的的能带图定性判断硅鍺和砷化镓导带电子的迁移率的相对大小. 解 有效质量指的是对加速度的阻力.k E h m k ??=2 1*1 由能带图可知,Ge 与Si 为间接带隙半导体,Si 的Eg 比Ge 的Rg 大，所以Ge μ>Si μ.GaAs 为直接带隙半导体,它的跃迁不与晶格交换能量,所以相对来说GaAs μ>Ge μ>Si μ. 1.10 假定两种半导体除禁带宽度以外的其他性质相同,材料1的禁带宽度为1.1eV,材料2 的禁带宽度为 3.0eV,计算两种半导体材料的本征载流子浓度比值,哪一种半导体材料更适合制作高温环境下工作的器件? 解 本征载流子浓度:)exp( )( 1082.42 15 T dp dn i k Eg m m m n ?= Θ两种半导体除禁带以外的其他性质相同 ∴)9.1exp()exp()exp(0.31.121T k k k n n T T ==-- ΘT k 9.1>0 ∴21n n > ∴在高温环境下2n 更合适 1.11 在300K 下硅中电子浓度330102-?=cm n ,计算硅中空穴浓度0p ,画出半导体能带图, 判断该半导体是n 型还是p 型半导体. 解 3 173 21002 02 0010125.1102)105.1(p -?=??==→=cm n n n p n i i ∴>00n p Θ是p 型半导体 1.16 硅中受主杂质浓度为31710-cm ,计算在300K 下的载流子浓度0n 和0p ,计算费米能级相 对于本征费米能级的位置,画出能带图. 解 3 17010-==cm N p A 200i n p n = T=300K →3 10 105.1-?=cm n i 330 2 01025.2-?==∴cm p n n i 00n p >Θ ∴该半导体是p 型半导体 )105.110ln(0259.0)ln(10 17 0??==-i FP i n p KT E E
教师招聘考试题库《幼儿园教育理论综合》考点强化练习新版 精选教案/试卷/文档/模板/课件合集
教师招聘考试题库《幼儿园教育理论综合》考点强化 练习新版 1、判断题;;:;;;:;“教师讲、幼儿听”是灌输式的机械教育。_____ ;;:;;: ;;: 2、单选题;;:;;;:;蒙台梭利提出儿童心理的胚胎期是_____。 A: 妊娠期 B: 0~3岁 C: 3-6岁 D: 0~6岁 ;;: ;;: 3、单选题;;:;;;:;儿童学习概念的主要方式是_____。 A: 通过生活实践 B: 自己总结 C: 向成人学习 D: 通过阅读 ;;: ;;: 4、单选题;;:;;;:;《中华人民共和国教育法》颁布于_____。 A: 1985 B: 1986
C: 1987 D: 1988 ;;: ;;: 5、单选题;;:;;;:;儿童的发展是通过_____。 A: 对物体的操作和与人的交往而发展的 B: 聆听教师讲授知识而发展的 C: 观察教师的操作过程而发展的 D: 观看电视卡通节目而发展的 ;;: ;;: 6、单选题;;:;;;:;幼儿教师职业道德的核心是_____。 A: 热爱教育事业 B: 热爱幼儿 C: 遵纪守法 D: 为人师表 ;;: ;;: 7、简答题;;:;;;:;性别角色 ;;:;;: ;;: 8、判断题;;:;;;:;幼儿的智力水平基本都是一样的，教师在教育活动中
不需要进行个别教育。_____ ;;:;;: ;;: 9、单选题;;:;;;:;社会需求与_____是制定幼儿园教育目标的主要依据。A: 幼儿身心发展特征和规律 B: 教育机构 C: 政府 D: 父母 ;;: ;;: 10、单选题;;:;;;:;3岁前儿童的言语主要是_____。 A: 连贯言语 B: 逻辑言语 C: 情境言语 D: 复合言语 ;;: ;;: 11、单选题;;:;;;:;儿童在教师指导下有目的地感知客观事物的过程的方法是_____。 A: 观察法 B: 游戏法 C: 操作法
半导体器件原理简明教程习题答案傅兴华
半导体器件原理简明教程习题答案 傅兴华 1.1 简述单晶、多晶、非晶体材料结构的基本特点. 解 整块固体材料中原子或分子的排列呈现严格一致周期性的称为单晶材料; 原子或分子的排列只在小范围呈现周期性而在大范围不具备周期性的是多晶材料; 原子或分子没有任何周期性的是非晶体材料. 1.6 什么是有效质量，根据E(k)平面上的的能带图定性判断硅鍺和砷化镓导带电子的迁移率的相对大小. 解 有效质量指的是对加速度的阻力.k E h m k ??= 21*1 由能带图可知,Ge 与Si 为间接带隙半导体,Si 的Eg 比Ge 的Rg 大，所以 Ge μ>Si μ.GaAs 为直接带隙半导体,它的跃迁不与晶格交换能量,所以相对来说 GaAs μ>Ge μ>Si μ. 1.10 假定两种半导体除禁带宽度以外的其他性质相同,材料1的禁带宽度为1.1eV,材料2的禁带宽度为3.0eV,计算两种半导体材料的本征载流子浓度比值,哪一种半导体材料更适合制作高温环境下工作的器件? 解 本征载流子浓度:)exp( )( 1082.42 15 T dp dn i k Eg m m m n ?= 两种半导体除禁带以外的其他性质相同 ∴)9.1exp()exp()exp(0.31.121T k k k n n T T ==-- T k 9.1>0 ∴21n n > ∴在高温环境下2n 更合适 1.11 在300K 下硅中电子浓度330102-?=cm n ,计算硅中空穴浓度0p ,画出半导体能带图,判断该半导体是n 型还是p 型半导体.
解 3 173 2 1002 02 0010125.110 2)105.1(p -?=??==→=cm n n n p n i i ∴>00n p 是p 型半导体 1.16 硅中受主杂质浓度为31710-cm ,计算在300K 下的载流子浓度0n 和0p ,计算费米能级相对于本征费米能级的位置,画出能带图. 解 317010-==cm N p A 2 00i n p n = T=300K →310105.1-?=cm n i 330 2 01025.2-?==∴cm p n n i 00n p > ∴该半导体是p 型半导体 ) 105.110ln(0259.0)ln(1017 0??==-i FP i n p KT E E 1.27 砷化镓中施主杂质浓度为31610-cm ，分别计算T=300K 、400K 的电阻率和电导率。 解 316010-==cm N n D =?=?=?=-i i n K T cm n K T 4001023003 6 0 02 n n p n p n i i o o = ?= 电导率p n qp qn μμσ00+=，电阻率σ ρ1= 1.40 半导体中载流子浓度314010-=cm n ,本征载流子浓度31010-=cm n i , 非平衡空穴浓度31310-=cm p δ,非平衡空穴的寿命s n 6010-=τ,计算电子-空穴的复合率,计算载流子的费米能级和准费米能级. 解 因为是n 型半导体 t p N C n 1 0= τ cm n p p N C R t o 190 10===τδδ )ln( 0i i Fn n p n kT E E δ+=- )ln(i o Fp i n p p kT E E δ+=- 2.2 有两个pn 结,其中一个结的杂质浓度3 17315105,105--?=?=cm N cm N A D ,另一 个结的杂质浓度319317105,105--?=?=cm N cm N A D ,在室温全电离近似下分别求它们的接触电势差,并解释为什么杂质浓度不同接触电势差的大小也不同.
1章常用半导体器件题解09677
第一章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（） （2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（） （3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 解：（1）√（2）×（3）√（4）× 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN结加正向电压时，空间电荷区将。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是。 A. I S e U B. ?Skip Record If...? C. ?Skip Record If...? （3）稳压管的稳压区是其工作在。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 解：（1）A （2）C （3）C （4）B 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
图T1.3 解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V， U O6≈－2V。 四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 图T1.4 解：U O1＝6V，U O2＝5V。 六、电路如图T1.6所示，V CC＝15V，β＝100，U BE＝0.7V。试问： （1）R b＝50kΩ时，u O＝？ （2）若T临界饱和，则R b≈？ 解：（1）R b＝50kΩ时，基极电流、集电 极电流和管压降分别为 ?Skip Record If...?μA ?Skip Record If...? 所以输出电压U O＝U CE＝2V。 图T1.6 （2）设临界饱和时U CES＝U BE＝0.7V，所以 ?Skip Record If...?
教师招聘考试教育理论基础综合试题及答案一
教师招聘考试教育理论基础综合试题及答案一 一、选择题 1.“道而弗牵，强而弗抑，开而弗达”要求教学必须遵循的原则是( ) A.因材施教原则 B.巩固性原则 C.启发性原则 D.科学性和教育性相结合的原则 答案：C 2.下列说法不是杜威实用主义教育学的论点是( ) A.教育即生活 B.学校即社会 C.做中学 D.生活即教育 答案：D 中公专家解析：“教育即生活，教育即生长，教育即经验的改组或改造”是杜威关于教育本质的论述。“生活即教育”是中国教育家陶行知的观点。 3.古希腊斯巴达教育比较重视( ) A.军事体操教育
B.政治哲学教育 C.天文数学教育 D.全面发展教育 答案：A 4.中国首次把美育列为教育的重要组成部分是在( ) A.19 B.19 C.1957年 D.1958年 答案：B 中公专家解析：19 9月，教育部颁布《小学校令》，并于同年ll月颁布《中学校令施行规则》。标志中国首次把美育作为教育的重要组成部分。 5.中国颁布实行的壬戌学制是在( ) A.19 B.19 C.19 D.1922年 答案：D
中公专家解析：1922年11月，中华民国北洋政府以大总统令颁布的《学校系统改革案》中规定的学制系统。为区别于壬子癸丑学制，又称新学制。 6.教育学生必须了解学生的年龄特征，这要求教师的知识结构应有( ) A.系统的马列主义理论修养 B.精深的专业知识 C.广博的文化基础知识 D.必备的教育科学知识 答案：D 中公专家解析：教育学、心理学的理论知识属于必备的教育科学知识。 7.人们常说“教育有法而教无定法”，这反映教师劳动具有( ) A.连续性特点 B.创造性特点 C.长期性特点 D.示范性特点 答案：B 中公专家解析：教师在教学上形成自己的对于教学的独特认识体现了教师劳动的创造性。
第4章常用半导体器件 本章要求了解PN结及其单向导电性，熟悉半导体二极管的伏安特性及其主要参数。理解稳压二极管的稳压特性。了解发光二极管、光电二极管、变容二极管。掌握半导体三极管的伏安特性及其主要参数。了解绝缘栅场效应晶体管的伏安特性及其主要参数。 本章内容目前使用得最广泛的是半导体器件——半导体二极管、稳压管、半导体三极管、绝缘栅场效应管等。本章介绍常用半导体器件的结构、工作原理、伏安特性、主要参数及简单应用。 本章学时6学时 4.1 PN结和半导体二极管 本节学时2学时 本节重点1、PN结的单向导电性； 2、半导体二极管的伏安特性； 3、半导体二极管的应用。 教学方法结合理论与实验，讲解PN结的单向导电性和半导体二极管的伏安特性，通过例题让学生掌握二半导体极管的应用。 4.1.1 PN结的单向导电性 1. N型半导体和Ｐ型半导体 在纯净的四价半导体晶体材料（主要是硅和锗）中掺入微量三价（例如硼）或五价（例如磷）元素，半导体的导电能力就会大大增强。掺入五价元素的半导体中的多数载流子是自由电子，称为电子半导体或N型半导体。而掺入三价元素的半导体中的多数载流子是空穴，称为空穴半导体或Ｐ型半导体。在掺杂半导体中多数载流子（称多子）数目由掺杂浓度确定，而少数载流子（称少子）数目与温度有关，并且温度升高时，少数载流子数目会增加。 2.PN结的单向导电性 当PN结加正向电压时，Ｐ端电位高于N端，PN结变窄,而当PN结加反向电压时，Ｎ端电位高于Ｐ端，PN结变宽,视为截止(不导通)。 4.1.2 半导体二极管 1.结构 半导体二极管就是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。由Ｐ区引出的电极称为阳极，Ｎ区引出的电极称为阴极。因为PN结的单向导电性，二极管导通时电流方向是由阳极通过管子内部流向阴极。 2. 二极管的种类 按材料来分，最常用的有硅管和锗管两种；按用途来分，有普通二极管、整流二极管、稳压二极管等多种；按结构来分，有点接触型，面接触型和硅平面型几种，点接触型二极管（一般为锗管）其特点是结面积小，因此结电容小，允许通过的电流也小，适用高频电路的检波或小电流的整流，也可用作数字电路里的开关元件；面接触型二极管（一般为硅管）其特点是结面积大，结电容大，允许通过的电流较大，适用于低频整流；硅平面型二极管，结面积大的可用于大功率整流，结面积小的，适用于脉冲数字电路作开关管。
贵州大学2008-2009学年第二学期考试试卷 A 科目名：固体电子器件原理 注意事项： 1. 请考生按要求在试卷装订线内填写姓名、学号和年级专业。 2. 请仔细阅读各种题目的回答要求，在规定的位置填写答案。 3. 不要在试卷上乱写乱画，不要在装订线内填写无关的内容。 4. 满分100分，考试时间为120分钟。 题 号 一 二 三 四 五 六 七 总 分 统分人 得 分 一、能带图 (27分) 1. 画出硅pn 结零偏、反偏和正偏条件下的能带图，标出 有关能量。 (9 分) 2. 画出n 型衬底上理想的金属-半导体接触（理想金属-半导体接触的含义：金属-半导体界面无界面态，不考虑镜像电荷的作用）的能带图，(a) φm > φs , (b) φm < φs . 分别指出该接触是欧姆接触还是整流接触? （要求画出接触前和接触后的能带图）( 8 分 ) φm > φs , 得 分 评分人
φm < φs, 3. 画出p型硅衬底上理想MOS结构（理想MOS结构的含义：栅极材料与衬底半导体无功函数差，栅极-氧化层-衬底无界面态，氧化层为理想的介质层）半导体表面处于反型状态时的能带图。(5分) 4. 重掺杂的n+多晶硅栅极-二氧化硅-n型半导体衬底形成的MOS结构，假定氧化层电荷为零。画出MOS结构在平衡态的能带图，说明半导体表面状态。（5分）
二、器件工作机理和概念(35 分) 1. 简述突变空间电荷区近似的概念。 (5分) 现在以突变pn 结为例来研究平衡pn 结的特性。我们知道，在p 型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子；而在n 型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子。于是，在pn 结冶金界面的两侧因浓度差而出现了载流子的扩散运动。 p 区的空穴向n 区扩散，在冶金界面的p 型侧留下电离的不可动的受主离子; 同理，n 区的电子向p 区扩散，在冶金界面的n 型侧留下电离的不可动的施主离子。电离的受主离子带负电，电离的施主离子带正电。于是，随着扩散过程的进行，在pn 结界面两侧的薄层内，形成了由不可动的正负电荷组成的非电中性区域。我们把这一区域称为pn 结空间电荷区， 如图所示。 空间电荷的出现，在pn 结两侧产生了由正电荷指向负电荷的电场E bi ， 即由n 区指向p 区的电场。这一电场称为自建电场或内建电场。在自建电场的作用下，空间电荷区内n 型侧空穴向p 区漂移，p 型侧电子向n 区漂移，同时产生与p 区空穴和n 区电子的扩散方向相反的“推挡”作用，减弱了浓度差引起的扩散运动对载流子的输运作用。当扩散运动与自建电场的作用达到动态平衡时， 载流子通过pn 结界面的净输运为零，空间电荷区的宽度不再变化，自建电场的大小也不再变化。 由于自建电场的作用，可近似认为空间电荷区内的自由载流子—电子和空穴 被完全“扫出”该区域，只剩下电离受主和电离施主原子，空间电荷区是一个高阻区，所以空间电荷区又称为耗尽区或阻挡层。此外，空间电荷区的边界虽然是缓变的，但计算表明过度区很窄，因此，可近似认为空间电荷区边界是突变的。这两个近似条件，称为突变空间电荷区近似或突变耗尽近似。在突变耗尽近似条件下，如图在-x p 到x n 之间，没有自由载流子，电阻为无穷大；在-x p 和x n 的外侧是电中性的；在-x p 和x n 处，存在一个由电中性区到耗尽区的突变界面。 得 分 评分人
教师招考教育学心理学试题及答案（共六份试卷） (第一卷) 一、单选题 1.杜威所主张的教育思想被称作是( )。 A.存在主义教育思想 B.要素主义教育思想 C.实用主义教育思想 D.永恒主义教育思想 2.在17世纪，对班级授课制给予了系统的理论描述和概括，从而奠定了它的理论基础的教育家是( )。 A.北欧的尼德兰 B.捷克的夸美纽斯 C.法国的斯图谟 D.德国的福禄培尔 3.教师在教育工作中要做到循序渐进，这是因为( )。 A.学生只有机械记忆的能力 B.教师的知识、能力是不一样的 C.教育活动中要遵循人的身心发展的一般规律 D.教育活动完全受到人的遗传素质的制约 4.身处教育实践第一线的研究者与受过专门训练的科学研究者密切协作，以教育实践中存在的某一问题作为研究对象，通过合作研究，再把研究结果应用到自身从事的教育实践中的一种研究方法，这种研究方法是( )。 A.观察法 B.读书法 C.文献法D.行动研究法 5.马克思主义教育学在教育起源问题上坚持( )。 A.劳动起源论 B.生物起源论 C.心理起源论 D.生物进化论 6.必须把教育摆在优先发展的战略地位思想的提出始自党的( )。 A.十五大 B.十四大 C.十三大 D.十二大 7.反映一个国家配合政治、经济、科技体制而确定下来的学校办学形式、层次结构、组织管理等相对稳定的运行模式和规定，这是指( )。 A.教育制度 B.学校教育制度 C.教育体制 D.学校领导制度 8.《中华人民共和国义务教育法》颁布于( )。 A.1985年B.1986年 C.1987年 D.1988年 9.北京师范大学学制研究小组于1981年在其附属中小学开始进行的学制实验是( )。 A.六三制 B.双轨制 C.分支型 D.五四制 10.马克思主义认为，造就全面发展的人的途径和方法是( )。 A.教育与生产劳动相结合 B.加强现代科学教育 C.开展网络教育 D.高等学校扩招 11.教学从本质上说，是一种( )。A.认识活动 B.教师教的活动 C.学生学的活动 D.课堂活动 12.师范学校的出现，与教师成为一种独立的社会职业，从时间上来说，( )。 A.是同时的 B.师范学校出现得早 C.教师成为一种独立的社会职业的时间早 D.说不清楚
《模拟电子技术基础》 （教案与讲稿） 任课教师：谭华 院系：桂林电子科技大学信息科技学院电子工程系 授课班级：2008电子信息专业本科1、2班 授课时间：2009年9月21日------2009年12月23日每周学时：4学时 授课教材：《模拟电子技术基础》（第4版） 清华大学电子学教研组童诗白华成英主编 高教出版社 2009
第一章常用半导体器件 本章内容简介 半导体二极管是由一个PN结构成的半导体器件,在电子电路有广泛的应用。本章在简要地介绍半导体的基本知识后，主要讨论了半导体器件的核心环节——PN 结。在此基础上，还将介绍半导体二极管的结构、工作原理,特性曲线、主要参数以及二极管基本电路及其分析方法与应用。最后对齐纳二极管、变容二极管和光电子器件的特性与应用也给予简要的介绍。 （一）主要内容: ?半导体的基本知识 ?PN结的形成及特点，半导体二极管的结构、特性、参数、模型及应用电 路 （二）基本要求: ?了解半导体材料的基本结构及PN结的形成 ?掌握PN结的单向导电工作原理 ?了解二极管（包括稳压管）的V-I特性及主要性能指标 （三）教学要点： ?从半导体材料的基本结构及PN结的形成入手，重点介绍PN结的单向导 电工作原理、 ?二极管的V-I特性及主要性能指标 1.1 半导体的基本知识 1.1.1 半导体材料 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。导电性能介于导体与绝缘体之间材料，我们称之为半导体。在电子器件中，常用的半导体材料有：元素半导体，如硅（Si）、锗（Ge）等；化合物半导体，如砷化镓（GaAs）等；以及掺杂或制成其它化合物半导体材料，如硼（B）、磷（P）、锢（In）和锑（Sb）等。其中硅是最常用的一种半导体材料。 半导体有以下特点： 1．半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间 2．半导体受外界光和热的刺激时，其导电能力将会有显著变化。 3．在纯净半导体中，加入微量的杂质，其导电能力会急剧增强。
半导体器件基础测试题
第一章半导体器件基础测试题（高三） 姓名班次分数 一、选择题 1、N型半导体是在本征半导体中加入下列物质而形成的。 A、电子； B、空穴； C、三价元素； D、五价元素。 2、在掺杂后的半导体中，其导电能力的大小的说法正确的是。 A、掺杂的工艺； B、杂质的浓度： C、温度； D、晶体的缺陷。 3、晶体三极管用于放大的条件，下列说法正确的是。 A、发射结正偏、集电结反偏； B、发射结正偏、集电结正偏； C、发射结反偏、集电结正偏； D、发射结反偏、集电结反偏； 4、晶体三极管的截止条件，下列说法正确的是。 A、发射结正偏、集电结反偏； B、发射结正偏、集电结正偏； C、发射结反偏、集电结正偏； D、发射结反偏、集电结反偏； 5、晶体三极管的饱和条件，下列说法正确的是。 A、发射结正偏、集电结反偏； B、发射结正偏、集电结正偏； C、发射结反偏、集电结正偏； D、发射结反偏、集电结反偏； 6、理想二极管组成的电路如下图所示，其AB两端的电压是。
A、—12V； B、—6V； C、+6V； D、+12V。 7、要使普通二极管导通，下列说法正确的是。 A、运用它的反向特性； B、锗管使用在反向击穿区； C、硅管使用反向区域，而锗管使用正向区域； D、都使用正向区域。 8、对于用万用表测量二极管时，下列做法正确的是。 A、用万用表的R×100或R×1000的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转； B、用万用表的R×10K的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转； C、用万用表的R×100或R×1000的欧姆，红棒接正极，黑棒接负极，指针偏转； D、用万用表的R×10，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转； 9、电路如下图所示，则A、B两点的电压正确的是。 A、U A=3.5V，U B=3.5V，D截止； B、U A=3.5V，U B=1.0V，D截止； C、U A=1.0V，U B=3.5V，D导通； D、U A=1.0V，U B=1.0V，D截止。 10、稳压二极管在电路中的接法，正确的说法是。 A、稳压管是正向并接在电路中，即稳压管正极接电路中电源的正极，负极接电源的负极； B、稳压管是反向并接在电路中，即稳压管正极接电路中电源的负极，负极接电源的正极； C、稳压管是正向串接在电路中，即稳压管正极串接电路中电源的高电位，负极接电源的低电位。 D、稳压管是反向串接在电路中，即稳压管